JP2010040917A - Device operation management method and device operation management system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体製造装置を対象とした装置稼働管理方法、及び装置稼働管理システムに関する。 The present invention relates to an apparatus operation management method and an apparatus operation management system for a semiconductor manufacturing apparatus.
半導体製造装置(以下、装置という。)は、その内部にウェハに対して所定の処理を行う処理チャンバを有する。複数の処理チャンバを有する装置はマルチチャンバ装置と呼ばれる。このマルチチャンバ装置は、複数の処理チャンバが同じ処理を行うものもあれば、異なる処理を行うものもある。 2. Description of the Related Art A semiconductor manufacturing apparatus (hereinafter referred to as an apparatus) has a processing chamber that performs predetermined processing on a wafer. An apparatus having a plurality of processing chambers is called a multi-chamber apparatus. In some multi-chamber apparatuses, a plurality of processing chambers perform the same processing, and some perform different processing.
一般に、装置がウェハ処理中に稼働停止するケースは次の2つに分けられる。一つは、重度障害が発生したケースである。重度障害が発生すると、装置を強制的に終了させて装置内のウェハを取り出し、障害発生原因を除去した後でなければ、ウェハ処理を再開することができない。もう一つは、軽度障害が発生したケースである。軽度障害が発生すると、ウェハ処理は一時中断するが、作業者が何らかの処置を施すことにより装置を復旧させ、ウェハ処理を再開することができる。つまり、装置を強制的に終了させて装置からウェハを取り出さす必要はない。このように、重度障害と軽度障害とでは復旧方法が異なる。 In general, the case where the apparatus stops operating during wafer processing is divided into the following two cases. One is a case where a severe failure has occurred. If a serious failure occurs, the wafer processing cannot be resumed until the device is forcibly terminated and the wafer in the device is taken out and the cause of the failure is removed. The other is a case where a mild disorder has occurred. When a minor failure occurs, the wafer processing is temporarily interrupted, but the operator can restore the apparatus by taking some measures and restart the wafer processing. That is, it is not necessary to forcibly terminate the apparatus and take out the wafer from the apparatus. As described above, the recovery method differs between the severe failure and the mild failure.
生産性、即ち装置稼働率を向上させるには、障害の発生原因を特定し、それに応じた対策をとることが必須である。重度障害が発生した場合は、装置を強制終了した時刻のほか、作業者が行った装置復旧作業の開始時刻、終了時刻および作業内容を、作業履歴情報として保存しておくことが多い。そのため、事後に作業履歴情報などを元に装置の停止時間や停止に至った原因、つまり装置稼働率が低下した要因を解析することが可能である。 In order to improve the productivity, that is, the device operation rate, it is essential to identify the cause of the failure and take measures accordingly. When a serious failure occurs, in addition to the time when the apparatus is forcibly terminated, the start time, end time, and work contents of the apparatus restoration work performed by the worker are often stored as work history information. Therefore, after the fact, it is possible to analyze the stop time of the apparatus and the cause of the stop, that is, the cause of the decrease in the apparatus operation rate, based on the work history information.
一方、軽度障害が発生した場合は、作業者の操作により装置を容易に復旧できることが多いため、作業内容が作業履歴情報として残されることはほとんどない。また、軽度障害により装置が一時的に停止した時刻や復旧した時刻を、装置から正確に収集する方法もない。よって、事後に軽度障害に伴う装置の停止時間や発生原因を分析することができないため、同じ軽度障害の発生を防止するための対策をとることが困難であった。このことは、軽度障害の発生頻度が高くなればなるほど、装置稼働率が大きく低下することを意味する。 On the other hand, when a minor failure occurs, the apparatus can be easily restored by an operator's operation in many cases, so that the work content is hardly left as work history information. In addition, there is no method for accurately collecting the time at which the device is temporarily stopped or recovered due to a minor failure from the device. Therefore, it is difficult to take a measure for preventing the occurrence of the same minor failure since it is impossible to analyze the stop time and the cause of the occurrence of the device due to the minor failure after the fact. This means that the higher the frequency of occurrence of minor faults, the more the apparatus operating rate decreases.
なお、従来、例えば特許文献1に示すように、生産工程におけるスループットの向上を阻害する装置を特定し、さらにその要因を分析するための、スループット分析手段を備えた稼働分析方法及び分析システムが開示されている。しかし、上記の軽度障害によって装置稼働率の低下が発生した時間帯の特定や装置稼働率の低下要因を分析することはできなかった。
本発明は、装置稼動率が低下した時間帯を効率良く正確に特定し、装置稼働率の低下要因を効率的に分析できる装置稼働管理方法及び装置稼働管理システムを提供する。 The present invention provides an apparatus operation management method and an apparatus operation management system that can efficiently and accurately specify a time zone during which the apparatus operation rate has decreased, and that can efficiently analyze the factors that decrease the apparatus operation rate.
本発明の一態様によれば、ウェハ処理を行う処理チャンバを有する、半導体製造装置の装置稼働管理方法であって、所定の指定期間を複数の所定の単位時間に分割し、前記所定の単位時間ごとに、ウェハが前記半導体製造装置内に存在していた時間の前記所定の単位時間に対する割合を計算し、この割合を前記所定の単位時間ごとの全体稼働率となし、前記所定の単位時間ごとに、前記ウェハが前記処理チャンバ内に存在していた時間の前記所定の単位時間に対する割合を計算し、この割合を前記所定の単位時間ごとの部分稼働率となし、前記所定の単位時間ごとに、前記全体稼働率と前記部分稼働率の相関を示す第1の特徴量を計算し、前記所定の単位時間ごとに、前記第1の特徴量を予め決めた閾値と比較し、前記比較の結果に基づいて、前記ウェハが前記処理チャンバに搬入されない状態で前記ウェハ処理が停止していた稼働率低下時間帯を含む前記所定の単位時間を特定する、ことを特徴とする装置稼働管理方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided an apparatus operation management method for a semiconductor manufacturing apparatus having a processing chamber for performing wafer processing, wherein a predetermined designated period is divided into a plurality of predetermined unit times, and the predetermined unit time is obtained. Every time, the ratio of the time during which the wafer was present in the semiconductor manufacturing apparatus to the predetermined unit time is calculated, and this ratio is set as the overall operating rate for each predetermined unit time, and for each predetermined unit time. And calculating a ratio of the time that the wafer was present in the processing chamber to the predetermined unit time, and calculating the ratio as a partial operation rate for each predetermined unit time, and for each predetermined unit time. Calculating a first feature amount indicating a correlation between the overall operation rate and the partial operation rate, comparing the first feature amount with a predetermined threshold value for each predetermined unit time, and a result of the comparison On the basis of the, Serial wafer identifies a predetermined unit time including the processing the wafer processing underutilization time zone has been stopped in a state that is not carried into the chamber, apparatus operation management process, characterized in that there is provided.
本発明によれば、装置稼動率が低下した時間帯を効率良く正確に特定し、装置稼働率の低下要因を効率的に分析できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the time slot | zone in which the apparatus operation rate fell can be identified efficiently and correctly, and the factor of the apparatus operation rate fall can be analyzed efficiently.
本発明の実施形態について説明する前に、本発明者が本発明をなすに至った経緯について説明する。前述のように、軽度障害によってウェハ処理が停止し装置の稼働率が低下した場合、事後に障害の発生状況や発生原因を分析することは困難であった。しかし、本発明者は、重度障害であれ軽度障害であれ、ウェハ処理が停止するという事実に着目した。さらに、ウェハ処理が停止する場合として、ウェハが処理チャンバに搬入されないでウェハ処理が停止する場合と、ウェハが処理チャンバに搬入されたままウェハ処理が停止する場合があることに着目した。そして、この2つの場合が発生した時間帯を、後述のウェハ移動経路情報を元に独自の方法により特定する方法を見出した。しかし、効率良く特定するために、膨大なウェハ移動経路情報を絞り込む必要があった。そこで、本発明者は、まず上記の2つの場合が発生した大まかな時間帯、例えば、日を独自の方法により特定することよりウェハ移動経路情報を絞り込み、その後絞り込まれたウェハ移動経路情報を元に正確な時間帯を特定する方法に思い至った。本発明は上記の経緯によりなされたものである。 Before describing the embodiments of the present invention, the background of how the present inventor made the present invention will be described. As described above, when the wafer processing is stopped due to a minor failure and the operation rate of the apparatus is lowered, it is difficult to analyze the occurrence state and cause of the failure after the fact. However, the inventor has focused on the fact that wafer processing stops, whether severe or minor. Further, attention has been paid to the case where the wafer processing is stopped when the wafer processing is stopped without being transferred into the processing chamber, and when the wafer processing is stopped while the wafer is being transferred into the processing chamber. Then, the present inventors have found a method for specifying a time zone in which these two cases have occurred by a unique method based on wafer movement path information described later. However, in order to specify efficiently, it is necessary to narrow down enormous wafer movement path information. Therefore, the present inventor first narrowed down the wafer movement path information by specifying a rough time zone in which the above two cases occurred, for example, the day by an original method, and then based on the narrowed wafer movement path information. I came up with a way to identify the exact time zone. The present invention has been made based on the above circumstances.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。第1の実施形態は装置稼働率が低下した時間帯を特定し、特定された時間帯と装置アラーム情報を元に、装置稼働率の低下要因を分析する装置稼動管理方法である。第2の実施形態は第1の実施形態に係る方法を行う装置稼動管理システムである。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The first embodiment is a device operation management method for identifying a time zone in which the device operation rate has decreased and analyzing a factor for decreasing the device operation rate based on the specified time zone and device alarm information. The second embodiment is an apparatus operation management system that performs the method according to the first embodiment.
なお、同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、特に断る場合を除き同じ説明を繰り返さない。また、実施形態の説明中の数値はいずれも例示的な値であり、本発明はそれらの値に限定されるものではない。 In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component which has the same function, and the same description is not repeated except the case where it refuses. Moreover, all numerical values in the description of the embodiments are exemplary values, and the present invention is not limited to these values.
(第1の実施形態)
第1の実施形態について説明する。まず、半導体製造装置の構成の概略について図を用いて説明する。図1は3つの処理チャンバを有するマルチチャンバ型の装置10の概略構成を示している。この図からわかるように、装置10は、ロードポート3と本体部5を備える。このロードポート3は、図1からわかるように、複数のウェハ1,1,・・・からなるロットA,ロットB,ロットCをそれぞれ収容するキャリア2A,2B及び2Cを有する。本体部5は、3つの処理チャンバA、B及びCと、搬送アーム4とを有する。この搬送アーム4は、ウェハ1を、キャリアから処理チャンバに、処理チャンバから別の処理チャンバに、又は処理チャンバからキャリアに移動をさせるものである。ウェハの経路の一例として、キャリア2A内のウェハ1は、まず、処理チャンバAに搬入され所定の処理を施された後、処理チャンバBに移動される。次いで、処理チャンバBで所定の処理を施された後、処理チャンバCに移動される。次いで、処理チャンバCで所定の処理を施された後、キャリア2Aに戻される。ウェハ1が上記のような経路を辿る際、装置10は、ウェハごとにウェハ移動経路情報(ウェハトラッキング情報)を記録する。このウェハ移動経路情報は、ウェハ1がキャリアや処理チャンバに搬入された時刻、及びキャリアや処理チャンバから搬出された時刻を記録したものである。図2はこのウェハ移動経路情報の一例を示している。この図からわかるように、キャリア及び各処理チャンバA、B、Cについてウェハの搬入時刻TウェハNo,inと搬出時刻TウェハNo,outがウェハごとに記録される。
(First embodiment)
A first embodiment will be described. First, a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a
本実施形態に係る方法では、このウェハ移動経路情報を元に装置稼働率が低下した時間帯を特定する。この特定方法は2段階に分かれている。即ち、装置稼働率が低下した日をまず特定し、次いで時間帯を特定する。 In the method according to the present embodiment, a time zone in which the apparatus operating rate has decreased is specified based on this wafer movement path information. This identification method is divided into two stages. That is, the day when the device operation rate has decreased is first specified, and then the time zone is specified.
まず、装置稼働率が低下した日の特定方法について説明する。この方法では、前述のウェハ移動経路情報を用いて、装置全体稼働率と処理チャンバ稼働率を計算し、これらの稼働率を元に装置稼働率が低下した日を特定する。図3と図4は特定方法のフローチャートを示している。図3はウェハが処理チャンバに搬入されずにウェハ処理が停止することにより、装置稼働率が低下した日を特定するフローを示す。一方、図4はウェハが処理チャンバ内に搬入された状態でウェハ処理が停止することにより装置稼働率が低下した日を特定するフローを示している。 First, a description will be given of a method for specifying the day when the apparatus operating rate is reduced. In this method, the overall apparatus operation rate and the processing chamber operation rate are calculated using the above-described wafer movement path information, and the date when the apparatus operation rate has decreased is specified based on these operation rates. 3 and 4 show flowcharts of the specifying method. FIG. 3 shows a flow for specifying a day when the apparatus operating rate is lowered due to the wafer processing being stopped without being transferred into the processing chamber. On the other hand, FIG. 4 shows a flow for specifying a day when the apparatus operation rate is lowered by the wafer processing being stopped in a state where the wafer is loaded into the processing chamber.
まず、図3のフローについて説明する。 First, the flow of FIG. 3 will be described.
(1)装置全体稼働率を指定期間にわたって日ごとに計算する(ステップS101)。この装置全体稼働率は、その日において装置が稼働状態にある時間を、単位時間である24時間で割った値として定義される。ここで、装置の稼働状態は装置10の本体部5にウェハが存在する状態とする。ウェハが1枚でも本体部5に存在すれば装置の稼働状態とみなす。装置が稼働状態にある時間は、ウェハ移動経路情報から計算される。計算方法の一例として、その日最初にウェハがキャリアから搬出されてから最後にウェハがキャリアに搬入されるまでの時間を求める。例えば、図2において、LotA−Waf 1のウェハがその日初めてキャリア2Aから搬出され、LotA―Waf nのウェハがその日最後にキャリア2Aに戻された場合、装置が稼働状態にあった時間は、TAn,in−TA1,outとなる。但し、LotA−Waf 1のウェハがキャリア2Aから搬出される際に、本体部5にウェハが残っていた場合には、0時から装置10が稼働状態にあったとする。同様に、LotA―Waf nのウェハがキャリア2Aに戻される際に、ウェハが本体部5に残っている場合には、その日の24時まで装置が稼働状態であったとする。
なお、装置の稼働状態は装置10内にウェハが存在する状態としてもよい。即ち、ウェハがロードポート3に存在する状態を稼働状態に含めてもよい。この場合、装置が稼働状態にある時間は、その日の最初のキャリア(2A,2B,2C)がロードポート3に搬入されてから、その日の最後のキャリアがロードポート3から搬出されるまでの時間となる。キャリアがロードポート3に搬入、搬出される時刻は、例えば、キャリアマネジメントからのイベントアラームにより取得される。
(1) The overall apparatus operation rate is calculated every day over a specified period (step S101). The overall apparatus operation rate is defined as a value obtained by dividing the time during which the apparatus is in operation on that day by 24 hours, which is a unit time. Here, the operating state of the apparatus is a state in which a wafer exists in the
The operating state of the apparatus may be a state where a wafer exists in the
(2)次に、処理チャンバ稼働率を指定期間にわたって日ごとに計算する(ステップS102)。この処理チャンバ稼働率は、その日において処理チャンバが稼働状態にある時間を、単位時間ある24時間で割った値として定義される。ここで、処理チャンバの稼働状態は、ウェハがその処理チャンバ内に存在する状態とする。ウェハが1枚でもその処理チャンバ内に存在すれば、その処理チャンバの稼働状態とみなす。処理チャンバが稼働状態にある時間は、ウェハ移動経路情報から計算される。計算方法の一例として、その日に処理されたウェハごとにその処理チャンバに滞在した時間を求め、それらの時間の和を計算する。例えば、図2において、LotA−Waf 1からLotA−Waf nまでのn枚のウェハが、その日にその処理チャンバで処理された場合、その処理チャンバが稼働状態にあった時間は、
複数の処理チャンバがある場合は、処理チャンバごとに本ステップの計算を行う。
(2) Next, the processing chamber operation rate is calculated every day over a specified period (step S102). The processing chamber operating rate is defined as a value obtained by dividing the time during which the processing chamber is in an operating state on that day by a unit time of 24 hours. Here, the operation state of the processing chamber is a state in which the wafer exists in the processing chamber. If even one wafer exists in the processing chamber, it is considered that the processing chamber is operating. The time during which the processing chamber is in operation is calculated from the wafer movement path information. As an example of the calculation method, the time spent in the processing chamber is obtained for each wafer processed on that day, and the sum of these times is calculated. For example, in FIG. 2, when n wafers from
When there are a plurality of processing chambers, the calculation of this step is performed for each processing chamber.
(3)次に、計算された装置全体稼働率と処理チャンバ稼働率から特徴量を、指定期間にわたって日ごとに計算する(ステップS103)。この特徴量は、装置全体稼働率に対して処理チャンバ稼働率が著しく低下している日を特定するために計算される。装置全体稼働率と処理チャンバ稼働率の相関を示す特徴量として、様々なものを用いることができる。例えば、装置全体稼働率と処理チャンバ稼働率の差または比を用いることができる。また、指定期間における装置全体稼働率と処理チャンバ稼働率の差(又は比)の平均又は分散を求め、その値と、装置全体稼働率と処理チャンバ稼働率の差(又は比)との差を特徴量としてもよい。なお、複数の特徴量を計算し、後で行う比較に用いてもよい。
複数の処理チャンバがある場合は、処理チャンバごとに本ステップの計算を行う。
(3) Next, a feature amount is calculated for each specified period from the calculated overall apparatus operation rate and processing chamber operation rate (step S103). This feature amount is calculated in order to specify the day when the processing chamber operation rate is significantly reduced with respect to the entire apparatus operation rate. Various features can be used as the feature quantity indicating the correlation between the overall apparatus operation rate and the processing chamber operation rate. For example, the difference or ratio between the overall apparatus operating rate and the processing chamber operating rate can be used. In addition, the average or variance of the difference (or ratio) between the entire apparatus operation rate and the processing chamber operation rate in the specified period is obtained, and the difference between the value and the difference (or ratio) between the entire apparatus operation rate and the processing chamber operation rate is calculated. It is good also as a feature-value. Note that a plurality of feature quantities may be calculated and used for later comparison.
When there are a plurality of processing chambers, the calculation of this step is performed for each processing chamber.
(4)次に、計算された特徴量と予め設定された閾値を日ごとに比較し、特徴量が閾値より大きい日があるかどうかを調べる(ステップS104)。特徴量が閾値よりも大きい日がある場合、ステップS105に進み、そうでない場合は終了する。なお、特徴量によっては、特徴量が閾値よりも小さい日がある場合、ステップS105に進み、そうでない場合は終了する。
また、ステップS103で複数の特徴量を計算している場合には、それらの特徴量と対応する閾値との比較をそれぞれ行ってもよい。例えば、装置全体稼働率と処理チャンバ稼働率の差の閾値Th1と、装置全体稼働率と処理チャンバ稼働率の比の閾値Th2を予め設定しておき、装置全体稼働率と処理チャンバ稼働率の差と閾値Th1との比較、及び装置全体稼働率と処理チャンバ稼働率の比と閾値Th2との比較を行ってもよい。
複数の処理チャンバがある場合は、処理チャンバごとに本ステップの比較を行う。
(4) Next, the calculated feature value is compared with a preset threshold value for each day, and it is checked whether there is a day when the feature value is larger than the threshold value (step S104). If there is a day when the feature amount is larger than the threshold, the process proceeds to step S105, and if not, the process ends. Depending on the feature amount, if there is a day when the feature amount is smaller than the threshold, the process proceeds to step S105, and otherwise, the process ends.
When a plurality of feature amounts are calculated in step S103, the feature amounts may be compared with corresponding threshold values. For example, a threshold value Th1 between the overall apparatus operation rate and the processing chamber operation rate and a threshold value Th2 between the overall apparatus operation rate and the processing chamber operation rate are set in advance, and the difference between the overall apparatus operation rate and the processing chamber operation rate is set. And the threshold Th1, and the ratio of the entire apparatus operating rate and the processing chamber operating rate to the threshold Th2.
When there are a plurality of processing chambers, this step is compared for each processing chamber.
(5)特徴量が閾値よりも大きい(又は小さい)日を装置稼働率の低下した日として特定する(ステップS105)。 (5) Specify the day when the feature amount is larger (or smaller) than the threshold as the day when the device operation rate is reduced (step S105).
図5は、5月1日から5月31日を指定期間とした場合における、ある処理チャンバの処理チャンバ稼働率と装置全体稼働率を示している。ここでは、装置全体稼働率と処理チャンバ稼働率の差を特徴量として用い、閾値を30%に設定したところ、5月14日において特徴量が35%となり閾値を上回ったため、装置稼働率が低下した日として特定された。 FIG. 5 shows the processing chamber operating rate and the overall apparatus operating rate of a certain processing chamber when the designated period is from May 1st to May 31st. Here, the difference between the overall apparatus operation rate and the processing chamber operation rate is used as a feature amount, and when the threshold is set to 30%, the feature amount is 35% on May 14 and exceeds the threshold value, so the device operation rate decreases. Was identified as a day.
上記の方法によれば、ウェハが処理チャンバに搬入されずにウェハ処理が停止することにより装置稼働率が低下した日を特定することができる。また、複数の処理チャンバがある場合、ウェハがどの処理チャンバに搬入されずに停止していたのかを知ることができる。例えば、図1の装置10の場合、処理チャンバA、B、Cのそれぞれについて処理チャンバ稼働率を求め、それぞれの処理チャンバ稼働率と装置10の装置全体稼働率を用いて特徴量を計算する。その結果、処理チャンバBの処理チャンバ稼働率と装置全体稼働率とから計算された特徴量が閾値よりも大きい場合、ウェハは処理チャンバBに搬入されずに停滞していたことがわかる。
According to the above method, it is possible to specify the day when the apparatus operation rate is lowered by stopping the wafer processing without carrying the wafer into the processing chamber. Further, when there are a plurality of processing chambers, it is possible to know in which processing chamber the wafer was stopped without being loaded. For example, in the case of the
次に、ウェハが処理チャンバに搬入された状態でウェハ処理が停止することにより装置稼働率が低下した日の特定を行う方法について説明する。図4はこの方法のフローを示している。装置に複数の処理チャンバがある場合は、処理チャンバごとに図4のフローを行う。 Next, a description will be given of a method for specifying a day when the apparatus operating rate is lowered by stopping the wafer processing while the wafer is loaded into the processing chamber. FIG. 4 shows the flow of this method. When the apparatus has a plurality of processing chambers, the flow of FIG. 4 is performed for each processing chamber.
(1)処理条件ごとの平均ウェハ処理時間を、指定期間にわたって日ごとに計算する(ステップS201)。この平均ウェハ処理時間は、その日において、ある処理条件下での処理チャンバの稼働時間を、その処理条件下でのウェハの処理枚数で割ることによって計算される値であり、実績値に相当する。ここでいう処理条件とは、例えば成膜速度や膜質を決めるプロセス条件をいう。
処理チャンバの稼働時間は、前述の処理チャンバ稼働率を求める際に説明した方法により求まる。なお、ウェハの処理枚数は生産情報(出来高)から取得する。
(1) An average wafer processing time for each processing condition is calculated for each day over a specified period (step S201). The average wafer processing time is a value calculated by dividing the operation time of the processing chamber under a certain processing condition by the number of wafers processed under the processing condition on that day, and corresponds to an actual value. The processing conditions here refer to, for example, process conditions for determining the film forming speed and film quality.
The operation time of the processing chamber is obtained by the method described when the above-described processing chamber operation rate is obtained. Note that the number of processed wafers is obtained from production information (volume).
(2)次に、予め設定されている処理条件毎のレシピ情報から、処理条件に対応する正味時間(raw process time)を取得する(ステップS202)。この正味時間は、その処理条件におけるウェハ処理時間として想定される値であり、理論値に相当するものである。 (2) Next, a net process time corresponding to the processing condition is acquired from recipe information for each processing condition set in advance (step S202). This net time is a value assumed as a wafer processing time under the processing conditions, and corresponds to a theoretical value.
(3)次に、計算された平均ウェハ処理時間と正味時間から特徴量を、指定期間にわたって日ごとに計算する(ステップS203)。この特徴量は、正味時間に対して実際にウェハ処理に要した時間が著しく長い日を特定するために計算される。平均ウェハ処理時間と正味時間の相関を示す特徴量として、様々なものを用いることができる。例えば、平均ウェハ処理時間と正味時間との比または差を用いることができる。なお、複数の特徴量を計算し、後で行う比較に用いてもよい。 (3) Next, a feature amount is calculated for each day over a specified period from the calculated average wafer processing time and net time (step S203). This feature amount is calculated in order to identify a day in which the time actually required for wafer processing is remarkably long with respect to the net time. Various features can be used as the feature quantity indicating the correlation between the average wafer processing time and the net time. For example, a ratio or difference between average wafer processing time and net time can be used. Note that a plurality of feature quantities may be calculated and used for later comparison.
(4)次に、計算された特徴量と予め設定された閾値を比較し、特徴量が閾値より大きい日があるかどうかを調べる(ステップS204)。特徴量が閾値よりも大きい場合、ステップS205に進み、そうでない場合は終了する。なお、特徴量によっては、特徴量が閾値よりも小さい日がある場合、ステップS205に進み、そうでない場合は終了する。
また、ステップS203で複数の特徴量を計算している場合には、それらの特徴量と対応する閾値との比較をそれぞれ行ってもよい。例えば、平均ウェハ処理時間と正味時間の差の閾値Th3と、平均ウェハ処理時間と正味時間の比の閾値Th4を予め設定しておき、平均ウェハ処理時間と正味時間の差と閾値Th3との比較、及び平均ウェハ処理時間と正味時間の比と閾値Th4との比較を行ってもよい。
(4) Next, the calculated feature value is compared with a preset threshold value, and it is checked whether there is a day when the feature value is larger than the threshold value (step S204). If the feature amount is larger than the threshold value, the process proceeds to step S205, and if not, the process ends. Depending on the feature amount, if there is a day when the feature amount is smaller than the threshold, the process proceeds to step S205, and otherwise, the process ends.
When a plurality of feature amounts are calculated in step S203, the feature amounts may be compared with corresponding threshold values. For example, a threshold value Th3 of the difference between the average wafer processing time and the net time and a threshold value Th4 of the ratio of the average wafer processing time and the net time are set in advance, and the difference between the average wafer processing time and the net time is compared with the threshold value Th3. Further, a comparison between the ratio of the average wafer processing time and the net time and the threshold value Th4 may be performed.
(5)特徴量が閾値よりも大きい(又は小さい)日を装置稼働率の低下した日として特定する(ステップS205)。 (5) Specify the day when the feature amount is larger (or smaller) than the threshold as the day when the device operation rate is reduced (step S205).
図6は、5月1日から5月31日を指定期間とした場合おける、ウェハ処理枚数の実績値と正味時間に基づくウェハ処理枚数の理論値を示している。ここでは、平均ウェハ処理時間を正味時間で割った値を特徴量として用い、閾値を70%に設定したところ、5月14日において特徴量が67.5%で閾値を下回ったため、装置稼働率が低下した日として特定された。 FIG. 6 shows the actual value of the number of processed wafers and the theoretical value of the number of processed wafers based on the net time when the designated period is from May 1st to May 31st. Here, when the value obtained by dividing the average wafer processing time by the net time is used as the feature amount and the threshold value is set to 70%, the feature amount is 67.5% on May 14 and falls below the threshold value. Was identified as the day of decline.
上記の方法によれば、ウェハが処理チャンバ内に搬入された状態で処理が停止することにより装置稼働率が低下した日の特定を行うことができる。また、複数の処理チャンバがある場合、ウェハがどの処理チャンバに搬入された状態で停止していたのかを知ることができる。 According to the above method, it is possible to specify the day when the apparatus operating rate is lowered by stopping the processing in a state where the wafer is loaded into the processing chamber. Further, when there are a plurality of processing chambers, it is possible to know in which processing chamber the wafer was loaded and stopped.
なお、上記の説明では、日(24時間)を単位時間としたが、本実施形態はこれに限られない。例えば、8時間、12時間でもよい。 In the above description, the day (24 hours) is the unit time, but the present embodiment is not limited to this. For example, it may be 8 hours or 12 hours.
次に、上記の方法で特定された日のどの時間帯において、装置稼働率が低下したのかを特定する方法について図7及び図8を参照して説明する。 Next, a method for specifying in which time zone of the day specified by the above method the apparatus operating rate has decreased will be described with reference to FIGS.
図7は、図3のフローに示す方法により特定された日及び処理チャンバの、ウェハ移動経路情報を用いて、ウェハが処理チャンバに搬入されずにウェハ処理が停止することにより装置稼働率が低下した時間帯を特定する方法を示している。以下、この図に沿って説明する。 7 uses the wafer movement path information of the date and the processing chamber specified by the method shown in the flow of FIG. 3, and the wafer operation is stopped without the wafer being carried into the processing chamber. Shows how to identify the time zone. Hereinafter, it demonstrates along this figure.
(1)整数jの値を1にする(ステップS106)。 (1) The value of the integer j is set to 1 (step S106).
(2)処理チャンバ内にウェハが滞在していなかった時間帯NS(1), NS(2), ・・・, NS(N-1)を抽出する(ステップS107)。 (2) The time zones NS (1), NS (2),..., NS (N-1) where the wafer has not stayed in the processing chamber are extracted (step S107).
(3)次に、抽出された不滞在時間帯NS(i)(i = 1, 2, ・・・,N-1)を用いて、特徴量X(i)(i = 1, 2, ・・・,N-1)を計算する(ステップS108)。ここでの特徴量は、実際にウェハが処理チャンバに搬入されずにウェハ処理が停滞していた時間帯を特定するために計算されるものである。例えば、そのような特徴量として、不滞在時間帯の時間|NS(i)|を用いることができる。この時間は、前ウェハが処理チャンバから搬出された時刻から、次ウェハが処理チャンバに搬入された時刻までの差を計算することにより求められる。即ち、次の式により求められる。
|NS(i)| = TAi+1,in(α) − TAi,out(α) (i = 1, 2, ・・・,N-1)
ここで、TAi+1,in(α)はロットAのウェハ番号i+1のウェハが処理チャンバαに搬入された時刻を表し、TAi,out(α)はロットAのウェハ番号iのウェハが処理チャンバαから搬出された時刻を表す。Nは、装置稼働率が低下した日にその処理チャンバで処理されたウェハの総数である。
その他、特徴量X(i)として、|NS(i)| (i = 1, 2, ・・・,N-1)の平均又は分散と|NS(i)|との差を用いてもよい。
このようにして、特徴量X(1),X(2),・・・,X(N−1)を得る。
(3) Next, using the extracted non-staying time zone NS (i) (i = 1, 2,..., N−1), the feature quantity X (i) (i = 1, 2,. .., N-1) is calculated (step S108). The feature amount here is calculated in order to specify a time zone in which the wafer processing is stagnant without actually carrying the wafer into the processing chamber. For example, the non-staying time period | NS (i) | can be used as such a feature amount. This time is obtained by calculating the difference from the time when the previous wafer was unloaded from the processing chamber to the time when the next wafer was loaded into the processing chamber. That is, it is obtained by the following equation.
| NS (i) | = T Ai + 1, in (α) − T Ai, out (α) (i = 1, 2, ..., N-1)
Here, T Ai + 1, in (α) represents the time when the wafer No. i + 1 of lot A was loaded into the processing chamber α, and T Ai, out (α) represents the wafer No. i of lot A. This represents the time when the material was unloaded from the processing chamber α. N is the total number of wafers processed in the processing chamber on the day when the apparatus operating rate decreases.
In addition, the difference between the average or variance of | NS (i) | (i = 1, 2,..., N−1) and | NS (i) | .
In this way, feature quantities X (1), X (2),..., X (N−1) are obtained.
(4)次に、整数jがN−1以下であればステップS110に進み、そうでなければ終了する(ステップS109)。 (4) Next, if the integer j is N−1 or less, the process proceeds to step S110, and if not, the process ends (step S109).
(5)計算された特徴量X(i)とその特徴量に対応する閾値との比較を行う(ステップS110)。この閾値は特徴量ごとに予め設定されている。もし特徴量が閾値よりも大きければステップS111に進み、そうでなければ整数jを1つ増加させてステップS109に進む。なお、閾値によっては、特徴量が閾値よりも小さければステップS111に進み、そうでなければ整数jを1つ増加させてステップS109に進む。また、ステップS108で複数の特徴量を計算している場合には、それらの特徴量と対応する閾値との比較をそれぞれ行ってもよい。 (5) The calculated feature value X (i) is compared with a threshold value corresponding to the feature value (step S110). This threshold value is preset for each feature amount. If the feature amount is larger than the threshold value, the process proceeds to step S111. Otherwise, the integer j is incremented by 1, and the process proceeds to step S109. Depending on the threshold value, if the feature amount is smaller than the threshold value, the process proceeds to step S111. Otherwise, the integer j is incremented by 1, and the process proceeds to step S109. If a plurality of feature amounts are calculated in step S108, the feature amounts may be compared with corresponding threshold values.
(6)特徴量X(i)が閾値よりも大きい(又は小さい)時間帯を、装置稼働率が低下した時間帯として特定する(ステップS111)。その後、整数jを1つ増加させてステップS109に戻る。 (6) A time zone in which the feature amount X (i) is larger (or smaller) than the threshold value is specified as a time zone in which the apparatus operating rate is reduced (step S111). Thereafter, the integer j is incremented by 1, and the process returns to step S109.
次に、装置稼働率が低下した時間帯を特定するもう一つの方法を説明する。図8は、図4のフローに示す方法で特定された日及び処理チャンバのウェハ移動経路情報を用いて、ウェハが処理チャンバに搬入された状態でウェハ処理が停止することにより装置稼働率が低下した時間帯を特定する方法を示している。以下、図8に沿って説明する。 Next, another method for specifying a time zone in which the apparatus operating rate has decreased will be described. FIG. 8 shows that the apparatus operation rate is lowered by stopping the wafer processing while the wafer is loaded into the processing chamber using the date specified by the method shown in the flow of FIG. 4 and the wafer movement path information of the processing chamber. Shows how to identify the time zone. Hereinafter, a description will be given with reference to FIG.
(1)整数jの値を1にする(ステップS206)。 (1) The integer j is set to 1 (step S206).
(2)処理チャンバ内にウェハが滞在していた時間帯S(1), S(2), ・・・, S(N)を抽出する。(ステップS207)。 (2) Extract S (1), S (2),..., S (N) during which the wafer stayed in the processing chamber. (Step S207).
(3)次に、抽出された滞在時間帯S(1), S(2), ・・・, S(N)を用いて、特徴量Y(i)を計算する(ステップS208)。ここでの特徴量は、ウェハが処理チャンバに搬入された状態で実際にウェハ処理が停滞していた時間帯を特定するために計算されるものである。例えば、そのような特徴量として、滞在時間帯の時間|S(i)|を用いることができる。この時間は、ウェハが処理チャンバに搬入された時刻から、そのウェハが処理チャンバから搬出された時刻までの差を計算することにより求められる。即ち、次の式により求められる。
|S(i)| = TAi,out(α) − TAi,in(α) (i = 1, 2, ・・・,N)
ここで、TAi,out(α)はロットAのウェハ番号iのウェハがチャンバαから搬出された時刻を表し、TAi,in(α)はロットAのウェハ番号iのウェハがチャンバαに搬入された時刻を表す。Nは、装置稼働率が低下した日にその処理チャンバで処理されたウェハの総数である。
その他、特徴量Y(i)として、|S(i)| (i = 1, 2, ・・・,N-1)の平均又は分散と|S(i)|との差を用いてもよい。
このようにして、特徴量Y(1),Y(2),・・・,Y(N)を得る。
(3) Next, the feature amount Y (i) is calculated using the extracted stay time zones S (1), S (2),..., S (N) (step S208). The feature amount here is calculated in order to specify a time zone in which the wafer processing is actually stagnant while the wafer is loaded into the processing chamber. For example, the time | S (i) | of the staying time zone can be used as such a feature amount. This time is obtained by calculating the difference from the time when the wafer is loaded into the processing chamber to the time when the wafer is unloaded from the processing chamber. That is, it is obtained by the following equation.
| S (i) | = T Ai, out (α) − T Ai, in (α) (i = 1, 2, ..., N)
Here, T Ai, out (α) represents the time when the wafer No. i of lot A was unloaded from the chamber α, and T Ai, in (α) represents the wafer No. i of lot A in the chamber α. Indicates the time when the item was brought in. N is the total number of wafers processed in the processing chamber on the day when the apparatus operating rate decreases.
In addition, the difference between the average or variance of | S (i) | (i = 1, 2,..., N−1) and | S (i) | .
In this way, feature quantities Y (1), Y (2),..., Y (N) are obtained.
(4)次に、整数jがN以下であればステップS210に進み、そうでなければ終了する(ステップS209)。 (4) Next, if the integer j is less than or equal to N, the process proceeds to step S210, and if not, the process ends (step S209).
(5)計算された特徴量Y(i)とその特徴量に対応する閾値との比較を行う(ステップS210)。この閾値は特徴量ごとに予め設定されている。もし特徴量が閾値よりも大きければステップS211に進み、そうでなければ整数jを1つ増加させてステップS209に進む。なお、閾値によっては、特徴量が閾値よりも小さければステップS211に進み、そうでなければ整数jを1つ増加させてステップS209に進む。また、ステップS208で複数の特徴量を計算している場合には、それらの特徴量と対応する閾値との比較をそれぞれ行ってもよい。 (5) The calculated feature value Y (i) is compared with a threshold value corresponding to the feature value (step S210). This threshold value is preset for each feature amount. If the feature amount is larger than the threshold value, the process proceeds to step S211; otherwise, the integer j is incremented by one and the process proceeds to step S209. Depending on the threshold value, if the feature quantity is smaller than the threshold value, the process proceeds to step S211; otherwise, the integer j is incremented by one and the process proceeds to step S209. If a plurality of feature amounts are calculated in step S208, the feature amounts may be compared with corresponding threshold values.
(6)特徴量Y(i)が閾値よりも大きい(又は小さい)時間帯を、装置稼働率が低下した時間帯として特定する(ステップS211)。その後、整数jを1つ増加させてステップS209に戻る。 (6) A time zone in which the feature amount Y (i) is larger (or smaller) than the threshold value is specified as a time zone in which the apparatus operating rate is reduced (step S211). Thereafter, the integer j is incremented by 1, and the process returns to step S209.
図9は、ウェハ移動経路情報に基づいて、あるチャンバのウェハ滞在状況をグラフ化したものである。グラフ中の線分は1枚のウェハがチャンバに滞在していた時間を示している。上記の方法により特定された時間帯が網掛け部分で示されている。図8を参照して説明した方法によって、他の線分よりも顕著に長い線分の時間帯が、チャンバ内にウェハが停滞していた時間帯として特定されている。また、図7を参照して説明した方法によって、線分と線分の間が顕著に空いている時間帯が、チャンバにウェハが搬入されずに停滞していた時間帯として特定されている。 FIG. 9 is a graph showing the wafer stay status in a certain chamber based on the wafer movement path information. A line segment in the graph indicates a time during which one wafer stayed in the chamber. The time zone specified by the above method is indicated by the shaded portion. By the method described with reference to FIG. 8, a time zone that is significantly longer than other line segments is specified as a time zone during which the wafer is stagnant in the chamber. Further, according to the method described with reference to FIG. 7, a time zone in which a line segment is remarkably vacant is specified as a time zone in which the wafer is stagnant without being loaded into the chamber.
上記の特定方法によれば、まず、装置稼働率の低下した日と処理チャンバを特定することにより、膨大なウェハ移動経路情報を絞り込むことができる。そして、その絞り込まれたウェハ移動経路情報を詳細に調べることにより、装置稼働率の低下した時間帯を効率良く正確に特定することができる。 According to the above identification method, it is possible to narrow down enormous wafer movement path information by first identifying the day and the processing chamber when the apparatus operation rate has decreased. By examining the narrowed wafer movement path information in detail, it is possible to efficiently and accurately specify the time zone in which the apparatus operating rate has decreased.
次に、上記の特定方法により特定された時間帯、及び装置のアラーム情報を用いて、装置稼働率が低下した要因を分析する方法を説明する。以下、図10に沿って説明する。この図は、装置稼働率の低下要因を分析する方法のフローを示している。 Next, a method for analyzing the cause of the decrease in the device operating rate using the time zone specified by the above specifying method and the alarm information of the device will be described. Hereinafter, a description will be given with reference to FIG. This figure shows a flow of a method for analyzing a factor of lowering the apparatus operation rate.
(1)前述のステップS111及びステップS211で特定された時間帯の前後の指定期間において、装置が発報した装置アラーム情報を抽出する(ステップS301)。なお、特定された時間帯の前のみ、又は特定された時間帯の後のみを装置アラーム情報を抽出する期間としてもよい。 (1) The apparatus alarm information issued by the apparatus is extracted during the designated period before and after the time period specified in the above-described steps S111 and S211 (step S301). It should be noted that only before the specified time zone or after the specified time zone may be the period for extracting the device alarm information.
(2)次に、抽出された装置アラーム情報を元に、アラーム項目ごとに集計時間単位の発生回数を集計する(ステップS302)。 (2) Next, based on the extracted device alarm information, the number of occurrences in a total time unit is totaled for each alarm item (step S302).
(3)次に、特定された時間帯の前後において集中的に発生していた装置アラームを、装置稼働率が低下した要因として抽出する(ステップS303)。具体的には、所定の閾値を超えて発生している装置アラームを抽出する。 (3) Next, device alarms that have occurred intensively before and after the specified time period are extracted as factors that cause a reduction in the device operation rate (step S303). Specifically, an apparatus alarm that has occurred exceeding a predetermined threshold is extracted.
図11は、集計された装置アラーム情報、及び稼働率低下要因の分析結果を示している。この例では、前提として、特定された時間帯が11時台であり、集計時間単位は1時間、抽出期間は特例された時間帯の前11時間(0時台から10時台まで)と後12時間(12時台から23時台まで)としている。この図からわかるように、特定された時間帯の前に発生している、“温度[1]異常”及び“温度[2]異常”のアラームが、装置稼働率の低下要因として抽出されている。 FIG. 11 shows the aggregated device alarm information and the analysis result of the operating rate lowering factor. In this example, it is assumed that the specified time zone is 11:00, the total time unit is 1 hour, and the extraction period is 11 hours before the special time zone (from 0 to 10:00) and after 12 hours (from 12:00 to 23:00). As can be seen from this figure, “temperature [1] abnormality” and “temperature [2] abnormality” alarms that occurred before the specified time period are extracted as factors that cause a reduction in the device operation rate. .
上記の分析方法によれば、装置稼働率が低下した時間帯の前後に集中的に発生している装置アラームを抽出することで、装置稼働率が低下した直接の原因である可能性の高い要因を効率よく分析することができる。また、軽度障害の時間帯の前後に集中的に発生している装置アラームを抽出すれば、軽度障害の要因を分析することができる。 According to the above analysis method, by extracting device alarms that occur intensively before and after the time period when the device operation rate has decreased, factors that are likely to be the direct cause of the decrease in device operation rate Can be analyzed efficiently. In addition, by extracting device alarms that occur intensively before and after the time zone of a minor fault, the cause of the minor fault can be analyzed.
以上、本実施形態によれば、膨大なウェハ移動経路情報から軽度障害の影響も逃さずに装置稼働率が低下した時間帯を、効率良く正確に特定することができる。そして、特定された時間帯の前後に発報された装置アラーム情報を分析することにより、膨大な装置アラーム情報から装置稼働率が低下した要因を効率的に分析することができる。さらに、この分析結果として得られる要因に基づいて装置を改善することにより、装置稼働率(生産性)を向上させることができる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to efficiently and accurately specify the time zone in which the apparatus operation rate has decreased without missing the influence of a minor failure from a huge amount of wafer movement path information. Then, by analyzing the apparatus alarm information issued before and after the specified time zone, it is possible to efficiently analyze the factor that the apparatus operation rate has decreased from the enormous apparatus alarm information. Furthermore, by improving the apparatus based on the factor obtained as a result of the analysis, the apparatus operating rate (productivity) can be improved.
(第2の実施形態)
次に第2の実施形態について説明する。本実施形態は、前述のように、第1の実施形態に係る装置稼働管理方法を行う装置稼働管理システムである。本実施形態に係る装置稼働管理システムの構成を図12に示す。この図からわかるように、装置稼働管理システムは、装置11と、装置管理サーバ12と、生産ホストサーバ(MES)13と、稼働管理サーバ14と、端末装置15とを備えている。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment will be described. As described above, the present embodiment is an apparatus operation management system that performs the apparatus operation management method according to the first embodiment. FIG. 12 shows the configuration of the apparatus operation management system according to this embodiment. As can be seen from this figure, the apparatus operation management system includes an
装置11は、半導体製造装置であり、ウェハ移動経路情報及び装置アラーム情報などを装置管理サーバ12に送信する。
The
装置管理サーバ12は、ウェハ移動経路情報及び装置アラーム情報を稼働管理サーバ14に送信する。
The
生産ホストサーバ13は、生産情報データベース131及びレシピ情報データベース132を有し、ロットの進捗管理を行う。また、生産情報データベース131に含まれる、処理チャンバ及び処理条件ごとのウェハの処理枚数と、レシピ情報データベース132に含まれる、処理チャンバ及び処理条件ごとの正味時間とを稼働管理サーバ14に送信する。
The
稼働管理サーバ14は、ウェハ移動経路情報データベース141と、装置アラーム情報データベース142と、稼働情報データベース143と、閾値情報データベース144とを有する。閾値情報データベース144は特徴量と比較するための閾値を格納している。この稼働管理サーバ14は、装置管理サーバ12からウェハ移動経路情報及び装置アラーム情報を受信し、それぞれウェハ移動経路情報データベース141及び装置アラーム情報データベース142に保存する。また、この稼働管理サーバ14は、第1の実施形態に係る装置稼働管理方法を実行するための稼働率計算プログラム、稼働率低下日特定プログラム、稼働率低下時間帯特定プログラム及び装置アラーム集計プログラムを有する。稼働率計算プログラムは、ウェハ移動経路情報データベース141を元に、装置11の装置全体稼働率、及び装置11の有する処理チャンバごとの処理チャンバ稼働率を計算する。稼働率低下日特定プログラムは、第1の実施形態で説明した図3及び図4に示す方法を実行するプログラムである。このプログラムは、稼働率計算プログラムにより計算された装置全体稼働率及び処理チャンバ稼働率と、処理条件ごとの正味時間及びウェハ処理枚数などと、を元にして、指定期間において装置稼働率が低下した日を特定する。稼働率低下時間帯特定プログラムは、第1の実施形態で説明した図7と図8に示す方法を実行するプログラムである。このプログラムは、稼働率低下日特定プログラムにより特定された日及び処理チャンバの情報、並びにウェハ移動経路情報データベース141の情報を元に、装置稼働率が低下した時間帯を特定する。装置アラーム集計プログラムは、第1の実施形態で説明した図10に示す方法を実行するプログラムである。
The
端末装置15は、オペレータからの各種パラメータの設定及び命令を受付ける。入力されるパラメータには、稼働率低下日を調べる期間、閾値の値、使用する特徴量のほか、装置アラームを集計する際の指定期間、集計時間単位などがある。また、この端末装置15は各種サーバからの情報をディスプレイに表示する。
The
次に、装置稼働管理システムの動作について説明する。 Next, the operation of the apparatus operation management system will be described.
オペレータが端末装置15に前述のパラメータ及び分析命令を入力すると、それらの情報は稼働管理サーバ14に送信される。分析命令を受信した稼働管理サーバ14は、稼働率計算プログラムを用いて計算された装置11の装置全体稼働率と処理チャンバ稼働率を、稼働情報データベース143に保存する。次いで、稼働低下日特定プログラムを用いて装置稼働率が低下した日を特定する。次いで、稼働低下時間帯特定プログラムを用いて装置稼働率が低下した時間帯を特定する。次いで、装置アラーム集計プログラムを用いて、装置稼働率が低下した時間帯の前後において集中的に発生している装置アラームを、稼働率低下の要因として抽出する。
When the operator inputs the above parameters and analysis command to the
稼働管理サーバ14の処理結果は全て、端末装置15のディスプレイに表示される。つまり、オペレータの要求に応じて、図5、図6、図9及び図11に示す処理結果がディスプレイに表示される。これにより、オペレータは、装置稼働率が低下した日及び時間帯を視覚的に容易に把握し、装置稼働率低下の要因も知ることができる。
All processing results of the
なお、分析命令は、オペレータを介さず、タイマを用いて定期的に端末装置15から稼働管理サーバ14に送信されるようにしてもよい。
Note that the analysis command may be periodically transmitted from the
また、図12に示すシステムの構成は一例に過ぎず、様々な構成を採ることができる。例えば、装置管理サーバ12と稼働管理サーバ14は一つのサーバにまとめてもよい。
Further, the configuration of the system shown in FIG. 12 is merely an example, and various configurations can be adopted. For example, the
また、複数の装置11,11,・・・が装置管理サーバ12に接続される構成とし、それぞれの装置について装置稼働率の低下時間帯の特定及び要因の分析を行い、端末装置15のディスプレイに装置ごとの処理結果を表示するようにしてもよい。
In addition, a plurality of
また、装置11が、装置管理サーバ12と稼働管理サーバ14の機能を含んでもよい。この場合、装置11は、装置アラーム情報及びウェハの移動経路情報を自装置内に記録し蓄積する。生産ホストサーバ13から生産情報データベースに含まれるウェハ処理枚数と、レシピ情報データベースに含まれる正味時間とを受信する。そして、移動経路情報、ウェハ処理枚数及び正味時間を用いて、自装置の稼働率が低下した時間帯を特定し、特定された時間帯と装置アラーム情報を元に稼働率が低下した要因を抽出し、端末装置15に処理結果を送信する。
Further, the
以上、本実施形態によれば、第1の実施形態に係る装置稼働管理方法を行う装置稼働管理システムが提供され、装置稼動率が低下した時間帯を効率良く正確に特定し、装置稼働率の低下要因を効率的に分析することができる。 As described above, according to the present embodiment, an apparatus operation management system that performs the apparatus operation management method according to the first embodiment is provided, and the time zone in which the apparatus operation rate has decreased is efficiently and accurately specified. The factor of decrease can be analyzed efficiently.
1・・・ウェハ
2A,2B,2C・・・キャリア
3・・・ロードポート
4・・・搬送アーム
5・・・本体部
10,11・・・装置
12・・・装置管理サーバ
13・・・生産ホストサーバ(MES)
14・・・稼働管理サーバ
15・・・端末装置
131・・・生産情報データベース
132・・・レシピ情報データベース
141・・・ウェハ移動経路情報データベース
142・・・装置アラーム情報データベース
143・・・稼働情報データベース
144・・・閾値情報データベース
DESCRIPTION OF
14 ...
Claims (5)
所定の指定期間を複数の所定の単位時間に分割し、前記所定の単位時間ごとに、ウェハが前記半導体製造装置内に存在していた時間の前記所定の単位時間に対する割合を計算し、この割合を前記所定の単位時間ごとの全体稼働率となし、
前記所定の単位時間ごとに、前記ウェハが前記処理チャンバ内に存在していた時間の前記所定の単位時間に対する割合を計算し、この割合を前記所定の単位時間ごとの部分稼働率となし、
前記所定の単位時間ごとに、前記全体稼働率と前記部分稼働率の相関を示す第1の特徴量を計算し、
前記所定の単位時間ごとに、前記第1の特徴量を予め決めた閾値と比較し、
前記比較の結果に基づいて、前記ウェハが前記処理チャンバに搬入されない状態で前記ウェハ処理が停止していた稼働率低下時間帯を含む前記所定の単位時間を特定する、
ことを特徴とする装置稼働管理方法。 An apparatus operation management method for a semiconductor manufacturing apparatus having a processing chamber for performing wafer processing,
A predetermined designated period is divided into a plurality of predetermined unit times, and for each predetermined unit time, a ratio of the time during which the wafer exists in the semiconductor manufacturing apparatus to the predetermined unit time is calculated, and this ratio And the overall operating rate for each predetermined unit time,
For each predetermined unit time, the ratio of the time that the wafer was present in the processing chamber to the predetermined unit time is calculated, and this ratio is used as the partial operation rate for each predetermined unit time.
For each predetermined unit time, calculate a first feature amount indicating a correlation between the overall operating rate and the partial operating rate,
For each predetermined unit time, the first feature value is compared with a predetermined threshold value,
Based on a result of the comparison, the predetermined unit time including an operation rate reduction time zone in which the wafer processing is stopped in a state where the wafer is not loaded into the processing chamber is specified.
The apparatus operation management method characterized by the above-mentioned.
所定の指定期間を複数の所定の単位時間に分割し、前記所定の単位時間ごとに、ある処理条件下の前記処理チャンバにウェハが存在していた時間としての処理チャンバ稼働時間を、前記処理条件下の前記処理チャンバによって前記所定の単位時間に処理された前記ウェハの枚数で割ることにより平均ウェハ処理時間を計算し、
前記処理条件下における前記ウェハの処理時間の理論値である正味時間を取得し、
前記所定の単位時間ごとに、前記平均ウェハ処理時間と前記正味時間の相関を示す第1の特徴量を計算し、
前記所定の単位時間ごとに、前記第1の特徴量を予め決めた閾値と比較し、
前記比較の結果に基づいて、前記ウェハが前記処理チャンバに搬入された状態で前記ウェハ処理が停止していた稼働率低下時間帯を含む前記所定の単位時間を特定する、
ことを特徴とする装置稼働管理方法。 An apparatus operation management method for a semiconductor manufacturing apparatus having a processing chamber for performing wafer processing,
A predetermined designated period is divided into a plurality of predetermined unit times, and a processing chamber operating time as a time during which a wafer exists in the processing chamber under a certain processing condition is divided into the processing conditions for each predetermined unit time. Calculating an average wafer processing time by dividing by the number of wafers processed in the predetermined unit time by the processing chamber below;
Obtaining a net time which is a theoretical value of the processing time of the wafer under the processing conditions;
For each predetermined unit time, a first feature amount indicating a correlation between the average wafer processing time and the net time is calculated,
For each predetermined unit time, the first feature amount is compared with a predetermined threshold value,
Based on the result of the comparison, the predetermined unit time including an operation rate reduction time zone in which the wafer processing is stopped in a state where the wafer is loaded into the processing chamber is specified.
The apparatus operation management method characterized by the above-mentioned.
特定された前記所定の単位時間における前記ウェハの移動経路情報から、前記処理チャンバ内に前記ウェハが滞在していなかった不滞在時間帯を抽出し、
前記不滞在時間帯に基づいて第2の特徴量を計算し、
前記第2の特徴量を予め決めた閾値と比較し、
前記比較の結果に基づいて、前記不滞在時間帯の少なくとも一部からなる前記稼働率低下時間帯を特定する、
ことを特徴とする装置稼働管理方法。 The apparatus operation management method according to claim 1,
Extracting a non-staying time zone in which the wafer did not stay in the processing chamber from the wafer movement path information in the specified predetermined unit time,
Calculating a second feature amount based on the non-staying time period;
Comparing the second feature amount with a predetermined threshold;
Based on the result of the comparison, the operating rate reduction time zone consisting of at least a part of the non-staying time zone is specified.
The apparatus operation management method characterized by the above-mentioned.
特定された前記所定の単位時間における前記ウェハの前記移動経路情報から、前記処理チャンバ内に前記ウェハが滞在していた滞在時間帯を抽出し、
前記滞在時間帯に基づいて第2の特徴量を計算し、
前記第2の特徴量を予め決めた閾値と比較し、
前記比較の結果に基づいて、前記滞在時間帯の少なくとも一部からなる前記稼働率低下時間帯を特定する、
ことを特徴とする装置稼働管理方法。 The apparatus operation management method according to claim 2,
From the movement path information of the wafer in the specified predetermined unit time, the staying time zone in which the wafer stayed in the processing chamber is extracted,
A second feature value is calculated based on the stay time period;
Comparing the second feature amount with a predetermined threshold;
Based on the result of the comparison, the operating rate decrease time zone consisting of at least a part of the stay time zone is specified.
The apparatus operation management method characterized by the above-mentioned.
生産情報データベース及びレシピ情報データベースを有し、前記生産情報データベースに含まれるウェハ処理枚数、及び前記レシピ情報データベースに含まれる正味時間を送信する、生産ホストサーバと、
前記移動経路情報、前記ウェハ処理枚数及び前記正味時間を用いて、前記半導体製造装置の稼働率が低下した時間帯を特定する、稼働管理サーバと、
を備えることを特徴とする装置稼働管理システム。 At least one semiconductor manufacturing apparatus having a processing chamber for processing a wafer and transmitting movement path information of the wafer;
A production host server having a production information database and a recipe information database, and transmitting the number of wafers processed included in the production information database and a net time included in the recipe information database;
An operation management server that identifies a time zone in which the operation rate of the semiconductor manufacturing apparatus has decreased, using the movement path information, the wafer processing number, and the net time;
An apparatus operation management system comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008204311A JP2010040917A (en) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | Device operation management method and device operation management system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008204311A JP2010040917A (en) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | Device operation management method and device operation management system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=42013116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008204311A Pending JP2010040917A (en) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | Device operation management method and device operation management system |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2010040917A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115132615A (en) * | 2021-03-24 | 2022-09-30 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus, analysis method, display apparatus, and program |
| JP2022151509A (en) * | 2021-03-24 | 2022-10-07 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing device, analysis method, display device and program |
-
2008
- 2008-08-07 JP JP2008204311A patent/JP2010040917A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115132615A (en) * | 2021-03-24 | 2022-09-30 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus, analysis method, display apparatus, and program |
| JP2022151509A (en) * | 2021-03-24 | 2022-10-07 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing device, analysis method, display device and program |
| JP7698536B2 (en) | 2021-03-24 | 2025-06-25 | 株式会社Screenホールディングス | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, ANALYSIS METHOD, DISPLAY DEVICE AND PROGRAM |
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