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JP2009220265A - 化学機械研磨パッド - Google Patents

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JP2009220265A
JP2009220265A JP2009007238A JP2009007238A JP2009220265A JP 2009220265 A JP2009220265 A JP 2009220265A JP 2009007238 A JP2009007238 A JP 2009007238A JP 2009007238 A JP2009007238 A JP 2009007238A JP 2009220265 A JP2009220265 A JP 2009220265A
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polishing
chemical mechanical
mechanical polishing
polishing pad
angle
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JP2009007238A
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Masayuki Motonari
正之 元成
Tomikazu Ueno
富和 植野
Masahiro Yamamoto
雅浩 山本
Yugo Tai
祐吾 田井
Hiroyuki Miyauchi
裕之 宮内
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JSR Corp
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Abstract

【課題】研磨時に生じる被研磨面のスクラッチを低減することのできる化学機械研磨パッドを提供する。
【解決手段】化学機械研磨に用いられる化学機械研磨パッドであって、研磨面と、前記研磨面の反対側にある非研磨面と、前記研磨面の外縁と前記非研磨面の外縁とを接続する側面と、前記研磨面側に設けられた複数の溝と、を含み、前記側面は、前記研磨面と接続する傾斜面を有し、前記溝の深さは、前記傾斜面の高さ以下である。
【選択図】図1

Description

本発明は、化学機械研磨パッドに関する。
近年、半導体装置の形成等において、シリコン基板又はその上に配線や電極等を形成されたシリコン基板(以下、「半導体ウエハ」という。)につき、優れた平坦性を有する表面を形成することができる研磨方法として、化学機械研磨方法(Chemical Mechanical Polishing、一般に「CMP」と略称される。)が注目されている。化学機械研磨方法は化学機械研磨パッドと被研磨面とを摺動させながら、パッド表面に、化学機械研磨用水系分散体(砥粒が分散された水系分散体;スラリー)を流下させて研磨を行う技術である。この化学機械研磨方法においては、化学機械研磨パッドの性状及び特性等により研磨結果が大きく左右されることが知られており、従来から様々な化学機械研磨パッドが提案されている。
例えば、微細な気泡を含有するポリウレタンフォームを化学機械研磨パッドとして用い、このパッドの表面に開する穴(以下、「ポア」という)に化学機械研磨用水系分散体を保持させて研磨を行うための化学機械研磨パッドが古くから知られている。(例えば、特許文献1〜3参照。)。
このようなパッドを用いた従来のCMPは、半導体ウエハを研磨パッドの表面へ圧接させた状態で研磨パッド上にスラリーを供給して研磨するため、研磨処理後に研磨パッド表面から負荷を与えることなく半導体ウエハを引き離すことが困難であった。また、研磨パッド表面からの半導体ウエハの引き離しが原因で、研磨パッドと、研磨パッドを載置する研磨定盤との密着力が弱まり、研磨パッドとドレッサーまたは半導体ウエハとの間に摩擦が生じる結果、研磨パッド周端部が研磨定盤から剥がれたり、研磨パッドを構成する研磨層とクッション層との間に剥がれが生じたりする問題が生じる。その結果、半導体ウエハの脱落、研磨パッドの破れ、研磨パッド表面の異常磨耗が発生して、研磨パッドの耐久性や研磨特性が悪化するという問題が生じる。
この問題を解決するために、特許文献4には、周端に研磨表面部より高さの低い低位外周部を有する研磨パッドを用いることで剥がれが改善できる技術が記載されている。
しかしながら、該技術により剥がれは改善されるとしても、被研磨物である半導体ウエハの表面欠陥(スクラッチ)の低減は不十分であり、改善を図る必要がある。
特開平11−70463号公報 特開平8−216029号公報 特開平8−39423号公報 特開2006−196836号公報
本発明は、研磨時に生じる被研磨面のスクラッチを低減することのできるとともに、耐久性が良好である化学機械研磨パッドを提供する。
本発明の一態様に係る化学機械研磨パッドは、
化学機械研磨に用いられる化学機械研磨パッドであって、
研磨面と、
前記研磨面の反対側にある非研磨面と、
前記研磨面の外縁と前記非研磨面の外縁とを接続する側面と、
前記研磨面側に設けられた複数の溝と、
を含み、
前記側面は、前記研磨面と接続する傾斜面を有し、
前記溝の深さは、前記傾斜面の高さ以下である。
上記化学機械研磨パッドにおいて、
前記化学機械研磨パッドの内部において前記研磨面と前記傾斜面とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が90°より大きく180°より小さい角度θであることができる。
上記化学機械研磨パッドにおいて、
前記研磨面は円形状であり、
当該化学機械研磨パッドは、前記研磨面側に複数の環状の溝をさらに含み、
前記研磨面と前記複数の環状の溝とは同心円状であり、
前記外縁に最も近い前記溝と前記外縁との距離eの、互いに隣り合う溝の間隔dに対する比率e/dが0.3〜2の範囲内であることができる。
上記化学機械研磨パッドにおいて、
前記傾斜面は、前記研磨面となす角の角度が異なる第1の傾斜面と第2の傾斜面とからなり、
前記第1の傾斜面は、当該化学機械研磨パッドの内部において前記研磨面とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が90°より大きく180°より小さい角度θで前記研磨面および前記第2の傾斜面と接続し、
前記第2の傾斜面は、当該化学機械研磨パッドの内部において前記研磨面とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が90°より大きく180°より小さい角度θで前記第1の傾斜面と接続することができる。
上記化学機械研磨パッドにおいて、
前記側面は、前記外縁側から順に、第1の面と、第2の面と、第3の面と、第4の面とを有し、
前記第1の面は、当該化学機械研磨パッドの内部において前記研磨面とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が90°より大きく180°より小さい角度θで前記研磨面および前記第2の面と接続し、
前記第2の面は、当該化学機械研磨パッドの内部において前記研磨面とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が前記第1の面より小さい角度θで前記第1の面および前記第3の面と接続し、
前記第3の面は、前記研磨面と平行な角度で前記第2の面および前記第4の面と接続し、
前記第4の面は、当該化学機械研磨パッドの内部において前記研磨面とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が前記第1の面より小さい角度θで前記第3の面および前記非研磨面と接続することができる。
上記化学機械研磨パッドにおいて、
前記傾斜面は、前記研磨面の外縁の全体を取り囲むように設けられていることができる。
上記化学機械研磨パッドは、研磨面と、前記研磨面の反対側にある非研磨面と、研磨面の外縁と非研磨面の外縁とを接続する側面と、研磨面側に設けられた複数の溝とを含む。そして前記側面は、研磨面と接続する傾斜面を有し、溝の深さは、傾斜面の高さ以下である。
化学機械研磨パッドは、研磨面側に溝を有することにより、効率よく基板等を研磨することができる。そして研磨工程が進行することによって研磨面が摩耗して溝がなくなるまで研磨性能が維持される。また、化学機械研磨パッドは、研磨面側に傾斜面を有することにより、基板等の被研磨面に発生するスクラッチを低減することができる。傾斜面も溝と同様に、研磨面の摩耗によって削られてしまい、この効果もなくなってしまうことがある。
しかしながら、上記化学機械研磨パッドによれば、傾斜面の高さを溝の深さ以上にすることによって、研磨面の摩耗が進んだ場合であっても、溝が存在する間は、傾斜面が存在することとなり、上述したスクラッチ低減効果を維持し続けることができる。
本実施の形態に係る化学機械研磨パッドを示す断面図である。 図1における領域IIの拡大図であり、研磨層の詳細な形状を示す断面図である。 第1の変形例に係る研磨層の詳細な形状を示す断面図である。 第2の変形例に係る研磨層の詳細な形状を示す断面図である。 第3の変形例に係る研磨層の詳細な形状を示す断面図である。 第4の変形例に係る研磨層の詳細な形状を示す断面図である。 本実施の形態に係る研磨層11の上面を示す図である。 第5の変形例に係る研磨層11の上面を示す図である。 第6の変形例に係る研磨層11の上面を示す図である。
1.化学機械研磨パッド
図1は、本実施の形態に係る化学機械研磨パッドを示す断面図である(図1では研磨面に設けられた後述の溝は省略した。)。本実施の形態に係る化学機械研磨パッド10は、研磨層11と、研磨層11と研磨装置定盤13との間に設けられる支持層12とを含む。
以下、研磨層11と支持層12の詳細についてそれぞれ説明する。
1.1.研磨層の形状
図2は、図1における領域IIの拡大図であり、研磨層の詳細な形状を示す図である。図7は、研磨層11の上面を示す図である。研磨層11は、被研磨面と接触して化学機械研磨を行うための研磨面20と、研磨面の反対側にある非研磨面22と、研磨面20の外縁26と非研磨面22の外縁とを接続する側面24と、研磨面20側に設けられた複数の溝16を含む。図1においては、化学機械研磨パッド10の上面が研磨面20であり、下面が非研磨面22である。
研磨面20は、平坦面である。研磨層11の平面形状は特に限定されないが、たとえば円形状であることができる。研磨層11の大きさは、特に限定されないが、たとえば直径150mm〜1200mmであることができ、好ましくは500mm〜800mmであることができる。研磨層11の厚さは、たとえば0.5mm〜5.0mmであることができ、好ましくは1.0mm〜3.0mmであることができ、より好ましくは1.5mm〜3.0mmであることができる。
化学機械研磨パッド10の研磨層11は、研磨面上に複数の溝16を有することができる。この溝は、化学機械研磨の際に供給される化学機械用水系分散体を保持し、これを研磨面により均一に分配するとともに、研磨くずや使用済み水系分散体等の廃棄物を一時的に滞留させ、外部へ排出するための経路となる機能を有する。
また溝16の形状についても特に限定されないが、たとえば図7に示すように、研磨面20の中心から外縁26方向へ向かって徐々に直径の拡大する複数の環状であることができる。この複数の環状の溝16は、互いに交叉しない円形、楕円形、または多角形等であることができる。これらの環状の形状は、図7に示すように、研磨面20の形状と同心であることが好ましい。環状の溝16は、たとえば20〜400本であることができる。
本実施の形態において溝16は、中央部に対して均一に圧力がかかるように、研磨層11の中央部を中心とした点対称の形状を有することが好ましい。したがって溝16の形状は、上述した環状の他に渦巻き状または放射状等、もしくはこれらの組み合わせであってもよい。
また、研磨層11の非研磨面22側が面一で形成されていることが好ましい。これにより、機械的強度を高く維持することができる。また、非研磨面22側が面一で形成されていることにより、研磨層11は、上述した研磨面20側の溝16の形成領域の自由度を保持することができる。
溝16の断面形状は、特に限定されないが、たとえば図2に示すように、長方形等の多角形状、U字形状等とすることができる。なお溝16は、深さaを有する。具体的に深さaは、0.1mm以上とすることができ、好ましくは0.1mm〜2.5mm、さらに好ましくは、0.2mm〜2.0mmとすることができる。また、溝16の溝幅gは、0.1mm以上とすることができ、好ましくは0.1mm〜5.0mm、さらに好ましくは、0.2mm〜3.0mmとすることができる。複数の溝16において、隣り合う溝16の間隔dは、互いに同一であることができる。間隔dは、たとえば0.05mm以上とすることができ、好ましくは0.05mm〜100mm、さらに好ましくは、0.1mm〜10mmとすることができる。これらの範囲の大きさの溝16とすることにより、被研磨面のスクラッチ低減効果に優れ、寿命の長い化学機械研磨パッドを容易に製造することができる。
なお、溝16の間隔dと溝幅gの和であるピッチは、たとえば0.15mm以上とすることができ、好ましくは0.15mm〜105mm、さらに好ましくは、0.5mm〜13mm、特に好ましくは、0.5mm〜5.0mm、最も望ましくは、1.0mm〜2.2mmとすることができる。
側面24は、その上部に傾斜面15を有する。傾斜面15は、研磨面20の外縁26の全体を取り囲むように、傾斜面15が連続的に設けられており、化学機械研磨パッド10の内部において研磨面20とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)の角度θが90°より大きく180°より小さい角度、即ち鈍角で研磨面20と接続している。角度θは、100°以上170°以下であることが好ましく、110°以上150°以下であることが最も好ましい。このように研磨面20と側面24とのなす角θを鈍角にすることによって、研磨面20の端部が被研磨面に接触することによって被研磨面に与えるスクラッチを低減することができる。
また傾斜面15は、図2に示すように研磨面20と垂直な断面において直線状であることができる。また溝16の深さaは、傾斜面15の高さb以下である。化学機械研磨工程の進行に伴って、研磨面が摩耗することによって傾斜面15の高さbと溝16の深さaがともに減少していく。しかし、本実施の形態の化学機械研磨パッド10のようにa≦bであることにより、摩耗して溝の深さが変化した場合であっても、研磨面20と傾斜面15のなす角を角度θに維持したままの状態とすることができる。このため、スクラッチの発生を研磨面の摩耗が進行した場合であっても抑制することが可能となる。
具体的に高さbは、0.1mm以上とすることができ、好ましくは0.1mm〜2.5mm、さらに好ましくは、0.2mm〜2.0mmとすることができる。
特に傾斜面15の高さbと溝16の深さaを同一にすることによって、側面24の下部領域の厚みcを研磨層11の全面において均一にすることができるため、化学機械研磨パッド10の強度を高めて、破損を抑制することができる。
外縁26に最も近い溝16と外縁26との距離eの、間隔dに対する比率e/dは、0.3〜2が好ましく、0.35〜1.9がさらに好ましい。比率e/dが0.3未満である場合、最外周の溝16より外側の領域が薄くなってしまうため研磨時に受ける重圧に耐えきれずに化学機械研磨パッド10の外縁26付近の研磨面20が平坦な状態を維持できず、被研磨面のスクラッチの原因となる。比率e/dが2よりも大きい場合、スラリー液を保持するための溝のない部分が広範囲にできることになり、スラリーが不十分な状態での研磨を行うことになってしまうため、スクラッチが多くなってしまい好ましくない。さらに研磨によって研磨面20の摩耗が進行すると溝のない部分の拡大が進んでしまうため、スクラッチがより多くなってしまう場合がある。
また、溝16および傾斜面15の表面粗さ(Ra)は、たとえば20μm以下とすることができ、好ましくは、0.05μm〜15μm、さらに好ましくは、0.05μm〜10μmとすることができる。このような表面粗さとすることにより、化学機械研磨工程の際に被研磨面に発生するスクラッチを効果的に防止することができる。
なお、表面粗さ(Ra)は、下記式(1)により定義される。
Ra=Σ|Z−Zav|/N・・・(1)
ただし、式(1)において、Nは測定点数であり、Zは粗さ局面の高さであり、Zavは、粗さ曲面の平均高さである。
また、化学機械研磨パッド10は、研磨を行うための研磨部以外に他の機能を有する部分を備えることができる。他の機能を有する部分としては、例えば、光学式終点検出装置を用いて終点を検出するための窓部等を挙げることができる。窓部としては、例えば、厚さ2mmにおいて、波長100nm〜300nmの間のいずれかの波長の光の透過率が0.1%以上(好ましくは2%以上)であるか、又は、波長100nm〜3000nmの間のいずれかの波長域における積算透過率が0.1%以上(好ましくは2%以上)である材料を用いることができる。窓部の材料は上記光学特性を満たしていれば、特には限定されないが、例えば研磨層11と同様の下記組成を用いることができる。
化学機械研磨パッド10を構成する研磨層11の製造方法は特に限定されず、また、研磨層11が任意的に有していてもよい溝や凹部の形成方法も特に限定されない。例えば、予め化学機械研磨パッド10の研磨層11となる化学機械研磨パッド用組成物を準備し、この組成物を所望形の概形に成形した後、切削加工により溝等を形成することができる。さらに、溝等となるパターンが形成された金型を用いて化学機械研磨パッド用組成物を金型成形することにより、研磨層11の概形と共に溝等を同時に形成することができる。
次に、研磨層11の形状についての変形例を説明する。まず図3〜図6を用いて研磨層の外縁付近に特徴を有する変形例について説明する。
図3は、第1の変形例に係る研磨層111の外縁付近の断面を示し、図2に対応する図である。上述した本実施の形態に係る研磨層11の側面24は、傾斜面15を含む2つの面によって構成されていたが、これに換えて第1の変形例に係る側面124は、互いに4つの面によって構成される。具体的に側面124は、外縁26側から順に、第1の面115と、第2の面116と、第3の面117と、第4の面118とを有する。
第1の面115は、化学機械研磨パッド10の内部において研磨面20とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が90°より大きく180°より小さい角度θで研磨面20および第2の面116と接続している。また角度θは、100°以上170°以下であることが好ましい。
第2の面116は、化学機械研磨パッド10の内部において研磨面20とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が第1の面115より小さい角度θで第1の面115および第3の面117と接続している。なお、角度θは、たとえば直角であることができる。
第3の面117は、研磨面20と平行な角度で第2の面116および第4の面118と接続している。また第3の面117は、溝16の底面119と同じ高さにある。これにより、側面124の下部領域の厚みを研磨層111の全面において均一にすることができるため、化学機械研磨パッド10の強度を高めて、破損を抑制することができる。
第4の面118は、化学機械研磨パッド10の内部において研磨面とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が第1の面115より小さい角度θで第3の面117および非研磨面22と接続している。角度θは、たとえば直角であることができる。
第1の変形例に係る研磨層111の形状については以上であるが、その他の構成については、図1および図2を用いて説明した研磨層11の構成と同様であるので説明を省略する。
図4は、第2の変形例に係る研磨層211の外縁付近の断面を示し、図2に対応する図である。上述した本実施の形態に係る研磨層11においては、研磨面20の外縁26と溝16との距離eが隣り合う溝16の間隔dより小さかったが、これに換えて、第2の変形例に係る研磨層211においては、研磨面20の外縁26と溝16との距離eは、隣り合う溝16の間隔dより大きい。これにより傾斜面15と溝16との距離が大きくなるため、傾斜面15と溝16とが近づきすぎて外縁26付近が略鋭角形状になることによって、研磨時に被研磨面に損傷を与えることを防止することができる。
第2の変形例に係る研磨層211の形状については以上であるが、その他の構成については、図1および図2を用いて説明した研磨層11の構成と同様であるので説明を省略する。
図5は、第3の変形例に係る研磨層311の外縁付近の断面を示し、図2に対応する図である。第3の変形例に係る研磨層311の側面324は、傾斜面315が2つの傾斜面からなる点で、上述した本実施の形態に係る研磨層11の側面24と異なる。具体的に傾斜面315は、研磨面20とのなす角の角度の異なる第1の傾斜面316と第2の傾斜面317からなる。
第1の傾斜面316は、化学機械研磨パッド10の内部において研磨面20とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が90°より大きく180°より小さい角度θで研磨面20および第2の傾斜面317と接続している。
第2の傾斜面317は、化学機械研磨パッド10の内部において研磨面20とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が90°より大きく180°より小さい角度θで第1の傾斜面316と接続している。また角度θは、θ<θを満たすことが好ましい。これにより、傾斜面315の幅を大きくすることなくθを大きくすることができるため、研磨面20の領域を広げることができ研磨性能を向上させることができる。
第3の変形例に係る研磨層311の形状については以上であるが、その他の構成については、図1および図2を用いて説明した研磨層11の構成と同様であるので説明を省略する。
図6は、第4の変形例に係る研磨層411の外縁付近の断面を示し、図2に対応する図である。第4の変形例に係る研磨層411の側面424においては、傾斜面415の断面が曲線からなる点で、上述した本実施の形態に係る研磨層11の側面24と異なる。
図6に示すように、傾斜面415の断面が曲線からなることにより、研磨層11の縁が破損することを抑制することができ、長寿命化を図ることができる。なお、図6に示すように、傾斜面415の断面が曲線からなる場合、研磨面20の外縁26と傾斜面415における溝16の深さの1/2の位置416とを結んだ直線を直線Lとした場合に、直線Lと研磨面20のなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)の角度をθとする。
第4の変形例に係る研磨層411の形状については以上であるが、その他の構成については、図1および図2を用いて説明した研磨層11の構成と同様であるので説明を省略する。
次に、図8および図9を用いて研磨層の溝の形状に特徴を有する変形例について説明する。
図8は、第5の変形例にかかる研磨層511の上面を示す図であり、図7に対応する図である。第5の変形例に係る研磨層511は、環状の溝16の他に、研磨面20の中心部から外縁方向に向かって放射状に伸びる複数の溝517および溝518をさらに含む点で上述した研磨層11と異なる。ここで中心部とは、研磨層511の重心を中心とした半径50mmの円で囲まれた領域をいう。溝517および溝518は、この「中心部」のうちの任意の位置から外縁方向に伸びていればよく、その形状は、たとえば直線状もしくは円弧状またはこれらを組み合わせた形状であってもよい。
溝517および溝518は、たとえば全体で4本〜65本であることができ、好ましくは、8本〜48本であることができる。溝517および溝518の断面形状および表面粗さは、上述した溝16と同様であることができる。
具体的には、図8に示すように、溝517は、直線状に4本設けられており、研磨層511の中心から放射状に伸びて、研磨層511の側面に達している。溝518は、直線状に溝517の間に7本ずつ計28本設けられており、中心から幾分側面側に後退した位置(中心部領域内)から放射状に伸びて、研磨層511の側面に達している。
第5の変形例に係る研磨層511の形状については以上であるが、その他の構成については、図1および図2を用いて説明した研磨層11の構成と同様であるので説明を省略する。
図9は、第6の変形例にかかる研磨層611の上面を示す図であり、図7に対応する図である。第6の変形例に係る研磨層611は、環状の溝16の他に、研磨面20の中心から外縁方向に向かって放射状に伸びる複数の溝617をさらに含む点で上述した研磨層11と異なる。
具体的には、図9に示すように、溝617は、直線状に8本設けられており、研磨層611の中心から放射状に伸びて、最外周の溝16に達している。溝617は、研磨層611の側面には到達していない。溝617の断面形状および表面粗さは、上述した溝16と同様であることができる。
第6の変形例に係る研磨層611の形状については以上であるが、その他の構成については、図1および図2を用いて説明した研磨層11の構成と同様であるので説明を省略する。
なお、研磨層に設けられる溝の形状は、上記したものに限定されない。たとえば環状、放射状の溝以外に、螺旋状、多角形状等であることができ、溝の断面形状についても、上記したものに限定されず、たとえばV字型形状等であってもよい。
1.2.研磨層の材質
研磨層11は、上記の要件を備えている限り、化学機械研磨パッド10としての機能を発揮できるものであればどのような素材から構成されていてもよい。化学機械研磨パッド10としての機能の中でも、特に、化学機械研磨時に化学機械研磨用水系分散体を保持し、研磨屑を一時的に滞留させる等の機能を有するポア(微細な空孔)が研磨時までに形成されていることが好ましい。このため、(I)非水溶性部材と該非水溶性部材中に分散された水溶性粒子からなる素材又は(II)非水溶性部材と該非水溶性部材中に分散された空孔からなる素材を備えることが好ましい。
このうち、上記素材(I)は、化学機械研磨工程の際、水溶性粒子が化学機械研磨用水系分散体と接触し、溶解又は膨潤して脱離することにより非水溶性部材に形成されるポアに化学機械研磨用水系分散体等を保持することができることとなり、一方、素材(II)は、空孔として予め形成されている部分が、化学機械研磨用水系分散体等の保持能力を持つ。
以下、これらの素材につき、詳述する。
(I)非水溶性部材と該非水溶性部材中に分散された水溶性粒子からなる素材
(A)非水溶性部材
上記(A)非水溶性部材を構成する材料は特に限定されないが、所定の形状及び性状への成形が容易であり、適度な硬度や、適度な弾性等を付与できることなどから、有機材料が好ましく用いられる。有機材料としては、例えば熱可塑性樹脂、エラストマー又は生ゴム、硬化樹脂等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂としては、例えばオレフィン系樹脂(例えばポリエチレン、ポリプロピレン等)、スチレン系樹脂(例えばポリスチレン等)、アクリル系樹脂(例えば(メタ)アクリレート系樹脂等)、ビニルエステル樹脂(ただし(メタ)アクリレート系樹脂に該当するものを除く)、ポリエステル樹脂(ただしビニルエステル樹脂に該当するものを除く)、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹脂等を挙げることができる。
上記エラストマー又は生ゴムとしては、ジエン系エラストマー(例えば1,2−ポリブタジエン等)、オレフィン系エラストマー(例えばエチレン−プロピレンゴムとポリプロピレン樹脂を動的に架橋したもの等)、ウレタン系エラストマー、ウレタン系ゴム(例えばウレタンゴム等)、スチレン系エラストマー(例えばスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(以下、「SBS」ということがある。)、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物(以下、「SEBS」ということがある。)等)、共役ジエン系ゴム(例えば高シスブタジエンゴム、低シスブタジエンゴム、イソプレンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、スチレン−イソプレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、クロロプレンゴム等)、エチレン−α−オレフィンゴム(例えばエチレン−プロピレンゴム、エチレン−プロピレン−非共役ジエンゴム等)、ブチルゴム、その他のゴム(例えばシリコーンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、アクリルゴム、エピクロルヒドリンゴム、多硫化ゴム等)等を挙げることができる。
上記硬化樹脂としては、熱硬化樹脂、光硬化樹脂等が挙げられ、これらの具合例としては、例えばウレタン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン−ウレア樹脂、ウレア樹脂、ケイ素樹脂、フェノール樹脂等を挙げることができる。
これら有機材料は、一種のみを使用してもよく、また2種以上を併用してもよい。
また、これら有機材料は、適当な官能基を持つように変性されたものであってもよい。ここで適当な官能基としては、例えば酸無水物構造を有する基、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基等を挙げることができる。
これらの有機材料は、その一部又は全部が架橋されたものであることが好ましい。非水溶性部材が架橋された有機材料を含有することにより、非水溶性部材に適度の弾性回復力が付与され、化学機械研磨時に化学機械研磨パッド10にかかるずり応力による変位を抑制することができる。また、化学機械研磨工程及びドレッシング(化学機械研磨と交互又は同時に行われる化学機械研磨パッド10の「目立て」処理。)の際に非水溶性部材が過度に引き延ばされ塑性変形してポアが埋まること、更には、化学機械研磨パッド10表面が過度に毛羽立つこと等を効果的に抑制できることとなる。従って、ドレッシング時にもポアが効率よく形成され、研磨時の化学機械研磨用水系分散体の保持性の低下が防止でき、更には、毛羽立ちが少なく研磨平坦性を長期にわたり保持できる化学機械研磨パッド10を得ることができることとなる。
上記架橋された有機材料としては、架橋された熱可塑性樹脂及び架橋されたエラストマー又は架橋されたゴム(ここで、「架橋されたゴム」とは、上記「生ゴム」の架橋物を意味する。)のうちから選ばれる少なくとも一種を含有することがより好ましく、架橋されたジエン系エラストマー、架橋されたスチレン系エラストマー及び架橋されたウレタン系エラストマー及び架橋された共役ジエン系ゴムのうちから選ばれる少なくとも一種を含有することが更に好ましく、架橋された1,2−ポリブタジエン、架橋されたSBS、架橋されたSEBS、架橋されたポリウレタン、架橋されたスチレンブタジエンゴム、架橋されたスチレン−イソプレンゴム及び架橋されたアクリロニトリル−ブタジエンゴムのうちから選ばれる少なくとも一種を含有することが特に好ましく、架橋された1,2−ポリブタジエン、架橋されたSBS、及び架橋されたSEBS及び架橋されたポリウレタンのうちから選ばれる少なくとも一種を含有することが望ましい。
有機材料の一部が架橋されたものであり、他の部分が非架橋のものである場合には、かかる非架橋の有機材料としては非架橋の熱可塑性樹脂及び非架橋のエラストマー又は生ゴムのうちから選ばれる少なくとも一種を含有することが好ましく、非架橋のオレフィン系樹脂、非架橋のスチレン系樹脂、非架橋のジエン系エラストマー、非架橋のスチレン系エラストマー、非架橋ウレタン系エラストマー、非架橋の共役ジエン系ゴム及び非架橋のブチルゴムのうちから選ばれる少なくとも一種を含有することがより好ましく、非架橋のポリスチレン、非架橋の1,2−ポリブタジエン、非架橋のSBS、非架橋のSEBS、非架橋のポリウレタン、非架橋のスチレン−ブタジエンゴム、非架橋のスチレン−イソプレンゴム及び非架橋のアクリロニトリル−ブタジエンゴムのうちから選ばれる少なくとも一種を含有することが更に好ましく、非架橋のポリスチレン、非架橋の1,2−ポリブタジエン、非架橋のSBS、非架橋のポリウレタン及び非架橋のSEBSのうちから選ばれる少なくとも一種を含有することが特に好ましい。
有機材料の一部が架橋されたものであり、他の部分が非架橋のものである場合には、非水溶性部材中に占める架橋された有機材料の割合は、30質量%以上であることが好ましく、50質量%以上であることがより好ましく、70質量%以上であることが特に好ましい。
有機材料は、その一部又は全部が架橋されたものである場合、架橋の方法は特に限定されないが、例えば化学架橋法、放射線架橋法、光架橋法等の方法によることができる。上記化学架橋法としては、架橋剤として例えば有機過酸化物、硫黄、硫黄化合物等を用いて行うことができる。上記放射線架橋法は、例えば電子線照射等の方法により行うことができる。上記光架橋法は、例えば紫外線照射等の方法により行うことができる。
これらのうち、化学架橋法によることが好ましく、ハンドリング性がよいこと及び化学機械研磨工程における被研磨物への汚染性がないことから有機過酸化物を使用することがより好ましい。有機過酸化物としては、例えば過酸化ジクミル、過酸化ジエチル、過酸化ジ−t−ブチル、過酸化ジアセチル、過酸化ジアシル等を挙げることができる。
架橋が化学架橋法による場合、架橋剤の使用量としては、架橋反応に供する非水溶性部材の全量100質量部に対して好ましくは0.01〜3質量部である。この範囲の使用量とすることにより、化学機械研磨工程においてスクラッチの発生が抑制された化学機械研磨パッド10を得ることができる。
なお架橋は、非水溶性部材を構成する材料の全部について一括して行ってもよく、非水溶性部材を構成する材料の一部について架橋を行った後に残部と混合してもよい。また、各別の架橋を行った数種の架橋物を混合してもよい。
さらに、架橋が化学架橋法による場合には架橋剤の使用量や架橋の条件を調整することにより、あるいは架橋が放射線架橋法による場合には放射線の照射量を調整することにより、一回の架橋操作により、一部が架橋され他の部分が非架橋の有機材料の混合物を簡易に得ることができる。
(A)非水溶性部材は、後述する(B)水溶性粒子との親和性及び非水溶性部材中における(B)水溶性粒子の分散性を制御するため、適当な相溶化剤を含有することができる。ここで相溶化剤としては、例えばノニオン系界面活性剤、カップリング剤等を挙げることができる。
(B)水溶性粒子
(B)水溶性粒子は、化学機械研磨パッド10中において、化学機械水系分散体と接触することにより非水溶性部材から脱離し、非水溶性部材中にポアを形成する他、化学機械研磨パッド10の研磨基体の押し込み硬さを大きくする効果を有し、上記した研磨基体についてのショアD硬度を実現するものである。
上記脱離は、化学機械研磨用水系分散体中に含有される水又は水系混合媒体との接触による溶解、膨潤等によって生じる。
(B)水溶性粒子は、上記した化学機械研磨パッド10の研磨層11の押し込み硬さを確保するために、中実体であることが好ましい。従って、この水溶性粒子は、化学機械研磨パッド10において十分な押し込み硬さを確保できる中実体であることが特に好ましい。
(B)水溶性粒子を構成する材料は特に限定されないが、有機水溶性粒子及び無機水溶性粒子を挙げることができる。上記有機水溶性粒子としては、例えば糖類(多糖類(例えばでんぷん、デキストリン、シクロデキストリン等)、乳糖、マンニット等)、セルロース類(ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース等)、蛋白質、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリエチレンオキサイド、水溶性の感光性樹脂、スルホン化ポリイソプレン、スルホン化ポリイソプレン共重合体等を挙げることができる。上記無機水溶性粒子としては、例えば酢酸カリウム、硝酸カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、塩化カリウム、臭化カリウム、リン酸カリウム、硝酸マグネシウム等を挙げることができる。これらのうち、有機水溶性粒子が好ましく、多糖類がより好ましく、シクロデキストリンが更に好ましく、β−シクロデキストリンが特に好ましい。
これらの水溶性粒子は、上記各素材を単独または2種以上を組み合わせて用いることができる。さらに、所定の材料からなる1種の水溶性粒子であってもよく、異なる材料からなる2種以上の水溶性粒子であってもよい。
(B)水溶性粒子の平均粒径は、好ましくは0.1〜500μm、より好ましくは0.5〜100μmである。この範囲の粒径の(B)水溶性粒子とすることにより、(B)水溶性粒子の脱離により生じるポアの大きさを適当な範囲に制御することができ、これにより化学機械研磨工程の際の化学機械研磨用水系分散体の保持能及び研磨速度に優れ、しかも機械的強度に優れた化学機械研磨パッド10を得ることができる。
(B)水溶性粒子の含有量は、(A)非水溶性部材と(B)水溶性粒子との合計に対して、好ましくは10〜90体積%であり、より好ましくは15〜60体積%であり、更に好ましくは20〜40体積%である。(B)水溶性粒子の含有量をこの範囲とすることにより、機械的強度と研磨速度とのバランスに優れた化学機械研磨パッド10を得ることができる。
上記(B)水溶性粒子は、化学機械研磨パッド10内において、化学機械研磨用水系分散体と接触する表層に露出した場合にのみ水に溶解又は膨潤して脱離し、研磨層11内部においては吸湿しないことが好ましい。このため(B)水溶性粒子は最外部の少なくとも一部に吸湿を抑制する外殻を備えるものであってもよい。この外殻は水溶性粒子に物理的に吸着していても、水溶性粒子と化学的に結合していても、更にはこの両方により水溶性粒子に付いていてもよい。このような外殻を形成する材料としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリシリケート等を挙げることができる。
(II)非水溶性部材と該非水溶性部材中に分散された空孔からなる素材
研磨層11が、非水溶性部材と該非水溶性部材中に分散された空孔からなるものである場合としては、例えばポリウレタン、メラミン樹脂、ポリエステル、ポリスルホン、ポリビニルアセテート等の発泡体を挙げることができる。
上記のような非水溶性部材中に分散する空孔の平均口径としては、好ましくは0.1μm〜500μmであり、より好ましくは0.5〜100μmである。
研磨層11の形状は特に限定されないが、例えば円盤状、多角柱状等とすることができ、化学機械研磨パッド10を装着して使用する研磨装置に応じて適宜選択することができる。
化学機械研磨パッド用組成物を得る方法は特に限定されない。例えば、所定の有機材料等の必要な材料を混練機等により混練して得ることができる。混練機としては従来から公知のものを用いることができる。例えば、ロール、ニーダー、バンバリーミキサー、押出機(単軸、多軸)等の混練機を挙げることができる。
水溶性粒子を含有する研磨パッド10を得るための水溶性粒子を含有する研磨パッド用組成物は、例えば、非水溶性マトリックス、水溶性粒子およびその他の添加剤等を混練して得ることができる。但し、通常、混練時には加工し易いように加熱して混練されるが、この時の温度において水溶性粒子は固体であることが好ましい。固体であることにより、非水溶性マトリックスとの相溶性の大きさに関わらず水溶性粒子を前記の好ましい平均粒径で分散させることができる。従って、使用する非水溶性マトリックスの加工温度により、水溶性粒子の種類を選択することが好ましい。
1.3.支持層
支持層12は、化学機械研磨パッド10において、研磨装置定盤13に研磨層11を支持するために用いられている。支持層12は、接着層からなっていてもよいし、接着層を上下面に有するクッション層であってもよい。
接着層は、たとえば粘着シートからなることができる。粘着シートの厚さは、50μm〜250μmであることが好ましい。50μm以上の厚さを有することにより、研磨層11の研磨面側からの圧力を十分に緩和することができ、250μm以下の厚さを有することにより、凹凸の影響を研磨性能に与えない程度に均一な厚みの化学機械研磨パッド10を提供することができる。
粘着シートの材質としては、研磨層11を研磨機定盤に固定することが出来れば特に限定されないが、研磨層11より弾性率の低いアクリル系、ゴム系が好ましく、より具体的には、アクリル系が好ましい。
粘着シートの接着強度は、化学機械研磨用パッドを研磨機定盤に固定することが出来れば特に限定されないが、JIS Z0237の規格で粘着シートの接着強度を測定した場合、接着強度が3N/25mm以上、好ましくは4N/CM以上、さらに10N/25mm以上がより好ましい。
クッション層は、研磨層11より硬度が低い材質からなれば、その材質は特に限定されず、多孔質体(発泡体)であっても、非多孔質体であってもよく、例えば発砲ポリウレタン等からなることができる。クッション層の厚さは、たとえば0.1mm〜5.0mmが好ましく、0.5mm〜2.0mmがより好ましい。
2.実施例および比較例
本実施の形態の実施例に係る化学機械研磨パッドおよび比較例に係る化学機械研磨パッドを製造し、化学機械研磨を実施した。研磨後、化学機械研磨パッドのスクラッチ数を測定した。
2.1.化学機械研磨パッドの製造(実施例1〜14、比較例4,5)
1,2−ポリブタジエン(JSR(株)製、商品名「JSR RB830」)を72.8質量部に及びβ−シクロデキストリン((株)横浜国際バイオ研究所製、商品名「デキシーパールβ−100」、平均粒径20μm)27.2質量部を、160℃に調温されたルーダーにより2分混練した。次いで、「パークミルD40」(商品名、日本油脂(株)製。ジクミルパーオキシドを40質量%含有する。)を0.55質量部(1,2−ポリブタジエン100質量部あたりのジクミルパーオキシド量に換算して、0.30質量部に相当する。)を加え、更に120℃にて60pmで2分混練し、化学機械研磨パッド用組成物のペレットを得た。このペレット1500グラムを2.5mmのギャップを備えた金型にて、170℃、18分間加熱して成形し、直径762mm、厚さ2.5mmの円形の平板を得た。これを市販の溝加工機を用いて、図7または図8に示す形状の溝および図2〜6のいずれかに示す形状の傾斜面を形成して実施例1〜14および比較例4,5に係る研磨層を得た。
各研磨層の溝幅g、溝の深さa、ピッチ(d+g)、溝と傾斜面との距離eならびに傾斜面の角度θについては、表1に示すとおりである。なお、いずれの実施例についても環状の溝の溝数は、147本であり、最小の円形の直径は10mmとした。放射状の溝数は、図8に示したとおり合計32本とした。
さらに溝の無い側に、研磨層の外形と同じ形状(円形)の、接着層としての積水化学工業社製両面テープ、商品名#5673JX(接着強度、10N/25mm)を貼り付けた。
2.2.化学機械研磨パッドの製造(実施例15)
空気雰囲気下で、撹拌機を備えた2Lの4つ口セパラブルフラスコに、ポリテトラメチレングリコール(Mn=1000、保土谷化学工業(株)製、商品名「PTMG−1000SN」)を50.2重量部、および末端が水酸基化されたポリブタジエン(Mn=1500、日本曹達(株)製、商品名「NISSO PB G−1000」)を15.6重量部投入し、60℃に調温して撹拌した。
次いで、上記フラスコに、80℃の油浴で溶解させた4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(日本ポリウレタン工業(株)製、商品名「MILLIONATE MT」)を28.8重量部加え、10分撹拌・混合した後、1,4−ブタンジオール(三菱化学(株)製、商品名「14BG」)を5.5重量部加え、撹拌・混合した。
次いで、得られた混合物を表面加工されたSUS製のバットに拡げ、110℃で1時間、さらに80℃で16時間アニールし、ポリウレタンを得た。
次いで、このポリウレタン72.8質量部に及びβ−シクロデキストリン((株)横浜国際バイオ研究所製、商品名「デキシーパールβ−100」、平均粒径20μm)27.2質量部を、160℃に調温されたルーダーにより2分混練した。次いで、「パークミルD40」(商品名、日本油脂(株)製。ジクミルパーオキシドを40質量%含有する。)を2.8質量部(ポリウレタン100質量部あたりのジクミルパーオキシド量に換算して、1.5質量部に相当する。)を加え、更に120℃にて60pmで2分混練し、化学機械研磨パッド用組成物のペレットを得た。このペレットを用いて、「2.1.化学機械研磨パッドの製造(実施例1〜14、比較例4、5)」に記載の製造方法と同様に化学機械研磨パッドを得た。
2.3.化学機械研磨パッドの製造(比較例1、2)
傾斜面を形成しないこと以外については、「2.1.化学機械研磨パッドの製造(実施例1〜14、比較例4、5)」に記載の製造方法と同様に化学機械研磨パッドを得た。
2.4.化学機械研磨パッドの製造(比較例3)
傾斜面を形成しないこと以外については、「2.2.化学機械研磨パッドの製造(実施例15)」に記載の製造方法と同様に化学機械研磨パッドを得た。
2.5.化学機械研磨工程
2.1.ないし2.4.のいずれかにおいて製造した化学機械研摩パッドを、化学機械研磨装置「Reflexion―LK」(Applied Materials社製)の定盤上に装着し、P−TEOSブランケットウェハを化学機械研磨した。また、化学機械研磨は、パッド周端部が研磨定盤から剥がれるまで継続し、使用開始から剥がれ発生までの時間を測定した。化学機械研磨の条件は以下のとおりである。
化学機械研磨用水系分散体:JSR株式会社製シリカ砥粒含有スラリー、CMS−1101。
水系分散体供給量:300mL/分
定盤回転数:63rpm
ヘッド回転数:60rpm
ヘッド押しつけ圧
リテナーリング圧:8psi
メンブレン圧:4.0psi
研磨時間:60秒
研磨枚数:72枚/177枚
2.6.評価
化学機械研磨パッドによって72枚および177枚のウエハを研磨した後における被研磨面のスクラッチ数を測定した。測定結果を表1に示す。
Figure 2009220265
表1において、実施例9の角度θとは、角度θに対応し、角度θは115°とした。また、実施例10の角度θは、180°未満である。
表1に示すように、実施例1〜15に係る化学機械研磨パッドによって72枚のウエハを研磨した後の被研磨面のスクラッチ数は約200〜約450であったが、傾斜面を形成していない比較例1〜3に係る化学機械研磨パッドによって研磨された被研磨面のスクラッチ数は500以上であった。177枚のウエハを研磨した後のスクラッチ数についても、傾斜面の有無によってスクラッチ数が最大約430の差が生じた。さらに傾斜面を有しているが溝の深さaが傾斜面の高さbより大きい形状を有する化学機械研磨パッドを用いて研磨を行った比較例4,5では、72枚のウエハ研磨後のスクラッチ数を抑えることはできたが、177枚のウエハ研磨後においては、スクラッチ数が実施例1〜15より著しく多かった。
また角度θが125°以下の場合、比率e/dが0.3〜2の範囲内の実施例1〜8、12、15におけるスクラッチ数は、比率e/dが0.3〜2の範囲外の実施例11、13、14のスクラッチ数に比べて顕著に少なかった。
したがって、上記実施例および比較例により、化学機械研磨パッドが上述した傾斜面を有し、かつ溝の深さaが傾斜面の高さb以下であることによって、スクラッチの発生を大幅に低減し、その効果を長期間維持できることが確認された。
特に比率e/dが0.3〜2の範囲内であり、角度θが125°以下で環状の溝のみ(図7参照)を有する化学機械研磨パッドによって研磨された被研磨面のスクラッチ数をより効果的に抑制できることが確認された。
本発明に係る実施の形態の説明は以上である。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
10…化学機械研磨パッド、 11,111,211,311,411,511,611…研磨層、 12…支持層、 13…研磨装置定盤、 15,315,415…傾斜面、 316…第1の傾斜面、 317…第2の傾斜面、 16,517,518,617…溝、 20…研磨面、 22…非研磨面、 24,124,324,424…側面、 26…外縁、 115…第1の面、 116…第2の面、 117…第3の面、 118…第4の面、 316…第1の傾斜面、 317…第2の傾斜面

Claims (6)

  1. 化学機械研磨に用いられる化学機械研磨パッドであって、
    研磨面と、
    前記研磨面の反対側にある非研磨面と、
    前記研磨面の外縁と前記非研磨面の外縁とを接続する側面と、
    前記研磨面側に設けられた複数の溝と、
    を含み、
    前記側面は、前記研磨面と接続する傾斜面を有し、
    前記溝の深さは、前記傾斜面の高さ以下である、化学機械研磨パッド。
  2. 請求項1において、
    前記化学機械研磨パッドの内部において前記研磨面と前記傾斜面とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が90°より大きく180°より小さい角度θである、化学機械研磨パッド。
  3. 請求項1または2において、
    前記研磨面は円形状であり、
    当該化学機械研磨パッドは、前記研磨面側に複数の環状の溝をさらに含み、
    前記研磨面と前記複数の環状の溝とは同心円状であり、
    前記外縁に最も近い前記溝と前記外縁との距離eの、互いに隣り合う溝の間隔dに対する比率e/dが0.3〜2の範囲内である、化学機械研磨パッド。
  4. 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
    前記傾斜面は、前記研磨面となす角の角度が異なる第1の傾斜面と第2の傾斜面とからなり、
    前記第1の傾斜面は、当該化学機械研磨パッドの内部において前記研磨面とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が90°より大きく180°より小さい角度θで前記研磨面および前記第2の傾斜面と接続し、
    前記第2の傾斜面は、当該化学機械研磨パッドの内部において前記研磨面とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が90°より大きく180°より小さい角度θで前記第1の傾斜面と接続する、化学機械研磨パッド。
  5. 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
    前記側面は、前記外縁側から順に、第1の面と、第2の面と、第3の面と、第4の面とを有し、
    前記第1の面は、当該化学機械研磨パッドの内部において前記研磨面とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が90°より大きく180°より小さい角度θで前記研磨面および前記第2の面と接続し、
    前記第2の面は、当該化学機械研磨パッドの内部において前記研磨面とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が前記第1の面より小さい角度θで前記第1の面および前記第3の面と接続し、
    前記第3の面は、前記研磨面と平行な角度で前記第2の面および前記第4の面と接続し、
    前記第4の面は、当該化学機械研磨パッドの内部において前記研磨面とのなす角(該角は前記非研磨面に対向する角である。)が前記第1の面より小さい角度θで前記第3の面および前記非研磨面と接続する、化学機械研磨パッド。
  6. 請求項1ないし5のいずれかにおいて、
    前記傾斜面は、前記研磨面の外縁の全体を取り囲むように設けられている、化学機械研磨パッド。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012039094A (ja) * 2010-07-12 2012-02-23 Jsr Corp 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法
WO2013011921A1 (ja) * 2011-07-15 2013-01-24 東レ株式会社 研磨パッド
JP2014113648A (ja) * 2012-12-07 2014-06-26 Nitta Haas Inc 研磨パッド
WO2016103862A1 (ja) * 2014-12-26 2016-06-30 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 円形研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
JP2016524549A (ja) * 2013-06-13 2016-08-18 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 低表面粗さ研磨パッド
WO2017146006A1 (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨方法、研磨パッド
JP2017148919A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3769581B1 (ja) * 2005-05-18 2006-04-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよびその製造方法
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
TWI510328B (zh) * 2010-05-03 2015-12-01 Iv Technologies Co Ltd 基底層、包括此基底層的研磨墊及研磨方法
JP5062455B2 (ja) 2010-07-12 2012-10-31 Jsr株式会社 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法
US9211628B2 (en) * 2011-01-26 2015-12-15 Nexplanar Corporation Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern
JPWO2013011922A1 (ja) * 2011-07-15 2015-02-23 東レ株式会社 研磨パッド
DE102012103743A1 (de) * 2012-04-27 2013-10-31 Schneider Gmbh & Co. Kg Polierfolie für Kunststoff-Brillengläser
JP5789634B2 (ja) * 2012-05-14 2015-10-07 株式会社荏原製作所 ワークピースを研磨するための研磨パッド並びに化学機械研磨装置、および該化学機械研磨装置を用いてワークピースを研磨する方法
JP2014124718A (ja) * 2012-12-26 2014-07-07 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 積層研磨パッドの製造方法
US10875146B2 (en) * 2016-03-24 2020-12-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Debris-removal groove for CMP polishing pad
US11397139B2 (en) * 2017-02-27 2022-07-26 Leco Corporation Metallographic grinder and components thereof
CN108655946B (zh) * 2017-03-31 2021-06-18 台湾积体电路制造股份有限公司 研磨头及研磨半导体晶片的背侧的方法
KR20190014307A (ko) * 2017-08-02 2019-02-12 새솔다이아몬드공업 주식회사 에지부분이 라운드된 연마패드 드레서 및 그 연마장치
KR102059647B1 (ko) * 2018-06-21 2019-12-26 에스케이씨 주식회사 슬러리 유동성이 향상된 연마패드 및 이의 제조방법
CN111941251B (zh) * 2020-07-08 2025-07-08 上海新昇半导体科技有限公司 一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法
CN112497089A (zh) * 2020-12-15 2021-03-16 蚌埠中光电科技有限公司 一种研磨垫加工面边缘的处理方法
KR102561824B1 (ko) * 2021-06-02 2023-07-31 에스케이엔펄스 주식회사 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002252191A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Mitsubishi Materials Silicon Corp 半導体ウェーハの研磨装置
JP2006196836A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5177908A (en) * 1990-01-22 1993-01-12 Micron Technology, Inc. Polishing pad
US5650039A (en) 1994-03-02 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved slurry distribution
US5489233A (en) * 1994-04-08 1996-02-06 Rodel, Inc. Polishing pads and methods for their use
JPH08216029A (ja) 1995-02-07 1996-08-27 Daiki:Kk 精密研磨シート
US5899799A (en) * 1996-01-19 1999-05-04 Micron Display Technology, Inc. Method and system to increase delivery of slurry to the surface of large substrates during polishing operations
US5921855A (en) * 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
US6273806B1 (en) * 1997-05-15 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus
US6749485B1 (en) * 2000-05-27 2004-06-15 Rodel Holdings, Inc. Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US6530830B2 (en) * 2001-03-19 2003-03-11 3M Innovative Properties Company Sanding disc
US7097549B2 (en) * 2001-12-20 2006-08-29 Ppg Industries Ohio, Inc. Polishing pad
US6783448B2 (en) * 2002-05-31 2004-08-31 Gary L. Sabo Foam buffing/polishing pad
US6783436B1 (en) * 2003-04-29 2004-08-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with optimized grooves and method of forming same
TWI238100B (en) * 2003-09-29 2005-08-21 Iv Technologies Co Ltd Polishing pad and fabricating method thereof
US20050260929A1 (en) * 2004-05-20 2005-11-24 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing method
US7198546B2 (en) * 2004-06-29 2007-04-03 Lsi Logic Corporation Method to monitor pad wear in CMP processing
US7258708B2 (en) * 2004-12-30 2007-08-21 Chien-Min Sung Chemical mechanical polishing pad dresser

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002252191A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Mitsubishi Materials Silicon Corp 半導体ウェーハの研磨装置
JP2006196836A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012039094A (ja) * 2010-07-12 2012-02-23 Jsr Corp 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法
WO2013011921A1 (ja) * 2011-07-15 2013-01-24 東レ株式会社 研磨パッド
JP2014113648A (ja) * 2012-12-07 2014-06-26 Nitta Haas Inc 研磨パッド
JP2016524549A (ja) * 2013-06-13 2016-08-18 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 低表面粗さ研磨パッド
WO2016103862A1 (ja) * 2014-12-26 2016-06-30 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 円形研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
WO2017146006A1 (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨方法、研磨パッド
JP2017148919A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨方法
US11498182B2 (en) 2016-02-26 2022-11-15 Fujimi Incorporated Polishing method and polishing pad

Also Published As

Publication number Publication date
EP2090401B1 (en) 2010-09-22
EP2090401A1 (en) 2009-08-19
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TWI440526B (zh) 2014-06-11

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