JP2010040868A - 気化器およびそれを用いた成膜装置 - Google Patents
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- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 167
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract description 47
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 93
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 39
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 claims description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 57
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 49
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 14
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 10
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N Temazepam Chemical compound N=1C(O)C(=O)N(C)C2=CC=C(Cl)C=C2C=1C1=CC=CC=C1 SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- GMMGOEVABABMBA-UHFFFAOYSA-N CC(C)C(C)(C)N[Hf] Chemical compound CC(C)C(C)(C)N[Hf] GMMGOEVABABMBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDHZVBFDSMROJJ-UHFFFAOYSA-N CCCCO[Hf] Chemical compound CCCCO[Hf] SDHZVBFDSMROJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQEVIZPKEOELNL-UHFFFAOYSA-N CCCCO[Zr] Chemical group CCCCO[Zr] YQEVIZPKEOELNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012093 Myrtus ugni Nutrition 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 TEMA Chemical class 0.000 description 1
- 244000061461 Tema Species 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- VSLPMIMVDUOYFW-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;tantalum(5+) Chemical compound [Ta+5].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C VSLPMIMVDUOYFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N tantalum(v) ethoxide Chemical compound [Ta+5].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】液体原料を気化室360に向けて吐出し,気化室にて気化させて原料ガスを生成する液体原料気化器であって,液溜室310に貯留される液体原料を気化室に向けて吐出させる細孔316と,細孔の液溜室側の液入口312を開閉する弁体334と,この弁体を駆動するアクチュエータ330と,細孔に遊挿された突出棒340とを備え,突出棒は,その基端部を弁体に取り付けることにより,弁体の動作に連動して突出棒の先端部344が細孔の気化室側の吐出口から突没するように構成した。
【選択図】 図2
Description
まず,本発明の実施形態にかかる成膜装置について図面を参照しながら説明する。図1は第1実施形態にかかる成膜装置の概略構成例を説明するための図である。図1に示す成膜装置100は,被処理基板例えば半導体ウエハ(以下,単に「ウエハ」という)W上にCVD法により金属酸化物膜を成膜するものであり,例えばZrを含有する液体原料を供給する液体原料供給源110と,Arなどの不活性ガスをキャリアガスとして供給するキャリアガス供給源120と,液体原料供給源110から供給される液体原料を気化させて原料ガスを生成する気化器(液体原料気化器)300と,気化器300が生成した原料ガスを用いてウエハWに例えばZrO2膜を形成する成膜室200と,成膜装置100の各部を制御する制御部140を備えている。
以下,本実施形態にかかる気化器300の構成例について図面を参照しながら説明する。図2は,気化器300の概略構成例を示す縦断面図である。図3は,図2に示すA−A断面を下方から見た図である。気化器300は大別すると,液体原料を液滴状(ミスト状)にして吐出する液体原料供給部300Aと,吐出された液敵状の液体原料を気化して原料ガスを生成する気化室360を形成する原料ガス生成部300Bとから構成される。
次に,本実施形態にかかる気化器300の動作を図面を参照しながら説明する。図4A,図4Bは,液体原料供給部300Aの動作を説明するための図であり,図4Aは気化器の弁開度が全開状態の場合を示し,図4Bは気化器の弁開度が全閉状態の場合を示す。なお,図4A,図4Bでは,説明を簡単にするために,図2に示すボルト352などを省略して簡略化している。
110 液体原料供給源
112 液体原料供給配管
114 液体原料流量制御バルブ
120 キャリアガス供給源
122 キャリアガス供給配管
124 キャリアガス流量制御バルブ
132 原料ガス供給配管
134 原料ガス流量制御バルブ
140 制御部
200 成膜室
210 側壁部材
212 天壁部材
214 底壁部材
222 サセプタ
224 支持部材
226 ヒータ
228 電源
230 排気口
232 排気手段
240 シャワーヘッド
242 内部空間
244 ガス吐出孔
300 気化器
300A 液体原料供給部
300B 原料ガス生成部
301 貫通孔
302 液体原料導入部
304 液体原料吐出部
310 液溜室
312 液入口
316 細孔
320 ノズル
322 吐出口
324 バッファ室
325 キャリアガス導入流路
326 キャリアガス噴出口
330 アクチュエータ
332 取付部材
333 駆動ロッド
334 弁体
336 ベローズ
340 突出棒
342 基端部
344 先端部
345 テーパ部
352 ボルト
354,356 Oリング
360 気化室
370 筐体
372 原料ガス導出流路
374 導出口
380 フランジ付継手
384,386 ヒータ
390 ミストトラップ部
400 熱電対
402 計測器
W ウエハ
Claims (10)
- 液体原料を気化室に向けて吐出し,前記気化室内で気化させて原料ガスを生成する気化器であって,
所定の圧力で供給される液体原料を一時的に貯留する液溜室と,
前記液溜室と前記気化室を連通し,前記液溜室の液体原料を前記気化室に向けて吐出させる細孔と,
前記細孔の前記液溜室側の液入口を開閉する弁体と,
前記弁体を駆動するアクチュエータと,
前記細孔に遊挿された突出棒と,を備え,
前記突出棒は,その基端部を前記弁体に取り付けることにより,前記弁体の動作に連動して前記突出棒の先端部が前記細孔の前記気化室側の吐出口から突没するように構成したことを特徴とする気化器。 - 前記突出棒は,前記弁体が前記液入口を閉じたときに前記突出棒の先端部が前記吐出口から突出するように構成したことを特徴とする請求項1に記載の気化器。
- 前記突出棒は,前記弁体が前記液入口を開いたときに前記突出棒の先端部の端面が前記吐出口の開口面と面一になるように構成したことを特徴とする請求項2に記載の気化器。
- 前記突出棒の先端部の端面には,先細のテーパ部を設けたことを特徴とする請求項3に記載の気化器。
- 前記アクチュエータは,制御部からの制御信号に基づいて前記弁体の弁開閉又は弁開度の調整を行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の気化器。
- 液状原料を供給する原料供給系と,前記原料供給系から供給された液状原料を気化して原料ガスを生成する液体原料気化器と,前記気化器から供給される前記原料ガスを導入して被処理基板に対して成膜処理を行う成膜室とを有する成膜装置であって,
前記気化器は,所定の圧力で供給される液体原料を一時的に貯留する液溜室と,前記液溜室と前記気化室を連通し,前記液溜室の液体原料を前記気化室に向けて吐出させる細孔と,前記細孔の前記液溜室側の液入口を開閉する弁体と,前記弁体を駆動するアクチュエータと,前記細孔に遊挿された突出棒と,を備え,前記突出棒は,その基端部を前記弁体に取り付けることにより,前記弁体の動作に連動して前記突出棒の先端部が前記細孔の前記気化室側の吐出口から突没するように構成したことを特徴とする成膜装置。 - 前記アクチュエータは,制御部からの制御信号に基づいて前記弁体の弁開閉又は弁開度の調整を行うことを特徴とする請求項6に記載の成膜装置。
- 前記制御部は,前記弁体で前記液入口を開閉するときのみならず,前記成膜室において前記被処理基板の成膜処理を行う直前にも前記弁体を駆動させて,前記突出棒の先端部を前記細孔の吐出口から突没させることを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。
- 前記制御部は,前記成膜室において前記被処理基板を複数枚ごとに連続して成膜処理する際には,各連続処理の最初の被処理基板の成膜処理を行う前にも前記弁体を駆動させて,前記突出棒の先端部を前記細孔の吐出口から突没させることを特徴とする請求項8に記載の成膜装置。
- 前記制御部は,前記弁体を駆動させる際には,弁開閉を複数回繰り返させて,前記突出棒の先端部を前記細孔の吐出口から複数回突没させることを特徴とする請求項6〜9のいずれかに記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2008203463A JP5203843B2 (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | 気化器およびそれを用いた成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008203463A JP5203843B2 (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | 気化器およびそれを用いた成膜装置 |
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|---|---|
| JP2010040868A true JP2010040868A (ja) | 2010-02-18 |
| JP5203843B2 JP5203843B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2008203463A Expired - Fee Related JP5203843B2 (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | 気化器およびそれを用いた成膜装置 |
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| JP (1) | JP5203843B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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