JP2010012595A - 吊り下げゲッター材料ベース構造 - Google Patents

Abstract

【課題】広いガス吸収面積と低い熱慣性をもたらす、知られているゲッター材料構造を熱的に活性化するために必要な熱活性化出力よりも低い熱活性化出力で済むゲッター材料ベース構造を提供すること。
【解決手段】ゲッター構造（１００）は、基材（１０２）と、少なくとも１つの支持材（１１０、１１２）を使って基材（１０２）に機械的に接続された少なくとも１つのゲッター材料ベース層（１０８）とを備え、基材（１０２）と接触する支持材（１１０、１１２）の表面はゲッター材料層（１０８）の、支持材（１１０、１１２）と接触している第１の面（１０７）の表面よりも小さく、前記第１の面の反対側の、ゲッター材料層（１０８）の第２の面（１０９）は少なくとも部分的に露出されている。
【選択図】図４

Description

本発明は、ゲッター材料ベースの構造に関する。このような構造は、特に、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）またはナノ電気機械システム（ＮＥＭＳ）、例えば、加速度計、ジャイロメーター、または高真空環境もしくは圧力制御環境内に配置されることを意図されている他のデバイスの分野において使用されうる。

ゲッター材料は、ガス状分子に関して吸収性および／または吸着性を、本質的におよび／またはその顕微鏡的形態上有する材料であり、したがって閉環境内に配置されたときに化学ガスポンプを形成することができる。このタイプの材料は、さらに、高真空環境または圧力制御環境を形成するために、真空管、電界効果を利用したシステムまたはＭＥＭＳもしくはＮＥＭＳなどの多くのマイクロエレクトロニクス応用製品において使用されうる。ＭＥＭＳまたはＮＥＭＳが封入されている場合、デバイスの周囲に形成された高真空環境によって、例えば、共鳴機械システムの動作を改善できるだけでなく、環境ガスによる光放射の吸収に敏感な光学系の動作も改善できる。

非蒸発性のゲッター材料は、例えば、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、またはこれら３つの金属の二元合金などの金属である。このような非蒸発性ゲッター材料は、一般に、化学ポンプが薄層の形で形成されるチャンバの壁に直に蒸着される。この材料は、次いで、この材料が蒸着されたチャンバの壁を通しての加熱により熱的に活性化される。米国特許第６ ９２３ ６２５ Ｂ２号では、そのような薄いゲッター材料層の形成について説明している。

このような薄いゲッター材料層のポンピング容量は、吸収されるガスと接触している材料の表面によって決定される。この表面が広ければ広いほど、ゲッター材料の吸収能力は大きくなる。米国特許第６ ９２３ ６２５ Ｂ２号では、薄いゲッター材料層が突起部を有する表面に蒸着されうることを特に指摘している。したがって、突起部の側壁に蒸着されたゲッター材料の表面により、キャビティ内のゲッター材料の全吸収面を増やすことができる。

このような薄いゲッター材料層の大きな不利点は、出力、つまり、熱的に活性化するのに必要なエネルギーの量と加熱時間である。

欧州特許第１ ５１８ ５９９ Ａ２号では、基板上に蒸着されたものが低い活性化温度を持つゲッター材料をベースとするゲッター材料の２つの重ね合わせた層の形成について説明している。ゲッター材料のこのような積み重ねにより、ガス吸収能力を高めることができ、またこのような積み重ねは、単一の薄いゲッター材料層に必要な活性化温度よりも低い活性化温度で熱的に活性化可能である。

米国特許第６ ９２３ ６２５ Ｂ２号 欧州特許第１ ５１８ ５９９ Ａ２号

本発明の目的は、広いガス吸収面積と低い熱慣性をもたらす、知られているゲッター材料構造を熱的に活性化するために必要な熱活性化出力よりも低い熱活性化出力で済むゲッター材料ベース構造を提案することである。

そこで、本発明では、基材と、少なくとも１つの支持材を使って基材に機械的に接続された少なくとも１つのゲッター材料ベース層とを備え、基材と接触する支持材の表面は、支持材と接触するゲッター材料層の主面の表面よりも小さい、ゲッター構造を提案する。

また、本発明は、基材と、少なくとも１つの支持材を使って基材に機械的に接続された少なくとも１つのゲッター材料をベースとする少なくとも１つの層とを備え、基材と接触する支持材の表面は、ゲッター材料層の、支持材と接触している第１の面、つまり側面の表面よりも小さく、前記第１の面の反対側の、ゲッター材料層の第２の面は少なくとも部分的に露出されている、ゲッター構造に関する。

「少なくとも部分的に露出されている」という表現は、層の第２の面がどの要素によっても完全には覆われていない、つまり、この面でガス吸収を生じさせることが可能であることを意味する。

したがって、この支持材のおかげで、ゲッター材料は基材と直に熱的接触をしない。さらに、基材と接触している支持材の表面が、支持材と接触しているゲッター材料層の表面よりも小さいとした場合、ゲッター材料の熱的活性化の出力、つまり、エネルギーの量および加熱時間は、したがって、ゲッター材料層または基材上に直接蒸着されたゲッター材料層の積み重ねの熱的活性化に使用される出力よりも低い。

さらに、第２の面は、少なくとも部分的に露出されているため、これにより、ゲッター材料に対する熱慣性が低くなる。

ゲッター材料層の熱慣性は、ゲッター構造の全熱慣性の少なくとも１０％である可能性がある。

ゲッター材料層が蒸着される基材と接触している支持材の部分の表面は、支持材と接触しているゲッター材料層の主面の表面よりも小さいものとしてよい。

ゲッター材料層の主面の表面の一部、例えば、最大でも１０％、または２０％、または３０％、または４０％、または５０％は、例えばゲッター材料と基材との間に配置されているスペーサーによって形成される支持材と接触しうる。

支持材と接触しているゲッター材料層の第１の面の表面は、支持材と接触していないゲッター材料層の第１の面の表面よりも小さいものとしてよい。

ゲッター材料層は、支持材を唯一の伝導性熱橋として使用することができる。したがって、ゲッター材料層は、支持材がゲッター材料層とともに伝導性熱橋を形成する唯一の要素であり、ゲッター材料層は伝導性熱橋を形成する他のどの要素とも接触してないため「熱的に自由」である。

ゲッター材料層と接触している支持材の表面、つまり、支持材とゲッター材料との間の界面は、ゲッター材料層の第１の面の表面より小さいものとしてよい。

それに加えて、支持材の側面に配置されているが、支持材とは接触していないゲッター材料の表面により、ゲッター材料層の全吸収面を増やすことができる。実際、このような構造をとると、ゲッター材料層の前面を使用できるだけでなく、ゲッター材料の後面の一部でガス吸収を行わせることもできる。したがって、ゲッター材料の量が同じであれば、そのような吊り下げゲッター材料構造では、基材上直接蒸着された薄い層またはゲッター材料層の積み重ねに比べてより大きな吸収能力を得ることができる。

さらに、ゲッター材料層の第２の面を覆う要素がなければ、そのようなゲッター構造は、要素によってゲッター材料層が覆われる従来技術のデバイスと異なり、低い熱慣性を有する。このような低い熱慣性および基材とゲッター材料層との間の直接熱的接触の欠如を考慮すると、ゲッター材料の周囲の他の要素に関して独立にゲッター材料を活性化することが可能である。

この構造は、前記（複数の）層が１つまたは複数の異なるゲッター材料をベースとするものでよい、１つまたは複数のゲッター材料層を備えることができる。

基材は、有利には、ガラスなどの少なくとも１つの断熱材をベースとするものとしてよく、これにより、基材とゲッター材料との間の断熱効果を改善することができる。代替えの態様では、基材は、シリコン、コバールなどの他の材料をベースとするものでもよい。

支持材の少なくとも一部が、ドープシリコンなどの導電性材料をベースとしている場合には、支持材と支持材と接触することが意図されている他の導電性材料との間に電気絶縁体を配置することもできる。

支持材は、少なくとも部分的にはゲッター材料をベースとすることができる。

支持材は、ゲッター材料と基材との間に配置された少なくとも１つのスペーサーを備えることができる。

支持材は、少なくとも１つの抵抗材料をベースとする少なくとも１つの構造化された層および抵抗層と基材との間に配置された少なくとも１つのスペーサーを備えることができ、ゲッター材料は、抵抗層に当たるように配置されうる。したがって、基材とゲッター材料との間に断熱を施すために、抵抗層を使用し、前記抵抗材料に電流を流すことによりゲッター材料のジュール効果によって熱的活性化を行わせることができる。有利なことに、抵抗層は、タングステンをベースとするものとしてよい。しかし、この抵抗層は、金、モリブデン、またはゲッター材料のジュール効果に適した他の材料をベースとすることもできる。

また、抵抗層とゲッター材料層との間に、例えばＰｔまたはＷＮをベースとする、障壁層を集積化することが可能であり、これにより、ゲッター材料の拡散を回避することができる。

抵抗層が使用される場合、スペーサーは、抵抗材料をベースとするものでよい。それに加えて、抵抗層は、蛇行構造化パターンを持つものとしてよい。蛇行は、本明細書全体を通して、安全ピン型の屈曲部を多数有する連続するラインを意味する。このパターンは、さらに、らせん状に巻かれた連続するラインも形成しうる。このパターンに従って構造化された抵抗材料の層を使用すると、特に、良好な耐熱性が得られる。そこで、抵抗材料と接触しているゲッター材料層の表面の大部分が加熱される。

ゲッター材料層は、抵抗層のパターンと実質的に類似しているパターンに従って構造化されうる。

代替えの態様では、抵抗材料層は、ゲッター材料層の上に形成され、ゲッター材料層は基材、または支持材と抵抗層との間に配置されうる。

他の代替えの態様では、抵抗層の役割は、ゲッター材料層それ自体によっても果たされうる。この場合、ジュール効果による熱的活性化は、電流を直接、ゲッター材料層内に通すことにより達成されうる。

スペーサーは、ゲッター材料層の主面の平面に平行な平面内で、表面積が約４μｍ^２から２５μｍ^２までの範囲内である断面を備えることができる。この表面は、好ましくは、ゲッター材料層と基材との間の熱橋、したがって熱損失を制限するように最小にされる。しかし、この表面の値は、最小の表面を必要とする場合があるゲッター構造を形成する技術プロセスに特に依存する可能性がある。それに加えて、この表面の値は、さらに、この構造を形成し、またゲッター材料の良好な固着を形成するのに必要な機械的強度に依存し、例えば、吊り下げ部分の変形が応力勾配の効果または座屈効果のせいで生じるように見える場合、これらの変形が新たに熱橋を形成しないか、または望ましくないスペースを占有しないように十分に広い表面を選択する。４μｍ^２から２５μｍ^２の表面断面積は、スペーサーの断面に関してゲッター材料の吊り下げ表面の最適化が行われたＭＥＭＳ技術プロセスに対応しうる。

それに加えて、支持材が、複数のスペーサーを備える場合、２つの隣接するスペーサーは、互いに約２０μｍから５０μｍの距離だけ隔てられ、これにより、断熱と機械的強度とをうまく折り合わせることができる。この距離は、構造が厚さ約０．５μｍから２μｍの抵抗層を備える場合に特に有利である。

支持材は、ゲッター材料層と基材との間に配置されたキャビティの周壁を含んでいてもよい。

構造は、さらに、キャビティ内へのアクセス手段を形成することができる、ゲッター材料層に開けられた少なくとも１つの開口部を備えることもできる。ゲッター材料層によって形成されるキャビティの内壁は、したがって、さらに、ガス化学種を吸収することができる表面を形成することもできる。

この構造は、さらに、支持材とゲッター材料層との間、および／または支持材と基材との間に配置された、断熱層および／または接着層も含むことができる。

断熱層は、半導体酸化物をベースとすることができ、および／または接着層は、チタンおよび／またはクロムおよび／またはジルコニウム、またはそれらの層を形成するのに適した他の材料をベースとすることができる。

基材は、ゲッター材料によって吸収されることが可能な少なくとも１つの波長を透過する少なくとも１つの材料をベースとすることができる。したがって、ゲッター材料の熱的活性化は、基材を通過するレーザービームまたは赤外線などの光線を使って達成されうる。

本発明は、さらに、壁によって画定された少なくとも１つのキャビティを備え、そこに少なくとも１つのマイクロ電子デバイスが配置され、キャビティの少なくとも１つの壁が上述のようなゲッター構造によって形成され、ゲッター構造のゲッター材料層がそのキャビティ内に配置されるマイクロ電子システムに関する。マイクロ電子デバイスは、ゲッター材料層の第２の面の反対側に配置できる。

マイクロ電子デバイスは、ゲッター構造によって形成されるものと異なるキャビティの壁に配置されうる。

マイクロ電子デバイスは、少なくとも１つのＭＥＭＳおよび／または１つのＮＥＭＳを備えることができる。

本発明は、さらに、基材と接触する支持材の表面が、支持材と接触するゲッター材料の、主面と呼ばれうる面の表面より小さい、少なくとも１つのゲッター材料をベースとする層を基材に機械的に接続する支持材の少なくとも形成を含むゲッター構造を形成するプロセスに関する。

本発明は、さらに、ゲッター構造を形成するプロセスであって、少なくとも、
− 犠牲層を基材上に蒸着する段階と、
− ゲッター材料を蒸着し、犠牲層がゲッター材料層と基材との間に配置されるように少なくとも１つのゲッター材料ベース層を形成する段階と、
− 犠牲層の少なくとも一部を除去し、ゲッター材料層を基材に機械的に接続する支持材を形成する段階であって、基材と接触している支持材の表面は、例えばゲッター材料層の、主面と呼ばれる面の表面より小さく、前記面は支持材と接触している、段階とを含むプロセスに関する。

支持材と接触するゲッター材料層の面の反対側にある、ゲッター材料層の第２の面は、少なくとも部分的に露出させることができる。

ゲッター材料の蒸着は、さらに、犠牲層の周囲で行うこともでき、犠牲層の周囲に蒸着されたゲッター材料は支持材の少なくとも一部を形成することができる。

プロセスは、さらに、犠牲層を蒸着する段階とゲッター材料を蒸着する段階との間に、犠牲層を貫く少なくとも１つの開口部を形成する段階を含み、その際に、ゲッター材料の蒸着は、さらに、開口部内でも行われ、開口部内に蒸着されたゲッター材料が支持材の少なくとも一部を形成することができる。

プロセスは、さらに、ゲッター材料を蒸着する段階と犠牲層の一部を除去する段階との間に、犠牲層へのアクセス手段を形成することができる、ゲッター材料を貫く少なくとも１つの開口部を形成する段階を含み、その際に、犠牲層の一部の除去は、少なくともこの開口部を使って行うことができる。

犠牲層を貫く開口部の形成および／またはゲッター材料を貫く開口部の形成は、少なくとも１つのリソグラフィ段階と１つのエッチング段階とによって行われうる。

犠牲層の残り部分は、犠牲層の一部を除去する段階の後に、支持材の少なくとも一部を形成しうる。

プロセスは、さらに、犠牲層を蒸着する段階とゲッター材料を蒸着する段階との間に、犠牲層を構造化する段階を含むこともできる。

プロセスは、さらに、ゲッター材料を蒸着する段階と犠牲層の一部を除去する段階との間に、ゲッター材料層を構造化する段階を含むこともできる。

プロセスは、さらに、犠牲層を蒸着する段階とゲッター材料を蒸着する段階との間、またはゲッター材料を蒸着する段階と犠牲層の一部を除去する段階との間で行われる、少なくとも１つの抵抗材料をベースとする層を犠牲層またはゲッター材料層上に蒸着する少なくとも１つの段階を含むことができ、その際に、ゲッター材料層は抵抗層上に、または抵抗層の下に配置されうる。

プロセスは、さらに、抵抗層を蒸着する段階の後に、抵抗層を構造化する段階および／または抵抗層を貫く開口部を形成する段階を含むことができる。

プロセスは、さらに、例えば、抵抗層とゲッター材料層との間に配置されたＰｔまたはＷＮをベースとする障壁層を蒸着する段階を含むことができる。

プロセスは、さらに、支持材上に（犠牲層を蒸着する段階とゲッター材料を蒸着する段階との間に行われる）、および／または基材上に（犠牲層を蒸着する段階の前に行われる）、断熱層および／または接着層を蒸着する段階を含むことができる。

ゲッター材料の蒸着は、蒸発および／または噴霧によって実行されうる。

犠牲層の一部の除去は、例えばポリマーベースの犠牲層の場合にはプラズマエッチング、または例えば金属材料ベースの犠牲層の場合にはウェットエッチングの段階によって実行されうる。

プロセスは、さらに、ゲッター材料を蒸着する段階の後に、保護層をゲッター材料上に蒸着する段階と、犠牲層の一部を除去する段階の後に行われる保護層を除去する段階とを含むこともできる。

本発明は、さらに、マイクロ電子システムを製造するプロセスであって、少なくとも、
− 上述のようなゲッター構造を形成するプロセスを実行する段階と、
− 例えば基材上に形成された壁によって画定され、少なくとも１つのマイクロ電子デバイスが配置されるキャビティを閉じる段階であって、ゲッター構造がキャビティの壁を形成し、ゲッター構造のゲッター材料層がキャビティ内に配置される、段階とを含むプロセスに関する。

本発明は、付属の図面を参照しつつ、純粋に指示および非制限的な目的のために用意されている例示的な実施形態の説明に照らして理解するのが容易である。

第１の実施形態による、本発明の主題である、ゲッター構造を形成するプロセスの各段階、ならびに特定の実施形態による、これもまた本発明の主題である、マイクロ電子システムを製造するプロセスの段階を示す図である。 第１の実施形態による、本発明の主題である、ゲッター構造を形成するプロセスの各段階、ならびに特定の実施形態による、これもまた本発明の主題である、マイクロ電子システムを製造するプロセスの段階を示す図である。 第１の実施形態による、本発明の主題である、ゲッター構造を形成するプロセスの各段階、ならびに特定の実施形態による、これもまた本発明の主題である、マイクロ電子システムを製造するプロセスの段階を示す図である。 第１の実施形態による、本発明の主題である、ゲッター構造を形成するプロセスの各段階、ならびに特定の実施形態による、これもまた本発明の主題である、マイクロ電子システムを製造するプロセスの段階を示す図である。 第２の実施形態による、本発明の主題である、ゲッター構造を形成するプロセスの各段階を示す図である。 第２の実施形態による、本発明の主題である、ゲッター構造を形成するプロセスの各段階を示す図である。 第２の実施形態による、本発明の主題である、ゲッター構造を形成するプロセスの各段階を示す図である。 第２の実施形態による、本発明の主題である、ゲッター構造を形成するプロセスの各段階を示す図である。 第１の実施形態の代替えの態様による、本発明の主題である、ゲッター構造を示す図である。 第３の実施形態による、本発明の主題である、ゲッター構造を形成するプロセスの各段階を示す図である。 第３の実施形態による、本発明の主題である、ゲッター構造を形成するプロセスの各段階を示す図である。 第３の実施形態による、本発明の主題である、ゲッター構造を形成するプロセスの各段階を示す図である。 第３の実施形態による、本発明の主題である、ゲッター構造を形成するプロセスの各段階を示す図である。

後述のさまざまな図の同一の、類似の、または同等の部分には、図同士の間の一貫性を保持するために同じ参照番号が使用されている。

図に示されているさまざまな部分は、図を読み取りやすくするために、必ずしも均等目盛に従って示されてはいない。

さまざまな可能性（代替えの態様および実施形態）は、相互に排他的ではないと理解されなければならず、互いに組み合わせることができる。

最初に、図１から４を参照すると、これらは第１の実施形態によるゲッター構造１００を形成するプロセス、さらにはゲッター構造１００を備える、特定の実施形態による、マイクロ電子システム１０００を製造するプロセスの各段階を示している。

ゲッター構造１００は、例えばガラスベースの基材１０２から作られる。基材１０２は、さらに、シリコンなどの半導体をベースとするものでもよく、適宜、酸化物ベースの層または基材１０２の断熱効果をもたらすことが可能な他の材料で覆うことが可能である。図１に示されているように、例えば樹脂、感光性樹脂などのポリマー、または銅もしくはアルミニウムなどの金属をベースとする、犠牲層１０４が、基材１０２上に蒸着される。犠牲層１０４を形成するために、他の犠牲材料、例えば酸化物が使用されうる。一般に、犠牲層１０４は、約１μｍから１０μｍまでの厚さを有することができる。樹脂を使用することで、特に、厚みのある犠牲層１０４を形成することができる。それに加えて、犠牲層１０４が樹脂をベースとするものである場合、犠牲層１０４の熱クリープ特性を利用して、この層の段差のある通路を滑らかにすることが可能であり、したがって、その後この犠牲層１０４上に蒸着されたゲッター材料層の機械的強度を改善することができ有利である。また、樹脂をベースとするものである場合、犠牲層のストービングを行うことも可能である。

次いで、犠牲層１０４は、少なくとも１つのゲッター材料をベースとする層の蒸着を受け入れるために、例えばリソグラフィおよび適宜エッチングにより構造化される。特にこの犠牲層１０４を貫く開口部１０６が形成される。図１には、単一の開口部１０６が示されている。

次に、図２からわかるように、ゲッター材料が犠牲層１０４上に蒸着される。例えば銅および／またはクロムをベースとする保護サブ層の予備的蒸着を犠牲層１０４に対し行うことが可能であり、次いでゲッター材料層がこの保護サブ層上に蒸着される。この第１の実施形態では、ゲッター材料は、チタンであり、例えば蒸着もしくは噴霧または他の好適な蒸着技術によって蒸着される。代替えの態様では、ゲッター材料は、クロムおよび／またはチタンおよび／またはジルコニウムおよび／またはこれらの材料の合金、および／またはガス状分子の吸収および／または吸着の特性を有する他の材料をベースとすることができる。

蒸着されたゲッター材料は、特に犠牲層１０４の上に、第１の面１０７が犠牲層１０４と接触しているゲッター材料層１０８を形成する。ゲッター材料層１０８は、さらに、第１の面１０７の反対側に第２の面１０９を備える。面１０７および１０９は、ゲッター材料層１０８の２つの主面を形成する。一般に、ゲッター材料層１０８の厚さは、約０．２μｍから２μｍまでの範囲とすることができる。ゲッター材料は、さらに、犠牲層１０４の周りの、基材１０２上に蒸着され、層１０８が置かれる周壁１１０を形成する。周壁１１０は、ゲッター材料の連続部分によってここに形成されるが、互いに隔てられている複数のゲッター材料部分によっても形成が可能であり、支柱を形成しうる。最後に、ゲッター材料は、さらに、開口部１０６内にも蒸着され、これによりスペーサー１１２、つまり支柱をゲッター材料層１０８と基材１０２との間に形成する。図２の実施例では、単一のスペーサー１１２が示されている。したがって、周壁１１０およびスペーサー１１２は、ゲッター材料層１０８が置かれる支持材を形成する。

次いで、ゲッター材料層１０８は、リソグラフィ段階とエッチング段階とにより構造化され、特に、犠牲層１０４にアクセスできるようにする開口部１１４を形成する。この構造がゲッター材料層の下に配置された保護サブ層を含む場合、開口部１１４も、この保護サブ層を貫いて形成される。

最後に、ゲッター材料層１０８を貫いてすでに形成されている開口部１１４を使って犠牲層１０４の選択的エッチングが行われる（図３を参照）。ポリマー材料ベースの犠牲層の場合、エッチングは、好ましくはオゾンプラズマタイプである。このエッチングは、層１０８の下に、特に周壁１１０によって画定されたキャビティ１１６を形成し、これにより、ゲッター材料層１０８から第１の面１０７を取り除く。

こうして、基材１０２と直接的に接触しないが、この場合周壁１１０とこれもまたゲッター材料をベースとするスペーサー１１２とによって形成される支持材を使って機械的に接続されるゲッター材料層１０８が得られる。これらのスペーサー１１２は、寸法（直径、辺など）が例えば約２μｍから５μｍの範囲にある任意の形状、つまり任意の幾何学的形状の断面を有することができる。したがって、周壁１１０およびスペーサー１１２と接触しているゲッター材料層１０８の第１の面１０７の平面に平行な平面内で、スペーサー１１２は、表面積が約４μｍ^２から２５μｍ^２までである断面を有することができる。それに加えて、２つの隣接するスペーサー１１２を隔てる距離は、例えば、約２０μｍから５０μｍまでの範囲であり、したがって、スペーサー１１２の間のこの層１０８の座屈の危険性に関して層１０８の良好な機械的強度が保証される。

一般に、犠牲層１０４は、ゲッター材料および／または保護サブ層の材料に関して選択的にエッチングできる材料をベースとすることができる。この犠牲層１０４の厚さは、大きな段差のある通路の場合に、犠牲層を除去した後に良好な機械的強度とするために、過度に薄いまたは厚いゲッター材料層を形成しないように望ましいゲッター材料層１０８の厚さに比例することが有利である。例えば、厚さが約１μｍから２μｍの範囲内であるゲッター材料層１０８については、犠牲層１０４は、約０．５μｍから１μｍの範囲の厚さを有することができる。

図４に示されているように、ゲッター構造１００は、ＭＥＭＳまたはＮＥＭＳなどのマイクロ電子デバイス１００６が配置されるキャビティ１００４を備える基材１００２上に集積化される。ゲッター構造１００は、キャビティ１００４の上壁を形成する。したがって、ゲッター材料層１０８は、周壁１１０とスペーサー１１２によって形成された支持材によって、デバイス１００６の上の、キャビティ１００４内に吊り下げられる。図４では、基材１０２は、ガラスフリット封着によってキャビティ１００４の側壁１００８に接続される。また、陽極封着または分子結合に関連する形状を考えることも可能である。基材１０２がガラスベースであり、壁１００８がシリコンベースである場合、キャビティ１００４の内側の真空状態を維持するために、良好な気密性をもたらす陽極封着が好ましくは形成される。

次いで、構造１００のゲッター材料、つまり、この場合、層１０８とともに周壁１１０およびスペーサー１１２によって形成される支持材に対し熱活性化が行われる。図４の実施例では、熱活性化は、ビーム１０１０が示されているレーザー発生源を使って行われる。この第１の実施形態では、基材１０２は、少なくともゲッター材料のレベルにおいて局所的に、ビーム１０１０の波長に対し透過的である。したがって、これらのビームによって供給されるエネルギーは、キャビティ１００４内に存在する構造１００のゲッター材料によって吸収される。

熱活性化は、さらに、例えばλ＝１μｍの波長を有する赤外線によって実行されうる。この場合、ゲッター材料層１０８が、０．１μｍを超える厚さを有する場合、光エネルギーの約４５％を吸収する。したがって、この熱活性化を行うために使用されるランプの出力は、ゲッター材料層、スペーサー、および周壁の材料の寸法および熱伝導率、さらにはスペーサー間の間隔、つまり、ゲッター材料層１０８を支持するスペーサーの密度、および基材の熱伝導率に依存する。例えば、それぞれによって形成される熱橋が約２５μＷ／Ｋ（１μｍの酸化物ベースの断熱層を有するシリコン基材の場合）に等しく、また分布密度が約４０，０００スペーサー数／ｃｍ^２に等しいスペーサーについては、ゲッター材料を３００℃のオーダーの温度に加熱するために７００Ｗ／ｃｍ^２のランプが使用されうる。スペーサーの密度および／またはスペーサーおよび／または周壁の熱伝導率が低減された場合、および／または基材の熱伝導率が、例えばシリコン基材の代わりにガラス基材を使用することにより著しく低減される場合に、出力の低いランプを使用することができる。

この熱活性化では、特に層１０８の第１の面１０７および第２の面、さらには周壁１１０およびスペーサー１１２によって形成される支持材を使って、ゲッター材料がキャビティ１００４内に存在するガス状分子を吸収し、したがって、例えばこのキャビティ１００４内に高真空状態を作り出すことが可能である。ゲッター材料のこの熱活性化は、側壁１００８への構造１００の組み立て中または組み立て後に行うことができる。熱活性化温度は、ゲッター材料の化学的性質またはゲッター材料を形成する合金の組成に依存する。この温度は、約２００℃から５００℃までの範囲としてよく、また熱活性化を行うために、例えば数分間、あるいは１時間またはそれ以上長く維持することができる。

また、熱伝導率が十分である場合に電流を直接ゲッター材料に通すことによりジュール効果による熱活性化を行うことが可能である。

キャビティ１００４の壁に蒸着された単一のゲッター材料層と比較すると、この吊り下げゲッター材料層１０８構造１００では、キャビティ１００４のガス環境とも接触する、キャビティ１１６のゲッター材料壁、ならびに特に層１０８の第１の面１０７および露出されたままの第２の面により広い吸収面を形成することができる。さらに、ゲッター材料層１０８上に移された要素はどれも、吊り下げゲッターを含む構造に対し熱慣性を加えない。

上述の第１の実施形態の代替えの態様では、ゲッター材料は犠牲層１０４の周りに蒸着されず、ゲッター材料層１０８を支持する周壁を形成しないようにすることが可能である。そのため、ゲッター材料層１０８は、犠牲層１０４を貫く開口部１０６内に蒸着されたゲッター材料によって形成されるスペーサー１１２によってのみ支持される。

構造１００を形成するプロセスにおいて、ゲッター材料の保護層を層１０８上に蒸着し、また適宜周壁１１０上に蒸着することも可能である。したがって、ゲッター材料をキャビティ１００４内に封じ込める前にゲッター材料の汚染、酸化、およびガス吸収が生じる危険性を最小限に抑えられる。この保護層は、例えば、クロムおよび／または銅をベースとするものでよい。この保護層は、約５ｎｍから５００ｎｍまでの範囲の厚さを有することができる。この保護層は、キャビティ１００４を閉じるためにゲッター構造が使用される前に、例えば選択的な化学エッチングによって除去される。しかし、この保護層が、ゲッター効果に対する障壁としても使用される場合、この層は、金属、酸化物、または窒化物をベースとするものとしてよい。

また、犠牲層とゲッター効果に対し障壁を形成しえないゲッター材料層との間に蒸着された保護サブ層を使用することも可能である。したがって、ゲッター層の背面とキャビティの反対側にあるサブ層は、ゲッター機能を有することができる。この保護層は、全部または部分的にのみ、温存されるか、または除去されうる。

図９は、代替えの一実施形態によるゲッター構造１００を示している。図３に示されているゲッター構造に関して、この代替え実施形態によるゲッター構造１００は、ゲッター材料層１０８の蒸着の前に犠牲層１０４上に蒸着される、例えばクロムおよび／または銅をベースとする、保護サブ層を備える。それに加えて、ゲッター材料層１０８は、ゲッター材料層とさらにゲッター材料層１０８上に蒸着された保護層１０５を含む二重層であり、この保護層はさらにクロムおよび／または銅をベースとすることもできる。開口部１１４は、ゲッター材料層１０８を貫いて形成されており、さらには保護層１０５および保護サブ層１０３をも貫いている。最後に、この代替え実施形態では、犠牲層１０４の一部は温存されている。このような保護層は、ゲッター材料の層に当たるように配置された大きな要素と異なり、ゲッター材料がガス吸収を行うことを妨げないことに留意されたい。さらに、このような保護層は、ゲッター材料との伝導性熱橋を形成しない。

次に、図５から８を参照すると、これは、第２の実施形態によるゲッター構造２００を形成するプロセスの段階を示している。

図５に示されているように、ゲッター構造２００は、例えば第１の実施形態に関連して説明されているものと同様の基材１０２を備え、この上に犠牲層１０４が形成されるが、これもまた上述のものと同様である。

次いで、犠牲層１０４上に接着層２０２が蒸着される（図６を参照）。この接着層２０２は、チタンおよび／またはジルコニウムおよび／またはクロムをベースとすることができる。接着層２０２を形成するように選択された材料に応じて、これは、ガス化学種に関して吸収特性を持つことができる。この接着層２０２の厚さは、約５ｎｍから１００ｎｍまでの範囲としてよい。

図７に示されているように、ゲッター材料は、次いで、接着層２０２上に蒸着されて、例えば第１の実施形態に関連して上で説明されているものと同様の層１０８を形成する。この層１０８は、次いで構造化され、これにより、この層１０８を貫く開口部１１４が形成される。接着層２０２により、ゲッター材料と犠牲層１０４との接着性を向上させることができる。

次いで、特にゲッター材料層１０８内に形成される開口部１１４を通して、犠牲層１０４と接着層２０２のエッチングが行われる。したがって、犠牲層１０４の残り部分は、接着層２０２の残り部分が配置されるスペーサー２０４を形成し、さらにスペーサー２０６を形成する。

したがって、上述の第１の実施形態のように、基材１０２と直接的に熱的接触しないゲッター材料層１０８が得られるが、この場合、この材料層は、犠牲層１０４の材料をベースとするスペーサー２０４および接着層２０２の材料をベースとするスペーサー２０６によって形成される支持材を使って基材に接続される。スペーサー２０４、２０６の幾何学的形状および分布は、前のほうで説明されているスペーサー１１２の幾何学的形状および分布と類似している場合がある。

上述のように、次いで、ゲッター構造２００は、マイクロ電子デバイスが配置されるキャビティを備える基材上に集積化され、キャビティ壁を形成する。構造２００のゲッター材料、つまりこの場合には、層１０８も、熱的に活性化される。

それに加えて、吊り下げゲッター材料構造では、従来技術のゲッター構造に関してより広い吸収表面を形成することができるが、それは、スペーサー２０６と接触している層１０８の表面のみが、ゲッター材料層１０８の全吸収面の一部でないからである。したがって、ガス吸収は、露出されたままの層１０８の第２の面１０９、またスペーサー２０６と接触していない層１０８の第１の面１０７の一部によって行われる。

図１０から１３を参照すると、これは、第３の実施形態によるゲッター構造３００を形成するプロセスの段階を示している。

ゲッター構造３００は、シリコンベースの基材３０２を備え、この上に、酸化ケイ素層３０４が形成され、基材３０２の周りに断熱層が形成される（図１０）。第１の実施形態のように、犠牲層１０４が酸化物層３０４上に形成されて構造化され、これにより、この層１０４を貫く開口部が形成される。加熱材料として使用されることが意図されている材料、例えば、タングステンまたは他の好適な材料が、犠牲層１０４上に蒸着され、これにより、層３０８が形成される。図１１に示されているように、加熱材料のこの蒸着は、「蛇行」パターンに従って構造化される、つまり、一連の安全ピンの形で複数の屈曲部を持つ連続するラインを形成する。代替えの態様では、このパターンは、さらに、らせん状に巻かれた連続するラインも形成しうる。このような構造化により、層３０８は良好な耐熱性をもたらしうる。犠牲層１０４の隣に蒸着された加熱材料の一部は、周壁３１０を形成し、また犠牲層１０４を貫いて形成される開口部内に蒸着された加熱材料は、犠牲層１０４の上に蒸着された加熱材料によって形成される層３０８を支持するスペーサー３１２を形成する。また、周壁３１０が存在しないという場合もありえ、このときに層３０８はスペーサー３１２のみによって支持される。

図１２に示されているように、ゲッター材料層１０８は、加熱材料層３０８上に蒸着される。適宜、ゲッター材料が加熱材料の電気抵抗に比べて低い電気抵抗を有する場合に、ゲッター材料層１０８の蒸着の前に、電気的絶縁層が加熱材料層３０８上に蒸着されうる。このような電気的絶縁層は、例えば、酸化ケイ素および／または窒化ケイ素をベースとし、例えば、約１００ｎｍから１μｍまでの範囲の厚さを有する。層１０８は、さらに、ゲッター材料層１０８を貫く開口部１１４を形成するように構造化され、これにより、加熱材料層３０８を貫いて形成された開口部３０６を使って犠牲層１０４へのアクセス手段を形成する。

したがって、ゲッター材料層１０８は、この場合、基材３０２から分離され、層３０８、周壁３１０、および加熱材料スペーサー３１２によって形成された支持材によって支持される。スペーサー３１２の密度および／またはこれらの支柱３１２の寸法は、ゲッター材料層１０８に加えて、加熱材料層３０８が存在することで加わる機械的応力に合わせて設定される。

次いで、犠牲層１０４が、例えば、開口部３０６および開口部１１４を通じてのエッチングにより除去され、これにより、加熱材料およびゲッター材料によって形成される構造が解放される。層３０８の下に形成されたキャビティ３１６が、こうして得られ、その中にスペーサー３１２が配置される。この場合、周壁３１０がキャビティ３１６を画定する。

前述の実施形態のように、次いで、ゲッター構造３００は、マイクロ電子デバイスが配置されるキャビティを備える基材上に集積化され、これにより、キャビティの壁を形成する（図１３）。構造３００のゲッター材料、つまりこの場合には、層３０８も、加熱材料層３０８に電流を通すことにより熱的に活性化される。加熱材料層３０８に電流を通すことができるように加熱材料と接触させるために、特に、１つまたは複数の接点を基材３０２内に形成されたビアホールを通して形成することができる。したがって、ガス吸収は、特にゲッター材料層１０８の第２の面１０９によって行われる。

１００ ゲッター構造
１０２ 基材
１０３ 保護サブ層
１０４ 犠牲層
１０５ 保護層
１０６ 開口部
１０７ 第１の面
１０８ ゲッター材料層
１０９ 第２の面
１１０ 周壁
１１２ スペーサー
１１４ 開口部
１１６ キャビティ
２００ ゲッター構造
２０２ 接着層
２０４ スペーサー
２０６ スペーサー
３００ ゲッター構造
３０２ シリコンベースの基材
３０４ 酸化ケイ素層
３０６ 開口部
３０８ 層
３１０ 周壁
３１２ スペーサー
３１６ キャビティ
１０００ マイクロ電子システム
１００２ 基材
１００４ キャビティ
１００６ マイクロ電子デバイス
１００８ 側壁
１０１０ ビーム

Claims (41)

1. 基材（１０２、３０２）と、少なくとも１つの支持材（１１０、１１２、２０４、３０８、３１０、３１２）を使って前記基材（１０２、３０２）に機械的に接続された少なくとも１つのゲッター材料ベース層（１０８）とを備え、前記基材（１０２、３０２）と接触する前記支持材（１１０、１１２、２０４、３０８、３１０、３１２）の表面は、前記ゲッター材料層（１０８）の前記支持材（１１０、１１２、２０４、３０８、３１０、３１２）と接触している第１の面（１０７）の表面よりも小さく、前記第１の面（１０７）の反対側の、前記ゲッター材料層（１０８）の第２の面（１０９）は少なくとも部分的に露出されている、ゲッター構造（１００、２００、３００）。
2. 前記支持材（１１０、１１２、２０４）と接触している前記ゲッター材料層（１０８）の前記第１の面（１０７）の前記表面は、前記支持材（１１０、１１２、２０４）と接触していない前記ゲッター材料層（１０８）の前記第１の面（１０７）の前記表面よりも小さい請求項１に記載の構造（１００、２００）。
3. 前記ゲッター構造層（１０８）は、唯一の伝導性熱橋として前記支持材（１１０、１１２、２０４、３０８、３１０、３１２）を有する請求項１から２のいずれか一項に記載の構造（１００、２００、３００）。
4. 前記基材（１０２）は、ガラスベースである請求項１から３のいずれか一項に記載の構造（１００、２００）。
5. 前記ゲッター材料ベース層（１０８）は、約０．２μｍから２μｍまでの範囲の厚さを有する請求項１から４のいずれか一項に記載の構造（１００、２００、３００）。
6. 前記ゲッター材料は、チタンおよび／またはジルコニウムおよび／またはハフニウムをベースとする請求項１から５のいずれか一項に記載の構造（１００、２００、３００）。
7. 前記支持材（１１０、１１２）は、少なくとも部分的にゲッター材料をベースとする請求項１から６のいずれか一項に記載の構造（１００）。
8. 前記支持材は、前記ゲッター材料層（１０８）と前記基材（１０２、３０２）との間に配置された少なくとも１つのスペーサー（１１２、２０４、３１２）を備える請求項１から７のいずれか一項に記載の構造（１００、２００、３００）。
9. 前記支持材は、少なくとも１つの抵抗材料をベースとする少なくとも１つの構造化された層（３０８）および前記抵抗層（３０８）と前記基材（３０２）との間に配置された少なくとも１つのスペーサー（３１２）を備え、前記ゲッター材料層（１０８）は、前記抵抗層（３０８）に当たるように配置される請求項１から７のいずれか一項に記載の構造（３００）。
10. 前記スペーサー（３１２）は、抵抗材料をベースとする請求項９に記載の構造（３００）。
11. 前記抵抗層（３０８）の構造化パターンは、蛇行パターンである請求項９または１０のいずれか一項に記載の構造（３００）。
12. 前記ゲッター材料層（１０８）は、前記抵抗層（３０８）のパターンと実質的に類似しているパターンに従って構造化される請求項９から１１のいずれか一項に記載の構造（３００）。
13. 前記スペーサー（１１２、２０４、３１２）は、前記ゲッター材料層（１０８）の前記主面の前記平面に平行な平面内で、前記表面積が約４μｍ^２から２５μｍ^２までの範囲内である断面を備える請求項８から１２のいずれか一項に記載の構造（１００、２００、３００）。
14. 前記支持材が複数のスペーサー（１１２、２０４、３１２）を備える場合に、２つの隣接するスペーサーが約２０μｍ^２から５０μｍ^２までの範囲の距離だけ互いに隔てられている請求項８から１３のいずれか一項に記載の構造（１００、２００、３００）。
15. 前記支持材は、前記ゲッター材料層（１０８）と前記基材（１０２、３０２）との間に配置されたキャビティ（１１６、３１６）の周壁（１１０、３１０）を備える請求項１から１４のいずれか一項に記載の構造（１００、３００）。
16. さらに、前記キャビティ（１１６、３１６）へのアクセス手段を形成する、前記ゲッター材料層（１０８）に開けられた少なくとも１つの開口部（１１４）を備える請求項１５に記載の構造（１００、３００）。
17. さらに、断熱層（３０４）および前記支持材（２０４）と前記ゲッター材料層（１０８）との間に、および／または前記支持材（３０８、３１０、３１２）と前記基材（３０２）との間に配置された接着層（２０２、２０６）を備える請求項１から１６のいずれか一項に記載の構造（２００、３００）。
18. 前記断熱層（３０４）は、半導体酸化物をベースとし、および／または接着層（２０２、２０６）は、チタンおよび／またはクロムおよび／またはジルコニウムをベースとする請求項１７に記載の構造（２００、３００）。
19. 前記基材（１０２）は、前記ゲッター材料によって吸収されることが可能な少なくとも１つの波長を透過する少なくとも１つの材料をベースとする請求項１から１８のいずれか一項に記載の構造（１００、２００）。
20. 壁（１００、１００８、１００２）によって画定された少なくとも１つのキャビティ（１００４）を備え、そこに少なくとも１つのマイクロ電子デバイス（１００６）が配置され、前記キャビティ（１００４）の少なくとも１つの壁が請求項１から１９のいずれか一項に記載のゲッター構造（１００）によって形成され、前記ゲッター構造（１００）の前記ゲッター材料層（１０８）が前記キャビティ（１００４）内に配置されるマイクロ電子システム（１０００）。
21. マイクロ電子デバイス（１００６）は、前記ゲッター構造（１００）によって形成されるものと異なる前記キャビティ（１００４）の壁に配置される請求項２０に記載のシステム（１０００）。
22. 前記マイクロ電子デバイス（１００６）は、少なくとも１つのＭＥＭＳおよび／またはＮＥＭＳを備える請求項２０または２１のいずれか一項に記載のシステム（１０００）。
23. ゲッター構造（１００、２００、３００）を形成するプロセスであって、少なくとも、
    − 犠牲層（１０４）を基材（１０２、３０２）上に蒸着する段階と、
    − ゲッター材料を蒸着し、前記犠牲層（１０４）が前記ゲッター材料層（１０８）と前記基材（１０２、３０２）との間に配置されるように少なくとも１つのゲッター材料ベース層（１０８）を形成する段階と、
    − 前記犠牲層（１０４）を少なくとも部分的に除去し、前記ゲッター材料層（１０８）を前記基材（１０２、３０２）に機械的に接続する支持材（１１０、１１２、２０４、３０８、３１０、３１２）を形成する段階であって、前記基材（１０２、３０２）と接触している前記支持材（１１０、１１２、２０４、３０８、３１０、３１２）の前記表面は前記ゲッター材料層（１０８）の面（１０７）の前記表面より小さく、前記面（１０７）は前記支持材（１１０、１１２、２０４、３０８、３１０、３１２）と接触している、段階とを含むプロセス。
24. 前記支持材（１１０、１１２、２０４、３０８、３１０、３１２）と接触している前記ゲッター材料層（１０８）の前記面（１０７）の反対側にある、前記ゲッター材料層（１０８）の第２の面（１０９）は、少なくとも部分的に露出する請求項２３に記載のプロセス。
25. 前記支持材（１１０、１１２、２０４）と接触している前記ゲッター材料層（１０８）の前記面（１０７）の前記表面は、前記支持材（１１０、１１２、２０４）と接触していない前記ゲッター材料層（１０８）の前記面（１０７）の前記表面よりも小さい請求項２３または２４のいずれか一項に記載のプロセス。
26. 前記ゲッター構造層（１０８）は、唯一の伝導性熱橋として前記支持材（１１０、１１２、２０４、３０８、３１０、３１２）を有する請求項２３から２５のいずれか一項に記載のプロセス。
27. 前記ゲッター材料の前記蒸着は、さらに、前記犠牲層（１０４）の周囲でも行われ、前記犠牲層（１０４）の周囲に蒸着された前記ゲッター材料は前記支持材（１１０、３１０）の少なくとも一部を形成する請求項２３から２６のいずれか一項に記載のプロセス。
28. さらに、前記犠牲層（１０４）を蒸着する段階と前記ゲッター材料を蒸着する段階との間に、前記犠牲層（１０４）を貫く少なくとも１つの開口部（１０６）を形成する段階を含み、その際に、前記ゲッター材料の前記蒸着は、さらに、前記開口部（１０６）内でも行われ、前記開口部（１０６）内に蒸着された前記ゲッター材料が前記支持材（１１２、３１２）の少なくとも一部を形成する、請求項２３から２７のいずれか一項に記載のプロセス。
29. さらに、前記ゲッター材料を蒸着する段階と前記犠牲層（１０４）の前記一部を除去する段階との間に、前記犠牲層（１０４）へのアクセス手段を形成する、前記ゲッター材料を貫く少なくとも１つの開口部（１１４）を形成する段階を含み、前記犠牲層部分（１０４）の除去は、少なくとも前記開口部（１１４）を使って行われる請求項２３から２８のいずれか一項に記載のプロセス。
30. 前記犠牲層（１０４）を貫く前記開口部（１０６）の形成および／または前記ゲッター材料を貫く前記開口部（１１４）の形成は、少なくとも１つのリソグラフィ段階と１つのエッチング段階とによって行われる請求項２８または２９のいずれか一項に記載のプロセス。
31. 前記犠牲層（１０４）の前記（複数の）残り部分（２０４）は、前記犠牲層（１０４）の一部を除去する段階の後に、前記支持材の少なくとも一部を形成する請求項２３から３０のいずれか一項に記載のプロセス。
32. さらに、前記犠牲層（１０４）を蒸着する段階と前記ゲッター材料を蒸着する段階との間に、前記犠牲層（１０４）を構造化する段階も含む請求項２３から３１のいずれか一項に記載のプロセス。
33. さらに、前記ゲッター材料を蒸着する段階と前記犠牲層（１０４）の一部を除去する段階との間に、前記ゲッター材料層（１０８）を構造化する段階も含む請求項２３から３２のいずれか一項に記載のプロセス。
34. さらに、前記犠牲層（１０４）を蒸着する段階と前記ゲッター材料を蒸着する段階との間、または前記ゲッター材料を蒸着する段階と前記犠牲層（１０４）の一部を除去する段階との間で行われる、少なくとも１つの抵抗材料をベースとする層（３０８）を前記犠牲層（１０４）または前記ゲッター材料層（１０８）上に蒸着する少なくとも１つの段階を含み、前記ゲッター材料層（１０８）は前記抵抗層（３０８）上に、または前記抵抗層（３０８）の下に配置される請求項２３から３３のいずれか一項に記載のプロセス。
35. さらに、前記抵抗層（３０８）を蒸着する段階の後に、前記抵抗層（３０８）を構造化する段階および／または前記抵抗層（３０８）を貫く開口部（３０６）を形成する段階を含む請求項３４に記載のプロセス。
36. さらに、前記支持材（２０４）上に（前記犠牲層（１０４）を蒸着する段階と前記ゲッター材料を蒸着する段階との間に行われる）、および／または前記基材（３０２）上に（前記犠牲層（１０４）を蒸着する段階の前に行われる）、断熱層（３０４）および／または接着層（２０２）を蒸着する段階も含む請求項２３から３５のいずれか一項に記載のプロセス。
37. 前記ゲッター材料の前記蒸着は、蒸発および／または噴霧によって行われる請求項２３から３６のいずれか一項に記載のプロセス。
38. 前記犠牲層（１０４）の前記一部の前記除去は、プラズマエッチングまたはウェットエッチングの段階によって行われる請求項２３から３７のいずれか一項に記載のプロセス。
39. さらに、前記ゲッター材料を蒸着する段階の後に、保護層を前記ゲッター材料上に蒸着する段階と、前記犠牲層（１０４）の一部を除去する段階の後に行われる前記保護層を除去する段階とを含む請求項２３から３８のいずれか一項に記載のプロセス。
40. マイクロ電子システム（１０００）を製造するプロセスであって、少なくとも、
    − 請求項２３から３９のいずれか一項に記載のゲッター構造（１００）を形成するプロセスを実行する段階と、
    − 壁（１００、１００２、１００８）によって画定され、少なくとも１つのマイクロ電子デバイス（１００６）が配置されるキャビティ（１００４）を閉じる段階であって、前記ゲッター構造（１００）が前記キャビティ（１００４）の壁を形成し、前記ゲッター構造（１００）の前記ゲッター材料層（１０８）が前記キャビティ（１００４）内に配置される、段階とを含むプロセス。
41. 前記マイクロ電子デバイス（１００６）は、前記ゲッター構造（１００）によって形成されるものと異なる前記キャビティ（１００４）の壁に配置される請求項４０に記載のプロセス。

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