JP2010093113A - 積層型電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 積層型電子部品の内部電極を互いに接続する外部電極を、積層体の端面上に直接めっきを施すことによって形成した場合、はんだリフローなどの熱衝撃が加わったとき、内部電極と外部電極との電気的接合が剥離し、静電容量が低下するという問題があった。
【解決手段】 積層体の内部電極が露出する面に対し、内部電極と異種金属であり、かつ無電解めっきよりなる第１のめっき層を形成し、その上に、電解めっきよりなる第２のめっき層を形成する。
【選択図】図１
【解決手段】 積層体の内部電極が露出する面に対し、内部電極と異種金属であり、かつ無電解めっきよりなる第１のめっき層を形成し、その上に、電解めっきよりなる第２のめっき層を形成する。
【選択図】図１
Description
この発明は、積層型電子部品およびその製造方法に関するものであり、特に、外部電極が積層体の外表面上に、直接、めっきを施すことにより形成された、積層型電子部品およびその製造方法に関するものである。
図３に示すように、積層コンデンサに代表される積層型電子部品１０１は、一般に、積層された複数の絶縁体層１０３と、絶縁体層１０３間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極１０４および１０５とを含む、積層体１０２を備えている。積層体１０２の一方および他方の端面１０６および１０７には、それぞれ、複数の内部電極１０４および複数の内部電極１０５の各端部が露出していて、これら内部電極１０４の各端部および内部電極１０５の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部電極がそれぞれ形成されている。
外部電極の形成にあたっては、一般に、金属成分とガラス成分とを含む金属ペーストを積層体１０２の端面１０６および１０７上に塗布し、次いで焼き付けることにより、ペースト電極層１０８および１０９がまず形成される。次に、ペースト電極層１０８、１０９上に、たとえばＮｉを主成分とする第１のめっき層１１０、１１１が形成され、さらにその上に、たとえばＳｎを主成分とする第２のめっき層１１２、１１３が形成される。すなわち、外部電極の各々は、ペースト電極層１０８、１０９、第１のめっき層１１０、１１１、および第２のめっき層１１２、１１３の３層構造より構成される。
外部電極は、積層型電子部品１０１がはんだを用いて基板に実装される際に、はんだとの濡れ性が良好であることが求められる。同時に、外部電極に対しては、互いに電気的に絶縁された状態にある複数の内部電極を互いに電気的に接続する役割が求められる。はんだ濡れ性の確保の役割は、上述した第２のめっき層１１２、１１３が果たしており、内部電極１０３および１０４相互の電気的接続の役割は、ペースト電極層１０８、１０９が果たしている。第１のめっき層１１０、１１１は、はんだ接合時のはんだ喰われを防止する下地としての役割を果たしている。
しかし、ペースト電極層１０８、１０９は、その厚みが数十μｍ〜数百μｍと大きい。したがって、この積層型電子部品１０１の寸法を一定の規格値に収めるためには、このペースト電極層の体積を確保する必要が生じる分、不所望にも、静電容量確保のための実効体積を減少させる必要が生じる。一方、第１のめっき層１１０、１１１および第２のめっき層１１２、１１３はその厚みが数μｍ程度であるため、仮にめっき層のみで外部電極を構成できれば、静電容量確保のための実効体積をより多く確保することができる。
たとえば、特開昭６３−１６９０１４号公報（特許文献１）には、積層体の、内部電極が露出した側壁面の全面に対し、側壁面に露出した内部電極が短絡されるように、無電解めっきによって導電性金属層を析出させる方法が開示されている。
特開昭６３−１６９０１４号公報
特許文献１に記載の積層型電子部品の例としては、Ｎｉを主成分とする内部電極を有する積層体に対し、この内部電極の露出した面に対して様々な金属種のめっきを行うことが考えられ、たとえば、つきまわり性の良いＣｕめっきを直接行うことが考えられる。
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、リフローはんだ実装などの熱衝撃が加わったとき、Ｎｉを主成分とする内部電極と、Ｃｕめっき層との接合部分のいくつかが剥離し、静電容量が低下してしまうという問題があった。
そこで、この発明の目的は、上記のような問題を解決し得る、積層型電子部品、および積層型電子部品の製造方法を提供しようとすることである。
すなわち本発明は、積層された複数の絶縁体層および前記絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極を含み、前記内部電極の各端部が所定の面に露出している、積層体と、前記積層体の前記所定の面上に直接形成される、第１のめっき層と、前記第１のめっき層の上に直接形成される第２のめっき層と、を備える積層型電子部品に係るものである。そして、本発明の積層型電子部品における特徴部分は、前記第１のめっき層を構成する主成分金属が、前記内部電極を構成する主成分金属と異なるとともに、前記第１のめっき層が無電解めっき層であり、かつ、前記第２のめっき層が電解めっき層であることである。
また、本発明の積層型電子部品は、前記内部電極を構成する主成分金属がＮｉであり、前記第１のめっき層を構成する主成分金属がＣｕであることが好ましい。このとき、前記第２のめっき層を構成する主成分金属がＣｕであるとさらに好ましい。さらに、この前記第２のめっき層の上には、Ｎｉを主成分とするめっき層を備え、さらに前記Ｎｉを主成分とするめっき層の上にＳｎを主成分とするめっき層を備えることも好ましい。
本発明は、本発明の積層型電子部品に係る製造方法にも向けられる。
すなわち、本発明は、積層された複数の絶縁体層および前記絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極を含み、前記内部電極の各端部が所定の面に露出している、積層体を用意する工程と、前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部に特定の金属を主成分とするめっき析出物を析出させ、かつ前記めっき析出物が相互に接続されるように前記めっき析出物をめっき成長させ、それによって、連続しためっき層を形成するよう、前記内部電極の各端部を互いに電気的に接続する第１のめっき層を形成する工程と、前記第１のめっき層の上に第２のめっき層を形成する工程と、を備える積層型電子部品の製造方法に係るものである。そして、本発明の積層型電子部品の製造方法の特徴部分は、前記第１のめっき層を構成する主成分金属が、前記内部電極を構成する主成分金属と異なるとともに、前記第１のめっき層を形成する工程が無電解めっきであり、かつ、前記第２のめっき層を形成する工程が電解めっきであることである。
また、本発明の積層型電子部品の製造方法においては、前記内部電極を構成する主成分金属がＮｉであり、前記第１のめっき層を構成する主成分金属がＣｕであることが好ましい。このとき、前記第２のめっき層を構成する主成分金属がＣｕであるとさらに好ましい。さらに、この前記第２のめっき層の上には、Ｎｉを主成分とするめっき層を備え、さらに前記Ｎｉを主成分とするめっき層の上にＳｎを主成分とするめっき層を備えることも好ましい。
本発明の積層型電子部品、および本発明の積層型電子部品の製造方法によれば、内部電極を構成する主成分金属と第１のめっき層を構成する主成分金属とが互いに異種であり、内部電極の露出する面に直接形成された第１のめっき層が無電解めっき層であり、かつその上に形成された第２のめっき層が電解めっき層であるため、たとえば２４０℃程度以上の熱衝撃が加わったとき、第１のめっき層が内部電極に向かって過不足なく適度に拡散する。これにより、内部電極とめっき層と間の電気的接合性が強くなり、少々の熱衝撃ではこの電気的接合が切れにくくなる。
また、めっき層を形成する前に、内部電極露出端に対し露出度を高める等の特殊な処理をしなくても、熱衝撃による電気的接合不良を抑えることも可能となる。
図１を参照して、この発明の第１の実施形態による積層型電子部品１およびその製造方法について説明する。
まず、図１の断面図に示すように、積層型電子部品１は、積層された複数の絶縁体層３と、絶縁体層３間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極４および５とを含む積層体２を備えている。積層型電子部品１が積層セラミックコンデンサを構成するとき、絶縁体層３は、誘電体絶縁体から構成される。積層体２の一方および他方端面６および７には、それぞれ、複数の内部電極４および複数の内部電極５の各端部が露出していて、これら内部電極４の各端部および内部電極５の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部電極としての複数のめっき層が形成されている。
この複数のめっき層は、少なくとも第１のめっき層８および９、ならびにその上に形成されたその第２のめっき層１０および１１を備える。
ここで、この第１のめっき層８および９、ならびに第２のめっき層１０および１１には、はんだ濡れ性を確保するためのめっき層、いわばＳｎめっき、はんだめっき、Ａｕめっき等は含まれない。これらのはんだ濡れ性を確保するためのめっき層は、熱衝撃時の内部電極との拡散現象に殆ど寄与しないためである。たとえば、仮に内部電極の露出面に対してＮｉめっき層、Ｓｎめっき層の順に形成された場合、本発明の定義においては第１のめっき層８および９がＮｉめっき層であり、第２のめっき層１０および１１は形成されていないこととされる。
図１に戻ると、内部電極４および５を構成する主成分金属は、特に限られるものではないが、Ｎｉであることが好ましい。
そして、第１のめっき層８および９を構成する主成分金属は、内部電極４および５を構成する主成分金属とは異種である。内部電極の主成分がＮｉの場合は、第１のめっき層８および９はＣｕめっきであることが好ましい。この組み合わせの場合、熱衝撃時に、第１のめっき層８および９と内部電極４および５との拡散が生じやすい。
さらに、第１のめっき層８および９は無電解めっき層であり、第２のめっき層１０および１１は電解めっき層である。第１のめっき層８および９が無電解めっき層であることにより、熱衝撃の温度がリフロー温度程度に低い場合であっても、第１のめっき層８および９から内部電極４および５への拡散が生じやすくなる。このとき電解めっき層である第２のめっき層１０および１１は、熱衝撃時における第１のめっき層８および９の内部電極４および５への過度の拡散を防ぐ役割をなしている。いわば、第１のめっき層８および９、ならびに第２のめっき層１０および１１を、それぞれ無電解めっき／電解めっきの組み合わせとすることで、リフロー時の熱衝撃による拡散現象を促進しつつ、かつ適度に制御することによって、内部電極とめっき層との間の電気的接合力が強化されているわけである。この場合、第２のめっき層１０および１１の厚みは３μｍ以上であることが好ましく、さらに望ましくは４μｍ以上であることが好ましい。
なお、第１のめっき層８および９、ならびに第２のめっき層１０および１１を、それぞれ無電解めっき／電解めっきの組み合わせとすることによる作用は、第１のめっき層８および９、ならびに第２のめっき層１０および１１を構成するそれぞれの主成分金属が、互いに同種であることが望ましい。
以上より、図１の本発明の積層型電子部品の好ましい例として、内部電極がＮｉであり、第１のめっき層８および９が無電解Ｃｕめっき層であり、第２のめっき層１０および１１が電解Ｃｕめっき層であることがあげられる。この上にさらに、はんだ喰われ防止のための下地として第３のめっき層１２および１３が電解Ｎｉめっきによって形成され、さらにその上に、はんだ濡れ性確保のためのめっき層１４および１５が電解Ｓｎめっきによって形成されることが好ましい。また、内部電極がＣｕである場合は、第１のめっき層がＮｉであることが好ましい。
また、本発明の積層型電子部品の別の形態を図２に示す。図２の積層型電子部品５１は、はんだ喰われ防止のための下地としての第３のめっき層１２および１３と、さらにその上のはんだ濡れ性確保のためのめっき層１４および１５がないこと以外は、図１の積層型電子部品１と同じである。図２における第１のめっき層８および９は無電解Ｃｕめっき層であることが好ましく、第２のめっき層１０および１１は電解Ｃｕめっき層であることが好ましい。はんだを用いない実装を行う場合などは、このようなタイプの積層型電子部品も用いられる。
以上、この発明を、図示した実施形態に関連して説明したが、この発明の範囲内において、その他種々の変形例が可能である。
たとえば、この発明が適用される積層型電子部品としては、積層チップコンデンサが代表的であるが、その他、積層チップインダクタ、積層チップサーミスタなどにも適用可能である。
したがって、積層型電子部品に備える絶縁体層は、電気的に絶縁する機能を有していればよく、その材質は特に問われるものではない。すなわち、絶縁体層は、誘電体絶縁体からなるものに限らず、その他、圧電体絶縁体、半導体絶縁体、磁性体絶縁体などからなるものであってもよい。
なお、本発明の積層型電子部品における外部電極は実質的にめっき層のみからなるが、複数の内部電極の接続に直接関わらない部分においてであれば、ペースト電極が形成されていても差し支えない。たとえば、内部電極が露出する端面に隣接する面へも外部電極を延長させたい場合には、厚膜ペースト電極を形成させてもよい。この場合、はんだ実装が行いやすくなるとともに、めっき層の端部からの水分浸入が効果的に防止される。
さらに、図１の積層型電子部品においては、内部電極層の存在する内層部の両外側に保護層は特に設けられてないが、信頼性を考慮して保護層を設けても構わない。この場合、保護層の表面部分には、ダミー電極を露出させることによりめっき層を形成することができる。保護層だけでなく、外部電極の積層体側面への折り返し部分についても同様である。
また、図１においては２端子型の外部電極の例をあげたが、さらに多くの外部電極を有していても構わない。たとえば、外部電極を複数対備えるアレイタイプのものがあげられる。
次に、本発明の積層型電子部品の製造方法について説明する。
まず、積層された複数の絶縁体層３および絶縁体層３間の界面に沿って形成された複数の内部電極４および５を含み、内部電極４および５の各端部が端面６および７にそれぞれ露出している、積層体２が用意される。この積層体２において、内部電極４および５が端面６および７より若干引っ込んでいても問題ないが、十分に露出させたい場合には、サンドブラストやバレル研磨などの方法により絶縁体層３を削り、内部電極４および５を端面６および７に十分に露出させてもよい。また、内部電極４および５を端面６および７より０．１μｍ以上突出させるようにすると、内部電極４および５の露出端よりめっきが成長しやすくなるので、より好ましい。
次に、積層体２の端面６および７に露出した内部電極４および５の各端部を互いに電気的に接続するように、積層体２の端面６および７上に第１のめっき層８および９をそれぞれ形成する工程が実施される。
第１のめっき層８および９を形成する工程において、まず、積層体２の端面６および７に露出した複数の内部電極４および５の各端部にめっき析出物を析出させ、かつめっき析出物が相互に接続されるようにめっき析出物をめっき成長させ、それによって、連続した第１のめっき層８および９を端面６および７上に直接形成するようにめっきする工程が実施される。
このようなめっき方法を行った場合、無電解めっきにおける還元剤の作用を強めるための触媒処理、すなわちた積層体２の端面６および７へのＰｄ付与などの工程は不要にすることもできる。この場合、内部電極４および５の主成分金属が、還元剤に対し触媒活性を有していれば問題ない。また、仮に、内部電極４および５の主成分金属が還元剤に対し触媒活性を有していなくとも、触媒活性を有する金属片をバレルめっきの攪拌媒体に用いることで被めっき物を触媒活性化させることもできる。
また、本発明における第１のめっき層８および９を形成するためのめっき方法は、めっき析出物の成長力および展性の高さを利用したものである。よって、隣り合う内部電極間の厚みが５０μm以下、望ましくは２０μｍ以下である場合、上述のめっき析出物が互いに成長して接続しやすくなるので好ましい。
このようにして第１のめっき層８および９を無電解めっきにより形成した後、第２のめっき層１０および１１は通常の電解めっき方法により形成される。たとえば、一般的な電解バレルめっきで構わない。
以下、この発明の範囲を決定するため、またはこの発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
［実施例１］ 試料となる積層型電子部品の積層体として、長さ３．１ｍｍ、幅１．５５ｍｍおよび高さ１．５５ｍｍの積層セラミックコンデンサ用積層体であって、絶縁体層がチタン酸バリウム系誘電体絶縁体からなり、内部電極がＮｉを主成分とするものを用意した。この積層体において、内部電極の厚みは１μｍであり、絶縁体層の各厚みは２．０μｍであり、積層体の内部電極が露出する面における、隣り合う内部電極間距離は４．０μｍであった。
次に、上記積層体２００個を、容積３００ｍＬの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径１．３ｍｍのＣｕメディアを１００ｍＬ投入した。
そして、回転バレルを、浴温４０℃の無電解Ｃｕめっき浴に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら、厚み２μｍの無電解Ｃｕめっき層を第１のめっき層として形成した。なお、上記無電解Ｃｕめっき浴の成分を以下に示す。
硫酸銅５水和物： ０．０４ｍｏｌ／Ｌ
ホルムアルデヒド： ０．１６ｍｏｌ／Ｌ
酒石酸ナトリウムカリウム４水和物： ０．１ｍｏｌ／Ｌ
ポリエチレングリコール： １．０ｇ／Ｌ
水酸化ナトリウム： ０．１２５ｍｏｌ／Ｌ
エアレーション： ０．５Ｌ／ｍｉｎ
次に、水平回転バレルを、浴温５５℃、ｐＨ８．６の電解Ｃｕめっき浴（上村工業社製ピロブライトシステム）に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら電流密度１．０Ａ／ｄｍ2で通電し、厚み４μｍの電解Ｃｕめっき層を第２のめっき層として形成した。
ホルムアルデヒド： ０．１６ｍｏｌ／Ｌ
酒石酸ナトリウムカリウム４水和物： ０．１ｍｏｌ／Ｌ
ポリエチレングリコール： １．０ｇ／Ｌ
水酸化ナトリウム： ０．１２５ｍｏｌ／Ｌ
エアレーション： ０．５Ｌ／ｍｉｎ
次に、水平回転バレルを、浴温５５℃、ｐＨ８．６の電解Ｃｕめっき浴（上村工業社製ピロブライトシステム）に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら電流密度１．０Ａ／ｄｍ2で通電し、厚み４μｍの電解Ｃｕめっき層を第２のめっき層として形成した。
次いで、この水平回転バレルを、浴温５５℃、ｐＨ４．０の一般的なワット浴に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら電流密度０．５Ａ／ｄｍ2で通電し、厚み２μｍの電解Ｎｉめっき層を第３のめっき層として形成した。
さらに、この水平回転バレルを、浴温３３℃、ｐＨ５．０の電解Ｓｎめっき浴（ディップソール社製Ｓｎ−２３５）に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら電流密度０．３Ａ／ｄｍ2で通電し、厚み４μｍの電解Ｓｎめっき層をはんだ濡れ性確保のためのめっき層として形成した。 この後、積層体をバレルから取り出し、６０℃にて１０分間乾燥させることにより、積層チップコンデンサの試料を得た。
この積層チップコンデンサの試料に対し、２４５℃において１０秒の熱衝撃を与えた後、以下のようにしてめっき層の内部電極との接合試験を行った。すなわち、まず、１５０℃で６０分間保持して２２時間室温放置した後に、初期の静電容量を測定した。この後、４０Ｖの電圧を５秒間印加し、その後ショートさせる、というサイクルを５サイクル行った。その後、１５０℃で６０分間保持して２２時間室温放置した後に、試験後の静電容量を測定した。この試験後の静電容量が初期の静電容量に対して１％以上変動していたチップを不良と判定した。この試験を１００個の試料について行ったところ、不良は一つもみられなかった。
［実施例２］ 試料となる積層型電子部品の積層体として、実施例１と同じ積層体を用意した。
次に、上記積層体２００個を、容積３００ｍＬの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径１．３ｍｍのＣｕメディアを１００ｍＬ投入した。
そして、回転バレルを、浴温４０℃の無電解Ｃｕめっき浴に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら、厚み２μｍの無電解Ｃｕめっき層を第１のめっき層として形成した。なお、上記無電解Ｃｕめっき浴は実施例１と同じものを用いた。
次いで、この水平回転バレルを、浴温５５℃、ｐＨ４．０の一般的なワット浴に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら電流密度０．５Ａ／ｄｍ2で通電し、厚み４μｍの電解Ｎｉめっき層を第２のめっき層として形成した。
さらに、この水平回転バレルを、浴温３３℃、ｐＨ５．０の電解Ｓｎめっき浴（ディップソール社製Ｓｎ−２３５）に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら電流密度０．３Ａ／ｄｍ2で通電し、厚み４μｍの電解Ｓｎめっき層をはんだ濡れ性確保のためのめっき層として形成した。 この後、積層体をバレルから取り出し、６０℃にて１０分間乾燥させることにより、積層チップコンデンサの試料を得た。
この積層チップコンデンサの試料に対し、２４５℃において１０秒の熱衝撃を与えた後、実施例１と同じ方法にてめっき層の内部電極との接合試験を行った。この試験を１００個の試料について行ったところ、不良は１個だけみられた。
［実施例３］試料となる積層型電子部品の積層体として、実施例１と同じ積層体を用意した。
次に、上記積層体２００個を、容積３００ｍＬの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径１．３ｍｍのＣｕメディアを１００ｍＬ投入した。
そして、回転バレルを、浴温４０℃の無電解Ｃｕめっき浴に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら、厚み１μｍの無電解Ｃｕめっき層を第１のめっき層として形成した。なお、上記無電解Ｃｕめっき浴は実施例１と同じものを用いた。
次に、水平回転バレルを、浴温５５℃、ｐＨ８．６の電解Ｃｕめっき浴（上村工業社製ピロブライトシステム）に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら電流密度１．０Ａ／ｄｍ2で通電し、厚み５μｍの電解Ｃｕめっき層を第２のめっき層として形成した。この後、積層体をバレルから取り出し、６０℃にて１０分間乾燥させることにより、積層チップコンデンサの試料を得た。
この積層チップコンデンサの試料に対し、２４５℃において１０秒の熱衝撃を与えた後、実施例１と同じ方法にてめっき層の内部電極との接合試験を行った。この試験を１００個の試料について行ったところ、不良は１個もみられなかった。
［比較例１］ 試料となる積層型電子部品の積層体として、実施例１と同じ積層体を用意した。
次に、上記積層体２００個を、容積３００ｍＬの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径１．３ｍｍのＣｕメディアを１００ｍＬ投入した。
そして、回転バレルを、浴温５５℃、ｐＨ８．６の電解Ｃｕめっき浴に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら電流密度１．０Ａ／ｄｍ2で通電し、厚み６μｍの電解Ｃｕめっき層を第１のめっき層として形成した。なお、上記電解Ｃｕめっき浴は実施例１と同じものを用いた。
次いで、この水平回転バレルを、浴温５５℃、ｐＨ４．０の一般的なワット浴に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら電流密度０．５Ａ／ｄｍ2で通電し、厚み２μｍの電解Ｎｉめっき層を第２のめっき層として形成した。
さらに、この水平回転バレルを、浴温３３℃、ｐＨ５．０の電解Ｓｎめっき浴（ディップソール社製Ｓｎ−２３５）に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら電流密度０．３Ａ／ｄｍ2で通電し、厚み４μｍの電解Ｓｎめっき層をはんだ濡れ性確保のためのめっき層として形成した。この後、積層体をバレルから取り出し、６０℃にて１０分間乾燥させることにより、積層チップコンデンサの試料を得た。
この積層チップコンデンサの試料に対し、２４５℃において１０秒の熱衝撃を与えた後、実施例１と同じ方法にてめっき層の内部電極との接合試験を行った。この試験を１００個の試料について行ったところ、不良は２８個であった。
［比較例２］ 試料となる積層型電子部品の積層体として、実施例１と同じ積層体を用意した。
次に、上記積層体２００個を、容積３００ｍＬの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径１．３ｍｍのＣｕメディアを１００ｍＬ投入した。
そして、回転バレルを、浴温４０℃の無電解Ｃｕめっき浴に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら、厚み２μｍの無電解Ｃｕめっき層を第１のめっき層として形成した。なお、上記無電解Ｃｕめっき浴は実施例１と同じものを用いた。
次いで、この水平回転バレルよりＣｕメディアを取り出し、直径１．３ｍｍのＮｉメディア１００ｍＬに交換した。この水平回転バレルを、浴温６５℃、ｐＨ７．０の無電解Ｎｉめっき浴に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら、厚み４μｍの無電解Ｎｉめっき層を第２のめっき層として形成した。上記の無電解めっき浴の成分を以下に示す。
硫酸ニッケル（ＩＩ）６水和物：０．１ｍｏｌ／Ｌ
次亜リン酸ナトリウム１水和物：０．２ｍｏｌ／Ｌ
グルコノラクトン：０．３ｍｏｌ／Ｌ
硫酸ビスマス：０．００００１ｍｏｌ／Ｌ
さらに、この水平回転バレルを、浴温３３℃、ｐＨ５．０の電解Ｓｎめっき浴（ディップソール社製Ｓｎ−２３５）に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら電流密度０．３Ａ／ｄｍ2で通電し、厚み４μｍの電解Ｓｎめっき層をはんだ濡れ性確保のためのめっき層として形成した。この後、積層体をバレルから取り出し、６０℃にて１０分間乾燥させることにより、積層チップコンデンサの試料を得た。
次亜リン酸ナトリウム１水和物：０．２ｍｏｌ／Ｌ
グルコノラクトン：０．３ｍｏｌ／Ｌ
硫酸ビスマス：０．００００１ｍｏｌ／Ｌ
さらに、この水平回転バレルを、浴温３３℃、ｐＨ５．０の電解Ｓｎめっき浴（ディップソール社製Ｓｎ−２３５）に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら電流密度０．３Ａ／ｄｍ2で通電し、厚み４μｍの電解Ｓｎめっき層をはんだ濡れ性確保のためのめっき層として形成した。この後、積層体をバレルから取り出し、６０℃にて１０分間乾燥させることにより、積層チップコンデンサの試料を得た。
この積層チップコンデンサの試料に対し、２４５℃において１０秒の熱衝撃を与えた後、実施例１と同じ方法にてめっき層の内部電極との接合試験を行った。この試験を１００個の試料について行ったところ、不良は４０個であった。
［比較例３］ 試料となる積層型電子部品の積層体として、実施例１と同じ積層体を用意した。
次に、上記積層体２００個を、容積３００ｍＬの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径１．３ｍｍのＣｕメディアを１００ｍＬ投入した。
そして、回転バレルを、浴温５５℃、ｐＨ８．６の電解Ｃｕめっき浴に浸漬し、周速２．６ｍ／ｍｉｎにて回転させながら電流密度１．０Ａ／ｄｍ2で通電し、厚み６μｍの電解Ｃｕめっき層を第１のめっき層として形成した。なお、上記電解Ｃｕめっき浴は実施例１と同じものを用いた。この後、積層体をバレルから取り出し、６０℃にて１０分間乾燥させることにより、積層チップコンデンサの試料を得た。
この積層チップコンデンサの試料に対し、２４５℃において１０秒の熱衝撃を与えた後、実施例１と同じ方法にてめっき層の内部電極との接合試験を行った。この試験を１００個の試料について行ったところ、不良は１５個であった。
１ 積層型電子部品
２ 積層体
３ 絶縁体層
４，５ 内部電極
６，７ 端面
８，９ 第１のめっき層
１０，１１ 第２のめっき層
１２，１３ 第３のめっき層
１４，１５ はんだ濡れ性を確保するためのめっき層
２ 積層体
３ 絶縁体層
４，５ 内部電極
６，７ 端面
８，９ 第１のめっき層
１０，１１ 第２のめっき層
１２，１３ 第３のめっき層
１４，１５ はんだ濡れ性を確保するためのめっき層
Claims (8)
- 積層された複数の絶縁体層および前記絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極を含み、前記内部電極の各端部が所定の面に露出している、積層体と、前記積層体の前記所定の面上に直接形成される、第１のめっき層と、前記第１のめっき層の上に直接形成される第２のめっき層と、を備える積層型電子部品において、
前記第１のめっき層を構成する主成分金属が、前記内部電極を構成する主成分金属と異なるとともに、
前記第１のめっき層が無電解めっき層であり、かつ、前記第２のめっき層が電解めっき層であることを特徴とする、積層型電子部品。 - 前記内部電極を構成する主成分金属がＮｉであり、
前記第１のめっき層を構成する主成分金属がＣｕであることを特徴とする、請求項１に記載の積層型電子部品。 - 前記第２のめっき層を構成する主成分金属がＣｕであることを特徴とする、請求項２に記載の積層型電子部品。
- 前記第２のめっき層の上に、Ｎｉを主成分とするめっき層を備え、さらに前記Ｎｉを主成分とするめっき層の上にＳｎを主成分とするめっき層を備えることを特徴とする、請求項３に記載の積層型電子部品。
- 積層された複数の絶縁体層および前記絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極を含み、前記内部電極の各端部が所定の面に露出している、積層体を用意する工程と、
前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部に特定の金属を主成分とするめっき析出物を析出させ、かつ前記めっき析出物が相互に接続されるように前記めっき析出物をめっき成長させ、それによって、連続しためっき層を形成するよう、前記内部電極の各端部を互いに電気的に接続する第１のめっき層を形成する工程と、
前記第１のめっき層の上に第２のめっき層を形成する工程と、を備える積層型電子部品の製造方法において、
前記第１のめっき層を構成する主成分金属が、前記内部電極を構成する主成分金属と異なるとともに、
前記第１のめっき層を形成する工程が無電解めっきであり、かつ、前記第２のめっき層を形成する工程が電解めっきであることを特徴とする、積層型電子部品の製造方法。 - 前記内部電極を構成する主成分金属がＮｉであり、
前記第１のめっき層を構成する主成分金属がＣｕであることを特徴とする、請求項５に記載の積層型電子部品の製造方法。 - 前記第２のめっき層を構成する主成分金属がＣｕであることを特徴とする、請求項６に記載の積層型電子部品の製造方法。
- 前記第２のめっき層の上に、Ｎｉを主成分とするめっき層を備え、さらに前記Ｎｉを主成分とするめっき層の上にＳｎを主成分とするめっき層を備えることを特徴とする、請求項７に記載の積層型電子部品の製造方法。
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