JP2009218518A - 半導体装置の製造方法、マスク管理方法および露光量補正情報の取得方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体基板上のレジスト寸法精度を高めることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光源からの光をフォトマスク上の所定の領域で透過または反射させて基板上のフォトレジストに照射してパターンを形成し、半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、フォトマスクの面内の各位置における、入射光強度に対するフォトマスクで透過または反射する出射光強度の割合である出射光比率に基づいて、フォトマスクからの出射光強度が均一となる入射光強度のフォトマスク上での分布である露光量補正情報を算出する工程と、基板上の露光領域に対応するフォトマスクの照射領域への照射量が、対応する位置での露光量補正情報となるように入射光強度を補正しながら、露光領域を露光する工程と、を含む。
【選択図】 図５

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、マスク管理方法および露光量補正情報の取得方法に関するものである。

半導体装置の製造技術の進歩にしたがって、微細なパターンを形成するために露光光の短波長化が進行しており、近年では、露光光としてＡｒＦエキシマレーザ光（中心波長１９３ｎｍ）が用いられるようになってきている。このＡｒＦエキシマレーザ光を用いた露光技術として、液浸露光技術が開発されている。この液浸露光技術では、投影レンズの開口数ＮＡを１以上にできることから、上記のＡｒＦエキシマレーザ光を露光光とする露光装置を用いた場合に、ハーフピッチが５０ｎｍ以下の周期パターンを形成することが可能となる（たとえば、特許文献１参照）。

ところで、上記のＡｒＦエキシマレーザを用いた露光に用いられるフォトマスク基板は、透明な溶融石英で形成されているが、このフォトマスク基板にはわずかであるが透過率のばらつきが存在する。近年のような微細化したパターン寸法の高精度化が要求されないパターンに対しては、フォトマスク基板のわずかな透過率のばらつきは問題とはならなかったが、近年のパターンの微細化が進行した半導体装置の製造においては、このわずかなフォトマスク基板の透過率のばらつきが、無視できない露光量のばらつきの原因となり、ひいては半導体基板上に形成されるパターンの寸法ばらつきを誘発してしまうという問題点があった（たとえば、特許文献２参照）。そのため、パターンの微細化とともに、露光量のばらつき、すなわち半導体基板上のレジスト寸法のばらつきに対する要求精度が高まってきていた。また、メモリセルのように高度な寸法精度が必要な領域と、周辺回路のようにメモリセルのような高度な寸法精度が必要ない領域と、が明確に分かれている半導体メモリデバイス製造用のフォトマスクにおいては、フォトマスク上の領域ごとに許容される透過率の大きさや透過率のばらつきを規定する必要がある。しかし、従来では、領域ごとにフォトマスクの透過率や透過率のばらつきを規定したものは知られていなかった。

また、このような問題点は、フォトマスクを透過する光を用いて半導体基板上のレジストを露光する場合のほか、フォトマスクで反射する光を用いて半導体基板上のレジストを露光する場合も同様に有していた。

特開平１０−３０３１１４号公報 特開２００６−９９０４１号公報

本発明は、半導体基板上のレジスト寸法精度を高めることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、半導体装置を製造する際に使用されるフォトマスクについて、領域ごとにフォトマスクの透過率や透過率のばらつきを管理することができるマスク管理方法を提供することも目的とする。さらに、フォトマスクのわずかな透過率のばらつきに対して露光量を補正する際に使用する露光量補正情報を取得することができる露光量補正情報の取得方法を提供することも目的とする。

本発明の一態様によれば、光源からの光をフォトマスク上の所定の領域で透過または反射させて基板上のフォトレジストに照射してパターンを形成し、半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、前記フォトマスクの面内の各位置における、入射光強度に対する前記フォトマスクで透過または反射する出射光強度の割合である出射光比率に基づいて、前記フォトマスクからの出射光強度が均一となる入射光強度の前記フォトマスク上での分布である露光量補正情報を算出する第１の工程と、前記基板上の露光領域に対応する前記フォトマスクの照射領域への照射量が、対応する位置での前記露光量補正情報となるように前記入射光強度を補正しながら、前記露光領域を露光する第２の工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

また、本発明の一態様によれば、フォトマスクは、基板上のフォトレジストに形成されるパターンの寸法のばらつきが所定値以下となるように、前記フォトマスクの面内の各位置における、入射光強度に対する前記フォトマスクで透過または反射する出射光強度の割合である出射光比率の大きさまたは前記出射光比率のばらつきの大きさで示される規格値によって管理されることを特徴とするマスク管理方法が提供される。

さらに、本発明の一態様によれば、フォトマスクの面内の各位置における、入射光強度に対する前記フォトマスクで透過または反射する出射光強度の割合である出射光比率に基づいて、前記フォトマスクからの出射光強度が均一となる入射光強度の前記フォトマスク上での分布である露光量補正情報を取得することを特徴とする露光量補正情報の取得方法が提供される。

本発明によれば、半導体基板上のレジスト寸法精度を高めることができるという効果を奏する。

また、本発明によれば、半導体装置を製造する際に使用されるフォトマスクについて、領域ごとにフォトマスクの透過率や透過率のばらつきを管理することができるという効果を奏する。

さらに、本発明によれば、フォトマスクのわずかな透過率のばらつきに対して露光量を補正する際に使用する露光量補正情報を取得することができるという効果を奏する。

以下に添付図面を参照して、本発明にかかる半導体装置の製造方法、マスク管理方法および露光量補正情報の取得方法の最良な実施の形態を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の実施の形態で用いられるフォトマスクの断面図は模式的なものであり、層の厚みと幅との関係や各層の厚みの比率などは現実のものとは異なるものである。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法に用いられる露光装置の概略構成を示す図である。この露光装置１０は、たとえばＡｒＦエキシマレーザ光を出力するレーザ光源などによって構成される光源１１と、被加工物である半導体基板（ウェハ）３０を載置するウェハステージ１２と、光源１１とウェハステージ１２との間に設けられ、フォトマスク５５を載置するフォトマスクステージ１３と、光源１１からの光をフォトマスク５５に照射する照明光学系１４と、フォトマスク５５を通過した光を半導体基板３０上に投影する投影光学系１５と、ウェハステージ１２を所定の方向に駆動するウェハステージ駆動機構１６と、フォトマスクステージ１３を所定の方向に駆動するフォトマスクステージ駆動機構１７と、フォトマスク５５を通過する光の量（露光量）を制御するためにフォトマスクステージ１３の光源１１側に設けられる形状可変スリット１８と、ウェハステージ駆動機構１６、フォトマスクステージ駆動機構１７および形状可変スリット１８を制御する制御部２０と、を備える。

制御部２０は、照射位置制御機能２１と、基板透過率分布情報記憶機能２２と、面内露光量補正情報算出機能２３と、面内露光量補正情報記憶機能２４と、スリット形状制御機能２５と、を有する。

照射位置制御機能２１は、半導体基板３０上の所定の領域に所定のパターンを露光するように、ウェハステージ１２とフォトマスクステージ１３を同期させて移動させるようにウェハステージ駆動機構１６とフォトマスクステージ駆動機構１７を制御する。

基板透過率分布情報記憶機能２２は、フォトマスク５５の面内上での各位置における面内透過率分布を示す基板透過率分布情報を記憶する。

面内露光量補正情報算出機能２３は、基板透過率分布情報記憶機能２２に記憶される基板透過率分布情報に基づいて、露光処理時に半導体基板３０にフォトマスク５５を介して露光される露光領域での面内露光量分布が均一となるように、フォトマスク５５の各位置に照射される露光量を算出する。このフォトマスク５５上の各位置の露光量を以下では、面内露光量補正情報といい、特許請求の範囲における露光量補正情報に対応している。また、面内露光量補正情報記憶機能２４は、面内露光量補正情報算出機能２３によって算出された面内露光量補正情報を記憶する。

スリット形状制御機能２５は、面内露光量補正情報記憶機能２４に記憶された面内露光量補正情報に基づいて、形状可変スリット１８の形状を変えるように制御する。なお、この形状可変スリット１８の形状の変化のさせ方については後述する。

ここで、基板透過率分布情報記憶機能２２に記憶される基板透過率分布情報の算出処理について説明する。図２は、基板透過率分布情報の算出処理の一例を示すフローチャートである。まず、同一の製造ラインで同一のプロセスを経て製造されるフォトマスク５５の基となる複数のフォトマスク基板（以下、マスク基板という）の中から、１〜複数枚のマスク基板を抽出する（ステップＳ１１）。なお、マスク基板として、光源１１がＡｒＦエキシマレーザ光源の場合には、たとえば石英基板が使用される。

ついで、抽出した各マスク基板について、露光装置１０で用いる光源１１と同じ波長の光に対する面内透過率分布を計測する（ステップＳ１２）。透過率は、マスク基板の光入射側の面における強度（入射光強度）と、光出射側の面における強度（出射光強度）とを計測し、入射光強度に対する出射光強度の比（特許請求の範囲における出射光比率に対応する）として求めることができ、面内透過率分布は、マスク基板面内の各位置についての透過率を求めることで得られる。

その後、各マスク基板について計測した面内透過率分布を用いて、同一の製造ラインで同一のプロセスを経て製造されたマスク基板を代表する基板透過率分布情報を決定する（ステップＳ１３）。これは、たとえば、計測したマスク基板が複数枚である場合には、計測したすべてのマスク基板の面内透過率分布の平均値を、代表の基板透過率分布情報として求めることができる。また、計測したマスク基板が１枚である場合には、その計測したマスク基板の面内透過率分布を、代表の基板透過率分布情報とする。そして、この決定された基板透過率分布情報は、基板透過率分布情報記憶機能２２に記憶し（ステップＳ１４）、基板透過率分布情報の算出処理が終了する。その後、この算出した基板透過率分布情報に対応する同一の製造ラインで同一のプロセスを経て製造されたマスク基板から、フォトマスク５５が製造される。

図３は、フォトマスクの製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。まず、図３（ａ）に示されるマスク基板５０（たとえば、石英基板）の一方の主面上の全面に、図３（ｂ）に示されるように、ＭｏＳｉなどからなる半透明膜５１を形成する。ついで、図３（ｃ）に示されるように、半透明膜５１上の全面にＣｒなどからなる遮光膜５２を形成する。なお、この遮光膜５２にはハーフトーン膜も含まれるものとする。その後、遮光膜５２上にレジストを塗布し、電子ビーム露光などの方法によってパターンの描画を行い、現像してレジストパターンを形成する。そして、図３（ｄ）に示されるように、レジストパターンをマスクとして遮光膜５２と半透明膜５１をエッチングし、さらに、露光に使用する領域の遮光膜５２を除去することによって、フォトマスク５５が製造される。

なお、上記の図２〜図３およびこの第１の実施の形態の説明では、基板透過率分布情報として、同一の製造ラインで同一のプロセスを経て製造された、何も形成されていない状態のマスク基板５０の面内透過率分布を用いて算出する場合を例に挙げるが、これに限られるものではない。たとえば、マスク基板５０上に形成される半透明膜５１のマスク基板５０上の各位置での膜厚や、パターンの各位置での形状・寸法などは、どのマスク基板５０でも同じように形成されるものとすることができれば、図３（ｂ）の半透明膜５１を形成した後における基板透過率分布情報を用いてもよいし、図３（ｄ）のパターンを形成した後における基板透過率分布情報を用いてもよい。ただし、図３（ｄ）で基板透過率分布情報を求めた場合には、基板透過率分布情報には、マスク基板５０と半透明膜５１の材料による透過率のほかに、半透明膜５１のパターン形状による回折の影響も含まれてしまうので、全く同じパターンを有するフォトマスク５５について使用する場合にしか、この基板透過率分布情報を用いることができない。

つぎに、この基板透過率分布情報を用いた露光工程における面内露光量の補正処理について説明する。ここではまず、露光装置１０における露光処理の概要について説明する。露光処理では、半導体基板３０上の１つの矩形状のショット領域に、このショット領域と同じ長さを有し、ショット領域の幅よりも短い矩形状の露光領域を、ショット領域の幅方向にスキャンすることによって露光を行う。つまり、光源１１からの露光光は、通常、スリット状にされ、フォトマスク５５を介して半導体基板３０に照射されることによって、半導体基板３０上にスリット状の露光領域が形成される。そして、フォトマスクステージ駆動機構１７とウェハステージ駆動機構１６とによってフォトマスクステージ１３とウェハステージ１２とを、スリット（露光領域）の幅方向に相対的に走査させることによって、半導体基板３０上に設定された矩形のショット領域にフォトマスク５５のパターンが転写される。

しかし、上述したように、フォトマスク５５は、面内に露光光に対して透過率分布を有するので、そのまま露光したのでは、半導体基板３０上の露光量にフォトマスク５５（マスク基板５０）の面内透過率分布に対応した分布が生じてしまう。そのため、本実施の形態では、照射するフォトマスク５５の透過率分布に応じてスリットの幅を変化させることが可能な形状可変スリット１８を用いて、露光を行うようにする。

そこで、つぎに、形状可変スリット１８のスリット幅を変化させる基となる面内露光量補正情報の算出方法について説明する。なお、この面内露光量補正情報の算出は、制御部２０の面内露光量補正情報算出機能２３によって行われるものとする。

図４は、マスク基板の露光量補正処理の概要を説明するための図であり、（ａ）はマスク基板の透過率分布の一例を示す図であり、（ｂ）はマスク基板内の露光量を均一とするための露光量分布の一例を示す図である。この図４（ａ）に示されるように、マスク基板５０の透過率は、中心部ほど高く、マスク基板５０の中心部から同心円状に低下していくものとする。図４（ｂ）に示されるように、マスク基板５０を通過した光の量を面内で均一にするためには、各位置に入射する光の量（露光量）を、その位置での透過率に反比例するように設定すればよい。たとえば、図４（ａ）でマスク基板５０の中心の透過率をＴ１とし、周縁部での透過率をＴ２（＜Ｔ１）としたとき、それぞれの位置での露光量Ｄ１，Ｄ２（図４（ｂ）参照）は、下記（１）式を満たせばよい。
Ｄ１：Ｄ２＝１／Ｔ１：１／Ｔ２ ・・・（１）

このように、マスク基板５０の面内透過率分布に反比例した照射量でフォトマスク５５の面内の各位置に光を照射することで、フォトマスク５５を通過した光の強度は、フォトマスク５５を通過した面内の各位置において同じになる。以上のようにして求められた面内露光量分布は、面内露光量補正情報として、面内露光量補正情報記憶機能２４に記憶される。

なお、面内露光量補正情報は、面内露光量分布でなくてもよい。たとえば、上記のようにして求められた面内露光量分布から、さらに基準となる露光量からの露光量のずれを求め、面内の露光量のずれの分布を求め、これを面内露光量補正情報としてもよい。

つぎに、図１の露光装置１０を用いた半導体装置の製造方法について説明する。まず、露光装置１０のフォトマスクステージ１３上には、基板透過率分布情報を算出したものと同じ製造ラインおよびプロセスで製造されたマスク基板５０を用いて、被加工膜上に転写するパターンが形成されたフォトマスク５５が載置され、また、ウェハステージ１２上には、被加工膜とレジストが順に形成された半導体基板３０が載置される。

ついで、制御部２０の照射位置制御機能２１は、フォトマスクステージ駆動機構１７とウェハステージ駆動機構１６に信号を出力し、フォトマスク５５と半導体基板３０との間の位置合わせを行った後、光源１１からの光を、フォトマスク５５を介して半導体基板３０上に露光するとともに、照射位置制御機能２１は、フォトマスクステージ駆動機構１７とウェハステージ駆動機構１６に信号を出力し、フォトマスクステージ１３とウェハステージ１２を走査する。このとき、制御部２０のスリット形状制御機能２５は、ウェハステージ１２への露光位置に対応する面内露光量補正情報記憶機能２４に記憶されている面内露光量補正情報に基づいて、形状可変スリット１８の形状を変化させる。

たとえば、図４（ｂ）に示されるフォトマスク（マスク基板５０）中の領域Ｒを照射する場合は、その領域Ｒ中に示される面内露光量分布を有するように照射すればよい。つまり、露光量は、中心部の露光量Ｄ１から周縁部の露光量Ｄ２に向かって、徐々に大きくなっているので、このような露光量の変化となるように形状可変スリット１８の形状を変化させる。

図５は、形状可変スリットの模式的構造の一例を示す図である。図５（ａ）に示されるように、この形状可変スリット１８は、基本的には光が通過する領域（光通過領域）１８１がほぼ矩形状となっている。光通過領域１８１の長さＬは、半導体基板３０上のショット領域の長さに等しく、光通過領域１８１の幅Ｗは、ショット領域の長さよりも短くなっている。以下では、ショット領域の長さに等しい方向の辺を長辺１８２といい、他の方向の辺を短辺１８３という。

この光通過領域１８１の長辺１８２側は、短辺１８３の伸長方向に移動可能な複数の短冊状の辺構成部材１８４によって構成されている。図４（ｂ）の領域Ｒに光を照射する場合には、たとえば図５（ｂ）に示されるように形状可変スリット１８の長辺１８２の中央付近の幅Ｗ１を小さくし、長辺１８２の周縁部付近の幅Ｗ２ほど広くするように辺構成部材１８４の短辺１８３方向の位置を制御すればよい。このとき、長辺１８２の中央付近の幅Ｗ１と周縁部の幅Ｗ２は、それぞれ露光量Ｄ１，Ｄ２に比例したものとなる。

このように、スリット形状制御機能２５は、照射するフォトマスク５５の位置の面内露光量補正情報に基づいて形状可変スリット１８の長辺１８２上の各位置の幅を変化させることで、半導体基板３０上の各位置における光の照射量を均一にすることができる。

なお、上述した露光領域内の露光量分布は、基板透過率分布以外に、たとえば光源１１の照度むら、半導体基板３０のレジストの塗布むらなどの要因にも影響されるので、これらの要因による露光量分布の補正を行ってもよい。この場合には、上記した基板透過率分布の補正量と、他の要因による補正量を合成することによって全体の補正量を算出し、それに基づいて露光量分布を制御すればよい。

また、一般的な露光処理においては、フォトマスク５５に入射する光の角度は、フォトマスク５５のパターン形成面の法線に対する入射角度が０〜約２０度の範囲の照明光を利用している。そのため、上記の面内透過率分布を測定する際には、０〜約２０度の範囲の入射角度を有する光を用いて行うことが望ましい。たとえば、０〜約２０度の範囲の入射角度を有する光を用いて面内透過率分布を測定し、それらを平均したものを基板透過率分布測定情報として基板透過率分布測定情報記憶部に記憶させてもよい。

この第１の実施の形態によれば、フォトマスク５５の露光装置１０で使用される波長の光に対する面内透過率分布を測定し、その面内透過率分布に応じてフォトマスク５５の各位置への光の照射量を変化させるようにしたので、フォトマスク５５を透過して半導体基板３０上に到達する光の半導体基板３０上の各位置での露光量が均一となる。その結果、半導体基板３０上のレジスト寸法精度を高めることができるという効果を有する。

（第２の実施の形態）
この第２の実施の形態では、マスク基板の面内透過率のばらつきを取得し、透過率ばらつきが所定の値よりも小さい領域には半導体基板上に転写されるレジストパターンに関して高度な寸法制御が要求されるパターンを配置し、透過率の悪い領域または透過率ばらつきが所定の値よりも大きい領域には、高度な寸法精度が不要なパターンを配置したフォトマスクを使用して半導体装置を製造する場合について説明する。

図６は、フォトマスクに形成されるパターンの一例を模式的に示す図である。ここでは、フォトマスク５５のマスクパターンが形成されるマスクパターン領域１００が、微細であって高精度の寸法管理が必要なパターンが存在する高精度管理領域１０１〜１０４と、高精度管理領域１０１〜１０４のような高精度の寸法管理が不要なパターンが存在する低精度管理領域１１０と、に分割される。

高精度管理領域１０１〜１０４を設定する方法として、たとえば、互いに隣接する複数の配線群からなり、ハーフピッチが露光装置の照明光の波長の３分の１以下である配線パターンを含むチップ領域を高精度管理領域１０１〜１０４とすることができる。たとえば、ＡｒＦエキシマレーザ光（中心波長１９３ｎｍ）を露光光源とする露光装置をフォトリソグラフィ工程に使用する場合、ハーフピッチが６５ｎｍのラインアンドスペースの配線群を含むチップ領域を高精度管理領域１０１〜１０４とする。

また、この高精度管理領域１０１〜１０４を形成するために、マスク基板の高精度管理領域１０１〜１０４に対応する領域には規格値が設けられる。つまり、高精度管理領域１０１〜１０４を形成するマスク基板上の対応する領域での面内透過率について、半導体基板上のレジストに形成されるパターンの寸法のばらつきが所定値以下となるように規格値を設定する。この規格値は、マスク基板の面内透過率が所定値以上または基板透過率のばらつきが所定値以下となるように設定される。

図６の例では、低精度管理領域１１０には規格値は設定されないが、高精度管理領域１０１〜１０４では規格値が設定されている。ここで、高精度管理領域１０１〜１０４に設定される規格値は同一であるとする。そのため、図６に示した高精度管理領域１０１〜１０４に含まれるパターン１２１は、高精度の寸法管理を必要とするパターンである。また、低精度管理領域１１０に含まれる、たとえば高精度管理領域１０１と高精度管理領域１０２との間に配置されたパターン１２２は、パターン１２１より形状が大きく、高精度の寸法管理が不要なパターンである。たとえば、パターン１２１は、パターン１２２が含まれる配線群より配線幅および配線ピッチが狭い配線群の一部である。

ここで、規格値を設定する方法を説明する。まず、光学シミュレーションによって、マスク基板５０の透過率または透過率ばらつきの大きさと、マスク基板５０から作製されるフォトマスク５５上のパターンが転写されて半導体基板３０上のフォトレジスト膜に形成されるパターン幅の形状変動の大きさ（以下、形状変動量という）との関係を求める。「光学シミュレーション」とは、フォトマスク５５を透過した照明光が半導体基板３０に到達するときに、半導体基板３０表面に生じるであろう光強度分布を推定するように算出し、算出された光強度分布に基づいて、フォトマスク５５上のパターンの形状、露光量誤差および半導体基板３０のフォーカス誤差に対する半導体基板３０上に形成されるであろうフォトレジスト膜の形状変動量を仮想的に算出することをいう。

図７は、光学シミュレーションにより算出された透過率の大きさとフォトレジスト膜の形状変動量との間の関係の一例を示す図である。図７に示した直線Ｌ１は、図６に示した高精度管理領域１０１中のパターン１２１を半導体基板上に形成するために許容されるフォトレジスト膜のパターンの形状変動量ΔＣＤを示す。つまり、直線Ｌ１は高精度管理領域１０１〜１０４のパターン１２１が透過率から受ける影響の大きさを表す。一方の直線Ｌ２は低精度管理領域１１０のパターン１２２を半導体基板上に形成するために許容されるフォトレジスト膜の形状変動量ΔＣＤを示す。この図７に示すように、基板透過率の大きさが低精度管理領域１１０内のパターン１２２の形状変動量ΔＣＤに及ぼす影響は、高精度管理領域１０１〜１０４内のパターン１２１に及ぼす影響に比べて小さい。なお、この図では、横軸に透過率の大きさをとったが、透過率ばらつきをとってもよい。

この光学シミュレーションの結果を用いて、マスク基板５０内に規格値が設定される。たとえば、図７に示すグラフを用いて、パターン１２１を形成するためのフォトレジスト膜の形状変動量ΔＣＤの許容限界ＬＴに基づいて、高精度管理領域１０１〜１０４が形成されるマスク基板５０の透過率の規格値ＳＴが設定される。

つぎに、このようなフォトマスク５５の製造方法について説明する。図８は、フォトマスクの製造方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。まず、同一の製造ラインで同一のプロセスを経て製造されたマスク基板５０の中から、１〜複数枚のマスク基板５０を抽出（サンプリング）し（ステップＳ３１）、第１の実施の形態で説明したように各マスク基板５０の面内透過率分布を計測する（ステップＳ３２）。ついで、同一の製造ラインで同一のプロセスによって製造されたマスク基板５０を代表する基板透過率分布情報を算出する（ステップＳ３３）。第１の実施の形態で説明したように、たとえばサンプリング数が複数枚の場合には、計測した各マスク基板５０の面内透過率分布の基板間平均を求め、これを上記製造ライン・製造プロセスを代表する基板透過率分布情報とすることができる。また、サンプリング数が１枚の場合には、その計測値を上記製造ライン・製造プロセスを代表する基板透過率分布情報とする。さらに、実際の露光処理においては、フォトマスク５５に入射する光の角度がフォトマスク５５のパターン形成面の法線に対して０〜約２０度の範囲の入射角度を有する光で露光を行っているので、基板透過率分布情報として０〜約２０度の範囲の入射角の光に対する面内透過率分布の平均を算出することが望ましい。

ついで、高精度管理領域１０１〜１０４を含むマスクパターン領域１００上の全面に、光透過部、遮光部または位相シフト部を形成する（ステップＳ３４）。その後、マスク基板５０上に形成するパターンを、パターン微細度に応じた複数の領域に分割する（ステップＳ３５）。たとえば、マスクパターン領域１００を、微細であって高精度に寸法管理が必要なパターン１２１が存在する高精度管理領域１０１〜１０４と、それほど高精度な寸法管理が要求されないパターン１２２が存在する低精度管理領域１１０と、に分割する。特に、マスク基板５０の透過率の変化によって寸法変化を引き起こすパターンが存在する領域を規定する。

ついで、高精度管理領域１０１〜１０４に要求されるマスク基板５０の透過率（または透過率分布の大きさ）の規格を決定する（ステップＳ３６）。具体的には、図７で説明したように形成するマスクパターンと使用する露光装置の照明条件を考慮した光学シミュレーションによって、基板透過率の大きさ（または透過率分布の大きさ）と半導体基板上に転写されるレジストパターンの寸法変動の関係を求め、レジストパターンに要求される寸法精度から、基板透過率の大きさの下限値（または透過率分布の大きさの上限値）を求め、これを高精度管理領域１０１〜１０４に求められる規格とする。

たとえば図７の光学シミュレーションの結果を用いて、マスク基板５０の一部または全体の各領域（高精度管理領域１０１〜１０４）の規格値が決定される。さらに具体的には、図７に示すグラフを用いて、図６のパターン１２１を形成するためのフォトレジスト膜の形状変動量ΔＣＤの許容限界ＬＴに基づいて、高精度管理領域１０１〜１０４が形成されるマスク基板５０上の対応する領域の規格値ＳＴが設定される。

ついで、マスク基板５０上に上記で設定した規格値を有する高精度管理領域１０１〜１０４を定義し（ステップＳ３７）、これから使用しようとするマスク基板５０が、上記で決定した規格値を満たしているか否かを判定する（ステップＳ３８）。このとき、たとえば、高精度管理領域１０１〜１０４として定義した領域内の基板透過率についての検査を行う場所を密にし（検査密度を多くし）、低精度管理領域１１０の基板透過率についての検査を行う場所を、高精度管理領域１０１〜１０４として定義した領域の検査密度に比して少なくしたり、検査をしないようにしたりすることもできる。これにより、マスク基板５０の検査時間を短縮化することができる。

マスク基板５０の面内透過率分布が決定した規格値を満たしている場合（ステップＳ３８でＹｅｓの場合）、たとえば、高精度管理領域１０１〜１０４に対応するマスク基板５０上の領域内で基板透過率の悪化が小さい（または透過率のばらつきが小さい）場合、には、このマスク基板５０またはこのマスク基板５０と同一の製造ラインで同一のプロセスを経て製造されたマスク基板５０を、フォトマスク５５の製造に使用するものと決定する（ステップＳ３９）。

一方、マスク基板５０の面内透過率分布が決定した規格を満たしていない場合（ステップＳ３８でＮｏの場合）、たとえば、高精度管理領域１０１〜１０４内で基板透過率が許容範囲を超えて悪化している（または許容範囲を超える透過率のばらつきが発生している）場合、には、そのマスク基板５０の使用を取りやめる（ステップＳ４０）。つまり、このマスク基板５０またはこのマスク基板５０と同一の製造ラインで同一のプロセスを経て製造されたマスク基板５０でのフォトマスク５５の作製処理が終了し、別の透過率分布特性を有するマスク基板５０を準備し、再度、ステップＳ３１に戻り上述した処理を繰り返し行う。

ステップＳ３９の後、透過率に関して規格を満たすマスク基板５０の光透過部、遮光部または位相シフト部に対して、パターニングを行い、フォトマスク５５を製造する（ステップＳ４１）。ここでいうマスク基板５０とは、上記の基板面内透過率分布計測を行ったマスク基板５０またはこのマスク基板５０と同じ製造ラインで同じ製造プロセスを経て製造されたマスク基板５０のことをいう。以上によって、フォトマスク５５の製造処理が終了する。

なお、上記のステップＳ３２で露光装置の照明条件に関して、偏光照明を使用する場合には、偏光光に対する基板透過率を計測する必要がある。特に、電気ベクトル振動成分が光の入射面に対して垂直である「ｓ偏光」を使用して露光を行うマスク基板に対しては、ｓ偏光に対する基板透過率を計測して、管理することが望ましい。

また、このような規格値を有するマスク基板５０から製造されたフォトマスク５５を用いた半導体装置の製造時における露光処理でも、第１の実施の形態と同様に、フォトマスク５５（フォトマスク５５の基となるマスク基板５０）の面内透過率分布に基づいて、フォトマスク５５を通過する光の強度を均一にするように、形状可変スリット１８の形状を変化させて行われる。

この第２の実施の形態によれば、高い寸法精度が要求される高精度管理領域１０１〜１０４では、基板透過率が所定値以上となるまたは基板透過率のばらつきが所定値以下となるマスク基板５０を用いて製造したフォトマスク５５を使用して、半導体基板上のフォトレジストに露光を行うようにしたので、高精度管理領域１０１〜１０４に形成されるパターン形状の寸法精度を上げることができるという効果を有する。

（第３の実施の形態）
上述した第２の実施の形態の図８のフローチャートのステップＳ３７〜Ｓ３８では、マスク基板上にマスクパターン領域の高精度管理領域を定義し、その領域内でマスク基板の透過率分布が規格値を満たすか否かを判定する場合を示した。ところで、マスク基板は通常正方形であり、マスクパターンは矩形であるため、両者の辺が平行となるようにマスクパターンの配置が行われる。そのため、マスクパターンとマスク基板とを相対的に回転させることによって、定義した高精度管理領域の規格値を満たす条件が存在することもあり得る。そこで、この第３の実施の形態では、マスク基板とマスクパターンとを相対的に回転させることによって、基板透過率が規格値を満足する状態が存在するか否かを判定して、最終的にそのマスク基板を使用するか否かを判定する場合について説明する。

図９は、フォトマスクの製造方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。第２の実施の形態の図８のステップＳ３１〜Ｓ３６までと同様に、同一の製造ラインで同一のプロセスを経て製造されたマスク基板５０の中から抽出した１〜複数枚のマスク基板５０の面内透過率分布を計測して代表となる基板透過率分布情報を算出し、マスク基板５０上に光透過部、遮光部または位相シフト部を形成する。その後、マスクパターン領域をパターン微細度に応じて複数の領域に分割し、各領域に透過率の規格値を決定する（ステップＳ５１〜Ｓ５６）。

ついで、マスク基板５０の面内透過率分布と、ステップＳ５６で決定されたマスクパターン内の高精度管理領域１０１〜１０４の透過率に関する規格値とを比較し、上記で決定した規格値をマスク基板５０が満たしているか否かを判定する（ステップＳ５７）。

マスク基板５０の面内透過率分布が決定した規格値を満たしている場合（ステップＳ５７でＹｅｓの場合）、たとえば、高精度管理領域１０１〜１０４に対応するマスク基板５０上の領域内で基板透過率の悪化が小さい（または透過率のばらつきが小さい）場合、には、このマスク基板５０またはこのマスク基板５０と同一の製造ラインで同一のプロセスを経て製造されたマスク基板５０を、フォトマスク５５の製造に使用するものと決定する（ステップＳ５９）。

一方、マスク基板５０の面内透過率分布が決定した規格を満たしていない場合（ステップＳ５７でＮｏの場合）、たとえば、高精度管理領域１０１〜１０４内で基板透過率が許容範囲を超えて悪化している（または許容範囲を超える透過率のばらつきが発生している）場合、には、マスクパターンとマスク基板５０とをパターン形成面内で相対的に回転させることで、マスク基板５０の面内透過率分布が高精度管理領域１０１〜１０４の透過率に関する規格値を満たすか否かを判定する（ステップＳ５８）。

上記したように、一般的にマスク基板５０は正方形であり、マスクパターン領域は矩形であるため、両者の辺が平行となるようにマスクパターンの配置が行われる。そのため、最初の配置状態からマスクパターンをマスク基板５０に対して９０度、１８０度、または２７０度回転させた状態でも、マスク基板５０上にパターンを形成してフォトマスク５５を作製することができる。そこで、マスク基板５０とマスクパターンとを相対的に９０度、１８０度、または２７０度回転させた状態のいずれかにおいて、基板透過率が規格値を満足しないマスク基板５０上の不良領域を高精度管理領域１０１〜１０４から除外でき、高精度管理領域１０１〜１０４が形成されるマスク基板５０上の対応する領域の基板透過率の大きさが規格値を満足する場合には、マスクパターンを回転させた状態でマスク基板５０上にパターンを形成してフォトマスク５５が作製できる。

図１０は、マスク基板とマスクパターンとを相対的に回転させて重ね合わせた状態を模式的に示す図である。マスクパターンは、高精度管理領域１０１〜１０４が配置されるマスクパターン領域１００を有し、マスク基板５０は基板透過率の大きさが規格値を満足しない不良領域５３を有している。

図１０（ａ）は、ステップＳ５７で判定された状態におけるマスク基板５０とマスクパターンとの関係を示す。また、図１０（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、（ａ）の状態に対してマスクパターン領域１００をそれぞれ反時計回りに９０度、１８０度、２７０度回転したマスク基板５０とマスクパターン領域１００の状態を示す。

図１０の（ａ）、（ｂ）および（ｄ）では、高精度管理領域１０４，１０３，１０２がそれぞれ不良領域５３に重なるため、これらのマスク基板５０とマスクパターン領域１００との配置関係では、マスク基板５０は規格値を満足しない。しかし、図１０（ｃ）に示すように、図１０（ａ）の状態から反時計回りに１８０度回転させた状態では、マスク基板５０の不良領域５３と高精度管理領域１０１〜１０４とは重ならない。つまり、図１０（ｃ）に示した状態でマスク基板５０上にパターンを形成してフォトマスク５５を作製可能である。

再び図９に戻り、ステップＳ５８でマスクパターンとマスク基板５０とをパターン形成面内で相対的に回転させることで、マスク基板５０の面内透過率分布が規格を満たす場合（ステップＳ５８でＹｅｓの場合）、たとえば図１０（ｃ）に示されるような場合、には、ステップＳ５９へと処理が進む。すなわち、この規格を満たしていると判定されたマスク基板５０またはこのマスク基板５０と同一の製造ラインで同一のプロセスを経て製造されたマスク基板５０を、フォトマスク５５の製造に使用するものと決定する。

一方、ステップＳ５８でマスクパターンとマスク基板５０とをパターン形成面内で相対的に回転させても、マスク基板５０の面内透過率分布が規格を満たさない場合（ステップＳ５８でＮｏの場合）には、高精度管理領域１０１〜１０４内でマスク基板５０の基板透過率の要求仕様を満たす条件がないことになるので、そのマスク基板５０の使用を取りやめる（ステップＳ６１）。つまり、このマスク基板５０またはこのマスク基板５０と同一の製造ラインで同一のプロセスを経て製造されたマスク基板５０でのフォトマスク５５の製造処理が終了し、別の透過率分布特性を有するマスク基板５０を準備し、再度、ステップＳ５１に戻り上述した処理を繰り返し行う。

ステップＳ５９の後、透過率に関して規格を満たすマスク基板５０の光透過部、遮光部または位相シフト部に対して、パターニングを行い、フォトマスク５５を製造する（ステップＳ６０）。この際、上記のステップＳ５８で回転させたマスクの方向を考慮して、高精度管理領域１０１〜１０４内で透過率の仕様が満たされるようにする。ここでいうマスク基板５０とは、上記の基板面内透過率分布の計測を行ったマスク基板５０またはこのマスク基板５０と同じ製造ラインで同じ製造プロセスを経て製造されたマスク基板５０のことをいう。以上によって、フォトマスク５５の製造処理が終了する。

この第３の実施の形態によれば、マスク基板５０の製造時に、マスク基板５０にマスクパターンを重ね合わせたときに、マスク基板５０の不良領域５３がマスクパターンの高精度管理領域１０１〜１０４に重なってしまった場合に、マスク基板５０とマスクパターンとを相対的に回転させて、マスクパターンの高精度管理領域１０１〜１０４がマスク基板５０の不良領域５３に重ならない条件を検索するようにした。その結果、マスク基板５０とマスクパターンとを相対的に回転させて、マスクパターンの高精度管理領域１０１〜１０４がマスク基板５０の不良領域５３と重ならない条件を検索することができる場合には、マスク基板５０が使用不可と判定される確率を低減させ、マスク基板５０を有効に利用することができるという効果を有する。その結果、半導体装置製造のコストを従来に比して下げることができるという効果も有する。

（第４の実施の形態）
この第４の実施の形態では、マスク基板を製造するマスク基板製造者とフォトマスクを作製するフォトマスク作製者が異なり、マスク基板製造者がマスク基板の選別を実施する場合のフォトマスクの製造方法の例について説明する。

図１１は、本発明の第４の実施の形態にかかるフォトマスクの製造方法の一例を示すフローチャートである。まず、半導体装置の製造者などのフォトマスク購入予定者が、高精度の寸法管理が必要な素子パターンが形成される高精度管理領域と、高精度な寸法管理が不要な素子パターンが形成され低精度管理領域とを、マスク基板上に定義し、それぞれの領域についての透過率の大きさまたは透過率ばらつきの大きさの規格値を決定する（ステップＳ７１）。たとえば、図６に示したマスクパターン領域１００を例にすると、マスクパターン領域１００内に高精度管理領域１０１〜１０４と低精度管理領域１１０とを定義する。そして、フォトマスク購入予定者が、高精度管理領域１０１〜１０４および低精度管理領域１１０におけるそれぞれの規格値をそれぞれ設定し、基板製造者に伝達する。なお、低精度管理領域１１０に関しては、規格値を設定しなくてもよい。

ついで、マスク基板製造者は、フォトマスク購入予定者から伝達された高精度管理領域１０１〜１０４および低精度管理領域１１０における規格値を満足するマスク基板５０が製造可能であるか否かを判断する（ステップＳ７２）。規格値を満足するマスク基板５０が製造できない場合（ステップＳ７２でＮｏの場合）には、その旨をフォトマスク購入予定者に伝え、マスク基板５０の製造は中止され（ステップＳ８１）、処理が終了する。一方、規格値を満足するマスク基板５０が製造できる場合（ステップＳ７２でＹｅｓの場合）には、マスク基板製造者は、過去の製造情報および価格情報などに基づいてマスク基板５０の予定価格および予定納期を算出する（ステップＳ７３）。算出されたマスク基板５０の予定価格および予定納期は、フォトマスク購入予定者に伝達される。

その後、フォトマスク購入予定者は伝達されたマスク基板５０の予定価格および予定納期に基づき、マスク基板５０およびフォトマスクの製造を進めるか否かを判断し、判断結果がマスク基板製造者に伝達される（ステップＳ７４）。一方、マスク基板５０の製造を進めない場合は、その旨がマスク基板製造者に伝達され、マスク基板５０の製造は中止され（ステップＳ８２）、マスクの製造処理が終了する。マスク基板５０およびフォトマスク５５の製造を進める場合は、ステップＳ７５に進む。

ついで、マスク基板製造者はフォトマスク購入予定者からのマスク基板５０を製造する旨の判断を受けてマスク基板５０を製造する。マスク基板製造者は、製造したマスク基板５０の面内透過率分布を既に説明した方法を用いて検査し、基板透過率分布情報を算出する（ステップＳ７５）。検査結果はフォトマスク購入予定者に伝達される。

その後、フォトマスク購入予定者がマスク基板５０の基板透過率分布情報の検査結果を確認する（ステップＳ７６）。ついで、製造したマスク基板５０の識別情報とマスク描画データが、フォトマスク購入予定者からフォトマスク作製者に伝達される（ステップＳ７７）。フォトマスク購入予定者からの伝達を受けて、フォトマスク作製者はマスク基板５０をマスク基板製造者から受け取る。また、フォトマスク作製者は、フォトマスク購入予定者から受け取ったマスク描画データに用いて、マスク基板５０上にパターンを形成し、フォトマスク５５を作製する（ステップＳ７８）。

ついで、フォトマスク作製者は、作製されたフォトマスク５５の寸法や欠陥などの検査を行い、規定されたフォトマスク５５の仕様を満足するフォトマスク５５をフォトマスク購入予定者に出荷し（ステップＳ７９）、フォトマスクの製造処理が終了する。フォトマスク５５が規定された仕様を満足しない場合、ステップＳ７８に戻ってフォトマスク５５を再度作製する。

この第４の実施の形態によれば、マスク基板製造者、フォトマスク作製者、フォトマスク購入予定者が異なる場合でも、基板透過率または基板透過率のばらつきの規格値を満足するマスク基板を用いてフォトマスクを作製できる。

（第５の実施の形態）
上述した第１〜第４の実施の形態は、透過型のフォトマスクを用いたものである。しかし、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）露光装置のように、１０〜１４ｎｍの非常に波長の短い光を露光光に用いる場合には、光がほとんど吸収されてしまうために、透過型のフォトマスクを用いることができない。そのため、ＥＵＶ露光装置では、反射型のフォトマスクが使用されるが、この反射型のフォトマスクにも、上述した第１〜第４の実施の形態を適用することができる。

図１２は、ＥＵＶ露光装置の概略構成を示す図である。このＥＵＶ露光装置１０Ａは、波長の短い軟Ｘ線を出力する光源１１と、被加工物である半導体基板（ウェハ）３０を載置するウェハステージ１２と、光源１１とウェハステージ１２との間に設けられ、反射型フォトマスク６５を載置するフォトマスクステージ１３と、光源１１からの光を反射によって反射型フォトマスク６５に照射する照明光学系１４Ａと、反射型フォトマスク６５を通過した光を反射によって半導体基板３０上に投影する投影光学系１５と、ウェハステージ１２を所定の方向に駆動するウェハステージ駆動機構１６と、フォトマスクステージ１３を所定の方向に駆動するフォトマスクステージ駆動機構１７と、反射型フォトマスク６５を通過する光の量（露光量）を制御するためにフォトマスクステージ１３の光源１１側に設けられる形状可変スリット１８と、ウェハステージ駆動機構１６、フォトマスクステージ駆動機構１７および形状可変スリット１８を制御する制御部２０と、を備える。なお、反射型フォトマスク６５は、照明光学系１４Ａからの光を反射によって投影光学系１５へと導く構成を有している。また、制御部２０の構成は、第１の実施の形態の図１の基板透過率分布情報記憶機能２２が基板反射率分布情報記憶機能２２Ａに変わり、マスク基板の透過率ではなく反射率を用いて面内露光量補正情報を算出する点を除いて、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。

図１３は、反射型フォトマスクの断面構造の一例を模式的に示す図である。反射型フォトマスク６５は、たとえばシリカガラスなどのマスク基板６０上に、モリブデンとシリコン（Ｍｏ／Ｓｉ）やベリリウムとシリコン（Ｂｅ／Ｓｉ）などの異種の膜を交互に積層した多層膜からなる反射層６１を形成し、反射層６１上に所望のパターンを有する窒化タンタル（ＴａＮ）膜などからなる軟Ｘ線を吸収する吸収体パターン６２が形成されている。

このような反射型フォトマスク６５の製造方法および反射型フォトマスク６５を用いる半導体装置の製造方法は、上記した第１〜第４の実施の形態に適用することができる。この反射型フォトマスク６５では、同一の製造ラインで同一のプロセスを経て製造されたマスク基板６０から１〜複数枚のマスク基板６０を抽出し、それぞれのマスク基板６０上に反射層６１を形成した状態で、マスク基板６０面内の各位置における入射光に対する反射光の強度の割合である面内反射率分布を計測し、この面内反射率分布から同一の製造ラインで同一のプロセスを代表する基板反射率分布情報を算出する。なお、面内反射率分布を計測する際に、反射層６１を形成した状態のマスク基板６０に代わって、反射層６１を形成したマスク基板６０にさらに吸収体パターン６２を形成したフォトマスク６５の面内反射率分布を計測して求めた基板透過率分布情報を用いてもよい。

なお、この反射型フォトマスク６５を用いた半導体装置の製造方法は、第１の実施の形態で説明した半導体装置の製造方法において、基板透過率分布情報を用いる代わりに基板反射率分布情報を用いる点が異なる点を除いて第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。

この第５の実施の形態によれば、反射型フォトマスク６５の露光装置で使用される波長の光に対する面内反射率分布を測定し、その面内反射率分布に応じて反射型フォトマスク６５の各位置への光の照射量を変化させるようにしたので、反射型フォトマスク６５で反射して半導体基板３０上に到達する光の半導体基板３０上の各位置での露光量が均一となる。その結果、半導体基板３０上のレジスト寸法精度を高めることができるという効果を有する。

本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法に用いられる露光装置の概略構成を示す図である。 基板透過率分布情報の算出処理の一例を示すフローチャートである。 フォトマスクの製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。 マスク基板の露光量補正処理の概要を説明するための図である。 形状可変スリットの模式的構造の一例を示す図である。 フォトマスクに形成されるパターンの一例を模式的に示す図である。 光学シミュレーションにより算出された透過率の大きさとフォトレジスト膜の形状変動量との間の関係の一例を示す図である。 フォトマスクの製造方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。 フォトマスクの製造方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。 マスク基板とマスクパターンとを相対的に回転させて重ね合わせた状態を模式的に示す図である。 本発明の第４の実施の形態にかかるフォトマスクの製造方法の一例を示すフローチャートである。 ＥＵＶ露光装置の概略構成を示す図である。 反射型フォトマスクの断面構造の一例を模式的に示す図である。

符号の説明

１０，１０Ａ…露光装置、１１…光源、１２…ウェハステージ、１３…フォトマスクステージ、１４，１４Ａ…照明光学系、１５…投影光学系、１６…ウェハステージ駆動機構、１７…フォトマスクステージ駆動機構、１８…形状可変スリット、２０…制御部、２１…照射位置制御機能、２２…基板透過率分布情報記憶機能、２２Ａ…基板反射率分布情報記憶機能、２３…面内露光量補正情報算出機能、２４…面内露光量補正情報記憶機能、２５…スリット形状制御機能、３０…半導体基板、５０，６０…マスク基板、５１…半透明膜、５２…遮光膜、５３…不良領域、５５，６５…フォトマスク、６１…反射層、６２…吸収体パターン

Claims (5)

1. 光源からの光をフォトマスク上の所定の領域で透過または反射させて基板上のフォトレジストに照射してパターンを形成し、半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
   前記フォトマスクの面内の各位置における、入射光強度に対する前記フォトマスクで透過または反射する出射光強度の割合である出射光比率に基づいて、前記フォトマスクからの出射光強度が均一となる入射光強度の前記フォトマスク上での分布である露光量補正情報を算出する第１の工程と、
   前記基板上の露光領域に対応する前記フォトマスクの照射領域への照射量が、対応する位置での前記露光量補正情報となるように前記入射光強度を補正しながら、前記露光領域を露光する第２の工程と、
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記出射光比率は、前記フォトマスクの基となるマスク基板、パターニングされていない所定の被膜が全面に形成された前記マスク基板、または前記パターニングされた所定の被膜が形成された前記マスク基板のいずれかの状態から求められた出射光比率であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記出射光比率は、同一の製造工程で同一の製造プロセスで製造された複数のマスク基板から抽出された１ないし複数枚のマスク基板を用いて求められ、
   前記第２の工程では、前記出射光比率を求めるのに使用された前記マスク基板と同一の製造工程で同一の製造プロセスで製造されたマスク基板から形成されたフォトマスクが使用されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. フォトマスクは、基板上のフォトレジストに形成されるパターンの寸法のばらつきが所定値以下となるように、前記フォトマスクの面内の各位置における、入射光強度に対する前記フォトマスクで透過または反射する出射光強度の割合である出射光比率の大きさまたは前記出射光比率のばらつきの大きさで示される規格値によって管理されることを特徴とするマスク管理方法。
5. フォトマスクの面内の各位置における、入射光強度に対する前記フォトマスクで透過または反射する出射光強度の割合である出射光比率に基づいて、前記フォトマスクからの出射光強度が均一となる入射光強度の前記フォトマスク上での分布である露光量補正情報を取得することを特徴とする露光量補正情報の取得方法。

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