JP2010084228A

JP2010084228A - リードフレーム材、それを用いた半導体装置

Info

Publication number: JP2010084228A
Application number: JP2008278843A
Authority: JP
Inventors: Kinya Sugie; 欣也杉江
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd; Kyowa Electric Wire Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd; Kanzacc Co Ltd
Priority date: 2008-10-02
Filing date: 2008-10-02
Publication date: 2010-04-15

Abstract

【課題】環境に悪影響を及ぼさず、半田付け性が向上、またリフロー処理時の偏肉も小さいリードフレーム材を提供する。
【解決手段】
導電性基体の表面に、Ｓｎ単体、またはＳｎとＡｇ、Ｂｉ、Ｃｕの群から選ばれる少なくとも１種とからなる合金から成る第１めっき層と、Ｉｎから成る第２めっき層とがこの順序で積層された二層構造のめっき層を設け、第１めっき層のＳｎまたはＳｎ合金の厚さｔ_１が２〜５μｍ、第２めっき層Ｉｎの厚さｔ_２が０．０５〜１μｍで、前記第１めっき層の厚さｔ_１と前記第２めっき層の厚さｔ_２の比が、０．０２５≦ｔ_２／ｔ_１≦０．２であることを特徴とする、リードフレーム材。
【選択図】なし

Description

本発明はリードフレーム材、それを用いた半導体装置に関し、更に詳しくは、導電性基体の表面をＰｂを含まないＳｎ系めっき層で被覆したリードフレーム材であって、Ｐｂを含まないので環境を害することがなく、はんだ付け性（半田濡れ性）が優れ、はんだとの接合強度が高く、またリフロー処理時にも偏肉を生ずることのないリードフレーム材に関する。

Ｃｕ単体またはＣｕ合金等のような導電性基体の表面を、Ｓｎ単体またはＳｎ合金のめっき層で被覆したリード材は、前記Ｃｕ単体またはＣｕ合金等が備えている優れた導電性と機械的強度を有し、かつ、Ｓｎ単体またはＳｎ合金が備えている耐食性と良好なはんだ付け性をも併有する高性能導体であって、各種の端子，コネクタ，リードのような電気・電子機器分野や電力ケーブルの分野などで多用されている。

また、半導体を回路基板に搭載する場合には、半導体のリードフレームからなるアウターリード部に溶融めっきや電気めっきを行うことにより、当該アウターリード部のはんだ付け性を向上せしめることが行われている。ところで、上記したアウターリード部において、導電性基体を被覆するめっき層がＳｎ単体から成る場合には次のような問題がある。

まず、形成されたＳｎめっき層にはＳｎのウイスカ（針状単結晶）が発生し、これが短絡事故の原因になることがあるということである。このような問題は、Ｓｎめっき層にリフロー処理を行うことにより解消することができる。しかしながら、Ｓｎ単体の融点は、２３２℃と比較的高温であり、またＳｎめっき層が例えば、半田組み立て工程で加わる熱などで酸化されやすいため、Ｓｎめっき層はその半田付け性が低下するという問題がある。

一方、めっき層をＳｎ合金で形成すれば、Ｓｎ単体のめっき層の場合のようなウイスカは発生しにくい。このようなＳｎ合金の代表例ははんだ（Ｓｎ−Ｐｂ合金）であり、従来から広く用いられている。

しかしながら、はんだに含まれているＰｂは人体に悪影響を与えることがあるとのことから、最近では、その優れた性質を備えているにもかかわらず使用が規制されている。
そして、Ｐｂを含有しないＳｎ合金、具体的には、Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｂｉ系，Ｓｎ−Ｉｎ系，Ｓｎ−Ｚｎ系のものに代替されつつある。しかしながら、これらのＳｎ合金でめっき層を形成したリードフレーム、特にそのアウターリード部には次のような問題がある。

まず、Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｂｉ系，Ｓｎ−Ｉｎ系，Ｓｎ−Ｚｎ系合金の融点はＳｎより低温となるが、Ｓｎとの配合比がばらつき易く、その結果、はんだ部分の融点がねらい通りにならず、融点の変動のため、組み立て工程の熱で、めっき表面が溶融し凹凸を生じてはんだ付け性を低下させたり、逆にＳｎ単体の融点に近づいて効果をＳｎ合金を用いた効果が認められないことが起こる。
さらに、Ｐｂを含まないＳｎ合金として例示した前記した合金のうち、Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｉｎ系のものは上記の問題に加えて高価であるという問題がある。またＳｎ−Ｂｉ系のものは、耐熱性が劣り導電性基体の熱拡散が起こりやすく、曲げ加工性に劣るのでめっき層にクラックが発生しやすく、更には、はんだ付け後に形成された接合部ではその接合強度が経時的に劣化するという問題がある。そして、Ｓｎ−Ｚｎ系のものは、耐熱性に劣っている。

かかる問題を解決するために一つの新たな技術として、導電性基体の表面に、特定の厚みの範囲を有するＳｎ単体から成る第１めっき層と、特定の厚みの範囲を有するＡｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種を含有するＳｎ合金から成る第２めっき層とがこの順序で積層されているリードフレーム材が開示されている（例えば特許文献１参照）。

導電性基体の表面に形成される表面層が、ＳｎまたはＳｎ合金の電気めっき層が、ＳｎまたはＳｎ合金の電気めっき層と更に、その上を被覆するＡｇ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種の金属の電気めっき層に対してリフロー処理を施して形成されたリフロー処理層を有するリフロー処理であるリフロー処理Ｓｎ合金めっきが開示されている。（例えば特許文献２参照）。

また、特許文献１の第２層のめっきはＳｎ合金を用いるため、Ｉｎ量を多くするにはＳｎ−Ｉｎ合金のめっき厚さをある程度厚くする必要があり、その結果、コスト高になったり、Ｉｎの効果が十分に発揮できずに、はんだぬれ性が低下したりや耐ウィスカ性が不十分であったり、さらに薄いめっきが必要とする製品には使えないという制限があるなど問題点があった。

特許文献２のＳｎまたはＳｎ合金のめっき層の厚さは０．３〜２μｍとやや薄いため、耐熱性に問題があり、自然放置や加熱時に下地金属が表面側に拡散し、はんだぬれの低下をまねくことがある。
特開２０００−１３８３３４号公報特開２００２−３１７２９５号公報

本発明は上記説明した問題点を解決し、Ｐｂの悪影響が排除されていることは勿論のこと、ウイスカ発生を抑制し、半田付け性を向上させてめっき厚さを薄くした新規なリードフレーム材と、それを用いた半導体装置の提供を目的とする。

本発明者等は上記問題点に鑑み鋭意研究した結果、意外にも、導電性基体の表面に、Ｓｎ単体またはＳｎ合金から成る第１めっき層と、Ｉｎから成る第２めっき層とがこの順序で積層された二層構造とし、かつＩｎ濃度が前記めっき構造の表面において高く、基体側に向かい濃度が低くなるというＩｎの濃度勾配を設けることを採用することにより、かかる問題点を解決できることを見いだし本発明を完成した。

すなわち本発明の１は、導電性基体の表面に、第１めっき層としてＳｎ単体、またはＳｎとＡｇ、Ｂｉ、Ｃｕの群から選ばれる少なくとも１種とからなる合金から成る第１めっき層と、Ｉｎから成る第２めっき層とがこの順序で積層された二層構造のめっき層を設け、かつ、第１めっき層の厚さが２〜５μｍの範囲であり、第２めっき層の厚さが０．０５〜１μｍの範囲であり、前記第１めっき層の厚さｔ_１と前記第２めっき層の厚さｔ_２の比の関係が、０．０２５≦ｔ_２／ｔ_１≦０．２であることを特徴とする、リードフレーム材に関する。

また本発明の２は導電性基と第１めっき層の間にＮｉまたはＮｉ合金、あるいはＣｕまたはＣｕ合金からなる下地めっき層が介荘されていることを特徴とする、本発明１記載のリードフレーム材に関する。
また本発明の３は、前記導電性基体がＣｕ系合金、Ｆｅ系合金、Ｎｉ系合金、Ａｌ系合金からなる群から選ばれる少なくとも１種からなることを特徴とする本発明１又は２記載のリードフレーム材に関する。

また本発明の４は、上で説明した本発明１から３のリードフレーム材を用いた半導体装置に関する。

本発明のめっき層がＰｂを含まないＳｎ系めっき系の二層構造のめっき層を設けたリードフレーム材は、第１めっき層のＳｎまたはＳｎ合金の厚さｔ_１が２〜５μｍ、第２めっき層のＩｎの厚さｔ_２が０．０５〜１μｍであり、前記第１めっき層の厚さｔ_１と前記第２めっき層の厚さｔ_２の比が、０．０２５≦ｔ_２／ｔ_１≦０．２であるので、環境を害することがなく、リフロー後の表面が平滑であり、はんだぬれ性に優れ、ウィスカの発生を抑えることができる。すなわち、本発明のリードフレーム材のアウターリード部は上で説明した構成により、環境に悪影響を及ぼさず、半田付け性が向上や溶接時の溶接強度が優れており、またリフロー処理時の偏肉も小さいという優れた効果を奏する。

以下本発明を実施するための態様を説明する。

（導電性基体）
本発明で使用可能な導電性基体についての材料、形状については特に制限されるものではなく、通常公知の半導体装置に用いられる材料、形状であればよい。具体的には少なくともその表面が導電性を有する材料であれば何であってもよく、例えば、Ｃｕ系，Ｆｅ系，Ｎｉ系、Ａｌ系などをあげることができ、アウターリード部の目的用途に応じて適宜に選定される。それらのうち、少なくとも表面の構成材料はＣｕ単体やＣｕ合金，ステンレス，鉄系合金などであるものが好適である。

また、導電性基体の形状は限定されるものではなく、板状やスタンピングされた条，線など、いずれであってもよい。
（第１めっき層、第２めっき層）
本発明で使用可能な第１めっき層は、Ｓｎ単体又はＳｎとＡｇ，Ｂｉ，Ｃｕの群から選ばれる合金である。ここでＳｎ単体の融点は２３１．９℃である。また本発明で使用可能な合金についてはＳｎに対してＡｇ，Ｂｉ，Ｃｕの量は特に制限されるものではないが、合金の融点が、Ｓｎの融点よりも少なくとも低いことが好ましく、それぞれのＳｎ合金の融点は、Ｓｎ−３Ａｇは２２０℃、Ｓｎ−５Ｂｉは２２７℃、Ｓｎ−０．７Ｃｕは２２７℃である。すなわちＳｎ−Ａｇ系の場合はＡｇ含有量の上限値を４重量％、Ｓｎ−Ｂｉ系の場合はＢｉ含有量の上限値を５重量％であり、Ｓｎ−Ｃｕ系の場合はＣｕの含有量の上限値を１重量％であることが好ましい。これらの合金において、上記上限値を超えると、いずれの場合も、クラックの発生やはんだぬれ異常が発生してしまい好ましくない。また、第１めっき層を上記合金濃度の範囲で用いる場合は、特に問題はない。なぜなら、第１めっき層がＳｎ合金の場合でも、第２めっき層を構成するＩｎの融点が低く、さらに膜厚を細かく制御できることから、第２めっき層によって、第１めっき層のばらつきの影響を、打ち消すことができる。

また本発明の第１めっき層の厚さは、使用目的に応じて適宜選択する必要があり、本発明における半導体装置に使用される場合、具体的には第１めっき層の厚みｔ_１は、２〜５μｍの範囲に選択する必要がある。

本発明で使用可能な第２めっき層は、Ｉｎ単体（融点１５６℃）である。

また本発明の第２めっき層の厚さは特に限定されるものではなく、使用目的に応じて適宜選択することが可能である。半導体装置に使用される場合、具体的には第２めっき層の厚みｔ_２は、０．０５〜１μｍの範囲が選択可能である。

Ｓｎ−Ｉｎはリフローした際、第１めっき層のＳｎめっきの厚さが５μｍを超えると、第１めっき皮膜中に含まれる有機ガスの絶対量が増し、リフロー後のめっき表面の平滑性が失われやすくなったり、ＩｎがＳｎ層の厚さ方向への拡散が大きくなり表面付近のＩｎ濃度が低くなることで、ぬれ性が低下し、こぶ状突起のウィスカが発生しやすい。一方、Ｓｎメッキ層の厚さが２μｍより薄くなると下地めっきや基材金属の皮膜中への拡散により表面側に金属間化合物が露出してはんだぬれ性が悪くなる。従って、第１めっき層の厚さは、２〜５μｍである必要がある。また、下地金属の拡散を防止するためには、第１めっき層の厚さを２．５μｍとすることが好ましい。

同様にＩｎ厚さが０．０５μｍより小さくなると表面のＩｎ濃度が低下し、ウィスカが発生しやすくなり、逆に１μｍを超えると耐熱性が低下し、リフロー時に表面が凹凸となりやすくなる。従って、第２のめっき層の厚さは、０．０５〜１μｍが望ましい。
Ｉｎのリフロー後の表面濃度やはんだ耐熱性を考慮すると、前述の第１のめっき層の厚さと第２のめっき層の厚さの範囲のみでなく、第１層の厚さと第２層の厚さの比率ｔ_２／ｔ_１も考慮する必要がある。第１層の厚さと第２層の厚さの比率ｔ_２／ｔ_１は０．０２５〜０．２の範囲とする必要がある。例えば、Ｓｎめっきが２μｍの場合、ｔ_２／ｔ_１が０．０２５〜０．２に相当するＩｎめっき厚さは０．０５〜０．４μｍの範囲で、Ｓｎめっき厚さが５μｍの場合のｔ_２／ｔ_１は０．０２５〜０．２に相当する、Ｉｎめっき厚さは０．１２５〜１．０μｍとなる。第１層の厚さと第２層の厚さの比率が上記０．０２５〜０．２の範囲の下限値を下回ると表面のＩｎ濃度が低く、ウィスカが発生しやすくなり、上限を上回るとＩｎ濃度が高くなるとはんだ耐熱性が低下して、リフローの外観が悪くなる。従って、ｔ_２／ｔ_１は０．０２５〜０．２が望ましい。
（リードフレーム材のめっき方法およびリフロー処理）
本発明のアウターリード部は、通常公知のめっき手段を用いることで製造可能である。具体的には導電性基体の表面に例えば電気めっきや溶融めっきを第１のめっき及び第２のめっきと順次行って製造することができる。第１のめっき及び第２のめっきの条件は、通常公知の文献を参照して選択することが可能である（例えば実用電気めっき（日刊工業新聞社）を参照）。

またＳｎやＳｎ合金のめっきに先立ち、導電性基体の表面に予めＮｉまたはＮｉ合金を下地めっきしておくと、これらの下地めっき層が導電性基体のＣｕなどの熱拡散を抑制するためのバリアとして有効に機能し、この上に形成された２層構造のめっき層の耐熱性が向上し、あるいはＣｕまたはＣｕ合金を下地めっきしておくと導電性を付与することができ、好適である。

本発明のリードフレーム材は、上で説明した二層構造のめっき層が設けられている。これを第１めっき層は融解しないが、第２めっき層のＩｎと第１めっき層に拡散した部分のみが融解する温度でリフロー処理することを特徴とする。係るリフロー処理により融解したＩｎが第１めっき層中に拡散される。この拡散の結果、Ｉｎの濃度がめっき層表面から基体に向かって高−低の連続的な濃度勾配を有することになる。

リフローの条件は、板状材料（形状）の場合、厚さと幅によるが，炉内雰囲気温度は約６００℃、試料温度２４０〜３００℃ ２〜５秒である。２３０℃未満、２秒未満では拡散が十分進まず、表面側にＩｎの含有量が多すぎ耐熱性が十分でない。３００℃、５秒より大きいと拡散が進みすぎ、表面側のＩｎの量が少なすぎ、ぬれ性やウィスカ感受性は不十分である。

以上のめっきとリフロー処理をまとめると本発明の製造方法の好ましい態様のひとつとして、基体を、（１）浸漬脱脂工程、（２）水洗、（３）＋電解脱脂工程、（４）水洗、（５）−電解脱脂、（６）水洗、（７）酸洗浄、（８）水洗、（９）ニッケルめっき、（１０）水洗、（１１）すずめっき、（１２）水洗、（１３）インジウムめっき、（１４）水洗、（１５）乾燥、（１６）リフロー処理となる。ここで（１）は市販の浸漬脱脂液を濃度２〜４％の範囲で、温度５０℃、約２０秒間で行うことが可能である。（３）、（４）もそれぞれ市販の電解脱脂液を濃度５％程度で、室温付近で、電流密度２〜４Ａ／ｄｍ^２、約２０秒間で行うことが可能である。（７）は好ましくは濃度５％硫酸で、室温、２０秒間で行うことが可能である。（９）はスルファミン酸Ｎｉ浴を用いて約５５℃で、電流密度５Ａ／ｄｍ^２、３０秒間で行うことが可能である。（１１）は酸性すずめっき浴を用いて約３０℃で、電流密度５Ａ／ｄｍ^２、４０秒間で行うことが可能である。（１３）はインジウムめっき浴を用いて約３０℃で、電流密度０．５Ａ／ｄｍ^２、１２０秒間で行うことが可能である。これによりＳｎおよびＩｎのめっきがそれぞれ１．５、０．２μｍとなる。また（１６）は、雰囲気温度６００℃、５秒で行うことが可能である。

以下実施例に則して本発明をさらに詳しく説明する。

（実施例１〜２２、比較例１〜１４）
実施例１で用いた基体は、２２ｍｍ×１００ｍｍ×０．６４ｍｍ（銅合金，スタンピング済み）を、脱脂液（ヘンケルジャパン製）で脱脂・洗浄した後、これをさらにＳｎめっき槽（酸性Ｓｎめっき液、電流密度５Ａ／ｄｍ^２）で２μｍのすずめっきを行い、さらにＩｎめっき槽（酸性Ｉｎめっき液、電流密度０．５Ａ／ｄｍ^２）にて第２のめっき層を０．０５μｍを設けた。

実施例２〜１５、比較例１〜１２は同様に調整した基体に、同じめっきを行い、めっきの厚さは、めっき時間で調整した。

実施例１６〜１８、比較例１３、１４は同様に調整した基体に、Ｓｎ−Ａｇめっき槽（酸性Ｓｎ−Ａｇめっき液、電流密度５Ａ／ｄｍ^２）で第１のめっき層Ｓｎ−Ａｇめっきを行い、めっきの厚さは、めっき時間で調整した。第２のめっき層の厚さもめっき時間で調整した。

実施例１９は同様に調整した基体に、Ｓｎ−Ｂｉめっき槽（酸性Ｓｎ−Ｂｉめっき液、電流密度５Ａ／ｄｍ^２）で第１のめっき層Ｓｎ−Ｂｉめっきを行い、めっきの厚さは、めっき時間で調整した。第２のめっき層の厚さもめっき時間で調整した。

実施例２０は同様に調整した基体に、Ｓｎ−Ｃｕめっき槽（酸性Ｓｎ−Ｃｕめっき液、電流密度５Ａ／ｄｍ^２）で第１のめっき層Ｓｎ−Ｃｕめっきを行い、めっきの厚さは、めっき時間で調整した。第２のめっき層の厚さもめっき時間で調整した。

実施例２１で用いた基体は、２２ｍｍ×１００ｍｍ×０．６４ｍｍ（銅合金，スタンピング済み）を、脱脂液（ヘンケルジャパン製）で脱脂・洗浄した後、Ｎｉめっき槽（スルファミン酸ニッケルめっき液、電流密度５Ａ／ｄｍ^２）にて０．５μｍのＮｉめっきを施したものを用いた。それ以外は実施例７と同様に処理した。

実施例２２で用いた基体は、２２ｍｍ×１００ｍｍ×０．６４ｍｍ（ＳＵＳ３０４）を、脱脂液（ヘンケルジャパン製）で脱脂・洗浄した後、Ｎｉめっき槽（スルファミン酸ニッケルめっき液、電流密度５Ａ／ｄｍ^２）にて０．５μｍのＮｉめっきを施したものを用いた。それ以外は実施例７と同様に処理した。

上記で得られたアウターリード部を大気中でホットプレート上２５５℃で２秒処理してリフローさせた。リフローは目視で確認した。

リフロー処理後の外観、リフロー処理後のはんだぬれ性、ウイスカ感受性をそれぞれ以下の通りに評価した。
・リフロー後の外観：
リフロー後の外観を目視で確認し、平滑性がある場合を◎とした。
・はんだぬれ性：
溶融したはんだ（Ｓｎー３Ａｇー０．５Ｃｕ、フラックスマイルドロジンＮＡ２００）に、上で得たリードフレーム材はんだ温度２４５℃で２秒間浸漬して取り出し、そのはんだのぬれ性をゼロクロス時間として測定した。ゼロクロス時間が１．５秒以下の場合、はんだぬれ性を◎とした。
・ウイスカ感受性：
常温２０００時間放置後のＳＥＭ表面観察により調べた。このときは，実施例１と実施例２で得られた試料を用い，同様の基体を用いて作製したＳｎめっき試料と比較した。ウイスカが発生した場合が×、しない場合を◎とした。

以上の条件で試作評価した、実施例１〜１５の第１めっき層ｔ_１にＳｎめっき２〜５μｍ、第２めっき層ｔ_２にＩｎ０．０５〜１μｍ、ｔ_２／ｔ_１が０．０２５〜０．２の範囲を満足するものは、リフロー後の外観は平滑であり、はんだぬれ性に優れ、ウィスカは発生しなかった。

これに対し、Ｓｎが下限範囲を外れる比較例１ははんだぬれ性が悪く、上限を外れる比較例２はリフロー後の外観が平滑でなかった。また、Ｉｎ範囲が下限を外れる比較例３ははんだぬれ性が悪く、ウィスカが発生し、上限を外れる比較例４はリフロー後の外観が平滑でなかった。また、ｔ_２／ｔ_１が上限を外れる比較例５〜８はリフローの外観が平滑でなく、下限を外れる比較例９〜１２はウィスカが発生した。

同様にｔ_１がＳｎ−Ａｇ、ＢｉあるいはＣｕ合金でめっき厚さ範囲、ｔ_２／ｔ_１範囲をを満足するものは、リフロー後の外観は平滑であり、はんだぬれ性に優れ、ウィスカは発生しなかった。これに対して、ｔ_２／ｔ_１が下限範囲を外れた比較例１３はリフロー後の外観が平滑でなく、ウィスカが発生し、ｔ_２の上限値が外れた比較例１４はリフロー後の外観が平滑でなかった。

さらに、基体とＳｎめっきの間にＮｉが介装した実施例２１、基体がＳＵＳ３０４の実施例２２ともリフロー後の外観は平滑であり、はんだぬれ性に優れ、ウィスカは発生しなかった。

以上の説明から明らかなように、本発明のめっき層がＰｂを含まないＳｎ系めっき系の二層構造のめっき層を設けたリードフレーム材は、第１めっき層のＳｎまたはＳｎ合金の厚さｔ_１が２〜５μｍ、第２めっき層のＩｎの厚さｔ_２が０．０５〜１μｍであり、前記第１めっき層の厚さｔ_１と前記第２めっき層の厚さｔ_２の比が、０．０２５≦ｔ_２／ｔ_１≦０．２である場合、環境を害することがなく、リフロー後の表面が平滑であり、はんだぬれ性に優れ、ウィスカの発生を抑えることができることが分かる。

Claims

導電性基体の表面に、第１めっき層としてＳｎ単体、またはＳｎとＡｇ、Ｂｉ、Ｃｕの群から選ばれる少なくとも１種とからなる合金から成る第１めっき層と、Ｉｎから成る第２めっき層とがこの順序で積層された二層構造のめっき層であって、かつ、該第１めっき層の厚さｔ_１が２〜５μｍの範囲であり、該第２めっき層の厚さｔ_２が０．０５〜１μｍであり、前記第１めっき層の厚さｔ_１と前記第２めっき層の厚さｔ_２の比の関係が、０．０２５≦ｔ_２／ｔ_１≦０．２であることを特徴とする、リードフレーム材。
前記導電性基体と第１めっき層の間にＮｉまたはＮｉ合金、あるいはＣｕまたはＣｕ合金からなる下地めっき層が介装されていることを特徴とする、請求項１記載のリードフレーム材。
前記導電性基体がＣｕ系合金、Ｆｅ系合金、Ｎｉ系合金、Ａｌ系合金からなる群から選ばれる少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１又は２記載のリードフレーム材。
請求項１〜３のいずれか１項に記載のリードフレーム材を用いた半導体装置。