JP2009231624A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板間で処理品質を均一にすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】塗布ブロックＢ１には複数の塗布処理ユニット（ＲＥＳＩＳＴ、ＢＡＲＣ、ＴＡＲＣ）が設けられている。各塗布処理ユニットは、塗布する処理液の種類ごとに異なる高さ位置で互いに略上下方向に並べて配置される。また、処理液の種類が同じ塗布処理ユニット同士は略水平方向に並べて配置されている。このため、基板に行う処理品質を、処理液の種類が同じ各塗布処理ユニット間で互いに精度よく均一にすることができる。
【選択図】図２

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。

従来、この種の装置として、基板に塗膜（例えばレジスト膜や反射防止膜）を形成するとともに、別体の露光機で露光された基板を現像する基板処理装置がある。この装置は、処理液（例えばレジスト膜材料や反射防止膜用の処理液）を塗布する塗布処理ユニットが上下方向に積層された塗布ブロックと、基板に現像液を供給する現像処理ユニットが設けられた現像ブロックとを含む処理部を備えている。各ブロックには各処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構が設けられている。そして、各ブロックの主搬送機構はそのブロックに設けられる処理ユニットに基板を搬送しつつ、隣接する他のブロックの主搬送機構との間で基板の受け渡しを行って、一連の処理を基板に行う（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−３２４１３９号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、塗布処理ユニットが上下方向に積層されているため、各塗布処理ユニットで同じ膜厚の塗膜を精度よく形成できないなど、塗布処理ユニット間で処理品質を均一にすることができないという不都合がある。これは、上下方向に配置される処理ユニット間で温度や圧力などの環境が一定でないことが起因していると考えられる。

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板間で処理品質を均一にすることができる基板処理装置を提供することを目的とする。

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットを塗布する処理液の種類ごとにそれぞれ複数有する塗布ブロックと、基板に現像液を供給する複数の現像処理ユニットを有し、前記塗布ブロックの一側方に隣接して設けられる現像ブロックと、を備え、各塗布処理ユニットは塗布する処理液の種類ごとに異なる高さ位置で互いに略上下方向に並べて配置され、かつ、処理液の種類が同じ塗布処理ユニット同士は略水平方向に並べて配置され、前記現像処理ユニットは略上下方向に並べて配置されていることを特徴とする。

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、塗布ブロックは、基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットであって、当該塗布処理ユニット間で塗布する処理液が異なる塗布処理ユニットを処理液の種類ごとにそれぞれ複数備えている。各塗布処理ユニットは塗布する処理液の種類ごとに異なる高さ位置で互いに略上下方向に並べて配置され、処理液の種類が同じ塗布処理ユニット同士は略水平方向に並べて配置されている。このため、基板に行う処理品質を、処理液の種類が同じ各塗布処理ユニット間で互いに精度よく均一にすることができる。また、現像処理ユニットは略上下方向に並べて配置するため、現像ブロックの設置面積を増減させることなく、現像ブロックに現像処理ユニットを搭載する台数を変えることができる。

本発明において、前記塗布ブロックは、前記塗布処理ユニットが配置される高さ位置ごとに別個に設けられ、同じ種類の処理液を塗布する塗布処理ユニットに対して基板を搬送する塗布用主搬送機構を備え、前記現像ブロックは、各現像処理ユニットに対して基板を搬送する単一の現像用主搬送機構を備えていることが好ましい（請求項２）。各塗布用主搬送機構が塗布ブロックにおける基板の搬送を分担することで、各塗布用主搬送機構がそれぞれ負担する搬送動作を軽減させることができる。これにより、塗布ブロックにおける基板の搬送に起因して塗布ブロックのスループットが低下することを抑制することができる。

本発明において、各塗布用主搬送機構によって基板が搬送される塗布処理ユニットは、当該塗布用主搬送機構の一側方に配置されていることが好ましい（請求項３）。塗布ブロックの構造を簡略化することができる。また、塗布用主搬送機構が各塗布処理ユニットに対して基板を搬送する向きを一様にすることができる。

本発明において、前記塗布ブロックは、基板に熱処理を行う複数の熱処理ユニットを備え、前記熱処理ユニットは、各塗布用主搬送機構を挟んで塗布処理ユニットと略水平方向に対向する位置に配置されていることが好ましい（請求項４）。熱処理ユニットと塗布処理ユニットとの間に塗布用主搬送機構を配置することで、熱処理ユニットからの熱的影響が塗布処理ユニットに及ぶことを抑えることができる。これにより、各塗布処理ユニットが基板に行う処理品質を、さらに精度よく均一にすることができる。

本発明において、各塗布用主搬送機構はそれぞれ、対応する塗布処理ユニットと略同じ高さ位置に配置されており、前記塗布ブロックは、各塗布用主搬送機構の間にそれぞれ設けられ、各塗布用主搬送機構の搬送領域の雰囲気を互いに遮断する遮断板を備えていることが好ましい（請求項５）。各塗布用主搬送機構の搬送領域ごとにその環境を管理することができる。よって、仮に一の塗布用主搬送機構から塵埃が発生しても、他の塗布用主搬送機構の搬送領域を清浄な雰囲気に保つことができる。

本発明において、前記塗布用主搬送機構ごとに設けられ、当該塗布用主搬送機構が基板を載置可能な載置部と、各載置部の間で基板を搬送する載置部間搬送機構と、をさらに備えていることが好ましい（請求項６）。各塗布用主搬送機構間で好適に基板の受け渡しを行うことができる。

本発明において、各載置部は、前記塗布ブロックと前記現像ブロックとの間に配置され、前記載置部間搬送機構は、前記塗布ブロックと前記現像ブロックとの間であって、前記載置部と対向する位置に設けられていることが好ましい（請求項７）。各塗布用主搬送機構から払い出される基板は、前記塗布ブロックと前記現像ブロックとの間に設けられる載置部に載置されるので、塗布ブロックから現像ブロックに基板を受け渡すときに基板を移動させる距離を短くすることができる。

本発明において、前記装置は、前記現像ブロックの前記塗布ブロックが隣接する側とは反対側に隣接して設けられ、前記装置とは別体の露光機との間で基板を搬送するインターフェイス部を備え、前記載置部間搬送機構は前記インターフェイス部にも対向可能に構成されて、前記載置部間搬送機構は前記現像ブロックを経由することなく前記塗布ブロックから前記インターフェイス部へ基板を搬送することが好ましい（請求項８）。塗布ブロックから払い出された基板を露光機へ搬送する際に、当該基板は現像ブロックを経由することがないので、現像ブロックにおける基板の搬送をより簡略化することができる。

本発明において、前記塗布ブロックは、前記塗布処理ユニットの上方または下方に積層されて、基板を検査する検査ユニットを備えていることが好ましい（請求項９）。検査ユニットを備えているので、塗布処理、露光および現像処理の少なくともいずれかが行われた基板を検査することができる。これにより、基板に行われた処理の品質を好適に計測、検査することができる。また、検査ユニットは塗布処理ユニットの上方または下方に積層されているため、塗布ブロックの設置面積が増大することを抑制することができる。

本発明において、前記塗布ブロックは、前記検査ユニットの側方に配置され、前記現像ブロックから払い出される基板を受け取るとともに、前記検査ユニットに対して基板を搬送する検査用主搬送機構を備えていることが好ましい（請求項１０）。検査用主搬送機を備えることで、検査ユニットを設けることに伴って塗布用主搬送機構の負担が増大することを防止することができる。

本発明において、前記塗布ブロックの前記現像ブロックが隣接する側とは反対側に隣接して設けられ、基板を収容するカセットに対して基板を搬送するとともに前記塗布ブロックとの間で基板を受け渡すインデクサ部を備え、前記検査用主搬送機構は、さらに前記インデクサ部へ基板を搬送可能であることが好ましい（請求項１１）。検査用主搬送機構は、現像ブロックから払い出された基板をインデクサ部へ搬送することができるので、各塗布用主搬送機構による基板の搬送を簡略化することができる。

本発明において、前記検査用主搬送機構の側方に設けられ、基板に熱処理を行う熱処理ユニットを備えていることが好ましい（請求項１２）。検査用主搬送機構の側方に設けられた熱処理ユニットで、現像処理が行われた後の基板に対して熱処理を好適に行うことができる。

本発明において、前記塗布処理ユニットは、レジスト膜材料を基板に塗布する複数のレジスト膜用塗布処理ユニットと、反射防止膜用の処理液を基板に塗布する複数の反射防止膜用塗布処理ユニットと、を含むことが好ましい（請求項１３）。塗布ブロックで、各基板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。また、各基板に均一な膜厚の反射防止膜を形成することができる。

本発明において、前記反射防止膜用塗布処理ユニットはさらに、レジスト膜の下部に形成する反射防止膜用の処理液を基板に塗布する下部反射防止膜用塗布処理ユニット、および、レジスト膜の上部に形成する反射防止膜用の処理液を基板に塗布する上部反射防止膜用塗布処理ユニットの少なくともいずれかを含むことが好ましい（請求項１４）。塗布ブロックで、各基板のレジスト膜の上部または下部の少なくともいずれかに、均一な膜厚の反射防止膜を形成することができる。

なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。

（１）基板に処理を行う基板処理装置において、レジスト膜材料を基板に塗布する複数のレジスト膜用塗布処理ユニットを有する塗布ブロックと、基板に現像液を供給する複数の現像処理ユニットを有し、前記塗布ブロックの一側方に隣接して設けられる現像ブロックと、各レジスト膜用塗布処理ユニットは全て略同じ高さ位置に並べて配置され、前記現像処理ユニットは上下方向に複数配置されていることを特徴とする基板処理装置。

前記（１）に記載の基板処理装置によれば、塗布ブロックに設けられる複数のレジスト膜用塗布処理ユニット同士は、略水平方向に並べて配置されている。このため、各レジスト膜用塗布処理ユニットで基板に行う処理品質を、互いに精度よく均一にすることができる。このように、全ての塗布処理ユニットが同じ種類の処理液を塗布する場合であってもよい。さらに、現像処理ユニットは略上下方向に並べて配置するため、現像ブロックの設置面積を増減させることなく、現像ブロックに現像処理ユニットを搭載する台数を変えることができる。

（２）前記（１）に記載の基板処理装置において、前記塗布ブロックは、反射防止膜用の処理液を基板に塗布する複数の反射防止膜用塗布処理ユニットを有し、前記反射防止膜用塗布処理ユニットは全て、前記レジスト膜用塗布処理ユニットの上方または下方に、略水平方向に並べて積層配置されていることを特徴とする基板処理装置。

前記（２）に記載の基板処理装置によれば、塗布ブロックに設けられる複数の反射防止膜用塗布処理ユニット同士は、略水平方向に並べて配置されている。このため、反射防止膜用塗布処理ユニットで基板に行う処理品質を、互いに精度よく均一にすることができる。また、反射防止膜用塗布処理ユニットはレジスト膜用塗布処理ユニットに積層されているため、塗布ブロックの設置面積が増大することを抑制することができる。

（３）請求項１から請求項１４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記現像処理ユニットは略水平方向にも複数並べて配置されていることを特徴とする基板処理装置。

前記（３）に記載の基板処理装置によれば、より多くの現像処理ユニットを現像ブロックに搭載させることができる。

（４）請求項６に記載の基板処理装置において、各載置部は互いに上下方向に並べて配置されており、前記載置部間搬送機構は基板を昇降移動することを特徴とする基板処理装置。

前記（４）に記載の基板処理装置によれば、載置部間搬送機構が各載置部間で効率よく基板を搬送させることができる。

（５）請求項７に記載の基板処理装置において、前記現像用主搬送機構は各載置部に基板を搬送可能に構成されて、前記載置部間搬送機構を兼ねていることを特徴とする基板処理装置。

前記（５）に記載の基板処理装置によれば、現像用主搬送機構と載置部間搬送機構とを別個に設ける場合に比べて、装置構成を簡略化できる。

（６）請求項７に記載の基板処理装置において、各載置部および前記載置部間搬送機構は、前記塗布ブロックの前記現像ブロックが隣接する側とは反対側に配置されていることを特徴とする基板処理装置。

（７）請求項８に記載の基板処理装置において、前記載置部間搬送機構は、前記塗布ブロックから前記インターフェイス部へ露光前の基板を搬送し、前記現像用主搬送機構は、前記インターフェイス部から前記塗布ブロックへ露光後の基板を搬送することを特徴とする基板処理装置。

前記（７）に記載の基板処理装置によれば、載置部間搬送機構および現像用主搬送機構は、それぞれ塗布ブロックとインターフェイス部との間で基板を一方向にのみ搬送するため、載置部間搬送機構および現像用主搬送機構の動作を簡略化できる。

この発明に係る基板処理装置によれば、塗布ブロックは、基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットであって、当該塗布処理ユニット間で塗布する処理液が異なる塗布処理ユニットを処理液の種類ごとにそれぞれ複数備えている。各塗布処理ユニットは塗布する処理液の種類ごとに異なる高さ位置で互いに略上下方向に並べて配置され、処理液の種類が同じ塗布処理ユニット同士は略水平方向に並べて配置されている。このため、処理液の種類が同じ各塗布処理ユニットが基板に行う処理品質を、互いに精度よく均一にすることができる。また、現像処理ユニットは略上下方向に並べて配置するため、現像ブロックの設置面積を増減させることなく、現像ブロックに現像処理ユニットを搭載する台数を変えることができる。

以下、図面を参照してこの発明の実施例１を説明する。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２と図３は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図４と図５は、図１におけるａ−ａ矢視、ｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。

実施例１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜等を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置である。本装置は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１と処理部３とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）５とを備えている。ＩＤ部１、処理部３およびＩＦ部５はこの順番に略水平一方向に並べられ、互いに隣接して設置されている。さらに、本装置とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰがＩＦ部５に隣接して設けられる。本装置はさらに、載置部間搬送機構ＴＰや各所に配置される載置部Ｐなどを備えている。

ＩＤ部１は基板Ｗを収容するカセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに処理部３との間で基板を受け渡す。

処理部３は、基板Ｗに塗膜を形成する塗布処理と、基板Ｗを現像する現像処理を行う。処理部３は、塗布処理を行う塗布ブロックＢ１と現像処理を行う現像ブロックＢ２に分けられる。塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２は略水平方向に並べられ、互いに隣接して設置されている。

これら両ブロックＢ１、Ｂ２が並ぶ方向としては、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向が好ましい。さらに、塗布ブロックＢ１はＩＤ部１側に配置され、現像ブロックＢ２はＩＦ部５側に配置されることが好ましい。言い換えれば、ＩＤ部１は、塗布ブロックＢ１の現像ブロックＢ２が隣接する側とは反対側に配置される。ＩＦ部５は、現像ブロックＢ２の塗布ブロックＢ１が隣接する側とは反対側に配置される。

ＩＦ部５は本装置とは別体の露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは基板Ｗを露光する。以下、ＩＤ部１、処理部３、ＩＦ部５などについてそれぞれ説明する。

［ＩＤ部１］
ＩＤ部１はカセット載置台９とＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤを備えている。カセット載置台９は複数（例えば４個）のカセットＣを１列に並べて載置可能である。各カセットＣは複数枚の基板Ｗを略水平姿勢で上下方向に並べて収容する。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは、各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに、塗布ブロックＢ１に対して基板Ｗを搬送する。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは、カセット載置台９の側方をカセットＣの並び方向に水平移動する可動台２１と、可動台２１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸２３と、この昇降軸２３に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム２５とを備えている。

［塗布ブロックＢ１］
塗布ブロックＢ１は、基板Ｗに処理液を塗布する複数の塗布処理ユニット３１を、塗布する処理液の種類ごとにそれぞれ複数有している。処理液の種類としては、レジスト膜材料や、反射防止膜用の処理液などが例示される。さらに、反射防止膜用の処理液については、レジスト膜の上部に形成する反射防止膜用の処理液と、レジスト膜の下部に形成する反射防止膜用の処理液とで種類が異なる。

本明細書では、レジスト膜材料を塗布する塗布処理ユニット３１を特に、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴと記載する。同様に、レジスト膜の上部に形成する反射防止膜用の処理液を塗布する塗布処理ユニット３１を特に、上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣと記載し、レジスト膜の下部に形成する反射防止膜用の処理液を塗布する塗布処理ユニット３１を特に、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと記載する。また、レジスト膜の下部、上部に形成する反射防止膜をそれぞれ下部反射防止膜、上部反射防止膜と適宜に記載する。

本実施例では、塗布ブロックＢ１は、３台のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴと、３台の上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣと、３台の下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣとを備えている。

塗布ブロックＢ１は、これら各種の塗布処理ユニット３１を、塗布する処理液の種類ごとに異なる高さ位置で互いに略上下方向に並べて配置され、かつ、処理液の種類が同じ塗布処理ユニット３１同士は略水平方向に並べて配置されている。

本実施例のように塗布処理ユニット３１が３種類の場合では、上下方向に３層にわたって積層されている。積層される順番は、下側から下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣの順である。

このように複数層に積層された一群の塗布処理ユニット３１は、平面視でＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略平行な塗布ブロックＢ１の一辺側（言い換えれば、ＩＤ部１及び現像ブロックＢ２と隣接しない塗布ブロックＢ１の一側部側）に配置されている。

塗布ブロックＢ１は、塗布処理ユニット３１の各高さ位置ごとに、別個の塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３を備えている。具体的には、塗布用主搬送機構Ｔ１が下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに対応し、塗布用主搬送機構Ｔ２がレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴに対応し、塗布用主搬送機構Ｔ３が上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣに対応している。各塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３はそれぞれ対応する塗布処理ユニット３１に対して基板Ｗを搬送する。以下では、塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３を特に区別しないときは、単に「塗布用主搬送機構Ｔ」と記載する。

各塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３がそれぞれ基板を搬送する領域（以下、単に「搬送領域」という）Ａ１、Ａ２、Ａ３は、平面視で塗布ブロックＢ１の略中央を通り、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向に、塗布ブロックＢ１の両側部まで延びた領域である。この搬送領域Ａの一側方には、上述した各塗布処理ユニット３１が位置している。

塗布ブロックＢ１は、基板Ｗに熱処理を行う複数の熱処理ユニットＰＨＰ１を備えている。各熱処理ユニットＰＨＰ１は各塗布用主搬送機構Ｔを挟んで塗布処理ユニット３１と略水平方向に対向する位置に配置されている。各塗布用主搬送機構Ｔに対応する熱処理ユニットＰＨＰ１は、略上下方向と略水平方向に行列状に並べられている。本実施例では、各塗布用主搬送機構Ｔに対応して９台（略上下方向に３台、略水平方向に３台）の熱処理ユニットＰＨＰ１が設けられている。各塗布用主搬送機構Ｔはそれぞれ、対応する熱処理ユニットＰＨＰ１に対して基板Ｗを搬送する。

各塗布用主搬送機構Ｔはそれぞれ、対応する塗布処理ユニット３１の各高さ位置と略同じ高さ位置に別個に配置されている。各塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３の間には、各搬送領域Ａ１、Ａ２、Ａ３の雰囲気を互いに遮断する遮断板２７が設けられている。

塗布処理ユニット３１（下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ）に下方には、基板Ｗを検査する検査ユニットＭＩが設けられている。また、塗布用主搬送機構Ｔ３の下方であって、検査ユニットＭＩの側方には検査用主搬送機構Ｔ４が設けられている。検査用主搬送機構Ｔ４の側方にはさらに熱処理ユニットＰＨＰ１が設けられている。本実施例では、検査ユニットＭＩと熱処理ユニットＰＨＰ１は、検査用主搬送機構Ｔ４を挟んで略水平方向に対向するように配置されている。検査用主搬送機構Ｔ４は、検査ユニットＭＩと対応する熱処理ユニットＰＨＰ１に対して基板Ｗを搬送する。

ＩＤ部１と塗布ブロックＢ１との間には、基板Ｗを載置する載置部Ｐ１と載置部Ｐ１２が設けられている。載置部Ｐ１は、塗布用主搬送機構Ｔ３と略水平方向に対向する位置に配置されている。載置部Ｐ１２は、検査用主搬送機構Ｔ４と略水平方向に対向する位置に配置されている。各載置部Ｐ１、Ｐ１２は、互いに上下方向に並ぶように配置されている。

各載置部Ｐ１、Ｐ１２には、基板Ｗの有無を検知するセンサ（図示省略）がそれぞれ付設されており、各センサの検出信号に基づいて、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤと塗布用主搬送機構Ｔ１、または、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤと検査用主搬送機構Ｔ４による基板Ｗの受け渡しが行われる。同様のセンサは後述する載置部Ｐ２−Ｐ１１にも付設されている。

また、塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２との間には、塗布用主搬送機構Ｔ１が載置可能な載置部Ｐ２と、塗布用主搬送機構Ｔ２が搬送可能な載置部Ｐ３、Ｐ４と、塗布用主搬送機構Ｔ３が搬送可能な載置部Ｐ５、Ｐ６と、検査用主搬送機構Ｔ４が搬送可能な載置部Ｐ１１が設置されている。各載置部Ｐ２−Ｐ６、Ｐ１１は、互いに上方方向に並ぶように配置されている。

塗布用主搬送機構Ｔを具体的に説明する。なお、検査用主搬送機構Ｔ４も塗布用主搬送機構Ｔと同じ構成である。図６を参照する。図６は、塗布用主搬送機構の斜視図である。

塗布用主搬送機構Ｔは、略上下方向に案内する２本の第１ガイドレール５１と略水平方向に案内する第２ガイドレール５２を有している。２本の第１ガイドレール５１は搬送スペースＡの両端側付近の各位置に互いに対向するように固定されている。本実施例では、各第１ガイドレール５１は搬送領域Ａの塗布処理ユニット３１が配置されている側に配置されている。第２ガイドレール５２は第１ガイドレール５１に摺動可能に取り付けられている。このとき、第２ガイドレール５２が案内する方向がＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向とほぼ一致することが好ましい。

第２ガイドレール５２にはベース部５３が摺動可能に設けられている。ベース部５３は搬送領域Ａの略中央まで横方向に張り出している。

ベース部５３には縦軸心周りに回転可能に回転台５５が設けられている。回転台５５には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５７ａ、５７ｂがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは互いに上下方向に近接した位置に配置されている。

塗布用主搬送機構Ｔはさらに、第２ガイドレール５２、ベース部５３、回転台５５、各保持アーム５７ａ、５７ｂをそれぞれ駆動する各種の駆動機構を備えている。これら各種の駆動機構によって、第２ガイドレール５２が第１ガイドレール５１に対して略上下方向に昇降し、ベース部５３が第２ガイドレール５２に対して略水平方向に移動し、回転台５５がベース部５３に対して回転し、各保持アーム５７ａ、５７ｂが回転台５５に対して進退移動する。これにより、塗布用主搬送機構Ｔは、当該塗布用主搬送機構Ｔに対応して設けられる各塗布処理ユニット３１および各熱処理ユニットＰＨＰ１に対して基板Ｗを搬送する。また、塗布用主搬送機構Ｔは、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向に塗布ブロックＢ１の両側部まで移動して、当該塗布用主搬送機構Ｔに対応する各載置部Ｐに対して基板を搬送する。以下では、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向を、「塗布用主搬送機構Ｔの搬送方向」と呼ぶこととする。

次に、塗布処理ユニット３１について図１、図７を参照して説明する。図７（ａ）は、塗布処理ユニット３１の平面図であり、図７（ｂ）は（ａ）におけるａ−ａ矢視の垂直断面図である。

略水平方向に並べられる各塗布処理ユニット３１の間には隔壁又は仕切り壁等は設けられていない。したがって、各塗布処理ユニット３１の周囲の雰囲気は互いに遮断されていない（連通している）。

図１に示するように、略同じ高さ位置（同じ層）の各塗布処理ユニット３１が並ぶ方向は、塗布用主搬送機構Ｔの搬送方向と一致させていない。本実施例では、各塗布処理ユニット３１が略円弧形状の曲線上に位置するように配置されて配置されている。

各塗布処理ユニット３１はそれぞれ、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部３２と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ３３とを備えている。各塗布処理ユニット３１の側方には、３つの塗布処理ユニット３１が共用する単一の供給部３４を備えている。

供給部３４は、複数個のノズル３５と、ノズル３５を移動させるノズル移動機構３６を備えている。複数個のノズル３５は図示省略のノズルホルダによって保持されて、略水平方向に並べられている。ノズル３５から塗出される処理液は、塗布処理ユニット３１に応じてレジスト膜材料、レジスト膜の下部に形成する反射防止膜用の処理液、または、レジスト膜の上部に形成する反射防止膜用の処理液に変わる。なお、同じ種類の処理液であれば、各ノズル３５間で成分や濃度等の性状が異なる処理液を吐出させるように構成してもよい。

ノズル移動機構３６は、基台３７と昇降軸３８と第１リンク部３９と第２リンク部４０と把持部４１とを備えている。基台３７は、塗布処理ユニット３１を挟んで塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に固定されている。基台３７の配置としては、３つの塗布処理ユニット３１の中心からの各距離が近似していることが好ましい。この基台３７には昇降軸３８が昇降可能に取り付けられている。昇降軸３８の上端には、第１リンク部３９の一端が鉛直軸周りに回転可能に取り付けられている。第１リンク部３９の他端には第２リンク部４０の一端が鉛直軸周りに回転可能に取り付けられている。第２リンク部４０の他端には把持部４１が取り付けられている。

そして、昇降軸３８が昇降することで把持部４１を基台３７に対して上下動させ、第１、第２リンク部３９、４０が屈伸運動することで把持部４１を昇降軸３８に対して水平面内で進退移動させる。これにより、把持部４１は任意のノズル３５を把持し、かつ、任意の塗布処理ユニット３１で保持される基板Ｗの略中心上方の位置に把持したノズル３５を移動する。

検査ユニットＭＩについて簡単に説明する。検査ユニットＭＩは、現像処理が行われた後の基板Ｗについてレジスト膜の線幅を計測・検査する。

上述した各層の塗布処理ユニット３１および検査ユニットＭＩが設置されるスペースの端部には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには、処理液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。また、竪穴部ＰＳには、各層の塗布処理ユニット３１や検査ユニットＭＩ、または、各搬送領域Ａ１−Ａ４を清浄な雰囲気に保つための給気用および排気用の配管類も設置されている。

熱処理ユニットＰＨＰ１について説明する。各熱処理ユニットＰＨＰ１はそれぞれ基板Ｗを載置する２つのプレート４３と、２つのプレート４３間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。各熱処理ユニットＰＨＰ１では、基板Ｗに加熱処理と冷却処理を続けて行う。なお、熱処理ユニットＰＨＰ１はこのような構成に限られない。例えば、単に加熱処理または冷却処理のみを行う熱処理ユニットであってもよい。また、基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットであってもよい。

［現像ブロックＢ２］
現像ブロックＢ２について説明する。なお、塗布ブロックＢ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

現像ブロックＢ２は、基板Ｗに現像液を供給する複数の現像処理ユニットＤＥＶを有している。現像処理ユニットＤＥＶは略上下方向に並べて配置されている。また、現像処理ユニットＤＥＶは略水平方向にも複数並べて配置されている。現像処理ユニットＤＥＶが略水平方向に並ぶ方向は、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略一致する。一群の現像処理ユニットＤＥＶは、平面視でＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略平行な現像ブロックＢ２の一辺側（言い換えれば、塗布ブロックＢ１及びＩＦ部５と隣接しない現像ブロックＢ２の一側部側）に配置されている。

現像ブロックＢ２は、各現像処理ユニットＤＥＶに対して基板Ｗを搬送する単一の現像用主搬送機構Ｔ５を備えている。現像用主搬送機構Ｔ５が基板を搬送する領域（以下、単に「搬送領域」と記載する）Ａ５は、平面視で現像ブロックＢ２の略中央を通り、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向に、現像ブロックＢ２の両側部まで延びた領域である。この搬送領域Ａ５の一側方には、上述した各現像処理ユニットＤＥＶが位置している。現像用主搬送機構Ｔ５の搬送領域Ａ５は、図１に示すように、平面視で各塗布用主搬送機構Ｔの搬送領域Ａと連続するような範囲に形成されることが好ましい。

現像用主搬送機構Ｔ５の搬送領域Ａ５を側面からみると、搬送領域Ａ５は少なくとも上下方向に並ぶ全ての現像処理ユニットＤＥＶの範囲に及んでいる。また、搬送領域Ａ５は、図２に示すように、各塗布用主搬送機構Ｔおよび検査用主搬送機構Ｔ４の各搬送領域Ａ１−Ａ４とそれぞれ連続するように形成されている。

塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２との間であって、載置部Ｐ２−Ｐ６、Ｐ１１に対向する位置に載置部間搬送機構ＴＰが設けられている。本実施例では、載置部間搬送機構ＴＰは、現像用主搬送機構Ｔ５を挟んで現像処理ユニットＤＥＶが設けられている側とは反対側に設置されている。載置部間搬送機構ＴＰは、塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２との間に配置される載置部Ｐ２−Ｐ６、Ｐ１１の間で基板Ｗを搬送する。さらに、載置部間搬送機構ＴＰはＩＦ部５にも対向可能に構成されている。言い換えれば、載置部間搬送機構ＴＰの搬送領域ＡＰは、ＩＦ部５と対向する範囲まで及んでいる。そして、後述する載置部Ｐ７、Ｐ１０を介してＩＦ部５に対して基板Ｗを搬送する。

現像ブロックＢ２は、基板Ｗに熱処理を行う複数の熱処理ユニットＰＨＰ２を備えている。各熱処理ユニットＰＨＰ２はＩＦ部５に面する位置に配置されている。本実施例では、現像用主搬送機構Ｔ５を挟んで現像処理ユニットＤＥＶが設けられている側とは反対側であって、ＩＦ部５側の一画に上下方向に並べて配置されている。各熱処理ユニットＰＨＰ２の上側には基板Ｗを載置する載置部Ｐ７、Ｐ１０が積層されている。

現像用主搬送機構Ｔ５を具体的に説明する。現像用主搬送機構Ｔ５は、固定台６１と、上下方向に昇降可能に固定台６１に保持される昇降軸６２と、昇降軸６２に旋回可能に保持される回転台６３と、回転台６３に進退可能に保持される二つの保持アーム６５ａ、６５ｂとを備えている。現像用主搬送機構Ｔ５は、基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶと熱処理ユニットＰＨＰ２と載置部Ｐ２−Ｐ７、Ｐ１１と載置部Ｐ７、Ｐ１０に対して基板Ｗを搬送する。

載置部間搬送機構ＴＰは単一の保持アーム６６を備えている。その他の構成は、現像用主搬送機構Ｔ５と同様の構成である。載置部間搬送機構ＴＰは、基板Ｗを載置部Ｐ２−Ｐ７、Ｐ１１と載置部Ｐ７、Ｐ１０に対して基板Ｗを搬送する。

現像処理ユニットＤＥＶについて説明する。図１を参照する。各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部７１と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ７３とを備えている。１段に並設される２つの現像処理ユニットＤＥＶは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、並設される各現像処理ユニットＤＥＶの側方には、２つの現像処理ユニットＤＥＶに対して、現像液を供給する単一の供給部７５が設けられている。供給部７５は鉛直軸周りに旋回可能に構成され、各現像処理ユニットＤＥＶで処理する基板Ｗに対して現像液を供給する。

上述した現像処理ユニットＤＥＶが設置されるスペースの端部には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには、現像液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。また、竪穴部ＰＳには、各現像処理ユニットＤＥＶや各搬送領域Ａ５、ＡＰを清浄な雰囲気に保つための給気用および排気用の配管類も設置されている。

現像ブロックＢ２に設けられる熱処理ユニットＰＨＰ２について説明する。熱処理ユニットＰＨＰ２は、ＩＦ部５に面する側部に形成される基板Ｗの搬送口を有している。そして、熱処理ユニットＰＨＰ２に対しては、後述するＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦが上記搬送口を通じて基板Ｗを搬送する。このような現像ブロックＢ２の熱処理ユニットＰＨＰ２では、露光機ＥＸＰで露光された基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行う。

［ＩＦ部５］
ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦは、相互に基板Ｗを受け渡し可能な第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡと第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢで構成される。第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは、載置部Ｐ７、Ｐ１０を介して現像ブロックＢ２に対して基板Ｗを搬送するとともに、現像ブロックＢ２の熱処理ユニットＰＨＰ２に対して基板Ｗを搬送する。第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは、露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する。

第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡと第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢとは、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略直交した横方向に並んで設けられている。第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは現像ブロックＢ２の熱処理ユニットＰＨＰ２が位置する側に配置されている。第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは現像ブロックＢ２の現像処理ユニットＤＥＶが位置する側に配置されている。また、第１、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＡ、Ｔ_ＩＦＢの間には基板Ｗを載置する載置部Ｐ８、Ｐ９と、基板Ｗを一時的に収容するバッファＢＦが多段に積層されている。第１、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＡ、Ｔ_ＩＦＢは、載置部Ｐ８、Ｐ９を介して基板Ｗを受け渡す。バッファＢＦには、専ら第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡのみがアクセスする。

第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは、固定的に設けられる基台８３と、基台８３に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸８５と、この昇降軸８５に対して旋回可能に取り付けられる回転台８６と、この回転台８６に対して進退して基板Ｗを保持する保持アーム８７とを備えている。第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢも基台８３と昇降軸８５と保持アーム８７とを備えている。

次に本装置１０の制御系につい説明する。図８は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。本装置１０は制御部９０を備えている。制御部９０は、図示するように、各搬送機構Ｔ_ＩＤ、Ｔ１−Ｔ５、ＴＰ、Ｔ_ＩＦＡ、Ｔ_ＩＦＢ、各処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、ＢＡＲＣ、ＴＡＲＣ、ＤＥＶ、ＰＨＰ１、ＰＨＰ２を制御する。なお、熱処理ユニットＰＨＰ１については、各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３、検査用主搬送機構Ｔ４ごとに、それらに対応する熱処理ユニットＰＨＰ１を制御する。

制御部９０は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。

次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。図９は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。図１０は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。以下では、搬送機構ごとに分けて説明する。なお、以下の各動作は、制御部９０による制御に基づいて行われる。

［ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤ］
ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは一のカセットＣに対向する位置に移動し、カセットＣに収容される一枚の未処理の基板Ｗを保持アーム２５に保持してカセットＣから搬出する（図１０におけるステップＳ１に対応する。以下、ステップの記号のみ付記する。）。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは保持アーム２５を旋回し昇降軸２３を昇降して載置部Ｐ１に対向する位置に移動し、保持している基板Ｗを載置部Ｐ１に載置する（ステップＳ２）。続いて、載置部Ｐ１２に移動する。通常、載置部Ｐ１２には塗布ブロックＢ１から払い出された基板Ｗが載置されている。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは載置部Ｐ１２に載置される基板Ｗを受け取って（ステップＳ２０）、カセットＣに収納する（ステップＳ２１）。なお、載置部Ｐ１２に基板Ｗがない場合はステップＳ２０、ステップＳ２１は省略される。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは上述した動作を繰り返し行う。

このようなＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤの動作により、ＩＤ部１は、カセットＣから塗布ブロックＢ１へ基板Ｗを搬送するとともに、塗布ブロックＢ１からカセットＣへ基板Ｗを搬送する。

［塗布用主搬送機構Ｔ１］
塗布用主搬送機構Ｔ１は載置部Ｐ１に対向する位置に移動し、保持アーム５７で載置部Ｐ１に載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ２）。続いて、塗布用主搬送機構Ｔ１は、一の下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに対向する位置に移動する。下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣには既に下部反射防止膜が形成された基板Ｗがある。塗布用主搬送機構Ｔ１は、基板Ｗを保持していない方の保持アーム５７で下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ内にある基板Ｗを搬出するとともに、載置部Ｐ１から受け取った基板Ｗを下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに搬入する（ステップＳ３）。なお、以下の説明においても、その他の各種処理ユニットに搬送機構Ｔがアクセスする際には、既に所定の処理を終えた基板Ｗが当該処理ユニットにあるものとする。

反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは新たに搬入された基板Ｗに対して所定の処理を開始する（ステップＳ３）。

具体的には、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに搬入された基板Ｗは、回転保持部３２に水平姿勢で載置される。回転保持部３２は基板Ｗを回転させる。ノズル移動機構３６は一のノズル３５を、回転する基板Ｗの略中心の上方まで移動させる。ノズル３５は下部反射防止膜用の処理液を基板Ｗに吐出する。基板Ｗの表面に供給さえた処理液は、基板Ｗの全面に広がる。基板Ｗの周縁部から捨てられる処理液は、カップ３３によって回収される。このようにして、基板Ｗに下部反射防止膜用の処理液が塗布され、基板Ｗに下部反射防止膜が形成される。

塗布用主搬送機構Ｔ１は下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ２に載置する（ステップＳ４）。

その後、塗布用主搬送機構Ｔ１は再び載置部Ｐ１にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。そして、各下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに基板Ｗを搬送する。これにより、各下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは、それぞれ並行して基板Ｗに処理を行う。

なお、上述した動作説明や図９、図１０では、便宜上、基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ１に対して搬送する動作および熱処理ユニットＰＨＰ１で基板Ｗを処理する動作を省略している。すなわち、実際は、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣで基板Ｗに処理を行う前および／または後に、熱処理ユニットＰＨＰ１で基板Ｗに熱処理が行われる。以下の説明においても、熱処理ユニットＰＨＰ１に関連する動作を省略するものとする。

［塗布用主搬送機構Ｔ２］
塗布用主搬送機構Ｔ２は載置部Ｐ３に対向する位置に移動する。載置部Ｐ３には、載置部Ｐ２に払いだされた基板Ｗが後述する載置部間搬送機構ＴＰによって搬送、載置されている。塗布用主搬送機構Ｔ２は載置部Ｐ３に載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ５）。塗布用主搬送機構Ｔ２は受け取った基板Ｗを一のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴに搬入するとともに、この処理ユニットＲＥＳＩＳＴから処理済の基板Ｗを搬出する（Ｓ６）。

レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ６）。具体的な動作は、塗布する処理液がレジスト膜材料であることを除けば、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの動作とほぼ同様である。これにより、基板Ｗに形成された下部反射防止膜の上部にレジスト膜が形成される。

塗布用主搬送機構Ｔ２はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ４に載置する（ステップＳ７）。

その後、塗布用主搬送機構Ｔ２は再び載置部Ｐ３にアクセスして上述した動作を繰り返し行い、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴに基板Ｗを搬送する。これにより、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは、それぞれ並行して基板Ｗに処理を行う。

［塗布用主搬送機構Ｔ３］
塗布用主搬送機構Ｔ３による基板Ｗの搬送は、上述した塗布用主搬送機構Ｔ１、２と略同様である。すなわち、載置部Ｐ５から各上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣに基板Ｗを搬送するとともに（ステップＳ８、Ｓ９）、各上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣから処理済の基板Ｗを載置部Ｐ６へ搬送する（ステップＳ９、Ｓ１０）。このような動作を、塗布用主搬送機構Ｔ３は繰り返す。

上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣでは、基板Ｗに上部反射防止膜用の処理液を塗布する（ステップＳ９）。これにより、基板Ｗ上のレジスト膜の上部に上部反射防止膜が形成される。

［検査用主搬送機構Ｔ４］
検査用主搬送機構Ｔ４は載置部Ｐ１１に対向する位置に移動する。載置部Ｐ１１には、現像ブロックＢ２から払い出された基板Ｗが現像用主搬送機構Ｔ５によって載置されている。検査用主搬送機構Ｔ４は載置部Ｐ１１に載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ１８）。検査用主搬送機構Ｔ４は受け取った基板Ｗを検査ユニットＭＩに搬入するとともに、この検査ユニットＭＩから処理済の基板Ｗを搬出する（Ｓ１９）。

検査ユニットＭＩは、新たに搬入された基板Ｗに形成されたパターンの線幅を計測・検査する（ステップＳ１９）。検査用主搬送機構Ｔ４は検査ユニットＭＩから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ１２に載置する（ステップＳ２０）。

その後、検査用主搬送機構Ｔ４は再び載置部Ｐ１１にアクセスして上述した動作を繰り返し行い、各検査ユニットＭＩに基板Ｗを搬送する。これにより、各検査ユニットＭＩは、それぞれ並行して基板Ｗに処理を行う。

なお、上述した検査用主搬送機構Ｔ４の動作説明においても、便宜上、熱処理ユニットＰＨＰ１を省略している。この検査用主搬送機構Ｔ４に対応する熱処理ユニットＰＨＰ１における熱処理は、検査ユニットＭＩにおける検査に関連して行われるほか、現像処理ユニットＤＥＶにおける現像処理に関連して行われる。

［載置部間搬送機構ＴＰ］
載置部間搬送機構ＴＰは、載置部Ｐ２に対向する位置に移動する。載置部Ｐ２には、塗布用主搬送機構Ｔ１から払い出された基板Ｗが載置されている。載置部間搬送機構ＴＰは載置部Ｐ２に載置されている基板Ｗを受け取り（ステップＳ４）、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ３に載置する（ステップＳ５）。

続いて、載置部間搬送機構ＴＰは、載置部Ｐ４に載置されている基板Ｗを受け取り（ステップＳ７）、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ５に載置する（ステップＳ８）。なお、載置部Ｐ４には、塗布用主搬送機構Ｔ２によって払い出された基板Ｗが載置される。

さらに、載置部間搬送機構ＴＰは、載置部Ｐ６に載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ７）。載置部間搬送機構ＴＰは旋回してＩＦ部５に対向する位置に移動する。そして、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ７に載置する（ステップＳ８）。

その後、載置部間搬送機構ＴＰは再び載置部Ｐ２にアクセスして上述した動作を繰り返し行い、載置部Ｐ２−Ｐ３間および載置部Ｐ４−Ｐ５間で、基板Ｗを昇降移動させる。また、塗布ブロックＢ１から載置部Ｐ６に払い出された基板Ｗを、載置部Ｐ７を介してＩＦ部５へ搬送する。基板Ｗが塗布ブロックＢ１からＩＦ部５へ搬送される際、基板Ｗは現像ブロックＢ２を経由しない。

［現像用主搬送機構Ｔ５］
現像用主搬送機構Ｔ５は載置部Ｐ１０に対向する位置に移動する。載置部Ｐ１０には、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡによって払い出された基板Ｗが載置されている。現像用主搬送機構Ｔ５は載置部Ｐ１０に載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ１６）。続いて、現像用主搬送機構Ｔ５は、一の現像処理ユニットＤＥＶに対向する位置に移動する。この現像処理ユニットＤＥＶには既に現像処理が行われた基板Ｗがある。現像用主搬送機構Ｔ５は、現像処理ユニットＤＥＶから処理済みの基板Ｗを搬出するとともに、載置部Ｐ１０から受け取った基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶに搬入する（ステップＳ１７）。

現像処理ユニットＤＥＶは新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ１７）。具体的には、現像処理ユニットＤＥＶに搬入された基板Ｗは、回転保持部７１に水平姿勢で載置される。回転保持部７１は基板Ｗを回転させる。供給部７５は基板Ｗの略中心の上方まで旋回移動し、現像液を基板Ｗに供給する。これにより、現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを現像する。

現像用主搬送機構Ｔ５は、現像処理ユニットＤＥＶから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ１１に載置する（ステップＳ１８）。

その後、現像用主搬送機構Ｔ５は再び載置部Ｐ１０にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。そして、各現像処理ユニットＤＥＶに基板Ｗを搬送する。これにより、現像処理ユニットＤＥＶはそれぞれ並行して基板Ｗを現像する。

［ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦ〜第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡ］
第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部Ｐ７にアクセスし、載置部Ｐ７に載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１）。第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部Ｐ８に対向する位置まで移動し、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ８に載置する（ステップＳ１２）。

次に、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部Ｐ９から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１４）、熱処理ユニットＰＨＰ２に対向する位置に移動する。そして、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは熱処理ユニットＰＨＰ２からすでに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部Ｐ９から受け取った基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ２に搬入する。熱処理ユニットＰＨＰ２では新たに搬入された基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１５）。これにより、基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が行われる。第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは熱処理ユニットＰＨＰ２から取り出した基板Ｗを載置部１０に搬送する（ステップＳ１６）。

その後、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは再び載置部Ｐ７にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。

［ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦ〜第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢ］
第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは載置部Ｐ８から基板Ｗを取り出して、露光機ＥＸＰに搬送する。そして、露光機ＥＸＰから払い出される露光済みの基板Ｗを受け取ると、載置部Ｐ９に搬送する。

その後、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは再び載置部Ｐ７にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。

このように、実施例１に係る基板処理装置によれば、処理液の種類が同じ複数の塗布処理ユニット３１は全て略水平方向に並べて配置されている。このため、略水平方向に並設される各塗布処理ユニット３１の環境（圧力や温度など）を等しくすることができる。このため、これら塗布処理ユニット３１間で、基板Ｗに形成する被膜の膜厚を精度よく等しくすることができ、基板Ｗの処理品質を均一にすることができる。

また、処理液の種類が異なる塗布処理ユニット３１は、互いに略上下方向に並べて配置されている。このため、塗布ブロックＢ１の床面積の増大を抑制することができる。

また、現像ブロックＢ２は塗布ブロックＢ１の側方に配置されているので、塗布ブロックＢ１の上下方向に現像ブロックを積層する場合に比べて、現像ブロックＢ２の高さ制限がない。このような現像ブロックＢ２において現像処理ユニットＤＥＶは略上下方向に並べて配置されている。このため、現像ブロックＢ２の床面積の増大を抑制しつつ、現像処理ユニットＤＥＶの搭載台数の変動に好適に対応対応することができる。本実施例では、現像ブロックＢ２の床面積を変えることなく、１台から８台までの現像処理ユニットＤＥＶの設置台数に対応することができる。これにより、各現像処理ユニットＤＥＶにおける処理時間を長くしたり短くする場合でも、現像ブロックＢ２全体のスループットを好適に調整することができる。

また、塗布処理ユニット３１の各高さ位置ごとに、塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３を備え、各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３は塗布ブロックＢ１における基板Ｗの搬送を分担する。このため、基板Ｗの搬送ロスを低減し、塗布ブロックＢ１のスループットが低下することを抑制することができる。

また、各塗布処理ユニット３１は、対応する塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３の一側方のみに配置されているので、各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３がそれぞれ対応する塗布処理ユニット３１にアクセスする方向を一定にすることができる。また、平面視における塗布処理ユニット３１の位置は各層間で同じであるので、塗布ブロックＢ１の構造を簡略化することができる。

また、熱処理ユニットＰＨＰ１は、塗布用主搬送機構Ｔを挟んで塗布処理ユニット３１と対向する位置に配置されている。このため、熱処理ユニットＰＨＰ１からの熱的影響が塗布処理ユニット３１に及ぶことを好適に抑制できる。

また、各塗布用主搬送機構Ｔはそれぞれ、対応する塗布処理ユニット３１と略同じ高さ位置に配置されているため、各塗布用主搬送機構Ｔの搬送領域Ａ間を遮断板２７によって仕切ることができる。これにより、各層の塗布処理ユニット３１の環境をそれぞれ好適に管理することができる。

また、各塗布用主搬送機構Ｔが基板Ｗを載置する載置部Ｐ２−Ｐ６と、これら載置部Ｐ２−Ｐ６間で基板Ｗを搬送する載置部間搬送機構ＴＰを備えていることで、各塗布用主搬送機構Ｔ間で好適に基板Ｗの受け渡しを行うことができる。また、載置部Ｐ２−Ｐ６は上下方向に並べられているので、載置部間搬送機構ＴＰが載置部Ｐ２−Ｐ６間で効率よく基板Ｗを搬送することができる。

また、載置部Ｐ２−Ｐ６は、塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２との間に配置されているので、塗布ブロックＢ１から払い出された基板ＷをＩＦ部５へ搬送する際は、基板Ｗの搬送距離は比較的短くて済むので、基板Ｗの搬送時間を低減することができる。

また、載置部間搬送機構ＴＰはＩＦ部５にも対向可能に構成されて、載置部間搬送機構ＴＰは現像ブロックＢ２を経由することなく塗布ブロックＢ１からＩＦ部５へ基板Ｗを搬送することができる。このため、現像用主搬送機構Ｔ５の基板Ｗの搬送はＩＦ部５から塗布ブロックＢ１へ向かう一方向のみとすることができ、現像用主搬送機構Ｔ５の動作を簡略化することができる。

また、塗布ブロックＢ１は検査ユニットＭＩを備えているので、現像処理、または、現像処理に塗布処理や露光を含めた一連の処理品質を好適に計測、検査することができる。
また、検査ユニットＭＩは塗布処理ユニット３１の下方に積層されているので、塗布ブロックＢ１の床面積が増大することを抑制することができる。

また、検査ユニットＭＩに対して基板Ｗを搬送する検査用主搬送機構Ｔ４を備えているので、
塗布ブロックＢ１における基板Ｗの搬送効率が低下することがない。

また、検査用主搬送機構Ｔ４はＩＤ部１へ基板Ｗを払い出すように構成しているので、各塗布用主搬送機構Ｔは露光前の基板Ｗのみを搬送させることができる。言い換えれば、ＩＦ部５（現像ブロックＢ２）からＩＤ部１に戻る基板Ｗの搬送を各塗布用主搬送機構Ｔが負担しなくてもよいため、各塗布用主搬送機構Ｔの動作を簡略化することができる。

この結果、図９に明示されるように、ＩＤ部１とＩＦ部５の間で、露光前の基板Ｗを搬送する搬送機構（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、ＴＰ）と、露光後の基板Ｗを搬送する搬送機構（Ｔ５、Ｔ４）とが互いに異なるように動作させることができる。

以下、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。実施例２は、実施例１と同様に、基板Ｗにレジスト膜等を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置である。図１１は、実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図１２と図１３は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図１４は、図１１におけるａ−ａ矢視の垂直断面図である。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

塗布ブロックＢ１は、３台のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴと、３台の下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣとを備えている。３台のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは全て、略水平方向に並べられている。これらレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの下方に、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣが積層されている。３台の下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは全て、略水平方向に並べられている。

塗布ブロックＢ１は、２台の塗布用主搬送機構Ｔ６、Ｔ７を備えている。塗布用搬送機構Ｔ６は、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと対応する熱処理ユニットＰＨＰ１と、載置部Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２５、Ｐ２６（後述）とに対して基板Ｗを搬送する。塗布用搬送機構Ｔ７は、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴと対応する熱処理ユニットＰＨＰ１と、載置部Ｐ２３、Ｐ２４（後述）とに対して基板Ｗを搬送する。各塗布用主搬送機構Ｔ６、Ｔ７の搬送領域は区画されておらず、各搬送領域の雰囲気は互いに連通している（互いに遮断されていない）。

塗布ブロックＢ１とＩＤ部１との間には、基板Ｗを載置する載置部Ｐ２１、Ｐ２６が設けられている。各載置部Ｐ２１、Ｐ２６は、塗布用主搬送機構Ｔ６と対向する位置に、互いに上下方向に並べて配置されている。

塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２との間には、基板Ｗを載置する４台の載置部Ｐ２２−Ｐ２６が設けられている。載置部Ｐ２２、Ｐ２５は、塗布用主搬送機構Ｔ６と対向する位置に配置されている。載置部Ｐ２３、Ｐ２４は、塗布用主搬送機構Ｔ７と対向する位置に配置されている。各載置部Ｐ２２−Ｐ２６は、互いに上下方向に並べて配置されている。

塗布用主搬送機構Ｔ６、Ｔ７について説明する。各塗布用主搬送機構Ｔ６、Ｔ７はともに支柱１０１に昇降自在に支持されている。支柱１０１は、塗布ブロックＢ１の略中央に垂直に設置されている。主搬送機構Ｔ６、Ｔ７はそれぞれ昇降ベース部１０３と、回転台１０５と、１対の保持アーム１０７ａ、１０７ｂとを備えている。昇降ベース部１０３は、支柱１０１に昇降可能かつ回転可能に取り付けられている。回転台１０５は、昇降ベース部１０３に回転可能に保持されている。保持アーム１０７ａ、１０７ｂはそれぞれ、回転台１０５にスライド移動可能に取り付けられている。

塗布ブロックＢ１とＩＦ部５との間には副搬送機構ＴＳが設けられている。副搬送機構ＴＳは、載置部Ｐ２４と載置部Ｐ７との間で基板Ｗを搬送する。実施例２では、副搬送機構ＴＳは、現像用主搬送機構Ｔ５の搬送領域Ａ５の一側方の上部に設置されている。副搬送機構ＴＳは、固定台１１１と、固定台１１１に水平面内で回転可能に保持される回転台１１３と、回転台１１３に進退可能に保持される単一の保持アーム１１５とを備えている。そして、副搬送機構ＴＳは、載置部Ｐ２４と載置部Ｐ７に対して基板Ｗを搬送する。

現像ブロックＢ２は、熱処理ユニットＰＨＰ２に加えて、熱処理ユニットＰＨＰ３を備えている。熱処理ユニットＰＨＰ２は第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡによって基板Ｗが搬送され、熱処理ユニットＰＨＰ３は現像用主搬送機構Ｔ５によって基板Ｗが搬送される。現像用主搬送機構Ｔ５は、さらに載置部Ｐ２２、Ｐ２３、Ｐ２５に対して基板Ｗを搬送する。

次に、実施例２に係る基板処理装置の動作について簡単に説明する。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは、カセットＣから載置部Ｐ２１に基板Ｗを搬送するとともに、載置部Ｐ２６に基板Ｗが載置されると、その基板Ｗを受け取ってカセットＣに搬送する。載置部Ｐ２６には塗布ブロックＢ１から払い出された基板Ｗが載置される。

塗布用主搬送機構Ｔ６は、載置部Ｐ２１から基板Ｗを受け取り、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに基板Ｗを搬入する。また、塗布用主搬送機構Ｔ６は、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣから処理済みの基板Ｗを搬出して、載置部Ｐ２２に載置する。なお、載置部Ｐ２２に払いだされた基板Ｗは、現像用主搬送機構Ｔ５によって載置部Ｐ２３に移される。

塗布用主搬送機構Ｔ７は、載置部Ｐ２３から基板Ｗを受け取り、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴに基板Ｗを搬入する。また、塗布用主搬送機構Ｔ６は、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴから処理済みの基板Ｗを搬出して、載置部Ｐ２４に載置する。

副搬送機構ＴＳは、載置部Ｐ２４に載置された基板Ｗを載置部Ｐ７へ搬送する。載置部Ｐ７に搬送された基板Ｗは、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡ、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢによって、露光機ＥＸＰと熱処理ユニットＰＨＰ２に搬送され、その後に載置部Ｐ１０に払い出される。

現像用主搬送機構Ｔ５は、載置部Ｐ１０に払い出された基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶと熱処理ユニットＰＨＰ３に搬送する。そして、現像ブロックＢ２における処理が済んだ基板Ｗを載置部Ｐ２５に払い出す。また、上述したように、現像用主搬送機構Ｔ５は載置部Ｐ２２に払いだされた基板Ｗを受け取って、載置部Ｐ２３に搬送する。

このように、実施例２に係る基板処理装置によっても、処理液の種類が同じ複数の塗布処理ユニット３１は全て略水平方向に並べて配置されている。このため、略水平方向に並設される各塗布処理ユニット３１の環境（圧力や温度など）を等しくすることができる。このため、これら塗布処理ユニット３１間で、基板Ｗに形成する被膜の膜厚を精度よく等しくすることができ、基板Ｗの処理品質を均一にすることができる。

また、現像用主搬送機構Ｔ５が載置部Ｐ２２と載置部Ｐ２３との間で基板Ｗを搬送することで、各塗布用主搬送機構Ｔ７、Ｔ８間の基板Ｗの受け渡しを行うように構成しているので、実施例１で説明した載置部間搬送機構ＴＰを省略することができる。

また、副搬送機構ＴＳを備えることで、現像ブロックＢ２を経由することなく塗布ブロックＢ１からＩＦ部５へ基板Ｗを搬送することができる。このため、現像用主搬送機構Ｔ５の基板Ｗの搬送はＩＦ部５から塗布ブロックＢ１へ向かう一方向のみとすることができる。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例１では、各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３の間で基板Ｗの受け渡しを行うための載置部Ｐ２−Ｐ５を塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２との間に配置していたが、これに限られない。例えば、載置部Ｐ２−Ｐ５をＩＤ部１と塗布ブロックＢ１との間に配置してもよい。

図１５、図１６を参照する。図１５は、変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図１６は、図１５におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。

図示するように、変形例に係る基板処理装置は、塗布ブロックＢ１とＩＤ部１との間に載置部Ｐ２´−Ｐ５´を備えている。載置部Ｐ２´は、塗布用主搬送機構Ｔ１と対向する位置に配置され、載置部Ｐ３´、Ｐ４´は塗布用主搬送機構Ｔ２と対向する位置に配置され、載置部Ｐ５´は塗布用主搬送機構Ｔ３と対向する位置に配置されている。塗布ブロックＢ１とＩＤ部１との間であって各載置部Ｐ２´−Ｐ５´に対向する位置に昇降搬送機構ＴＥを備えている。昇降搬送機構ＴＥは基板Ｗを上下方向に搬送して、各載置部Ｐ２´−Ｐ５´間で基板Ｗを搬送する。この昇降搬送機構ＴＥの動作により各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３間で好適に基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

（２）上述した各実施例では、各高さ位置に設けられる塗布処理ユニット３１ごとに複数の塗布用主搬送機構Ｔを備えていたが、これに限られない。各層の塗布処理ユニット３１のそれぞれに対して基板Ｗを搬送する単一の塗布用主搬送を備えるように変更してもよい。

図１７、図１８を参照する。図１７は、変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図１８は、図１７におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。

図示するように、塗布ブロックＢ１は単一の塗布用主搬送機構Ｔ８を備えている。また、塗布ブロックＢ１とＩＤ部１との間には基板Ｗを載置する載置部Ｐ３１、Ｐ３４が設けられている。塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２との間には載置部Ｐ３２、Ｐ３３が設けられている。

塗布用主搬送機構Ｔ８は、塗布ブロックＢ１に搭載される全ての塗布処理ユニット３１と検査ユニットＭＩ、および、各載置部Ｐ３１−Ｐ３４に対して基板Ｗを搬送する。また、現像用主搬送機構Ｔ５は、現像処理ユニットＤＥＶ、熱処理ユニットＰＨＰ３および載置部Ｐ３２、Ｐ３３、Ｐ７、Ｐ１０に基板Ｗを搬送する。

塗布用主搬送機構Ｔ８の構成は、現像用主搬送機構Ｔ５と略同様である。すなわち、塗布用主搬送機構Ｔ８は、固定台１２１と、上下方向に昇降可能に固定台１２１に保持される昇降軸１２３と、昇降軸１２３に旋回可能に保持される回転台１２５と、回転台１２５に進退可能に保持される二つの保持アーム１２７ａ、１２７ｂとを備えている。

このように構成される変形例では、次のように動作する。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは、カセットＣから載置部Ｐ３１に基板Ｗを搬送するとともに、載置部Ｐ３４に基板Ｗが載置されると、その基板Ｗを受け取ってカセットＣに搬送する。

塗布用主搬送機構Ｔ８は、載置部Ｐ３１から基板Ｗを受け取り、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣに順次基板Ｗを搬送する。そして、各種の塗布処理ユニット３１で一連の処理が済んだ基板Ｗを載置部Ｐ３２に払い出す。また、塗布用主搬送機構Ｔ８は、載置部Ｐ３３に載置された基板Ｗを受け取り、適宜に検査ユニットＭＩに経由して載置部Ｐ３４に載置する。

現像用主搬送機構Ｔ５は、載置部Ｐ３２に載置された基板Ｗを受け取り、載置部Ｐ７に載置する。また、載置部Ｐ１０に払い出された基板Ｗを、現像処理ユニットＤＥＶと熱処理ユニットＰＨＰ３に搬送する。そして、現像ブロックＢ２における処理が済んだ基板Ｗを載置部Ｐ３３に払い出す。なお、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡ、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢによる動作は実施例１と同じである。

このように、変形例に係る基板処理装置によっても、処理液の種類ごとに処理ユニット３１を同じ高さ位置に並べて配置することができるので、処理液の種類が同じ処理ユニット３１間で、基板Ｗの処理品質を均一にすることができる。

また、全ての処理ユニット３１に対して基板Ｗを搬送可能な単一の塗布用主搬送機構Ｔ８を備えているので、実施例１で説明した載置部間搬送機構ＴＰを省略することができる。また、現像用主搬送機構Ｔ５は塗布ブロックＢ１から払い出された基板ＷをＩＦ部５へ搬送するので、実施例２で説明した副搬送機構も省略することができる。

（３）上述した各実施例では、塗布ブロックＢ１に搭載する処理ユニット３１について、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴや下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣなどを例示したが、これに限られない。基板Ｗの処理内容に応じて、処理ユニット３１の種類や、塗布ブロックＢ１に搭載する塗布処理ユニット３１の組み合わせを適宜に処理液の種類選択、変更することができる。また、各種の処理ユニット３１を積層する順番も、実施例の例示に限定されることなく、適宜に選択、変更することができる。

（４）上述した実施例１では、検査ユニットＭＩは、現像処理が行われた後の基板Ｗについてレジスト膜の線幅を計測・検査すると説明したが、計測、検査の内容はこれに限られない。たとえば、基板Ｗに塗布されたレジスト膜や反射防止膜の厚みを計測・検査する検査ユニットに変更してもよい。

（５）上述した各実施例１、２では、現像処理ユニットＤＥＶは略水平方向に複数（２台）並べて配置されているが、これに限られない。すなわち、各段に単一の現像処理ユニットが設けるように変更してもよい。

（６）上述した各実施例１、２および各変形例で説明した基板処理装置の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。

実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 図１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。 塗布用主搬送機構の斜視図である。 （ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるａ−ａ矢視の垂直断面図である。 実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。 基板に行う一連の処理をフローチャートである。 各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。 実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 図１１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。 変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図１５におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。 変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図１７におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。

符号の説明

１ …インデクサ部（ＩＤ部）
３ …処理部
５ …インターフェイス部（ＩＦ部）
２７ …遮断板
３１ …塗布処理ユニット
９０ …制御部
Ｂ１ …塗布ブロック
Ｂ２ …現像ブロック
ＢＡＲＣ …下部反射防止膜用塗布処理ユニット
ＲＥＳＩＳＴ …レジスト膜用塗布処理ユニット
ＴＡＲＣ …上部反射防止膜用塗布処理ユニット
ＤＥＶ …現像処理ユニット
ＰＨＰ１、ＰＨＰ２、ＰＨＰ３ …熱処理ユニット
ＭＩ …検査ユニット
Ｔ_ＩＤ…ＩＤ用搬送機構
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ６、Ｔ７、Ｔ８ …塗布用主搬送機構
Ｔ４ …検査用主搬送機構
Ｔ５ …現像用主搬送機構
ＴＰ …載置部間搬送機構
ＴＳ …副搬送機構
Ｔ_ＩＦ …ＩＦ用搬送機構
Ｐ …載置部
Ａ …搬送領域
ＥＸＰ …露光機
Ｃ …カセット
Ｗ …基板

Claims (14)

1. 基板に処理を行う基板処理装置において、
   基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットを塗布する処理液の種類ごとにそれぞれ複数有する塗布ブロックと、
   基板に現像液を供給する複数の現像処理ユニットを有し、前記塗布ブロックの一側方に隣接して設けられる現像ブロックと、
   を備え、
   各塗布処理ユニットは塗布する処理液の種類ごとに異なる高さ位置で互いに略上下方向に並べて配置され、かつ、処理液の種類が同じ塗布処理ユニット同士は略水平方向に並べて配置され、
   前記現像処理ユニットは略上下方向に並べて配置されていることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記塗布ブロックは、前記塗布処理ユニットが配置される高さ位置ごとに別個に設けられ、同じ種類の処理液を塗布する塗布処理ユニットに対して基板を搬送する塗布用主搬送機構を備え、
   前記現像ブロックは、各現像処理ユニットに対して基板を搬送する単一の現像用主搬送機構を備えていることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   各塗布用主搬送機構によって基板が搬送される塗布処理ユニットは、当該塗布用主搬送機構の一側方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
   前記塗布ブロックは、基板に熱処理を行う複数の熱処理ユニットを備え、
   前記熱処理ユニットは、各塗布用主搬送機構を挟んで塗布処理ユニットと略水平方向に対向する位置に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項３または請求項４に記載の基板処理装置において、
   各塗布用主搬送機構はそれぞれ、対応する塗布処理ユニットと略同じ高さ位置に配置されており、
   前記塗布ブロックは、各塗布用主搬送機構の間にそれぞれ設けられ、各塗布用主搬送機構の搬送領域の雰囲気を互いに遮断する遮断板を備えていることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項３から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記塗布用主搬送機構ごとに設けられ、当該塗布用主搬送機構が基板を載置可能な載置部と、
   各載置部の間で基板を搬送する載置部間搬送機構と、
   をさらに備えていることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置において、
   各載置部は、前記塗布ブロックと前記現像ブロックとの間に配置され、
   前記載置部間搬送機構は、前記塗布ブロックと前記現像ブロックとの間であって、前記載置部と対向する位置に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項７に記載の基板処理装置において、
   前記装置は、前記現像ブロックの前記塗布ブロックが隣接する側とは反対側に隣接して設けられ、前記装置とは別体の露光機との間で基板を搬送するインターフェイス部を備え、
   前記載置部間搬送機構は前記インターフェイス部にも対向可能に構成されて、前記載置部間搬送機構は前記現像ブロックを経由することなく前記塗布ブロックから前記インターフェイス部へ基板を搬送することを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項１から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記塗布ブロックは、前記塗布処理ユニットの上方または下方に積層されて、基板を検査する検査ユニットを備えていることを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記塗布ブロックは、前記検査ユニットの側方に配置され、前記現像ブロックから払い出される基板を受け取るとともに、前記検査ユニットに対して基板を搬送する検査用主搬送機構を備えていることを特徴とする基板処理装置。
11. 請求項１０に記載の基板処理装置において、
    前記塗布ブロックの前記現像ブロックが隣接する側とは反対側に隣接して設けられ、基板を収容するカセットに対して基板を搬送するとともに前記塗布ブロックとの間で基板を受け渡すインデクサ部を備え、
    前記検査用主搬送機構は、さらに前記インデクサ部へ基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。
12. 請求項１０または請求項１１に記載の基板処理装置において、
    前記検査用主搬送機構の側方に設けられ、基板に熱処理を行う熱処理ユニットを備えていることを特徴とする基板処理装置。
13. 請求項１から請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記塗布処理ユニットは、
    レジスト膜材料を基板に塗布する複数のレジスト膜用塗布処理ユニットと、
    反射防止膜用の処理液を基板に塗布する複数の反射防止膜用塗布処理ユニットと、
    を含むことを特徴とする基板処理装置。
14. 請求項１３に記載の基板処理装置において、
    前記反射防止膜用塗布処理ユニットはさらに、レジスト膜の下部に形成する反射防止膜用の処理液を基板に塗布する下部反射防止膜用塗布処理ユニット、および、レジスト膜の上部に形成する反射防止膜用の処理液を基板に塗布する上部反射防止膜用塗布処理ユニットの少なくともいずれかを含むことを特徴とする基板処理装置。

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