JP2010010020A - 発光装置、及び発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置、及び発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010010020A JP2010010020A JP2008169984A JP2008169984A JP2010010020A JP 2010010020 A JP2010010020 A JP 2010010020A JP 2008169984 A JP2008169984 A JP 2008169984A JP 2008169984 A JP2008169984 A JP 2008169984A JP 2010010020 A JP2010010020 A JP 2010010020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- light emitting
- organic
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 58
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 142
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 142
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 454
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 98
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 30
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 17
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 claims description 11
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 33
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical group [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical group [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】カラーフィルタを用いずにカラー画像を表示できる発光装置を低コストで得る。
【解決手段】基板10上に規則的に配置された複数の発光領域19の各々に、赤色発光画素20Rと緑色発光画素20Gと青色発光画素20Bと、の三種類の発光画素20を備える発光装置であって、三種類の発光画素20の各々は基板10側から順に、光反射層又は半反射層21と、透明樹脂層79と、透明導電性を有する第1の電極25と、発光機能層26と、光反射性又は半反射性を有する第2の電極27と、が積層された構造を有しており、透明樹脂層79は、各々の発光画素20の発光色に対応する色に着色された有色透明樹脂層79であることを特徴とする発光装置。
【選択図】図4
【解決手段】基板10上に規則的に配置された複数の発光領域19の各々に、赤色発光画素20Rと緑色発光画素20Gと青色発光画素20Bと、の三種類の発光画素20を備える発光装置であって、三種類の発光画素20の各々は基板10側から順に、光反射層又は半反射層21と、透明樹脂層79と、透明導電性を有する第1の電極25と、発光機能層26と、光反射性又は半反射性を有する第2の電極27と、が積層された構造を有しており、透明樹脂層79は、各々の発光画素20の発光色に対応する色に着色された有色透明樹脂層79であることを特徴とする発光装置。
【選択図】図4
Description
本発明は発光装置、及び発光装置の製造方法に関する。
発光装置の1つである有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置は、近年、液晶表示装置に代わる表示装置として期待されており、実用化が進んでいる。有機EL装置は、一般的に、表示領域内に規則的に配置された発光画素としての有機EL画素を備えている。個々の有機EL画素は、陰極(電子注入電極)から注入される電子と陽極(ホール注入電極)から注入される正孔とを発光層(有機EL層)内部で再結合させる際に生じる発光を射出する。三原色を射出する有機EL画素、すなわち赤色光を射出する有機EL画素と緑色光を射出する有機EL画素と青色光を射出する有機EL画素を、有機EL装置の表示領域内に規則的に配置することにより、カラー表示が可能である。
上記三原色の光を得る方法として、各々の有機EL画素毎に異なる色の光を生じる発光層を形成する方法と、全ての有機EL画素に共通の、広い波長領域の光を生じる発光層を形成し、カラーフィルタを用いて特定の波長領域の光を得る方法と、がある。有機EL画素毎に異なる発光層を形成することによるコスト、及びカラーフィルタを用いずに理想的なピーク波長の光を得ることは困難である。また、カラーフィルタを用いることは製造コストを増加させるため好ましくない。そこで、近年は、陽極を構成するITO(酸化インジウム・錫合金)等の無機透明層の層厚を有機EL画素毎に変化させて、電極間(陰極と陽極との間)、あるいはいずれか一方の電極と別途形成された光反射層との間の共振長を有機EL画素毎に異なる値とした上で上述の発光を共振させて、特定の波長範囲の光を強調する方法が検討されている(特許文献1及び2参照)。
しかし、ITO等の無機透明層を有機EL画素毎に異なる層厚で形成するためには、薄膜形成工程とフォトリソグラフィー工程を複数回繰り返す必要がある。また、共振による特定の波長を強調する効果のみでは満足な三原色光を得ることは困難であり、高品質のカラー画像を得るにはカラーフィルタを併用することが好ましい。したがって、上述の技術は、プロセスの複雑化及び製造コストの上昇をもたらすという問題を有している。
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、赤色発光画素と緑色発光画素と青色発光画素と、の三種類の発光画素を備える発光装置であって、上記三種類の発光画素の各々は、上記基板側から順に、光反射層又は半反射層と、透明樹脂層と、透明導電性を有する第1の電極と、発光機能層と、光反射性又は半反射性を有する第2の電極と、が積層された構造を有しており、上記透明樹脂層は、各々の上記発光画素の発光色に対応する色に着色された有色透明樹脂層であることを特徴とする発光装置。
基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、赤色発光画素と緑色発光画素と青色発光画素と、の三種類の発光画素を備える発光装置であって、上記三種類の発光画素の各々は、上記基板側から順に、光反射層又は半反射層と、透明樹脂層と、透明導電性を有する第1の電極と、発光機能層と、光反射性又は半反射性を有する第2の電極と、が積層された構造を有しており、上記透明樹脂層は、各々の上記発光画素の発光色に対応する色に着色された有色透明樹脂層であることを特徴とする発光装置。
このような構成の発光装置であれば、上記発光機能層内で生じる光を各々の上記発光画素の発光色に対応する色、すなわち三原色に着色できる。したがって、カラーフィルタを用いずにカラー画像を表示できる。
なお、上記透明樹脂層が各々の発光画素の発光色に対応する色に着色されているということは、赤色発光画素を構成する透明樹脂層は赤色に着色された赤色透明樹脂層であり、緑色発光画素を構成する透明樹脂層は緑色に着色された緑色透明樹脂層であり、青色発光画素を構成する透明樹脂層は青色に着色された青色透明樹脂層である、ということである。
なお、上記透明樹脂層が各々の発光画素の発光色に対応する色に着色されているということは、赤色発光画素を構成する透明樹脂層は赤色に着色された赤色透明樹脂層であり、緑色発光画素を構成する透明樹脂層は緑色に着色された緑色透明樹脂層であり、青色発光画素を構成する透明樹脂層は青色に着色された青色透明樹脂層である、ということである。
[適用例2]
上述の発光装置であって、上記有色透明樹脂層の層厚は、該有色透明樹脂層の光学的距離と上記第1の電極の光学的距離と上記発光機能層の光学的距離との和が、該有色透明樹脂層が形成される発光画素の発光を上記光反射層又は上記半反射層と上記第2の電極との間で発生する共振により強調する光学的距離となる厚さであることを特徴とする発光装置。
上述の発光装置であって、上記有色透明樹脂層の層厚は、該有色透明樹脂層の光学的距離と上記第1の電極の光学的距離と上記発光機能層の光学的距離との和が、該有色透明樹脂層が形成される発光画素の発光を上記光反射層又は上記半反射層と上記第2の電極との間で発生する共振により強調する光学的距離となる厚さであることを特徴とする発光装置。
このような構成の発光装置であれば、上記有色透明樹脂層による着色効果と共振による色純度の向上効果との相乗効果により、より一層色純度の向上した三原色光を得ることができる。したがって、カラーフィルタを用いずに、より一層高品質のカラー画像を表示できる。なお、上記各層の光学的距離とは、上記各層の層厚(上記基板に垂直方向の厚さ)と該層の屈折率との積である。
[適用例3]
上述の発光装置であって、上記発光機能層は白色発光機能層であり、上記三種類の発光画素は、上記有色透明樹脂層の色及び層厚を除き、材料及び層厚が同一の層で構成されていることを特徴とする発光装置。
上述の発光装置であって、上記発光機能層は白色発光機能層であり、上記三種類の発光画素は、上記有色透明樹脂層の色及び層厚を除き、材料及び層厚が同一の層で構成されていることを特徴とする発光装置。
このような構成の発光装置であれば、製造コストを低減しつつ、上記有色透明樹脂層の効果によりカラー画像を形成できる。
[適用例4]
上述の発光装置であって、上記複数の発光領域の各々には上記発光画素を駆動する駆動素子、及び、該駆動素子と上記第1の電極とを電気的に接続するコンタクトホールが形成されており、上記光反射層又は上記半反射層は金属層であり、上記コンタクトホールの形成領域には、上記光反射層又は上記半反射層と同一の層をパターニングすることにより、平面視にて上記光反射層又は上記半反射層と所定の間隔を隔てるコンタクトキャップが形成されていることを特徴とする発光装置。
上述の発光装置であって、上記複数の発光領域の各々には上記発光画素を駆動する駆動素子、及び、該駆動素子と上記第1の電極とを電気的に接続するコンタクトホールが形成されており、上記光反射層又は上記半反射層は金属層であり、上記コンタクトホールの形成領域には、上記光反射層又は上記半反射層と同一の層をパターニングすることにより、平面視にて上記光反射層又は上記半反射層と所定の間隔を隔てるコンタクトキャップが形成されていることを特徴とする発光装置。
このような構成の発光装置であれば、上記駆動素子と上記第1の電極との間の接続抵抗を低減できる。したがって、より一層高品質のカラー画像を形成できる。
[適用例5]
上述の発光装置であって、上記金属層は光反射層であり、上記第2の電極は半反射性を有していることを特徴とする発光装置。
上述の発光装置であって、上記金属層は光反射層であり、上記第2の電極は半反射性を有していることを特徴とする発光装置。
このような構成であれば、上記第2の電極の側から発光を取り出すトップエミッション型の発光装置として用いることができる。
[適用例6]
上述の発光装置であって、上記金属層は半反射層であり、上記第2の電極は光反射性を有しており、上記基板は透明性を有していることを特徴とする発光装置。
上述の発光装置であって、上記金属層は半反射層であり、上記第2の電極は光反射性を有しており、上記基板は透明性を有していることを特徴とする発光装置。
このような構成であれば、上記第1の電極の側から発光を取り出すボトムエミッション型の発光装置として用いることができる。
[適用例7]
上述の発光装置であって、上記発光が射出される面に円偏光板を備えていることを特徴とする発光装置。
上述の発光装置であって、上記発光が射出される面に円偏光板を備えていることを特徴とする発光装置。
このような構成の発光装置であれば、外光(発光装置の外部から照射される光)が上記光反射層又は上記第2の電極で反射されて該発光装置の外部に射出されることを抑制できる。したがって、より一層高品質のカラー画像を形成できる。
[適用例8]
基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、各々が上記基板側から順に第1の電極と発光機能層と第2の電極とが積層された構造を有する、赤色光を発光する赤色発光画素と緑色光を発光する緑色発光画素と青色光を発光する青色発光画素との三種類の発光画素のいずれかを備える発光装置の製造方法であって、上記発光領域に光反射層又は半反射層を形成する第1の工程と、上記光反射層上又は上記半反射層上に、透明樹脂及び各々の画素の発光色と略同一色の着色材料を含む液状材料を供給する第2の工程と、上記液状材料を硬化させて、上記光反射層上又は上記半反射層上に有色透明樹脂層を形成する第3の工程と、上記有色透明樹脂層が形成された上記基板上に透明導電層を形成する第4の工程と、上記透明導電層をパターニングして、上記発光領域に上記第1の電極を形成する第5の工程と、上記第1の電極上に発光機能層を形成する第6の工程と、上記発光機能層上に光反射性又は半反射性を有する上記第2の電極を形成する第7の工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、各々が上記基板側から順に第1の電極と発光機能層と第2の電極とが積層された構造を有する、赤色光を発光する赤色発光画素と緑色光を発光する緑色発光画素と青色光を発光する青色発光画素との三種類の発光画素のいずれかを備える発光装置の製造方法であって、上記発光領域に光反射層又は半反射層を形成する第1の工程と、上記光反射層上又は上記半反射層上に、透明樹脂及び各々の画素の発光色と略同一色の着色材料を含む液状材料を供給する第2の工程と、上記液状材料を硬化させて、上記光反射層上又は上記半反射層上に有色透明樹脂層を形成する第3の工程と、上記有色透明樹脂層が形成された上記基板上に透明導電層を形成する第4の工程と、上記透明導電層をパターニングして、上記発光領域に上記第1の電極を形成する第5の工程と、上記第1の電極上に発光機能層を形成する第6の工程と、上記発光機能層上に光反射性又は半反射性を有する上記第2の電極を形成する第7の工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
このような製造方法によれば、上記各々の発光画素の光反射層又は半反射層上に該各々の発光画素の発光色に対応する色に着色された有色透明樹脂層を形成できる。すなわち、赤色発光画素の光反射層又は半反射層上に赤色透明樹脂層を、緑色発光画素の光反射層又は半反射層上に緑色透明樹脂層を、青色発光画素の光反射層又は半反射層上に青色透明樹脂層を、夫々形成できる。そして、該有色透明樹脂層により、各々の発光画素が射出する光の色純度を向上できる。したがって、より一層高品質のカラー表示が可能な発光装置を得ることができる。
[適用例9]
上述の発光装置の製造方法であって、上記第6の工程は白色光を発光する白色発光機能層を形成する工程であり、上記第2の工程は、上記第3の工程により形成される上記有色透明樹脂層の光学的距離と上記透明導電層の光学的距離と上記発光機能層の光学的距離との和が、該有色透明樹脂層が形成される発光画素の発光を上記光反射層又は上記半反射層と上記第2の電極との間で発生する共振により強調する光学的距離となるように、上記液状材料を供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
上述の発光装置の製造方法であって、上記第6の工程は白色光を発光する白色発光機能層を形成する工程であり、上記第2の工程は、上記第3の工程により形成される上記有色透明樹脂層の光学的距離と上記透明導電層の光学的距離と上記発光機能層の光学的距離との和が、該有色透明樹脂層が形成される発光画素の発光を上記光反射層又は上記半反射層と上記第2の電極との間で発生する共振により強調する光学的距離となるように、上記液状材料を供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
このような製造方法によれば、フォトリソグラフィー法を用いずに上記発光画素毎に異なる層厚の上記有色透明樹脂層を形成できる。そして、共振による特定の波長範囲の光を強調する効果と有色透明樹脂層による着色効果との相乗効果で、上記白色光をより一層好ましい波長範囲を有する三原色光のいずれかにできる。したがって、上述の三種類の発光画素に共通の白色光を発光する発光機能層を用いる場合において、より一層高品質のカラー表示が可能な発光装置を得ることができる。
なお、光学的距離とは、層厚と(該層の形成材料の)屈折率との積である。また、光学的距離は発光色によって異なる。したがって、上記透明導電層の光学的距離と上記発光機能層の光学的距離との和が上記三種類の発光画素間で共通の場合、上記液状材料の供給量は上記三種類の発光画素の夫々で異なる量であり、上記有色透明樹脂層の層厚も上記三種類の発光画素の夫々で異なる値となる。また、発光画素の発光を共振に強調するということは、各々の発光画素の発光(すなわち三原色光のいずれかの光)以外の波長範囲の光を低減して、色純度を向上させることをいう。
なお、光学的距離とは、層厚と(該層の形成材料の)屈折率との積である。また、光学的距離は発光色によって異なる。したがって、上記透明導電層の光学的距離と上記発光機能層の光学的距離との和が上記三種類の発光画素間で共通の場合、上記液状材料の供給量は上記三種類の発光画素の夫々で異なる量であり、上記有色透明樹脂層の層厚も上記三種類の発光画素の夫々で異なる値となる。また、発光画素の発光を共振に強調するということは、各々の発光画素の発光(すなわち三原色光のいずれかの光)以外の波長範囲の光を低減して、色純度を向上させることをいう。
[適用例10]
上述の発光装置の製造方法であって、上記光反射層又は上記半反射層は金属層であり、上記第1の工程の前に上記基板上に、各々の上記発光画素に対応する駆動素子を形成する第8の工程と、上記基板上に上記駆動素子を覆う平坦化層を形成する第9の工程と、を順に実施し、上記第1の工程と上記第2の工程との間に、上記平坦化層の一部を選択的に除去して上記駆動素子の電極の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成する第10の工程を更に実施し、上記第1の工程は、上記金属層をパターニングして上記発光領域に上記光反射層又は上記半反射層を形成し、かつ、上記金属層をパターニングして、上記コンタクトホールの形成領域に上記光反射層又は上記半反射層と所定の間隔を隔てるコンタクトキャップを形成する工程であり、上記第5の工程は、上記透明導電層をパターニングして、上記コンタクトホールの形成領域と上記発光領域との2つの領域に跨る上記第1の電極を形成する工程である、ことを特徴とする発光装置の製造方法。
上述の発光装置の製造方法であって、上記光反射層又は上記半反射層は金属層であり、上記第1の工程の前に上記基板上に、各々の上記発光画素に対応する駆動素子を形成する第8の工程と、上記基板上に上記駆動素子を覆う平坦化層を形成する第9の工程と、を順に実施し、上記第1の工程と上記第2の工程との間に、上記平坦化層の一部を選択的に除去して上記駆動素子の電極の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成する第10の工程を更に実施し、上記第1の工程は、上記金属層をパターニングして上記発光領域に上記光反射層又は上記半反射層を形成し、かつ、上記金属層をパターニングして、上記コンタクトホールの形成領域に上記光反射層又は上記半反射層と所定の間隔を隔てるコンタクトキャップを形成する工程であり、上記第5の工程は、上記透明導電層をパターニングして、上記コンタクトホールの形成領域と上記発光領域との2つの領域に跨る上記第1の電極を形成する工程である、ことを特徴とする発光装置の製造方法。
このような製造方法によれば、工程数を増加させることなく、上記駆動素子と上記第1の電極との接続抵抗(コンタクト抵抗)を低減できる。したがって、製造コストを増加させることなく、より一層高品質のカラー表示が可能な発光装置を得ることができる。
[適用例11]
上述の発光装置の製造方法であって、上記平坦化層は有機樹脂層であり、上記第10の工程と上記第2の工程との間に、上記基板上に酸素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理及びフッ素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理を施して上記有機樹脂層の露出した表面に撥液性を付与し、上記光反射層又は上記半反射層の表面に親液性を付与する第11の工程を実施することを特徴とする発光装置の製造方法。
上述の発光装置の製造方法であって、上記平坦化層は有機樹脂層であり、上記第10の工程と上記第2の工程との間に、上記基板上に酸素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理及びフッ素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理を施して上記有機樹脂層の露出した表面に撥液性を付与し、上記光反射層又は上記半反射層の表面に親液性を付与する第11の工程を実施することを特徴とする発光装置の製造方法。
このような製造方法によれば、上記第2の工程において、上記液状材料が上記光反射層又は上記半反射層の周囲に流出する可能性を低減できる。したがって、より一層信頼性の向上した発光装置を得ることができる。
[適用例12]
上述の発光装置の製造方法であって、上記第2の工程は、上記液状材料をインクジェット法により吐出して供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
上述の発光装置の製造方法であって、上記第2の工程は、上記液状材料をインクジェット法により吐出して供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
インクジェット法は、低コストであり、かつ、液状材料の供給位置及び供給量の制御性が高い。したがって、このような製造方法によれば、より一層高品質の発光装置をより一層低いコストで得ることができる。
[適用例13]
上述の発光装置の製造方法であって、上記第1の工程は、光反射層を形成する工程であり、上記第7の工程は、半反射性を有する上記第2の電極を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
上述の発光装置の製造方法であって、上記第1の工程は、光反射層を形成する工程であり、上記第7の工程は、半反射性を有する上記第2の電極を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
このような製造方法によれば、上述の光反射層と上述の半反射性を有する第2の電極との間で発光を共振させつつ、共振により特定の波長範囲の光が強調された光を上記第2の電極側から射出させることが可能なトップエミッション型の発光装置を得ることができる。
[適用例14]
上述の発光装置の製造方法であって、上記基板は透明基板であり、上記第9の工程は透明性を有する上記有機樹脂層を形成する工程であり、上記第1の工程は半反射層を形成する工程であり、上記第7の工程は、光反射性を有する上記第2の電極を形成する工程であること、を特徴とする発光装置の製造方法。
上述の発光装置の製造方法であって、上記基板は透明基板であり、上記第9の工程は透明性を有する上記有機樹脂層を形成する工程であり、上記第1の工程は半反射層を形成する工程であり、上記第7の工程は、光反射性を有する上記第2の電極を形成する工程であること、を特徴とする発光装置の製造方法。
このような製造方法によれば、上述の半反射層と上述の光反射性を有する第2の電極との間で発光を共振させつつ、共振により特定の波長範囲の光が強調された光を上記半反射層及び上記有機樹脂層を介して上記透明基板側から射出させることが可能なボトムエミッション型の発光装置を得ることができる。
以下、図面を参照し、発光装置及び発光装置の製造方法の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
(第1の実施形態)
図1は、本実施形態の発光装置としての有機EL装置1の全体構成を示す回路構成図である。有機EL装置1は、表示領域100に規則的に配置された複数の発光画素としての有機EL画素20の発光を個別に制御して該表示領域に画像を形成する、アクティブマトリクス型の有機EL装置である。なお、有機EL装置1は、第2の電極の側から光を射出するトップエミッション型の有機EL装置であるが、回路構成については後述する第2の実施形態にかかるボトムエミッション型の有機EL装置2も同一である。
図1は、本実施形態の発光装置としての有機EL装置1の全体構成を示す回路構成図である。有機EL装置1は、表示領域100に規則的に配置された複数の発光画素としての有機EL画素20の発光を個別に制御して該表示領域に画像を形成する、アクティブマトリクス型の有機EL装置である。なお、有機EL装置1は、第2の電極の側から光を射出するトップエミッション型の有機EL装置であるが、回路構成については後述する第2の実施形態にかかるボトムエミッション型の有機EL装置2も同一である。
有機EL装置1は、表示領域100とその周辺の領域とを備えている。表示領域100には、X方向に延在する複数の走査線102と、Y方向に延在する複数の信号線104と、同じくY方向に延在する複数の容量線106と、が形成されている。X方向が信号線104と容量線106とで規定され、Y方向が走査線102の中心線で規定される方形の区画が、画素領域101である。
各々の画素領域101には、有機EL画素20を構成する要素である、走査線102を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT(薄膜トランジスタ)108と、スイッチング用TFT108を介して信号線104から供給される画素信号を保持する保持容量110と、保持容量110によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動素子としての駆動用TFT112と、駆動用TFT112を介して容量線106から駆動電流が流れ込む画素電極25(図2参照)等が形成されている。なお、画素とは上述の各構成要素を含む機能的な概念であり、画素領域101は表示領域100内を規則的に区分する平面的な概念である。
表示領域100の周辺の領域には、走査線駆動回路120、及び信号線駆動回路130が形成されている。走査線駆動回路120は、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて、走査線102に走査信号を順次供給する。信号線駆動回路130は、信号線104に画像信号を供給する。容量線106には、図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。走査線駆動回路120の動作と信号線駆動回路130の動作とは、同期信号線140を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。
走査線102が駆動されスイッチング用TFT108がオン状態になると、その時点の信号線104の電位が保持容量110に保持され、保持容量110の状態に応じて駆動用TFT112のレベルが決まる。そして、駆動用TFT112を介して容量線106から画素電極25(図2参照)に駆動電流が流れ、有機EL画素20は駆動電流の大きさに応じて発光する。
有機EL画素20には、射出する光の色により規定される赤色発光画素としての赤色有機EL画素20R、緑色発光画素としての緑色有機EL画素20G、青色発光画素としての青色有機EL画素20B、の三種類がある。有機EL画素20は、上記三種類の有機EL画素の総称である。他の名称(例えば「共振長」等)についても同様に、R,G,Bの符号を省略している場合は、三種類の該名称の総称である。
後述するように、本実施形態の有機EL装置1の上記三種類の有機EL画素20は、共通の発光機能層から得られた光を、共振により特定の波長範囲の光を強調効果と有色透明樹脂層による着色効果とを併用することで、三原色光のいずれかの光としている。独立に制御される個々の有機EL画素20が駆動電流の大きさに応じて赤、緑、青の三原色のいずれかの光を射出することで、表示領域100にカラー画像が形成される。なお、有機EL画素20R,20G,20Bの配置の順序は図1に示す順序に限定されるものではなく、R,B,Gの順序に配置することも可能である。
次に、本実施形態にかかる有機EL装置1の画素領域101内における、画素を構成する各要素の平面的な態様について述べる。図2は、画素領域101内における、1画素を構成する各要素の配置を模試的に示す平面図である。X方向に隣り合うように形成された、赤色有機EL画素20Rと、緑色有機EL画素20Gと、青色有機EL画素20Bと、の計三種類の有機EL画素を示している。平面的な構成は射出する光の色とは関係ないため、以下、上記三種類の画素を区別することなく説明する。なお、図2においては、発光機能層26(図4参照)等の、基板10(図4参照)上全面に形成される要素については、図示を省略している。
図示するように、画素領域101は、X方向を走査線102で区画されY方向を信号線104と容量線106とで区画されている。そして、各々の画素領域101内には、光が射出される領域である発光領域19が形成されている。発光領域19には、後述する第1の電極としての画素電極(陽極)25と発光機能層26(図4参照)と第2の電極としての陰極27(図4参照)とが基板10(図4参照)側から順に積層されている。
上述したように、有機EL装置1はトップエミッション型である。したがって、発光領域19は、有機EL画素20を構成する各要素と平面視で重なり合うことができる。図示するように有機EL装置1の発光領域19は、上述の走査線102等の三種類の配線で区画された枠内において、後述するコンタクトホール形成領域を除く略全域に形成されている。そして、スイッチング用TFT108、保持容量110、及び駆動素子としての駆動用TFT112と平面視で重なっている。
画素領域101内の、発光領域19以外の領域は隔壁77(図4参照)で覆われている。したがって、本実施形態にかかる有機EL装置1のように、平面視で画素電極25が発光領域19よりも大きい場合、発光領域19の周囲には、画素電極25と隔壁77とが重なる環状の領域が形成される。
なお、発光領域19は、実際に光を射出する領域であり、画素領域101内の一部の領域である。後述する隔壁77等が形成されている領域は、画素領域101には含まれるが発光領域19には含まれない。また、三種類の有機EL画素(20R,20G,20B)の夫々の発光領域19(19R,19G,19B)の面積は、同一に限定されるものではない。
なお、発光領域19は、実際に光を射出する領域であり、画素領域101内の一部の領域である。後述する隔壁77等が形成されている領域は、画素領域101には含まれるが発光領域19には含まれない。また、三種類の有機EL画素(20R,20G,20B)の夫々の発光領域19(19R,19G,19B)の面積は、同一に限定されるものではない。
駆動用TFT112は、第1の半導体層31と、走査線102と同一の層をパターニングして形成された第1のゲート電極33等からなる。第1の半導体層31と第1のゲート電極33とが重なる領域がチャネル領域であり、該チャネル領域の両側にソース領域35とドレイン領域36とが形成されている。ソース領域35は、第3のコンタクトホール53を介して容量線106の突出部分と接続している。
ドレイン領域36は、第1のコンタクトホール51内に形成された、駆動用TFT112の電極としての第1の中継電極41、及び、コンタクトホールとしての第2のコンタクトホール52の形成領域(以下、「コンタクトホール形成領域」と称する。)と、該領域を囲む若干の幅を有する環状の領域とを合わせた領域に形成されたコンタクトキャップ22を介して画素電極25と接続している。本実施形態の有機EL装置1では、第1のコンタクトホール51と第2のコンタクトホール52とは、平面視で重なっている。また、第1の中継電極41とコンタクトキャップ22とは、平面視で重なっている。
ここで、コンタクトホール形成領域とは、アライメントずれを考慮した上で第2のコンタクトホール52を確実に平面視で含む領域である。アライメントずれが0の場合、コンタクトホール形成領域は第2のコンタクトホール52と平面視で重なる。アライメントずれが0ではない場合、コンタクトホール形成領域は、第2のコンタクトホール52の周囲を囲む、アライメントずれ値と同じ(値の)幅を有する環状の領域を含んでいる。そして、コンタクトキャップ22は、平面視でコンタクトホール形成領域23(図3参照)を含むように形成される。
図3(a)〜(c)に、コンタクトキャップ22の形状の例を示す。図3(a)に示すコンタクトキャップ22は、図2に示すコンタクトキャップ22と同様に、コンタクトホール形成領域23の周囲を僅かに含むように形成されている。コンタクトホール形成領域23の平面視の形状は第2のコンタクトホール52にアライメントずれ値と同じ幅の環状領域を加えた形状であり、コンタクトキャップ22の平面視の形状は、該形状に略同一の幅の環状領域を加えた形状である。
図3(b)に示すコンタクトキャップ22の平面視の形状は、図3(a)に示すものと同一のコンタクトホール形成領域23に対して充分な余裕をもたせた形状である。発光領域19に対しては所定の間隔を有しており、後述する透明樹脂を含む液状材料の供給工程(第2の工程)において、発光領域19と重なる光反射層21(図4参照)上に供給された該液状材料がコンタクトキャップ22にまで流出することは回避される。図3(c)に示すコンタクトキャップ22の平面視の形状は、図3(b)に示すものが更に拡大されて、第1のゲート電極33と重なる領域まで延長されている。ただし、発光領域19に対しては同様の間隔を有している。
図2に示すスイッチング用TFT108は、第2の半導体層32と、走査線102の一部が突出してなる第2のゲート電極34等からなっている。第2の半導体層32と第2のゲート電極34とが重なる領域がチャネル領域である。そして、該チャネル領域の両側にソース領域37とドレイン領域38とが形成されている。ドレイン領域38は第4のコンタクトホール54を介して信号線104と接続している。ソース領域37は、第5のコンタクトホール55を介して第2の中継電極42と接続している。第2の中継電極42の一方の端部は第6のコンタクトホール56を介して第1のゲート電極33と接続し、もう一方の端部は第7のコンタクトホール57を介して、走査線102と同一の層をパターニングして形成された(保持容量110の)下部電極43と接続している。下部電極43は、層間絶縁層71(図4参照)と容量線106から突出してなる上部電極44とで保持容量110を構成している。
次に、本実施形態にかかる有機EL装置1における有機EL画素20の断面構造、及び該構造によって白色光を三原色光にする態様について述べる。図4は、本実施形態の有機EL装置1の模式断面図である。有機EL装置1は白抜き矢印の方向に位置する観察者に向けて光を射出するトップエミッション型の有機EL装置である。有機EL装置1は、有機EL画素20の構造に特徴がある。そこで図4では、図2に示すA−A’線、B−B’線、及びC−C’線における各断面を繋ぎ合わせた断面図、すなわち、各々の有機EL画素20と、該有機EL画素を駆動する駆動用TFT112と、保持容量110と、の断面図を示す。なお、スイッチング用TFT108は図示を省略している。
図示するように、有機EL装置1は基板10と対向基板12との間に、駆動素子としての駆動用TFT(以下、「TFT」と称する。)112と、保持容量110と、発光画素としての有機EL画素20(R,G,B)とを備えている。TFT112は、ソース領域35とドレイン領域36とを含む第1の半導体層31と、ゲート絶縁層70と、ゲート電極33とで構成されている。保持容量110は、上述したように走査線102と同一の層をパターニングして形成された下部電極43と、層間絶縁層71と、容量線106から突出してなる上部電極44と、で構成されている。TFT112、及び保持容量110は、少なくとも一部が、平面視で有機EL画素20と重なっている。なお、上述したように有機EL装置1はトップエミッション型であるため、対向基板12は透明性を要する。
TFT112は基板10上に形成され、該TFTは、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiN)等からなる層間絶縁層71で覆われている。層間絶縁層71は、所定の領域が選択的にエッチングされて、TFT112のドレイン領域36を露出させる第1のコンタクトホール51とソース領域35を露出させる第3のコンタクトホール53とが形成されている。第1のコンタクトホール51内には、第1の中継電極41が埋め込むように形成されている。また、第3のコンタクトホール53を介して、容量線106とソース領域35とが電気的に接続している。
第1の中継電極41及び容量線106上にはアクリルからなる平坦化層としての有機樹脂層73が形成されている。有機樹脂層73の形成材料は有機系であり、かつ絶縁性を有することが必要である。アクリル以外に、例えばポリイミド等を用いることができる。有機樹脂層73の、コンタクトホール形成領域23(図3参照)は選択的にエッチングされて、第2のコンタクトホール52(図3参照)が形成されている。そして、有機樹脂層73上の、コンタクトホール形成領域23を含む領域と平面視で重なる領域にはコンタクトキャップ22が形成されている。
そして、有機樹脂層73の上には、コンタクトキャップ22と所定の間隔を隔てる光反射層又は半反射層としての光反射層21が形成されている。後述するように、コンタクトキャップ22と光反射層21とは同一の材料層、すなわち層厚10nmのITO(酸化インジウム・錫合金)層と層厚80nmのAl(アルミニウム)層との積層体をパターニングして形成されている。Alは極薄く成膜すると半反射性となるが、80nmであれば光を殆んど透過せず光反射層として用いることができる。
ここで、「光反射性(を有する)」とは、照射された光の100%を反射するという意味に限定されるものではない。照射された光の少なくとも60%、好ましくは80%、特に好ましくは略100%を反射させる(機能を有する)、という意味も含まれる。反射されない光は透過されてもよく、吸収され熱として発散されてもよい。
同様に、「透明性(を有する)」とは、照射された光の略100%を透過させるという意味に限定されるものではない。照射された光の少なくとも60%、好ましくは80%、特に好ましくは略100%を透過させる(機能を有する)、という意味も含まれる。透過されない光は反射されてもよく、吸収され熱として発散されてもよい。
更に、後述する半反射性とは、照射された光の50%を反射するという意味に限定されるものではない。照射された光の30%乃至70%、好ましくは40%乃至60%、特に好ましくは略50%を反射させる(機能を有する)、という意味も含まれる。反射されない光はすべて透過されることが好ましいが、(該反射されない光の)一部は吸収され、熱として発散されてもよい。
同様に、「透明性(を有する)」とは、照射された光の略100%を透過させるという意味に限定されるものではない。照射された光の少なくとも60%、好ましくは80%、特に好ましくは略100%を透過させる(機能を有する)、という意味も含まれる。透過されない光は反射されてもよく、吸収され熱として発散されてもよい。
更に、後述する半反射性とは、照射された光の50%を反射するという意味に限定されるものではない。照射された光の30%乃至70%、好ましくは40%乃至60%、特に好ましくは略50%を反射させる(機能を有する)、という意味も含まれる。反射されない光はすべて透過されることが好ましいが、(該反射されない光の)一部は吸収され、熱として発散されてもよい。
光反射層21の形成材料はAlに限定はされず、Ag(銀)等の他の金属あるいはAl合金等を用いてもよい。Al層の下に形成されるITO層は、有機材料からなる有機樹脂層73とAl層との密着性を改善するための層であり、本発明の具体化において必須の要素ではない。また、本発明の具体化において、コンタクトキャップ22は必須の要素ではない。該コンタクトキャップを形成しない場合、光反射層21は反射性を有していれば良く、導電性を有することは必須ではない。したがって、かかる場合、光反射層21は、金属酸化物のように導電性を殆んど有しない光反射性材料を用いることもできる。
光反射層21上には、有色透明樹脂層79が形成されている。有色透明樹脂層79は着色材料を含有する透明樹脂層であり、特定の波長範囲の光を透過させ該波長範囲外の光を吸収することにより、白色光を着色して有色光にする機能を有している。有色透明樹脂層79の色は各有機EL画素20の発光色に合わせた色である。具体的には、赤色有機EL画素20Rには赤色透明樹脂層79Rが、緑色有機EL画素20Gには緑色透明樹脂層79Gが、青色有機EL画素20Bには青色透明樹脂層79Bが、夫々形成されている。赤色透明樹脂層79Rは、赤色光すなわち波長が略610〜780nmの範囲の光を透過させ、上記範囲外の光を吸収する。緑色透明樹脂層79Gは、緑色光すなわち波長が略500〜570nmの範囲の光を透過させ、上記範囲外の光を吸収する。青色透明樹脂層79Bは、青色光すなわち波長が略430〜460nmの範囲の光を透過させ、上記範囲外の光を吸収する。なお、上述の‘透過’及び‘吸収’という文言は、100%の透過等させるのではなく、好ましくは略100%を透過等させることを意味している。各々の有色透明樹脂層(79R,79G,79B)の層厚は、三種類の有機EL画素間で異なっている。具体的には、赤色透明樹脂層79Rの層厚が165nm、緑色透明樹脂層79Gの層厚が95nm、青色透明樹脂層79Bの層厚が50nm、である。
有色透明樹脂層79上には、透明性を有する第1の電極として、ITOからなる画素電極25が形成されている。画素電極25は、各々の有機EL画素毎の有色透明樹脂層79の形成領域及びコンタクトキャップ22の形成領域を跨る領域に、互いに間隔を隔てて形成されており、コンタクトキャップ22及び第1の中継電極41を介して、TFT112のドレイン領域36と電気的に接続されている。なお、コンタクトキャップ22が形成されていない場合、画素電極25の端部が第2のコンタクトホール52に埋め込まれる様に形成されて、第1の中継電極41と直接に接続される。
画素電極25が形成された有機樹脂層73上には、隔壁77が形成されている。隔壁77は、開口率(表示領域100内における、実際に光が射出される領域の比率)を低下させないためにも、平面視で光反射層21が形成されていない領域に形成されることが好ましい。ただし、パターニング時の合わせずれ等を考慮して、光反射層21の外周部には平面視で光反射層21と画素電極25とが重なる環状の領域が形成されることが好ましい。なお、隔壁77は、画素電極25と陰極27との間の絶縁を完全にするためにも形成することが好ましいが、本発明の具体化において必須の要素ではない。
隔壁77が形成された基板10上全面には、発光機能層26としての白色発光機能層26Wと半反射性を有する陰極27とが順に積層されている。画素電極25と白色発光機能層26Wと陰極27との積層体が有機EL画素20である。陰極27と白色発光機能層26Wとは、基板10上の少なくとも表示領域100(図1参照)の全域に形成される。したがって、該表示領域で陰極27は同電位となる。又、三種類の有機EL画素20(R,G,B)は、構造自体は同一であり、後述するように有色透明樹脂層79(R,G,B)の働きによって、赤、緑、青三原色のいずれかの色の光を射出する。TFT112により個別に制御される画素電極25と、陰極27と、の間に電圧が印加されると、白色発光機能層26Wに電流が流れて白色光を発光する。
白色発光機能層26Wは図示しない複数の層の積層体である。具体的には基板10側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層(有機EL層)、電子輸送層、及び電子注入層が積層された構造体であり、合計の層厚は145nmである。発光層(有機EL層)は、単一の材料層を用いて白色光を発光させることが困難な場合、二種類以上の材料層を積層してもよい。本実施形態の有機EL装置1では、各層の材料は以下のものを用いている。
正孔注入層はHI406(出光興産株式会社製)、正孔輸送層はHT320(出光興産株式会社製)である。発光層は、青緑色発光層と赤色発光層との積層体である。青緑色発光層は、ホスト材料としてBH215(出光興産株式会社製)にドーパントとしてのBD102(出光興産株式会社製)を加えた材料からなる。赤色発光層は、ホスト材料としてBH215に、ドーパントとしてRD001(出光興産株式会社製)を加えた材料からなる。電子輸送層はAlq3(アルミニウムキノリノール)、電子注入層はLiF(弗化リチウム)である。陰極27は、層厚12.5nmのMgAg(マグネシウム・銀)合金からなる。かかる薄い層厚とすることで、金属材料を用いながら半反射性を付与できる。
陰極27上には、第1のパシベーション層85と応力緩和層86と第2のパシベーション層87とが、順に積層されている。第1のパシベーション層85は層厚200nmの酸化シリコン(SiO2)、応力緩和層86は層厚2000nmのアクリル樹脂、第2のパシベーション層87は層厚400nmの、酸化シリコン(SiO2)からなる。かかるパシベーション層等は、水分等の滲入を抑制し、有機EL装置1の信頼性を向上させる機能を有している。
第2のパシベーション層87上には接着層78を介して透明性を有する対向基板12が貼り合わされている。そして対向基板12の接着層78と対向する面の反対側の面、すなわち光が射出される側の面には、少なくとも表示領域100を覆うように円偏光板88が貼付されている。円偏光板88は直線偏光板と1/4波長補正板(直行する偏光成分間に1/4波長の位相差を与える素子。)との積層体であり、外光の反射を抑制するために貼付されている。光が反射する際に、偏光の回転方向が逆転する性質を利用して、光反射層21等で反射された外光が表示領域100から射出されることを抑制して、表示品質を向上している。
(本実施形態の効果)
本実施形態にかかる有機EL装置1は画素電極25と光反射層21との間に有色透明樹脂層79を備えていることが特徴である。該有色透明樹脂層は、白色光を着色して有色光(具体的には赤色光、緑色光、青色光の三原色光)にする機能と、共振長7を調整する機能と、の2つの機能を果たしている。以下、まず着色機能について述べる。
本実施形態にかかる有機EL装置1は画素電極25と光反射層21との間に有色透明樹脂層79を備えていることが特徴である。該有色透明樹脂層は、白色光を着色して有色光(具体的には赤色光、緑色光、青色光の三原色光)にする機能と、共振長7を調整する機能と、の2つの機能を果たしている。以下、まず着色機能について述べる。
上述したように、有機EL画素20は、透明性を有する画素電極25と半反射性を有する陰極27とで白色発光機能層26Wを挟持している。そして、陰極27側に向けて発光を射出して画像を形成する。有機EL画素20は、20R,20G,20Bの三種類が形成されている。該三種類の有機EL画素20は有色透明樹脂層79の層厚及び色を除くと共通の層で形成されている。ただし、平面視での大きさは、上記三種類の有機EL画素間で同一に限定されるものではない。
画素電極25の基板10側に有色透明樹脂層79と光反射層21が形成されている。白色発光機能層26Wで生じた光のうち陰極27の方向に向かう光は、略50%は陰極27で反射されることなく対向基板12を介して射出される。そして、残りの略50%は陰極27で反射された後、白色発光機能層26Wと画素電極25と有色透明樹脂層79とを透過した後、光反射層21により陰極27の方向に反射される。
ここで、白色発光機能層26Wで生じた光のうちの略50%は、画素電極25側すなわち光反射層21側に直接向かう。したがって、画素電極25に向かった光と、陰極27で反射されて画素電極25に向かった光の和、すなわち白色発光機能層26Wで生じた光の略75%は少なくとも有色透明樹脂層79を2回通過(透過)する。上述したように、有色透明樹脂層79は、所定の波長範囲の光のみを透過させることにより白色光を有色光にする機能を有する。したがって、有機EL装置1が備える各々の有機EL画素20は、赤色有機EL画素20Rが赤色光に近い光を射出し、緑色有機EL画素20Gが緑色光に近い光を射出し、青色有機EL画素20Bが青色光に近い光を射出する。有機EL装置1は、上述の三原色光により全有機EL画素20間で共通の白色発光機能層26Wを用いかつ、カラーフィルタを備えていないにもかかわらず、カラー画像を表示できる。
次に、有色透明樹脂層79が共振長7を調整する機能について述べる。上述したように、白色発光機能層26Wで生じた光の略50%は光反射層21に向かい、該光反射層で反射されて陰極27に向かう。そして、陰極27は光反射層21側からの光の略50%を常に光反射層21側に向けて反射する。したがって、光反射層21と陰極27、及び、該光反射層と該陰極とに狭持される夫々が透明性を有する有色透明樹脂層79と電極25と白色発光機能層26W、の計5つの構成要素からなる構造は、特定の波長範囲の光を強調して色純度を向上させる(微小)共振構造として機能する。
該共振構造の共振長7(R,G,B)、すなわち光反射層21の白色発光機能層26W側の表面と陰極27の白色発光機能層26W側の表面との間の光学的距離(層厚と屈折率の積)は、各々の有機EL画素20の発光色を強調する値に設定されている。すなわち、赤色有機EL画素20Rの共振長7Rは赤色光を強調する共振長であり、緑色有機EL画素20Gの共振長7Gは緑色光を強調する共振長であり、青色有機EL画素20Bの共振長7Bは青色光を強調する共振長である。共振長7Rと共振長7Gと共振長7Bとは、夫々異なる光学的距離である。
上述の共振長7は、以下の式に基づいて設定される。
2×共振長(7R,7G,7B)+φ2+φ3=mλ・・・・・・・・・(1)
ここで
φ2=光反射層21の、発光機能層26側界面での位相差、
φ3=陰極27の発光機能層26側界面での位相差、
λ=強調すべき波長の中央値、
であり、mは正の整数である。
2×共振長(7R,7G,7B)+φ2+φ3=mλ・・・・・・・・・(1)
ここで
φ2=光反射層21の、発光機能層26側界面での位相差、
φ3=陰極27の発光機能層26側界面での位相差、
λ=強調すべき波長の中央値、
であり、mは正の整数である。
有機EL装置1が備える三種類の有機EL画素20(R,G,B)において、画素電極25と白色発光機能層26Wとは共通であり、光反射層21は共通の層をパターニングして形成されている。したがって、共振長7の設定は、有色透明樹脂層79の層厚を調整することで行われている。有機EL画素20の発光は、画素電極25と陰極27と該1対の電極に挟持される白色発光機能層26Wとの積層構造から生じるものである。有色透明樹脂層79は、上記積層構造の外部に位置するため、発光機能に影響を与えることなく層厚を任意に設定できる。なお、有色透明樹脂層79の着色度、すなわち色素の含有量は、該有色透明樹脂層の層厚を設定した後、射出される光が好ましい色に着色されるように定めることが好ましい。
以上述べたように、本実施形態にかかる有機EL装置1は、発光機能を果たす積層構造の外側に有色透明樹脂層79を備えている。そして、該有色透明樹脂層に、白色光を着色して有色光とする機能と共振長7を調整する機能との2つの機能を果たさせている。白色発光機能層26Wで生じた光は、上記2つの機能の相乗効果により、三原色光のいずれかの光となって射出される。かかる作用により、有機EL装置1は三種類の有機EL画素20(R,G,B)間で共通の発光機能層を用い、かつカラーフィルタを備えていないにもかかわらず、カラー画像を形成して表示できる。
有機EL装置1は従来の有機EL装置とは異なり、共振長を調節する機能を画素電極及び発光機能層に果たさせていないため、該画素電極及び発光機能層を発光機能のみを考慮した層厚に設定できる。したがって、発光機能を損なわずに共振による着色効果を得ることができる。また、有色透明樹脂層79以外の構成要素は、三種類の有機EL画素20(R,G,B)間で共通の材料を用いているため、製造コストの上昇は抑制されている。したがって、有機EL装置1は、製造コストを抑制しつつ表示品質を向上できる。
なお、本発明の具体化において、陰極27の反射率は上述の略50%に限定されるものではない。より高い比率で反射させて、より多くの光に有色透明樹脂層79を透過させる構成も可能である。発光効率は低下するが、白色光のままで射出される光の比率が低下するため、表示品質を向上できる。
(第2の実施形態)
続いて、第2の実施形態にかかる有機EL装置2について説明する。図14は、本実施形態にかかる有機EL装置2の画素領域101内における、1画素を構成する各要素の配置を示す模試平面図である。本実施形態にかかる有機EL装置2は、画素電極25側、すなわち後述する図5に示す白抜き矢印の方向に光を射出するボトムエミッション型の有機EL装置である。そして、かかる光の射出方向等を除くと、第1の実施形態の有機EL装置1と略同様の構成を有している。そこで共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略する。
続いて、第2の実施形態にかかる有機EL装置2について説明する。図14は、本実施形態にかかる有機EL装置2の画素領域101内における、1画素を構成する各要素の配置を示す模試平面図である。本実施形態にかかる有機EL装置2は、画素電極25側、すなわち後述する図5に示す白抜き矢印の方向に光を射出するボトムエミッション型の有機EL装置である。そして、かかる光の射出方向等を除くと、第1の実施形態の有機EL装置1と略同様の構成を有している。そこで共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略する。
有機EL装置2はボトムエミッション型であるため、発光領域19と、駆動用TFT112及び保持容量110等の要素とが重なっていない。そのため、発光領域19が縮小されている。上述したように、画素領域101内の、発光領域19以外の領域は隔壁77で覆われている。したがって、本実施形態にかかる有機EL装置2では、上述の駆動用TFT112及び保持容量110等は、平面視で隔壁77と重なっている。以下、断面構造について述べる。
図5は、本実施形態にかかる有機EL装置2の模式断面図である。図14におけるD−D’線、E−E’線、及びF−F’線の計3つの切断線における断面図を繋いだ模式断面図である。なお、図14の切断線の位置は、上述の図2における切断線とは位置を変更している。本実施形態の有機EL装置2はボトムエミッション型の有機EL装置であるため、TFT112等が形成される基板として、有機EL装置1の基板10に替わり透明基板11を用いている。また、対向基板13は透明性を要しない。
また、ボトムエミッション型であるため、有色透明樹脂層79の下側には、光反射層21に替わって層厚略10nmのITO層と層厚が略10nmのAl層を積層してなる半反射層29が形成されている。また、第2の電極としての陰極28は、層厚略100nmのAlからなり、光反射性を有している。白色発光機能層26Wが、半反射層29と光反射性を有する陰極28とで挟持されているため、白色発光機能層26Wで生じた光は、半反射層29と陰極28との間で共振しつつ、半反射層29及び透明基板11を介して白抜き矢印の方向に射出される。
また、ボトムエミッション型であるため、有色透明樹脂層79の下側には、光反射層21に替わって層厚略10nmのITO層と層厚が略10nmのAl層を積層してなる半反射層29が形成されている。また、第2の電極としての陰極28は、層厚略100nmのAlからなり、光反射性を有している。白色発光機能層26Wが、半反射層29と光反射性を有する陰極28とで挟持されているため、白色発光機能層26Wで生じた光は、半反射層29と陰極28との間で共振しつつ、半反射層29及び透明基板11を介して白抜き矢印の方向に射出される。
画素電極25及び白色発光機能層26Wは、有機EL装置1の外要素と略同一の材料等で構成されている。その他、隔壁77等の形成材料及びTFT112の構成等も、第1の実施形態にかかる有機EL装置1と略同一である。
有色透明樹脂層79は、有機EL装置1の該有色透明樹脂層と同様に、有機EL画素毎に異なる色に着色されている。したがって、赤色有機EL画素20Rは赤色透明樹脂層79Rを備え、緑色有機EL画素20Gは緑色透明樹脂層79Gを備え、青色有機EL画素20Bは青色透明樹脂層79Bを備えており、白色光をそれぞれの色に着色できる。
また、図示するように、本実施形態の有機EL装置2が備える有色透明樹脂層79の層厚は、有機EL装置1の該層厚と同様に、三種類の有機EL画素20毎に異なっている。そしてかかる層厚の差により、赤色有機EL画素20Rの共振長7Rは共振により赤色光を強調する光学的距離に設定され、緑色有機EL画素20Gの共振長7Gは共振により緑色光を強調する光学的距離に設定され、青色有機EL画素20Bの共振長7Bは共振により青色光を強調する光学的距離に設定されている。白色発光機能層26W内で生じる白色光は、共振と有色透明樹脂層79の着色効果により、三原色光のいずれかの光となって射出される。したがって、有機EL装置2は、第1の実施形態にかかる有機EL装置1と同様に、カラーフィルタを備えず、かつ、発光機能層26に白色発光機能層26Wを用いているにもかかわらず、赤、緑、青の三原色の光を射出して、透明基板11側にカラー画像を形成できる。
本実施形態の有機EL装置2は、発光領域19が縮小されているため、第1の実施形態にかかる有機EL装置1に比べて輝度等では若干劣っている。しかし、ボトムエミッション型であるため、陰極28を全体的に厚く形成できるので、該陰極の面抵抗を下げるための厚膜部を別途設ける必要がなく、製造コストを低減できる。
(第3の実施形態)
続いて、第3の実施形態にかかる有機EL装置3について説明する。図6は、本実施形態の有機EL装置3の模式断面図である。本実施形態にかかる有機EL装置3はトップエミッション型であり、後述するように発光機能層26の態様を除くと第1の実施形態の有機EL装置1と略同一の構成を有している。したがって、平面視での態様は図2に示す有機EL装置1の態様と略同一である。そこで、図4に示す有機EL装置1と同様に、図2におけるA−A’線、B−B’線、及びC−C’線の計3つの切断線における断面図を繋いだ断面図を有機EL装置3の模式断面図としている。なお、有機EL装置1の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略する。
続いて、第3の実施形態にかかる有機EL装置3について説明する。図6は、本実施形態の有機EL装置3の模式断面図である。本実施形態にかかる有機EL装置3はトップエミッション型であり、後述するように発光機能層26の態様を除くと第1の実施形態の有機EL装置1と略同一の構成を有している。したがって、平面視での態様は図2に示す有機EL装置1の態様と略同一である。そこで、図4に示す有機EL装置1と同様に、図2におけるA−A’線、B−B’線、及びC−C’線の計3つの切断線における断面図を繋いだ断面図を有機EL装置3の模式断面図としている。なお、有機EL装置1の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略する。
本実施形態の有機EL装置3は、図示する白抜き矢印の方向に光を射出するトップエミッション型の有機EL装置である。したがって、有機EL装置1と同様に基板10は透明性を要せず、対向基板12は透明基板である。光反射層21は、有機EL装置1の該光反射層と同様に、層厚10nmのITO層と層厚80nmのAl層との積層体をパターニングして形成されている。また、陰極27は、層厚12.5nmのMgAg(マグネシウム・銀)合金からなり、半反射性を有している。隔壁77、応力緩和層86等の形成材料は、第1の実施形態にかかる有機EL装置1と略同一である。また、保持容量110及びTFT112の構成等も、第1の実施形態にかかる有機EL装置1と略同一である。
実施形態にかかる有機EL装置3の特徴は、各々の有機EL画素20(R,G,B)が夫々異なる発光機能層26を備えていることである。赤色有機EL画素20Rは赤色光を発光する赤色発光機能層26Rを、緑色有機EL画素20Gは緑色光を発光する緑色発光機能層26Gを、青色有機EL画素20Bは青色光を発光する青色発光機能層26Bを、夫々備えている。各々の発光機能層26(R,G,B)は、隔壁77を側壁とし、画素電極25を底部とする凹部内に局所的に形成されている。
有機EL装置1と同様に、画素電極25と陰極27との間の通電により上記各々の発光機能層26(R,G,B)内で生じた発光は、略50%が光反射層21及び有色透明樹脂層79の方向に射出され、略50%が陰極27の方向に射出される。陰極27の方向に射出された光の内の略50%は光反射層21及び有色透明樹脂層79の方向に反射され、略50%は陰極27及び対向基板12等を透過して該有機EL装置の外部に射出される。つまり、発光機能層26内で生じた発光の略25%は、有色透明樹脂層79を一度も透過せずに該有機EL装置の外部に射出される。
本実施形態にかかる有機EL装置3は上述の有色透明樹脂層79を一度も透過せずに射出される光が白色光ではなく、各々の有機EL画素20に対応する有色光である。したがって、有機EL装置3は第1の実施形態の有機EL装置1とは異なり、白色光が外部に射出されることはない。また、光反射層21及び有色透明樹脂層79の方向に射出又は反射される光も、既に各々の有機EL画素20に対応する有色光となっている。かかる光が、有色透明樹脂層79を透過し、また光反射層21と陰極27との間で共振するため、色純度がより一層向上した光として外部に射出される。したがって、有機EL装置3は、各々の有機EL画素間で共通の発光機能層を備えた有機EL装置に比べてより一層高品質のカラー画像を形成できる。
なお、上述の発光機能層26(R,G,B)は、該発光機能層の形成材料を溶媒等に溶解又は分散した液状材料の液滴を吐出するインクジェット法で形成することができる。図示するように、発光機能層26(R,G,B)の形成領域は凹部となっているため、発光機能層26を構成する複数の層の形成材料を夫々個別に上述の液状材料にして、吐出と溶媒等の除去との組合せ工程を順次行うことで、各々の有機EL画素20(R,G,B)に、夫々個別の発光機能層26を形成できる。又発光機能層26を構成する層の内、発光層のみを上述のインクジェット法で上述の凹部内に形成し、正孔輸送層等は隔壁77の上面も含む基板10上全面に形成してもよい。更にはマスク蒸着法により、インクジェット法を用いずに、局所的に有機EL画素20(R,G,B)間で夫々異なる発光機能層26を形成することもできる。
(第4の実施形態)
続いて、第4の実施形態として、有機EL装置の製造方法について説明する。図7〜図13は、本実施形態の有機EL装置の製造方法を示す工程断面図である。第1〜3の実施形態の説明で用いた図4及び図6と同様に、図2に示すA−A’線、B−B’線、及びC−C’線における各断面を繋ぎ合わせた断面図、すなわち、各々の有機EL画素20と、該有機EL画素を駆動する駆動用TFT112と、保持容量110と、の断面図を示しており、スイッチング用TFT108は不図示である。また、本実施形態は、第1の実施形態にかかるトップエミッション型の有機EL装置1の製造方法を示している。そこで、(有機EL装置の)構成要素には同一の符号を付与し、形成材料等の説明の記載は一部省略している。以下、図7〜図13の工程断面図に沿って説明する。
続いて、第4の実施形態として、有機EL装置の製造方法について説明する。図7〜図13は、本実施形態の有機EL装置の製造方法を示す工程断面図である。第1〜3の実施形態の説明で用いた図4及び図6と同様に、図2に示すA−A’線、B−B’線、及びC−C’線における各断面を繋ぎ合わせた断面図、すなわち、各々の有機EL画素20と、該有機EL画素を駆動する駆動用TFT112と、保持容量110と、の断面図を示しており、スイッチング用TFT108は不図示である。また、本実施形態は、第1の実施形態にかかるトップエミッション型の有機EL装置1の製造方法を示している。そこで、(有機EL装置の)構成要素には同一の符号を付与し、形成材料等の説明の記載は一部省略している。以下、図7〜図13の工程断面図に沿って説明する。
まず、図7(a)に示すように、第8の工程として基板10上に公知の技術により、ソース領域35とドレイン領域36とを含む第1の半導体層31と、ゲート絶縁層70と第1のゲート電極33とからなるTFT112を形成する。同時に、保持容量110の下部電極43、及び図示しないスイッチング用TFT108(図2参照)も形成する。第1のゲート電極33と下部電極43とは、同一の層をパターニングして形成されている。
次に、TFT112等が形成された基板10上の全面に、酸窒化シリコン等からなる層間絶縁層71を形成する。そして該層間絶縁層の一部をフォトリソグラフィー法により選択的に除去して、ソース領域35の表面の一部を露出させる第3のコンタクトホール53、及びドレイン領域36の表面の一部を露出させる第1のコンタクトホール51形成する。なお、かかる工程で、図示しない第4〜第7のコンタクトホール(54、55、56、及び57(図2参照))も同時に形成する。
そして次に、基板10上全面にAl等の導電材料層を成膜し、該導電材料層をパターニングして、TFT112の電極としての第1の中継電極41を形成する。上記のパターニングにより、上部電極44、容量線106、第2の中継電極42(図2参照)、及び信号線104も同時に形成する。容量線106の一部は、図示するように第3のコンタクトホール53に埋設され、ソース領域35と電気的に接続される。上述したように、上部電極44は容量線106の一部を突出するようにパターニングして形成されている。以上の工程で、上部電極44と、層間絶縁層71と、下部電極43とからなる保持容量110が形成される。
そして次に、第1の中継電極41等が形成された基板10上全面に、第9の工程として、アクリルからなる平坦化層としての有機樹脂層73を形成する。有機樹脂層73の形成材料は有機系であり、かつ絶縁性を有することが必要である。アクリル以外に、例えばポリイミド等を用いてもよい。
そして次に、第10の工程として、有機樹脂層73の一部をフォトリソグラフィー法により選択的に除去して、TFT112のドレイン領域36に接続する第1の中継電極41の一部を露出させるコンタクトホールとしての第2のコンタクトホール52を形成する。
次に、図7(b)に示すように、基板10上全面に密着改善層としての、層厚10nmのITO(酸化インジウム・錫合金)層62と導電性を有する材料としての層厚80nmの金属層としてのAl(アルミニウム)層63とを順に成膜(積層)する。ITO層62とAl層63との積層体は、後述するようにパターニングにより光反射層21(図8(a)参照)となるため、透明性(透過性)を有さず、基板10と対向する側の反対側の面は光反射性が高いことが必要である。Alは極薄く成膜すると半反射性となるが、80nmであれば光を殆んど透過せず光反射層として用いることができる。
パターニングにより光反射層21となる層の形成材料はAlに限定はされず、Ag(銀)等の他の金属あるいはAl合金等を用いてもよい。ITO層62は、有機樹脂層73とAl層63との密着性を改善するために形成するが、本発明の具体化において必須のものではない。また、本発明の具体化において、後述するコンタクトキャップ22(図8(a)参照)は必須の要件ではない。該コンタクトキャップを形成しない場合、光反射層21は反射性を有していれば良く、導電性を有することは必須ではない。したがって、かかる場合、光反射層21となる層の形成材料には、金属酸化物のように導電性を殆んど有しない光反射性の材料を用いることもできる。なお、以下に示す図においては、ITO層62は図示を省略する。したがって、上述の積層体をパターニングして形成される光反射層21は、Al層63の単層からなるように図示される。
次に、図8(a)に示すように、第1の工程としてITO層62とAl層63との積層体をパターニングして各々の発光領域19(R,G,B)に光反射層21を形成し、同時に、少なくともコンタクトホール形成領域23を含み、かつ、発光領域19とは所定の間隔を有する領域にコンタクトキャップ22を形成する。なお、赤色発光領域19Rは将来的に赤色有機EL画素20Rが形成される領域であり、緑色発光領域19Gは将来的に緑色有機EL画素20Gが形成される領域であり、青色発光領域19Bは将来的に青色有機EL画素20Bが形成される領域である。
本図においては、2つの光反射層21(及び2つの発光領域19)が、所定の間隔を持ってコンタクトキャップ22を挟むように図示されている。しかし実際には、発光領域19は、図2及び図3に示すように、コンタクトキャップ22の周囲を囲むように、各画素領域101毎に1つのみ形成されている。本実施形態の対象となる有機EL装置1はトップエミッション型である。したがって、図示するように、光反射層21は、TFT112及び保持容量110と重なるように形成できる。同じく、光反射層21は、図示しないスイッチング用TFT108と重なるように形成できる。
上述したように、コンタクトホール形成領域23は、アライメントずれを考慮した上で第2のコンタクトホール52を確実に平面視で含む領域であり、第2のコンタクトホール52の周囲を囲む、狭い幅の環状の領域を含む領域である。コンタクトキャップ22を形成する目的は、ドレイン領域36と接続する第1の中継電極41と画素電極25との接続抵抗の低減である。したがって、コンタクトキャップ22の形状は光反射層21との間に所定の間隔を設ければよく、コンタクトホール形成領域23内に限定される必要はない。
次に、図8(b)に示すように、第11の工程として基板10上全面に酸素含有ガスとしてのO2ガスのプラズマAによるプラズマ処理とフッ素含有ガスとしてのCF4ガスのプラズマBによるプラズマ処理とを連続して行う。かかる処理により、光反射層21とコンタクトキャップ22との表面では、フォトリソグラフィー工程等で付着した残渣が酸化により除去され清浄化される。したがって、光反射層21とコンタクトキャップ22との表面に親液性が付与される。一方、ITO層62とAl層63との積層体が上記第1の工程で選択的に除去され、有機樹脂層73が露出している領域の表面は、該有機樹脂層に含まれている炭素原子が、プラズマBに含まれるフッ素原子と化合する。その結果、該領域の表面に、撥液性が付与される。
次に、図9(a)に示すように、第2の工程として図示しないインクジェット装置のノズル81から、各発光領域19(R,G,B)の光反射層21に、透明樹脂と着色材料89(R,G,B)とを含む透明樹脂を含む液状材料(以下、「液状材料」と称する。)Cを吐出する。かかる手法がインクジェット法である。なお、コンタクトキャップ22上には液状材料Cを吐出しない。ここで、透明樹脂を含む液状材料とは、硬化後に透明樹脂を得られる液状材料である。したがって、アクリル、メタクリル、エポキシ等の透明樹脂自体を含む液体の他に、該透明樹脂の前駆体及び該前駆体を含む液体(例えば該前駆体を溶質とする溶液)も該当する。また、「含む液体」ということは、溶質としての該透明樹脂等を溶解する溶液、及び該透明樹脂等を分散された分散液の双方が含まれる。更に、「溶液」と「分散液」との中間的な液体も含まれる。また、着色材料とは、染料、無機顔料、有機顔料等の着色性の機能性材料である。
上述の、各発光領域19(R,G,B)の光反射層21には、将来的に形成される有機EL画素20(R,G,B)の発光色に合わせた着色材料を含む液状材料Cを吐出する。すなわち、赤色発光領域19Rの光反射層21上には赤色着色材料89Rを含む液状材料Cを、緑色発光領域19Gの光反射層21上には緑色着色材料89Gを含む液状材料Cを、青色発光領域19Bの光反射層21上には青色着色材料89Bを含む液状材料Cを、夫々吐出する。上記第11の工程により光反射層21の表面は親液性となっているので、吐出された液状材料Cは光反射層21上全域に略均一に広がる。一方、光反射層21の周囲の、有機樹脂層73が露出している領域の表面は撥液性が付与されているため、液状材料Cは該領域へは流出しない。
コンタクトキャップ22の表面も、第11の工程で親液性が付与されている。しかし、コンタクトキャップ22と光反射層21とは、表面が撥液性である有機樹脂層73によって隔てられているため、液状材料Cはコンタクトキャップ22へは流出しない。したがって、液状材料Cは光反射層21上に留まる。
次に、図9(b)に示すように、第3の工程として液状材料Cを硬化させて、各々の光反射層21上に、有色透明樹脂層79を形成する。有色透明樹脂層79の層厚は、赤色透明樹脂層79Rが165nm、緑色透明樹脂層79Gが95nm、青色透明樹脂層79Bが50nmである。かかる層厚は、第1の実施形態で述べたように、有色透明樹脂層79の光学的距離と後述する画素電極25の光学的距離と後述する白色発光機能層26Wの光学的距離との和が、各々の有機EL画素20(R,G,B)の発光を共振により強調するように定められる。硬化後の層厚が上記の値となるように、上記第2の工程では液状材料Cの吐出量を設定する。なお、上記の硬化は、加熱あるいは紫外線照射等の方法により行う。
次に、図10(a)に示すように、第4の工程として、基板10上全面にスパッタ法等により透明導電材料としての層厚30nmのITO層65を形成する。
次に、図10(b)に示すように、第5の工程としてITO層65を、光反射層21とコンタクトキャップ22に跨るようにパターニングして、第1の電極としての画素電極25を形成する。上述したように、コンタクトキャップ22が第1の中継電極41を介してTFT112のドレイン領域36と接続しており、また、該コンタクトキャップ上には有色透明樹脂層79は形成されていない。したがって、画素電極25は、コンタクトホール形成領域23において、TFT112のドレイン領域36と電気的に接続する。
次に、図11(a)に示すように、基板10上の発光領域19を除く領域に、隔壁77を形成する。隔壁77は、基板10上全面に形成したポリイミド等の有機又は無機の絶縁材料層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして形成する。
次に、図11(b)に示すように、第6の工程として、蒸着法により基板10上全面に白色光を発光する白色発光機能層26Wを形成する。そして更に、該白色発光機能層上に第7の工程として半反射性を有する第2の電極としての陰極27を形成する。白色発光機能層26Wは、全ての波長の可視光線を略均一に含んだ光を発光する発光機能層であり、三種類の有機EL画素20(R,G,B)に共通して形成される。白色発光機能層26W及び陰極27の形成材料は、上述の第1の実施形態で記載した通りである。
次に、図12に示すように、陰極27が形成された基板10上の全面に、第1のパシベーション層85と応力緩和層86と第2のパシベーション層87とを順に積層する。該3層の形成材料は、上述の第1の実施形態で記載した通りである。そして次に、図13に示すように、基板10上に対向基板12をアクリル樹脂等からなる接着層78を介して貼り合わせる。そして、図示するように、対向基板12上の少なくとも表示領域100を含む領域に、円偏光板88を貼り合わせる。
以上の工程により、光反射層21の発光機能層側の界面(表面)と陰極27の発光機能層側の界面(表面)との間の光学的距離である共振長7(R,G,B)が、三種類の有機EL画素20(R,G,B)で夫々異なる値を有するトップエミッション型の有機EL装置を得ることができる。
かかる有機EL装置が、第1の実施形態の有機EL装置1である。上述したように、有機EL装置1は、有色透明樹脂層79により、各々の有機EL画素20(R,G,B)の共振長7(R,G,B)が各々の発光の色純度を向上させる値に設定されている。また、有色透明樹脂層79自体も、所定の波長範囲以外の光を吸収することにより色純度を向上する機能を果たしている。そのため、本実施形態の製造方法で製造される有機EL装置1は、発光機能層26に白色発光機能層26Wを用いているにもかかわらず、赤、緑、青の三原色の光を射出してカラー表示を行うことができる。
また、本実施形態の製造方法は有色透明樹脂層79の形成工程を除いては従来の有機EL装置の製造方法と同等の工程からなる。そして、有色透明樹脂層79の形成も、フォトリソグラフィーによらず、インクジェット法で行うため、各々の有機EL画素20(R,G,B)に夫々異なる層厚の有色透明樹脂層79を低いコストで形成できる。そして更に、カラーフィルタの製造工程を有しない。したがって、本実施形態の製造方法によれば、カラー画像を表示可能な有機EL装置を極めて低いコストで得ることができる。
また、本実施形態の製造方法は有色透明樹脂層79の形成工程を除いては従来の有機EL装置の製造方法と同等の工程からなる。そして、有色透明樹脂層79の形成も、フォトリソグラフィーによらず、インクジェット法で行うため、各々の有機EL画素20(R,G,B)に夫々異なる層厚の有色透明樹脂層79を低いコストで形成できる。そして更に、カラーフィルタの製造工程を有しない。したがって、本実施形態の製造方法によれば、カラー画像を表示可能な有機EL装置を極めて低いコストで得ることができる。
(変形例1)
第1〜3の実施形態の有機EL装置は、駆動素子としてTFTを用いるアクティブマトリクス型の有機EL装置である。しかし本発明を具体化した有機EL装置はかかる態様に限定されるものではなく、パッシブマトリクス型としても具体化できる。かかる態様の有機EL装置であれば駆動素子の製造コストが低減されるため、表示品質の低下を抑制しつつ、製造コストをより一層低減できる。
第1〜3の実施形態の有機EL装置は、駆動素子としてTFTを用いるアクティブマトリクス型の有機EL装置である。しかし本発明を具体化した有機EL装置はかかる態様に限定されるものではなく、パッシブマトリクス型としても具体化できる。かかる態様の有機EL装置であれば駆動素子の製造コストが低減されるため、表示品質の低下を抑制しつつ、製造コストをより一層低減できる。
(変形例2)
第1の実施形態の有機EL装置1と第2の実施形態の有機EL装置2とは、白色発光機能層26Wを基板(基板10又は透明基板11)上全面に形成している。しかし本発明を具体化した有機EL装置はかかる態様に限定されるものではなく、白色発光機能層26Wを、第3の実施形態の有機EL装置3と同様に隔壁77と画素電極25とで形成される凹部内に局所的に形成する態様も可能である。かかる態様であれば、白色発光機能層26Wの形成をインクジェット法で形成することが容易となり、表示面積の広い大型の有機EL装置においては製造コストの面で有利となり得る。
第1の実施形態の有機EL装置1と第2の実施形態の有機EL装置2とは、白色発光機能層26Wを基板(基板10又は透明基板11)上全面に形成している。しかし本発明を具体化した有機EL装置はかかる態様に限定されるものではなく、白色発光機能層26Wを、第3の実施形態の有機EL装置3と同様に隔壁77と画素電極25とで形成される凹部内に局所的に形成する態様も可能である。かかる態様であれば、白色発光機能層26Wの形成をインクジェット法で形成することが容易となり、表示面積の広い大型の有機EL装置においては製造コストの面で有利となり得る。
(変形例3)
第1〜3の実施形態の有機EL装置は、カラーフィルタを備えていない。しかし、カラーフィルタを併用する態様も可能である。特に、発光機能層26に白色発光機能層26Wを用いる場合、カラーフィルタにより白色光が直接射出されることを回避できるため、かかる態様であればより一層高品質のカラー画像を形成できる。
第1〜3の実施形態の有機EL装置は、カラーフィルタを備えていない。しかし、カラーフィルタを併用する態様も可能である。特に、発光機能層26に白色発光機能層26Wを用いる場合、カラーフィルタにより白色光が直接射出されることを回避できるため、かかる態様であればより一層高品質のカラー画像を形成できる。
(変形例4)
上述の第3の実施形態にかかる有機EL装置3は、トップエミッション型であり、発光機能層26に各有機EL画素20(R,G,B)毎に異なる発光機能層(赤色発光機能層26R等)を備えている。かかる発光機能層26の態様は、ボトムエミッション型の有機EL装置においても可能である。すなわち、有機EL装置3において、基板10と有色透明樹脂層79(R,G,B)との間に位置する光反射層21に代わって、層厚略10nmのAlあるいは銀合金等からなる半反射層29を形成する。そして、有機EL装置3と同様に、隔壁77を側壁とし画素電極25を底部とする凹部内に、各有機EL画素20(R,G,B)毎に異なる発光機能層を形成する。具体的には、赤色有機EL画素20Rの上記凹部内には赤色発光機能層26Rを形成し、緑色有機EL画素20Gの上記凹部内には緑色発光機能層26Gを形成し、青色有機EL画素20Bの上記凹部内には青色発光機能層26Bを形成する。
上述の第3の実施形態にかかる有機EL装置3は、トップエミッション型であり、発光機能層26に各有機EL画素20(R,G,B)毎に異なる発光機能層(赤色発光機能層26R等)を備えている。かかる発光機能層26の態様は、ボトムエミッション型の有機EL装置においても可能である。すなわち、有機EL装置3において、基板10と有色透明樹脂層79(R,G,B)との間に位置する光反射層21に代わって、層厚略10nmのAlあるいは銀合金等からなる半反射層29を形成する。そして、有機EL装置3と同様に、隔壁77を側壁とし画素電極25を底部とする凹部内に、各有機EL画素20(R,G,B)毎に異なる発光機能層を形成する。具体的には、赤色有機EL画素20Rの上記凹部内には赤色発光機能層26Rを形成し、緑色有機EL画素20Gの上記凹部内には緑色発光機能層26Gを形成し、青色有機EL画素20Bの上記凹部内には青色発光機能層26Bを形成する。
発光機能層26の上層に形成される陰極27は、Al等の金属層を数十nmの厚さで形成して光反射性を備えさせる。また、基板10に代わって透明基板11を用い、該透明基板のTFT等が形成されていない側の面には円偏光板88を貼付する。かかる構成であれば、発光機能層26の発光を、光反射性を有する陰極27と半反射層29との間での共振と有色透明樹脂層79(R,G,B)とにより色純度を向上させて、透明基板11の側から射出するボトムエミッション型の有機EL装置を得ることができる。上述の第2の本実施形態で述べたように、かかる有機EL装置は、陰極27を全体的に厚く形成できるので、抵抗を下げるための厚膜部を別途設ける必要がなく、製造コストを低減できる。
1…第1の実施形態の有機EL装置、2…第2の実施形態の有機EL装置、3…第3の実施形態の有機EL装置、7B…青色有機EL画素の共振長、7G…緑色有機EL画素の共振長、7R…赤色有機EL画素の共振長、10…基板、11…透明基板、12…対向基板、13…対向基板、19R…赤色発光領域、19G…緑色発光領域、19B…青色発光領域、20R…赤色発光画素としての赤色有機EL画素、20G…緑色発光画素としての緑色有機EL画素、20B…青色発光画素としての青色有機EL画素、21…光反射層、22…コンタクトキャップ、23…コンタクトホール形成領域、25…第1の電極としての画素電極、26B…青色発光機能層、26G…緑色発光機能層、26R…赤色発光機能層、26W…白色発光機能層、27…第2の電極としての陰極、28…第2の電極としての陰極、29…半反射層、31…第1の半導体層、32…第2の半導体層、33…第1のゲート電極、34…第2のゲート電極、35…ソース領域、36…ドレイン領域、37…ソース領域、38…ドレイン領域、41…駆動素子の電極としての第1の中継電極、42…第2の中継電極、43…下部電極、44…上部電極、51…第1のコンタクトホール、52…第2のコンタクトホール、53…第3のコンタクトホール、54…第4のコンタクトホール、55…第5のコンタクトホール、56…第6のコンタクトホール、57…第7のコンタクトホール、62…密着改善層としてのITO層、63…金属層としてのAl層、65…ITO層、70…ゲート絶縁層、71…層間絶縁層、73…平坦化層としての有機樹脂層、77…隔壁、78…接着層、79B…青色透明樹脂層、79G…緑色透明樹脂層、79R…赤色透明樹脂層、81…ノズル、85…第1のパシベーション層、86…応力緩和層、87…第2のパシベーション層、88…円偏光板、89B…青色着色材料、89G…緑色着色材料、89R…赤色着色材料、100…表示領域、101…画素領域、102…走査線、104…信号線、106…容量線、108…スイッチング用TFT、110…保持容量、112…駆動素子としての駆動用TFT、120…走査線駆動回路、130…信号線駆動回路、140…同期信号線、A…酸素含有ガスとしてのO2ガスのプラズマ、B…フッ素含有ガスとしてのCF4ガスのプラズマ、C…透明樹脂を含む液状材料。
Claims (14)
- 基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、赤色発光画素と緑色発光画素と青色発光画素と、の三種類の発光画素を備える発光装置であって、
前記三種類の発光画素の各々は、前記基板側から順に、光反射層又は半反射層と、透明樹脂層と、透明導電性を有する第1の電極と、発光機能層と、光反射性又は半反射性を有する第2の電極と、が積層された構造を有しており、
前記透明樹脂層は、各々の前記発光画素の発光色に対応する色に着色された有色透明樹脂層であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記有色透明樹脂層の層厚は、該有色透明樹脂層の光学的距離と前記第1の電極の光学的距離と前記発光機能層の光学的距離との和が、該有色透明樹脂層が形成される発光画素の発光を前記光反射層又は前記半反射層と前記第2の電極との間で発生する共振により強調する光学的距離となる厚さであることを特徴とする発光装置。 - 請求項1又は2に記載の発光装置であって、
前記発光機能層は白色発光機能層であり、
前記三種類の発光画素は、前記有色透明樹脂層の色及び層厚を除き、材料及び層厚が同一の層で構成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光装置であって、
前記複数の発光領域の各々には前記発光画素を駆動する駆動素子、及び、該駆動素子と前記第1の電極とを電気的に接続するコンタクトホールが形成されており、前記光反射層又は前記半反射層は金属層であり、
前記コンタクトホールの形成領域には、前記光反射層又は前記半反射層と同一の層をパターニングすることにより、平面視にて前記光反射層又は前記半反射層と所定の間隔を隔てるコンタクトキャップが形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項4に記載の発光装置であって、
前記金属層は光反射層であり、前記第2の電極は半反射性を有していることを特徴とする発光装置。 - 請求項4に記載の発光装置であって、
前記金属層は半反射層であり、前記第2の電極は光反射性を有しており、前記基板は透明性を有していることを特徴とする発光装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の発光装置であって、
前記発光が射出される面に円偏光板を備えていることを特徴とする発光装置。 - 基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、各々が前記基板側から順に第1の電極と発光機能層と第2の電極とが積層された構造を有する、赤色光を発光する赤色発光画素と緑色光を発光する緑色発光画素と青色光を発光する青色発光画素との三種類の発光画素のいずれかを備える発光装置の製造方法であって、
前記発光領域に光反射層又は半反射層を形成する第1の工程と、
前記光反射層上又は前記半反射層上に、透明樹脂及び各々の画素の発光色と略同一色の着色材料を含む液状材料を供給する第2の工程と、
前記液状材料を硬化させて、前記光反射層上又は前記半反射層上に有色透明樹脂層を形成する第3の工程と、
前記有色透明樹脂層が形成された前記基板上に透明導電層を形成する第4の工程と、
前記透明導電層をパターニングして、前記発光領域に前記第1の電極を形成する第5の工程と、
前記第1の電極上に発光機能層を形成する第6の工程と、
前記発光機能層上に光反射性又は半反射性を有する前記第2の電極を形成する第7の工程と、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項8に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第6の工程は白色光を発光する白色発光機能層を形成する工程であり、
前記第2の工程は、前記第3の工程により形成される前記有色透明樹脂層の光学的距離と前記透明導電層の光学的距離と前記発光機能層の光学的距離との和が、該有色透明樹脂層が形成される発光画素の発光を前記光反射層又は前記半反射層と前記第2の電極との間で発生する共振により強調する光学的距離となるように、前記液状材料を供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項8又は9に記載の発光装置の製造方法であって、
前記光反射層又は前記半反射層は金属層であり、
前記第1の工程の前に前記基板上に、各々の前記発光画素に対応する駆動素子を形成する第8の工程と、前記基板上に前記駆動素子を覆う平坦化層を形成する第9の工程と、を順に実施し、
前記第1の工程と前記第2の工程との間に、前記平坦化層の一部を選択的に除去して前記駆動素子の電極の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成する第10の工程を更に実施し、
前記第1の工程は、前記金属層をパターニングして前記発光領域に前記光反射層又は前記半反射層を形成し、かつ、前記金属層をパターニングして、前記コンタクトホールの形成領域に前記光反射層又は前記半反射層と所定の間隔を隔てるコンタクトキャップを形成する工程であり、
前記第5の工程は、前記透明導電層をパターニングして、前記コンタクトホールの形成領域と前記発光領域との2つの領域に跨る前記第1の電極を形成する工程である、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項10に記載の発光装置の製造方法であって、
前記平坦化層は有機樹脂層であり、
前記第10の工程と前記第2の工程との間に、前記基板上に酸素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理及びフッ素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理を施して前記有機樹脂層の露出した表面に撥液性を付与し、前記光反射層又は前記半反射層の表面に親液性を付与する第11の工程を実施することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項8〜11のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第2の工程は、前記液状材料をインクジェット法により吐出して供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項12に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第1の工程は、光反射層を形成する工程であり、
前記第7の工程は、半反射性を有する前記第2の電極を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項12に記載の発光装置の製造方法であって、
前記基板は透明基板であり、
前記第9の工程は透明性を有する前記有機樹脂層を形成する工程であり、
前記第1の工程は半反射層を形成する工程であり、
前記第7の工程は、光反射性を有する前記第2の電極を形成する工程であること、を特徴とする発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008169984A JP2010010020A (ja) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | 発光装置、及び発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008169984A JP2010010020A (ja) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | 発光装置、及び発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010010020A true JP2010010020A (ja) | 2010-01-14 |
Family
ID=41590245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008169984A Withdrawn JP2010010020A (ja) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | 発光装置、及び発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2010010020A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102623485A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-08-01 | 索尼公司 | 有机电致发光显示器件和电子装置 |
| CN103000640A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN103000661A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN103000580A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
| CN103022049A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-04-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| JP2013206596A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Panasonic Corp | 有機el素子とその製造方法 |
| JP2014078536A (ja) * | 2010-03-15 | 2014-05-01 | Pioneer Electronic Corp | 有機el装置 |
| US20140159009A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof and display device |
| EP2744007A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Array substrate and fabrication method thereof, display device |
| WO2016084759A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、照明装置および表示装置 |
| JP2016122613A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| KR20170012664A (ko) * | 2015-07-22 | 2017-02-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 |
| JP2018506837A (ja) * | 2014-12-31 | 2018-03-08 | 北京維信諾科技有限公司 | 光共振層を有するoled素子及びその製造方法とディスプレイ |
| CN109962174A (zh) * | 2017-12-22 | 2019-07-02 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
-
2008
- 2008-06-30 JP JP2008169984A patent/JP2010010020A/ja not_active Withdrawn
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014078536A (ja) * | 2010-03-15 | 2014-05-01 | Pioneer Electronic Corp | 有機el装置 |
| CN102623485A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-08-01 | 索尼公司 | 有机电致发光显示器件和电子装置 |
| JP2013206596A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Panasonic Corp | 有機el素子とその製造方法 |
| KR101572519B1 (ko) * | 2012-12-12 | 2015-11-27 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 어레이 기판 및 그 제조 방법, 디스플레이 장치 |
| US9246136B2 (en) | 2012-12-12 | 2016-01-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof |
| CN103000580A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
| CN103000661A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| US20140159009A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof and display device |
| EP2744012A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Array Substrate, Method for Manufacturing the same, and Display Device |
| EP2744011A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof |
| EP2744010A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Array Substrate and Method for Manufacturing the same, Display Device |
| EP2744007A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Array substrate and fabrication method thereof, display device |
| JP2014120476A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-30 | Boe Technology Group Co Ltd | アレイ基板及びその製造方法、ディスプレイ |
| US9196660B2 (en) | 2012-12-12 | 2015-11-24 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and fabrication method thereof, display device |
| CN103000640A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN103022049B (zh) * | 2012-12-12 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN103022049A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-04-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| US9269925B2 (en) | 2012-12-12 | 2016-02-23 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate including wavy transflective layer |
| US10079358B2 (en) | 2012-12-12 | 2018-09-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, method for manufacturing the same, and display device |
| US9837479B2 (en) | 2012-12-12 | 2017-12-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and fabrication method thereof, display device |
| US9425245B2 (en) | 2012-12-12 | 2016-08-23 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and method for manufacturing the same, display device |
| WO2016084759A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、照明装置および表示装置 |
| US10157967B2 (en) | 2014-11-28 | 2018-12-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device, illumination device, and display device |
| JP2016122613A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2018506837A (ja) * | 2014-12-31 | 2018-03-08 | 北京維信諾科技有限公司 | 光共振層を有するoled素子及びその製造方法とディスプレイ |
| KR20170012664A (ko) * | 2015-07-22 | 2017-02-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 |
| KR102572407B1 (ko) * | 2015-07-22 | 2023-08-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 |
| CN109962174A (zh) * | 2017-12-22 | 2019-07-02 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| JP2019114541A (ja) * | 2017-12-22 | 2019-07-11 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光表示装置 |
| US10770530B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-09-08 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| CN109962174B (zh) * | 2017-12-22 | 2021-04-02 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010010020A (ja) | 発光装置、及び発光装置の製造方法 | |
| US9583734B2 (en) | OLED micro-cavity structure and method of making | |
| CN100524796C (zh) | 有机电致发光显示面板 | |
| JP6135062B2 (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器 | |
| KR101028072B1 (ko) | 적층구조의 제조방법 | |
| JP4252297B2 (ja) | 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置 | |
| KR101448003B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN1276687C (zh) | 显示器及其制造方法 | |
| JP4262902B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| US20050067954A1 (en) | Organic EL panel | |
| JP2009259731A (ja) | 発光装置、及び発光装置の製造方法 | |
| WO2016056364A1 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 | |
| JP2013008663A (ja) | 表示装置 | |
| US8716931B2 (en) | Organic light emitting diode (OLED) display | |
| JP5435260B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| JP5831100B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
| JP2009295479A (ja) | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置 | |
| JP2019061927A (ja) | 表示装置 | |
| JP2010211984A (ja) | 有機el装置および有機el装置の製造方法、ならびに電子機器 | |
| JP5478954B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP4858054B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
| JP5256831B2 (ja) | 表示素子、表示装置、表示素子の製造方法 | |
| JP2010153360A (ja) | 積層型有機発光素子、それを有する撮像装置及び画像表示装置 | |
| JP2008130363A (ja) | 有機el素子およびその製造方法、ならびに有機elディスプレイおよびその製造方法 | |
| JP2010153171A (ja) | 有機el装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110906 |