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JP2010026431A - Negative radiation-sensitive resin composition - Google Patents

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JP2010026431A
JP2010026431A JP2008190774A JP2008190774A JP2010026431A JP 2010026431 A JP2010026431 A JP 2010026431A JP 2008190774 A JP2008190774 A JP 2008190774A JP 2008190774 A JP2008190774 A JP 2008190774A JP 2010026431 A JP2010026431 A JP 2010026431A
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JP
Japan
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resin composition
polymerizable compound
meth
sensitive resin
structural unit
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Pending
Application number
JP2008190774A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Ishikawa
悟司 石川
Nobuhiro Takamatsu
信博 高松
Kosuke Mori
康介 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP2008190774A priority Critical patent/JP2010026431A/en
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Abstract

【課題】メッキを行った後に、剥離液で容易かつ充分に基板から剥離することが可能な、微細なバンプ形成用材料の形成に好適なネガ型感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(A)(a1)フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位、(a2)カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位、および(a3)他のラジカル重合性化合物に由来する構成単位を有するアルカリ可溶性共重合体、(B)下記式(1)で示される架橋剤を含む架橋剤類、ならびに(C)感放射線性ラジカル重合開始剤を含有することを特徴とするネガ型感放射線性樹脂組成物。

Figure 2010026431

【選択図】なしProvided is a negative radiation-sensitive resin composition suitable for forming a fine bump forming material that can be easily and sufficiently peeled off from a substrate after plating.
(A) (a1) a structural unit derived from a radically polymerizable compound having a phenolic hydroxyl group, (a2) a structural unit derived from a radically polymerizable compound having a carboxyl group, and (a3) another radical polymerization. An alkali-soluble copolymer having a constitutional unit derived from a functional compound, (B) a crosslinking agent containing a crosslinking agent represented by the following formula (1), and (C) a radiation-sensitive radical polymerization initiator. A negative-type radiation-sensitive resin composition.
Figure 2010026431

[Selection figure] None

Description

本発明は、ネガ型感放射線性樹脂組成物に関する。さらに詳しくは、半導体や電子部品の回路基板への実装の際に行うバンプ形成などのフォトアプリケーションに好適なネガ型感放射線性樹脂組成物に関する。   The present invention relates to a negative radiation sensitive resin composition. More specifically, the present invention relates to a negative radiation-sensitive resin composition suitable for photo applications such as bump formation performed when a semiconductor or electronic component is mounted on a circuit board.

フォトアプリケーションとは、感放射線性樹脂組成物を加工物表面に塗布して塗膜を形成し、フォトリソグラフィ技術によって該塗膜をパターニングし、これをマスクとして化学エッチング、電解エッチングまたは電気メッキを主体とするエレクトロフォーミング技術を単独で、または組み合わせて各種精密部品を製造する技術の総称であり、現在の精密微細加工技術の主流となっている(例えば、特許文献1参照)。   Photo application is the application of a radiation-sensitive resin composition to the surface of a workpiece to form a coating film, which is then patterned by photolithography and is used as a mask for chemical etching, electrolytic etching, or electroplating. Is a general term for technologies for manufacturing various precision parts singly or in combination, and has become the mainstream of current precision micromachining technology (see, for example, Patent Document 1).

近年、電子機器のダウン・サイジングに伴い、LSIの高集積化および多層化が急激に進んでいる。このため、LSIを電子機器に搭載するための基板への多ピン実装方法が求められ、例えば、テープオートメーテッドボンディング(TAB)方式やフリップチップ方式によるベアチップ実装が注目されてきている。このような多ピン実装方法では、接続用端子であるバンプと呼ばれる高さ15μm以上の突起電極を、基板上に高精度に配置することが必要であり、今後、LSIの小型化に対応するためにバンプの高精度化がより一層必要になることが予想される。   In recent years, with the downsizing of electronic devices, LSIs are rapidly becoming highly integrated and multi-layered. For this reason, a multi-pin mounting method on a substrate for mounting an LSI on an electronic device is required. For example, bare chip mounting by a tape automated bonding (TAB) method or a flip chip method has been attracting attention. In such a multi-pin mounting method, it is necessary to dispose a protruding electrode having a height of 15 μm or more, called a bump, which is a connection terminal, on the substrate with high accuracy, and in order to cope with LSI miniaturization in the future. Therefore, it is expected that higher accuracy of bumps will be required.

上記バンプを形成するときに使用されるレジストパターンなどは、特にバンプ形成用材料と呼ばれることもある(例えば、特許文献2参照)。上記感放射線性樹脂組成物に対する要求項目としては、厚さ20μm以上のレジストパターンを形成できること、該パターンが基板に対する密着性を有すること、バンプ形成のためにメッキを行う際に、該パターンがメッキ液に対して良好な濡れ性および耐メッキ液性を有していること、ならびにメッキを行った後に、該パターンを剥離液などで容易かつ充分に基板から剥離できることなどが挙げられる。   The resist pattern used when forming the bump is sometimes called a bump forming material (see, for example, Patent Document 2). The requirements for the radiation-sensitive resin composition include that a resist pattern having a thickness of 20 μm or more can be formed, that the pattern has adhesion to the substrate, and that the pattern is plated when plating is performed for bump formation. Examples thereof include good wettability and plating solution resistance to the solution, and that the pattern can be easily and sufficiently peeled off from the substrate after the plating is performed.

しかしながら、近年、レジストパターンの微細化に伴い、従来の感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジストパターンでは、メッキを行った後に、該パターンを剥離液などで基板から剥離することが困難であるという問題が顕著になってきている。
特開2002−14466号公報 特開2000−39709号公報
However, in recent years, with the miniaturization of resist patterns, resist patterns formed using conventional radiation-sensitive resin compositions are difficult to peel off from the substrate with a stripping solution after plating. The problem of being is becoming more prominent.
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-14466 JP 2000-39709 A

本発明は、メッキを行った後に、剥離液などで容易かつ充分に基板から剥離することが可能であり、さらに解像度に優れた微細なバンプ形成用材料の形成に好適なネガ型感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする。   The present invention is a negative-type radiation-sensitive resin that can be easily and sufficiently peeled off from a substrate with a stripping solution after plating and is suitable for forming a fine bump-forming material with excellent resolution. An object is to provide a composition.

本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討を行った。その結果、特定の構成単位を有するアルカリ可溶性共重合体と、特定の架橋剤とを含有するネガ型感放射線性樹脂組成物を用いることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。   The present inventors have intensively studied to solve the above problems. As a result, the inventors have found that the above-mentioned problems can be solved by using a negative radiation-sensitive resin composition containing an alkali-soluble copolymer having a specific structural unit and a specific cross-linking agent, and to complete the present invention. It came.

すなわち、本発明は以下の[1]〜[4]に関する。
[1](A)(a1)フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物に由来する構
成単位、(a2)カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位、および(a3)他のラジカル重合性化合物に由来する構成単位を有するアルカリ可溶性共重合体、(B)下記式(1)で示される架橋剤を含む架橋剤類、ならびに(C)感放射線性ラジカル重合開始剤を含有することを特徴とするネガ型感放射線性樹脂組成物。
That is, the present invention relates to the following [1] to [4].
[1] (A) (a1) a structural unit derived from a radical polymerizable compound having a phenolic hydroxyl group, (a2) a structural unit derived from a radical polymerizable compound having a carboxyl group, and (a3) other radical polymerizable An alkali-soluble copolymer having a structural unit derived from a compound, (B) a crosslinking agent containing a crosslinking agent represented by the following formula (1), and (C) a radiation-sensitive radical polymerization initiator Negative-type radiation-sensitive resin composition.

Figure 2010026431
[式(1)中、Xは下記式(2)または(3)で示される有機基であり、6つあるXは同一でも異なっていてもよい。
Figure 2010026431
[In the formula (1), X is an organic group represented by the following formula (2) or (3), and the six Xs may be the same or different.

Figure 2010026431
式(2)中、nは2〜4の整数、mは0〜10の整数であり、式(3)中、lは0〜2の整数である。式(2)および(3)中、Rは水素原子または(メタ)アクリロイル基を表す。ただし、式(1)で示される架橋剤は、少なくとも4個の(メタ)アクリロイル基を有する。]
[2]前記フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物が、α−メチル−p−ヒドロキシスチレンであることを特徴とする前記[1]に記載のネガ型感放射線性樹脂組成物。
Figure 2010026431
In formula (2), n is an integer of 2 to 4, m is an integer of 0 to 10, and in formula (3), l is an integer of 0 to 2. In formulas (2) and (3), R represents a hydrogen atom or a (meth) acryloyl group. However, the crosslinking agent represented by the formula (1) has at least four (meth) acryloyl groups. ]
[2] The negative radiation-sensitive resin composition according to [1], wherein the radical polymerizable compound having a phenolic hydroxyl group is α-methyl-p-hydroxystyrene.

[3]前記式(1)で示される架橋剤が、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートであることを特徴とする前記[1]または[2]に記載のネガ型感放射線性樹脂組成物。
[4]前記アルカリ可溶性共重合体(A)の全構成単位を100重量%とするとき、前記(a1)フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位の含有量が1〜50重量%であり、前記(a2)カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位の含有量が1〜50重量%であり、前記(a3)他のラジカル重合性化合物に由来する構成単位の含有量が5〜80重量%であることを特徴とする前記[1]〜[3]の何れかに記載のネガ型感放射線性樹脂組成物。
[3] The negative radiation-sensitive resin composition according to [1] or [2], wherein the crosslinking agent represented by the formula (1) is dipentaerythritol hexaacrylate.
[4] When the total constituent unit of the alkali-soluble copolymer (A) is 100% by weight, the content of the constituent unit derived from the radical polymerizable compound having the (a1) phenolic hydroxyl group is 1 to 50% by weight. %, The content of the structural unit derived from the radically polymerizable compound having (a2) carboxyl group is 1 to 50% by weight, and the content of the structural unit derived from the other (a3) other radically polymerizable compound The negative radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the amount is 5 to 80% by weight.

本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物を用いることにより、メッキを行った後に、剥離液などで容易かつ充分に基板から剥離することが可能であり、さらに解像度に優れた微細なバンプ形成用材料を形成することができる。すなわち、前記樹脂組成物から形成されるバンプ形成用材料は、解像度に優れ、かつメッキを行った後の剥離性に優れている。   By using the negative radiation sensitive resin composition of the present invention, after plating, it can be easily and sufficiently peeled off from the substrate with a stripping solution or the like, and for fine bump formation with excellent resolution. A material can be formed. That is, the bump forming material formed from the resin composition is excellent in resolution and releasability after plating.

以下、本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物について詳細に説明する。なお、以下では
、前記樹脂組成物から形成されるバンプ形成用材料として、レジストパターンを例示することがある。
Hereinafter, the negative radiation sensitive resin composition of the present invention will be described in detail. In the following, a resist pattern may be exemplified as a bump forming material formed from the resin composition.

〔ネガ型感放射線性樹脂組成物〕
本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物は、(A)特定の構成単位を有するアルカリ可溶性共重合体、(B)特定の架橋剤を含む架橋剤類、および(C)感放射線性ラジカル重合開始剤を含有することを特徴とする。また、前記樹脂組成物は(D)溶剤を含有してもよい。以下、前記各成分をそれぞれ「アルカリ可溶性共重合体(A)」、「架橋剤類(B)」、「感放射線性ラジカル重合開始剤(C)」および「溶剤(D)」とも称する。
[Negative type radiation sensitive resin composition]
The negative radiation-sensitive resin composition of the present invention comprises (A) an alkali-soluble copolymer having a specific structural unit, (B) a cross-linking agent containing a specific cross-linking agent, and (C) a radiation-sensitive radical polymerization. It contains an initiator. The resin composition may contain (D) a solvent. Hereinafter, the respective components are also referred to as “alkali-soluble copolymer (A)”, “crosslinking agent (B)”, “radiation sensitive radical polymerization initiator (C)” and “solvent (D)”, respectively.

<アルカリ可溶性共重合体(A)>
本発明で用いられるアルカリ可溶性共重合体(A)は、(a1)フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位(以下、「構成単位(a1)」ともいう)、(a2)カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位(以下、「構成単位(a2)」ともいう)、および(a3)他のラジカル重合性化合物に由来する構成単位(以下、「構成単位(a3)」ともいう)を有するアルカリ可溶性共重合体である。なお、本発明において「アルカリ可溶性」とは、目的とする現像処理が可能な程度に、アルカリ性の現像液に溶解する性質をいう。
<Alkali-soluble copolymer (A)>
The alkali-soluble copolymer (A) used in the present invention comprises (a1) a structural unit derived from a radical polymerizable compound having a phenolic hydroxyl group (hereinafter also referred to as “structural unit (a1)”), (a2) carboxyl A structural unit derived from a radical polymerizable compound having a group (hereinafter also referred to as “structural unit (a2)”), and (a3) a structural unit derived from another radical polymerizable compound (hereinafter referred to as “structural unit (a3)”). Is also called an alkali-soluble copolymer. In the present invention, “alkali-soluble” refers to a property of being dissolved in an alkaline developer to such an extent that the desired development processing can be performed.

アルカリ可溶性共重合体(A)は、その全構成単位を100重量%とするとき、構成単位(a1)の含有量が好ましくは1〜50重量%、より好ましくは5〜40重量%、特に好ましくは10〜40重量%であり、構成単位(a2)の含有量が好ましくは1〜50重量%、より好ましくは5〜40重量%、特に好ましくは5〜30重量%であり、構成単位(a3)の含有量が好ましくは5〜80重量%、より好ましくは10〜70重量%、特に好ましくは20〜60重量%である。また、構成単位(a1)〜(a3)の含有量の合計は100重量%であることが好ましい。   In the alkali-soluble copolymer (A), the content of the structural unit (a1) is preferably 1 to 50% by weight, more preferably 5 to 40% by weight, particularly preferably 100% by weight. Is 10 to 40% by weight, and the content of the structural unit (a2) is preferably 1 to 50% by weight, more preferably 5 to 40% by weight, and particularly preferably 5 to 30% by weight. ) Is preferably 5 to 80% by weight, more preferably 10 to 70% by weight, and particularly preferably 20 to 60% by weight. The total content of the structural units (a1) to (a3) is preferably 100% by weight.

構成単位(a1)の含有量が上記範囲を下回ると、レジストパターンの解像度が低下することがある。また、構成単位(a1)の含有量が上記範囲を上回る、すなわちフェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物を多量に用いると、アルカリ可溶性共重合体(A)の分子量を充分に上げることができず、厚さ20μm以上の塗膜の形成が困難になることがある。   When the content of the structural unit (a1) is less than the above range, the resolution of the resist pattern may be lowered. Further, when the content of the structural unit (a1) exceeds the above range, that is, when a radically polymerizable compound having a phenolic hydroxyl group is used in a large amount, the molecular weight of the alkali-soluble copolymer (A) cannot be sufficiently increased. , It may be difficult to form a coating film having a thickness of 20 μm or more.

構成単位(a2)の含有量が上記範囲を下回ると、アルカリ可溶性共重合体(A)のアルカリ現像液に対する溶解性が低下して、現像後に膜残りが生じ、レジストパターンの解像度が低下することがある。また、構成単位(a2)の含有量が上記範囲を上回ると、アルカリ可溶性共重合体(A)のアルカリ現像液に対する溶解性が大きくなり過ぎて、露光部が溶解すること、すなわち膜減りが大きくなることがある。   If the content of the structural unit (a2) is less than the above range, the solubility of the alkali-soluble copolymer (A) in the alkaline developer is lowered, resulting in a film residue after development, and the resolution of the resist pattern is lowered. There is. Further, when the content of the structural unit (a2) exceeds the above range, the solubility of the alkali-soluble copolymer (A) in the alkali developer becomes too large, and the exposed area is dissolved, that is, the film reduction is large. May be.

構成単位(a3)の含有量が上記範囲にあると、アルカリ可溶性共重合体(A)の機械的特性が良好であることから、レジストパターンの機械的特性を向上させることができる。   When the content of the structural unit (a3) is in the above range, the mechanical properties of the alkali-soluble copolymer (A) are good, so that the mechanical properties of the resist pattern can be improved.

アルカリ可溶性共重合体(A)の重量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマト法のポリスチレン換算で、通常は1000〜100000、好ましくは2000〜50000、より好ましくは3000〜30000である。   The weight average molecular weight (Mw) of the alkali-soluble copolymer (A) is usually 1000 to 100000, preferably 2000 to 50000, more preferably 3000 to 30000 in terms of polystyrene by gel permeation chromatography.

アルカリ可溶性共重合体(A)は、例えば、フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物(a1')とカルボキシル基を有するラジカル重合性化合物(a2')と他のラジカル重合性化合物(a3')とを、これらのラジカル重合性化合物に由来する構成単位の
含有量が上記範囲となるような量で、重合触媒の存在下に重合溶剤中でラジカル共重合することにより得られる。
The alkali-soluble copolymer (A) includes, for example, a radical polymerizable compound (a1 ′) having a phenolic hydroxyl group, a radical polymerizable compound (a2 ′) having a carboxyl group, and another radical polymerizable compound (a3 ′). Can be obtained by radical copolymerization in a polymerization solvent in the presence of a polymerization catalyst in such an amount that the content of structural units derived from these radical polymerizable compounds is in the above range.

≪フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物(a1')≫
フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物(a1')としては、例えば、o−
ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、α−メチル−o−ヒドロキシスチレン、α−メチル−m−ヒドロキシスチレン、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン、2−アリルフェノール、4−アリルフェノール、2−アリル−6−メチルフェノール、2−アリル−6−メトキシフェノール、4−アリル−2−メトキシフェノール、4−アリル−2,6−ジメトキシフェノール、4−アリルオキシ−2−ヒドロキシベンゾフェノンが挙げられる。
<< Radically polymerizable compound having phenolic hydroxyl group (a1 ') >>
Examples of the radical polymerizable compound (a1 ′) having a phenolic hydroxyl group include o-
Hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, α-methyl-o-hydroxystyrene, α-methyl-m-hydroxystyrene, α-methyl-p-hydroxystyrene, 2-allylphenol, 4-allylphenol, Examples include 2-allyl-6-methylphenol, 2-allyl-6-methoxyphenol, 4-allyl-2-methoxyphenol, 4-allyl-2,6-dimethoxyphenol, and 4-allyloxy-2-hydroxybenzophenone.

これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、これらの中では、p−ヒドロキシスチレンおよびα−メチル−p−ヒドロキシスチレンが好ましく、α−メチル−p−ヒドロキシスチレンが特に好ましい。   These may be used alone or in combination of two or more. Of these, p-hydroxystyrene and α-methyl-p-hydroxystyrene are preferable, and α-methyl-p-hydroxystyrene is particularly preferable.

また、上記ラジカル重合性化合物(a1')に代えて、あるいは上記ラジカル重合性化
合物(a1')とともに、フェノール性水酸基に変換可能な、官能基で保護されたフェノ
ール性水酸基を有するラジカル重合性化合物(a1')前駆体を用いることもできる。
Moreover, it replaces with the said radically polymerizable compound (a1 ') or the radically polymerizable compound which has the phenolic hydroxyl group protected by the functional group which can be converted into a phenolic hydroxyl group with the said radically polymerizable compound (a1') (A1 ′) A precursor can also be used.

上記ラジカル重合性化合物(a1')前駆体としては、例えば、p−アセトキシスチレ
ン、α−メチル−p−アセトキシスチレン、p−ベンジロキシスチレン、p−tert−ブトキシスチレン、p−tert−ブトキシカルボニロキシスチレン、p−tert−ブチルジメチルシロキシスチレンが挙げられる。
Examples of the radical polymerizable compound (a1 ′) precursor include p-acetoxystyrene, α-methyl-p-acetoxystyrene, p-benzyloxystyrene, p-tert-butoxystyrene, and p-tert-butoxycarboni. Examples include loxystyrene and p-tert-butyldimethylsiloxystyrene.

上記ラジカル重合性化合物(a1')前駆体に由来する構成単位は、共重合体を合成し
た後、これを適当に処理、例えば塩酸などを用いて加水分解することにより、容易にフェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物(a1')に由来する構成単位に変換する
ことができる。
The structural unit derived from the precursor of the radical polymerizable compound (a1 ′) can be easily converted to a phenolic hydroxyl group by synthesizing a copolymer and then appropriately treating it, for example, by hydrolysis using hydrochloric acid or the like. It can convert into the structural unit derived from the radically polymerizable compound (a1 ') which has.

≪カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物(a2’)≫
カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物(a2’)は、アルカリ可溶性共重合体(A)のアルカリ可溶性を調節するために用いられる。
<< Radical polymerizable compound having a carboxyl group (a2 ') >>
The radically polymerizable compound (a2 ′) having a carboxyl group is used for adjusting the alkali solubility of the alkali-soluble copolymer (A).

上記ラジカル重合性化合物(a2’)としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2−サクシノイルエチル(メタ)アクリレート、2−マレイノロイルエチル(メタ)アクリレート、2−ヘキサヒドロフタロイルエチル(メタ)アクリレート、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノアクリレート(市販品としては、例えば東亞合成(株)製アロニックスM−5300)、フタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート(市販品としては、例えば同社製アロニックスM−5400)、アクリル酸ダイマー(市販品としては、例えば同社製アロニックスM−5600)などのモノカルボン酸;マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸などのジカルボン酸が挙げられる。   Examples of the radical polymerizable compound (a2 ′) include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-succinoylethyl (meth) acrylate, 2-malenoylethyl (meth) acrylate, and 2-hexahydrophthaloyl. Ethyl (meth) acrylate, ω-carboxy-polycaprolactone monoacrylate (commercially available products such as Aronix M-5300 manufactured by Toagosei Co., Ltd.), phthalic acid monohydroxyethyl acrylate (commercially available products such as Aronix M manufactured by the same company) -5400), monocarboxylic acids such as acrylic acid dimer (commercially available product, Aronix M-5600, for example); and dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid.

これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、これらの中では、アクリル酸、メタクリル酸、2−ヘキサヒドロフタロイルエチルメタクリレート(市販品としては、例えば三菱レーヨン(株)製アクリエステルHH)が好ましい。   These may be used alone or in combination of two or more. Of these, acrylic acid, methacrylic acid, and 2-hexahydrophthaloylethyl methacrylate (commercially available products such as acrylate ester HH manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) are preferable.

≪他のラジカル重合性化合物(a3’)≫
他のラジカル重合性化合物(a3’)は、主としてアルカリ可溶性共重合体(A)の機械的特性を適度にコントロールするために用いられる。ここで、「他の」とは、上述のラ
ジカル重合性化合物(a1’)および(a2’)以外のラジカル重合性化合物の意味である。
<< Other radical polymerizable compound (a3 ') >>
The other radically polymerizable compound (a3 ′) is mainly used for moderately controlling the mechanical properties of the alkali-soluble copolymer (A). Here, “other” means a radical polymerizable compound other than the above-mentioned radical polymerizable compounds (a1 ′) and (a2 ′).

他のラジカル重合性化合物(a3’)としては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル類、(メタ)アクリル酸アリールエステル類、ジカルボン酸ジエステル類、芳香族ビニル類、ニトリル基含有重合性化合物、アミド結合含有重合性化合物、脂肪酸ビニル類、塩素含有重合性化合物、共役ジオレフィン類が挙げられる。   Examples of the other radical polymerizable compound (a3 ′) include (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic acid aryl esters, dicarboxylic acid diesters, aromatic vinyls, nitrile group-containing polymerizable compounds, Examples include amide bond-containing polymerizable compounds, fatty acid vinyls, chlorine-containing polymerizable compounds, and conjugated diolefins.

具体的には、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、sec−ブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、n−ヘキシル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−メチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、メトキシジプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ブトキシ−ジプロピレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシプロピレングリコール(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸アルキルエステル類;
フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸アリールエステル類;マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチルなどのジカルボン酸ジエステル類;スチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレンなどの芳香族ビニル類;
アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのニトリル基含有重合性化合物;アクリルアミド、メタクリルアミドなどのアミド結合含有重合性化合物;酢酸ビニルなどの脂肪酸ビニル類;塩化ビニル、塩化ビニリデンなどの塩素含有重合性化合物;1,3−ブタジエン、イソプレン、1,4−ジメチルブタジエンなどの共役ジオレフィン類が挙げられる。
これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、これらの中では、(メタ)アクリル酸アルキルエステル類、芳香族ビニル類が好ましい。
Specifically, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, n-hexyl (Meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, dicyclopentanyloxyethyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, methoxydipropylene glycol (Meth) acrylate, butoxy-dipropylene glycol (meth) acrylate, methoxydiethylene glycol (meth) acrylate, methoxypropylene glycol (meth) acrylate, etc. Alkyl esters of acrylic acid;
(Meth) acrylic acid aryl esters such as phenyl (meth) acrylate and benzyl (meth) acrylate; dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate, diethyl fumarate and diethyl itaconate; styrene, o-methylstyrene, m-methyl Aromatic vinyls such as styrene, p-methylstyrene and p-methoxystyrene;
Nitrile group-containing polymerizable compounds such as acrylonitrile and methacrylonitrile; Amide bond-containing polymerizable compounds such as acrylamide and methacrylamide; Fatty acid vinyls such as vinyl acetate; Chlorine-containing polymerizable compounds such as vinyl chloride and vinylidene chloride; Examples thereof include conjugated diolefins such as 3-butadiene, isoprene, and 1,4-dimethylbutadiene.
These may be used alone or in combination of two or more. Of these, (meth) acrylic acid alkyl esters and aromatic vinyls are preferred.

≪重合溶剤≫
アルカリ可溶性共重合体(A)を製造する際に用いられる重合溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどの多価アルコールのアルキルエーテル類;
エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどの多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、ジアセトンアルコールなどのケトン類;
酢酸エチル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類が挙げられる。
これらの中では、環状エーテル類、多価アルコールのアルキルエーテル類、多価アルコ
ールのアルキルエーテルアセテート類、ケトン類、エステル類が好ましい。
≪Polymerization solvent≫
Examples of the polymerization solvent used in producing the alkali-soluble copolymer (A) include alcohols such as methanol, ethanol, ethylene glycol, diethylene glycol, and propylene glycol; cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane;
Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl Alkyl ethers of polyhydric alcohols such as ethers;
Alkyl ether acetates of polyhydric alcohols such as ethylene glycol ethyl ether acetate, diethylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, diacetone alcohol;
Ethyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl 3-methoxypropionate, 3 -Esters such as ethyl methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl acetate and butyl acetate.
Of these, cyclic ethers, polyhydric alcohol alkyl ethers, polyhydric alcohol alkyl ether acetates, ketones, and esters are preferred.

≪重合触媒≫
アルカリ可溶性共重合体(A)を製造する際に用いられる重合触媒としては、通常のラジカル重合開始剤が使用できる。前記ラジカル重合開始剤としては、例えば、2,2'−
アゾビスイソブチロニトリル、2,2'−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル
)、2,2'−アゾビス−(4−メトキシ−2−ジメチルバレロニトリル)などのアゾ化
合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、tert−ブチルペルオキシピバレート、1,1'−ビス−(tert−ブチルペルオキシ)シクロヘキサンなどの有
機過酸化物;過酸化水素が挙げられる。
≪Polymerization catalyst≫
As the polymerization catalyst used when producing the alkali-soluble copolymer (A), a normal radical polymerization initiator can be used. Examples of the radical polymerization initiator include 2,2′-
Azo compounds such as azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis- (4-methoxy-2-dimethylvaleronitrile); benzoyl peroxide, Organic peroxides such as lauroyl peroxide, tert-butylperoxypivalate, 1,1′-bis- (tert-butylperoxy) cyclohexane; and hydrogen peroxide.

また、ラジカル重合開始剤として有機過酸化物を用いる場合、水酸化鉄(II)、亜硫酸ナトリウムなどの無機還元剤;アルコール、ポリアミンなどの有機還元剤を組み合わせてレドックス型の開始剤としてもよい。   When an organic peroxide is used as the radical polymerization initiator, a redox initiator may be combined with an inorganic reducing agent such as iron (II) hydroxide or sodium sulfite; an organic reducing agent such as alcohol or polyamine.

<架橋剤類(B)>
本発明で用いられる架橋剤類(B)は、下記式(1)で示される架橋剤(以下、「架橋剤(1)」ともいう)を含む。また、本発明の目的を損なわない範囲で、架橋剤(1)ともに該架橋剤(1)以外の他の架橋剤(以下、「架橋剤(2)」ともいう)を用いてもよい。
<Crosslinking agents (B)>
The crosslinking agents (B) used in the present invention include a crosslinking agent represented by the following formula (1) (hereinafter also referred to as “crosslinking agent (1)”). In addition, a crosslinking agent other than the crosslinking agent (1) (hereinafter also referred to as “crosslinking agent (2)”) may be used together with the crosslinking agent (1) as long as the object of the present invention is not impaired.

Figure 2010026431
式(1)中、Xは下記式(2)または(3)で示される有機基であり、6つあるXは同一でも異なっていてもよい。
Figure 2010026431
In formula (1), X is an organic group represented by the following formula (2) or (3), and the six Xs may be the same or different.

Figure 2010026431
式(2)中、nは2〜4、好ましくは2〜3の整数であり、mは0〜10、好ましくは0〜5の整数であり、式(3)中、lは0〜2、好ましくは0〜1の整数である。式(2)および(3)中、Rは水素原子または(メタ)アクリロイル基を表す。ただし、式(1)で示される架橋剤は、少なくとも4個、好ましくは5〜6個の(メタ)アクリロイル基を有する。
Figure 2010026431
In formula (2), n is an integer of 2 to 4, preferably 2 to 3, m is an integer of 0 to 10, preferably 0 to 5, and in formula (3), l is 0 to 2, Preferably it is an integer of 0-1. In formulas (2) and (3), R represents a hydrogen atom or a (meth) acryloyl group. However, the crosslinking agent represented by the formula (1) has at least 4, preferably 5 to 6 (meth) acryloyl groups.

上記式(1)で示される架橋剤としては、例えば、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートが挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく
、2種以上を併用してもよい。これらの中では、感度および剥離性に優れたレジストパターンが得られる点でジペンタエリスリトールヘキサアクリレートが好ましい。
Examples of the crosslinking agent represented by the above formula (1) include dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, dipentaerythritol hexaacrylate is preferable in that a resist pattern excellent in sensitivity and peelability can be obtained.

上記架橋剤(2)としては、例えば、多官能(メタ)アクリレート化合物(ただし、架橋剤(1)を除く。以下同じ。)が挙げられる。
上記多官能(メタ)アクリレート化合物としては、例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAのジグリシジルエーテルに(メタ)アクリル酸を付加させたエポキシ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジ(メタ)アクリロイルオキシエチルエーテル、ビスフェノールAジ(メタ)アクリロイルオキシエチルオキシエチルエーテル、ビスフェノールAジ(メタ)アクリロイルオキシメチルオキシエチルエーテル、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールポリ(メタ)アクリレートが挙げられる。
Examples of the cross-linking agent (2) include polyfunctional (meth) acrylate compounds (excluding the cross-linking agent (1); the same shall apply hereinafter).
Examples of the polyfunctional (meth) acrylate compound include ethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, Butylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (Meth) acrylate, tetramethylolpropane tetra (meth) acrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate di (meth) acrylate, tris (2-hydroxyethyl) iso Anurate tri (meth) acrylate, tricyclodecane dimethanol di (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate obtained by adding (meth) acrylic acid to diglycidyl ether of bisphenol A, bisphenol A di (meth) acrylate, bisphenol A di (Meth) acryloyloxyethyl ether, bisphenol A di (meth) acryloyloxyethyloxyethyl ether, bisphenol A di (meth) acryloyloxymethyloxyethyl ether, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, An example is pentaerythritol poly (meth) acrylate.

また、上記多官能(メタ)アクリレート化合物は、市販されている化合物をそのまま用いることもできる。市販されている化合物の具体例としては、アロニックスM−210、同M−240、同M−245、同M−309、同M−310、同M−6100、同M−6200、同M−6250、同M−6300、同M−6400、同M−6500、同M−7100、同M−8030、同M−8060、同M−8100、同M−9050(以上、東亞合成(株)製)、KAYARADR−551、同R−712、同TMPTA、同HDDA、同TPGDA、同PEG400DA、同MANDA、同HX−220、同HX−620、同R−604(以上、日本化薬(株)製)、ビスコート#260、同295、同300、同312、同335HP、同360、同GPT、同3PA、同400(以上、大阪有機化学工業(株)製)が挙げられる。   Moreover, the said polyfunctional (meth) acrylate compound can also use the compound marketed as it is. Specific examples of commercially available compounds include Aronix M-210, M-240, M-245, M-309, M-310, M-6100, M-6200, and M-6250. M-6300, M-6400, M-6500, M-7500, M-7100, M-8030, M-8060, M-8100, M-9050 (above, manufactured by Toagosei Co., Ltd.) KAYARADR-551, R-712, TMPTA, HDDA, TPGDA, PEG400DA, MANDA, HX-220, HX-620, R-604 (Nippon Kayaku Co., Ltd.) Biscort # 260, 295, 300, 312, 335HP, 360, GPT, 3PA, 400 (above, manufactured by Osaka Organic Chemical Co., Ltd.).

本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物中の架橋剤類(B)の含有量は、アルカリ可溶性共重合体(A)100重量部に対して、好ましくは10〜250重量部、より好ましくは20〜200重量部、特に好ましくは25〜150重量部である。架橋剤類(B)の含有量が前記範囲を下回ると露光時の感度が低下しやすく、前記範囲を上回るとアルカリ可溶性共重合体(A)との相溶性が悪くなり、保存安定性が低下したり、20μm以上の塗膜を形成することが困難になることがある。   The content of the crosslinking agent (B) in the negative radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably 10 to 250 parts by weight, more preferably 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble copolymer (A). 20 to 200 parts by weight, particularly preferably 25 to 150 parts by weight. When the content of the cross-linking agent (B) is less than the above range, the sensitivity at the time of exposure tends to decrease, and when it exceeds the above range, the compatibility with the alkali-soluble copolymer (A) is deteriorated and the storage stability is decreased. Or forming a coating film of 20 μm or more may be difficult.

また、本発明における架橋剤(1)の使用量は、架橋剤類(B)100重量%に対して、好ましくは30重量%以上、より好ましくは30〜100重量%、特に好ましくは40〜85重量%である。架橋剤(1)を前記範囲の量で用いることにより、レジストパターンの剥離性を向上させることができる。   Moreover, the usage-amount of the crosslinking agent (1) in this invention becomes like this. Preferably it is 30 weight% or more with respect to 100 weight% of crosslinking agents (B), More preferably, it is 30-100 weight%, Most preferably, it is 40-85. % By weight. By using the crosslinking agent (1) in an amount within the above range, the peelability of the resist pattern can be improved.

<感放射線性ラジカル重合開始剤(C)>
本発明で用いられる感放射線性ラジカル重合開始剤(C)としては、例えば、ベンジル、ジアセチルなどのα−ジケトン類;ベンゾインなどのアシロイン類;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルなどのアシロインエーテル類;チオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、チオキサントン−4
−スルホン酸、ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類;
アセトフェノン、p−ジメチルアミノアセトフェノン、α,α−ジメトキシ−α−アセトキシベンゾフェノン、α,α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン、p−メトキシアセトフェノン、1−[2−メチル−4−メチルチオフェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、α,α−ジメトキシ−α−モルフォリノ−メチルチオフェニルアセトフェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オンなどのアセトフェノン類;
アントラキノン、1,4−ナフトキノンなどのキノン類;フェナシルクロライド、トリブロモメチルフェニルスルホン、トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジンなどのハロゲン化合物;[1,2'−ビスイミダゾール]−3,3',4,4'−テトラフェニル、
[1,2'−ビスイミダゾール]−1,2'−ジクロロフェニル−3,3',4,4'−テトラフェニル、2,2'−ビス(2−クロロフェニル)−4,5,4',5'−テトラフェニ
ル−1,2’−ビイミダゾールなどのビスイミダゾール類、ジ−tert−ブチルパ−オキサイドなどの過酸化物;2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどのアシルフォスフィンオキサイド類が挙げられる。
<Radiation sensitive radical polymerization initiator (C)>
Examples of the radiation-sensitive radical polymerization initiator (C) used in the present invention include α-diketones such as benzyl and diacetyl; acyloines such as benzoin; acylo such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin isopropyl ether. Inethers; thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, thioxanthone-4
-Benzophenones such as sulfonic acid, benzophenone, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone;
Acetophenone, p-dimethylaminoacetophenone, α, α-dimethoxy-α-acetoxybenzophenone, α, α-dimethoxy-α-phenylacetophenone, p-methoxyacetophenone, 1- [2-methyl-4-methylthiophenyl] -2- Acetophenones such as morpholinopropan-1-one, α, α-dimethoxy-α-morpholino-methylthiophenylacetophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one ;
Quinones such as anthraquinone and 1,4-naphthoquinone; halogen compounds such as phenacyl chloride, tribromomethylphenyl sulfone and tris (trichloromethyl) -s-triazine; [1,2'-bisimidazole] -3,3 ' , 4,4′-tetraphenyl,
[1,2'-bisimidazole] -1,2'-dichlorophenyl-3,3 ', 4,4'-tetraphenyl, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,5,4', 5 Bisimidazoles such as'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, peroxides such as di-tert-butyl peroxide; acylphosphine oxides such as 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide Is mentioned.

また、市販品としては、例えば、イルガキュア184、同500、同651、同107、CGI369、G24−61(以上、チバスペシャルティケミカルズ(株)製)、ルシリンLR8728、同TPO(以上、BASF(株)製)、ダロキュア1116、同1173(以上、チバスペシャルティケミカルズ(株)製)、ユベクリルP36(UCB(株)製)が挙げられる。   Examples of commercially available products include Irgacure 184, 500, 651, 107, CGI369, G24-61 (above, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.), Lucillin LR8728, TPO (above, BASF Corp.). ), Darocur 1116, 1173 (above, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.), Ubekrill P36 (manufactured by UCB Co., Ltd.).

本発明において、感放射線性ラジカル重合開始剤(C)は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、感放射線性ラジカル重合開始剤(C)とともに、必要に応じてメルカプトベンゾチアゾール、メルカプトベンゾオキサゾールなどの水素供与性を有する化合物や増感剤を用いてもよい。   In this invention, a radiation sensitive radical polymerization initiator (C) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. In addition to the radiation-sensitive radical polymerization initiator (C), a hydrogen-donating compound such as mercaptobenzothiazole or mercaptobenzoxazole or a sensitizer may be used as necessary.

これらの中では、1−[2−メチル−4−メチルチオフェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、α,α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノンなどのアセトフェノン類;フェナシルクロライド、トリブロモメチルフェニルスルホン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、1,2'−ビスイミダゾー
ル類と4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンとメルカプトベンゾチアゾールとの併用、ルシリンTPO、イルガキュア651などが好ましい。
Among these, 1- [2-methyl-4-methylthiophenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butane-1 -One, acetophenones such as α, α-dimethoxy-α-phenylacetophenone; phenacyl chloride, tribromomethylphenyl sulfone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 1,2'-bisimidazoles A combination of 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone and mercaptobenzothiazole, Lucillin TPO, Irgacure 651 and the like are preferable.

本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物中の感放射線性ラジカル重合開始剤(C)の含有量は、アルカリ可溶性共重合体(A)100重量部に対して、好ましくは0.1〜50重量部、より好ましくは1〜30重量部、特に好ましくは2〜30重量部である。前記重合開始剤(C)の含有量が前記範囲を下回ると、酸素によるラジカルの失活の影響(感度の低下)を受けやすい。また、前記重合開始剤(C)の含有量が前記範囲を上回ると、前記重合開始剤(C)と他の成分との相溶性が悪くなったり、保存安定性が低下する傾向がある。   The content of the radiation-sensitive radical polymerization initiator (C) in the negative radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 50 with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble copolymer (A). Parts by weight, more preferably 1 to 30 parts by weight, particularly preferably 2 to 30 parts by weight. When content of the said polymerization initiator (C) is less than the said range, it will be easy to receive the influence (sensitivity fall) of the radical deactivation by oxygen. Moreover, when content of the said polymerization initiator (C) exceeds the said range, there exists a tendency for compatibility with the said polymerization initiator (C) and another component to worsen, or for storage stability to fall.

<溶剤(D)>
本発明において、他の成分を均一に溶解させることができ、また他の成分と反応しない溶剤(D)を用いることが好ましい。このような溶剤としては、例えば、アルカリ可溶性共重合体(A)を製造する際に用いられる重合溶剤が挙げられ、また、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド
、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテートなどの高沸点溶剤が挙げられる。
<Solvent (D)>
In the present invention, it is preferable to use a solvent (D) that can uniformly dissolve other components and does not react with other components. Examples of such a solvent include a polymerization solvent used in producing the alkali-soluble copolymer (A), and N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformanilide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, acetonyl acetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, Examples include high-boiling solvents such as benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, and phenyl cellosolve acetate.

これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、これらの中では、溶解性、他の成分との非反応性および塗膜形成の容易性から、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルなどの多価アルコールのアルキルエーテル類;エチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどの多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類;ジアセトンアルコールなどのケトン類;2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチルなどのエステル類が好ましい。   These may be used alone or in combination of two or more. Of these, alkyl ethers of polyhydric alcohols such as ethylene glycol monoethyl ether and diethylene glycol monomethyl ether; solubility, non-reactivity with other components, and ease of film formation; ethylene glycol ethyl ether Alkyl ether acetates of polyhydric alcohols such as acetate and propylene glycol methyl ether acetate; ketones such as diacetone alcohol; esters such as ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, and methyl 3-methoxypropionate Is preferred.

本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物中の溶剤(D)の含有量は、該組成物の用途や塗布方法などに応じて適宜決めることができる。例えば、バンプなどのメッキ造形物を製造するために、厚さ20μm以上のレジストパターンを形成する場合には、ネガ型感放射線性樹脂組成物の固形分濃度が40重量%以上となるように、溶剤(D)の含有量を調整すればよい。   Content of the solvent (D) in the negative radiation sensitive resin composition of this invention can be suitably determined according to the use of this composition, a coating method, etc. For example, when a resist pattern having a thickness of 20 μm or more is formed in order to produce a plated model such as a bump, the solid content concentration of the negative radiation-sensitive resin composition is 40% by weight or more. What is necessary is just to adjust content of a solvent (D).

<添加剤>
本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物には、上述のアルカリ可溶性共重合体(A)、架橋剤類(B)、感放射線性ラジカル重合開始剤(C)、好ましく用いられる溶剤(D)の他に、さらに必要に応じて各種添加剤を配合してもよい。
<Additives>
The negative radiation-sensitive resin composition of the present invention includes the above-mentioned alkali-soluble copolymer (A), crosslinking agents (B), radiation-sensitive radical polymerization initiator (C), and preferably used solvent (D). In addition, various additives may be further blended as necessary.

≪熱重合禁止剤≫
本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物には、熱重合禁止剤を配合することができる。前記熱重合禁止剤としては、例えば、ピロガロ−ル、ベンゾキノン、ヒドロキノン、メチレンブル−、tert−ブチルカテコ−ル、モノベンジルエーテル、メチルヒドロキノン、アミルキノン、アミロキシヒドロキノン、n−ブチルフェノール、フェノール、ヒドロキノンモノプロピルエーテル、4,4'−(1−メチルエチリデン)ビス(2−メチルフェ
ノール)、4,4'−(1−メチルエチリデン)ビス(2,6−ジメチルフェノール)、
4,4−[1−〔4−(1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)フェニル〕エチリデン]ビスフェノール、4,4',4”−エチリデントリス(2−メチルフェノ
ール)、4,4',4”−エチリデントリスフェノール、1,1,3−トリス(2,5−
ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパンが挙げられる。前記熱重合禁止剤の配合量は、アルカリ可溶性共重合体(A)100重量部に対して、好ましくは5重量部以下である。
≪Thermal polymerization inhibitor≫
A thermal polymerization inhibitor can be blended in the negative radiation sensitive resin composition of the present invention. Examples of the thermal polymerization inhibitor include pyrogallol, benzoquinone, hydroquinone, methylene blue, tert-butylcatechol, monobenzyl ether, methylhydroquinone, amylquinone, amyloxyhydroquinone, n-butylphenol, phenol, hydroquinone monopropyl ether. 4,4 ′-(1-methylethylidene) bis (2-methylphenol), 4,4 ′-(1-methylethylidene) bis (2,6-dimethylphenol),
4,4- [1- [4- (1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl) phenyl] ethylidene] bisphenol, 4,4 ′, 4 ″ -ethylidene tris (2-methylphenol), 4, 4 ', 4 "-ethylidenetrisphenol, 1,1,3-tris (2,5-
And dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane. The blending amount of the thermal polymerization inhibitor is preferably 5 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble copolymer (A).

≪界面活性剤≫
本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物には、塗布性、消泡性およびレベリング性などを向上させる目的で界面活性剤を配合することもできる。前記界面活性剤としては、例えば、BM−1000、BM−1100(以上、BMケミー社製)、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183(以上、大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードFC−135、同FC−170C、同FC−430、同FC−431(以上、住友スリーエム(株)製)、サーフロンS−112、同S−113、同S−131、同S−141、同S−145(以上、旭硝子(株)製)、SH−28PA、同−190、同−193、SZ−6032、SF−8428(以上、東レダウコーニングシリコーン(株)製)、フタージェントFTX−218((株)ネオス社製)などの商品名で市販されているフッ素系界面活性剤が挙げられる。前記界面活性剤の配合量は、アルカリ可溶性共重合体(
A)100重量部に対して、好ましくは5重量部以下である。
≪Surfactant≫
In the negative radiation sensitive resin composition of the present invention, a surfactant can also be blended for the purpose of improving coating properties, antifoaming properties, leveling properties and the like. Examples of the surfactant include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM Chemie), MegaFuck F142D, F172, F173, and F183 (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.). , FLORARD FC-135, FC-170C, FC-430, FC-431 (above, manufactured by Sumitomo 3M Limited), Surflon S-112, S-113, S-131, S-141 S-145 (above, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), SH-28PA, i-190, i-193, SZ-6032, SF-8428 (above, manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.), and Ftergent FTX -218 (manufactured by Neos Co., Ltd.) and other commercially available fluorine-based surfactants. The compounding amount of the surfactant is an alkali-soluble copolymer (
A) The amount is preferably 5 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight.

≪接着助剤≫
本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物には、該組成物から形成される塗膜と基板との接着性を向上させるために接着助剤を配合することもできる。前記接着助剤としては、官能性シランカップリング剤が有効である。ここで、官能性シランカップリング剤とは、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基などの反応性置換基を有するシランカップリング剤を意味し、例えば、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランが挙げられる。前記接着助剤の配合量は、アルカリ可溶性共重合体(A)100重量部に対して、好ましくは20重量部以下である。
≪Adhesion aid≫
In the negative radiation sensitive resin composition of the present invention, an adhesion assistant may be blended in order to improve the adhesion between the coating film formed from the composition and the substrate. A functional silane coupling agent is effective as the adhesion aid. Here, the functional silane coupling agent means a silane coupling agent having a reactive substituent such as a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, and an epoxy group. For example, trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacrylic acid is used. Roxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane Can be mentioned. The amount of the adhesion aid is preferably 20 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble copolymer (A).

≪カルボン酸およびその酸無水物、充填材、着色剤、粘度調整剤≫
本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物には、アルカリ現像液に対する溶解性の微調整を行うために、酢酸、プロピオン酸、n−酪酸、iso−酪酸、n−吉草酸、iso−吉草酸、安息香酸、けい皮酸などのモノカルボン酸;乳酸、2−ヒドロキシ酪酸、3−ヒドロキシ酪酸、サリチル酸、m−ヒドロキシ安息香酸、p−ヒドロキシ安息香酸、2−ヒドロキシけい皮酸、3−ヒドロキシけい皮酸、4−ヒドロキシけい皮酸、シリンギン酸などのヒドロキシモノカルボン酸;
シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、イタコン酸、ヘキサヒドロフタル酸、フタル酸、イソフタル酸、5−ヒドロキシイソフタル酸、テレフタル酸、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸、1,2,4−シクロヘキサントリカルボン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、1,2,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸などの多価カルボン酸;
無水イタコン酸、無水コハク酸、無水シトラコン酸、無水ドデセニルコハク酸、無水トリカルバニル酸、無水マレイン酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、無水ハイミック酸、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビス(無水トリメリテート)、グリセリントリス(無水トリメリテート)などの酸無水物を配合することもできる。
≪Carboxylic acid and its anhydride, filler, colorant, viscosity modifier≫
In the negative radiation sensitive resin composition of the present invention, acetic acid, propionic acid, n-butyric acid, iso-butyric acid, n-valeric acid, iso-valeric acid are used for fine adjustment of solubility in an alkali developer. Monocarboxylic acids such as benzoic acid and cinnamic acid; lactic acid, 2-hydroxybutyric acid, 3-hydroxybutyric acid, salicylic acid, m-hydroxybenzoic acid, p-hydroxybenzoic acid, 2-hydroxycinnamic acid, 3-hydroxycinnamic acid Hydroxy monocarboxylic acids such as cinnamic acid, 4-hydroxycinnamic acid, syringic acid;
Oxalic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, maleic acid, itaconic acid, hexahydrophthalic acid, phthalic acid, isophthalic acid, 5-hydroxyisophthalic acid, terephthalic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2, Polyvalent carboxylic acids such as 4-cyclohexanetricarboxylic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, butanetetracarboxylic acid, 1,2,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid;
Itaconic anhydride, succinic anhydride, citraconic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, tricarbanilic anhydride, maleic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, hymic anhydride, 1,2,3,4-butanetetra Carboxylic dianhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, phthalic anhydride, pyromellitic anhydride, trimellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic dianhydride, ethylene glycol bis (trimellitic anhydride), glycerin tris (trimellitic anhydride) An acid anhydride such as) can also be blended.

本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物には、充填材、着色剤および粘度調整剤を配合することもできる。前記充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、ベントナイト、ジルコニウムシリケート、粉末ガラスが挙げられ、前記着色剤としては、例えば、アルミナ白、クレー、炭酸バリウム、硫酸バリウムなどの体質顔料;亜鉛華、鉛白、黄鉛、鉛丹、群青、紺青、酸化チタン、クロム酸亜鉛、ベンガラ、カーボンブラックなどの無機顔料;ブリリアントカーミン6B、パーマネントレッド6B、パーマネントレッドR、ベンジジンイエロー、フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーンなどの有機顔料;マゼンタ、ローダミンなどの塩基性染料;ダイレクトスカーレット、ダイレクトオレンジなどの直接染料;ローセリン、メタニルイエローなどの酸性染料が挙げられ、前記粘度調整剤としては、例えば、ベントナイト、シリカゲル、アルミニウム粉末が挙げられる。   A filler, a colorant, and a viscosity modifier can also be mix | blended with the negative radiation sensitive resin composition of this invention. Examples of the filler include silica, alumina, talc, bentonite, zirconium silicate, and powdered glass. Examples of the colorant include extender pigments such as alumina white, clay, barium carbonate, and barium sulfate; , Lead white, yellow lead, red lead, ultramarine, bitumen, titanium oxide, zinc chromate, bengara, carbon black and other inorganic pigments; brilliant carmine 6B, permanent red 6B, permanent red R, benzidine yellow, phthalocyanine blue, phthalocyanine green Organic pigments such as magenta, rhodamine, and the like; direct dyes such as direct scarlet and direct orange; and acid dyes such as roserine and methanyl yellow. Examples of the viscosity modifier include bentonite and silica gel. , Aluminum powder.

以上の各種添加剤は、本発明の本質的な特性を損なわない範囲で配合することができ、その全配合量は、ネガ型感放射線性樹脂組成物全体に対して、好ましくは50重量%以下である。   The various additives described above can be blended within a range that does not impair the essential characteristics of the present invention, and the total blending amount is preferably 50% by weight or less based on the entire negative-type radiation-sensitive resin composition. It is.

<ネガ型感放射線性樹脂組成物の調製>
本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物は、充填材および顔料を添加しない場合には、上記各成分を通常の方法で混合、攪拌することにより調製することができる。また、前記樹脂組成物に充填材および顔料を添加する場合には、ディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミルなどの分散機を用いて、これらの成分と他の上記各成分とを分散、混合させればよい。また、必要に応じてさらにメッシュ、メンブレンフィルターなどを用いて上記各成分または上記樹脂組成物をろ過してもよい。
<Preparation of negative radiation sensitive resin composition>
The negative radiation-sensitive resin composition of the present invention can be prepared by mixing and stirring the above-mentioned components by a usual method when no filler and pigment are added. Moreover, when adding a filler and a pigment to the resin composition, these components and each of the other components described above may be dispersed and mixed using a disperser such as a dissolver, a homogenizer, or a three roll mill. Good. Moreover, you may filter said each component or the said resin composition using a mesh, a membrane filter, etc. further as needed.

〔ネガ型感放射線性樹脂組成物の用途〕
本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物は、用途に応じて、液状樹脂組成物として用いる方法、以下に説明する感放射線性ドライフィルムとして用いる方法の何れの方法でも用いることができる。
[Application of negative radiation sensitive resin composition]
The negative radiation-sensitive resin composition of the present invention can be used by any of a method used as a liquid resin composition and a method used as a radiation-sensitive dry film described below, depending on applications.

<感放射線性ドライフィルム>
上記感放射線性ドライフィルムは、例えば、ベースフィルムと、該ベースフィルム上に形成される本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物からなる感光層と、該感光層上に必要に応じて形成されるカバーフィルムとから構成される。また、前記感光層とベースフィルムとの間に、水溶性樹脂組成物からなる層を形成してもよい。
<Radiation sensitive dry film>
The radiation-sensitive dry film is formed, for example, on a base film, a photosensitive layer made of the negative radiation-sensitive resin composition of the present invention formed on the base film, and on the photosensitive layer as necessary. Cover film. Further, a layer made of a water-soluble resin composition may be formed between the photosensitive layer and the base film.

上記ベースフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルフォン、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂フィルムが挙げられ、該フィルムは可とう性を有することが好ましい。ベースフィルムの厚さは、15〜125μmの範囲が好ましい。   Examples of the base film include synthetic resin films such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, polycarbonate, polyether sulfone, and polyvinyl chloride, and the film preferably has flexibility. The thickness of the base film is preferably in the range of 15 to 125 μm.

上記感光層は、本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物からなり、上記ベースフィルム上に該樹脂組成物を塗布、乾燥して形成される。前記樹脂組成物をベースフィルム上に塗布するには、例えば、アプリケーター、バーコーター、ロールコーター、カ−テンフローコーター、ダイコーター、スピンコーター、スクリーン印刷が用いられる。感光層の厚さは、乾燥後の厚さで10〜150μmの範囲が好ましい。   The photosensitive layer is made of the negative radiation sensitive resin composition of the present invention, and is formed by applying and drying the resin composition on the base film. In order to apply the resin composition on the base film, for example, an applicator, a bar coater, a roll coater, a curtain flow coater, a die coater, a spin coater, or screen printing is used. The thickness of the photosensitive layer is preferably in the range of 10 to 150 μm after drying.

上記カバーフィルムは、感放射線性ドライフィルムを保管する際に感光層を安定に保護しておくためのものであり、該ドライフィルムを使用する際に除去される。従って、保管時には剥がれず、使用時には容易に剥がすことができるように、カバーフィルムは適度な剥離性を有する必要がある。また、カバーフィルムは酸素不透過性を有し、露光時における酸素の悪影響を防止できることが好ましい。   The cover film is for stably protecting the photosensitive layer when storing the radiation-sensitive dry film, and is removed when the dry film is used. Therefore, the cover film needs to have appropriate peelability so that it does not peel off during storage and can be easily peeled off during use. Moreover, it is preferable that a cover film has oxygen impermeability and can prevent the bad influence of oxygen at the time of exposure.

上記条件を満たすカバーフィルムとしては、例えば、PETフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、これらのフィルムの表面にシリコーンがコーティングまたは焼き付けされたフィルムが挙げられる。カバーフィルムの厚さは、15〜100μmの範囲が好ましい。   Examples of the cover film that satisfies the above conditions include a PET film, a polypropylene film, a polyethylene film, and a film in which silicone is coated or baked on the surface of these films. The thickness of the cover film is preferably in the range of 15 to 100 μm.

また、上記水溶性樹脂組成物からなる層を、露光時に用いられるパターン形成用のフォトマスクと上記感光層との粘着を防止するために形成してもよい。水溶性樹脂組成物からなる層は、上記ベースフィルム上にポリビニルアルコールまたは部分けん化ポリ酢酸ビニルの5〜20重量%水溶液を塗布、乾燥して形成される。上記水溶性樹脂組成物からなる層の厚さは、乾燥後の厚さで1〜10μmの範囲が好ましい。   Moreover, you may form the layer which consists of the said water-soluble resin composition in order to prevent adhesion with the photomask for pattern formation used at the time of exposure, and the said photosensitive layer. The layer made of the water-soluble resin composition is formed by applying and drying a 5 to 20% by weight aqueous solution of polyvinyl alcohol or partially saponified polyvinyl acetate on the base film. The thickness of the layer made of the water-soluble resin composition is preferably in the range of 1 to 10 μm after drying.

上記水溶性樹脂組成物としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、エチレン−ビニルアルコール共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体が挙げられる。   Examples of the water-soluble resin composition include polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, ethylene-vinyl alcohol copolymer, and ethylene-vinyl acetate copolymer.

なお、上記水溶性樹脂組成物には、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコールなどを添加することもできる。また、上記水溶性樹脂組成物の調製に際しては、該樹脂組成物の粘度および消泡性を考慮して、溶剤(例えば、メタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、アセトンなど)や、市販の水溶性消泡剤などを添加することもできる。   In addition, ethylene glycol, propylene glycol, polyethylene glycol, etc. can also be added to the said water-soluble resin composition. In preparing the water-soluble resin composition, considering the viscosity and antifoaming property of the resin composition, a solvent (for example, methanol, ethylene glycol monomethyl ether, acetone, etc.) or a commercially available water-soluble antifoaming agent is used. An agent or the like can also be added.

〔メッキ造形物の形成方法〕
本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物を用いることにより、メッキを行った後に、剥離液などで容易かつ充分に基板から剥離することが可能な、微細なメッキ造形物形成用材料(例えば、バンプ形成用材料)を形成することができる。以下では、メッキ造形物形成用材料としてレジストパターンの形成方法、および該パターンを用いたバンプや配線などのメッキ造形物の形成方法についてさらに詳しく説明する。
[Method of forming plated model]
By using the negative radiation-sensitive resin composition of the present invention, after plating, it is possible to easily and sufficiently peel from the substrate with a stripping solution or the like (for example, a fine plated shaped article forming material (for example, Bump forming material) can be formed. Below, the formation method of a resist pattern as a plating modeling object formation material and the formation method of plating modeling objects, such as a bump and wiring using this pattern, are demonstrated in detail.

1.感光層の形成方法
1−1.液状樹脂組成物を用いる場合
本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物を所定の基板上に塗布して塗膜を形成し、加熱により溶剤を除去することによって所望の感光層を形成することができる。
1. Method for forming photosensitive layer
1-1. When using a liquid resin composition, the negative radiation-sensitive resin composition of the present invention is applied onto a predetermined substrate to form a coating film, and the desired photosensitive layer can be formed by removing the solvent by heating. it can.

本発明において、基板上にメッキ処理によりメッキ造形物を形成する場合は、上記基板表面に金属がコーティングされている必要がある。上記基板表面を金属でコーティングする方法としては特に限定されず、例えば、金属を蒸着する方法、スパッタリングする方法が挙げられる。   In the present invention, when a plated model is formed on a substrate by plating, the surface of the substrate needs to be coated with a metal. The method for coating the surface of the substrate with a metal is not particularly limited, and examples thereof include a method for depositing a metal and a method for sputtering.

上記樹脂組成物を基板上に塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケーター法が挙げられる。また、塗膜の乾燥条件は、上記樹脂組成物中の各成分の種類、配合割合、塗膜の厚さなどによって異なるが、乾燥温度が通常は60〜160℃、好ましくは80〜150℃で、乾燥時間が5〜20分間程度である。乾燥時間が短過ぎると現像時における基板と感光層との密着状態が悪くなり、また、長過ぎると熱かぶりによる解像度の低下を招くことがある。   Examples of the method for applying the resin composition on the substrate include a spin coating method, a roll coating method, a screen printing method, and an applicator method. Moreover, although the drying conditions of a coating film change with kinds of each component in the said resin composition, a mixture ratio, the thickness of a coating film, etc., drying temperature is 60-160 degreeC normally, Preferably it is 80-150 degreeC. The drying time is about 5 to 20 minutes. If the drying time is too short, the contact state between the substrate and the photosensitive layer at the time of development will be poor, and if it is too long, the resolution may be lowered due to heat fogging.

1−2.感放射線性ドライフィルムを用いる場合
上記感放射線性ドライフィルムを用いる場合には、カバーフィルムを剥離し、基板上に感光層を転写する。転写方法としては、基板を予め加熱しておく熱圧着方式が好ましい。基板上にメッキ処理によりメッキ造形物を形成する場合は、感放射線性ドライフィルムを用いる場合も液状樹脂組成物を用いる場合と同様に、表面に金属がコーティングされた基板が用いられる。
1-2. When using a radiation sensitive dry film When using the said radiation sensitive dry film, a cover film is peeled and a photosensitive layer is transcribe | transferred on a board | substrate. As the transfer method, a thermocompression bonding method in which the substrate is heated in advance is preferable. In the case where a plated model is formed on a substrate by plating, a substrate with a metal coated on the surface is used in the same manner as in the case of using a liquid resin composition when using a radiation-sensitive dry film.

2.放射線露光方法
基板上に形成された感光層に所定のパターンを有するフォトマスクを介し、波長が300〜500nmの紫外線または可視光線を露光して、パターンの潜像を形成する。
2. Radiation exposure method The photosensitive layer formed on the substrate is exposed to ultraviolet rays or visible rays having a wavelength of 300 to 500 nm through a photomask having a predetermined pattern to form a latent image of the pattern.

露光の際に用いる光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレ−ザ−が挙げられる。放射線露光量は、上記樹脂組成物中の各成分の種類、配合量、感光層の厚さなどによって異なるが、例えば高圧水銀灯を用いる場合、通常は1000〜15000J/m2 である。 Examples of the light source used for exposure include a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a metal halide lamp, and an argon gas laser. The amount of radiation exposure varies depending on the type and amount of each component in the resin composition, the thickness of the photosensitive layer, and the like, but is usually 1000 to 15000 J / m 2 when using a high-pressure mercury lamp, for example.

3.現像方法
現像液としてアルカリ性水溶液を用いて、放射線露光後の感光層における不要な非露光部を溶解および除去し、露光部のみを残存させて該感光層を現像することにより、所定のレジストパターンを得ることができる。
3. Development method Using an alkaline aqueous solution as a developer, an unnecessary non-exposed portion in the photosensitive layer after radiation exposure is dissolved and removed, and only the exposed portion is left to develop the photosensitive layer, thereby forming a predetermined resist pattern. Obtainable.

上記現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノナンなどのアルカリ類の水溶液が挙げられる。   Examples of the developer include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, and methyldiethylamine. , Dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo [4.3. 0] -5-nonane.

また、上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノールなどの水溶性有機溶剤や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。
現像時間は、上記樹脂組成物中の各成分の種類、配合割合、感光層の厚さなどによって異なるが、通常は30〜360秒間である。また、現像方法としては、例えば、液盛り法、ディッピング法、パドル法、スプレ−法、シャワー現像法が挙げられる。現像後は、流水洗浄を30〜90秒間行い、エアーガンなどを用いて風乾させたり、ホットプレート、オーブンなどを用いて加熱下で乾燥させる。
Further, an aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant to the alkaline aqueous solution can also be used as a developer.
The development time varies depending on the type of each component in the resin composition, the blending ratio, the thickness of the photosensitive layer, and the like, but is usually 30 to 360 seconds. Examples of the developing method include a liquid filling method, a dipping method, a paddle method, a spray method, and a shower developing method. After the development, washing with running water is performed for 30 to 90 seconds, and air drying is performed using an air gun or the like, or drying is performed using a hot plate, an oven, or the like.

4.後処理
本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物からなる感光層は、上記放射線露光のみでも充分に硬化させることができるが、用途に応じてさらに追加の放射線露光(以下、「後露光」ともいう)や加熱によってさらに硬化させることができる。この後処理によって、さらに良好な特性を有する所定のレジストパターンを得ることができる。
4). Post-treatment The photosensitive layer comprising the negative radiation-sensitive resin composition of the present invention can be sufficiently cured only by the above-mentioned radiation exposure, but depending on the application, additional radiation exposure (hereinafter referred to as “post-exposure”) And can be further cured by heating. By this post-treatment, a predetermined resist pattern having even better characteristics can be obtained.

後露光としては、上記放射線露光方法と同様の方法で行うことができ、放射線露光量は特に限定されるものではないが、高圧水銀灯を用いる場合、好ましくは1000〜20000J/m2 である。 The post-exposure can be performed by the same method as the above-described radiation exposure method, and the radiation exposure amount is not particularly limited, but is preferably 1000 to 20000 J / m 2 when a high-pressure mercury lamp is used.

また、加熱処理としては、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置を用いて、所定の温度(例えば60〜100℃)で、所定の時間(例えばホットプレート上なら5〜30分間、オーブン中では5〜60分間)加熱を行う方法が挙げられる。   Moreover, as heat processing, using heating apparatuses, such as a hotplate and an oven, at predetermined temperature (for example, 60-100 degreeC), for predetermined time (for example, 5-30 minutes on a hotplate, 5-5 in oven). 60 minutes).

5.メッキ処理
所定のレジストパターンが形成された基板を、電気メッキ用の各種メッキ液に浸漬し、所望のメッキ厚となるように電流値および通電時間を設定してメッキを行い、メッキ造形物を形成する。
5. Plating treatment A substrate on which a predetermined resist pattern has been formed is immersed in various plating solutions for electroplating, and plating is performed by setting the current value and energizing time so that the desired plating thickness is obtained, thereby forming a plated model. To do.

6.剥離処理
メッキ処理した基板からレジストパターンを剥離する。剥離方法としては、例えば、50〜80℃にて攪拌中の剥離液に5〜30分間、前記基板を浸漬すればよい。前記剥離液としては、例えば、第4級アンモニウム塩の水溶液、第4級アンモニウム塩とジメチルスルホキシドと水との混合溶液が挙げられる。
6). Stripping process The resist pattern is stripped from the plated substrate. As a peeling method, for example, the substrate may be immersed in a peeling solution being stirred at 50 to 80 ° C. for 5 to 30 minutes. Examples of the stripping solution include an aqueous solution of a quaternary ammonium salt, and a mixed solution of a quaternary ammonium salt, dimethyl sulfoxide, and water.

以上の一連の工程を実施することにより、基板上にメッキ造形物を形成することができる。そして、本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物から形成されるレジストパターンは、メッキ造形物形成後の剥離性に優れている。   By carrying out the above series of steps, a plated model can be formed on the substrate. And the resist pattern formed from the negative radiation sensitive resin composition of this invention is excellent in the peelability after plating modeling object formation.

以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。また、特にことわりのない限り、「部」は重量部、「%」は重量%を示す。
〔合成例1〕
窒素置換したドライアイス/メタノール還流器の付いたフラスコ中に、ラジカル重合開始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(5.0g)、および重合溶剤としてジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(150g)を仕込み、該重合開始剤が溶解するまで攪拌した。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. Unless otherwise specified, “parts” means parts by weight, and “%” means wt%.
[Synthesis Example 1]
In a flask equipped with a nitrogen-substituted dry ice / methanol refluxer, 2,2′-azobisisobutyronitrile (5.0 g) as a radical polymerization initiator and dipropylene glycol methyl ether acetate (150 g) as a polymerization solvent. ) And stirred until the polymerization initiator was dissolved.

得られた溶液に、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン(30g)、メタクリル酸(12g)、イソボルニルアクリレート(29g)、およびn−ブチルアクリレート(29g)を仕込み、固形分が完全に溶解するまで撹拌した。   To the resulting solution, α-methyl-p-hydroxystyrene (30 g), methacrylic acid (12 g), isobornyl acrylate (29 g), and n-butyl acrylate (29 g) are charged, and the solid content is completely dissolved. Until stirred.

得られた溶液の温度を80℃まで上昇させ、この温度で7時間重合を行った。その後、溶液の温度を100℃に上昇させ、この温度で1時間重合を行って、アルカリ可溶性共重合体(A1)を含有する反応溶液を得た。   The temperature of the obtained solution was raised to 80 ° C., and polymerization was carried out at this temperature for 7 hours. Thereafter, the temperature of the solution was raised to 100 ° C., and polymerization was performed at this temperature for 1 hour to obtain a reaction solution containing the alkali-soluble copolymer (A1).

〔合成例2〜5〕
合成例1において、表1に記載の組成に従い化合物の種類および量を変更したこと以外は合成例1と同様にして、アルカリ可溶性共重合体(A2)、(A3)、(CA1)および(CA2)を合成した。
[Synthesis Examples 2 to 5]
In Synthesis Example 1, alkali-soluble copolymers (A2), (A3), (CA1) and (CA2) were prepared in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the types and amounts of the compounds were changed according to the composition described in Table 1. ) Was synthesized.

Figure 2010026431
[実施例1]
アルカリ可溶性共重合体(A)として、〔合成例1〕で得られた上記共重合体(A1)(100g)、架橋剤類(B)として、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬(株)社製、商品名「KAYARAD DPHA」)(50g)、ペンタエリスリトールポリアクリレート(新中村化学工業(株)社製、商品名「NKエステルA−TMM−3LM−N」)(10g)、感放射線性ラジカル重合開始剤(C)として、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド(12g)、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン(1g)、溶剤(D)として、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(150g)、および界面活性剤として、ジグリセリンエチレンオキサイド(平均付加モル数=18)付加物ペルフルオロノネニルエーテル((株)ネオス社製、商品名「フタージェントFTX−2
18」)(0.3g)を混合し、攪拌して均一な組成物溶液を調製した。この組成物溶液
を、孔径10μmのカプセルフィルターでろ過して感放射線性樹脂組成物を得た。
Figure 2010026431
[Example 1]
As the alkali-soluble copolymer (A), the copolymer (A1) (100 g) obtained in [Synthesis Example 1], and as the crosslinking agents (B), dipentaerythritol hexaacrylate (Nippon Kayaku Co., Ltd.) (Trade name “KAYARAD DPHA”) (50 g), pentaerythritol polyacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name “NK Ester A-TMM-3LM-N”) (10 g), radiation sensitivity As the radical polymerization initiator (C), 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide (12 g), 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one (1 g) ), Dipropylene glycol methyl ether acetate (150 g) as solvent (D), and diglycerin as surfactant Ethylene oxide (average number of moles added = 18) adduct perfluorononenyl ether (manufactured by Neos Co., Ltd., trade name “Furgent FTX-2”)
18 ") (0.3 g) was mixed and stirred to prepare a uniform composition solution. This composition solution was filtered through a capsule filter having a pore diameter of 10 μm to obtain a radiation sensitive resin composition.

[実施例2〜8、比較例1〜3]
実施例1において、表2に記載の組成に従いアルカリ可溶性共重合体、架橋剤類(B)および感放射線性ラジカル重合開始剤(C)の種類および量を変更したこと以外は実施例1と同様にして、感放射線性樹脂組成物を調製した。
[Examples 2-8, Comparative Examples 1-3]
Example 1 is the same as Example 1 except that the types and amounts of the alkali-soluble copolymer, the crosslinking agents (B) and the radiation-sensitive radical polymerization initiator (C) are changed according to the composition described in Table 2. Thus, a radiation sensitive resin composition was prepared.

〔評価〕
実施例1〜8および比較例1〜3で得られた感放射線性樹脂組成物を用いて、以下の方法によりレジストパターンおよびメッキ造形物を形成し、レジストパターンの解像度および剥離性の評価を行った。結果を表2に示す。
[Evaluation]
Using the radiation sensitive resin compositions obtained in Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3, a resist pattern and a plated model are formed by the following method, and the resolution and peelability of the resist pattern are evaluated. It was. The results are shown in Table 2.

(1)レジストパターンの形成
厚みが35μmの銅箔を張り合わせてなるガラスエポキシ銅張基板に、ロールコーターを用いて上記感放射線性樹脂組成物を塗布した後、熱風オーブン中、70℃で50分間加熱して、厚さ20μmの感光層を形成した。
(1) Formation of resist pattern After applying the radiation-sensitive resin composition to a glass epoxy copper-clad substrate obtained by laminating a copper foil having a thickness of 35 µm using a roll coater, it is performed in a hot air oven at 70 ° C for 50 minutes. A photosensitive layer having a thickness of 20 μm was formed by heating.

次いで、L/Sパターン=3/3、4/4、5/5、6/6、7/7、8/8、9/9、10/10、15/15、20/20、25/25、30/30μm(設計寸法)を有するパターンマスクを介し、超高圧水銀灯(OSRAM社製HBO、出力1000W)を用いて300〜1000mJ/cm2の紫外光を上記感光層に照射した。露光量は、照度
計((株)オーク製作所製UV−M10(照度計)にプローブUV−42(受光器)をつないだ装置)により確認した。
Next, L / S pattern = 3/3, 4/4, 5/5, 6/6, 7/7, 8/8, 9/9, 10/10, 15/15, 20/20, 25/25 The photosensitive layer was irradiated with ultraviolet light of 300 to 1000 mJ / cm 2 through a pattern mask having 30/30 μm (design dimension) using an ultrahigh pressure mercury lamp (HBO manufactured by OSRAM, output 1000 W). The exposure amount was confirmed with an illuminometer (an apparatus in which a probe UV-42 (light receiver) was connected to UV-M10 (illuminometer) manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.)).

次いで、現像液として0.3%水酸化ナトリウム水溶液を用いて、露光後の感光層を室温で現像した後、流水洗浄し、窒素ブローしてレジストパターンを形成した。以下、このレジストパターンが形成された基板を、「パターニング基板」という。   Next, the exposed photosensitive layer was developed at room temperature using a 0.3% aqueous sodium hydroxide solution as a developing solution, washed with running water, and blown with nitrogen to form a resist pattern. Hereinafter, the substrate on which the resist pattern is formed is referred to as a “patterning substrate”.

(2)メッキ造形物の形成
パターニング基板を、メッキ液としてミクロファブCu200(日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース(株)製)を用い、25℃、3A/dm2、25分間の条件で
電解銅メッキし、高さ15μmの配線を形成した。
(2) Formation of plated modeled object The patterning substrate was subjected to electrolytic copper plating at 25 ° C., 3 A / dm 2 for 25 minutes using Microfab Cu200 (manufactured by Nippon Electroplating Engineers Co., Ltd.) as a plating solution. A wiring with a height of 15 μm was formed.

次いで、剥離液として5%水酸化ナトリウム水溶液を用い、60℃で6分間攪拌しながら上記基板を浸漬してレジストパターンを剥離し、メッキ造形物を有する基板を得た。以下、このメッキ造形物を有する基板を「メッキ基板」という。   Next, a 5% aqueous sodium hydroxide solution was used as a stripping solution, and the substrate was dipped while stirring at 60 ° C. for 6 minutes to strip the resist pattern, thereby obtaining a substrate having a plated model. Hereinafter, the substrate having the plated model is referred to as a “plated substrate”.

(3)解像度の評価
解像度は、パターニング基板を走査型電子顕微鏡により1000倍で観察して評価した。ここで解像度とは、L/Sパターン=3/3、4/4、5/5、6/6、7/7、8/8、9/9、10/10、15/15、20/20、25/25、30/30μm(設計寸法)のうち、残渣がなくレジストパターンを形成できた最小寸法設計をいう。
(3) Evaluation of resolution The resolution was evaluated by observing the patterning substrate with a scanning electron microscope at 1000 times. Here, the resolution means L / S pattern = 3/3, 4/4, 5/5, 6/6, 7/7, 8/8, 9/9, 10/10, 15/15, 20/20. , 25/25, 30/30 μm (design dimensions), the minimum dimension design in which a resist pattern can be formed without residue.

(4)剥離性の評価
剥離性は、メッキ基板を走査型電子顕微鏡により1500倍で観察して評価した。ここで剥離性とは、L/Sパターン=3/3、4/4、5/5、6/6、7/7、8/8、9/9、10/10、15/15、20/20、25/25、30/30μm(設計寸法)のうち、残渣がなくレジストパターンを剥離できた最小設計寸法をいう。
(4) Evaluation of peelability The peelability was evaluated by observing the plated substrate with a scanning electron microscope at 1500 times. Here, peelability means L / S pattern = 3/3, 4/4, 5/5, 6/6, 7/7, 8/8, 9/9, 10/10, 15/15, 20 / Of 20, 25/25, and 30/30 μm (design dimension), it means the minimum design dimension in which there is no residue and the resist pattern can be peeled off.

Figure 2010026431
表2に示した各化合物の詳細を以下に示す。
B1:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
(日本化薬(株)社製、商品名「KAYARAD DPHA」)
B2:ジペンタエリスリトールテトラアクリレート誘導体
(日本化薬(株)社製、商品名「KAYARAD DPHA−20」)
B3:ペンタエリスリトールポリアクリレート
(新中村化学工業(株)社製、商品名「NKエステルA−TMM−3LM−N」)
B4:トリメチロールプロパントリアクリレート
(大阪有機化学工業(株)社製、商品名「ビスコート295」)
B5:ビスフェノールAジアクリレート
(日本油脂(株)社製、「ブレンマーADBE−200」)
C1:2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド
C2:2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン
C3:2,2'−ビス(2−クロロフェニル)−4,5,4',5'−テトラフェニル−1
,2’−ビイミダゾール
C4:4,4'−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン
Figure 2010026431
Details of each compound shown in Table 2 are shown below.
B1: Dipentaerythritol hexaacrylate (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name “KAYARAD DPHA”)
B2: Dipentaerythritol tetraacrylate derivative (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name “KAYARAD DPHA-20”)
B3: Pentaerythritol polyacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name “NK Ester A-TMM-3LM-N”)
B4: Trimethylolpropane triacrylate (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd., trade name “Biscoat 295”)
B5: Bisphenol A diacrylate (Nippon Yushi Co., Ltd., “Blenmer ADBE-200”)
C1: 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide C2: 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one C3: 2,2′-bis (2- Chlorophenyl) -4,5,4 ′, 5′-tetraphenyl-1
, 2′-biimidazole C4: 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone

Claims (4)

(A)(a1)フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位、(a2)カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位、および(a3)他のラジカル重合性化合物に由来する構成単位を有するアルカリ可溶性共重合体、
(B)下記式(1)で示される架橋剤を含む架橋剤類、ならびに
(C)感放射線性ラジカル重合開始剤
を含有することを特徴とするネガ型感放射線性樹脂組成物。
Figure 2010026431
[式(1)中、Xは下記式(2)または(3)で示される有機基であり、6つあるXは同一でも異なっていてもよい。
Figure 2010026431
式(2)中、nは2〜4の整数、mは0〜10の整数であり、式(3)中、lは0〜2の整数である。式(2)および(3)中、Rは水素原子または(メタ)アクリロイル基を表す。ただし、式(1)で示される架橋剤は、少なくとも4個の(メタ)アクリロイル基を有する。]
(A) (a1) a structural unit derived from a radically polymerizable compound having a phenolic hydroxyl group, (a2) a structural unit derived from a radically polymerizable compound having a carboxyl group, and (a3) derived from another radically polymerizable compound An alkali-soluble copolymer having a structural unit
(B) A negative radiation sensitive resin composition comprising a crosslinking agent containing a crosslinking agent represented by the following formula (1), and (C) a radiation sensitive radical polymerization initiator.
Figure 2010026431
[In the formula (1), X is an organic group represented by the following formula (2) or (3), and the six Xs may be the same or different.
Figure 2010026431
In formula (2), n is an integer of 2 to 4, m is an integer of 0 to 10, and in formula (3), l is an integer of 0 to 2. In formulas (2) and (3), R represents a hydrogen atom or a (meth) acryloyl group. However, the crosslinking agent represented by the formula (1) has at least four (meth) acryloyl groups. ]
前記フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物が、α−メチル−p−ヒドロキシスチレンであることを特徴とする請求項1に記載のネガ型感放射線性樹脂組成物。   The negative radiation-sensitive resin composition according to claim 1, wherein the radically polymerizable compound having a phenolic hydroxyl group is α-methyl-p-hydroxystyrene. 前記式(1)で示される架橋剤が、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートであることを特徴とする請求項1または2に記載のネガ型感放射線性樹脂組成物。   The negative radiation-sensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the crosslinking agent represented by the formula (1) is dipentaerythritol hexaacrylate. 前記アルカリ可溶性共重合体(A)の全構成単位を100重量%とするとき、
前記(a1)フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位の含有量が1〜50重量%であり、
前記(a2)カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位の含有量が1〜50重量%であり、
前記(a3)他のラジカル重合性化合物に由来する構成単位の含有量が5〜80重量%であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のネガ型感放射線性樹脂組成物。
When the total structural unit of the alkali-soluble copolymer (A) is 100% by weight,
The content of the structural unit derived from the radically polymerizable compound having (a1) phenolic hydroxyl group is 1 to 50% by weight,
The content of the structural unit derived from the radical polymerizable compound having a carboxyl group (a2) is 1 to 50% by weight,
The negative radiation-sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the content of the structural unit derived from (a3) another radical polymerizable compound is 5 to 80% by weight. .
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