JP2009210950A - フォトマスクの検査方法、フォトマスク、液晶表示装置の製造方法、透過率データーベース及びフォトマスクの品質表示方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フォトマスクに固有の客観的な露光光透過率を把握することができ、フォトマスクの良否を的確に評価することができるフォトマスクの検査方法を提供し、また、このようなフォトマスクの検査方法により検査され得るフォトマスクを提供する。
【解決手段】遮光部、透光部及び半透光部からなるパターン１を有し、このパターン１を転写することによって被転写体上にレジストパターンを形成するフォトマスクを検査する方法において、所定面積の光透過率参照用半透光部４を主パターンエリア３内又は外に設けておき、該面積は、光透過率を測定する透過率測定装置により更に大きな面積の半透光部の光透過率を測定したときと実質的に同じ透過率となる面積であり、透過率参照用半透光部４の光透過率を透過率測定装置によって測定する工程を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、露光用フォトマスクの性能を検査するためのフォトマスクの検査方法に関し、また、このフォトマスクの検査方法により検査されるフォトマスクに関し、さらに、このフォトマスクを用いる液晶表示装置の製造方法、前記フォトマスクの検査方法により得られる透過率データーベース及びこの透過率データーベースを用いたフォトマスクの品質表示方法に関する。

従来、被転写体上に段差状の膜厚分布を有するレジストパターンを形成するため、遮光部、透光部及び半透光部を有するフォトマスクが用いられている。このようなフォトマスクの半透光部としては、露光条件下における解像限界を超える微細パターンが形成されたものや、あるいは、露光光の一部を透過させる半透光膜が形成されたものが知られている。

例えば、特許文献１には、透明基板上に半透光膜及び遮光膜が順次形成されたマスクブランクを準備し、このマスクブランク上に遮光部に対応する領域のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングすることにより半透光膜上に遮光部を形成し、次いで、少なくとも半透光部を含む領域にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして半透光膜をエッチングすることにより半透光部及び透光部を形成するようにしたグレートーンマスクの製造方法が記載されている。
特開２００５−０３７９３３

上記のようなフォトマスク製品の、半透光部の透過率を特定するには、該フォトマスクの半透光部の光透過率を測定することによって、その数値を確認することができる。しかしながら、下記の理由でこの方法には不都合がある。

また、製品となるフォトマスクとは別の透過率測定用基板に、同様の素材で半透光膜を成膜し、その透過率を測定し、製品となるフォトマスクにおける半透光部の露光光透過率とすることができる。

または、このような透過率測定用基板に対して成膜するとともに、製品となるフォトマスクにおける成膜時にダミー基板を配置して成膜し、これら透過率測定用基板に対する成膜と、ダミー基板に対する成膜との差を測定して、製品となるフォトマスクに成膜された半透光部の露光光透過率を算出することも可能である。

あるいは、製品となるフォトマスクにおける成膜の有効エリア内の半透光部のパターンの露光光透過率を直接測定している。

ところで、前述したような半透光部を有するフォトマスクの製造にあたっては、まず、半透光部の露光光透過率が仕様として決定され、この仕様が満足されるように、半透光部をなす半透光膜の素材やその膜厚、あるいは、遮光性膜の微細パターンのピッチ等、半透光部の構成が決定される。半透光膜を用いて半透光部を形成する場合においては、フォトマスクの検査工程において、作製されたフォトマスクの露光光透過率が測定される。

しかしながら、フォトマスクには、遮光部、透光部及び半透光部からなる微細な主パターンが形成されており、この微細な主パターンを構成する半透光部の光透過率を直接検査測定することば必ずしも容易でない。なお、主パターンは、このフォトマスクを用いて製造されるデバイス、または、液晶パネル等の仕様によって決定されるものである。

すなわち、半透光部の露光光透過率を測定するにあたっては、該半透光部の線幅（ＣＤ）によって、露光光透過率の測定値が異なるものとなる。これは、半透光部の寸法により、半透光部に隣接する遮光部や透光部の影響を受けて、光透過率の測定値が左右されてしまうためである。すなわち、同一の半透過膜を用いた半透光部についても、その寸法や透過率測定装置の光学系において解像度合いが異なるため、異なる光透過率が測定される。さらに、主パターン中の半透光部が一定であっても、透過率測定装置の光学系の関口数ＮＡやコヒーレント比σが異なれば、露光光透過率の測定値が異なってしまう。この傾向は、半透光部の寸法が小さいほど顕著である。

したがって、従来のフォトマスクにおいては、このフォトマスクに固有の客観的な光透過率が把握できず、フォトマスクを特定することができないという不都合がある。昨今、主パターンは微細化の方向にあり、上記問題が顕在化してきた。

そこで、本発明は、前述の実情に鑑みて提案されるものであって、フォトマスクに固有の客観的な露光光透過率を把握することができ、フォトマスクの良否を的確に評価することができるフォトマスクの検査方法を提供し、また、このようなフォトマスクの検査方法により検査され得るフォトマスクを提供し、さらには、このフォトマスクを用いる液晶表示装置の製造方法、前記フォトマスクの検査方法により得られる透過率データーベース及びこの透過率データーベースを用いたフォトマスクの品質表示方法を提供することを目的とする。

前述の課題を解決し、前記目的を達成するため、本発明に係るフォトマスクの透過率測定方法は、以下の構成のいずれか一を有するものである。

〔構成１〕
遮光部と透光部とフォトマスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなる所定の主パターンを透明基板上の主パターンエリアに有し、これら主パターンを転写することによって被転写体上にレジストパターンを形成するためのフォトマスクを検査するフォトマスクの検査方法において、フォトマスクは、所定面積の光透過率参照用半透光部を、前記主パターンエリア内又は外に有し、該面積は、光透過率を測定する透過率測定装置により、更に大きな面積の前記半透光部の光透過率を測定したときと実質的に同じ透過率となる面積であり、透過率参照用半透光部の光透過率を、透過率測定装置によって測定する工程を有することを特徴とするものである。

〔構成２〕
構成１を有するフォトマスクの検査方法において、半透光部は、透明基板上に形成された半透光膜によって形成され、露光光の透過量を所定量低減することにより、被転写体上に段階的又は連続的に残膜値の異なるレジストパターンを形成するグレートーンマスクであることを特徴とするものである。

〔構成３〕
構成１、または、構成２を有するフォトマスクの検査方法において、主パターンは、液晶表示装置製造用の画素パターンを有することを特徴とするものである。

〔構成４〕
構成１乃至構成３のいずれか一を有するフォトマスクの検査方法において、透過率参照用半透光部は、一辺が２０μｍの正方形よりも大きいことを特徴とするものである。

また、本発明に係るフォトマスクは、以下の構成のいずれか一を有するものである。

〔構成５〕
遮光部と透光部とフォトマスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなる所定の主パターンを透明基板上の主パターンエリアに有しこれら主パターンを転写することによって被転写体上にレジストパターンを形成するためのフォトマスクにおいて、所定面積の光透過率参照用半透光部を主パターンエリア内又は外に有し、該面積は光透過率を測定する透過率測定装置により、更に大きな面積の前記半透光部の光透過率を測定したときと実質的に同じ透過率となる面積であることを特徴とするものである。

〔構成６〕
構成５を有するフォトマスクにおいて、半透光部は、透明基板上に形成された半透光膜によって形成され、露光光の透過量を所定量低減することにより、被転写体上に段階的又は連続的に残膜値の異なるレジストパターンを形成するものであることを特徴とするものである。

〔構成７〕
構成５、または、構成６を有するフォトマスクにおいて、主パターンが、液晶表示装置製造用の画素パターンを有することを特徴とするものである。

本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、以下の構成を有するものである。

〔構成８〕
構成７を有するフォトマスクの主パターンに露光して、該主パターンを被転写体に転写する工程を有することを特徴とするものである。

本発明に係る透過率データーベースは、以下の構成を有するものである。

〔構成９〕
構成１乃至構成４のいずれか一を有するフォトマスクの検査方法を行い、透過率参照用半透光部の露光光透過率と、主パターン内に存在する半透光部のパターンの露光光透過率とを、関連づけて集積したことを特徴とするものである。

本発明に係るフォトマスクの品質表示方法は、以下の構成を有するものである。

〔構成１０〕
構成１乃至構成４のいずれか一を有するフォトマスクの検査方法を行った検査結果と、構成９を有する透過率データーベースとに基づいて、フォトマスクの品質表示を行うことを特徴とするものである。

構成１を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、フォトマスクは、所定面積の光透過率参照用半透光部を、前記主パターンエリア内又は外に有し、該面積は、光透過率を測定する透過率測定装置により、更に大きな面積の前記半透光部の光透過率を測定したときと実質的に同じ透過率となる面積であり、透過率参照用半透光部の光透過率を、透過率測定装置によって測定するので、製品となるフォトマスクそのものの光透過率を特定することができ、また、パターンの寸法や測定器の光学系の特性に依存しない測定値が得られる。好ましくは、上記面積は、透過率測定装置の検査視野より大きいことが好ましい。

また、透過率参照用半透光部は、好ましくはフォトマスクの面内の、主パターンエリア外に形成される。

そして、製品となるフォトマスクに、透過率参照用半透光部に固有の光透過率を対応付けて管理することが容易となる。

構成２を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、フォトマスクは、半透光部が、透明基板上に形成された半透光膜によって形成され、露光光の透過量を所定量低減することにより、被転写体上に段階的又は連続的に残膜値の異なるレジストパターンを形成するものである、グレートーンマスクであり、グレートーンマスクについても、製品となるフォトマスクそのものについての光透過率を特定することができ、また、パターン寸法や測定器の光学系の特性に依存しない測定値が得られる。

構成３を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、主パターンは、液晶表示装置製造用の画素パターンを有するので、液晶表示装置の製造に用いるフォトマスクの検査を良好に行うことができる。このようなフォトマスクは、半透光部が微細化する方向にあり、主パターンの透過率測定によって個別のマスクを特定することが益々困難になっているため、本発明の効果が顕著である。

構成４を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、透過率参照用半透光部は、一辺が２０μｍの正方形よりも大きいので、パターン寸法や測定器の光学系の特性に依存しない露光光透過率の測定値を得ることができる。

構成５を有する本発明に係るフォトマスクにおいては、所定面積の光透過率参照用半透光部を主パターンエリア内又は外に有し、該面積は、光透過率を測定する透過率測定装置により、更に大きな面積の前記半透光部の光透過率を測定したときと実質的に同じ透過率となる面積であるので、製品となるフォトマスクそのものについての光透過率を測定することを可能とし、また、パターンの寸法や測定器の光学系の特性に依存しない測定値を得ることを可能とする。

そして、製品となるフォトマスクに、透過率参照用半透光部に固有の光透過率を対応付けて管理することが容易となる。

構成６を有する本発明に係るフォトマスクにおいては、半透光部は、透明基板上に形成され、露光光の透過量を所定量低減することにより、被転写体上に段階的又は連続的に残膜値の異なるレジストパターンを形成するので、グレートーンマスクとして作成することができる。

構成７を有する本発明に係るフォトマスクにおいては、主パターンが液晶表示装置製造用の画素パターンを有するので、液晶表示装置の製造に良好に用いられることができる。

構成８を有する本発明に係る液晶表示装置の製造方法においては、構成７を有するフォトマスクの主パターンに露光して、該主パターンを被転写体に転写する工程を有するので、液晶表示装置の製造を良好に行うことができる。

構成９を有する本発明に係る透過率データーベースにおいては、構成１乃至構成４のいずれか一を有するフォトマスクの検査方法を行い、透過率参照用半透光部の光透過率と、主パターン内に存在する半透光部のパターンの光透過率とを関連づけて集積したので、透過率参照用半透光部について測定された光透過率に基づいて、主パターン内に存在する半透光部のパターンの光透過率を正確に推定することができる。

構成１０を有する本発明に係るフォトマスクの品質表示方法においては、構成１乃至構成４のいずれか一を有するフォトマスクの検査方法を行った検査結果と、構成９を有する透過率データーベースとに基づいて、フォトマスクの品質表示を行うので、フォトマスクの個々について、透過率参照用半透光部について測定された露光光透過率及び主パターン内に存在する半透光部のパターンの光透過率について、正確な表示を行うことができる。

以下、本発明を実施するための最良の実施の形態について説明する。

図１は、本発明に係るフォトマスクの検査方法において検査対象となる本発明に係るフォトマスクの構成を示す平面図である。

本発明に係るフォトマスクの検査方法において検査対象となるフォトマスクは、図１に示すように、遮光部、透光部、及び、使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなる所定の主パターン１（例えば、液晶表示装置用のＴＦＴなどの画素パターン等、このフォトマスクによって得ようとする装置のパターン）を透明基板２上の主パターンエリア３に有するものである。このフォトマスクは、主パターン１を転写することによって、被転写体（レジスト塗布されたガラス基板など）上にレジストパターンを形成するために使用されるものである。

このフォトマスクの検査方法においては、フォトマスクには、予め、所定面積を有する透過率参照用半透光部４を、透明基板２上の主パターンエリア３の外の領域に形成しておく。主パターンエリア内であっても、転写すべき主パターンに影響を及ぼさなければ構わない。この面積は、光透過率を測定する透過率測定装置により、更に大きな面積の前記半透光部の光透過率を測定したときと実質的に同じ透過率となる面積であり、好ましくは、主パターンエリア３内に存在する半透光部のパターンの面積より大きく、かつ、光透過率を測定する透過率測定装置の検査視野より大きい面積を有する。この透過率参照用半透光部４は、主パターンにおける半透光部と同様の形成方法によって形成されたものである。すなわち、透過率参照用半透光部４は、主パターン１内の半透光部に半透光膜が形成されるときに、同時に同じ装置で成膜されたものである。この半透光膜は単層でも積層でも良い。ここで、半透光部とは、透光部の露光光透過率を１００％としたとき、１００％未満の露光光を透過する部分であり、具体的には、露光光透過率が５％乃至７０％、より好ましくは２０〜６０％の部分である。

そして、この検査方法は、透過率参照用半透光部４の光透過率を、透過率測定装置によって測定するものである。本態様では、透過率参照用半透光部４が複数設けられている。これは、半透光膜を成膜する際に、面内分布が生じる場合があり、膜厚に偏りが生じた場合、各部位の透過率を把握できる点で有利である。

透過率測定装置は、被検体であるフォトマスクを保持し、このフォトマスクに対して検査光を照射するとともに、このフォトマスクを透過した検査光の光量を測定するように構成されている。

この透過率測定装置における検査光を発する光源としては、例えば、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、ＵＨＰランプ（超高圧水銀ランプ）等を使用することができる。必要に応じて、不要な波長をカットすることも可能である。このような装置としては、例えば、光学条件として、ＮＡ０．８、σ０．５６程度のものを用いることができる。

又は、該測定機のの光源としては、検査を経たフォトマスクを用いて露光を行う露光装置における露光光を近似した、または、その波長成分の少なくとも一部を含む波長分布を有する検査光を発するものを用いることが好ましい。具体的には、液晶装置製造用のフォトマスクの露光光はi線〜ｇ線であることに鑑み、この検査光は、少なくともｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、または、ｉ線（３６５ｎｍ）のいずれかを含んでおり、更には、これら各波長成分を全て含み、これら各波長成分のうち任意の２以上が含まれている混合光を適用することも可能である。

この透過率測定装置において、フォトマスクに照射された検査光は、フォトマスクを透過して、対物レンズ系を経て、光量検出手段により受光される。対物レンズ系は、絞り機構を備えることにより、開口数（ＮＡ）やコヒーレント比（σ）が可変となすこともできる。

このフォトマスクの検査方法において検査対象となるフォトマスクにおいて、透過率参照用半透光部４は、透過率測定が高精度に行われるために、その面積は十分な大きさであることが好ましい。これは、それより大きな面積で測定を行った場合に、実質的に測定値が同一であるような面積である。更に、主パターン１内の半透光部のパターンよりも大きいことが好ましく、さらに、透過率測定装置による測定値の変動を防止するために、透過率測定装置の視野より大きい面積であることが好ましい。また、この透過率参照用半透光部４の大きさは、光透過率の測定値が、透過率測定装置の対物レンズの開口数等の光学特性に影響を受けない程度の大きさであることが好ましい。

すなわち、透過率参照用半透光部４は、少なくとも、透過率測定装置の視野角以上の大きさを有し、例えば、一辺が２０μｍの正方形以上の大きさ、さらに、一辺が５０μｍの正方形以上の大きさであることが望ましい。なお、この透過率参照用半透光部４は、フォトマスクの複数箇所に設けておくことにより、フォトマスク内の透過率分布を測定することも可能となる。これは、基板面積が大型化するともに、成膜膜厚に偏りが生じやすい状況を考慮するときに有利である。

図２は、透過率参照用半透光部の面積と透過率との関係を示すグラフである。

透過率参照用半透光部４の面積は、図２に示すように、所定の透過率が得られるように定めることが望ましい。すなわち、透過率参照用半透光部４の透過率は、面積が大きくなるほど、半透光部に固有の透過率（面積が無限大である半透光部の透過率）に近づき、面積が小さくなると、解像が不十分になり、隣接する遮光部の影響を受けて透過率が下がることとなる。そこで、透過率参照用半透光部４の面積は、図２中にＡで示すように、透過率の低下が、半透光部に固有の透過率に対し、例えば、０．２％程度の所定値以内となる面積とすることが好ましい。換言すればこの面積より大きな面積の半透光部に対して透過率を測定しても、０．２％の差しか生じない。これを、本発明では、実質的に同じ透過率となる面積という。

図３は、透過率参照用半透光部の透過率と対物レンズの開口数との関係を示すグラフである。

また、透過率参照用半透光部４の透過率は、図３に示すように、透過率測定装置の対物レンズの開口数によっても影響を受けるので、この開口数をも勘案して透過率参照用半透光部４の面積を決定することが望ましい。すなわち、透過率の低下が所定値（０．２％）以内となる透過率参照用半透光部４の面積は、図３に示すように、透過率測定装置の対物レンズの開口数が大きくなるほど、小さくて済む。透過率測定装置の対物レンズの開口数は、０．６乃至０．８５程度であり、図３中に矢印Ｂで示すように、透過率参照用半透光部４の面積を所定の面積以上とすることにより、透過率参照用半透光部４の透過率の低下が所定値（０．２％）以内となる。

そして、このフォトマスクの検査方法においては、透過率測定装置により、透過率参照用半透光部４の透過率を測定し、この測定結果から、露光装置における露光光透過率を測定（推定）するものである。すなわち、主パターン１内の半透光部の透過率と、透過率参照用半透光部４の透過率との差を、あらかじめ見積もっておくことにより、透過率参照用半透光部４の透過率を測定することにより、主パターン１内の半透光部の透過率を決定することができる。また、対物レンズの開口数（ＮＡ）やコヒーレント比（σ）を露光装置における値に設定することにより、露光時の透過率をより正確に見積もることが可能となる。

〔本発明に係るフォトマスク〕
本発明に係るフォトマスクは、製品として完成したフォトマスクのみならず、フォトマスクを製造する途中での中間体をも含み、また、このフォトマスクの種類や用途には特に制限はない。

また、半透光部には、半透光膜が形成された半透光部（「半透光膜タイプ」という。）と、露光条件での解像限界以下の微細パターンによって半透光部とするもの（「微細パターンタイプ」という。）の両方が含まれる。

すなわち、本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、透明基板の主表面にＣｒなどを主成分とする遮光膜を形成しこの遮光膜に所定のパターンをフォトリソグラフィーにより形成して遮光部及び透光部を有するパターンを形成したバイナリーマスクのみならず、透明基板の主表面に遮光部、透光部及び露光光の一部を透過する半透光部を有するグレートーンマスクを検査することが可能である。

したがって、このフォトマスクの検査方法は、ＦＰＤの製造用のフォトマスクを検査する場合に顕著な効果があり、さらに、液晶装置製造用のフォトマスクの中でも薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」という。）製造用のものに最も適している。これは、これらの分野では、製造効率及びコスト上の有利さから、グレートーンマスクが多用されることに加え、半透光部の寸法が極めて微細であり、かつ、精緻である必要があるためである。

ＴＦＴを備えた液晶表示デバイス（LiquidCrystalDisplay：以下、「ＬＣＤ」という。）は、陰極線管（ＣＲＴ）に比較して、薄型にしやすく消費電力が低いという利点から、現在、広く使用されるに至っている。ＬＣＤにおけるＴＦＴは、マトリックス上に配列された各画素にＴＦＴが配列された構造のＴＦＴ基板と、各画素に対応してレッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）及びブルー（Ｂ）の画素パターンが配列されたカラーフィルタとが液晶相を介して重ね合わされた構造を有している。このようなＬＣＤは、製造工程数が多く、ＴＦＴ基板だけでも、５乃至６枚のフォトマスクを用いて製造されていた。

このような状況の下、ＴＦＴ基板の製造を４枚のフォトマスクを用いて行う方法が提案されている。この方法は、遮光部、透光部及び半透光部（グレートーン部）を有するグレートーンマスクを用いることにより、使用するマスクの枚数を低減するものである。

〔液晶表示装置の製造方法〕
本発明に係るフォトマスクを液晶装置製造用のフォトマスクとして製造するにあたっては、一般的な公知の製造工程において、前述した本発明に係るフォトマスクの検査方法による検査工程を含む工程とすることにより、良好な液晶装置製造用フォトマスクを迅速に製造することができる。

そして、露光装置により、このフォトマスクの主パターンに所定波長の光を露光して、主パターンを被転写体に転写する工程を経て液晶表示装置を製造することにより、良好な液晶表示装置を製造することができる。

〔透過率データーベース〕
前述したフォトマスクの検査方法を行い、透過率参照用半透光部４の露光光透過率と、主パターン１内に存在する半透光部のパターンの露光光透過率とを関連づけて集積することにより、透過率データーベースを構築することができる。

この透過率データーベースを用いることにより、透過率参照用半透光部４の透過率を測定値に基づいて、主パターン１内の半透光部の透過率をより正確に決定することができる。

〔フォトマスクの品質表示方法〕
前述したフォトマスクの検査方法を行った検査結果と、前述の透過率データーベースとに基づいて、フォトマスクの品質表示を行うことができる。

すなわち、製品として出荷する各々のフォトマスクについて、測定された透過率参照用半透光部４の透過率と、この測定値から透過率データーベースを用いて決定される主パターン１内の半透光部の透過率とを関連付けて管理することにより、個々のフォトマスクについて、露光装置における設定等を最適化するための品質表示を行うことができる。

本発明に係るフォトマスクの検査方法において検査対象となる本発明に係るフォトマスクの構成を示す平面図である。 透過率参照用半透光部の面積と透過率との関係を示すグラフである。 透過率参照用半透光部の透過率と対物レンズの開口数との関係を示すグラフである。

符号の説明

１ 主パターン
２ 透明基板
３ 主パターンエリア
４ 透過率参照用半透光部

Claims (10)

1. 遮光部と、透光部と、フォトマスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなる所定の主パターンを透明基板上の主パターンエリアに有し、これら主パターンを転写することによって、被転写体上にレジストパターンを形成するためのフォトマスクを検査するフォトマスクの検査方法において、
   前記フォトマスクは、所定面積の光透過率参照用半透光部を、前記主パターンエリア内又は外に有し、該面積は、光透過率を測定する透過率測定装置により、更に大きな面積の前記半透光部の光透過率を測定したときと実質的に同じ透過率となる面積であり、
   前記透過率参照用半透光部の光透過率を、前記透過率測定装置によって測定する工程を含む
   ことを特徴とするフォトマスクの検査方法。
2. 前記半透光部は、透明基板上に形成された半透光膜によって形成され、露光光の透過量を所定量低減することにより、被転写体上に段階的又は連続的に残膜値の異なるレジストパターンを形成するグレートーンマスクである
   ことを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの検査方法。
3. 前記主パターンは、液晶表示装置製造用の画素パターンを有する
   ことを特徴とする請求項１、または、請求項２記載のフォトマスクの検査方法。
4. 前記透過率参照用半透光部は、一辺が２０μｍの正方形よりも大きい
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載のフォトマスクの検査方法。
5. 遮光部と、透光部と、フォトマスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなる所定の主パターンを透明基板上の主パターンエリアに有し、これら主パターンを転写することによって、被転写体上にレジストパターンを形成するためのフォトマスクにおいて、
   所定面積の光透過率参照用半透光部を前記主パターンエリア内又は外に有し、該面積は光透過率を測定する透過率測定装置により、更に大きな面積の前記半透光部の光透過率を測定したときと実質的に同じ透過率となる面積である
   ことを特徴とするフォトマスク。
6. 前記半透光部は、透明基板上に形成された半透光膜によって形成され、露光光の透過量を所定量低減することにより、被転写体上に段階的又は連続的に残膜値の異なるレジストパターンを形成するものである
   ことを特徴とする請求項５記載のフォトマスク。
7. 前記主パターンが、液晶表示装置製造用の画素パターンを有する
   ことを特徴とする請求項５、または、請求項６記載のフォトマスク。
8. 請求項７記載のフォトマスクの主パターンに露光して、該主パターンを被転写体に転写する工程を有する
   ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
9. 請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載のフォトマスクの検査方法を行い、前記透過率参照用半透光部の露光光透過率と、前記主パターン内に存在する半透光部のパターンの露光光透過率とを、関連づけて集積した
   ことを特徴とする透過率データーベース。
10. 請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載のフォトマスクの検査方法を行った検査結果と、請求項９記載の透過率データーベースとに基づいて、フォトマスクの品質表示を行う
    ことを特徴とするフォトマスクの品質表示方法。