JP2010055918A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】製造時に発生し得るクラック等による強度の低下が抑制された電気光学装置。
【解決手段】所定の間隔をおいて対向するように保持された一対の基板と、該一対の基板間に配置された電気光学物質７と、を備える電気光学装置２であって、前記一対の基板の各々の前記電気光学物質７とは反対側の面にハードコート層９が形成されていることを特徴とする電気光学装置２。
【選択図】図４

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。

有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、「有機ＥＬ装置」と称する。）等の、一対の基板間に電気光学物質を挟持する態様の電気光学装置は、軽量かつ薄型等の特徴により携帯電話機等の表示部への採用が進みつつある。かかる場合、該電気光学装置をより薄くするために、上述の基板を研磨等の処理を行うことが一般化しつつある。そしてかかる処理による強度の低下を抑制するために、研磨後の基板表面に貼付する偏光板に、該電気光学装置の強度を向上させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００４−４６１１５号公報

しかし上述の方法は、電気光学装置全体の厚さを増加させるという弊害がある。また該電気光学装置の製造時に発生し得るクラック等には効果が少ないという課題がある。更に、電気光学装置の側端部の強度を向上する効果が得られないという課題がある。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］所定の間隔をおいて対向するように保持された一対の基板と、該一対の基板間に配置された電気光学物質と、を備える電気光学装置であって、上記一対の基板の各々の上記電気光学物質とは反対側の面にハードコート層が形成されていることを特徴とする電気光学装置。

このような構成であれば、上記ハードコート層の形成前において上記一対の基板に発生し得るクラック等を該ハードコート層で埋め込むことができる。したがって、電気光学装置の強度を向上でき、信頼性等を向上できる。

［適用例２］上述の電気光学装置であって、上記一対の基板間に配置され、上記一対の基板を保持するシール材をさらに有し、上記一対の基板の各々の端面と、上記シール材の上記電気光学物質とは反対側の面とに、上記ハードコート層が形成されていることを特徴とする電気光学装置。

このような構成であれば、上記ハードコート層により、上記クラック等の発生確率の高い基板の端面を補強できる。したがって、電気光学装置の強度をより一層向上できる。

［適用例３］上述の電気光学装置であって、上記ハードコート層の層厚は５μｍ以上かつ５０μｍ以下であることを特徴とする電気光学装置。

上述のクラック等を埋め込むためには、該ハードコート層の層厚は少なくとも５μｍが必要である。一方で、該ハードコート層を極端に厚く形成すると電気光学装置の厚さが増大する弊害が大きい。したがってこのような構成であれば、電気光学装置の厚さの低減と、強度の向上と、を両立できる。

［適用例４］上述の電気光学装置であって、上記ハードコート層の透過率は８５％以上であることを特徴とする電気光学装置。

かかる構成であれば表示品質を損うことなく電気光学装置の強度の向上をできる。なお、上記透過率は、可視光の透過率である。

［適用例５］上述の電気光学装置であって、上記ハードコート層内に、該ハードコート層の形成材料の屈折率よりも低い屈折率を有する透明樹脂からなる粒子が混入されていることを特徴とする電気光学装置。

かかる構成であれば表面の反射を防止でき、表示品質を向上できる。

［適用例６］上述の電気光学装置であって、上記ハードコート層を除く上記電気光学装置の厚さは、５０μｍないし１０００μｍであることを特徴とする電気光学装置。

このような構成であれば、上記ハードコート層の厚さを加えても充分に薄い電気光学装置を得ることができる。

［適用例７］上述の電気光学装置であって、上記電気光学物質が有機エレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする電気光学装置。

かかる構成であれば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置において強度を向上できる。

［適用例８］上述の電気光学装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。

このような構成であれば、信頼性を損ねることなく該表示部の厚さを縮小でき、携帯性を向上できる。

［適用例９］所定の間隔をおいて対向するように貼り合わされた一対の基板と、該一対の基板間に配置された電気光学物質と、を備える電気光学装置の製造方法であって、上記一対の基板を、該一対の基板の互いに向かいあう第１の面で上記電気光学物質を挟持するように貼り合わせて電気光学パネルを形成する第１の工程と、上記一対の基板の少なくとも一方の基板の上記第１の面の反対側の面である第２の面を研磨して、上記電気光学パネルの厚さを低減する第２の工程と、上記一対の基板の少なくとも一方の基板の上記第２の面にハードコート層を形成する第３の工程と、を記載の順に実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法によれば、厚さの増加を抑制しつつ強度が向上した電気光学装置を得ることができる。

［適用例１０］上述の電気光学装置の製造方法であって、上記第２の工程は上記一対の基板の双方の上記第２の面を研磨する工程であり、上記第３の工程は上記一対の基板の双方の上記第２の面に上記ハードコート層を形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法によれば、厚さの増加をより一層抑制しつつ強度がより一層向上した電気光学装置を得ることができる。

［適用例１１］上述の電気光学装置の製造方法であって、上記第２の工程は上記電気光学パネルの厚さが５０μｍになるまで上記第２の面を研磨する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法によれば、必要な強度を維持しつつ最大限に厚さの増加が抑制された電気光学装置を得ることができる。

［適用例１２］上述の電気光学装置の製造方法であって、上記第３の工程は上記ハードコート層の層厚が５μｍ以上かつ５０μｍ以下となるように該ハードコート層を形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法によれば、厚さの増加を最大限に抑制しつつ、電気光学装置の強度を向上できる。

［適用例１３］上述の電気光学装置の製造方法であって、上記電気光学パネルの端面に上記ハードコート層を形成する第４の工程を更に実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法によれば、電気光学装置の表面を全て上記ハードコート層で覆うことができるので、強度をより一層向上できる。

［適用例１４］上述の電気光学装置の製造方法であって、上記第３の工程は、上記ハードコート層の形成材料の屈折率よりも低い屈折率を有する透明樹脂からなる粒子が混入されたハードコート層を形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法によれば、強度と共に表示品質も向上させた電気光学装置を得ることができる。

以下、図面を参照し、本発明を具体化した有機ＥＬ装置の実施形態について述べる。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、該各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。

（第１の実施形態）
図１は、本実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置１の各種素子、配線等の等価回路図である。有機ＥＬ装置１の表示領域１００には、赤色光を発光する赤色有機ＥＬ素子２０Ｒと、緑色光を発光する緑色有機ＥＬ素子２０Ｇと、青色光を発光する青色有機ＥＬ素子２０Ｂと、の三種類の有機ＥＬ素子２０が規則的に配置されている。以下、発光色を区別しない場合には、単に有機ＥＬ素子２０と称する。なお、後述するように、上記各有機ＥＬ素子２０は、電気光学材料としての有機ＥＬ材料のみが異なっている。

有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ素子２０の発光を個別に制御して、多数の有機ＥＬ素子２０を含む表示領域１００において画像を形成するアクティブマトリクス型の装置である。表示領域１００には、複数の走査線１０２と、走査線１０２と直交する複数の信号線１０４と、信号線１０４と平行に延びる複数の電源供給線１０６が形成されている。各々の有機ＥＬ素子２０は、走査線１０２、信号線１０４、電源供給線１０６によって囲まれる方形の区画内に夫々形成されている。

各々の画素領域には、走査線１０２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画素信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子２０が形成されている。有機ＥＬ素子２０は、流れる電流の大きさに応じた輝度で発光する。

表示領域１００の周辺には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線駆動回路１２０は、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて、走査線１０２に走査信号を順次供給する。信号線駆動回路１３０は、信号線１０４に画像信号を供給する。なお、走査線駆動回路１２０と信号線駆動回路１３０とを合わせて、周辺回路１２５と称する。なお、周辺回路１２５（図２参照）は、図示しない外部回路と接続されている。

走査線１０２が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から有機ＥＬ素子２０に駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子２０は駆動電流の大きさに応じて発光する。個々の有機ＥＬ素子２０は独立に制御され、駆動電流の大きさに応じて有機ＥＬ素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂにおける赤、緑、青の発光輝度を調節することで表示領域１００にカラー画像が形成される。

図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置１（図３参照）が備える電気光学パネルの模式断面図である。後述する一対の基板（素子基板１０及び対向基板１１）に垂直な方向の断面図である。後述するハードコート層９（図３参照）を形成する前の段階の断面図である。かかる段階を、以下の記載において電気光学パネルとしての有機ＥＬパネル１２と称する。有機ＥＬパネル１２は、個別に形成する方法の他、後述するように大面積に基板を用いて複数個をまとめて形成した後、個々の有機ＥＬパネル１２毎に切り分ける方法を採ることもできる。

図示するように、有機ＥＬパネル１２は、素子基板１０と対向基板１１との一対の基板と、該一対の基板間に挟持される有機ＥＬ素子２０（一点鎖線の枠内）等からなる。上記一対の基板は、第１の面１５が有機ＥＬ素子２０等と対向し第２の面１６が外側となるように貼り合わされている。本実施形態の有機ＥＬ装置１はトップエミッション型であり対向基板１１側に観察者は位置する。したがって、対向基板１１はガラス等の透明材料からなる基板が必要であるが、素子基板１０は透明性を要しない。

有機ＥＬ素子２０は陰極２４と陽極２２とからなる一対の電極と、該一対の電極に挟持される発光機能層３０とからなる。赤色有機ＥＬ素子２０Ｒには赤色発光機能層３０Ｒが、緑色光を発光する緑色有機ＥＬ素子２０Ｇには緑色発光機能層３０Ｇが、青色光を発光する青色有機ＥＬ素子２０Ｂには青色発光機能層３０Ｂが、夫々形成されている。発光機能層は少なくとも電気光学物質としての、通電により発光する有機ＥＬ材料層を含む層である。有機ＥＬ材料層の形成材料は有機ＥＬ素子２０の射出光により異なる。すなわち、上述の三種類の発光機能層３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、夫々異なる有機ＥＬ材料を含有している。

なお、図２では図示を省略しているが、発光機能層３０の陽極２２側に正孔注入層及び正孔輸送層を形成することが好ましく、陰極２４側に電子注入層及び電子輸送層を形成することが好ましい。かかる層を形成することで、発光効率等を向上できる。

陽極２２は正孔を供給する電極であり、各有機ＥＬ素子２０毎に互いに電気的に独立している。陰極２４は電子を供給する電極であり、全ての有機ＥＬ素子２０の陰極２４側が同電位となるように表示領域１００の全域に形成されている。駆動用ＴＦＴ（以下、単に「ＴＦＴ」と称する。）は各有機ＥＬ素子毎に素子基板１０の第１の面１５に形成されている。なお、図２では、スイッチング用ＴＦＴ１０８（図１参照）と保持容量１１０（図１参照）は図示を省略している。

そして、ＴＦＴの上面、すなわち対向基板１１側には酸化珪素等からなる層間絶縁層が形成されている。ＴＦＴ１１２と陽極２２は、該層間絶縁層に形成されたコンタクトホール２６を介して電気的に接続されている。そして、各有機ＥＬ素子間は、酸化珪素等からなる隔壁２８で区画されている。

陰極２４の対向基板１１側には、電極保護層３２と有機緩衝層３４とガスバリア層３６とが順に積層されている。電極保護層３２は陰極２４を水分等から保護するために形成される薄膜であり、珪素酸窒化物で形成される。有機緩衝層３４は、素子基板１０の反り体積膨張による応力を緩和するための薄膜であり、エポキシ化合物等の透明性及び平坦化機能を有する材料で形成される。ガスバリア層３６は酸素及び水分の滲入を抑制するための薄膜であり、珪素窒化物あるいは珪素酸窒化物で形成される。

ガスバリア層３６まで形成された素子基板１０と対向基板１１とが、接着層３８とシール材１８とで貼り合わされることで、有機ＥＬパネル１２が形成される。すなわち、素子基板１０の第１の面１５に形成された有機ＥＬ素子２０及び周辺回路１２５等の周囲に枠状のシール材１８を形成し、該シール材で囲まれた領域にガスバリア層３６を覆うように接着層３８を形成した後、対向基板１１を、該対向基板の第１の面１５が該接着層に面接触するように貼り合わせることで有機ＥＬパネル１２が形成される。

該一対の基板の端面と、シール材１８の外周部すなわち有機ＥＬ素子２０等に面しておらず、かつ上記一対の基板にも接触していない部分とを併せた部分が、有機ＥＬパネル１２の側端部１９である。本実施形態の有機ＥＬ装置１は、表面の略全域、すなわち有機ＥＬパネルを構成する一対の基板の双方の第２の面１６、及び上述の側端部１９にハードコート層９（図３参照）が形成されている。

図３は、本実施形態にかかる、表面の略全域にハードコート層９が形成された有機ＥＬ装置１の模式断面図である。上述の図２と同一方向の断面図である。本図、及び後述する各図においては、素子基板１０と対向基板１１との間に形成された有機ＥＬ素子２０等を、電気光学物質としての有機ＥＬ素子層７として、詳細の図示は省略している。図示する様に、ハードコート層９は、側端部１９を含む有機ＥＬパネル１２の表面全域に形成されている。

ハードコート層９は可視光の透過率が少なくとも８５％、好ましくは略９８％以上の、透明材料からなる層である。また、屈折率は略１．７が好ましい。ハードコート層９の形成目的は、有機ＥＬパネル１２の強度を向上させることであるため、ＪＩＳ−Ｋ５４００で示す鉛筆硬度試験で「Ｈ」以上の硬度を示す層であることが好ましい。

ハードコート層９の層厚は、１０μｍ〜５０μｍが好ましい。後述する有機ＥＬパネル１２の分割工程等で基板（素子基板１０及び対向基板１１）に生じ得るクラックは最大で１０μｍ程はあるため、かかるクラックを埋め込むためにも、上述の層厚が必要である。一方、本実施形態においてハードコート層を形成する目的は有機ＥＬ装置全体の厚さをあまり増加させることなく強度を向上させることにあるため、５０μｍを超えることは好ましくない。

ハードコート層９の形成は、樹脂等の形成材料を溶剤に溶解して得られる液材を基板の第２の面１６に塗布し、効果させる手法が好ましい。塗布方法は、第２の面１６上に形成する場合はスピンコート法が好ましい。側端部１９にはスピンコート法は適用できないため、第５の実施形態に示すようにディップ法を併用して形成することが好ましい。

ハードコート層９の構成材料となる樹脂としては、熱硬化型又は紫外線硬化型の樹脂が好ましい。具体的には、ポリエステル、ポリエーテル、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン等が挙げられる。更に、上述の樹脂を紫外線硬化型樹脂として使用するときは、光重合開始剤、及び光増感剤を混合して用いることが好ましい。また、溶剤としては、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）等が好ましい。

（本実施形態の効果）
本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は、シート状の保護膜を貼付するのではなく、液材を硬化して得られるハードコート層９を基板表面に形成しているため、クラックを埋め込むことができる。したがって、有機ＥＬ装置を折り曲げるような力が加わり得る状態で使用する場合においても充分に強度の向上効果が得られている。また、ハードコート層９の層厚を５０μｍ以下とすることで、有機ＥＬ装置全体の厚さの増加を抑制でき、電子機器へ組み込む際に障害となることを回避している。また、ハードコート層９を、有機ＥＬパネル１２全体を包み込むように形成しているため、側端部１９の強度を向上する効果も得られている。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は、厚さの増加を抑制しつつ強度の向上を果たしており、電子機器等に組み込む場合においても、対応性が向上している。

（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。本実施形態にかかる電気光学装置としての有機ＥＬ装置２は、有機ＥＬパネル１２（図２参照）の厚さ以外は、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と略同一である。そこで、有機ＥＬ装置１の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略する。

図４は、本実施形態にかかる、有機ＥＬ装置２の模式断面図である。上述の図３と同一方向の断面図である。有機ＥＬ装置２の特徴は、上述の一対の基板の厚さが低減されていることである。上述の一対の基板、特に素子基板１０は第１の面１５上に有機ＥＬ素子２０等を形成する工程を経るため、強度を保つために所定の厚さ（略０．５ｍｍ）が必要である。しかし完成後の有機ＥＬ装置としては、かかる厚さは必ずしも必要ではない。特に折り曲げる方向に力がかかる態様の使用においては、柔軟性を確保するために、基板の厚さは薄い方が好ましい。そこで、本実施形態の有機ＥＬ装置２は、ハードコート層９を形成する前の段階の有機ＥＬパネルの第２の面１６にエッチング等の処理を施して、有機ＥＬ装置全体の厚さを低減している。

有機ＥＬパネル１２の厚さは、５０μｍ膜厚で低減することが好ましい。かかる厚さであれば、柔軟性も向上し、厳しい条件での使用にも耐えることができる。また、ハードコート層９の厚さは、略５μｍが好ましい。かかる厚さであれば有機ＥＬ装置２全体の厚さを６０μｍ以内に収めることができ、電子機器に組み込む際に非常に有利となる。なお、ハードコート層９の形成材料等は上述の有機ＥＬ装置１と同様である。

（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形態について説明する。本実施形態にかかる電気光学装置としての有機ＥＬ装置３は、ハードコート層に透明樹脂粒子８が混在していることを除くと、第２の実施形態の有機ＥＬ装置２と略同一である。そこで、有機ＥＬ装置１及び有機ＥＬ装置２の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略する。

図５は、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置３の模式断面図である。上述の図３と同一方向の断面図である。有機ＥＬ装置３の特徴は、ハードコート層９に透明樹脂粒子８が混入されていることである。なお、透明樹脂粒子８は上述の一対の基板の第２の面１６におけるハードコート層９に配置されており、側端部１９には配置されていない。

透明樹脂粒子８は、ハードコート層９の形成材料とは異なる材料で形成されており、屈折率は１．４乃至１．５である。透明樹脂粒子８の大きさ（径）は、ハードコート層９の層厚と略一致するように図示されているが、かかる大きさに限定されるものではなく、ハードコート層９の層厚よりも小さくてもよい。また、ハードコート層９の層厚より若干大きくて、透明樹脂粒子８がハードコート層９より一部はみ出ていてもよい。

かかる透明樹脂粒子８は、有機ＥＬ装置３の外光（外部から有機ＥＬ装置に照射される光）の反射を抑制する機能を果たしている。すなわち、透明樹脂粒子８が混入されたハードコート層９は、外光反射防止層としての役割も果たしている。すなわち、透明樹脂粒子８は、屈折率が（該透明樹脂粒子の屈折率よりも）高いハードコート層９で周囲を囲まれた状態で、第２の面１６に位置している。透明樹脂粒子８に入射した外光の多くは、該透明樹脂粒子内で乱反射した後、広範囲に射出される。したがって、特定の方向へ反射される比率が減少し、観察者に対する外光反射が低減される。

（第４の実施形態）
続いて、第４の実施形態について説明する。本実施形態にかかる電気光学装置としての有機ＥＬ装置４は、ハードコート層が形成されている領域以外は、第２の実施形態の有機ＥＬ装置２と略同一である。そこで、有機ＥＬ装置１及び有機ＥＬ装置２の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略する。

図６は、本実施形態にかかる、有機ＥＬ装置４の模式断面図である。上述の図３と同一方向の断面図である。有機ＥＬ装置４の特徴は、ハードコート層９が側端部１９には形成されていないことである。有機ＥＬ装置を構成する一対の基板の厚さを低減すると有機ＥＬ装置の強度は低下するが、側端部１９の構造には特に変化がない。したがって、側端部１９を除く領域にのみハードコート層を形成しても、上述の強度の低下をある程度は補うことができる。

一方で、ハードコート層９の形成領域を限定することで有機ＥＬ装置４は、上述の他の実施形態の有機ＥＬ装置と比べて製造コストが低減されている。すなわち、有機ＥＬ装置４は、厚さが低減された上で、製造コストの増加が抑制されつつ強度が向上されている。

（第５の実施形態）
続いて、第５の実施形態として有機ＥＬ装置の製造方法について、図７及び図８に示す工程断面図を用いて説明する。なお、第５の実施形態にかかる製造方法で得られる電気光学装置としての有機ＥＬ装置５は有機ＥＬ装置３と同様の構成の有機ＥＬ装置である。

まず、図７（ａ）に示すように、公知の手法により、有機ＥＬパネルの集合体（以下、「パネル集合体」と称する。）１３を形成する。パネル集合体１３は、一対の大型の基板（素子基板１０と対向基板１１）と、該一対の基板に挟持された複数の有機ＥＬ素子層７、及び該有機ＥＬ素子層を区画するように形成されたシール材１８等からなる。

次に、図７（ｂ）に示すように、上記の一対の基板の第２の面１６にエッチング等の処理を施し双方の基板の厚さを低減する。なお、所定の厚さの有機ＥＬ装置が得られるなら、上記の一対の基板のうちのどちらか一方の基板のみにエッチングを行ってもよい。

次に、図７（ｃ）に示すように、上記一対の基板の双方の第２の面１６に、保護テープ４６を貼付する。保護テープ４６は、将来的にパネル集合体１３を分割する線を含む所定の幅の領域に貼付する。上述したように、有機ＥＬ装置の側端部１９（図２参照）は一対の基板の端面とシール材１８とからなる。したがって、上述の「パネル集合体１３を分割する線」は、隣り合うシール材１８間となる。

次に、図７（ｄ）に示すように、塗布装置４４を用いてパネル集合体１３の第２の面１６上に液材４２を塗布する。液材４２は、ハードコート層９（図３等参照）の構成材料となる樹脂に透明樹脂粒子８を混在させた液体材料である。塗布後の液材４２を紫外線照射等で硬化させてハードコート層９とする。かかる工程（塗布及び硬化）をパネル集合体１３の双方の面に実施する。

次に、図８（ａ）に示すように、保護テープ４６を除去する。上述のパネル集合体１３を分割する線とパネル集合体１３の両端を除いて、ハードコート層９が形成された状態となる。

次に、図８（ｂ）に示すように、図示しないダイシング装置により、パネル集合体１３を個々の有機ＥＬパネル１２に分割する。かかる工程で、側端部１９の近辺にクラックが生じ得る。

次に、図８（ｃ）に示すように、ディップ法により側端部１９に液材４２を塗布する。そして、塗布後の液材４２を紫外線等により硬化させる。かかる工程を、有機ＥＬパネル１２の４辺全てに行うことで、図８（ｄ）に示すように、第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置３と同様の、透明樹脂粒子８が混在するハードコート層９を備える有機ＥＬ装置５を得ることができる。

かかる製造方法によれば、有機ＥＬ素子層７を挟持する一対の基板の厚さを低減した上で、ハードコート層９により強度の低下が抑制された有機ＥＬ装置を得ることができる。更に、分割時に生じ得るクラック等による強度の低下も、該クラックをハードコート層９で埋め込むことで抑制できる。したがって、かかる製造方法によれば、装置全体の厚さの低減と強度の向上を両立させた有機ＥＬ装置を得ることができる。

（電子機器）
次に、上述の第１〜第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置のいずれかを電子機器に適用した例について説明する。図９は、電子機器としての携帯電話機８０の斜視図である。携帯電話機８０は、表示部８１及び操作ボタン８２を有している。表示部８１は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１（あるいは有機ＥＬ装置２〜４）によって、操作ボタン８２で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。

携帯電話機８０は、上記の各実施形態にかかる、薄型すなわち全体の厚さの増加が抑制された有機ＥＬ装置を備えているため、小型化かつ軽量化されている。また、上述の有機ＥＬ装置はハードコート層９によりパネル強度が強化されているため、携帯電話機８０の強度も強化されている。

（変形例）
上述の各実施形態は電気光学装置として有機ＥＬ装置を例に説明している。しかし、本発明の実施形態は有機ＥＬ装置だけではなく、他の電気光学装置、例えば液晶装置にも適用可能である。液晶装置も、大型基板を用いて液晶パネルを複数個同時に形成した後に分割する手法が一般的に実施されている。かかる場合において分割時に発生し得るクラック等をハードコート層で埋め込むことで、パネル強度の向上が可能となる。

第１の実施形態の有機ＥＬ装置の各種素子、配線等の等価回路図。 第１の実施形態の有機ＥＬ装置が備える電気光学パネルとしての有機ＥＬパネルの模式断面図。 第１の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。 第２の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。 第３の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。 第４の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。 第５の実施形態の有機ＥＬ装置の工程断面図。 第５の実施形態の有機ＥＬ装置の工程断面図。 電子機器としての携帯電話機の斜視図。

符号の説明

１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、２…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、３…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、４…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、５…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、７…電気光学物質としての有機ＥＬ素子層、８…透明樹脂粒子、９…ハードコート層、１０…素子基板、１１…対向基板、１２…有機ＥＬパネル、１３…有機ＥＬパネルの集合体、１５…第１の面、１６…第２の面、１８…シール材、１９…側端部、２０Ｂ…青色有機ＥＬ素子、２０Ｇ…緑色有機ＥＬ素子、２０Ｒ…赤色有機ＥＬ素子、２２…陽極、２４…陰極、２６…コンタクトホール、２８…隔壁、３０Ｂ…青色発光機能層、３０Ｇ…緑色発光機能層、３０Ｒ…赤色発光機能層、３２…電極保護層、３４…有機緩衝層、３６…ガスバリア層、３８…接着層、４２…液材、４４…塗布装置、４６…保護テープ、８０…電子機器としての携帯電話機、８１…表示部、８２…操作ボタン、１００…表示領域、１０２…走査線、１０４…信号線、１０６…電源供給線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１２５…周辺回路、１３０…信号線駆動回路。

Claims (14)

1. 所定の間隔をおいて対向するように保持された一対の基板と、該一対の基板間に配置された電気光学物質と、を備える電気光学装置であって、
   前記一対の基板の各々の前記電気光学物質とは反対側の面にハードコート層が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記一対の基板間に配置され、前記一対の基板を保持するシール材をさらに有し、
   前記一対の基板の各々の端面と、前記シール材の前記電気光学物質とは反対側の面とに、前記ハードコート層が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１または２に記載の電気光学装置であって、
   前記ハードコート層の層厚は５μｍ以上かつ５０μｍ以下であることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記ハードコート層の透過率は８５％以上であることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記ハードコート層内に、該ハードコート層の形成材料の屈折率よりも低い屈折率を有する透明樹脂からなる粒子が混入されていることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記ハードコート層を除く前記電気光学装置の厚さは、５０μｍないし１０００μｍであることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記電気光学物質が有機エレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。
9. 所定の間隔をおいて対向するように貼り合わされた一対の基板と、該一対の基板間に配置された電気光学物質と、を備える電気光学装置の製造方法であって、
   前記一対の基板を、該一対の基板の互いに向かいあう第１の面で前記電気光学物質を挟持するように貼り合わせて電気光学パネルを形成する第１の工程と、
   前記一対の基板の少なくとも一方の基板の前記第１の面の反対側の面である第２の面を研磨して、前記電気光学パネルの厚さを低減する第２の工程と、
   前記一対の基板の少なくとも一方の基板の前記第２の面にハードコート層を形成する第３の工程と、
   を記載の順に実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記第２の工程は前記一対の基板の双方の前記第２の面を研磨する工程であり、
    前記第３の工程は前記一対の基板の双方の前記第２の面に前記ハードコート層を形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 請求項９または１０に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記第２の工程は前記電気光学パネルの厚さが５０μｍになるまで前記第２の面を研磨する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 請求項９から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記第３の工程は前記ハードコート層の層厚が５μｍ以上かつ５０μｍ以下となるように該ハードコート層を形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
13. 請求項９から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記電気光学パネルの端面に前記ハードコート層を形成する第４の工程を更に実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
14. 請求項９から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記第３の工程は、前記ハードコート層の形成材料の屈折率よりも低い屈折率を有する透明樹脂からなる粒子が混入されたハードコート層を形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

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