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JP2010054909A - Liquid crystal display device - Google Patents

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JP2010054909A
JP2010054909A JP2008221063A JP2008221063A JP2010054909A JP 2010054909 A JP2010054909 A JP 2010054909A JP 2008221063 A JP2008221063 A JP 2008221063A JP 2008221063 A JP2008221063 A JP 2008221063A JP 2010054909 A JP2010054909 A JP 2010054909A
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JP
Japan
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liquid crystal
display device
substrate
crystal display
semiconductor element
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Pending
Application number
JP2008221063A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuyuki Ishige
信幸 石毛
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Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Displays Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Displays Ltd filed Critical Hitachi Displays Ltd
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Abstract

【課題】液晶パネルを構成する一方の基板に接地用パッドを設けることなく、他方の基板の帯電を防止することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、TFTガラス基板10と、TFTガラス基板10とともに液晶層を挟持するようTFTガラス基板10に対向配置され、液晶層と反対側の面にITO(導電膜)が形成されたCFガラス基板12と、TFTガラス基板10の液晶層側の面のうちCFガラス基板12に対向する領域を除く領域に搭載され、接地電位に接続される導電領域がTFTガラス基板10側以外の面の少なくとも一部に露出した液晶駆動用半導体チップ14と、CFガラス基板12に形成されたITOと、液晶駆動用半導体チップ14に形成された導電領域と、を接続する導電テープ18と、を含む液晶パネルを備える。
【選択図】図1
Provided is a liquid crystal display device capable of preventing charging of another substrate without providing a grounding pad on one substrate constituting a liquid crystal panel.
A liquid crystal display device is disposed opposite to a TFT glass substrate 10 so as to sandwich a liquid crystal layer together with the TFT glass substrate 10 and an ITO (conductive film) is formed on a surface opposite to the liquid crystal layer. The conductive region connected to the ground potential other than the region on the TFT glass substrate 10 side is mounted on a region excluding the region facing the CF glass substrate 12 on the liquid crystal layer side surface of the CF glass substrate 12 and the TFT glass substrate 10 A conductive tape 18 connecting the liquid crystal driving semiconductor chip 14 exposed on at least a part of the surface of the substrate, the ITO formed on the CF glass substrate 12, and the conductive region formed on the liquid crystal driving semiconductor chip 14; Including a liquid crystal panel.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、液晶パネルの帯電を防止する技術に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a technique for preventing charging of a liquid crystal panel.

液晶表示装置は、液晶層と、該液晶層を挟持する一対の透明基板(第1基板および第2基板)と、を備える液晶パネルを含んで構成される。   The liquid crystal display device includes a liquid crystal panel including a liquid crystal layer and a pair of transparent substrates (a first substrate and a second substrate) that sandwich the liquid crystal layer.

図5は、従来の液晶表示装置に含まれる液晶パネルの一例を示す図である。同図に示すように、従来の液晶パネルは、TFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)ガラス基板(第1基板)10、CF(Color Filter)ガラス基板(第2基板、あるいは、対向基板)12、液晶駆動用半導体チップ15、フレキシブルプリント基板(Flexible Printed Circuit:FPC)16、接地用パッド26、および導電樹脂28を含む。   FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a liquid crystal panel included in a conventional liquid crystal display device. As shown in the figure, a conventional liquid crystal panel includes a TFT (Thin Film Transistor) glass substrate (first substrate) 10, a CF (Color Filter) glass substrate (second substrate or counter substrate) 12, a liquid crystal. A driving semiconductor chip 15, a flexible printed circuit (FPC) 16, a grounding pad 26, and a conductive resin 28 are included.

TFTガラス基板10の液晶層側の面(上面)のCFガラス基板12が対向しない領域には、液晶駆動用半導体チップ15とFPC16の一端とが搭載され、また接地用パッド26が形成されている。液晶駆動用半導体チップ15は、FPC16の信号配線(図示せず)に接続され、液晶パネルに形成された画素電極と対向電極との間に印加される電圧を制御する。接地用パッド26は、FPC16の接地配線(図示せず)に接続されている。   A liquid crystal driving semiconductor chip 15 and one end of the FPC 16 are mounted on the surface (upper surface) of the TFT glass substrate 10 on the liquid crystal layer side (upper surface), and a grounding pad 26 is formed. . The liquid crystal driving semiconductor chip 15 is connected to a signal wiring (not shown) of the FPC 16 and controls a voltage applied between a pixel electrode and a counter electrode formed on the liquid crystal panel. The ground pad 26 is connected to a ground wiring (not shown) of the FPC 16.

CFガラス基板12の裏面(液晶層と反対側の面)には、ITO(インジウムスズ酸化物:Indium Tin Oxide)が全面に形成されている。このITOは、液晶パネルの帯電を防止するために設けられた導電膜であり、導電樹脂28を介して接地用パッド26に接続されている。特に、IPS(In-Plain Switching:横電界スイッチング)方式の液晶表示装置では、第1基板10の液晶層側の面に画素電極と対向電極とが設けられ、第2基板12の液晶層側の面には対向電極が設けられていないので、このような導電膜が設けられることが多い。なお、導電樹脂28の代わりに、導電テープが用いられる場合もある。   On the back surface (the surface opposite to the liquid crystal layer) of the CF glass substrate 12, ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the entire surface. The ITO is a conductive film provided to prevent the liquid crystal panel from being charged, and is connected to the grounding pad 26 via a conductive resin 28. In particular, in an IPS (In-Plain Switching) type liquid crystal display device, a pixel electrode and a counter electrode are provided on the surface of the first substrate 10 on the liquid crystal layer side, and the liquid crystal layer side of the second substrate 12 is provided. Since the counter electrode is not provided on the surface, such a conductive film is often provided. A conductive tape may be used instead of the conductive resin 28.

なお、特許文献1〜3には、CFガラス基板の裏面に形成されたITOを接地電位に接続する方法が開示されている。
特開2007−140353号公報 特開平9−105918号公報 特開平10−268783号公報
Patent Documents 1 to 3 disclose a method of connecting ITO formed on the back surface of the CF glass substrate to the ground potential.
JP 2007-140353 A JP-A-9-105918 Japanese Patent Laid-Open No. 10-268783

しかしながら、上記従来の液晶表示装置では、接地用パッドを設ける領域を確保する必要があるため、液晶パネルの高精細化に伴って、ドライバチップが大型化したり数が増えたりした場合、あるいは、配線数が増えたりした場合に、TFT基板の液晶層側の面にドライバチップや配線を配置することが困難になるという問題が生じる。   However, in the above conventional liquid crystal display device, it is necessary to secure a region for providing a grounding pad. Therefore, when the size and number of driver chips increase as the liquid crystal panel becomes higher definition, When the number increases, there arises a problem that it becomes difficult to arrange driver chips and wiring on the surface of the TFT substrate on the liquid crystal layer side.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、液晶パネルを構成する一方の基板に接地用パッドを設けることなく、他方の基板の帯電を防止することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a liquid crystal display device capable of preventing charging of the other substrate without providing a grounding pad on one substrate constituting the liquid crystal panel. With the goal.

上記課題を解決するために、本発明に係る液晶表示装置は、第1基板と、前記第1基板とともに液晶層を挟持するよう前記第1基板に対向配置され、前記液晶層と反対側の面に導電膜が形成された第2基板と、前記第1基板の前記液晶層側の面のうち前記第2基板に対向する領域を除く領域に搭載され、接地電位に接続される導電領域が前記第1基板側以外の面の少なくとも一部に露出した半導体素子と、前記第2基板に形成された前記導電膜と、前記半導体素子に形成された前記導電領域と、を接続する導電部材と、を含むことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, a liquid crystal display device according to the present invention is arranged to face a first substrate and the first substrate so as to sandwich the liquid crystal layer together with the first substrate, and is a surface opposite to the liquid crystal layer And a conductive region mounted on a region excluding a region facing the second substrate on a surface of the first substrate on the liquid crystal layer side and connected to a ground potential. A conductive member connecting the semiconductor element exposed on at least a part of the surface other than the first substrate side, the conductive film formed on the second substrate, and the conductive region formed on the semiconductor element; It is characterized by including.

本発明によれば、第1基板の液晶層側の面に接地用パッドを設けることなく、第2基板の帯電を防止することができる。   According to the present invention, charging of the second substrate can be prevented without providing a grounding pad on the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side.

また、本発明の一態様では、前記半導体素子の前記第1基板側の面には、接地電位に接続される接地電極が形成されており、前記半導体素子に形成された前記導電領域は、前記接地電極に導通する。   In one embodiment of the present invention, a ground electrode connected to a ground potential is formed on a surface of the semiconductor element on the first substrate side, and the conductive region formed in the semiconductor element includes: Conducts to the ground electrode.

また、本発明の一態様では、前記半導体素子に形成された前記導電領域は、前記半導体素子を構成するN型またはP型の半導体基板であり、前記半導体基板には、当該半導体基板と同じ極性を有し、前記接地電極に導通する拡散層が形成されている。   In one embodiment of the present invention, the conductive region formed in the semiconductor element is an N-type or P-type semiconductor substrate constituting the semiconductor element, and the semiconductor substrate has the same polarity as the semiconductor substrate. And a diffusion layer that is electrically connected to the ground electrode is formed.

また、本発明の一態様では、前記半導体素子に形成された前記導電領域は、前記半導体素子の前記第1基板と反対側の面に形成された金属層である。   In one embodiment of the present invention, the conductive region formed in the semiconductor element is a metal layer formed on a surface of the semiconductor element opposite to the first substrate.

また、本発明の一態様では、前記導電部材は、導電テープである。   In one embodiment of the present invention, the conductive member is a conductive tape.

また、本発明の一態様では、前記第1基板の前記液晶層側の面のうち前記導電部材に対向する領域には、絶縁樹脂が塗布されている。この態様では、前記導電部材は、導電樹脂であってもよい。   In one embodiment of the present invention, an insulating resin is applied to a region of the surface on the liquid crystal layer side of the first substrate that faces the conductive member. In this aspect, the conductive member may be a conductive resin.

なお、上記各態様において、前記半導体素子は、液晶駆動用半導体素子であってもよい。また、前記第1基板の前記液晶層側の面には、薄膜トランジスタが形成されていてもよいし、前記第2基板の前記液晶層側の面には、カラーフィルタ層が形成されていてもよい。   In each of the above aspects, the semiconductor element may be a liquid crystal driving semiconductor element. Further, a thin film transistor may be formed on the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side, and a color filter layer may be formed on the surface of the second substrate on the liquid crystal layer side. .

また、本発明の一態様では、前記半導体素子に形成された前記接地電極は、前記第1基板に接続されたフレキシブルプリント基板の接地配線に導通する。   In one embodiment of the present invention, the ground electrode formed on the semiconductor element is electrically connected to a ground wiring of a flexible printed board connected to the first substrate.

また、本発明の一態様では、前記第1基板は、画素電極と対向電極とを有し、前記画素電極と前記対向電極との間の電位差によって発生する電界によって前記液晶層を駆動して表示を行う。   In one embodiment of the present invention, the first substrate includes a pixel electrode and a counter electrode, and the liquid crystal layer is driven and displayed by an electric field generated by a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode. I do.

以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置に含まれる液晶パネルの構成図である。この液晶パネルは、たとえば携帯電話向けに用いられるIPS(In-Plain Switching:横電界スイッチング)方式の液晶パネルであり、同図に示すように、TFTガラス基板(第1基板)10、CFガラス基板(第2基板)12、液晶駆動用半導体チップ14、フレキシブルプリント基板(FPC)16、および導電テープ18を含んで構成される。   FIG. 1 is a configuration diagram of a liquid crystal panel included in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. This liquid crystal panel is an IPS (In-Plain Switching) type liquid crystal panel used for mobile phones, for example, and as shown in the figure, a TFT glass substrate (first substrate) 10 and a CF glass substrate. A (second substrate) 12, a liquid crystal driving semiconductor chip 14, a flexible printed circuit board (FPC) 16, and a conductive tape 18 are included.

TFTガラス基板10とCFガラス基板12は、液晶層(図示せず)を挟持するよう、対向して配置される。   The TFT glass substrate 10 and the CF glass substrate 12 are arranged to face each other so as to sandwich a liquid crystal layer (not shown).

TFTガラス基板10の液晶層側の面には、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを介して映像信号が供給される画素電極と、対向電極と、が形成されている。また、TFTガラス基板10の液晶層側の面には液晶層に含まれる液晶分子を所定の方向に配列させるための配向膜が形成されている。   A thin film transistor, a pixel electrode to which a video signal is supplied via the thin film transistor, and a counter electrode are formed on the surface of the TFT glass substrate 10 on the liquid crystal layer side. An alignment film for aligning liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer in a predetermined direction is formed on the surface of the TFT glass substrate 10 on the liquid crystal layer side.

CFガラス基板12の液晶層側の面には、TFTガラス基板10上に形成された各画素電極に対向して光の3原色(RGB)が配列されたカラーフィルタ層および配向膜が形成されている。また、CFガラス基板12の液晶層と反対側の面(裏面)には、透明な導電膜であるITOが形成されている。この導電膜は、CFガラス基板12の全面、あるいは、ほぼ全面(少なくとも表示領域を含む領域)に形成されている。   On the surface of the CF glass substrate 12 on the liquid crystal layer side, a color filter layer in which the three primary colors (RGB) of light are arranged and an alignment film are formed so as to face each pixel electrode formed on the TFT glass substrate 10. Yes. Further, ITO, which is a transparent conductive film, is formed on the surface (back surface) opposite to the liquid crystal layer of the CF glass substrate 12. The conductive film is formed on the entire surface of the CF glass substrate 12 or almost the entire surface (region including at least the display region).

TFTガラス基板10とCFガラス基板12との間に挟まれて封入された液晶分子は、TFTガラス基板10上に形成された画素電極と対向電極との間の電圧に応じて、その配列方向を変化させる。すなわち、画素電極と対向電極との間の電圧がオフである場合、液晶分子は上記所定の方向に配列し、画素電極と対向電極との間の電圧がオンである場合、液晶分子は画素電極と対向電極との間に発生する電界の方向に沿って配列する。このように、画素電極と対向電極との間の電位差によって発生する電界によって液晶層を駆動して表示を行う。   The liquid crystal molecules sandwiched and sealed between the TFT glass substrate 10 and the CF glass substrate 12 are arranged in accordance with the voltage between the pixel electrode formed on the TFT glass substrate 10 and the counter electrode. Change. That is, when the voltage between the pixel electrode and the counter electrode is off, the liquid crystal molecules are arranged in the predetermined direction, and when the voltage between the pixel electrode and the counter electrode is on, the liquid crystal molecules Are arranged along the direction of the electric field generated between the electrode and the counter electrode. In this way, display is performed by driving the liquid crystal layer by the electric field generated by the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode.

液晶駆動用半導体チップ14は、TFTガラス基板10の液晶層側の面のうちCFガラス基板12に対向する領域を除く領域に搭載された半導体素子であり、TFTガラス基板10に形成された薄膜トランジスタのそれぞれのスイッチング動作を制御する。液晶駆動用半導体チップ14のTFTガラス基板10側以外の面(裏面を除く上面および側面)の少なくとも一部には、接地電位に接続される導電領域が露出している。   The liquid crystal driving semiconductor chip 14 is a semiconductor element mounted on a region on the liquid crystal layer side of the TFT glass substrate 10 excluding a region facing the CF glass substrate 12, and is a thin film transistor formed on the TFT glass substrate 10. Each switching operation is controlled. A conductive region connected to the ground potential is exposed on at least a part of the surface (the top surface and the side surface excluding the back surface) other than the TFT glass substrate 10 side of the liquid crystal driving semiconductor chip 14.

図3は、液晶駆動用半導体チップ14の一例である液晶駆動用半導体チップ14aの断面図である。同図に示すように、液晶駆動用半導体チップ14aは、P型半導体基板30と、P型半導体基板30上に形成されたP型拡散層31およびN型拡散層32と、チップ裏面に形成された接地電位「0V」が印加されるバンプ41および電源電位「5V」が印加されるバンプ42、P型拡散層31をバンプ41に導通させるスルーホール33,37および金属配線35,39と、N型拡散層32をバンプ42に導通させるスルーホール34,38および金属配線36,40と、を含んで構成される。   FIG. 3 is a cross-sectional view of a liquid crystal driving semiconductor chip 14 a which is an example of the liquid crystal driving semiconductor chip 14. As shown in the figure, the liquid crystal driving semiconductor chip 14a is formed on a P-type semiconductor substrate 30, a P-type diffusion layer 31 and an N-type diffusion layer 32 formed on the P-type semiconductor substrate 30, and a chip back surface. The bump 41 to which the ground potential “0V” is applied, the bump 42 to which the power supply potential “5V” is applied, the through holes 33 and 37 that connect the P-type diffusion layer 31 to the bump 41, the metal wirings 35 and 39, N Through holes 34 and 38 for electrically connecting the mold diffusion layer 32 to the bumps 42 and metal wirings 36 and 40 are configured.

液晶駆動用半導体チップ14aは、その裏面に形成されたバンプ41とバンプ42とが、TFTガラス基板10に接続されたFPC16の接地配線と電源配線とにそれぞれ導通するよう、TFTガラス基板10に搭載される。   The liquid crystal driving semiconductor chip 14 a is mounted on the TFT glass substrate 10 so that the bumps 41 and the bumps 42 formed on the back surface thereof are electrically connected to the ground wiring and the power supply wiring of the FPC 16 connected to the TFT glass substrate 10. Is done.

P型拡散層31には、N型トランジスタ(N−TR)が形成され、N型拡散層32には、P型トランジスタ(P−TR)が形成されている。また、P型半導体基板30とN型拡散層32は、P型半導体基板30からN型拡散層32に向かって電流を流すダイオード(DIODE)によって接合されている。   An N-type transistor (N-TR) is formed in the P-type diffusion layer 31, and a P-type transistor (P-TR) is formed in the N-type diffusion layer 32. The P-type semiconductor substrate 30 and the N-type diffusion layer 32 are joined by a diode (DIODE) that allows current to flow from the P-type semiconductor substrate 30 toward the N-type diffusion layer 32.

かかる構成を有する液晶駆動用半導体チップ14aでは、同じ極性を有するP型半導体基板30とP型拡散層31とが同電位となる。上記のとおり、P型拡散層31は接地電位に接続されるバンプ41に導通するため、P型半導体基板30の電位も接地電位となる。このように、液晶駆動用半導体チップ14aでは、上面および側面の一部に、接地電位に接続されるP型半導体基板30が露出している。   In the liquid crystal driving semiconductor chip 14a having such a configuration, the P-type semiconductor substrate 30 and the P-type diffusion layer 31 having the same polarity have the same potential. As described above, since the P-type diffusion layer 31 is electrically connected to the bump 41 connected to the ground potential, the potential of the P-type semiconductor substrate 30 also becomes the ground potential. Thus, in the liquid crystal driving semiconductor chip 14a, the P-type semiconductor substrate 30 connected to the ground potential is exposed on the upper surface and part of the side surface.

なお、ここではP型半導体基板30が接地電位に接続される例を示したが、液晶駆動用半導体チップ14aは、N型拡散層を介してN型半導体基板が接地電位に接続されるよう、P型とN型の極性を反転させた構成を有してもよい。   Although the example in which the P-type semiconductor substrate 30 is connected to the ground potential is shown here, the liquid crystal driving semiconductor chip 14a is configured so that the N-type semiconductor substrate is connected to the ground potential via the N-type diffusion layer. You may have the structure which reversed the polarity of P type and N type.

導電テープ18は、図2に示すように、CFガラス基板12の裏面に形成されたITOと、液晶駆動用半導体チップ14の上面または側面に露出した接地電位に接続される導電領域(P型半導体基板30または後述する金属層51)と、を接続する。これにより、CFガラス基板12の裏面に形成されたITOは接地電位に接続され、CFガラス基板12の帯電が防止される。   As shown in FIG. 2, the conductive tape 18 is formed of a conductive region (P-type semiconductor) connected to the ITO formed on the back surface of the CF glass substrate 12 and the ground potential exposed on the upper surface or side surface of the liquid crystal driving semiconductor chip 14. The substrate 30 or a metal layer 51 described later is connected. Thereby, the ITO formed on the back surface of the CF glass substrate 12 is connected to the ground potential, and the CF glass substrate 12 is prevented from being charged.

なお、導電テープ18が液晶駆動用半導体チップ14に形成されたバンプやTFTガラス基板10上に形成された他の端子などに接触しないよう、たとえばたわまないように、導電テープ18を接着してもよいし、TFTガラス基板10の液晶層側の面のうち導電テープ18に対向する領域にエポキシなどの絶縁樹脂を塗布してもよい。また、導電テープ18に代えて、導電樹脂などの導電部材を用いてもよい。尚、導電テープ18に代えて導電樹脂を用いる場合は、短絡を防止するために、TFTガラス基板10の表面の、導電樹脂に対向する領域には、前記した絶縁樹脂を設けることが望ましい。   The conductive tape 18 is bonded so that it does not bend, for example, so that the conductive tape 18 does not come into contact with bumps formed on the liquid crystal driving semiconductor chip 14 or other terminals formed on the TFT glass substrate 10. Alternatively, an insulating resin such as epoxy may be applied to a region facing the conductive tape 18 on the surface of the TFT glass substrate 10 on the liquid crystal layer side. Further, instead of the conductive tape 18, a conductive member such as a conductive resin may be used. In the case where a conductive resin is used instead of the conductive tape 18, it is desirable to provide the insulating resin in the region of the surface of the TFT glass substrate 10 facing the conductive resin in order to prevent a short circuit.

図4は、液晶駆動用半導体チップ14の他の例である液晶駆動用半導体チップ14bの断面図である。同図に示すように、液晶駆動用半導体チップ14bは、図3に示した液晶駆動用半導体チップ14aに、P型半導体基板30の上面に絶縁層50を介して形成された金属層51と、チップ裏面に形成された接地電位に接続されるバンプ56と、金属層51をバンプ56に導通させるスルーホール52,54および金属配線53,55と、をさらに加えた構成を有する。液晶駆動用半導体チップ14bでは、上面に露出した金属層51に接地電位に接続される。なお、スルーホール52は、金属層51および金属配線53にのみ導通し、P型半導体基板30からは絶縁されているものとする。   4 is a cross-sectional view of a liquid crystal driving semiconductor chip 14b, which is another example of the liquid crystal driving semiconductor chip 14. As shown in FIG. As shown in the figure, the liquid crystal driving semiconductor chip 14b includes a metal layer 51 formed on the upper surface of the P-type semiconductor substrate 30 via an insulating layer 50 on the liquid crystal driving semiconductor chip 14a shown in FIG. The bump 56 connected to the ground potential formed on the back surface of the chip, and the through holes 52 and 54 and the metal wirings 53 and 55 for conducting the metal layer 51 to the bump 56 are further added. In the liquid crystal driving semiconductor chip 14b, the metal layer 51 exposed on the upper surface is connected to the ground potential. It is assumed that through hole 52 is conducted only to metal layer 51 and metal wiring 53 and is insulated from P-type semiconductor substrate 30.

この金属層51と、CFガラス基板12の裏面に形成されたITOと、を導電テープ18で接続すれば、CFガラス基板12の裏面に形成されたITOは接地電位に接続され、CFガラス基板12の帯電が防止される。この場合、CFガラス基板12で生じた静電気は、P型半導体基板30ではなく、絶縁層50およびスルーホール52によりP型半導体基板30から絶縁された金属層51に流れ込む。このため、CFガラス基板12からP型半導体基板30に流れ込む静電気が、P型半導体基板30に形成されたN型拡散層32などの電位に与える影響を低減することができる。   If the metal layer 51 and ITO formed on the back surface of the CF glass substrate 12 are connected by the conductive tape 18, the ITO formed on the back surface of the CF glass substrate 12 is connected to the ground potential, and the CF glass substrate 12 Is prevented from being charged. In this case, static electricity generated in the CF glass substrate 12 flows not into the P-type semiconductor substrate 30 but into the metal layer 51 insulated from the P-type semiconductor substrate 30 through the insulating layer 50 and the through holes 52. Therefore, the influence of static electricity flowing from the CF glass substrate 12 to the P-type semiconductor substrate 30 on the potential of the N-type diffusion layer 32 formed on the P-type semiconductor substrate 30 can be reduced.

以上説明した液晶パネルを含む液晶表示装置によれば、TFTガラス基板10の液晶層側の面に接地用パッドを設けることなく、CFガラス基板12の帯電を防止することができる。すなわち、TFTガラス基板10の液晶層側の面に十分な空き領域を確保することができる。これにより、TFTガラス基板10の液晶層側の面には、図2に示すように、液晶駆動用半導体チップ14だけでなく、複数の点灯検査用パッド20,22,24も搭載できるようになる。また、たとえば、アモルファスシリコン形TFTを用いた液晶パネルの高精細化に必要となる3つのドライバチップすべてを、TFT基板の液晶層側の面に搭載することも可能となる。   According to the liquid crystal display device including the liquid crystal panel described above, charging of the CF glass substrate 12 can be prevented without providing a grounding pad on the surface of the TFT glass substrate 10 on the liquid crystal layer side. That is, a sufficient free area can be secured on the surface of the TFT glass substrate 10 on the liquid crystal layer side. As a result, a plurality of lighting test pads 20, 22, and 24 can be mounted on the surface of the TFT glass substrate 10 on the liquid crystal layer side as shown in FIG. . Also, for example, all three driver chips necessary for high definition of a liquid crystal panel using amorphous silicon TFTs can be mounted on the surface of the TFT substrate on the liquid crystal layer side.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。   The present invention is not limited to the above embodiment.

たとえば、導電テープ18などの導電部材を介してCFガラス基板12の裏面に形成されたITOに接続される半導体素子は、接地電位に接続される導電領域が上面または側面の少なくとも一部に露出したものであればよく、液晶駆動用半導体チップに限らない。   For example, in a semiconductor element connected to ITO formed on the back surface of the CF glass substrate 12 through a conductive member such as the conductive tape 18, a conductive region connected to the ground potential is exposed on at least a part of the upper surface or the side surface. Any semiconductor chip may be used as long as it is a liquid crystal driving semiconductor chip.

また、本発明は、IPS方式の液晶パネルに限らず、他の方式の液晶パネルを含む液晶表示装置にも適用可能である。例えば、対向電極がTFTガラス基板10側ではなく、CFガラス基板12側の液晶層側の面に形成されている場合でも、帯電防止の効果を向上させるためなどの目的でCFガラス基板12の裏面にITOなどの導電膜を形成した液晶表示装置に対しても適用可能である。   Further, the present invention is not limited to the IPS liquid crystal panel, but can be applied to a liquid crystal display device including another type of liquid crystal panel. For example, even when the counter electrode is formed not on the TFT glass substrate 10 side but on the surface on the liquid crystal layer side on the CF glass substrate 12 side, the back surface of the CF glass substrate 12 is used for the purpose of improving the antistatic effect. The present invention is also applicable to a liquid crystal display device in which a conductive film such as ITO is formed.

本発明の実施形態に係る液晶表示装置に含まれる液晶パネルの構成図である。It is a block diagram of the liquid crystal panel contained in the liquid crystal display device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る液晶表示装置に含まれる液晶パネルの構成図である。It is a block diagram of the liquid crystal panel contained in the liquid crystal display device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る液晶駆動用半導体チップの一例の断面図である。It is sectional drawing of an example of the semiconductor chip for a liquid crystal drive concerning embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る液晶駆動用半導体チップの他の例の断面図である。It is sectional drawing of the other example of the semiconductor chip for a liquid crystal drive which concerns on embodiment of this invention. 従来の液晶表示装置に含まれる液晶パネルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the liquid crystal panel contained in the conventional liquid crystal display device.

符号の説明Explanation of symbols

10 TFTガラス基板、12 CFガラス基板、14,15 液晶駆動用半導体チップ、16 フレキシブルプリント基板(FPC)、18 導電テープ、20,22,24 点灯検査用パッド、26 接地用パッド、28 導電樹脂、30 P型半導体基板、31 P型拡散層、32 N型拡散層、33,34,37,38,52,54 スルーホール、35,36,39,40,53,55 金属配線、41,42,56 バンプ、50 絶縁層、51 金属層。   10 TFT glass substrate, 12 CF glass substrate, 14, 15 Liquid crystal driving semiconductor chip, 16 Flexible printed circuit board (FPC), 18 Conductive tape, 20, 22, 24 Lighting inspection pad, 26 Grounding pad, 28 Conductive resin, 30 P type semiconductor substrate, 31 P type diffusion layer, 32 N type diffusion layer, 33, 34, 37, 38, 52, 54 Through hole, 35, 36, 39, 40, 53, 55 Metal wiring, 41, 42, 56 bumps, 50 insulating layers, 51 metal layers.

Claims (12)

第1基板と、
前記第1基板とともに液晶層を挟持するよう前記第1基板に対向配置され、前記液晶層と反対側の面に導電膜が形成された第2基板と、
前記第1基板の前記液晶層側の面のうち前記第2基板に対向する領域を除く領域に搭載され、接地電位に接続される導電領域が前記第1基板側以外の面の少なくとも一部に露出した半導体素子と、
前記第2基板に形成された前記導電膜と、前記半導体素子に形成された前記導電領域と、を接続する導電部材と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate;
A second substrate disposed opposite to the first substrate so as to sandwich the liquid crystal layer together with the first substrate, and having a conductive film formed on a surface opposite to the liquid crystal layer;
The conductive region mounted on the liquid crystal layer side surface of the first substrate excluding the region facing the second substrate and connected to the ground potential is provided on at least a part of the surface other than the first substrate side. An exposed semiconductor element;
A conductive member connecting the conductive film formed on the second substrate and the conductive region formed on the semiconductor element;
A liquid crystal display device comprising:
請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記半導体素子の前記第1基板側の面には、接地電位に接続される接地電極が形成されており、
前記半導体素子に形成された前記導電領域は、前記接地電極に導通する、
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
A ground electrode connected to a ground potential is formed on the surface of the semiconductor element on the first substrate side,
The conductive region formed in the semiconductor element is electrically connected to the ground electrode;
A liquid crystal display device characterized by the above.
請求項2に記載の液晶表示装置において、
前記半導体素子に形成された前記導電領域は、前記半導体素子を構成するN型またはP型の半導体基板であり、
前記半導体基板には、当該半導体基板と同じ極性を有し、前記接地電極に導通する拡散層が形成されている、
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 2,
The conductive region formed in the semiconductor element is an N-type or P-type semiconductor substrate constituting the semiconductor element,
The semiconductor substrate has a diffusion layer having the same polarity as the semiconductor substrate and conducting to the ground electrode.
A liquid crystal display device characterized by the above.
請求項2に記載の液晶表示装置において、
前記半導体素子に形成された前記導電領域は、前記半導体素子の前記第1基板と反対側の面に形成された金属層である、
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 2,
The conductive region formed in the semiconductor element is a metal layer formed on a surface of the semiconductor element opposite to the first substrate.
A liquid crystal display device characterized by the above.
請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記導電部材は、導電テープである、
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
The conductive member is a conductive tape.
A liquid crystal display device characterized by the above.
請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記第1基板の前記液晶層側の面のうち前記導電部材に対向する領域には、絶縁樹脂が塗布されている、
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
An insulating resin is applied to a region facing the conductive member of the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side,
A liquid crystal display device characterized by the above.
請求項6に記載の液晶表示装置において、
前記導電部材は、導電樹脂である、
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 6.
The conductive member is a conductive resin.
A liquid crystal display device characterized by the above.
請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記半導体素子は、液晶駆動用半導体素子である、
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
The semiconductor element is a liquid crystal driving semiconductor element.
A liquid crystal display device characterized by the above.
請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記第1基板の前記液晶層側の面には、薄膜トランジスタが形成されている、
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
A thin film transistor is formed on the liquid crystal layer side surface of the first substrate.
A liquid crystal display device characterized by the above.
請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記第2基板の前記液晶層側の面には、カラーフィルタ層が形成されている、
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
A color filter layer is formed on the surface of the second substrate on the liquid crystal layer side.
A liquid crystal display device characterized by the above.
請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記半導体素子に形成された前記接地電極は、前記第1基板に接続されたフレキシブルプリント基板の接地配線に導通する、
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
The ground electrode formed on the semiconductor element is electrically connected to a ground wiring of a flexible printed circuit board connected to the first substrate;
A liquid crystal display device characterized by the above.
請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記第1基板は、画素電極と対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極との間の電位差によって発生する電界によって前記液晶層を駆動して表示を行う、
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
The first substrate has a pixel electrode and a counter electrode,
Display by driving the liquid crystal layer by an electric field generated by a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode;
A liquid crystal display device characterized by the above.
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CN114158171A (en) * 2021-11-25 2022-03-08 深圳市帝晶光电科技有限公司 Device and process for replacing Ag for mobile phone glass charge transfer

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