JP2010034429A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 研磨スラリーが貯留されて上方が開放したタンクと、
   ローラの一部が前記スラリーの液面より上部に存在して、かつ水平に前記タンクに設けられた研磨ローラと、
   前記研磨ローラと平行に設けられウェーハ周辺部形状に相応した形状の複数の周溝が所定の間隔をあけて形成され前記周溝にウェーハ周辺部を収容することにより前記研磨ローラとともに複数の半導体ウェーハを鉛直状態に保持する複数の回転ローラと、
   前記研磨ローラを回転駆動する第１ローラ回転手段と、
   前記複数の回転ローラを回転駆動する第２ローラ回転手段と
   を備え、
   前記第１及び第２ローラ回転手段により前記研磨ローラ及び前記複数の回転ローラを回転駆動して前記ウェーハを円周方向に回転させることにより前記研磨ローラに保持された研磨スラリーで前記ウェーハの周辺部を研磨する
   ことを特徴とする半導体ウェーハ周辺部の研磨装置。
2. 研磨ローラに接触回転した直後の半導体ウェーハの周辺部に超純水を噴射するためのシャワーノズルを更に備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨装置。
3. 研磨ローラに接触回転して研磨される半導体ウェーハの数と少なくとも同数の周溝が前記研磨ローラに形成され、前記周溝の内面形状が前記ウェーハの所望の面取り形状に相応することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨装置。
4. 研磨ローラが高硬度材料からなる軸芯とこの軸芯の周囲に設けられたエンジニアリングプラスチックと前記エンジニアリングプラスチックの周囲に設けられた研磨クロスとにより構成されたことを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項に記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨装置。
5. ウェーハ表裏面をフリーな状態にして所定の間隔をあけて鉛直方向に保持された複数の半導体ウェーハを、研磨スラリーを保持して回転する研磨ローラに接触回転させて前記ウェーハの周辺部を研磨することを特徴とする半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
6. 研磨ローラに接触回転した直後の半導体ウェーハの周辺部に超純水を噴射して前記ウェーハに付着した研磨スラリーを除去することを特徴とする請求項５記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
7. 研磨ローラに接触回転して研磨される半導体ウェーハの数と少なくとも同数の周溝が前記研磨ローラに形成され、前記周溝の内面形状が前記ウェーハの所望の面取り形状に相応する請求項５又は６記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
8. 研磨ローラの周囲を研削した後、前記研磨ローラに接触回転して研磨される半導体ウェーハの数と少なくとも同数の周溝を前記研磨ローラに形成することを特徴とする請求項７記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
9. 複数の半導体ウェーハをウェーハキャリアに収容した状態で研磨ローラに接触回転させることを特徴とする請求項５又は６記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
10. ウェーハキャリアに収容していた複数の半導体ウェーハを前記キャリアから取り出した状態で研磨ローラに接触回転させることを特徴とする請求項５又は６記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。