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JP2010031183A - Energy ray hardening type chip protecting film - Google Patents

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JP2010031183A
JP2010031183A JP2008196746A JP2008196746A JP2010031183A JP 2010031183 A JP2010031183 A JP 2010031183A JP 2008196746 A JP2008196746 A JP 2008196746A JP 2008196746 A JP2008196746 A JP 2008196746A JP 2010031183 A JP2010031183 A JP 2010031183A
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JP
Japan
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curable
energy ray
chip
protective film
polymerization type
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Pending
Application number
JP2008196746A
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Japanese (ja)
Inventor
Takanori Yamakawa
貴紀 山川
Yasumasa Morishima
泰正 盛島
Shinichi Ishiwatari
伸一 石渡
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

【課題】高硬度であって、且つ、チップに対する密着性に優れた、信頼性の高いエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムは、(A)バインダーポリマー成分、(B)カチオン重合型の硬化性成分、(C)カチオン系光重合開始剤、(D)ラジカル重合型の硬化性成分、及び(E)ラジカル系光重合開始剤を含有してなるエネルギー線硬化型保護膜形成層を有する。
【選択図】図1
An object of the present invention is to provide a highly reliable energy ray-curable chip protection film having high hardness and excellent adhesion to a chip.
The energy ray curable chip protecting film of the present invention comprises (A) a binder polymer component, (B) a cationic polymerization type curable component, (C) a cationic photopolymerization initiator, and (D) a radical polymerization. An energy ray curable protective film forming layer comprising a mold curable component and (E) a radical photopolymerization initiator.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、エネルギー線硬化型チップ保護用フィルムに関し、特に、フェースダウン(face down)方式で実装される半導体チップの裏面を保護するためのエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムに関する。   The present invention relates to an energy beam curable chip protecting film, and more particularly to an energy beam curable chip protecting film for protecting the back surface of a semiconductor chip mounted in a face down manner.

近年、集積回路等の半導体素子の実装技術として、ダイシング前のウエハ状態のままでパッケージングを行い、最終段階で、チップ単位に切断されるWL−CSP(Wafer Level Chip Size Package)の実用化が進んでいる。WL−CSPにおいては、ベアチップとほぼ同サイズで配線長が短いことから、小型・薄型・高速という特徴を有しており、例えば携帯電話向けのCSPとして採用されている。 In recent years, as a mounting technology for semiconductor elements such as integrated circuits, WL-CSP (Wafer Level Chip Size Package), which is packaged in a wafer state before dicing and is cut into chips at the final stage, has been put into practical use. Progressing. WL-CSP has the characteristics of being small, thin, and high speed because it is almost the same size as a bare chip and has a short wiring length, and is adopted as a CSP for mobile phones, for example.

このようなWL−CSPでは、半導体パッケージ基板(再配線、あるいはInterposerともいう)としてバンプ付きテープ基板が用いられ、このテープ基板に形成されたバンプと、半導体ウエハの回路形成面に形成されたバンプとが直接接続される。このとき、半導体ウエハは、その回路形成面がテープ基板に向いた、いわゆるフェースダウン方式でテープ基板に実装される。
半導体ウエハが実装されたテープ基板は、ダイシングソーによりチップ単位で切断(ダイシング)され、これにより、半導体チップと同サイズのCSPを得ることができる。
In such WL-CSP, a tape substrate with bumps is used as a semiconductor package substrate (also referred to as rewiring or Interposer), and bumps formed on the tape substrate and bumps formed on the circuit formation surface of the semiconductor wafer. And are connected directly. At this time, the semiconductor wafer is mounted on the tape substrate by a so-called face-down method in which the circuit formation surface faces the tape substrate.
The tape substrate on which the semiconductor wafer is mounted is cut (diced) in units of chips by a dicing saw, whereby a CSP having the same size as the semiconductor chip can be obtained.

上記のようなCSPは、チップの裏面が樹脂封止されておらず、外部に露出した状態となる。そこで、チップの裏面を保護・補強するために、種々のチップ保護用フィルムが提案されている。チップ保護用フィルムは、ダイシング前のウエハ裏面に貼り付けることにより、ダイシングの際のチッピングを抑制する機能を併せ持つ。   In the CSP as described above, the back surface of the chip is not sealed with resin and is exposed to the outside. Therefore, various chip protection films have been proposed to protect and reinforce the back surface of the chip. The film for chip protection also has a function of suppressing chipping during dicing by being attached to the back surface of the wafer before dicing.

例えば、特許文献1には、剥離シートと、剥離シートの剥離面上に形成された熱硬化性成分またはエネルギー線硬化性成分と、バインダーポリマーとからなる保護膜形成層とを有するチップ用保護膜形成用シートが開示されている。特許文献1では、このチップ用保護膜形成用シートの保護膜形成層を半導体ウエハ裏面に貼り付け、保護膜形成層から剥離シートを剥離した後、加熱またはエネルギー線照射により保護膜形成層を硬化し、ウエハ全面に保護膜を形成する。これにより、ウエハ単独の場合と比べて強度が向上するので、取扱い時のウエハの破損が低減される。   For example, Patent Document 1 discloses a protective film for a chip having a release sheet, a protective film forming layer formed of a thermosetting component or energy ray curable component formed on the release surface of the release sheet, and a binder polymer. A forming sheet is disclosed. In Patent Document 1, the protective film forming layer of the chip protective film forming sheet is attached to the back surface of the semiconductor wafer, the release sheet is peeled off from the protective film forming layer, and then the protective film forming layer is cured by heating or irradiation with energy rays. Then, a protective film is formed on the entire surface of the wafer. Thereby, since the strength is improved as compared with the case of the wafer alone, damage to the wafer during handling is reduced.

また、特許文献2には、特許文献1と同様、熱硬化性成分及び/又はエネルギー線硬化性成分からなる硬化性保護膜を有するチップ用保護膜形成用シートが開示されており、さらに、保護膜の強度、硬度の向上や、保護膜に品番等のレーザーマーキングを行う際のマーク認識性向上、及び外観向上等を目的として、保護膜形成層にフィラーや、顔料及び染料等を添加することが開示されている。
特開2004−260190号公報 特開2004−214288号公報
Patent Document 2 discloses a protective film-forming sheet for chips having a curable protective film composed of a thermosetting component and / or an energy ray-curable component, as in Patent Document 1, and further includes protection. Add fillers, pigments, dyes, etc. to the protective film forming layer for the purpose of improving the strength and hardness of the film, improving mark recognition when performing laser marking such as product number on the protective film, and improving the appearance. Is disclosed.
JP 2004-260190 A JP 2004-214288 A

上記特許文献1及び2に記載されているように、保護膜を硬化させる方法としては、熱硬化性成分を含む保護膜形成層を加熱して硬化させる方法と、エネルギー線硬化性成分を含む保護膜形成層をエネルギー線照射により硬化させる方法とがある。   As described in Patent Documents 1 and 2, the method of curing the protective film includes a method of heating and curing the protective film forming layer containing a thermosetting component, and a protection containing an energy ray curable component. There is a method of curing the film forming layer by irradiation with energy rays.

一般に、熱硬化は、100〜200℃で1〜3時間程度の加熱処理が必要とされる。このような熱硬化の場合、保護膜形成層が流動しながらゆっくりと硬化することから、チップに対する密着性に優れ、しかも、高硬度の保護膜を得ることができる。しかしながら、熱硬化は処理時間が長く、作業性及び生産性が悪いという問題がある。   In general, heat curing requires heat treatment at 100 to 200 ° C. for about 1 to 3 hours. In the case of such thermosetting, since the protective film forming layer is slowly cured while flowing, a protective film having excellent adhesion to the chip and high hardness can be obtained. However, thermosetting has a problem that processing time is long and workability and productivity are poor.

これに対し、エネルギー線硬化では、例えば紫外線によって10〜300秒程度で瞬時に硬化させることが可能であり、熱硬化に比べて処理時間が格段に短く、作業性及び生産性に優れる。また、熱によるダメージを受けない点、及び、硬化設備がコンパクトである点においても有利である。しかしながら、レーザーマーク視認性向上及び外観向上等を目的として、保護膜形成層にフィラーや、顔料及び染料等を添加する場合には、エネルギー線が透過し難いため、熱硬化の場合と比較してフィルム全体を十分に硬化させることが困難である。さらに、エネルギー線硬化では、保護膜形成層が瞬間的に硬化することから、硬化後の保護膜はチップに対する密着性が低く、剥がれやすいという問題もある。   On the other hand, in energy ray curing, for example, ultraviolet rays can be instantly cured in about 10 to 300 seconds, and the processing time is much shorter than heat curing, and the workability and productivity are excellent. It is also advantageous in that it is not damaged by heat and the curing equipment is compact. However, when adding fillers, pigments, dyes, etc. to the protective film forming layer for the purpose of improving the laser mark visibility and improving the appearance, it is difficult to transmit energy rays, compared with the case of thermosetting. It is difficult to fully cure the entire film. Further, in the energy ray curing, the protective film forming layer is instantaneously cured, so that there is a problem that the cured protective film has low adhesion to the chip and is easily peeled off.

そこで、本発明の目的は、高硬度であって、且つ、チップに対する密着性に優れた、信頼性の高いエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a highly reliable energy ray-curable chip protecting film having high hardness and excellent adhesion to a chip.

本発明者らは、上記課題に対して鋭意検討した結果、硬化メカニズムの異なるカチオン重合型の硬化性成分とラジカル重合型の硬化性成分とを併用することで、高硬度でありながら、チップに対する密着性に優れたエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを得られること見出し、本発明を完成させた。   As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors have used a cationic polymerization type curable component and a radical polymerization type curable component having different curing mechanisms in combination with a chip while having high hardness. The inventors have found that an energy ray curable chip protecting film having excellent adhesion can be obtained, and have completed the present invention.

すなわち、本発明の第1の態様は、(A)バインダーポリマー成分、(B)カチオン重合型の硬化性成分、(C)カチオン系光重合開始剤、(D)ラジカル重合型の硬化性成分、及び(E)ラジカル系光重合開始剤を含有してなるエネルギー線硬化型保護膜形成層を有することを特徴とするエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムである。   That is, the first aspect of the present invention includes (A) a binder polymer component, (B) a cationic polymerization type curable component, (C) a cationic photopolymerization initiator, (D) a radical polymerization type curable component, And (E) an energy beam curable chip protecting film comprising an energy beam curable protective film forming layer containing a radical photopolymerization initiator.

本発明の第2の態様は、前記第1の態様に係るエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムにおいて、前記ラジカル系光重合開始剤(E)が、350nm以上の長波長領域の光を吸収する光重合開始剤であることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the energy ray-curable chip protecting film according to the first aspect, the radical photopolymerization initiator (E) absorbs light in a long wavelength region of 350 nm or more. It is a polymerization initiator.

本発明の第3の態様は、前記第1又は第2の態様に係るエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムにおいて、前記ラジカル系光重合開始剤(E)が、アシルホスフィンオキシドであることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the energy ray-curable chip protecting film according to the first or second aspect, the radical photopolymerization initiator (E) is an acylphosphine oxide. To do.

本発明の第4の態様は、前記第3の態様に係るエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムにおいて、前記ラジカル系光重合開始剤(E)が、下記構造式(1)で表される2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシドであることを特徴とする。

構造式(1)
According to a fourth aspect of the present invention, in the energy ray-curable chip protecting film according to the third aspect, the radical photopolymerization initiator (E) is represented by the following structural formula (1): It is 4,6-trimethylbenzoyl diphenylphosphine oxide.

Structural formula (1)

本発明の第5の態様は、前記第1から第4の態様のいずれかに係るエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムにおいて、前記カチオン重合型の硬化性成分(B)が、エポキシ樹脂であることを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the energy ray-curable chip protecting film according to any one of the first to fourth aspects, the cationic polymerization type curable component (B) is an epoxy resin. It is characterized by.

本発明の第6の態様は、前記第1から第5の態様のいずれかに係るエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムにおいて、前記ラジカル重合型の硬化性成分(D)が、エポキシアクリレートであることを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, in the energy ray-curable chip protecting film according to any one of the first to fifth aspects, the radical polymerization type curable component (D) is an epoxy acrylate. It is characterized by.

本発明の第7の態様は、前記第1から第6の態様のいずれかに係るエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムにおいて、前記カチオン重合型の硬化性成分(B)と前記ラジカル重合型の硬化性成分(D)との配合比が、質量比で30:70〜70:30であることを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, in the energy ray curable chip protecting film according to any one of the first to sixth aspects, the cationic polymerization type curable component (B) and the radical polymerization type curing are used. The compounding ratio with the sex component (D) is 30:70 to 70:30 in mass ratio.

本発明の第8の態様は、前記第1から第7の態様のいずれかに係るエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムにおいて、前記エネルギー線硬化型保護膜形成層の片面又は両面に、さらに剥離シートを有することを特徴とする。   According to an eighth aspect of the present invention, in the energy ray curable chip protecting film according to any one of the first to seventh aspects, a release sheet is further provided on one or both sides of the energy ray curable protective film forming layer. It is characterized by having.

本発明の第9の態様は、前記第1から第8のいずれかの態様に係るエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムに、ダイシングテープが貼り合わされたダイシングテープ一体型チップ保護用フィルムである。   A ninth aspect of the present invention is a dicing tape-integrated chip protection film in which a dicing tape is bonded to the energy ray-curable chip protection film according to any one of the first to eighth aspects.

本発明によれば、硬化メカニズムの異なるカチオン重合型の硬化性成分とラジカル重合型の硬化性成分とを併用することにより、高硬度であって、且つ、チップに対する密着性に優れたチップ保護用フィルムを実現することができる。   According to the present invention, by using a cationic polymerization type curable component and a radical polymerization type curable component having different curing mechanisms in combination, the chip protection has high hardness and excellent adhesion to the chip. A film can be realized.

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1及び図2は、剥離シート上に保護膜形成層を有する本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの二つの例を示したものである。図1は、保護膜形成層2の両面に剥離シート1を仮着させた構成であり、図2は、保護膜形成層2の片面に剥離シート1を仮着させた構成である。
以下に、剥離シートと保護膜形成層の構成について説明する。また、このチップ保護用フィルムの製造方法と使用方法についても、説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG.1 and FIG.2 shows two examples of the energy ray hardening-type chip | tip protective film of this invention which has a protective film formation layer on a peeling sheet. FIG. 1 shows a configuration in which the release sheet 1 is temporarily attached to both surfaces of the protective film forming layer 2, and FIG. 2 shows a configuration in which the release sheet 1 is temporarily attached to one surface of the protective film forming layer 2.
Below, the structure of a peeling sheet and a protective film formation layer is demonstrated. Moreover, the manufacturing method and usage method of this chip protection film will also be described.

<剥離シート>
剥離シート1は、チップ保護用フィルムの取り扱い性を良くする目的で、また保護膜形成層2を保護する目的で用いられる。
剥離シートとしては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ピニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム等が用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。
<Peeling sheet>
The release sheet 1 is used for the purpose of improving the handleability of the film for protecting a chip and for the purpose of protecting the protective film forming layer 2.
Examples of release sheets include polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polypinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, polybutylene terephthalate film, and polyurethane. Film, ethylene / vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide film, fluorine A resin film or the like is used. These crosslinked films are also used. Furthermore, these laminated films may be sufficient.

特に、保護膜形成層の硬化後に剥離シートの剥離を行う場合には、耐熱性に優れたポリメチルペンテンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルムが好適に用いることができる。   In particular, when the release sheet is peeled after the protective film forming layer is cured, a polymethylpentene film, a polyethylene terephthalate film, or a polyimide film excellent in heat resistance can be suitably used.

剥離シートの表面張力は、40mN/m以下であることが好ましく、35mN/m以下であることがより好ましい。このような表面張力の低い剥離シートは、材質を適宜に選択して得ることが可能であり、またシートの表面にシリコーン樹脂等を塗布して離型処理を施すことで得ることもできる。   The surface tension of the release sheet is preferably 40 mN / m or less, and more preferably 35 mN / m or less. Such a release sheet having a low surface tension can be obtained by appropriately selecting the material, and can also be obtained by applying a silicone resin or the like to the surface of the sheet and performing a release treatment.

剥離シートの膜厚は、通常は5〜300μm、好ましくは10〜200μm、特に好ましくは20〜150μm程度である。   The thickness of the release sheet is usually about 5 to 300 μm, preferably about 10 to 200 μm, and particularly preferably about 20 to 150 μm.

<保護膜形成層>
エネルギー線硬化型保護膜形成層2は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって硬化し、チップの裏面に保護膜を形成する。このエネルギー線硬化型保護膜形成層2は、(A)バインダーポリマー成分、(B)カチオン重合型の硬化性成分、(C)カチオン系光重合開始剤、(D)ラジカル重合型の硬化性成分、及び(E)ラジカル系光重合開始剤を必須成分として含有している。さらに、必要に応じて、(F)染料及び/又は顔料、(G)フィラー、及び(H)その他成分を含有していてもよい。これらの成分について、以下に説明する。
<Protective film forming layer>
The energy ray curable protective film forming layer 2 is cured by irradiation with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams, and forms a protective film on the back surface of the chip. This energy ray curable protective film forming layer 2 comprises (A) a binder polymer component, (B) a cationic polymerization type curable component, (C) a cationic photopolymerization initiator, and (D) a radical polymerization type curable component. And (E) a radical photopolymerization initiator as an essential component. Furthermore, you may contain (F) dye and / or a pigment, (G) filler, and (H) other components as needed. These components will be described below.

(A)バインダーポリマー成分
本発明では、フィルムとしての可とう性や操作性を向上させるために、ポリマー成分を使用する。ポリマー成分としては、例えば、アクリル系共重合体、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができ、特に、重合性二重結合を有するアクリル系共重合体が好ましい。このアクリル系共重合体の重量平均分子量は、5万以上、特に20万〜100万の範囲にあるのが好ましい。分子量が低すぎるとシート形成が不十分となり、高すぎると他の成分との相溶性が悪くなり、結果としてフィルム形成が妨げられる。
(A) Binder polymer component In this invention, in order to improve the flexibility and operativity as a film, a polymer component is used. As the polymer component, for example, an acrylic copolymer, a polyester resin, a urethane resin, a silicone resin, a rubber polymer, or the like can be used, and an acrylic copolymer having a polymerizable double bond is particularly preferable. The weight average molecular weight of the acrylic copolymer is preferably 50,000 or more, particularly preferably in the range of 200,000 to 1,000,000. If the molecular weight is too low, sheet formation will be insufficient, and if it is too high, compatibility with other components will deteriorate, resulting in hindering film formation.

(B)カチオン重合型の硬化性成分
カチオン重合型の硬化性成分は、エネルギー線照射によりカチオン重合し、硬化する化合物である。このような化合物としては、エポキシ樹脂を好適に用いることができ、特にカチオン重合性の高い脂環式エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、エネルギー線照射により酸を発生するカチオン系光重合開始剤と組み合わせて用いることにより、エポキシ基が効率よく開環重合する。一般に、カチオン重合型の硬化性成分は、ラジカル重合型の硬化性成分よりも反応速度が遅いため反応の進行が不十分になりやすく、硬度が得られ難い反面、シリコンチップ等の被塗膜物への密着性に優れる。したがって、カチオン重合型の硬化性成分を用いることで、従来、熱硬化と比較してチップに対する密着性に劣るエネルギー線硬化において、優れた密着性を発現させることができる。
(B) Cationic polymerization type curable component The cationic polymerization type curable component is a compound that undergoes cationic polymerization upon irradiation with energy rays and is cured. As such a compound, an epoxy resin can be suitably used, and an alicyclic epoxy resin having a high cationic polymerizability is particularly preferable. An epoxy resin is used in combination with a cationic photopolymerization initiator that generates an acid upon irradiation with energy rays, whereby an epoxy group efficiently undergoes ring-opening polymerization. In general, the cationic polymerization type curable component has a slower reaction rate than the radical polymerization type curable component, and thus the progress of the reaction tends to be insufficient, and the hardness is difficult to obtain. Excellent adhesion to. Therefore, by using a cationic polymerization type curable component, it is possible to express excellent adhesiveness in energy ray curing that is conventionally inferior in adhesiveness to a chip as compared with thermosetting.

(C)カチオン系光重合開始剤
カチオン系光重合開始剤は、エネルギー線照射により反応活性種となる酸を生成し、重合プロセスを逐次的に進行させる。カチオン重合型の硬化性成分にカチオン系光重合開始剤を添加することにより、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。
カチオン系光重合開始剤の使用量は、カチオン重合型の硬化性成分の合計100質量部に対して、1〜10質量部程度が好ましい。
(C) Cationic Photopolymerization Initiator The cationic photopolymerization initiator generates an acid that becomes a reactive species by irradiation with energy rays, and sequentially advances the polymerization process. By adding a cationic photopolymerization initiator to the cationic polymerization type curable component, the polymerization curing time and the amount of light irradiation can be reduced.
The amount of the cationic photopolymerization initiator used is preferably about 1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass in total of the cationic polymerization type curable components.

カチオン系光重合開始剤としては、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ヨードニウム塩等を好適に使用することができる。   As the cationic photopolymerization initiator, aromatic diazonium salts, aromatic iodonium salts and the like can be preferably used.

(D)ラジカル重合型の硬化性成分
ラジカル重合型の硬化性成分は、エネルギー線の照射によりラジカル重合し、硬化する化合物である。一般に、ラジカル重合型の硬化性化合物は、反応速度が速く硬化収縮による応力が大きくなるため、上述のように、カチオン重合型の硬化性化合物よりもチップに対する密着性は劣るが、エネルギー線照射によりラジカルを生成するラジカル重合系光開始剤と組み合わせて用いることにより、効率良く重合硬化し、エネルギー線硬化により高硬度の保護膜を形成することができる。
(D) Radical polymerization type curable component The radical polymerization type curable component is a compound that is radically polymerized and cured by irradiation with energy rays. In general, since radical polymerization type curable compounds have a high reaction rate and stress due to curing shrinkage, as described above, the adhesion to the chip is inferior to that of cationic polymerization type curable compounds. By using it in combination with a radical polymerization photoinitiator that generates radicals, it can be efficiently polymerized and cured, and a protective film with high hardness can be formed by energy ray curing.

ラジカル重合型の硬化性成分としては、分子内に少なくとも1つの重合性二重結合を有し、重量平均分子量が100〜30,000の範囲、より好ましくは300〜10,000の範囲にあるものを用いることができ、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ポリエステル型またはポリエーテル型のウレタンアクリレートオリゴマー、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、エポキシアクリレート等が挙げられる。   The radical polymerization type curable component has at least one polymerizable double bond in the molecule and has a weight average molecular weight in the range of 100 to 30,000, more preferably in the range of 300 to 10,000. For example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4-butylene glycol diacrylate, 1, 6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, polyester or polyether type urethane acrylate oligomer, polyester acrylate , Polyether acrylate, epoxy acrylate.

これらの中でも、紫外線硬化型樹脂が特に好ましい。具体的には、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、及びオリゴエステルアクリレート等が好ましく、硬度、耐熱性、接着性等の面からエポキシアクリレートが特に好ましい。   Among these, an ultraviolet curable resin is particularly preferable. Specifically, epoxy acrylate, urethane acrylate oligomer, oligoester acrylate, and the like are preferable, and epoxy acrylate is particularly preferable in terms of hardness, heat resistance, adhesiveness, and the like.

上記カチオン重合型の硬化性成分(B)と、ラジカル重合型の硬化性成分(D)との配合比は、特に限定されないが、質量比で30:70〜70:30であることが望ましい。この質量比の偏りが大き過ぎると、即ち、カチオン重合型の硬化性成分(B)の質量比が大き過ぎると密着性が低下し、一方、ラジカル重合型の硬化性成分(D)の質量比が大き過ぎると硬度が低下してしまう。そこで、上記の割合で配合することにより、硬度及び密着性を兼ね備えた保護膜を得ることができる。   The blending ratio of the cationic polymerization type curable component (B) and the radical polymerization type curable component (D) is not particularly limited, but is preferably 30:70 to 70:30 in mass ratio. If this mass ratio bias is too large, that is, if the mass ratio of the cationic polymerization type curable component (B) is too large, the adhesiveness is lowered, while the mass ratio of the radical polymerization type curable component (D). If is too large, the hardness will decrease. Then, the protective film which has hardness and adhesiveness can be obtained by mix | blending in said ratio.

(E)ラジカル系光重合開始剤
ラジカル系光重合開始剤は、エネルギー線照射により反応活性種となるラジカルを生成し、ラジカル反応を開始させる。ラジカル重合型の硬化性成分にラジカル系光重合開始剤を添加することにより、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。
ラジカル系光重合開始剤の使用量は、エネルギー線硬化性成分の合計100質量部に対して、0.5〜10質量部程度が好ましい。
(E) Radical-based photopolymerization initiator The radical-based photopolymerization initiator generates a radical that becomes a reactive species by irradiation with energy rays, and initiates a radical reaction. By adding a radical photopolymerization initiator to the radical polymerization type curable component, the polymerization curing time and the amount of light irradiation can be reduced.
The amount of the radical photopolymerization initiator used is preferably about 0.5 to 10 parts by mass with respect to a total of 100 parts by mass of the energy ray curable components.

ラジカル系光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、2,4−ジエチルチオキサンソン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、アシルホスフィンオキシドなどが挙げられる。   As radical photopolymerization initiators, benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, benzoin dimethyl ketal, 2,4-diethylthiol Xanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone, acylphosphine oxide and the like can be mentioned.

これらの中でも、350nm以上の長波長域の光も吸収し、染料及び顔料を添加した系でも硬化可能なアシルホスフィンオキシドが特に好ましい。アシルホスフィンオキシドとしては、特に、下記構造式(1)で表される2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシドを用いることが好ましい。
構造式(1)

Among these, an acylphosphine oxide that absorbs light in a long wavelength region of 350 nm or more and is curable even in a system to which a dye and a pigment are added is particularly preferable. As the acylphosphine oxide, it is particularly preferable to use 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide represented by the following structural formula (1).
Structural formula (1)

(F)染料及び顔料
エネルギー線硬化型保護膜形成層2は、着色されていてもよい。保護膜形成層2の着色は、顔料、染料等を配合することで行われる。保護膜形成層2を着色することで、保護膜形成層2に品番等のレーザーマーキングを行う際のマークの認識性の向上、及び外観の向上を図ることができる。このような顔料としては、カーボンブラックや、各種の無機顔料が例示できる。またアゾ系、インダスレン系、インドフェノール系、フタロシアニン系、インジゴイド系、ニトロソ系、ザンセン系、オキシケトン系などの各種有機顔料があげられる。
(F) Dye and Pigment The energy ray curable protective film forming layer 2 may be colored. The protective film forming layer 2 is colored by blending pigments, dyes and the like. By coloring the protective film forming layer 2, it is possible to improve the mark recognizability and the appearance when the protective film forming layer 2 is subjected to laser marking such as a product number. Examples of such pigments include carbon black and various inorganic pigments. Also, various organic pigments such as azo, indanthrene, indophenol, phthalocyanine, indigoid, nitroso, xanthene, oxyketone and the like can be mentioned.

これらの添加量は、その種類により様々であるが、バインダーポリマー成分、カチオン重合型の硬化性成分、ラジカル重合型の硬化性成分、フィラーの合計100質量部に対して、0.1〜10質量部、好ましくは0.5〜3質量部程度が適当である。また、硬化前の凝集力を調節するために、有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物、有機金属キレート化合物等の架橋剤を添加することもできる。   The amount of these additives varies depending on the type, but is 0.1 to 10 mass with respect to a total of 100 parts by mass of the binder polymer component, the cationic polymerization type curable component, the radical polymerization type curable component, and the filler. Parts, preferably about 0.5 to 3 parts by mass. Moreover, in order to adjust the cohesive force before hardening, crosslinking agents, such as an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, and an organometallic chelate compound, can also be added.

(G)フィラー
フィラーとしては、結晶シリカ、合成シリカ等のシリカや、アルミナ、ガラスバルーン等の無機フィラーがあげられる。保護膜形成層2に無機フィラーを添加することにより、保護膜形成層2の硬度を向上させることができる。また、硬化後の保護膜の熱膨張係数をウエハの熱膨張係数に近づけることができ、これによって加工途中のウエハの反りを低減することができるようになる。フィラーとしては合成シリカが好ましく、特に半導体装置の誤作動の要因となるα線の線源を極力除去したタイプの合成シリカが最適である。フィラーの形状としては、球形、針状、無定型タイプのものいずれも使用可能であるが、特に最密充填の可能な球形のフィラーが好ましい。
(G) Filler Examples of the filler include silica such as crystalline silica and synthetic silica, and inorganic filler such as alumina and glass balloon. By adding an inorganic filler to the protective film forming layer 2, the hardness of the protective film forming layer 2 can be improved. In addition, the thermal expansion coefficient of the protective film after curing can be brought close to the thermal expansion coefficient of the wafer, thereby reducing the warpage of the wafer during processing. Synthetic silica is preferable as the filler, and in particular, synthetic silica of the type from which the α-ray source that causes malfunction of the semiconductor device is removed as much as possible is optimal. As the shape of the filler, any of a spherical shape, a needle shape, and an amorphous type can be used, but a spherical filler capable of closest packing is particularly preferable.

また、保護膜形成層2に添加するフィラーとしては、上述した無機フィラーの他にも、下記のような機能性のフィラーが配合されていてもよい。たとえば、ダイボンド後の導電性の付与を目的として、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、カーボン、またはセラミック、あるいはニッケル、アルミニウム等を銀で被覆したもののような導電性フィラーを添加してもよく、また熱伝導性の付与を目的として、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、ケイ素、ゲルマニウム等の金属材料やそれらの合金等の熱伝導性物質を添加してもよい。   Moreover, as a filler added to the protective film formation layer 2, the following functional fillers other than the inorganic filler mentioned above may be mix | blended. For example, for the purpose of imparting conductivity after die bonding, a conductive filler such as gold, silver, copper, nickel, aluminum, stainless steel, carbon, or ceramic, or nickel, aluminum, etc. coated with silver is added. In addition, for the purpose of imparting thermal conductivity, a metal material such as gold, silver, copper, nickel, aluminum, stainless steel, silicon, germanium, or a thermal conductive material such as an alloy thereof may be added.

保護膜形成層2に配合されるフィラーの添加量は、フィラーの種類により様々であるが、バインダーポリマー成分、ラジカル重合型の硬化性成分、カチオン重合型硬化性成分、フィラーの合計100質量部に対して、30〜85質量部、好ましくは50〜75質量部程度が適当である。保護膜形成層2中のフィラーをこのような配合比で添加し、エネルギー線照射することによって、硬化後の鉛筆硬度を調整することができる。また、硬化後の保護膜の熱膨張係数をウエハの熱膨張係数に近づけることができる。   The amount of filler added to the protective film forming layer 2 varies depending on the type of filler, but the binder polymer component, radical polymerization type curable component, cationic polymerization type curable component, and filler total 100 parts by mass. On the other hand, 30 to 85 parts by mass, preferably about 50 to 75 parts by mass is appropriate. The pencil hardness after curing can be adjusted by adding the filler in the protective film forming layer 2 at such a blending ratio and irradiating with energy rays. Further, the thermal expansion coefficient of the protective film after curing can be brought close to the thermal expansion coefficient of the wafer.

(H)その他の成分
保護膜形成層2には、上記成分のほかに、必要に応じて、架橋剤、カップリング剤、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、応力緩和剤としてブタジエン系ゴムやシリコーンゴム等を含有させることができる。
(H) Other components In addition to the above-described components, the protective film forming layer 2 may include a butadiene-based rubber as a crosslinking agent, a coupling agent, an antistatic agent, an antioxidant, a flame retardant, and a stress relaxation agent as necessary. Or silicone rubber or the like.

架橋剤は、硬化前の凝集力を調節するためのものであり、有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物、有機金属キレート化合物等が挙げられる。   A crosslinking agent is for adjusting the cohesive force before hardening, and an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, an organometallic chelate compound, etc. are mentioned.

カップリング剤は、硬化被膜の耐熱性を損なわずに、接着性や密着性を向上させ、また耐水性(耐湿熱性)も向上させる。カップリング剤には、その汎用性とコスト面等から、シラン系(シランカップリング剤)が好ましい。   The coupling agent improves adhesion and adhesion without impairing the heat resistance of the cured film, and also improves water resistance (moisture heat resistance). The coupling agent is preferably a silane (silane coupling agent) from the viewpoint of versatility and cost.

保護膜形成層2の厚さは、5〜200μmであることが好ましく、10〜50μmであることがより好ましい。薄すぎると、チップの保護、補強効果が得られ難く、また色むら等の問題が発生しやすくなる。また、厚すぎると、エネルギー線照射によってフィルム全体を硬化させることが難しくなる。   The thickness of the protective film forming layer 2 is preferably 5 to 200 μm, and more preferably 10 to 50 μm. If it is too thin, it is difficult to obtain the chip protection and reinforcing effects, and problems such as uneven color are likely to occur. Moreover, when too thick, it will become difficult to harden the whole film by energy ray irradiation.

<製造方法>
次に、本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの製造方法の一例について説明する。
本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムは、剥離シートの剥離面上に、上記のエネルギー線硬化型保護膜形成層2を構成する各成分を含む組成物をロールナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなどの一般に公知の方法に準じて直接または転写によって塗布、乾燥させて得ることができる。上記の組成物は、必要により、溶剤に溶解又は分散させて塗布してもよい。
<Manufacturing method>
Next, an example of a method for producing the energy ray curable chip protecting film of the present invention will be described.
The energy ray curable chip protecting film of the present invention comprises a roll knife coater, a gravure coater, a die coat containing a composition comprising each component constituting the energy ray curable protective film forming layer 2 on the release surface of a release sheet. It can be obtained by coating or drying directly or by transfer according to a generally known method such as a coater or a reverse coater. If necessary, the above composition may be dissolved or dispersed in a solvent and applied.

<使用方法>
本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの使用用途としては、チップ保護用途であれば特に限定されないが、例えば、WL−CSP用のチップ裏面保護用途に用いることができる。
本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムをWL−CSP用のチップ裏面保護に適用する場合のフィルムの使用方法について、図3及び図4を用いて説明する。まず、チップ保護用フィルムを40℃以上、0.05〜0.5MPaで加熱・加圧した状態で、エネルギー線硬化型保護膜形成層2をウエハWの裏面に貼り合わせ、フィルムをウエハサイズに切断する。次に、図3に示すように、ウエハWに貼り合わせたフィルムに、UVランプ5を用いて、剥離シート1側から100〜2000mJ/cm2 の紫外線を照射する。これにより、カチオン重合反応とラジカル重合反応とが同時に進行して保護膜形成層2が硬化する。このように、硬化メカニズムの異なるカチオン重合型の硬化性成分とラジカル重合型の硬化性成分とを併用することにより、ウエハW裏面に、高硬度であって、且つ、密着性に優れた保護膜を形成することができる。
<How to use>
The use application of the energy ray curable chip protection film of the present invention is not particularly limited as long as it is a chip protection application. For example, it can be used for a chip back surface protection application for WL-CSP.
The usage method of the film in the case of applying the energy ray curable chip protecting film of the present invention to the chip back surface protection for WL-CSP will be described with reference to FIGS. First, in a state where the film for chip protection is heated and pressurized at 40 ° C. or higher and 0.05 to 0.5 MPa, the energy ray curable protective film forming layer 2 is bonded to the back surface of the wafer W, and the film is made to the wafer size. Disconnect. Next, as shown in FIG. 3, the film bonded to the wafer W is irradiated with 100 to 2000 mJ / cm 2 of ultraviolet rays from the release sheet 1 side using the UV lamp 5. Thereby, the cationic polymerization reaction and the radical polymerization reaction proceed simultaneously, and the protective film forming layer 2 is cured. As described above, by using a cationic polymerization type curable component and a radical polymerization type curable component having different curing mechanisms in combination, a protective film having high hardness and excellent adhesion on the back surface of the wafer W. Can be formed.

その後、剥離シート1を剥離し、図4に示すように、基材フィルム8及び基材フィルム8上に形成された粘着剤層7からなるダイシングテープ6を硬化した保護膜形成層2(保護膜)に貼り合わせ、ウエハWとともに保護膜をダイシングする。最後に、ダイシングテープ6に紫外線を照射して粘着性を低下させ、UVダイシングされたチップをコレット等のピックアップ手段によりピックアップすることで、本発明の保護用フィルムで保護されたチップを得ることができる。   Thereafter, the release sheet 1 is peeled off, and as shown in FIG. 4, a protective film forming layer 2 (protective film) obtained by curing the dicing tape 6 composed of the base film 8 and the adhesive layer 7 formed on the base film 8 is used. ) And dicing the protective film together with the wafer W. Finally, the dicing tape 6 is irradiated with ultraviolet rays to reduce its adhesiveness, and the chip protected with the protective film of the present invention can be obtained by picking up the UV-diced chip with a pickup means such as a collet. it can.

<ダイシングテープ一体型チップ保護用フィルム>
次に、本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムと、ダイシングテープとが一体化したダイシングテープ一体型チップ保護用フィルムについて説明する。
図5は、ダイシングテープ一体型チップ保護用フィルムの一例を示す断面図である。図示のように、ダイシングテープ一体型チップ保護用フィルムは、予めウエハのサイズにカットされた保護膜形成層2と、粘着剤層7と基材フィルム8からなるダイシングテープ6とを有している。保護膜形成層2は、ダイシングテープ6と同じサイズであってもよいが、予めウエハのサイズに合わせてカットされた保護膜形成層2を使用する方が、ダイシング工程で使用されるリングフレームへの糊残りの問題を生じ難くすることができる点で好ましい。
<Dicing tape integrated chip protection film>
Next, the dicing tape-integrated chip protecting film in which the energy ray curable chip protecting film of the present invention and the dicing tape are integrated will be described.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a dicing tape-integrated chip protection film. As shown in the figure, the dicing tape-integrated chip protection film has a protective film forming layer 2 that has been cut in advance to the size of a wafer, and a dicing tape 6 composed of an adhesive layer 7 and a base film 8. . The protective film forming layer 2 may be the same size as the dicing tape 6, but using the protective film forming layer 2 that has been cut according to the size of the wafer in advance becomes a ring frame used in the dicing process. This is preferable in that it is difficult to cause the problem of adhesive residue.

このように、チップ保護用フィルムとウエハのダイシング工程で使用されるダイシングテープとを一体化した構成によれば、保護フィルムの貼合工程とダイシングテープの貼合工程を一工程で行うことができることに加え、チップ保護用フィルムとダイシングテープのエネルギー線照射工程についても一工程で行うことができるので、工程を簡略化し、生産性を向上させることができる。   Thus, according to the structure which integrated the film for chip protection and the dicing tape used at the dicing process of a wafer, the bonding process of a protective film and the bonding process of a dicing tape can be performed in one process. In addition, since the energy ray irradiation process of the chip protection film and the dicing tape can be performed in one process, the process can be simplified and the productivity can be improved.

次に、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to a following example.

(実施例1〜4および比較例1〜3)
表1に示した各成分の配合により、硬化性保護膜形成層用の塗布液を調製した。
なお、表1における数値の単位はいずれも質量部である。また、表1における各成分の符号は下記のとおりである。
(Examples 1-4 and Comparative Examples 1-3)
A coating solution for a curable protective film forming layer was prepared by blending each component shown in Table 1.
In addition, all the units of the numerical values in Table 1 are parts by mass. Moreover, the code | symbol of each component in Table 1 is as follows.

A:ポリマー成分(重量平均分子量80万、ガラス転移温度10℃のアクリル系共重合体)
B:カチオン重合型の硬化性成分(脂環式エポキシ樹脂)
C1:カチオン系光重合開始剤1(芳香族ジアゾニウム塩)
C2:カチオン系光重合開始剤2(芳香族ヨードニウム塩)
D:ラジカル重合型の硬化性成分(エポキシアクリレート系樹脂(ビスA系))
E1:ラジカル系光重合開始剤1(2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン 吸収波長252nm)
E2:ラジカル系光重合開始剤2(2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド(アシルホスフィンオキシド系))
F:染料及び顔料(黒色顔料(アゾ系)、カーボンブラック)
G:フィラー(球状合成シリカ 平均粒径1.2μm)
A: Polymer component (acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 800,000 and a glass transition temperature of 10 ° C.)
B: Cationic polymerization type curable component (alicyclic epoxy resin)
C1: Cationic photopolymerization initiator 1 (aromatic diazonium salt)
C2: Cationic photopolymerization initiator 2 (aromatic iodonium salt)
D: Radical polymerization type curable component (epoxy acrylate resin (bis A type))
E1: Radical photoinitiator 1 (2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone absorption wavelength 252 nm)
E2: radical photopolymerization initiator 2 (2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide (acylphosphine oxide type))
F: Dye and pigment (black pigment (azo), carbon black)
G: Filler (spherical synthetic silica, average particle size 1.2 μm)

次に、上記の各塗布液を、厚さが38μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムからなる剥離シートの上に、乾燥膜厚が25μmとなるように130℃/3分で塗布乾燥したのち、その上に上記と同じ別の剥離シートを貼り合わせ、剥離シート/エネルギー線硬化型保護膜形成層/剥離シートからなる3層構成のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを作製した。   Next, after coating and drying each of the above coating solutions on a release sheet made of a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 38 μm at 130 ° C./3 minutes so that the dry film thickness becomes 25 μm, Another release sheet same as the above was bonded on top to prepare an energy beam curable chip protecting film having a three-layer structure comprising release sheet / energy ray curable protective film forming layer / release sheet.

各エネルギー線硬化型チップ保護用フィルムについて、下記の方法により、エネルギー線硬化型保護膜形成層の鉛筆硬度を測定した。また、下記の方法により、実装信頼性、及びウエハに対する密着性を調べた。これらの結果を、表1に併せて示す。   About each energy ray hardening type chip | tip protective film, the pencil hardness of the energy ray hardening type protective film formation layer was measured with the following method. In addition, mounting reliability and adhesion to the wafer were examined by the following methods. These results are also shown in Table 1.

<鉛筆硬度>
エネルギー線硬化型保護膜形成層をシリコンウエハに貼り合わせ、紫外線照射機を用いて紫外線を1,000mJ/cm2照射(照度40mW/cmを25秒)した。その後、JIS規格:K5600−5−4に基づき室温(25℃)で硬化した保護膜形成層の鉛筆硬度を測定した。
<Pencil hardness>
The energy ray curable protective film-forming layer was bonded to a silicon wafer, and ultraviolet rays were irradiated at 1,000 mJ / cm 2 using an ultraviolet irradiator (illuminance of 40 mW / cm 2 for 25 seconds). Then, the pencil hardness of the protective film formation layer hardened | cured at room temperature (25 degreeC) based on JIS standard: K5600-5-4 was measured.

<実装信頼性>
エネルギー線硬化型保護膜形成層をシリコンウエハに貼り合わせ、紫外線照射機を用いて紫外線を1,000mJ/cm2照射(照度40mW/cmを25秒)した。その後、保護膜形成層側にダイシングテープを貼り合わせ、10mm×10mmにダイシングした。分割された個々のシリコンチップを85℃/85%RHの恒温恒湿槽で168時間処理した後、IRリフロー炉で250℃/120秒加熱した。その後、得られたシリコンチップと保護膜との剥離の有無をSAT(超音波映像装置:日立建機ファインテック株式会社製)で観察した。20個のサンプルのうち、剥離が発生したものをカウントした。
<Mounting reliability>
The energy ray curable protective film-forming layer was bonded to a silicon wafer, and ultraviolet rays were irradiated at 1,000 mJ / cm 2 using an ultraviolet irradiator (illuminance of 40 mW / cm 2 for 25 seconds). Thereafter, a dicing tape was bonded to the protective film forming layer side and diced to 10 mm × 10 mm. Each divided silicon chip was treated in a constant temperature and humidity chamber of 85 ° C./85% RH for 168 hours, and then heated in an IR reflow furnace at 250 ° C./120 seconds. Then, the presence or absence of peeling between the obtained silicon chip and the protective film was observed with SAT (ultrasonic imaging device: manufactured by Hitachi Construction Machinery Finetech Co., Ltd.). Of the 20 samples, those in which peeling occurred were counted.

<密着性試験>
エネルギー線硬化型保護膜形成層をシリコンウエハに貼り合わせ、紫外線照射機を用いて紫外線を1,000mJ/cm2照射(照度40mW/cmを25秒)した。フィルム面に1mm×1mm四方の切り傷を入れた(ダイサーを使用してハーフカット)。碁盤目を入れた所にセロハンテープを強く密着させ、テープの端を45°の角度で急速に引き剥がし、碁盤目の状態を観察した。1mm×1mmのフィルムが70%以上剥がれたものを×、5〜70%を△、5%以下を○とした。
<Adhesion test>
The energy ray curable protective film-forming layer was bonded to a silicon wafer, and ultraviolet rays were irradiated at 1,000 mJ / cm 2 using an ultraviolet irradiator (illuminance of 40 mW / cm 2 for 25 seconds). A 1 mm × 1 mm square cut was made on the film surface (half cut using a dicer). The cellophane tape was tightly attached to the place where the grid was formed, and the end of the tape was rapidly peeled off at an angle of 45 ° to observe the state of the grid. When the film of 1 mm × 1 mm was peeled off by 70% or more, ×, 5 to 70% were Δ, and 5% or less were ○.

本発明の実施例1〜4では、硬化メカニズムの異なるカチオン重合型の硬化性成分とラジカル重合型の硬化性成分とを併用していることから、鉛筆硬度H以上を達成するとともに、優れた実装信頼性及び密着性を示すことが確認された。   In Examples 1 to 4 of the present invention, since a cationic polymerization type curable component and a radical polymerization type curable component having different curing mechanisms are used in combination, pencil hardness H or higher is achieved and excellent mounting is achieved. It was confirmed to show reliability and adhesion.

これに対し、比較例1及び2では、カチオン重合型の硬化性成分を含まないことから、実装信頼性及び密着性が不十分であった。また、比較例3では、ラジカル硬化型硬化性成分が配合されていないため、硬度が不十分であった。これは、カチオン重合型硬化性成分では、反応速度が遅く、また黒色系であるため内部へのエネルギー線の透過度合いが低くなり反応の進行が不十分になりやすく、硬度が得られにくくなったものと考えられる。また、ラジカル重合型硬化性成分では、反応速度が速いために硬化収縮による応力が大きくなり密着性が得られにくくなったと考えられる。   On the other hand, Comparative Examples 1 and 2 did not include a cationic polymerization type curable component, and thus mounting reliability and adhesion were insufficient. Moreover, in the comparative example 3, since the radical curing type curable component was not mix | blended, hardness was inadequate. This is because the cationic polymerization type curable component has a slow reaction rate, and since it is black, the degree of transmission of energy rays to the inside is low, the reaction proceeds easily, and hardness is difficult to obtain. It is considered a thing. In addition, it is considered that the radical polymerization type curable component has a high reaction rate, so that stress due to curing shrinkage is increased and adhesion is hardly obtained.

本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the energy ray hardening-type chip | tip protective film of this invention. 本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the energy ray hardening-type chip | tip protective film of this invention. 本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの硬化方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the hardening method of the energy ray hardening-type chip | tip protective film of this invention. 本発明のチップ保護用フィルム付きウエハのダイシング方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the dicing method of the wafer with a film for chip protection of the present invention. 本発明のダイシングテープ一体型チップ保護用フィルムの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the dicing tape integrated chip protection film of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 剥離シート
2 エネルギー線硬化型保護膜形成層
5 UVランプ
6 ダイシングテープ
7 粘着剤
8 基材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Release sheet 2 Energy-beam curable protective film formation layer 5 UV lamp 6 Dicing tape 7 Adhesive 8 Base material

Claims (9)

(A)バインダーポリマー成分、(B)カチオン重合型の硬化性成分、(C)カチオン系光重合開始剤、(D)ラジカル重合型の硬化性成分、及び(E)ラジカル系光重合開始剤を含有してなるエネルギー線硬化型保護膜形成層を有することを特徴とするエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。   (A) a binder polymer component, (B) a cationic polymerization type curable component, (C) a cationic photopolymerization initiator, (D) a radical polymerization type curable component, and (E) a radical photopolymerization initiator. An energy beam-curable chip protecting film comprising an energy beam-curable protective film-forming layer. 前記ラジカル系光重合開始剤(E)が、350nm以上の長波長領域の光を吸収する光重合開始剤であることを特徴とする請求項1に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。   2. The energy ray-curable chip protecting film according to claim 1, wherein the radical photopolymerization initiator (E) is a photopolymerization initiator that absorbs light in a long wavelength region of 350 nm or more. 前記ラジカル系光重合開始剤(E)が、アシルホスフィンオキシドであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。   3. The energy ray-curable chip protecting film according to claim 1, wherein the radical photopolymerization initiator (E) is an acylphosphine oxide. 前記ラジカル系光重合開始剤(E)が、下記構造式(1)で表される2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシドであることを特徴とする請求項3に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。

構造式(1)
4. The energy ray-curable type according to claim 3, wherein the radical photopolymerization initiator (E) is 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide represented by the following structural formula (1). Chip protection film.

Structural formula (1)
前記カチオン重合型の硬化性成分(B)が、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。   The energy ray-curable chip protection film according to any one of claims 1 to 4, wherein the cationic polymerization type curable component (B) is an epoxy resin. 前記ラジカル重合型の硬化性成分(D)が、エポキシアクリレートであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。   6. The energy ray-curable chip protection film according to claim 1, wherein the radical polymerization type curable component (D) is an epoxy acrylate. 前記カチオン重合型の硬化性成分(B)と前記ラジカル重合型の硬化性成分(D)との配合比が、質量比で30:70〜70:30であることを特徴とする請求項1から請求項6に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。   The blending ratio of the cationic polymerization type curable component (B) and the radical polymerization type curable component (D) is 30:70 to 70:30 by mass ratio. The energy ray-curable chip protecting film according to claim 6. 前記エネルギー線硬化型保護膜形成層の片面又は両面に、さらに剥離シートを有することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。   The energy ray-curable chip protecting film according to any one of claims 1 to 7, further comprising a release sheet on one side or both sides of the energy ray-curable protective film forming layer. 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムに、ダイシングテープが貼り合わされたダイシングテープ一体型チップ保護用フィルム。

A dicing tape-integrated chip protection film in which a dicing tape is bonded to the energy ray-curable chip protection film according to any one of claims 1 to 8.

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