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JP2010087148A - Method for manufacturing electronic circuit board - Google Patents

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JP2010087148A
JP2010087148A JP2008253320A JP2008253320A JP2010087148A JP 2010087148 A JP2010087148 A JP 2010087148A JP 2008253320 A JP2008253320 A JP 2008253320A JP 2008253320 A JP2008253320 A JP 2008253320A JP 2010087148 A JP2010087148 A JP 2010087148A
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Japan
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solution
circuit board
electronic circuit
migration
metal colloid
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Withdrawn
Application number
JP2008253320A
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Japanese (ja)
Inventor
Seiichi Inoue
斉逸 井上
Junichi Yoshida
淳一 吉田
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Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
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Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

【課題】本発明の目的は、高温焼結することなく、高信頼性を有する、すなわち、マイグレーションの発生を防止することができる導電性パターンの形成方法を提供することにある。
【解決手段】基材上に、電子回路基板の導電性パターンを反転させた反転導電性パターンの画像データに基づいて、マイグレーション防止溶液をインクジェット方式により反転導電性パターンとして塗布した後、前記導電性パターンの画像データに基づいて、金属コロイド溶液を前記インクジェット方式により導電性パターンとして塗布することで、前記導電性パターンを形成することを特徴とする電子回路基板の製造方法により、上記課題を解決する。
【選択図】図1
An object of the present invention is to provide a method for forming a conductive pattern which has high reliability without being sintered at high temperature, that is, can prevent the occurrence of migration.
A migration preventing solution is applied as an inverted conductive pattern by an inkjet method on a substrate based on image data of an inverted conductive pattern obtained by inverting the conductive pattern of an electronic circuit board. The above-mentioned problem is solved by a method for manufacturing an electronic circuit board, wherein the conductive pattern is formed by applying a metal colloid solution as a conductive pattern by the inkjet method based on pattern image data. .
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、電子回路基板の製造方法に関し、詳しくは、電子回路基板の配線を形成する電子回路基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing an electronic circuit board, and more particularly to a method for manufacturing an electronic circuit board for forming wiring of the electronic circuit board.

従来、電子回路基板(プリント配線板)の配線部分(導体部分)のパターンの形成方法には、大別して、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、およびアディティブ法がある。   Conventionally, a method for forming a pattern of a wiring portion (conductor portion) of an electronic circuit board (printed wiring board) is roughly classified into a subtractive method, a semi-additive method, and an additive method.

サブトラクティブ法は、基材上に形成された金属層の不要な部分を除去して必要な部分を残し、導体部分のパターン(配線パターン)とする方法であり、他方、セミアディティブ法およびアディティブ法は、基材上に、導体部分のパターンを形成していく方法である。   The subtractive method is a method in which an unnecessary portion of a metal layer formed on a base material is removed and a necessary portion is left to form a pattern of a conductor portion (wiring pattern). On the other hand, a semi-additive method and an additive method are used. Is a method of forming a pattern of a conductor portion on a substrate.

上記いずれの方法においても、フォトリソグラフィ技術を用いて、導体部分のパターンを形成している。
ここで、図4〜図6を用いて、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、およびアディティブ法について、説明する。
なお、図4〜図6には、プリント配線板の断面図を模式的に図示する。
In any of the above methods, the pattern of the conductor portion is formed using photolithography technology.
Here, the subtractive method, the semi-additive method, and the additive method will be described with reference to FIGS.
4 to 6 schematically show cross-sectional views of the printed wiring board.

図4(a)〜(f)には、サブトラクティブ法を適用した導体部分のパターンの形成方法を示す。
サブトラクティブ法では、まず、図4(a)に示すように、絶縁性基材(絶縁層)200の両面に、銅箔の導体層202を形成して、銅貼積層板204とし、次いで、図4(b)に示すように、銅貼積層板204にスルーホール(ビアホール,貫通孔)206を形成した後、図4(c)に示すように、無電解めっき法または電解めっき法により、導体層202の表面、および、スルーホール206の内壁に、導電性金属層208を形成して、スルーホール206を形成する。
スルーホール206を形成した後は、導体層202上の導電性金属層208表面に、ドライフィルムレジスト(DFR)や液状レジスト等でレジスト層210を形成し、次いで、このレジスト層210に、フォトツール(図示せず)を介して輻射線を照射し、現像することにより、レジスト層210のパターニングを行う。
レジスト層210のパターニングを行った後は、図4(e)に示すように、レジスト層210に被覆されていない導体層202および導電性金属層208をエッチングにより除去し、次いで、図4(f)に示すように、レジスト層210を除去して、プリント配線板を形成する。
4A to 4F show a method for forming a pattern of a conductor portion to which the subtractive method is applied.
In the subtractive method, first, as shown in FIG. 4A, a copper foil conductor layer 202 is formed on both surfaces of an insulating base material (insulating layer) 200 to form a copper-clad laminate 204, and then As shown in FIG. 4 (b), after forming a through hole (via hole, through hole) 206 in the copper-clad laminate 204, as shown in FIG. 4 (c), by electroless plating or electrolytic plating, A conductive metal layer 208 is formed on the surface of the conductor layer 202 and the inner wall of the through hole 206 to form the through hole 206.
After the through hole 206 is formed, a resist layer 210 is formed on the surface of the conductive metal layer 208 on the conductor layer 202 with a dry film resist (DFR), a liquid resist, or the like. The resist layer 210 is patterned by irradiating with radiation (not shown) and developing.
After the patterning of the resist layer 210, as shown in FIG. 4E, the conductor layer 202 and the conductive metal layer 208 not covered with the resist layer 210 are removed by etching, and then, as shown in FIG. ), The resist layer 210 is removed to form a printed wiring board.

次に、図5(a)〜(g)には、セミアディティブ法を適用した配線パターンの形成方法を示す。   Next, FIGS. 5A to 5G show a wiring pattern forming method to which the semi-additive method is applied.

セミアディティブ法では、まず、図5(a)に示すような絶縁性基材200に、図5(b)に示すように、スルーホール206を形成し、次いで、図5(c)に示すように、無電解メッキ法によって絶縁性基材200の両側表面及びスルーホール206の内壁に導電性金属層208を形成する。
導電性金属層208を形成した後に、ドライフィルムレジスト(DFR)や液状レジストによりレジスト層210を形成し、次いで、このレジスト層210にフォトツール(図示せず)を介して輻射線を照射し、現像して、レジスト層210のパターニングを行う。
レジスト層210をパターニングした後、レジスト層210に被覆されていない導電性金属層208をシード層として、図5(e)に示すように、電解メッキ法により導電性金属212を形成し、次いで、図5(f)に示すように、レジスト層210を除去し、更に、図5(g)に示すように、導電性金属212で被覆されていない導電性金属層208を除去して、プリント配線板を形成する。
In the semi-additive method, first, as shown in FIG. 5B, the through hole 206 is formed in the insulating base material 200 as shown in FIG. 5A, and then as shown in FIG. 5C. In addition, the conductive metal layer 208 is formed on both side surfaces of the insulating substrate 200 and the inner wall of the through hole 206 by electroless plating.
After forming the conductive metal layer 208, a resist layer 210 is formed with a dry film resist (DFR) or a liquid resist, and then the resist layer 210 is irradiated with radiation via a photo tool (not shown), Development is performed to pattern the resist layer 210.
After patterning the resist layer 210, using the conductive metal layer 208 that is not covered with the resist layer 210 as a seed layer, a conductive metal 212 is formed by electrolytic plating as shown in FIG. As shown in FIG. 5 (f), the resist layer 210 is removed. Further, as shown in FIG. 5 (g), the conductive metal layer 208 not covered with the conductive metal 212 is removed, and the printed wiring is removed. Form a plate.

次に、図6(a)〜(e)には、アディティブ法を適用した配線パターンの形成方法を示す。   Next, FIGS. 6A to 6E show a wiring pattern forming method to which the additive method is applied.

アディティブ法では、まず、図6(a)に示すような絶縁性基材(絶縁層)200に、図6(b)に示すように、スルーホール206を形成し、次いで、ドライフィルムレジスト(DFR)や液状レジストによりレジスト層210を形成し、更に、図6(c)に示すように、このレジスト層210にフォトツール(図示せず)を介して輻射線を照射し、現像して、パターニングされたレジスト層210を形成する。
レジスト層210を形成した後、図6(d)に示すように、レジスト層210に被覆されていない絶縁性基材200上に無電解めっき法で導電性金属層208を形成すると共に、スルーホール206の内壁にも導電性金属層208を形成した後、最終的に、図6(e)に示すように、レジスト層210を除去して、プリント配線板を形成する。
In the additive method, first, a through hole 206 is formed in an insulating base material (insulating layer) 200 as shown in FIG. 6A as shown in FIG. 6B, and then a dry film resist (DFR) is formed. ) Or a liquid resist, and, as shown in FIG. 6C, the resist layer 210 is irradiated with radiation through a photo tool (not shown), developed, and patterned. A resist layer 210 is formed.
After forming the resist layer 210, as shown in FIG. 6D, a conductive metal layer 208 is formed on the insulating substrate 200 not covered with the resist layer 210 by an electroless plating method, and through holes are formed. After forming the conductive metal layer 208 on the inner wall 206, the resist layer 210 is finally removed as shown in FIG. 6E to form a printed wiring board.

しかしながら、上記のような、フォトリソグラフィ技術によってレジストパターンを形成して、所望の配線パターンを形成する方法は、フォトマスクの作成に時間が必要であり、さらに、配線用金属の不要部除去のためのエッチング処理とは別に、レジストパターンを形成するためのレジストの露光現像処理も必要である。そのため、配線パターンを形成するために、時間やコストがかかる。   However, the method for forming a desired wiring pattern by forming a resist pattern by the photolithography technique as described above requires time for creating a photomask, and for removing unnecessary portions of the wiring metal. In addition to the etching process, a resist exposure and development process for forming a resist pattern is also required. Therefore, it takes time and cost to form a wiring pattern.

そこで、導電微粒子分散インク方式を用いることにより、プリント配線板(電子回路基板)の配線部分(導体部分)のパターンを形成する方法が、近年、提案されている。
導電微粒子分散インク描画方式は、インクジェット印刷方式を用いて、導電性の微粒子材料を、所望の配線パターンに応じて、直接、基板上にパターンニングすることにより、配線パターンを形成する。
Therefore, in recent years, a method for forming a pattern of a wiring portion (conductor portion) of a printed wiring board (electronic circuit board) by using a conductive fine particle dispersed ink method has been proposed.
The conductive fine particle-dispersed ink drawing method forms a wiring pattern by directly patterning a conductive fine particle material on a substrate according to a desired wiring pattern using an ink jet printing method.

この導電微粒子分散インク描画方式は、マスクを作成する必要がないため、フォトリソグラフィ技術によって、レジストパターンを形成して、所望の配線パターンを形成する方法と比較すると製造工程数が少ない。
しかしながら、微粒子材料の導電性を発現させるためには、高温下で長時間の焼成処理が必要であるので、配線パターンを形成可能な基板(基板材料)が限定される上に、ランニングコストが高く、さらに、高温処理のための装置の大型化も避けられない。
また、銀、アルミニウムまたは銅等の金属により配線パターンを形成する際、マイグレーションに起因した問題が生じる場合がある。
Since this conductive fine particle dispersed ink drawing method does not require a mask, the number of manufacturing steps is smaller than a method of forming a resist pattern by photolithography and forming a desired wiring pattern.
However, in order to develop the conductivity of the fine particle material, a long baking process is required at a high temperature, so that the substrate (substrate material) on which the wiring pattern can be formed is limited and the running cost is high. Furthermore, it is inevitable to increase the size of the apparatus for high temperature processing.
In addition, when a wiring pattern is formed of a metal such as silver, aluminum, or copper, a problem due to migration may occur.

そこで、上記課題に対し、例えば、特許文献1には、受容層を形成した基板に、金属コロイド溶液を配線描画し、その金属コロイド溶液の乾燥を常温または100℃以下の低温焼結処理で行って配線を形成する方法が開示されている。また、ここで使用される受容層は、シリカ微粒子を含有する顔料成分と、バインダー成分からなり、金属コロイド溶液に含まれる金属コロイド粒子は、高分子顔料分散剤の存在下で金属化合物を還元して得られるものであることが開示されている。
上記配線形成方法は、高温処理や光線処理が必要なく、常温で導電性コーティング膜を得られるため、基材として紙や耐熱性の低いプラスチック等を使用することができる。また、インクジェット方式により、金属コロイド溶液を基材に塗布するため、高精度、高速に電気回路を形成することができる。
Therefore, for example, in Patent Document 1, a metal colloid solution is drawn on a substrate on which a receiving layer is formed, and the metal colloid solution is dried by a low temperature sintering process at room temperature or 100 ° C. or less. A method of forming a wiring is disclosed. The receptor layer used here is composed of a pigment component containing silica fine particles and a binder component, and the metal colloid particles contained in the metal colloid solution reduce the metal compound in the presence of the polymer pigment dispersant. It is disclosed that it is obtained.
The wiring forming method does not require high-temperature treatment or light treatment, and can obtain a conductive coating film at room temperature. Therefore, paper, plastic having low heat resistance, or the like can be used as a substrate. In addition, since the metal colloid solution is applied to the substrate by the ink jet method, an electric circuit can be formed with high accuracy and high speed.

また、特許文献2には、銀、アルミニウムまたは銅等の金属により配線パターンを形成する際、マイグレーションに起因して断線や突起(ヒロック)といった不都合が生じるという課題に対し、配線パターンに応じたバンクを基板上に形成した後、バンク間の溝部に配線パターンを形成する銀を含む機能液を塗布し、さらにその上に、誘電体材料を塗布する配線形成方法が開示されている。
上記配線形成方法は、バンク内に打滴するため、配線パターンを形成する銀を含む機能液や誘電体材料の無駄を省くことができる。
Patent Document 2 discloses a bank corresponding to a wiring pattern in order to solve the problem of disconnection or protrusion (hillock) caused by migration when the wiring pattern is formed of a metal such as silver, aluminum, or copper. Is formed on a substrate, a functional liquid containing silver for forming a wiring pattern is applied to a groove between banks, and a dielectric material is further applied thereon.
Since the above-described wiring forming method deposits droplets in the bank, it is possible to eliminate the waste of the functional liquid containing silver and the dielectric material that form the wiring pattern.

特開2004‐207558号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-207558 特開2004−349640号公報JP 2004-349640 A

しかしながら、今回、本発明者らが、特許文献1に開示されている方法により配線形成を試みたところ、上記方法は、低温焼結を可能にし、耐熱性の低い汎用樹脂フィルムにも適用できるという点では優れた技術であるものの、作製した電子回路基板を高温、高湿度下において使用すると、電極周辺にデンドライト状のマイグレーションが発生し、通電直後に短絡してしまうことがわかった。
また、特許文献1に開示されるように、受容層付基材の上に金属コロイド溶液を塗布し、その金属コロイド溶液を、常温または100℃以下の低温焼結で長時間乾燥させて配線を形成すると、受容層中に水分が残り易くなる可能性があり、この作製した電子回路基板を高温、高湿度下において使用すると、電極周辺にデンドライト状のマイグレーションが発生し、通電開始直後に短絡してしまうことがわかった。しかしながら、特許文献1には、受容層におけるマイグレーション発生については記載も示唆もされていない。
However, when the present inventors tried to form a wiring by the method disclosed in Patent Document 1, this method enables low-temperature sintering and can be applied to a general-purpose resin film having low heat resistance. Although it is an excellent technology in terms, it has been found that when the manufactured electronic circuit board is used under high temperature and high humidity, dendritic migration occurs around the electrode and short-circuits immediately after energization.
Further, as disclosed in Patent Document 1, a metal colloid solution is applied onto a substrate with a receiving layer, and the metal colloid solution is dried at room temperature or low temperature sintering at 100 ° C. or lower for a long time to form a wiring. If formed, moisture may easily remain in the receiving layer, and when this electronic circuit board is used under high temperature and high humidity, dendritic migration occurs around the electrode and short-circuits immediately after the start of energization. I understood that. However, Patent Document 1 neither describes nor suggests the occurrence of migration in the receiving layer.

ここで、マイグレーションとは、本来良好な絶縁性が保たれている電子回路基板(プリント配線基板)の導体(電極)間に電圧を印加し、高温、高湿度下におくと、電気化学的に導体からイオンが絶縁物上または内部に溶出して、導体(電極)間の絶縁性が低下し、電子回路基板の絶縁劣化(絶縁不良)等の故障を生じることをいう。
現象としては、電気化学反応により、陽極の金属がイオンとして溶解し、溶出され、その金属イオンが陰極側に至り、ここで電子を享受して、陰極側から電極上に、デンドライト状に還元析出することでマイグレーションが生じる。
なお、導体に使用する金属としては、Ag(銀)、Pb(鉛)、Cu(銅)、Sn(スズ)、Au(金)の順にマイグレーションを発生し易い。Ag(銀)を使用した場合、特にマイグレーションを生じやすい理由としては、Ag(銀)表面を覆う不動体が形成されないことやハロゲン化銀などの生成により溶解し易いことがあげられる。
Here, migration means that if a voltage is applied between the conductors (electrodes) of an electronic circuit board (printed wiring board) that originally has good insulation, and it is placed under high temperature and high humidity, it is electrochemically applied. It means that ions are eluted from the conductor onto or into the insulator, the insulation between the conductors (electrodes) is lowered, and a failure such as insulation deterioration (insulation failure) of the electronic circuit board occurs.
As a phenomenon, the metal of the anode is dissolved and eluted as an ion by an electrochemical reaction, and the metal ion reaches the cathode side, where it enjoys electrons and is reduced and deposited in a dendrite form from the cathode side onto the electrode. This will cause migration.
In addition, as a metal used for a conductor, it is easy to generate | occur | produce migration in order of Ag (silver), Pb (lead), Cu (copper), Sn (tin), and Au (gold). When Ag (silver) is used, the reason why migration is particularly likely to occur is that no non-moving material covering the surface of Ag (silver) is formed, and that it is easily dissolved by the production of silver halide or the like.

また、特許文献2に開示されている方法は、バンク形成方法がフォトリソグラフィ法であるため、インクジェット方式で配線描画しても、製造工程の削減にならず高コストとなるため、生産性の効果があまりあがらない。また、特許文献2は、マイグレーションに起因する課題を断線や突起(ヒロック)と捉えており、短絡課題は不明瞭になっている。   Further, the method disclosed in Patent Document 2 is a photolithography method as a bank forming method. Therefore, even if wiring drawing is performed by an ink jet method, the manufacturing process is not reduced and the cost is increased. There is not much going on. Further, Patent Document 2 regards a problem caused by migration as a disconnection or a protrusion (hillock), and the short circuit problem is unclear.

本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、高温焼結することなく、高信頼性を有する、すなわち、マイグレーションの発生を防止することができる導電性パターンの形成方法を提供することにある。
また、多種多様な基板に対し、低コストで、導電性が高く、高品質な導電性パターンを形成することができる導電性パターンの形成方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a method for forming a conductive pattern that eliminates the problems based on the conventional technology and has high reliability without sintering at high temperature, that is, can prevent the occurrence of migration. There is.
It is another object of the present invention to provide a method for forming a conductive pattern that can form a high-quality conductive pattern at a low cost with a high conductivity on a wide variety of substrates.

本発明は、上記課題を解決するために、基材上に、電子回路基板の導電性パターンを反転させた反転導電性パターンの画像データに基づいて、マイグレーション防止溶液をインクジェット方式により反転導電性パターンとして塗布した後、前記導電性パターンの画像データに基づいて、金属コロイド溶液を前記インクジェット方式により導電性パターンとして塗布することで、前記導電性パターンを形成することを特徴とする電子回路基板の製造方法を提供する。   In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a reversal conductive pattern obtained by applying an anti-migration solution by an inkjet method based on image data of a reverse conductive pattern obtained by inverting a conductive pattern of an electronic circuit board on a base material. The conductive pattern is formed by applying a metal colloid solution as a conductive pattern by the inkjet method based on the image data of the conductive pattern. Provide a method.

また、本発明においては、前記基材が、その表面に、多孔質型受容層が形成された受容層付基材であることが好ましい。   Moreover, in this invention, it is preferable that the said base material is a base material with a receiving layer in which the porous type receiving layer was formed in the surface.

また、本発明においては、前記反転導電性パターンが、少なくとも、前記導電性パターンとの境界からその外側に、隣接する前記導電性パターンとの間に絶縁性をもたらすことができる線幅で形成されていることが好ましい。   In the present invention, the inverted conductive pattern is formed at least from the boundary with the conductive pattern to the outside thereof with a line width capable of providing insulation between the adjacent conductive pattern. It is preferable.

また、本発明においては、前記マイグレーション防止溶液を塗布した後、前記マイグレーション防止溶液の乾燥処理または硬化処理を行うことが好ましい。   Moreover, in this invention, after apply | coating the said migration prevention solution, it is preferable to perform the drying process or hardening process of the said migration prevention solution.

また、本発明においては、前記マイグレーション防止溶液の前記乾燥処理が、常温放置または100℃以下の加熱処理であることが好ましい。   Moreover, in this invention, it is preferable that the said drying process of the said migration prevention solution is a normal temperature standing or 100 degreeC or less heat processing.

また、本発明においては、前記マイグレーション防止溶液の前記硬化処理が、輻射線照射処理であることが好ましい。   Moreover, in this invention, it is preferable that the said hardening process of the said migration prevention solution is a radiation irradiation process.

また、本発明においては、前記金属コロイド溶液を塗布した後、前記金属コロイド溶液の乾燥焼結処理を行うことが好ましい。   Moreover, in this invention, after apply | coating the said metal colloid solution, it is preferable to perform the dry sintering process of the said metal colloid solution.

また、本発明においては、前記金属コロイド溶液の前記乾燥焼結処理は、常温放置または100℃以下の加熱処理であることが好ましい。   Moreover, in this invention, it is preferable that the said dry sintering process of the said metal colloid solution is normal temperature standing or a heat processing of 100 degrees C or less.

また、本発明においては、前記マイグレーション防止溶液を塗布した後、および前記金属コロイド防止溶液を塗布した後に、前記マイグレーション防止溶液、および前記金属コロイド溶液の乾燥焼結処理を常温放置で行うことが好ましい。   In the present invention, it is preferable that the migration prevention solution and the metal colloid solution are dried and sintered at room temperature after the migration prevention solution is applied and after the metal colloid prevention solution is applied. .

また、本発明においては、前記マイグレーション防止溶液を塗布した後、前記マイグレーション防止溶液の硬化処理を輻射線照射処理で行い、前記金属コロイド溶液を塗布した後、前記金属コロイド溶液の乾燥焼結処理を常温放置で行うことが好ましい。   In the present invention, after the migration preventing solution is applied, the curing treatment of the migration preventing solution is performed by radiation irradiation treatment, and after the metal colloid solution is applied, the metal colloid solution is dried and sintered. It is preferable to perform at room temperature.

また、本発明においては、前記マイグレーション防止溶液を塗布した後、前記マイグレーション防止溶液の硬化処理を輻射線照射処理で行い、前記金属コロイド溶液を塗布した後、前記金属コロイド溶液の乾燥焼結処理を100℃以下の加熱処理で行うことが好ましい。   In the present invention, after the migration preventing solution is applied, the curing treatment of the migration preventing solution is performed by radiation irradiation treatment, and after the metal colloid solution is applied, the metal colloid solution is dried and sintered. The heat treatment is preferably performed at 100 ° C. or lower.

また、本発明は、上記課題を解決するために、上記電子回路基板の製造方法を用いて作製される電子回路基板を提供する。   Moreover, in order to solve the said subject, this invention provides the electronic circuit board produced using the manufacturing method of the said electronic circuit board.

また、本発明は、上記課題を解決するために、上記電子回路基板の製造方法を用いて作製されるPDP用電磁波シールドフィルムを提供する。   Moreover, in order to solve the said subject, this invention provides the electromagnetic wave shielding film for PDP produced using the manufacturing method of the said electronic circuit board.

本発明の電子回路基板の製造方法は、基材上に受容層を設け、低温焼結により、導電性パターンを形成することができるため、多種多様な基板に対し、低コストで、導電性が高く、高品質な導電性パターンを形成することができる。   In the method of manufacturing an electronic circuit board according to the present invention, a receiving layer is provided on a base material, and a conductive pattern can be formed by low-temperature sintering. High and high quality conductive patterns can be formed.

以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の電子回路基板の製造方法を詳細に説明する。   Below, based on the preferred embodiment shown in an accompanying drawing, the manufacturing method of the electronic circuit board of the present invention is explained in detail.

図1は、本発明の電子回路基板の製造方法の一実施例を概念的に示す図である。   FIG. 1 is a diagram conceptually illustrating an embodiment of a method for manufacturing an electronic circuit board according to the present invention.

まず、基材10の表面上に受容層12を形成する。基材10、受容層12については、後で詳述する。
受容層12の形成方法としては、図1(a)に示すように、基材10の両面に受容層を形成する。なお、図1(a)では、基材10の両面に受容層12が設けられているが、これに限定されず、片面のみ塗布してもよい。受容層12の形成方法については、後でさらに詳細に説明する。
First, the receiving layer 12 is formed on the surface of the substrate 10. The base material 10 and the receiving layer 12 will be described in detail later.
As a method for forming the receiving layer 12, as shown in FIG. 1A, the receiving layer is formed on both surfaces of the substrate 10. In FIG. 1A, the receiving layers 12 are provided on both surfaces of the base material 10, but the present invention is not limited to this, and only one surface may be applied. A method for forming the receiving layer 12 will be described in more detail later.

次いで、図1(b)に示すように、受容層10および受容層10表面に、インクジェット方式により、マイグレーション防止溶液を反転導電性パターン状に吐出して塗布する。その結果、高温、高湿度下においても、所望の導電性パターン間に、耐マイグレーション性を得ることができる。
ここで、インクジェット方式により、マイグレーション防止溶液を塗布すれば、後工程においてもインクジェット方式により、金属コロイド溶液を塗布するので、2つの工程を同一装置内で行うことができる。従って、塗布装置の小型化をすることができ、フォトリソグラフィ法による電子回路基板の製造よりも、設備、工程を削減することができる。また、工程を削減することができることから、全体のプロセス時間を短縮することができるため、生産性の観点からも好ましい。
マイグレーション防止溶液は、塗布可能、即ち、インクジェット方式により吐出可能で、金属コロイド溶液を侵さず、塗布後、固形化することができ、かつ絶縁性を有するものであれば、特に限定されない。
Next, as shown in FIG. 1B, the migration preventing solution is ejected and applied in a reverse conductive pattern to the receiving layer 10 and the surface of the receiving layer 10 by an inkjet method. As a result, migration resistance can be obtained between desired conductive patterns even under high temperature and high humidity.
Here, if the migration preventing solution is applied by the ink jet method, the metal colloid solution is applied by the ink jet method also in the post-process, so the two steps can be performed in the same apparatus. Accordingly, it is possible to reduce the size of the coating apparatus, and to reduce facilities and processes as compared with the manufacture of an electronic circuit board by photolithography. Further, since the number of steps can be reduced, the entire process time can be shortened, which is preferable from the viewpoint of productivity.
The migration preventing solution is not particularly limited as long as it can be applied, that is, can be ejected by an ink jet method, does not attack the metal colloid solution, can be solidified after application, and has an insulating property.

従って、マイグレーション防止溶液として、絶縁性樹脂を溶媒に溶解した溶液を用いてもよく、また、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、樹脂微粒子分散液を用いてもよい。
なお、硬化処理の簡便さの点から、マイグレーション防止溶液として、少なくとも1個以上の官能基を有し、熱重合開始剤に熱を加えることで発生するイオンまたはラジカルによりイオン重合、ラジカル重合を行い、架橋構造を形成するモノマーやオリゴマーからなる熱硬化性樹脂や、光重合開始剤に光を照射することで発生するイオンまたはラジカルによりイオン重合、ラジカル重合を行い、架橋構造を形成するモノマーやオリゴマーからなる光硬化性樹脂を用いるのが好ましい。
また、上記絶縁性樹脂としては、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料があげられる。
Therefore, as the migration preventing solution, a solution obtained by dissolving an insulating resin in a solvent may be used, or a thermosetting resin, a photocurable resin, or a resin fine particle dispersion may be used.
From the viewpoint of simplicity of the curing process, the migration prevention solution has at least one functional group and performs ion polymerization or radical polymerization with ions or radicals generated by applying heat to the thermal polymerization initiator. , Monomers and oligomers that form a crosslinked structure by ion polymerization or radical polymerization using ions or radicals generated by irradiating light to the photopolymerization initiator. It is preferable to use a photocurable resin comprising
Examples of the insulating resin include polymer materials such as novolac resin, acrylic resin, polyimide resin, olefin resin, phenol resin, melamine resin, and epoxy resin.

また、マイグレーション防止溶液として、ポリシラン系化合物を用いたコーティングでも同様の効果を得ることができる。具体的には、ポリメチルフェニルシランを有機溶媒に溶解し、インクジェット方式により、受容層12に塗布含浸させた後、紫外線などのエネルギー線を照射してシラノール化し、シロキサン結合を形成してゲル化・硬化させ、受容層12の多孔を埋める。   Moreover, the same effect can be acquired also by the coating using a polysilane type compound as a migration prevention solution. Specifically, polymethylphenylsilane is dissolved in an organic solvent, and the receiving layer 12 is coated and impregnated by an ink jet method, and then irradiated with energy rays such as ultraviolet rays to form silanol, forming a siloxane bond and gelling. Curing and filling the porosity of the receiving layer 12

また、マイグレーション防止溶液として、分子内にフッ素原子を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー等の撥水性高分子化合物を溶媒に溶解した溶液を用いることもできる。撥水性高分子化合物としては、ポリ4フッ化エチレン(PTFE)、エチレン−4フッ化エチレン共重合体、6フッ化プロピレン−4フッ化エチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、長鎖パーフルオロアルキル構造を有するエチレン、アクリレート、メタクリレート、ビニル、ウレタン、シリコーン系ポリマーなどが例示される。   Further, as the migration preventing solution, a solution in which a water repellent polymer compound such as a monomer, oligomer, or polymer having a fluorine atom in the molecule is dissolved in a solvent can also be used. Examples of the water-repellent polymer compound include polytetrafluoroethylene (PTFE), ethylene-tetrafluoroethylene copolymer, hexafluoropropylene-tetrafluoroethylene copolymer, polyvinylidene fluoride, and long-chain perfluoroalkyl structure. Examples thereof include ethylene, acrylate, methacrylate, vinyl, urethane, and silicone-based polymer.

マイグレーション防止溶液としては、溶媒可溶型フッ素系樹脂は特に好ましく、その市販品としては、旭硝子(株)製サイトップ、(株)エヌアイマテリアル製INT−340VC等が挙げられ、それらは、インクジェット方式の吐出適性にあわせて希釈して用いることが望ましい。
また、マイグレーション防止溶液としては、溶媒可溶型シクロオレフィン系樹脂も好ましく、その市販品としては、JSR社製アートン,ポリプラスチックス社製TOPAS等が好ましく例示される。
また、マイグレーション防止溶液として、溶媒可溶型シリコン系樹脂も好ましく用いることができる。
なお、上記溶媒としては、シクロヘキサン等が例示される。
As the migration-preventing solution, a solvent-soluble fluororesin is particularly preferable, and commercially available products include Cytop from Asahi Glass Co., Ltd., and INT-340VC from NI Material Co., Ltd. It is desirable to dilute and use it according to the discharge suitability.
Further, as the migration preventing solution, a solvent-soluble cycloolefin resin is also preferable, and as a commercially available product, Arton manufactured by JSR, TOPAS manufactured by Polyplastics, etc. are preferably exemplified.
Further, a solvent-soluble silicone resin can also be preferably used as the migration preventing solution.
Examples of the solvent include cyclohexane and the like.

マイグレーション防止溶液を塗布する反転導電性パターンは、少なくとも、導電性パターンの境界からその外側に、隣接する導電性パターンとの間に絶縁性をもたらす範囲で形成されていることが好ましい。導電性パターンから必要最小限の領域のみを塗布するため、マイグレーション溶液を無駄に塗布する必要がないからである。
なお、通常、電子回路基板の導体幅/導体間隔幅(L/S)密集領域においては、導体幅(L)と導体間隔幅(S)の幅が等しいため、少なくとも、L幅分のみ塗布すれば、耐マイグレーション性を確保することができる。
上記マイグレーション防止溶液を受容層10および受容層10表面に塗布することにより、反転導電性パターン形状を有するマイグレーション防止処理部14aを形成することができる。
The reverse conductive pattern to which the migration preventing solution is applied is preferably formed at least from the boundary of the conductive pattern to the outside in a range that provides insulation between the conductive pattern and the adjacent conductive pattern. This is because only the minimum necessary area is applied from the conductive pattern, so that the migration solution need not be applied wastefully.
Normally, in the conductor width / conductor interval width (L / S) dense region of the electronic circuit board, the conductor width (L) and the conductor interval width (S) are equal to each other. Thus, migration resistance can be ensured.
By applying the migration preventing solution to the receiving layer 10 and the surface of the receiving layer 10, the migration preventing treatment part 14 a having a reverse conductive pattern shape can be formed.

ついで、マイグレーション防止処理部14aに対して、前記防止溶液の種類により必要に応じて、乾燥処理または硬化処理を行う。図1(c)におけるマイグレーション防止処理部14bは、乾燥処理または硬化処理後のものを示す。
乾燥処理および硬化処理としては、常温放置、加熱乾燥、UV露光等が挙げられる。なお、マイグレーション防止溶液がUV露光を必要としないものを使用する場合、特に何も処理を行わなくてもよい。受容層12がマイグレーション防止溶液を吸収するため、次工程の塗布に影響を与えないからである。
Next, a drying process or a curing process is performed on the migration prevention processing unit 14a as necessary depending on the type of the prevention solution. The migration prevention processing unit 14b in FIG. 1C shows the one after the drying process or the curing process.
Examples of the drying process and the curing process include standing at normal temperature, heat drying, UV exposure, and the like. In the case where a migration preventing solution that does not require UV exposure is used, no particular treatment is required. This is because the receiving layer 12 absorbs the migration preventing solution and thus does not affect the application in the next step.

また、マイグレーション防止溶液の硬化処理としては、上記硬化方法の中でも輻射線照射を用いるのが好ましい。硬化処理として輻射線照射を用いれば、即、マイグレーション防止溶液が金属コロイド溶液領域へにじむことなく硬化し、導電性パターンを形成する金属コロイド溶液との境界がさらに明瞭となるので、より高精細化を可能にすることができるからである。
また、マイグレーション防止溶液が光硬化性樹脂であり、輻射線(特に、UV)照射を用いるものの場合、インクジェット装置の溶液吐出ヘッドにUV照射光源を搭載することが好ましい。マイグレーション防止溶液を打滴すると同時にUV照射することが可能となるため、次工程の塗布に影響を与えないからである。
上記処理により形成されたマイグレーション防止処理部14bは、受容層12中における水分の抽出を防ぎ、マイグレーションの発生を防止する。
Moreover, it is preferable to use radiation irradiation among the said hardening methods as a hardening process of a migration prevention solution. If radiation irradiation is used as the curing process, the migration prevention solution will immediately cure without bleeding into the metal colloid solution region, and the boundary with the metal colloid solution that forms the conductive pattern will become clearer. This is because it can be made possible.
When the migration preventing solution is a photo-curable resin and uses radiation (especially UV) irradiation, it is preferable to mount a UV irradiation light source on the solution discharge head of the ink jet apparatus. This is because UV irradiation can be performed at the same time that the migration preventing solution is ejected, so that the application in the next step is not affected.
The migration prevention processing unit 14b formed by the above process prevents the extraction of moisture in the receiving layer 12 and prevents the occurrence of migration.

ついで、図1(d)に示すように、受容層12上に、導電性金属部16aを形成する。
導電性金属部16aの形成方法としては、特に限定はしないが、導電性パターンの画像データに基いて、金属コロイド溶液を前記インクジェット方式により吐出、描画して形成する。
前記インクジェット方式は、サーマル方式、ピエゾ方式、静電気型のいずれも使用可能であるが、その中でも、ピエゾ方式が好ましい。なお、サーマル式の場合、金属コロイド溶液は水性媒体を含むものを用いることが好ましい。また、静電気型の場合は、金属コロイド溶液の金属コロイド粒子を樹脂でコーティングして荷電付加する必要がある。
なお、導電性金属部16aについては、後に詳述する。
Next, as shown in FIG. 1 (d), a conductive metal portion 16 a is formed on the receiving layer 12.
A method for forming the conductive metal portion 16a is not particularly limited, but the metal colloid solution is formed by discharging and drawing by the ink jet method based on the image data of the conductive pattern.
As the inkjet method, any of a thermal method, a piezo method, and an electrostatic type can be used, and among them, the piezo method is preferable. In the case of the thermal type, it is preferable to use a metal colloid solution containing an aqueous medium. In the case of the electrostatic type, it is necessary to charge the metal colloid particles of the metal colloid solution by coating with a resin.
The conductive metal portion 16a will be described in detail later.

ついで、塗布された金属コロイド溶液(導電性金属部16a)に対し、必要に応じて乾燥焼結処理を行う。図1(e)におけるマイグレーション防止処理部14bは、金属コロイド溶液(導電性金属部16a)の乾燥焼結処理後のものを示す。
乾燥方法としては、特に限定はなく、金属コロイド溶液の組成により、常温放置乾燥、加熱乾燥、焼結乾燥等の乾燥方法をいずれか選択すればよい。
Next, the applied metal colloid solution (conductive metal portion 16a) is subjected to a dry sintering process as necessary. The migration prevention processing part 14b in FIG.1 (e) shows the thing after the dry sintering process of the metal colloid solution (conductive metal part 16a).
The drying method is not particularly limited, and any drying method such as drying at room temperature, drying by heating, and sintering drying may be selected depending on the composition of the metal colloid solution.

ここで、金属コロイド溶液の乾燥焼結処理を、100℃以下の加熱乾燥により行えば、配線(導電性)パターンの抵抗率をより低くすることができる。
また、マイグレーション防止溶液と金属コロイド溶液の乾燥処理を、いずれも常温放置乾燥および100℃以下の加熱乾燥により乾燥させれば、耐マイグレーション性を有するとともに、金属コロイド溶液を常温および100℃以下の低温焼結による乾燥で導電性を発現させることができる。即ち、耐マイグレーション性と低温処理プロセスを両立することができる。また、低温処理プロセスが可能となることで、低コストの基材を使用することができる。
Here, if the dry sintering treatment of the metal colloid solution is performed by heat drying at 100 ° C. or less, the resistivity of the wiring (conductive) pattern can be further reduced.
In addition, if both the migration preventing solution and the metal colloid solution are dried by standing at room temperature and drying by heating at 100 ° C. or less, the metal colloid solution has a low temperature of room temperature and 100 ° C. or less. Conductivity can be expressed by drying by sintering. That is, it is possible to achieve both migration resistance and a low-temperature treatment process. In addition, since a low-temperature treatment process is possible, a low-cost base material can be used.

乾燥方法の具体例としては、金属コロイド溶液の溶媒沸点が高い場合、溶媒乾燥に数時間を要するため、温風乾燥や伝熱乾燥といった方法で強制乾燥させればよい。前記強制乾燥としては、熱効率の点から、温風乾燥よりも、ホットプレートによる伝熱乾燥、若しくは恒温槽による乾燥が好ましい。また、強制乾燥の温度は、低抵抗化の点から、受容層付基材の耐熱温度以下で、できる限り高温で乾燥させることが好ましい。
以上の方法により、本発明による電子回路基板を製造することができる。
As a specific example of the drying method, when the metal colloid solution has a high solvent boiling point, it takes several hours to dry the solvent, and therefore, forced drying may be performed by a method such as warm air drying or heat transfer drying. As the forced drying, heat transfer drying using a hot plate or drying using a thermostatic bath is preferable to hot air drying from the viewpoint of thermal efficiency. Further, the forced drying temperature is preferably not higher than the heat resistance temperature of the base material with a receiving layer and is as high as possible from the viewpoint of reducing resistance.
By the above method, the electronic circuit board according to the present invention can be manufactured.

なお、必要に応じて、図1(f)に示すように、導電性金属部16bに酸化防止、電子部品実装等を目的にメッキ処理を施してメッキ被覆部18を形成してもよい。   In addition, as shown in FIG.1 (f), you may form the plating coating part 18 by performing a plating process for the purpose of oxidation prevention, electronic component mounting, etc. as shown in FIG.1 (f).

また、必要に応じて、図1(g)に示すように、導電性金属部16bに導電性パターンの保護、酸化防止、他金属部材との接触による短絡防止等を目的にソルダーレジスト20による処理を施してもよい。   If necessary, as shown in FIG. 1 (g), the conductive metal portion 16b is treated with a solder resist 20 for the purpose of protecting the conductive pattern, preventing oxidation, and preventing short circuit due to contact with other metal members. May be applied.

上記実施形態では、受容層付基材を利用したが、本発明はこれに限定されず、受容層がない基材を利用することもできる。   In the said embodiment, although the base material with a receiving layer was utilized, this invention is not limited to this, The base material without a receiving layer can also be utilized.

上記実施形態では、電子回路基板を作製したが、これに限定されず、透明性と電磁波シールド機能(導電性効果)が要求されるPDP用電磁波シールドフィルムを本発明の配線形成方法で作製することもできる。
なお、本発明により形成されるPDP用電磁波シールドフィルム(導電性金属部)の表面抵抗値は、10Ω/□以下であることが好ましく、さらに、PDP用の透光性電磁波シールド材料に利用する場合は、2.5Ω/□以下、PDPを用いた民生用プラズマテレビに利用する場合は、1.5Ω/□以下であることが好ましく、更に望ましくは、0.5Ω/□以下であることが好ましい。
In the above embodiment, an electronic circuit board is manufactured. However, the present invention is not limited to this, and an electromagnetic wave shielding film for PDP that requires transparency and an electromagnetic wave shielding function (conductive effect) is produced by the wiring forming method of the present invention. You can also.
In addition, it is preferable that the surface resistance value of the electromagnetic wave shielding film for PDP (conductive metal part) formed by the present invention is 10Ω / □ or less, and further, when used as a light-transmitting electromagnetic wave shielding material for PDP. Is 2.5Ω / □ or less, and preferably 1.5Ω / □ or less, more preferably 0.5Ω / □ or less when used for a consumer plasma television using a PDP. .

また、PDP用電磁波シールドフィルムに使用される場合、導電性金属部の線幅は20μm以下であることが好ましく、線間隔は50μm以上であることが好ましい。また、導電性金属部は、アース接続などの目的においては、その線幅が20μmより広い部分を有していてもよい。また画像を目立たせなくする観点からは、導電性金属部の線幅は15μm未満であることが好ましく、10μm未満であることがさらに好ましく、7μm未満であることが最も好ましい。   Moreover, when using for the electromagnetic wave shielding film for PDP, it is preferable that the line width of an electroconductive metal part is 20 micrometers or less, and it is preferable that a line space | interval is 50 micrometers or more. The conductive metal portion may have a portion whose line width is wider than 20 μm for the purpose of ground connection or the like. Further, from the viewpoint of making the image inconspicuous, the line width of the conductive metal portion is preferably less than 15 μm, more preferably less than 10 μm, and most preferably less than 7 μm.

また、PDP用電磁波シールドフィルムに使用される場合、導電性金属部は、可視光透過率の点から開口率は85%以上であることが好ましく、90%以上であることがさらに好ましく、95%以上であることが最も好ましい。また、「開口率」とは、メッシュをなす細線のない部分が全体に占める割合であり、例えば、線幅10μm、ピッチ200μmの正方形の格子状メッシュの開口率は、90%である。なお、本発明における金属銀部の開口率について特に上限の限定はないが、表面抵抗値および線幅値との関係から、上記開口率としては、98%以下であることが好ましい。   Moreover, when used for the electromagnetic wave shielding film for PDP, the conductive metal part preferably has an aperture ratio of 85% or more, more preferably 90% or more, and 95% from the viewpoint of visible light transmittance. The above is most preferable. Further, the “aperture ratio” is a ratio of a portion having no fine line forming the mesh to the whole. For example, the aperture ratio of a square lattice mesh having a line width of 10 μm and a pitch of 200 μm is 90%. In addition, although there is no restriction | limiting of an upper limit in particular regarding the aperture ratio of the metal silver part in this invention, As said aperture ratio, it is preferable that it is 98% or less from the relationship between a surface resistance value and a line width value.

また、PDP用電磁波シールドフィルムに使用される場合、導電性金属部の厚さは、ディスプレイの電磁波シールド材の用途としては、薄いほどディスプレイの視野角が広がるため好ましい。このような観点から、導電性金属部に担持された導電性金属からなる層の厚さは、9μm未満であることが好ましく、0.1μm以上5μm未満であることがより好ましく、0.1μm以上3μm未満であることがさらに好ましい。   Moreover, when using for the electromagnetic wave shielding film for PDP, since the viewing angle of a display spreads so that the thickness of an electroconductive metal part is a use as the electromagnetic wave shielding material of a display, it is preferable. From such a viewpoint, the thickness of the layer made of the conductive metal carried on the conductive metal part is preferably less than 9 μm, more preferably 0.1 μm or more and less than 5 μm, and more preferably 0.1 μm or more. More preferably, it is less than 3 μm.

ここで、本発明に用いる基材10、受容層12、導電性金属部16を形成する材料について、以下に詳述する。   Here, materials for forming the base material 10, the receiving layer 12, and the conductive metal portion 16 used in the present invention will be described in detail below.

本発明に用いる基材10については、特に限定は無いが、プラスチックフィルム、プラスチック板、およびガラス板などを用いることができ、プラスチックフィルムおよびプラスチック板の原料としては、例えば、ポリイミド(PI)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、およびポリエチレンナフタレート(PEN)などのポリエステル類;ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリスチレン、EVAなどのポリオレフィン類;ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂;その他、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリサルフォン(PSF)、ポリエーテルサルホン(PES)、ポリカーボネート(PC)、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース(TAC)などを用いることができる。
本発明におけるプラスチックフィルムおよびプラスチック板は、単層で用いることもできるが、2層以上を組み合わせた多層フィルムとして用いることも可能である。
また、アルミなどの金属基材の表面を絶縁処理したものを用いることもできる。
Although there is no limitation in particular about the base material 10 used for this invention, a plastic film, a plastic plate, a glass plate etc. can be used, As a raw material of a plastic film and a plastic plate, a polyimide (PI), polyethylene is mentioned, for example. Polyesters such as terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN); polyolefins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene and EVA; vinyl resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride; Uses polyetheretherketone (PEEK), polysulfone (PSF), polyethersulfone (PES), polycarbonate (PC), polyamide, polyimide, acrylic resin, triacetylcellulose (TAC), etc. Rukoto can.
The plastic film and plastic plate in the present invention can be used as a single layer, but can also be used as a multilayer film in which two or more layers are combined.
Moreover, what insulated the surface of metal base materials, such as aluminum, can also be used.

なお、PDP(プラズマディスプレイパネル)等ディスプレイ用の電磁波シールドフィルムに用いる場合は、透明性が要求されるため、基材の透明性はたかいことが望ましい。この場合におけるプラスチックフィルムまたはプラスチック板の全可視光透過率は70〜100%が好ましく、更に好ましくは、85〜100%であり、特に好ましくは、90〜100%である。また、前記プラスチックフィルムおよびプラスチック板として、要求される上記透明性を妨げない程度に着色したものを用いることができる。   In addition, when using for the electromagnetic wave shielding film for displays, such as PDP (plasma display panel), since transparency is requested | required, it is desirable that the transparency of a base material is high. In this case, the total visible light transmittance of the plastic film or plastic plate is preferably 70 to 100%, more preferably 85 to 100%, and particularly preferably 90 to 100%. Further, as the plastic film and the plastic plate, those colored so as not to interfere with the required transparency can be used.

本発明に用いる受容層12は、カチオン変性された自己乳化性高分子、無機微粒子、鹸化度92−98mol%のポリビニルアルコール、水溶性アルミニウム化合物、ジルコニウム化合物、架橋剤とを含む多孔質受容層である。   The receiving layer 12 used in the present invention is a porous receiving layer containing a cation-modified self-emulsifying polymer, inorganic fine particles, polyvinyl alcohol having a saponification degree of 92 to 98 mol%, a water-soluble aluminum compound, a zirconium compound, and a crosslinking agent. is there.

<カチオン変性された自己乳化性高分子>
本発明の受容層12は、「カチオン変性された自己乳化性高分子」を含む。この「カチオン変性された自己乳化性高分子」とは、乳化剤もしくは界面活性剤を用いることなく、或いは用いるとしてもごく少量の添加で、水系分散媒体中に自然に安定した乳化分散物となり得る高分子化合物を意味する。定量的には、上記「カチオン変性された自己乳化性高分子」とは、室温25℃で水系分散媒体に対して0.5質量%以上の濃度で安定して乳化分散性を有する高分子物質を表し、該濃度としては1質量%以上であることが好ましく、特に3質量%以上であることがより好ましい。
<Cation-modified self-emulsifying polymer>
The receiving layer 12 of the present invention contains “cation-modified self-emulsifying polymer”. This “cation-modified self-emulsifying polymer” means a highly stable emulsified dispersion that can be naturally stabilized in an aqueous dispersion medium without using an emulsifier or a surfactant, or even if used in a very small amount. Means a molecular compound. Quantitatively, the “cation-modified self-emulsifying polymer” means a polymer substance having stable emulsification and dispersion at a concentration of 0.5% by mass or more with respect to the aqueous dispersion medium at room temperature of 25 ° C. The concentration is preferably 1% by mass or more, and more preferably 3% by mass or more.

本発明の上記「カチオン変性された自己乳化性高分子」は、より具体的には、例えば、1〜3級アミノ基、4級アンモニウム基等のカチオン性の基を有する重付加系もしくは重縮合系高分子化合物が挙げられる。   More specifically, the “cation-modified self-emulsifying polymer” of the present invention is, for example, a polyaddition system or polycondensation having a cationic group such as a primary to tertiary amino group or a quaternary ammonium group. Based polymer compounds.

上記高分子として有効なビニル重合系ポリマーは、例えば、以下のビニルモノマーを重合して得られるポリマーが挙げられる。即ち、アクリル酸エステル類やメタクリル酸エステル類(エステル基は置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基であり、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、tert−オクチル基、2−クロロエチル基、シアノエチル基、2−アセトキシエチル基、テトラヒドロフルフリル基、5−ヒドロキシペンチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル基、3−メトキシブチル基、2−(2−メトキシエトキシ)エチル基、2,2,2−テトラフルオロエチル基、1H,1H,2H,2H−パーフルオロデシル基、フェニル基、2,4,5−テトラメチルフェニル基、4−クロロフェニル基等);   Examples of the vinyl polymer that is effective as the polymer include polymers obtained by polymerizing the following vinyl monomers. That is, acrylic acid esters and methacrylic acid esters (the ester group is an alkyl group or aryl group which may have a substituent, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n- Butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, tert-octyl group, 2-chloroethyl group, cyanoethyl group, 2-acetoxyethyl group, tetrahydrofurfuryl group, 5-hydroxypentyl group Cyclohexyl group, benzyl group, hydroxyethyl group, 3-methoxybutyl group, 2- (2-methoxyethoxy) ethyl group, 2,2,2-tetrafluoroethyl group, 1H, 1H, 2H, 2H-perfluorodecyl Group, phenyl group, 2,4,5-tetramethylphenyl group, 4-chlorophenyl group, etc.);

ビニルエステル類、具体的には、置換基を有していてもよい脂肪族カルボン酸ビニルエステル(例えば、ビニルアセテート、ビニルプロピオネート、ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルカプロエート、ビニルクロロアセテート等)、置換基を有していてもよい芳香族カルボン酸ビニルエステル(例えば、安息香酸ビニル、4−メチル安息香酸ビニル、サリチル酸ビニル等);   Vinyl esters, specifically, aliphatic carboxylic acid vinyl esters which may have a substituent (for example, vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl caproate, vinyl Chloroacetate, etc.), optionally substituted aromatic carboxylic acid vinyl ester (for example, vinyl benzoate, vinyl 4-methylbenzoate, vinyl salicylate, etc.);

アクリルアミド類、具体的には、アクリルアミド、N−モノ置換アクリルアミド、N−ジ置換アクリルアミド(置換基は置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、シリル基であり、例えば、メチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基、tert−オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、フェニル基、2,4,5−テトラメチルフェニル基、4−クロロフェニル基、トリメチルシリル等);   Acrylamides, specifically, acrylamide, N-monosubstituted acrylamide, N-disubstituted acrylamide (the substituent is an alkyl group, aryl group, silyl group which may have a substituent, such as a methyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, tert-butyl group, tert-octyl group, cyclohexyl group, benzyl group, hydroxymethyl group, alkoxymethyl group, phenyl group, 2,4,5-tetramethylphenyl group , 4-chlorophenyl group, trimethylsilyl, etc.);

メタクリルアミド類、具体的には、メタクリルアミド、N−モノ置換メタクリルアミド、N−ジ置換メタクリルアミド(置換基は置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、シリル基であり、例えば、メチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基、tert−オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、フェニル基、2,4,5−テトラメチルフェニル基、4−クロロフェニル基、トリメチルシリル等);   Methacrylamide, specifically, methacrylamide, N-monosubstituted methacrylamide, N-disubstituted methacrylamide (substituents are optionally substituted alkyl, aryl, silyl groups, for example , Methyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, tert-butyl group, tert-octyl group, cyclohexyl group, benzyl group, hydroxymethyl group, alkoxymethyl group, phenyl group, 2,4,5- Tetramethylphenyl group, 4-chlorophenyl group, trimethylsilyl, etc.);

オレフィン類(例えば、エチレン、プロピレン、1−ペンテン、塩化ビニル、塩化ビニリデン、イソプレン、クロロプレン、ブタジエン等)、スチレン類(例えば、スチレン、メチルスチレン、イソプロピルスチレン、メトキシスチレン、アセトキシスチレン、クロルスチレン等)、ビニルエーテル類(例えば、メチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、ヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル等);等が挙げられる。   Olefins (for example, ethylene, propylene, 1-pentene, vinyl chloride, vinylidene chloride, isoprene, chloroprene, butadiene, etc.), styrenes (for example, styrene, methylstyrene, isopropylstyrene, methoxystyrene, acetoxystyrene, chlorostyrene, etc.) Vinyl ethers (for example, methyl vinyl ether, butyl vinyl ether, hexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, etc.);

その他のビニルモノマーとして、クロトン酸エステル、イタコン酸エステル、マレイン酸ジエステル、フマル酸ジエステル、メチルビニルケトン、フェニルビニルケトン、メトキシエチルビニルケトン、N−ビニルオキサゾリドン、N−ビニルピロリドン、メチレンマロンニトリル、ジフェニル−2−アクリロイルオキシエチルホスフェート、ジフェニル−2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート、ジブチル−2−アクリロイルオキシエチルホスフェート、ジオクチル−2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート等が挙げられる。   Other vinyl monomers include crotonic acid ester, itaconic acid ester, maleic acid diester, fumaric acid diester, methyl vinyl ketone, phenyl vinyl ketone, methoxyethyl vinyl ketone, N-vinyl oxazolidone, N-vinyl pyrrolidone, methylene malon nitrile, diphenyl Examples include 2-acryloyloxyethyl phosphate, diphenyl-2-methacryloyloxyethyl phosphate, dibutyl-2-acryloyloxyethyl phosphate, dioctyl-2-methacryloyloxyethyl phosphate, and the like.

上記カチオン性基を有するモノマーとしては、例えば、ジアルキルアミノエチルメタクリレート、ジアルキルアミノエチルアクリレート等の3級アミノ基を有するモノマー等が挙げられる。   Examples of the monomer having a cationic group include monomers having a tertiary amino group such as dialkylaminoethyl methacrylate and dialkylaminoethyl acrylate.

カチオン変性された自己乳化性高分子に適用可能なポリウレタンとしては、例えば、以下に挙げるジオール化合物とジイソシアネート化合物とを種々組み合わせて、重付加反応により合成されたポリウレタンが挙げられる。
上記ジオール化合物の具体例としては、エチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,3−プロパンジオール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、2,2−ジメチルー1,3−プロパンジオール、1,2−ペンタンジオール、1,4−ペンタンジオール、1,5−ペンタンジオール、2,4−ペンタンジオール、3,3−ジメチルー1,2−ブタンジオール、2−エチル−2−メチルー1,3−プロパンジオール、1,2−ヘキサンジオール、1,5−ヘキサンジオール、1,6−ヘキサンジオール、2,5−ヘキサンジオール、2−メチルー2,4−ペンタンジオール、2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオール、2,4−ジメチル−2,4−ペンタンジオール、1,7−ヘプタンジオール、2−メチル−2−プロピル−1,3−プロパンジオール、2,5−ジメチル−2,5−ヘキサンジオール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、1,2−オクタンジオール、1,8−オクタンジオール、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオール、1,4−シクロヘキサンジメタノール、ハイドロキノン、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール(平均分子量=200,300,400,600,1000,1500,4000)、ポリプロピレングリコール(平均分子量=200,400,1000)、ポリエステルポリオール、4,4'―ジヒドロキシ−ジフェニル−2,2−プロパン、4,4'―ジヒドロキシフェニルスルホン等が挙げられる。
Examples of the polyurethane applicable to the cationically modified self-emulsifying polymer include, for example, polyurethanes synthesized by polyaddition reaction using various combinations of the following diol compounds and diisocyanate compounds.
Specific examples of the diol compound include ethylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,2-butanediol, 1,3-butanediol, 2,3-butanediol, 2,2 -Dimethyl-1,3-propanediol, 1,2-pentanediol, 1,4-pentanediol, 1,5-pentanediol, 2,4-pentanediol, 3,3-dimethyl-1,2-butanediol, 2 -Ethyl-2-methyl-1,3-propanediol, 1,2-hexanediol, 1,5-hexanediol, 1,6-hexanediol, 2,5-hexanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol 2,2-diethyl-1,3-propanediol, 2,4-dimethyl-2,4-pentanediol, 1,7-heptane All, 2-methyl-2-propyl-1,3-propanediol, 2,5-dimethyl-2,5-hexanediol, 2-ethyl-1,3-hexanediol, 1,2-octanediol, 1, 8-octanediol, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol, 1,4-cyclohexanedimethanol, hydroquinone, diethylene glycol, triethylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, polyethylene glycol (average molecular weight = 200,300,400,600,1000,1500,4000), polypropylene glycol (average molecular weight = 200,400,1000), polyester polyol, 4,4′-dihydroxy-diphenyl-2,2-propane, 4,4 ′ -Dihydroxyphenyls Luhon etc. are mentioned.

上記ジイソシアネート化合物としては、メチレンジイソシアネート、エチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート,1,4−シクロヘキサンジイソシアネート、2,4−トルエンジイソシアネート、2,6−トルエンジイソシアネート、1,3−キシリレンジイソシアネート、1,5−ナフタレンジイソシアネート,m−フェニレンジイソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、3,3'−ジメチル−4,4'−ジフェニルメタンジイソシアネート、3,3'−ジメチルビフェニレンジイソシアネート、4,4'−ビフェニレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、メチレンビス(4−シクロヘキシルイソシアネート)等が挙げられる。   Examples of the diisocyanate compound include methylene diisocyanate, ethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 1,4-cyclohexane diisocyanate, 2,4-toluene diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1, 5-naphthalene diisocyanate, m-phenylene diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 3,3′-dimethyl-4,4′-diphenylmethane diisocyanate, 3,3′-dimethylbiphenylene diisocyanate, 4,4′-biphenylene diisocyanate, dicyclohexylmethane diisocyanate , Methylenebis (4-cyclohexylisocyanate) and the like.

カチオン性基を有すポリウレタンが含有するカチオン性基としては、1級〜3級アミン、4級アンモニウム塩の如きカチオン性基が挙げられる。本発明に用いられるカチオン変性された自己乳化性高分子としては、3級アミン及び4級アンモニウム塩の如きカチオン性基を有するウレタン樹脂が好ましい。
カチオン性基含有ポリウレタンは、例えば、ポリウレタンの合成の際、前記のごときジオールにカチオン性基を導入したものを使用することによって得られる。また4級アンモニウム塩の場合は、三級アミノ基を含有するポリウレタンを四級化剤で四級化してもよい。
Examples of the cationic group contained in the polyurethane having a cationic group include cationic groups such as primary to tertiary amines and quaternary ammonium salts. The cationically modified self-emulsifying polymer used in the present invention is preferably a urethane resin having a cationic group such as a tertiary amine and a quaternary ammonium salt.
The cationic group-containing polyurethane can be obtained, for example, by using a product obtained by introducing a cationic group into a diol as described above during the synthesis of polyurethane. In the case of a quaternary ammonium salt, a polyurethane containing a tertiary amino group may be quaternized with a quaternizing agent.

上記ポリウレタンの合成に使用可能なジオール化合物、ジイソシアネート化合物は、各々1種を単独で使用してもよいし、種々の目的(例えば、ポリマーのガラス転移温度(Tg)の調整や溶解性の向上、金属コロイド溶液との相溶性付与、分散物の安定性改善等)に応じて、各々2種以上を任意の割合で使用することもできる。   The diol compound and diisocyanate compound that can be used for the synthesis of the polyurethane may be used alone or in various ways (for example, adjustment of the glass transition temperature (Tg) of the polymer and improvement of solubility, Depending on the compatibility with the colloidal metal solution, the improvement of the stability of the dispersion, etc., two or more of them can be used in an arbitrary ratio.

さらに、カチオン変性された自己乳化性高分子に適用可能なポリエステルとしては、例えば、以下に挙げるジオール化合物と、ジカルボン酸化合物とを種々組み合わせて、重縮合反応により合成されたポリエステルが挙げられる。
上記ジカルボン酸化合物としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、ジメチルマロン酸、アジピン酸、ピメリン酸、α,α−ジメチルコハク酸、アセトンジカルボン酸、セバシン酸、1,9−ノナンジカルボン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、2−ブチルテレフタル酸、テトラクロロテレフタル酸、アセチレンジカルボン酸、ポリ(エチレンテレフタレート)ジカルボン酸、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸、ω−ポリ(エチレンオキシド)ジカルボン酸、p−キシリレンジカルボン酸等が挙げられる。
Furthermore, examples of the polyester applicable to the cation-modified self-emulsifying polymer include polyesters synthesized by polycondensation reaction using various combinations of the following diol compounds and dicarboxylic acid compounds.
Examples of the dicarboxylic acid compound include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, dimethylmalonic acid, adipic acid, pimelic acid, α, α-dimethylsuccinic acid, acetone dicarboxylic acid, sebacic acid, 1,9-nonanedicarboxylic acid. Acid, fumaric acid, maleic acid, itaconic acid, citraconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 2-butyl terephthalic acid, tetrachloroterephthalic acid, acetylenedicarboxylic acid, poly (ethylene terephthalate) dicarboxylic acid, 1,2- Examples include cyclohexanedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, ω-poly (ethylene oxide) dicarboxylic acid, and p-xylylene dicarboxylic acid.

上記ジカルボン酸化合物は、ジオール化合物と重縮合反応を行う際には、ジカルボン酸のアルキルエステル(例えば、ジメチルエステル)およびジカルボン酸の酸塩化物の形態で用いてもよいし、無水マレイン酸、無水コハク酸及び無水フタル酸のように酸無水物の形態で用いてもよい。   When performing the polycondensation reaction with the diol compound, the dicarboxylic acid compound may be used in the form of an alkyl ester of dicarboxylic acid (for example, dimethyl ester) and an acid chloride of dicarboxylic acid, or may be maleic anhydride, anhydrous You may use in the form of an acid anhydride like succinic acid and phthalic anhydride.

上記ジオール化合物としては、上記ポリウレタンにおいて例示したジオール類と同様の化合物を用いることができる。   As the diol compound, the same compounds as the diols exemplified in the polyurethane can be used.

カチオン性基を有するポリエステルは、一級、二級、三級アミン、四級アンモニウム塩の如きカチオン性基を有するジカルボン酸化合物を用いて合成することにより得られる。   The polyester having a cationic group can be obtained by synthesis using a dicarboxylic acid compound having a cationic group such as a primary, secondary, tertiary amine or quaternary ammonium salt.

上記ポリエステルの合成に使用されるジオール化合物、ジカルボン酸類、およびヒドロキシカルボン酸エステル化合物は、各々1種を単独で用いてもよいし、種々の目的(例えば、ポリマーのガラス転移温度(Tg)の調整や溶解性の向上、金属コロイド溶液との相溶性、分散物の安定性)に応じて、各々2種以上を任意の割合で混合して用いることもできる。   The diol compounds, dicarboxylic acids, and hydroxycarboxylic ester compounds used in the synthesis of the polyester may be used alone or for various purposes (for example, adjustment of the glass transition temperature (Tg) of the polymer). Or two or more of them can be used in admixture at any ratio depending on the solubility of the metal colloidal solution and the stability of the dispersion.

カチオン変性された自己乳化性高分子におけるカチオン性基の含有量は、0.1〜5mmol/gが好ましく、0.2〜3mmol/gがより好ましい。なお、上記カチオン性基の含量が少な過ぎると、ポリマーの分散安定性が小さくなり、多過ぎると、バインダーとの相溶性が低下してくる。   The content of the cationic group in the cation-modified self-emulsifying polymer is preferably 0.1 to 5 mmol / g, and more preferably 0.2 to 3 mmol / g. In addition, when there is too little content of the said cationic group, the dispersion stability of a polymer will become small, and when too large, compatibility with a binder will fall.

前記のカチオン変性された自己乳化性高分子としては、3級アミノ基或いは4級アンモニウム塩基の様なカチオン性基を有するポリマーが好ましく、特に前記のごときカチオン性基を有するウレタン樹脂(ポリウレタン)が最も好ましい。   As the cation-modified self-emulsifying polymer, a polymer having a cationic group such as a tertiary amino group or a quaternary ammonium base is preferable, and in particular, a urethane resin (polyurethane) having a cationic group as described above. Most preferred.

上記自己乳化性高分子を受容層12に用いる場合、特に重要なのはそのガラス転移温度である。インクジェット方式により導電性パターンを形成した後の、導電性パターンの経時にじみを長期に亙り抑制するためには、上記自己乳化性高分子のガラス転移温度が50℃未満のものが好ましい。さらに、該自己乳化性高分子のガラス転移温度が30℃以下のものがより好ましく、特にガラス転移温度が15℃以下のものが最も好ましい。該ガラス転移温度が50℃以上であると、寸度安定性(カール)が悪化することがある。なお、該ガラス転移温度の下限には特に制限はないが、通常の用途では−30℃程度であり、これより低いと水分散物を調製する際の製造適性が低下する場合がある。   When the self-emulsifying polymer is used for the receiving layer 12, the glass transition temperature is particularly important. In order to suppress the bleeding of the conductive pattern over time after the conductive pattern is formed by the inkjet method, it is preferable that the self-emulsifiable polymer has a glass transition temperature of less than 50 ° C. Further, the self-emulsifiable polymer having a glass transition temperature of 30 ° C. or lower is more preferable, and a glass transition temperature of 15 ° C. or lower is most preferable. When the glass transition temperature is 50 ° C. or higher, dimensional stability (curl) may be deteriorated. In addition, although there is no restriction | limiting in particular in the minimum of this glass transition temperature, in normal use, it is about -30 degreeC, and if lower than this, the manufacturability at the time of preparing an aqueous dispersion may fall.

上記自己乳化性高分子の質量平均分子量(Mw)としては、通常1000〜200000が好ましく、2000〜50000がより好ましい。該分子量が1000未満であると、安定な水分散物となり得るのが難しくなる傾向があり、また該分子量が200000を超えると、溶解性が悪くなり液粘度が増加し、水分散物の平均粒子径を小さくする、特に0.05μm以下に制御することが難しくなる傾向がある。   The mass average molecular weight (Mw) of the self-emulsifying polymer is usually preferably 1000 to 200000, more preferably 2000 to 50000. If the molecular weight is less than 1000, it tends to be difficult to obtain a stable aqueous dispersion. If the molecular weight exceeds 200000, the solubility becomes poor and the liquid viscosity increases, and the average particle size of the aqueous dispersion increases. There is a tendency that it is difficult to control the diameter, in particular, to 0.05 μm or less.

本発明の受容層12において、上記自己乳化性高分子の含有量としては、受容層12を構成する全固形分の0.1〜30質量%が好ましく、0.3〜20質量%がより好ましく、特に0.5〜15質量%が最も好ましくい。該含有量が0.1質量%未満であると、経時にじみの改善効果が不十分となる傾向があり、一方、該含有量が30質量%を超えると、無機微粒子及びポリビニルアルコール等のバインダー成分の割合が少なくなり、受容層12へのインク(金属コロイド溶液)の溶媒吸収性が低下する傾向がある。   In the receiving layer 12 of the present invention, the content of the self-emulsifying polymer is preferably from 0.1 to 30% by mass, more preferably from 0.3 to 20% by mass, based on the total solids constituting the receiving layer 12. In particular, 0.5 to 15% by mass is most preferable. When the content is less than 0.1% by mass, the effect of improving bleeding over time tends to be insufficient. On the other hand, when the content exceeds 30% by mass, binder components such as inorganic fine particles and polyvinyl alcohol are used. , The solvent absorbability of the ink (metal colloid solution) into the receiving layer 12 tends to decrease.

次に、上記自己乳化性高分子の水分散物の調整方法につき説明する。
上記の自己乳化性高分子を水系溶媒と混合して、必要に応じて添加剤を混合し、該混合液を分散機を用いて細粒化することで、平均粒子径0.05μm以下の水分散液を得ることができる。該水分散液を得るために用いる分散機としては、高速回転分散機、媒体撹拌型分散機(ボールミル、サンドミル、ビーズミルなど)、超音波分散機、コロイドミル分散機、高圧分散機等従来公知の各種の分散機を使用することができるが、形成されるダマ状微粒子の分散を効率的に行うという観点から、媒体撹拌型分散機、コロイドミル分散機又は高圧分散機が好ましい。
Next, a method for preparing an aqueous dispersion of the self-emulsifiable polymer will be described.
The above self-emulsifiable polymer is mixed with an aqueous solvent, an additive is mixed as necessary, and the mixture is finely granulated using a disperser, whereby water having an average particle size of 0.05 μm or less is mixed. A dispersion can be obtained. Dispersers used for obtaining the aqueous dispersion include conventionally known high-speed rotary dispersers, medium stirring dispersers (ball mill, sand mill, bead mill, etc.), ultrasonic dispersers, colloid mill dispersers, high pressure dispersers, and the like. Various dispersers can be used. From the viewpoint of efficiently dispersing the formed fine particles, a medium stirring type disperser, a colloid mill disperser, or a high pressure disperser is preferable.

高圧分散機(ホモジナイザー)は、米国特許第4533254号明細書、特開平6−47264号公報等に詳細な機構が記載されているが、市販の装置としては、ゴーリンホモジナイザー(A.P.V GAULIN INC.)、マイクロフルイダイザー(MICROFLUIDEX INC.)、アルティマイザー(株式会社スギノマシン)等が使用できる。また、近年になって、米国特許第5720551号明細書に記載されているような、超高圧ジェット流内で微粒子化する機構を備えた高圧ホモジナイザーは、本発明の乳化分散に特に有効である。この超高圧ジェット流を用いた乳化装置の例として、DeBEE2000(BEE INTERNATIONAL LTD.)が挙げられる。   The high-pressure disperser (homogenizer) is described in detail in US Pat. No. 4,533,254, JP-A-6-47264, etc., but as a commercially available apparatus, a Gorin homogenizer (APV GAULIN) is used. INC.), A microfluidizer (MICROFLUIDEX INC.), An optimizer (Sugino Machine Co., Ltd.) and the like can be used. In recent years, a high-pressure homogenizer having a mechanism for atomizing in an ultrahigh-pressure jet stream as described in US Pat. No. 5,720,551 is particularly effective for emulsification dispersion of the present invention. DeBEE2000 (BEE INTERNIONAL LTD.) Is an example of an emulsifying apparatus using this ultra-high pressure jet stream.

上記の分散工程における水系溶媒として水、有機溶媒、又はこれらの混合溶媒を用いることができる。この分散に用いることができる有機溶媒としては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、メトキシプロパノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、酢酸エチル、トルエン等が挙げられる。   Water, an organic solvent, or a mixed solvent thereof can be used as the aqueous solvent in the dispersion step. Examples of the organic solvent that can be used for the dispersion include alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, and methoxypropanol, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, acetonitrile, ethyl acetate, and toluene. It is done.

本発明の上記自己乳化性高分子は、それ自身で自然に安定した乳化分散物となり得るが、該乳化分散をより速やかにもしくはより安定化する為に、少量の分散化剤(界面活性剤)を用いてもよい。この様な目的に用いる界面活性剤としては、例えば、脂肪酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、ジアルキルスルホコハク酸塩、アルキルリン酸エステル塩、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル塩等のアニオン系界面活性剤や、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、グリセリン脂肪酸エステル、オキシエチレンオキシプロピレンブロックコポリマー等のノニオン系界面活性剤が好ましい。また、アセチレン系ポリオキシエチレンオキシド界面活性剤であるSURFYNOLS(AirProducts&Chemicals社)も好ましく用いられる。また、N,N−ジメチル−N−アルキルアミンオキシドのようなアミンオキシド型の両性界面活性剤等も好ましい。さらに、特開昭59−157,636号の第(37)〜(38)頁、リサーチ・ディスクロージャーNo.308119(1989年)記載の界面活性剤として挙げたものも使用することができる。   The self-emulsifiable polymer of the present invention can be a naturally stable emulsion dispersion itself, but a small amount of a dispersing agent (surfactant) in order to make the emulsion dispersion more quickly or more stable. May be used. Surfactants used for such purposes include, for example, fatty acid salts, alkyl sulfate esters, alkylbenzene sulfonates, alkyl naphthalene sulfonates, dialkyl sulfosuccinates, alkyl phosphate esters, naphthalene sulfonate formalin condensates. , Anionic surfactants such as polyoxyethylene alkyl sulfates, polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene fatty acid esters, sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene Nonionic surfactants such as alkylamines, glycerin fatty acid esters and oxyethyleneoxypropylene block copolymers are preferred. Further, SURFYNOLS (Air Products & Chemicals), which is an acetylene-based polyoxyethylene oxide surfactant, is also preferably used. An amine oxide type amphoteric surfactant such as N, N-dimethyl-N-alkylamine oxide is also preferred. Further, JP-A-59-157,636, pages (37) to (38), Research Disclosure No. Those listed as surfactants described in 308119 (1989) can also be used.

乳化直後の安定化を図る目的で、前記界面活性剤と併用して水溶性ポリマーを添加することもできる。水溶性ポリマーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミドやこれらの共重合体が好ましく用いられる。また多糖類、カゼイン、ゼラチン等の天然水溶性ポリマーを用いるのも好ましい。   In order to stabilize immediately after emulsification, a water-soluble polymer can be added in combination with the surfactant. As the water-soluble polymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, polyethylene oxide, polyacrylic acid, polyacrylamide or a copolymer thereof is preferably used. It is also preferable to use natural water-soluble polymers such as polysaccharides, casein, and gelatin.

上記乳化分散法により、上記自己乳化性高分子を水系媒体に分散させる場合、特に重要なのはその粒子サイズのコントロールである。インクジェットにより、導電性パターンを形成した際の、金属コロイド純度や金属コロイド濃度を高める為には、上記水分散物における自己乳化性高分子の平均粒子径を小さくすることを要する。具体的には、本発明の受容層12には、上記自己乳化性高分子の体積平均粒子径は、0.05μm以下であることが好ましく、該平均粒子径は0.04μm以下がさらに好ましく、0.03μm以下がより好ましい。   When the self-emulsifying polymer is dispersed in an aqueous medium by the emulsification dispersion method, it is particularly important to control the particle size. In order to increase the metal colloid purity and metal colloid concentration when the conductive pattern is formed by inkjet, it is necessary to reduce the average particle size of the self-emulsifiable polymer in the aqueous dispersion. Specifically, in the receiving layer 12 of the present invention, the volume average particle size of the self-emulsifying polymer is preferably 0.05 μm or less, and the average particle size is more preferably 0.04 μm or less. 0.03 μm or less is more preferable.

<無機微粒子>
本発明に係る受容層12は、無機微粒子を含有する。
上記無機微粒子としては、例えば、シリカ微粒子、コロイダルシリカ、二酸化チタン、硫酸バリウム、珪酸カルシウム、ゼオライト、カオリナイト、ハロイサイト、雲母、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、硫酸カルシウム、ベーマイト、擬ベーマイト等を挙げることができる。中でも、シリカ微粒子が好ましい。
<Inorganic fine particles>
The receiving layer 12 according to the present invention contains inorganic fine particles.
Examples of the inorganic fine particles include silica fine particles, colloidal silica, titanium dioxide, barium sulfate, calcium silicate, zeolite, kaolinite, halloysite, mica, talc, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium sulfate, boehmite, pseudoboehmite and the like. be able to. Among these, silica fine particles are preferable.

上記シリカ微粒子は、比表面積が特に大きいので、インク(金属コロイド溶液)の溶媒吸収性及び保持の効率が高く、また屈折率が低いので、適切な微小粒子径まで分散を行えば受容層12に透明性を付与できるという利点がある。この様に受容層12が透明であるということは、PDP用電磁波シールドフィルム等、透明性が必要とされる場合、重要である。   Since the silica fine particles have a particularly large specific surface area, the solvent absorbability and retention efficiency of the ink (metal colloid solution) is high, and the refractive index is low. There is an advantage that transparency can be imparted. That the receiving layer 12 is transparent in this way is important when transparency is required, such as an electromagnetic wave shielding film for PDP.

無機微粒子の平均一次粒子径としては、20nm以下が好ましく、15nm以下がより好ましく、特に10nm以下が好ましい。該平均一次粒子径が20nm以下であると、インク(金属コロイド溶液)の溶媒吸収特性を効果的に向上させることができ、また同時に受容層12表面の平滑性をも高めることができる。
また、無機微粒子のBET法による比表面積は200m2/g以上が好ましく、250m2/g以上がさらに好ましく、380m2/g以上が特に好ましい。無機微粒子の比表面積が200以上m2/gであると、受容層12の透明性を高く保つことが可能である。
The average primary particle size of the inorganic fine particles is preferably 20 nm or less, more preferably 15 nm or less, and particularly preferably 10 nm or less. When the average primary particle diameter is 20 nm or less, the solvent absorption characteristics of the ink (metal colloid solution) can be effectively improved, and at the same time, the smoothness of the surface of the receiving layer 12 can be improved.
The specific surface area by BET method of the inorganic fine particles 200 meters 2 / g or more is preferable, 250 meters 2 / g or more and more preferably, 380 m 2 / g or more is particularly preferable. When the specific surface area of the inorganic fine particles is 200 or more m 2 / g, the transparency of the receiving layer 12 can be kept high.

本発明で云うBET法とは、気相吸着法による粉体の表面積測定法の一つであり、吸着等温線から1gの試料の持つ総表面積、即ち比表面積を求める方法である。通常吸着気体としては、窒素ガスが多く用いられ、吸着量を被吸着気体の圧、または容積の変化から測定する方法が最も多く用いられている。多分子吸着の等温線を表すのに最も著名なものは、Brunauer、Emmett、Tellerの式であってBET式と呼ばれ表面積決定に広く用いられている。BET式に基づいて吸着量を求め、吸着分子1個が表面で占める面積を掛けて、表面積が得られる。   The BET method referred to in the present invention is one of powder surface area measurement methods by vapor phase adsorption, and is a method for determining the total surface area, that is, the specific surface area of a 1 g sample from the adsorption isotherm. Usually, nitrogen gas is often used as the adsorbed gas, and the method of measuring the adsorption amount from the change in pressure or volume of the gas to be adsorbed is most often used. The most prominent expression for expressing the isotherm of multimolecular adsorption is the Brunauer, Emmett, and Teller equation, called the BET equation, which is widely used for determining the surface area. The adsorption amount is obtained based on the BET equation, and the surface area is obtained by multiplying the area occupied by one adsorbed molecule on the surface.

特にシリカ微粒子は、その表面にシラノール基を有し、該シラノール基の水素結合により粒子同士が付着し易いため、また該シラノール基と水溶性樹脂を介した粒子同士の付着効果のため、上記の様に平均一次粒子径が20nm以下の場合には受容層12の空隙率が大きく、透明性の高い構造を形成することができ、インク(金属コロイド溶液)の溶媒吸収特性を効果的に向上させることができる。   In particular, the silica fine particle has a silanol group on the surface thereof, and the particles are likely to adhere to each other due to the hydrogen bond of the silanol group, and because of the adhesion effect between the particles via the silanol group and the water-soluble resin, When the average primary particle diameter is 20 nm or less, the porosity of the receiving layer 12 is large and a highly transparent structure can be formed, effectively improving the solvent absorption characteristics of the ink (metal colloid solution). be able to.

一般にシリカ微粒子は、通常その製造法により湿式法粒子と乾式法(気相法)粒子とに大別される。上記湿式法では、ケイ酸塩の酸分解により活性シリカを生成し、これを適度に重合させ凝集沈降させて含水シリカを得る方法が主流である。一方、気相法は、ハロゲン化珪素の高温気相加水分解による方法(火炎加水分解法)、ケイ砂とコークスとを電気炉中でアークによって加熱還元気化し、これを空気で酸化する方法(アーク法)によって無水シリカを得る方法が主流であり、上記「気相法シリカ」とは、当該気相法によって得られた無水シリカ微粒子を指す。   Generally, silica fine particles are roughly classified into wet method particles and dry method (gas phase method) particles depending on the production method. In the above wet method, a method is mainly used in which activated silica is produced by acid decomposition of a silicate, and this is appropriately polymerized and agglomerated and precipitated to obtain hydrous silica. On the other hand, the gas phase method is a method by high-temperature gas phase hydrolysis of silicon halide (flame hydrolysis method), a method in which silica sand and coke are heated and reduced by an arc in an electric furnace and oxidized with air. The method of obtaining anhydrous silica by the (arc method) is the mainstream, and the “gas phase method silica” refers to anhydrous silica fine particles obtained by the gas phase method.

気相法シリカは、上記含水シリカと表面のシラノール基の密度、空孔の有無等に相違があり、異なった性質を示すが、空隙率が高い三次元構造を形成するのに適している。この理由は明らかではないが、含水シリカの場合には、微粒子表面におけるシラノール基の密度が5〜8個/nm2と多く、シリカ微粒子が密に凝集(アグリゲート)し易く、一方、気相法シリカの場合には、微粒子表面におけるシラノール基の密度が2〜3個/nm2と少ないことから疎な軟凝集(フロキュレート)となり、その結果、空隙率が高い構造になるものと推定される。
本発明においては、上記乾式法で得られる気相法シリカ微粒子(無水シリカ)が好ましく、さらに微粒子表面におけるシラノール基の密度が2〜3個/nm2であるシリカ微粒子が好ましい。
本発明に最も好ましく用いられる無機微粒子は、BET法による比表面積が200m2/g以上の気相法シリカである。
Vapor phase method silica is different from the above hydrous silica in the density of silanol groups on the surface, the presence or absence of vacancies, etc., and shows different properties, but is suitable for forming a three-dimensional structure with high porosity. The reason for this is not clear, but in the case of hydrous silica, the density of silanol groups on the surface of the fine particles is as high as 5 to 8 / nm 2, and the silica fine particles tend to agglomerate closely (aggregate). In the case of the method silica, the density of silanol groups on the surface of the fine particles is as small as 2 to 3 / nm 2 , so that it becomes sparse soft agglomeration (flocculate), and as a result, it is estimated that the structure has a high porosity. The
In the present invention, vapor phase silica fine particles (anhydrous silica) obtained by the dry method are preferable, and silica fine particles having a density of 2 to 3 silanol groups / nm 2 on the surface of the fine particles are more preferable.
The inorganic fine particles most preferably used in the present invention are vapor phase silica having a specific surface area of 200 m 2 / g or more by the BET method.

<ポリビニルアルコール>
本発明に用いられるポリビニルアルコールは、鹸化度が92〜98mol%のものである(以下「本発明のポリビニルアルコール」と称することがある。)。ポリビニルアルコールの鹸化度が92mol%より低いと、塗布液(受容層材料を含む機能液)の粘度が高く塗布の安定性が低下する。一方、98mol%を超えると、インク(金属コロイド溶液)の溶媒吸収性が低下し好ましくない。より好ましくは、93〜97mol%である。
本発明のポリビニルアルコールの重合度は、1500〜3600が好ましく、より好ましくは、2000〜3500である。重合度が1500より小さいと受容層12のひび割れが起こる。4000より大きいと塗布液(受容層材料を含む機能液)の粘度が高く好ましくない。
<Polyvinyl alcohol>
The polyvinyl alcohol used in the present invention has a saponification degree of 92 to 98 mol% (hereinafter sometimes referred to as “polyvinyl alcohol of the present invention”). When the saponification degree of polyvinyl alcohol is lower than 92 mol%, the viscosity of the coating liquid (functional liquid containing the receiving layer material) is high and the coating stability is lowered. On the other hand, if it exceeds 98 mol%, the solvent absorbability of the ink (metal colloid solution) is lowered, which is not preferable. More preferably, it is 93-97 mol%.
1500-3600 are preferable and, as for the polymerization degree of the polyvinyl alcohol of this invention, More preferably, it is 2000-3500. If the degree of polymerization is less than 1500, the receiving layer 12 cracks. If it is larger than 4000, the viscosity of the coating liquid (functional liquid containing the receiving layer material) is not preferable.

本発明においては、本発明のポリビニルアルコール以外の水溶性樹脂を該ポリビニルアルコールと併用することもできる。併用可能な水溶性樹脂としては、例えば、親水性構造単位としてヒドロキシル基を有する樹脂である、鹸化度が上記範囲以外のポリビニルアルコール(PVA)、カチオン変性ポリビニルアルコール、アニオン変性ポリビニルアルコール、シラノール変性ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、セルロース系樹脂〔メチルセルロース(MC)、エチルセルロース(EC)、ヒドロキシエチルセルロース(HEC)、カルボキシメチルセルロース(CMC)、ヒドロキシプロピルセルロース(HPC)等〕、キチン類、キトサン類、デンプン;親水性のエーテル結合を有する樹脂である、ポリエチレンオキサイド(PEO)、ポリプロピレンオキサイド(PPO)、ポリエチレングリコール(PEG)、ポリビニルエーテル(PVE);親水性のアミド基又はアミド結合を有する樹脂である、ポリアクリルアミド(PAAM)、ポリビニルピロリドン(PVP)等が挙げられる。また、解離性基としてカルボキシル基を有する、ポリアクリル酸塩、マレイン酸樹脂、アルギン酸塩、ゼラチン類等を挙げることもできる。
本発明のポリビニルアルコールと上述した水溶性樹脂とを併用する場合の本発明のポリビニルアルコールと上記水溶性樹脂との合計量に対する本発明のポリビニルアルコールの割合は1〜30質量%が好ましく、3〜20質量%がさらに好ましく、6〜12質量%が特に好ましい。
In this invention, water-soluble resins other than the polyvinyl alcohol of this invention can also be used together with this polyvinyl alcohol. Examples of water-soluble resins that can be used in combination include resins having a hydroxyl group as a hydrophilic structural unit, such as polyvinyl alcohol (PVA) having a saponification degree other than the above range, cation-modified polyvinyl alcohol, anion-modified polyvinyl alcohol, and silanol-modified polyvinyl. Alcohol, polyvinyl acetal, cellulose resin [methyl cellulose (MC), ethyl cellulose (EC), hydroxyethyl cellulose (HEC), carboxymethyl cellulose (CMC), hydroxypropyl cellulose (HPC), etc.], chitins, chitosans, starch; hydrophilic Polyethylene oxide (PEO), polypropylene oxide (PPO), polyethylene glycol (PEG), polyvinyl ether (PVE) A resin having an amide group or amide bond of a hydrophilic, polyacrylamide (PAAM), polyvinyl pyrrolidone (PVP) and the like. In addition, polyacrylic acid salts, maleic acid resins, alginic acid salts, gelatins and the like having a carboxyl group as a dissociable group can also be mentioned.
The ratio of the polyvinyl alcohol of the present invention to the total amount of the polyvinyl alcohol of the present invention and the water-soluble resin when the polyvinyl alcohol of the present invention and the above-described water-soluble resin are used in combination is preferably 1 to 30% by mass, 20 mass% is further more preferable and 6-12 mass% is especially preferable.

本発明のポリビニルアルコールの含有量としては、該含有量の過少による、膜強度の低下や乾燥時のひび割れを防止し、且つ、該含有量の過多によって、該空隙が樹脂によって塞がれ易くなり、空隙率が減少することでインク(金属コロイド溶液)の溶媒吸収性が低下するのを防止する観点から、受容層12の全固形分質量に対して、9〜40質量%が好ましく、12〜33質量%がより好ましい。   As the content of the polyvinyl alcohol of the present invention, it is possible to prevent a decrease in film strength and cracking during drying due to an insufficient content, and the excessive content causes the voids to be easily blocked by a resin. From the viewpoint of preventing the solvent absorbability of the ink (metal colloid solution) from decreasing due to the decrease in the porosity, the content is preferably 9 to 40% by mass with respect to the total solid mass of the receiving layer 12, 33 mass% is more preferable.

ポリビニルアルコールは、その構造単位に水酸基を有するが、この水酸基とシリカ微粒子表面のシラノール基とが水素結合を形成して、シリカ微粒子の二次粒子を鎖単位とする三次元網目構造を形成し易くする。この様な三次元網目構造の形成によって、空隙率の高い多孔質構造の受容層12を形成し得ると考えられる。
インクジェット記録媒体(受容層付基材)において、上述のようにして得られた多孔質の受容層12は、毛細管現象によって急速にインク(金属コロイド溶液)の溶媒を吸収し、インク(金属コロイド溶液)滲みのない真円性の良好なドットを形成することができる。
Polyvinyl alcohol has a hydroxyl group in its structural unit, and this hydroxyl group and the silanol group on the surface of the silica fine particle form a hydrogen bond, and it is easy to form a three-dimensional network structure in which the secondary particle of the silica fine particle is a chain unit. To do. It is considered that the receiving layer 12 having a porous structure with a high porosity can be formed by forming such a three-dimensional network structure.
In the ink jet recording medium (substrate with receiving layer), the porous receiving layer 12 obtained as described above rapidly absorbs the solvent of the ink (metal colloid solution) by capillary action, and the ink (metal colloid solution). ) It is possible to form dots with good roundness without bleeding.

<無機微粒子と本発明のポリビニルアルコールとの含有比>
無機微粒子(好ましくはシリカ微粒子;x)と本発明のポリビニルアルコール(上記水溶性樹脂を併用する場合には本発明のポリビニルアルコールと上記水溶性樹脂との合計量)(y)との含有比〔PB比(x/y)、本発明のポリビニルアルコール1質量部に対する無機微粒子の質量〕は、受容層12の膜構造にも大きな影響を与える。即ち、PB比が大きくなると、空隙率や細孔容積、表面積(単位質量当り)が大きくなる。具体的には、上記PB比(x/y)としては、該PB比が大き過ぎることに起因する、膜強度の低下や乾燥時のひび割れを防止し、且つ該PB比が小さ過ぎることによって、該空隙が樹脂によって塞がれ易くなり、空隙率が減少することでインク(金属コロイド溶液)の溶媒吸収性が低下するのを防止する観点から、1.5/1〜10/1が好ましい。
<Content ratio of inorganic fine particles and polyvinyl alcohol of the present invention>
Content ratio of inorganic fine particles (preferably silica fine particles; x) and polyvinyl alcohol of the present invention (total amount of the polyvinyl alcohol of the present invention and the water-soluble resin when the water-soluble resin is used in combination) (y) [ The PB ratio (x / y) and the mass of the inorganic fine particles with respect to 1 part by mass of the polyvinyl alcohol of the present invention] have a great influence on the film structure of the receptor layer 12. That is, as the PB ratio increases, the porosity, pore volume, and surface area (per unit mass) increase. Specifically, as the PB ratio (x / y), a decrease in film strength and cracking during drying caused by the PB ratio being too large are prevented, and the PB ratio is too small. From the viewpoint of preventing the voids from being easily blocked by the resin and preventing the solvent absorbability of the ink (metal colloid solution) from decreasing due to a decrease in the porosity, 1.5 / 1 to 10/1 is preferable.

インクジェットプリンターの搬送系を通過する場合、インクジェット記録媒体(受容層付基材)に応力が加わることがあるので、受容層12は充分な膜強度を有していることが必要である。さらにシート状に裁断加工する場合、受容層12の割れ及び剥がれ等を防止する上でも、受容層12には充分な膜強度が必要である。この様な観点より、上記PB比(x/y)としては5/1以下が好ましく、インクジェットプリンターで高速インク(金属コロイド溶液)の溶媒吸収性をも確保する観点からは、2/1以上であることが好ましい。   When passing through the transport system of the ink jet printer, stress may be applied to the ink jet recording medium (base material with a receiving layer), so the receiving layer 12 needs to have sufficient film strength. Further, when the sheet is cut into a sheet shape, the receptor layer 12 needs to have sufficient film strength in order to prevent cracking and peeling of the receptor layer 12. From such a viewpoint, the PB ratio (x / y) is preferably 5/1 or less, and from the viewpoint of ensuring the solvent absorbability of the high-speed ink (metal colloid solution) with an inkjet printer, it is 2/1 or more. Preferably there is.

例えば、平均一次粒子径が20nm以下の無水シリカ微粒子と本発明のポリビニルアルコールとをPB比(x/y)が2/1〜5/1で水溶液中に完全に分散した塗布液(受容層材料を含む機能液)を基材10上に塗布し、該受容層12を乾燥した場合、シリカ微粒子の二次粒子を鎖単位とする三次元網目構造が形成され、平均細孔径が30nm以下、空隙率が50%〜80%、細孔比容積0.5ml/g以上、比表面積が100m2/g以上の、透光性の多孔質膜を容易に形成することができる。 For example, a coating solution (receiving layer material) in which anhydrous silica fine particles having an average primary particle size of 20 nm or less and the polyvinyl alcohol of the present invention are completely dispersed in an aqueous solution with a PB ratio (x / y) of 2/1 to 5/1. When the receptor layer 12 is dried, a three-dimensional network structure is formed in which the silica fine particle secondary particles are chain units, and the average pore diameter is 30 nm or less. A translucent porous film having a rate of 50% to 80%, a pore specific volume of 0.5 ml / g or more, and a specific surface area of 100 m 2 / g or more can be easily formed.

<架橋剤>
本発明に係る受容層12は架橋剤を含む。本発明に係る受容層12は、該架橋剤による本発明のポリビニルアルコール及び必要に応じて用いられる水溶性樹脂の架橋反応によって硬化された多孔質層である態様が好ましい。
<Crosslinking agent>
The receiving layer 12 according to the present invention contains a crosslinking agent. The receiving layer 12 according to the present invention is preferably a porous layer cured by a crosslinking reaction of the polyvinyl alcohol of the present invention and a water-soluble resin used as necessary by the crosslinking agent.

上記架橋剤としては、受容層12に含まれる本発明のポリビニルアルコール及び必要に応じて用いられる水溶性樹脂との関係で好適なものを適宜選択すればよいが、中でも、架橋反応が迅速である点でホウ素化合物が好ましく、例えば、ホウ砂、ホウ酸、ホウ酸塩(例えば、オルトホウ酸塩、InBO3、ScBO3、YBO3、LaBO3、Mg3(BO3)2、Co3(BO3)2、二ホウ酸塩(例えば、Mg225、Co225)、メタホウ酸塩(例えば、LiBO2、Ca(BO2)2、NaBO2、KBO2)、四ホウ酸塩(例えば、Na247・10H2O)、五ホウ酸塩(例えば、KB58・4H2O、Ca2611・7H2O、CsB55)等を挙げることができる。中でも、速やかに架橋反応を起こすことができる点で、ホウ砂、ホウ酸、ホウ酸塩が好ましく、特にホウ酸又はホウ酸塩が好ましく、これを水溶性樹脂であるポリビニルアルコールと組み合わせて使用することが最も好ましい。 As the crosslinking agent, a suitable one may be appropriately selected in relation to the polyvinyl alcohol of the present invention contained in the receiving layer 12 and the water-soluble resin used as necessary, and among them, the crosslinking reaction is rapid. boron compounds are preferable in a point, for example, borax, boric acid, borates (eg, orthoborate, InBO 3, ScBO 3, YBO 3, LaBO 3, Mg 3 (BO 3) 2, Co 3 (BO 3 ) 2 , diborate (eg, Mg 2 B 2 O 5 , Co 2 B 2 O 5 ), metaborate (eg, LiBO 2 , Ca (BO 2 ) 2 , NaBO 2 , KBO 2 ), tetraborate salts (e.g., Na 2 B 4 O 7 · 10H 2 O), pentaborate (e.g., KB 5 O 8 · 4H 2 O, Ca 2 B 6 O 11 · 7H 2 O, CsB 5 O 5) , etc. Among them, the crosslinking reaction can be caused promptly. In view of the above, borax, boric acid and borates are preferable, and boric acid or borates are particularly preferable, and it is most preferable to use them in combination with polyvinyl alcohol which is a water-soluble resin.

本発明においては、上記架橋剤は、本発明のポリビニルアルコール1.0質量部に対して、0.05〜0.50質量部含有されることが好ましく、0.08〜0.30質量部含有されることがより好ましい。架橋剤の含有量が上記範囲であると、本発明のポリビニルアルコールを効果的に架橋してひび割れ等を防止することができる。   In this invention, it is preferable that 0.05-0.50 mass part is contained with respect to 1.0 mass part of polyvinyl alcohol of this invention, and the said crosslinking agent contains 0.08-0.30 mass part. More preferably. When the content of the crosslinking agent is within the above range, the polyvinyl alcohol of the present invention can be effectively crosslinked to prevent cracks and the like.

前記水溶性樹脂としてゼラチンを用いる場合などには、ホウ素化合物以外の下記化合物も架橋剤として用いることができる。
例えば、ホルムアルデヒド、グリオキザール、グルタールアルデヒド等のアルデヒド系化合物;ジアセチル、シクロペンタンジオン等のケトン系化合物;ビス(2−クロロエチル尿素)−2−ヒドロキシ−4,6−ジクロロ−1,3,5−トリアジン、2,4−ジクロロ−6−S−トリアジン・ナトリウム塩等の活性ハロゲン化合物;ジビニルスルホン酸、1,3−ビニルスルホニル−2−プロパノール、N,N'−エチレンビス(ビニルスルホニルアセタミド)、1,3,5−トリアクリロイル−ヘキサヒドロ−S−トリアジン等の活性ビニル化合物;ジメチロ−ル尿素、メチロールジメチルヒダントイン等のN−メチロール化合物;メラミン樹脂(例えば、メチロールメラミン、アルキル化メチロールメラミン);エポキシ樹脂;
When gelatin is used as the water-soluble resin, the following compounds other than boron compounds can also be used as a crosslinking agent.
For example, aldehyde compounds such as formaldehyde, glyoxal, and glutaraldehyde; ketone compounds such as diacetyl and cyclopentanedione; bis (2-chloroethylurea) -2-hydroxy-4,6-dichloro-1,3,5- Active halogen compounds such as triazine and 2,4-dichloro-6-S-triazine sodium salt; divinylsulfonic acid, 1,3-vinylsulfonyl-2-propanol, N, N′-ethylenebis (vinylsulfonylacetamide) ), Active vinyl compounds such as 1,3,5-triacryloyl-hexahydro-S-triazine; N-methylol compounds such as dimethylolurea and methyloldimethylhydantoin; melamine resins (for example, methylolmelamine, alkylated methylolmelamine) ;Epoxy resin;

1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート等のイソシアネート系化合物;米国特許明細書第3017280号、同第2983611号に記載のアジリジン系化合物;米国特許明細書第3100704号に記載のカルボキシイミド系化合物;グリセロールトリグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物;1,6−ヘキサメチレン−N,N'−ビスエチレン尿素等のエチレンイミノ系化合物;ムコクロル酸、ムコフェノキシクロル酸等のハロゲン化カルボキシアルデヒド系化合物;2,3−ジヒドロキシジオキサン等のジオキサン系化合物;乳酸チタン、硫酸アルミ、クロム明ばん、カリ明ばん、酢酸ジルコニル、酢酸クロム等の金属含有化合物、テトラエチレンペンタミン等のポリアミン化合物、アジピン酸ジヒドラジド等のヒドラジド化合物、オキサゾリン基を2個以上含有する低分子又はポリマー等である。上記の架橋剤は、1種単独でも、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Isocyanate compounds such as 1,6-hexamethylene diisocyanate; aziridine compounds described in US Pat. Nos. 3,017,280 and 2,983611; carboximide compounds described in US Pat. No. 3,100,704; glycerol triglycidyl Epoxy compounds such as ether; Ethyleneimino compounds such as 1,6-hexamethylene-N, N′-bisethyleneurea; Halogenated carboxaldehyde compounds such as mucochloric acid and mucophenoxycyclolic acid; 2,3-dihydroxy Dioxane-based compounds such as dioxane; titanium-containing aluminum sulfate, chromium alum, potassium alum, metal-containing compounds such as zirconyl acetate, chromium acetate, polyamine compounds such as tetraethylenepentamine, hydrazide compounds such as adipic acid dihydrazide, A low molecule or polymer containing two or more oxazoline groups. Said crosslinking agent may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

<水溶性アルミニウム化合物>
本発明に係る受容層12は水溶性アルミニウム化合物を含む。水溶性アルミニウム化合物を用いることにより形成された導電性パターンの耐水性及び耐経時にじみの向上を図ることができる。また、水酸化アルミニウム化合物を用いることにより、導電性パターンの焼結温度を下げることができる。このメカニズムは定かではないが、水溶性アルミニウム酸化物が、金属コロイド粒子分散剤と相互作用し、分散材の金属コロイド粒子への吸着平衡がくずれ、分散剤が粒子から離脱するためと考えられる。
水溶性アルミニウム化合物としては、例えば無機塩としては塩化アルミニウムまたはその水和物、硫酸アルミニウムまたはその水和物、アンモニウムミョウバン等が知られている。さらに、無機系の含アルミニウムカチオンポリマーである塩基性ポリ水酸化アルミニウム化合物がある。これらの中でも、塩基性ポリ水酸化アルミニウム化合物が好ましい。
<Water-soluble aluminum compound>
The receiving layer 12 according to the present invention contains a water-soluble aluminum compound. The use of a water-soluble aluminum compound can improve the water resistance and aging resistance of the conductive pattern formed. Moreover, the sintering temperature of a conductive pattern can be lowered | hung by using an aluminum hydroxide compound. Although this mechanism is not clear, it is considered that the water-soluble aluminum oxide interacts with the metal colloid particle dispersant, the adsorption equilibrium of the dispersion material to the metal colloid particles is lost, and the dispersant is detached from the particles.
As a water-soluble aluminum compound, for example, as an inorganic salt, aluminum chloride or a hydrate thereof, aluminum sulfate or a hydrate thereof, ammonium alum and the like are known. Furthermore, there is a basic polyaluminum hydroxide compound which is an inorganic aluminum-containing cationic polymer. Among these, a basic polyaluminum hydroxide compound is preferable.

前記塩基性ポリ水酸化アルミニウム化合物とは、主成分が下記の式1、2又は3で示され、例えば〔Al6(OH)153+ 、〔Al8(OH)204+ 、〔Al13(OH)345+ 、〔Al21(OH)603+ 、等のような塩基性で高分子の多核縮合イオンを安定に含んでいる水溶性のポリ水酸化アルミニウムである。 The basic polyaluminum hydroxide compound is represented by the following formula 1, 2 or 3, for example, [Al 6 (OH) 15 ] 3+ , [Al 8 (OH) 20 ] 4+ , [ It is a water-soluble polyaluminum hydroxide containing a basic and high-molecular polynuclear condensed ion stably such as Al 13 (OH) 34 ] 5+ , [Al 21 (OH) 60 ] 3+ , and the like.

〔Al2(OH)n Cl6-nm 5<m<80 、 1<n<5 式1
〔Al(OH)3nAlCl3 1<n<2 式2
Aln(OH)m Cl(3n-m) 0<m<3n、 5<m<8 式3
[Al 2 (OH) n Cl 6-n ] m 5 <m <80, 1 <n <5 Formula 1
[Al (OH) 3 ] n AlCl 3 1 <n <2 Formula 2
Al n (OH) m Cl (3n-m) 0 <m <3n, 5 <m <8 Formula 3

これらのものは多木化学(株)よりポリ塩化アルミニウム(PAC)の名で水処理剤として、浅田化学(株)よりポリ水酸化アルミニウム(Paho)の名で、また、(株)理研グリーンよりピュラケムWTの名で、大明化学(株)よりアルファイン83の名でまた他のメーカーからも同様の目的を持って上市されており、各種グレードの物が容易に入手できる。本発明ではこれらの市販品をそのままでも使用できるが、pHが不適当に低い物もあり、その場合は適宜pHを調節して用いることも可能である。   These are water treatment agents from Taki Chemical Co., Ltd. under the name of polyaluminum chloride (PAC), from Asada Chemical Co., Ltd. under the name of polyaluminum hydroxide (Paho), and from Riken Green Co., Ltd. It is marketed under the name of Purachem WT by Daimei Chemical Co., Ltd. under the name of Alpha-In 83 and from other manufacturers for the same purpose, and various grades can be easily obtained. In the present invention, these commercially available products can be used as they are, but there are also products having an inappropriately low pH, and in that case, the pH can be appropriately adjusted and used.

本発明の受容層12において、上記水溶性アルミニウム化合物の含有量としては、受容層12を構成する全固形分の0.1〜20質量%が好ましく、1〜15質量%がより好ましく、特に2〜15質量%が最も好ましくい。水溶性アルミニウム化合物の含有量が2〜15質量%の範囲にあると平滑性が向上し、また焼結温度低減の効果が得られる。   In the receiving layer 12 of the present invention, the content of the water-soluble aluminum compound is preferably from 0.1 to 20% by mass, more preferably from 1 to 15% by mass, and particularly preferably from 2 to 15% by mass of the total solids constituting the receiving layer 12. ˜15% by weight is most preferred. When the content of the water-soluble aluminum compound is in the range of 2 to 15% by mass, the smoothness is improved and the effect of reducing the sintering temperature is obtained.

<ジルコニウム化合物>
本発明に係る受容層12はジルコニウム化合物を含む。ジルコニウム化合物を用いることにより耐水性向上効果が得られる。
本発明に用いられるジルコニウム化合物としては、特に限定されず、種々の化合物が使用できるが、例えば、酢酸ジルコニル、塩化ジルコニウム、オキシ塩化ジルコニウム、ヒドロキシ塩化ジルコニウム、硝酸ジルコニウム、塩基性炭酸ジルコニウム、水酸化ジルコニウム、炭酸ジルコニウムアンモニウム、炭酸ジルコニウム・カリウム、硫酸ジルコニウム、フッ化ジルコニウム化合物等が挙げられる。 特に酢酸ジルコニルが好ましい。
<Zirconium compound>
The receiving layer 12 according to the present invention contains a zirconium compound. The effect of improving water resistance can be obtained by using a zirconium compound.
The zirconium compound used in the present invention is not particularly limited, and various compounds can be used. For example, zirconyl acetate, zirconium chloride, zirconium oxychloride, zirconium zirconium chloride, zirconium nitrate, basic zirconium carbonate, zirconium hydroxide Zirconium ammonium carbonate, zirconium carbonate / potassium carbonate, zirconium sulfate, zirconium fluoride compound and the like. Zirconyl acetate is particularly preferable.

本発明の受容層12において、上記ジルコニウム化合物の含有量としては、受容層12を構成する全固形分の0.05〜5.0質量%が好ましく、0.1〜3.0質量%がより好ましく、特に0.5〜2.0質量%が最も好ましくい。ジルコニウム化合物の含有量が0.5〜2.0質量%の範囲にあるとインク(金属コロイド溶液)の溶媒吸収性を低下させることなく耐水性を向上させることが可能である。   In the receiving layer 12 of the present invention, the content of the zirconium compound is preferably 0.05 to 5.0% by mass, more preferably 0.1 to 3.0% by mass, based on the total solid content of the receiving layer 12. Particularly preferred is 0.5 to 2.0% by mass. When the content of the zirconium compound is in the range of 0.5 to 2.0% by mass, the water resistance can be improved without reducing the solvent absorbability of the ink (metal colloid solution).

本発明においては、上述した水溶性アルミニウム化合物及びジルコニウム化合物以外のその他の水溶性多価金属化合物を併用することもできる。その他の水溶性多価金属化合物としては、例えば、カルシウム、バリウム、マンガン、銅、コバルト、ニッケル、鉄、亜鉛、クロム、マグネシウム、タングステン、モリブデンから選ばれる金属の水溶性塩が挙げられる。
具体的には、酢酸カルシウム、塩化カルシウム、ギ酸カルシウム、硫酸カルシウム、酢酸バリウム、硫酸バリウム、リン酸バリウム、塩化マンガン、酢酸マンガン、ギ酸マンガンニ水和物、硫酸マンガンアンモニウム六水和物、塩化第二銅、塩化アンモニウム銅(II)ニ水和物、硫酸銅、塩化コバルト、チオシアン酸コバルト、硫酸コバルト、硫酸ニッケル六水和物、塩化ニッケル六水和物、酢酸ニッケル四水和物、硫酸ニッケルアンモニウム六水和物、アミド硫酸ニッケル四水和物、臭化第一鉄、塩化第一鉄、塩化第二鉄、硫酸第一鉄、硫酸第二鉄、臭化亜鉛、塩化亜鉛、硝酸亜鉛六水和物、硫酸亜鉛、酢酸クロム、硫酸クロム、硫酸マグネシウム、塩化マグネシウム六水和物、クエン酸マグネシウム九水和物、りんタングステン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウムタングステン、12タングストりん酸n水和物、12タングストけい酸26水和物、塩化モリブデン、12モリブドりん酸n水和物等が挙げられる。
In the present invention, other water-soluble polyvalent metal compounds other than the water-soluble aluminum compound and zirconium compound described above can be used in combination. Examples of other water-soluble polyvalent metal compounds include water-soluble salts of metals selected from calcium, barium, manganese, copper, cobalt, nickel, iron, zinc, chromium, magnesium, tungsten, and molybdenum.
Specifically, calcium acetate, calcium chloride, calcium formate, calcium sulfate, barium acetate, barium sulfate, barium phosphate, manganese chloride, manganese acetate, manganese formate dihydrate, manganese ammonium sulfate hexahydrate, second chloride Copper, ammonium chloride (II) chloride dihydrate, copper sulfate, cobalt chloride, cobalt thiocyanate, cobalt sulfate, nickel sulfate hexahydrate, nickel chloride hexahydrate, nickel acetate tetrahydrate, nickel ammonium sulfate Hexahydrate, nickel amidosulfate tetrahydrate, ferrous bromide, ferrous chloride, ferric chloride, ferrous sulfate, ferric sulfate, zinc bromide, zinc chloride, zinc nitrate hexahydrate Japanese products, zinc sulfate, chromium acetate, chromium sulfate, magnesium sulfate, magnesium chloride hexahydrate, magnesium citrate nonahydrate, phosphotungstic acid sodium Um, sodium tungsten citrate, 12 tungstophosphoric acid n-hydrate, dodecatungstosilicic acid 26-hydrate, molybdenum chloride, dodecamolybdophosphoric acid n-hydrate.

<他の成分>
本発明の受容層12は、必要に応じて下記成分を含有させて構成される。
上記紫外線吸収剤としては、桂皮酸誘導体、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾトリアゾリルフェノール誘導体等が挙げられる。例えば、α−シアノ−フェニル桂皮酸ブチル、o−ベンゾトリアゾールフェノール、o−ベンゾトリアゾール−p−クロロフェノール、o−ベンゾトリアゾール−2,4−ジ−t−ブチルフェノール、o−ベンゾトリアゾール−2,4−ジ−t−オクチルフェノール等が挙げられる。ヒンダートフェノール化合物も紫外線吸収剤として使用でき、具体的には少なくとも2位又は6位の内、1ヵ所以上が分岐アルキル基で置換されたフェノール誘導体が好ましい。
<Other ingredients>
The receiving layer 12 of the present invention is configured to contain the following components as necessary.
Examples of the ultraviolet absorber include cinnamic acid derivatives, benzophenone derivatives, benzotriazolylphenol derivatives, and the like. For example, α-cyano-phenyl cinnamate butyl, o-benzotriazole phenol, o-benzotriazole-p-chlorophenol, o-benzotriazole-2,4-di-t-butylphenol, o-benzotriazole-2,4 -Di-t-octylphenol etc. are mentioned. A hindered phenol compound can also be used as an ultraviolet absorber, and specifically, a phenol derivative in which one or more of at least 2-position or 6-position is substituted with a branched alkyl group is preferable.

また、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、サリチル酸系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、オキザリックアシッドアニリド系紫外線吸収剤等も使用できる。例えば、特開昭47−10537号公報、同58−111942号公報、同58−212844号公報、同59−19945号公報、同59−46646号公報、同59−109055号公報、同63−53544号公報、特公昭36−10466号公報、同42−26187号公報、同48−30492号公報、同48−31255号公報、同48−41572号公報、同48−54965号公報、同50−10726号公報、米国特許第2,719,086号明細書、同3,707,375号明細書、同3,754,919号明細書、同4,220,711号明細書等に記載されている。   Moreover, a benzotriazole type ultraviolet absorber, a salicylic acid type ultraviolet absorber, a cyanoacrylate type ultraviolet absorber, an oxalic acid anilide type ultraviolet absorber, etc. can be used. For example, JP-A-47-10537, 58-111942, 58-21284, 59-19945, 59-46646, 59-109055, 63-53544. No. 36, Japanese Patent Publication No. 36-10466, No. 42-26187, No. 48-30492, No. 48-31255, No. 48-41572, No. 48-54965, No. 50-10726. No. 2,719,086, US Pat. No. 3,707,375, US Pat. No. 3,754,919, US Pat. No. 4,220,711, and the like. .

蛍光増白剤も紫外線吸収剤として使用でき、例えば、クマリン系蛍光増白剤等が挙げられる。具体的には、特公昭45−4699号公報、同54−5324号公報等に記載されている。   A fluorescent brightening agent can also be used as an ultraviolet absorber, and examples thereof include a coumarin fluorescent brightening agent. Specifically, it is described in Japanese Patent Publication Nos. 45-4699 and 54-5324.

上記酸化防止剤としては、ヨーロッパ公開特許第223739号公報、同309401号公報、同309402号公報、同310551号公報、同第310552号公報、同第459416号公報、ドイツ公開特許第3435443号公報、特開昭54−48535号公報、同60−107384号公報、同60−107383号公報、同60−125470号公報、同60−125471号公報、同60−125472号公報、同60−287485号公報、同60−287486号公報、同60−287487号公報、同60−287488号公報、同61−160287号公報、同61−185483号公報、同61−211079号公報、同62−146678号公報、同62−146680号公報、同62−146679号公報、同62−282885号公報、同62−262047号公報、同63−051174号公報、同63−89877号公報、同63−88380号公報、同66−88381号公報、同63−113536号公報;   Examples of the antioxidant include European Patent Publication No. 223739, Publication No. 309401, Publication No. 309402, Publication No. 310551, Publication No. 310552, Publication No. 4594416, Publication of German Patent No. 3435443, JP-A-54-48535, JP-A-60-107384, JP-A-60-107383, JP-A-60-125470, JP-A-60-125471, JP-A-60-125472, JP-A-60-287485. 60-287486, 60-287487, 60-287488, 61-160287, 61-185483, 61-2111079, 62-146678, 62-146680, 62-146679, 62-282885, JP same 62-262047, JP-same 63-051174, JP-same 63-89877, JP-same 63-88380, JP-same 66-88381, JP-same 63-113536 JP;

同63−163351号公報、同63−203372号公報、同63−224989号公報、同63−251282号公報、同63−267594号公報、同63−182484号公報、特開平1−239282号公報、特開平2−262654号公報、同2−71262号公報、同3−121449号公報、同4−291685号公報、同4−291684号公報、同5−61166号公報、同5−119449号公報、同5−188687号公報、同5−188686号公報、同5−110490号公報、同5−1108437号公報、同5−170361号公報、特公昭48−43295号公報、同48−33212号公報、米国特許第4814262号、同第4980275号公報等に記載のものが挙げられる。   JP-A-63-163351, JP-A-63-203372, JP-A-63-224989, JP-A-63-251282, JP-A-63-267594, JP-A-63-182484, JP-A-1-239282, JP-A-2-262654, JP-A-2-71262, JP-A-3-121449, JP-A-4-29185, JP-A-4-291684, JP-A-5-61166, JP-A-5-119449, 5-188687, 5-188686, 5-110490, 5-110437, 5-170361, JP 48-43295, 48-33212, Examples thereof include those described in U.S. Pat. Nos. 4,814,262 and 4,980,275.

具体的には、6−エトキシ−1−フェニル−2,2,4−トリメチル−1,2−ジヒドロキノリン、6−エトキシ−1−オクチル−2,2,4−トリメチル−1,2−ジヒドロキノリン、6−エトキシ−1−フェニル−2,2,4−トリメチル−1,2,3,4−テトラヒドロキノリン、6−エトキシ−1−オクチル−2,2,4−トリメチル−1,2,3,4,−テトラヒドロキノリン、シクロヘキサン酸ニッケル、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−エチルヘキサン、2−メチル−4−メトキシ−ジフェニルアミン、1−メチル−2−フェニルインドール等が挙げられる。   Specifically, 6-ethoxy-1-phenyl-2,2,4-trimethyl-1,2-dihydroquinoline, 6-ethoxy-1-octyl-2,2,4-trimethyl-1,2-dihydroquinoline 6-ethoxy-1-phenyl-2,2,4-trimethyl-1,2,3,4-tetrahydroquinoline, 6-ethoxy-1-octyl-2,2,4-trimethyl-1,2,3 4, -tetrahydroquinoline, nickel cyclohexane acid, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -2-ethylhexane, 2-methyl-4-methoxy-diphenylamine, Examples include 1-methyl-2-phenylindole.

これら酸化防止剤は、単独でも2種以上を併用してもよい。酸化防止剤は、水溶性化、分散、エマルション化してもよく、マイクロカプセル中に含ませることもできる。酸化防止剤の添加量としては、受容層形成液の0.01〜10質量%が好ましい。   These antioxidants may be used alone or in combination of two or more. The antioxidant may be water-solubilized, dispersed, emulsified, or included in microcapsules. As addition amount of antioxidant, 0.01-10 mass% of a receiving layer formation liquid is preferable.

本発明において、受容層12はカール防止用に高沸点有機溶剤を含有するのが好ましい。上記高沸点有機溶剤としては、水溶性のものが好ましく、該水溶性の高沸点有機溶剤としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(DEGMBE)、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、グリセリンモノメチルエーテル、1,2,3−ブタントリオール、1,2,4−ブタントリオール、1,2,4−ペンタントリオール、1,2,6−ヘキサントリオール、チオジグリコール、トリエタノールアミン、ポリエチレングリコール(重量平均分子量が400以下)等のアルコール類が挙げられる。好ましくは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(DEGMBE)である。   In the present invention, the receiving layer 12 preferably contains a high boiling point organic solvent for curling prevention. The high-boiling organic solvent is preferably a water-soluble one, and examples of the water-soluble high-boiling organic solvent include ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, glycerin, diethylene glycol monobutyl ether (DEGMBE), and triglyceride. Ethylene glycol monobutyl ether, glycerin monomethyl ether, 1,2,3-butanetriol, 1,2,4-butanetriol, 1,2,4-pentanetriol, 1,2,6-hexanetriol, thiodiglycol, tri Examples include alcohols such as ethanolamine and polyethylene glycol (weight average molecular weight of 400 or less). Diethylene glycol monobutyl ether (DEGMBE) is preferred.

上記高沸点有機溶剤の受容層形成液中における含有量としては、0.05〜1質量%が好ましく、特に好ましくは0.1〜0.6質量%である。
また、無機微粒子の分散性を高める目的で、各種無機塩類、pH調整剤として酸やアルカリ等を含んでいてもよい。
さらに、表面の摩擦帯電や剥離帯電を抑制する目的で、電子導電性を持つ金属酸化物微粒子を、表面の摩擦特性を低減する目的で各種のマット剤を、プリント配線板としての電気特性を損なわない範囲で含んでいてもよい。
As content in the receiving layer formation liquid of the said high boiling point organic solvent, 0.05-1 mass% is preferable, Most preferably, it is 0.1-0.6 mass%.
Further, for the purpose of enhancing the dispersibility of the inorganic fine particles, various inorganic salts and pH adjusting agents may contain acids, alkalis and the like.
Furthermore, for the purpose of suppressing surface frictional charge and peeling charge, metal oxide fine particles with electronic conductivity are used, various matting agents are used for reducing surface frictional characteristics, and the electrical characteristics as a printed wiring board are impaired. You may include in the range which is not.

ここで、上記受容層材料を用いた受容層12の形成方法を、さらに詳細に説明する。
本発明における受容層12の形成方法としては、無機微粒子とジルコニウム化合物とを高圧分散機を用いて、対向衝突させて、又は、オリフィスを通過させて分散することにより分散液を準備する工程と、前記分散液にカチオン変性された自己乳化性高分子と鹸化度が92〜98mol%のポリビニルアルコールと架橋剤とを添加して受容層形成液を準備する工程と、前記受容層形成液に水溶性アルミニウム化合物をインライン混合して得られた塗布液(受容層材料を含む機能液)を基材10上に塗布して受容層12を形成する工程と、を少なくとも有する方法が例示される。
また、別の形成方法として、無機微粒子とジルコニウム化合物と架橋剤とを高圧分散機を用いて、対向衝突させて、又は、オリフィスを通過させて分散することにより分散液を準備する工程と、前記分散液にカチオン変性された自己乳化性高分子と鹸化度が92〜98mol%のポリビニルアルコールとを添加して受容層形成液を準備する工程と、前記受容層形成液に水溶性アルミニウム化合物をインライン混合して得られた塗布液(受容層材料を含む機能液)を基材10上に塗布して受容層12を形成する工程と、を少なくとも有する方法も例示される。
Here, the formation method of the receiving layer 12 using the said receiving layer material is demonstrated in detail.
As the method for forming the receiving layer 12 in the present invention, a step of preparing a dispersion by causing inorganic fine particles and a zirconium compound to collide with each other using a high-pressure disperser or by passing through an orifice and dispersing, Adding a cationically modified self-emulsifying polymer to the dispersion, polyvinyl alcohol having a saponification degree of 92 to 98 mol%, and a crosslinking agent to prepare a receptor layer forming liquid; and water-soluble in the receptor layer forming liquid A method including at least a step of forming a receiving layer 12 by applying a coating liquid (functional liquid containing a receiving layer material) obtained by in-line mixing of an aluminum compound on the substrate 10 is exemplified.
Further, as another forming method, a step of preparing a dispersion by dispersing the inorganic fine particles, the zirconium compound, and the cross-linking agent by opposing collision using a high-pressure disperser or passing through an orifice; and Adding a cationically modified self-emulsifying polymer and polyvinyl alcohol having a saponification degree of 92 to 98 mol% to the dispersion to prepare a receiving layer forming solution; and adding a water-soluble aluminum compound to the receiving layer forming solution in-line A method including at least a step of forming a receiving layer 12 by applying a coating liquid (functional liquid containing a receiving layer material) obtained by mixing on the substrate 10 is also exemplified.

上記形成方法であれば、無機微粒子及びジルコニウム化合物又は無機微粒子、ジルコニウム化合物及び架橋剤を、高圧分散機を用いて対向衝突させて、又は、オリフィスを通過させて分散することにより得られる分散液は、無機微粒子の粒子径が細かい点で優れる。   If it is the said formation method, the dispersion liquid obtained by making inorganic fine particles and a zirconium compound or inorganic fine particles, a zirconium compound, and a crosslinking agent collide with each other using a high-pressure disperser or passing through an orifice to disperse is obtained. The inorganic fine particles are excellent in that the particle diameter is fine.

無機微粒子及びジルコニウム化合物又は無機微粒子、ジルコニウム化合物及び架橋剤はこれらを含む分散液(予分散液)の状態で高圧分散機に供せられる。予備混合(予分散)は、通常のプロペラ撹拌、タービン型撹拌、ホモミキサー型撹拌等で行うことができる。   The inorganic fine particles and the zirconium compound or the inorganic fine particles, the zirconium compound and the crosslinking agent are supplied to a high-pressure disperser in the state of a dispersion liquid (pre-dispersion liquid) containing them. The preliminary mixing (pre-dispersion) can be performed by ordinary propeller stirring, turbine stirring, homomixing stirring, or the like.

分散液の準備に用いられる高圧分散機としては、一般に、高圧ホモジナイザーと呼ばれている市販の装置が好適に使用できる。
前記高圧ホモジナイザーの代表例としては、ナノマイザー製の商品名;ナノマイザー、マイクロフルイディクス製の商品名;マイクロフルイダイザー、及びスギノマシン製のアルティマイザーなどを挙げることができる。
As a high-pressure disperser used for preparing the dispersion, a commercially available device called a high-pressure homogenizer can be preferably used.
Representative examples of the high-pressure homogenizer include nanomizer trade names; nanomizer, microfluidics trade names; microfluidizers, and Sugino Machine optimizers.

なお、前記オリフィスとは、円形などの微細な穴を持つ薄板(オリフィス板)を直管内に挿入し、直管の流路を急激に絞る機構をいう。   The orifice refers to a mechanism that inserts a thin plate (orifice plate) having a fine hole such as a circle into the straight pipe to rapidly narrow the flow path of the straight pipe.

上記高圧ホモジナイザーは、基本的には、原料スラリーなどを加圧する高圧発生部と、対向衝突部或いはオリフィス部とからなる装置である。高圧発生部としては、一般にプランジャーポンプと呼ばれている高圧ポンプが好適に採用される。高圧ポンプには、一連式、二連式、三連式などの各種の形式があるが、いずれの形式も特に制限なく本発明において採用できる。   The high-pressure homogenizer is basically an apparatus that includes a high-pressure generating section that pressurizes raw material slurry and the like, and an opposing collision section or an orifice section. As the high-pressure generating unit, a high-pressure pump generally called a plunger pump is preferably employed. There are various types of high-pressure pumps such as a series type, a double type, and a triple type, and any type can be adopted in the present invention without any particular limitation.

前記高圧で対向衝突させる場合における処理圧力は50MPa以上、100MPa以上が好ましく、さらに130MPa以上が好ましい。
また、前記オリフィスを通過させる場合におけるオリフィスの入口側と出口側の差圧も、前記処理圧力と同様に、50MPa以上、好ましくは100MPa以上、さらに好ましくは130MPa以上が望ましい。
The processing pressure in the case of opposing collision at high pressure is preferably 50 MPa or more, 100 MPa or more, and more preferably 130 MPa or more.
Also, the differential pressure between the inlet side and the outlet side of the orifice when passing through the orifice is 50 MPa or more, preferably 100 MPa or more, more preferably 130 MPa or more, like the processing pressure.

対向衝突させる場合の予分散液の衝突速度は、相対速度として50m/秒以上が好ましく、100m/秒以上がより好ましく、150m/秒以上が好ましい。   The collision speed of the pre-dispersion liquid in the case of opposing collision is preferably 50 m / second or more, more preferably 100 m / second or more, and preferably 150 m / second or more as a relative speed.

オリフィスを通過する際の溶媒の線速度は、用いるオリフィスの孔径にも依存するため一概には決められないが、上記対向衝突の際の衝突速度と同様に50m/秒以上が好ましく、100m/秒以上がより好ましく、150m/秒以上が好ましい。   Although the linear velocity of the solvent when passing through the orifice depends on the pore diameter of the orifice to be used and cannot be determined unconditionally, it is preferably 50 m / second or more, like the collision velocity at the time of the above-mentioned opposing collision, and preferably 100 m / second. The above is more preferable, and 150 m / sec or more is preferable.

いずれの方法においても、分散効率は処理圧力に依存するため、処理圧力が高いほど分散効率も高くなる。ただし、処理圧力が350MPaを越えると高圧ポンプの配管等の耐圧性や装置の耐久性に問題が発生しやすい。   In any method, since the dispersion efficiency depends on the processing pressure, the higher the processing pressure, the higher the dispersion efficiency. However, if the treatment pressure exceeds 350 MPa, problems are likely to occur in the pressure resistance of the piping of the high-pressure pump and the durability of the apparatus.

上記したいずれの方法においても、処理回数は特に制限されず、通常は、1〜数十回の範囲から適宜選択される。これにより分散液を得ることができる。   In any of the methods described above, the number of treatments is not particularly limited, and is usually appropriately selected from a range of 1 to several tens of times. Thereby, a dispersion liquid can be obtained.

この分散液を調製する際には、各種の添加剤を添加することができる。
添加剤としては、例えば、ノニオン性またはカチオン性の各種の界面活性剤(アニオン性界面活性剤は凝集物を形成するために好ましくない)、消泡剤、ノニオン性の親水性ポリマー(ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリルアミド、各種の糖類、ゼラチン、プルラン等)、ノニオン性またはカチオン性のラテックス分散液、水混和性有機溶媒(酢酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、n−プロパノール、アセトンなど)、無機塩類、pH調整剤などが挙げられ、これらは必要に応じて適宜使用することができる。
When preparing this dispersion, various additives can be added.
Examples of additives include various nonionic or cationic surfactants (anionic surfactants are not preferred for forming aggregates), antifoaming agents, nonionic hydrophilic polymers (polyvinyl alcohol, Polyvinyl pyrrolidone, polyethylene oxide, polyacrylamide, various sugars, gelatin, pullulan, etc., nonionic or cationic latex dispersion, water-miscible organic solvent (ethyl acetate, methanol, ethanol, isopropanol, n-propanol, acetone, etc.) ), Inorganic salts, pH adjusters and the like, and these can be used as needed.

特に、水混和性有機溶媒は、無機微粒子(シリカ)等を予備分散した際の微小なダマの形成が抑制される点で好ましい。水混和性有機溶媒は、分散液中に0.1〜20質量%、特に好ましくは0.5〜10質量%使用される。   In particular, a water-miscible organic solvent is preferable in that formation of fine lumps when inorganic fine particles (silica) are predispersed is suppressed. The water-miscible organic solvent is used in the dispersion in an amount of 0.1 to 20% by mass, particularly preferably 0.5 to 10% by mass.

無機微粒子(気相法シリカ)分散液を調製する際のpHは、無機微粒子(気相法シリカ)の種類や各種の添加剤等により広範に変化し得るが、一般的にはpHが1〜8であり、特に2〜7が好ましい。また、上記の分散には二種以上の添加剤を併用することも可能である。   The pH at which the inorganic fine particle (gas phase method silica) dispersion is prepared can vary widely depending on the type of inorganic fine particles (gas phase method silica), various additives, and the like. 8. 2 to 7 is particularly preferable. Two or more kinds of additives can be used in combination for the dispersion.

本発明における受容層12の形成方法においては、上述の方法により得られた分散液にカチオン変性された自己乳化性高分子、本発明のポリビニルアルコール等が添加されて受容層形成液が得られる。上述の分散液とカチオン変性された自己乳化性高分子、本発明のポリビニルアルコール等との混合は通常のプロペラ撹拌、タービン型撹拌、ホモミキサー型撹拌等で行うことができる。   In the method for forming the receptor layer 12 in the present invention, a cation-modified self-emulsifying polymer, the polyvinyl alcohol of the present invention, and the like are added to the dispersion obtained by the above-described method to obtain a receptor layer forming liquid. Mixing of the above-mentioned dispersion with the cationically modified self-emulsifying polymer, the polyvinyl alcohol of the present invention, and the like can be performed by ordinary propeller stirring, turbine stirring, homomixing stirring, or the like.

本発明における受容層12の形成方法において、受容層形成液に水溶性アルミニウム化合物をインライン混合させる際に用いられる好ましいインライン混合機は、特開2002−85948号公報等に記載されているがこれに限定されるものではない。   In the method for forming the receiving layer 12 in the present invention, a preferred in-line mixer used when in-line mixing a water-soluble aluminum compound with the receiving layer forming solution is described in JP-A-2002-85948, etc. It is not limited.

本発明における受容層12の形成方法は、受容層形成液に水溶性アルミニウム化合物をインライン混合して得られた塗布液(受容層材料を含む機能液)を基材上に塗布して形成された受容層12に、(1)前記塗布液(受容層材料を含む機能液)を塗布すると同時、(2)前記受容層12の乾燥途中であって前記受容層12が減率乾燥を示す前、のいずれかのときに、pHが7.1以上の塩基性溶液を付与し、前記受容層12の架橋硬化を行なう工程をさらに有してもよい。   The method for forming the receiving layer 12 in the present invention was formed by applying a coating liquid (functional liquid containing a receiving layer material) obtained by in-line mixing a water-soluble aluminum compound to a receiving layer forming liquid on a substrate. (1) At the same time as applying the coating liquid (functional liquid containing the receiving layer material) to the receiving layer 12, (2) before the receiving layer 12 is in the middle of drying, and the receiving layer 12 shows reduced-rate drying, In any of the cases, it may further include a step of applying a basic solution having a pH of 7.1 or higher and crosslinking and curing the receptor layer 12.

このようにして架橋硬化させた受容層12を設けることは、インク(金属コロイド溶液)の溶媒吸収性や膜のヒビ割れ防止などの観点から好ましい。   Providing the receptor layer 12 crosslinked and cured in this manner is preferable from the viewpoint of solvent absorbability of the ink (metal colloid solution) and prevention of cracking of the film.

本発明における受容層12の形成方法において、各工程における溶媒として水、有機溶媒、又はこれらの混合溶媒を用いることができる。この塗布に用いることができる有機溶媒としては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、メトキシプロパノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、酢酸エチル、トルエン等が挙げられる。   In the method for forming the receiving layer 12 in the present invention, water, an organic solvent, or a mixed solvent thereof can be used as a solvent in each step. Examples of the organic solvent that can be used for this coating include alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, and methoxypropanol, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, acetonitrile, ethyl acetate, and toluene. It is done.

受容層形成液の塗布は、例えば、エクストルージョンダイコーター、エアードクターコーター、ブレッドコーター、ロッドコーター、ナイフコーター、スクイズコーター、リバースロールコーター、バーコーター、インクジェット等の公知の塗布方法によって行うことができる。   The application of the receptor layer forming liquid can be performed by a known coating method such as, for example, an extrusion die coater, an air doctor coater, a bread coater, a rod coater, a knife coater, a squeeze coater, a reverse roll coater, a bar coater, or an ink jet. .

受容層形成液の塗布と同時、又は受容層形成液を塗布して形成された受容層12の乾燥途中であって該受容層12が減率乾燥を示す前に、該受容層12にpHが7.1以上の塩基性溶液が付与される。即ち、受容層形成液の塗布後、この受容層12が恒率乾燥速度を示す間にpHが7.1以上の塩基性溶液を導入することで好適に製造される。   At the same time as the application of the receiving layer forming liquid, or during the drying of the receiving layer 12 formed by applying the receiving layer forming liquid, and before the receiving layer 12 shows the reduced rate drying, the pH of the receiving layer 12 is increased. 7.1 or more basic solution is applied. That is, after the application of the receiving layer forming solution, it is preferably manufactured by introducing a basic solution having a pH of 7.1 or higher while the receiving layer 12 exhibits a constant rate of drying.

pHが7.1以上の塩基性溶液は、必要に応じて架橋剤等を含有することができる。pHが7.1以上の塩基性溶液は、アルカリ溶液として用いることで硬膜を促進でき、好ましくはpH7.5以上であり、特に好ましくはpH7.9以上である。前記pHが酸性側に近すぎると、架橋剤によって受容層形成液に含まれるポリビニルアルコールの架橋反応が十分に行なわれず、ブロンジングの発生や、受容層12にひび割れ等の欠陥を来すことがある。   The basic solution having a pH of 7.1 or higher can contain a crosslinking agent or the like as necessary. A basic solution having a pH of 7.1 or higher can promote dura mater by being used as an alkaline solution, preferably has a pH of 7.5 or higher, and particularly preferably has a pH of 7.9 or higher. When the pH is too close to the acidic side, the crosslinking reaction of the polyvinyl alcohol contained in the receiving layer forming liquid is not sufficiently performed by the cross-linking agent, which may cause bronzing and defects such as cracks in the receiving layer 12. .

pHが7.1以上の塩基性溶液は、例えば、イオン交換水に、金属化合物(例えば1〜5%)および塩基性化合物(例えば1〜5%)と、必要に応じてパラトルエンスルホン酸(例えば0.5〜3%)とを添加し、十分に攪拌することで調製することができる。なお、各組成物の「%」はいずれも固形分質量%を意味する。   A basic solution having a pH of 7.1 or higher is prepared, for example, in ion-exchanged water by adding a metal compound (for example, 1 to 5%) and a basic compound (for example, 1 to 5%) and, if necessary, paratoluenesulfonic acid ( For example, 0.5 to 3%) can be added and sufficiently stirred. In addition, all "%" of each composition means solid content mass%.

ここで、前記「受容層12が減率乾燥速度を示すようになる前」とは、通常、塗布液(受容層材料を含む機能液)の塗布直後から数分間の過程を指し、この間においては、塗布された受容層中の溶剤(分散媒体)の含有量が時間に比例して減少する「恒率乾燥速度」の現象を示す。この「恒率乾燥速度」を示す時間については、例えば、化学工学便覧(頁707〜712、丸善(株)発行、昭和55年10月25日)に記載されている。   Here, the phrase “before the receiving layer 12 comes to exhibit a decreasing rate of drying” usually refers to a process for several minutes immediately after application of the coating liquid (functional liquid containing the receiving layer material). The phenomenon of “constant rate drying rate” in which the content of the solvent (dispersion medium) in the applied receiving layer decreases in proportion to time is shown. About the time which shows this "constant rate drying speed", it describes in chemical engineering handbook (pages 707-712, Maruzen Co., Ltd. issue, October 25, 1980), for example.

前記の通り、受容層形成液の塗布後、該受容層12が減率乾燥速度を示すようになるまで乾燥されるが、この乾燥は一般に40〜180℃で0.5〜10分間(好ましくは、0.5〜5分間)行われる。この乾燥時間としては、当然塗布量により異なるが、通常は前記範囲が適当である。   As described above, after the application of the receiving layer forming solution, it is dried until the receiving layer 12 exhibits a reduced rate of drying. This drying is generally performed at 40 to 180 ° C. for 0.5 to 10 minutes (preferably 0.5 to 5 minutes). The drying time naturally varies depending on the coating amount, but usually the above range is appropriate.

前記の通り、受容層形成液の塗布後、該受容層12が減率乾燥速度を示すようになるまで乾燥されるが、この乾燥は一般に40〜180℃で0.5〜10分間(好ましくは、0.5〜5分間)行われる。この乾燥時間としては、当然塗布量により異なるが、通常は前記範囲が適当である。   As described above, after the application of the receiving layer forming solution, it is dried until the receiving layer 12 exhibits a reduced rate of drying. This drying is generally performed at 40 to 180 ° C. for 0.5 to 10 minutes (preferably 0.5 to 5 minutes). The drying time naturally varies depending on the coating amount, but usually the above range is appropriate.

次に、導電性金属部16(16a、16b)を形成する金属コロイド溶液について以下に詳述する。   Next, the metal colloid solution forming the conductive metal portion 16 (16a, 16b) will be described in detail below.

本発明に係る金属コロイド溶液は、金属コロイド溶液は、金属コロイド粒子が分散剤の存在により安定化してコロイド溶液となっているものであれば、特に限定されない。   The metal colloid solution according to the present invention is not particularly limited as long as the metal colloid solution is stabilized by the presence of the dispersant to form a colloid solution.

上記金属コロイド溶液に含まれる金属コロイド粒子は、高分子分散剤の存在下で金属化合物を還元して得られたものであることが好ましい。金属コロイド粒子は、上記高分子分散剤により、高濃度でも安定に金属コロイド粒子溶液の状態を保つことができる。この金属コロイド粒子中の金属濃度は、高いほど好ましく、93質量%以上、さらには95質量%以上が好ましい。   The metal colloid particles contained in the metal colloid solution are preferably obtained by reducing a metal compound in the presence of a polymer dispersant. The colloidal metal particles can maintain the state of the colloidal metal particle solution stably even at a high concentration by the polymer dispersant. The metal concentration in the metal colloidal particles is preferably as high as possible, and is preferably 93% by mass or more, and more preferably 95% by mass or more.

上記金属コロイド粒子中の金属濃度とは、金属コロイド粒子溶液の固形分中に占める金属の質量%を意味する。固形分量については140℃で加熱した加熱残分量を、また、金属量については500℃で加熱した加熱残分量をそれぞれ測定して求めることができる。具体的には、TG−DTAを用いて、140℃まで10℃/分で昇温した後、30分間、140℃を維持して、まず固形分量を求める。その後、500℃まで再び10℃/分で昇温した後、30分間、500℃を維持して金属量を求める。本明細書における金属濃度の測定は、特に断りのない限り、この方法を用いて行ったものである。   The metal concentration in the metal colloid particles means the mass% of metal in the solid content of the metal colloid particle solution. The amount of the heated residue heated at 140 ° C. can be determined for the solid content, and the amount of the heated residue heated at 500 ° C. can be determined for the metal amount. Specifically, using TG-DTA, the temperature is raised to 140 ° C. at 10 ° C./min, then maintained at 140 ° C. for 30 minutes, and the solid content is first determined. Thereafter, the temperature is raised again to 500 ° C. at 10 ° C./min, and then the temperature is maintained at 500 ° C. for 30 minutes to determine the amount of metal. The measurement of the metal concentration in this specification is performed using this method unless otherwise specified.

上記金属コロイド粒子の原料となる金属化合物は、溶媒に溶解することにより金属イオンを生じるものであり、このイオンが還元されて金属コロイド粒子が析出する。金属コロイド粒子を形成する金属として特に限定はないが、導電性を得る目的から貴金属または銅が好ましい。上記貴金属としては特に限定されず、例えば、金、銀、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金等を挙げることができる。なかでも、金、銀、白金、パラジウムが好ましく、優れた導電性の点から特に銀が好ましい。   The metal compound used as the raw material for the metal colloid particles generates metal ions when dissolved in a solvent, and the ions are reduced to deposit metal colloid particles. The metal forming the metal colloidal particles is not particularly limited, but a noble metal or copper is preferable for the purpose of obtaining conductivity. The noble metal is not particularly limited, and examples thereof include gold, silver, ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, and platinum. Of these, gold, silver, platinum, and palladium are preferable, and silver is particularly preferable from the viewpoint of excellent conductivity.

上記金属化合物としては上述の貴金属や銅を含むものであれば特に限定されず、例えば、テトラクロロ金(III)酸四水和物(塩化金酸)、硝酸銀、酢酸銀、過塩素酸銀(IV)、ヘキサクロロ白金(IV)酸六水和物(塩化白金酸)、塩化白金酸カリウム、塩化銅(II)二水和物、酢酸銅(II)一水和物、硫酸銅(II)、塩化パラジウム(II)二水和物、三塩化ロジウム(III)三水和物等を挙げることができる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   The metal compound is not particularly limited as long as it contains the above-mentioned noble metal or copper. For example, tetrachlorogold (III) acid tetrahydrate (chloroauric acid), silver nitrate, silver acetate, silver perchlorate ( IV), hexachloroplatinic (IV) acid hexahydrate (chloroplatinic acid), potassium chloroplatinate, copper (II) chloride dihydrate, copper acetate (II) monohydrate, copper (II) sulfate, Palladium (II) chloride dihydrate, rhodium trichloride (III) trihydrate and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

上記金属化合物は、溶媒中の金属モル濃度が0.01mol/l以上となるように用いられることが好ましい。0.01mol/l未満であると、得られる金属コロイド粒子溶液の金属モル濃度が低すぎて、効率的でない。好ましくは0.05mol/l以上、より好ましくは0.1mol/l以上である。   The metal compound is preferably used so that the metal molar concentration in the solvent is 0.01 mol / l or more. If it is less than 0.01 mol / l, the resulting metal colloidal particle solution has a metal molar concentration that is too low to be efficient. Preferably it is 0.05 mol / l or more, More preferably, it is 0.1 mol / l or more.

上記溶媒としては上記金属化合物を溶解することができるものであれば特に限定されず、例えば、水、有機溶媒等を挙げることができる。上記有機溶媒等としては特に限定されず、例えば、エタノール、エチレングリコール等の炭素数1〜4のアルコール;アセトン等のケトン類;酢酸エチル等のエステル類等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記溶媒が水と有機溶媒との混合物である場合には、上記有機溶媒としては、水可溶性のものが好ましく、例えば、アセトン、メタノール、エタノール、エチレングリコール等が挙げられる。後の濃縮工程で行う限外濾過処理に適する点から、水、アルコール並びに水およびアルコールの混合溶液が好ましい。   The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the metal compound, and examples thereof include water and organic solvents. It does not specifically limit as said organic solvent etc., For example, C1-C4 alcohol, such as ethanol and ethylene glycol; Ketones, such as acetone; Esters, such as ethyl acetate, etc. are mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. When the solvent is a mixture of water and an organic solvent, the organic solvent is preferably water-soluble, and examples thereof include acetone, methanol, ethanol, ethylene glycol, and the like. From the viewpoint of being suitable for the ultrafiltration treatment performed in the subsequent concentration step, water, alcohol and a mixed solution of water and alcohol are preferable.

一方、上記高分子分散剤としては、高分子量の重合体に金属コロイド粒子表面に対する親和性の高い官能基が導入されているとともに、溶媒和部分を含む構造を有する両親媒性の共重合体を用いることが好ましい。   On the other hand, as the polymer dispersing agent, an amphiphilic copolymer having a structure having a solvation portion and a functional group having a high affinity for the surface of the metal colloid particles is introduced into a high molecular weight polymer. It is preferable to use it.

このような高分子分散剤は、通常、ペーストの製造時に分散剤として使用されているものであり、一般的な数平均分子量は1000〜100万である。数平均分子量が1000未満であると、分散安定性が充分でないことがあり、100万を超えると、粘度が高すぎて取り扱いが困難となる場合がある。数平均分子量のより好ましい値は2000〜50万であり、さらに好ましくは、4000〜50万である。   Such a polymer dispersing agent is usually used as a dispersing agent at the time of producing a paste, and a general number average molecular weight is 1,000 to 1,000,000. When the number average molecular weight is less than 1000, the dispersion stability may not be sufficient. When it exceeds 1,000,000, the viscosity may be too high and handling may be difficult. A more preferable value of the number average molecular weight is 2000 to 500,000, and more preferably 4000 to 500,000.

上記高分子分散剤としては上述の性質を有するものであれば特に限定されず、例えば、特開平11−80647号公報に例示したものを挙げることができる。高分子分散剤としては、種々のものが利用できるが、市販されているものを使用することもできる。市販品としては、例えば、ソルスパース20000、ソルスパース24000、ソルスパース26000、ソルスパース27000、ソルスパース28000、ソルスパース41090(以上、アビシア社製)、ディスパービック160、ディスパービック161、ディスパービック162、ディスパービック163、ディスパービック166、ディスパービック170、ディスパービック180、ディスパービック181、ディスパービック182、ディスパービック−183、ディスパービック184、ディスパービック190、ディスパービック191、ディスパービック192、ディスパービック−2000、ディスパービック−2001(以上、ビックケミー社製)、ポリマー100、ポリマー120、ポリマー150、ポリマー400、ポリマー401、ポリマー402、ポリマー403、ポリマー450、ポリマー451、ポリマー452、ポリマー453、EFKA−46、EFKA−47、EFKA−48、EFKA−49、EFKA−1501、EFKA−1502、EFKA−4540、EFKA−4550(以上、EFKAケミカル社製)、フローレンDOPA−158、フローレンDOPA−22、フローレンDOPA−17、フローレンG−700、フローレンTG−720W、フローレン−730W、フローレン−740W、フローレン−745W、(以上、共栄社化学社製)、アジスパーPA111、アジスパーPB711、アジスパーPB811、アジスパーPB821、アジスパーPW911(以上、味の素社製)、ジョンクリル678、ジョンクリル679、ジョンクリル62(以上、ジョンソンポリマー社製)等を挙げることができる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The polymer dispersant is not particularly limited as long as it has the above-described properties, and examples thereof include those exemplified in JP-A-11-80647. Various polymer dispersing agents can be used, but commercially available ones can also be used. Examples of commercially available products include Solsperse 20000, Solsperse 24000, Solsperse 26000, Solsperse 27000, Solsperse 28000, Solsperse 41090 (above, manufactured by Avicia), Dispersic 160, Dispersic 161, Dispersic 162, Dispersic 163, Dispersic 166, Dispersic 170, Dispersic 180, Dispersic 181, Dispersic 182, Dispersic-183, Dispersic 184, Dispersic 190, Dispersic 191, Dispersic 192, Dispersic-2000, Dispersic-2001 (or above) , Manufactured by Big Chemie), polymer 100, polymer 120, polymer 150, polymer 00, polymer 401, polymer 402, polymer 403, polymer 450, polymer 451, polymer 452, polymer 453, EFKA-46, EFKA-47, EFKA-48, EFKA-49, EFKA-1502, EFKA-1502, EFKA-4540 , EFKA-4550 (manufactured by EFKA Chemical Co., Ltd.), FLOREN DOPA-158, FLOREN DOPA-22, FLOREN DOPA-17, FLOREN G-700, FLOREN TG-720W, FLOREN-730W, FLOREN-740W, FLOREN-745W, (Above, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), Addispar PA111, Addispar PB711, Addispar PB811, Addispar PB821, Addispar PW911 (above, manufactured by Ajinomoto Co., Inc.), Jonkrill 678, Di Nkuriru 679, Joncryl 62 (or more, Johnson Ltd. Polymer Co.), and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

上記高分子分散剤の使用量は、上記金属化合物中の金属と高分子分散剤との合計量に対して10質量%以下であることが好ましい。10質量%を超えると、後に限外濾過処理を行う場合、溶液における固形分中の金属濃度を所望の濃度に高めることができないおそれがある。より好ましくは、8質量%以下であり、さらに好ましくは、7質量%以下である。   The amount of the polymer dispersant used is preferably 10% by mass or less based on the total amount of the metal and the polymer dispersant in the metal compound. When it exceeds 10 mass%, when performing an ultrafiltration process later, there exists a possibility that the metal concentration in solid content in a solution cannot be raised to a desired density | concentration. More preferably, it is 8 mass% or less, More preferably, it is 7 mass% or less.

上記金属化合物の還元は、還元性化合物を用いて行うことができる。上記還元性化合物としては、アミンが好ましく、例えば、上記金属化合物および高分子分散剤の溶液にアミンを添加して攪拌、混合することによって、金属イオンが常温付近で金属に還元される。上記アミンを使用すれば、危険性や有害性の高い還元剤を使用する必要がなく、加熱や特別な光照射装置を使用することなしに、5〜100℃程度、好ましくは20〜80℃程度の反応温度で、金属化合物を還元することができる。   The reduction of the metal compound can be performed using a reducing compound. The reducing compound is preferably an amine. For example, when an amine is added to a solution of the metal compound and the polymer dispersant and stirred and mixed, the metal ions are reduced to a metal at around room temperature. If the amine is used, it is not necessary to use a reducing agent having high risk and harmfulness, and it is about 5 to 100 ° C., preferably about 20 to 80 ° C. without using heating or a special light irradiation device. The metal compound can be reduced at the reaction temperature of

上記アミンとしては特に限定されず、例えば、特開平11−80647号公報に例示されているものを使用することができ、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラメチルエチレンジアミン、1,3−ジアミノプロパン、N,N,N′,N′−テトラメチル−1,3−ジアミノプロパン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン等の脂肪族アミン;ピペリジン、N−メチルピペリジン、ピペラジン、N,N′−ジメチルピペラジン、ピロリジン、N−メチルピロリジン、モルホリン等の脂環式アミン;アニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、トルイジン、アニシジン、フェネチジン等の芳香族アミン;ベンジルアミン、N−メチルベンジルアミン、N,N−ジメチルベンジルアミン、フェネチルアミン、キシリレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラメチルキシリレンジアミン等のアラルキルアミン等を挙げることができる。また、上記アミンとして、例えば、メチルアミノエタノール、ジメチルアミノエタノール、トリエタノールアミン、エタノールアミン、ジエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、プロパノールアミン、2−(3−アミノプロピルアミノ)エタノール、ブタノールアミン、ヘキサノールアミン、ジメチルアミノプロパノール等のアルカノールアミンも挙げることができる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらのうち、アルカノールアミンが好ましく、ジメチルアミノエタノールがより好ましい。   The amine is not particularly limited and, for example, those exemplified in JP-A No. 11-80647 can be used. Propylamine, butylamine, hexylamine, diethylamine, dipropylamine, dimethylethylamine, diethylmethyl Amine, triethylamine, ethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, 1,3-diaminopropane, N, N, N ′, N′-tetramethyl-1,3-diaminopropane, triethylenetetramine Aliphatic amines such as tetraethylenepentamine; alicyclic amines such as piperidine, N-methylpiperidine, piperazine, N, N′-dimethylpiperazine, pyrrolidine, N-methylpyrrolidine, morpholine; aniline, N-methylaniline, N, N-dimethylaniline Aromatic amines such as toluidine, anisidine, phenetidine; benzylamine, N-methylbenzylamine, N, N-dimethylbenzylamine, phenethylamine, xylylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethylxylylenediamine, etc. And aralkylamine. Examples of the amine include methylaminoethanol, dimethylaminoethanol, triethanolamine, ethanolamine, diethanolamine, methyldiethanolamine, propanolamine, 2- (3-aminopropylamino) ethanol, butanolamine, hexanolamine, dimethylamino. Mention may also be made of alkanolamines such as propanol. These may be used alone or in combination of two or more. Of these, alkanolamine is preferable, and dimethylaminoethanol is more preferable.

上記アミンの他に、還元剤として知られる水素化ホウ素ナトリウム等のアルカリ金属水素化ホウ素塩、ヒドラジン化合物、クエン酸、酒石酸、アスコルビン酸、ギ酸、ホルムアルデヒド、亜ニチオン酸塩、スルホキシル酸塩誘導体等を使用することができる。入手容易なことから、クエン酸、酒石酸、アスコルビン酸が好ましい。これらは、単独または上記アミンと組み合わせて使用することが可能であるが、アミンとクエン酸、酒石酸、アスコルビン酸を組み合わせる場合、クエン酸、酒石酸、アスコルビン酸はそれぞれ塩の形のものを用いることが好ましい。また、クエン酸やスルホキシル酸塩誘導体は、鉄(II)イオンと併用することによって、還元性の向上を図ることができる。   In addition to the above amines, alkali metal borohydride salts such as sodium borohydride known as reducing agents, hydrazine compounds, citric acid, tartaric acid, ascorbic acid, formic acid, formaldehyde, nitrite, sulfoxylate derivatives, etc. Can be used. Citric acid, tartaric acid, and ascorbic acid are preferable because they are easily available. These can be used alone or in combination with the above amines, but when combining an amine with citric acid, tartaric acid, and ascorbic acid, each of citric acid, tartaric acid, and ascorbic acid should be in the form of a salt. preferable. In addition, citric acid or a sulfoxylate derivative can be used in combination with iron (II) ions to improve reducibility.

上記還元性化合物の添加量は、上記金属化合物中の金属を還元するのに必要な量以上であることが好ましい。この量未満であると、還元が不充分となるおそれがある。また、上限は特に規定されないが、上記金属化合物中の金属を還元するのに必要な量の30倍以下であることが好ましく、10倍以下であることがより好ましい。また、これらの還元性化合物の添加により化学的に還元する方法以外に、高圧水銀灯を用いて光照射する方法も使用することも可能である。   The amount of the reducing compound added is preferably equal to or greater than the amount necessary for reducing the metal in the metal compound. If the amount is less than this amount, reduction may be insufficient. Moreover, although an upper limit in particular is not prescribed | regulated, it is preferable that it is 30 times or less of the quantity required in order to reduce | restore the metal in the said metal compound, and it is more preferable that it is 10 times or less. In addition to the method of chemically reducing by adding these reducing compounds, it is also possible to use a method of irradiating light using a high-pressure mercury lamp.

上記還元性化合物を添加する方法としては特に限定されず、例えば、上記高分子分散剤の添加後に行うことができ、この場合は、例えば、まず溶媒に上記高分子分散剤を溶解させ、さらに、上記還元性化合物または金属化合物の何れかを溶解させて得られる溶液に、還元性化合物または金属化合物の残った方を加えることで、還元を進行させることができる。上記還元性化合物を添加する別の方法として、先に高分子分散剤と上記還元性化合物とを混合しておき、この混合物を金属化合物の溶液に加える形態をとってもよい。   The method for adding the reducing compound is not particularly limited, and can be performed, for example, after the addition of the polymer dispersant. In this case, for example, the polymer dispersant is first dissolved in a solvent, Reduction can be promoted by adding the remaining reducing compound or metal compound to a solution obtained by dissolving either the reducing compound or metal compound. As another method for adding the reducing compound, the polymer dispersant and the reducing compound may be mixed in advance, and the mixture may be added to the metal compound solution.

上記還元により、平均粒子径が約5nm〜100nmである金属コロイド粒子を含む溶液が得られる。この溶液は、上記金属コロイド粒子および上述の高分子分散剤を含むものである。本発明において金属コロイド粒子溶液とは、金属の微粒子が溶媒中に分散しており、溶液として視認できるような状態にあるものと定義する。上記製造工程で得られる金属コロイド粒子溶液の金属濃度は、既述の通りTG−DTA等で測定して決定することができるが、測定を行わない場合には、仕込みに用いた配合量から計算される値を用いることもできる。   By the reduction, a solution containing metal colloid particles having an average particle diameter of about 5 nm to 100 nm is obtained. This solution contains the metal colloid particles and the polymer dispersant described above. In the present invention, the metal colloid particle solution is defined as a state in which metal fine particles are dispersed in a solvent and are visible as a solution. The metal concentration of the metal colloid particle solution obtained in the above production process can be determined by measuring with TG-DTA or the like as described above, but if not measured, it is calculated from the blending amount used for the preparation. The value to be used can also be used.

次に、上記還元後の溶液に対して限外濾過処理を行うことができる。上記還元後の金属コロイド粒子溶液中には、金属コロイド粒子および高分子分散剤のほかに、原料に由来する塩化物イオン等の雑イオン、還元で生じた塩やアミン等の不純物が含まれる。これら不純物は、金属コロイド溶液の安定性に悪影響を及ぼすおそれがあるので除去しておくことが望ましい。この除去手段としては電気透析、遠心分離、限外濾過等があるが、とくに限外濾過は、上記不純物の除去と同時に、高分子分散剤の一部を除去することによる濃縮も実施でき、金属濃度を高めることができる。   Next, an ultrafiltration treatment can be performed on the solution after the reduction. In the metal colloid particle solution after the reduction, in addition to the metal colloid particles and the polymer dispersant, impurities such as chloride ions derived from the raw material and salts and amines generated by the reduction are contained. Since these impurities may adversely affect the stability of the metal colloid solution, it is desirable to remove them. This removal means includes electrodialysis, centrifugation, ultrafiltration, etc. In particular, ultrafiltration can be concentrated by removing a part of the polymer dispersant simultaneously with the removal of the above impurities. The concentration can be increased.

上記限外濾過処理前の、金属コロイド溶液に含まれる金属コロイド粒子および高分子分散剤からなる固形分は、質量基準で0.05〜50%であることが好ましい。この固形分量が0.05%未満であると、金属モル濃度が低すぎて効率的な限外濾過ができず、50%を超えると不純物の除去が困難となる場合がある。   The solid content of the metal colloid particles and the polymer dispersant contained in the metal colloid solution before the ultrafiltration treatment is preferably 0.05 to 50% on a mass basis. If the solid content is less than 0.05%, the metal molar concentration is too low to perform efficient ultrafiltration, and if it exceeds 50%, it may be difficult to remove impurities.

上記限外濾過は、通常、分離対象となる物質の径が1nm〜5μmである。上記径を対象とすることにより、上記不純物とともに、上記高分子分散剤の一部を除去し、得られる金属コロイド粒子の金属濃度を高めることができる。上記径が1nm未満であると、上記不純物等の不要な成分が濾過膜を通過せず排除できないことがあり、5μmを超えると、上記金属コロイド粒子の多くが濾過膜を通過し、高濃度の金属コロイド粒子が得られない場合がある。   In the ultrafiltration, a substance to be separated usually has a diameter of 1 nm to 5 μm. By targeting the diameter, a part of the polymer dispersant can be removed together with the impurities, and the metal concentration of the resulting metal colloid particles can be increased. When the diameter is less than 1 nm, unnecessary components such as impurities may not be eliminated without passing through the filtration membrane. When the diameter exceeds 5 μm, many of the metal colloidal particles pass through the filtration membrane and have a high concentration. Metal colloidal particles may not be obtained.

上記限外濾過の濾過膜としては特に限定されないが、通常、例えば、ポリアクリロニトリル、塩化ビニル/アクリロニトリル共重合体、ポリサルフォン、ポリイミド、ポリアミド等の樹脂製のものが用いられる。これらのうち、ポリアクリロニトリル、ポリサルフォンが好ましく、ポリアクリロニトリルがより好ましい。上記限外濾過の濾過膜は、また、上記限外濾過終了後に通常行われる濾過膜の洗浄を効率よく行う点から、逆洗浄が可能な濾過膜を用いることが好ましい。   The filtration membrane for ultrafiltration is not particularly limited, but usually, for example, a resin made of a resin such as polyacrylonitrile, vinyl chloride / acrylonitrile copolymer, polysulfone, polyimide, polyamide or the like is used. Of these, polyacrylonitrile and polysulfone are preferable, and polyacrylonitrile is more preferable. The ultrafiltration filtration membrane is preferably a filtration membrane that can be back-washed from the viewpoint of efficiently washing the filtration membrane that is usually performed after the ultrafiltration.

上記限外濾過の濾過膜としては、分画分子量が3000〜80000のものが好ましい。分画分子量が3000未満であると、不要な高分子分散剤等が充分に除去されにくく、80000を超えると、濾過膜を通過しやすくなるため、目的とする金属コロイド粒子が得られない場合がある。分画分子量のより好ましい値は、10000〜60000である。上記分画分子量とは、一般的に、高分子溶液を限外濾過膜に通す場合に限外濾過膜の孔内を通過して外に排除される高分子の分子量を意味し、濾過膜の孔径を評価するために用いられる。上記分画分子量が大きな値を示す程、濾過膜の孔径は大きい。   As the membrane for the ultrafiltration, those having a fractional molecular weight of 3000 to 80000 are preferable. If the molecular weight cut-off is less than 3000, unnecessary polymer dispersants and the like are not easily removed. is there. A more preferable value of the molecular weight cut-off is 10,000 to 60,000. The molecular weight cut off generally means the molecular weight of a polymer that passes through the pores of the ultrafiltration membrane and is excluded to the outside when the polymer solution is passed through the ultrafiltration membrane. Used to evaluate pore size. The larger the molecular weight cut off, the larger the pore size of the filtration membrane.

上記限外濾過の濾過モジュールの形態としては特に限定されず、例えば、濾過膜の形態によって中空糸型モジュール(キャピラリーモジュールとも呼ばれる)、スパイラルモジュール、チューブラーモジュール、プレート型モジュール等が挙げられ、何れも本発明に好適に用いられる。これらのうち、効率の点から、濾過面積は大きく形態はコンパクトな点から中空糸型モジュールが好ましい。なお、処理を行う金属コロイド粒子溶液の量が多い場合には、使用する限界濾過膜本数が多いものを使うことが好ましい。   The form of the ultrafiltration filtration module is not particularly limited, and examples thereof include a hollow fiber type module (also called a capillary module), a spiral module, a tubular module, a plate type module, and the like depending on the form of the filtration membrane. Is also preferably used in the present invention. Among these, the hollow fiber type module is preferable from the viewpoint of efficiency and the filtration area is large and the form is compact. In addition, when the amount of the metal colloid particle solution to be treated is large, it is preferable to use one having a large number of ultrafiltration membranes to be used.

上記限外濾過の方法としては特に限定されず、従来公知の方法により、上記金属化合物を還元して得られた金属コロイド粒子溶液を限外濾過膜に通す。これにより上述の不純物や高分子分散剤を含む濾液が排除される。なお限外濾過は、通常、濾液の上記雑イオンが所望の濃度以下に除去されるまで繰り返し行う。その際、処理する金属コロイド粒子溶液の濃度を一定にするために排除された濾液の量と同じ量の溶剤を加えることが好ましい。このときに加える溶剤として、還元時に用いていたものと異なる種類のものを用いることで、金属コロイド粒子溶液の溶剤を置換することが可能である。   The ultrafiltration method is not particularly limited, and a metal colloid particle solution obtained by reducing the metal compound is passed through an ultrafiltration membrane by a conventionally known method. This eliminates the filtrate containing the impurities and polymer dispersant described above. The ultrafiltration is usually repeated until the miscellaneous ions in the filtrate are removed to a desired concentration or less. At that time, it is preferable to add the same amount of solvent as the amount of filtrate removed in order to keep the concentration of the colloidal metal particle solution to be treated constant. As the solvent added at this time, it is possible to replace the solvent of the metal colloid particle solution by using a different kind of solvent from that used at the time of reduction.

上記限外濾過は、通常の操作、例えば、いわゆるバッチ方式で行うことができる。このバッチ方式は、限外濾過が進んだ分、処理対象である金属コロイド粒子溶液を加えていく方法である。なお、上記限外濾過は、上記雑イオンが所望の濃以下に除去された後で、固形分濃度を高めるためにさらに行うことも可能である。   The ultrafiltration can be performed by a normal operation, for example, a so-called batch system. This batch method is a method of adding the metal colloid particle solution to be treated as the ultrafiltration progresses. The ultrafiltration may be further performed to increase the solid content concentration after the miscellaneous ions are removed to a desired concentration or less.

このようにして得られた金属コロイド粒子溶液は、インクジェット方式に適した形態に調整されて金属コロイド溶液となる。通常、粘度調整、分散性の向上、受容層12への浸透性向上あるいはノズルの乾燥防止を目的として、グリセリン、マルチトール、カルボキシメチルセルロースなどの水溶性樹脂、エチレングリコール、界面活性剤、pH調整剤、キレート剤、結合剤、表面張力調整剤、可塑剤などを加えられる。さらに、必要に応じて、防カビ剤、防腐剤、保湿剤、蒸発促進剤、消泡剤、酸化防止剤、光安定剤、劣化防止剤、酸素吸収剤、防錆剤などを加えることもできる。   The metal colloid particle solution thus obtained is adjusted to a form suitable for the ink jet system to become a metal colloid solution. Usually, water-soluble resins such as glycerin, maltitol, carboxymethylcellulose, ethylene glycol, surfactants, pH adjusters for the purpose of adjusting viscosity, improving dispersibility, improving permeability to the receiving layer 12 or preventing drying of the nozzle Chelating agents, binders, surface tension modifiers, plasticizers, etc. can be added. Furthermore, if necessary, a fungicide, an antiseptic, a moisturizer, an evaporation accelerator, an antifoaming agent, an antioxidant, a light stabilizer, a deterioration inhibitor, an oxygen absorber, a rust inhibitor and the like can be added. .

金属コロイド溶液における金属含有量は2〜50重量%、上記調整に用いられた成分の含有量は0.3〜30重量%、粘度は3〜30センチポイズに設定することができる。
上記金属コロイド溶液は、液相還元法の実施例を示したが、本発明はこれに限定されず、いわゆる気相法により製造される金属コロイド溶液を用いていもよい。例えば、ハリマ化成(株)より、NPS−Jの名で市販されているものを好適に用いることができる。
The metal content in the metal colloid solution can be set to 2 to 50% by weight, the content of the components used for the above adjustment can be set to 0.3 to 30% by weight, and the viscosity can be set to 3 to 30 centipoise.
Although the example of the liquid colloid solution has been described with respect to the metal colloid solution, the present invention is not limited to this, and a metal colloid solution produced by a so-called gas phase method may be used. For example, what is marketed by the name of NPS-J from Harima Kasei Co., Ltd. can be used suitably.

本発明は、基本的に以上のようなものである。
以上、本発明の配線形成方法について詳細に説明したが、本発明はこれらに限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
The present invention is basically as described above.
The wiring forming method of the present invention has been described in detail above, but the present invention is not limited to these, and it goes without saying that various improvements and modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.

以下、本発明の具体的実施例をあげ、本発明をより詳細に説明する。
なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は、以下に示す具体例より限定的に解釈されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples of the present invention.
In addition, materials, usage amounts, ratios, processing contents, processing procedures, and the like shown in the following examples can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not construed as being limited to the specific examples shown below.

以下に示す方法により電子回路基板を作製し、それらの各評価を行った。
(実施例1)
まず、マイグレーション防止溶液(旭硝子(株)製 サイトップCTX−100)を、溶媒(旭硝子(株)製 CT−Solv.100)により濃度3%になるように希釈し、その希釈液をピエゾ式のインクジェット記録装置(富士フイルム(株)製 DMP−2831)のヘッドに充填して、反転導電性パターンの画像データに基いて、受容層付基材であるインクジェット専用紙(富士フイルム(株)製“画彩”)に吐出して描画した。
ついで、ピエゾ式のインクジェット記録装置(富士フイルム(株)製 DMP−2831)のヘッドに、銀コロイドインク(住友電気工業(株) AGIN−W4A)を充填し、導電性(配線)パターンの画像データに基いて、受容層付基材であるインクジェット専用紙(富士フイルム(株)製“画彩”)に吐出して描画し、常温で7日間放置で乾燥させて実施例1の電子回路基板を作製した。
なお、導電性パターンは、導体幅/導体間隔幅(L/S)が100μm/100μmの櫛歯パターンとなるように形成した。
(比較例)
ピエゾ式のインクジェット記録装置(富士フイルム(株)製 DMP−2831)のヘッドに、銀コロイドインク(住友電気工業(株)製 AGIN−W4A)を充填し、導電性(配線)パターンの画像データに基いて、受容層付基材であるインクジェット専用紙(富士フイルム(株)製“画彩”)に吐出して描画し、常温で7日間放置して乾燥させ、マイグレーション防止処理をせずに、比較例の電子回路基板を作製した。
なお、導電性パターン(描画パターン)は、導体幅/導体間隔幅(L/S)が100μm/100μmの櫛歯パターンとなるように形成した。
(参考例)
ピエゾ式のインクジェット記録装置(富士フイルム(株)製 DMP−2831)のヘッドに、銀コロイドインク(ハリマ化成(株) NPS−J)を充填し、導電性(配線)パターンの画像データに基いて、受容層がついていない基板であるカプトンフィルム(東レ・デュポン(株)製“EN”)に吐出して描画し、220℃、1時間で焼結して、参考例の電子回路基板を作製した。
なお、導電性パターン(描画パターン)は、導体幅/導体間隔幅(L/S)が100μm/100μmの櫛歯パターンとなるように形成した。
なお、各電子回路基板の形成方法の概要を表1に示した。
Electronic circuit boards were produced by the methods described below and their respective evaluations were performed.
Example 1
First, a migration prevention solution (Cytop CTX-100 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) is diluted with a solvent (CT-Solv. 100 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) to a concentration of 3%, and the diluted solution is piezo-type. Filled in the head of an ink jet recording apparatus (DMP-2831 manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) and based on the image data of the reverse conductive pattern, the ink jet dedicated paper (made by Fuji Film Co., Ltd. “ Painted and drawn on the painting “)”.
Next, silver colloidal ink (Sumitomo Electric Industries, Ltd. AGIN-W4A) is filled in the head of a piezo-type ink jet recording apparatus (DMP-2831 manufactured by Fuji Film Co., Ltd.), and image data of a conductive (wiring) pattern is obtained. In this case, the electronic circuit board of Example 1 is obtained by discharging and drawing on a special ink jet paper (“Image” manufactured by Fuji Film Co., Ltd.), which is a base material with a receiving layer, and allowing it to stand at room temperature for 7 days to dry. Produced.
The conductive pattern was formed so as to be a comb-teeth pattern having a conductor width / conductor interval width (L / S) of 100 μm / 100 μm.
(Comparative example)
The head of a piezo-type ink jet recording apparatus (DMP-2831 manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) is filled with silver colloid ink (AGIN-W4A manufactured by Sumitomo Electric Industries, Ltd.), and the image data of the conductive (wiring) pattern is obtained. Based on the ink jet paper (Fuji Film Co., Ltd. “Image”), which is a base material with a receiving layer, it is drawn and drawn, and left to dry at room temperature for 7 days, without migration prevention treatment. The electronic circuit board of the comparative example was produced.
The conductive pattern (drawing pattern) was formed to be a comb-teeth pattern having a conductor width / conductor interval width (L / S) of 100 μm / 100 μm.
(Reference example)
The head of a piezo-type ink jet recording apparatus (DMP-2831 manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) was filled with silver colloid ink (Harima Kasei Co., Ltd. NPS-J), and based on the image data of the conductive (wiring) pattern. Then, it was drawn by drawing on a Kapton film (“EN” manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.), which is a substrate without a receiving layer, and sintered at 220 ° C. for 1 hour to produce a reference electronic circuit board. .
The conductive pattern (drawing pattern) was formed to be a comb-teeth pattern having a conductor width / conductor interval width (L / S) of 100 μm / 100 μm.
The outline of the method for forming each electronic circuit board is shown in Table 1.


インクジェット(IJ)専用紙:富士フイルム(株)製 インクジェット専用紙“画彩”
ポリイミド(PI)フィルム:東レ・デュポン(株)製 カプトンフィルム“EN”
金属コロイド溶液A:住友電気工業(株)製“AGIN-W4A”
金属コロイド溶液B:ハリマ化成(株)製“NPS-J”
マイグレーション防止溶液:旭硝子(株)製“サイトップ”希釈液

Inkjet (IJ) paper: Fujifilm Co., Ltd. inkjet paper “Image”
Polyimide (PI) film: Kapton film “EN” manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.
Metal colloid solution A: “AGIN-W4A” manufactured by Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Metal colloid solution B: “NPS-J” manufactured by Harima Kasei Co., Ltd.
Migration prevention solution: “Cytop” diluted solution by Asahi Glass Co., Ltd.

〔抵抗率測定、および耐マイグレーション評価〕
上記方法により作製した各電子回路基板は、触針式段差・表面形状測定器((株)アルバック製 DektakIII)で膜厚を測定し、低抵抗率計(三菱化学(株)製 ロレスターGP)でシート抵抗を測定し、測定した膜厚値を用いて、体積抵抗率を算出した。なお、体積抵抗率は、使用する配線用途にも依存するが、−5乗以下の値であれば、何れの用途にも十分に使用可能である。結果を表2に示す。
[Resistivity measurement and migration resistance evaluation]
Each electronic circuit board produced by the above method was measured with a stylus type step / surface shape measuring instrument (Dektak III manufactured by ULVAC, Inc.), and with a low resistivity meter (Lorester GP manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). The sheet resistance was measured, and the volume resistivity was calculated using the measured film thickness value. The volume resistivity depends on the wiring application to be used, but can be sufficiently used for any application as long as it is a value equal to or lower than −5. The results are shown in Table 2.

耐マイグレーション評価は、下記方法で評価した。
図2に示すように、恒温恒湿槽(タバイエスペック製 LHU−113)32に、作製した各電子回路基板30をセットし、電子回路基板30に対して外部電源34を並列に、抵抗36:100KΩを直列に接続した。次いで、スイッチ40を操作し、100KΩの抵抗36の両側における電位差をデジタルマルチメータ38で測定し、PC42上でモニターした。なお、測定条件は、上記恒温恒湿槽32:温度60℃、湿度90%RHとし、印加電圧は、25Vとした。判定基準としては、絶縁抵抗値が1MΩ未満となった時点を故障したと判断した。
結果を表3および図3に示す。
The migration resistance evaluation was evaluated by the following method.
As shown in FIG. 2, each manufactured electronic circuit board 30 is set in a constant temperature and humidity chamber (LHU-113 manufactured by Tabai Espec), an external power supply 34 is connected in parallel to the electronic circuit board 30, and a resistor 36: 100 KΩ was connected in series. Next, the switch 40 was operated, and the potential difference between both sides of the 100 KΩ resistor 36 was measured by the digital multimeter 38 and monitored on the PC 42. The measurement conditions were the above-mentioned constant temperature and humidity chamber 32: temperature 60 ° C., humidity 90% RH, and the applied voltage was 25V. As a criterion, it was determined that a failure occurred when the insulation resistance value was less than 1 MΩ.
The results are shown in Table 3 and FIG.

表2の結果より、受容層を有する基材を用いて配線形成をした実施例1および比較例の場合、低温焼結をしても、低抵抗、すなわち、高い導電性が得られることが確認された。
従って、本実施例による電子回路基板は、高温焼結を行わなくても、従来使用されている参考例の電子回路基板とほぼ同等の導電性を有することがわかった。
From the results of Table 2, it was confirmed that in Example 1 and Comparative Example in which wiring was formed using a base material having a receiving layer, low resistance, that is, high conductivity was obtained even if low-temperature sintering was performed. It was done.
Therefore, it was found that the electronic circuit board according to the present example has substantially the same conductivity as that of the electronic circuit board of the reference example that has been conventionally used without performing high-temperature sintering.

また、表3及び図3の結果が示すように、マイグレーション防止溶液を塗布した実施例1の電子回路基板は、400時間以上、絶縁抵抗の低下が起きなかった。
一方、マイグレーション防止溶液を塗布していない比較例の電子回路基板は、60℃、90%RH環境条件に到達し、通電開始直後に短絡した。また、図3(a)が示すように、陰極側(−)から陽極側(+)へ、デンドライト状のマイグレーションが受容層に発生していた。
また、従来使用されている、受容層がなく、マイグレーション防止溶液を塗布していない参考例の電子回路基板は、400時間を越えると、デンドライト状のマイグレーションが発生した。また、図3(b)が示すように、陰極側(−)から陽極側(+)へ、デンドライト状のマイグレーションが基材表面に発生していた。
従って、本実施例1による電子回路基板は、従来使用されている参考例の電子回路基板と同等以上の耐マイグレーション性があることがわかる。
Moreover, as the result of Table 3 and FIG. 3 showed, the electronic circuit board of Example 1 which apply | coated the migration prevention solution did not generate | occur | produce the insulation resistance fall for 400 hours or more.
On the other hand, the electronic circuit board of the comparative example to which the migration preventing solution was not applied reached the environmental condition of 60 ° C. and 90% RH, and was short-circuited immediately after the start of energization. Further, as shown in FIG. 3A, dendritic migration occurred in the receiving layer from the cathode side (−) to the anode side (+).
In addition, in the case of the electronic circuit board of the reference example that has no receiving layer and is not coated with the migration preventing solution that has been conventionally used, dendritic migration occurred after 400 hours. Further, as shown in FIG. 3B, dendritic migration occurred on the surface of the base material from the cathode side (-) to the anode side (+).
Therefore, it can be seen that the electronic circuit board according to Example 1 has a migration resistance equal to or higher than that of the electronic circuit board of the reference example conventionally used.

(実施例2)
<受容層形成液の作製>
下記の「シリカ分散液」組成に従って、イオン交換水に7.5%ホウ酸液、ジメチルジアリルアンモニウムクロライド重合体(第一工業製薬製、分散剤、シャロールDC902P(51.5%溶液))を混合した液にシリカ微粒子(日本アエロジル(株)製 AEROSIL300SF75)を混合し、さらに、酢酸ジルコニル(第一稀元素製 ジルコゾールZA−30(50%溶液))を添加したスラリーを、スギノマシン社製、アルティマイザーで、170MPaで分散しメジアン径(平均粒子径)120nmのシリカ分散液を作製した。
シリカ分散液に下記受容層形成液の組成に従い、イオン交換水、7.5%ホウ酸液、ジメチルアミン・エピクロルヒドリン・ポリアルキレンポリアミン重縮合物(ハイモ(株)製 SC−505(50%溶液))、ポリビニルアルコール溶解液、カチオン変性ポリウレタン(第一工業製薬(株)製 スーパーフレックス650−5(25%液))を順次添加混合し、受容層形成液を作製した。
(Example 2)
<Preparation of receiving layer forming liquid>
In accordance with the following “silica dispersion” composition, 7.5% boric acid solution and dimethyldiallylammonium chloride polymer (manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., Disperse, Charol DC902P (51.5% solution)) are mixed in ion-exchanged water. Silica fine particles (AEROSIL300SF75 manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) were mixed with the obtained liquid, and a slurry in which zirconyl acetate (Zircosol ZA-30 (50% solution) manufactured by Daiichi Rare Element) was further added was produced by Sugino Machine Co., Ltd. A silica dispersion having a median diameter (average particle diameter) of 120 nm was prepared by dispersing at 170 MPa with Iser.
In accordance with the composition of the following receptor layer forming solution in the silica dispersion, ion-exchanged water, 7.5% boric acid solution, dimethylamine / epichlorohydrin / polyalkylene polyamine polycondensate (SC-505 (50% solution) manufactured by Hymo Co., Ltd.) ), A polyvinyl alcohol solution, and cation-modified polyurethane (Superflex 650-5 (25% liquid) manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) were sequentially added and mixed to prepare a receiving layer forming solution.

〔シリカ分散液の組成〕
(1)気相法シリカ微粒子 15.0部
(2)イオン交換水 78.5部
(3)7.5%ホウ酸液(架橋剤) 4.4部
(4)ジメチルジアリルアンモニウムクロライド重合体 1.31部
(5)酢酸ジルコニル 0.81部
[Composition of silica dispersion]
(1) Gas phase method silica fine particles 15.0 parts (2) Ion exchange water 78.5 parts (3) 7.5% boric acid solution (crosslinking agent) 4.4 parts (4) Dimethyldiallylammonium chloride polymer 1 .31 parts (5) 0.81 part of zirconyl acetate

〔受容層形成液の組成〕
(1)シリカ分散液 59.5部
(2)イオン交換水 12.2部
(3)ジメチルアミン・エピクロルヒドリン・ポリアルキレンポリアミン重縮合物(50%溶液) 0.1部
(4)下記ポリビニルアルコール溶解液 26.0部
(5)カチオン変性ポリウレタン 2.2部
[Composition of receiving layer forming solution]
(1) Silica dispersion 59.5 parts (2) Ion-exchanged water 12.2 parts (3) Dimethylamine / epichlorohydrin / polyalkylene polyamine polycondensate (50% solution) 0.1 part (4) Polyvinyl alcohol dissolution below Liquid 26.0 parts (5) Cation-modified polyurethane 2.2 parts

〔ポリビニルアルコール溶解液の組成〕
(1)ポリビニルアルコール 6.96部
(日本酢ビ・ポバール製 「JM−33」 鹸化度94.3mol% 重合度3300)
(2)ポリオキシエチレンラウリルエーテル 0.23部
(花王(株)製界面活性剤 エマルゲン109P)
(3)ジエチレングリコールモノブチルエーテル 2.12部
(協和発酵(株)製 ブチセノール20P)
(4)イオン交換水 90.69部
[Polyvinyl alcohol solution composition]
(1) 6.96 parts of polyvinyl alcohol (“JM-33” manufactured by Nihon Acetate / Poval) Saponification degree 94.3 mol%, polymerization degree 3300)
(2) Polyoxyethylene lauryl ether 0.23 parts (surfactant Emulgen 109P manufactured by Kao Corporation)
(3) Diethylene glycol monobutyl ether 2.12 parts (Kyowa Hakko Co., Ltd. Buticenol 20P)
(4) Ion exchange water 90.69 parts

<受容層付基材の作製>
石英ガラス基板上に、前記受容層形成液 、183g/m2に、下記の組成で調製されたPAC1液を11.4g/m2の塗布量となるようにインラインブレンド後、エクストルージョンダイコーターで塗布を行った。その後、熱風乾燥機にて80℃(風速3〜8m/sec)で受容層の固形分濃度が20%になるまで乾燥させた。この受容層は、この間は恒率乾燥を示した。そして、減率乾燥を示す前に、下記組成の塩基性溶液(pH=7.8)に3秒浸漬して、前記受容層上にその13g/m2を付着させ、さらに65℃で10分間乾燥させた(硬化工程)。これにより、乾燥膜厚32μmの受容層が設けられた、受容層付基材を作製した。
<Preparation of substrate with receptor layer>
On the quartz glass substrate, the receptive layer forming solution, 183 g / m 2 , PAC 1 solution prepared with the following composition was in-line blended so as to have a coating amount of 11.4 g / m 2 , and then an extrusion die coater. Application was performed. Then, it was dried with a hot air drier at 80 ° C. (wind speed 3 to 8 m / sec) until the solid content concentration of the receiving layer became 20%. This receiving layer showed constant drying during this time. And before declining drying, it was immersed in a basic solution (pH = 7.8) having the following composition for 3 seconds to deposit 13 g / m 2 on the receiving layer, and further at 65 ° C. for 10 minutes. Dried (curing process). This produced the base material with a receiving layer in which the receiving layer with a dry film thickness of 32 micrometers was provided.

〔PAC1液の組成〕
(1)塩基度83%のポリ塩化アルミニウム水溶液(大明化学工業(株)製 アルファイン83) :20部
(2)イオン交換水:80部
[Composition of PAC1 solution]
(1) Polyaluminum chloride aqueous solution having a basicity of 83% (Alfine 83, manufactured by Daimei Chemical Industry Co., Ltd.): 20 parts

〔塩基性溶液の組成〕
(1)ホウ酸 0.65部
(2)炭酸ジルコニウムアンモニウム(28%水溶液) 0.33部
(第一稀元素化学工業(株)製 ジルコソールAC−7)
(3)炭酸アンモニウム(一級) 3.5部
(関東化学(株)製)
(4)イオン交換水 63.3部
(5)ポリオキシエチレンラウリルエーテル(2%水溶液) 30.0部
(花王(株)製 界面活性剤 エマルゲン109P)
[Composition of basic solution]
(1) Boric acid 0.65 part (2) Ammonium zirconium carbonate (28% aqueous solution) 0.33 part (Zircosol AC-7, manufactured by Daiichi Elemental Chemical Co., Ltd.)
(3) Ammonium carbonate (first grade) 3.5 parts (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.)
(4) Ion-exchanged water 63.3 parts (5) Polyoxyethylene lauryl ether (2% aqueous solution) 30.0 parts (surfactant Emulgen 109P manufactured by Kao Corporation)

次いで、マイグレーション防止溶液(旭硝子(株)製 サイトップCTX−100)を、溶媒(旭硝子(株)製 CT−Solv.100)により濃度3%になるように希釈し、その希釈液をピエゾ式のインクジェット記録装置(富士フイルム(株)製 DMP−2831)のヘッドに充填して、反転導電性パターンの画像データに基いて、上記方法で作製した受容層付基材に吐出して描画した。マイグレーション防止溶液は、常温放置、または100℃で1時間乾燥させて、硬化させた。
ついで、ピエゾ式のインクジェット記録装置(富士フイルム(株)製 DMP−2831)のヘッドに、銀コロイドインク(ハリマ化成(株)NPS−J)を充填し、導電性(配線)パターンの画像データに基いて、上記マイグレーション防止溶液を塗布した受容層付基材に吐出、描画し、100℃で加熱乾燥させて、実施例2の電子回路基板を作製した。
なお、導電性パターンは、導体幅/導体間隔幅(L/S)が100μm/100μmの櫛歯パターンとなるように形成した。
Next, the migration prevention solution (Cytop CTX-100 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) was diluted with a solvent (CT-Solv. 100 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) to a concentration of 3%, and the diluted solution was piezo-type. The ink was filled in the head of an ink jet recording apparatus (DMP-2831 manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) and drawn on the substrate with a receiving layer prepared by the above method based on the image data of the reverse conductive pattern. The migration preventing solution was allowed to stand at room temperature or dried at 100 ° C. for 1 hour to be cured.
Next, silver colloidal ink (Harima Kasei Co., Ltd. NPS-J) is filled into the head of a piezo-type ink jet recording apparatus (DMP-2831 manufactured by Fuji Film Co., Ltd.), and the image data of the conductive (wiring) pattern is obtained. Accordingly, the electronic circuit board of Example 2 was produced by discharging and drawing on a substrate with a receiving layer coated with the migration preventing solution and drying at 100 ° C. by heating.
The conductive pattern was formed so as to be a comb-teeth pattern having a conductor width / conductor interval width (L / S) of 100 μm / 100 μm.

〔抵抗率測定、および耐マイグレーション評価〕
上記方法により作製した電子回路基板は、抵抗率測定、および耐マイグレーション評価を先述した方法と同様の方法で測定および評価した。
抵抗率測定の結果は、膜厚が2.4μm、シート抵抗が2.4E−1Ω/□、体積抵抗率は、5.8E−5Ω・cmであった。
また、耐マイグレーション評価は、400時間以上、絶縁抵抗の低下が生じず、マイグレーションの発生もなかった。
[Resistivity measurement and migration resistance evaluation]
The electronic circuit board produced by the above method was measured and evaluated by the same method as described above for resistivity measurement and migration resistance evaluation.
As a result of the resistivity measurement, the film thickness was 2.4 μm, the sheet resistance was 2.4E-1 Ω / □, and the volume resistivity was 5.8E-5 Ω · cm.
In the migration resistance evaluation, the insulation resistance did not decrease for 400 hours or longer, and no migration occurred.

本発明に係る配線形成方法の一実施例を示す図である。It is a figure which shows one Example of the wiring formation method which concerns on this invention. 本実施例における耐マイグレーション試験装置を模式的に表した図である。It is the figure which represented typically the migration-proof test apparatus in a present Example. 本実施例における耐マイグレーション試験の結果を示す電子回路基板の写真である。It is a photograph of the electronic circuit board which shows the result of the migration resistance test in a present Example. サブトラクティブ法を適用した配線パターンの形成方法を模式的に表した図である。It is the figure which represented typically the formation method of the wiring pattern which applied the subtractive method. セミアディティブ法を適用した配線パターンの形成方法を模式的に表した図である。It is the figure which represented typically the formation method of the wiring pattern which applied the semi-additive method. アディティブ法を適用した配線パターンの形成方法を模式的に表した図である。It is the figure which represented typically the formation method of the wiring pattern which applied the additive method.

符号の説明Explanation of symbols

10 基材
12 受容層
14 マイグレーション防止処理部
14a マイグレーション防止処理部(乾燥処理または硬化処理前)
14b マイグレーション防止処理部(乾燥処理または硬化処理後)
16 導電性金属部
16a 導電性金属部(乾燥焼結処理前)
16b 導電性金属部(乾燥焼結処理後)
18 メッキ被覆部
20 ソルダーレジスト
30 電子回路基板
32 恒温恒湿槽
34 外部電源
36 抵抗
38 デジタルマルチメータ
40 スイッチ
42 PC
200 絶縁性基材
202 導体層
204 銅貼積層板
206 スルーホール
208 導電性金属層
210 レジスト層
212 導電性金属
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Base material 12 Receiving layer 14 Migration prevention process part 14a Migration prevention process part (before drying process or hardening process)
14b Migration prevention processing section (after drying or curing)
16 Conductive metal part 16a Conductive metal part (before dry sintering process)
16b Conductive metal part (after dry sintering)
18 Plating Cover 20 Solder Resist 30 Electronic Circuit Board 32 Constant Temperature and Humidity Tank 34 External Power Supply 36 Resistance 38 Digital Multimeter 40 Switch 42 PC
200 Insulating Substrate 202 Conductor Layer 204 Copper Laminated Laminate Plate 206 Through Hole 208 Conductive Metal Layer 210 Resist Layer 212 Conductive Metal

Claims (13)

基材上に、電子回路基板の導電性パターンを反転させた反転導電性パターンの画像データに基づいて、マイグレーション防止溶液をインクジェット方式により反転導電性パターンとして塗布した後、前記導電性パターンの画像データに基づいて、金属コロイド溶液を前記インクジェット方式により導電性パターンとして塗布することで、前記導電性パターンを形成することを特徴とする電子回路基板の製造方法。   Based on the image data of the reverse conductive pattern obtained by inverting the conductive pattern of the electronic circuit board on the base material, after applying the migration prevention solution as the reverse conductive pattern by the ink jet method, the image data of the conductive pattern The method for producing an electronic circuit board is characterized in that the conductive pattern is formed by applying a metal colloid solution as a conductive pattern by the inkjet method based on the above. 前記基材が、その表面に、多孔質型受容層が形成された受容層付基材であることを特徴とする請求項1に記載の電子回路基板の製造方法。   2. The method for manufacturing an electronic circuit board according to claim 1, wherein the substrate is a substrate with a receiving layer having a porous receiving layer formed on the surface thereof. 前記反転導電性パターンが、少なくとも、前記導電性パターンとの境界からその外側に、隣接する前記導電性パターンとの間に絶縁性をもたらすことができる線幅で形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子回路基板の製造方法。   The inverted conductive pattern is formed at least from the boundary with the conductive pattern to the outside thereof with a line width capable of providing insulation between the adjacent conductive pattern. The manufacturing method of the electronic circuit board of Claim 1 or Claim 2. 前記マイグレーション防止溶液を塗布した後、前記マイグレーション防止溶液の乾燥処理または硬化処理を行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電子回路基板の製造方法。   The method of manufacturing an electronic circuit board according to claim 1, wherein after the migration preventing solution is applied, a drying process or a curing process of the migration preventing solution is performed. 前記マイグレーション防止溶液の前記乾燥処理が、常温放置または100℃以下の加熱処理であることを特徴とする請求項4に記載の電子回路基板の製造方法。   The method for manufacturing an electronic circuit board according to claim 4, wherein the drying treatment of the migration preventing solution is performed at room temperature or a heat treatment at 100 ° C. or less. 前記マイグレーション防止溶液の前記硬化処理が、輻射線照射処理であることを特徴とする請求項4に記載の電子回路基板の製造方法。   The method for manufacturing an electronic circuit board according to claim 4, wherein the curing treatment of the migration preventing solution is a radiation irradiation treatment. 前記金属コロイド溶液を塗布した後、前記金属コロイド溶液の乾燥焼結処理を行うことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の電子回路基板の製造方法。   The method for producing an electronic circuit board according to claim 1, wherein after the metal colloid solution is applied, a dry sintering process is performed on the metal colloid solution. 前記金属コロイド溶液の前記乾燥焼結処理は、常温放置または100℃以下の加熱処理であることを特徴とする請求項7に記載の電子回路基板の製造方法。   8. The method of manufacturing an electronic circuit board according to claim 7, wherein the dry sintering treatment of the metal colloid solution is a normal temperature treatment or a heat treatment at 100 [deg.] C. or less. 前記マイグレーション防止溶液を塗布した後、および前記金属コロイド防止溶液を塗布した後に、前記マイグレーション防止溶液、および前記金属コロイド溶液の乾燥焼結処理を常温放置で行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電子回路基板の製造方法。   The dry migration treatment of the migration prevention solution and the metal colloid solution is performed at room temperature after the migration prevention solution is applied and after the metal colloid prevention solution is applied. The manufacturing method of the electronic circuit board in any one of. 前記マイグレーション防止溶液を塗布した後、前記マイグレーション防止溶液の硬化処理を輻射線照射処理で行い、前記金属コロイド溶液を塗布した後、前記金属コロイド溶液の乾燥焼結処理を常温放置で行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電子回路基板の製造方法。   After applying the migration preventing solution, the curing treatment of the migration preventing solution is performed by radiation irradiation treatment, and after applying the metal colloid solution, the metal colloid solution is dried and sintered at room temperature. The manufacturing method of the electronic circuit board in any one of Claims 1-3. 前記マイグレーション防止溶液を塗布した後、前記マイグレーション防止溶液の硬化処理を輻射線照射処理で行い、前記金属コロイド溶液を塗布した後、前記金属コロイド溶液の乾燥焼結処理を100℃以下の加熱処理で行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電子回路基板の製造方法。   After applying the migration preventing solution, the curing treatment of the migration preventing solution is performed by radiation irradiation treatment, and after applying the metal colloid solution, the metal colloid solution is dried and sintered by a heat treatment of 100 ° C. or less. The method for manufacturing an electronic circuit board according to claim 1, wherein the electronic circuit board is manufactured. 請求項1〜11の何れかに記載の電子回路基板の製造方法を用いて作製される電子回路基板。   The electronic circuit board produced using the manufacturing method of the electronic circuit board in any one of Claims 1-11. 請求項1〜11の何れかに記載の電子回路基板の製造方法を用いて作製されるPDP用電磁波シールドフィルム。   The electromagnetic wave shielding film for PDP produced using the manufacturing method of the electronic circuit board in any one of Claims 1-11.
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