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JP2010077380A - Alkali-soluble resin, positive-type resist composition and negative-type resist composition each using the same - Google Patents

Alkali-soluble resin, positive-type resist composition and negative-type resist composition each using the same Download PDF

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JP2010077380A
JP2010077380A JP2009022993A JP2009022993A JP2010077380A JP 2010077380 A JP2010077380 A JP 2010077380A JP 2009022993 A JP2009022993 A JP 2009022993A JP 2009022993 A JP2009022993 A JP 2009022993A JP 2010077380 A JP2010077380 A JP 2010077380A
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JP
Japan
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group
alkali
resist composition
soluble resin
aromatic
Prior art date
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Application number
JP2009022993A
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Japanese (ja)
Inventor
Sayaka Kobayashi
さやか 小林
Minoru Suezaki
穣 末崎
Yoshu Ri
洋洙 李
Masanori Nakamura
雅則 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
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Abstract

【課題】レジスト組成物に好適な高いアルカリ可溶性を有し、熱処理工程において水分等の低分子成分を発生することなく、解像性や耐熱性に優れた高い耐熱性を有する硬化物を生成することができるアルカリ可溶性樹脂であり、該アルカリ可溶性樹脂を用いたポジ型レジスト組成物及びネガ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】ベンゾオキサジン環の開環構造を有するアルカリ可溶性樹脂であり、該樹脂は、ベンゾオキサジン環を有する化合物と、フェノール性水酸基を1つのベンゼン環上に1以上有する芳香族化合物を交互共重合させた繰り返し単位からなり、絶縁性、機械強度、難燃性、耐水性等、ベンゾオキサジン樹脂が有する基本的な特徴を兼ね備え、フェノール性水酸基含有化合物由来の高いアルカリ可溶性が発現される。
【選択図】なし
[PROBLEMS] To produce a cured product having high heat resistance excellent in resolution and heat resistance, having high alkali solubility suitable for a resist composition, without generating low molecular components such as moisture in a heat treatment step. And a positive resist composition and a negative resist composition using the alkali-soluble resin.
An alkali-soluble resin having a ring-opening structure of a benzoxazine ring, wherein the resin includes a compound having a benzoxazine ring and an aromatic compound having at least one phenolic hydroxyl group on one benzene ring. It consists of a polymerized repeating unit, has the basic characteristics of benzoxazine resin such as insulation, mechanical strength, flame retardancy, and water resistance, and exhibits high alkali solubility derived from a phenolic hydroxyl group-containing compound.
[Selection figure] None

Description

本発明は、レジスト組成物に好適な高いアルカリ可溶性を有し、高温焼成が不要で、熱処理工程において水分等の低分子成分を殆ど発生することなく、解像性や耐熱性に優れた硬化物を生成することができるアルカリ可溶性樹脂に関する。また、該アルカリ可溶性樹脂を用いたポジ型レジスト組成物及びネガ型レジスト組成物に関する。 The present invention has a high alkali solubility suitable for a resist composition, does not require high-temperature baking, and hardly generates low-molecular components such as moisture in the heat treatment step, and has excellent resolution and heat resistance. It is related with the alkali-soluble resin which can produce | generate. The present invention also relates to a positive resist composition and a negative resist composition using the alkali-soluble resin.

半導体素子に用いる表面保護膜や層間絶縁膜には、絶縁性、耐熱性、機械強度等の特性が必要とされることから、ポリイミド樹脂やポリベンゾオキサゾール樹脂が広く使用されている。近年、半導体素子の微細化や高集積化、加工工程の簡略化が進むに伴い、感光性を付与したポリイミドや感光性を付与したポリベンゾオキサゾールを用いてパターンを形成する方法が注目を集めている(例えば、非特許文献1)。また、パターン形成の際に用いる現像液として、有機溶剤タイプとアルカリ水溶液タイプがあるが、特に近年では、環境配慮等の側面からアルカリ水溶液タイプが主流となっている。 Since surface protection films and interlayer insulating films used for semiconductor elements are required to have characteristics such as insulating properties, heat resistance, and mechanical strength, polyimide resins and polybenzoxazole resins are widely used. In recent years, with the progress of miniaturization and high integration of semiconductor devices and simplification of processing steps, a method of forming a pattern using polyimide imparted with photosensitivity or polybenzoxazole imparted with photosensitivity attracted attention. (For example, Non-Patent Document 1). Further, there are an organic solvent type and an alkaline aqueous solution type as a developing solution used for pattern formation, but in recent years, an alkaline aqueous solution type has become mainstream from the viewpoint of environmental considerations.

一般的に、感光性を付与したポリイミドの場合、感光性ポリイミド前駆体であるポリアミック酸又はポリアミック酸変性体をアルカリ可溶性樹脂としてポジ型レジスト組成物又はネガ型レジスト組成物を調製し、パターンを形成した後、熱処理によりポリイミド膜が形成される。
感光性を付与したポリベンゾオキサゾールの場合も、前駆体であるポリヒドロキシアミド又はポリヒドロキシアミド変性体をアルカリ可溶性樹脂としてポジ型レジスト組成物又はネガ型レジスト組成物を調製し、パターンを形成した後、熱処理によりポリベンゾオキサゾール膜が形成される。
しかしながら、これらの方法では、高温の熱処理工程(通常300℃以上)が必要であるばかりでなく、熱処理工程における縮合反応に伴い、水や有機物等の低分子成分がアウトガスとして発生するため、硬化時にボイドが発生したり、半導体素子を汚染したりする等、信頼性低下を引き起こすという問題があった。
In general, in the case of polyimide imparted with photosensitivity, a positive resist composition or a negative resist composition is prepared by using a polyamic acid or polyamic acid modified body, which is a photosensitive polyimide precursor, as an alkali-soluble resin, and a pattern is formed. After that, a polyimide film is formed by heat treatment.
In the case of polybenzoxazole to which photosensitivity is imparted, after forming a pattern by forming a positive resist composition or a negative resist composition using the precursor polyhydroxyamide or polyhydroxyamide modified product as an alkali-soluble resin, A polybenzoxazole film is formed by heat treatment.
However, these methods require not only a high-temperature heat treatment step (usually 300 ° C. or higher), but also low-molecular components such as water and organic substances are generated as outgass due to the condensation reaction in the heat treatment step. There has been a problem of causing a decrease in reliability such as generation of voids or contamination of semiconductor elements.

これに対し、ベンゾオキサジン樹脂は、絶縁性や耐熱性等に優れ、熱硬化時に揮発成分を発生することがない樹脂として知られている。しかしながら、従来のベンゾオキサジン樹脂はアルカリ水溶液に対する溶解性が無い(又は極めて低い)ため、レジスト組成物のアルカリ可溶性樹脂としてはほとんど用いられていなかった。 On the other hand, benzoxazine resin is known as a resin that is excellent in insulation and heat resistance and does not generate volatile components during thermosetting. However, since conventional benzoxazine resins have no solubility (or very low) in aqueous alkali solutions, they have hardly been used as alkali-soluble resins in resist compositions.

高分子論文集、Vol.63、No.9、p561−576、2006Polymer Papers, Vol. 63, no. 9, p561-576, 2006

本発明は、レジスト組成物に好適な高いアルカリ可溶性を有し、熱処理工程において水分等の低分子成分を殆ど発生することなく、高温焼成が不要で、解像性や耐熱性に優れた硬化物を生成することができるアルカリ可溶性樹脂を提供することを目的とする。また、該アルカリ可溶性樹脂を用いたポジ型レジスト組成物及びネガ型レジスト組成物を提供することを目的とする。 The present invention has a high alkali solubility suitable for a resist composition, hardly generates low-molecular components such as moisture in the heat treatment step, does not require high-temperature baking, and is a cured product excellent in resolution and heat resistance. It is an object of the present invention to provide an alkali-soluble resin capable of producing the above. It is another object of the present invention to provide a positive resist composition and a negative resist composition using the alkali-soluble resin.

本発明は、下記一般式(1−1)又は(1−2)で表される繰り返し単位からなるアルカリ可溶性樹脂である。 The present invention is an alkali-soluble resin comprising a repeating unit represented by the following general formula (1-1) or (1-2).

Figure 2010077380
Figure 2010077380

式(1−1)中、Arは下記一般式(2−1)、(2−2)又は(2−3)で表される4価の芳香族基を表し、Rは脂肪族基、脂環式基、又は、芳香族基を表し、R〜Rは、同一でも異なってもよく、水酸基、水素原子、脂肪族基、脂環式基、又は、芳香族基を表す。
式(1−2)中、Xは2価の有機基を表す。R〜Rは、同一でも異なってもよく、水素原子、脂肪族基、脂環式基、芳香族基、又は、ハロゲン基を示す。R〜Rは、同一でも異なってもよく、水酸基、水素原子、脂肪族基、脂環式基、又は、芳香族基を示す。
In formula (1-1), Ar 1 represents a tetravalent aromatic group represented by the following general formula (2-1), (2-2) or (2-3), and R 1 represents an aliphatic group. Represents an alicyclic group or an aromatic group, and R 2 to R 4 may be the same or different and each represents a hydroxyl group, a hydrogen atom, an aliphatic group, an alicyclic group, or an aromatic group.
In formula (1-2), X represents a divalent organic group. R 1 to R 4 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an alicyclic group, an aromatic group, or a halogen group. R 5 to R 7 may be the same or different and each represents a hydroxyl group, a hydrogen atom, an aliphatic group, an alicyclic group, or an aromatic group.

Figure 2010077380
Figure 2010077380

式(2−1)、(2−2)、(2−3)中、**印は酸素原子への結合部位を表し、他はメチレン基への結合部位を表す。また、各芳香環の水素は、炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、又は、置換若しくは無置換フェニル基で置換されていてもよい。式(2−1)において、Xは、直接結合手(原子又は原子団が存在しない)、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基、及び、下記群Aからなる群より選択される少なくとも1つであるヘテロ元素若しくは官能基を含んでいてもよい脂肪族、脂環式、又は、芳香族の炭化水素基を表す。 In formulas (2-1), (2-2), and (2-3), ** represents a bonding site to an oxygen atom, and the other represents a bonding site to a methylene group. Moreover, hydrogen of each aromatic ring may be substituted with a C1-C10 aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, or a substituted or unsubstituted phenyl group. In Formula (2-1), X is at least 1 selected from the group consisting of a direct bond (no atom or atomic group), an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group, a sulfonyl group, and the following group A: Represents an aliphatic, alicyclic or aromatic hydrocarbon group which may contain a hetero element or a functional group.

Figure 2010077380
Figure 2010077380

群Aに含まれる各式中、*印は式(2−1)における芳香環への結合部位を表す。
以下に本発明を詳述する。
In each formula included in group A, * represents a binding site to the aromatic ring in formula (2-1).
The present invention is described in detail below.

本発明のアルカリ可溶性樹脂は、ベンゾオキサジン環の開環構造を有するものである。これにより、熱硬化時に水等のアウトガスが発生することなく、高温焼成が不要で、耐熱性に優れた硬化物を形成することができる。またさらに、絶縁性、機械強度、難燃性、耐水性等、ベンゾオキサジン樹脂が有する基本的な特徴を兼ね備えた硬化物が得られる。
本発明のアルカリ可溶性樹脂は、ベンゾオキサジン環の開環構造由来のフェノール性水酸基以外のフェノール性水酸基を有する。このようなフェノール性水酸基を有することにより、本発明のアルカリ可溶性樹脂は、高いアルカリ可溶性を発揮するためレジスト組成物に好適に用いることができ、解像性に優れた硬化膜が得られる。
The alkali-soluble resin of the present invention has a ring-opening structure of a benzoxazine ring. Thereby, the outgas, such as water, does not generate | occur | produce at the time of thermosetting, high temperature baking is unnecessary, and the cured | curing material excellent in heat resistance can be formed. Furthermore, a cured product having the basic characteristics of the benzoxazine resin such as insulation, mechanical strength, flame retardancy, and water resistance can be obtained.
The alkali-soluble resin of the present invention has a phenolic hydroxyl group other than the phenolic hydroxyl group derived from the ring-opened structure of the benzoxazine ring. By having such a phenolic hydroxyl group, the alkali-soluble resin of the present invention exhibits high alkali solubility and can be suitably used for a resist composition, and a cured film having excellent resolution can be obtained.

本発明のアルカリ可溶性樹脂は、重量平均分子量の好ましい下限が1000、好ましい上限が2万である。重量平均分子量が1000未満であると、レジスト組成物としたときの保持力が弱く、パターンを形成することができないことがある。重量平均分子量が2万を超えると、樹脂自体の合成が困難であり、また、アルカリ現像性が劣ることがある。
なお、本明細書において重量平均分子量とは、例えば、昭和電工社製Shodex LF−804等のカラムを用い、テトラヒドロフランを展開溶媒としたGPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ)法により測定された値であって、ポリスチレン換算されたものを意味する。
In the alkali-soluble resin of the present invention, the preferable lower limit of the weight average molecular weight is 1000, and the preferable upper limit is 20,000. If the weight average molecular weight is less than 1000, the resist composition has weak holding power, and a pattern may not be formed. When the weight average molecular weight exceeds 20,000, it is difficult to synthesize the resin itself, and the alkali developability may be inferior.
In this specification, the weight average molecular weight is, for example, a value measured by a GPC (gel permeation chromatography) method using a column such as Shodex LF-804 manufactured by Showa Denko KK and tetrahydrofuran as a developing solvent. It means that converted to polystyrene.

本発明のアルカリ可溶樹脂は、ベンゾオキサジン環を有する化合物と、フェノール性水酸基を1つのベンゼン環上に1以上有する芳香族化合物を交互共重合させることにより、合成することができる。ベンゾオキサジン環が電子不足なのに対し、フェノール性水酸基含有化合物は電子供与性であるため、これらを混合して反応させることにより容易に交互共重合体とすることができる。このような方法により合成された本発明のアルカリ可溶性樹脂は、直鎖状又は分岐を含むポリマーであるため、溶媒やアルカリ性水溶液に可溶である。また、このような構造を有することから、ベンゾオキサジン由来の特性と、フェノール性水酸基含有化合物由来の高いアルカリ可溶性が発現される。 The alkali-soluble resin of the present invention can be synthesized by alternately copolymerizing a compound having a benzoxazine ring and an aromatic compound having one or more phenolic hydroxyl groups on one benzene ring. Since the benzoxazine ring is deficient in electrons, the phenolic hydroxyl group-containing compound is electron-donating, and therefore can be easily made into an alternating copolymer by mixing and reacting them. Since the alkali-soluble resin of the present invention synthesized by such a method is a linear or branched polymer, it is soluble in a solvent or an alkaline aqueous solution. Moreover, since it has such a structure, the characteristic derived from benzoxazine and the high alkali solubility derived from a phenolic hydroxyl group containing compound are expressed.

ベンゾオキサジン環を有する化合物と、フェノール性水酸基を1つのベンゼン環上に1以上有する芳香族化合物を交互共重合させる反応は、下記反応式(3)又は(4)で表すことができる。 The reaction of alternately copolymerizing a compound having a benzoxazine ring and an aromatic compound having one or more phenolic hydroxyl groups on one benzene ring can be represented by the following reaction formula (3) or (4).

Figure 2010077380
Figure 2010077380

上記反応式(3)、(4)において、nは正の整数を表す。 In the above reaction formulas (3) and (4), n represents a positive integer.

上記反応式(3)において、原料となるベンゾオキサジン環を有する化合物は、HO−Ar−OHで表されるジオール化合物と、NH−Rで表される一級アミン化合物と、アルデヒド化合物とを反応させることによって合成することができる。アルデヒド化合物として、ホルムアルデヒドを使用した場合の反応を反応式(5)に示す。 In the reaction formula (3), a compound having a benzoxazine ring as a raw material includes a diol compound represented by HO—Ar 1 —OH, a primary amine compound represented by NH 2 —R 1 , an aldehyde compound, Can be synthesized. The reaction when formaldehyde is used as the aldehyde compound is shown in the reaction formula (5).

Figure 2010077380
Figure 2010077380

上記HO−Ar−OHで表されるジオール化合物としては、例えば、上記一般式(2−1)、(2−2)、(2−3)で示される4価の芳香族基において、**印の結合手にOH基が結合し、他の結合手にHが結合した化合物が挙げられる。 Examples of the diol compound represented by the HO—Ar 1 —OH include tetravalent aromatic groups represented by the general formulas (2-1), (2-2), and (2-3), Examples include compounds in which an OH group is bonded to a bond marked with * and H is bonded to another bond.

上記HO−Ar−OHで表されるジオール化合物のうち、上記一般式(2−1)で示される4価の芳香族基の**印の結合手にOH基が結合し、他の結合手にHが結合した化合物としては、例えば、4,4’−ビフェノール、2,2’−ビフェノール、4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、2,2’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタン、2,2’−ジヒドロキシジフェニルメタン、ビスフェノールA、ビスフェノールS、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルプロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン、4,4’−[1,4−フェニレンビス(1−メチル−エチリデン)]ビスフェノール(三井化学社製 ビスフェノールP、東京化成では「α,α’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,4−ジイソプロピルベンゼン」の化合物名で販売)、4,4’−[1,3−フェニレンビス(1−メチル−エチリデン)]ビスフェノール(三井化学社製 ビスフェノールM)、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス(4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、2,6−ビス((2−ヒドロキシフェニル)メチル)フェノール(a=1の化合物)等のように、連結部Xを除いて、分子内にベンゼン環を二つ有し、ベンゼン環一つに対してOH基が一つ結合している化合物等が挙げられる。 Of the diol compounds represented by HO—Ar 1 —OH, an OH group is bonded to the bond of the tetravalent aromatic group represented by the above general formula (2-1), and the other bond. Examples of the compound in which H is bonded to the hand include 4,4′-biphenol, 2,2′-biphenol, 4,4′-dihydroxydiphenyl ether, 2,2′-dihydroxydiphenyl ether, 4,4′-dihydroxydiphenylmethane, 2,2′-dihydroxydiphenylmethane, bisphenol A, bisphenol S, 4,4′-dihydroxydiphenyl sulfide, 4,4′-dihydroxybenzophenone, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1-bis ( 4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) butane, 2,2-bis (4-hydroxy) Ciphenyl) butane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -2-methylpropane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclopentane, 1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane, bis (4-hydroxyphenyl) diphenylmethane, 4,4 ′-[1,4-phenylenebis (1-methyl-ethylidene)] bisphenol (Mitsui Chemicals, Inc.) Bisphenol P, sold by Tokyo Chemical Industry under the compound name “α, α′-bis (4-hydroxyphenyl) -1,4-diisopropylbenzene”, 4,4 ′-[1,3-phenylenebis (1-methyl) -Ethylidene)] bisphenol (Bisphenol M manufactured by Mitsui Chemicals), 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis (4-hydroxyphenoxy) benzene, 1,4-bis (3-hydroxyphenoxy) benzene, 2,6-bis ((2- As in hydroxyphenyl) methyl) phenol (a = 1 compound), etc., there are two benzene rings in the molecule except for the connecting part X, and one OH group is bonded to one benzene ring. And the like.

上記HO−Ar−OHで表されるジオール化合物のうち、上記一般式(2−2)で示される4価の芳香族基の**印の結合手にOH基が結合し、他の結合手にHが結合した化合物としては、例えば、1,3−ジヒドロキシナフタレン、1,4−ジヒドロキシナフタレン、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、1,7−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、2,7−ジヒドロキシナフタレン、のように、分子内に一つのナフタレン環を有し、ナフタレン環に対して二つのOH基が結合した化合物等が挙げられる。 Among the diol compounds represented by HO—Ar 1 —OH, an OH group is bonded to the bond of the tetravalent aromatic group represented by the general formula (2-2) with **, and other bonds. Examples of the compound in which H is bonded to the hand include 1,3-dihydroxynaphthalene, 1,4-dihydroxynaphthalene, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 1,7-dihydroxynaphthalene, 2,6 Examples thereof include a compound having one naphthalene ring in the molecule and two OH groups bonded to the naphthalene ring, such as -dihydroxynaphthalene and 2,7-dihydroxynaphthalene.

上記HO−Ar−OHで表されるジオール化合物のうち、上記一般式(2−3)で示される4価の芳香族基の**印の結合手にOH基が結合し、他の結合手にHが結合した化合物としては、例えば、1,2−ジヒドロキシベンゼン(カテコール)、1,3−ジヒドロキシベンゼン(レゾルシノール)、1,4−ジヒドロキシベンゼン(ヒドロキノン)のように分子内に一つのベンゼン環を有し、ベンゼン環に対してOH基が二つ結合した化合物等が挙げられる。 Among the diol compounds represented by HO—Ar 1 —OH, an OH group is bonded to the bond of the tetravalent aromatic group represented by the general formula (2-3) indicated by **, and other bonds. Examples of the compound in which H is bonded to the hand include one benzene in the molecule such as 1,2-dihydroxybenzene (catechol), 1,3-dihydroxybenzene (resorcinol), 1,4-dihydroxybenzene (hydroquinone). Examples thereof include a compound having a ring and two OH groups bonded to a benzene ring.

上記HO−Ar−OHで表されるジオール化合物の例示においては、OH基の結合している芳香環において、OH基と連結部X(一般式(2−1)の場合)以外は無置換のものを挙げたが、いずれもOH基のオルト位のいずれか1つが置換可能なHであればよく、芳香環のその他の部位は種々の置換基、例えば炭素数1〜10の直鎖状又は分岐を含む脂肪族炭化水素基や脂環式炭化水素基、置換又は無置換の芳香族基で置換されていてもよい。また、連結部Xに芳香環を含む場合においても、この芳香環は種々の置換基、例えば炭素数1〜10の直鎖状あるいは分岐を含む脂肪族炭化水素基や脂環式炭化水素基等で置換されていてもよい。 In the illustration of the diol compound represented by the above HO—Ar 1 —OH, in the aromatic ring to which the OH group is bonded, except for the OH group and the connecting part X (in the case of the general formula (2-1)), there is no substitution. In any case, any one of the ortho positions of the OH group may be H which can be substituted, and the other part of the aromatic ring may be various substituents, for example, straight chain having 1 to 10 carbon atoms. Alternatively, it may be substituted with a branched aliphatic hydrocarbon group, alicyclic hydrocarbon group, or substituted or unsubstituted aromatic group. Even when the linking part X includes an aromatic ring, the aromatic ring may be various substituents such as a linear or branched aliphatic hydrocarbon group or alicyclic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. May be substituted.

上記芳香環が置換されたものの簡単な例示としては、一般式(2−1)の場合においては、例えば、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)メタンが挙げられ、一般式(2−3)の場合においては、例えば、2−メチルレゾルシノール、2,5−ジメチルレゾルシノール等が挙げられる。 As a simple example of the substituted aromatic ring, in the case of the general formula (2-1), for example, 2,2-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) propane, 2,2-bis (4-Hydroxy-3-methylphenyl) methane is mentioned, and in the case of the general formula (2-3), for example, 2-methylresorcinol, 2,5-dimethylresorcinol and the like can be mentioned.

上記NH−Rで表される一級アミン化合物としては、例えば、脂肪族アミン、脂環式アミン、及び、芳香族アミンが挙げられる。
上記脂肪族アミンとしては、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、アミルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、ラルリルアミンが挙げられる。
上記脂環式アミンとしては、例えば、シクロヘキシルアミン、アダマンチルアミン、ノルボルネンモノアミンが挙げられる。
上記芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、メチルアニリン、ジメチルアニリン、エチルアニリン、ジエチルアニリン、o−トルイジン、m−トルイジン、p−トルイジン、ベンジルアミン、ジベンジルアミン、トリベンジルアミン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、α−ナフチルアミン、β−ナフチルアミンが挙げられる。
なかでも、メチルアミン、アニリン、メチルアニリン等が好適である。
Examples of the primary amine compound represented by NH 2 —R 1 include aliphatic amines, alicyclic amines, and aromatic amines.
Examples of the aliphatic amine include methylamine, ethylamine, propylamine, isopropylamine, butylamine, amylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, and ralylamine.
Examples of the alicyclic amine include cyclohexylamine, adamantylamine, and norbornene monoamine.
Examples of the aromatic amine include aniline, methylaniline, dimethylaniline, ethylaniline, diethylaniline, o-toluidine, m-toluidine, p-toluidine, benzylamine, dibenzylamine, tribenzylamine, diphenylamine, and triphenyl. Examples include amine, α-naphthylamine, and β-naphthylamine.
Of these, methylamine, aniline, methylaniline and the like are preferable.

上記反応式(3)におけるベンゾオキサジン環を有する化合物を合成する反応に用いられる上記アルデヒド化合物としては、例えば、ホルムアルデヒド類、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、ベンズアルデヒド等が挙げられる。なかでも、ホルムアルデヒド類が好適であり、ホルムアルデヒドの水溶液であるホルマリンや、ホルムアルデヒドの重合物であるパラホルムアルデヒドがより好適である。 Examples of the aldehyde compound used in the reaction for synthesizing the compound having a benzoxazine ring in the reaction formula (3) include formaldehydes, acetaldehyde, propionaldehyde, butyraldehyde, benzaldehyde and the like. Of these, formaldehydes are preferable, and formalin, which is an aqueous solution of formaldehyde, and paraformaldehyde, which is a polymer of formaldehyde, are more preferable.

上記反応式(3)におけるベンゾオキサジン環を有する化合物を合成する反応では、上記HO−Ar−OHで表されるジオール化合物のフェノール性水酸基と、上記NH−Rで表される一級アミン化合物の一級アミンと、上記アルデヒド化合物とが1:2:4のモル比となるように混合し、反応させることが好ましい。反応効率を高めるためには、アルデヒド化合物を多少過剰に加えてもよい。 In the reaction for synthesizing the compound having a benzoxazine ring in the reaction formula (3), the phenolic hydroxyl group of the diol compound represented by the HO—Ar 1 —OH and the primary amine represented by the NH 2 —R 1 It is preferable that the primary amine of the compound and the aldehyde compound are mixed and reacted so as to have a molar ratio of 1: 2: 4. In order to increase the reaction efficiency, the aldehyde compound may be added in a slight excess.

上記反応式(4)において、原料となるベンゾオキサジン環を有する化合物は、HN−X−NHで表されるジアミン化合物と、フェノール化合物と、アルデヒド化合物とを反応させることによって合成することができる。上記アルデヒド化合物として、ホルムアルデヒドを使用した場合の反応を反応式(6)に示す。 In the above reaction formula (4), a compound having a benzoxazine ring as a raw material is synthesized by reacting a diamine compound represented by H 2 N—X—NH 2 with a phenol compound and an aldehyde compound. Can do. The reaction when formaldehyde is used as the aldehyde compound is shown in the reaction formula (6).

Figure 2010077380
Figure 2010077380

上記HN−X−NHで表されるジアミン化合物において、Xは2価の有機基を表す。このような化合物としては、例えば、脂肪族ジアミン化合物、芳香族ジアミン化合物、脂環式ジアミン化合物、シリコンジアミン化合物等が挙げられる。
上記脂肪族ジアミン化合物は特に限定されず、例えば、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、1,8−オクタンジアミン、1,10−デカンジアミン、1,11−ウンデカンジアミン、1,12−ドデカンジアミン、1,18−オクタデカンジアミン等が挙げられる。
上記芳香族ジアミン化合物は特に限定されず、例えば、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、2,2−ビス〔(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ネオペンタン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[(4−アミノフェノキシ)フェニル]ビフェニル、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、ビス[3−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[3−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、α,α’−ビス(4−アミノフェニル)−1,4−ジイソプロピルベンゼン等が挙げられる。
上記脂環式ジアミン化合物は特に限定されず、例えば、3(4),8(9)−ビス(アミノメチル)トリシクロ[5.2.1.0]デカン、2,5(6)−ビス(アミノメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,3−ジアミノアダマンタン等が挙げられる。
In the diamine compound represented by the H 2 N—X—NH 2 , X represents a divalent organic group. Examples of such compounds include aliphatic diamine compounds, aromatic diamine compounds, alicyclic diamine compounds, silicon diamine compounds, and the like.
The said aliphatic diamine compound is not specifically limited, For example, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 1,8-octanediamine, 1,10-decanediamine, 1,11-undecanediamine, 1,12-dodecanediamine 1,18-octadecanediamine and the like.
The aromatic diamine compound is not particularly limited, and examples thereof include m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 2, 2-bis [(4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) ) Benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) neopentane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [( 4-aminophenoxy) phenyl] biphenyl, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] he Safluoropropane, bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, α, α′-bis (4-aminophenyl) -1,4-diisopropylbenzene and the like.
The alicyclic diamine compound is not particularly limited. For example, 3 (4), 8 (9) -bis (aminomethyl) tricyclo [5.2.1.0] decane, 2,5 (6) -bis ( Aminomethyl) bicyclo [2.2.1] heptane, 1,3-diaminoadamantane and the like.

上記フェノール化合物は、1個のフェノール性水酸基を有し、かつ、フェノール性水酸基のオルト位の少なくとも1つが水素原子である(置換されていない)化合物が好ましい。このような化合物としては、例えば、フェノール、クレゾール類、キシレノール類、アルキルフェノール類、アリルフェノール類、アラルキルフェノール類、アラルキルフェノール類、アルケニルフェノール類、アルコキシフェノール類、ハロゲン化フェノール類、単官能フェノール類等が挙げられる。
上記クレゾール類は特に限定されず、例えば、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール等が挙げられる。
上記キシレノール類は特に限定されず、例えば、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール等が挙げられる。
上記アルキルフェノール類は特に限定されず、例えば、o−エチルフェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、n−ブチルフェノール、s−ブチルフェノール、t−ブチルフェノール、2,3,4−トリメチルフェノール、2,3,5−トリメチルフェノール、2,4,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール等が挙げられる。
上記アリルフェノール類は特に限定されず、例えば、o−フェニルフェノール、m−フェニルフェノール、p−フェニルフェノール等が挙げられる。
上記アラルキルフェノール類は特に限定されず、例えば、o−ベンジルフェノール、m−ベンジルフェノール、p−ベンジルフェノール等が挙げられる。
上記アルケニルフェノール類は特に限定されず、例えば、o−ビニルフェノール、m−ビニルフェノール、p−ビニルフェノール、o−アリルフェノール、m−アリルフェノール、p−アリルフェノール等が挙げられる。
上記アルコキシフェノール類は特に限定されず、例えば、o−メトキシフェノール、m−メトキシフェノール、p−メトキシフェノール、o−エトキシフェノール、m−エトキシフェノール、p−エトキシフェノール等が挙げられる。
上記ハロゲン化フェノール類は特に限定されず、例えば、o−クロロフェノール、m−クロロフェノール、p−クロロフェノール等が挙げられる。
上記単官能フェノール類は特に限定されず、例えば、α−ナフトール、β−ナフトール等が挙げられる。
The phenol compound is preferably a compound having one phenolic hydroxyl group and at least one of the ortho positions of the phenolic hydroxyl group being a hydrogen atom (unsubstituted). Examples of such compounds include phenol, cresols, xylenols, alkylphenols, allylphenols, aralkylphenols, aralkylphenols, alkenylphenols, alkoxyphenols, halogenated phenols, monofunctional phenols, etc. Is mentioned.
The said cresol is not specifically limited, For example, o-cresol, m-cresol, p-cresol, etc. are mentioned.
The xylenols are not particularly limited, and examples thereof include 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol and the like.
The alkylphenols are not particularly limited. For example, o-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, n-butylphenol, s-butylphenol, t-butylphenol, 2,3,4-trimethylphenol, 2,3 , 5-trimethylphenol, 2,4,5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethylphenol and the like.
The allylphenols are not particularly limited, and examples thereof include o-phenylphenol, m-phenylphenol, and p-phenylphenol.
The aralkylphenols are not particularly limited, and examples thereof include o-benzylphenol, m-benzylphenol, and p-benzylphenol.
The alkenylphenols are not particularly limited, and examples thereof include o-vinylphenol, m-vinylphenol, p-vinylphenol, o-allylphenol, m-allylphenol, and p-allylphenol.
The alkoxyphenols are not particularly limited, and examples thereof include o-methoxyphenol, m-methoxyphenol, p-methoxyphenol, o-ethoxyphenol, m-ethoxyphenol, and p-ethoxyphenol.
The halogenated phenols are not particularly limited, and examples thereof include o-chlorophenol, m-chlorophenol, and p-chlorophenol.
The monofunctional phenols are not particularly limited, and examples include α-naphthol and β-naphthol.

上記反応式(4)におけるベンゾオキサジン環を有する化合物を合成する反応に用いられるアルデヒド化合物としては、例えば、ホルムアルデヒド類、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、ベンズアルデヒド等が挙げられる。なかでも、ホルムアルデヒド類が好適であり、ホルムアルデヒドの水溶液であるホルマリンや、ホルムアルデヒドの重合物であるパラホルムアルデヒドがより好適である。 Examples of the aldehyde compound used in the reaction for synthesizing the compound having a benzoxazine ring in the above reaction formula (4) include formaldehydes, acetaldehyde, propionaldehyde, butyraldehyde, benzaldehyde and the like. Of these, formaldehydes are preferable, and formalin, which is an aqueous solution of formaldehyde, and paraformaldehyde, which is a polymer of formaldehyde, are more preferable.

上記反応式(4)におけるベンゾオキサジン環を有する化合物を合成する反応では、上記HN−X−NHで表されるジアミン化合物と、上記フェノール化合物と、上記アルデヒド化合物とが1:2:4のモル比となるように混合し、反応させることが好ましい。反応効率を高めるためには、アルデヒド化合物を多少過剰に加えてもよい。 In the reaction for synthesizing the compound having a benzoxazine ring in the reaction formula (4), the diamine compound represented by the H 2 N—X—NH 2 , the phenol compound, and the aldehyde compound are 1: 2: It is preferable to mix and react so that the molar ratio is 4. In order to increase the reaction efficiency, the aldehyde compound may be added in a slight excess.

上記反応式(3)又は(4)において、フェノール性水酸基を1つのベンゼン環上に1以上有する芳香族化合物としては、例えば、フェノール、1,2−ジヒドロキシベンゼン(カテコール)、1,3−ジヒドロキシベンゼン(レゾルシノール)、1,4−ジヒドロキシベンゼン(ヒドロキノン)、1,2,3−トリヒドロキシベンゼン(ピロガロール)等が挙げられ、これらは芳香族環上に、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等、水酸基以外の脂肪族基を有してもよい。ただし、芳香族環上の少なくとも2以上の置換基は、水素原子である。なかでも、特に電子供与性が高く反応性が高いことから、1,2−ジヒドロキシベンゼン(カテコール)、1,3−ジヒドロキシベンゼン(レゾルシノール)、1,4−ジヒドロキシベンゼン(ヒドロキノン)、1,2,3−トリヒドロキシベンゼン(ピロガロール)等フェノール性水酸基を1つのベンゼン環上に2以上有する芳香族化合物が好適である。 In the reaction formula (3) or (4), examples of the aromatic compound having one or more phenolic hydroxyl groups on one benzene ring include phenol, 1,2-dihydroxybenzene (catechol), 1,3-dihydroxy. Benzene (resorcinol), 1,4-dihydroxybenzene (hydroquinone), 1,2,3-trihydroxybenzene (pyrogallol), etc. are mentioned, and these are methyl group, ethyl group, propyl group, butyl on the aromatic ring. It may have an aliphatic group other than a hydroxyl group such as a group. However, at least two or more substituents on the aromatic ring are hydrogen atoms. Especially, since electron donating property is high and reactivity is high, 1,2-dihydroxybenzene (catechol), 1,3-dihydroxybenzene (resorcinol), 1,4-dihydroxybenzene (hydroquinone), 1,2, An aromatic compound having two or more phenolic hydroxyl groups on one benzene ring, such as 3-trihydroxybenzene (pyrogallol), is preferable.

上記反応式(3)又は(4)で表した反応にて上記ベンゾオキサジン環を有する化合物と、フェノール性水酸基を1つのベンゼン環上に1以上有する芳香族化合物を交互共重合させて本発明のアルカリ可溶樹脂を得る反応においては、上記ベンゾオキサジン環を有する化合物と、フェノール性水酸基を1つのベンゼン環上に1以上有する芳香族化合物とを1:2〜2:1のモル比で反応させることが好ましい。この範囲外で反応させた場合、所定の分子量のものが得られなかったり、アルカリ水溶液に対する溶解性が高すぎたり低すぎたりする場合がある。もっとも好ましくは、1:1のモル比で反応させることが好ましい。 In the reaction represented by the reaction formula (3) or (4), the compound having the benzoxazine ring and the aromatic compound having one or more phenolic hydroxyl groups on one benzene ring are alternately copolymerized. In the reaction for obtaining an alkali-soluble resin, the compound having the benzoxazine ring and the aromatic compound having one or more phenolic hydroxyl groups on one benzene ring are reacted at a molar ratio of 1: 2 to 2: 1. It is preferable. When the reaction is performed outside this range, a product having a predetermined molecular weight may not be obtained, or the solubility in an aqueous alkali solution may be too high or too low. Most preferably, the reaction is performed at a molar ratio of 1: 1.

上記(3)〜(6)の反応は、無溶媒又は溶媒中で行うことができる。
上記(3)〜(6)の反応を溶媒中で行う場合、使用する溶媒としては特に限定されないが、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒や、クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン系溶媒や、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール系溶媒や、乳酸エチル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチルエングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。また、後述するレジスト溶剤を使用し、そのまま配合に用いてもよい。また、これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
上記(3)〜(6)の反応は、50〜200℃程度で数分間〜数時間程度加熱することにより行うことが好ましい。
The reactions (3) to (6) can be carried out without solvent or in a solvent.
When the reactions (3) to (6) are carried out in a solvent, the solvent to be used is not particularly limited. For example, aromatic solvents such as toluene and xylene, halogen solvents such as chloroform and dichloromethane, Alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, butanol, ethyl lactate, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethyl Examples include englycol diethyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate. Moreover, you may use the resist solvent mentioned later as it is, and mix | blend it as it is. Moreover, these may be used independently and may use 2 or more types together.
The reactions (3) to (6) are preferably performed by heating at about 50 to 200 ° C. for about several minutes to several hours.

また、本発明のアルカリ可溶性樹脂は、上記式(1−1)中のR〜R又は式(1−2)中のR〜Rのうち、少なくとも1つが水酸基であることが好ましい。このような場合、合成時の反応が制御しやすい上に、生成物のアルカリ可溶性が高く、特に所望の特性を有する樹脂が得られる。
このような樹脂を得るためには、上述の反応式(3)又は(4)において、原料となるフェノール性水酸基を1つのベンゼン環上に1以上有する芳香族化合物として、1,2−ジヒドロキシベンゼン(カテコール)、1,3−ジヒドロキシベンゼン(レゾルシノール)、1,4−ジヒドロキシベンゼン(ヒドロキノン)、1,2,3−トリヒドロキシベンゼン(ピロガロール)等フェノール性水酸基を1つのベンゼン環上に2以上有する芳香族化合物を用いればよい。なかでも、合成時の反応性の高さやアルカリ可溶性の点から、1,2,3−トリヒドロキシベンゼン(ピロガロール)が特に好ましい。
In the alkali-soluble resin of the present invention, at least one of R 2 to R 4 in the above formula (1-1) or R 5 to R 7 in the formula (1-2) is preferably a hydroxyl group. . In such a case, the reaction at the time of synthesis is easy to control, and the product has a high alkali solubility, and a resin having particularly desired characteristics can be obtained.
In order to obtain such a resin, 1,2-dihydroxybenzene as an aromatic compound having one or more phenolic hydroxyl groups on one benzene ring in the above reaction formula (3) or (4). (Catechol), 1,3-dihydroxybenzene (resorcinol), 1,4-dihydroxybenzene (hydroquinone), 1,2,3-trihydroxybenzene (pyrogallol), etc. have two or more phenolic hydroxyl groups on one benzene ring An aromatic compound may be used. Among these, 1,2,3-trihydroxybenzene (pyrogallol) is particularly preferable from the viewpoint of high reactivity during synthesis and alkali solubility.

本発明のアルカリ可溶性樹脂は、高いアルカリ可溶性を有し、熱処理工程において水分等の低分子成分を発生することなく、高温焼成が不要で、高い耐熱性を有する硬化物を生成することができる。従って、レジスト組成物のアルカリ可溶性樹脂として極めて好適に用いることができる。本発明のアルカリ可溶性樹脂を用いてなるポジ型レジスト組成物、ネガ型レジスト組成物もまた、本発明の1つである。 The alkali-soluble resin of the present invention has high alkali solubility, does not generate low-molecular components such as moisture in the heat treatment step, does not require high-temperature baking, and can produce a cured product having high heat resistance. Therefore, it can be used very suitably as an alkali-soluble resin of a resist composition. A positive resist composition and a negative resist composition using the alkali-soluble resin of the present invention are also one aspect of the present invention.

本発明のポジ型レジスト組成物は、本発明のアルカリ可溶性樹脂と、光酸発生剤とを含有する。
上記光酸発生剤としては特に限定されず、従来公知のポジ型感光性樹脂組成物に用いられる光酸発生剤を用いることができる。
上記光酸発生剤としては、例えば、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,4’−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,6−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシ−2’−メチルベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3’,4,4’,6−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,3,4,4’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,3,4,5−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3’,4,4’,5’,6−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3’,4,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノン類が挙げられる。
The positive resist composition of the present invention contains the alkali-soluble resin of the present invention and a photoacid generator.
It does not specifically limit as said photo-acid generator, The photo-acid generator used for a conventionally well-known positive type photosensitive resin composition can be used.
Examples of the photoacid generator include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,4′-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone, and 2,3,6-trihydroxybenzophenone. 2,3,4-trihydroxy-2'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3', 4 4 ′, 6-pentahydroxybenzophenone, 2,2 ′, 3,4,4′-pentahydroxybenzophenone, 2,2 ′, 3,4,5-pentahydroxybenzophenone, 2,3 ′, 4,4 ′, Polyhydroxybenzophenones such as 5 ′, 6-hexahydroxybenzophenone and 2,3,3 ′, 4,4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone It is done.

上記光酸発生剤としては、例えば、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−2−(2’,4’−ジヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(2’,3’,4’−トリヒドロキシフェニル)プロパン、4,4’−{1−[4−〔2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−プロピル〕フェニル]エチリデン}ビスフェノール,3,3’−ジメチル−{1−[4−〔2−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−プロピル〕フェニル]エチリデン}ビスフェノール等のビス[(ポリ)ヒドロキシフェニル]アルカン類が挙げられる。 Examples of the photoacid generator include bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2- (4-hydroxyphenyl) -2- (4′- Hydroxyphenyl) propane, 2- (2,4-dihydroxyphenyl) -2- (2 ′, 4′-dihydroxyphenyl) propane, 2- (2,3,4-trihydroxyphenyl) -2- (2 ′, 3 ', 4'-trihydroxyphenyl) propane, 4,4'-{1- [4- [2- (4-hydroxyphenyl) -2-propyl] phenyl] ethylidene} bisphenol, 3,3'-dimethyl- {1- [4- [2- (3-Methyl-4-hydroxyphenyl) -2-propyl] phenyl] ethylidene} bisphenol such as bis [(poly) hydroxyphenyl] a Cans and the like.

上記光酸発生剤としては、例えば、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン等のトリス(ヒドロキシフェニル)メタン類又はそのメチル置換体が挙げられる。 Examples of the photoacid generator include tris (4-hydroxyphenyl) methane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, and bis (4-hydroxy-2,5-dimethyl). Phenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis Tris (hydroxyphenyl) methane such as (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane Or methyl-substituted products thereof.

上記光酸発生剤としては、例えば、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−2−ヒドロキシフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−2−ヒドロキシフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−2−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−2−ヒドロキシ−4−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−2−ヒドロキシ−4−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン等のビス(シクロヘキシルヒドロキシフェニル)(ヒドロキシフェニル)メタン類若しくはそのメチル置換体等と、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホン酸若しくはナフトキノン−1,2−ジアジド−4−スルホン酸、オルトアントラキノンジアジドスルホン酸等のキノンジアジド基含有スルホン酸との完全エステル化合物、部分エステル化合物、アミド化物、又は、部分アミド化物等が挙げられる。 Examples of the photoacid generator include bis (3-cyclohexyl-4-hydroxyphenyl) -3-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, and bis (3- Cyclohexyl-4-hydroxyphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) ) -3-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-2-hydroxyphenyl) -3-hydroxyphenylmethane, bis ( 5-cyclohexyl 4-hydroxy-3-methylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-3-methylphenyl) -3-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-3- Methylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-2-hydroxyphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-2-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (5- Bis (cyclohexylhydroxyphenyl) (hydroxyphenyl) such as cyclohexyl-2-hydroxy-4-methylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-2-hydroxy-4-methylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, etc. Nyl) methanes or methyl-substituted products thereof, and sulfonic acids containing quinonediazide groups such as naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonic acid or naphthoquinone-1,2-diazide-4-sulfonic acid, orthoanthraquinonediazidesulfonic acid And complete ester compounds, partial ester compounds, amidated products, partially amidated products, and the like.

上記光酸発生剤の配合量としては特に限定されないが、本発明のアルカリ可溶性樹脂に対して、好ましい下限は5重量%、好ましい上限は60重量%である。上記光酸発生剤の配合量が5重量%未満であると、感度不足により露光部と非露光部とのアルカリに対する溶解度差が得られないことがあり、60重量%を超えると、誘電率や機械特性等の塗膜物性が低下することがある。上記光酸発生剤の配合量のより好ましい下限は10重量%、より好ましい上限は50重量%である。 The blending amount of the photoacid generator is not particularly limited, but the preferable lower limit is 5% by weight and the preferable upper limit is 60% by weight with respect to the alkali-soluble resin of the present invention. If the blending amount of the photoacid generator is less than 5% by weight, a difference in solubility in alkali between the exposed part and the non-exposed part may not be obtained due to insufficient sensitivity, and if it exceeds 60% by weight, the dielectric constant and The physical properties of the coating such as mechanical properties may be deteriorated. A more preferable lower limit of the amount of the photoacid generator is 10% by weight, and a more preferable upper limit is 50% by weight.

本発明のネガ型レジスト組成物は、本発明のアルカリ可溶性樹脂と、重合性不飽和化合物と、光ラジカル開始剤とを含有する。
上記重合性不飽和化合物としては特に限定されないが、例えば、多官能(メタ)アクリレート化合物が好適である。また、多官能ウレタン(メタ)アクリレート化合物も好適に用いることができる。
The negative resist composition of the present invention contains the alkali-soluble resin of the present invention, a polymerizable unsaturated compound, and a photo radical initiator.
Although it does not specifically limit as said polymerizable unsaturated compound, For example, a polyfunctional (meth) acrylate compound is suitable. Moreover, a polyfunctional urethane (meth) acrylate compound can also be used suitably.

上記多官能(メタ)アクリレート化合物のうち2官能のものとしては、例えば、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、3−メチル−1,5−ペンタンジオールジ(メタ)アクリレート、2−ブチル−2−エチル−1,3−プロパンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールエステルジアクリレート、ジエチレングリコール(メタ)アクリレート、トリエチレングリコール(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、ヘキサエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノナエチレングリコール(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ヘキサエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ノナエチレングリコールジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Examples of the bifunctional compound among the polyfunctional (meth) acrylate compounds include neopentyl glycol di (meth) acrylate, 3-methyl-1,5-pentanediol di (meth) acrylate, and 2-butyl-2- Ethyl-1,3-propanediol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, hydroxypivalic acid neopentyl glycol ester diacrylate, diethylene glycol (meth) acrylate, triethylene Glycol (meth) acrylate, tetraethylene glycol (meth) acrylate, hexaethylene glycol (meth) acrylate, nonaethylene glycol (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, trie Glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, hexaethylene glycol di (meth) acrylate, nonaethylene glycol di (meth) acrylate.

上記多官能(メタ)アクリレート化合物のうち3官能以上のものとしては、例えば、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Examples of the trifunctional or higher polyfunctional (meth) acrylate compounds include trimethylolethane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, and pentaerythritol tris. (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate and the like.

上記重合性不飽和化合物の配合量としては特に限定されないが、本発明のアルカリ可溶性樹脂に対して、好ましい下限は10重量%、好ましい上限は200重量%である。上記重合性不飽和化合物の配合量が10重量%未満であると、光硬化性が不充分となり、レジストパターンが形成できない場合があり、200重量%を超えると、耐熱性や絶縁性、機械特性等の塗膜物性が低下することがある。 Although it does not specifically limit as a compounding quantity of the said polymeric unsaturated compound, A preferable minimum is 10 weight% with respect to the alkali-soluble resin of this invention, and a preferable upper limit is 200 weight%. When the blending amount of the polymerizable unsaturated compound is less than 10% by weight, the photocurability may be insufficient and a resist pattern may not be formed. When the blending amount exceeds 200% by weight, heat resistance, insulation, and mechanical properties may be formed. The physical properties of the coating film may be deteriorated.

上記光反応開始剤としては特に限定されず、例えば、ベンゾイン、ベンゾフェノン、ベンジル、チオキサントン及びこれらの誘導体等の従来公知の光反応開始剤が挙げられる。
具体的には、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ミヒラーケトン、(4−(メチルフェニルチオ)フェニル)フェイルメタノン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、1−(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、2−メチル−1(4−メチルチオ)フェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン等が挙げられる。これらの光反応開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
The photoinitiator is not particularly limited, and examples thereof include conventionally known photoinitiators such as benzoin, benzophenone, benzyl, thioxanthone, and derivatives thereof.
Specifically, for example, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isobutyl ether, Michler ketone, (4- (methylphenylthio) phenyl) failmethanone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1- ON, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, 1- (4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl) -2-hydroxy-2 -Methyl-1-propan-1-one, 2-methyl-1 (4-methylthio) phenyl) -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholino Phenyl) -butanone-1, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphospho Oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide, 2,4-diethylthioxanthone, 2-chloro Examples include thioxanthone. These photoinitiators may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記光反応開始剤の配合量としては特に限定されないが、上記重合性不飽和化合物に対して、好ましい下限は0.5重量%、好ましい上限は20重量%である。上記光反応開始剤の配合量が0.5重量%未満であると、光硬化性が不充分となり、レジストパターンが形成できない場合があり、20%を超えると、解像度が低下したり誘電率や機械特性等の塗膜物性が低下したりすることがある。 The blending amount of the photoreaction initiator is not particularly limited, but a preferable lower limit is 0.5% by weight and a preferable upper limit is 20% by weight with respect to the polymerizable unsaturated compound. If the amount of the photoinitiator is less than 0.5% by weight, the photocurability may be insufficient and a resist pattern may not be formed. If the amount exceeds 20%, the resolution decreases, the dielectric constant, The physical properties of the coating such as mechanical properties may be deteriorated.

本発明のポジ型レジスト組成物、ネガ型レジスト組成物は、粘度等を調整する目的で、溶剤を含有することが好ましい。
上記溶剤としては特に限定されず、例えば、芳香族炭化水素化合物、飽和又は不飽和炭化水素化合物、エーテル類、ケトン類、エステル類等が挙げられる。
上記芳香族炭化水素化合物は特に限定されず、例えば、ベンゼン、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、スチレン、トリメチルベンゼン、ジエチルベンゼン等が挙げられる。
上記飽和又は不飽和炭化水素化合物は特に限定されず、例えば、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキセン、p−メンタン、o−メンタン、m−メンタンジペンテン、n−ペンタン、イソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、n−ヘプタン、イソヘプタン、n−オクタン、イソオクタン、n−ノナン、イソノナン、n−デカン、イソデカン、テトラヒドロナフタレン、スクワラン等が挙げられる。
上記エーテル類は特に限定されず、例えば、ジエチルエーテル、ジ−n−プロピルエーテル、ジ−イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル等が挙げられる。
上記ケトン類は特に限定されず、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、メチルアミルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン等が挙げられる。
上記エステル類は特に限定されず、例えば、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エチルセロソルブ、酢酸ブチルセロソルブ、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソアミル、ステアリン酸ブチル等が挙げられる。
これらの溶剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
The positive resist composition and the negative resist composition of the present invention preferably contain a solvent for the purpose of adjusting viscosity and the like.
The solvent is not particularly limited, and examples thereof include aromatic hydrocarbon compounds, saturated or unsaturated hydrocarbon compounds, ethers, ketones, and esters.
The aromatic hydrocarbon compound is not particularly limited, and examples thereof include benzene, xylene, toluene, ethylbenzene, styrene, trimethylbenzene, and diethylbenzene.
The saturated or unsaturated hydrocarbon compound is not particularly limited. For example, cyclohexane, ethylcyclohexane, methylcyclohexane, cyclohexene, p-menthane, o-menthane, m-menthane dipentene, n-pentane, isopentane, n-hexane, isohexane. N-heptane, isoheptane, n-octane, isooctane, n-nonane, isononane, n-decane, isodecane, tetrahydronaphthalene, squalane and the like.
The ethers are not particularly limited. For example, diethyl ether, di-n-propyl ether, di-isopropyl ether, dibutyl ether, ethyl propyl ether, diphenyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether , Dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dibutyl ether, dipropylene glycol methyl ethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dipropyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, tetrahydrofuran, 1, - dioxane, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, dipropyl ether, dibutyl ether and the like.
The ketones are not particularly limited, and examples include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diethyl ketone, dipropyl ketone, methyl amyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, and cycloheptanone.
The esters are not particularly limited, and for example, ethyl acetate, methyl acetate, butyl acetate, propyl acetate, cyclohexyl acetate, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, isoamyl lactate, stearin Examples include butyl acid.
These solvents may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記溶剤の配合量としては特に限定されないが、本発明のポジ型レジスト組成物、ネガ型レジスト組成物の固形分濃度が10〜60重量%、より好ましくは15〜50重量%となるように配合することが、塗工性や塗膜均一性等の点から好ましい。 Although it does not specifically limit as a compounding quantity of the said solvent, It mix | blends so that the solid content density | concentration of the positive resist composition of this invention and a negative resist composition may be 10 to 60 weight%, More preferably, it is 15 to 50 weight%. It is preferable from the viewpoints of coatability and coating film uniformity.

本発明のポジ型レジスト組成物、ネガ型レジスト組成物は、更に、本発明の目的を阻害しない範囲で、界面活性剤、密着性向上剤、溶解促進剤、無機フィラー等の従来公知の添加剤を含有してもよい。また、必要に応じて、エポキシ樹脂やオキセタン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、マレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂等の従来公知の樹脂成分を含有してもよい。また、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂及びそれらの前駆体を含有してもよい。また、ベンゾオキサジン環を有する化合物(フェノール性水酸基を有さない)を、現像性を損なわない程度に含有してもよい。 The positive type resist composition and the negative type resist composition of the present invention further include conventionally known additives such as surfactants, adhesion improvers, dissolution accelerators, inorganic fillers and the like within the range not impairing the object of the present invention. It may contain. Moreover, you may contain conventionally well-known resin components, such as an epoxy resin, an oxetane resin, a phenol resin, a melamine resin, a maleimide resin, a polyurethane resin, an acrylic resin, as needed. Moreover, you may contain a polyimide resin, polybenzoxazole resin, and those precursors. Moreover, you may contain the compound (it does not have a phenolic hydroxyl group) which has a benzoxazine ring to such an extent that developability is not impaired.

本発明のポジ型レジスト組成物、ネガ型レジスト組成物を製造する方法としては特に限定されず、本発明のアルカリ可溶性樹脂と、光酸発生剤等の必須成分、及び、必要に応じて添加する添加剤を、従来公知の各種混合機を用いて混合する方法が挙げられる。 The method for producing the positive resist composition and the negative resist composition of the present invention is not particularly limited. The alkali-soluble resin of the present invention, essential components such as a photoacid generator, and the like are added as necessary. The method of mixing an additive using conventionally well-known various mixers is mentioned.

本発明によれば、レジスト組成物に好適な高いアルカリ可溶性を有し、熱処理工程において水分等の低分子成分を殆ど発生することなく、高温焼成が不要で、解像性や耐熱性に優れた硬化物を生成することができるアルカリ可溶性樹脂を提供することができる。また、該アルカリ可溶性樹脂を用いたポジ型レジスト組成物及びネガ型レジスト組成物を提供することができる。 According to the present invention, it has high alkali solubility suitable for a resist composition, hardly generates low-molecular components such as moisture in the heat treatment step, does not require high-temperature baking, and has excellent resolution and heat resistance. An alkali-soluble resin capable of producing a cured product can be provided. Moreover, the positive resist composition and negative resist composition using this alkali-soluble resin can be provided.

以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.

〈アルカリ可溶性樹脂の合成〉
(合成例1)
500mL容のビーカーに、ビスフェノールA45.6g(0.2mol)、パラホルムアルデヒド26.4g(0.88mol)、アニリン37.2g(0.4mol)を投入し、常温で30分間攪拌してスラリー状にした後、ホットプレート上で170℃に加熱し、10分間反応させた。反応液をフッ素樹脂製のシート上に流延し、室温まで冷却して得た固形物を乳鉢ですり潰して、1分子中に2個のベンゾオキサジン環を有する化合物を得た。
<Synthesis of alkali-soluble resin>
(Synthesis Example 1)
In a 500 mL beaker, 45.6 g (0.2 mol) of bisphenol A, 26.4 g (0.88 mol) of paraformaldehyde, and 37.2 g (0.4 mol) of aniline are added and stirred at room temperature for 30 minutes to form a slurry. Then, it was heated to 170 ° C. on a hot plate and allowed to react for 10 minutes. The reaction solution was cast on a fluororesin sheet and cooled to room temperature, and the solid material obtained was ground with a mortar to obtain a compound having two benzoxazine rings in one molecule.

還流管を備えた500mL容のフラスコに、得られた1分子中に2個のベンゾオキサジン環を有する化合物46.2g(0.10mol)、ピロガロール12.6g(0.10mol)、乳酸エチル137.2gを投入し、120℃で30分間反応させて、本発明のアルカリ可溶性樹脂の溶液(固形分30重量%)を得た。 In a 500 mL flask equipped with a reflux tube, 46.2 g (0.10 mol) of a compound having two benzoxazine rings in one molecule obtained, 12.6 g (0.10 mol) of pyrogallol, 137. 2 g was added and reacted at 120 ° C. for 30 minutes to obtain an alkali-soluble resin solution (solid content 30% by weight) of the present invention.

(合成例2)
500mL容のビーカーに、4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタン40g(0.2mol)、パラホルムアルデヒド26.4g(0.88mol)、アニリン37.2g(0.4mol)を投入し、常温で30分間攪拌してスラリー状にした後、ホットプレート上で170℃に加熱し、10分間反応させた。反応液をフッ素樹脂製のシート上に流延し、室温まで冷却して得た固形物を乳鉢ですり潰して、1分子中に2個のベンゾオキサジン環を有する化合物を得た。
(Synthesis Example 2)
In a 500 mL beaker, 40 g (0.2 mol) of 4,4′-dihydroxydiphenylmethane, 26.4 g (0.88 mol) of paraformaldehyde, and 37.2 g (0.4 mol) of aniline are added and stirred at room temperature for 30 minutes. After being made into a slurry, it was heated to 170 ° C. on a hot plate and allowed to react for 10 minutes. The reaction solution was cast on a fluororesin sheet and cooled to room temperature, and the solid material obtained was ground with a mortar to obtain a compound having two benzoxazine rings in one molecule.

還流管を備えた500mL容のフラスコに、得られた1分子中に2個のベンゾオキサジン環を有する化合物43.4g(0.10mol)、ピロガロール12.6g(0.10mol)、乳酸エチル130.7gを投入し、120℃で30分間反応させて、本発明のアルカリ可溶性樹脂の溶液(固形分30重量%)を得た。 In a 500 mL flask equipped with a reflux tube, 43.4 g (0.10 mol) of a compound having two benzoxazine rings in one molecule, 12.6 g of pyrogallol (0.10 mol), 130. 7 g was added and reacted at 120 ° C. for 30 minutes to obtain an alkali-soluble resin solution of the present invention (solid content: 30% by weight).

(合成例3)
還流管とディーンスターク管を備えた500mL容のフラスコに、フェノール37.6g(0.4mol)、4,4’−ジアミノジフェニルメタン39.6g(0.2mol)、パラホルムアルデヒド26.4g(0.88mol)、トルエン103.6gを投入し、反応中に生じる水を除去しながら、120℃で3時間反応させた。反応後の溶液を多量のメタノールに投じ、沈殿物を回収、減圧乾燥し、1分子中に2個のベンゾオキサジン環を有する化合物を得た。
(Synthesis Example 3)
In a 500 mL flask equipped with a reflux tube and a Dean-Stark tube, 37.6 g (0.4 mol) of phenol, 39.6 g (0.2 mol) of 4,4′-diaminodiphenylmethane, 26.4 g (0.88 mol) of paraformaldehyde. ), 103.6 g of toluene was added, and the reaction was carried out at 120 ° C. for 3 hours while removing water generated during the reaction. The solution after the reaction was poured into a large amount of methanol, and the precipitate was collected and dried under reduced pressure to obtain a compound having two benzoxazine rings in one molecule.

還流管を備えた500mL容のフラスコに、得られた1分子中に2個のベンゾオキサジン環を有する化合物43.4g(0.10mol)、ピロガロール12.6g(0.10mol)、乳酸エチル130.7gを投入し、120℃で30分間反応させて、本発明のアルカリ可溶性樹脂の溶液(固形分30重量%)を得た。 In a 500 mL flask equipped with a reflux tube, 43.4 g (0.10 mol) of a compound having two benzoxazine rings in one molecule, 12.6 g of pyrogallol (0.10 mol), 130. 7 g was added and reacted at 120 ° C. for 30 minutes to obtain an alkali-soluble resin solution of the present invention (solid content: 30% by weight).

(合成例4)
還流管とディーンスターク管を備えた500mL容のフラスコに、p−クレゾール43.2g(0.4mol)、4,4’−ジアミノジフェニルメタン39.6g(0.2mol)、パラホルムアルデヒド26.4g(0.88mol)、トルエン109.2gを投入し、反応中に生じる水を除去しながら、120℃で3時間反応させた。反応後の溶液を多量のメタノールに投じ、沈殿物を回収、減圧乾燥し、1分子中に2個のベンゾオキサジン環を有する化合物を得た。
(Synthesis Example 4)
In a 500 mL flask equipped with a reflux tube and a Dean-Stark tube, 43.2 g (0.4 mol) of p-cresol, 39.6 g (0.2 mol) of 4,4′-diaminodiphenylmethane, 26.4 g of paraformaldehyde (0 .88 mol) and 109.2 g of toluene were added, and the mixture was reacted at 120 ° C. for 3 hours while removing water generated during the reaction. The solution after the reaction was poured into a large amount of methanol, and the precipitate was collected and dried under reduced pressure to obtain a compound having two benzoxazine rings in one molecule.

還流管を備えた500mL容のフラスコに、得られた1分子中に2個のベンゾオキサジン環を有する化合物46.2g(0.10mol)、ピロガロール12.6g(0.10mol)、乳酸エチル137.2gを投入し、120℃で30分間反応させて、本発明のアルカリ可溶性樹脂の溶液(固形分30重量%)を得た。 In a 500 mL flask equipped with a reflux tube, 46.2 g (0.10 mol) of a compound having two benzoxazine rings in one molecule obtained, 12.6 g (0.10 mol) of pyrogallol, 137. 2 g was added and reacted at 120 ° C. for 30 minutes to obtain an alkali-soluble resin solution (solid content 30% by weight) of the present invention.

(合成例5)
ピロガロールの代わりに、カテコール11.0g(0.10mol)を用い、乳酸エチルを133.4g用いた以外は合成例1と同様にして合成を行い、本発明のアルカリ可溶性樹脂の溶液(固形分30重量%)を得た。
(Synthesis Example 5)
Synthesis was performed in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 11.0 g (0.10 mol) of catechol was used instead of pyrogallol and 133.4 g of ethyl lactate was used, and the solution of the alkali-soluble resin of the present invention (solid content 30) % By weight).

合成例1〜5で得られた樹脂について、カラムとしてShodex LF−804(昭和電工社製)、展開溶媒としてテトラヒドロフランを用いGPC測定を行い、重量平均分子量(ポリスチレン換算)を調べた。
また、得られた樹脂を2.38%の水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液に加え、溶解性試験を行った。結果を表1に示す。
About resin obtained in the synthesis examples 1-5, GPC measurement was performed using Shodex LF-804 (made by Showa Denko KK) as a column and tetrahydrofuran as a developing solvent, and the weight average molecular weight (polystyrene conversion) was investigated.
The obtained resin was added to a 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution, and a solubility test was performed. The results are shown in Table 1.

〈ポジ型レジスト組成物の作製及び評価〉
(実施例1〜5)
合成例1〜5で得られた固形分30重量%の樹脂溶液20.0g、光酸発生剤として2,3,4,4’−テトラメチルベンゾフェノンに平均して3個の5−ナフトキノンジアジドスルホニル基を結合させたもの(4NT−300、東洋合成社製)1.5g、フッ素系界面活性剤(PF−3320、OMNOVA SOLUTIONS社製)0.015g、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル16.1gを混合し、固形分20重量%のポジ型レジスト組成物を得た。
<Preparation and evaluation of positive resist composition>
(Examples 1-5)
20.0 g of a resin solution having a solid content of 30% by weight obtained in Synthesis Examples 1 to 5 and three 5-naphthoquinonediazide sulfonyls on average in 2,3,4,4′-tetramethylbenzophenone as a photoacid generator 1.5 g of a group bonded (4NT-300, manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.), 0.015 g of a fluorosurfactant (PF-3320, manufactured by OMNOVA SOLUTIONS), 16.1 g of diethylene glycol methyl ethyl ether, A positive resist composition having a solid content of 20% by weight was obtained.

得られたポジ型レジスト組成物を、スピンコーターを用いてシリコンウエハ上に厚さ3μmとなるように塗布した後、ホットプレート上で100℃に加熱し、2分間乾燥させて塗膜を得た。
得られた塗膜に対して、4〜20μmのドットパターン及びラインアンドスペースパターンを有するマスクを介して400mJ/cmの紫外線照射を行った。紫外線照射後、2.38%の水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液を用いて30秒間現像し、水で洗浄してパターン形成を行った。
The obtained positive resist composition was applied on a silicon wafer to a thickness of 3 μm using a spin coater, then heated to 100 ° C. on a hot plate and dried for 2 minutes to obtain a coating film. .
The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays of 400 mJ / cm 2 through a mask having a dot pattern of 4 to 20 μm and a line and space pattern. After irradiation with ultraviolet rays, a pattern was formed by developing for 30 seconds using a 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution and washing with water.

得られたパターンを光学顕微鏡で観察し、解像度の評価を行った。
また、得られたパターンを、更に220℃、60分間加熱処理した後、シリコンウェハ上から削り取り、熱重量測定装置(TG/DTA320、セイコーインスツルメンツ社製)により耐熱性評価を行った。100℃まで昇温して吸着水分を除去した後、この重量を100%とし、10℃/分の昇温速度で500℃まで加熱して5%重量減少温度を測定した。
結果を表2に示す。
The obtained pattern was observed with an optical microscope, and the resolution was evaluated.
Further, the obtained pattern was further heat-treated at 220 ° C. for 60 minutes, then scraped off from the silicon wafer, and heat resistance was evaluated with a thermogravimetric measuring device (TG / DTA320, manufactured by Seiko Instruments Inc.). After the temperature was raised to 100 ° C. to remove the adsorbed moisture, this weight was taken as 100%, and the temperature was raised to 500 ° C. at a rate of temperature rise of 10 ° C./min, and the 5% weight loss temperature was measured.
The results are shown in Table 2.

〈ネガ型レジスト組成物の作製及び評価〉
(実施例6〜10)
合成例1〜5で得られた固形分30重量%の樹脂溶液20.0g、重合性不飽和化合物としてペンタエリスリトールトリアクリレート6.0g、光重合開始剤として2−メチル−1(4−メチルチオ)フェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オン(イルガキュア907、チバスペシャルティケミカルズ社製)1.0g、フッ素系界面活性剤(PF−3320、OMNOVA SOLUTIONS社製)0.015g、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル38.1gを混合し、固形分20重量%のネガ型レジスト組成物を得た。
<Preparation and evaluation of negative resist composition>
(Examples 6 to 10)
20.0 g of a resin solution having a solid content of 30% by weight obtained in Synthesis Examples 1 to 5, 6.0 g of pentaerythritol triacrylate as a polymerizable unsaturated compound, and 2-methyl-1 (4-methylthio) as a photopolymerization initiator Phenyl) -2-morpholinopropan-1-one (Irgacure 907, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) 1.05 g, fluorosurfactant (PF-3320, manufactured by OMNOVA SOLUTIONS), 0.015 g, diethylene glycol methyl ethyl ether 38 0.1 g was mixed to obtain a negative resist composition having a solid content of 20% by weight.

得られたネガ型レジスト組成物を、スピンコーターを用いてシリコンウエハ上に厚さ3μmとなるように塗布した後、ホットプレート上で100℃に加熱し、2分間乾燥させて塗膜を得た。
得られた塗膜に対して、4〜20μmのドットパターン及びラインアンドスペースパターンを有するマスクを介して400mJ/cmの紫外線照射を行った。紫外線照射後、2.38%の水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液を用いて30秒間現像し、水で洗浄してパターン形成を行った。
The obtained negative resist composition was applied on a silicon wafer to a thickness of 3 μm using a spin coater, then heated to 100 ° C. on a hot plate and dried for 2 minutes to obtain a coating film. .
The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays of 400 mJ / cm 2 through a mask having a dot pattern of 4 to 20 μm and a line and space pattern. After irradiation with ultraviolet rays, a pattern was formed by developing for 30 seconds using a 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution and washing with water.

得られたパターンを光学顕微鏡で観察し、解像度の評価を行った。
また、得られたパターンを、更に220℃、60分間加熱処理した後、シリコンウェハ上から削り取り、熱重量測定装置(TG/DTA320、セイコーインスツルメンツ社製)により耐熱性評価を行った。100℃まで昇温して吸着水分を除去した後、この重量を100%とし、10℃/分の昇温速度で500℃まで加熱して5%重量減少温度を測定した。
結果を表3に示す。
The obtained pattern was observed with an optical microscope, and the resolution was evaluated.
Further, the obtained pattern was further heat-treated at 220 ° C. for 60 minutes, then scraped off from the silicon wafer, and heat resistance was evaluated with a thermogravimetric measuring device (TG / DTA320, manufactured by Seiko Instruments Inc.). After the temperature was raised to 100 ° C. to remove the adsorbed moisture, this weight was taken as 100%, and the temperature was raised to 500 ° C. at a rate of temperature rise of 10 ° C./min, and the 5% weight loss temperature was measured.
The results are shown in Table 3.

Figure 2010077380
Figure 2010077380

Figure 2010077380
Figure 2010077380

Figure 2010077380
Figure 2010077380

本発明によれば、レジスト組成物に好適な高いアルカリ可溶性を有し、熱処理工程において水分等の低分子成分を発生することなく、解像性や耐熱性に優れた高い耐熱性を有する硬化物を生成することができるアルカリ可溶性樹脂を提供することができる。また、該アルカリ可溶性樹脂を用いたポジ型レジスト組成物及びネガ型レジスト組成物を提供することができる。 According to the present invention, a cured product having a high alkali solubility suitable for a resist composition and having high resolution and heat resistance without generating low molecular components such as moisture in the heat treatment step. It is possible to provide an alkali-soluble resin capable of producing Moreover, the positive resist composition and negative resist composition using this alkali-soluble resin can be provided.

Claims (5)

下記一般式(1−1)又は(1−2)で表される繰り返し単位からなることを特徴とするアルカリ可溶性樹脂。
Figure 2010077380
式(1−1)中、Arは下記一般式(2−1)、(2−2)又は(2−3)で表される4価の芳香族基を表し、Rは脂肪族基、脂環式基、又は、芳香族基を表し、R〜Rは、同一でも異なってもよく、水酸基、水素原子、脂肪族基、脂環式基、又は、芳香族基を表す。
式(1−2)中、Xは2価の有機基を表す。R〜Rは、同一でも異なってもよく、水素原子、脂肪族基、脂環式基、芳香族基、又は、ハロゲン基を示す。R〜Rは、同一でも異なってもよく、水酸基、水素原子、脂肪族基、脂環式基、又は、芳香族基を示す。
Figure 2010077380
式(2−1)、(2−2)、(2−3)中、**印は酸素原子への結合部位を表し、他はメチレン基への結合部位を表す。また、各芳香環の水素は、炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、又は、置換若しくは無置換フェニル基で置換されていてもよい。式(2−1)において、Xは、直接結合手(原子又は原子団が存在しない)、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基、及び、下記群Aからなる群より選択される少なくとも1つであるヘテロ元素若しくは官能基を含んでいてもよい脂肪族、脂環式、又は、芳香族の炭化水素基を表す。
Figure 2010077380
群Aに含まれる各式中、*印は式(2−1)における芳香環への結合部位を表す。
An alkali-soluble resin comprising a repeating unit represented by the following general formula (1-1) or (1-2).
Figure 2010077380
In formula (1-1), Ar 1 represents a tetravalent aromatic group represented by the following general formula (2-1), (2-2) or (2-3), and R 1 represents an aliphatic group. Represents an alicyclic group or an aromatic group, and R 2 to R 4 may be the same or different and each represents a hydroxyl group, a hydrogen atom, an aliphatic group, an alicyclic group, or an aromatic group.
In formula (1-2), X represents a divalent organic group. R 1 to R 4 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an alicyclic group, an aromatic group, or a halogen group. R 5 to R 7 may be the same or different and each represents a hydroxyl group, a hydrogen atom, an aliphatic group, an alicyclic group, or an aromatic group.
Figure 2010077380
In formulas (2-1), (2-2), and (2-3), ** represents a bonding site to an oxygen atom, and the other represents a bonding site to a methylene group. Moreover, hydrogen of each aromatic ring may be substituted with a C1-C10 aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, or a substituted or unsubstituted phenyl group. In Formula (2-1), X is at least 1 selected from the group consisting of a direct bond (no atom or atomic group), an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group, a sulfonyl group, and the following group A: Represents an aliphatic, alicyclic or aromatic hydrocarbon group which may contain a hetero element or a functional group.
Figure 2010077380
In each formula included in group A, * represents a binding site to the aromatic ring in formula (2-1).
重量平均分子量が1000〜2万であることを特徴とする請求項1記載のアルカリ可溶性樹脂。 The alkali-soluble resin according to claim 1, wherein the weight-average molecular weight is 1000 to 20,000. 式(1−1)中のR〜R又は式(1−2)中のR〜Rのうち、少なくとも1つが水酸基であることを特徴とする請求項1又は2記載のアルカリ可溶性樹脂。 3. The alkali-soluble composition according to claim 1, wherein at least one of R 2 to R 4 in formula (1-1) or R 5 to R 7 in formula (1-2) is a hydroxyl group. resin. 請求項1、2又は3記載のアルカリ可溶性樹脂と、光酸発生剤とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 A positive resist composition comprising the alkali-soluble resin according to claim 1, 2 or 3 and a photoacid generator. 請求項1、2又は3記載のアルカリ可溶性樹脂と、重合性不飽和化合物と、光ラジカル開始剤とを含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。 A negative resist composition comprising the alkali-soluble resin according to claim 1, 2 or 3, a polymerizable unsaturated compound, and a photo radical initiator.
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