JP2009238965A - Optical module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光モジュールに関する。 The present invention relates to an optical module.
電界吸収型光変調器(EAM:Electrical Absorption Modulator)として知られる変調器を駆動するために、直流バイアスが必要である(例えば、特許文献1参照)。 In order to drive a modulator known as an electroabsorption modulator (EAM), a DC bias is required (see, for example, Patent Document 1).
図1は、従来の光モジュール200の構成を示す回路図である。図1に示すように、光モジュール200は、半導体レーザ201、光変調器202、終端回路203、バイアス部204、変調信号端子206、直流バイアス端子207および駆動入力端子208を備える。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional
駆動入力端子208は、半導体レーザ201に接続されている。変調信号端子206は、伝送線路205を介して光変調器202に接続されている。伝送線路205と光変調器202とは、ボンディングワイヤL11によって接続されている。また、光変調器202は、変調信号端子206および終端回路203に対して並列に接続されている。
The
直流バイアス端子207は、バイアス部204および終端回路203を介して光変調器202に接続されている。終端回路203は、変調信号端子206側に終端抵抗R11を備え、グランド電位側にコンデンサC11を備える。終端抵抗R11とコンデンサC11とは直列に接続されている。また、終端回路203は、ボンディングワイヤL11およびボンディングワイヤL12を介して伝送線路205と接続されている。
The DC bias terminal 207 is connected to the
バイアス部204は、変調信号端子206から入力される変調信号をカットするチョークコイルL13を備える。バイアス部204は、終端回路203の終端抵抗R11とコンデンサC11との間に接続されている。
The bias unit 204 includes a choke coil L13 that cuts the modulation signal input from the
この構成によれば、変調信号端子206から直流バイアス端子207側へ漏洩する変調信号は、終端抵抗R11によって減衰させることができる。それにより、直流バイアス端子207に対する変調信号のアイソレーションを大きくすることができる。
According to this configuration, the modulation signal leaking from the
しかしながら、従来の光モジュール200においては、直流バイアスが終端抵抗R11を介して光変調器202へ入力されるため、終端抵抗R11による直流バイアスの損失を回避することができなかった。終端抵抗R11の値は、終端インピーダンスの値(例えば、50Ω)に応じて決定される。それにより、終端抵抗R11の値をむやみに小さくすることはできない。
However, in the conventional
また、直流バイアスは終端抵抗R11において熱に変換される。この熱が半導体レーザの温度制御装置(図示せず)の温度制御を相殺する等の影響を与える問題があった。 Further, the DC bias is converted into heat in the termination resistor R11. There is a problem that this heat has an influence such as canceling out temperature control of a temperature control device (not shown) of the semiconductor laser.
本発明は、終端抵抗における直流バイアスの損失を低減させることができるとともに温度制御装置の温度制御への影響を抑制することができる光モジュールを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an optical module that can reduce a loss of a DC bias in a termination resistor and suppress an influence on temperature control of a temperature control device.
本発明に係る光モジュールは、変調信号端子と、変調信号端子と接続された光変調器と、光変調器に接続された終端抵抗と、変調信号端子に対して終端抵抗と並列に接続され終端抵抗よりも小さい抵抗値を有するバイアス抵抗と、バイアス抵抗を介して光変調器へ直流バイアスを供給するための直流バイアス端子と、を有することを特徴とするものである。 An optical module according to the present invention includes a modulation signal terminal, an optical modulator connected to the modulation signal terminal, a termination resistor connected to the optical modulator, and a termination connected to the modulation signal terminal in parallel with the termination resistor. A bias resistor having a resistance value smaller than the resistor, and a DC bias terminal for supplying a DC bias to the optical modulator via the bias resistor are provided.
本発明に係る光モジュールにおいては、終端抵抗を介さずにバイアス抵抗を介して光変調器へ直流バイアスが供給される。この場合、直流バイアスの損失を低減させることができる。さらに、終端抵抗に直流バイアスを流す場合に比較して発熱量が抑制される。それにより、本発明に係る光モジュールが搭載される温度制御装置の温度制御に対する影響を抑制することができる。 In the optical module according to the present invention, a direct current bias is supplied to the optical modulator via the bias resistor instead of the termination resistor. In this case, the loss of DC bias can be reduced. Furthermore, the amount of heat generation is suppressed as compared with the case where a DC bias is passed through the termination resistor. Thereby, the influence with respect to temperature control of the temperature control apparatus by which the optical module which concerns on this invention is mounted can be suppressed.
終端抵抗には、第1コンデンサが直列接続されていてもよい。また、第1コンデンサは、終端抵抗と光変調器との間に接続されていてもよい。この場合、終端抵抗への直流バイアスの入力を遮断することができる。 A first capacitor may be connected in series to the termination resistor. The first capacitor may be connected between the termination resistor and the optical modulator. In this case, the input of the DC bias to the termination resistor can be cut off.
第1コンデンサは、キャリア上に設けられた下部電極、誘電体および上部電極の積層構造によって構成され、終端抵抗は、キャリア上に設けられた抵抗膜によって構成されるとともに、一端が第1コンデンサの下部電極と接続され他端がキャリアを貫通して設けられたビアホールによって裏面のグランド電位と接続されていてもよい。この場合、終端抵抗、第1コンデンサおよびグランド電位間をボンディングワイヤによって接続する必要がない。それにより、ボンディングワイヤを低減させることができる。その結果、終端特性を向上させることができる。 The first capacitor is configured by a laminated structure of a lower electrode, a dielectric, and an upper electrode provided on the carrier, the termination resistor is configured by a resistance film provided on the carrier, and one end of the first capacitor The other end may be connected to the ground potential on the back surface by a via hole connected to the lower electrode and provided through the carrier. In this case, it is not necessary to connect the termination resistor, the first capacitor, and the ground potential by a bonding wire. Thereby, a bonding wire can be reduced. As a result, termination characteristics can be improved.
バイアス抵抗には、チョークコイルが直列接続されていてもよい。この場合、変調信号の流れが抑制される。それにより、直流バイアス端子への変調信号の漏洩が低減される。 A choke coil may be connected in series to the bias resistor. In this case, the flow of the modulation signal is suppressed. Thereby, leakage of the modulation signal to the DC bias terminal is reduced.
チョークコイルには、ダンピング抵抗が並列に接続されていてもよい。この場合、チョークコイルを中心とした共振が抑制される。その結果、直流バイアス端子への変調信号の漏洩が低減される。 A damping resistor may be connected in parallel to the choke coil. In this case, resonance around the choke coil is suppressed. As a result, the leakage of the modulation signal to the DC bias terminal is reduced.
本発明に係る光モジュールは、直流バイアス端子とグランド電位とを接続する第2コンデンサをさらに備えていてもよい。この場合、直流バイアス端子への変調信号の漏洩をさらに防止することができる。 The optical module according to the present invention may further include a second capacitor that connects the DC bias terminal and the ground potential. In this case, it is possible to further prevent the modulation signal from leaking to the DC bias terminal.
本発明によれば、終端抵抗における直流バイアスの損失を低減させることができるとともに温度制御装置の温度制御への影響を抑制することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the loss of the direct current bias in a termination resistance can be reduced, and the influence on the temperature control of a temperature control apparatus can be suppressed.
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。 Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described.
図2は、本発明の第1実施例に係る光モジュール10の構成を示す回路図である。図2に示すように、光モジュール10は、半導体レーザ1、光変調器2、終端回路3、バイアス部4、変調信号端子6、直流バイアス端子7および駆動入力端子8を備える。
FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of the
駆動入力端子8は、半導体レーザ1に接続されている。半導体レーザ1には、駆動入力端子8から駆動電流が入力される。それにより、半導体レーザ1は、レーザ発振する。
The
変調信号端子6は、伝送線路5を介して光変調器2に接続されている。伝送線路5と光変調器2とは、ボンディングワイヤL1によって接続されている。また、光変調器2は、変調信号端子6および終端回路3に対して、並列に接続されている。光変調器2には、変調信号端子6から伝送線路5を介して変調信号が入力される。それにより、光変調器2は、半導体レーザ1からのレーザ光を光変調信号に変調する。
The modulation signal terminal 6 is connected to the
終端回路3は、変調信号端子6に対して、光変調器2と並列に接続されている。終端回路3は、変調信号端子6側にコンデンサC1を備え、グランド電位側に終端抵抗R1を備える。終端抵抗R1とコンデンサC1とは、直列に接続されている。また、終端回路3は、ボンディングワイヤL1およびボンディングワイヤL2を介して伝送線路5と接続されている。終端回路3を設けることによって、変調信号端子6からの変調信号を終端抵抗R1によってインピーダンス整合をとることができる。
The
直流バイアス端子7は、バイアス部4を介して光変調器2に接続されている。バイアス部4は、伝送線路5とボンディングワイヤL1との間に接続されている。バイアス部4は、直流バイアス端子7側から順にチョークコイルL3およびバイアス抵抗R2が直列に接続された構造を有する。したがって、バイアス抵抗R2は、変調信号端子6および終端抵抗R1に対して並列に接続されている。バイアス抵抗R2は、終端抵抗R1よりも小さい抵抗値を有する。例えば、好ましい一例として、終端抵抗R1の抵抗値が50Ωである場合に、バイアス抵抗R2は5Ω程度の抵抗値を有する。チョークコイルL3は、高周波信号の流れを抑制することができる。それにより、チョークコイルL3は、変調信号端子6から入力される変調信号をカットする機能を有する。
The
本実施例においては、直流バイアス端子7に対して光変調器2と終端抵抗R1とが並列に接続されていることから、終端抵抗R1に直流バイアスが入力されることを抑制することができる。さらに、本実施例においては直流バイアス端子7と終端抵抗R1との間にコンデンサC1が設けられていることから、終端抵抗R1への直流バイアスの入力を遮断することができる。
In the present embodiment, since the
バイアス抵抗R2は、直流バイアス端子7側へ漏洩する変調信号を減衰する機能を有する。終端抵抗R1の抵抗値(例えば、50Ω)は、終端回路の抵抗値としては適正な値である。しかしながら、この抵抗値は、直流バイアス端子7側へ漏洩する変調信号を減衰する値としては過大である。それにより、直流バイアス端子7と光変調器2との間に終端抵抗R1を配置すれば、直流バイアスの損失が大きくなってしまう。これに比較して、本実施例においては、直流バイアス端子7と光変調器2との間に終端抵抗R1よりも小さい抵抗値を有するバイアス抵抗R2が配置されることから、直流バイアスの損失を低減させることができる。また、終端抵抗R1に直流バイアスを流す場合に比較して発熱量が抑制される。それにより、光モジュール10が搭載される温度制御装置の温度制御に対する影響を抑制することができる。
The bias resistor R2 has a function of attenuating a modulation signal leaking to the
なお、チョークコイルL3とダンピング抵抗とを、並列に接続してもよい。この場合、チョークコイルL3を中心とした共振が抑制される。その結果、直流バイアス端子7への変調信号の漏洩がさらに低減される。
The choke coil L3 and the damping resistor may be connected in parallel. In this case, resonance around the choke coil L3 is suppressed. As a result, the leakage of the modulation signal to the
図3は、光モジュール10の主要部に係る平面図である。図3に示すように、光モジュール10は、温度制御装置22上に、各要素を搭載する実装部130が配置された構造を有する。実装部130には、半導体レーザ1、光変調器2、終端回路3、バイアス部4および伝送線路5が実装されている。半導体レーザ1および光変調器2は、半導体レーザ1から出力されるレーザ光の光軸上に光変調器2が配置されるように、半導体基板上に1チップ化されており、これが実装部130上に搭載されている。
FIG. 3 is a plan view of the main part of the
さらに、半導体レーザ1から出力されるレーザ光の光軸上に、レンズ20および光ファイバコネクタ30が配置されている。レンズ20は、温度制御装置22上に配置されている。温度制御装置22は、半導体レーザ1および光変調器2の温度を制御するための装置である。図3においては、変調信号端子6として、RFコネクタ21が配置されている。
Furthermore, the
伝送線路5とバイアス抵抗R2とは、ボンディングワイヤL4によって接続されている。バイアス抵抗R2とチョークコイルL3とは、ボンディングワイヤL5によって接続されている。半導体レーザ1と駆動入力端子8とは、ボンディングワイヤL6によって接続されている。チョークコイルL3と直流バイアス端子7とは、ボンディングワイヤL7によって接続されている。
The
図4は、図3のA−A線断面図であり、終端抵抗R1およびコンデンサC1の断面構造を示す。図4に示すように、コンデンサC1は、下部電極103上に誘電体層102および上部電極101が積層された構造を有し、セラミックスからなるキャリア110表面のメタライズ111上に搭載されている。
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. As shown in FIG. 4, the capacitor C1 has a structure in which a
終端抵抗R1は、キャリア110上に形成された抵抗膜によって構成されている。終端抵抗R1の一端は、キャリア110表面のメタライズ111によってコンデンサC1の下部電極103と接続されている。また、終端抵抗R1の他端は、キャリア110表面のメタライズ112を経由して、キャリア110裏面に貫通して設けられたビアホール金属120に接続されている。ビアホール金属120は、キャリア110が実装される実装部130表面に接続されている。実装部130の表面は、グランド電位に接続されている。
The termination resistor R <b> 1 is configured by a resistance film formed on the
本実施例においては、終端回路3を構成する終端抵抗R1およびコンデンサC1のうち、コンデンサC1が光変調器2側に配置されかつ終端抵抗R1がグランド電位側に配置されている。図4の構成によれば、終端抵抗R1の両端の電極は、いずれもキャリア110の表面に配置されることから、キャリア110の表面に配置されるコンデンサC1の下部電極103、終端抵抗R1およびビアホール金属120は、キャリア110表面のメタライズを介して接続されうる。
In the present embodiment, among the termination resistor R1 and the capacitor C1 constituting the
この場合、終端抵抗R1、コンデンサC1およびグランド電位間をボンディングワイヤによって接続する必要がない。それにより、終端回路3においてボンディングワイヤを減らすことができる。その結果、高周波特性を良好にすることができる。
In this case, it is not necessary to connect the termination resistor R1, the capacitor C1, and the ground potential with a bonding wire. Thereby, bonding wires can be reduced in the
これに比較して、終端抵抗R1を光変調器側に配置してコンデンサC1をグランド電位側に配置した場合、終端抵抗R1とコンデンサC1との間またはコンデンサC1とグランド電位との間にボンディングワイヤを接続する必要がある。この場合、高周波特性を良好にすることが困難である。 In comparison, when the termination resistor R1 is disposed on the optical modulator side and the capacitor C1 is disposed on the ground potential side, the bonding wire is between the termination resistor R1 and the capacitor C1 or between the capacitor C1 and the ground potential. Need to be connected. In this case, it is difficult to improve the high frequency characteristics.
図1に示した従来例では、終端抵抗R1を直流バイアス端子207側へ漏洩する変調信号の減衰に利用していたため、終端抵抗R1を光変調器2側に接続する必要があった。一方、本実施例に係る光モジュール10は、終端抵抗R1を直流バイアス端子7側へ漏洩する変調信号の減衰に利用していないため、終端抵抗R1およびコンデンサC1のいずれを光変調器2へ接続するかは任意に決定することができる。
In the conventional example shown in FIG. 1, since the termination resistor R1 is used for attenuation of the modulation signal leaking to the DC bias terminal 207 side, it is necessary to connect the termination resistor R1 to the
すなわち、図4に示す構造を採用することができたのも、バイアス抵抗R2を変調信号端子6および終端抵抗R1に対して並列に接続したことに起因する効果である。 That is, the structure shown in FIG. 4 can be adopted because of the effect resulting from connecting the bias resistor R2 in parallel to the modulation signal terminal 6 and the termination resistor R1.
図5は、本発明の第2実施例に係る光モジュール10aの構成を示す回路図である。図5において、実施例1に係る光モジュール10と同じ部位には同じ番号が付されている。光モジュール10aが図2の光モジュール10と異なる点は、一端がグランド電位に接続されたコンデンサC2が直流バイアス端子7とチョークコイルL3との間に接続されている点である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of an
コンデンサC2は、交流通過のためのコンデンサであり、バイアス抵抗R2およびチョークコイルL3を経て漏洩した変調信号をグランド電位に接続する。この場合、直流バイアス端子7への変調信号の漏洩および外部からのノイズ等の流入をさらに防止することができる。
The capacitor C2 is a capacitor for passing alternating current, and connects the modulation signal leaked through the bias resistor R2 and the choke coil L3 to the ground potential. In this case, leakage of the modulation signal to the
図6は、本発明の第3実施例に係る光モジュール10bの構成を示す回路図である。図6において、実施例1に係る光モジュール10と同じ部位には同じ番号が付されている。光モジュール10bが図2の光モジュール10と異なる点は、バイアス部4が光変調器2に対して終端回路3側に接続されている点である。すなわち、本実施例においては、終端回路3およびバイアス部4は、ボンディングワイヤL2を介して光変調器2と接続されている。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of an
本実施例においても、実施例1と同様、バイアス抵抗R2が変調信号端子6および終端抵抗R1に対して並列に接続されているため、直流バイアスの損失が抑制される。 Also in this embodiment, since the bias resistor R2 is connected in parallel to the modulation signal terminal 6 and the termination resistor R1 as in the first embodiment, the loss of the DC bias is suppressed.
1 半導体レーザ
2 光変調器
3 終端回路
4 バイアス部
6 変調信号端子
7 直流バイアス端子
8 駆動入力端子
10 光モジュール
C1 コンデンサ
L1,L2 ボンディングワイヤ
L3 チョークコイル
R1 終端抵抗
R2 バイアス抵抗
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記変調信号端子と接続された光変調器と、
前記光変調器に接続された終端抵抗と、
前記変調信号端子に対して終端抵抗と並列に接続され、前記終端抵抗よりも小さい抵抗値を有するバイアス抵抗と、
前記バイアス抵抗を介して前記光変調器へ直流バイアスを供給するための直流バイアス端子と、を有することを特徴とする光モジュール。 A modulation signal terminal;
An optical modulator connected to the modulation signal terminal;
A termination resistor connected to the optical modulator;
A bias resistor connected in parallel with a termination resistor with respect to the modulation signal terminal and having a resistance value smaller than the termination resistor;
An optical module comprising: a DC bias terminal for supplying a DC bias to the optical modulator via the bias resistor.
前記終端抵抗は、前記キャリア上に設けられた抵抗膜によって構成されるとともに、一端が前記第1コンデンサの下部電極と接続され他端が前記キャリアを貫通して設けられたビアホールによって裏面のグランド電位と接続されていることを特徴とする請求項3記載の光モジュール。 The first capacitor is configured by a laminated structure of a lower electrode, a dielectric and an upper electrode provided on a carrier,
The termination resistor is composed of a resistance film provided on the carrier, and is connected to the lower electrode of the first capacitor at one end and a ground potential on the back surface by a via hole provided through the carrier at the other end. The optical module according to claim 3, wherein the optical module is connected to the optical module.
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