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JP2010021393A - Integrated circuit design method and integrated circuit design apparatus - Google Patents

Integrated circuit design method and integrated circuit design apparatus Download PDF

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JP2010021393A
JP2010021393A JP2008181093A JP2008181093A JP2010021393A JP 2010021393 A JP2010021393 A JP 2010021393A JP 2008181093 A JP2008181093 A JP 2008181093A JP 2008181093 A JP2008181093 A JP 2008181093A JP 2010021393 A JP2010021393 A JP 2010021393A
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wiring
wiring grid
grid
area
integrated circuit
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JP2008181093A
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Yusuke Harikae
裕介 張替
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Publication date
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】処理負荷の増大を抑えながら、所定のマクロブロック周辺において複数の配線の影響を確実に低減できる集積回路設計方法及び集積回路設計装置を提供する。
【解決手段】集積回路設計方法は、所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する配線グリッド変更領域設定ステップと、前記配線グリッド変更領域設定ステップにおいて前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域内の配線グリッドの間隔をより大きく変更する配線グリッド変更ステップと、前記領域内において、前記配線グリッド変更ステップにおいて前記間隔が変更された配線グリッドに所与の配線を配置すると共に、前記配線グリッド変更ステップにおいて変更された前記配線グリッドの間隔に対応したセルグリッド間隔でその構成が指定されたセルを、前記配線グリッド変更ステップにおいて前記間隔が変更された配線グリッドに配置する配置配線ステップとを含む。
【選択図】図1
An integrated circuit design method and an integrated circuit design apparatus capable of reliably reducing the influence of a plurality of wirings around a predetermined macroblock while suppressing an increase in processing load.
An integrated circuit design method includes: a wiring grid change area setting step for setting a given area as a wiring grid change area; and the inside of the area set as the wiring grid change area in the wiring grid change area setting step A wiring grid changing step for changing the wiring grid interval more greatly, and in the region, a given wiring is arranged on the wiring grid whose spacing is changed in the wiring grid changing step, and the wiring grid changing step And a placement and routing step of placing cells whose configuration is designated at a cell grid interval corresponding to the interval of the wiring grid changed in step, on the wiring grid whose interval has been changed in the wiring grid changing step.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、集積回路設計方法及び集積回路設計装置に関する。   The present invention relates to an integrated circuit design method and an integrated circuit design apparatus.

近年、半導体集積回路(広義には集積回路)の高機能化や高性能化に対する市場の要求が高い。そのため、配線の多層化や製造プロセス技術の進歩によって半導体集積回路の高集積化が急速に進む一方で、半導体集積回路は、アナログ回路等の特殊なマクロブロックの搭載や回路規模の大幅な増大により、セルや配線の配置が一層困難になっている。これに伴い、半導体集積回路の設計期間が長くなり、設計期間の短縮が大きな課題の1つとなっている。   In recent years, the market demand for higher functionality and higher performance of semiconductor integrated circuits (in a broad sense, integrated circuits) is high. For this reason, while higher integration of semiconductor integrated circuits has progressed rapidly due to the multilayered wiring and advances in manufacturing process technology, semiconductor integrated circuits have increased due to the mounting of special macroblocks such as analog circuits and a significant increase in circuit scale. The arrangement of cells and wiring is becoming more difficult. Accordingly, the design period of the semiconductor integrated circuit is lengthened, and shortening of the design period is one of the major issues.

このような半導体集積回路を短期間でユーザに提供するため、ゲートアレイ、エンベデッドアレイやスタンダードセルで構成される半導体集積回路の設計手法が整備されている。例えばスタンダードセルで構成される半導体集積回路では、ユーザが必要とする機能が、最適設計された内部ロジックセルとROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、CPU(Central Processing Unit)やアナログ回路等のマクロブロックとが配線により接続されて1チップ化される。その際、マクロブロックの配置位置等をフロアプランとして決定した後、自動配置配線ツールにより、チップ上のレイアウト可能領域内において定義された配線グリッド上にセルの端子が配置され、ネットリストに従って配線が配置される。   In order to provide such a semiconductor integrated circuit to users in a short period of time, a design method for a semiconductor integrated circuit including a gate array, an embedded array, and a standard cell has been prepared. For example, in a semiconductor integrated circuit composed of standard cells, the functions required by the user are optimally designed internal logic cells, ROM (Read Only Memory), RAM (Random Access Memory), CPU (Central Processing Unit) and analog. A macro block such as a circuit is connected by wiring to form one chip. At that time, after determining the placement position of the macroblock as a floor plan, the automatic placement and routing tool places the cell terminals on the wiring grid defined in the layout possible area on the chip, and performs wiring according to the netlist. Be placed.

ところが、自動配置配線ツールを用いた場合でも、アナログマクロブロックの周辺では、デジタル信号の配線とアナログ信号の配線とが並走したり、交差したりすることがあり、クロストーク等に起因してアナログ信号への影響が大きくなることがある。例えば、アナログマクロブロックの周辺を、セル配置配線禁止領域に設定してセルや配線の配置が行われないようにしても、配線領域の余裕がない場合には、このセル配置配線禁止領域にも配線が配置されてしまう。この場合、配線グリッド間隔が同じであるため、デジタル信号の配線とアナログ信号の配線とが隣接して配置されることがある。   However, even when the automatic placement and routing tool is used, digital signal wiring and analog signal wiring may run in parallel or cross each other around the analog macroblock. The impact on analog signals may be significant. For example, even if the periphery of an analog macroblock is set as a cell placement and routing prohibition area so that cells and wiring are not placed, if there is not enough wiring area, this cell placement and routing prohibition area is also Wiring is placed. In this case, since the wiring grid interval is the same, the digital signal wiring and the analog signal wiring may be arranged adjacent to each other.

例えば特許文献1には、カップリング容量によるクロストークを防止するために、概略配線の結果に基づいて、配線グリッド数の余裕度に応じた配線ピッチに基づいて配線グリッドを再生成する技術が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a technique for regenerating a wiring grid based on a wiring pitch corresponding to a margin of the number of wiring grids based on a result of a schematic wiring in order to prevent crosstalk due to coupling capacitance. Has been.

特開2004−133638号公報JP 2004-133638 A

ところで、自動配置配線ツールでは、格子状に定義された配線グリッド上に配線が配置され、配線グリッドの格子点上に端子が配置されるようにセルが配置される。しかしながら、特許文献1では、配線グリッド数の余裕度に応じた配線ピッチに基づいて、単純に配線グリッドを再生成するに過ぎず、再生成後の配線グリッドに配置可能なセルの種類が限定されてしまう。そのため、配線グリッドを用いない特殊な配線処理を行う必要が生じ、処理負荷が重くなってしまうという問題がある。   By the way, in the automatic placement and routing tool, wiring is arranged on a wiring grid defined in a lattice shape, and cells are arranged so that terminals are arranged on lattice points of the wiring grid. However, in Patent Document 1, based on the wiring pitch according to the margin of the number of wiring grids, the wiring grid is simply regenerated, and the types of cells that can be placed on the regenerated wiring grid are limited. End up. Therefore, it is necessary to perform a special wiring process without using a wiring grid, and there is a problem that the processing load becomes heavy.

このように、特許文献1に開示された技術を用いても、任意の配線ピッチの配線グリッドを再生成できるわけではなく、実質的に、元のセルが配置できるような配線ピッチの配線グリッドを再生成せざるを得ない。従って、特許文献1に開示された技術では、特殊な配線処理による処理負荷が重くなるか、集積回路の高集積化の効果が十分に得られない。   As described above, even if the technique disclosed in Patent Document 1 is used, a wiring grid having an arbitrary wiring pitch cannot be regenerated, and a wiring grid having a wiring pitch that can substantially place the original cell is used. It must be regenerated. Therefore, with the technique disclosed in Patent Document 1, the processing load due to special wiring processing becomes heavy or the effect of high integration of the integrated circuit cannot be obtained sufficiently.

本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的の1つは、処理負荷の増大を抑えながら、所定のマクロブロック周辺において複数の配線の影響を確実に低減できる集積回路設計方法及び集積回路設計装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above technical problems, and one of its purposes is to reliably reduce the influence of a plurality of wirings around a predetermined macroblock while suppressing an increase in processing load. Another object is to provide an integrated circuit design method and an integrated circuit design apparatus.

上記課題を解決するために本発明は、所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する配線グリッド変更領域設定ステップと、前記配線グリッド変更領域設定ステップにおいて前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域内の配線グリッドの間隔をより大きく変更する配線グリッド変更ステップと、前記領域内において、前記配線グリッド変更ステップにおいて前記間隔が変更された配線グリッドに所与の配線を配置すると共に、前記配線グリッド変更ステップにおいて変更された前記配線グリッドの間隔に対応したセルグリッド間隔でその構成が指定されたセルを、前記配線グリッド変更ステップにおいて前記間隔が変更された配線グリッドに配置する配置配線ステップとを含む集積回路設計方法に関係する。   To solve the above problems, the present invention provides a wiring grid change area setting step for setting a given area as a wiring grid change area, and the area set as the wiring grid change area in the wiring grid change area setting step. A wiring grid changing step for changing the interval between the wiring grids in the area to a greater extent, and in the region, a given wiring is arranged on the wiring grid whose spacing has been changed in the wiring grid changing step, and the wiring grid changing A placement and routing step of placing cells whose configuration is designated at a cell grid interval corresponding to the interval of the wiring grid changed in the step, in the wiring grid in which the interval is changed in the wiring grid changing step Related to circuit design method.

本発明によれば、局所的に配線グリッド間隔を大きくすると共に、大きくした配線グリッドに対応したセルグリッドで規定されたセルを配置するようにしたので、特殊な配線処理を行うことなく、処理負荷の増大を抑えながら、所定のマクロブロック周辺において、例えばアナログ信号を伝送する信号配線とデジタル信号を伝送する信号配線とのクロストークによる影響を低減できるようになる。   According to the present invention, the wiring grid interval is locally increased, and the cells defined by the cell grid corresponding to the enlarged wiring grid are arranged, so that the processing load can be reduced without performing special wiring processing. For example, the influence of crosstalk between a signal wiring for transmitting an analog signal and a signal wiring for transmitting a digital signal can be reduced in the vicinity of a predetermined macroblock while suppressing an increase in the number of signals.

また本発明に係る集積回路設計方法では、前記配線グリッド変更ステップが、前記配線グリッド変更領域として設定される領域内において、互いに交差する第1及び第2の方向の少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドの間隔を変更することができる。   Further, in the integrated circuit design method according to the present invention, the wiring grid changing step includes a wiring grid extending in at least one of first and second directions intersecting each other in an area set as the wiring grid changing area. The interval can be changed.

本発明によれば、上記の効果に加えて、少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドの間隔を変更することで、クロストークにより配線間の影響を与えていた領域内でも、処理負荷の増大を抑えながら、所定のマクロブロック周辺において複数の配線の影響を確実に低減できるようになる。   According to the present invention, in addition to the above effect, by changing the interval of the wiring grid extending in at least one direction, an increase in processing load can be suppressed even in a region where the influence between the wirings is caused by crosstalk. However, the influence of a plurality of wirings can be reliably reduced around a predetermined macroblock.

また本発明に係る集積回路設計方法では、前記配線グリッド変更ステップが、前記領域の外側に配線グリッドを設定するように、前記配線グリッドの間隔を大きく変更することができる。   In the integrated circuit design method according to the present invention, the wiring grid changing step can greatly change the interval between the wiring grids so that the wiring grid is set outside the region.

本発明によれば、上記の効果に加えて、配線グリッド変更領域内では、その領域外に変更された配線グリッド上にセル及び配線が配置されることを確実に防止できるようになる。   According to the present invention, in addition to the above-described effects, it is possible to reliably prevent cells and wirings from being arranged on the wiring grid changed outside the area within the wiring grid change area.

また本発明は、所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する配線グリッド変更領域設定ステップと、前記配線グリッド変更領域設定ステップにおいて前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域内の配線グリッドを消滅させる配線グリッド変更ステップと、前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域を除外して、前記配線グリッド変更ステップにおける処理後の配線グリッドにセル及び配線を配置する配置配線ステップとを含む集積回路設計方法に関係する。   According to the present invention, a wiring grid changing area setting step for setting a given area as a wiring grid changing area, and a wiring grid in the area set as the wiring grid changing area in the wiring grid changing area setting step are eliminated. Integrated circuit design including a wiring grid changing step to be performed, and a placement and wiring step for arranging cells and wirings in the wiring grid after processing in the wiring grid changing step, excluding the region set as the wiring grid changing region Related to the method.

本発明によれば、これまで配線間にクロストークによる影響を及ぼしていた場合でも、配線グリッド変更領域には配線グリッドが消滅しているため、セルや配線が配置されず、この領域内の配線間のクロストークによる影響を確実に低減できるようになる。   According to the present invention, even when the influence of crosstalk has been exerted between the wirings so far, since the wiring grid has disappeared in the wiring grid change area, no cells or wirings are arranged, and the wiring in this area is not arranged. It is possible to reliably reduce the influence of the crosstalk.

また本発明に係る集積回路設計方法では、前記配線グリッド変更ステップが、前記配線グリッド変更領域として設定される領域内において、互いに交差する第1及び第2の方向の少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドを消滅させることができる。   Further, in the integrated circuit design method according to the present invention, the wiring grid changing step includes a wiring grid extending in at least one of first and second directions intersecting each other in an area set as the wiring grid changing area. Can be extinguished.

本発明によれば、上記の効果に加えて、少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドを消滅させることで、クロストークにより配線間の影響を与えていた領域内でも、処理負荷の増大を抑えながら、所定のマクロブロック周辺において複数の配線の影響を確実に低減できるようになる。   According to the present invention, in addition to the above-described effects, by eliminating the wiring grid extending in at least one direction, even in a region where the influence between the wirings is caused by crosstalk, while suppressing an increase in processing load, The influence of a plurality of wirings can be reliably reduced around a predetermined macroblock.

また本発明に係る集積回路設計方法では、前記第1の方向は、スタンダードセルを構成するセルのうち、全セルの第1導電型のアクティブ領域が隣接して配置されるアクティブ領域連続配置方向であってもよい。   In the integrated circuit design method according to the present invention, the first direction is an active region continuous arrangement direction in which the active regions of the first conductivity type of all the cells among the cells constituting the standard cell are arranged adjacent to each other. There may be.

また本発明に係る集積回路設計方法では、前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域が、アナログマクロブロックの周辺領域であってもよい。   In the integrated circuit design method according to the present invention, the area set as the wiring grid change area may be a peripheral area of an analog macroblock.

本発明によれば、配線グリッド変更領域に、例えばデジタル信号の配線が配置されたとしても、予めマクロブロックに入力又は出力されるアナログ信号の配線と離れて配置されるため、配線へのクロストークによる影響を低減できるようになる。   According to the present invention, even if a digital signal wiring is arranged in the wiring grid change area, for example, it is arranged away from the analog signal wiring input or output to the macroblock in advance, so that crosstalk to the wiring is performed. The influence by can be reduced.

また本発明に係る集積回路設計方法では、前記アナログマクロブロックの周辺領域が、前記アナログマクロブロックの周囲に所与の長さだけ外側に設けられる領域であってもよい。   In the integrated circuit design method according to the present invention, the peripheral area of the analog macroblock may be an area provided outside the analog macroblock by a given length.

本発明によれば、アナログマクロブロックの周囲に所与の長さだけ外側に設けられる領域で、配線グリッドを消滅させるようになるので、例えばデジタル信号の配線が、該アナログマクロブロックに入力又は出力されるアナログ信号の配線に与えるクロストークによる影響を、確実に低減できるようになる。   According to the present invention, the wiring grid is extinguished in a region provided outside the analog macroblock by a given length, so that, for example, a digital signal wiring is input to or output from the analog macroblock. It is possible to reliably reduce the influence of crosstalk on the analog signal wiring.

また本発明は、配線グリッド上に配線及びセルを配置する集積回路設計装置であって、同一機能を有する複数のセルの構成をそれぞれ互いに異なるセルグリッド間隔で指定する複数のセルの情報を記憶するセル情報記憶部と、所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する配線グリッド変更領域設定部と、前記配線グリッド変更領域設定部により前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域内の配線グリッドの間隔をより大きく変更する配線グリッド変更処理部と、前記領域内において、前記配線グリッド変更処理部により前記間隔が変更された前記配線グリッドに所与の配線とセルとを配置する配置配線処理部とを含み、前記配置配線処理部が、前記セル情報記憶部に記憶されたセルの情報に基づいて、前記配線グリッド変更処理部により変更された前記配線グリッドの間隔に対応したセルグリッド間隔でその構成が指定されたセルを、前記配線グリッド変更処理部によりその間隔が変更された前記配線グリッドに配置する集積回路設計装置に関係する。   The present invention also relates to an integrated circuit design apparatus that arranges wiring and cells on a wiring grid, and stores information on a plurality of cells that respectively specify the configuration of a plurality of cells having the same function at different cell grid intervals. A cell information storage unit; a wiring grid change region setting unit for setting a given region as a wiring grid change region; and a wiring grid in the region set as the wiring grid change region by the wiring grid change region setting unit A wiring grid change processing unit that changes the interval more greatly, and a placement wiring processing unit that arranges a given wiring and cell in the wiring grid in which the spacing is changed by the wiring grid change processing unit within the region; And the placement and routing processing unit changes the wiring grid based on the cell information stored in the cell information storage unit. An integrated circuit design apparatus that arranges cells whose configuration is designated at a cell grid interval corresponding to the interval of the wiring grid changed by the processing unit on the wiring grid whose interval has been changed by the wiring grid change processing unit Related to.

本発明によれば、局所的に配線グリッド間隔を大きくすると共に、大きくした配線グリッドに対応したセルグリッドで規定されたセルを配置するようにしたので、特殊な配線処理を行うことなく、処理負荷の増大を抑えながら、所定のマクロブロック周辺において、例えばアナログ信号を伝送する信号配線とデジタル信号を伝送する信号配線とのクロストークによる影響を低減できるようになる。   According to the present invention, the wiring grid interval is locally increased, and the cells defined by the cell grid corresponding to the enlarged wiring grid are arranged, so that the processing load can be reduced without performing special wiring processing. For example, the influence of crosstalk between a signal wiring for transmitting an analog signal and a signal wiring for transmitting a digital signal can be reduced in the vicinity of a predetermined macroblock while suppressing an increase in the number of signals.

また本発明に係る集積回路設計装置では、前記配線グリッド変更処理部が、前記配線グリッド変更領域として設定される領域内において、互いに交差する第1及び第2の方向の少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドの間隔を変更することができる。   Moreover, in the integrated circuit design device according to the present invention, the wiring grid change processing unit has a wiring extending in at least one of the first and second directions intersecting each other in the region set as the wiring grid changing region. The grid interval can be changed.

本発明によれば、上記の効果に加えて、少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドの間隔を変更することで、クロストークにより配線間の影響を与えていた領域内でも、処理負荷の増大を抑えながら、所定のマクロブロック周辺において複数の配線の影響を確実に低減できるようになる。   According to the present invention, in addition to the above effect, by changing the interval of the wiring grid extending in at least one direction, an increase in processing load can be suppressed even in a region where the influence between the wirings is caused by crosstalk. However, the influence of a plurality of wirings can be reliably reduced around a predetermined macroblock.

また本発明に係る集積回路設計装置では、前記配線グリッド変更処理部が、前記領域の外側に配線グリッドを設定するように、前記配線グリッドの間隔を大きく変更することができる。   Moreover, in the integrated circuit design device according to the present invention, the wiring grid change processing unit can greatly change the interval between the wiring grids so as to set the wiring grid outside the region.

本発明によれば、上記の効果に加えて、配線グリッド変更領域内では、その領域外に変更された配線グリッド上にセル及び配線が配置されることを確実に防止できるようになる。   According to the present invention, in addition to the above-described effects, it is possible to reliably prevent cells and wirings from being arranged on the wiring grid changed outside the area within the wiring grid change area.

また本発明は、配線グリッド上に配線及びセルを配置する集積回路設計装置であって、所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する配線グリッド変更領域設定部と、前記配線グリッド変更領域設定部により前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域内の配線グリッドを消滅させる配線グリッド変更処理部と、前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域を除外して、前記配線グリッド変更処理部による処理後の配線グリッドにセル及び配線を配置する配置配線処理部とを含む集積回路設計装置に関係する。   The present invention also relates to an integrated circuit design apparatus for arranging wirings and cells on a wiring grid, the wiring grid changing area setting unit for setting a given area as a wiring grid changing area, and the wiring grid changing area setting unit The wiring grid change processing unit that eliminates the wiring grid in the region set as the wiring grid change region by the above, and the processing by the wiring grid change processing unit excluding the region set as the wiring grid change region The present invention relates to an integrated circuit design apparatus including a placement and routing processing unit that places cells and wirings on a later wiring grid.

本発明によれば、これまで配線間にクロストークによる影響を及ぼしていた場合でも、配線グリッド変更領域には配線グリッドが消滅しているため、セルや配線が配置されず、この領域内の配線間のクロストークによる影響を確実に低減できるようになる。   According to the present invention, even when the influence of crosstalk has been exerted between the wirings so far, since the wiring grid has disappeared in the wiring grid change area, no cells or wirings are arranged, and the wiring in this area is not arranged. It is possible to reliably reduce the influence of the crosstalk.

また本発明に係る集積回路設計装置では、前記配線グリッド変更処理部が、前記配線グリッド変更領域として設定される領域内において、互いに交差する第1及び第2の方向の少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドを消滅させることができる。   Moreover, in the integrated circuit design device according to the present invention, the wiring grid change processing unit has a wiring extending in at least one of the first and second directions intersecting each other in the region set as the wiring grid changing region. The grid can be extinguished.

本発明によれば、上記の効果に加えて、少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドを消滅させることで、クロストークにより配線間の影響を与えていた領域内でも、処理負荷の増大を抑えながら、所定のマクロブロック周辺において複数の配線の影響を確実に低減できるようになる。   According to the present invention, in addition to the above-described effects, by eliminating the wiring grid extending in at least one direction, even in a region where the influence between the wirings is caused by crosstalk, while suppressing an increase in processing load, The influence of a plurality of wirings can be reliably reduced around a predetermined macroblock.

また本発明に係る集積回路設計装置では、前記第1の方向は、スタンダードセルを構成するセルのうち、全セルの第1導電型のアクティブ領域が隣接して配置されるアクティブ領域連続配置方向であってもよい。   In the integrated circuit design apparatus according to the present invention, the first direction is an active region continuous arrangement direction in which the active regions of the first conductivity type of all the cells of the standard cells are arranged adjacent to each other. There may be.

また本発明に係る集積回路設計装置では、前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域が、アナログマクロブロックの周辺領域であってもよい。   In the integrated circuit design device according to the present invention, the area set as the wiring grid change area may be a peripheral area of an analog macroblock.

本発明によれば、配線グリッド変更領域に、例えばデジタル信号の配線が配置されたとしても、予めマクロブロックに入力又は出力されるアナログ信号の配線と離れて配置されるため、配線へのクロストークによる影響を低減できるようになる。   According to the present invention, even if a digital signal wiring is arranged in the wiring grid change area, for example, it is arranged away from the analog signal wiring input or output to the macroblock in advance, so that crosstalk to the wiring is performed. The influence by can be reduced.

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成のすべてが本発明の必須構成要件であるとは限らない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. Also, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.

以下の実施形態では、本発明に係る実施形態における集積回路が、スタンダードセルとマクロブロックとで構成されるものとして説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、ゲートアレイやエンベデッドアレイで構成されていてもよい。   In the following embodiment, the integrated circuit in the embodiment according to the present invention will be described as being composed of standard cells and macroblocks, but the present invention is not limited to this, and a gate array or an embedded array It may be comprised.

〔実施形態1〕
図1(A)、図1(B)に、本発明の実施形態1における集積回路設計装置の処理の概要を模式的に示す。図1(A)は、実施形態1の比較例における集積回路設計装置を用いた集積回路のレイアウトの概要を模式的に表したものである。図1(B)は、実施形態1の集積回路設計装置を用いた集積回路のレイアウトの概要を模式的に表したものである。図1(A)、図1(B)において、同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
[Embodiment 1]
1A and 1B schematically show an outline of processing of the integrated circuit design apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1A schematically shows an outline of an integrated circuit layout using the integrated circuit design apparatus in the comparative example of the first embodiment. FIG. 1B schematically shows an outline of an integrated circuit layout using the integrated circuit design apparatus of the first embodiment. 1A and 1B, the same portions are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

実施形態1又はその比較例における集積回路設計装置は、レイアウト可能領域内に定義される格子状の配線グリッド上に、セルやマクロブロックとの間の接続情報を有するネットリストに従って、セルや配線を配置する処理を行う。その結果、図1(A)、図1(B)において、集積回路100には、マクロブロック102と、論理回路のセルと、これらを接続する配線とが配線グリッド上に配置される。   The integrated circuit design apparatus according to the first embodiment or the comparative example arranges cells and wirings on a grid-like wiring grid defined in a layout possible area according to a net list having connection information between cells and macroblocks. Perform the placement process. As a result, in FIGS. 1A and 1B, in the integrated circuit 100, the macro block 102, the logic circuit cells, and the wirings connecting them are arranged on the wiring grid.

図1(A)では、格子状に設けられた配線グリッドGR上に、第1層配線ML1、第1層配線ML1より上層の第2層配線ML2、第1層配線ML1及び第2層配線ML2を電気的に接続するビアセルVCが配置される。隣接する配線グリッドGR同士の間隔である配線グリッド間隔GD1は、製造プロセスに依存したデザインルールにより規定される。例えば、隣接するビアセルVCのエッジ間の最小ピッチm1以上となるように配線グリッド間隔GD1が規定される。第1層配線ML1は例えば垂直方向に延びる配線グリッドGR上に配置されると共に、第2層配線ML2は例えば水平方向に延びる配線グリッドGR上に配置され、ビアセルVCは、配線グリッドの格子点上に配置される。   In FIG. 1A, the first layer wiring ML1, the second layer wiring ML2 above the first layer wiring ML1, the first layer wiring ML1, and the second layer wiring ML2 are arranged on the wiring grid GR provided in a grid pattern. A via cell VC for electrically connecting the two is disposed. A wiring grid interval GD1, which is an interval between adjacent wiring grids GR, is defined by a design rule depending on the manufacturing process. For example, the wiring grid interval GD1 is defined so as to be equal to or greater than the minimum pitch m1 between the edges of adjacent via cells VC. The first layer wiring ML1 is disposed on the wiring grid GR extending in the vertical direction, for example, and the second layer wiring ML2 is disposed on the wiring grid GR extending in the horizontal direction, for example, and the via cell VC is on the lattice point of the wiring grid. Placed in.

図1(A)では、水平方向に延びる配線グリッドの間隔と、垂直方向に延びる配線グリッドの間隔とが同じであるものとして説明したが、両方向の配線グリッドの間隔が異なっていてもよい。   In FIG. 1A, it has been described that the interval between the wiring grids extending in the horizontal direction is the same as the interval between the wiring grids extending in the vertical direction, but the interval between the wiring grids in both directions may be different.

ところで、実施形態1の比較例における集積回路設計装置では、図1(A)に示すように、同じ方向に延びる隣接する配線グリッド同士の配線グリッド間隔GD1が同じである。そのため、マクロブロック102の周辺領域では、配線同士が近くに配置される。例えば、マクロブロック102がアナログマクロブロックである場合には、アナログ信号の配線とデジタル信号の配線とが、配線グリッド間隔GD1を隔てて並走するように配置されたり、交差するように配置されたりしてしまい、アナログ信号にノイズを重畳させる可能性が高くなる。   By the way, in the integrated circuit design apparatus in the comparative example of the first embodiment, as shown in FIG. 1A, the wiring grid interval GD1 between adjacent wiring grids extending in the same direction is the same. Therefore, in the peripheral area of the macro block 102, the wirings are arranged close to each other. For example, when the macro block 102 is an analog macro block, the analog signal wiring and the digital signal wiring are arranged so as to run parallel to each other with a wiring grid interval GD1 therebetween, or arranged so as to intersect with each other. As a result, the possibility of superimposing noise on the analog signal is increased.

このような配線を防止するために、マクロブロックの周辺において、例えば全体の配線グリッド間隔を大きく変更することが考えられる。ところが、一般的な自動配置配線ツールでは、セル配置配線禁止領域であっても、配線の余裕度がなくなると、その領域内において、配線グリッド間隔が大きく変更された配線グリッド上に配線を配置することがある。ただ、配線処理を簡素化するためには、セルの端子を配線グリッドの格子点上に配置することが望ましく、単純に配線グリッド間隔を変更しただけでは、セルの端子が配置できなかったり、変更後の配線グリッド上に存在しないセルの端子と変更後の配線グリッド上の配線とを接続する配線処理が複雑化したりする。   In order to prevent such wiring, it is conceivable that, for example, the entire wiring grid interval is largely changed around the macroblock. However, in a general automatic placement and routing tool, even if it is a cell placement and routing prohibition area, if the margin of wiring is lost, wiring is placed on the wiring grid in which the wiring grid interval is greatly changed in that area. Sometimes. However, in order to simplify the wiring process, it is desirable to place the cell terminals on the grid points of the wiring grid. If the wiring grid interval is simply changed, the cell terminals cannot be arranged or changed. The wiring process for connecting the terminal of the cell that does not exist on the subsequent wiring grid and the wiring on the changed wiring grid becomes complicated.

そこで、実施形態1では、局所的に配線グリッド間隔を大きくすると共に、大きくした配線グリッドに対応したセルグリッドで規定されたセルを配置することで、容易に、当該領域内の配線間のクロストークによる影響を低減させることができる。より具体的には、実施形態1では、図1(B)に示すように、配置される配線間のクロストークによる影響を低減したい領域を配線グリッド変更領域BAとして設定し、配線グリッド変更領域BA内の配線グリッド間隔GD2x、GD2y(GD2x>GD1、GD2y>GD1)となるように配線グリッド間隔を大きく変更すると共に、配線グリッド変更領域BA内で、配線グリッド間隔GD2x、GD2yに対応したセルグリッドで規定されたセルを配置する。   Therefore, in the first embodiment, the crosstalk between the wirings in the region can be easily achieved by locally increasing the wiring grid interval and arranging the cells defined by the cell grid corresponding to the enlarged wiring grid. The influence by can be reduced. More specifically, in the first embodiment, as shown in FIG. 1B, an area where the influence of crosstalk between arranged wirings is to be reduced is set as the wiring grid change area BA, and the wiring grid change area BA is set. In the wiring grid change area BA, the cell grid corresponding to the wiring grid intervals GD2x and GD2y is changed so that the wiring grid intervals GD2x and GD2y (GD2x> GD1, GD2y> GD1) Place the specified cell.

こうすることで、図1(A)では、セル配置配線禁止領域として設定された領域に配置された配線間にクロストークによる影響を及ぼしていた場合でも、配線グリッド変更領域として、複雑な配線処理を行うことなく、この領域に配線される配線間のクロストークによる影響を確実に低減できるようになる。   In this way, in FIG. 1A, even if there is an influence due to crosstalk between the wirings arranged in the area set as the cell placement and wiring prohibition area, the complicated wiring process is performed as the wiring grid change area. Thus, it is possible to reliably reduce the influence of crosstalk between wirings wired in this region.

以下では、このような処理を実現する集積回路設計装置の構成及び動作について説明する。   Hereinafter, the configuration and operation of an integrated circuit design apparatus that realizes such processing will be described.

図2に、実施形態1における集積回路設計システムの構成例のブロック図を示す。   FIG. 2 shows a block diagram of a configuration example of the integrated circuit design system according to the first exemplary embodiment.

実施形態1における集積回路設計システム10は、集積回路設計装置20と、表示装置40とを含む。集積回路設計装置20は、所与の自動配置配線アルゴリズムにより、レイアウト可能領域内に定義される格子状の配線グリッド上に、セルやマクロブロック間の接続情報を有するネットリストに従って、セルや配線を配置する処理を行う。集積回路設計装置20によるセルや配線の配置処理の結果は、表示装置40に表示される。集積回路設計装置20の機能は、パーソナルコンピュータやネットワーク端末(サーバに接続されるクライアント端末)等により実現され、表示装置40は、CRT(Cathode Ray Tube)装置や液晶表示装置等によって実現される。   The integrated circuit design system 10 according to the first embodiment includes an integrated circuit design device 20 and a display device 40. The integrated circuit design apparatus 20 performs cell and wiring on a grid-like wiring grid defined in the layout possible area according to a net list having connection information between cells and macroblocks by a given automatic placement and routing algorithm. Perform the placement process. The result of the cell and wiring arrangement processing by the integrated circuit design device 20 is displayed on the display device 40. The function of the integrated circuit design device 20 is realized by a personal computer, a network terminal (client terminal connected to a server), or the like, and the display device 40 is realized by a CRT (Cathode Ray Tube) device, a liquid crystal display device, or the like.

集積回路設計装置20は、ネットリスト記憶部22、配線グリッド変更領域設定部24、配線グリッド変更処理部26、セル情報記憶部28、配置配線処理部30を含む。ネットリスト記憶部22は、ネットリストを記憶する。集積回路設計装置20は、このネットリストに基づいて、セルや配線を配置する処理を行う。   The integrated circuit design device 20 includes a net list storage unit 22, a wiring grid change area setting unit 24, a wiring grid change processing unit 26, a cell information storage unit 28, and a placement and routing processing unit 30. The net list storage unit 22 stores a net list. The integrated circuit design device 20 performs processing for arranging cells and wirings based on the net list.

配線グリッド変更領域設定部24は、レイアウト可能領域内の所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する。配線グリッド変更領域では、領域内のセル配置の優先度が他の領域のセル配置の優先度より低く設定されることが望ましい。この配線グリッド変更領域は、配置される配線間のクロストークによる影響を低減したい領域に設定されることが望ましい。   The wiring grid change area setting unit 24 sets a given area in the layout possible area as the wiring grid change area. In the wiring grid change area, it is desirable that the priority of cell arrangement in the area is set lower than the priority of cell arrangement in other areas. This wiring grid changing area is desirably set to an area where it is desired to reduce the influence of crosstalk between arranged wirings.

配線グリッド変更処理部26は、格子状に設けられた配線グリッドの間隔を変更する処理を行う。即ち、配線グリッド変更処理部26は、配線グリッド変更領域として設定される配線グリッド変更領域内において、互いに交差する第1及び第2の方向の少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドの間隔を変更する。このとき、配線グリッド変更処理部26は、配線グリッド変更領域内の配線グリッドの間隔をより大きく変更する。即ち、配線グリッド変更処理部26による変更処理前の第1の配線グリッド間隔GD1が、変更処理により第2の配線グリッド間隔GD2(GD2>GD1)となる。   The wiring grid change processing unit 26 performs a process of changing the interval between the wiring grids provided in a lattice shape. That is, the wiring grid change processing unit 26 changes the interval between the wiring grids extending in at least one of the first and second directions intersecting each other in the wiring grid changing area set as the wiring grid changing area. At this time, the wiring grid change processing unit 26 changes the interval between the wiring grids in the wiring grid change area more greatly. That is, the first wiring grid interval GD1 before the changing process by the wiring grid changing processing unit 26 becomes the second wiring grid interval GD2 (GD2> GD1) by the changing process.

セル情報記憶部28は、複数のセル情報を記憶する。ここでセル情報は、セル毎に、セルの形状、端子数、端子位置等のセルや配線の配置に必要な情報を有する。各セルは、各セル内で定義されるセルグリッドを基準に、セル内のレイアウトの形状が指定される。セル情報記憶部28は、同一機能を有する複数のセルの構成それぞれについて、複数種類のセルグリッド間隔のそれぞれについて、セル情報を記憶する。例えば、インバータ回路に対応するセルについて、セル情報記憶部28には、第1のセルグリッド間隔で規定されたセルのセル情報と、第2のセルグリッド間隔で規定されたセルのセル情報とが記憶される。第1のセルグリッド間隔は第1の配線グリッド間隔(変更処理前の配線グリッド間隔)に対応するセルグリッド間隔であり、第2のセルグリッド間隔(変更処理後の配線グリッド間隔)は第2の配線グリッド間隔に対応するセルグリッド間隔である。   The cell information storage unit 28 stores a plurality of cell information. Here, the cell information includes information necessary for the arrangement of cells and wirings such as the shape of the cell, the number of terminals, and the terminal position for each cell. Each cell is designated with a layout shape in the cell with reference to a cell grid defined in each cell. The cell information storage unit 28 stores cell information for each of a plurality of types of cell grid intervals for each of a plurality of cell configurations having the same function. For example, for a cell corresponding to an inverter circuit, the cell information storage unit 28 includes cell information of a cell specified by a first cell grid interval and cell information of a cell specified by a second cell grid interval. Remembered. The first cell grid interval is a cell grid interval corresponding to the first wiring grid interval (wiring grid interval before change processing), and the second cell grid interval (wiring grid interval after change processing) is the second interval. This is the cell grid interval corresponding to the wiring grid interval.

配置配線処理部30は、ネットリスト記憶部22に記憶されたネットリストに基づいて、配線グリッドの格子点上にその端子が配置されるようにセルを配置すると共に、配線グリッド上に配線を配置する。   Based on the net list stored in the net list storage unit 22, the placement / wiring processing unit 30 arranges cells so that the terminals are arranged on the grid points of the wiring grid, and arranges wirings on the wiring grid. To do.

図3に、図2の配線グリッド変更処理部26の動作説明図を示す。図3では、集積回路100がスタンダードセルにより構成されるものとし、各セルのP型(例えば第1導電型)アクティブ領域PA及びN型(例えば第2導電型)アクティブ領域NAのみを模式的に表している。   FIG. 3 is an operation explanatory diagram of the wiring grid change processing unit 26 of FIG. In FIG. 3, it is assumed that the integrated circuit 100 is composed of standard cells, and only the P-type (for example, first conductivity type) active area PA and the N-type (for example, second conductivity type) active area NA of each cell are schematically illustrated. Represents.

配線グリッド変更領域設定部24により設定される配線グリッド変更領域内では、配線グリッド変更処理部26は、互いに交差する第1及び第2の方向の少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドの間隔を変更することができる。   In the wiring grid change area set by the wiring grid change area setting unit 24, the wiring grid change processing unit 26 changes the interval between the wiring grids extending in at least one of the first and second directions intersecting each other. be able to.

図3に示すように各セルには、P型アクティブ領域PA及びN型アクティブ領域NAが配置されている。集積回路100では、セルC10〜C13のように、所与の方向の全セルの同一導電型のアクティブ領域が隣接して配置される。この全セルの同一導電型のアクティブ領域が隣接して配置されるアクティブ領域連続配置方向をX方向とする。このX方向と交差するY方向には、セルC10、C20のように、P型アクティブ領域PA及びN型アクティブ領域NAが交互に並ぶ場合や、セルC13、C24のように、ミラー配置によってP型アクティブ領域PA及びN型アクティブ領域NAの一方が隣接して並ぶ場合がある。   As shown in FIG. 3, a P-type active area PA and an N-type active area NA are arranged in each cell. In the integrated circuit 100, like the cells C10 to C13, active regions of the same conductivity type of all the cells in a given direction are arranged adjacent to each other. The active region continuous arrangement direction in which active regions of the same conductivity type of all the cells are arranged adjacent to each other is defined as an X direction. In the Y direction intersecting with the X direction, when the P-type active areas PA and N-type active areas NA are alternately arranged as in the cells C10 and C20, or in the mirror arrangement as in the cells C13 and C24, the P-type is activated. One of the active area PA and the N-type active area NA may be arranged adjacent to each other.

このように、配線グリッド変更処理部26は、配線グリッド変更領域内において、図3のように定義されるX方向及びY方向の少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドの間隔を変更することができる。これにより、より大きく変更した配線グリッド間隔に対応したセルグリッド間隔で定義されるセルの生成が簡単になり、配線グリッド変更領域における配線処理も簡素化される。   As described above, the wiring grid change processing unit 26 can change the interval between the wiring grids extending in at least one of the X direction and the Y direction defined as shown in FIG. 3 in the wiring grid changing region. This simplifies the generation of the cells defined by the cell grid interval corresponding to the wiring grid interval that has been changed greatly, and simplifies the wiring process in the wiring grid change region.

図4に、図2の配置配線処理部30の動作説明図を模式的に示す。   FIG. 4 schematically shows an operation explanatory diagram of the placement and routing processing unit 30 of FIG.

図4では、配線グリッド間隔yd1でX方向(第1の方向)に延びる配線グリッドと、配線グリッド間隔xd1でY方向(第2の方向)に延びる配線グリッドとが、格子状に設けられている。即ち、X方向に延びる配線グリッドと、X方向と交差するY方向に延びる配線グリッドとが設けられている。   In FIG. 4, a wiring grid extending in the X direction (first direction) at the wiring grid interval yd1 and a wiring grid extending in the Y direction (second direction) at the wiring grid interval xd1 are provided in a grid pattern. . That is, a wiring grid extending in the X direction and a wiring grid extending in the Y direction intersecting the X direction are provided.

配置配線処理部30は、所与の形状を有するセルCLの端子XC1を、配線グリッドの所与の格子点上に配置する。また、配置配線処理部30は、所与の配線グリッド上に配線CN1を配置する。   The placement and routing processing unit 30 places the terminal XC1 of the cell CL having a given shape on a given grid point of the wiring grid. In addition, the placement and wiring processing unit 30 places the wiring CN1 on a given wiring grid.

従って、配線グリッド変更領域外では、変更処理前の配線グリッドの格子点上にその端子が配置されるようにセルが配置されると共に、変更処理前の配線グリッド上に配線が配置される。そして、配線グリッド変更領域内では、配線グリッド変更処理部26によりその間隔が変更された配線グリッドの格子点上にその端子が配置されると共に、変更処理後の配線グリッド上に配線が配置される。このとき、配線グリッド変更処理部26により変更された配線グリッドの間隔(第2の配線グリッド間隔)に対応したセルグリッドを基準にその構成が指定されたセル(第2のセルグリッド間隔で指定されたセル)が、変更処理後の配線グリッドの格子点上に配置される。   Therefore, outside the wiring grid change area, the cells are arranged so that the terminals are arranged on the grid points of the wiring grid before the change processing, and the wiring is arranged on the wiring grid before the change processing. In the wiring grid change area, the terminals are arranged on the grid points of the wiring grid whose intervals are changed by the wiring grid change processing unit 26, and the wiring is arranged on the wiring grid after the change processing. . At this time, a cell (designated by the second cell grid interval) whose configuration is designated on the basis of the cell grid corresponding to the wiring grid interval (second wiring grid interval) changed by the wiring grid change processing unit 26. Are arranged on the grid points of the wiring grid after the change processing.

図5に、図2のセル情報記憶部28が記憶するセル情報の概要を示す。   FIG. 5 shows an outline of cell information stored in the cell information storage unit 28 of FIG.

セル情報記憶部28は、同一機能のセルに対し、互いに異なるセルグリッド間隔で規定された複数種類のセル情報を記憶する。例えば、同じ機能を有するインバータ回路に対し、2種類のセルグリッド間隔で規定されたインバータ回路INV−1、INV−2のセル情報が、セル情報記憶部28に記憶される。インバータ回路INV−1のセルは、例えば第1の配線グリッド間隔GD1に対応する第1のセルグリッド間隔cg1で規定されたセルである。インバータ回路INV−2のセルは、例えば第2の配線グリッド間隔DG2に対応する第2のセルグリッド間隔cg2(cg2>cg1)で規定されたセルである。   The cell information storage unit 28 stores a plurality of types of cell information defined at different cell grid intervals for cells having the same function. For example, the cell information storage unit 28 stores the cell information of the inverter circuits INV-1 and INV-2 defined by two types of cell grid intervals for the inverter circuit having the same function. The cell of the inverter circuit INV-1 is a cell defined by a first cell grid interval cg1 corresponding to the first wiring grid interval GD1, for example. The cell of the inverter circuit INV-2 is a cell defined by, for example, a second cell grid interval cg2 (cg2> cg1) corresponding to the second wiring grid interval DG2.

図2の配線グリッド変更処理部26が、X方向及びY方向に設けられる配線グリッドの(図4参照)うちX方向の配線グリッド間隔のみを大きくする変更を行う場合、セル情報記憶部28には、元のセルグリッド間隔で規定されたセルのセル情報と、元のセルグリッド間隔に対してX方向のみ大きくしたセルグリッド間隔で規定されたセルのセル情報とが記憶される。そして、配置配線処理部30は、セル情報記憶部28からX方向のみセルグリッド間隔を大きくしたセルのセル情報を読み出し、該セルを配線グリッド変更領域内の配線グリッド上に配置し、該配線グリッド上に配置された配線と接続する処理を行う。   When the wiring grid change processing unit 26 in FIG. 2 performs a change to increase only the wiring grid interval in the X direction among the wiring grids provided in the X direction and the Y direction (see FIG. 4), the cell information storage unit 28 The cell information of the cell defined by the original cell grid interval and the cell information of the cell defined by the cell grid interval which is larger only in the X direction than the original cell grid interval are stored. Then, the placement and routing processing unit 30 reads out cell information of a cell whose cell grid interval is increased only in the X direction from the cell information storage unit 28, places the cell on the wiring grid in the wiring grid change area, and the wiring grid. A process of connecting to the wiring arranged above is performed.

図6(A)、図6(B)に、X方向の配線グリッド間隔のみを大きく変更した場合のセル情報記憶部28が記憶するセル情報の説明図を示す。図6(A)は、インバータ回路INV−1のセル情報の説明図を表す。図6(B)は、インバータ回路INV−2のセル情報の説明図を表す。図6(B)では、図6(A)と同様の部分には同様の部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。   6A and 6B are explanatory diagrams of cell information stored in the cell information storage unit 28 when only the wiring grid interval in the X direction is greatly changed. FIG. 6A shows an explanatory diagram of cell information of the inverter circuit INV-1. FIG. 6B shows an explanatory diagram of cell information of the inverter circuit INV-2. In FIG. 6B, the same portions as those in FIG. 6A are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

インバータ回路INV−1は、X方向及びY方向に延び、セルグリッド間隔cg1で格子状に設けられるセルグリッドを基準に、そのレイアウト形状が規定されている。即ち、インバータ回路INV−1には、高電位側電源電圧VDDが印加される配線層M1、低電位側電源電圧VSSが印加される配線層M2、P型のチャネル領域が形成されるP型アクティブ領域PA、N型のチャネル領域が形成されるN型アクティブ領域NAが設けられる。配線層M1とP型アクティブ領域PAとは、そのソース領域においてビアセルVC1により電気的に接続される。配線層M2とN型アクティブ領域NAとは、そのソース領域においてビアセルVC2により電気的に接続される。また、インバータ回路INV−1には、ポリシリコン層PLが、P型アクティブ領域PAとN型アクティブ領域NAとの上層に(絶縁膜を介して)設けられ、このポリシリコン層PLには、セルグリッドの格子点上に配置される入力端子Aが設けられる。P型アクティブ領域PAのうちドレイン領域となる領域とN型アクティブ領域NAのうちドレイン領域となる領域には、ビアセルVC3、VC4を介して配線層M3が設けられて電気的に接続される。この配線層M3には、セルグリッドの格子点上に配置される出力端子Xが設けられる。   The inverter circuit INV-1 extends in the X direction and the Y direction, and its layout shape is defined with reference to a cell grid provided in a lattice shape with a cell grid interval cg1. That is, in the inverter circuit INV-1, a wiring layer M1 to which the high potential side power supply voltage VDD is applied, a wiring layer M2 to which the low potential side power supply voltage VSS is applied, and a P type active region in which a P type channel region is formed. A region PA and an N-type active region NA in which an N-type channel region is formed are provided. Wiring layer M1 and P-type active area PA are electrically connected by via cell VC1 in the source area. The wiring layer M2 and the N-type active area NA are electrically connected by a via cell VC2 in the source area. In addition, in the inverter circuit INV-1, a polysilicon layer PL is provided above the P-type active area PA and the N-type active area NA (via an insulating film). An input terminal A arranged on the grid point of the grid is provided. A wiring layer M3 is provided and electrically connected to a region serving as a drain region in the P-type active region PA and a region serving as a drain region in the N-type active region NA via via cells VC3 and VC4. The wiring layer M3 is provided with an output terminal X arranged on the lattice point of the cell grid.

インバータ回路INV−1のセル情報は、上記の図6(A)に示す形状が、セルグリッド間隔、セルグリッド座標系の座標位置等により指定される情報である。   The cell information of the inverter circuit INV-1 is information in which the shape shown in FIG. 6A is specified by the cell grid interval, the coordinate position of the cell grid coordinate system, and the like.

これに対して、インバータ回路INV−2は、X方向に延びセルグリッド間隔cg1で設けられるセルグリッドCGを基準に、又はY方向に延びセルグリッド間隔cg2で設けられるセルグリッドCGを基準に、そのレイアウト形状が規定されている。即ち、インバータ回路INV−2は、Y方向の長さはインバータ回路INV−1と同じで、X方向の長さが長くなっている。そのため、インバータ回路INV−2は、インバータ回路INV−1に比べて、X方向に長さd1だけ長い形状を有する。その一方で、インバータ回路INV−2では、配線グリッド変更処理部26がより大きく変更する配線グリッド間隔に対応したセルグリッドの格子点上に、入力端子A及び出力端子Xが配置される。   On the other hand, the inverter circuit INV-2 is based on the cell grid CG extending in the X direction and provided at the cell grid interval cg1, or on the basis of the cell grid CG extending in the Y direction and provided at the cell grid interval cg2. The layout shape is specified. That is, the inverter circuit INV-2 has the same length in the Y direction as the inverter circuit INV-1, and the length in the X direction is longer. Therefore, the inverter circuit INV-2 has a shape that is longer by a length d1 in the X direction than the inverter circuit INV-1. On the other hand, in the inverter circuit INV-2, the input terminal A and the output terminal X are arranged on the grid points of the cell grid corresponding to the wiring grid interval that the wiring grid change processing unit 26 changes more greatly.

インバータ回路INV−2のセル情報は、上記の図6(B)に示す形状が、セルグリッド間隔、セルグリッド座標系の座標位置等により指定される情報である。   The cell information of the inverter circuit INV-2 is information in which the shape shown in FIG. 6B is specified by the cell grid interval, the coordinate position of the cell grid coordinate system, and the like.

これにより、隣接する配線間のクロストークによる影響を受けやすい領域内で、配線グリッド間隔を大きくできるようになるので、この領域内で、隣接する配線間のクロストークによる影響を低減できるようになる。しかも、大きくした配線グリッド間隔に対応したセルグリッド間隔で定義されたセルを、この領域内で配置できるようになるため、複雑な配線処理を行う必要がなくなる。   As a result, the wiring grid interval can be increased in a region that is easily affected by crosstalk between adjacent wirings, so that the influence of crosstalk between adjacent wirings can be reduced in this region. . In addition, since the cells defined by the cell grid interval corresponding to the increased wiring grid interval can be arranged in this region, it is not necessary to perform complicated wiring processing.

また、図2の配線グリッド変更処理部26が、X方向及びY方向に設けられる配線グリッドのうちY方向の配線グリッド間隔のみを大きくする変更を行う場合、セル情報記憶部28には、元のセルグリッド間隔で規定されたセルのセル情報と、元のセルグリッド間隔に対してY方向のみ大きくしたセルグリッド間隔で規定されたセルのセル情報とが記憶される。そして、配置配線処理部30は、セル情報記憶部28からY方向のみセルグリッド間隔を小さくしたセルのセル情報を読み出し、該セルを配線グリッド変更領域内の配線グリッド上に配置し、該配線グリッド上に配置された配線と接続する処理を行う。   Further, when the wiring grid change processing unit 26 in FIG. 2 performs a change to increase only the wiring grid interval in the Y direction among the wiring grids provided in the X direction and the Y direction, the cell information storage unit 28 stores the original information. The cell information of the cell defined by the cell grid interval and the cell information of the cell defined by the cell grid interval which is increased only in the Y direction with respect to the original cell grid interval are stored. Then, the placement and wiring processing unit 30 reads out cell information of the cell with the cell grid interval reduced only in the Y direction from the cell information storage unit 28, places the cell on the wiring grid in the wiring grid change area, and the wiring grid. A process of connecting to the wiring arranged above is performed.

図7(A)、図7(B)に、Y方向の配線グリッド間隔のみを大きく変更した場合のセル情報記憶部28が記憶するセル情報の説明図を示す。図7(A)は、インバータ回路INV−1のセル情報の説明図を表す。図7(B)は、インバータ回路INV−2のセル情報の説明図を表す。図7(A)では、図6(A)と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。図7(B)では、図7(A)と同様の部分には同様の部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。   7A and 7B are explanatory diagrams of cell information stored in the cell information storage unit 28 when only the wiring grid interval in the Y direction is significantly changed. FIG. 7A shows an explanatory diagram of cell information of the inverter circuit INV-1. FIG. 7B is an explanatory diagram of cell information of the inverter circuit INV-2. 7A, the same portions as those in FIG. 6A are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. In FIG. 7B, the same portions as those in FIG. 7A are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

インバータ回路INV−1は、X方向及びY方向に延び、セルグリッド間隔cg1で格子状に設けられるセルグリッドを基準に、そのレイアウト形状が指定されている。図7(A)に示すインバータ回路INV−1は、図6(A)に示すインバータ回路INV−1と同一形状を有している。インバータ回路INV−1のセル情報は、上記の図7(A)に示す形状が、セルグリッド間隔、セルグリッド座標系の座標位置等により指定される情報である。   The layout of the inverter circuit INV-1 is specified with reference to a cell grid that extends in the X direction and the Y direction and is provided in a grid pattern with a cell grid interval cg1. The inverter circuit INV-1 illustrated in FIG. 7A has the same shape as the inverter circuit INV-1 illustrated in FIG. The cell information of the inverter circuit INV-1 is information in which the shape shown in FIG. 7A is specified by the cell grid interval, the coordinate position of the cell grid coordinate system, and the like.

これに対して、インバータ回路INV−2は、X方向に延びセルグリッド間隔cg3で設けられるセルグリッドCGを基準に、又はY方向に延びセルグリッド間隔cg1で設けられるセルグリッドCGを基準に、そのレイアウト形状が指定されている。ここで、インバータ回路INV−2は、X方向の長さはインバータ回路INV−1と同じであるが、Y方向の長さをインバータ回路INV−1と同じにして、セルの配置処理を簡素化している。その一方で、インバータ回路INV−2では、配線グリッド変更処理部26がより大きく変更する配線グリッド間隔に対応したセルグリッドの格子点上に、入力端子A及び出力端子Xが配置される。   On the other hand, the inverter circuit INV-2 is based on the cell grid CG extending in the X direction and provided with the cell grid interval cg3, or on the basis of the cell grid CG extending in the Y direction and provided with the cell grid interval cg1. A layout shape is specified. Here, although the length in the X direction of the inverter circuit INV-2 is the same as that of the inverter circuit INV-1, the length in the Y direction is the same as that of the inverter circuit INV-1, thereby simplifying the cell arrangement process. ing. On the other hand, in the inverter circuit INV-2, the input terminal A and the output terminal X are arranged on the grid points of the cell grid corresponding to the wiring grid interval that the wiring grid change processing unit 26 changes more greatly.

インバータ回路INV−2のセル情報は、上記の図7(B)に示す形状が、セルグリッド間隔、セルグリッド座標系の座標位置等により指定される情報である。   The cell information of the inverter circuit INV-2 is information in which the shape shown in FIG. 7B is specified by the cell grid interval, the coordinate position of the cell grid coordinate system, and the like.

これにより、隣接する配線間のクロストークによる影響を受けやすい領域内で、配線グリッド間隔を大きくできるようになるので、この領域内で、隣接する配線間のクロストークによる影響を低減できるようになる。しかも、大きくした配線グリッド間隔に対応したセルグリッド間隔で定義されたセルを、この領域内で配置できるようになるため、複雑な配線処理を行う必要がなくなる。   As a result, the wiring grid interval can be increased in a region that is easily affected by crosstalk between adjacent wirings, so that the influence of crosstalk between adjacent wirings can be reduced in this region. . In addition, since the cells defined by the cell grid interval corresponding to the increased wiring grid interval can be arranged in this region, it is not necessary to perform complicated wiring processing.

また、図2の配線グリッド変更処理部26が、X方向の配線グリッド間隔及びY方向の配線グリッド間隔を大きくする変更を行う場合、セル情報記憶部28には、元のセルグリッド間隔で規定されたセルのセル情報と、元のセルグリッド間隔に対してX方向及びY方向に大きくしたセルグリッド間隔で規定されたセルのセル情報とが記憶される。そして、配置配線処理部30は、セル情報記憶部28からX方向及びY方向にセルグリッド間隔を大きくしたセルのセル情報を読み出し、該セルを配線グリッド変更領域内の配線グリッド上に配置し、該配線グリッド上に配置された配線と接続する処理を行う。   Further, when the wiring grid change processing unit 26 in FIG. 2 performs a change to increase the wiring grid interval in the X direction and the wiring grid interval in the Y direction, the cell information storage unit 28 defines the original cell grid interval. The cell information of the cell and the cell information of the cell defined by the cell grid interval that is larger in the X direction and the Y direction than the original cell grid interval are stored. Then, the placement and wiring processing unit 30 reads the cell information of the cell with the cell grid interval increased in the X direction and the Y direction from the cell information storage unit 28, arranges the cell on the wiring grid in the wiring grid change area, A process of connecting to the wiring arranged on the wiring grid is performed.

図8(A)、図8(B)に、X方向及びY方向に配線グリッド間隔を大きく変更した場合のセル情報記憶部28が記憶するセル情報の説明図を示す。図8(A)は、インバータ回路INV−1のセル情報の説明図を表す。図8(B)は、インバータ回路INV−2のセル情報の説明図を表す。図8(A)では、図6(A)と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。図8(B)では、図8(A)と同様の部分には同様の部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。   8A and 8B are explanatory diagrams of cell information stored in the cell information storage unit 28 when the wiring grid interval is greatly changed in the X direction and the Y direction. FIG. 8A shows an explanatory diagram of cell information of the inverter circuit INV-1. FIG. 8B shows an explanatory diagram of cell information of the inverter circuit INV-2. In FIG. 8A, the same portions as those in FIG. 6A are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. In FIG. 8B, the same portions as those in FIG. 8A are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

インバータ回路INV−1は、X方向及びY方向に延び、セルグリッド間隔cg1で格子状に設けられるセルグリッド上に、そのレイアウト形状が指定されている。図8(A)に示すインバータ回路INV−1は、図6(A)に示すインバータ回路INV−1と同一形状を有している。インバータ回路INV−1のセル情報は、上記の図8(A)に示す形状が、セルグリッド間隔、セルグリッド座標系の座標位置等により指定される情報である。   The inverter circuit INV-1 extends in the X direction and the Y direction, and its layout shape is specified on a cell grid provided in a lattice shape with a cell grid interval cg1. The inverter circuit INV-1 illustrated in FIG. 8A has the same shape as the inverter circuit INV-1 illustrated in FIG. The cell information of the inverter circuit INV-1 is information in which the shape shown in FIG. 8A is specified by the cell grid interval, the coordinate position of the cell grid coordinate system, and the like.

これに対して、インバータ回路INV−2は、X方向に延びセルグリッド間隔cg3で設けられるセルグリッドCGを基準に、又はY方向に延びセルグリッド間隔cg2で設けられるセルグリッドCGを基準に、そのレイアウト形状が指定されている。ここで、インバータ回路INV−2は、インバータ回路INV−1に比べて、X方向に長さd1だけ長い形状を有し、Y方向の長さをインバータ回路INV−1と同じにして、セルの配置処理を簡素化している。その一方で、インバータ回路INV−2では、配線グリッド変更処理部26がより大きく変更する配線グリッド間隔に対応したセルグリッドの格子点上に、入力端子A及び出力端子Xが配置される。   On the other hand, the inverter circuit INV-2 is based on the cell grid CG extending in the X direction and provided with the cell grid interval cg3, or on the basis of the cell grid CG extending in the Y direction and provided with the cell grid interval cg2. A layout shape is specified. Here, the inverter circuit INV-2 has a shape that is longer by a length d1 in the X direction than the inverter circuit INV-1, and the length in the Y direction is the same as that of the inverter circuit INV-1. The arrangement process is simplified. On the other hand, in the inverter circuit INV-2, the input terminal A and the output terminal X are arranged on the grid points of the cell grid corresponding to the wiring grid interval that the wiring grid change processing unit 26 changes more greatly.

インバータ回路INV−2のセル情報は、上記の図8(B)に示す形状が、セルグリッド間隔、セルグリッド座標系の座標位置等により指定される情報である。   The cell information of the inverter circuit INV-2 is information in which the shape shown in FIG. 8B is specified by the cell grid interval, the coordinate position of the cell grid coordinate system, and the like.

これにより、隣接する配線間のクロストークによる影響を受けやすい領域内で、配線グリッド間隔を大きくできるようになるので、この領域内で、隣接する配線間のクロストークによる影響を低減できるようになる。しかも、大きくした配線グリッド間隔に対応したセルグリッド間隔で定義されたセルを、この領域内で配置できるようになるため、複雑な配線処理を行う必要がなくなる。   As a result, the wiring grid interval can be increased in a region that is easily affected by crosstalk between adjacent wirings, so that the influence of crosstalk between adjacent wirings can be reduced in this region. . In addition, since the cells defined by the cell grid interval corresponding to the increased wiring grid interval can be arranged in this region, it is not necessary to perform complicated wiring processing.

以上のように、実施形態1における集積回路設計装置20は、同一機能を有するセルの構成を互いに異なるセルグリッド間隔で指定する複数のセルの情報を記憶するセル情報記憶部28と、所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する配線グリッド変更領域設定部24と、配線グリッド変更領域設定部24によって配線グリッド変更領域として設定された領域内の配線グリッドの間隔をより大きく変更する配線グリッド変更処理部26と、配線グリッド変更領域として設定された領域内において、配線グリッド変更処理部26によりその間隔が変更された配線グリッドに所与の配線とセルとを配置する配置配線処理部30とを含む。そして、配置配線処理部30が、セル情報記憶部28に記憶されたセルの配置情報に基づいて、配線グリッド変更処理部26により変更された配線グリッドの間隔に対応したセルグリッド間隔でその構成が指定されたセルを、配線グリッド変更処理部26によりその間隔が変更された配線グリッドに配置することができる。   As described above, the integrated circuit design device 20 according to the first exemplary embodiment includes the cell information storage unit 28 that stores information on a plurality of cells that specify the configuration of cells having the same function at different cell grid intervals, A wiring grid change area setting unit 24 that sets an area as a wiring grid change area, and a wiring grid change process that changes the interval between wiring grids in the area set as the wiring grid change area by the wiring grid change area setting unit 24 And an arrangement wiring processing unit 30 that arranges a given wiring and cell in the wiring grid whose interval is changed by the wiring grid change processing unit 26 in the area set as the wiring grid change area. . Then, the arrangement and wiring processing unit 30 is configured with the cell grid interval corresponding to the interval of the wiring grid changed by the wiring grid change processing unit 26 based on the cell arrangement information stored in the cell information storage unit 28. The designated cell can be arranged on the wiring grid whose interval is changed by the wiring grid change processing unit 26.

ところで、実施形態1では、レイアウト可能領域内で、局所的に1又は複数の配線グリッド変更領域を設定することが望ましく、例えば以下のような領域に実施形態1の配線グリッド変更領域を設定することが望ましい。   By the way, in the first embodiment, it is desirable to locally set one or a plurality of wiring grid change areas in the layout possible area. For example, the wiring grid change area of the first embodiment is set in the following areas. Is desirable.

図9に、実施形態1における配線グリッド変更領域の例を示す。図9は、実施形態1の集積回路設計装置20において自動配置配線によりセル及び配線が配置される集積回路100のフロアプランの一例を模式的に表す。   FIG. 9 shows an example of the wiring grid change area in the first embodiment. FIG. 9 schematically illustrates an example of a floor plan of the integrated circuit 100 in which cells and wirings are arranged by automatic placement and routing in the integrated circuit design device 20 of the first exemplary embodiment.

集積回路100は、矩形状のレイアウト可能領域LAの各辺に隣接して、一定の幅のI/Oセル領域IA1〜IA4が設けられる。各I/Oセル領域には、チップの縁部に沿って、パッドと該パッドに対応するI/Oセルとが配置される。このパッドが、ICパッケージの端子とボンディングワイヤを介して電気的に接続される。   In the integrated circuit 100, I / O cell areas IA1 to IA4 having a certain width are provided adjacent to each side of the rectangular layout available area LA. In each I / O cell region, a pad and an I / O cell corresponding to the pad are arranged along the edge of the chip. This pad is electrically connected to a terminal of the IC package via a bonding wire.

集積回路設計装置20によるセル及び配線の自動配置配線は、レイアウト可能領域LAにおいて行われる。図9では、レイアウト可能領域LAに、マクロブロックMB1〜MB3が配置されているものとする。マクロブロックMB1〜MB3は、それぞれアナログ回路(例えば発振回路、電源回路、RAM、A/D変換器、D/A変換器等)を有するアナログマクロブロックであり、実施形態1における集積回路設計装置20によるセル及び配線の配置処理の前に、予めアナログマクロブロックに入力又は出力されるアナログ信号を伝送する信号線がフィジカルレイアウトで配置されている。   Automatic placement and routing of cells and wirings by the integrated circuit design apparatus 20 is performed in the layout possible area LA. In FIG. 9, it is assumed that macroblocks MB1 to MB3 are arranged in the layout available area LA. The macro blocks MB1 to MB3 are analog macro blocks each having an analog circuit (for example, an oscillation circuit, a power supply circuit, a RAM, an A / D converter, a D / A converter, etc.), and the integrated circuit design apparatus 20 according to the first embodiment. Before the cell and wiring arrangement process according to, signal lines for transmitting analog signals input or output to analog macroblocks in advance are arranged in a physical layout.

実施形態1では、図9に示すように、アナログマクロブロックの周辺領域を、配線グリッド変更領域として設定することが望ましい。図9では、マクロブロックMB1〜MB3の各マクロブロックの周辺領域MC1〜MC3が、配線グリッド変更領域として設定される。   In the first embodiment, as shown in FIG. 9, it is desirable to set the peripheral area of the analog macro block as a wiring grid change area. In FIG. 9, the peripheral areas MC1 to MC3 of the macroblocks of the macroblocks MB1 to MB3 are set as the wiring grid change area.

図10に、アナログマクロブロックの周辺領域に設定される配線グリッド変更領域の説明図を示す。図10は、領域MC3の説明図を表す。図10において、図9と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。   FIG. 10 is an explanatory diagram of the wiring grid change area set in the peripheral area of the analog macroblock. FIG. 10 is an explanatory diagram of the region MC3. 10, the same parts as those in FIG. 9 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

ここで、マクロブロックMB3が、X方向の長さがD1、Y方向の長さがD2である矩形の形状を有しているものとする。このとき、配線グリッド変更領域としての領域MC3は、マクロブロックMB3の周囲に所与の長さだけ外側に設けられる領域である。より具体的には、マクロブロックMB3のエッジから長さW1だけ外側に均等に設けられる領域が、配線グリッド変更領域として設定される。従って、図10の配線グリッド変更領域としての領域MC3では、セルの配置の優先順位が下げられると共に、他の領域と比較して配線グリッド間隔が大きくなるように変更される。   Here, it is assumed that the macroblock MB3 has a rectangular shape in which the length in the X direction is D1 and the length in the Y direction is D2. At this time, the area MC3 as the wiring grid change area is an area provided outside the macro block MB3 by a given length. More specifically, an area that is evenly provided on the outside by the length W1 from the edge of the macroblock MB3 is set as the wiring grid change area. Therefore, in the area MC3 as the wiring grid change area in FIG. 10, the priority of the cell arrangement is lowered and the wiring grid interval is changed to be larger than that in the other areas.

これにより、図9に示すように、配線グリッド変更領域MC3に、デジタル信号の配線CNDが配置されたとしても、予めマクロブロックMB3に入力又は出力されるアナログ信号の配線CNAと離れて配置されるため、配線CNAへのクロストークによる影響を低減できるようになる。   As a result, as shown in FIG. 9, even if the digital signal wiring CND is arranged in the wiring grid changing area MC3, the digital signal wiring CND is arranged away from the analog signal wiring CNA input or output to the macroblock MB3 in advance. Therefore, it is possible to reduce the influence of crosstalk on the wiring CNA.

以上のような集積回路設計装置20の機能は、ハードウェアにより実現されてもよいし、ソフトウェアにより実現されてもよい。以下では、集積回路設計装置20の機能が、ソフトウェア処理により実現されるものとする。   The functions of the integrated circuit design apparatus 20 as described above may be realized by hardware or may be realized by software. In the following, it is assumed that the function of the integrated circuit design device 20 is realized by software processing.

図11に、図2の集積回路設計装置20のハードウェア構成例のブロック図を示す。   FIG. 11 shows a block diagram of a hardware configuration example of the integrated circuit design device 20 of FIG.

集積回路設計装置20は、CPU50、I/F回路52、読み出し専用メモリ(Read Only Memory:ROM)54、ランダムアクセスメモリ(Random Access Memory:RAM)56、バス58を有し、バス58を介して、CPU50、I/F回路52、ROM54、RAM56は電気的に接続されている。   The integrated circuit design apparatus 20 includes a CPU 50, an I / F circuit 52, a read only memory (ROM) 54, a random access memory (RAM) 56, and a bus 58. The CPU 50, the I / F circuit 52, the ROM 54, and the RAM 56 are electrically connected.

例えばROM54又はRAM56には、集積回路設計装置20の機能を実現するプログラムが記憶される。CPU50は、ROM54又はRAM56に記憶されたプログラムを読み出し、該プログラムに対応した処理を実行することで、上述の集積回路設計装置20の機能をソフトウェア処理で実現できる。即ち、ROM54又はRAM56に記憶されたプログラムを読み込んで該プログラムに対応した処理を行うCPU50により、図2の集積回路設計装置20の各部の機能が実現される。   For example, the ROM 54 or the RAM 56 stores a program that realizes the function of the integrated circuit design apparatus 20. The CPU 50 can implement the functions of the integrated circuit design apparatus 20 described above by software processing by reading a program stored in the ROM 54 or the RAM 56 and executing processing corresponding to the program. That is, the function of each unit of the integrated circuit design device 20 of FIG. 2 is realized by the CPU 50 that reads a program stored in the ROM 54 or the RAM 56 and performs processing corresponding to the program.

なお、RAM56は、CPU50による処理の作業領域として用いられたり、I/F回路52やROM54のバッファ領域として用いられたりする。I/F回路52は、図2の表示装置40への出力インタフェース処理(表示処理、表示駆動処理)や、図示しない入力インタフェースからの配線グリッド変更領域を指定する信号の入力インタフェース処理等を行う。   The RAM 56 is used as a work area for processing by the CPU 50 or used as a buffer area for the I / F circuit 52 or the ROM 54. The I / F circuit 52 performs an output interface process (display process, display drive process) to the display device 40 in FIG. 2, an input interface process of a signal that designates a wiring grid change area from an input interface (not shown), and the like.

図12に、図2の集積回路設計装置20の処理例のフロー図を示す。例えば図11のROM54又はRAM56には、図12に示す処理を実現するためのプログラムが格納されており、CPU50がROM54又はRAM56に格納されたプログラムを読み出して該プログラムに対応した処理を実行することで、図12に示す処理をソフトウェア処理により実現できる。   FIG. 12 shows a flowchart of a processing example of the integrated circuit design apparatus 20 of FIG. For example, the ROM 54 or RAM 56 in FIG. 11 stores a program for realizing the processing shown in FIG. 12, and the CPU 50 reads the program stored in the ROM 54 or RAM 56 and executes processing corresponding to the program. Thus, the processing shown in FIG. 12 can be realized by software processing.

まず、集積回路設計装置20は、予め生成されたフロアプラン設定情報を読み込んだり、或いは外部からの指定されたフロアプラン設定情報を取り込んだりして、集積回路100のレイアウト可能領域内にアナログマクロブロックを配置する処理を行う(ステップS10)。   First, the integrated circuit design apparatus 20 reads the floor plan setting information generated in advance or takes in the floor plan setting information designated from the outside, and puts the analog macro block in the layout possible area of the integrated circuit 100. Is performed (step S10).

次に、集積回路設計装置20は、配線グリッド変更領域ステップとして、配線グリッド変更領域設定部24の機能により、例えば外部から指定された配線グリッド変更領域を、上記のアナログマクロブロックが配置された集積回路100のレイアウト可能領域に設定する処理を行う(ステップS12)。ステップS12で設定される配線グリッド変更領域は、例えば図9で説明したアナログマクロブロックの周辺領域である。   Next, the integrated circuit design apparatus 20 integrates, for example, the wiring grid change area designated from the outside by the function of the wiring grid change area setting unit 24 as the wiring grid change area step. A process of setting the layout possible area of the circuit 100 is performed (step S12). The wiring grid change area set in step S12 is, for example, the peripheral area of the analog macro block described with reference to FIG.

ここで、集積回路設計装置20は、一旦、配置配線処理部30の機能により、セル及び配線の配置処理を行う(ステップS14)。即ち、ステップS14では、配線グリッド変更領域内で配置される配線同士のクロストークによる影響を確認するために、ステップS12で設定された配線グリッド変更領域内の配線グリッド間隔が変更されない状態でセル及び配線の配置処理が行われる。   Here, the integrated circuit design device 20 once performs a cell and wiring arrangement process by the function of the arrangement and wiring processing unit 30 (step S14). That is, in step S14, in order to confirm the influence of the crosstalk between the wirings arranged in the wiring grid change area, the cells and the cells and the wiring grid intervals in the wiring grid change area set in step S12 are not changed. Wiring placement processing is performed.

ステップS14において、一度、セル及び配線の配置処理が行われた後、集積回路設計装置20は、アナログマクロブロックに入力又は出力される信号の配線のクロストークによる影響度をチェックする(ステップS16)。このとき、例えば、配線グリッド変更領域で、例えば、隣接する配線グリッド上に両配線が配置されるとき、又は両配線が交差するとき、アナログマクロブロックに入力又は出力されるアナログ信号の配線に、デジタル信号の配線がクロストークによる影響を与えると判断されると判断し、その旨を表示装置40により通知したり、クロストークにより影響する恐れのある配線が配置される配線グリッド変更領域以外の領域を表示装置40により通知したりする。   In step S14, after the cell and wiring arrangement processing is performed once, the integrated circuit design device 20 checks the degree of influence caused by the crosstalk of the wiring input or output to the analog macroblock (step S16). . At this time, for example, in the wiring grid change area, for example, when both wirings are arranged on the adjacent wiring grid, or when both wirings intersect, the analog signal wiring input or output to the analog macroblock, It is determined that the wiring of the digital signal is determined to be affected by the crosstalk, and a region other than the wiring grid change region in which the display device 40 notifies that effect or the wiring that may be affected by the crosstalk is arranged. Is notified by the display device 40.

ステップS16において、両配線の影響度をチェックした結果、アナログマクロブロックに入力又は出力されるアナログ信号の配線に、デジタル信号の配線がクロストークによる影響を与えないと判断されるとき(ステップS16:Y)、集積回路設計装置20は、一連の処理を終了する(エンド)。   In step S16, as a result of checking the influence degree of both wirings, when it is determined that the wiring of the digital signal does not affect the wiring of the analog signal input or output to the analog macroblock due to the crosstalk (step S16: Y) The integrated circuit design device 20 ends the series of processing (end).

ステップS16において、両配線の影響度をチェックした結果、アナログマクロブロックに入力又は出力されるアナログ信号の配線に、デジタル信号の配線がクロストークによる影響を与えると判断されるとき(ステップS16:N)、集積回路設計装置20は、配線グリッド変更ステップとして、配線グリッド変更処理部26の機能により、配線グリッド変更領域内の配線グリッド間隔を大きくする変更処理を行う(ステップS18)。   In step S16, as a result of checking the influence degree of both wirings, when it is determined that the wiring of the digital signal affects the wiring of the analog signal input to or output from the analog macroblock (step S16: N The integrated circuit design apparatus 20 performs a change process for increasing the wiring grid interval in the wiring grid change area by the function of the wiring grid change processing unit 26 as a wiring grid changing step (step S18).

続いて、集積回路設計装置20は、配置配線処理部30の機能により、配線グリッド変更領域内のセルを、ステップS18で変更した配線グリッド間隔に対応するセルグリッド間隔で定義された同一機能のセルに置き換え(ステップS20)、再びステップS14に戻って配置配線処理を行う。即ち、ステップS20とこれに続いて行われるステップS14が、配線グリッド変更領域内において、配置配線ステップとして、配線グリッド変更ステップにおいて配線グリッド間隔が変更された配線グリッドに所与の配線を配置すると共に、配線グリッド変更ステップにおいて変更された配線グリッドの間隔に対応したセルグリッドを基準にその構成が指定されたセルを、配線グリッド変更ステップにおいて配線グリッド間隔が変更された配線グリッドに配置する。   Subsequently, the integrated circuit design device 20 uses the function of the placement and routing processing unit 30 to change the cells in the wiring grid change area to cells having the same function defined by the cell grid interval corresponding to the wiring grid interval changed in step S18. (Step S20), the process returns to step S14 again to perform the placement and routing process. That is, step S20 and subsequent step S14 are arranged in the wiring grid change area, as a placement and routing step, placing a given wiring on the wiring grid whose wiring grid interval has been changed in the wiring grid changing step. Then, the cells whose configuration is designated based on the cell grid corresponding to the interval between the wiring grids changed in the wiring grid changing step are arranged in the wiring grid whose wiring grid interval has been changed in the wiring grid changing step.

また、ステップS20とこれに続いて行われるステップS14では、配線グリッド変更領域以外の領域では、変更処理前の配線グリッド間隔で、所与の配線が配置されると共に、変更処理前の配線グリッド間隔に対応したセルグリッドを基準にその構成が指定されたセルが、変更処理前の配線グリッド間隔の配線グリッドに配置される。   In step S20 and step S14 performed subsequently thereto, in a region other than the wiring grid change region, a given wiring is arranged at the wiring grid interval before the change process, and the wiring grid interval before the change process. A cell whose configuration is designated with reference to the cell grid corresponding to is arranged in the wiring grid at the wiring grid interval before the change processing.

セル情報記憶部28に、複数種類のセルグリッド間隔に対応したセル情報を記憶させておけば、ステップS16において、アナログマクロブロックに入力又は出力されるアナログ信号の配線に、デジタル信号の配線がクロストークによる影響を与えないと判断されるまで、配線グリッド変更領域内の配線グリッドを大きく変更すると共に、変更した配線グリッド間隔に対応するセルグリッド間隔で定義された同一機能のセルの置き換えを繰り返すことができる。   If cell information corresponding to a plurality of types of cell grid intervals is stored in the cell information storage unit 28, the wiring of the digital signal crosses the wiring of the analog signal input or output to the analog macroblock in step S16. Until it is determined that there is no influence from the talk, the wiring grid in the wiring grid change area is greatly changed and the replacement of cells having the same function defined by the cell grid interval corresponding to the changed wiring grid interval is repeated. Can do.

また、配線グリッド変更領域内の配線グリッドを大きく変更すると共に、上記の同一機能のセルの置き換えを繰り返すうちに、ステップS18で変更される配線グリッド間隔が大きくなって、ステップS12で設定した配線グリッド変更領域の外側に設定されるまで繰り返すことになる。   Further, while greatly changing the wiring grid in the wiring grid changing area and repeating the replacement of the cells having the same function, the wiring grid interval changed in step S18 becomes larger, and the wiring grid set in step S12 is increased. It will be repeated until it is set outside the change area.

なお、図12では、ステップS20に続いて、ステップS14においてセル及び配線の配置配線処理が行われるものとして説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ステップS16における両配線の影響度のチェックの結果、クロストークにより影響する恐れのある配線が配置される配線グリッド変更領域以外の領域が特定されたとき、ステップS20に続いてステップS12に戻って、新たに配線グリッド変更領域を追加して設定してから、ステップS14においてセル及び配線の配置配線処理が行われるようにしてもよい。   In FIG. 12, it has been described that the cell and wiring arrangement / wiring process is performed in step S14 following step S20, but the present invention is not limited to this. For example, as a result of checking the influence of both wires in step S16, when an area other than the wiring grid change area in which the wiring that may be affected by crosstalk is specified is specified, the process returns to step S12 following step S20. Then, after the wiring grid change area is newly added and set, the arrangement wiring process of cells and wirings may be performed in step S14.

また、ステップS18において、配線グリッド間隔を変更する際に、そのまま配線グリッド変更領域の外側に配線グリッドを設定するように、配線グリッドの間隔を大きく変更するようにしてもよい。こうすることで、配線グリッド変更領域内では、その領域外に変更された配線グリッド上には、セル及び配線の配置を確実に防止できるようになる。   In step S18, when the wiring grid interval is changed, the wiring grid interval may be greatly changed so that the wiring grid is set outside the wiring grid changing region as it is. By doing so, it becomes possible to reliably prevent the arrangement of cells and wirings on the wiring grid changed outside the area within the wiring grid change area.

以上のように、実施形態1では、所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する配線グリッド変更領域設定ステップと、配線グリッド変更領域設定ステップにおいて配線グリッド変更領域として設定された領域内の配線グリッドの間隔をより大きく変更する配線グリッド変更ステップと、配線グリッド変更領域として設定された領域内において、配線グリッド変更ステップにおいてその間隔が変更された配線グリッドに所与の配線を配置すると共に、配線グリッド変更ステップにおいて変更された配線グリッドの間隔に対応したセルグリッド間隔でその構成が指定されたセルを、配線グリッド変更ステップにおいてその間隔が変更された配線グリッドに配置する配置配線ステップとを含むことができる。   As described above, in the first embodiment, the wiring grid change area setting step for setting a given area as the wiring grid change area, and the wiring grid in the area set as the wiring grid change area in the wiring grid change area setting step In the wiring grid changing step for changing the interval of the wiring to a larger extent, and in the area set as the wiring grid changing area, the given wiring is arranged on the wiring grid whose interval was changed in the wiring grid changing step, and the wiring grid A placement and routing step of placing cells whose configuration is specified at a cell grid interval corresponding to the interval of the wiring grid changed in the changing step on the wiring grid whose interval is changed in the wiring grid changing step. it can.

このような実施形態1によれば、特殊な配線処理を行うことなく、処理負荷の増大を抑えながら、所定のマクロブロック周辺において、例えばアナログ信号を伝送する信号配線とデジタル信号を伝送する信号配線とのクロストークによる影響を低減できるようになる。   According to the first embodiment, for example, a signal wiring that transmits an analog signal and a signal wiring that transmits a digital signal around a predetermined macroblock while suppressing an increase in processing load without performing special wiring processing. The effect of crosstalk with can be reduced.

〔実施形態1の変形例〕
実施形態1における集積回路設計装置20では、同一機能のセルが複数種類のセルグリッド間隔で定義された複数のセル情報がセル情報記憶部28に記憶されているものとして説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、配線グリッド間隔をより大きく変更したとき、この変更後の配線グリッド間隔に対応したセルグリッド間隔で定義されるセル情報を新たに生成するようにしてもよい。
[Modification of Embodiment 1]
In the integrated circuit design apparatus 20 according to the first embodiment, a description has been given assuming that a plurality of pieces of cell information in which cells having the same function are defined by a plurality of types of cell grid intervals are stored in the cell information storage unit 28. It is not limited to this. For example, when the wiring grid interval is changed more greatly, cell information defined by the cell grid interval corresponding to the changed wiring grid interval may be newly generated.

図13に、実施形態1の変形例における集積回路設計装置の構成例のブロック図を示す。図13において、図2と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。   FIG. 13 shows a block diagram of a configuration example of an integrated circuit design apparatus in a modification of the first embodiment. In FIG. 13, the same parts as those in FIG.

実施形態1の変形例における集積回路設計装置80は、ネットリスト記憶部22、配線グリッド変更領域設定部24、配線グリッド変更処理部26、セル情報記憶部28、配置配線処理部30、セル情報生成部90を含む。   The integrated circuit design device 80 according to the modification of the first embodiment includes a net list storage unit 22, a wiring grid change area setting unit 24, a wiring grid change processing unit 26, a cell information storage unit 28, a placement and routing processing unit 30, and cell information generation. Part 90 is included.

ネットリスト記憶部22、配線グリッド変更領域設定部24、配線グリッド変更処理部26、セル情報記憶部28、及び配置配線処理部30の各部の構成及び機能は、実施形態1と同様であるため説明を省略する。   Since the configurations and functions of the net list storage unit 22, the wiring grid change area setting unit 24, the wiring grid change processing unit 26, the cell information storage unit 28, and the placement and routing processing unit 30 are the same as those in the first embodiment, they will be described. Is omitted.

セル情報生成部90は、配線グリッド変更処理部26による変更後の配線グリッド間隔に対応したセルグリッド間隔でそのレイアウト形状が定義されたセルの情報を新たに生成する。このため、配線グリッド変更処理部26により配線グリッド間隔をより大きくする変更処理が行われたとき、セル情報生成部90は、セル情記憶部28に記憶されたセルのうち、配線グリッド変更領域内に配置されるセルの情報を読み出す。そして、セル情報生成部90は、配線グリッド変更処理部26による変更後の配線グリッド間隔に対応したセルグリッド間隔となるように、読み出したセルの情報のセルグリッド間隔をより大きく変更し、これに対応したセルの形状を指定する情報を生成する。このとき、セル情報生成部90は、セルグリッド間隔を大きくした場合でも、変更後のセルグリッドの格子点上に端子が配置されるようにセルの形状を指定する情報を生成する。   The cell information generation unit 90 newly generates information on a cell whose layout shape is defined at a cell grid interval corresponding to the wiring grid interval changed by the wiring grid change processing unit 26. For this reason, when the change process which makes a wiring grid space | interval larger is performed by the wiring grid change process part 26, the cell information production | generation part 90 is in the wiring grid change area | region among the cells memorize | stored in the cell information storage part 28. FIG. Read the information of the cells placed in the. Then, the cell information generation unit 90 changes the cell grid interval of the read cell information more greatly so that the cell grid interval corresponding to the wiring grid interval changed by the wiring grid change processing unit 26 is obtained. Information specifying the shape of the corresponding cell is generated. At this time, the cell information generation unit 90 generates information specifying the shape of the cell so that the terminals are arranged on the lattice points of the cell grid after the change even when the cell grid interval is increased.

配置配線処理部30は、配線グリッド変更領域内において、セル情報生成部90により生成されたセルの情報に基づいて、配線グリッド間隔が変更された配線グリッド上に、セル及び配線を配置する処理を行う。   The placement and wiring processing unit 30 performs processing for placing cells and wirings on the wiring grid whose wiring grid interval has been changed based on the cell information generated by the cell information generation unit 90 within the wiring grid change region. Do.

なお、セル情報生成部90は、配線グリッド変更処理部26により配線グリッド間隔が変更される毎に、セル情報を生成するようにしてもよいし、予め配線グリッド変更処理部26による変更後の複数の配線グリッド間隔が判明している場合には、それぞれの配線グリッド間隔に対応したセルグリッド間隔のセル情報を、配線グリッド変更処理部26による変更処理に先立って生成するようにしてもよい。   Note that the cell information generation unit 90 may generate cell information every time the wiring grid interval is changed by the wiring grid change processing unit 26, or a plurality of changes after the change by the wiring grid change processing unit 26 in advance. If the wiring grid interval is known, cell information of the cell grid interval corresponding to each wiring grid interval may be generated prior to the change processing by the wiring grid change processing unit 26.

本変形例によれば、配線グリッド変更処理部26が任意の配線グリッド間隔に変更できるようになるので、集積回路100の高集積化をより一層促進させることができるようになる。   According to this modification, the wiring grid change processing unit 26 can change to an arbitrary wiring grid interval, so that the high integration of the integrated circuit 100 can be further promoted.

〔実施形態2〕
実施形態1における集積回路設計装置20又は実施形態1の変形例における集積回路設計装置80は、配線グリッド変更領域内の配線グリッド間隔を大きくすることで、例えばアナログマクロブロックに入力又は出力されるアナログ信号の配線へのクロストークによる影響を低減するようにしていたが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明に係る実施形態2では、配線グリッド変更領域内の配線グリッドを消滅させることで、上記のアナログ信号の配線へのクロストークによる影響を確実に低減させるようにする。
[Embodiment 2]
The integrated circuit design apparatus 20 according to the first embodiment or the integrated circuit design apparatus 80 according to the modification of the first embodiment increases the wiring grid interval in the wiring grid change area, for example, an analog input or output to an analog macroblock. Although the influence of the crosstalk on the signal wiring is reduced, the present invention is not limited to this. In the second embodiment according to the present invention, the influence of crosstalk on the wiring of the analog signal is surely reduced by eliminating the wiring grid in the wiring grid change area.

図14(A)、図14(B)に、実施形態2における集積回路設計装置の処理の概要を模式的に示す。図14(A)は、実施形態2の比較例における集積回路設計装置を用いた集積回路のレイアウトの概要を模式的に表したものである。図14(B)は、実施形態2の集積回路設計装置を用いた集積回路のレイアウトの概要を模式的に表したものである。図14(A)、図14(B)において、同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。   14A and 14B schematically show an outline of processing of the integrated circuit design apparatus according to the second embodiment. FIG. 14A schematically shows an outline of an integrated circuit layout using the integrated circuit design apparatus in the comparative example of the second embodiment. FIG. 14B schematically shows an outline of an integrated circuit layout using the integrated circuit design apparatus of the second embodiment. 14A and 14B, the same portions are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

実施形態2又はその比較例における集積回路設計装置は、レイアウト可能領域内に定義される格子状の配線グリッド上に、セルやマクロブロック間の接続情報を有するネットリストに従って、セルや配線を配置する処理を行う。その結果、図14(A)、図14(B)において、集積回路100には、マクロブロック102と、論理回路のセルと、これらを接続する配線とが配線グリッド上に配置される。   The integrated circuit design apparatus according to the second embodiment or the comparative example arranges cells and wirings on a grid-like wiring grid defined in the layout possible area according to a net list having connection information between cells and macroblocks. Process. As a result, in FIGS. 14A and 14B, in the integrated circuit 100, the macro block 102, the logic circuit cells, and the wirings connecting them are arranged on the wiring grid.

図14(A)では、格子状に設けられた配線グリッドGR上に、第1層配線ML1、第1層配線ML1より上層の第2層配線ML2、第1層配線ML1及び第2層配線ML2を電気的に接続するビアセルVCが配置される。隣接する配線グリッドGR同士の間隔である配線グリッド間隔GD1は、製造プロセスに依存したデザインルールにより規定される。例えば、隣接するビアセルVCのエッジ間の最小ピッチm1以上となるように配線グリッド間隔GD1が規定される。第1層配線ML1は例えば垂直方向に延びる配線グリッドGR上に配置されると共に、第2層配線ML2は例えば水平方向に延びる配線グリッドGR上に配置されるため、ビアセルVCは、配線グリッドの格子点上に配置される。   In FIG. 14A, the first layer wiring ML1, the second layer wiring ML2 above the first layer wiring ML1, the first layer wiring ML1, and the second layer wiring ML2 are arranged on the wiring grid GR provided in a lattice shape. A via cell VC for electrically connecting the two is disposed. A wiring grid interval GD1, which is an interval between adjacent wiring grids GR, is defined by a design rule depending on the manufacturing process. For example, the wiring grid interval GD1 is defined so as to be equal to or greater than the minimum pitch m1 between the edges of adjacent via cells VC. For example, the first layer wiring ML1 is disposed on the wiring grid GR extending in the vertical direction, and the second layer wiring ML2 is disposed on the wiring grid GR extending in the horizontal direction. Placed on a point.

図14(A)では、水平方向に延びる配線グリッドの間隔と、垂直方向に延びる配線グリッドの間隔とが同じであるものとして説明したが、両方向の配線グリッドの間隔が異なっていてもよい。   In FIG. 14A, it has been described that the interval between the wiring grids extending in the horizontal direction is the same as the interval between the wiring grids extending in the vertical direction, but the interval between the wiring grids in both directions may be different.

ところで、実施形態2の比較例における集積回路設計装置おいても、マクロブロック102の周辺領域では、配線同士が近くに配置される。例えば、マクロブロック102がアナログマクロブロックである場合には、アナログ信号の配線とデジタル信号の配線とが、配線グリッド間隔GD1を隔てて並走や交差するように配置されてしまい、アナログ信号にノイズを重畳させる可能性が高くなる。   By the way, also in the integrated circuit design apparatus in the comparative example of the second embodiment, the wirings are arranged close to each other in the peripheral region of the macro block 102. For example, when the macro block 102 is an analog macro block, the analog signal wiring and the digital signal wiring are arranged so as to run in parallel or cross each other with a wiring grid interval GD1, and the analog signal has noise. Is likely to be superimposed.

このような配線を確実に防止するために、実施形態2では、局所的に配線グリッドを消滅させる処理を行う。より具体的には、実施形態2では、図14(B)に示すように、配置される配線間のクロストークによる影響を低減したい領域を配線グリッド変更領域BAとして設定し、配線グリッド変更領域BA内の配線グリッドを消滅させる。   In order to surely prevent such wiring, in the second embodiment, processing for locally erasing the wiring grid is performed. More specifically, in the second embodiment, as shown in FIG. 14B, an area in which the influence of crosstalk between arranged wirings is to be reduced is set as the wiring grid change area BA, and the wiring grid change area BA is set. The wiring grid inside disappears.

こうすることで、図14(A)では、セル配置配線禁止領域として設定された領域に配置された配線間にクロストークによる影響を及ぼしていた場合でも、配線グリッド変更領域には配線グリッドが消滅しているため、セルや配線が配置されず、この領域内の配線間のクロストークによる影響を確実に低減できるようになる。   In this way, in FIG. 14A, even if there is an influence due to crosstalk between the wirings arranged in the area set as the cell placement wiring prohibition area, the wiring grid disappears in the wiring grid change area. Therefore, cells and wirings are not arranged, and the influence of crosstalk between wirings in this region can be reliably reduced.

以下では、このような処理を実現する集積回路設計装置の構成及び動作について説明する。   Hereinafter, the configuration and operation of an integrated circuit design apparatus that realizes such processing will be described.

図15に、実施形態2における集積回路設計システムの構成例のブロック図を示す。なお、図15において、図2と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。   FIG. 15 is a block diagram illustrating a configuration example of the integrated circuit design system according to the second embodiment. In FIG. 15, the same parts as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

実施形態2における集積回路設計システム200は、集積回路設計装置210と、表示装置40とを含む。集積回路設計装置210は、図2の集積回路設計装置20と同様に、所与の自動配置配線アルゴリズムにより、レイアウト可能領域内に定義される格子状の配線グリッド上に、セルやマクロブロック間の接続情報を有するネットリストに従って、セルや配線を配置する処理を行う。集積回路設計装置210によるセルや配線の配置処理の結果は、表示装置40に表示される。集積回路設計装置210の機能は、パーソナルコンピュータやネットワーク端末(サーバに接続されるクライアント端末)等により実現される。   The integrated circuit design system 200 according to the second embodiment includes an integrated circuit design device 210 and a display device 40. Similar to the integrated circuit design apparatus 20 of FIG. 2, the integrated circuit design apparatus 210 uses a given automatic placement and routing algorithm to place cells and macroblocks on a grid-like wiring grid defined in the layout possible area. A process of arranging cells and wirings is performed according to a net list having connection information. The result of the cell and wiring arrangement processing by the integrated circuit design device 210 is displayed on the display device 40. The functions of the integrated circuit design apparatus 210 are realized by a personal computer, a network terminal (client terminal connected to a server), or the like.

集積回路設計装置210は、ネットリスト記憶部22、配線グリッド変更領域設定部212、配線グリッド変更処理部214、セル情報記憶部216、配置配線処理部30を含む。ネットリスト記憶部22は、ネットリストを記憶する。集積回路設計装置210は、このネットリストに基づいて、セルや配線を配置する処理を行う。   The integrated circuit design device 210 includes a net list storage unit 22, a wiring grid change area setting unit 212, a wiring grid change processing unit 214, a cell information storage unit 216, and a placement and routing processing unit 30. The net list storage unit 22 stores a net list. The integrated circuit design device 210 performs processing for arranging cells and wirings based on the net list.

配線グリッド変更領域設定部212は、レイアウト可能領域内の所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する。配線グリッド変更領域では、後述するように、セル及び配線の配置が禁止される。この配線グリッド変更領域は、配置される配線間のクロストークによる影響を低減したい領域に設定されることが望ましい。   The wiring grid change area setting unit 212 sets a given area in the layout possible area as the wiring grid change area. In the wiring grid change area, as will be described later, the arrangement of cells and wirings is prohibited. This wiring grid changing area is desirably set to an area where it is desired to reduce the influence of crosstalk between arranged wirings.

配線グリッド変更処理部214は、格子状に設けられた配線グリッドの間隔を変更する処理を行う。即ち、配線グリッド変更処理部214は、配線グリッド変更領域として設定される配線グリッド変更領域内において、互いに交差する第1及び第2の方向の少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドを消滅させる処理を行う。ここで、第1の方向は図3のように定義されるX方向、第2の方向は図3のように定義されるY方向とすることができる。   The wiring grid change processing unit 214 performs a process of changing the interval between the wiring grids provided in a lattice shape. That is, the wiring grid change processing unit 214 performs a process of eliminating a wiring grid extending in at least one of the first and second directions intersecting each other in the wiring grid changing area set as the wiring grid changing area. . Here, the first direction can be the X direction defined as shown in FIG. 3, and the second direction can be the Y direction defined as shown in FIG.

セル情報記憶部216は、複数のセル情報を記憶する。ここでセル情報は、セル毎に、セルの形状、端子数、端子位置等のセルや配線の配置に必要な情報を有する。各セルは、セルグリッドを基準に、セル内のレイアウトの形状が指定される。セル情報記憶部216は、実施形態1のセル情報記憶部28と異なり、1種類のセルグリッド間隔で規定されたセル情報を記憶する。   The cell information storage unit 216 stores a plurality of pieces of cell information. Here, the cell information includes information necessary for the arrangement of cells and wirings such as the shape of the cell, the number of terminals, and the terminal position for each cell. For each cell, the shape of the layout in the cell is designated based on the cell grid. Unlike the cell information storage unit 28 of the first embodiment, the cell information storage unit 216 stores cell information defined by one type of cell grid interval.

配置配線処理部30は、ネットリスト記憶部22に記憶されたネットリストに基づいて、配線グリッドの格子点上にその端子が配置されるようにセルを配置すると共に、配線グリッド上に配線を配置する。配置配線処理部30は、図4で説明した実施形態1又はその変形例と同様の処理を行う。   Based on the net list stored in the net list storage unit 22, the placement / wiring processing unit 30 arranges cells so that the terminals are arranged on the grid points of the wiring grid, and arranges wirings on the wiring grid. To do. The placement and routing processing unit 30 performs the same processing as in the first embodiment described in FIG.

以上のように、実施形態2における集積回路設計装置210は、所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する配線グリッド変更領域設定部212と、配線グリッド変更領域設定部212によって配線グリッド変更領域として設定された領域内の配線グリッドを消滅させる配線グリッド変更処理部214と、配線グリッド変更領域として設定された領域を除外して、配線グリッド変更処理部214による処理後の配線グリッドにセル及び配線を配置する配置配線処理部30とを含むことができる。   As described above, the integrated circuit design device 210 according to the second exemplary embodiment uses the wiring grid change area setting unit 212 that sets a given area as the wiring grid change area and the wiring grid change area setting unit 212 as the wiring grid change area. The wiring grid change processing unit 214 that eliminates the wiring grid in the set area and the area set as the wiring grid change area are excluded, and cells and wirings are added to the wiring grid processed by the wiring grid change processing part 214. And a placement and routing processing unit 30 to be placed.

このような実施形態2では、実施形態1又はその変形例と同様に、レイアウト可能領域内で、局所的に1又は複数の配線グリッド変更領域を設定することが望ましく、例えば図9に示す領域に実施形態2の配線グリッド変更領域を設定することが望ましい。即ち、実施形態2においても、アナログマクロブロックの周辺領域を、配線グリッド変更領域に設定することが望ましい。   In the second embodiment, it is desirable to set one or a plurality of wiring grid change regions locally in the layout possible region, as in the first embodiment or the modification thereof, for example, in the region shown in FIG. It is desirable to set the wiring grid change area of the second embodiment. That is, also in the second embodiment, it is desirable to set the peripheral area of the analog macro block as the wiring grid change area.

これにより、図9に示すように、配線グリッド変更領域MC3に、デジタル信号の配線CNDが配置されたとしても、予めマクロブロックMB3に入力又は出力されるアナログ信号の配線が配置されることなく、確実に、配線CNAへのクロストークによる影響を低減できるようになる。   As a result, as shown in FIG. 9, even if the digital signal wiring CND is arranged in the wiring grid change area MC3, the analog signal wiring input or output to the macro block MB3 in advance is not arranged. The influence of the crosstalk on the wiring CNA can be surely reduced.

以上のような集積回路設計装置210の機能は、ハードウェアにより実現されてもよいし、ソフトウェアにより実現されてもよい。以下では、集積回路設計装置210の機能が、ソフトウェア処理により実現されるものとする。   The functions of the integrated circuit design apparatus 210 as described above may be realized by hardware or may be realized by software. In the following, it is assumed that the function of the integrated circuit design device 210 is realized by software processing.

ここで、集積回路設計装置210のハードウェア構成例は、図11に示す実施形態1の集積回路設計装置20又は実施形態1の変形例における集積回路設計装置80と同様であるため、図示及び説明を省略する。実施形態2においても、例えばROM54又はRAM56には、集積回路設計装置210の機能を実現するプログラムが記憶される。CPU50は、ROM54又はRAM56に記憶されたプログラムを読み出し、該プログラムに対応した処理を実行することで、上述の集積回路設計装置210の機能をソフトウェア処理で実現できる。即ち、ROM54又はRAM56に記憶されたプログラムを読み込んで該プログラムに対応した処理を行うCPU50により、集積回路設計装置210の各部の機能が実現される。   Here, the hardware configuration example of the integrated circuit design device 210 is the same as the integrated circuit design device 20 of the first embodiment shown in FIG. 11 or the integrated circuit design device 80 of the modification of the first embodiment. Is omitted. Also in the second embodiment, for example, the ROM 54 or the RAM 56 stores a program for realizing the function of the integrated circuit design device 210. The CPU 50 can implement the functions of the integrated circuit design device 210 described above by software processing by reading a program stored in the ROM 54 or the RAM 56 and executing processing corresponding to the program. That is, the function of each unit of the integrated circuit design device 210 is realized by the CPU 50 that reads a program stored in the ROM 54 or the RAM 56 and performs processing corresponding to the program.

図16に、図15の集積回路設計装置210の処理例のフロー図を示す。例えば図11のROM54又はRAM56には、図16に示す処理を実現するためのプログラムが格納されており、CPU50がROM54又はRAM56に格納されたプログラムを読み出して該プログラムに対応した処理を実行することで、図16に示す処理をソフトウェア処理により実現できる。   FIG. 16 shows a flowchart of a processing example of the integrated circuit design apparatus 210 of FIG. For example, the ROM 54 or RAM 56 in FIG. 11 stores a program for realizing the processing shown in FIG. 16, and the CPU 50 reads the program stored in the ROM 54 or RAM 56 and executes processing corresponding to the program. Thus, the processing shown in FIG. 16 can be realized by software processing.

まず、集積回路設計装置210は、予め生成されたフロアプラン設定情報を読み込んだり、或いは外部からの指定されたフロアプラン設定情報を取り込んだりして、集積回路100のレイアウト可能領域内にアナログマクロブロックを配置する処理を行う(ステップS30)。   First, the integrated circuit design device 210 reads the floor plan setting information generated in advance or takes in the designated floor plan setting information from the outside, so that the analog macro block is placed in the layout possible area of the integrated circuit 100. Is performed (step S30).

次に、集積回路設計装置210は、配線グリッド変更領域ステップとして、配線グリッド変更領域設定部212の機能により、例えば外部から指定された配線グリッド変更領域を、上記のアナログマクロブロックが配置された集積回路100のレイアウト可能領域に設定する処理を行う(ステップS32)。ステップS32で設定される配線グリッド変更領域は、例えば図9で説明したアナログマクロブロックの周辺領域である。   Next, the integrated circuit design device 210 performs, as a wiring grid change area step, for example, a wiring grid change area designated from the outside by the function of the wiring grid change area setting unit 212, in which the above analog macroblocks are arranged. A process of setting the layout possible area of the circuit 100 is performed (step S32). The wiring grid change area set in step S32 is, for example, the peripheral area of the analog macro block described with reference to FIG.

続いて、集積回路設計装置210は、配線グリッド変更ステップとして、配線グリッド変更処理部214の機能により、配線グリッド変更領域内の配線グリッドを消滅させる変更処理を行う(ステップS34)。   Subsequently, as a wiring grid changing step, the integrated circuit design apparatus 210 performs a changing process for erasing the wiring grid in the wiring grid changing area by the function of the wiring grid changing processing unit 214 (step S34).

続いて、集積回路設計装置210は、配置配線ステップとして、配置配線処理部30の機能により、配線グリッド変更領域として設定された領域を除外して、配線グリッド変更ステップにおける処理後の配線グリッドにセル及び配線を配置し(ステップS36)、一連の処理を終了する(エンド)。   Subsequently, the integrated circuit design apparatus 210 excludes the area set as the wiring grid change area by the function of the placement and routing processing unit 30 as the placement and routing step, and performs cell processing on the wiring grid after the processing in the wiring grid change step. Then, the wiring is arranged (step S36), and the series of processing is ended (end).

なお、ステップS36では、また、配線グリッド変更領域内でX方向の配線グリッドのみを消滅させた場合には、この領域内のY方向の配線グリッド上に、セル及び配線が配置され、配線グリッド変更領域外の格子状の配線グリッド上にセル及び配線が配置される。また、配線グリッド変更領域内でY方向の配線グリッドのみを消滅させた場合には、この領域内のX方向の配線グリッド上に、セル及び配線が配置され、配線グリッド変更領域外の格子状の配線グリッド上にセル及び配線が配置される。更に、配線グリッド変更領域内では、X方向及びY方向の配線グリッドを消滅させた場合には、この領域内にセル及び配線が配置されることがなく、配線グリッド変更領域外のみセル及び配線が配置される。   In step S36, when only the X-direction wiring grid disappears in the wiring grid change area, the cells and wirings are arranged on the Y-direction wiring grid in this area, and the wiring grid change is performed. Cells and wirings are arranged on a grid-like wiring grid outside the region. In addition, when only the Y-direction wiring grid is erased in the wiring grid change area, cells and wirings are arranged on the X-direction wiring grid in this area, and a grid-like pattern outside the wiring grid change area is displayed. Cells and wirings are arranged on the wiring grid. Furthermore, in the wiring grid change area, when the wiring grids in the X direction and the Y direction are eliminated, the cells and wiring are not arranged in this area, and the cells and wiring are only outside the wiring grid change area. Be placed.

以上のように、実施形態2では、所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する配線グリッド変更領域設定ステップと、配線グリッド変更領域設定ステップにおいて配線グリッド変更領域として設定された領域内の配線グリッドを消滅させる配線グリッド変更ステップと、配線グリッド変更領域として設定された領域を除外して、配線グリッド変更ステップにおける処理後の配線グリッドにセル及び配線を配置する配置配線ステップとを含むことができる。   As described above, in the second embodiment, the wiring grid change area setting step for setting a given area as the wiring grid change area, and the wiring grid in the area set as the wiring grid change area in the wiring grid change area setting step A wiring grid changing step for eliminating the area and an arrangement wiring step for excluding the area set as the wiring grid changing area and arranging cells and wirings in the wiring grid after the processing in the wiring grid changing step.

このような実施形態2によれば、特殊な配線処理を行うことなく、処理負荷の増大を抑えながら、所定のマクロブロック周辺において、例えばアナログ信号を伝送する信号配線とデジタル信号を伝送する信号配線とのクロストークによる影響を確実に低減できるようになる。   According to the second embodiment, for example, a signal wiring for transmitting an analog signal and a signal wiring for transmitting a digital signal around a predetermined macroblock while suppressing an increase in processing load without performing special wiring processing. It is possible to reliably reduce the influence of crosstalk with the.

以上、本発明に係る集積回路設計装置及び集積回路設計方法を上記の実施形態又はその変形例に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態又はその変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。   As described above, the integrated circuit design apparatus and the integrated circuit design method according to the present invention have been described based on the above-described embodiment or the modification thereof, but the present invention is not limited to the above-described embodiment or the modification. The present invention can be implemented in various modes without departing from the gist thereof, and for example, the following modifications are possible.

(1)実施形態1又はその変形例では、配線グリッド変更領域として、アナログマクロブロックの周辺領域を採用するものとして説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。レイアウト可能領域内において、配線グリッド変更領域として、配線グリッド間隔をより大きく変更する領域を局所的に設定できればよい。   (1) In the first embodiment or its modification, it has been described that the peripheral area of the analog macroblock is adopted as the wiring grid change area, but the present invention is not limited to this. In the layout possible region, it is only necessary to locally set a region where the wiring grid interval is changed to be larger as the wiring grid change region.

(2)実施形態2では、配線グリッド変更領域として、アナログマクロブロックの周辺領域を採用するものとして説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。レイアウト可能領域内において、配線グリッド変更領域として、配線グリッドを消滅させる領域を局所的に設定できればよい。   (2) In the second embodiment, the peripheral area of the analog macro block is used as the wiring grid change area. However, the present invention is not limited to this. It suffices if the area where the wiring grid disappears can be locally set as the wiring grid change area in the layout possible area.

(3)上記の実施形態又はその変形例では、主として、レイアウト設計対象の集積回路がスタンダードセルにより構成されるものとして説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ゲートアレイやエンベデッドアレイにより構成される集積回路を、レイアウト設計対象としてもよい。   (3) In the above-described embodiment or its modification, it has been mainly described that the integrated circuit to be designed for layout is composed of standard cells, but the present invention is not limited to this. For example, an integrated circuit constituted by a gate array or an embedded array may be a layout design target.

(4)上記の実施形態又はその変形例では、半導体基板に形成される集積回路のレイアウト設計に適用される例を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体基板でない基板に回路が形成された集積回路のレイアウト設計にも適用できる。   (4) In the above embodiment or its modification, the example applied to the layout design of the integrated circuit formed on the semiconductor substrate has been described, but the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be applied to a layout design of an integrated circuit in which a circuit is formed on a substrate that is not a semiconductor substrate.

(5)上記の実施形態又はその変形例では、P型を第1導電型、N型を第2導電型として説明したが、N型を第1導電型、P型を第2導電型としてもよい。   (5) In the above embodiment or its modification, the P type is described as the first conductivity type and the N type as the second conductivity type. However, the N type may be the first conductivity type and the P type may be the second conductivity type. Good.

(6)上記の実施形態又はその変形例では、アナログマクロブロックに入力又は出力されるアナログ信号の配線に、デジタル信号の配線がクロストークによる影響を与える例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、マクロブロックに入力又は出力されるクロック信号の配線に、別系統のクロック信号の配線が与えるクロストークによる影響を低減する場合にも適用できる。また、例えば単純に、別系統の2種類のクロック信号の配線が並走又は交差して、一方が他方に与えるクロストークによる影響を低減する場合にも適用できる。   (6) In the above embodiment or its modification, the example in which the wiring of the digital signal affects the wiring of the analog signal input or output to the analog macroblock due to the crosstalk has been described. It is not limited. For example, the present invention can also be applied to the case where the influence of crosstalk given to the clock signal wiring of another system on the wiring of the clock signal input or output to the macroblock is reduced. Further, for example, the present invention can also be applied to a case where the wirings of two types of clock signals of different systems simply run side by side or intersect to reduce the influence of crosstalk that one side has on the other.

(7)上記の実施形態又はその変形例において、本発明を、集積回路設計装置及び集積回路設計方法として説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、本発明を実現するための集積回路設計方法の処理手順が記述されたプログラムや、該プログラムが記録された記録媒体であってもよい。   (7) Although the present invention has been described as an integrated circuit design apparatus and an integrated circuit design method in the above embodiment or its modification, the present invention is not limited to this. For example, it may be a program in which a processing procedure of an integrated circuit design method for realizing the present invention is described, or a recording medium on which the program is recorded.

図1(A)、図1(B)は本発明の実施形態1における集積回路設計装置の処理の概要を模式的に示す図。1A and 1B are diagrams schematically showing an outline of processing of an integrated circuit design apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 実施形態1における集積回路設計システムの構成例のブロック図。1 is a block diagram of a configuration example of an integrated circuit design system in Embodiment 1. FIG. 図2の配線グリッド変更処理部の動作説明図。Operation | movement explanatory drawing of the wiring grid change process part of FIG. 図2の配置配線処理部の動作説明図。Operation | movement explanatory drawing of the arrangement | positioning wiring process part of FIG. 図2のセル情報記憶部が記憶するセル情報の概要を示す図。The figure which shows the outline | summary of the cell information which the cell information storage part of FIG. 2 memorize | stores. 図6(A)、図6(B)はX方向の配線グリッド間隔のみを大きく変更した場合のセル情報記憶部が記憶するセル情報の説明図。6A and 6B are explanatory diagrams of cell information stored in the cell information storage unit when only the wiring grid interval in the X direction is greatly changed. 図7(A)、図7(B)はY方向の配線グリッド間隔のみを大きく変更した場合のセル情報記憶部が記憶するセル情報の説明図。FIGS. 7A and 7B are explanatory diagrams of cell information stored in the cell information storage unit when only the wiring grid interval in the Y direction is significantly changed. 図8(A)、図8(B)はX方向及びY方向に配線グリッド間隔を大きく変更した場合のセル情報記憶部が記憶するセル情報の説明図。8A and 8B are explanatory diagrams of cell information stored in the cell information storage unit when the wiring grid interval is greatly changed in the X direction and the Y direction. 実施形態1における配線グリッド変更領域の例を示す図。FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a wiring grid change area in the first embodiment. アナログマクロブロックの周辺領域に設定される配線グリッド変更領域の説明図。Explanatory drawing of the wiring grid change area | region set to the peripheral area | region of an analog macroblock. 図2の集積回路設計装置のハードウェア構成例のブロック図。FIG. 3 is a block diagram of a hardware configuration example of the integrated circuit design device of FIG. 2. 図2の集積回路設計装置の処理例のフロー図。FIG. 3 is a flowchart of a processing example of the integrated circuit design apparatus of FIG. 2. 実施形態1変形例における集積回路設計装置の構成例のブロック図。The block diagram of the structural example of the integrated circuit design apparatus in Embodiment 1 modification. 図14(A)、図14(B)は本発明の実施形態2における集積回路設計装置の処理の概要を模式的に示す図。FIGS. 14A and 14B are diagrams schematically showing an outline of processing of the integrated circuit design apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. 実施形態2における集積回路設計システムの構成例のブロック図。FIG. 4 is a block diagram of a configuration example of an integrated circuit design system according to a second embodiment. 図15の集積回路設計装置の処理例のフロー図。FIG. 16 is a flowchart of a processing example of the integrated circuit design device of FIG. 15.

符号の説明Explanation of symbols

10,200…集積回路設計システム、 20,80,210…集積回路設計装置、
22…ネットリスト記憶部、 24,212…配線グリッド変更領域設定部、
26,214…配線グリッド変更処理部、 28,216…セル情報記憶部、
30…配置配線処理部、 40…表示装置、 50…CPU、 52…I/F回路、
54…ROM、 56…RAM、 58…バス、 90…セル情報生成部、
100…集積回路、 102,MB1〜MB3…マクロブロック、
BA…配線グリッド変更領域、 C10〜C13,C20,C24,CL…セル、
CG…セルグリッド、 CN1…配線、 CNA…アナログ信号の配線、
CND…デジタル信号の配線、
GD1,GD2x,GD2y,xd1,yd1…配線グリッド間隔、
GR…配線グリッド、 IA1〜IA4…I/Oセル領域、
INV−1,INV−2…インバータ回路、 LA…レイアウト可能領域、
M1〜M3…配線層、 MC1〜MC3…領域、 ML1…第1層配線、
ML2…第2層配線、 NA…N型アクティブ領域、 PA…P型アクティブ領域、
PL…ポリシリコン層、 VC,VC1〜VC4…ビアセル、 XC1…端子、
cg1,cg2,cg3…セルグリッド間隔、 m1…最小ピッチ
10, 200 ... integrated circuit design system, 20, 80, 210 ... integrated circuit design device,
22 ... net list storage unit, 24, 212 ... wiring grid change area setting unit,
26, 214 ... wiring grid change processing unit, 28, 216 ... cell information storage unit,
30 ... Place and route processing unit, 40 ... Display device, 50 ... CPU, 52 ... I / F circuit,
54 ... ROM, 56 ... RAM, 58 ... bus, 90 ... cell information generator,
100: Integrated circuit, 102, MB1 to MB3: Macroblock,
BA ... wiring grid change area, C10 to C13, C20, C24, CL ... cell,
CG ... cell grid, CN1 ... wiring, CNA ... analog signal wiring,
CND: Digital signal wiring,
GD1, GD2x, GD2y, xd1, yd1 ... wiring grid interval,
GR ... wiring grid, IA1-IA4 ... I / O cell area,
INV-1, INV-2 ... inverter circuit, LA ... layout possible area,
M1 to M3 ... wiring layer, MC1 to MC3 ... region, ML1 ... first layer wiring,
ML2 ... second layer wiring, NA ... N-type active region, PA ... P-type active region,
PL ... polysilicon layer, VC, VC1 to VC4 ... via cell, XC1 ... terminal,
cg1, cg2, cg3 ... cell grid interval, m1 ... minimum pitch

Claims (15)

所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する配線グリッド変更領域設定ステップと、
前記配線グリッド変更領域設定ステップにおいて前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域内の配線グリッドの間隔をより大きく変更する配線グリッド変更ステップと、
前記領域内において、前記配線グリッド変更ステップにおいて前記間隔が変更された配線グリッドに所与の配線を配置すると共に、前記配線グリッド変更ステップにおいて変更された前記配線グリッドの間隔に対応したセルグリッド間隔でその構成が指定されたセルを、前記配線グリッド変更ステップにおいて前記間隔が変更された配線グリッドに配置する配置配線ステップとを含むことを特徴とする集積回路設計方法。
A wiring grid change area setting step for setting a given area as a wiring grid change area;
A wiring grid changing step for changing the wiring grid interval in the area set as the wiring grid changing area in the wiring grid changing area setting step to a greater extent;
Within the region, a given wiring is arranged on the wiring grid whose spacing has been changed in the wiring grid changing step, and at a cell grid spacing corresponding to the spacing of the wiring grid changed in the wiring grid changing step. And a placement and routing step of placing a cell whose configuration is designated on the wiring grid whose spacing has been changed in the wiring grid changing step.
請求項1において、
前記配線グリッド変更ステップが、
前記配線グリッド変更領域として設定される領域内において、互いに交差する第1及び第2の方向の少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドの間隔を変更することを特徴とする集積回路設計方法。
In claim 1,
The wiring grid changing step includes
An integrated circuit design method, wherein an interval between wiring grids extending in at least one of first and second directions intersecting each other is changed in an area set as the wiring grid changing area.
請求項1又は2において、
前記配線グリッド変更ステップが、
前記領域の外側に配線グリッドを設定するように、前記配線グリッドの間隔を大きく変更することを特徴とする集積回路設計方法。
In claim 1 or 2,
The wiring grid changing step includes
An integrated circuit design method, wherein an interval between the wiring grids is greatly changed so that a wiring grid is set outside the region.
所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する配線グリッド変更領域設定ステップと、
前記配線グリッド変更領域設定ステップにおいて前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域内の配線グリッドを消滅させる配線グリッド変更ステップと、
前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域を除外して、前記配線グリッド変更ステップにおける処理後の配線グリッドにセル及び配線を配置する配置配線ステップとを含むことを特徴とする集積回路設計方法。
A wiring grid change area setting step for setting a given area as a wiring grid change area;
A wiring grid changing step for eliminating the wiring grid in the area set as the wiring grid changing area in the wiring grid changing area setting step;
An integrated circuit design method comprising: an arrangement wiring step of arranging cells and wirings in a wiring grid after processing in the wiring grid changing step, excluding the region set as the wiring grid changing region.
請求項4において、
前記配線グリッド変更ステップが、
前記配線グリッド変更領域として設定される領域内において、互いに交差する第1及び第2の方向の少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドを消滅させることを特徴とする集積回路設計方法。
In claim 4,
The wiring grid changing step includes
A method of designing an integrated circuit, wherein a wiring grid extending in at least one of first and second directions intersecting each other in an area set as the wiring grid changing area is extinguished.
請求項2又は5において、
前記第1の方向は、
スタンダードセルを構成するセルのうち、全セルの第1導電型のアクティブ領域が隣接して配置されるアクティブ領域連続配置方向であることを特徴とする集積回路設計方法。
In claim 2 or 5,
The first direction is:
A method for designing an integrated circuit, wherein among the cells constituting a standard cell, the active region continuous arrangement direction in which the first conductivity type active regions of all the cells are adjacently arranged is provided.
請求項1乃至6のいずれかにおいて、
前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域が、
アナログマクロブロックの周辺領域であることを特徴とする集積回路設計方法。
In any one of Claims 1 thru | or 6.
The area set as the wiring grid change area is
A method for designing an integrated circuit, which is a peripheral region of an analog macroblock.
請求項7において、
前記アナログマクロブロックの周辺領域が、
前記アナログマクロブロックの周囲に所与の長さだけ外側に設けられる領域であることを特徴とする集積回路設計方法。
In claim 7,
The peripheral area of the analog macroblock is
A method of designing an integrated circuit, characterized in that it is a region provided outside a predetermined length around the analog macroblock.
配線グリッド上に配線及びセルを配置する集積回路設計装置であって、
同一機能を有する複数のセルの構成をそれぞれ互いに異なるセルグリッド間隔で指定する複数のセルの情報を記憶するセル情報記憶部と、
所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する配線グリッド変更領域設定部と、
前記配線グリッド変更領域設定部により前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域内の配線グリッドの間隔をより大きく変更する配線グリッド変更処理部と、
前記領域内において、前記配線グリッド変更処理部により前記間隔が変更された前記配線グリッドに所与の配線とセルとを配置する配置配線処理部とを含み、
前記配置配線処理部が、
前記セル情報記憶部に記憶されたセルの情報に基づいて、前記配線グリッド変更処理部により変更された前記配線グリッドの間隔に対応したセルグリッド間隔でその構成が指定されたセルを、前記配線グリッド変更処理部によりその間隔が変更された前記配線グリッドに配置することを特徴とする集積回路設計装置。
An integrated circuit design apparatus for arranging wiring and cells on a wiring grid,
A cell information storage unit that stores information of a plurality of cells that specify the configuration of a plurality of cells having the same function at different cell grid intervals, and
A wiring grid change area setting unit for setting a given area as a wiring grid change area;
A wiring grid change processing unit that changes the interval of the wiring grid in the region set as the wiring grid change region by the wiring grid change region setting unit;
In the region, including a placement and routing processing unit that arranges a given wiring and cells in the wiring grid that has been changed by the wiring grid change processing unit,
The placement and routing processing unit
Based on the cell information stored in the cell information storage unit, a cell whose configuration is designated by a cell grid interval corresponding to the interval of the wiring grid changed by the wiring grid change processing unit is used as the wiring grid. An integrated circuit design apparatus, wherein the arrangement is arranged on the wiring grid whose interval is changed by a change processing unit.
請求項9において、
前記配線グリッド変更処理部が、
前記配線グリッド変更領域として設定される領域内において、互いに交差する第1及び第2の方向の少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドの間隔を変更することを特徴とする集積回路設計装置。
In claim 9,
The wiring grid change processing unit
An integrated circuit design apparatus, wherein an interval between wiring grids extending in at least one of first and second directions intersecting each other is changed in an area set as the wiring grid changing area.
請求項9又は10において、
前記配線グリッド変更処理部が、
前記領域の外側に配線グリッドを設定するように、前記配線グリッドの間隔を大きく変更することを特徴とする集積回路設計装置。
In claim 9 or 10,
The wiring grid change processing unit
An integrated circuit design apparatus, wherein the interval between the wiring grids is greatly changed so as to set a wiring grid outside the region.
配線グリッド上に配線及びセルを配置する集積回路設計装置であって、
所与の領域を配線グリッド変更領域として設定する配線グリッド変更領域設定部と、
前記配線グリッド変更領域設定部により前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域内の配線グリッドを消滅させる配線グリッド変更処理部と、
前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域を除外して、前記配線グリッド変更処理部による処理後の配線グリッドにセル及び配線を配置する配置配線処理部とを含むことを特徴とする集積回路設計装置。
An integrated circuit design apparatus for arranging wiring and cells on a wiring grid,
A wiring grid change area setting unit for setting a given area as a wiring grid change area;
A wiring grid change processing unit for eliminating the wiring grid in the region set as the wiring grid change region by the wiring grid change region setting unit;
An integrated circuit design comprising: an arrangement wiring processing unit that arranges cells and wirings in a wiring grid after processing by the wiring grid change processing unit, excluding the region set as the wiring grid change region apparatus.
請求項12において、
前記配線グリッド変更処理部が、
前記配線グリッド変更領域として設定される領域内において、互いに交差する第1及び第2の方向の少なくとも1つの方向に延びる配線グリッドを消滅させることを特徴とする集積回路設計装置。
In claim 12,
The wiring grid change processing unit
An integrated circuit design apparatus, wherein a wiring grid extending in at least one of a first direction and a second direction intersecting each other in an area set as the wiring grid change area is extinguished.
請求項10又は13において、
前記第1の方向は、
スタンダードセルを構成するセルのうち、全セルの第1導電型のアクティブ領域が隣接して配置されるアクティブ領域連続配置方向であることを特徴とする集積回路設計装置。
In claim 10 or 13,
The first direction is:
An integrated circuit design apparatus, wherein among the cells constituting a standard cell, the active region continuous arrangement direction in which the active regions of the first conductivity type of all the cells are adjacently arranged is provided.
請求項9乃至14のいずれかにおいて、
前記配線グリッド変更領域として設定された前記領域が、
アナログマクロブロックの周辺領域であることを特徴とする集積回路設計装置。
In any of claims 9 to 14,
The area set as the wiring grid change area is
An integrated circuit design apparatus characterized by being a peripheral region of an analog macroblock.
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