JP2010067805A - 研削加工装置、研削加工方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高精度の半導体ウェハの厚み公差内にて半導体ウェハを研削できる研削加工装置、研削加工方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る研削加工方法は、基板２の表面に貼り付けられた保護テープ１の厚みを測定する工程と、保護テープ１の厚みが測定された基板２の裏面を粗研削する工程と、基板２及び保護テープ１の厚みが仕上がり厚み設定値となるまで基板２の裏面を仕上げ研削する工程とを具備し、仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、研削加工装置、研削加工方法及び半導体装置の製造方法に係わり、特に高精度の半導体ウェハの厚み公差内にて半導体ウェハを研削できる研削加工装置、研削加工方法及び半導体装置の製造方法に関する。

従来より、デバイスの更なる小型化が求められている中、半導体ウェハの表面に回路パターンを形成した後、半導体ウェハの裏面を研磨または研削する。これによって、回路パターン積層後の半導体ウェハの厚みを薄くしている。

この半導体ウェハの研削加工工程において、半導体ウェハの回路パターン形成面には半導体ウェハを保護するために粘着性のある保護テープを貼り付けている。その後、半導体ウェハは保護テープを貼り付けた面を下にして、半導体ウェハの裏面を砥石によって冷却水である純水を供給しながら削り取っている（例えば特許文献１参照）。

また、従来の研削加工工程においては、研削用の保護テープの厚みのばらつきは考慮されることなく、保護テープの厚みは一定であると仮定して研削加工を行う。

半導体ウェハの研削加工は、研削加工装置において常時半導体ウェハの厚みを測定しながら所望の厚みになるまで処理を行っている。この際に、研削加工装置内における測定器によって、研削加工しながら半導体ウェハの厚みに保護テープの厚みを含んだ厚みを測定している。また、研削用の保護テープの厚みを一定であると仮定していることから、半導体ウェハの厚みを予測している。

また、量産品を研削加工する前に一枚のダミー基板を研削加工し、その結果を参考にして研削加工装置における測定器の補正を行っている。

詳細には、従来の半導体ウェハの研削加工工程では、例えば、保護テープの厚み公称１７０μｍの保護テープを使用して、半導体ウェハの厚みを４５０μｍに研削加工する場合において、半導体ウェハの厚みに保護テープの厚みを含んだ厚みである６２０μｍを仕上がり厚みの設定値として、研削加工しなければならない。まず、一枚のダミー基板によって、保護テープの厚みを含んだ厚みが６２０μｍになるまで研削加工する。次いで、保護テープを剥離してダミー基板の厚みを測定する。その結果、ダミー基板の厚みが４５２μｍとなったことから、保護テープの厚みが１６８μｍであったことを推測する。つまり、保護テープの厚み公称１７０μｍに対して、２μｍ分が薄かったこととなる。この結果を参考にして、研削加工装置における測定器の補正を行い、仕上がり厚みの設定値を６１８μｍとして、製品である半導体ウェハの研削加工を連続的に行っている。

特開平８−１８１１９７号公報（段落０００１〜００３３）

ところで、近年のＭＥＭＳデバイス等において、その性能を保証する為には機械構造の要素部分となる半導体ウェハの厚み公差に高精度が要求されるようになってきている。

しかしながら、上述したように、仕上がり厚みの設定値を一枚のダミー基板によって補正した後は、保護テープの厚みを１６８μｍであると仮定して、半導体ウェハの厚みに保護テープの厚みを含んだ厚みが６１８μｍになるまで研削加工している。その為、研削加工装置の起因による半導体ウェハの厚みのばらつき以外に、研削用の保護テープの厚みのばらつき分が加わってしまう。その結果、高精度の半導体ウェハの厚み公差内となるように半導体ウェハを研削加工することが出来ない。

本発明に係る幾つかの態様は、高精度の半導体ウェハの厚み公差内にて半導体ウェハを研削できる研削加工装置、研削加工方法及び半導体装置の製造方法である。

上記課題を解決するため、本発明に係る研削加工装置は、基板の裏面を研削する研削加工装置において、
前記基板の表面に貼り付けられた保護テープの厚みを測定する保護テープ厚み測定器と、
前記保護テープ厚み測定器によって前記保護テープの厚みが測定された前記基板を載置する第１のチャックテーブルと、
前記第１のチャックテーブルに載置された前記基板の裏面を粗研削する第１の砥石と、
前記第１の砥石によって研削された前記基板を載置する第２のチャックテーブルと、
前記第２のチャックテーブルに載置された前記基板の裏面を仕上げ研削する第２の砥石と、
前記第２のチャックテーブルに載置された前記基板及び前記保護テープの厚みを測定する研削対象厚み測定器と、
前記第２の砥石によって前記基板の裏面を仕上げ研削している際に、前記研削対象厚み測定器によって測定された測定値が仕上がり厚み設定値となった時に研削を停止するように制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープ厚み測定器によって測定された前記保護テープの厚みを加えた厚みを計算し、この計算された厚みを前記仕上がり厚み設定値とするように制御することを特徴とする。

上記研削加工装置によれば、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープ厚み測定器によって測定された前記保護テープの厚みを加えた厚みを計算し、この計算された厚みを前記仕上がり厚み設定値としている。それにより、研削用の保護テープの厚みのばらつきが、研削加工後における半導体ウェハの厚みのばらつきに影響することを抑制することができる。その為、半導体ウェハの加工精度が向上し、高精度の半導体ウェハの厚み公差内において、より所望の厚みに半導体ウェハ研削加工することが容易となる。

本発明に係る研削加工装置は、表面に保護テープが貼り付けられた基板の裏面を研削する研削加工装置において、
前記基板を載置する第１のチャックテーブルと、
前記第１のチャックテーブルに載置された前記基板の裏面を粗研削する第１の砥石と、
前記第１の砥石によって研削された後の前記保護テープの厚みを測定する保護テープ厚み測定器と、
前記保護テープ厚み測定器によって前記保護テープの厚みが測定された後の前記基板を載置する第２のチャックテーブルと、
前記第２のチャックテーブルに載置された前記基板の裏面を仕上げ研削する第２の砥石と、
前記第２のチャックテーブルに載置された前記基板及び前記保護テープの厚みを測定する研削対象厚み測定器と、
前記第２の砥石によって前記基板の裏面を仕上げ研削している際に、前記研削対象厚み測定器によって測定された測定値が仕上がり厚み設定値となった時に研削を停止するように制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープ厚み測定器によって測定された前記保護テープの厚みを加えた厚みを計算し、この計算された厚みを前記仕上がり厚み設定値とするように制御することを特徴とする。

本発明に係る研削加工装置は、表面に保護テープが貼り付けられた基板の裏面を研削する研削加工装置において、
前記基板を載置する第１のチャックテーブルと、
前記第１のチャックテーブルに載置された前記基板の裏面を粗研削する第１の砥石と、
前記第１の砥石によって研削された前記基板を載置する第２のチャックテーブルと、
前記第２のチャックテーブルに載置された前記基板の裏面を仕上げ研削する第２の砥石と、
前記第２のチャックテーブルに載置された前記基板及び前記保護テープの厚みを測定する研削対象厚み測定器と、
前記第２の砥石によって前記基板の裏面を仕上げ研削している際に、前記研削対象厚み測定器によって測定された測定値が仕上がり厚み設定値となった時に研削を停止するように制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みの実測値を加えた厚みを計算し、この計算された厚みを前記仕上がり厚み設定値とするように制御することを特徴とする。

また、本発明に係る研削加工装置において、前記保護テープの厚みの実測値は、前記研削加工装置の外で、前記基板に前記保護テープが貼り付けられる前又は後に実測される値であることを特徴とする。

また、本発明に係る研削加工方法において、前記保護テープの厚みを測定する際は、レーザー光線の反射を利用した光学的な測定方法が用いられることを特徴とする。

本発明に係る研削加工装置は、基板の裏面を研削する研削加工方法において、
前記基板の表面に貼り付けられた保護テープの厚みを測定する工程と、
前記保護テープの厚みが測定された前記基板の裏面を粗研削する工程と、
前記基板及び前記保護テープの厚みが仕上がり厚み設定値となるまで前記基板の裏面を仕上げ研削する工程と、
を具備し、
前記仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする。

本発明に係る研削加工装置は、表面に保護テープが貼り付けられた基板の裏面を研削する研削加工方法において、
前記基板の裏面を粗研削する工程と、
前記保護テープの厚みを測定する工程と、
前記基板及び前記保護テープの厚みが仕上がり厚み設定値となるまで前記基板の裏面を仕上げ研削する工程と、
を具備し、
前記仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする。

本発明に係る研削加工装置は、基板の裏面を研削する研削加工方法において、
前記基板の表面に貼り付けられる前の保護テープの厚みを測定する工程と、
前記保護テープが表面に貼り付けられた前記基板の裏面を粗研削する工程と、
前記基板及び前記保護テープの厚みが仕上がり厚み設定値となるまで前記基板の裏面を仕上げ研削する工程と、
を具備し、
前記仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の裏面を研削する工程を具備する半導体装置の製造方法において、
前記工程は、
前記基板の表面に貼り付けられた保護テープの厚みを測定する工程と、
前記保護テープの厚みが測定された前記基板の裏面を粗研削する工程と、
前記基板及び前記保護テープの厚みが仕上がり厚み設定値となるまで前記基板の裏面を仕上げ研削する工程と、
を具備し、
前記仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、表面に保護テープが貼り付けられた基板の裏面を研削する工程を具備する半導体装置の製造方法において、
前記工程は、
前記基板の裏面を粗研削する工程と、
前記保護テープの厚みを測定する工程と、
前記基板及び前記保護テープの厚みが仕上がり厚み設定値となるまで前記基板の裏面を仕上げ研削する工程と、
を具備し、
前記仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の裏面を研削する工程を具備する半導体装置の製造方法において、
前記工程は、
前記基板の表面に貼り付けられる前の保護テープの厚みを測定する工程と、
前記保護テープが表面に貼り付けられた前記基板の裏面を粗研削する工程と、
前記基板及び前記保護テープの厚みが仕上がり厚み設定値となるまで前記基板の裏面を仕上げ研削する工程と、
を具備し、
前記仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする。

以下、図を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハの研削加工方法を説明するための模式図である。

まず、本実施形態に係る研削加工装置について説明する。
研削加工装置は、保護テープ１の厚みを測定する保護テープ厚さ測定器３と、半導体ウェハ２の裏面を粗削りする粗削り用の目が粗い砥石４と、半導体ウェハ２の裏面を仕上げ削りする仕上げ用の目が細かい砥石５と、これらの砥石４，５を回転させるモーターなどの回転機構（図示せず）と、半導体ウェハ２を載置するチャックテーブルと、このチャックテーブルを回転させるモーターなどの回転機構（図示せず）と、研削する際に半導体ウェハ２の表面に冷却水である純水を供給する供給機構と、砥石５によって半導体ウェハ２を研削している間に保護テープ１の厚みを含む半導体ウェハ２の厚みを測定する第１のゲージ（図示せず）と、砥石４によって半導体ウェハ２を研削している間に保護テープ１の厚みを含む半導体ウェハ２の厚みを測定する第２のゲージ（図示せず）と、後述する研削加工方法を実現するように保護テープ厚さ測定器３及び砥石４，５の動作を制御する制御部（図示せず）とを有している。

前記第１及び第２のゲージは、半導体ウェハ２をチャックテーブル上に載置した状態で、このチャックテーブルの表面と半導体ウェハ２の裏面との間の距離を機械的に測定するものである。

次に、上記の研削加工装置を用いて半導体ウェハを研削加工する方法について説明する。なお、研削対象である半導体ウェハ２には回路パターンが形成されており、回路パターンが形成された面を表面とし、回路パターンが形成されていない面を裏面とする。また、下記のような研削加工方法を実現するように前記制御部によって研削加工装置が制御される。

まず、回路パターンが形成された半導体ウェハ２の表面に研削用の保護テープ１を貼り付ける（図１（ａ））。この際に、研削用の保護テープは、図示せぬ繰り出しロールに巻かれた状態であり、半導体ウェハ２の表面上において半導体ウェハ２の外周に沿って切断される。

次いで、図１（ａ）に示すように、保護テープ厚さ測定器３にて、一枚目の半導体ウェハ２の表面に貼り付けられた研削用の保護テープ１の厚みを測定する。保護テープ厚さ測定器３は、例えばレーザー光線の反射を利用した光学的な測定器を用いる。また、保護テープ１の厚みを測定することにより、半導体ウェハ２の厚みも測定可能となる。つまり、研削加工装置において半導体ウェハ２の厚みに保護テープ１の厚みを含んだ厚みを前記第１又は第２のゲージによって測定した際に、保護テープ１の厚みを差し引いた厚みが半導体ウェハ２の厚みとなる。また、保護テープ１は、例えば塩化ビニルなどの透明性の材料を用いる。

次いで、保護テープ厚さ測定器３にて測定した研削加工前の保護テープ１の厚みの測定値が前記制御部に組み込まれる。そして、この制御部において、予め設定されている半導体ウェハ２の研削加工後の仕上げ厚みに保護テープ１の厚みの測定値を加えた厚みを計算する。この計算された厚みが、半導体ウェハ２の仕上げ研削終了時の厚み、即ち仕上がり厚みの設定値である。

次いで、図１（ｂ）に示すように、研削用の保護テープ１を貼り付けた一枚目の半導体ウェハ２の表面を下にし、半導体ウェハ２の裏面を上にして、研削加工装置の図示せぬチャックテーブルに乗せて固定する。この際に、例えば、チャックテーブルには、真空吸着手段が設けられており、半導体ウェハ２に張られた保護テープ１を吸着することによって、半導体ウェハをチャックテーブルに固定している。その後、チャックテーブルを回転させながら、回転する粗削り用である目が粗い砥石４を半導体ウェハ２の裏面に押し付けて粗削り研削する。この際に、半導体ウェハ２の裏面の粗削り研削は、前記仕上がり厚みの設定値より厚い状態で止める。このような一枚目の半導体ウェハの粗削り研削加工中に、次に粗削り研削加工する二枚目の半導体ウェハの保護テープ１の厚みを、図１（ａ）に示す保護テープ厚さ測定器３にて測定する。

次いで、図１（ｃ）に示すように、研削用の保護テープ１を貼り付けた一枚目の半導体ウェハ２の表面を下にし、半導体ウェハ２の裏面を上にして、研削加工装置の図示せぬチャックテーブルに乗せて固定する。この際に、例えば、チャックテーブルには、真空吸着手段が設けられており、半導体ウェハ２に張られた保護テープ１を吸着することによって、半導体ウェハをチャックテーブルに固定している。その後、チャックテーブルを回転させながら、回転する仕上げ用である目が細かい砥石５を半導体ウェハ２の裏面に押し付けて仕上げ研削する。そして、前記第１のゲージで厚みを測定しながら半導体ウェハ２の裏面を仕上げ研削することによって、前記仕上がり厚みの設定値まで処理を進め、前記第１のゲージによる測定値が前記仕上がり厚みの設定値となった時に砥石５により研削を終了する。このような一枚目の半導体ウェハの仕上げ加工中に、二枚目の半導体ウェハには図１（ｂ）に示す粗削り研削加工工程が行われるとともに、更に次に粗削り研削加工する三枚目の半導体ウェハの保護テープ１の厚みが、図１（ａ）に示す保護テープ厚さ測定器３にて測定される。

上述したように、保護テープ厚さ測定器３による研削用の保護テープ１の厚みの測定は、複数の半導体ウェハを連続処理にて研削加工する場合、半導体ウェハ毎に行っている。これにより、保護テープ１の厚みのばらつきが半導体ウェハ毎の仕上げ厚みに加えられることがない。その結果、研削加工後の半導体ウェハ２を高精度の公差内の厚みとすることができる。

また、研削加工装置において、一枚目の半導体ウェハの研削加工中に、二枚目の半導体ウェハの保護テープ１の厚みの測定を行っている。つまり、複数の半導体ウェハを連続処理にて研削加工する場合、一枚目の研削用の保護テープ１の厚みを測定し、前記制御部によって仕上がり厚みの設定値を計算している。その後、研削加工を行うが、一枚目の研削加工中に二枚目の研削用の保護テープ１の厚みの測定し、前記制御部によって二枚目の半導体ウェハの仕上がり厚みの設定値を計算している。このように、一枚目の研削用の保護テープ１の厚みを測定した後は、各工程を重複して行っている為、複数の半導体ウェハを研削する全工程の総加工時間は、保護テープ１の厚みを測定しないで半導体ウェハを研削する場合に比べて一枚目の保護テープ１の厚みの測定時間しか増えない。

（実施例）
公称厚みが１７０μｍの保護テープを使用して、半導体ウェハの厚みを４５０μｍになるように研削加工する場合の実施例について説明する。

研削加工前に保護テープの厚みを測定する。保護テープの厚みを測定した結果、保護テープの厚みが１７１μｍだった。その為、前述した仕上がり厚み設定値（半導体ウェハ２の厚み＋保護テープ１の厚み）は６２１μｍと設定される。そして、この仕上がり厚み設定値となるように研削加工を施す。これによって、半導体ウェハ一枚毎に保護テープの厚さばらつきをキャンセルすることができる。例えば、保護テープの厚さばらつきが３μｍあり、研削加工装置（モーター、チャックテーブル、砥石等）における研削加工精度が設定値の±５μｍであった場合、保護テープの厚みを一定として研削を行う従来の研削加工装置の加工精度が設定値の±８μｍであるのに対し、本実施例の研削加工装置の加工精度は設定値の±５μｍにまで向上させることができる。よって、ＭＥＭＳデバイス等に要求される高精度研削加工に対応することが可能となる。

以上、本発明の第１の実施形態によれば、半導体ウェハ毎の研削用の保護テープ１の厚みを測定することにより、半導体ウェハ毎において、実際に研削加工する厚みを自動的に補正することが可能となる。それにより、研削用の保護テープの厚みのばらつきが、研削加工後における半導体ウェハの厚みのばらつきに影響することを抑制することができる。その為、半導体ウェハの加工精度が向上し、高精度の半導体ウェハの厚み公差内において、より所望の厚みに半導体ウェハ研削加工することが容易となる。

また、半導体ウェハ２毎において保護テープ１の厚みを測定し、実際に研削加工する厚みを自動的に補正することにより、従来の研削加工装置を用いたまま、加工精度を向上させることが可能となる。

次に、本発明の第２の実施形態について図２（ａ）〜（ｃ）を参照しつつ説明し、第１の実施形態と異なる部分について説明する。図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体ウェハの研削加工方法を説明するための模式図である。

まず、回路パターンが形成された半導体ウェハ２において、半導体ウェハ２の表面に研削用の保護テープ１を貼り付ける。

次いで、図２（ａ）に示すように、研削用の保護テープ１を貼り付けた一枚目の半導体ウェハ２の表面を下にし、半導体ウェハ２の裏面を上にして、研削加工装置の図示せぬチャックテーブルに乗せる。その後、粗削り用である目が粗い砥石４において、半導体ウェハ２の裏面を粗削り研削加工する。この際に、半導体ウェハ２の裏面の粗削り研削は、半導体ウェハ２の仕上がり厚みの設定値の途中で止める。

次いで、図２（ｂ）に示すように、研削用の保護テープ１を貼り付けた半導体ウェハ２の表面を上にする。その後、保護テープ厚さ測定器３にて、一枚目の半導体ウェハ２の表面に貼り付けられた研削用の保護テープ１の厚みを測定する。保護テープ厚さ測定器３は、例えばレーザー光線の反射を利用した光学的な測定器を用いる。また、粗削り研削加工後の保護テープ１の厚みを測定することにより、粗削り研削加工後の半導体ウェハ２の厚みも測定可能となる。つまり、研削加工装置において半導体ウェハ２の厚みに保護テープ１の厚みを含んだ厚みを第１のゲージにて測定した測定値から前記保護テープ１の厚みを差し引いた厚みが粗削り研削加工後の半導体ウェハ２の厚みとなる。

次いで、保護テープ厚さ測定器３にて測定した粗削り研削加工後の保護テープ１の厚みの測定値が研削加工装置の制御部に組み込まれる。そして、この制御部において、予め設定されている半導体ウェハ２の研削加工後の仕上げ厚みに保護テープ１の厚みの測定値を加えた厚みを計算する。この計算された厚みが、半導体ウェハ２の仕上げ研削終了時の厚み、即ち仕上がり厚みの設定値である。また、一枚目の半導体ウェハの保護テープ１の厚みの測定中に、二枚目の半導体ウェハに、図２（ａ）に示す粗削り研削加工が行われる。

次いで、図２（ｃ）に示すように、研削用の保護テープ１を貼り付けた半導体ウェハ２の表面を下にし、半導体ウェハ２の裏面を上にして、研削加工装置の図示せぬチャックテーブルに乗せる。その後、仕上げ用である目が細かい砥石５において、半導体ウェハ２の裏面を仕上げ研削する。この際に、半導体ウェハ２の裏面の仕上げ研削によって、半導体ウェハ２の仕上がり厚みの設定値まで処理を進める。このような一枚目の半導体ウェハの仕上げ加工中に、二枚目の半導体ウェハには図１（ｂ）に示す保護テープ１の厚みの測定が行われ、三枚目の半導体ウェハには図１（ａ）に示す粗削り研削加工が行われる。

以上、本発明の第２の実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

次に、本発明の第３の実施形態について図３（ａ），（ｂ）を参照しつつ説明し、第１の実施形態と異なる部分について説明する。図３（ａ），（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る保護テープの厚みの測定方法を説明するための模式図である。

まず、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、回路パターンが形成された半導体ウェハ２において、半導体ウェハの表面に研削用の保護テープ１を貼り付ける。この際に、研削用の保護テープは、繰り出しロールに巻かれた状態であり、半導体ウェハ２の表面上において半導体ウェハ２の外周に沿って切断される。

次いで、図３（ａ）に示すように、保護テープ厚さ測定器３にて、切断して残された研削用の保護テープ６の厚みを測定する。この際の測定箇所は、前記半導体ウェハに貼り付けた保護テープ６の切断箇所５の近傍とする。これにより、半導体ウェハ２の表面上に貼り付けられた研削用の保護テープ１の厚みに相当する厚みを測定することができる。

次いで、上記の保護テープ１の厚みの測定値が研削加工装置の制御部に自動的に入力される。そして、この制御部において、予め設定されている半導体ウェハ２の研削加工後の仕上げ厚みに保護テープ１の厚みの測定値を加えた厚みを計算する。この計算された厚みが、半導体ウェハ２の仕上げ研削終了時の厚み、即ち仕上がり厚みの設定値である。その後、研削加工装置において、粗削り加工及び仕上げ加工が行われる。

以上、本発明の第３の実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

次に、本発明の第４の実施形態について図４（ａ），（ｂ）を参照しつつ説明し、第１の実施形態と異なる部分について説明する。図４（ａ），（ｂ）は本発明の第４の実施形態に係る保護テープの厚みの測定方法を説明するための模式図である。

まず、図４（ａ）に示すように、予め保護テープ厚さ測定器３にて、半導体ウェハ２の表面上に貼り付ける為の研削用の保護テープ６の厚みを測定する。この際に、保護テープ６を貼り付ける対象の半導体ウェハ２の形状に相当する箇所７の内側において保護テープ６の厚みを測定している。その後、半導体ウェハ２の表面上において半導体ウェハ２の外周５に沿って保護テープ６を切断する。

次いで、図４（ｂ）に示すように、回路パターンが形成された半導体ウェハ２において、半導体ウェハの表面に研削用の保護テープ１を貼り付ける。

次いで、上記の保護テープ１の厚みの測定値が研削加工装置の制御部に自動的に入力される。そして、この制御部において、予め設定されている半導体ウェハ２の研削加工後の仕上げ厚みに保護テープ１の厚みの測定値を加えた厚みを計算する。この計算された厚みが、半導体ウェハ２の仕上げ研削終了時の厚み、即ち仕上がり厚みの設定値である。その後、研削加工装置において、粗削り加工及び仕上げ加工が行われる。

以上、本発明の第４の実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、保護テープ厚さ測定器において機械的な測定器又は静電容量を利用した測定器を用いることも可能である。

（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハの研削加工を説明するための模式図。 （ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体ウェハの研削加工を説明するための模式図。 （ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体ウェハの研削加工を説明するための模式図。 （ａ）〜（ｃ）は本発明の第４の実施形態に係る半導体ウェハの研削加工を説明するための模式図。

符号の説明

１・・・保護テープ、２・・・半導体ウェハ、３，６・・・保護テープ厚さ測定器、４，５・・・砥石、５・・・切断箇所、７・・・切断予定箇所

Claims (11)

1. 基板の裏面を研削する研削加工装置において、
   前記基板の表面に貼り付けられた保護テープの厚みを測定する保護テープ厚み測定器と、
   前記保護テープ厚み測定器によって前記保護テープの厚みが測定された前記基板を載置する第１のチャックテーブルと、
   前記第１のチャックテーブルに載置された前記基板の裏面を粗研削する第１の砥石と、
   前記第１の砥石によって研削された前記基板を載置する第２のチャックテーブルと、
   前記第２のチャックテーブルに載置された前記基板の裏面を仕上げ研削する第２の砥石と、
   前記第２のチャックテーブルに載置された前記基板及び前記保護テープの厚みを測定する研削対象厚み測定器と、
   前記第２の砥石によって前記基板の裏面を仕上げ研削している際に、前記研削対象厚み測定器によって測定された測定値が仕上がり厚み設定値となった時に研削を停止するように制御する制御部と、
   を具備し、
   前記制御部は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープ厚み測定器によって測定された前記保護テープの厚みを加えた厚みを計算し、この計算された厚みを前記仕上がり厚み設定値とするように制御することを特徴とする研削加工装置。
2. 表面に保護テープが貼り付けられた基板の裏面を研削する研削加工装置において、
   前記基板を載置する第１のチャックテーブルと、
   前記第１のチャックテーブルに載置された前記基板の裏面を粗研削する第１の砥石と、
   前記第１の砥石によって研削された後の前記保護テープの厚みを測定する保護テープ厚み測定器と、
   前記保護テープ厚み測定器によって前記保護テープの厚みが測定された後の前記基板を載置する第２のチャックテーブルと、
   前記第２のチャックテーブルに載置された前記基板の裏面を仕上げ研削する第２の砥石と、
   前記第２のチャックテーブルに載置された前記基板及び前記保護テープの厚みを測定する研削対象厚み測定器と、
   前記第２の砥石によって前記基板の裏面を仕上げ研削している際に、前記研削対象厚み測定器によって測定された測定値が仕上がり厚み設定値となった時に研削を停止するように制御する制御部と、
   を具備し、
   前記制御部は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープ厚み測定器によって測定された前記保護テープの厚みを加えた厚みを計算し、この計算された厚みを前記仕上がり厚み設定値とするように制御することを特徴とする研削加工装置。
3. 表面に保護テープが貼り付けられた基板の裏面を研削する研削加工装置において、
   前記基板を載置する第１のチャックテーブルと、
   前記第１のチャックテーブルに載置された前記基板の裏面を粗研削する第１の砥石と、
   前記第１の砥石によって研削された前記基板を載置する第２のチャックテーブルと、
   前記第２のチャックテーブルに載置された前記基板の裏面を仕上げ研削する第２の砥石と、
   前記第２のチャックテーブルに載置された前記基板及び前記保護テープの厚みを測定する研削対象厚み測定器と、
   前記第２の砥石によって前記基板の裏面を仕上げ研削している際に、前記研削対象厚み測定器によって測定された測定値が仕上がり厚み設定値となった時に研削を停止するように制御する制御部と、
   を具備し、
   前記制御部は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みの実測値を加えた厚みを計算し、この計算された厚みを前記仕上がり厚み設定値とするように制御することを特徴とする研削加工装置。
4. 請求項３において、前記保護テープの厚みの実測値は、前記研削加工装置の外で、前記基板に前記保護テープが貼り付けられる前又は後に実測される値であることを特徴とする研削加工装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記保護テープの厚みを測定する際は、レーザー光線の反射を利用した光学的な測定方法が用いられることを特徴とする研削加工装置。
6. 基板の裏面を研削する研削加工方法において、
   前記基板の表面に貼り付けられた保護テープの厚みを測定する工程と、
   前記保護テープの厚みが測定された前記基板の裏面を粗研削する工程と、
   前記基板及び前記保護テープの厚みが仕上がり厚み設定値となるまで前記基板の裏面を仕上げ研削する工程と、
   を具備し、
   前記仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする研削加工方法。
7. 表面に保護テープが貼り付けられた基板の裏面を研削する研削加工方法において、
   前記基板の裏面を粗研削する工程と、
   前記保護テープの厚みを測定する工程と、
   前記基板及び前記保護テープの厚みが仕上がり厚み設定値となるまで前記基板の裏面を仕上げ研削する工程と、
   を具備し、
   前記仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする研削加工方法。
8. 基板の裏面を研削する研削加工方法において、
   前記基板の表面に貼り付けられる前の保護テープの厚みを測定する工程と、
   前記保護テープが表面に貼り付けられた前記基板の裏面を粗研削する工程と、
   前記基板及び前記保護テープの厚みが仕上がり厚み設定値となるまで前記基板の裏面を仕上げ研削する工程と、
   を具備し、
   前記仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする研削加工方法。
9. 基板の裏面を研削する工程を具備する半導体装置の製造方法において、
   前記工程は、
   前記基板の表面に貼り付けられた保護テープの厚みを測定する工程と、
   前記保護テープの厚みが測定された前記基板の裏面を粗研削する工程と、
   前記基板及び前記保護テープの厚みが仕上がり厚み設定値となるまで前記基板の裏面を仕上げ研削する工程と、
   を具備し、
   前記仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 表面に保護テープが貼り付けられた基板の裏面を研削する工程を具備する半導体装置の製造方法において、
    前記工程は、
    前記基板の裏面を粗研削する工程と、
    前記保護テープの厚みを測定する工程と、
    前記基板及び前記保護テープの厚みが仕上がり厚み設定値となるまで前記基板の裏面を仕上げ研削する工程と、
    を具備し、
    前記仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 基板の裏面を研削する工程を具備する半導体装置の製造方法において、
    前記工程は、
    前記基板の表面に貼り付けられる前の保護テープの厚みを測定する工程と、
    前記保護テープが表面に貼り付けられた前記基板の裏面を粗研削する工程と、
    前記基板及び前記保護テープの厚みが仕上がり厚み設定値となるまで前記基板の裏面を仕上げ研削する工程と、
    を具備し、
    前記仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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