JP2010055921A - Method for manufacturing structure - Google Patents
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- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
Description
本発明は、構造体の製造方法、特にプラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションディスプレイ、および蛍光表示管等のディスプレイ用途に最適な構造体の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a structure, and more particularly to a method for manufacturing a structure optimal for display applications such as a plasma display panel, a field emission display, and a fluorescent display tube.
近年、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションディスプレイ、蛍光表示管、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、発光ダイオードなどの平面ディスプレイの開発が急速に進められている。このうち、プラズマディスプレイは、前面ガラス基板と背面ガラス基板との間に備えられた放電空間内で対向するアノード電極とカソード電極間にプラズマ放電を生じさせ、上記放電空間内に封入されているガスから発生した紫外線を、放電空間内に設けた蛍光体に照射することにより表示を行うものである。プラズマディスプレイや蛍光表示管などのガス放電タイプのディスプレイは、放電空間を仕切るための隔壁を必要とする。また、フィールドエミッションディスプレイなどの電界放射型ディスプレイは、ゲート電極とカソードを隔絶するための隔壁を必要とする。これらプラズマディスプレイやフィールドエミッションディスプレイなどにおいては、一般にガラス粉末や有機成分を含むガラスペーストをパターン加工して隔壁前駆体を形成した後に焼成して隔壁を形成する。プラズマディスプレイの隔壁は従来ストライプ状が主流であったが、発光効率向上のため、近年は従来のストライプ状の主隔壁およびこれと略直交する補助隔壁を設けた格子状隔壁やワッフル状隔壁、ミアンダ状隔壁など複雑な形状を有するものに変化してきている。これらの形状を有する隔壁では隔壁同士の交差部を有する。焼成時には、有機成分の除去による体積変化およびガラスの溶融に伴い、隔壁が交差部を有する場合、交差部には非交差部と比較して大きな収縮応力が集中的に発生する。 In recent years, development of flat displays such as plasma display panels, field emission displays, fluorescent display tubes, liquid crystal display devices, electroluminescence displays, and light emitting diodes has been rapidly advanced. Among these, the plasma display generates a plasma discharge between the anode electrode and the cathode electrode facing each other in the discharge space provided between the front glass substrate and the rear glass substrate, and the gas sealed in the discharge space. Display is performed by irradiating the phosphor provided in the discharge space with the ultraviolet rays generated from the discharge. Gas discharge type displays such as plasma displays and fluorescent display tubes require partition walls for partitioning the discharge space. A field emission display such as a field emission display requires a partition for isolating the gate electrode from the cathode. In these plasma displays, field emission displays, and the like, generally, a glass paste containing glass powder or an organic component is patterned to form a partition wall precursor, and then fired to form the partition walls. In the past, stripes were mainly used for plasma display partition walls. However, in order to improve light emission efficiency, in recent years, grid-type partition walls, waffle-shaped partition walls, meanders provided with conventional stripe-shaped main partition walls and auxiliary partition walls that are substantially perpendicular thereto are used. It has been changed to a complicated shape such as a partition wall. The partition wall having these shapes has an intersection of the partition walls. At the time of firing, a large shrinkage stress is intensively generated at the intersecting portion as compared with the non-intersecting portion when the partition wall has the intersecting portion due to the volume change due to the removal of the organic component and the melting of the glass.
その結果、焼成時に交差部のみ隔壁の高さが低くなる交差部凹みという現象が発生しやすくなる。交差部凹みが発生すると放電空間の仕切りが十分でなくなり、誤放電が発生し、ディスプレイとして致命的な欠陥となる。さらに、隔壁の高さムラにより、隔壁の一部のみが前面板と接触し、接触部分の隔壁がかけるチッピングと呼ばれる現象を誘発する一因となる。交差部凹みを有する隔壁を用いた場合、交差部以外の部分で前面版と接触するため、前記チッピングが画像表示部で集中的に発生し、ディスプレイとして非常に好ましくない。 As a result, the phenomenon of a recess in the intersection where the height of the partition wall is reduced only at the intersection during firing is likely to occur. If the dent of the intersection occurs, the partition of the discharge space becomes insufficient, and erroneous discharge occurs, which becomes a fatal defect as a display. Further, due to the uneven height of the partition wall, only a part of the partition wall comes into contact with the front plate, which causes a phenomenon called chipping applied by the partition wall at the contact portion. In the case of using a partition wall having a recess in the intersection, the chipping is intensively generated in the image display unit because it is in contact with the front plate at a portion other than the intersection, which is very undesirable as a display.
交差部凹みを抑制する方法として、交差部を円柱状にする技術が知られている(特許文献1)。しかしながらこの方法では交差部凹みを完全に解消することはできず、また発光面積が小さくなってしまうという問題があった。
本発明は、上記従来技術の問題点に着目し、格子状やワッフル状などの複雑な形状の隔壁等の構造体を、交差部凹みなどの欠陥なく、低コストで自在に形成できる構造体の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention pays attention to the above-mentioned problems of the prior art, and a structure that can be freely formed at a low cost without a defect such as a dent in a cross section, such as a lattice-shaped or waffle-shaped partition wall. An object is to provide a manufacturing method.
上記課題を解決するために本発明は以下の構成を有する。すなわち上記課題は、基板上に、ガラス粉末を含む無機成分と有機成分を含有するガラスペーストからなる構造体前駆体を形成し、該構造体前駆体を焼成して無機物を主成分とする構造体を形成する構造体の製造方法であって、前記構造体前駆体は、ストライプ状の複数の第1構造体前駆体と、複数の第2構造体前駆体を有し、前記第1構造体前駆体がそれぞれ2以上の第2構造体前駆体と交差し、かつ前記第2構造体前駆体がそれぞれ2以上の第1構造体前駆体と交差し、第1構造体前駆体に沿って第2構造体前駆体との隣接する交差部2点間の中心位置における第1構造体前駆体の高さをh1、第2構造体前駆体に沿って第1構造体前駆体と第2構造体前駆体との隣接交差部2点間の中心位置における第2構造体前駆体の高さをh2、第1構造体前駆体と第2構造体前駆体との交差部における第1構造体前駆体の高さをh3とするとき、h1、h2、h3がそれぞれ式(1)を満たすことを特徴とする構造体の製造方法によって達成される。 In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration. That is, the above-described problem is that a structure precursor composed of a glass paste containing an inorganic component containing glass powder and an organic component is formed on a substrate, and the structure precursor is fired to form a structure mainly composed of an inorganic substance. The structure precursor includes a plurality of first structure precursors in a stripe shape and a plurality of second structure precursors, and the first structure precursor Each of the bodies intersects with two or more second structure precursors, and each of the second structure precursors intersects with two or more first structure precursors, and second along the first structure precursor. The height of the first structure precursor at the center position between two adjacent intersections with the structure precursor is h 1 , and the first structure precursor and the second structure along the second structure precursor H 2 , the height of the second structure precursor at the center position between two adjacent intersections with the precursor, When the height of the first structure precursor at the intersection of the first structure precursor and the second structure precursor is h 3 , h 1 , h 2 , and h 3 satisfy the formula (1), respectively. This is achieved by a method for manufacturing a structure.
h3>h1≧h2 (1) h 3 > h 1 ≧ h 2 (1)
本発明によれば、プラズマディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ、および蛍光表示管等の平面ディスプレイ用に最適な隔壁等の構造体を、交差部凹みを発生させることなく、低コストで精度良く形成できるパターン形成技術を提供できる。 According to the present invention, it is possible to form a pattern that can form a structure such as a partition optimal for a flat display such as a plasma display, a field emission display, and a fluorescent display tube at low cost with high accuracy without generating a recess in the intersection. Can provide technology.
発明者らは、交差部凹みの抑制について鋭意検討した結果、以下に述べるような構造体の製造方法によって達成されることを見出した。 As a result of intensive studies on the suppression of the intersection dents, the inventors have found that this can be achieved by a method for manufacturing a structure as described below.
すなわち、本発明は、ガラス粉末と有機成分を含有するガラスペーストを所望の形状の構造体前駆体に成形する。 That is, in the present invention, a glass paste containing glass powder and an organic component is formed into a structure precursor having a desired shape.
本発明において、構造体前駆体は、ストライプ状の複数の第1構造体前駆体と、複数の第2構造体前駆体を少なくとも有し、前記第1構造体前駆体がそれぞれ2以上の第2構造体前駆体と交差し、かつ前記第2構造体前駆体がそれぞれ2以上の第1構造体前駆体と交差する。本発明の構造体前駆体は、第1構造体前駆体と第2構造体前駆体の他に、さらに異なる構造体を有することもできる。本発明において、ストライプ状とは、複数の構造体が概略並行に並んでいることを示す。従って、本発明の構造体前駆体の形状には、格子状パターン、ミアンダ状パターンなどの構造が含まれる。さらに、本発明では、第1構造体前駆体に沿って第2構造体前駆体との隣接交差部2点間の中心位置における第1構造体前駆体の高さ(以下、h1とする)、第2構造体前駆体に沿って第1構造体前駆体と第2構造体前駆体との隣接交差部2点間の中心位置における第2構造体前駆体の高さ(以下、h2とする)、第1構造体前駆体と第2構造体前駆体との交差部における第1構造体前駆体の高さ(以下、h3とする)において、h1、h2、h3がそれぞれ式(1)を満たすことが必要である。 In the present invention, the structure precursor includes at least a plurality of stripe-shaped first structure precursors and a plurality of second structure precursors, and each of the first structure precursors includes two or more second structures. The structure precursor is crossed, and each of the second structure precursors crosses two or more first structure precursors. The structure precursor of the present invention may have a different structure in addition to the first structure precursor and the second structure precursor. In the present invention, the stripe shape means that a plurality of structures are arranged substantially in parallel. Accordingly, the shape of the structure precursor of the present invention includes structures such as a lattice pattern and a meander pattern. Furthermore, in the present invention, the height of the first structure precursor (hereinafter referred to as h 1 ) at the center position between two adjacent intersections with the second structure precursor along the first structure precursor. , Along the second structure precursor, the height of the second structure precursor (hereinafter referred to as h 2) at the center position between two adjacent intersections of the first structure precursor and the second structure precursor. And h 1 , h 2 , and h 3 are respectively at the height of the first structure precursor at the intersection of the first structure precursor and the second structure precursor (hereinafter referred to as h 3 ). It is necessary to satisfy equation (1).
h3>h1≧h2 (1)
例として、図1に格子状の構造体の模式図を示す。図1(a)は構造体前駆体の形状を模式的に示した図であり、ストライプ状の複数の第1構造体前駆体1と、これと交差する複数の第2構造体前駆体2が基板4上に形成されている。図1(b)は、第1構造体前駆体1と平行な面における断面図である。第1構造体前駆体と第2構造体前駆体の交差部3の高さがh3である。第1構造体前駆体1に沿って隣接する第1構造体前駆体と第2構造体前駆体の交差部3の中心間距離をL1とすると、第1構造体前駆体と第2構造体前駆体の交差部3から第1構造体前駆体に沿って、距離1/2×L1だけ離れた位置における第1構造体前駆体の高さがh1となる。図1(c)は、構造体前駆体を第2構造体前駆体と平行な断面における断面図である。隣接する第1構造体前駆体と第2構造体前駆体の交差部3の中心間距離をL2とすると、第1構造体前駆体と第2構造体前駆体の交差部3から第2構造体前駆体に沿って、距離1/2×L2だけ離れた位置における第2構造体前駆体の高さがh2となる。
h 3 > h 1 ≧ h 2 (1)
As an example, FIG. 1 shows a schematic diagram of a lattice-like structure. FIG. 1A is a diagram schematically showing the shape of a structure precursor. A plurality of first structure precursors 1 in a stripe shape and a plurality of
h3がh1よりも高いことで、後の焼成工程において、有機成分の消失、ガラスの溶融による焼成収縮に起因する交差部凹みを抑制でき、図1(d)のように第1構造体前駆体1を焼成してなる第1構造体101が第1構造体と第2構造体の交差部103において凹みを有さない構造体を得ることができる。以下、交差部凹みについて説明する。非交差部の第1構造体前駆体では、第1構造体前駆体の配置された方向のみに沿って焼成収縮が発生するが、第1構造体前駆体と第2構造体前駆体の交差部では、第1構造体前駆体の配置された方向に発生する焼成収縮と、第2構造体前駆体の配置された方向に発生する焼成収縮が合わさって作用するため、非交差部に比べて焼成後の高さが低くなる。この現象を交差部凹みという。本発明では、交差部凹みの量を算出し、予め交差部の高さを非交差部より高く形成することにより、交差部凹みの発生を抑制できる。h1、h3は、次式の関係にあることが好ましい。
Since h 3 is higher than h 1 , in the subsequent firing step, it is possible to suppress the disappearance of the organic component and the intersection dent resulting from the firing shrinkage due to the melting of the glass, and the first structure as shown in FIG. It is possible to obtain a structure in which the
0.02h1≦h3−h1≦0.3h1
より好ましくは、
0.04h1≦h3−h1≦0.1h1
である。高さの差をこの範囲とすることで、交差部凹みを抑制できるとともに、焼成後の第1構造体と第2構造体の交差部の高さが高くなりすぎることもない。構造体がプラズマディスプレイ用隔壁の場合、h1は通常100〜250μmであるが、例えばh1が200μmの場合、h3−h1は、4〜60μm、より好ましくは、8〜20μmとなる。
0.02h 1 ≦ h 3 −h 1 ≦ 0.3h 1
More preferably,
0.04h 1 ≦ h 3 −h 1 ≦ 0.1h 1
It is. By setting the difference in height within this range, it is possible to suppress the depression of the intersecting portion, and the height of the intersecting portion between the first structure and the second structure after firing does not become too high. When the structure is a partition for plasma display, h 1 is usually 100 to 250 μm, but when h 1 is 200 μm, for example, h 3 -h 1 is 4 to 60 μm, more preferably 8 to 20 μm.
交差部の高さは、交差部に繋がる非交差部から連続的に変化することが、焼成収縮の緩和という観点より好ましい。L1は通常、150〜3000μmであるが、連続的に高さを変化させる長さ(La)は、L1の3分の1以下が好ましく、より好ましくは4分の1以下である。さらに、Laをh3−h1よりも大きくすることで、構造体前駆体交差部と非交差部の高さ方向の傾斜を緩やかなものとし、成形時の離型性向上および焼成収縮による亀裂や断線を抑制することができる。以上を鑑みて、Laは次式の範囲であることが好ましい。 The height of the intersecting portion is preferably changed continuously from the non-intersecting portion connected to the intersecting portion from the viewpoint of alleviating the firing shrinkage. L 1 is usually 150 to 3000 μm, but the length (La) for continuously changing the height is preferably 1/3 or less of L 1 and more preferably 1/4 or less. Furthermore, by making La larger than h 3 -h 1 , the inclination in the height direction of the structure precursor intersection and the non-intersection is made gentle, and the mold release property at the time of molding is improved and cracks are caused by firing shrinkage. And disconnection can be suppressed. In view of the above, La is preferably in the range of the following formula.
(h3−h1)≦La≦0.33L1
より好ましくは、
2(h3−h1)≦La≦0.25L1
連続的に高さを変化させる長さ(La)をこの範囲とすることで、焼成収縮による亀裂や断線などの欠陥を抑制するとともに、交差部凹みを十分抑制し、高さが高くなりすぎることもない.
ガラスペーストを上述の構造体前駆体の形状に成形する成形方法は、感光性ペースト法、リフトオフ法、サンドブラスト法、ケミカルエッチング法、型転写法など特に限定されない。例えば感光性ペースト法、サンドブラスト法、ケミカルエッチング法では、複数回の塗布を繰り返すなどして塗布膜厚を制御することで、構造体前駆体の高さを変化させることが可能である。一方で、構造体前駆体の高さを自在に変化させることがさらに容易であるという観点から、型転写法が好ましい。ここで、型転写法とは、主として構造体パターンに対応する凹部を有する成形型を用意する工程、成形型の凹部と基板の間にガラスペーストを充填する工程を経てガラスペーストを構造体前駆体に成形する方法のことを指す。本発明のように構造体前駆体の高さを部分的に変化させるためには、対応する成形型の凹部の深さを部分的に深くするだけでよい。
(H 3 −h 1 ) ≦ La ≦ 0.33L 1
More preferably,
2 (h 3 −h 1 ) ≦ La ≦ 0.25L 1
By making the length (La) that continuously changes the height within this range, defects such as cracks and disconnection due to firing shrinkage are suppressed, and depressions at the intersection are sufficiently suppressed, and the height becomes too high. Nor.
The molding method for molding the glass paste into the shape of the structure precursor is not particularly limited, such as a photosensitive paste method, a lift-off method, a sand blast method, a chemical etching method, and a mold transfer method. For example, in the photosensitive paste method, the sand blast method, and the chemical etching method, the height of the structure precursor can be changed by controlling the coating film thickness by repeating a plurality of coatings. On the other hand, the mold transfer method is preferable from the viewpoint that it is easier to freely change the height of the structure precursor. Here, the mold transfer method is mainly a step of preparing a mold having a recess corresponding to a structure pattern, and a step of filling the glass paste between the recess of the mold and the substrate, and then transferring the glass paste to the structure precursor. It refers to the method of forming into. In order to partially change the height of the structure precursor as in the present invention, it is only necessary to partially increase the depth of the concave portion of the corresponding mold.
成形型の材質としては、ニッケル−クロム合金、ニッケル−モリブデン合金、ニッケル、クロム−モリブデン合金などの合金鋼、ステンレス鋼、シリコン、石英などの無機材料、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂などの有機材料が用いられる。成形型の製造コストを低減するためには有機材料が好ましい。 Mold materials include nickel-chromium alloy, nickel-molybdenum alloy, alloy steel such as nickel and chromium-molybdenum alloy, inorganic materials such as stainless steel, silicon and quartz, acrylic resin, silicone resin, urethane resin, epoxy resin Organic materials such as fluororesin are used. An organic material is preferable in order to reduce the manufacturing cost of the mold.
有機材料を用いた成形型の作製方法の例を2つ説明するが、これに限定されるものではない。 Two examples of a method for producing a mold using an organic material will be described, but the present invention is not limited thereto.
第1の例は、目的とする構造体の形状に対応した凹部を有する母型を用いる方法である。母型は、鉄鋼、炭素鋼、アルミニウム合金、ステンレス鋼、銅合金、チタン合金などの合金や、ガラスなどの無機材料を、ダイヤモンドバイトなどで切削して作製することができる。母型は、目的とする構造体の形状に対応した凹部を有しているもので、有機材料の硬化による収縮率およびガラスペーストの硬化、焼成による収縮率を考慮して設計することができる。本発明では、母型において、第1構造体前駆体に対応する溝の深さが第2パターンとの交差部に対応する部分で深くなっている。母型の深さをこのようにすることで、構造体前駆体の高さを制御し、焼成収縮による交差部の凹みを抑制できる。母型はそのまま用いても良いが、離型剤などで離型処理してから用いることが好ましい。 The first example is a method using a matrix having a recess corresponding to the shape of the target structure. The mother mold can be manufactured by cutting an alloy such as steel, carbon steel, aluminum alloy, stainless steel, copper alloy, titanium alloy, or an inorganic material such as glass with a diamond tool. The matrix has a recess corresponding to the shape of the target structure, and can be designed in consideration of the shrinkage rate due to the curing of the organic material and the shrinkage rate due to the curing and firing of the glass paste. In the present invention, in the matrix, the depth of the groove corresponding to the first structure precursor is deeper at the portion corresponding to the intersection with the second pattern. By setting the depth of the matrix in this way, it is possible to control the height of the structure precursor and suppress the dent at the intersection due to firing shrinkage. The mother mold may be used as it is, but is preferably used after being subjected to a mold release treatment with a mold release agent or the like.
第2の例は、目的とする構造体と同じ形状を有する母型を作製する方法である。例えば、感光性ペースト塗布膜を形成し、パターンを有する露光マスクを介してパターン露光し、現像液に対するコントラストを付与して現像液可溶部分のみを現像により除去する感光性ペースト法によって、目的とする構造体と同じ形状を有する母型を製造する。この感光性ペースト法はディスプレイ用部材の隔壁の形成方法として様々な手法が提唱されており、いずれの方法も本発明の母型の形成に用いることができる。例えば、光硬化性化合物を含有し、露光部分で光硬化反応を促進させて現像液に対するコントラストを付与するネガ型を用いることもできる。この場合、例えば塗布と露光を数回繰り返すことで、連続的に母型の高さを変化させることが可能となる。また、露光によりアルカリ可溶性を発現させるポジ型感光性ペーストを用いることも好ましい。ポジ型感光性ペーストを用いた場合、露光量により母型の高さを制御できるため、1回の塗布・現像・現像で連続的に高さの異なる母型を得ることが可能となる。感光性ペーストとしてガラスペーストを使用した場合、パターンを焼成して実質的に無機成分のみからなる母型を得ることも好ましい。このように、無機物のみからなる母型を用いることは、離型性を向上して欠陥を回避しやすい。離型性向上の目的で、離型剤などで離型処理してから用いることも好ましい。 The second example is a method for manufacturing a matrix having the same shape as the target structure. For example, by forming a photosensitive paste coating film, performing pattern exposure through an exposure mask having a pattern, providing a contrast to the developer, and removing only the developer soluble portion by development, A matrix having the same shape as the structure to be manufactured is manufactured. In this photosensitive paste method, various methods have been proposed as a method for forming a partition wall of a display member, and any method can be used for forming the matrix of the present invention. For example, a negative type containing a photocurable compound and accelerating the photocuring reaction at the exposed portion to give contrast to the developer can also be used. In this case, for example, by repeating application and exposure several times, it becomes possible to continuously change the height of the matrix. It is also preferable to use a positive photosensitive paste that exhibits alkali solubility by exposure. When the positive type photosensitive paste is used, the height of the mother die can be controlled by the exposure amount, so that it is possible to obtain mother die having different heights continuously by one application / development / development. When glass paste is used as the photosensitive paste, it is also preferable to obtain a matrix made of substantially only inorganic components by baking the pattern. As described above, using a matrix made of only an inorganic substance improves the releasability and easily avoids defects. For the purpose of improving the releasability, it is also preferable to use after being subjected to a release treatment with a release agent.
続いて、上述の母型に成形型材料を塗布する。成形型材料としては、上述したように、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂などの有機材料を用いることができるが、さらに離型性や透明性という観点から、アクリル樹脂やシリコーン樹脂、ウレタン樹脂が好ましく用いられる。 Subsequently, a mold material is applied to the above-described mother mold. As the mold material, as described above, an organic material such as an acrylic resin, a silicone resin, a urethane resin, and an epoxy resin can be used. From the viewpoint of releasability and transparency, an acrylic resin, a silicone resin, A urethane resin is preferably used.
アクリル樹脂としては、(メタ)アクリルモノマーや重合開始剤、バインダー樹脂、溶剤、可塑剤や界面活性剤などの添加剤などを含有するアクリル樹脂組成物が好ましく用いられる。柔軟性向上の目的で、ウレタン化合物を添加することも好ましい。 As the acrylic resin, an acrylic resin composition containing an additive such as a (meth) acrylic monomer, a polymerization initiator, a binder resin, a solvent, a plasticizer or a surfactant is preferably used. For the purpose of improving flexibility, it is also preferable to add a urethane compound.
シリコーン樹脂としては、低温で硬化可能なものが好ましい。室温〜150℃、さらに好ましくは室温〜100℃で、0.1分〜48時間かけて硬化することが好ましい。硬化温度、硬化時間をこの範囲とすることで、熱による寸法ずれの発生を抑制することができる。熱硬化性シリコーン樹脂としては、シルポット184(東レ・ダウコーニング社製)やSH9555(東レ・ダウコーニング社製)などが挙げられる。また、紫外線(UV)硬化性シリコーン樹脂を用いることも好ましい。UV硬化性シリコーン樹脂はUV照射で硬化できるため、短時間で寸法変化なく硬化することが可能となる。UV硬化性シリコーン樹脂としては、KER−4000UV、KER−4100UV(信越シリコーン社製)などが挙げられる。 As the silicone resin, those which can be cured at a low temperature are preferable. It is preferable to cure at room temperature to 150 ° C., more preferably at room temperature to 100 ° C., for 0.1 minute to 48 hours. By setting the curing temperature and the curing time within these ranges, occurrence of dimensional deviation due to heat can be suppressed. Examples of the thermosetting silicone resin include Sylpot 184 (manufactured by Toray Dow Corning) and SH9555 (manufactured by Toray Dow Corning). It is also preferable to use an ultraviolet (UV) curable silicone resin. Since the UV curable silicone resin can be cured by UV irradiation, it can be cured in a short time without dimensional change. Examples of the UV curable silicone resin include KER-4000UV and KER-4100UV (manufactured by Shin-Etsu Silicone).
成形型材料の塗布方法は、ラミネート塗布、スクリーン印刷、ナイフコーター、バーコーター、ロールコーター、スピンコーター、ダイコーター、ブレードコーターなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。ラミネート塗布は、支持フィルムと母型の間に成形型材料を均一にラミネートする方法である。その他の塗布方法を用いた場合、成形型材料塗布後に支持フィルムを成形型材料塗布膜上に配置する。塗布の際、気泡が混入しないように注意する。気泡混入を防ぐため、塗布時あるいは塗布後に減圧状態にすることも好ましい。支持フィルムは、寸法安定性が良好であることが好ましく、さらに、後の成形型材料硬化工程でUV照射を用いる場合、UVを透過することが好ましい。具体的には、PET、PPS、ポリプロピレンなどの透明フィルムなどが好ましく用いられる。支持フィルムを配置した後、必要に応じてプレス装置や真空プレス装置、ラミネート装置などで、膜厚を均一にすることができる。続いて、成形型材料を熱硬化、室温硬化、UV硬化など、成形型材料の性質に応じた方法を用いて硬化させ、母型から剥離することで、成形型を得る。成形型はそのまま用いても良いが、離型剤などで離型処理してから用いることが好ましい。 Examples of the method for applying the mold material include, but are not limited to, laminating, screen printing, knife coater, bar coater, roll coater, spin coater, die coater, and blade coater. Lamination application is a method in which a molding material is uniformly laminated between a support film and a mother die. When other coating methods are used, the support film is placed on the molding material coating film after the molding material is applied. Be careful not to get any air bubbles when applying. In order to prevent bubbles from being mixed, it is also preferable that the pressure is reduced during or after application. The support film preferably has good dimensional stability. Further, when UV irradiation is used in the subsequent mold material curing step, the support film preferably transmits UV. Specifically, a transparent film such as PET, PPS, or polypropylene is preferably used. After disposing the support film, the film thickness can be made uniform with a press device, a vacuum press device, a laminating device, or the like, if necessary. Subsequently, the mold material is cured using a method according to the properties of the mold material, such as heat curing, room temperature curing, and UV curing, and peeled from the mother mold to obtain a mold. Although the mold may be used as it is, it is preferably used after being subjected to a release treatment with a release agent or the like.
得られた成形型が所望の隔壁と同じ凹凸を有する場合、さらに成形型を転写、作製する。作製方法は、前述の成形型の作製方法と同じであってもよいが、離型性向上という観点から、成形型材料は異なる材料を用いることが好ましい。このようにして、所望の隔壁と逆の凹凸を有する成形型を得る。 When the obtained mold has the same unevenness as the desired partition wall, the mold is further transferred and produced. Although the manufacturing method may be the same as the above-described manufacturing method of the mold, it is preferable to use a different material for the mold material from the viewpoint of improving the releasability. In this way, a mold having irregularities opposite to the desired partition walls is obtained.
続いて、成形型の凹部と基板の間にガラスペーストを充填する工程について述べる。 Subsequently, a process of filling a glass paste between the concave portion of the mold and the substrate will be described.
まずガラスペーストを用意する。ガラスペーストは、ガラス粉末を含む無機成分と有機成分を含有することが必要である。ガラス粉末としては特に限定されないが、低軟化点ガラスを含有することが好ましい。本発明において低軟化点ガラス粉末とは、荷重軟化温度が400〜600℃の範囲であるガラス粉末を指す。荷重軟化温度がこの範囲にあることで焼結時に構造体の変形がなく、溶融性も適切となるためである。より好ましい荷重軟化温度の範囲は400〜550℃である。また、低軟化点ガラス粉末の無機成分に占める割合は60体積%〜100体積%が好ましい。含有割合をこの範囲とすることで、焼成時の焼結を十分なものとし、焼成後の構造体の空隙率を適当な範囲に抑えることができる。 First, prepare a glass paste. The glass paste needs to contain an inorganic component and an organic component including glass powder. Although it does not specifically limit as glass powder, It is preferable to contain low softening point glass. In the present invention, the low softening point glass powder refers to a glass powder having a load softening temperature in the range of 400 to 600 ° C. This is because when the load softening temperature is within this range, there is no deformation of the structure during sintering and the meltability becomes appropriate. A more preferable range of the load softening temperature is 400 to 550 ° C. The proportion of the low softening point glass powder in the inorganic component is preferably 60% by volume to 100% by volume. By setting the content ratio within this range, sintering during firing can be made sufficient, and the porosity of the structure after firing can be suppressed to an appropriate range.
ガラス粉末の粒子径は、作製しようとする構造体の形状を考慮して選ばれるが、重量分布曲線における50%粒子径(平均粒子径)が0.1〜3.0μm、最大粒子経(トップサイズ)が20μm以下であることが好ましい。 The particle diameter of the glass powder is selected in consideration of the shape of the structure to be produced. The 50% particle diameter (average particle diameter) in the weight distribution curve is 0.1 to 3.0 μm, and the maximum particle diameter (top Size) is preferably 20 μm or less.
ガラスペーストの硬化に光硬化を用いる場合、ガラス粉末の屈折率は1.50〜1.70であることが好ましい。ガラス粉末と有機成分の屈折率を整合させ、光散乱を抑制することにより光硬化が容易になる。 When using photocuring for hardening of glass paste, it is preferable that the refractive index of glass powder is 1.50-1.70. Photocuring is facilitated by matching the refractive indexes of the glass powder and the organic component and suppressing light scattering.
好ましく使用できるガラス粉末は例えば酸化物表記で下記の組成を有するものである。 The glass powder that can be preferably used has, for example, the following composition in oxide notation.
酸化リチウム、酸化ナトリウムまたは酸化カリウム 3〜15質量%
酸化ケイ素 5〜30質量%
酸化ホウ素 20〜45質量%
酸化バリウムまたは酸化ストロンチウム 2〜15質量%
酸化アルミニウム 10〜25質量%
酸化マグネシウムまたは酸化カルシウム 2〜15質量%
上記のように、酸化リチウム、酸化ナトリウムまたは酸化カリウムのアルカリ金属酸化物のうち少なくとも1種を用い、その合計量が3〜15質量%、さらには3〜10質量%であることが好ましい。
Lithium oxide, sodium oxide or potassium oxide 3-15% by mass
Silicon oxide 5-30% by mass
Boron oxide 20-45 mass%
Barium oxide or strontium oxide 2-15% by mass
Aluminum oxide 10-25% by mass
Magnesium oxide or calcium oxide 2-15% by mass
As described above, at least one kind of alkali metal oxides of lithium oxide, sodium oxide, or potassium oxide is used, and the total amount is preferably 3 to 15% by mass, and more preferably 3 to 10% by mass.
また、上記の組成には表記されていないが、酸化亜鉛や酸化チタン、酸化ジルコニウムなどを含有させることも好ましい。 Further, although not described in the above composition, it is also preferable to contain zinc oxide, titanium oxide, zirconium oxide or the like.
本発明におけるガラスペーストは、無機成分としてフィラー成分を含有することが好ましい。ここでいうフィラー成分とは、構造体の強度や反射率、焼成収縮率を改善するために添加されるものであり、焼成温度でも溶融流動しにくい無機微粒子を指す。具体的には、600℃以下で軟化温度や融点、分解温度を有さず、600℃において固体として存在するような無機微粒子をいう。フィラー成分を添加することで、パターンの焼成による収縮を抑制するとともに、パターンの強度を向上させることができる。また、チタニア、アルミナなど光屈折率成分を添加することで、焼成後の構造体の反射率を向上することもできる。 The glass paste in the present invention preferably contains a filler component as an inorganic component. The filler component here is added to improve the strength, reflectance, and firing shrinkage of the structure, and refers to inorganic fine particles that hardly melt and flow even at the firing temperature. Specifically, it refers to an inorganic fine particle that does not have a softening temperature, a melting point, or a decomposition temperature at 600 ° C. or less and exists as a solid at 600 ° C. By adding the filler component, it is possible to suppress the shrinkage due to the firing of the pattern and improve the strength of the pattern. Moreover, the reflectance of the structure after baking can also be improved by adding photorefractive index components, such as a titania and an alumina.
本発明では、フィラー成分として、シリカ系複合酸化物粒子や、荷重軟化温度が600〜1200℃である高軟化点ガラス粉末、コーディエライト、チタニア、アルミナ、シリカ、マグネシア、ジルコニアなどのセラミックス粉末から選ばれた少なくとも1種を好ましく用いることができる。 In the present invention, the filler component includes silica-based composite oxide particles, ceramic powder such as high softening point glass powder having a load softening temperature of 600 to 1200 ° C., cordierite, titania, alumina, silica, magnesia, zirconia, and the like. At least one selected can be preferably used.
フィラー成分はガラスペースト中への分散性や充填性を考慮し、平均粒子径0.01〜3.0μmであるものを好ましく使用することができる。 A filler component having an average particle diameter of 0.01 to 3.0 μm can be preferably used in consideration of dispersibility and filling properties in the glass paste.
本発明に用いられるガラスペースト中の有機成分としては、硬化性化合物、重合開始剤などを含有することが好ましい。 As an organic component in the glass paste used for this invention, it is preferable to contain a sclerosing | hardenable compound, a polymerization initiator, etc.
硬化性化合物を含有することで、成形型に充填した後に光や熱などによりガラスペーストを硬化し、パターン保持性および成形型からの離型性を向上することができる。硬化性化合物は光、熱などのエネルギーによって硬化するものであれば特に限定されないが、光硬化性化合物であることが好ましく、特に(メタ)アクリルモノマーであることが好ましい。(メタ)アクリルモノマーなどの光硬化性化合物を用いることで、露光により硬化させることができ、高アスペクト比、高精細の構造体を、精度良く形成できる。 By containing the curable compound, the glass paste can be cured by light or heat after filling into the mold, and the pattern retention and the mold releasability from the mold can be improved. The curable compound is not particularly limited as long as it is cured by energy such as light and heat, but is preferably a photocurable compound, and particularly preferably a (meth) acrylic monomer. By using a photocurable compound such as a (meth) acrylic monomer, it can be cured by exposure, and a high-aspect ratio, high-definition structure can be formed with high accuracy.
(メタ)アクリルモノマーとしては、例えばアルコール類(例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ヘキサノール、オクタノール、シクロヘキサノール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールなど)の(メタ)アクリル酸エステル、カルボン酸(例えば、酢酸プロピオン酸、安息香酸、アクリル酸、メタクリル酸、コハク酸、マレイン酸、フタル酸、酒石酸、クエン酸など)と(メタ)アクリル酸グリシジルとの反応生成物、アミド誘導体(例えば、アクリルアミド、メタクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、メチレンビスアクリルアミドなど)、エポキシ化合物と(メタ)アクリル酸との反応物などを挙げることができるが、少なくとも一部に2官能以上の多官能化合物を用いることが好ましい。多官能化合物を用いることで、本発明に用いられるガラスペーストを効率的に架橋させることができる。このような多官能化合物として、例えば、2官能化合物としては、ブタンジオールジアクリレート、ヘキサンジオールジアクリレート、ノナンジオールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ポリテトラメチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、グリセリンジアクリレート、2−ヒドロキシ−3−アクリロイロキシプロピルアクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、ビスフェノールAジアクリレート、エチレンオキサイド変性ビスフェノールA−ジアクリレート、プロピレンオキサイド変性ビスフェノールA−ジアクリレートなどが挙げられる。3官能あるいはそれ以上の多官能化合物としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート、プロピレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート(以上、3官能化合物)、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、(4官能化合物)、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(6官能化合物)などが挙げられる。また、これらの多官能化合物において、アクリル基は、一部もしくは全部をメタクリル基に置き換えて使用しても良い。本発明ではこれらを1種または2種以上使用することができる。 Examples of (meth) acrylic monomers include (meth) acrylic acid esters and carboxylic acids (for example, methanol, ethanol, propanol, hexanol, octanol, cyclohexanol, glycerin, trimethylolpropane, pentaerythritol, etc.). Propionic acid, benzoic acid, acrylic acid, methacrylic acid, succinic acid, maleic acid, phthalic acid, tartaric acid, citric acid, etc.) and glycidyl (meth) acrylate, amide derivatives (eg acrylamide, methacrylamide) N-methylolacrylamide, methylenebisacrylamide, etc.), a reaction product of an epoxy compound and (meth) acrylic acid, etc., but it is preferable to use a polyfunctional compound having two or more functional groups at least in part. . By using a polyfunctional compound, the glass paste used in the present invention can be efficiently crosslinked. Examples of such polyfunctional compounds include butanediol diacrylate, hexanediol diacrylate, nonanediol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, and polyethylene glycol diacrylate. , Propylene glycol diacrylate, dipropylene glycol diacrylate, polypropylene glycol diacrylate, polytetramethylene glycol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, glycerin diacrylate, 2-hydroxy-3-acryloyloxypropyl acrylate, dimethylol-tricyclo Decane diacrylate, bisphenol A diacrylate, ethylene Side-modified bisphenol A- diacrylate, propylene oxide-modified bisphenol A- diacrylate. Examples of trifunctional or higher polyfunctional compounds include trimethylolpropane triacrylate, ethylene oxide modified trimethylolpropane triacrylate, propylene oxide modified trimethylolpropane triacrylate (above trifunctional compound), pentaerythritol tetraacrylate, ditrimethylol. Examples include propanetetraacrylate, (tetrafunctional compound), dipentaerythritol hexaacrylate (hexafunctional compound), and the like. In these polyfunctional compounds, some or all of the acrylic groups may be replaced with methacrylic groups. In the present invention, one or more of these can be used.
硬化性化合物は、ガラスペースト中、0.1〜60重量%であることが好ましい。さらに好ましくは、3〜30重量%である。含有量をこの範囲とすることで、パターン保持性や成形型からの離型性を良好なものとし、かつ硬化時や焼成時の収縮を抑制できる。 The curable compound is preferably 0.1 to 60% by weight in the glass paste. More preferably, it is 3 to 30% by weight. By setting the content within this range, it is possible to improve pattern retention and mold release from the mold, and to suppress shrinkage during curing and firing.
さらに、重合開始剤を含有することが好ましい。重合開始剤を添加することで、光や熱などによりガラスペーストの硬化をよりスムーズに行うことができる。 Furthermore, it is preferable to contain a polymerization initiator. By adding a polymerization initiator, the glass paste can be cured more smoothly by light or heat.
本発明に用いる(B)重合開始剤は、光照射や熱によりラジカル種を発生するものが好ましい。重合開始剤としては、ジエトキシアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、ベンジルジメチルケタール、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、1−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4−フェニルベンゾフェノン、4,4−ジクロロベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’−メチル−ジフェニルサルファイド、アルキル化ベンゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−N,N−ジメチル−N−[2−(1−オキソ−2−プロペニルオキシ)エチル]ベンゼンメタナミニウムブロミド、(4−ベンゾイルベンジル)トリメチルアンモニウムクロリド、2−ヒドロキシ−3−(4−ベンゾイルフェノキシ)−N,N,N−トリメチル−1−プロペンアミニウムクロリド一水塩、2−イソプロピルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジクロロチオキサントン、2ーヒドロキシ−3−(3,4−ジメチル−9−オキソ−9H−チオキサンテン−2−イロキシ)−N,N,N−トリメチル−1−プロパナミニウムクロリド、2,4,6−トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオサイド、2,2’−ビス(o−クロロフェニル)−4,5,4’,5’−テトラフェニル−1,2−ビイミダゾール、10−ブチル−2−クロロアクリドン、2−エチルアンスラキノン、ベンジル、9,10−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、メチルフェニルグリオキシエステル、η5−シクロペンタジエニル−η6−クメニル−アイアン(1+)−ヘキサフルオロフォスフェイト(1−)、ジフェニルスルフィド誘導体、ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)−ビス(2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピロール−1−イル)−フェニル)チタニウム、4,4−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、4−ベンゾイル−4−メチルフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,3−ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、ベンジルメトキシエチルアセタール、アントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−アミノアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、4−アジドベンザルアセトフェノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)シクロヘキサン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、2−フェニル−1,2−ブタジオン−2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1,3−ジフェニルプロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、N−フェニルグリシン、ナフタレンスルフォニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、4,4−アゾビスイソブチロニトリル、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイルおよびエオシン、メチレンブルーなどの光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミンなどの還元剤の組み合わせなどが挙げられる。 The polymerization initiator (B) used in the present invention is preferably one that generates radical species by light irradiation or heat. As the polymerization initiator, diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, benzyldimethyl ketal, 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropane-1 -One, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 1-hydroxycyclohexyl-phenylketone, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) ) Oxime, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1, benzoin , Benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether Ter, benzoin isobutyl ether, benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, hydroxybenzophenone, 4-benzoyl-4'-methyl-diphenyl sulfide, alkylated benzophenone, 3,3 ' , 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, 4-benzoyl-N, N-dimethyl-N- [2- (1-oxo-2-propenyloxy) ethyl] benzenemethananium bromide, (4-Benzoylbenzyl) trimethylammonium chloride, 2-hydroxy-3- (4-benzoylphenoxy) -N, N, N-trimethyl-1-propenaminium chloride monohydrate, 2-isopropylthioxanthone, 2,4- Dimethylthio Xanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2-hydroxy-3- (3,4-dimethyl-9-oxo-9H-thioxanthen-2-yloxy) -N, N, N-trimethyl- 1-propanaminium chloride, 2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphine oxide, 2,2′-bis (o-chlorophenyl) -4,5,4 ′, 5′-tetraphenyl-1,2-bi Imidazole, 10-butyl-2-chloroacridone, 2-ethylanthraquinone, benzyl, 9,10-phenanthrenequinone, camphorquinone, methylphenylglyoxyester, η5-cyclopentadienyl-η6-cumenyl-iron (1 +)-Hexafluorophosphate (1-), diphenyl sulfide derivative, bis η5-2,4-cyclopentadien-1-yl) -bis (2,6-difluoro-3- (1H-pyrrol-1-yl) -phenyl) titanium, 4,4-bis (dimethylamino) benzophenone, 4 , 4-bis (diethylamino) benzophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 4-benzoyl-4-methylphenylketone, dibenzylketone, fluorenone, 2,3-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy 2-phenyl-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, pt-butyldichloroacetophenone, benzylmethoxyethyl acetal, anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-aminoanthraquinone, β- Chloranthraki , Anthrone, benzanthrone, dibenzsuberone, methyleneanthrone, 4-azidobenzalacetophenone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) cyclohexane, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, 2, -Phenyl-1,2-butadion-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, N-phenylglycine, naphthalenesulfonyl chloride, quinolinesulfonyl chloride, N-phenylthioacridone, 4,4-azobisisobutyronitrile, benzthiazole disulfide, triphenylphosphine, carbon tetrabromide, tribromophenylsulfone, benzoyl peroxide and eosin, methylenebutene Examples include a combination of a photoreductive dye such as roux and a reducing agent such as ascorbic acid or triethanolamine.
本発明では、これらを1種または2種以上使用することができる。重合開始剤は、ガラスペースト中、0.005〜10重量%の範囲で含有されることが好ましく、より好ましくは、0.01〜5重量%である。重合開始剤の含有量をこの範囲とすることで、ガラスペーストの硬化をスムーズに行うことができる。 In the present invention, one or more of these can be used. The polymerization initiator is preferably contained in the glass paste in the range of 0.005 to 10% by weight, and more preferably 0.01 to 5% by weight. By setting the content of the polymerization initiator within this range, the glass paste can be cured smoothly.
本発明に用いられるガラスペーストは、可塑剤を含有することも好ましい。可塑剤を含有することにより、ガラスペーストの粘度を低下でき、成形型への充填性を向上できる。さらに、硬化時の硬化収縮を低減し、硬化収縮による構造体の変形、亀裂などの欠陥を大幅に抑制する効果が得られる。可塑剤としては、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジ−2−エチルヘキシル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ブチルベンジルなどのフタル酸エステル、アジピン酸ジオクチル、アジピン酸ジノニル、アジピン酸ジ−2−ブトキシエチルなどのアジピン酸エステル、アゼライン酸ジオクチルなどのアゼライン酸エステル、セパシン酸エステル、リン酸トリクレシル、アセチルクエン酸トリブチル、エポキシ化大豆油、トリメリット酸エステルなどや、これらのうち1種以上を含有する可塑剤が挙げられるが、安全性の面から、アジピン酸エステル、セパシン酸エステルなどが特に好ましい。可塑剤の含有量は、ガラスペースト中、0.1〜50重量%であることが好ましく、さらに好ましくは0.5〜30重量%である。 The glass paste used in the present invention preferably contains a plasticizer. By containing a plasticizer, the viscosity of the glass paste can be reduced, and the filling property into the mold can be improved. Further, it is possible to obtain an effect of reducing the curing shrinkage at the time of curing and greatly suppressing defects such as deformation and cracking of the structure due to the curing shrinkage. Plasticizers include dimethyl phthalate, diethyl phthalate, dibutyl phthalate, di-2-ethylhexyl phthalate, dioctyl phthalate, dinonyl phthalate, diisodecyl phthalate, butyl benzyl phthalate, dioctyl adipate, etc. , Adipates such as dinonyl adipate and di-2-butoxyethyl adipate, azelaates such as dioctyl azelate, sepacate, tricresyl phosphate, tributyl acetylcitrate, epoxidized soybean oil, trimellitic ester Among them, a plasticizer containing one or more of these may be mentioned, and from the viewpoint of safety, adipic acid esters, sepacic acid esters and the like are particularly preferable. The plasticizer content in the glass paste is preferably 0.1 to 50% by weight, more preferably 0.5 to 30% by weight.
本発明に用いられるガラスペーストは、ウレタン化合物を含有することも好ましい。ウレタン化合物を含有することで、後の焼成工程において焼成応力を低減し、交差部凹みの効果を十分なものとすることができるとともに、断線、亀裂などの欠陥抑制の効果もある。 The glass paste used in the present invention preferably contains a urethane compound. By containing the urethane compound, the firing stress can be reduced in the subsequent firing step, and the effect of the recess in the intersection can be made sufficient, and there is also an effect of suppressing defects such as disconnection and cracking.
ウレタン化合物は、重量平均分子量が15000〜100000であることが好ましい。重量平均分子量をこの範囲とすることで、成形型の柔軟性および強靭性を十分なものとすることができると共に、成形型用硬化性樹脂組成物の相溶性を維持することができる。さらに好ましくは、18000〜80000である。 The urethane compound preferably has a weight average molecular weight of 15,000 to 100,000. By setting the weight average molecular weight within this range, the flexibility and toughness of the mold can be made sufficient, and the compatibility of the curable resin composition for molds can be maintained. More preferably, it is 18000-80000.
さらに、ウレタン化合物は、下記一般式(3)で表されることが好ましい。
R1−(R2−R3)n−R4−R5 (3)
(ここで、R1、R5はそれぞれエチレン性不飽和基を含む有機基、水素、炭素数1〜20のアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシアルキル基のいずれかから選ばれたものである。R2、R4は少なくとも一方がウレタン結合を含む有機基であり、R3はアルキレンオキサイド鎖であり、nは1〜10の自然数である)
一般式(3)中、R1、R5はエチレン性不飽和基を含む置換基、水素、炭素数1〜20のアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシアルキル基のいずれかから選ばれたものであるが、少なくともいずれか一方がエチレン性不飽和基を含む置換基であることが好ましく、R1、R5のいずれもエチレン性不飽和基を含む置換基であることがさらに好ましい。エチレン性不飽和基を含むことで、前述の硬化性化合物と架橋構造を形成し、強靭性を向上すると共にミクロ層分離を抑制する効果も得られる。エチレン性不飽和基を含む置換基が(メタ)アクリル基であることが、特に好ましい。
Furthermore, the urethane compound is preferably represented by the following general formula (3).
R < 1 > -(R < 2 > -R < 3 > ) n- R < 4 > -R < 5 > (3)
(Here, R 1 and R 5 are each selected from an organic group containing an ethylenically unsaturated group, hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group, an aralkyl group, and a hydroxyalkyl group. R 2 and R 4 are each an organic group containing a urethane bond, R 3 is an alkylene oxide chain, and n is a natural number of 1 to 10.
In General Formula (3), R 1 and R 5 were selected from any of a substituent containing an ethylenically unsaturated group, hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group, an aralkyl group, and a hydroxyalkyl group. However, it is preferable that at least one of them is a substituent containing an ethylenically unsaturated group, and it is more preferable that both R 1 and R 5 are substituents containing an ethylenically unsaturated group. By containing an ethylenically unsaturated group, the above-mentioned curable compound and a crosslinked structure are formed, and the effect of improving toughness and suppressing microlayer separation is also obtained. It is particularly preferable that the substituent containing an ethylenically unsaturated group is a (meth) acryl group.
R3はアルキレンオキサイド鎖であるが、ウレタン化合物がアルキレンオキサイド鎖を含有することで、成形型をより柔軟にすることができる。また、アルキレンオキサイド鎖の極性を制御することにより、ガラスペーストの相溶性を容易に良好なものとすることができる。本発明で好ましく用いられるウレタン化合物の具体例としては、UA−340P(分子量42000)、UA−340PM(分子量42000)、UA−2235PE(分子量18000)、UA−3238PE(分子量19000)、UA−3348PE(分子量22000)、UA−5348PE(分子量39000)(以上、新中村化学(株)製)などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの化合物は混合して用いてもよい。 R 3 is an alkylene oxide chain, but the molding compound can be made more flexible when the urethane compound contains an alkylene oxide chain. Further, the compatibility of the glass paste can be easily improved by controlling the polarity of the alkylene oxide chain. Specific examples of the urethane compound preferably used in the present invention include UA-340P (molecular weight 42000), UA-340PM (molecular weight 42000), UA-2235PE (molecular weight 18000), UA-3238PE (molecular weight 19000), UA-3348PE ( Molecular weight 22000), UA-5348PE (molecular weight 39000) (above, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) and the like, but are not limited thereto. Moreover, you may use these compounds in mixture.
ウレタン化合物は、ガラスペースト中、1〜40重量%含有することが好ましい。さらに好ましくは、1〜25重量%である。含有量をこの範囲とすることで、ウレタン化合物の効果を十分なものとすることができる。 The urethane compound is preferably contained in the glass paste in an amount of 1 to 40% by weight. More preferably, it is 1 to 25% by weight. By making content into this range, the effect of a urethane compound can be made sufficient.
本発明に用いられるガラスペーストは、界面活性剤を含有することもできる。界面活性剤を含有することで、ガラスペーストの表面張力を低減して離型性を向上できるため、成形型から構造体パターンを離型する際の塑性変形、ハガレ、亀裂などの欠陥の発生を抑制できる。 The glass paste used in the present invention can also contain a surfactant. By containing a surfactant, the surface tension of the glass paste can be reduced to improve the releasability, so that defects such as plastic deformation, peeling, cracks, etc. occur when the structure pattern is released from the mold. Can be suppressed.
界面活性剤は、フッ素原子含有界面活性剤であることが好ましい。フッ素原子含有界面活性剤を用いることで、ガラスペーストの表面張力低減の効果を絶大なものとでき、成形型から隔壁パターンを離刑する際に、塑性変形、ハガレ、亀裂などの欠陥の発生を抑制できる。 The surfactant is preferably a fluorine atom-containing surfactant. By using a fluorine atom-containing surfactant, the effect of reducing the surface tension of the glass paste can be greatly increased, and defects such as plastic deformation, peeling, and cracking can occur when the partition pattern is released from the mold. Can be suppressed.
本発明に用いられるガラスペーストは、バインダー樹脂を含有しても良い。バインダー樹脂は、パターン形成時には、ガラス粉末やフィラーなどの無機微粒子を良好に分散するバインダーとしての機能を保有し、焼成時には分解して除去されるものが好ましい。好ましく用いられるバインダー樹脂の例としては、アクリル樹脂、セルロース系樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレンなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。特にアクリル樹脂が、相溶性、易分解性の観点から好ましい。アクリル樹脂のガラス転移点(以下、Tgという)は−50〜50℃であることが好ましく、さらに好ましくは、0〜25℃である。アクリル樹脂のTgをこの範囲とすることで、取り扱いの容易さと柔軟性を両立することが可能となる。 The glass paste used in the present invention may contain a binder resin. The binder resin preferably has a function as a binder for satisfactorily dispersing inorganic fine particles such as glass powder and filler during pattern formation, and is decomposed and removed during firing. Examples of binder resins that are preferably used include, but are not limited to, acrylic resins, cellulosic resins, epoxy resins, melamine resins, phenol resins, urea resins, vinyl chloride resins, polyethylene, and polypropylene. . An acrylic resin is particularly preferable from the viewpoints of compatibility and easy decomposability. It is preferable that the glass transition point (henceforth Tg) of an acrylic resin is -50-50 degreeC, More preferably, it is 0-25 degreeC. By setting the Tg of the acrylic resin within this range, it becomes possible to achieve both ease of handling and flexibility.
本発明に用いられるガラスペーストは、さらに必要に応じて溶媒を含有することができる。溶媒としては、一般的に使用される溶媒を用いることができるが、例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、ベンジルアルコール、3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール、2,2,2−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート、テルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシド、γ−ブチロラクトン、ブロモベンゼン、クロロベンゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモ安息香酸、クロロ安息香酸などやこれらのうちの1種以上を含有する有機溶媒混合物が用いられる。 The glass paste used for this invention can contain a solvent further as needed. As the solvent, commonly used solvents can be used. For example, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl ethyl ketone, dioxane, acetone, cyclohexanone, cyclopentanone, isobutyl alcohol, isopropyl alcohol, benzyl alcohol, 3 -Methoxy-3-methyl-1-butanol, 2,2,2-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate, terpineol, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, γ- Butyrolactone, bromobenzene, chlorobenzene, dibromobenzene, dichlorobenzene, bromobenzoic acid, chlorobenzoic acid, etc. and organic solvent mixtures containing one or more of these are used. .
続いて、成形型の凹部と基板の間にガラスペーストを充填する工程について述べる。ガラスペーストの充填方法としては、まず基板上にガラスペーストを塗布し成形型を圧着する方法や、成形型にガラスペーストを充填し基板に圧着する方法などが挙げられるが、例として、基板上にガラスペーストを塗布し成形型を圧着する方法を以下に詳説する。 Subsequently, a process of filling a glass paste between the concave portion of the mold and the substrate will be described. Examples of the method for filling the glass paste include a method in which the glass paste is first applied to the substrate and the mold is pressure-bonded, and a method in which the glass paste is filled in the mold and is crimped to the substrate. A method for applying the glass paste and crimping the mold will be described in detail below.
ガラスペーストの塗布方法としては、スクリーン印刷、ナイフコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、ブレードコーター等の方法を用いることができ、必要に応じて乾燥することができる。塗布厚みは、所望の構造体パターンの体積、ガラスペーストの乾燥、硬化および焼成による収縮率を考慮して決めることができる。通常は、80〜500μmの範囲である。塗布厚みは、塗布条件、硬化性樹脂組成物の粘度等によって調整できる。 As a method for applying the glass paste, methods such as screen printing, knife coater, bar coater, roll coater, die coater, and blade coater can be used, and drying can be performed as necessary. The coating thickness can be determined in consideration of the volume of the desired structure pattern and the shrinkage rate due to drying, curing and firing of the glass paste. Usually, it is in the range of 80 to 500 μm. The coating thickness can be adjusted by coating conditions, the viscosity of the curable resin composition, and the like.
次に、ガラスペーストを塗布した基板上に成形型を圧着する。圧着方法としては特に限定されないが、真空プレス機やラミネートロールによるラミネート法を用いると、抜けや気泡のない均一な膜が得られる。 Next, a forming die is pressure-bonded onto the substrate coated with the glass paste. The pressure-bonding method is not particularly limited, but if a lamination method using a vacuum press or a laminate roll is used, a uniform film free from voids and bubbles can be obtained.
成形型、ガラスペーストが基板に圧着された状態で、ガラスペーストを硬化させる。硬化方法としては、熱硬化、活性光照射などが挙げられるが、本発明においてはガラスペーストを光硬化性とすることが好ましい。この際使用される活性光源は、例えば、近紫外線、紫外線、電子線、X線、レーザー光などが挙げられる。これらの中で紫外線が最も好ましく、その光源として、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ、殺菌灯などが使用できる。光照射条件は塗布厚みにより異なるが、通常、1〜100mW/cm2の出力の超高圧水銀灯を用いて0.01〜10分間行う。 The glass paste is cured in a state where the mold and the glass paste are pressure-bonded to the substrate. Examples of the curing method include thermal curing and actinic light irradiation. In the present invention, the glass paste is preferably made photocurable. Examples of the active light source used at this time include near ultraviolet rays, ultraviolet rays, electron beams, X-rays, and laser beams. Among these, ultraviolet rays are most preferable, and as the light source, for example, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a halogen lamp, or a germicidal lamp can be used. The light irradiation conditions vary depending on the coating thickness, but are usually performed for 0.01 to 10 minutes using an ultrahigh pressure mercury lamp with an output of 1 to 100 mW / cm 2 .
その後、基板およびガラスペーストを成形型から分離し、構造体前駆体を得る。得られた構造体前駆体は、第1構造体前駆体に沿って第2構造体前駆体との隣接交差部2点間の中心位置における第1構造体前駆体の高さをh1、第2構造体前駆体に沿って第1構造体前駆体と第2構造体前駆体との隣接交差部2点間の中心位置における第2構造体前駆体の高さをh2、第1構造体前駆体と第2構造体前駆体との交差部における第1構造体前駆体の高さをh3とするとき、h1、h2、h3がそれぞれ式(1)を満たすことが必要である。 Then, a board | substrate and glass paste are isolate | separated from a shaping | molding die, and a structure precursor is obtained. The obtained structure precursor has a height h 1 of the first structure precursor at the center position between two adjacent intersections with the second structure precursor along the first structure precursor. The height of the second structure precursor h 2 at the center position between two adjacent intersections of the first structure precursor and the second structure precursor along the two structure precursors h 2 , the first structure When the height of the first structure precursor at the intersection of the precursor and the second structure precursor is h 3 , h 1 , h 2 , and h 3 must satisfy Formula (1), respectively. is there.
h3>h1≧h2 (1)
続いて、成形された構造体前駆体を焼成することにより、実質的に無機物のみからなる構造体を形成する。焼成雰囲気や温度は、ガラスペーストや基板の種類によって異なるが、空気、窒素、水素などの雰囲気中で焼成する。焼成炉としては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉などを用いることができ、350〜800℃、好ましくは480〜620℃の温度で1〜60分間保持して焼成を行うことができる。焼成温度、焼成時間をこの範囲とすることで、有機成分を十分除去しガラスの溶融を行うとともに、焼成時の電力を抑え、基板の歪みを抑制することができる。得られた構造体は、第1構造体に沿って第2構造体との隣接交差部2点間の中心位置における第1構造体の高さをH1、第2構造体に沿って第1構造体と第2構造体との隣接交差部2点間の中心位置における第2構造体の高さをH2、第1構造体と第2構造体との交差部における第1構造体の高さをH3とするとき、H1、H3がそれぞれ式(2)を満たすことが好ましい。
h 3 > h 1 ≧ h 2 (1)
Subsequently, the molded structure precursor is fired to form a structure that is substantially made only of an inorganic substance. The firing atmosphere and temperature vary depending on the type of glass paste and substrate, but firing is performed in an atmosphere of air, nitrogen, hydrogen, or the like. As the firing furnace, a batch-type firing furnace or a belt-type continuous firing furnace can be used, and firing is performed at a temperature of 350 to 800 ° C., preferably 480 to 620 ° C. for 1 to 60 minutes. Can do. By setting the firing temperature and firing time within these ranges, the organic components can be sufficiently removed to melt the glass, the power during firing can be suppressed, and the distortion of the substrate can be suppressed. In the obtained structure, the height of the first structure at the center position between two adjacent intersections with the second structure along the first structure is H 1 , and the first along the second structure. The height of the second structure at the center position between two adjacent intersections between the structure and the second structure is H 2 , and the height of the first structure at the intersection between the first structure and the second structure When the thickness is H 3 , it is preferable that H 1 and H 3 each satisfy the formula (2).
0μm ≦|H3−H1|≦10μm (2)
さらに、本発明により、主隔壁と補助隔壁からなるプラズマディスプレイ用隔壁を形成する方法を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。プラズマディスプレイ用隔壁としては、例えば、主隔壁は幅10〜100μm、高さ80〜250μm、ピッチ50〜1000μmであり、補助隔壁は幅10〜1000μm、高さ20〜250μm、ピッチ150〜3000μmであるような格子状隔壁が挙げられる。
0 μm ≦ | H 3 −H 1 | ≦ 10 μm (2)
Furthermore, although the method of forming the partition for plasma displays which consists of a main partition and an auxiliary partition by this invention is demonstrated, this invention is not limited to this. As the partition for plasma display, for example, the main partition has a width of 10 to 100 μm, a height of 80 to 250 μm, and a pitch of 50 to 1000 μm, and the auxiliary partition has a width of 10 to 1000 μm, a height of 20 to 250 μm, and a pitch of 150 to 3000 μm. Such a lattice-shaped partition wall is mentioned.
まず、成形型を用意する。成形型は、所望の隔壁形状と逆の凹凸を有し、主隔壁と補助隔壁の交差部に相当する部分の深さが主隔壁の他の部分より深いものであれば良いが、透明であることが好ましい。 First, a mold is prepared. The mold may have irregularities opposite to the desired partition wall shape, and the depth of the portion corresponding to the intersection of the main partition wall and the auxiliary partition wall may be deeper than the other part of the main partition wall, but is transparent. It is preferable.
続いて、ガラスペーストを用意する。ガラスペーストは特に限定されないが、成形型に充填可能で、成形型離型後にパターン保持できる材料が好適に用いられる。光や熱で反応して硬化する材料がさらに好ましく、高精度、高アスペクト比の隔壁を形成する場合には、光により硬化する感光性組成物を用いることが特に好ましい。本発明により製造された成形型が透明な場合、感光性組成物を用いることで、高精度、高アスペクト比のパターンが、少ない露光量で素早く形成できる。感光性を付与するには、硬化性化合物と光重合開始剤を含有することで達成される。ガラスペーストの一例を以下に示す。
・硬化性化合物:ポリエチレングリコールジアクリレート(3〜20重量%)
・重合開始剤:2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1(0.05〜10重量%)
・溶剤:キョーワノールM(0〜30重量%)
・無機粒子:低軟化点ガラスとセラミックフィラーの混合物(40〜97重量%)
続いて、ガラスペーストを基板に塗布する。塗布方法としては、スクリーン印刷、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、ブレードコーター等の方法を用いて塗布し、必要に応じて乾燥することができる。塗布厚みは、所望の隔壁前駆体の高さとガラスペーストの収縮率を考慮して決めることができる。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシュ、ガラスペーストの粘度等によって調整できる。乾燥は熱風乾燥機、IR乾燥機等を用いて行い、乾燥温度や時間は用いたガラスペーストの溶剤や塗布膜厚によって調整できる。
Subsequently, a glass paste is prepared. The glass paste is not particularly limited, but a material that can be filled in a mold and can hold a pattern after mold release is preferably used. A material that is cured by reaction with light or heat is more preferable, and in the case of forming a partition with high accuracy and a high aspect ratio, it is particularly preferable to use a photosensitive composition that is cured by light. When the mold produced according to the present invention is transparent, a highly accurate and high aspect ratio pattern can be quickly formed with a small exposure by using the photosensitive composition. In order to provide photosensitivity, it is achieved by containing a curable compound and a photopolymerization initiator. An example of the glass paste is shown below.
Curing compound: polyethylene glycol diacrylate (3 to 20% by weight)
Polymerization initiator: 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1 (0.05 to 10% by weight)
・ Solvent: Kyowanol M (0-30% by weight)
Inorganic particles: A mixture of low softening point glass and ceramic filler (40 to 97% by weight)
Subsequently, a glass paste is applied to the substrate. As a coating method, it can apply | coat using methods, such as screen printing, a bar coater, a roll coater, a die coater, a blade coater, and can be dried as needed. The coating thickness can be determined in consideration of the desired height of the partition wall precursor and the shrinkage rate of the glass paste. The coating thickness can be adjusted by the number of coatings, the screen mesh, the viscosity of the glass paste, and the like. Drying is performed using a hot air dryer, IR dryer, or the like, and the drying temperature and time can be adjusted by the solvent and coating film thickness of the glass paste used.
次に、本発明の成形型をガラスペースト塗布膜上に圧着する。圧着方法としては特に限定されないが、ラミネートロールによるラミネート法を用いると、抜けや気泡のない均一な膜が得られる。 Next, the mold of the present invention is pressure-bonded onto the glass paste coating film. The pressure-bonding method is not particularly limited, but when a laminating method using a laminating roll is used, a uniform film free from voids and bubbles can be obtained.
光硬化型のガラスペーストを用いる場合、成形型がガラスペーストに圧着された状態で、光照射を行うことができる。この際使用される活性光源は、例えば、近紫外線、紫外線、電子線、X線、レーザー光などが挙げられる。これらの中で紫外線が最も好ましく、その光源として、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ、殺菌灯などが使用できる。光照射条件は塗布厚みにより異なるが、通常、1〜100mW/cm2の出力の超高圧水銀灯を用いて0.01〜30分間行う。 In the case of using a photocurable glass paste, light irradiation can be performed in a state where the mold is pressed against the glass paste. Examples of the active light source used at this time include near ultraviolet rays, ultraviolet rays, electron beams, X-rays, and laser beams. Among these, ultraviolet rays are most preferable, and as the light source, for example, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a halogen lamp, or a germicidal lamp can be used. Although light irradiation conditions differ with application | coating thickness, it is normally performed for 0.01 to 30 minutes using the ultrahigh pressure mercury lamp of the output of 1-100 mW / cm < 2 >.
その後、成形型をガラスペースト塗布膜から除去し、所望の隔壁を得る。得られた隔壁は変形、亀裂、断線などの欠陥がない。後工程で焼成を行う場合、焼成により成形型を除去することも可能である。 Thereafter, the mold is removed from the glass paste coating film to obtain a desired partition wall. The obtained partition walls are free from defects such as deformation, cracks, and disconnection. When firing in a later step, the mold can be removed by firing.
続いて、焼成炉にて焼成を行う。焼成雰囲気や温度は、ガラスペーストや基板の種類によって異なるが、空気中、窒素、水素などの雰囲気中で焼成する。焼成炉としては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉などを用いることができ、350〜800℃、好ましくは520〜620℃の温度で1〜60分間保持して焼成を行う。また、先に述べた通り、成形型をガラスペーストから分離せずに焼成を行うこともできる。成形型が有機成分のみからなる場合、焼成により成形型を成形用材料から除去できる。 Subsequently, firing is performed in a firing furnace. The firing atmosphere and temperature vary depending on the type of glass paste and substrate, but firing is performed in an atmosphere of air, nitrogen, hydrogen, or the like. As the firing furnace, a batch-type firing furnace, a belt-type continuous firing furnace, or the like can be used, and firing is performed at a temperature of 350 to 800 ° C., preferably 520 to 620 ° C. for 1 to 60 minutes. Further, as described above, firing can be performed without separating the mold from the glass paste. In the case where the mold is composed only of organic components, the mold can be removed from the molding material by firing.
図2に上述の隔壁形成用の成形型と光硬化型のガラスペーストを用いてプラズマディスプレイの隔壁を形成する方法の例を模式的に示す。 FIG. 2 schematically shows an example of a method for forming the partition walls of the plasma display using the above-described partition wall forming mold and photocurable glass paste.
まず、図2(a)に示すように、ガラス基板7上にストライプ状のアドレス電極8およびアドレス電極8を覆う誘電体層9を設けた基板10を用意し、基板10上に光硬化型のガラスペースト11aを塗布する。次に上述の成形型5を配置し、ラミネートロール6を用いて圧着させることにより、基板10と成形型5との間にガラスペースト11aを充填する。
First, as shown in FIG. 2A, a
次に図2(b)に示すように、成形型5側から紫外線12を照射してガラスペースト11aを硬化させ、次いで基板10およびガラスペースト硬化物から成形型5を剥離して図2(c)に示すような隔壁パターン11bが形成された基板10を得る。さらにこれを焼成することによって、隔壁11cを有するプラズマディスプレイ用部材を得ることができる。
Next, as shown in FIG. 2 (b), the
以下に、本発明を実施例により具体的に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。本発明を用いて、画素数207万画素(1920画素×1080画素)の42インチプラズマディスプレイを作製した。 Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples. However, the present invention is not limited to this. Using the present invention, a 42-inch plasma display having 2.70 million pixels (1920 pixels × 1080 pixels) was manufactured.
A.成形型の用意
成形型は、シリコーン樹脂組成物(シルポット184、東レ・ダウコーニング(株)製)を硬化して作製した。作製した成形型は、頂部線幅(開口幅)70μm、底部線幅40μm主隔壁前駆体に対応する溝と、頂部線幅(開口幅)80μm、底部線幅40μmの補助隔壁前駆体に対応する溝を有し、隔壁前駆体の高さh1、h2、h3に対応する溝の深さをそれぞれd1、d2、d3とするとき、d1、d2、d3は表1の通りであった。主隔壁前駆体に対応する溝のピッチは160μm、補助隔壁前駆体に対応する溝のピッチは480μmであった。また、主隔壁前駆体に対応する溝の深さを連続的に変化させる長さ(La0)は表1の通りであった。
A. Preparation of Mold A mold was prepared by curing a silicone resin composition (Sylpot 184, manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.). The produced mold corresponds to a groove corresponding to a main partition wall precursor having a top line width (opening width) of 70 μm and a bottom line width of 40 μm, and an auxiliary partition wall precursor having a top line width (opening width) of 80 μm and a bottom line width of 40 μm. a groove, when the height h 1 of the partition wall precursor, h 2, the groove corresponding to h 3 depth and d 1,
B.プラズマディスプレイ隔壁の作製方法
作製した成形型を用い、プラズマディスプレイ隔壁を以下の手順にて作製した。旭硝子株式会社製 “PD−200”ガラス基板(42インチ)上に、感光性銀ペーストを用いたフォトリソグラフィ法により、ピッチ160μm、線幅50μmのアドレス電極パターンを形成した。次いで、アドレス電極が形成されたガラス基板上に誘電体層をスクリーン印刷法により16μmの厚みで形成した。しかる後、以下に示す組成のガラスペーストをダイコート塗布法によりアドレス電極パターンおよび誘電体層が形成された背面板ガラス基板上に厚み100μmになるように均一に塗布した。
(ガラスペーストの組成)
・ 硬化性化合物:EO変性ビスフェノールAジアクリレート(日本油脂(株)製) 10重量%
・ ウレタン化合物:UA−340P(分子量43000、新中村化学(株)製) 1.5重量%
・重合開始剤:ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイ)−フェニルフォスフィンオキサイド(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ製) 0.2重量%
・分散剤:ノニルエーテル系分散剤 1.5重量%
・可塑剤:2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート 16.8重量%
・無機粒子:低軟化点ガラス(過重軟化点510℃)とセラミックフィラーの混合物 70重量%
続いて、ラミネートロールによるラミネート法にて、前述の成形型をガラスペーストに圧着した。ガラスペースト、誘電体層、電極を介して、基板に支持体が圧着している状態で、成形型面から、50mW/cm2出力の超高圧水銀灯で20秒間紫外線露光した。しかる後、成形型を隔壁ガラスペーストから剥離し、所望の隔壁形状を有する隔壁前駆体を得た。得られた隔壁の寸法、亀裂、断線および高さムラの有無を観察した。隔壁前駆体の高さのうち、h1、h2、h3、および連続的に高さを変化させる長さLaは、それぞれ表1のようになった。また、主隔壁前駆体のピッチは160μm、補助隔壁前駆体のピッチ(L1)は480μmであった。
B. Method for Producing Plasma Display Partition Wall Using the prepared mold, a plasma display partition wall was produced by the following procedure. An address electrode pattern having a pitch of 160 μm and a line width of 50 μm was formed on a “PD-200” glass substrate (42 inches) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. by photolithography using a photosensitive silver paste. Next, a dielectric layer having a thickness of 16 μm was formed on the glass substrate on which the address electrodes were formed by screen printing. Thereafter, a glass paste having the composition shown below was uniformly applied on the back plate glass substrate on which the address electrode pattern and the dielectric layer were formed by a die coating method so as to have a thickness of 100 μm.
(Composition of glass paste)
Curing compound: EO-modified bisphenol A diacrylate (manufactured by NOF Corporation) 10% by weight
-Urethane compound: UA-340P (molecular weight 43000, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) 1.5% by weight
・ Polymerization initiator: bis (2,4,6-trimethylbenzoy) -phenylphosphine oxide (Ciba Specialty Chemicals) 0.2% by weight
・ Dispersant: Nonyl ether dispersant 1.5% by weight
Plasticizer: 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate 16.8% by weight
Inorganic particles: 70% by weight of a mixture of low softening point glass (overweight softening point 510 ° C.) and ceramic filler
Then, the above-mentioned shaping | molding die was crimped | bonded to the glass paste by the laminating method by a laminating roll. The glass substrate, the dielectric layer, and the electrode were used, and the substrate was exposed to ultraviolet rays for 20 seconds with an ultrahigh pressure mercury lamp with an output of 50 mW / cm 2 from the mold surface while the support was pressed against the substrate. Thereafter, the mold was peeled off from the partition glass paste to obtain a partition wall precursor having a desired partition shape. The obtained partition walls were observed for size, cracks, disconnections, and height irregularities. Of the heights of the partition wall precursors, h 1 , h 2 , h 3 , and the length La that continuously changes the height are as shown in Table 1, respectively. Moreover, the pitch of the main partition wall precursor was 160 μm, and the pitch (L 1 ) of the auxiliary partition wall precursor was 480 μm.
その後、550℃で30分保持して焼成することにより隔壁を形成した。隔壁の高さのうち、H1、H2、H3は表1のようになった。交差部における高さムラ量(|H1−H3|)が4μm以下なら高さムラ評価はAA、4μm<|H1−H3|≦5μmなら高さムラ評価はA、5μm<|H1−H3|<10μmなら高さムラ評価はB、10μm以上なら隔壁としては不可であり、高さムラ評価はCとした。亀裂、断線が1ヶ所以内ならば欠陥評価はAA、2〜5ヶ所以内であれば欠陥評価はA、6〜20ヶ所以内であれば欠陥評価はB、20ヶ所以上で隔壁としては不可であり、欠陥評価はCとした。 Then, the partition was formed by hold | maintaining for 30 minutes and baking at 550 degreeC. Among the heights of the partition walls, H 1 , H 2 , and H 3 are as shown in Table 1. If the amount of height unevenness (| H 1 −H 3 |) at the intersection is 4 μm or less, the height unevenness evaluation is AA, if 4 μm <| H 1 −H 3 | ≦ 5 μm, the height unevenness evaluation is A, 5 μm <| H If 1 −H 3 | <10 μm, the height unevenness evaluation is B, and if it is 10 μm or more, the partition is not possible, and the height unevenness evaluation is C. Defect assessment is AA if cracks and breaks are within 1 location, A is defect assessment if within 2-5 locations, B is defect assessment if within 6-20 locations, and it is not possible as a partition with more than 20 locations. The defect evaluation was C.
C.プラズマディスプレイの作製方法
得られた隔壁付き基板に、蛍光体層をディスペンサー法にて厚さ20μmに形成し、焼成してプラズマディスプレイ背面板を得た。
C. Method for Producing Plasma Display A phosphor layer was formed to a thickness of 20 μm on the obtained substrate with barrier ribs by a dispenser method and baked to obtain a plasma display back plate.
続いて、プラズマディスプレイ前面板を以下の手順にて作製した。旭硝子株式会社製“PD−200”ガラス基板(42インチ)上に、フォトエッチング法によりITO電極を1μmの厚みで形成した後、感光性銀ペーストを用いたフォトリソグラフィ法によりバス電極パターンを形成した。しかる後、透明誘電体層をスクリーン印刷法により30μmの厚みで形成した。最後に、500nm厚のMgO膜を電子ビーム蒸着により形成して、前面板を得た。 Subsequently, a plasma display front plate was produced by the following procedure. An ITO electrode having a thickness of 1 μm was formed on a “PD-200” glass substrate (42 inches) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. by a photoetching method, and then a bus electrode pattern was formed by a photolithography method using a photosensitive silver paste. . Thereafter, a transparent dielectric layer was formed to a thickness of 30 μm by screen printing. Finally, a 500 nm thick MgO film was formed by electron beam evaporation to obtain a front plate.
作製した前面板と背面板を封着後、前背面の基板間隔に形成された空間に、キセノンが5体積%のキセノン−ネオン混合ガスの希ガスを450mmHgの圧力で封入することによって、プラズマディスプレイのパネル部分を作製した。さらに、駆動用のドライバーICを実装することによって、画素数207万画素のプラズマディスプレイを作製した。得られたプラズマディスプレイを隔壁方向に沿って、1列おきに点灯させ、誤放電による点灯、不灯、またはちらつきがないか目視で評価した。評価は、誤放電による点灯セルや不灯セルの数が1個以内ならばディスプレイ評価はAA、2〜5個以内であればディスプレイ評価はA、6〜20個以内であればディスプレイ評価はB、20個以上でディスプレイパネルとしては不可であり、Cとした。ちらつきのみが発生した場合には、ディスプレイ評価はAとした。 After sealing the produced front plate and back plate, a noble gas of xenon-neon mixed gas of 5% by volume of xenon is sealed in a space formed between the front and back substrates at a pressure of 450 mmHg, thereby plasma display A panel portion was prepared. In addition, a plasma display having 2.70 million pixels was fabricated by mounting a driver IC for driving. The obtained plasma display was turned on every other row along the partition wall direction, and was visually evaluated for lighting, non-lighting, or flickering due to erroneous discharge. The evaluation is AA if the number of lit cells or non-lighted cells due to erroneous discharge is within one, the display evaluation is A if it is within 2 to 5, and the display evaluation is B if it is within 6 to 20. 20 or more is not possible as a display panel, and C. When only flickering occurred, the display evaluation was A.
(実施例1)
表1に示す成形型を用いて成形型を用いて作製したプラズマディスプレイ用隔壁は交差部凹みがない上に、形状が良好で欠陥もなく、高さムラ評価、欠陥評価はAAであり、プラズマディスプレイを作製したところ、ディスプレイ評価もAAであった。
Example 1
The partition for plasma display produced using the mold shown in Table 1 has no intersection dents, has a good shape and no defects, and has a height unevenness evaluation and defect evaluation of AA. When the display was produced, display evaluation was also AA.
(実施例2)
d3を180μmから185μmに、Laを50μmから100μmに変化させた他は、実施例1を繰り返した。得られたプラズマディスプレイ用隔壁は交差部凹みがない上に、形状が良好で欠陥もなく、高さムラ評価、欠陥評価はAAであり、プラズマディスプレイを作製したところ、ディスプレイ評価もAAであった。
(Example 2)
The d 3 to 185μm from 180 [mu] m, in addition to changing the La from 50μm to 100μm Example 1 was repeated,. The obtained partition for plasma display had no intersection dents, had a good shape and no defects, height unevenness evaluation and defect evaluation were AA, and when a plasma display was produced, display evaluation was also AA. .
(実施例3)
d3を180μmから175μmに、Laを50μmから65μmに変化させた他は、実施例1を繰り返した。得られたプラズマディスプレイ用隔壁は交差部凹みがない上に、形状が良好で欠陥もなく、高さムラ評価、欠陥評価はAAであり、プラズマディスプレイを作製したところ、ディスプレイ評価もAAであった。
(Example 3)
Example 1 was repeated except that d 3 was changed from 180 μm to 175 μm and La was changed from 50 μm to 65 μm. The obtained partition for plasma display had no intersection dents, had a good shape and no defects, height unevenness evaluation and defect evaluation were AA, and when a plasma display was produced, display evaluation was also AA. .
(実施例4)
ウレタン化合物を添加しなかったほかは、実施例1を繰り返した。得られたプラズマディスプレイ用隔壁は交差部凹み量が5μmとやや大きく、高さムラ評価はAであった。断線が3ヶ所発生し、欠陥評価はAであった。ウレタン化合物を添加しなかったため、焼成時の応力が大きくなったためと考えられる。プラズマディスプレイを作製したところ、ディスプレイ評価もBであった。
Example 4
Example 1 was repeated except that no urethane compound was added. The obtained partition wall for plasma display had a slightly large intersection dent amount of 5 μm, and the height unevenness evaluation was A. Three disconnections occurred, and the defect evaluation was A. This is probably because the stress during firing was increased because the urethane compound was not added. When the plasma display was produced, the display evaluation was also B.
(実施例5)
Laを5μmにした他は、実施例1を繰り返した。得られたプラズマディスプレイ用隔壁の交差部凹みは小さかったが、交差部に沿って亀裂が12ヶ所発生し、欠陥評価はBでわった。プラズマディスプレイを作製したところ、ディスプレイ評価もBであった。
(実施例6)
成形型のd1、d2、d3、Laを変化させた他は、実施例1を繰り返した。得られたプラズマディスプレイ用隔壁は交差部凹みがない上に、形状が良好で欠陥もなく、高さムラ評価、欠陥評価はAAであり、プラズマディスプレイを作製したところ、ディスプレイ評価もAAであった。
(実施例7)
d3を180μmから202μmに変化させた他は、実施例1を繰り返した。得られたプラズマディスプレイ用隔壁は交差部が8μm高く、高さムラ評価はBであった。さらに、交差部に沿って亀裂が8ヶ所発生し、欠陥評価はBでわった。プラズマディスプレイを作製したところ、ディスプレイ評価もBであった。
(実施例8)
d3を180μmから173μmに変化させた他は、実施例1を繰り返した。得られたプラズマディスプレイ用隔壁は交差部が7μm低く、高さムラ評価はBであった。プラズマディスプレイを作製したところ、ディスプレイ評価もBであった。
(比較例1)
d3を180μmから170μmに変化させた他は、実施例1を繰り返した。得られたプラズマディスプレイ用隔壁は交差部が11μm高く、高さムラ評価はCであった。プラズマディスプレイを作製したところ、ディスプレイ評価もCであった。
(Example 5)
Example 1 was repeated except that La was 5 μm. The obtained plasma display partition walls had a small recess at the intersection, but 12 cracks occurred along the intersection, and the defect evaluation was B. When the plasma display was produced, the display evaluation was also B.
(Example 6)
Example 1 was repeated except that d 1 , d 2 , d 3 , and La of the mold were changed. The obtained partition for plasma display had no intersection dents, had a good shape and no defects, height unevenness evaluation and defect evaluation were AA, and when a plasma display was produced, display evaluation was also AA. .
(Example 7)
Another of changing the d 3 from 180μm to 202μm Example 1 was repeated,. The obtained partition wall for plasma display was 8 μm higher at the intersection, and the height unevenness evaluation was B. Furthermore, eight cracks occurred along the intersection, and the defect evaluation was B. When the plasma display was produced, the display evaluation was also B.
(Example 8)
Another of changing the d 3 from 180μm to 173μm Example 1 was repeated,. The obtained partition for plasma display had a
(Comparative Example 1)
Another of changing the d 3 from 180μm to 170μm Example 1 was repeated,. The obtained partition for plasma display had an intersection of 11 μm higher, and the height unevenness evaluation was C. When the plasma display was produced, the display evaluation was also C.
1:第1構造体前駆体
2:第2構造体前駆体
3:第1構造体前駆体と第2構造体前駆体の交差部
101:第1構造体
102:第2構造体
4:基板
5:成形型
5:ガラス基板
6:ラミネートロール
7:ガラス基板
8:アドレス電極
9:誘電体層
10:基板
11a:ガラスペースト
11b:隔壁前駆体
11c:隔壁
12:紫外線
1: first structure precursor 2: second structure precursor 3: intersection of first structure precursor and second structure precursor 101: first structure 102: second structure 4: substrate 5 : Mold 5: Glass substrate 6: Laminate roll 7: Glass substrate 8: Address electrode 9: Dielectric layer 10:
Claims (3)
h3>h1≧h2 (1) A structure in which a structure precursor composed of an inorganic component containing glass powder and a glass paste containing an organic component is formed on a substrate, and the structure precursor is fired to form a structure mainly composed of an inorganic substance. The structure precursor includes a plurality of striped first structure precursors and a plurality of second structure precursors, and each of the first structure precursors is two or more. Each of the second structure precursors, and each of the second structure precursors intersects with two or more first structure precursors, and the second structure precursors extend along the first structure precursors. The height of the first structure precursor at the center position between two adjacent intersections of h 1 is h 1 , and the first structure precursor and the second structure precursor are adjacent to each other along the second structure precursor. The height of the second structure precursor at the center position between the two intersections is h 2 , and the height of the first structure precursor and the first structure precursor When the height of the first structure precursor at the intersection with the two structure precursors is h 3 , h 1 , h 2 , and h 3 each satisfy the formula (1). Production method.
h 3 > h 1 ≧ h 2 (1)
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