JP2010010173A - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】接続部材32bとして、パワー素子42と接続される部位に貫通穴32cを有する金属板を用い、貫通穴32cの部分にて接続部材32bをパワー素子42の表面に搭載した後、還元雰囲気にて、貫通穴32c上から貫通穴32cの内部に、固化状態にて糸形状をなす糸はんだ33aを供給するとともに、接続部材32bおよびパワー素子42の表面を糸はんだ33aの溶融温度以上に加熱することにより、貫通穴32c内にて糸はんだ33aを溶融させ、はんだ接合を行う。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る電子装置S1の概略構成を示す図であり、(a)は概略断面図、(b)は(a)の電子装置S1を上方から見たときの概略平面図である。なお、図1(b)では、モールド樹脂50を透過してモールド樹脂50内部の構成要素を示している。
図3は、本発明の第2実施形態に係る電子装置の概略断面図である。特に高い放熱性が必要のない場合は、上記第1実施形態に示したようなヒートシンクと、それを接着する絶縁層が無くてもよい。
図4は、本発明の第3実施形態に係る電子装置の概略平面図である。なお、図4では、モールド樹脂50を透過してモールド樹脂50内部の構成要素を示している。
図5は、本発明の第4実施形態に係る電子装置の概略断面図である。パワー素子42にはんだ付けされる第2の端子32bは、上記図1に示されるように、アイランド31a、31bと同じ面から折り曲げられたものでもよいが、図5(a)に示されるように、パワー素子42の表面から当該表面と平行に延びる形状であってもよい。
図6は、本発明の第5実施形態に係る電子装置の概略断面図である。上記第1実施形態では、第2の端子32bは、リードフレーム30とは別体の板材よりなるものであったが、本実施形態のように、第2の端子32bは、リードフレーム30の一部を折り曲げることによって形成されたものでもよい。
図7は、本発明の第6実施形態に係る電子装置の要部を示す概略平面図であり、(a)は第1の例、(b)は第2の例を示す。上記第1実施形態では、第2の端子32bの平面形状がストレートな形状であったが、図7(a)、(b)に示されるように、鍵形状になっていてもよい。これによって、第2の端子32bにかかる応力を緩和して、はんだ付け部への衝撃を吸収することができる。
図8(a)〜(d)は、本発明の第6実施形態に係る電子装置の要部の種々の例を示す概略平面図である。第2の端子32bにおいてパワー素子42とはんだ付けされる部分の平面形状は、特に限定されるものではなく、たとえば四角形(図8(a)参照)でもよいし、円形(図8(b)参照)でもよい。
図9は、本発明の第8実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。本実施形態は、上記第1実施形態と比べて、はんだ付け工程を一部変形したところが相違するものであり、その相違点を中心に述べることとする。
図10(a)、(b)は、本発明の第9実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を述べると、図10に示されるように、貫通穴32cにおいて、第2の端子32bにおけるパワー素子42側の面寄りの部位よりもこれとは反対側の面寄りの部位の方が広い穴形状となっている。
図11は、本発明の第10実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を主として述べる。本実施形態の電子装置では、図11に示されるように、第2の端子32bにおけるパワー素子42側の面と、パワー素子42の表面とは隙間32dを有している。
図12は、本発明の第11実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を主として述べる。
図13は、本発明の第12実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。本実施形態では、第2の端子32bの中間部のうちパワー素子42のエッジ上に位置する部位を、パワー素子42とは反対側に凸となるように折りまげてから、所望の方向へ折り曲げている。これによって上記第11実施形態と同様に、エッジタッチ防止の効果を得ることができる。
図14は、本発明の第13実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を主として述べる。
図15は、本発明の第14実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。本実施形態もはんだ付け工程にて、溶融したはんだ33を所望の領域に留めることを目的とするものであるが、上記第13実施形態との相違点を主として述べる。
図16は、本発明の第15実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図であり、(a)は第1の例、(b)は第2の例を示す。ここでも、上記第1実施形態との相違点を中心に述べることとする。
図17は、本発明の第16実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。本実施形態は、上記各実施形態に適用可能なものである。本実施形態の特徴点を中心に述べることとする。
なお、電子装置としては、パワー素子42の表面に接続部材32bを電気的に接続してなるものであればよく、上記図1に示される電子装置S1に限定されるものではない。
32c 貫通穴
32e 突起
32f Auめっき
32g 溝
33 はんだ
33a 糸はんだ
42 パワー素子
70 ボンディングワイヤ
Claims (16)
- パワー素子(42)の表面に接続部材(32b)を電気的に接続してなる電子装置の製造方法において、
前記接続部材(32b)として、前記パワー素子(42)と接続される部位に板厚方向に貫通する貫通穴(32c)が設けられている金属板よりなるものを用い、
前記貫通穴(32c)の部分にて前記接続部材(32b)を前記パワー素子(42)の表面に搭載した後、
還元雰囲気にて、前記貫通穴(32c)上から前記貫通穴(32c)の内部に、固化状態にて糸形状をなす糸はんだ(33a)を供給するとともに、前記接続部材(32b)および前記パワー素子(42)の表面を前記糸はんだ(33a)の溶融温度以上に加熱することにより、前記貫通穴(32c)内にて前記糸はんだ(33a)を溶融させ、前記接続部材(32b)と前記パワー素子(42)の表面とを、はんだ接合することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 前記糸はんだ(33a)を溶融させることにより、当該溶融したはんだを前記貫通穴(32c)から、前記接続部材(32b)における前記パワー素子(42)とは反対側の面のうち前記貫通穴(32c)の周囲の部位にはみ出させることを特徴とする請求項1に記載の電子装置の製造方法。
- 前記貫通穴(32c)は、前記接続部材(32b)における前記パワー素子(42)側の面寄りの部位よりもこれとは反対側の面寄りの部位の方が広い穴形状となっているものとすることを特徴とする請求項1または2に記載の電子装置の製造方法。
- 前記糸はんだ(33a)の溶融は、前記接続部材(32b)における前記パワー素子(42)側の面と、前記パワー素子(42)の表面との間に、前記貫通穴(32c)の幅よりも小さい隙間(32d)を設けた状態で行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法。
- 前記接続部材(32b)として、当該接続部材(32b)における前記パワー素子(42)側の面のうち前記貫通穴(32c)の開口縁部の全周に、突起(32e)を設けたものを用いることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法。
- 前記接続部材(32b)として、当該接続部材(32b)の表面のうち前記貫通穴(32c)の周囲の部位にAuめっき(32f)が施されているものを用い、
前記糸はんだ(33a)の溶融では、前記接続部材(32b)の表面にて、溶融したはんだ(33)を前記Auめっき(32f)が施されている部位内に留めるようにしたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法。 - 前記接続部材(32b)として、当該接続部材(32b)の表面のうち前記貫通穴(32c)の周囲の部位に、前記貫通穴(32c)を取り巻く環状の溝(32g)を設けたものを用い、
前記糸はんだ(33a)の溶融では、前記接続部材(32b)の表面にて、溶融したはんだ(33)を前記溝(32g)の内周に位置させるようにしたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法。 - 前記接続部材(32b)と前記パワー素子(42)の表面とを、はんだ接合した後、
前記パワー素子(42)の表面のうち前記接続部材(32b)が接続されている以外の部位に、ワイヤボンディングを行ってボンディングワイヤ(70)を接続する工程を備えており、
前記接続部材(32b)として、当該接続部材における前記パワー素子(42)とは反対側の面のうち前記ボンディングワイヤ(70)寄りの部位が、前記ボンディングワイヤ(70)とは反対側の部位よりも前記パワー素子(42)側に向かって凹んでいるものを用いるようにしたことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法。 - パワー素子(42)の表面に接続部材(32b)を電気的に接続し、前記接続部材(32b)を介して前記パワー素子(42)と外部との電気的な接続を行うようにした電子装置において、
前記接続部材(32b)は金属製の板状をなす金属板よりなり、
前記接続部材(32b)における前記パワー素子(42)と接続される部位には、前記接続部材(32b)の板厚方向に貫通する貫通穴(32c)が設けられており、
この貫通穴(32c)に、はんだ(33)が充填されており、このはんだ(33)によって前記接続部材(32b)と前記パワー素子(42)の表面とは、はんだ接合されていることを特徴とする電子装置。 - 前記はんだ(33)は、前記貫通穴(32c)から、前記接続部材(32b)における前記パワー素子(42)とは反対側の面のうち前記貫通穴(32c)の周囲の部位にはみ出した形状となっていることを特徴とする請求項9に記載の電子装置。
- 前記貫通穴(32c)は、前記接続部材(32b)における前記パワー素子(42)側の面寄りの部位よりもこれとは反対側の面寄りの部位の方が広い穴形状となっていることを特徴とする請求項9または10に記載の電子装置。
- 前記接続部材(32b)における前記パワー素子(42)側の面と、前記パワー素子(42)の表面とは隙間(32d)を有しており、この隙間(32d)に前記はんだ(33)が充填されており、
前記隙間(32d)は、前記貫通穴(32c)の幅よりも小さいことを特徴とする請求項9ないし11のいずれか1つに記載の電子装置。 - 前記接続部材(32b)における前記パワー素子(42)側の面のうち前記貫通穴(32c)の開口縁部の全周には、突起(32e)が設けられていることを特徴とする請求項9ないし12のいずれか1つに記載の電子装置。
- 前記接続部材(32b)の表面のうち前記貫通穴(32c)の周囲の部位には、Auめっき(32f)が施されており、
前記接続部材(32b)の表面にて、前記はんだ(33)は、前記Auめっき(32f)が施されている部位内に、位置していることを特徴とする請求項9ないし13のいずれか1つに記載の電子装置。 - 前記接続部材(32b)の表面のうち前記貫通穴(32c)の周囲の部位には、前記貫通穴(32c)を取り巻く環状の溝(32g)が設けられており、
前記はんだ(33)は、この溝(32g)の内周に位置していることを特徴とする請求項9ないし14のいずれか1つに記載の電子装置。 - 前記パワー素子(42)の表面のうち前記接続部材(32b)が接続されている以外の部位には、ボンディングワイヤ(70)が接続されており、
前記接続部材(32b)における前記パワー素子(42)とは反対側の面のうち前記ボンディングワイヤ(70)寄りの部位は、前記ボンディングワイヤ(70)とは反対側の部位よりも前記パワー素子(42)側に向かって凹んでいることを特徴とする請求項9ないし15のいずれか1つに記載の電子装置。
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Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011117939A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2012069727A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Denso Corp | 半導体モジュール |
| JP2012169477A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2013021647A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール、半導体モジュールを備えた半導体装置、および半導体モジュールの製造方法 |
| JP2013038310A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Denso Corp | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
| JP2014075406A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | ダイボンダ装置、及びダイボンド方法 |
| JP2015115471A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| WO2015125772A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 三菱電機株式会社 | 電極リードおよび半導体装置 |
| WO2016132453A1 (ja) * | 2015-02-17 | 2016-08-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JPWO2016067414A1 (ja) * | 2014-10-30 | 2017-04-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2017221730A1 (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
| WO2018021322A1 (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPWO2017073233A1 (ja) * | 2015-10-28 | 2018-04-19 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| JP2019009328A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| JP2019091795A (ja) * | 2017-11-14 | 2019-06-13 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
| CN113451155A (zh) * | 2020-03-26 | 2021-09-28 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 加工半导体晶片的方法、半导体晶片、夹和半导体器件 |
| JPWO2022004589A1 (ja) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | ||
| JP2024013569A (ja) * | 2022-07-20 | 2024-02-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6485398B2 (ja) | 2016-04-13 | 2019-03-20 | 株式会社デンソー | 電子装置及びその製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08118003A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-05-14 | Nec Corp | アンテナ及びその製造方法 |
| JP2002043587A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-08 | Origin Electric Co Ltd | メサ型ダイオード及びその製造方法 |
| JP2003218305A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2003318344A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2004111849A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック配線基板、それを用いた部品実装済み配線基板、及びそれらの製造方法 |
| JP2004303869A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2007335538A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製法 |
-
2008
- 2008-06-24 JP JP2008164187A patent/JP4968195B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08118003A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-05-14 | Nec Corp | アンテナ及びその製造方法 |
| JP2002043587A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-08 | Origin Electric Co Ltd | メサ型ダイオード及びその製造方法 |
| JP2003218305A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2003318344A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2004111849A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック配線基板、それを用いた部品実装済み配線基板、及びそれらの製造方法 |
| JP2004303869A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2007335538A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製法 |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011117939A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2012069727A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Denso Corp | 半導体モジュール |
| JP2012169477A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| US9520345B2 (en) | 2011-08-10 | 2016-12-13 | Denso Corporation | Semiconductor module, semiconductor device having semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor module |
| WO2013021647A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール、半導体モジュールを備えた半導体装置、および半導体モジュールの製造方法 |
| JP2013038310A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Denso Corp | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
| DE112012007339B3 (de) * | 2011-08-10 | 2020-03-05 | Denso Corporation | Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung des Halbleitermoduls |
| US9240371B2 (en) | 2011-08-10 | 2016-01-19 | Denso Corporation | Semiconductor module, semiconductor device having semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor module |
| JP2014075406A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | ダイボンダ装置、及びダイボンド方法 |
| JP2015115471A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| WO2015125772A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 三菱電機株式会社 | 電極リードおよび半導体装置 |
| JPWO2016067414A1 (ja) * | 2014-10-30 | 2017-04-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2016132453A1 (ja) * | 2015-02-17 | 2016-08-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JPWO2017073233A1 (ja) * | 2015-10-28 | 2018-04-19 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| JPWO2017221730A1 (ja) * | 2016-06-24 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
| WO2017221730A1 (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
| WO2018021322A1 (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPWO2018021322A1 (ja) * | 2016-07-26 | 2019-03-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2019009328A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| JP2019091795A (ja) * | 2017-11-14 | 2019-06-13 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
| CN113451155A (zh) * | 2020-03-26 | 2021-09-28 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 加工半导体晶片的方法、半导体晶片、夹和半导体器件 |
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