JP2010063332A - 負荷駆動装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】負荷を駆動する負荷駆動装置において、負荷電流が変化する広い範囲にわたって、消費電力の高効率化を実現する。
【解決手段】本発明の負荷駆動装置は、負荷電流設定信号生成部、負荷電流生成部、基準電圧生成部、および駆動電圧生成部を含む。負荷電流設定信号生成部は、所望の負荷電流設定信号を生成する。負荷電流生成部は、負荷電流設定信号に基づく大きさの負荷電流を生成し、負荷を駆動する。基準電圧生成部は、負荷電流設定信号に基づいて、基準電圧を生成する。駆動電圧生成部は、駆動電圧を生成し、負荷へ供給し、駆動電圧に基づいて負荷電流生成部の両端に両端電圧を発生させ、両端電圧と基準電圧との差が小さくなるように、駆動電圧を制御する。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の負荷駆動装置は、負荷電流設定信号生成部、負荷電流生成部、基準電圧生成部、および駆動電圧生成部を含む。負荷電流設定信号生成部は、所望の負荷電流設定信号を生成する。負荷電流生成部は、負荷電流設定信号に基づく大きさの負荷電流を生成し、負荷を駆動する。基準電圧生成部は、負荷電流設定信号に基づいて、基準電圧を生成する。駆動電圧生成部は、駆動電圧を生成し、負荷へ供給し、駆動電圧に基づいて負荷電流生成部の両端に両端電圧を発生させ、両端電圧と基準電圧との差が小さくなるように、駆動電圧を制御する。
【選択図】図1
Description
本発明は、負荷を駆動する負荷駆動装置に関し、さらに詳しくは電源回路に接続されたLED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)などの負荷を、定電流により駆動する負荷駆動装置に関する。
近年、LEDの用途の一つとして、LCD(Liquid Crystal Display:液晶ディスプレイ)のバックライト向けが普及しつつある。一般的にLEDをLCD用バックライトとして使用する際には、直列に接続された複数個のLEDに所定の定電流を流すことによって、発光を得ることができる。このとき、必要な光量に応じてLEDの個数や電流量が決定される。また、LEDを駆動させるための駆動電圧は、電源電圧を所定の電圧に変換する電圧変換回路によって生成される。この電圧変換回路は、負荷であるLEDの所定端子の電圧値もしくは電流値を検出し、帰還することによって駆動電圧の制御を行う。以上のようなLED駆動技術は、例えば、特許文献1に開示されている。
特許文献1に開示されている負荷駆動装置について、図5を用いて以下に簡単に説明する。この従来例の負荷駆動装置は、LEDで構成される外部負荷110に直列に接続された定電流源J1によって、外部負荷110を駆動する。定電流源J1が負荷電流Joを供給するとともに、スイッチング電源回路100が外部負荷110と定電流源J1との接続点P200の接続点電圧Vdet1を検出する。スイッチング電源回路100は、接続点電圧Vdet1が基準電圧源B1からの基準電圧Vref1に等しくなるように制御される。このとき、電流源J1が負荷110へ負荷電流Joを十分に供給できるように、接続点電圧Vdet1を所定値以上にする必要がある。すなわち、外部負荷110を駆動するのに必要な負荷電流Joが大きいほど、接続点電圧Vdet1の値も大きくなる。基準電圧Vref1は、接続点電圧Vdet1がこのような条件を満足するように設定される。
特開2005−33853号公報
上述したように、従来の構成では基準電圧Vref1の値は常に一定値であるため、その値を決定する際には負荷電流Joの使用範囲を想定し、その範囲内での最大の負荷電流Joを流すことができるように、基準電圧Vref1を設定する必要がある。しかしながら、小さな負荷電流Joで負荷110を駆動しようとした場合には、基準電圧Vref1の値が比較的大きな値に設定されていると、定電流源(負荷電流生成部とも呼ぶ)J1において接続点電圧Vdet1(すなわち、負荷電流生成部の両端電圧)のマージン分と負荷電流Joとの積の大きさの電力が損失として失われる。すなわち、上述した従来の構成では、軽負荷時に効率の低下を招くという課題があった。
そこで、本発明は上述した課題を解決するもので、負荷を駆動する負荷駆動装置において、負荷電流が変化する広い範囲にわたって、消費する電力の高効率化を実現することを目的とする。
上述した目的を達成するために、本発明の負荷駆動装置は、所望の負荷電流設定信号を生成する負荷電流設定信号生成部と、負荷電流設定信号に基づく大きさの負荷電流を生成し、負荷を駆動する負荷電流生成部と、負荷電流設定信号に基づいて、基準電圧を生成する基準電圧生成部と、駆動電圧を生成し、前記負荷へ供給し、駆動電圧に基づいて前記負荷電流生成部の両端に両端電圧を発生させ、両端電圧と基準電圧との差が小さくなるように、駆動電圧を制御する駆動電圧生成部と、を有する。
本発明の負荷駆動装置によれば、負荷を駆動するのに必要な負荷電流の大きさに応じて基準電圧を変化させるため、広範囲の負荷条件下において最小限の電力損失で、負荷を駆動することが可能となる。
以下、本発明を実施するための最良の形態に関するいくつかの例について、図面を参照しながら説明する。図面において、実質的に同一の構成、動作、および効果を表す要素については、同一の符号を付す。また、以下において記述される数字は、すべて本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された数字に制限されない。さらに、ハイ/ローにより表される論理レベルまたはオン/オフにより表されるスイッチング状態は、本発明を具体的に説明するために例示するものであり、例示された論理レベルまたはスイッチング状態の異なる組み合わせにより、同等な結果を得ることも可能である。また、構成要素間の接続関係は、本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明の機能を実現する接続関係はこれに限定されない。さらに、以下の実施の形態は、ハードウェアおよび/またはソフトウェアを用いて構成されるが、ハードウェアを用いる構成は、ソフトウェアを用いても構成可能であり、ソフトウェアを用いる構成は、ハードウェアを用いても構成可能である。
(実施の形態1)
実施の形態1における負荷駆動装置について、図1および図2を用いて説明する。図1は、実施の形態1による負荷駆動装置の全体構成例を示すブロック図である。図1に示すように、この負荷駆動装置は、駆動電圧生成部10、高耐圧MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)30、負荷電流設定信号生成部40、負荷電流生成部(定電流回路とも呼ばれる)50、および基準電圧生成部60、を含み、負荷20を駆動する。高耐圧MOSFET30は、電圧緩衝部とも呼ばれる。
実施の形態1における負荷駆動装置について、図1および図2を用いて説明する。図1は、実施の形態1による負荷駆動装置の全体構成例を示すブロック図である。図1に示すように、この負荷駆動装置は、駆動電圧生成部10、高耐圧MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)30、負荷電流設定信号生成部40、負荷電流生成部(定電流回路とも呼ばれる)50、および基準電圧生成部60、を含み、負荷20を駆動する。高耐圧MOSFET30は、電圧緩衝部とも呼ばれる。
負荷20は、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)が直列に複数接続されたLED列により構成され、所定の負荷電流Jledを流すことにより発光を得る。LED列(負荷20)のアノード端子は駆動電圧生成部10の出力端子P1に接続され、LED列20には駆動電圧Voutが供給される。一方、LED列20のカソード端子は、高耐圧MOSFET30に接続される。なお、負荷20は、LED以外の発光素子により構成されてもよい。
高耐圧MOSFET30は、ドレイン端子がLED列20のカソード端子に接続され、ソース端子が接続端子P2において負荷電流生成部50に接続され、ゲート端子は電源Vccに接続される。高耐圧MOSFET30は、電源Vccにより常にオン状態となっている。この高電圧MOSFET30は、負荷電流生成部50を構成する素子よりも高耐圧の素子を使用することによって、負荷電流生成部50の耐圧破壊を防ぐために機能する。例えば、負荷20に負荷電流Jledが流れないような状態では、LED列20のカソード端子の電圧は、そのアノード端子の電圧、すなわち駆動電圧生成部10の駆動電圧Voutにほぼ等しくなる。このため、比較的大きな電圧がLED列20のカソード端子に発生することになるが、高耐圧MOSFET30を負荷20と負荷電流生成部50との間に接続することによって、負荷電流生成部50を過電圧破壊から保護することができる。
なお、高耐圧MOSFET30は、MOSFETに限らず、負荷電流生成部50を構成する素子よりも高耐圧の素子であれば、バイポーラトランジスタまたは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor)等であってもよい。
なお、負荷電流生成部50のみで十分な耐圧が得られる場合には、高耐圧MOSFET30は省略可能であり、LED列20のカソード端子を、直接に負荷電流生成部50に接続すればよい。
負荷電流設定信号生成部40は、負荷電流Jledの大きさを所望の値に設定する負荷電流設定信号Vcntを生成する。負荷電流生成部50は、接続端子P2と接地端子との間に接続される。負荷電流生成部50は、負荷電流設定信号Vcntに基づく大きさの負荷電流Jledを生成し、負荷20に供給することにより、負荷20を駆動する。基準電圧生成部60は、負荷電流設定信号Vcntに基づいて基準電圧Vrefを生成し、駆動電圧生成部10に出力する。
駆動電圧生成部10は、入力電源Vin、コイルL、スイッチング素子M1、ダイオードD、コンデンサC、PWM制御部11、およびエラーアンプ12を含む。駆動電圧生成部10は、LED列20、高耐圧MOSFET30、および負荷電流生成部50の順番で直列に接続された回路に、駆動電圧Voutを供給し、負荷電流生成部50の両端に(すなわち、接続端子P2と接地端子との間に)、両端電圧Vdetを発生させる。エラーアンプ12は、基準電圧Vrefから両端電圧Vdetを差し引いた差分電圧を増幅することにより、エラー信号Verrを生成し、PWM制御部11へ出力する。PWM制御部11は、エラー信号Verrとノコギリ波状電圧との比較結果に基づいてPWM信号Vgateを生成し、スイッチング素子M1のゲート端子に出力する。
入力電源Vinとスイッチング素子M1のドレイン端子との間にコイルLが接続され、スイッチング素子M1とコイルLとの接続点にダイオードDのアノード端子が接続され、ダイオードDのカソード端子がコンデンサCおよび出力端子P1へ接続される。そして、スイッチング素子M1のオンオフ制御により、入力電圧Vinが昇圧されてコンデンサCに充電され、駆動電圧Voutを得る。駆動電圧Voutは、負荷20のLED列のアノード端子に供給される。
このように、図1の負荷駆動装置において、両端電圧Vdetが基準電圧Vrefよりも低い場合、エラー信号Verrは正方向に大きくなり、PWM信号Vgateのハイレベルの期間はローレベルの期間よりも長くなる。その結果、スイッチング素子M1のオン状態の期間はオフ状態の期間よりも長くなり、駆動電圧Voutは大きくなり、両端電圧Vdetは基準電圧Vrefに近づく。反対に、両端電圧Vdetが基準電圧Vrefよりも高い場合、エラー信号Verrは負方向に大きくなり、PWM信号Vgateのハイレベルの期間はローレベルの期間よりも短くなる。その結果、スイッチング素子M1のオン状態の期間はオフ状態の期間よりも短くなり、駆動電圧Voutは小さくなり、両端電圧Vdetは基準電圧Vrefに近づく。このように、駆動電圧生成部10は、両端電圧Vdetと基準電圧Vrefとの差が小さくなるように、駆動電圧Voutを制御する。
図2は、負荷電流設定信号生成部40、負荷電流生成部50、および基準電圧生成部60の具体的な構成例を示した回路図である。負荷電流設定信号生成部40は、所定の電圧を表す所定電圧信号Vsetを発生する所定電圧源を含む。負荷電流設定信号生成部40は、所定電圧信号Vsetを基準電圧生成部60へ供給する。さらに、負荷電流設定信号生成部40において、増幅器AMP1は、所定電圧信号VsetからトランジスタMC1のソース電圧Vset1を差し引いた差電圧でトランジスタMC1のゲート電圧を制御することにより、ソース電圧Vset1を所定電圧信号Vsetと一致させる。トランジスタMC1は、所定電圧信号Vsetとソース端子に接続される調整抵抗Rset1との比を表す設定電流Jset1(式1を参照)を、ドレイン端子N1に接続されるドレイン抵抗RC1に流し、ドレイン抵抗RC1による電源電圧Vcc1からの降下電圧を表す負荷電流設定信号Vcnt(式2を参照)をドレイン端子N1に生成する。負荷電流設定信号生成部40は、負荷電流設定信号Vcntを負荷電流生成部50および基準電圧生成部60へ供給する。
Jset1=Vset/Rset1 (1)
Vcnt=Vcc1−RC1×Jset1 (2)
Jset1=Vset/Rset1 (1)
Vcnt=Vcc1−RC1×Jset1 (2)
負荷電流生成部50は、カレントミラー回路を構成している。負荷電流生成部50において、トランジスタMC2のドレイン電流Jmc2が抵抗RC2を流れ、抵抗RC2の一端N2に電源電圧Vcc1からの降下電圧Vmc2が発生する。増幅器AMP2は、降下電圧Vmc2から負荷電流設定信号Vcntを差し引いた差電圧でトランジスタMC2のゲート電圧を制御することにより、降下電圧Vmc2を負荷電流設定信号Vcntと一致させる。RC1=RC2とすると、ドレイン電流Jmc2は、設定電流Jset1と等しくなる。
ドレイン電流Jmc2は、一端N2とトランジスタMC2のドレイン端子N3との間に挿入されるトランジスタQC1にも流れ、ドレイン端子N3にドレイン電圧Vn3が発生する。トランジスタMC2のゲート端子は、スイッチSW1を介してトランジスタMC3のゲート端子に接続される。トランジスタMC3には負荷電流Jledが流れ、ドレイン端子N4に両端電圧Vdetが生成される。増幅器AMP3は、両端電圧Vdetからドレイン電圧Vn3を差し引いた差電圧で、トランジスタQC1のベース電圧を制御することにより、両端電圧Vdetをドレイン電圧Vn3と一致させる。トランジスタMC3の(ゲート幅÷ゲート長)で表される比率を、トランジスタMC2のN倍とすると、負荷電流Jledは、ドレイン電流Jmc2、すなわち設定電流Jset1のN倍の大きさとなる(式3、式4、および式5を参照)。負荷電流生成部50は、負荷電流Jledを負荷20に供給する。
Jled=N×Jset1 (3)
=N×(Vset/Rset1) (4)
=N×(Vcc1−Vcnt)/RC1 (5)
Jled=N×Jset1 (3)
=N×(Vset/Rset1) (4)
=N×(Vcc1−Vcnt)/RC1 (5)
すなわち、負荷電流設定信号生成部40の調整抵抗Rset1を調整することによって、負荷電流生成部50は、式4で表される所望の大きさの負荷電流Jledを生成し、負荷20に流すことができる。換言すれば、負荷電流生成部50は、負荷電流設定信号Vcntに基づく大きさの負荷電流Jledを生成する(式5を参照)。さらに、スイッチング素子SW1を用いて、トランジスタMC3のゲート電圧を、トランジスタMC3のゲート電圧または接地電位のいずれか一方に所定のタイミングで切り替えることにより、負荷電流Jledを、式4、5で表されるパルス高さと、所定のデューティ比とを有するパルス状の電流にすることができる。LED列20を液晶ディスプレイ用のバックライトに使用する場合、デューティ比を変化させる(すなわち、デューティ制御を行う)ことにより、液晶ディスプレイの輝度を変化させることができる。実施の形態1では、特に断らない限り、負荷電流Jledは、パルス状の電流におけるパルス高さを表す。なお、負荷電流設定信号生成部40の所定電圧信号Vsetを調整することによって、負荷電流生成部50は、式4で表される所望の大きさの負荷電流Jledを生成し、負荷20に流すこともできる。
基準電圧生成部60は、負荷電流設定信号生成部40の負荷電流設定信号Vcntのレベルによって変化する基準電圧Vrefを生成し、エラーアンプ12へ出力する。以下に、詳細な動作について説明する。基準電圧生成部60において、増幅器AMP4は、増幅器AMP1と同様に、所定電圧信号VsetからトランジスタMC4のソース電圧Vset2を差し引いた差電圧でトランジスタMC4のゲート電圧を制御することにより、ソース電圧Vset2を所定電圧信号Vsetと一致させる。トランジスタMC4は、所定電圧信号Vsetとソース抵抗Rset2との比を表す擬似設定電流Jset2(式6を参照)を、ドレイン端子N5に接続されるドレイン抵抗RC3に流し、ドレイン抵抗RC3による電源電圧Vcc1からの降下電圧を表す擬似負荷電流設定信号Vcnt2(式7を参照)をドレイン端子N5に生成する。
Jset2=Vset/Rset2 (6)
Vcnt2=Vcc1−RC3×Jset2 (7)
Jset2=Vset/Rset2 (6)
Vcnt2=Vcc1−RC3×Jset2 (7)
トランジスタMC4は、擬似負荷電流設定信号Vcnt2に基づいてトランジスタQC2を駆動し、トランジスタMC5およびトランジスタMC6により構成されるカレントミラー回路を介して、トランジスタMC6のドレイン端子にドレイン電流Jdif1を生成する。一方、同様に、負荷電流設定信号生成部40のトランジスタMC1は、負荷電流設定信号Vcntに基づいてトランジスタQC3を駆動し、トランジスタMC9およびトランジスタMC10により構成されるカレントミラー回路、ならびにトランジスタMC8およびトランジスタMC7により構成されるカレントミラー回路を介して、トランジスタMC7のドレイン端子にドレイン電流Jdif2を生成する。
次に、ドレイン電流Jdif1からドレイン電流Jdif2を差し引いた電流を表す差分電流Jdifが、トランジスタMC6のドレイン端子とトランジスタMC7のドレイン端子との接続点N6から、基準抵抗Rrefへ(正の方向へ)流れる。この差分電流Idifと、基準電流源の基準電流Jrefとの合計電流が、基準抵抗Rrefを流れることによって、基準抵抗Rrefの両端に基準電圧Vref(式8を参照)が生成される。
Vref=(Jref+Jdif)×Rref (8)
Vref=(Jref+Jdif)×Rref (8)
ここで、Rset1=Rset2、RC1=RC3、およびRC4=RC5(RC4はトランジスタQC2のエミッタ抵抗、およびRC5はトランジスタQC3のエミッタ抵抗)であり、トランジスタQC2およびトランジスタQC3のトランジスタサイズが互いに同一であり、トランジスタMC5からトランジスタMC10までのトランジスタサイズが互いに同一であるとする。この場合、Jdif1=Jdif2となり、差分電流Jdifはゼロとなる。つまり、基準電圧Vrefは、基準電流Jrefと基準抵抗Rrefの積に等しい。
一方、負荷電流設定信号生成部40のトランジスタMC1は、上述したように、負荷電流設定信号Vcntに基づき増幅器AMP2を介してトランジスタMC2を制御し、トランジスタMC3のドレイン端子N4に、負荷電流設定信号Vcntに基づく大きさの負荷電流Jledを生成する(式5を参照)。
次に、差分電流Jdifがゼロの状態から、負荷電流Jledを小さくするために、調整抵抗Rset1を大きくした場合について考える。上述したように、負荷電流Jledは、式4に従って、調整抵抗Rset1が大きくなるにつれて、逆比例で減少する。このとき、負荷電流設定信号Vcntは、設定電流Jset1の減少とともに増加し(式2を参照)、トランジスタQC3を介してドレイン電流Jdif2の増加をもたらす。したがって、差分電流Jdifは負の方向に流れ、式8により、基準電圧Vrefを低下させる。すなわち、負荷電流設定信号生成部40は、負荷電流設定信号Vcntを制御し、負荷電流Jledの大きさを小さくするとともに、基準電圧Vrefの大きさも小さくする。
逆に、差分電流Jdifがゼロの状態から、負荷電流Jledを大きくするために、調整抵抗Rset1を小さくした場合について考える。上述したように、負荷電流Jledは、式4に従って、調整抵抗Rset1が小さくなるにつれて、逆比例で増加する。このとき、負荷電流設定信号Vcntは、設定電流Jset1の増加とともに減少し(式2を参照)、トランジスタQC3を介してドレイン電流Jdif2の減少をもたらす。したがって、差分電流Jdifは正の方向に流れ、式8により、基準電圧Vrefを増大させる。すなわち、負荷電流設定信号生成部40は、負荷電流設定信号Vcntを制御し、負荷電流Jledの大きさを大きくするとともに、基準電圧Vrefの大きさも大きくする。
このように、基準電圧生成部60は、所定電圧信号Vsetと負荷電流設定信号Vcntとを比較する比較部を含む。比較部は、増幅器AMP4、トランジスタMC4、トランジスタQC2、トランジスタMC5、トランジスタMC6、トランジスタQC3、トランジスタMC9、トランジスタMC10、トランジスタMC8、およびトランジスタMC7を含む。基準電圧生成部60は、比較部の比較結果信号(すなわち、差分電流Jdif)に基づいて、基準電圧Vrefを生成する。詳しくは、基準電圧生成部60は、所定電圧信号Vsetに基づいてドレイン電流Jdif1を生成する一方、負荷電流設定信号Vcntに基づいてドレイン電流Jdif2を生成し、ドレイン電流Jdif1とドレイン電流Jdif2との差を表す比較結果信号Idifを生成する。また、負荷電流設定信号生成部40は、負荷電流設定信号Vcntを制御し、負荷電流Jledの大きさを変化させるとともに、負荷電流Jledの大きさに応じて基準電圧Vrefの大きさを非単調減少的に(広義の単調増加的に)変化させる。
以上のように、負荷電流Jledの大きさを減少させるために抵抗Rset1を調整すると、基準電圧Vrefも同時に低下する。駆動電圧生成部10は、両端電圧Vdetが基準電圧Vrefに一致するように動作するため、基準電圧Vrefの低下により、両端電圧Vdetも低下し、負荷電流生成部で発生する電力損失を低減することができる。
ここでは、両端電圧Vdetは、接続端子P2(すなわち高耐圧MOSFET30のソース端子)と接地端子との間の電圧を表し、駆動電圧生成部10は、両端電圧Vdetを所望の電圧に制御していた。仮に、両端電圧Vdetが、高耐圧MOSFET30のドレイン端子と接地端子との間の電圧(すなわち、ドレイン・接地間電圧)を表す場合、駆動電圧生成部10は、負荷電流Jledのあり得る最大値に基づく高耐圧MOSFET30のドレイン・ソース間電圧を含めて、所望の電圧に制御しなければならない。したがって、負荷電流Jledの低電流時に、高耐圧MOSFET30の電力損失が増大する。
一方、実施の形態1では、高耐圧MOSFET30のソース端子(すなわち、接続端子P2)と接地端子との間の電圧を用いて制御しているので、両端電圧Vdetは、上述したように負荷電流Jledの低下とともに低下する。高耐圧MOSFET30のドレイン・接地間電圧は、高耐圧MOSFET30のオン抵抗と負荷電流Jledとの積に、この両端電圧Vdetを加えたものとなる。したがって高耐圧MOSFET30のドレイン・接地間電圧は、負荷電流Jledの低下とともに低下し、低負荷電流Jled時の電力損失が低減する。
図3は、負荷電流生成部50の動作特性を模式的に示す模式図である。横軸は両端電圧Vdet、および縦軸は負荷電流Jledをそれぞれ表す。図2に示すように、両端電圧VdetはトランジスタMC3のドレイン・ソース間電圧に対応し、負荷電流JledはトランジスタMC3のドレイン電流に対応する。さらに、図3における特性曲線の形状は、トランジスタMC3のゲート電圧Vgが小さくなるにつれて、図3のVgの方向に変化する。
負荷電流生成部50は、当初、負荷20において動作点P10にあり、両端電圧VdetはV1、および負荷電流JledはJ1であったとする。次に、必要とする負荷電流JledがJ1からJ2へ低下する場合、動作点はP11となり、負荷電流生成部50が消費する電力は、(V1×J2)となる。実施の形態1では、このように負荷電流JledがJ1からJ2へ低下した場合、両端電圧Vdetを例えばV1からV2へ低下させる。この場合、動作点はP12となり、負荷電流生成部50が消費する電力は、(V2×J2)となる。このように実施の形態1によれば、負荷電流生成部50の消費電力は、(V1×J2)から(V2×J2)へ、大幅に低減することができる。
必要とする負荷電流Jledの変化は、種々の場合において生じる。例えば、駆動電圧生成部10、高耐圧MOSFET30、負荷電流設定信号生成部40、負荷電流生成部50、および基準電圧生成部60が1チップの半導体集積回路で構成される場合、この半導体集積回路は、最適な負荷電流値の異なる、種々の負荷20に対応することができる。したがって、この半導体集積回路は、大きさが大型から小型までの液晶ディスプレイ用バックライトを、それぞれに最低限の消費電力で駆動することができる。さらに、負荷20は変更されなくても、スイッチSW1によるデューティ制御だけでは輝度の調整が不十分な場合に対して、適応可能である。この場合、制御部(図示していない)からの制御信号により調整抵抗Rset1の大きさを制御することにより、負荷電流Jledのパルス高さを変化させるとともに、負荷電流Jledのパルス高さに応じて両端電圧Vdetを変化させ、最低限の消費電力で駆動することができる。この制御部は、液晶ディスプレイの正面に位置するボタンまたはリモートコントローラなどからの指示を受けて、調整抵抗Rset1の大きさを調整する制御信号を生成する。
実施の形態1によれば、LED列20を駆動する負荷電流Jledの大きさに応じて、基準電圧Vrefが変化するため、負荷電流生成部50で生じる電力損失を抑えることが可能となり、低消費電力化が実現できる。さらに、基準電圧Vrefは、負荷電流Jledの調整に応じて自動的に変化するため、基準電圧Vrefの設定値変更用として外付け抵抗等が不要となる。
(実施の形態2)
実施の形態2では、実施の形態1と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、実施の形態1と同等であるので、説明を省略する。
実施の形態2では、実施の形態1と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、実施の形態1と同等であるので、説明を省略する。
図4は、実施の形態2による負荷駆動装置の全体構成例を示すブロック図である。この負荷駆動装置では、負荷20、高耐圧MOSFET30、および負荷電流生成部50により構成される直列回路に、負荷21、高耐圧MOSFET31、および負荷電流生成部51により構成される直列回路が、並列に接続されている。また、駆動電圧生成部10Aは、実施の形態1とは構成が部分的に異なるエラーアンプ12Aを備えている。
負荷電流生成部51は、負荷電流設定信号生成部40において生成される負荷電流設定信号Vcntに基づく大きさの負荷電流Jled2を負荷21に供給する。負荷電流生成部51は、実施の形態1の図2で例示した負荷電流生成部50と同様の回路構成により実現できる。駆動電圧生成部10Aは、駆動電圧Voutに基づいて、負荷電流生成部50の両端に両端電圧Vdet、および負荷電流生成部51の両端に両端電圧Vdet2をそれぞれ発生させる。
エラーアンプ12Aは、両端電圧Vdetおよび両端電圧Vdet2のうち最小の電圧を検出し、基準電圧Vrefからその最小の電圧を差し引いた差分電圧を増幅することにより、エラー信号Verrを生成し、PWM制御部11へ出力する。
実施の形態2によれば、駆動電圧生成部10Aは、両端電圧Vdetと両端電圧Vdet2のうち最小の電圧を検出し、その最小電圧が、負荷電流の大きさに応じて変化する基準電圧Vrefに一致するように、駆動電圧Voutを変化させる。このため、各負荷電流生成部50、51で生じる電力損失を抑えることが可能となり、低消費電力化が実現できる。さらに、基準電圧Vrefは、負荷電流Jledの調整に応じて自動的に変化するため、基準電圧Vrefの設定値変更用として外付け抵抗等が不要であり、ICのピン数削減にも非常に効果的である。
なお、実施の形態2では負荷の並列数は2つとしたが、これに限定されず、負荷の並列数が3つ以上の場合でも、駆動電圧生成部10A、3つ以上の負荷電流生成部における両端電圧のうちの最小値に基づいて駆動電圧Voutを制御することによって、実施の形態2と同様の効果を得ることができる。
以上、実施の形態におけるこれまでの説明は、すべて本発明を具体化した一例であって、本発明はこれらの例に限定されず、本発明の技術を用いて当業者が容易に構成可能な種々の例に展開可能である。
本発明は、負荷駆動装置に利用できる。
10、10A 駆動電圧生成部
11 PWM制御部
12、12A エラーアンプ
20、21 負荷(LED列)
30、31 高耐圧MOSFET(電圧緩衝部)
40 負荷電流設定信号生成部
50、51 負荷電流生成部
60 基準電圧生成部
11 PWM制御部
12、12A エラーアンプ
20、21 負荷(LED列)
30、31 高耐圧MOSFET(電圧緩衝部)
40 負荷電流設定信号生成部
50、51 負荷電流生成部
60 基準電圧生成部
Claims (12)
- 所望の負荷電流設定信号を生成する負荷電流設定信号生成部と、
前記負荷電流設定信号に基づく大きさの負荷電流を生成し、負荷を駆動する負荷電流生成部と、
前記負荷電流設定信号に基づいて、基準電圧を生成する基準電圧生成部と、
駆動電圧を生成し、前記負荷へ供給し、前記駆動電圧に基づいて前記負荷電流生成部の両端に両端電圧を発生させ、前記両端電圧と前記基準電圧との差が小さくなるように、前記駆動電圧を制御する駆動電圧生成部と、を有する、負荷駆動装置。 - 前記負荷電流設定信号生成部は、前記負荷電流設定信号を制御し、前記負荷電流の大きさを変化させるとともに、前記負荷電流の大きさに応じて前記基準電圧を変化させる、請求項1に記載の負荷駆動装置。
- 前記負荷電流設定信号生成部は、前記負荷電流を小さくするとともに、前記基準電圧も小さくする、請求項2に記載の負荷駆動装置。
- 前記負荷電流設定信号生成部は、
所定電圧信号を発生する所定電圧源を含み、
前記所定電圧信号に基づいて、前記負荷電流設定信号を生成する、請求項1に記載の負荷駆動装置。 - 前記基準電圧生成部は、
前記所定電圧信号と前記負荷電流設定信号とを比較する比較部を含み、
前記比較部の比較結果信号に基づいて、前記基準電圧を生成する、請求項4に記載の負荷駆動装置。 - 前記比較部は、前記所定電圧信号に基づいて第1電流を生成する一方、前記負荷電流設定信号に基づいて第2電流を生成し、前記第1電流と前記第2電流との差を表す前記比較結果信号を生成する、請求項5に記載の負荷駆動装置。
- 前記負荷電流生成部は、前記負荷に直列に接続される、請求項1に記載の負荷駆動装置。
- 前記駆動電圧生成部は、直列に接続された1個以上の発光素子を含む発光素子回路へ前記駆動電圧を供給し、
前記負荷電流生成部は、前記発光素子回路に直列に接続され、前記発光素子回路を駆動する、請求項7に記載の負荷駆動装置。 - N個(Nは2以上の整数)の前記負荷電流生成部、およびN個の前記発光素子回路を有し、
前記駆動電圧生成部は、N個(Nは2以上の整数)の前記発光素子回路へ前記駆動電圧を並列に供給し、
前記N個の負荷電流生成部は、前記N個の発光素子回路に直列にそれぞれ接続される、請求項8に記載の負荷駆動装置。 - 前記駆動電圧生成部は、前記N個の負荷電流生成部の両端に発生されたN個の前記両端電圧のうち最小の前記両端電圧と前記基準電圧との差が小さくなるようにする、請求項9に記載の負荷駆動装置。
- さらに、前記負荷電流生成部と前記負荷との間に挿入される電圧緩衝部を有し、
前記電圧緩衝部は、前記負荷電流生成部よりも高耐圧性を有する、請求項7に記載の負荷駆動装置。 - 前記負荷電流生成部は、前記負荷電流設定信号に基づく高さのパルス状の前記負荷電流を生成する、請求項1に記載の負荷駆動装置。
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