JP2009295771A - Electronic component - Google Patents
Electronic component Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009295771A JP2009295771A JP2008147690A JP2008147690A JP2009295771A JP 2009295771 A JP2009295771 A JP 2009295771A JP 2008147690 A JP2008147690 A JP 2008147690A JP 2008147690 A JP2008147690 A JP 2008147690A JP 2009295771 A JP2009295771 A JP 2009295771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- substrate
- electronic component
- external electrodes
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 27
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 27
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910003322 NiCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
Description
この発明は、携帯電話等の小型電子機器に使用される積層型の電子部品に関するものである。 The present invention relates to a multilayer electronic component used in a small electronic device such as a mobile phone.
従来、この種の電子部品100では、図20に示すように、絶縁層や磁性層等の層111〜115とコイルパターン121,122とを基板101上に交互に積層し、最上位に基板102を配した後、二点鎖線で示す外部電極131,132をこの積層体の側面に形成した構成になっている(例えば、特許文献1等)。
この際、外部電極131,132は、Ag等の導電性ペーストを積層体側面に塗布又は蒸着した後、Ni等の金属をその上にメッキすることで、形成している。
Conventionally, in this type of
At this time, the
しかしながら、上記した従来の電子部品では、次のような問題がある。
例えば、基板101,102がセラミックス基板であるには、基板101の上面の凹凸を緩和させるために、基板101,102に接触する層111,115をポリイミド樹脂等を用いて形成することがある。
しかし、このような樹脂は、セラミックス基板等とその熱膨張率や収縮率が大きく異なるため、焼成時に、隙間がセラミックス基板と樹脂との間に発生するおそれがある。
すなわち、積層型の電子部品100において、熱膨張率や収縮率が基板101,102と大きく異なる材料を層111,115に用いると、図21に示すように、焼成時に、基板101,102と層111,115との間に隙間G1,G2が発生する。
このため、外部電極131,132の形成時に、Ag等の導電性ペーストを積層体側面に塗布等すると、当該ペースト131a,132bや131b,132bが、隙間G1や隙間G2に侵入する。この結果、電子部品100を高温多湿下で使用すると、外部電極131,132間の電位差(電界)によって、ペースト131a,132bやペースト131b,132bとの間で、マイグレーションが発生し、基板101,102上面上で析出したAg等の金属によって、ペースト131a,132bやペースト131b,132bが電気的に接続され、外部電極131,132が短絡するおそれがあった。
However, the above-described conventional electronic components have the following problems.
For example, if the
However, since such a resin is greatly different in thermal expansion coefficient and shrinkage ratio from a ceramic substrate or the like, a gap may be generated between the ceramic substrate and the resin during firing.
That is, in the multilayer
For this reason, when a conductive paste such as Ag is applied to the side surface of the laminated body during the formation of the
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、外部電極間のマイグレーションを抑制することができる電子部品を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide an electronic component that can suppress migration between external electrodes.
上記課題を解決するために、請求項1の発明は、絶縁層と導体パターンとが第1の基板上に積層され且つ導体パターンで構成された内部回路の引き出し端子が側面に露出する積層体と、内部回路の各引き出し端子に接触するように積層体に側面に設けられた1対以上の外部電極とを具備する電子部品であって、第1の基板の上面で且つ積層体の同一の側面に並んだ1対の外部電極の間又は対向する側面で向かい合う1対の外部電極の間のいずれかに、直線状の溝を形成すると共に、第1の基板の真上の絶縁層を、溝内に充填させた状態で第1の基板上に積層した構成とする。
かかる構成により、第1の基板と真上の絶縁層との熱膨張率や収縮率が異なると、これらの部材の焼成時に、隙間が第1の基板の上面と真上の絶縁層下面との間に発生し、外部電極の形成時に、ペースト状の外部電極部分がこの隙間に侵入することがある。
かかる状態の電子部品を高温多湿下で使用し、これら侵入したペースト状の外部電極部分間に電位差が生じると、マイグレーションが発生するおそれがある。
しかしながら、この発明の電子部品では、直線状の溝を、第1の基板の上面で且つこの溝を積層体の同一の側面に並んだ1対の外部電極の間又は対向する側面で向かい合う1対の外部電極の間のいずれかに形成すると共に、第1の基板の真上の絶縁層を溝内に充填させた状態で第1の基板上に積層している。
したがって、この電子部品を使用し、同一の側面に並んだ1対の外部電極の間に電位差を発生させ、金属を一方の外部電極部分に析出させた場合においても、析出して他方の外部電極部分側に延出する金属は、外部電極の間に形成された溝内に充填された絶縁層によって遮られるので、マイグレーションは生じない。また、対向する側面で向かい合う1対の外部電極に電極を発生させ、金属を一方の外部電極部分に析出させた場合においても、析出して他方の外部電極部分側に延出する金属は、対向する外部電極の間に形成された溝内に充填された絶縁層によって遮られるので、マイグレーションは生じない。
In order to solve the above problems, the invention of
With such a configuration, when the thermal expansion coefficient and the contraction ratio of the first substrate and the insulating layer directly above are different, a gap is formed between the upper surface of the first substrate and the lower surface of the insulating layer immediately above when firing these members. The paste-like external electrode portion may enter the gap when the external electrode is formed.
If the electronic component in such a state is used under high temperature and high humidity and a potential difference is generated between these invading pasty external electrode portions, migration may occur.
However, in the electronic component of the present invention, the linear groove is formed on the upper surface of the first substrate and the pair facing each other between the pair of external electrodes arranged on the same side surface of the laminated body or on the opposite side surface. And an insulating layer directly above the first substrate is stacked on the first substrate with the trench filled.
Therefore, even when this electronic component is used and a potential difference is generated between a pair of external electrodes arranged on the same side surface and metal is deposited on one external electrode portion, the other external electrode is deposited. Since the metal extending to the partial side is blocked by the insulating layer filled in the groove formed between the external electrodes, migration does not occur. In addition, even when an electrode is generated on a pair of external electrodes facing each other on opposite sides and the metal is deposited on one external electrode part, the metal deposited and extended to the other external electrode part side is Migration is not caused because the insulating layer filled in the groove formed between the external electrodes is blocked.
請求項2の発明は、請求項1に記載の電子部品において、一の溝を同一の側面に並んだ1対の外部電極の間に形成すると共に、他の溝を対向する側面で向かい合う1対の外部電極の間に形成した構成とする。
かかる構成により、隣り合う外部電極部分の間に生じるマイグレーションだけでなく、対向する外部電極部分の間に生じるマイグレーションも同時に抑制することができる。
According to a second aspect of the present invention, in the electronic component according to the first aspect, one groove is formed between a pair of external electrodes arranged on the same side surface, and the other groove is opposed to the opposite side surface. The structure is formed between the external electrodes.
With this configuration, not only the migration that occurs between adjacent external electrode portions, but also the migration that occurs between opposing external electrode portions can be suppressed at the same time.
請求項3の発明は、請求項1又は請求項2に記載の電子部品において、溝の断面を、底方向に向かって狭くなるテーパ状又は円弧状に形成した構成とする。
かかる構成により、焼成時に生じる溝内の絶縁層と溝との間に、隙間を生じさせ難くすることができる。
According to a third aspect of the present invention, in the electronic component according to the first or second aspect, the cross section of the groove is formed in a taper shape or an arc shape that narrows toward the bottom.
With such a configuration, it is possible to make it difficult to generate a gap between the insulating layer and the groove in the groove that is generated during firing.
請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の電子部品において、第2の基板を積層体の上面に貼り付け、第2の基板の下面にも、第1の基板の溝と対応する溝を第1の基板の溝と対応する箇所に形成すると共に、第2の基板の真下の絶縁層を溝内に充填させた状態で、第2の基板を絶縁層上に貼り付けた構成とする。
構成とした。
かかる構成により、第2の基板と真下の絶縁層との熱膨張率や収縮率が異なると、これらの部材の焼成時に、隙間が第2の基板の下面と真下の絶縁層との間に発生し、外部電極の形成時に、ペースト状の外部電極部分がこの隙間に侵入し、侵入したペースト状の外部電極部分間でマイグレーションが発生するおそれがある。しかし、かかる場合においても、請求項1の発明の場合と同様に、一方の外部電極部分から他方の外部電極部分側に延出する析出金属が、第2の基板の下面に形成された溝内に充填させられた絶縁層によって遮られるので、マイグレーションは生じない。
According to a fourth aspect of the present invention, in the electronic component according to any one of the first to third aspects, the second substrate is attached to the upper surface of the laminate, and the first substrate is also applied to the lower surface of the second substrate. A groove corresponding to the groove of the first substrate is formed at a position corresponding to the groove of the first substrate, and the second substrate is placed on the insulating layer with the insulating layer directly below the second substrate filled in the groove. The configuration is pasted.
The configuration.
With such a configuration, when the thermal expansion coefficient and the contraction ratio of the second substrate and the insulating layer directly below are different, a gap is generated between the lower surface of the second substrate and the insulating layer immediately below when these members are fired. However, when the external electrode is formed, the paste-like external electrode portion may enter the gap, and migration may occur between the penetrated paste-like external electrode portions. However, even in such a case, as in the case of the invention of
以上詳しく説明したように、この発明によれば、並んだ又は対向する外部電極間に設けられた溝に充填された絶縁層によって、マイグレーションの発生を抑制することができ、この結果、高品質の電子部品を提供することができるという優れた効果がある。 As described above in detail, according to the present invention, the occurrence of migration can be suppressed by the insulating layer filled in the grooves provided between the arranged or opposed external electrodes, and as a result, high quality. There is an excellent effect that an electronic component can be provided.
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。 The best mode of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、この発明の第1実施例に係る電子部品の分解斜視図であり、図2は、電子部品の外観図であり、図3は、図2の矢視A−A断面図であり、図4は、図2の矢視B−B断面図である。
これらの図に示すように、この実施例の電子部品1は、コモンモードチョークコイルであり、第2の基板としての磁性体基板6が上面に貼り付けられた積層体2と、この積層体2の側面に設けられた外部電極7−1〜7−4とを具備している。
FIG. 1 is an exploded perspective view of an electronic component according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an external view of the electronic component, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
As shown in these drawings, the
積層体2は、図1および図3に示すように、絶縁層41〜46と導体パターン51〜54とを第1の基板としての磁性体基板3の上に積層したものである。
As shown in FIGS. 1 and 3, the
磁性体基板3は、フェライト等で形成した長方形状の板体であり、その上方に、内部回路としての1次側並列コイル5−1と2次側並列コイル5−2とが構成されている。
1次側並列コイル5−1は、絶縁層41,導体パターン51,絶縁層42,導体パターン52,絶縁層43を磁性体基板3上に順に積み重ね、絶縁層42に設けられたスルーホール42aを通じて、導体パターン51,52を電気的に接続した構造となっている。 そして、導体パターン51,52の引き出し端子51a,52aが積層体2の側面としての前面2aの左下部に露出され、引き出し端子51b,52bが積層体2の側面としての後面2bの左下部に露出されている。
一方、2次側並列コイル5−2も1次側並列コイル5−1とほぼ同様であり、絶縁層43上に、絶縁層44,導体パターン53,絶縁層45,導体パターン54,絶縁層46を順に積み重ね、絶縁層45に設けられたスルーホール45aを通じて、導体パターン53,54を電気的に接続した構造となっている。
そして、導体パターン53,54の引き出し端子53a54aが積層体2の前面2aの右上部に露出され、引き出し端子53b,54bが積層体2の後面2bの右上部に露出されている。
The
The primary side parallel coil 5-1 has an
On the other hand, the secondary parallel coil 5-2 is substantially the same as the primary parallel coil 5-1, and the
The
磁性体基板6は、磁性体基板3と同様にフェライト等で形成された板体であり、接着層47,48を介して積層体2上に貼り付けられている。
The
外部電極7−1〜7−4は、図2に示すように、上記のように磁性体基板6が貼り付けられた積層体2の前面2a及び後面2bにそれぞれ設けられている。
具体的には、図1及び図3に示すように、1次側並列コイル5−1の引き出し端子51a,51b,52a,52bが積層体2の前面2a及び後面2bの左下部に露出し、2次側並列コイル5−2の引き出し端子53a,53b,54a,54bが前面2a及び後面2bの右上部に露出しているので、外部電極7−1は引き出し端子51a,52aに、外部電極7−2は引き出し端子51b,52bに、外部電極7−3は引き出し端子53a,54aに、外部電極7−4は引き出し端子53b,54bにそれぞれ接触するように設けられている。
これにより、外部電極7−1,7−2が1次側並列コイル5−1に電気的に接続された状態で互いに対向し、外部電極7−3,7−4が2次側並列コイル5−2に電気的に接続された状態で互いに対向している。また、外部電極7−1,7−3は、積層体2の前面2aで左右に並んだ状態になり、外部電極7−2,7−4は、積層体2の後面2bで左右に並んだ状態になっている。
As shown in FIG. 2, the external electrodes 7-1 to 7-4 are respectively provided on the
Specifically, as shown in FIGS. 1 and 3, the
Accordingly, the external electrodes 7-1 and 7-2 face each other in a state of being electrically connected to the primary side parallel coil 5-1, and the external electrodes 7-3 and 7-4 are opposed to the secondary side parallel coil 5. -2 are opposed to each other while being electrically connected to each other. The external electrodes 7-1 and 7-3 are arranged side by side on the
この実施例では、上記のような構成の電子部品1において、マイグレーション抑制用の手段が磁性体基板3,6の部分に設けられている。
磁性体基板3の部分における手段は、溝31と充填部41aとで構成されている。
具体的には、図1及び図4に示すように、断面矩形の直線状の溝31が、磁性体基板3の上面に形成され、積層体2の前面2aから後面2bに向かって延びている。
この溝31の形成位置は、磁性体基板3の上面の中央部である。すなわち、溝31は、積層体2の同一の側面である前面2a(後面2b)に並んだ1対の外部電極7−1,7−3(7−2,7−4)の間に介在している。
また、充填部41aは、真上の絶縁層41を磁性体基板3上面に積層する際に、溝31内に入り込んだ絶縁層41の部分である。この充填部41aは、溝31の全長に渡って入り込んでおり、図4に示すように、磁性体基板3の上面が、この充填部41aと溝31とにより中央部で仕切られた状態になっている。
一方、磁性体基板6の部分における手段は、図1及び図3に示すように、溝61と充填部48aとで構成されている。
具体的には、溝31と同形の直線状の溝61が、磁性体基板6の下面に形成され、積層体2の前面2aから後面2bに向かって延びている。
この溝61の形成位置は、溝31の形成位置と対応しており、磁性体基板6の下面の中央部である。すなわち、溝61も、積層体2の同一の側面である前面2a(後面2b)に並んだ1対の外部電極7−1,7−3(7−2,7−4)の間に介在している。
また、充填部48aは、磁性体基板6を接着層47,48を介して真下の絶縁層46上に貼り付ける際に、溝61内に入り込んだ接着層48の部分である。この充填部48aも、充填部41aと同様に、溝61の全長に渡って入り込んでおり、磁性体基板6の下面が、この充填部48aと溝61とにより中央部で仕切られた状態になっている。
In this embodiment, in the
The means in the
Specifically, as shown in FIGS. 1 and 4, a
The
The filling
On the other hand, as shown in FIGS. 1 and 3, the means in the
Specifically, a
The formation position of the
The filling portion 48 a is a portion of the
ここで、電子部品1の製造方法の一例について簡単に説明する。
図5は、電子部品1の製造方法を示す工程図であり、図6は、積層工程を示す断面図であり、図7は、圧着工程を示す断面図であり、図8は、ダイシング工程と焼成工程と外部電極形成工程を示す概略図である。
図5に示すように、電子部品1は、積層工程S1と圧着工程S2とダイシング工程S3と焼成工程S4と外部電極形成工程S5とを実行することで製造される。
Here, an example of a method for manufacturing the
FIG. 5 is a process diagram showing a manufacturing method of the
As shown in FIG. 5, the
まず、積層工程S1においては、図6の(a)に示すように、磁性体基板3を用意する。
この実施例では、第1の基板としてフェライトなどの磁性体基板3を用いているが、基板の材料は磁性体に限定されるものではなく、用途に応じて、誘電体や絶縁体で第1の基板を形成しても良い。但し、基板3の表面粗さRaは、基板3の上に絶縁層41〜46や導体パターン51〜54を積層する際に支障がないよう、0.5μm以下に研磨しておくことが望ましい。
そして、後述するダイシング工程S3で使用されるダイシングソー300による磁性体基板3への切り込み深さを調節しながら、磁性体基板3をダイシングすることで、断面矩形で直線状の溝31を、磁性体基板3の上面に形成する。
かかる状態で、絶縁層41〜46と導体パターン51〜54とを、フォトリソグラフィ技術を用いて交互に複数回積層して積層体2を形成する。
具体的には、図6の(b)に示すように、ポリイミド樹脂である絶縁層41を磁性体基板3の上面に積層し、絶縁層41を溝31に充填して、充填部41aを形成する。
そして、図6の(c)に示すように、スパッタリングや蒸着等の薄膜形成法、あるいはスクリーン印刷等の厚膜形成法といった成膜技術を用いて、Ag膜層を絶縁層41の上に形成し、しかる後、レジスト塗布,露光及び現像やエッチング等の一連のフォトリソグラフィ技術を用いて、引き出し端子51a,51bを有した導体パターン51を形成する。
続いて、図6の(d)示すように、この導体パターン51上に、感光性ポリイミド樹脂を塗布し、露光及び現像を行うことで、スルーホール42aを有した絶縁層42を形成する。そして、この絶縁層42上に、導体パターン51及び絶縁層41と同様に、引き出し端子52a,52bを有した導体パターン52と絶縁層43とを順に積層することで、1次側並列コイル5−1(図1参照)を形成する。
しかる後、1次側並列コイル5−1の上に、1次側並列コイル5−1と同様に、絶縁層44,45,46と導体パターン53,54とを交互に積層することで、2次側並列コイル5−2(図1参照)を形成する。
これにより、積層工程S1が終了し、積層体2が形成される。
なお、この例では、導体パターン51,52,53,54を形成する材料として、Agを用いているが、導体パターン51,52,53,54として、導電性に優れたCu,Pd,Al等の金属や、これらの合金を用いることができることは勿論である。
また、絶縁層41,42,43,44,45,46として、ポリイミド樹脂を用いているが、絶縁層42,45はスルーホール42a,45aを形成するため、感光性のポリイミド樹脂を用いる必要がある。また、絶縁層41,42,43,44,45,46として、ポリイミド樹脂以外に、エポキシ樹脂,ベンゾシクロプテン樹脂等の種々の樹脂材料、あるいはSiO2等のガラス、ガラスセラミックス、誘電体等を用いることができることは勿論である。
First, in the lamination step S1, as shown in FIG. 6A, the
In this embodiment, the
Then, the
In this state, the
Specifically, as shown in FIG. 6B, an insulating
Then, as shown in FIG. 6C, an Ag film layer is formed on the insulating
Subsequently, as shown in FIG. 6D, a photosensitive polyimide resin is applied on the
Thereafter, the insulating
Thereby, lamination process S1 is completed and layered
In this example, Ag is used as a material for forming the
In addition, polyimide resin is used as the insulating
次に、圧着工程S2においては、まず、図7の(a)に示すように、磁性体基板3と同様に、断面矩形で直線状の溝61が下面に形成されたフェライト等の磁性体基板6を用意し、絶縁層としても機能する熱硬化性のポリイミド樹脂の接着層47,48を積層体2の上面とこの磁性体基板6の下面とにそれぞれ塗布して、磁性体基板6を積層体2上に貼り合わせる。
かかる状態で、図7の(b)に示すように、磁性体基板6が貼り付けられた積層体2を、真空ホットプレス機200にセットし、真空中又は不活性ガス中にて加熱しながら、磁性体基板6を高圧で押圧することで、磁性体基板6を積層体2上に熱圧着する。しかる後、冷却して、真空ホットプレス機200の圧力を解除することで、圧着工程S3が終了する。
かかる圧着工程S3によって、積層体2の接着層48の一部が磁性体基板6の溝61内に入り込み、充填部48aが形成される。
なお、この電子部品1をリフロー実装する際には、最高到達温度が260℃前後に至ることから、接着層47,48として、ガラス転移温度が270℃以上の熱硬化性のポリイミド樹脂を用いた。さらに、上記圧着工程S3では、350℃〜390℃の高温を加えて、積層体2と磁性体基板6とを圧着するので、この高温によって、接着層47,48からガスが流出して接着層47,48内に空孔を作るおそれがある。この空孔は、密着力を低下させたり、空孔内に湿気がたまった場合には、内部の導体パターンを短絡させるおそれがある。したがって、接着層47,48としては、耐熱温度が400℃以上の熱硬化性のポリイミド樹脂を用いることが望ましい。
Next, in the crimping step S2, first, as shown in FIG. 7A, similarly to the
In this state, as shown in FIG. 7B, the
Through this crimping step S3, a part of the
When the
上記のように圧着工程S3を経ることで、磁性体基板6と積層体2とが強固に接着されたマザー基板1′が形成されるので、ダイシング工程S4によって、マザー基板1′を小さなチップに分割する。
具体的には、図8の(a)に示すように、マザー基板1′をダイシングソー300で分割し、図8の(b)に示すように、チップ1′′を切り出す。
しかる後、図示しないバレルによって面取りを施すことにより、並列コイル5−1,5−2の引き出し端子51a,51b,52a,52bが積層体2の前面2a,後面2bにそれぞれ露出したチップ1′′を得ることができる。
Through the crimping step S3 as described above, the mother substrate 1 'to which the
Specifically, as shown in FIG. 8A, the
Thereafter, by chamfering with a barrel (not shown), the
切り出されたチップ1′′は、図8の(c)に示すように、焼成工程S4において焼成される。
図9は、磁性体基板3,層41,48との間に発生した隙間を示す断面図である。
電子部品1の材料として、磁性体基板3,6にフェライト等を用い、絶縁層41〜46にポリイミド樹脂等を用いると、磁性体基板3,6と層41,48との熱膨張率や収縮率が異なるため、当該焼成時に、隙間G1,G2が、磁性体基板3と絶縁層41との間,磁性体基板6と接着層48との間に発生することがある。
The
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a gap generated between the
As the material of the
かかる焼成工程S4を経た後、外部電極形成工程S5を実行する。
外部電極形成工程S5においては、まず、Ag含む導電性ペーストの塗布や、Agのスパッタリングや蒸着等によって、引き出し端子51a,51b,52a,52bと接続するように、Ag膜を積層体2の前面2a,後面2bに成膜する。そして、このAg膜上に、湿式電解メッキ等によって、Ni,Sn−Pb等の金属膜を形成する。
これにより、図8(d)に示すように、外部電極7−1〜7−4を備えた電子部品1が製造される。
なお、この例では、薄膜Agの上にNiの膜を設けて、外部電極7−1〜7−4を形成するようにしたが、Ab−Pd,Cu,NiCr又はNiCu等の薄膜上にNi,Sn−Pb等の金属膜を設けて、外部電極7−1〜7−4を形成しても良い。
After passing through the firing step S4, an external electrode forming step S5 is performed.
In the external electrode forming step S5, first, the Ag film is formed on the front surface of the
Thereby, as shown in FIG.8 (d), the
In this example, the Ni film is provided on the thin film Ag to form the external electrodes 7-1 to 7-4. However, the Ni film is formed on the thin film such as Ab-Pd, Cu, NiCr, or NiCu. , Sn-Pb or the like may be provided to form the external electrodes 7-1 to 7-4.
ところで、図9に示したように、焼成時に、隙間G1,G2が、磁性体基板3と絶縁層41との間,磁性体基板6と接着層48との間にそれぞれ発生している場合には、外部電極形成工程S5時に、Ag含む導電性ペーストの塗布やAgのスパッタリングや蒸着等を行うと、これらの金属が隙間G1,G2にそれぞれ侵入するおそれがある。
図10は、Ag金属が隙間G1,G2に侵入した状態を示す縦断面図であり、図11は、Ag金属が隙間G1に侵入した状態を示す横断面図である。
すなわち、これらの図に示すように、ペースト状の又はスパッタリングや蒸着されたAg金属7−1aが、隙間G1であって外部電極7−1形成位置に、Ag金属7−1bが、隙間G2であって外部電極7−1形成位置に、Ag金属7−2aが、隙間G1であって外部電極7−2形成位置に、Ag金属7−2bが、隙間G2であって外部電極7−2形成位置に、Ag金属7−3aが、隙間G1であって外部電極7−3形成位置に、Ag金属7−3bが、隙間G2であって外部電極7−3形成位置に、Ag金属7−4aが、隙間G1であって外部電極7−4形成位置に、Ag金属7−4bが、隙間G2であって外部電極7−4形成位置にそれぞれ侵入することがある。かかる場合には、図11に示すように、例えば、隙間G1内では、隣り合うAg金属7−1a,7−3aやAg金属7−2a,7−4aが近接した状態になる。
By the way, as shown in FIG. 9, when the gaps G1 and G2 are generated between the
FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing a state where Ag metal has entered the gaps G1 and G2, and FIG. 11 is a transverse sectional view showing a state where Ag metal has entered the gap G1.
That is, as shown in these figures, the paste-like or sputtered or vapor-deposited Ag metal 7-1a is in the gap G1 and the external electrode 7-1 is formed, and the Ag metal 7-1b is in the gap G2. At the position where the external electrode 7-1 is formed, the Ag metal 7-2a is formed in the gap G1, and the external electrode 7-2 is formed, and in the position where the Ag metal 7-2b is formed in the gap G2, the external electrode 7-2 is formed. The Ag metal 7-3a is at the position where the external electrode 7-3 is formed in the gap G1, and the Ag metal 7-3b is at the position where the external electrode 7-3 is formed in the gap G2. However, the Ag metal 7-4b may enter the external electrode 7-4 formation position in the gap G1 and the external electrode 7-4 formation position in the gap G2. In such a case, as shown in FIG. 11, for example, in the gap G1, adjacent Ag metals 7-1a and 7-3a and Ag metals 7-2a and 7-4a are in close proximity.
次に、この実施例の電子部品1が示す作用及び効果について説明する。
図12は、電子部品1の実装状態を示す斜視図である。
図12に示すように、電子部品1を差動線路401,402に実装すると、電子部品1は、差動線路401,402を伝わる差動信号を通過させるが、差動線路401,402に侵入したコモンモードノイズは遮断するように機能する。
このとき、差動線路401,402を伝わる1対の差動信号は、同振幅で位相が180°ずれた信号であるので、外部電極7−1,7−3(7−2,7−4)の極性が異なる。このため、外部電極7−1,7−3(7−2,7−4)間に電位差(電界)が生じる。
Next, operations and effects of the
FIG. 12 is a perspective view showing a mounted state of the
As shown in FIG. 12, when the
At this time, since the pair of differential signals transmitted through the
図13は、マイグレーション現象を説明するための部分縦断面図であり、図14は、マイグレーション現象を説明するための横断面図である。
すなわち、図9〜図11に示したように、焼成工程S4時に隙間G1,G2が生じ、外部電極形成工程S5時にAg金属7−1a等がこの隙間G1,G2に侵入していると、図13及び図14に示すように、溝31や充填部41aが存在しない状態では、外部電極7−1,7−3(7−2,7−4)間に強い電位差(電界)が発生する。例えば、外部電極7−1(7−4)側のAg金属7−1a(7−4a)が正極で、外部電極7−3(7−2)側のAg金属7−3a(7−2a)が負極になった場合には、Ag金属が高温多湿下でイオン化し、Ag金属7−3a(7−2a)にAg金属Mが析出する。Ag金属Mは、時間と共に正極側のAg金属7−1a(7−4a)に向かって延出し、最後には、正極側のAg金属7−1a(7−4a)に接続して、マイグレーション状態になり、外部電極7−1,7−3(7−2,7−4)間が短絡するおそれがある。
FIG. 13 is a partial longitudinal sectional view for explaining the migration phenomenon, and FIG. 14 is a transverse sectional view for explaining the migration phenomenon.
That is, as shown in FIGS. 9 to 11, when the gaps G1 and G2 are generated during the firing step S4, and the Ag metal 7-1a and the like have entered the gaps G1 and G2 during the external electrode formation step S5, As shown in FIGS. 13 and 14, in the state where the
図15は、マイグレーション抑制作用を説明するための部分縦断面図であり、図16は、マイグレーション抑制作用を説明するための横断面図である。
この実施例の電子部品1では、上記したように、マイグレーション抑制用の手段である溝31と充填部41aとが磁性体基板3に設けられ、充填部41aと溝31とによって、磁性体基板3の中央部が仕切られた状態になっている。このため、図15及び図16に示すように、Ag金属7−3a(7−2a)に析出したAg金属Mが、時間と共に正極側のAg金属7−1a(7−4a)に向かって延出すると、溝31に入り込んだ充填部41aが、Ag金属Mを遮断し、正極側のAg金属7−1a(7−4a)への延出を阻止する。したがって、負極側のAg金属7−3a(7−2a)と正極側のAg金属7−1a(7−4a)とがAg金属Mによって接続して、外部電極7−1,7−3(7−2,7−4)間が短絡するという事態が、充填部41aによって防止される。
なお、溝31と充填部41aとの間に隙間が生じているが、析出したAg金属Mがこの隙間を通って正極側のAg金属7−1a(7−4a)に至ることはない。析出したAg金属Mは、負極側のAg金属7−3a(7−2a)と正極側のAg金属7−1a(7−4a)とを結ぶ磁性体基板3の平面上でのみ、延出することが可能であり、Ag金属Mが磁性体基板3の下側に曲がって延出することはないからである。
一方、磁性体基板6と接着層48との間の隙間G2に生じたAg金属7−1b(7−2b)とAg金属7−3b(7−4b)との間も、充填部48aに仕切られており、マイグレーションが生じることはない。
このように、この実施例によれば、溝31,61と充填部41a,48aとによって、マイグレーションの発生を抑制することができるので、高温多湿下においても使用可能な高品質の電子部品1を提供することができる。
FIG. 15 is a partial longitudinal sectional view for explaining the migration suppressing action, and FIG. 16 is a transverse sectional view for explaining the migration inhibiting action.
In the
In addition, although the clearance gap has arisen between the groove |
On the other hand, the space between the Ag metal 7-1b (7-2b) and the Ag metal 7-3b (7-4b) generated in the gap G2 between the
Thus, according to this embodiment, since the occurrence of migration can be suppressed by the
次に、第2実施例について説明する。
図17は、この発明の第2実施例に係る電子部品の分解斜視図である。
図17に示すように、この実施例の電子部品では、磁性体基板3の上面において、溝31の他に、溝32が、対向する側面である前面2a,後面2bで向かい合う1対の外部電極7−1,7−2(7−3,7−4)の間に形成され、絶縁層41が溝32に入り込んで充填部41bを形成している。また、磁性体基板6の下面においても、溝61の他に、溝32と対応する溝62が、溝32と対応する箇所に形成され、接着層48が溝62に入り込んで充填部48bを形成している。
かかる構成により、隣り合う外部電極7−1,7−3(7−2,7−4)間に生じるマイグレーションだけでなく、対向する外部電極7−1,7−2(7−3,7−4)の間に生じるマイグレーションも同時に抑制することができる。
その他の構成,作用及び効果は上記第1実施例と同様であるので、その記載は省略する。
Next, a second embodiment will be described.
FIG. 17 is an exploded perspective view of an electronic component according to the second embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 17, in the electronic component of this embodiment, on the upper surface of the
With this configuration, not only the migration that occurs between the adjacent external electrodes 7-1 and 7-3 (7-2 and 7-4), but also the opposing external electrodes 7-1 and 7-2 (7-3 and 7-). Migration that occurs during 4) can also be suppressed at the same time.
Since other configurations, operations, and effects are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.
次に、第3実施例について説明する。
図18は、この発明の第3実施例に係る電子部品の分解斜視図である。
図18に示すように、この実施例の電子部品は、二端子コイルであり、1つのコイル5−1と1対の外部電極7−1′,7−2′とを備える。
この実施例の電子部品では、外部電極が2つしかないため、磁性体基板3の上面において、溝32を、対向する側面である前面2a,後面2bで向かい合う1対の外部電極7−1′,7−2′の間に形成し、絶縁層41を溝32に入り込ませて充填部41bを形成した。
磁性体基板6の下面においても、溝32と対応する溝62を、溝32と対応する箇所に形成し、接着層48を溝62に入り込ませて充填部48bを形成した。
その他の構成,作用及び効果は上記第1実施例と同様であるので、その記載は省略する。
Next, a third embodiment will be described.
FIG. 18 is an exploded perspective view of an electronic component according to the third embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 18, the electronic component of this embodiment is a two-terminal coil, and includes one coil 5-1 and a pair of external electrodes 7-1 ′ and 7-2 ′.
In the electronic component of this embodiment, since there are only two external electrodes, on the upper surface of the
Also on the lower surface of the
Since other configurations, operations, and effects are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施例では、溝31,61の断面を矩形状に設定した例を示したが、断面形状は、これに限るものではない。図19の(a)に示すように、溝31,61の断面を、底方向に向かって狭くなるテーパ状に形成したり、図19の(b)に示すように、円弧状に形成しても良い。
断面矩形状の場合には、焼成時において、溝31(61)と充填部41a(48a)との間に生じる隙間の内、溝底の角部における隙間が広くなるが、溝31(61)の断面を上記のようなテーパ状や円弧状に形成することで、溝31(61)と充填部41a(48a)との間に、隙間を生じさせ難くすることができる。
In addition, this invention is not limited to the said Example, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary of invention.
For example, in the above-described embodiment, an example in which the cross sections of the
In the case of a rectangular cross section, among the gaps formed between the groove 31 (61) and the filling
また、上記実施例では、第1の基板としての磁性体基板3の他に、第2の基板としての磁性体基板6を設けた電子部品を例示したが、第2の基板がない電子部品を、この発明の範囲から除外する意ではない。
Moreover, in the said Example, although the electronic component which provided the
1…電子部品、 2…積層体、 2a…前面、 2b…後面、 3,6…磁性体基板、 5−1…1次側並列コイル、 5−2…2次側並列コイル、 7−1〜7−4…外部電極、 31,32,61,62…溝、 41〜46…絶縁層、 41a,41b,48a,48b…充填部、 47,48…接着層、 51〜54…導体パターン、 51a〜54a,51b〜54b…引き出し端子、 G1,G2…隙間、 M…Ag金属。
DESCRIPTION OF
Claims (4)
上記第1の基板の上面で且つ上記積層体の同一の側面に並んだ1対の外部電極の間又は対向する側面で向かい合う1対の外部電極の間のいずれかに、直線状の溝を形成すると共に、
上記第1の基板の真上の絶縁層を、上記溝内に充填させた状態で当該第1の基板上に積層した、
ことを特徴とする電子部品。 A laminated body in which an insulating layer and a conductor pattern are laminated on the first substrate, and a lead terminal of the internal circuit composed of the conductor pattern is exposed on a side surface, and the lead is in contact with each lead terminal of the internal circuit An electronic component comprising one or more external electrodes provided on the side surface of the laminate,
A linear groove is formed either between the pair of external electrodes arranged on the same side surface of the stacked body or between the pair of external electrodes facing each other on the opposite side surface on the upper surface of the first substrate. As well as
The insulating layer directly above the first substrate was stacked on the first substrate in a state where the groove was filled.
An electronic component characterized by that.
一の上記溝を同一の側面に並んだ1対の外部電極の間に形成すると共に、他の上記溝を対向する側面で向かい合う1対の外部電極の間に形成した、
ことを特徴とする電子部品。 The electronic component according to claim 1,
One groove is formed between a pair of external electrodes arranged on the same side surface, and the other groove is formed between a pair of external electrodes facing each other on opposite side surfaces.
An electronic component characterized by that.
上記溝の断面を、底方向に向かって狭くなるテーパ状又は円弧状に形成した、
ことを特徴とする電子部品。 In the electronic component according to claim 1 or 2,
The cross section of the groove was formed into a taper shape or an arc shape that narrows toward the bottom,
An electronic component characterized by that.
第2の基板を上記積層体の上面に貼り付け、
当該第2の基板の下面にも、上記第1の基板の溝と対応する溝を上記第1の基板の溝と対応する箇所に形成すると共に、
当該第2の基板の真下の絶縁層を上記溝内に充填させた状態で、当該第2の基板を当該絶縁層上に貼り付けた、
ことを特徴とする電子部品。 The electronic component according to any one of claims 1 to 3,
A second substrate is attached to the upper surface of the laminate,
On the lower surface of the second substrate, a groove corresponding to the groove of the first substrate is formed at a position corresponding to the groove of the first substrate, and
In a state where the insulating layer directly under the second substrate is filled in the groove, the second substrate is attached onto the insulating layer.
An electronic component characterized by that.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008147690A JP2009295771A (en) | 2008-06-05 | 2008-06-05 | Electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008147690A JP2009295771A (en) | 2008-06-05 | 2008-06-05 | Electronic component |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009295771A true JP2009295771A (en) | 2009-12-17 |
Family
ID=41543703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008147690A Pending JP2009295771A (en) | 2008-06-05 | 2008-06-05 | Electronic component |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009295771A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013135219A (en) * | 2011-12-22 | 2013-07-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Coil component and manufacturing method thereof |
| JP2014120759A (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Common mode filter and method of manufacturing the same |
| JP2019054018A (en) * | 2017-09-12 | 2019-04-04 | 株式会社村田製作所 | Coil parts |
-
2008
- 2008-06-05 JP JP2008147690A patent/JP2009295771A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013135219A (en) * | 2011-12-22 | 2013-07-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Coil component and manufacturing method thereof |
| JP2014120759A (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Common mode filter and method of manufacturing the same |
| JP2019054018A (en) * | 2017-09-12 | 2019-04-04 | 株式会社村田製作所 | Coil parts |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110024065B (en) | Chip type electronic components | |
| JP5375877B2 (en) | Multilayer capacitor and multilayer capacitor manufacturing method | |
| CN203895212U (en) | Composite electronic component | |
| US10176918B2 (en) | Electronic component and manufacturing method for same | |
| JP2015065283A (en) | Electronic component and manufacturing method thereof | |
| JP2010258070A (en) | Multilayer ceramic electronic component | |
| JP6870427B2 (en) | Electronic components | |
| JP2017069417A (en) | Multilayer capacitor | |
| JP2008066461A (en) | Multilayer capacitor | |
| WO2012086397A1 (en) | Laminated coil component | |
| JP2018170430A (en) | Electronic component | |
| JP2017108057A (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| JP5829487B2 (en) | Coil parts | |
| JP2010135602A (en) | Noise suppressing component and connection structure of the same | |
| WO2012132726A1 (en) | Electronic component | |
| JP4622367B2 (en) | Electronic components | |
| JP2019114669A (en) | Electronic component | |
| KR20130061260A (en) | Multi-layer ceramic electronic part and method for manufacturing the same | |
| JP6272677B2 (en) | Thin film type chip element and manufacturing method thereof | |
| JP2009295771A (en) | Electronic component | |
| JP4356300B2 (en) | Laminated LC composite parts | |
| JP2012227233A (en) | Multilayer electronic component and manufacturing method therefor | |
| JP6195085B2 (en) | Laminated electronic components | |
| JP6357640B2 (en) | Laminated parts | |
| JP4272183B2 (en) | Multilayer electronic components |