JP2010032377A

JP2010032377A - Length measuring pattern and length measuring method

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Publication number: JP2010032377A
Application number: JP2008195097A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Haruhara; 英明春原
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2008-07-29
Filing date: 2008-07-29
Publication date: 2010-02-12

Abstract

【課題】一箇所の測定によって、パターンどうしの位置ずれ量のＸ軸方向成分とＹ軸方向成分を測定することができる測長パターンおよび測長方法を提供すること。
【解決手段】直線状の第一の目盛軸１１とこの第一の目盛軸１１に直交する直線状の第二の目盛軸１２とを有し、第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２とが略Ｘ字状に交差して形成される第一の測長パターン１ａと、直線状の第一の副軸２１とこの第一の副軸２１に直交する第二の副軸２２とを有し、第一の副軸２１と第二の副軸２２とが略Ｘ字状に交差して形成される第二の測長パターン２ａと、を有し、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａとが重畳するとともに所定の角度をもって交差するように形成される。
【選択図】図２To provide a length measurement pattern and a length measurement method capable of measuring an X-axis direction component and a Y-axis direction component of a positional deviation amount between patterns by measurement at one place.
SOLUTION: A linear first graduation shaft 11 and a linear second graduation shaft 12 orthogonal to the first graduation shaft 11 are provided, the first graduation shaft 11 and the second graduation shaft. 12, a first length measuring pattern 1a formed by intersecting in a substantially X shape, a linear first auxiliary shaft 21, and a second auxiliary shaft 22 orthogonal to the first auxiliary shaft 21; The first length measurement pattern 1a includes a second length measurement pattern 2a formed by intersecting the first sub shaft 21 and the second sub shaft 22 in a substantially X shape. And the second length measurement pattern 2a are formed so as to overlap and intersect with each other at a predetermined angle.
[Selection] Figure 2

Description

本発明は、測長パターンおよび測長方法に関するものであり、詳しくは、基板上に形成される所定のパターンと他の所定のパターンとのズレ量を測定することができる測長パターンおよび測長方法に関するものである。 The present invention relates to a length measurement pattern and a length measurement method, and more particularly, to a length measurement pattern and a length measurement capable of measuring a deviation amount between a predetermined pattern formed on a substrate and another predetermined pattern. It is about the method.

一般的なアクティブマトリックスタイプの液晶表示パネルは、ＴＦＴアレイ基板と対向基板（カラーフィルタなど）とを備える。そして、これらの基板が所定の微小な間隔をおいて、対向して配設され、これらの基板の間に、液晶が充填封入されるという構成を備える。ＴＦＴアレイ基板の片側表面（対向基板に対向する側の表面）には、ＴＦＴ、データ線（ソース配線とも称する）、走査線（ゲート配線とも称する）ドレイン配線、半導体膜などといった、様々な薄膜状の配線パターンやその他の所定の要素の薄膜パターンが形成される。これらの薄膜状の配線パターンやその他所定の要素の薄膜パターンは、互いに所定の位置関係となるように位置合わせされ、積層するように形成される。 A general active matrix type liquid crystal display panel includes a TFT array substrate and a counter substrate (color filter or the like). These substrates are arranged to face each other at a predetermined minute interval, and a liquid crystal is filled and sealed between these substrates. Various thin film shapes such as TFTs, data lines (also referred to as source lines), scanning lines (also referred to as gate lines), drain lines, semiconductor films, etc. are formed on one surface of the TFT array substrate (the surface facing the opposite substrate). A wiring pattern and a thin film pattern of other predetermined elements are formed. These thin-film wiring patterns and thin film patterns of other predetermined elements are aligned so as to have a predetermined positional relationship with each other, and are formed so as to be laminated.

配線パターンおよび所定のパターンの位置合わせや、位置合わせ精度の測定のためには、バーニヤパターン（バーニヤ目盛）が用いられることがある（特許文献１、特許文献２参照）。特許文献１や特許文献２には、ウェハなどの表面の所定の位置に、Ｘ軸方向の位置を測定するバーニヤパターンと、Ｙ軸方向の位置を測定するバーニヤパターンと形成が形成される構成が開示されている。これらのような構成によれば、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のバーニヤパターンのそれぞれの目盛を読み取ることによって、配線パターンや所定のパターンのＸ軸方向の位置ずれ量およびＹ軸方向の位置ずれ量を測長することができる。 Vernier patterns (vernier scales) may be used for alignment of wiring patterns and predetermined patterns and measurement of alignment accuracy (see Patent Document 1 and Patent Document 2). Patent Documents 1 and 2 have a configuration in which a vernier pattern that measures a position in the X-axis direction and a vernier pattern that measures a position in the Y-axis direction are formed at predetermined positions on the surface of a wafer or the like. It is disclosed. According to such a configuration, by reading the scales of the vernier patterns in the X-axis direction and the Y-axis direction, the positional deviation amount in the X-axis direction and the positional deviation amount in the Y-axis direction of the wiring pattern or the predetermined pattern are read. Can be measured.

しかしながら、バーニヤパターンにより位置ずれ量を測長する構成では、次のような問題が生じることがある。一般的にバーニヤパターンは、所定の一方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向のみ）の位置ずれ量しか測長することができない。したがって、Ｘ軸方向の位置ずれ量およびＹ軸方向の位置ずれ量の両方を測長するためには、それぞれＸ軸方向の位置ずれ測長用のバーニヤパターンと、Ｙ軸方向の位置ずれ量測長用のバーニヤパターンを用い、それぞれ別個に測長を行わなければならない。このように、一点の位置ずれ量の測定に二箇所の目盛の測長が必要となるため、位置ずれ量の測長に時間を要していた。 However, in the configuration in which the amount of positional deviation is measured using a vernier pattern, the following problem may occur. In general, a vernier pattern can only measure the amount of positional deviation in a predetermined direction (X-axis direction or Y-axis direction only). Therefore, in order to measure both the positional deviation amount in the X-axis direction and the positional deviation amount in the Y-axis direction, a vernier pattern for measuring the positional deviation in the X-axis direction and the positional deviation amount measurement in the Y-axis direction, respectively. A long vernier pattern must be used and the length must be measured separately. As described above, since measurement of two scales is required for measuring the amount of misalignment at one point, it takes time to measure the amount of misalignment.

また、バーニヤパターンを用いて目盛の測長を行う場合、測定者によって目盛の読みとり値に相違が生じることがあった。すなわち、バーニヤパターンの読み取りは、本尺（主尺とも称することがある）の目盛と副尺の目盛とが最も近接しているものどうしを選択し、選択した目盛から位置ずれ量を測定する。このように、バーニヤパターンを用いた測定においては、本尺と副尺のいずれの目盛どうしが最も近接しているかを判断する必要がある。そして、測定者ごとに判断が相違することがある。そうすると、測定者ごとに測定値に相違が生じるおそれがある。 Further, when the scale is measured using a vernier pattern, the measured value may differ depending on the measurer. That is, the vernier pattern is read by selecting the scales of the main scale (sometimes referred to as the main scale) and the scale of the vernier that are closest to each other, and measuring the amount of displacement from the selected scale. As described above, in the measurement using the vernier pattern, it is necessary to determine which scale of the main scale and the vernier scale are closest to each other. And judgment may differ for every measurer. If it does so, there exists a possibility that a difference may arise in a measured value for every measurer.

特開平７−６６１１３号公報JP-A-7-66113 特開平７−２２６３６５号公報JP 7-226365 A

上記実情に鑑み、本発明が解決しようとする課題は、一箇所の測定によって、パターンどうしの位置ずれ量のＸ軸方向成分とＹ軸方向成分を測定することができる測長パターンおよび測長方法を提供すること、または測定者の相違による測定値のばらつきを抑制または防止することができる測長パターンおよび測長方法を提供すること、または、測長の精度を向上することができる測長パターンおよび測長方法を提供することである。 In view of the above situation, the problem to be solved by the present invention is that a length measurement pattern and a length measurement method capable of measuring an X-axis direction component and a Y-axis direction component of a positional deviation amount between patterns by a single measurement. Or provide a length measurement pattern and a length measurement method that can suppress or prevent variations in measurement values due to differences in measurers, or a length measurement pattern that can improve the accuracy of length measurement And to provide a length measurement method.

前記課題を解決するため、本発明は、直線状の第一の目盛軸と該第一の目盛軸に直交する直線状の第二の目盛軸とを有し前記第一の目盛軸と前記第二の目盛軸とが略Ｘ字状に交差して形成される第一の測長パターンと、直線状の第一の副軸と該第一の副軸に直交する第二の副軸とを有し前記第一の副軸と前記第二の副軸とが略Ｘ字状に交差して形成される第二の測長パターンと、を有し、前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとが重畳するとともに所定の角度をもって交差するように形成されることを要旨とするものである。 In order to solve the above problems, the present invention includes a linear first graduation axis and a linear second graduation axis perpendicular to the first graduation axis, the first graduation axis and the first graduation axis. A first length measurement pattern formed by intersecting the second scale axis in a substantially X shape, a linear first sub-axis, and a second sub-axis orthogonal to the first sub-axis. A second length measurement pattern formed by intersecting the first counter shaft and the second counter shaft in a substantially X-shape, and the first length measurement pattern and the first length measurement pattern The gist of the present invention is that the two length measurement patterns are overlapped with each other and formed so as to intersect at a predetermined angle.

ここで、前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとは、互いに異なるレイヤに形成されることが好ましい。 Here, it is preferable that the first length measurement pattern and the second length measurement pattern are formed in different layers.

また、前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとが交差する角度は４５度が好適に適用できる。 In addition, the angle at which the first length measurement pattern and the second length measurement pattern intersect with each other is preferably 45 degrees.

また、前記第一の測長パターンには市松模様が好適に適用できる。 A checkered pattern can be suitably applied to the first length measurement pattern.

本発明は、基板に形成される複数のパターンどうしのズレ量を測定する測長方法であって、直線状の第一の目盛軸と該第一の目盛軸に直交する直線状の第二の目盛軸とを有し前記第一の目盛軸と前記第二の目盛軸とが略Ｘ字状に交差して形成される第一の測長パターンと、直線状の第一の副軸と該第一の副軸に直交する第二の副軸とを有し前記第一の副軸と前記第二の副軸とが略Ｘ字状に交差して形成される第二の測長パターンと、を互いに重畳するとともに所定の角度をもって交差するように形成し、第二の測長パターンの第一の副軸と第一の測長パターンの第一の目盛軸または第二の目盛軸との交点と、第二の測長パターンの第二の副軸と第一の測長パターンの第一の目盛軸または第二の目盛軸との交点とから、第一の測長パターンと第二の測長パターンのズレ量を測定することを要旨とするものである。 The present invention is a length measuring method for measuring a deviation amount between a plurality of patterns formed on a substrate, and includes a linear first scale axis and a linear second scale perpendicular to the first scale axis. A first length measurement pattern having a scale axis, the first scale axis and the second scale axis intersecting in a substantially X shape, a linear first sub-axis, and A second length measurement pattern having a second sub-axis perpendicular to the first sub-axis and formed by intersecting the first sub-axis and the second sub-axis in a substantially X-shape. Are formed so as to overlap each other and intersect at a predetermined angle, and the first secondary axis of the second length measurement pattern and the first scale axis or the second scale axis of the first length measurement pattern From the intersection and the intersection of the second secondary axis of the second length measurement pattern and the first scale axis or the second scale axis of the first length measurement pattern, the first length measurement pattern and the first length measurement pattern It is an gist measuring the shift amount of the measuring pattern.

前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとは、異なる工程において異なるレイヤに形成されることが好ましい。 The first length measurement pattern and the second length measurement pattern are preferably formed in different layers in different steps.

前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとが交差する角度は４５度が好適に適用できる。 The angle at which the first length measurement pattern and the second length measurement pattern intersect with each other is preferably 45 degrees.

前記第一の測長パターンには、市松模様が好適に適用できる。 A checkered pattern can be suitably applied to the first length measurement pattern.

本発明によれば、第一の測長パターンと第二の測長パターンの位置ずれ量を測定することによって、所定のパターンどうしの位置ずれ量のＸ軸方向成分とＹ軸方向成分を測定することができる。したがって、位置ずれ量のＸ軸方向成分とＹ軸方向成分とを別個に測定する構成に比較して、測長に要する手間と時間を短縮することができる。また、本発明によれば、目盛軸の読み取りにより位置ずれ量を測長することができるから、測定者の相違による測長値のばらつきを防止または抑制することができる。また、第一の測長パターンと第二の測長パターンとを相互に傾斜させることにより、実質的に最小目盛間隔を小さくすることができる。したがって、測長精度の向上を図ることができる。 According to the present invention, the X-axis direction component and the Y-axis direction component of the positional deviation amount between predetermined patterns are measured by measuring the positional deviation amount between the first length measurement pattern and the second length measurement pattern. be able to. Therefore, compared with a configuration in which the X-axis direction component and the Y-axis direction component of the positional deviation amount are measured separately, the labor and time required for length measurement can be shortened. Further, according to the present invention, since the amount of positional deviation can be measured by reading the scale axis, it is possible to prevent or suppress variations in length measurement values due to differences in measurers. Moreover, the minimum scale interval can be substantially reduced by inclining the first length measurement pattern and the second length measurement pattern. Therefore, the length measurement accuracy can be improved.

以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。本発明の実施形態は、所定の薄膜パターンと他の所定の薄膜パターンの位置ずれ量を測長するための測長パターンおよび測長方法に関するものである。 Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Embodiments described herein relate generally to a length measurement pattern and a length measurement method for measuring a positional deviation amount between a predetermined thin film pattern and another predetermined thin film pattern.

図１は、本発明の実施形態にかかる測長パターンの構成を、模式的に示した平面図である。それぞれ、図１（ａ）は第一の測長パターン１ａの構成を示し、図１（ｂ）は第二の測長パターン２ａの構成を示す。 FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a length measurement pattern according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) shows the configuration of the first length measurement pattern 1a, and FIG. 1 (b) shows the configuration of the second length measurement pattern 2a.

図１（ａ）に示すように、第一の測長パターン１ａは、第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２とからなる。第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２は、直線状の目盛軸である。そして互いに略Ｘ字状に交差している。第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交差角度は特に限定されるものではないが、Ｘ軸方向の測長とＹ軸方向の測長を、同じ精度で行うことができるように（換言すると、同じ最小目盛寸法で行うことができるように）、９０°であることが好ましい。そして第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２には、互いに交点を原点として測長を行うことができるように、所定の間隔の目盛が形成される。第一の目盛軸１１および第二の目盛軸１２の最小目盛間隔は、測長精度に応じて設定されるものであり、特に限定されるものではない。 As shown in FIG. 1A, the first length measurement pattern 1 a includes a first scale axis 11 and a second scale axis 12. The first scale axis 11 and the second scale axis 12 are linear scale axes. And they cross each other in a substantially X shape. The crossing angle between the first graduation axis 11 and the second graduation axis 12 is not particularly limited, but the measurement in the X-axis direction and the measurement in the Y-axis direction can be performed with the same accuracy. It is preferably 90 ° (in other words, so that it can be performed with the same minimum scale size). The first graduation shaft 11 and the second graduation shaft 12 are formed with graduations having a predetermined interval so that length measurement can be performed with the intersection point as the origin. The minimum scale interval between the first scale axis 11 and the second scale axis 12 is set according to the length measurement accuracy, and is not particularly limited.

図１（ｂ）に示すように、第二の測長パターン２ａは、第一の副軸２１と第二の副軸２２とからなる。第一の副軸２１および第二の副軸２２は直線状の軸である。そして第一の副軸２１と第二の副軸２２とは、互いに略Ｘ字状に交差している。第一の副軸２１と第二の副軸２２の交差角度は特に限定されるものではないが、Ｘ軸方向の測長とＹ軸方向の測長を行うことができるように、９０°であることが好ましい。なお、第一の副軸２１および第二の副軸２２は、それぞれ直線状の軸状のパターンであれば良く、目盛などが形成される必要はない。 As shown in FIG. 1B, the second length measurement pattern 2 a is composed of a first countershaft 21 and a second countershaft 22. The first auxiliary shaft 21 and the second auxiliary shaft 22 are linear axes. The first auxiliary shaft 21 and the second auxiliary shaft 22 intersect with each other in a substantially X shape. The crossing angle between the first sub-axis 21 and the second sub-axis 22 is not particularly limited, but is 90 ° so that the length measurement in the X-axis direction and the length measurement in the Y-axis direction can be performed. Preferably there is. In addition, the 1st countershaft 21 and the 2nd countershaft 22 should just be a linear axial pattern, respectively, and a scale etc. do not need to be formed.

図２は、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａとが重畳して形成される状態を示した平面図である。図２に示すように、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａは、異なるレイヤ（層）に形成されるものであって、互いに重畳するように形成される。それぞれ、図２（ａ）は、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交点と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点とが、略一致している状態を示した図であり、図２は、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交点と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点とが、一致していない（すなわち位置ずれしている）状態を示した図である。 FIG. 2 is a plan view showing a state in which the first length measurement pattern 1a and the second length measurement pattern 2a are formed to overlap each other. As shown in FIG. 2, the first length measurement pattern 1a and the second length measurement pattern 2a are formed in different layers (layers) and are formed so as to overlap each other. FIG. 2A shows the intersection of the first scale axis 11 and the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a, the first sub-axis 21 of the second length measurement pattern 2a, and the first FIG. 2 is a diagram showing a state in which the intersection point of the two sub-axes 22 substantially coincides, and FIG. 2 shows the intersection point of the first scale axis 11 and the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a. And the intersection of the first sub-axis 21 and the second sub-axis 22 of the second length measurement pattern 2a does not match (that is, is displaced).

図２（ａ）に示すように、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交点の位置と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の位置とが一致している場合には、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａとは、位置が一致している（すなわち、位置ずれ量がゼロである）ものとする。第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａの相対的な位置ずれ量は、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交点の位置と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の位置との位置関係に基づいて測長できる。 As shown in FIG. 2A, the position of the intersection of the first scale axis 11 and the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a and the first minor axis of the second length measurement pattern 2a. When the position of the intersection of 21 and the second countershaft 22 coincides, the first length measurement pattern 1a and the second length measurement pattern 2a coincide with each other (that is, the position The amount of deviation is zero). The relative displacement between the first length measurement pattern 1a and the second length measurement pattern 2a is the position of the intersection of the first scale axis 11 and the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a. The length can be measured based on the positional relationship between the first sub-axis 21 and the second sub-axis 22 of the second length measurement pattern 2a.

第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａとは、所定の角度をもって交差する。すなわち、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１とは、所定の交差角度θをもって交差する。同様に、第一の測長パターン１ａの第二の目盛軸１２と第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２とは、所定の交差角度θをもって交差する。これら所定の交差角度θは、本発明の実施形態においては、それぞれ４５°に設定される。なお、これらの所定の交差角度θは４５°に限定されるものではなく、他の角度であっても良い。ただし、これらの所定の交差角度θを４５°に設定することによって、Ｘ軸方向の位置ずれ量と、Ｙ軸方向の位置ずれ量を、同じ精度で測長することができる。 The first length measurement pattern 1a and the second length measurement pattern 2a intersect at a predetermined angle. That is, the first scale axis 11 of the first length measurement pattern 1a and the first minor axis 21 of the second length measurement pattern 2a intersect with a predetermined intersection angle θ. Similarly, the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a and the second minor axis 22 of the second length measurement pattern 2a intersect at a predetermined intersection angle θ. These predetermined intersection angles θ are each set to 45 ° in the embodiment of the present invention. Note that these predetermined crossing angles θ are not limited to 45 °, and may be other angles. However, by setting the predetermined crossing angle θ to 45 °, it is possible to measure the positional deviation amount in the X-axis direction and the positional deviation amount in the Y-axis direction with the same accuracy.

図２（ｂ）を参照して、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａとが位置ずれをしている場合における、位置ずれ量のＸ軸方向成分とＹ軸方向成分の測長方法について説明する。ここで、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１および第二の目盛軸１２の目盛間隔をａ（μｍ）とする。 Referring to FIG. 2B, the X-axis direction component and the Y-axis direction component of the positional deviation amount when the first length measurement pattern 1a and the second length measurement pattern 2a are displaced. A length measurement method will be described. Here, a scale interval between the first scale axis 11 and the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a is defined as a (μm).

位置ずれ量のＸ軸方向成分の測長方法は、次のとおりである。第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２と、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の交点における第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の目盛を読み取る。第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１との交差角度θが４５°である場合、および、第一の測長パターン１ａの第二の目盛軸１２と第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２との交差角度θが４５°である場合には、第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２と第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１の交点の目盛の読み取り値と、第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２と第一の測長パターン１ａの第二の目盛軸１２の交点の目盛の読み取り値とは、同一となる。 The length measurement method of the X-axis direction component of the positional deviation amount is as follows. The first scale axis 11 or the second scale axis at the intersection of the second minor axis 22 of the second length measurement pattern 2a and the first scale axis 11 or the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a. The scale on the scale axis 12 is read. When the crossing angle θ between the first scale axis 11 of the first length measurement pattern 1a and the first sub-axis 21 of the second length measurement pattern 2a is 45 °, and the first length measurement pattern When the crossing angle θ between the second scale axis 12 of 1a and the second secondary axis 22 of the second length measurement pattern 2a is 45 °, the second secondary axis of the second length measurement pattern 2a 22 and the reading of the scale at the intersection of the first scale axis 11 of the first length measurement pattern 1a, the second minor axis 22 of the second length measurement pattern 2a and the second of the first length measurement pattern 1a. The reading of the graduation at the intersection of the graduation axis 12 is the same.

図２（ｂ）に示す場合には、６目盛目において、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２と、第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２が交差している。したがって、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交点を基準（原点）とした場合における、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の座標のＸ軸方向成分は、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１で読み取ると、６×ａ×ｃｏｓθとなる。なお、第一の測長パターン１ａの第二の目盛軸１２で読み取ると、６×ａ×ｓｉｎθとなる。θが４５°であれば、ｓｉｎ４５°＝ｃｏｓ４５°＝２^１／２／２であり、第一の目盛軸１１で読み取った場合でも、第二の目盛軸１２で読み取った場合でも同じ値となる。 In the case shown in FIG. 2 (b), at the 6th scale, the first scale axis 11 or the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a and the second length of the second length measurement pattern 2a. The sub-axes 22 intersect. Accordingly, the first sub-axis 21 of the second length measurement pattern 2a when the intersection (the origin) of the first scale axis 11 and the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a is used as a reference (origin). The X-axis direction component of the coordinates of the intersection point of the second sub-axis 22 is 6 × a × cos θ when read by the first scale axis 11 of the first length measurement pattern 1a. In addition, when it reads with the 2nd scale axis | shaft 12 of the 1st length measurement pattern 1a, it will be 6xaxsin (theta). If θ is 45 °, sin 45 ° = cos 45 ° = 2 ^1/2 / 2, and the same value is obtained when reading with the first scale axis 11 and when reading with the second scale axis 12. .

位置ずれ量のＹ軸方向成分の測長方法は次のとおりである。第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の交点における第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の目盛を読み取る。第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１との交差角度θが４５°である場合、および、第一の測長パターン１ａの第二の目盛軸１２と第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２との交差角度θが４５°である場合には、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１および第二の目盛軸１２と第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１との交点の目盛の読み取り値は同一となる。図２（ｂ）に示す場合には、１５目盛目において第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１とが交差している。したがって、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交点を基準（原点）とした場合における、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の座標のＹ軸方向成分は、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１で読み取ると、１５×ａ×ｓｉｎθとなる。なお、第一の測長パターン１ａの第二の目盛軸１２で読み取ると、１５×ａ×ｃｏｓθとなる。 The length measurement method of the Y-axis direction component of the positional deviation amount is as follows. The first scale axis 11 or the second scale at the intersection of the first secondary axis 21 of the second length measurement pattern 2a and the first scale axis 11 or the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a. Read the axis 12 scale. When the crossing angle θ between the first scale axis 11 of the first length measurement pattern 1a and the first sub-axis 21 of the second length measurement pattern 2a is 45 °, and the first length measurement pattern When the crossing angle θ between the second scale axis 12 of 1a and the second secondary axis 22 of the second length measurement pattern 2a is 45 °, the first scale axis of the first length measurement pattern 1a The readings of the graduations at the intersections of 11 and the second graduation axis 12 and the first sub-axis 21 of the second length measurement pattern 2a are the same. In the case shown in FIG. 2B, at the 15th scale, the first scale axis 11 or the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a and the first sub-axis of the second length measurement pattern 2a. The axis 21 intersects. Accordingly, the first sub-axis 21 of the second length measurement pattern 2a when the intersection (the origin) of the first scale axis 11 and the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a is used as a reference (origin). The Y-axis direction component of the coordinates of the intersection of the second sub-axis 22 is 15 × a × sin θ when read by the first scale axis 11 of the first length measurement pattern 1a. In addition, when it reads with the 2nd scale axis | shaft 12 of the 1st length measurement pattern 1a, it will be 15xaxcos (theta).

このように、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の座標は、第一の目盛軸１１で読み取った場合には、Ｘ軸方向成分が６×ａ×ｃｏｓθとなり、Ｙ軸方向成分が１５×ａ×ｓｉｎθとなる。また、第二の目盛軸１２で読み取った場合には、Ｘ軸方向成分が６×ａ×ｓｉｎθとなり、Ｙ軸方向成分が１５×ａ×ｃｏｓθとなる。 Thus, when the coordinates of the intersection of the first sub-axis 21 and the second sub-axis 22 of the second length measurement pattern 2a are read by the first scale axis 11, the X-axis direction component is 6 × a × cos θ, and the Y-axis direction component is 15 × a × sin θ. Further, when reading with the second scale axis 12, the X-axis direction component is 6 × a × sin θ, and the Y-axis direction component is 15 × a × cos θ.

なお、このような構成によれば、第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の一目盛の長さがａの場合には、第一の目盛軸１１で読み取ると、前記のように、一目盛のＸ軸方向成分はａ×ｃｏｓθとなり、Ｙ軸方向成分はａ×ｓｉｎθとなる。このため、測長には三角関数の計算が必要となる。しかしながら、一目盛の長さを換算容易な寸法に設定することによって、測長において三角関数の計算を不要にすることができる。たとえば、θ＝４５°の場合において、一目盛の長さａ＝２^１／２μｍ（≒１．４１μｍ）とすると、２^１／２ｓｉｎ４５°（μｍ）＝１μｍとなる。したがって、（一目盛）＝（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の１μｍ）に換算して測長を行うことができ、測長において、三角関数の計算の必要がない。 In addition, according to such a structure, when the length of one scale of the 1st scale axis | shaft 11 or the 2nd scale axis | shaft 12 is a, when reading with the 1st scale axis | shaft 11, as mentioned above The X-axis direction component of one scale is a × cos θ, and the Y-axis direction component is a × sin θ. For this reason, trigonometric functions must be calculated for length measurement. However, by setting the length of one scale to a dimension that can be easily converted, calculation of trigonometric functions can be made unnecessary in length measurement. For example, in the case of θ = 45 °, if the length of one scale a = 2 ^1/2 μm (≈1.41 μm), then 2 ^1/2 sin45 ° (μm) = 1 μm. Therefore, the length measurement can be performed by converting into (one scale) = (1 μm in the X-axis direction and the Y-axis direction), and it is not necessary to calculate a trigonometric function in the length measurement.

このように、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の交点座標と、第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２と第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の交点座標を読み取ることによって、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａとの相対的な位置ずれ（位置関係）が測長できる。このため、従来の構成（Ｘ軸方向の位置を測長するバーニヤパターンおよびＹ軸方向の位置を測長するバーニヤパターンを別個に形成し、Ｘ軸方向成分とＹ軸方向成分とを別個に測長する構成）と相違して、一箇所の測長でＸ軸方向成分とＹ軸方向成分の座標値を読み取ることができる。したがって、測長に要する時間を短縮することができる。 In this way, the intersection coordinates of the first secondary axis 21 of the second length measurement pattern 2a and the first scale axis 11 or the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a, and the second length measurement By reading the intersection coordinates of the second secondary axis 22 of the pattern 2a and the first scale axis 11 or the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a, the first length measurement pattern 1a and the second length measurement pattern 1a The relative displacement (positional relationship) with the length measurement pattern 2a can be measured. Therefore, the conventional configuration (a vernier pattern for measuring the position in the X-axis direction and a vernier pattern for measuring the position in the Y-axis direction are separately formed, and the X-axis direction component and the Y-axis direction component are measured separately. Unlike the long configuration, the coordinate values of the X-axis direction component and the Y-axis direction component can be read with a single length measurement. Therefore, the time required for length measurement can be shortened.

また、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１および第二の目盛軸１２を傾斜させることによって、最小測長寸法を小さくすることができ、測長の精度の向上を図ることができる。すなわち、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２を、角度θだけ傾斜させると、一目盛の長さａのＸ軸方向成分は、ａ×ｃｏｓθとなり、Ｙ軸方向成分は、ａ×ｓｉｎθとなる。したがって、このような構成によれば、Ｘ軸方向に長さａ×ｃｏｓθの目盛が形成される構成、およびＹ軸方向に、長さａ×ｓｉｎθの目盛が形成される構成に相当する。ｓｉｎθおよびｃｏｓθの絶対値は１以下であるから、第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２に形成される目盛よりも、小さい目盛が形成されている構成に等しくなる。このように、実際に形成される最小目盛を小さくすることなく、最小目盛寸法を実質的に小さくすることができる。したがって、目盛軸を傾斜させない構成に比較して、測長精度の向上を図ることができる。 In addition, by tilting the first scale axis 11 and the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a, the minimum length measurement dimension can be reduced, and the accuracy of length measurement can be improved. it can. That is, when the first scale axis 11 and the second scale axis 12 of the first length measurement pattern 1a are inclined by the angle θ, the X-axis direction component of the length a of the scale is a × cos θ, The Y-axis direction component is a × sin θ. Therefore, such a configuration corresponds to a configuration in which a scale of length a × cos θ is formed in the X-axis direction and a configuration in which a scale of length a × sin θ is formed in the Y-axis direction. Since the absolute values of sin θ and cos θ are 1 or less, the scale is smaller than the scale formed on the first scale shaft 11 or the second scale shaft 12, and is equal to the configuration in which the scale is formed. As described above, the minimum scale dimension can be substantially reduced without reducing the actually formed minimum scale. Therefore, the length measurement accuracy can be improved as compared with the configuration in which the scale axis is not inclined.

また、本発明の実施形態にかかる測長方法は、バーニヤパターンを用いた測長方法と異なり、単純に目盛値の読み取りにより測長を行うことができる。すなわち、バーニヤパターンの読み取りは、本尺（主尺とも称することがある）の目盛と副尺の目盛とが最も近接しているものどうしを選択し、選択した目盛から位置ずれ量を測定する。このように、バーニヤパターンを用いた測定においては、本尺と副尺のいずれの目盛どうしが最も近接しているかを判断する必要がある。そして、測定者ごとに判断が相違することがある。そうすると、測定者ごとに測定値に相違が生じるおそれがある。これに対して本発明の実施形態にかかる構成によれば、本尺と副尺のいずれの目盛どうしが最も近接しているかを判断する必要がないから、測定者ごとに測長値に相違が生じることを防止または抑制できる。 In addition, the length measuring method according to the embodiment of the present invention can be measured simply by reading a scale value, unlike the length measuring method using a vernier pattern. That is, the vernier pattern is read by selecting the scales of the main scale (sometimes referred to as the main scale) and the scale of the vernier that are closest to each other, and measuring the amount of displacement from the selected scale. As described above, in the measurement using the vernier pattern, it is necessary to determine which scale of the main scale and the vernier scale are closest to each other. And judgment may differ for every measurer. If it does so, there exists a possibility that a difference may arise in a measured value for every measurer. On the other hand, according to the configuration according to the embodiment of the present invention, it is not necessary to determine which scale of the main scale and the vernier is closest to each other, so there is a difference in the measured value for each measurer. It can be prevented or suppressed from occurring.

このような測長パターンを用いて、所定の薄膜パターンと他の所定の薄膜パターンの位置ずれ量を測定する構成、および位置合わせを行う構成は、次のとおりである。 A configuration for measuring the amount of positional deviation between a predetermined thin film pattern and another predetermined thin film pattern using such a length measurement pattern and a configuration for performing alignment are as follows.

まず、所定の薄膜パターンを基板表面に形成する。この所定の薄膜パターンを形成する工程において、同時に第一の測長パターン１ａを所定の位置に形成する。たとえば所定の薄膜パターンがフォトリソグラフィ法により形成されるものであれば、所定の薄膜パターンおよび第一の測長パターン１ａのパターンが形成されたフォトマスクを用いて、同一工程において同時に所定の薄膜パターンと第一の測長パターン１ａとを形成する。このように、所定の薄膜パターンと第一の測長パターン１ａの位置関係は、常に同一であるようにする。 First, a predetermined thin film pattern is formed on the substrate surface. In the step of forming the predetermined thin film pattern, the first length measurement pattern 1a is simultaneously formed at a predetermined position. For example, if a predetermined thin film pattern is formed by photolithography, a predetermined thin film pattern is simultaneously formed in the same process using a photomask on which the predetermined thin film pattern and the first length measurement pattern 1a are formed. And a first length measurement pattern 1a are formed. Thus, the positional relationship between the predetermined thin film pattern and the first length measurement pattern 1a is always the same.

次いで、所定の薄膜パターンが形成された基板の表面に他の所定の薄膜パターンを形成する。たとえばフォトリソグラフィ法を用いて形成する方法であれば次のとおりである。まず、所定の薄膜パターンが形成された基板の表面に、他の所定の薄膜パターンの材料となる薄膜の層を形成する。この薄膜の層の形成方法には、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。 Next, another predetermined thin film pattern is formed on the surface of the substrate on which the predetermined thin film pattern is formed. For example, a method of forming by using a photolithography method is as follows. First, a thin film layer as a material for another predetermined thin film pattern is formed on the surface of the substrate on which the predetermined thin film pattern is formed. Various known sputtering methods can be applied to the method for forming the thin film layer.

形成した他の所定の薄膜パターンの材料となる薄膜の層の表面に、フォトレジスト材料の層を形成する。フォトレジスト材料には、たとえば感光性の樹脂材料（アクリル系の樹脂材料に感光性の樹脂材料を混合した材料）が適用できる。フォトレジスト材料の層の形成方法には、たとえばスピンコータを用いる方法が適用できる。 A layer of a photoresist material is formed on the surface of the thin film layer that is the material of the other predetermined thin film pattern that has been formed. As the photoresist material, for example, a photosensitive resin material (a material obtained by mixing a photosensitive resin material with an acrylic resin material) can be applied. For example, a method using a spin coater can be applied to the method of forming the layer of the photoresist material.

形成されたフォトレジスト材料の層に、露光処理を施す。具体的には、他の所定の薄膜パターンおよび第二の測長パターン２ａのパターンが形成されたフォトマスクを介して、形成されたフォトレジスト材料の層の所定の領域に光エネルギを照射する。そして、露光処理が施されたフォトレジスト材料の層に、現像処理を施す。フォトレジスト材料がポジ型であれば、露光処理において光エネルギが照射された部分が除去され、遮光された部分が基板上に残る。前記のように、露光処理に用いるフォトマスクには、他の所定の薄膜パターンおよび第二の測長パターン２ａのパターンが形成されているから、現像処理によって、他の所定の薄膜パターンにパターニングされたフォトレジスト材料の層と、第二の測長パターン２ａ（の形状にパターニングされたフォトレジスト材料の層）が、基板の表面に残る。このように、他の所定の薄膜パターンと第二の測長パターン２ａとは、常に同一の位置関係にある。 The formed photoresist material layer is exposed. Specifically, a predetermined region of the formed photoresist material layer is irradiated with light energy through a photomask on which another predetermined thin film pattern and the second length measurement pattern 2a are formed. Then, a development process is performed on the layer of the photoresist material that has been subjected to the exposure process. If the photoresist material is a positive type, the portion irradiated with light energy in the exposure process is removed, and the light-shielded portion remains on the substrate. As described above, since the other predetermined thin film pattern and the second length measurement pattern 2a are formed on the photomask used for the exposure process, it is patterned into another predetermined thin film pattern by the development process. The layer of the photoresist material and the second length measurement pattern 2a (the layer of the photoresist material patterned into the shape) remain on the surface of the substrate. Thus, the other predetermined thin film pattern and the second length measurement pattern 2a are always in the same positional relationship.

ここで、すでに形成された所定の薄膜パターンと、他の所定の薄膜パターンにパターニングされたフォトレジスト材料の層との位置ずれを測長する。すなわち、現象処理が完了すると、第一の測長パターン１ａに第二の測長パターン２ａ（この第二の測長パターン２ａはフォトレジスト材料の層により形成される）が重畳したパターンが得られる。そこで、前記のように、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａの位置ずれ量を測長することにより、所定のパターンと、他の所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト材料の層との位置ずれ量を測定できる。 Here, the positional deviation between the predetermined thin film pattern already formed and the layer of the photoresist material patterned into another predetermined thin film pattern is measured. That is, when the phenomenon processing is completed, a pattern in which the second length measurement pattern 2a (the second length measurement pattern 2a is formed of a layer of a photoresist material) is superimposed on the first length measurement pattern 1a is obtained. . Therefore, as described above, the photoresist material patterned into a predetermined pattern and another predetermined pattern by measuring the amount of positional deviation between the first length measuring pattern 1a and the second length measuring pattern 2a. The amount of misalignment with the other layer can be measured.

位置ずれ量が許容範囲以内であれば、他の所定の薄膜パターンの材料となる薄膜の層をパターニングする。位置ずれ量が許容範囲を越える場合には、フォトレジスト材料の層（第二の測長パターンを含む）を除去し、フォトレジスト材料の層の形成、露光処理、現像処理をやり直す。また、位置ずれ量をフィードバックすることにより、精度の向上を図ることができる。 If the amount of misalignment is within an allowable range, the thin film layer as the material of another predetermined thin film pattern is patterned. When the amount of positional deviation exceeds the allowable range, the photoresist material layer (including the second length measurement pattern) is removed, and the formation of the photoresist material layer, the exposure process, and the development process are performed again. Also, the accuracy can be improved by feeding back the amount of positional deviation.

そして、パターニングされたフォトレジスト材料の層をマスクとして用いて、他の所定の薄膜パターンの材料となる薄膜の層をパターニングする。たとえば、エッチングなどによって、パターニングを行う。これにより、所定の材料からなる他の所定の薄膜パターンが得られる。その後、洗浄処理などによって、フォトレジスト材料の層を除去する。 Then, using the patterned layer of the photoresist material as a mask, the thin film layer to be the material of another predetermined thin film pattern is patterned. For example, patterning is performed by etching or the like. Thereby, another predetermined thin film pattern made of a predetermined material is obtained. Thereafter, the layer of the photoresist material is removed by a cleaning process or the like.

このように、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａからなる測長パターンを用いることによって、所定の薄膜パターンと、他の所定の薄膜パターンの位置ずれ量を測長することができる。また、この測長によって、所定の薄膜パターンと他の所定の薄膜パターンとの位置ずれ量を小さくして位置合わせの精度の向上を図ることができる。 In this way, by using the length measurement pattern composed of the first length measurement pattern 1a and the second length measurement pattern 2a, the positional deviation amount between the predetermined thin film pattern and another predetermined thin film pattern is measured. Can do. Further, by this length measurement, it is possible to reduce the amount of positional deviation between the predetermined thin film pattern and another predetermined thin film pattern, thereby improving the alignment accuracy.

次に、本発明の実施形態の変形例について説明する。 Next, a modification of the embodiment of the present invention will be described.

図３は、本発明の実施形態の変形例にかかる測長パターンの構成を、模式的に示した平面図である。それぞれ、図３（ａ）は第一の測長パターン１ｂの構成を示し、図３（ｂ）は第二の測長パターン２ｂの構成を示す。 FIG. 3 is a plan view schematically showing the configuration of the length measurement pattern according to the modification of the embodiment of the present invention. 3A shows the configuration of the first length measurement pattern 1b, and FIG. 3B shows the configuration of the second length measurement pattern 2b.

図３（ａ）に示すように、第一の測長パターン１ｂは、市松模様状に形成される。すなわち、微小な正方形がマトリックス状に配列される構成を備える。各正方形の一辺の長さは、測長精度に応じて設定されるものであり、特に限定されるものではない。 As shown in FIG. 3A, the first length measurement pattern 1b is formed in a checkered pattern. That is, it has a configuration in which minute squares are arranged in a matrix. The length of one side of each square is set according to the measurement accuracy and is not particularly limited.

図３（ｂ）に示すように、第二の測長パターン２ｂは、前記実施形態にかかる第二の測長パターン２ａと同じ構成を有する。すなわち図３（ｂ）に示すように、第二の測長パターン２ｂは、第一の副軸２１と第二の副軸２２とからなる。第一の副軸２１および第二の副軸２２は直線状の軸である。そして第一の副軸２１と第二の副軸２２とは、互いに略Ｘ字状に交差している。第一の副軸２１と第二の副軸２２の交差角度は特に限定されるものではないが、Ｘ軸方向の測長とＹ軸方向の測長を行うことができるように、９０°であることが好ましい。なお、第一の副軸２１および第二の副軸２２は、それぞれ直線状の軸であれば良く、目盛などが形成される必要はない。 As shown in FIG. 3B, the second length measurement pattern 2b has the same configuration as the second length measurement pattern 2a according to the embodiment. That is, as shown in FIG. 3B, the second length measurement pattern 2 b is composed of a first countershaft 21 and a second countershaft 22. The first auxiliary shaft 21 and the second auxiliary shaft 22 are linear axes. The first auxiliary shaft 21 and the second auxiliary shaft 22 intersect with each other in a substantially X shape. The crossing angle between the first sub-axis 21 and the second sub-axis 22 is not particularly limited, but is 90 ° so that the length measurement in the X-axis direction and the length measurement in the Y-axis direction can be performed. Preferably there is. In addition, the 1st countershaft 21 and the 2nd countershaft 22 should just be a linear axis | shaft, respectively, and a scale etc. do not need to be formed.

図４は、第一の測長パターン１ｂと第二の測長パターン２ｂとを重畳して形成した状態を示した平面図である。図４に示すように、第一の測長パターン１ｂと第二の測長パターン２ｂは、異なるレイヤ（層）に形成されるものであって、互いに重畳するように形成される。それぞれ、図４（ａ）は、第一の測長パターン１ｂの原点位置と、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点とが、略一致している状態を示した図であり、図４（ｂ）は、第一の測長パターン１ｂの原点位置と、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点とが、一致していない（ずれている）状態を示した図である。 FIG. 4 is a plan view showing a state in which the first length measurement pattern 1b and the second length measurement pattern 2b are formed so as to overlap each other. As shown in FIG. 4, the first length measurement pattern 1b and the second length measurement pattern 2b are formed in different layers (layers) and are formed so as to overlap each other. In FIG. 4 (a), the origin position of the first length measurement pattern 1b and the intersection of the first counter axis 21 and the second counter axis 22 of the second length measurement pattern 2b substantially coincide with each other. FIG. 4B shows the origin position of the first length measurement pattern 1b, and the first and second countershafts 21 and 22 of the second length measurement pattern 2b. It is the figure which showed the state which does not correspond (it has shifted | deviated).

図４（ａ）に示すように、第一の測長パターン１ｂの原点位置と、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の位置とが一致している場合には、第一の測長パターン１ｂと第二の測長パターン２ｂとは、位置が一致している（すなわち、位置ずれ量がゼロである）ものとする。第一の測長パターン１ｂと第二の測長パターン２ｂの相対的な位置ずれ量は、第一の測長パターン１ｂの原点位置と、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の位置との位置関係に基づいて測長できる。 As shown in FIG. 4A, the origin position of the first length measurement pattern 1b and the position of the intersection of the first sub-axis 21 and the second sub-axis 22 of the second length measurement pattern 2b are one. In the case where it is correct, the first length measurement pattern 1b and the second length measurement pattern 2b are assumed to have the same position (that is, the positional deviation amount is zero). The relative positional shift amount between the first length measurement pattern 1b and the second length measurement pattern 2b is the origin position of the first length measurement pattern 1b and the first countershaft 21 of the second length measurement pattern 2b. And can be measured based on the positional relationship between the position of the intersection of the second countershaft 22 and the position of the second auxiliary shaft 22

第一の測長パターン１ｂと第二の測長パターン２ｂとは、所定の角度をもって交差する。すなわち、第一の測長パターン１ｂの各正方形の各辺は、所定の交差角度θをもって交差する。この所定の交差角度θは、本発明の実施形態においては、それぞれ４５°に設定される。なお、この所定の交差角度θは４５°に限定されるものではなく、他の角度であっても良い。ただし、この所定の交差角度θを４５°に設定することによって、Ｘ軸方向の位置ずれ量と、Ｙ軸方向の位置ずれ量を、同じ精度で測長することができる。 The first length measurement pattern 1b and the second length measurement pattern 2b intersect with a predetermined angle. That is, each side of each square of the first length measurement pattern 1b intersects with a predetermined intersection angle θ. This predetermined crossing angle θ is set to 45 ° in the embodiment of the present invention. The predetermined intersection angle θ is not limited to 45 °, and may be another angle. However, by setting the predetermined crossing angle θ to 45 °, the amount of positional deviation in the X-axis direction and the amount of positional deviation in the Y-axis direction can be measured with the same accuracy.

図４（ｂ）を参照して、第一の測長パターン１ｂと第二の測長パターン２ｂとが位置ずれをしている場合における、位置ずれ量のＸ軸方向成分とＹ軸方向成分の測長方法について説明する。ここで、第一の測長パターン１ｂの微小な正方形の一辺の長さをｂ（μｍ）とする。 Referring to FIG. 4B, the X-axis direction component and the Y-axis direction component of the positional deviation amount when the first length measurement pattern 1b and the second length measurement pattern 2b are displaced. A length measurement method will be described. Here, the length of one side of the minute square of the first length measurement pattern 1b is b (μm).

位置ずれ量のＸ軸方向成分の測長方法は、次のとおりである。第二の測長パターン２ｂの第二の副軸２２と、第一の測長パターン１ａの原点からの正方形の個数を読み取る。図４（ｂ）に示す場合には、２個目の正方形の辺と、第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２が交差している。したがって、第一の測長パターン１ａの原点を基準とした場合における、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の座標のＸ軸方向成分は、２×ｂ×ｃｏｓθとなる。 The length measurement method of the X-axis direction component of the positional deviation amount is as follows. The number of squares from the second countershaft 22 of the second length measurement pattern 2b and the origin of the first length measurement pattern 1a is read. In the case shown in FIG. 4B, the second square side and the second secondary axis 22 of the second length measurement pattern 2a intersect each other. Therefore, the X-axis direction component of the coordinates of the intersection of the first sub-axis 21 and the second sub-axis 22 of the second length measurement pattern 2b when the origin of the first length measurement pattern 1a is used as a reference is 2 × b × cos θ.

位置ずれ量のＹ軸方向成分の測長方法は次のとおりである。第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と、第一の測長パターン１ｂの原点からの正方形の個数を読み取る。図４（ｂ）に示す場合には、４個目の正方形の辺と、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１が交差している。したがって、第一の測長パターン１ｂの原点を基準とした場合における、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の座標のＹ軸方向成分は、４×ｂ×ｓｉｎθとなる。 The length measurement method of the Y-axis direction component of the positional deviation amount is as follows. The number of squares from the first sub-axis 21 of the second length measurement pattern 2b and the origin of the first length measurement pattern 1b is read. In the case shown in FIG. 4B, the fourth square side and the first sub-axis 21 of the second length measurement pattern 2b intersect. Therefore, when the origin of the first length measurement pattern 1b is used as a reference, the Y-axis direction component of the coordinates of the intersection of the first sub-axis 21 and the second sub-axis 22 of the second length measurement pattern 2b is: 4 × b × sin θ.

このように、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の座標は、Ｘ軸方向成分が２×ｂ×ｃｏｓθとなり、Ｙ軸方向成分が４×ｂ×ｓｉｎθとなる。 Thus, the coordinates of the intersection of the first sub-axis 21 and the second sub-axis 22 of the second length measurement pattern 2a have an X-axis direction component of 2 × b × cos θ and a Y-axis direction component of 4 ×. b × sin θ.

このような構成によれば、前記実施形態にかかる測長パターンおよび測長方法と同様の作用効果を奏することができる。すなわち、第一の測長パターン１ｂの各正方形の一辺の長さｂが、目盛軸１１，１２の一目盛の寸法ａに相当する。 According to such a configuration, it is possible to achieve the same effects as the length measurement pattern and the length measurement method according to the embodiment. That is, the length b of one side of each square of the first length measurement pattern 1 b corresponds to the size a of the scale of the scale axes 11 and 12.

次に、このような測長パターンを適用した表示パネル用の基板について説明する。 Next, a display panel substrate to which such a length measurement pattern is applied will be described.

図５は、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３の構成を、模式的に示した外観斜視図である。図５に示すように、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３は、表示領域３０１（アクティブ領域とも称する）と、パネル額縁領域３０２と、検査端子部３０３とを有する。表示領域３０１（アクティブエリア）には、複数の絵素電極がマトリックス状に配列される。また、各絵素電極を駆動するためのＴＦＴが配列される。パネル額縁領域３０２には、各ＴＦＴに所定の信号を電粗するための所定の配線などが形成される。検査端子部３０３には、表示パネル用の基板３またはこの表示パネル用の基板３を備える表示パネルの検査において、検査用の信号を入力するための端子や所定の配線が形成される。併せてこの検査端子部３０３には、第一の測長パターン１ａ，１ｂおよび第二の測長パターン２ａ，２ｂが形成される（特にＡ部拡大図参照）。 FIG. 5 is an external perspective view schematically showing the configuration of the display panel substrate 3 according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, the display panel substrate 3 according to the embodiment of the present invention includes a display area 301 (also referred to as an active area), a panel frame area 302, and an inspection terminal portion 303. In the display area 301 (active area), a plurality of picture element electrodes are arranged in a matrix. In addition, TFTs for driving each pixel electrode are arranged. In the panel frame region 302, a predetermined wiring or the like for electroroughening a predetermined signal to each TFT is formed. In the inspection terminal portion 303, a terminal for inputting a signal for inspection and predetermined wiring in the inspection of the display panel substrate 3 or the display panel including the display panel substrate 3 are formed. At the same time, the first length measurement patterns 1a and 1b and the second length measurement patterns 2a and 2b are formed in the inspection terminal portion 303 (see particularly the enlarged view of the portion A).

なお、第一の測長パターン１ａ，１ｂおよび第二の測長パターン２ａ，２ｂが形成される位置および形成される数は、特に限定されるものではない。 In addition, the position where the 1st length measurement pattern 1a, 1b and the 2nd length measurement pattern 2a, 2b are formed, and the number formed are not specifically limited.

図６は、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板に配列される複数の絵素電極４０および複数のＴＦＴ３６から、一絵素分の絵素電極４０と一個のＴＦＴ３６の構成を抜き出して拡大して示した平面模式図である。図７は図６のＡ−Ａ線断面図であり、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３の断面構造を模式的に示す図である。 FIG. 6 shows the configuration of the pixel electrode 40 for one pixel and the configuration of the single TFT 36 from the plurality of pixel electrodes 40 and the plurality of TFTs 36 arranged on the display panel substrate according to the embodiment of the present invention. It is the plane schematic diagram expanded and shown. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 6, and is a view schematically showing a cross-sectional structure of the substrate 3 for a display panel according to the embodiment of the present invention.

図６と図７のそれぞれに示すように、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３は、透明基板３００と、データ線３２（ソース配線とも称する）と、走査線３３（ゲート配線とも称する）と、ドレイン配線３４と、補助容量信号線３５と、ＴＦＴ３６と、ゲート絶縁膜（第一の絶縁膜）３７と、パッシベーション膜（第二の絶縁膜）３８と、有機絶縁膜（第三の絶縁膜）３９と、絵素電極４０とを有する。ＴＦＴ３６は、ゲート電極３６１と、ソース電極３６２と、ドレイン電極３６３とを有する。 As shown in FIGS. 6 and 7, the display panel substrate 3 according to the embodiment of the present invention includes a transparent substrate 300, a data line 32 (also referred to as source wiring), and a scanning line 33 (also referred to as gate wiring). Drain wiring 34, auxiliary capacitance signal line 35, TFT 36, gate insulating film (first insulating film) 37, passivation film (second insulating film) 38, and organic insulating film (third). Insulating film) 39 and pixel electrode 40. The TFT 36 includes a gate electrode 361, a source electrode 362, and a drain electrode 363.

なお、ここでいうドレイン配線３４とは、ＴＦＴ３６のドレイン電極３６３と絵素電極４０とを電気的に接続するための配線をいうものとする。具体的には、ドレイン配線３４の一端部（すなわち基端部）は、ＴＦＴ３６のドレイン電極３６３に電気的に導通している。ドレイン配線３４の他端部（すなわち先端部）は、絵素電極４０に電気的に導通している。このような構成によれば、ドレイン配線３４は、ＴＦＴ３６のドレイン電極３６３から出力される電気信号を、絵素電極４０に伝送することができる。 Here, the drain wiring 34 is a wiring for electrically connecting the drain electrode 363 of the TFT 36 and the pixel electrode 40. Specifically, one end portion (that is, the base end portion) of the drain wiring 34 is electrically connected to the drain electrode 363 of the TFT 36. The other end (ie, the tip) of the drain wiring 34 is electrically connected to the pixel electrode 40. According to such a configuration, the drain wiring 34 can transmit an electrical signal output from the drain electrode 363 of the TFT 36 to the pixel electrode 40.

次に、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３の製造方法について説明する。 Next, a manufacturing method of the display panel substrate 3 according to the embodiment of the present invention will be described.

図８から図１０は、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３の製造方法の各工程を、模式的に示した断面図である。これらの図は、図６のＡ−Ａ線断面図に相当する。 8 to 10 are cross-sectional views schematically showing each step of the method for manufacturing the display panel substrate 3 according to the embodiment of the present invention. These figures correspond to the cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

まず、図８（ａ）に示すように、透明基板の表示領域（アクティブエリア）３０１に、データ線３２、走査線３３、補助容量信号線３５、およびＴＦＴ３６のゲート電極３６１が形成される。この工程において併せて、検査端子部３０３には、第一の測長パターン１ａ，１ｂが形成される。 First, as shown in FIG. 8A, the data line 32, the scanning line 33, the auxiliary capacitance signal line 35, and the gate electrode 361 of the TFT 36 are formed in the display area (active area) 301 of the transparent substrate. In addition, in this process, the first length measurement patterns 1a and 1b are formed in the inspection terminal portion 303.

具体的には、透明基板３００の片側表面に、クロム、タングステン、モリブデン、アルミニウムなどからなる単層または多層の導体膜（第一の導体膜）が形成される。この第一の導体膜の形成方法には、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。また、この第一の導体膜の厚さは特に限定されるものではないが、たとえば３００ｎｍ程度の膜厚が適用できる。 Specifically, a single-layer or multilayer conductor film (first conductor film) made of chromium, tungsten, molybdenum, aluminum, or the like is formed on one surface of the transparent substrate 300. Various known sputtering methods can be applied to the method for forming the first conductor film. Further, the thickness of the first conductor film is not particularly limited, but for example, a film thickness of about 300 nm can be applied.

そして、形成された第一の導体膜が、表示領域３０１においては、図８（ａ）に示すように、走査線３３、補助容量信号線３５、ＴＦＴ３６のゲート電極３６１などの形状にパターニングされる。また、検査端子部３０３においては、第一の測長パターン１ａ，１ｂにパターニングされる。この第一の導体膜のパターニングには、公知の各種ウェットエッチングが適用できる。第一の導体膜がクロムからなる構成においては、（ＮＨ_４）_２［Ｃｅ（ＮＨ_３）_６］＋ＨＮＯ_３＋Ｈ_２Ｏ液を用いたウェットエッチングが適用できる。 Then, in the display region 301, the formed first conductor film is patterned into shapes such as the scanning line 33, the auxiliary capacitance signal line 35, and the gate electrode 361 of the TFT 36 as shown in FIG. . In the inspection terminal portion 303, the first length measurement patterns 1a and 1b are patterned. Various known wet etchings can be applied to the patterning of the first conductor film. In the configuration in which the first conductor film is made of chromium, wet etching using a (NH ₄ ) ₂ [Ce (NH ₃ ) ₆ ] + HNO ₃ + H ₂ O solution can be applied.

次に、図８（ｂ）に示すように、前記工程を経た透明基板３００の表示領域３０１には、ゲート絶縁膜３７が形成される。ゲート絶縁膜３７には、厚さ３００ｎｍ程度のＳｉＮｘ（窒化シリコン）などが適用できる。ゲート絶縁膜３７の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法が適用できる。図８（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜３７が形成されると、走査線３３、補助容量信号線３５、ＴＦＴ３６のゲート電極３６１は、ゲート絶縁膜３７により覆われる。 Next, as shown in FIG. 8B, a gate insulating film 37 is formed in the display region 301 of the transparent substrate 300 that has undergone the above-described steps. For the gate insulating film 37, SiNx (silicon nitride) having a thickness of about 300 nm can be applied. As a method for forming the gate insulating film 37, a plasma CVD method can be applied. As shown in FIG. 8B, when the gate insulating film 37 is formed, the scanning line 33, the auxiliary capacitance signal line 35, and the gate electrode 361 of the TFT 36 are covered with the gate insulating film 37.

次いで、図９（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜３７の表面の所定の位置に、所定の形状の半導体膜４１が形成される。具体的には、この半導体膜４１は、第一の絶縁膜３７を介してゲート電極３６１に重畳する位置と、第一の絶縁膜３７を介して補助容量信号線３５と重畳する位置に形成される。この半導体膜４１は、本発明の実施形態にかかる測長パターンにより位置決めされて形成される。この半導体膜４１は、第一のサブ半導体膜４１１と第二のサブ半導体膜４１２との二層構造を有する。この工程において併せて、検査端子部３０３には、第二の測長パターン２ａ，２ｂが形成される。第一のサブ半導体膜４１１には、厚さが約１００ｎｍ程度のアモルファスシリコンなどが適用できる。第二のサブ半導体膜４１２には、厚さが約２０ｎｍ程度のｎ^＋型のアモルファスシリコンなどが適用できる。 Next, as shown in FIG. 9A, a semiconductor film 41 having a predetermined shape is formed at a predetermined position on the surface of the gate insulating film 37. Specifically, the semiconductor film 41 is formed at a position overlapping the gate electrode 361 via the first insulating film 37 and a position overlapping the auxiliary capacitance signal line 35 via the first insulating film 37. The The semiconductor film 41 is formed by being positioned by the length measurement pattern according to the embodiment of the present invention. The semiconductor film 41 has a two-layer structure of a first sub semiconductor film 411 and a second sub semiconductor film 412. In addition, in this process, the second length measurement patterns 2 a and 2 b are formed in the inspection terminal portion 303. For the first sub-semiconductor film 411, amorphous silicon having a thickness of about 100 nm can be used. For the second sub-semiconductor film 412, n ⁺ -type amorphous silicon having a thickness of about 20 nm can be applied.

第一のサブ半導体膜４１１は、データ線３２やドレイン配線３４などをエッチングにより形成する工程において、エッチングストッパ層として機能する。第二のサブ半導体膜４１２は、後の工程で形成されるソース電極３６２やドレイン電極３６３とのオーミックコンタクトを良好にするためのものである。 The first sub semiconductor film 411 functions as an etching stopper layer in a process of forming the data line 32, the drain wiring 34, and the like by etching. The second sub-semiconductor film 412 is for improving the ohmic contact with the source electrode 362 and the drain electrode 363 formed in a later step.

この半導体膜４１（第一のサブ半導体膜４１１と第二のサブ半導体膜４１２）は、プラズマＣＶＤ法とフォトリソグラフィ法を用いることにより形成できる。すなわち、まずプラズマＣＶＤ法を用いて、半導体膜４１（第一のサブ半導体膜４１１と第二のサブ半導体膜４１２）の材料を、前記工程を経た透明基板３００の片側表面に堆積させる。 The semiconductor film 41 (the first sub semiconductor film 411 and the second sub semiconductor film 412) can be formed by using a plasma CVD method and a photolithography method. That is, first, the material of the semiconductor film 41 (the first sub-semiconductor film 411 and the second sub-semiconductor film 412) is deposited on the one-side surface of the transparent substrate 300 that has undergone the above-described process by using a plasma CVD method.

そして、形成された半導体膜４１（第一のサブ半導体膜４１１と第二のサブ半導体膜４１２）を、フォトリソグラフィ法などを用いることにより、所定の形状にパターニングする。具体的には、形成された半導体膜４１の表面にフォトレジスト材料の層を形成する。フォトレジスト材料の層の形成には、スピンコータなどが適用できる。そして、所定のパターンおよび第二の測長パターン２ａ，２ｂのパターンが形成されたフォトマスクを用いて、形成されたフォトレジスト材料の層に露光処理を施し、その後現像処理を施す。 Then, the formed semiconductor film 41 (the first sub semiconductor film 411 and the second sub semiconductor film 412) is patterned into a predetermined shape by using a photolithography method or the like. Specifically, a layer of a photoresist material is formed on the surface of the formed semiconductor film 41. A spin coater or the like can be applied to form the photoresist material layer. Then, using a photomask on which a predetermined pattern and the second length measurement patterns 2a and 2b are formed, the formed photoresist material layer is subjected to an exposure process, and then developed.

そうすると、表示領域３０１における半導体膜の表面には、所定のパターンのフォトレジスト材料の層が残る。また、検査端子部３０３には、フォトレジスト材料の層により、第二の測長パターン２ａ，２ｂが形成される。そして、すでに形成されている第一の測長パターン１ａ，１ｂと、フォトレジスト材料の層により形成された第二の測長パターン２ａ，２ｂとを用いて、第一の測長パターン１ａ，１ｂと第二の測長パターン２ａ，２ｂの位置ずれ量を測長する。この測長は、ＴＦＴ３６のゲート電極３６１と、ゲート電極３６１上に形成される半導体膜４１の位置決め精度の測定に相当する。 Then, a layer of a photoresist material having a predetermined pattern remains on the surface of the semiconductor film in the display region 301. Further, second length measurement patterns 2a and 2b are formed on the inspection terminal portion 303 by a layer of a photoresist material. Then, the first length measurement patterns 1a, 1b are formed by using the first length measurement patterns 1a, 1b already formed and the second length measurement patterns 2a, 2b formed by the layer of the photoresist material. Then, the amount of positional deviation between the second length measurement patterns 2a and 2b is measured. This length measurement corresponds to the measurement of the positioning accuracy of the gate electrode 361 of the TFT 36 and the semiconductor film 41 formed on the gate electrode 361.

そして、位置ずれ量が許容範囲以内である場合には、パターニングされたフォトレジスト材料の層をマスクとして用いて、半導体膜４１のパターニングを行う。このパターニングには、たとえばＨＦ＋ＨＮＯ_３溶液を用いたウェットエッチングやＣｌ_２とＳＦ_６ガスを用いたドライエッチングが適用できる。これにより、半導体膜４１（第一のサブ半導体膜４１１と第二のサブ半導体膜４１２）が、第一の絶縁膜３７を介してゲート電極３６１に重畳するように形成されるとともに、補助容量信号線３５に重畳するように形成される。 If the amount of misalignment is within an allowable range, the semiconductor film 41 is patterned using the patterned photoresist material layer as a mask. For this patterning, for example, wet etching using HF + HNO ₃ solution or dry etching using Cl ₂ and SF ₆ gas can be applied. Thereby, the semiconductor film 41 (the first sub semiconductor film 411 and the second sub semiconductor film 412) is formed so as to overlap the gate electrode 361 with the first insulating film 37 interposed therebetween, and the auxiliary capacitance signal. It is formed so as to overlap the line 35.

一方、位置ずれ量が許容範囲を越える場合には、フォトレジスト材料の層を剥離除去し、フォトレジスト材料の層の形成およびパターニングをやり直す。このような構成によれば、ＴＦＴ３６のゲート電極と、その表面に重畳して形成される半導体膜４１の位置決め精度の向上を図ることができ、ＴＦＴ３６の特性のばらつきを防止または抑制することができる。 On the other hand, when the amount of positional deviation exceeds the allowable range, the photoresist material layer is peeled and removed, and the formation and patterning of the photoresist material layer are performed again. According to such a configuration, it is possible to improve the positioning accuracy of the gate electrode of the TFT 36 and the semiconductor film 41 formed so as to overlap with the surface of the TFT 36, and to prevent or suppress variations in characteristics of the TFT 36. .

次に、図９（ｂ）に示すように、データ線（ソース配線）３２、ドレイン配線３４、ＴＦＴ３６のソース電極３６２およびドレイン電極３６３が形成される。まず、前記工程を経た透明基板３００の片側表面に、データ線３２、ドレイン配線３４、ＴＦＴ３６のソース電極３６２およびドレイン電極３６３の材料となる導体膜（この導体膜を「第二の導体膜と称する」）が形成される。その後、形成された第二の導体膜が所定の形状にパターニングされる。 Next, as shown in FIG. 9B, the data line (source wiring) 32, the drain wiring 34, the source electrode 362 and the drain electrode 363 of the TFT 36 are formed. First, a conductor film (this conductor film is referred to as a “second conductor film”) that is a material of the data line 32, the drain wiring 34, the source electrode 362 and the drain electrode 363 of the TFT 36 on one surface of the transparent substrate 300 that has undergone the above-described steps. )) Is formed. Thereafter, the formed second conductive film is patterned into a predetermined shape.

この第二の導体膜は、チタン、アルミニウム、クロム、モリブデンなどからなる二層以上の積層構造を有する。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３においては、第二の導体膜が二層構造を有する。すなわち、第二の導体膜は、透明基板３００に近い側の第一のサブ導体膜と、絵素電極に近い側の第二のサブ導体膜とからなる二層構造を有する。第一のサブ導体膜には、チタンなどが適用できる。第二のサブ導体膜には、アルミニウムなどが適用できる。 This second conductor film has a laminated structure of two or more layers made of titanium, aluminum, chromium, molybdenum or the like. In the display panel substrate 3 according to the embodiment of the present invention, the second conductor film has a two-layer structure. That is, the second conductor film has a two-layer structure including a first sub conductor film on the side close to the transparent substrate 300 and a second sub conductor film on the side close to the pixel electrode. Titanium or the like can be applied to the first sub conductor film. Aluminum or the like can be applied to the second sub conductor film.

第二の導体膜の形成方法としては、スパッタリング法などが適用できる。第二の導体膜のパターニングには、Ｃｌ_２とＢＣｌ_３ガスを用いたドライエッチングおよび燐酸、酢酸、硝酸を用いたウェットエッチングが適用できる。このパターニングによって、データ線３２、ドレイン配線３４、ＴＦＴ３６のソース電極３６２およびドレイン電極３６３が形成される。このパターニングにおいては、第一のサブ半導体膜４１１をエッチングストッパ層として、第二のサブ半導体膜４１２もエッチングされる。 As a method for forming the second conductor film, a sputtering method or the like can be applied. For the patterning of the second conductor film, dry etching using Cl ₂ and BCl ₃ gas and wet etching using phosphoric acid, acetic acid, and nitric acid can be applied. By this patterning, the data line 32, the drain wiring 34, the source electrode 362 and the drain electrode 363 of the TFT 36 are formed. In this patterning, the second sub semiconductor film 412 is also etched using the first sub semiconductor film 411 as an etching stopper layer.

以上の工程を経ると、図９（ｂ）に示すように、透明基板３００の表示領域３０１には、ＴＦＴ３６（ゲート電極３６１、ソース電極３６２、ドレイン電極３６３）、データ線３２、走査線３３、ドレイン配線３４、補助容量信号線３５が形成される。 After the above steps, as shown in FIG. 9B, the display region 301 of the transparent substrate 300 has a TFT 36 (gate electrode 361, source electrode 362, drain electrode 363), data line 32, scanning line 33, A drain wiring 34 and an auxiliary capacitance signal line 35 are formed.

次いで、図１０（ａ）に示すように、前記工程を経た透明基板３００の表示領域３０１にはパッシベーション膜３８と有機絶縁膜３９が形成される。このパッシベーション膜３８には、厚さが３００ｎｍ程度のＳｉＮｘ（窒化シリコン）が適用できる。パッシベーション膜３８の形成方法には、プラズマＣＶＤ法などが適用できる。そして形成されたパッシベーション膜３８の表面には有機絶縁膜３９が形成される。この有機絶縁膜３９には、アクリル系の樹脂材料が適用できる。 Next, as shown in FIG. 10A, a passivation film 38 and an organic insulating film 39 are formed in the display region 301 of the transparent substrate 300 that has undergone the above-described steps. For this passivation film 38, SiNx (silicon nitride) with a thickness of about 300 nm can be applied. As a method of forming the passivation film 38, a plasma CVD method or the like can be applied. An organic insulating film 39 is formed on the surface of the formed passivation film 38. An acrylic resin material can be applied to the organic insulating film 39.

形成された有機絶縁膜３９は、フォトリソグラフィ法などによって、所定のパターンにパターニングされる。このパターニングによって、有機絶縁膜３９には、絵素電極４０とドレイン配線３４とを電気的に導通させるための開口部（コンタクトホール）が形成される。 The formed organic insulating film 39 is patterned into a predetermined pattern by a photolithography method or the like. By this patterning, an opening (contact hole) for electrically connecting the pixel electrode 40 and the drain wiring 34 is formed in the organic insulating film 39.

有機絶縁膜３９に開口部（コンタクトホール）が形成されると、この開口部（コンタクトホール）を通じて、パッシベーション膜３８の所定の部分が露出する。パターニングされた有機絶縁膜３９をマスクとして用いて、パッシベーション膜３８がパターニングされる。 When an opening (contact hole) is formed in the organic insulating film 39, a predetermined portion of the passivation film 38 is exposed through the opening (contact hole). The passivation film 38 is patterned using the patterned organic insulating film 39 as a mask.

このパターニングによって、表示領域３０１においては、パッシベーション膜３８のうち、有機絶縁膜３９の開口部（コンタクトホール）から露出する部分が除去される。これによりパッシベーション膜３８に開口部（コンタクトホール）が形成される。このパッシベーション膜３８、第一の絶縁膜３１および第二の絶縁膜３２のパターニングには、ＣＦ_４＋Ｏ_２ガスもしくはＳＦ_６＋Ｏ_２ガスを用いたドライエッチングが適用できる。 By this patterning, in the display region 301, a portion of the passivation film 38 exposed from the opening (contact hole) of the organic insulating film 39 is removed. Thereby, an opening (contact hole) is formed in the passivation film 38. Dry etching using CF ₄ + O ₂ gas or SF ₆ + O ₂ gas can be applied to the patterning of the passivation film 38, the first insulating film 31, and the second insulating film 32.

次いで、図１１（ａ）に示すように、表示領域３０１においては、絵素電極４０が形成される。絵素電極４０には、たとえば、１００ｎｍ程度の厚さのＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム酸化スズ）が適用できる。また、絵素電極４０の成形方法としては、公知の各種スパッタリング法が適用できる。 Next, as shown in FIG. 11A, the pixel electrode 40 is formed in the display area 301. For the pixel electrode 40, for example, ITO (Indium Tin Oxide) having a thickness of about 100 nm can be applied. Further, as a method for forming the pixel electrode 40, various known sputtering methods can be applied.

以上の工程を経て、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３が製造される。 Through the above steps, the display panel substrate 3 according to the embodiment of the present invention is manufactured.

以上、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明したが、本発明は前記各実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の改変が可能であることはいうまでもない。 The embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. It goes without saying that it is possible.

本発明の実施形態にかかる測長パターンの構成を模式的に示した平面図であり、（ａ）は第一の測長パターンを示し、（ｂ）は第二の測長パターンを示す。It is the top view which showed typically the structure of the length measurement pattern concerning embodiment of this invention, (a) shows a 1st length measurement pattern, (b) shows a 2nd length measurement pattern. 本発明の実施形態にかかる測長パターンの構成を模式的に示した平面図であり、（ａ）は、第一の測長パターンと第二の測長パターンとが位置ずれせずに重畳している状態を示し、（ｂ）は、第一の測長パターンと第二の測長パターンとが位置ずれしている状態を示す。It is the top view which showed typically the composition of the length measurement pattern concerning the embodiment of the present invention, and (a) superimposes the 1st length measurement pattern and the 2nd length measurement pattern without being displaced. (B) shows a state where the first length measurement pattern and the second length measurement pattern are misaligned. 本発明の実施形態の変形例にかかる測長パターンの構成を模式的に示した平面図であり、（ａ）は第一の測長パターンを示し、（ｂ）は第二の測長パターンを示す。It is the top view which showed typically the structure of the length measurement pattern concerning the modification of embodiment of this invention, (a) shows a 1st length measurement pattern, (b) shows a 2nd length measurement pattern. Show. 本発明の実施形態の変形例にかかる測長パターンの構成を模式的に示した平面図であり、（ａ）は、第一の測長パターンと第二の測長パターンとが位置ずれせずに重畳している状態を示し、（ｂ）は、第一の測長パターンと第二の測長パターンとが位置ずれしている状態を示す。It is the top view which showed typically the structure of the length measurement pattern concerning the modification of embodiment of this invention, (a) is a 1st length measurement pattern and a 2nd length measurement pattern without position shift. (B) shows a state in which the first length measurement pattern and the second length measurement pattern are misaligned. 本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の構成を、模式的に示した外観斜視図である。It is the external appearance perspective view which showed typically the structure of the board | substrate for display panels concerning embodiment of this invention. 本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板に配列される複数の絵素電極および複数のＴＦＴから、一絵素分の絵素電極と一個のＴＦＴの構成を抜き出して拡大して示した平面模式図である。The plane which extracted and expanded and showed the structure of the pixel electrode for one pixel, and one TFT from the several pixel electrode and several TFT arranged on the board | substrate for display panels concerning embodiment of this invention It is a schematic diagram. 図６のＡ−Ａ線断面図であり、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の断面構造を模式的に示す図である。FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 6, schematically showing a cross-sectional structure of a display panel substrate according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の工程を、模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the process of the manufacturing method of the board | substrate for display panels concerning embodiment of this invention. 本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の工程を、模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the process of the manufacturing method of the board | substrate for display panels concerning embodiment of this invention. 本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の工程を、模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the process of the manufacturing method of the board | substrate for display panels concerning embodiment of this invention.

Explanation of symbols

１ａ，１ｂ第一の測長パターン
１１第一の目盛軸
１２第二の目盛軸
２ａ，２ｂ第二の測長パターン
２１第一の副軸
２２第二の副軸
３表示パネル用の基板
３００透明基板
３０１表示領域
３０２パネル額縁領域
３２データ線
３３走査線
３４ドレイン配線
３４１第一のサブ導体膜
３４２第二のサブ導体膜
３５補助容量信号線
３６ＴＦＴ
３６１ゲート電極
３６２ソース電極
３６３ドレイン電極
３７ゲート絶縁膜
３８パッシベーション膜
３９有機絶縁膜
４０絵素電極
４１半導体膜
４１１第一のサブ半導体膜
４１２第二のサブ半導体膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a, 1b 1st length measurement pattern 11 1st scale axis 12 2nd scale axis 2a, 2b 2nd length measurement pattern 21 1st secondary axis 22 2nd secondary axis 3 Substrate for display panels 300 Transparent Substrate 301 Display area 302 Panel frame area 32 Data line 33 Scan line 34 Drain wiring 341 First sub conductor film 342 Second sub conductor film 35 Auxiliary capacitance signal line 36 TFT
361 Gate electrode 362 Source electrode 363 Drain electrode 37 Gate insulating film 38 Passivation film 39 Organic insulating film 40 Pixel electrode 41 Semiconductor film 411 First sub semiconductor film 412 Second sub semiconductor film

Claims

It has a linear first scale axis and a linear second scale axis perpendicular to the first scale axis, and the first scale axis and the second scale axis are substantially X-shaped. The first sub-axis and the first sub-axis having a first length measurement pattern formed by intersecting, a linear first sub-axis, and a second sub-axis orthogonal to the first sub-axis And a second length measurement pattern formed by intersecting the second sub-axis in a substantially X shape, and the first length measurement pattern and the second length measurement pattern are superimposed and predetermined. A length measurement pattern formed to intersect at an angle of.

The length measurement pattern according to claim 1, wherein the first length measurement pattern and the second length measurement pattern are formed in different layers.

The length measuring pattern according to claim 1 or 2, wherein an angle at which the first length measuring pattern and the second length measuring pattern intersect is 45 degrees.

The length measurement pattern according to any one of claims 1 to 3, wherein the first length measurement pattern is formed in a checkered pattern.

A display panel substrate comprising the length measurement pattern according to claim 1.

A length measuring method for measuring a deviation amount between a plurality of patterns formed on a substrate, wherein a linear first scale axis and a linear second scale axis orthogonal to the first scale axis A first length measuring pattern formed by intersecting the first graduation axis and the second graduation axis in a substantially X shape; a linear first sub axis; and the first sub axis And a second length measurement pattern having a second sub-axis perpendicular to the axis and formed by intersecting the first sub-axis and the second sub-axis substantially in an X shape. And an intersection of the first secondary axis of the second length measurement pattern and the first scale axis or the second scale axis of the first length measurement pattern, From the intersection of the second minor axis of the second length measurement pattern and the first scale axis or the second scale axis of the first length measurement pattern, the first length measurement pattern and the second length measurement pattern Measurement method characterized by measuring the amount of deviation over emissions.

The length measuring method according to claim 6, wherein the first length measuring pattern and the second length measuring pattern are formed in different layers in different steps.

The length measuring method according to claim 6 or 7, wherein an angle at which the first length measuring pattern and the second length measuring pattern intersect is 45 degrees.

The length measuring method according to any one of claims 6 to 8, wherein the first length measuring pattern is formed in a checkered pattern.