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JP2009276508A - Liquid crystal device and electronic device - Google Patents

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JP2009276508A
JP2009276508A JP2008126978A JP2008126978A JP2009276508A JP 2009276508 A JP2009276508 A JP 2009276508A JP 2008126978 A JP2008126978 A JP 2008126978A JP 2008126978 A JP2008126978 A JP 2008126978A JP 2009276508 A JP2009276508 A JP 2009276508A
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JP
Japan
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liquid crystal
substrate
region
film
layer
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Application number
JP2008126978A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshihiro Otake
俊裕 大竹
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Abstract

【課題】従来の液晶表示装置では、表示品位を向上させることが困難である。
【解決手段】第1基板51と、第1基板51に対向する第2基板81と、第1基板51及び第2基板81間に介在する液晶19と、第1基板51及び液晶19の間に介在し、第2基板81を介して液晶19に入射された光を第2基板81側に反射させる反射膜67と、第1基板51及び反射膜67の間に介在する複数の配線と、平面視で隣り合う前記配線同士の間に設けられ、前記配線による段差を緩和する緩和層65と、を有し、緩和層65は、第1基板51及び反射膜67の間に介在しており、且つ少なくとも反射膜67に平面視で重なる領域に設けられていることを特徴とする液晶装置。
【選択図】図4
In a conventional liquid crystal display device, it is difficult to improve display quality.
SOLUTION: A first substrate 51, a second substrate 81 facing the first substrate 51, a liquid crystal 19 interposed between the first substrate 51 and the second substrate 81, and between the first substrate 51 and the liquid crystal 19 are provided. A reflective film 67 that reflects the light incident on the liquid crystal 19 through the second substrate 81 toward the second substrate 81, a plurality of wirings interposed between the first substrate 51 and the reflective film 67, and a plane A relaxation layer 65 that is provided between the wirings adjacent to each other in view and relaxes a step due to the wiring, and the relaxation layer 65 is interposed between the first substrate 51 and the reflective film 67, The liquid crystal device is provided at least in a region overlapping with the reflective film 67 in plan view.
[Selection] Figure 4

Description

本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。   The present invention relates to a liquid crystal device and an electronic apparatus.

従来から、反射表示を行うことができる液晶装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, a liquid crystal device capable of performing reflective display is known (for example, see Patent Document 1).

特開2008−33371号公報JP 2008-33371 A

上記特許文献1に記載された液晶装置では、反射表示を行う領域に凹凸パターンが設けられている。この液晶装置では、凹凸パターンが液晶層に反映され、凹凸パターンの凸部と凹部とで液晶の厚みが異なる。
液晶の厚みが異なることは、液晶のリタデーション(複屈折率と厚みとの積)が異なることを意味する。液晶のリタデーションが異なると、液晶によって変調される光の変調状態が異なる。
このため、上記特許文献1に記載された液晶装置では、液晶による光の変調状態がばらつきやすい。この結果、表示におけるコントラストが低下しやすい。
In the liquid crystal device described in Patent Document 1, a concavo-convex pattern is provided in a region where reflection display is performed. In this liquid crystal device, the concavo-convex pattern is reflected in the liquid crystal layer, and the thickness of the liquid crystal differs between the convex and concave portions of the concavo-convex pattern.
The difference in thickness of the liquid crystal means that the retardation (product of birefringence and thickness) of the liquid crystal is different. If the retardation of the liquid crystal is different, the modulation state of the light modulated by the liquid crystal is different.
For this reason, in the liquid crystal device described in Patent Document 1, the modulation state of light by the liquid crystal tends to vary. As a result, the contrast in display tends to decrease.

そこで、凹凸パターンと液晶との間に平坦化層を介在させ、液晶層への凹凸パターンの反映を軽減することが考えられる。
凹凸パターンと液晶との間に平坦化層を介在させた構成としては、例えば、図24に示す素子基板601の構成が考えられる。
素子基板601では、基板603上に各画素605に対応して、TFT素子607と、反射膜609と、画素電極611とが設けられる。
Therefore, it is conceivable to reduce the reflection of the uneven pattern on the liquid crystal layer by interposing a planarizing layer between the uneven pattern and the liquid crystal.
As a configuration in which a planarization layer is interposed between the uneven pattern and the liquid crystal, for example, a configuration of an element substrate 601 shown in FIG. 24 can be considered.
In the element substrate 601, a TFT element 607, a reflective film 609, and a pixel electrode 611 are provided on the substrate 603 corresponding to each pixel 605.

TFT素子607は、基板603上に設けられており、絶縁膜613によって覆われている。絶縁膜613上には、樹脂層615が設けられている。この樹脂層615には、凹凸パターン617が設けられる。反射膜609は、凹凸パターン617上に設けられる。平坦化層619は、樹脂層615及び反射膜609上に設けられる。そして、画素電極611は、平坦化層619上に設けられる。画素電極611は、配向膜621によって覆われている。
上記の構成により、液晶層への凹凸パターン617の反映を軽減することができる。
The TFT element 607 is provided on the substrate 603 and is covered with an insulating film 613. A resin layer 615 is provided over the insulating film 613. The resin layer 615 is provided with an uneven pattern 617. The reflective film 609 is provided on the uneven pattern 617. The planarization layer 619 is provided over the resin layer 615 and the reflective film 609. The pixel electrode 611 is provided over the planarization layer 619. The pixel electrode 611 is covered with an alignment film 621.
With the above structure, reflection of the uneven pattern 617 on the liquid crystal layer can be reduced.

ところで、図24に示す素子基板601では、基板603と樹脂層615との間に、ゲート電極623につながるゲート線や、ソース電極625につながるソース線などの配線が介在している。
ゲート線627は、図25に示すように、基板603上に設けられており、ゲート絶縁膜629によって覆われている。
ソース線631は、図25中のV−V線における断面図である図26に示すように、ゲート絶縁膜629上に設けられており、絶縁膜613によって覆われている。
Incidentally, in the element substrate 601 shown in FIG. 24, wirings such as a gate line connected to the gate electrode 623 and a source line connected to the source electrode 625 are interposed between the substrate 603 and the resin layer 615.
As shown in FIG. 25, the gate line 627 is provided on the substrate 603 and is covered with a gate insulating film 629.
The source line 631 is provided on the gate insulating film 629 and covered with the insulating film 613 as shown in FIG. 26 which is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG.

ゲート絶縁膜629には、図25に示すように、平面視でゲート線627に重なる部位に、ゲート線627の厚みが反映された凸部が形成される。ゲート絶縁膜629の凸部は、絶縁膜613、樹脂層615、平坦化層619及び配向膜621のそれぞれに反映される。この結果、配向膜621上の液晶の厚みがばらつくことになる。   In the gate insulating film 629, as shown in FIG. 25, a convex portion reflecting the thickness of the gate line 627 is formed in a portion overlapping the gate line 627 in plan view. The convex portions of the gate insulating film 629 are reflected in the insulating film 613, the resin layer 615, the planarization layer 619, and the alignment film 621. As a result, the thickness of the liquid crystal on the alignment film 621 varies.

また、絶縁膜613には、図26に示すように、平面視でソース線631に重なる部位に、ソース線631の厚みが反映された凸部が形成される。絶縁膜613の凸部は、樹脂層615、平坦化層619及び配向膜621のそれぞれに反映される。この結果、配向膜621上の液晶の厚みがばらつくことになる。   In addition, as illustrated in FIG. 26, the insulating film 613 is provided with a convex portion reflecting the thickness of the source line 631 at a portion overlapping the source line 631 in plan view. The convex portions of the insulating film 613 are reflected in the resin layer 615, the planarization layer 619, and the alignment film 621, respectively. As a result, the thickness of the liquid crystal on the alignment film 621 varies.

つまり、従来の液晶装置では、液晶層に配線の厚みが反映されやすい。このため、従来の液晶装置では、表示品位を向上させることが困難であるという課題がある。   That is, in the conventional liquid crystal device, the thickness of the wiring is easily reflected in the liquid crystal layer. For this reason, the conventional liquid crystal device has a problem that it is difficult to improve display quality.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、前記第1基板及び前記液晶の間に介在し、前記第2基板を介して前記液晶に入射された光を前記第2基板側に反射させる反射膜と、前記第1基板及び前記反射膜の間に介在する複数の配線と、前記第1基板及び前記反射膜の間であって、平面視で隣り合う前記配線同士の間において、少なくとも前記反射膜に平面視で重なる領域を含んでパターン形成され、前記配線による段差を緩和する緩和層と、を有していることを特徴とする液晶装置。   Application Example 1 A first substrate, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate, and interposed between the first substrate and the liquid crystal. A reflective film that reflects light incident on the liquid crystal through the second substrate toward the second substrate, a plurality of wirings interposed between the first substrate and the reflective film, and the first substrate And between the reflective films, between the adjacent wirings in plan view, including a region that overlaps at least the reflective film in plan view, a relaxation layer that relaxes the step due to the wirings, and A liquid crystal device comprising:

適用例1の液晶装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、反射膜と、複数の配線と、緩和層とを有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板間に介在している。反射膜は、第1基板及び液晶の間に介在しており、第2基板を介して液晶に入射された光を第2基板側に反射させる。複数の配線は、第1基板及び反射膜の間に介在している。緩和層は、第1基板及び反射膜の間に設けられている。緩和層は、平面視で隣り合う配線同士の間において、少なくとも反射膜に平面視で重なる領域を含んでパターン形成されており、配線による段差を緩和する。このため、平面視で反射膜に重なる領域における液晶に配線の厚みが反映されることを軽減することができる。これにより、反射膜によって第2基板側に反射された光の変調状態のばらつきを低減することができる。この結果、反射膜によって反射された光を利用する表示における表示品位を向上させやすくすることができる。   The liquid crystal device of Application Example 1 includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal, a reflective film, a plurality of wirings, and a relaxation layer. The second substrate faces the first substrate. The liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate. The reflective film is interposed between the first substrate and the liquid crystal, and reflects light incident on the liquid crystal through the second substrate toward the second substrate. The plurality of wirings are interposed between the first substrate and the reflective film. The relaxation layer is provided between the first substrate and the reflective film. The relaxing layer is formed in a pattern between adjacent wirings in plan view, including at least a region overlapping the reflective film in plan view, and relaxes a step due to the wiring. For this reason, it can reduce that the thickness of wiring is reflected in the liquid crystal in the area | region which overlaps with a reflecting film in planar view. Thereby, the dispersion | variation in the modulation state of the light reflected on the 2nd board | substrate side by the reflecting film can be reduced. As a result, it is possible to easily improve the display quality in the display using the light reflected by the reflective film.

[適用例2]上記の液晶装置であって、複数の画素が設定されており、各前記画素には、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定されており、前記反射膜は、前記反射領域ごとに設けられているとともに、前記緩和層は前記反射領域に対応して選択的に形成されていることを特徴とする液晶装置。   Application Example 2 In the above-described liquid crystal device, a plurality of pixels are set, and each of the pixels is set with a transmissive region for performing transmissive display and a reflective region for performing reflective display. Is provided for each reflection region, and the relaxation layer is selectively formed corresponding to the reflection region.

適用例2では、複数の画素の各画素に、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定されている。反射膜は、反射領域ごとに設けられている。そして、緩和層は反射領域に対応して選択的に形成されている。この構成により、この液晶装置では、透過表示と反射表示とを行うことができる。   In Application Example 2, a transmissive region for performing transmissive display and a reflective region for performing reflective display are set for each pixel of the plurality of pixels. The reflective film is provided for each reflective region. The relaxation layer is selectively formed corresponding to the reflective region. With this configuration, this liquid crystal device can perform transmissive display and reflective display.

[適用例3]上記の液晶装置であって、平面視で各前記反射領域に重なる領域に凹凸部が設けられた凹凸形成層を有し、前記凹凸形成層は、前記複数の配線及び前記反射膜の間に介在しており、各前記反射膜は、各前記反射領域内で各前記凹凸部の前記液晶側に設けられていることを特徴とする液晶装置。   Application Example 3 In the above-described liquid crystal device, the liquid crystal device includes a concavo-convex forming layer provided with a concavo-convex portion in a region overlapping the reflective region in plan view, and the concavo-convex forming layer includes the plurality of wirings and the reflection A liquid crystal device, wherein the reflective film is provided between the films, and the reflective films are provided on the liquid crystal side of the concavo-convex portions in the reflective regions.

適用例3の液晶装置は、凹凸形成層を有している。凹凸形成層は、複数の配線及び反射膜の間に介在している。凹凸形成層には、凹凸部が設けられている。凹凸部は、平面視で各反射領域に重なる領域に設けられている。この液晶装置では、各反射膜は、各反射領域内で各凹凸部の液晶側に設けられている。このため、反射膜には、凹凸部の形状が反映され得る。これにより、反射膜で光を乱反射させることができる。   The liquid crystal device of Application Example 3 has a concavo-convex forming layer. The concavo-convex forming layer is interposed between the plurality of wirings and the reflective film. The unevenness forming layer is provided with an uneven portion. The concavo-convex portion is provided in a region overlapping each reflective region in plan view. In this liquid crystal device, each reflection film is provided on the liquid crystal side of each uneven portion in each reflection region. For this reason, the shape of the uneven portion can be reflected in the reflective film. Thereby, light can be irregularly reflected by the reflective film.

[適用例4]上記の液晶装置であって、前記緩和層が、前記透過領域に平面視で重なる領域にも設けられていることを特徴とする液晶装置。   Application Example 4 In the above-described liquid crystal device, the relaxation layer is also provided in a region overlapping the transmission region in plan view.

適用例4では、緩和層が、透過領域に平面視で重なる領域にも設けられている。このため、透過表示における表示品位も向上させやすくすることができる。   In the application example 4, the relaxation layer is also provided in the region overlapping the transmission region in plan view. For this reason, the display quality in the transmissive display can be easily improved.

[適用例5]上記の液晶装置であって、前記反射領域に対応する前記緩和層と、前記透過領域に対応する前記緩和層とは、互いに厚みが異なることを特徴とする液晶装置。   Application Example 5 In the above-described liquid crystal device, the relaxation layer corresponding to the reflection region and the relaxation layer corresponding to the transmission region have different thicknesses from each other.

適用例5では、反射領域に対応する緩和層と、透過領域に対応する緩和層とは、互いに厚みが異なっている。これにより、反射領域及び透過領域のそれぞれに対して、各緩和層を適切な厚みに設定しやすくすることができる。   In Application Example 5, the relaxation layer corresponding to the reflection region and the relaxation layer corresponding to the transmission region have different thicknesses. Thereby, each relaxation layer can be easily set to an appropriate thickness for each of the reflective region and the transmissive region.

[適用例6]上記の液晶装置であって、前記反射領域に対応する前記緩和層の厚みが、前記透過領域に対応する前記緩和層の厚みよりも厚いことを特徴とする液晶装置。   Application Example 6 In the above liquid crystal device, the thickness of the relaxation layer corresponding to the reflection region is larger than the thickness of the relaxation layer corresponding to the transmission region.

適用例6では、反射領域に対応する緩和層の厚みが、透過領域に対応する緩和層の厚みよりも厚い。
ここで、凹凸形成層は、凹凸部の存在に起因して、反射領域における凹凸形成層の厚みが、透過領域における凹凸形成層の厚みよりも薄くなることがある。
このような場合でも、適用例6の液晶装置では、反射領域に対応する緩和層の厚みが、透過領域に対応する緩和層の厚みよりも厚いので、反射領域における液晶の厚みと、透過領域における液晶の厚みとをそろえやすくすることができる。
In Application Example 6, the thickness of the relaxation layer corresponding to the reflection region is larger than the thickness of the relaxation layer corresponding to the transmission region.
Here, in the concavo-convex formation layer, the thickness of the concavo-convex formation layer in the reflection region may be smaller than the thickness of the concavo-convex formation layer in the transmission region due to the presence of the concavo-convex portion.
Even in such a case, in the liquid crystal device of Application Example 6, since the thickness of the relaxation layer corresponding to the reflection region is larger than the thickness of the relaxation layer corresponding to the transmission region, the thickness of the liquid crystal in the reflection region and the transmission region This makes it easy to align the thickness of the liquid crystal.

[適用例7]上記の液晶装置であって、前記反射領域に対応する前記緩和層と、前記透過領域に対応する前記緩和層とは、互いに材質が異なることを特徴とする液晶装置。   Application Example 7 In the above-described liquid crystal device, the relaxation layer corresponding to the reflection region and the relaxation layer corresponding to the transmission region are made of different materials.

適用例7では、反射領域に対応する緩和層と、透過領域に対応する緩和層とは、互いに材質が異なっている。
ここで、例えば、反射領域に対応する緩和層の材質が遮光性を有していても、第1基板及び反射膜の間に緩和層が介在しているので、反射表示に支障がない。このため、反射領域に対応する緩和層は、遮光性を有する材質で構成され得る。他方で、透過領域に対応する緩和層は、光透過性を有する材質で構成され得る。
このように、反射領域と透過領域とで緩和層の材質が異なっていても反射表示と透過表示とを行うことができる。
In Application Example 7, the material of the relaxation layer corresponding to the reflection region and the relaxation layer corresponding to the transmission region are different from each other.
Here, for example, even if the material of the relaxation layer corresponding to the reflection region has a light shielding property, the relaxation display is not hindered because the relaxation layer is interposed between the first substrate and the reflection film. For this reason, the relaxation layer corresponding to the reflective region can be made of a light-shielding material. On the other hand, the relaxing layer corresponding to the transmissive region may be made of a material having optical transparency.
Thus, even if the material of the relaxation layer is different between the reflective region and the transmissive region, the reflective display and the transmissive display can be performed.

[適用例8]上記の液晶装置であって、少なくとも前記透過領域に対応する前記緩和層は、光透過性を有する材質で構成されていることを特徴とする液晶装置。   Application Example 8 In the above liquid crystal device, the liquid crystal device is characterized in that at least the relaxing layer corresponding to the transmission region is made of a material having optical transparency.

適用例8では、少なくとも透過領域に対応する緩和層が、光透過性を有する材質で構成されているので、透過領域からの光で透過表示を行うことができる。   In Application Example 8, at least the relaxing layer corresponding to the transmissive region is made of a light-transmitting material, so that transmissive display can be performed with light from the transmissive region.

[適用例9]上記の液晶装置であって、前記反射領域に対応する前記緩和層が、光吸収性を有する材質で構成されていることを特徴とする液晶装置。   Application Example 9 In the above-described liquid crystal device, the relaxation layer corresponding to the reflection region is made of a light-absorbing material.

適用例9では、反射領域に対応する緩和層が、光吸収性を有する材質で構成されている。これにより、第1基板を介して反射領域内に入射された光の少なくとも一部を緩和層で吸収することができる。このため、第1基板を介して反射領域内に入射された光が、反射膜で乱反射され、反射領域の外に射出されることを低く抑えることができる。この結果、第1基板を介して反射領域内に入射された光が漏れることを低く抑えることができる。   In Application Example 9, the relaxation layer corresponding to the reflective region is made of a material having a light absorption property. Thereby, at least a part of the light incident on the reflection region via the first substrate can be absorbed by the relaxation layer. For this reason, it can suppress low that the light which injected into the reflective area via the 1st board | substrate is irregularly reflected by a reflective film, and is inject | emitted out of a reflective area. As a result, it is possible to suppress leakage of light incident on the reflection region through the first substrate.

[適用例10]上記の液晶装置であって、各前記画素に対応して設けられ、前記画素ごとに前記液晶の駆動を制御するTFT素子を有しており、前記配線は、前記TFT素子に駆動信号を供給するゲート線であることを特徴とする液晶装置。   Application Example 10 In the above-described liquid crystal device, the liquid crystal device includes a TFT element that is provided corresponding to each pixel and controls driving of the liquid crystal for each pixel, and the wiring is connected to the TFT element. A liquid crystal device, wherein the liquid crystal device is a gate line for supplying a driving signal.

適用例10の液晶装置は、各画素に対応して設けられたTFT(Thin Film Transistor)素子を有している。TFT素子は、画素ごとに液晶の駆動を制御する。この液晶装置では、配線は、TFT素子に駆動信号を供給するゲート線である。この構成により、平面視で反射膜に重なる領域における液晶にゲート線の厚みが反映されることを軽減することができる。これにより、反射膜によって第2基板側に反射された光の変調状態のばらつきを低減することができる。この結果、反射膜によって反射された光を利用する表示における表示品位を向上させやすくすることができる。   The liquid crystal device of Application Example 10 includes a TFT (Thin Film Transistor) element provided corresponding to each pixel. The TFT element controls driving of the liquid crystal for each pixel. In this liquid crystal device, the wiring is a gate line that supplies a drive signal to the TFT element. With this configuration, it is possible to reduce the reflection of the thickness of the gate line in the liquid crystal in the region overlapping the reflective film in plan view. Thereby, the dispersion | variation in the modulation state of the light reflected on the 2nd board | substrate side by the reflecting film can be reduced. As a result, it is possible to easily improve the display quality in the display using the light reflected by the reflective film.

[適用例11]上記の液晶装置であって、各前記画素に対応して設けられ、前記画素ごとに前記液晶の駆動を制御するTFT素子を有しており、前記配線は、前記TFT素子に画像信号を供給するソース線であることを特徴とする液晶装置。   Application Example 11 In the above-described liquid crystal device, the liquid crystal device includes a TFT element that is provided corresponding to each pixel and controls driving of the liquid crystal for each pixel, and the wiring is connected to the TFT element. A liquid crystal device characterized by being a source line for supplying an image signal.

適用例11では、各画素に対応して設けられたTFT素子を有している。TFT素子は、画素ごとに液晶の駆動を制御する。この液晶装置では、配線は、TFT素子に画像信号を供給するソース線である。この構成により、平面視で反射膜に重なる領域における液晶にソース線の厚みが反映されることを軽減することができる。これにより、反射膜によって第2基板側に反射された光の変調状態のばらつきを低減することができる。この結果、反射膜によって反射された光を利用する表示における表示品位を向上させやすくすることができる。   The application example 11 includes a TFT element provided corresponding to each pixel. The TFT element controls driving of the liquid crystal for each pixel. In this liquid crystal device, the wiring is a source line that supplies an image signal to the TFT element. With this configuration, it is possible to reduce the reflection of the thickness of the source line in the liquid crystal in the region overlapping the reflective film in plan view. Thereby, the dispersion | variation in the modulation state of the light reflected on the 2nd board | substrate side by the reflecting film can be reduced. As a result, it is possible to easily improve the display quality in the display using the light reflected by the reflective film.

[適用例12]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定された複数の画素と、前記第1基板及び前記液晶の間に介在し、前記画素ごとに前記反射領域に重なる領域に設けられた反射膜と、前記第1基板及び前記反射膜の間に介在し、平面視で各前記反射領域に重なる領域に凹凸部が設けられた凹凸形成層と、前記第1基板及び前記凹凸形成層の間に介在する緩和層と、を有し、前記凹凸部は、前記凹凸形成層の前記液晶側に設けられており、前記反射膜は、前記凹凸部の前記液晶側に設けられており、前記緩和層は、平面視で少なくとも前記凹凸部に重なる領域に設けられていることを特徴とする液晶装置。   Application Example 12 A first substrate, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate, a transmissive region for performing transmissive display, and a reflective for performing reflective display A plurality of pixels in which a region is set, a reflective film that is interposed between the first substrate and the liquid crystal and that overlaps the reflective region for each pixel; and the first substrate and the reflective film Having a concavo-convex forming layer provided with a concavo-convex portion in a region overlapping with each of the reflection regions in plan view, and a relaxing layer interposed between the first substrate and the concavo-convex forming layer, The uneven part is provided on the liquid crystal side of the uneven part forming layer, the reflective film is provided on the liquid crystal side of the uneven part, and the relaxing layer overlaps at least the uneven part in plan view. A liquid crystal device provided in a region.

適用例12の液晶装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、複数の画素と、反射膜と、凹凸形成層と、緩和層とを有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板間に介在している。各画素には、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定されている。反射膜は、第1基板及び液晶の間に介在しており、画素ごとに反射領域に重なる領域に設けられている。凹凸形成層は、第1基板及び反射膜の間に介在している。凹凸形成層には、平面視で各反射領域に重なる領域に凹凸部が設けられている。凹凸部は、凹凸形成層の液晶側に設けられている。反射膜は、凹凸部の液晶側に設けられている。緩和層は、第1基板及び凹凸形成層の間に介在している。
ここで、凹凸形成層は、凹凸部の存在に起因して、反射領域における凹凸形成層の厚みが、透過領域における凹凸形成層の厚みよりも薄くなることがある。
これに対し、この液晶装置では、緩和層は、平面視で少なくとも凹凸部に重なる領域に設けられている。このため、反射領域における液晶の厚みと、透過領域における液晶の厚みとをそろえやすくすることができる。これにより、反射領域における光の変調状態と、透過領域における光の変調状態とを、それぞれ適切な状態にしやすくすることができる。この結果、反射表示及び透過表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
The liquid crystal device of Application Example 12 includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal, a plurality of pixels, a reflective film, a concavo-convex forming layer, and a relaxation layer. The second substrate faces the first substrate. The liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate. In each pixel, a transmissive region for transmissive display and a reflective region for reflective display are set. The reflective film is interposed between the first substrate and the liquid crystal, and is provided in a region that overlaps the reflective region for each pixel. The concavo-convex forming layer is interposed between the first substrate and the reflective film. The concavo-convex forming layer is provided with concavo-convex portions in regions overlapping with the reflective regions in plan view. The uneven portion is provided on the liquid crystal side of the uneven forming layer. The reflective film is provided on the liquid crystal side of the uneven portion. The relaxation layer is interposed between the first substrate and the unevenness forming layer.
Here, in the concavo-convex formation layer, the thickness of the concavo-convex formation layer in the reflection region may be smaller than the thickness of the concavo-convex formation layer in the transmission region due to the presence of the concavo-convex portion.
On the other hand, in this liquid crystal device, the relaxation layer is provided in a region that overlaps at least the uneven portion in plan view. For this reason, it is possible to easily align the thickness of the liquid crystal in the reflective region and the thickness of the liquid crystal in the transmissive region. Accordingly, it is possible to easily set the light modulation state in the reflection region and the light modulation state in the transmission region to appropriate states. As a result, it is possible to easily improve display quality in reflective display and transmissive display.

[適用例13]上記の液晶装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。   Application Example 13 Electronic equipment having the above-described liquid crystal device as a display portion.

適用例13の電子機器は、表示部としての液晶装置が、第1基板と、第2基板と、液晶と、反射膜と、複数の配線と、緩和層とを有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板間に介在している。反射膜は、第1基板及び液晶の間に介在しており、第2基板を介して液晶に入射された光を第2基板側に反射させる。複数の配線は、第1基板及び反射膜の間に介在している。緩和層は、平面視で隣り合う配線同士の間に設けられており、配線による段差を緩和する。この構成により、配線の厚みが液晶に反映されることを軽減することができる。
この液晶装置では、緩和層は、第1基板及び反射膜の間に介在しており、且つ少なくとも反射膜に平面視で重なる領域に設けられている。このため、平面視で反射膜に重なる領域における液晶に配線の厚みが反映されることを軽減することができる。これにより、反射膜によって第2基板側に反射された光の変調状態のばらつきを低減することができる。この結果、反射膜によって反射された光を利用する表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
そして、この電子機器は、上記の液晶装置を表示部として有しているので、表示部における表示品位を向上させやすくすることができる。
In the electronic device according to the application example 13, the liquid crystal device as the display unit includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal, a reflective film, a plurality of wirings, and a relaxation layer. The second substrate faces the first substrate. The liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate. The reflective film is interposed between the first substrate and the liquid crystal, and reflects light incident on the liquid crystal through the second substrate toward the second substrate. The plurality of wirings are interposed between the first substrate and the reflective film. The relaxation layer is provided between the wirings adjacent to each other in plan view, and relaxes a step due to the wiring. With this configuration, the thickness of the wiring can be reduced from being reflected in the liquid crystal.
In this liquid crystal device, the relaxation layer is interposed between the first substrate and the reflective film, and is provided at least in a region overlapping the reflective film in plan view. For this reason, it can reduce that the thickness of wiring is reflected in the liquid crystal in the area | region which overlaps with a reflecting film in planar view. Thereby, the dispersion | variation in the modulation state of the light reflected on the 2nd board | substrate side by the reflecting film can be reduced. As a result, it is possible to easily improve the display quality in the display using the light reflected by the reflective film.
And since this electronic device has said liquid crystal device as a display part, it can make it easy to improve the display quality in a display part.

第1実施形態について、表示装置の1つである反射型の液晶装置を例に、図面を参照しながら説明する。
第1実施形態における表示装置1は、図1に示すように、液晶パネル3と、位相差板5と、偏光板7とを有している。
The first embodiment will be described with reference to the drawings, taking as an example a reflective liquid crystal device which is one of display devices.
As shown in FIG. 1, the display device 1 in the first embodiment includes a liquid crystal panel 3, a phase difference plate 5, and a polarizing plate 7.

ここで、表示装置1には、複数の画素9が設定されている。複数の画素9は、表示領域11内で、図中のX方向及びY方向に配列しており、X方向を行方向とし、Y方向を列方向とするマトリクスMを構成している。表示装置1は、表示面13から偏光板7を介して液晶パネル3に入射された光を、後述する反射膜で表示面13側に反射させて、複数の画素9から選択的に表示面13を介して液晶パネル3の外に射出することができる。これにより、表示装置1では、表示面13に画像を表示することができる。なお、表示領域11とは、画像が表示され得る領域である。図1では、構成をわかりやすく示すため、画素9が誇張され、且つ画素9の個数が減じられている。   Here, a plurality of pixels 9 are set in the display device 1. The plurality of pixels 9 are arranged in the X direction and Y direction in the drawing within the display area 11, and constitute a matrix M in which the X direction is the row direction and the Y direction is the column direction. The display device 1 reflects light incident on the liquid crystal panel 3 from the display surface 13 via the polarizing plate 7 to the display surface 13 side by a reflection film described later, and selectively displays the display surface 13 from the plurality of pixels 9. It can be injected out of the liquid crystal panel 3 via. As a result, the display device 1 can display an image on the display surface 13. The display area 11 is an area where an image can be displayed. In FIG. 1, the pixels 9 are exaggerated and the number of the pixels 9 is reduced for easy understanding of the configuration.

液晶パネル3は、図1中のA−A線における断面図である図2に示すように、素子基板15と、対向基板17と、液晶19と、シール材21とを有している。
素子基板15には、表示面13側すなわち液晶19側に、複数の画素9のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板17は、素子基板15よりも表示面13側で素子基板15に対向し、且つ素子基板15との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板17には、表示装置1における表示面13の裏面に相当する面である底面23側すなわち液晶19側に、後述するカラーフィルタなどが設けられている。
The liquid crystal panel 3 includes an element substrate 15, a counter substrate 17, a liquid crystal 19, and a sealing material 21 as shown in FIG. 2, which is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1.
The element substrate 15 is provided with a switching element, which will be described later, corresponding to each of the plurality of pixels 9 on the display surface 13 side, that is, the liquid crystal 19 side.
The counter substrate 17 faces the element substrate 15 on the display surface 13 side with respect to the element substrate 15, and is provided with a gap between the counter substrate 17 and the element substrate 15. The counter substrate 17 is provided with a color filter, which will be described later, on the bottom surface 23 side, that is, the liquid crystal 19 side, which corresponds to the back surface of the display surface 13 in the display device 1.

液晶19は、素子基板15及び対向基板17の間に介在しており、液晶パネル3の周縁よりも内側で表示領域11を囲むシール材21によって、素子基板15及び対向基板17の間に封止されている。なお、本実施形態では、液晶19の駆動方式として、FFS(Fringe Field Switching)型の駆動方式が採用されている。   The liquid crystal 19 is interposed between the element substrate 15 and the counter substrate 17, and is sealed between the element substrate 15 and the counter substrate 17 by a sealing material 21 that surrounds the display region 11 inside the periphery of the liquid crystal panel 3. Has been. In the present embodiment, an FFS (Fringe Field Switching) type driving method is employed as the driving method of the liquid crystal 19.

位相差板5は、対向基板17よりも表示面13側、すなわち液晶19側とは反対側に設けられている。偏光板7は、位相差板5よりも表示面13側に設けられている。表示装置1では、位相差板5は、入射された光に対して1/2波長の位相差を付与する。偏光板7は、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。   The retardation plate 5 is provided on the display surface 13 side of the counter substrate 17, that is, on the opposite side of the liquid crystal 19 side. The polarizing plate 7 is provided closer to the display surface 13 than the phase difference plate 5. In the display device 1, the phase difference plate 5 gives a phase difference of ½ wavelength to the incident light. The polarizing plate 7 can transmit light having a polarization axis in the direction of the transmission axis.

なお、偏光板7よりも表示面13側や、偏光板7と位相差板5との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶19を表示面13の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶19の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。   In addition, the structure which provided the optical compensation film between the display surface 13 side from the polarizing plate 7 or between the polarizing plate 7 and the phase difference plate 5 may be employ | adopted. By providing the optical compensation film, it is possible to compensate for the phase difference of the liquid crystal 19 when the liquid crystal 19 is viewed from the normal direction of the display surface 13 or from the direction inclined from the normal direction. Thereby, light leakage can be reduced and the contrast can be improved.

光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体(例えば、富士フィルム製のWVフィルム)などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体(例えば、日本石油製のNHフィルム)なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がnx>ny>nzとなる二軸性媒体や、負のC−Plate等も採用され得る。   As the optical compensation film, a negative uniaxial medium (for example, a WV film manufactured by Fuji Film) in which discotic liquid crystal molecules having negative refractive index anisotropy or the like are hybrid-aligned can be used. Also, a positive uniaxial medium (for example, NH film manufactured by Nippon Petroleum) in which nematic liquid crystal molecules having a positive refractive index anisotropy are hybrid-aligned may be employed. Further, a configuration in which a negative uniaxial medium and a positive uniaxial medium are combined may be employed. In addition, a biaxial medium in which the refractive index in each direction satisfies nx> ny> nz, a negative C-Plate, or the like can be employed.

表示装置1に設定されている複数の画素9は、それぞれ、表示面13から射出する光の色が、図3に示すように、赤系(R)、緑系(G)及び青系(B)のうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMを構成する複数の画素9は、Rの光を射出する画素9rと、Gの光を射出する画素9gと、Bの光を射出する画素9bとを含んでいる。
なお、以下においては、画素9という表記と、画素9r、9g及び9bという表記とが、適宜、使いわけられる。
Each of the plurality of pixels 9 set in the display device 1 has a red color (R), a green color (G), and a blue color (B) as shown in FIG. ). That is, the plurality of pixels 9 constituting the matrix M include a pixel 9r that emits R light, a pixel 9g that emits G light, and a pixel 9b that emits B light.
In the following description, the term “pixel 9” and the term “pixels 9r, 9g, and 9b” are appropriately used.

ここで、Rの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Gの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑を含む。Bの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Rの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で570nm以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Gの色を呈する光は、光の波長のピークが500nm〜565nmの範囲にある光であると定義され得る。Bの色を呈する光は、光の波長のピークが415nm〜495nmの範囲にある光であると定義され得る。   Here, the color of R is not limited to a pure red hue, and includes orange and the like. The color of G is not limited to a pure green hue, and includes blue-green and yellow-green. The color of B is not limited to a pure blue hue, and includes bluish purple and blue-green. From another viewpoint, light exhibiting the color of R can be defined as light having a light wavelength peak in a range of 570 nm or more in the visible light region. The light exhibiting the color G can be defined as light having a light wavelength peak in the range of 500 nm to 565 nm. Light exhibiting the color B can be defined as light having a light wavelength peak in the range of 415 nm to 495 nm.

マトリクスMでは、Y方向に沿って並ぶ複数の画素9が、1つの画素列41を構成している。また、X方向に沿って並ぶ複数の画素9が、1つの画素行42を構成している。
1つの画素列41内の各画素9は、光の色がR、G及びBのうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMは、複数の画素9rがY方向に配列した画素列41rと、複数の画素9gがY方向に配列した画素列41gと、複数の画素9bがY方向に配列した画素列41bとを有している。そして、マトリクスMでは、画素列41r、画素列41g及び画素列41bが、この順でX方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列41という表記と、画素列41r、画素列41g及び画素列41bという表記とが、適宜、使いわけられる。
In the matrix M, a plurality of pixels 9 arranged along the Y direction form one pixel column 41. A plurality of pixels 9 arranged in the X direction constitute one pixel row 42.
Each pixel 9 in one pixel column 41 has a light color set to one of R, G, and B. That is, the matrix M includes a pixel column 41r in which a plurality of pixels 9r are arranged in the Y direction, a pixel column 41g in which a plurality of pixels 9g are arranged in the Y direction, and a pixel column 41b in which a plurality of pixels 9b are arranged in the Y direction. have. In the matrix M, the pixel column 41r, the pixel column 41g, and the pixel column 41b are arranged repeatedly in this order along the X direction.
In the following, the notation of the pixel column 41 and the notation of the pixel column 41r, the pixel column 41g, and the pixel column 41b are appropriately used.

表示装置1では、表示面13を介して液晶19に入射された外光を、後述する反射膜で表示面13側に反射させて、その反射光を表示面13側に射出することによって、反射表示が行われる。なお、外光とは、表示装置1の表示面13から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光、照明装置からの光などが含まれる。   In the display device 1, the external light incident on the liquid crystal 19 through the display surface 13 is reflected on the display surface 13 side by a reflection film described later, and the reflected light is emitted to the display surface 13 side to be reflected. Display is performed. The external light is any light incident from the display surface 13 of the display device 1. The outside light includes, for example, indoor and outdoor illumination light, sunlight, and light from an illumination device.

ここで、液晶パネル3の素子基板15及び対向基板17のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板15は、図3中のC−C線における断面図である図4に示すように、第1基板51と、素子層52とを有している。
第1基板51は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面13側に向けられた第1面51aと、底面23側に向けられた第2面51bとを有している。
Here, the configuration of each of the element substrate 15 and the counter substrate 17 of the liquid crystal panel 3 will be described in detail.
The element substrate 15 includes a first substrate 51 and an element layer 52 as shown in FIG. 4 which is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG.
The first substrate 51 is made of a light-transmitting material such as glass or quartz, for example, and includes a first surface 51a directed to the display surface 13 side and a second surface 51b directed to the bottom surface 23 side. have.

素子層52は、第1基板51の第1面51aに設けられている。素子層52には、ゲート絶縁膜53と、樹脂層55と、平坦化膜57と、絶縁膜59と、配向膜61とが含まれている。また、素子層52には、画素9ごとに、スイッチング素子の1つであるTFT(Thin Film Transistor)素子63と、緩和層65と、反射膜67と、共通電極69と、画素電極71とが含まれている。   The element layer 52 is provided on the first surface 51 a of the first substrate 51. The element layer 52 includes a gate insulating film 53, a resin layer 55, a planarizing film 57, an insulating film 59, and an alignment film 61. The element layer 52 includes, for each pixel 9, a TFT (Thin Film Transistor) element 63 that is one of the switching elements, a relaxation layer 65, a reflective film 67, a common electrode 69, and a pixel electrode 71. include.

ゲート絶縁膜53は、第1基板51の第1面51aに設けられている。樹脂層55は、ゲート絶縁膜53の表示面13側に設けられている。平坦化膜57は、樹脂層55の表示面13側に設けられている。絶縁膜59は、平坦化膜57の表示面13側に設けられている。配向膜61は、絶縁膜59の表示面13側に設けられている。
TFT素子63と、緩和層65と、反射膜67と、共通電極69と、画素電極71とは、それぞれ、各画素9に対応して設けられている。
The gate insulating film 53 is provided on the first surface 51 a of the first substrate 51. The resin layer 55 is provided on the display surface 13 side of the gate insulating film 53. The planarizing film 57 is provided on the display surface 13 side of the resin layer 55. The insulating film 59 is provided on the display surface 13 side of the planarizing film 57. The alignment film 61 is provided on the display surface 13 side of the insulating film 59.
The TFT element 63, the relaxation layer 65, the reflective film 67, the common electrode 69, and the pixel electrode 71 are provided corresponding to each pixel 9.

TFT素子63は、ゲート電極72と、半導体層73と、ソース電極74と、ドレイン電極75とを有している。ゲート電極72は、第1基板51の第1面51aに設けられており、ゲート絶縁膜53によって表示面13側から覆われている。なお、ゲート電極72の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。また、ゲート絶縁膜53の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
半導体層73は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜53を挟んでゲート電極72に対向する位置に設けられている。
The TFT element 63 has a gate electrode 72, a semiconductor layer 73, a source electrode 74, and a drain electrode 75. The gate electrode 72 is provided on the first surface 51 a of the first substrate 51 and is covered with the gate insulating film 53 from the display surface 13 side. In addition, as a material of the gate electrode 72, metals, such as molybdenum, tungsten, and chromium, an alloy containing these, etc. can be employ | adopted, for example. Further, as the material of the gate insulating film 53, for example, a light transmissive material such as silicon oxide or silicon nitride can be adopted.
The semiconductor layer 73 is made of amorphous silicon, for example, and is provided at a position facing the gate electrode 72 with the gate insulating film 53 interposed therebetween.

ソース電極74は、ゲート絶縁膜53の表示面13側に設けられており、一部が半導体層73に重なっている。ドレイン電極75は、ゲート絶縁膜53の表示面13側に設けられており、一部が半導体層73に重なっている。上記の構成を有するTFT素子63は、半導体層73がゲート電極72と、ソース電極74及びドレイン電極75との間に位置する所謂ボトムゲート型である。
上記の構成を有するTFT素子63は、樹脂層55によって表示面13側から覆われている。
The source electrode 74 is provided on the display surface 13 side of the gate insulating film 53 and partly overlaps the semiconductor layer 73. The drain electrode 75 is provided on the display surface 13 side of the gate insulating film 53, and partly overlaps the semiconductor layer 73. The TFT element 63 having the above configuration is a so-called bottom gate type in which the semiconductor layer 73 is located between the gate electrode 72 and the source electrode 74 and drain electrode 75.
The TFT element 63 having the above configuration is covered with the resin layer 55 from the display surface 13 side.

緩和層65は、第1基板51の第1面51aに設けられており、ゲート絶縁膜53によって表示面13側から覆われている。緩和層65は、Y方向に隣り合う2つのゲート電極72間に設けられている。緩和層65とゲート電極72とは、互いにY方向に間隔をあけた状態で設けられている。
緩和層65の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料や、アクリル系やエポキシ系などの樹脂材料等の種々の材料が採用され得る。なお、緩和層65としては、遮光性を有していても、光透過性を有していてもよい。
The relaxing layer 65 is provided on the first surface 51 a of the first substrate 51 and is covered from the display surface 13 side by the gate insulating film 53. The relaxing layer 65 is provided between two gate electrodes 72 adjacent in the Y direction. Relaxing layer 65 and gate electrode 72 are provided in a state spaced from each other in the Y direction.
As the material of the relaxing layer 65, for example, various materials such as an inorganic material such as silicon oxide and silicon nitride, and a resin material such as acrylic and epoxy can be employed. The relaxing layer 65 may have a light shielding property or a light transmissive property.

反射膜67は、平面視で各画素9の領域に重なる領域に設けられている。反射膜67は、樹脂層55の表示面13側に設けられている。なお、樹脂層55の材料としては、例えば、アクリル系やエポキシ系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
樹脂層55及び反射膜67は、平坦化膜57によって表示面13側から覆われている。平坦化膜57の材料としては、例えば、アクリル系やエポキシ系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
The reflective film 67 is provided in a region that overlaps the region of each pixel 9 in plan view. The reflective film 67 is provided on the display surface 13 side of the resin layer 55. In addition, as a material of the resin layer 55, the material which has light transmittances, such as an acrylic resin and an epoxy resin, can be employ | adopted, for example.
The resin layer 55 and the reflective film 67 are covered with the planarizing film 57 from the display surface 13 side. As the material of the planarization film 57, for example, a light transmissive material such as an acrylic or epoxy resin can be employed.

共通電極69は、平坦化膜57の表示面13側に設けられており、平面視で各画素9の領域に重なっている。共通電極69の材料としては、例えばITO(Indium Tin Oxide)などの光透過性を有する材料が採用され得る。
共通電極69は、絶縁膜59によって表示面13側から覆われている。絶縁膜59の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
The common electrode 69 is provided on the display surface 13 side of the planarizing film 57 and overlaps the area of each pixel 9 in plan view. As the material of the common electrode 69, for example, a light transmissive material such as ITO (Indium Tin Oxide) can be adopted.
The common electrode 69 is covered with the insulating film 59 from the display surface 13 side. As the material of the insulating film 59, for example, a light transmissive material such as silicon oxide, silicon nitride, acrylic resin, or the like can be employed.

画素電極71は、絶縁膜59の表示面13側に設けられている。画素電極71は、絶縁膜59、平坦化膜57及び樹脂層55に設けられたコンタクトホール76を介して、ドレイン電極75につながっている。画素電極71の材料としては、例えばITOなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
配向膜61は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、絶縁膜59及び画素電極71を表示面13側から覆っている。なお、配向膜61には、配向処理が施されている。
The pixel electrode 71 is provided on the display surface 13 side of the insulating film 59. The pixel electrode 71 is connected to the drain electrode 75 through a contact hole 76 provided in the insulating film 59, the planarizing film 57, and the resin layer 55. As a material of the pixel electrode 71, for example, a material having optical transparency such as ITO can be adopted.
The alignment film 61 is made of a light-transmitting material such as polyimide, and covers the insulating film 59 and the pixel electrode 71 from the display surface 13 side. The alignment film 61 is subjected to an alignment process.

対向基板17は、第2基板81と、対向層82とを有している。第2基板81は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面13側に向けられた外向面83aと、底面23側に向けられた対向面83bとを有している。
対向層82は、第2基板81の対向面83bに設けられている。対向層82には、光吸収層85と、カラーフィルタ87と、オーバーコート層91と、配向膜97とが含まれている。
The counter substrate 17 includes a second substrate 81 and a counter layer 82. The second substrate 81 is made of a light-transmitting material such as glass or quartz, for example, and has an outward surface 83a directed to the display surface 13 side and an opposing surface 83b directed to the bottom surface 23 side. is doing.
The facing layer 82 is provided on the facing surface 83 b of the second substrate 81. The counter layer 82 includes a light absorption layer 85, a color filter 87, an overcoat layer 91, and an alignment film 97.

光吸収層85は、第2基板81の対向面83bに設けられており、領域86にわたっている。光吸収層85は、平面視で格子状に設けられており、各画素9を区画している。表示装置1では、各画素9は、光吸収層85によって囲まれた領域であると定義され得る。
光吸収層85の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
The light absorption layer 85 is provided on the facing surface 83 b of the second substrate 81 and extends over the region 86. The light absorption layer 85 is provided in a lattice shape in a plan view and partitions each pixel 9. In the display device 1, each pixel 9 can be defined as a region surrounded by the light absorption layer 85.
As a material of the light absorption layer 85, for example, a resin containing a material having a high light absorption property such as carbon black or chromium can be employed.

カラーフィルタ87は、各画素9に対応して設けられている。カラーフィルタ87は、第2基板81の対向面83b側に設けられており、光吸収層85によって囲まれた各領域、すなわち各画素9の領域を底面23側から覆っている。
ここで、カラーフィルタ87は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ87は、画素9r、画素9g及び画素9bごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素9rに対応するカラーフィルタ87は、Rの光を透過させることができる。画素9gに対応するカラーフィルタ87はGの光を透過させ、画素9bに対応するカラーフィルタ87はBの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ87に対してR、G及びBが識別される場合に、カラーフィルタ87r、87g及び87bという表記が用いられる。
The color filter 87 is provided corresponding to each pixel 9. The color filter 87 is provided on the opposing surface 83b side of the second substrate 81, and covers each region surrounded by the light absorption layer 85, that is, the region of each pixel 9, from the bottom surface 23 side.
Here, the color filter 87 can transmit light in a predetermined wavelength region of incident light. The color filter 87 is made of a resin colored in a different color for each of the pixel 9r, the pixel 9g, and the pixel 9b. The color filter 87 corresponding to the pixel 9r can transmit R light. The color filter 87 corresponding to the pixel 9g can transmit G light, and the color filter 87 corresponding to the pixel 9b can transmit B light. In the following, when R, G, and B are identified for each color filter 87, the notation of color filters 87r, 87g, and 87b is used.

オーバーコート層91は、光吸収層85及びカラーフィルタ87の底面23側に設けられている。オーバーコート層91は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、光吸収層85及びカラーフィルタ87を底面23側から覆っている。
配向膜97は、オーバーコート層91の底面23側に設けられている。配向膜97は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、オーバーコート層91を底面23側から覆っている。配向膜97には、底面23側に配向処理が施されている。
素子基板15及び対向基板17の間に介在する液晶19は、配向膜61と配向膜97との間に介在している。
The overcoat layer 91 is provided on the bottom surface 23 side of the light absorption layer 85 and the color filter 87. The overcoat layer 91 is made of a light-transmitting resin or the like, and covers the light absorption layer 85 and the color filter 87 from the bottom surface 23 side.
The alignment film 97 is provided on the bottom surface 23 side of the overcoat layer 91. The alignment film 97 is made of a light-transmitting material such as polyimide, and covers the overcoat layer 91 from the bottom surface 23 side. The alignment film 97 is subjected to an alignment process on the bottom surface 23 side.
The liquid crystal 19 interposed between the element substrate 15 and the counter substrate 17 is interposed between the alignment film 61 and the alignment film 97.

ここで、各画素9におけるTFT素子63、共通電極69及び画素電極71の配置について説明する。
画素電極71は、平面図である図5に示すように、画素9の領域にわたって設けられており、複数のスリット部111を有している。図5では、構成をわかりやすく示すため、画素電極71にハッチングが施されている。
複数のスリット部111は、Y方向に所定間隔で並んでいる。各スリット部111は、Y方向とは交差する方向に沿って延びている。なお、各スリット部111が延びる方向は、X方向から傾斜している。
Here, the arrangement of the TFT element 63, the common electrode 69, and the pixel electrode 71 in each pixel 9 will be described.
As shown in FIG. 5 which is a plan view, the pixel electrode 71 is provided over the region of the pixel 9 and has a plurality of slit portions 111. In FIG. 5, the pixel electrode 71 is hatched for easy understanding of the configuration.
The plurality of slit portions 111 are arranged at predetermined intervals in the Y direction. Each slit 111 extends along a direction intersecting the Y direction. In addition, the direction in which each slit part 111 extends is inclined from the X direction.

共通電極69は、画素電極71を覆う領域に設けられている。X方向に隣り合う画素9間において、共通電極69同士は、共通線113によって接続されている。
各画素9において、共通電極69及び画素電極71は、それぞれの周縁部が領域86に重なっている。
TFT素子63は、図5で見て画素9の領域の左側の領域86内に設けられている。画素電極71は、画素9の領域内から領域86内に及んでおり、領域86内に設けられたコンタクトホール76を介してドレイン電極75につながっている。X方向に隣り合う画素9間において、ゲート電極72同士は、ゲート線117によって接続されている。また、Y方向に隣り合う画素9間において、ソース電極74同士は、ソース線119によって接続されている。
The common electrode 69 is provided in a region that covers the pixel electrode 71. Between the pixels 9 adjacent in the X direction, the common electrodes 69 are connected by a common line 113.
In each pixel 9, the common electrode 69 and the pixel electrode 71 have their peripheral portions overlapping the region 86.
The TFT element 63 is provided in a region 86 on the left side of the region of the pixel 9 as viewed in FIG. The pixel electrode 71 extends from the region of the pixel 9 to the region 86, and is connected to the drain electrode 75 through a contact hole 76 provided in the region 86. Between the pixels 9 adjacent to each other in the X direction, the gate electrodes 72 are connected to each other by a gate line 117. Further, between the pixels 9 adjacent in the Y direction, the source electrodes 74 are connected by a source line 119.

反射膜67は、Y方向に隣り合う2つのゲート線117と、X方向に隣り合う2つのソース線119とによって囲まれる領域内に設けられている。図5では、構成をわかりやすく示すため、反射膜67の領域が共通電極69の領域よりも外側に及んでいる。反射膜67の領域は、これに限定されず、少なくとも画素9の領域内に及んでいればよい。
緩和層65は、Y方向に隣り合う2つのゲート線117の間に設けられており、画素9ごとにパターン形成されている。緩和層65は、共通電極69の領域よりも外側の領域に及んでいる。つまり、緩和層65は、反射膜67の領域よりも広い領域にわたって設けられている。このため、緩和層65とゲート線117との間の凹凸が反射膜67に反映されにくい。
The reflective film 67 is provided in a region surrounded by two gate lines 117 adjacent in the Y direction and two source lines 119 adjacent in the X direction. In FIG. 5, the region of the reflective film 67 extends outside the region of the common electrode 69 in order to easily show the configuration. The area of the reflective film 67 is not limited to this, and it is sufficient that the area of the reflective film 67 extends to at least the area of the pixel 9.
The relaxation layer 65 is provided between two gate lines 117 adjacent in the Y direction, and is patterned for each pixel 9. The relaxing layer 65 extends to a region outside the region of the common electrode 69. That is, the relaxing layer 65 is provided over a region wider than the region of the reflective film 67. Therefore, the unevenness between the relaxing layer 65 and the gate line 117 is not easily reflected in the reflective film 67.

なお、緩和層65は、厚みがゲート線117の厚みと略同等に設定されている。
また、図4におけるTFT素子63、共通電極69及び画素電極71の断面は、図5中のJ−J線における断面に相当している。
また、緩和層65は、画素9ごとにパターン形成されている構成に限定されない。緩和層65の構成としては、Y方向に隣り合う2つのゲート線117の間に、図3に示すマトリクスMの画素行42単位で一連した状態でパターン形成されている構成も採用され得る。
Note that the thickness of the relaxing layer 65 is set substantially equal to the thickness of the gate line 117.
Further, the cross sections of the TFT element 63, the common electrode 69, and the pixel electrode 71 in FIG. 4 correspond to the cross section along the line JJ in FIG.
Further, the relaxing layer 65 is not limited to the configuration in which the pattern is formed for each pixel 9. As the configuration of the relaxing layer 65, a configuration in which a pattern is formed in a state of being arranged in units of pixel rows 42 of the matrix M illustrated in FIG. 3 between two gate lines 117 adjacent in the Y direction may be employed.

共通電極69と画素電極71との間に電圧を印加すると、共通電極69と画素電極71との間に電界が発生する。液晶パネル3では、TFT素子63がOFF状態からON状態に変化すると、共通電極69と画素電極71との間に電界が発生する。この電界によって液晶19の配向状態を変化させることができる。
表示装置1では、液晶19の配向状態を画素9ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶19の配向状態は、TFT素子63のOFF状態及びON状態を切り替えることによって変化し得る。
When a voltage is applied between the common electrode 69 and the pixel electrode 71, an electric field is generated between the common electrode 69 and the pixel electrode 71. In the liquid crystal panel 3, when the TFT element 63 changes from the OFF state to the ON state, an electric field is generated between the common electrode 69 and the pixel electrode 71. The alignment state of the liquid crystal 19 can be changed by this electric field.
In the display device 1, the display is controlled by changing the alignment state of the liquid crystal 19 for each pixel 9. The alignment state of the liquid crystal 19 can be changed by switching between the OFF state and the ON state of the TFT element 63.

配向膜61及び配向膜97のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜61及び配向膜97によって、液晶19の初期的な配向状態が規制される。
図6(a)は、TFT素子63がOFF状態のときの偏光状態を示す図であり、図6(b)は、TFT素子63がON状態のときの偏光状態を示す図である。
表示装置1では、液晶19の初期的な配向方向121は、図6(a)に示すように、偏光板7の透過軸123に直交した方向に設定されている。
TFT素子63がON状態に切り替わると、液晶19の配向方向121は、図6(b)に示すように、平面視で偏光板7の透過軸123に直交する方向に対して、この図で見て反時計方向に45度の傾きを有する方向に変化する。なお、表示装置1では、液晶19は、TFT素子63がON状態のときに、入射光に1/4波長の位相差を付与する。
Each of the alignment film 61 and the alignment film 97 is subjected to an alignment process. The initial alignment state of the liquid crystal 19 is regulated by the alignment film 61 and the alignment film 97 that have been subjected to the alignment treatment.
FIG. 6A is a diagram illustrating a polarization state when the TFT element 63 is in an OFF state, and FIG. 6B is a diagram illustrating a polarization state when the TFT element 63 is in an ON state.
In the display device 1, the initial alignment direction 121 of the liquid crystal 19 is set in a direction orthogonal to the transmission axis 123 of the polarizing plate 7 as shown in FIG.
When the TFT element 63 is switched to the ON state, the alignment direction 121 of the liquid crystal 19 is seen in this figure with respect to the direction orthogonal to the transmission axis 123 of the polarizing plate 7 in plan view, as shown in FIG. Thus, it changes in a direction having an inclination of 45 degrees counterclockwise. In the display device 1, the liquid crystal 19 gives a phase difference of ¼ wavelength to incident light when the TFT element 63 is in the ON state.

なお、図6(a)及び図6(b)において、X'方向及びY'方向は、X'方向が偏光板7の透過軸123に直交した方向を示し、Y'方向が偏光板7の透過軸123に沿った方向を示している。X'方向及びY'方向は、XY平面内で互いに直交する任意の2方向である。
ここで、位相差板5の遅相軸131は、平面視でX'方向に対してこれらの図で見て反時計方向に67.5度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差板5に入射された直線偏光129は、1/2波長の位相差が与えられ、直線偏光133として液晶19に入射される。直線偏光133の偏光軸は、平面視でX'方向に対して図6(a)及び図6(b)で見て反時計方向に45度の傾きを有する方向に沿っている。
6A and 6B, the X ′ direction and the Y ′ direction indicate directions in which the X ′ direction is orthogonal to the transmission axis 123 of the polarizing plate 7, and the Y ′ direction is the polarizing plate 7. The direction along the transmission axis 123 is shown. The X ′ direction and the Y ′ direction are arbitrary two directions orthogonal to each other in the XY plane.
Here, the slow axis 131 of the phase difference plate 5 is set in a direction having an inclination of 67.5 degrees counterclockwise as viewed in these drawings with respect to the X ′ direction in plan view.
Accordingly, the linearly polarized light 129 incident on the phase difference plate 5 is given a half-wave phase difference and is incident on the liquid crystal 19 as the linearly polarized light 133. The polarization axis of the linearly polarized light 133 is along a direction having an inclination of 45 degrees counterclockwise as viewed in FIGS. 6A and 6B with respect to the X ′ direction in plan view.

液晶19に入射された直線偏光133は、TFT素子63がOFF状態のときに、図6(a)に示すように、偏光軸が液晶19の配向方向121とは交差している。このため、液晶19に入射された直線偏光133は、1/4波長の位相差が与えられ、この図で見て左回りの円偏光135として反射膜67に向けて射出される。
円偏光135は、反射膜67で反射され、この図で見て右回りすなわち円偏光135とは逆回転の円偏光137として液晶19に入射される。
液晶19に入射された円偏光137は、1/4波長の位相差が与えられ、平面視でX'方向に対してこの図で見て反時計方向に135度の傾きを有する方向に沿った偏光軸を有する直線偏光139として位相差板5に入射される。
The linearly polarized light 133 incident on the liquid crystal 19 has a polarization axis that intersects the alignment direction 121 of the liquid crystal 19 as shown in FIG. 6A when the TFT element 63 is in the OFF state. For this reason, the linearly polarized light 133 incident on the liquid crystal 19 is given a phase difference of ¼ wavelength, and is emitted toward the reflection film 67 as a counterclockwise circularly polarized light 135 as seen in this figure.
The circularly polarized light 135 is reflected by the reflective film 67, and enters the liquid crystal 19 as circularly polarized light 137 that rotates clockwise as viewed in FIG.
The circularly polarized light 137 incident on the liquid crystal 19 is given a phase difference of ¼ wavelength, and is along a direction having a tilt of 135 degrees counterclockwise as viewed in this figure with respect to the X ′ direction in plan view. The light enters the phase difference plate 5 as linearly polarized light 139 having a polarization axis.

位相差板5に入射された直線偏光139は、1/2波長の位相差が与えられ、平面視でX'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光141として偏光板7に入射される。
偏光板7に入射された直線偏光141は、偏光軸が偏光板7の透過軸123に対して直交しているため、偏光板7によって吸収される。
The linearly polarized light 139 incident on the phase difference plate 5 is given a phase difference of ½ wavelength, and is incident on the polarizing plate 7 as a linearly polarized light 141 having a polarization axis along the X ′ direction in plan view.
The linearly polarized light 141 incident on the polarizing plate 7 is absorbed by the polarizing plate 7 because the polarization axis is orthogonal to the transmission axis 123 of the polarizing plate 7.

他方で、TFT素子63がON状態のときに、液晶19に入射された直線偏光133は、図6(b)に示すように、偏光軸が液晶19の配向方向121に沿っているため、偏光状態が維持されたまま直線偏光133として反射膜67に向けて射出される。
反射膜67に向けて射出された直線偏光133は、偏光状態が維持されたまま反射膜67で反射され、液晶19に入射される。
On the other hand, when the TFT element 63 is in the ON state, the linearly polarized light 133 incident on the liquid crystal 19 has a polarization axis along the alignment direction 121 of the liquid crystal 19 as shown in FIG. While maintaining the state, it is emitted toward the reflection film 67 as linearly polarized light 133.
The linearly polarized light 133 emitted toward the reflective film 67 is reflected by the reflective film 67 while maintaining the polarization state, and is incident on the liquid crystal 19.

反射膜67から液晶19に入射された直線偏光133は、偏光状態が維持されたまま位相差板5に入射される。位相差板5に入射された直線偏光133は、1/2波長の位相差が与えられ、平面視でY'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光143として偏光板7に入射される。偏光板7に入射された直線偏光143は、偏光軸が偏光板7の透過軸123の方向に沿っているため、偏光板7を透過する。
このように、表示装置1では、TFT素子63のON状態及びOFF状態の切り替えにより、表示が制御される。
The linearly polarized light 133 incident on the liquid crystal 19 from the reflective film 67 is incident on the phase difference plate 5 while maintaining the polarization state. The linearly polarized light 133 incident on the phase difference plate 5 is given a phase difference of ½ wavelength, and is incident on the polarizing plate 7 as a linearly polarized light 143 having a polarization axis along the Y ′ direction in plan view. The linearly polarized light 143 incident on the polarizing plate 7 passes through the polarizing plate 7 because the polarization axis is along the direction of the transmission axis 123 of the polarizing plate 7.
As described above, in the display device 1, display is controlled by switching between the ON state and the OFF state of the TFT element 63.

第1実施形態において、ゲート線117(ゲート電極72)が配線としてのゲート線に対応している。
第1実施形態の表示装置1では、画素9ごとに、第1基板51と反射膜67との間に緩和層65が設けられている。各緩和層65は、ゲート線117と同じ階層(第1基板51の第1面51a)に設けられており、隣り合う2つのゲート線117同士間に介在している。このため、液晶19にゲート線117の厚みが反映されることを軽減することができる。これにより、反射膜67によって第2基板81側に反射された光の変調状態のばらつきを低減することができる。この結果、反射表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
In the first embodiment, the gate line 117 (gate electrode 72) corresponds to a gate line as a wiring.
In the display device 1 of the first embodiment, a relaxation layer 65 is provided between the first substrate 51 and the reflective film 67 for each pixel 9. Each relaxing layer 65 is provided on the same level as the gate line 117 (the first surface 51a of the first substrate 51), and is interposed between two adjacent gate lines 117. For this reason, it is possible to reduce the reflection of the thickness of the gate line 117 on the liquid crystal 19. Thereby, the variation in the modulation state of the light reflected to the second substrate 81 side by the reflective film 67 can be reduced. As a result, the display quality in the reflective display can be easily improved.

なお、第1実施形態では、緩和層65の厚みをゲート線117の厚みと略同等に設定されているが、緩和層65の厚みはこれに限定されない。緩和層65の厚みとしては、ゲート線117の厚みから反射膜67の厚みを差し引いた値も採用され得る。これにより、樹脂層55と反射膜67との間の段差を軽減しやすくできるので、液晶19に反射膜67の厚みが反映されることを軽減することができる。このため、表示品位を一層向上させやすくすることができる。   In the first embodiment, the thickness of the relaxing layer 65 is set to be substantially equal to the thickness of the gate line 117, but the thickness of the relaxing layer 65 is not limited to this. As the thickness of the relaxing layer 65, a value obtained by subtracting the thickness of the reflective film 67 from the thickness of the gate line 117 may be employed. As a result, the step between the resin layer 55 and the reflective film 67 can be easily reduced, so that the reflection of the thickness of the reflective film 67 on the liquid crystal 19 can be reduced. For this reason, it is possible to further improve the display quality.

また、第1実施形態では、緩和層65をゲート線117と同じ階層(第1基板51の第1面51a)に設けた構成を例示したが、緩和層65を設ける階層はこれに限定されない。緩和層65を設ける階層としては、例えば、ソース線119(ソース電極74)と同じ階層も採用され得る。この場合、緩和層65は、画素9ごとに、平面視で画素9の領域に重なる領域に設けられ、画素9ごとにソース線119に隣り合う。この構成においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。   In the first embodiment, the configuration in which the relaxing layer 65 is provided in the same level as the gate line 117 (the first surface 51a of the first substrate 51) is illustrated, but the level in which the relaxing layer 65 is provided is not limited thereto. As the layer on which the relaxing layer 65 is provided, for example, the same layer as the source line 119 (source electrode 74) may be employed. In this case, the relaxation layer 65 is provided for each pixel 9 in a region overlapping the region of the pixel 9 in plan view, and is adjacent to the source line 119 for each pixel 9. Even in this configuration, the same effect as the first embodiment can be obtained.

第2実施形態について、半透過反射型の液晶装置を例に、図面を参照しながら説明する。なお、以下においては、第1実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
第2実施形態における表示装置10は、図7に示すように、表示パネル20と、照明装置30とを有している。
The second embodiment will be described with reference to the drawings, taking a transflective liquid crystal device as an example. In the following, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
As shown in FIG. 7, the display device 10 according to the second embodiment includes a display panel 20 and a lighting device 30.

ここで、表示パネル20には、複数の画素9が設定されている。複数の画素9は、第1実施形態と同様に、表示領域11内で、図中のX方向及びY方向に配列しており、X方向を行方向とし、Y方向を列方向とするマトリクスMを構成している。表示装置10は、照明装置30から表示パネル20に入射された光を、複数の画素9から選択的に表示面13を介して表示パネル20の外に射出することで、表示面13に画像を表示することができる。   Here, a plurality of pixels 9 are set on the display panel 20. Similar to the first embodiment, the plurality of pixels 9 are arranged in the display region 11 in the X direction and the Y direction in the figure, and the matrix M has the X direction as the row direction and the Y direction as the column direction. Is configured. The display device 10 selectively emits light incident on the display panel 20 from the illumination device 30 from the plurality of pixels 9 to the outside of the display panel 20 via the display surface 13, thereby displaying an image on the display surface 13. Can be displayed.

表示パネル20は、図7中のD−D線における断面図である図8に示すように、液晶パネル40と、偏光板7a及び7bとを有している。
液晶パネル40は、素子基板60と、対向基板70と、液晶19と、シール材21とを有している。
素子基板60には、表示面13側すなわち液晶19側に、各画素9に対応して、TFT素子63などが設けられている。
The display panel 20 includes a liquid crystal panel 40 and polarizing plates 7a and 7b as shown in FIG. 8 which is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG.
The liquid crystal panel 40 includes an element substrate 60, a counter substrate 70, a liquid crystal 19, and a sealing material 21.
The element substrate 60 is provided with a TFT element 63 and the like corresponding to each pixel 9 on the display surface 13 side, that is, the liquid crystal 19 side.

対向基板70は、素子基板60よりも表示面13側で素子基板60に対向し、且つ素子基板60との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板70には、底面23側すなわち液晶19側に、後述する位相差膜などが設けられている。   The counter substrate 70 faces the element substrate 60 on the display surface 13 side of the element substrate 60 and is provided in a state where there is a gap between the counter substrate 70 and the element substrate 60. The counter substrate 70 is provided with a later-described retardation film on the bottom surface 23 side, that is, the liquid crystal 19 side.

液晶19は、素子基板60及び対向基板70の間に介在しており、液晶パネル40の周縁よりも内側で表示領域11を囲むシール材21によって、素子基板60及び対向基板70の間に封止されている。なお、本実施形態では、液晶19の駆動方式として、FFS(Fringe Field Switching)型の駆動方式が採用されている。   The liquid crystal 19 is interposed between the element substrate 60 and the counter substrate 70, and is sealed between the element substrate 60 and the counter substrate 70 by the sealing material 21 that surrounds the display region 11 inside the periphery of the liquid crystal panel 40. Has been. In the present embodiment, an FFS (Fringe Field Switching) type driving method is employed as the driving method of the liquid crystal 19.

偏光板7aは、対向基板70よりも表示面13側に設けられている。偏光板7bは、素子基板60よりも底面23側に設けられている。表示装置10では、偏光板7a及び7bは、偏光板7aにおける光の透過軸の方向と、偏光板7bにおける光の透過軸の方向とが、互いに直交する方向に設定されている。
なお、偏光板7aと対向基板70との間や、偏光板7bと素子基板60との間に、前述した光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。
The polarizing plate 7 a is provided closer to the display surface 13 than the counter substrate 70. The polarizing plate 7 b is provided closer to the bottom surface 23 than the element substrate 60. In the display device 10, the polarizing plates 7a and 7b are set such that the direction of the light transmission axis in the polarizing plate 7a and the direction of the light transmission axis in the polarizing plate 7b are orthogonal to each other.
In addition, the structure which provided the optical compensation film mentioned above between the polarizing plate 7a and the counter substrate 70, or between the polarizing plate 7b and the element substrate 60 may be employ | adopted.

照明装置30は、表示パネル20の底面23側に設けられており、導光板31と、光源33とを有している。導光板31は、図8で見て表示パネル20の下側に設けられており、表示パネル20の底面23に対向する光射出面35bを有している。
光源33は、例えば、LED(Light Emitting Diode)や冷陰極管などが採用され、図8で見て導光板31の側面35aの左方に設けられている。
The lighting device 30 is provided on the bottom surface 23 side of the display panel 20 and includes a light guide plate 31 and a light source 33. The light guide plate 31 is provided on the lower side of the display panel 20 as viewed in FIG. 8 and has a light emission surface 35 b facing the bottom surface 23 of the display panel 20.
The light source 33 is, for example, an LED (Light Emitting Diode) or a cold cathode tube, and is provided on the left side of the side surface 35a of the light guide plate 31 as viewed in FIG.

光源33からの光は、導光板31の側面35aに入射される。導光板31に入射された光は、導光板31の中で反射を繰り返しながら光射出面35bから射出される。光射出面35bから射出された光は、表示パネル20の底面23から、偏光板7bを介して表示パネル20に入射される。なお、導光板31には、必要に応じて、光射出面35bに拡散板が設けられ、底面35cに反射板が設けられる。   Light from the light source 33 enters the side surface 35 a of the light guide plate 31. The light incident on the light guide plate 31 is emitted from the light exit surface 35 b while being repeatedly reflected in the light guide plate 31. The light emitted from the light emission surface 35b enters the display panel 20 from the bottom surface 23 of the display panel 20 via the polarizing plate 7b. The light guide plate 31 is provided with a diffuser plate on the light exit surface 35b and a reflector plate on the bottom surface 35c as necessary.

表示パネル20に設定されている複数の画素9は、第1実施形態と同様に、画素9rと、画素9gと、画素9bとを含んでいる。
各画素9は、図3中のE部の拡大図である図9に示すように、透過領域Tと、反射領域Hとを有している。なお、図9では、構成をわかりやすく示すため、反射領域Hにハッチングが施されている。
透過領域Tでは、図8に示す照明装置30から底面23を介して液晶19に入射された光を表示面13側に透過させることによって、透過表示が行われる。
The plurality of pixels 9 set in the display panel 20 includes a pixel 9r, a pixel 9g, and a pixel 9b, as in the first embodiment.
Each pixel 9 has a transmissive region T and a reflective region H as shown in FIG. 9 which is an enlarged view of an E portion in FIG. In FIG. 9, the reflection region H is hatched for easy understanding of the configuration.
In the transmissive region T, transmissive display is performed by transmitting light incident on the liquid crystal 19 from the illumination device 30 illustrated in FIG. 8 through the bottom surface 23 to the display surface 13 side.

反射領域Hでは、表示面13を介して液晶19に入射された外光を、後述する反射膜で表示面13側に反射させて、その反射光を表示面13側に射出することによって、反射表示が行われる。
ここで、液晶パネル40の素子基板60及び対向基板70のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板60は、図9中のF−F線における断面図である図10に示すように、第1基板51と、素子層52とを有している。
In the reflection region H, the external light incident on the liquid crystal 19 via the display surface 13 is reflected by the reflection film described later to the display surface 13 side, and the reflected light is emitted to the display surface 13 side to reflect. Display is performed.
Here, the configuration of each of the element substrate 60 and the counter substrate 70 of the liquid crystal panel 40 will be described in detail.
The element substrate 60 includes a first substrate 51 and an element layer 52, as shown in FIG. 10 which is a cross-sectional view taken along line FF in FIG.

緩和層65は、第1基板51の第1面51aに設けられており、ゲート絶縁膜53によって表示面13側から覆われている。緩和層65は、Y方向に隣り合う2つのゲート電極72間に設けられており、平面視で反射領域Hに重なる領域に設けられている。緩和層65とゲート電極72とは、互いにY方向に間隔をあけた状態で設けられている。
緩和層65の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料や、アクリル系やエポキシ系などの樹脂材料等の種々の材料が採用され得る。なお、緩和層65としては、遮光性を有していても、光透過性を有していてもよい。表示装置10では、緩和層65は、光吸収性を有する材質で構成されている。このため、緩和層65は、照明装置30からの光に対して遮光性を有している。
The relaxing layer 65 is provided on the first surface 51 a of the first substrate 51 and is covered from the display surface 13 side by the gate insulating film 53. The relaxation layer 65 is provided between two gate electrodes 72 adjacent in the Y direction, and is provided in a region overlapping the reflection region H in plan view. Relaxing layer 65 and gate electrode 72 are provided in a state spaced from each other in the Y direction.
As the material of the relaxing layer 65, for example, various materials such as an inorganic material such as silicon oxide and silicon nitride, and a resin material such as acrylic and epoxy can be employed. The relaxing layer 65 may have a light shielding property or a light transmissive property. In the display device 10, the relaxing layer 65 is made of a material having a light absorption property. For this reason, the relaxing layer 65 has a light shielding property against the light from the illumination device 30.

照明装置30から底面23(図8)を介して第1基板51に入射された光が、後述する反射膜67によって乱反射することを軽減できる点で、緩和層65が遮光性や光吸収性を有していることは、好ましい。これは、乱反射した光が透過領域Tに入射することによってコントラストが低下してしまうことを軽減しやすくできるためである。   The relaxing layer 65 has a light-shielding property and a light-absorbing property in that light incident on the first substrate 51 from the illumination device 30 through the bottom surface 23 (FIG. 8) can be reduced from being diffusely reflected by a reflective film 67 described later. Having it is preferred. This is because it is possible to easily reduce the decrease in contrast caused by the irregularly reflected light entering the transmission region T.

ここで、樹脂層55の表示面13側には、平面視で反射領域Hに重なる領域に凹凸部79が設けられている。
反射膜67は、平面視で反射領域Hに重なる領域に設けられている。反射膜67は、凹凸部79の表示面13側に設けられている。このため、反射膜67には、凹凸部79の凹凸形状が反映されている。つまり、反射膜67は、凹凸部79の凹凸形状にならって凹凸状に設けられている。
このため、表示面13側から液晶パネル40に入射された光を、凹凸状に設けられた反射膜67によって、液晶19側に乱反射させることができる。
Here, on the display surface 13 side of the resin layer 55, an uneven portion 79 is provided in a region overlapping the reflective region H in plan view.
The reflective film 67 is provided in a region overlapping the reflective region H in plan view. The reflective film 67 is provided on the display surface 13 side of the uneven portion 79. Therefore, the reflection film 67 reflects the uneven shape of the uneven portion 79. That is, the reflective film 67 is provided in an uneven shape following the uneven shape of the uneven portion 79.
For this reason, the light incident on the liquid crystal panel 40 from the display surface 13 side can be irregularly reflected to the liquid crystal 19 side by the reflective film 67 provided in an uneven shape.

対向基板70は、第2基板81と、対向層82とを有している。
対向層82には、光吸収層85と、カラーフィルタ87と、オーバーコート層91と、配向膜93と、位相差膜95と、配向膜97とが含まれている。
配向膜93は、オーバーコート層91の底面23側に設けられている。配向膜93は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、オーバーコート層91を底面23側から覆っている。配向膜93には、底面23側に配向処理が施されている。
The counter substrate 70 includes a second substrate 81 and a counter layer 82.
The counter layer 82 includes a light absorption layer 85, a color filter 87, an overcoat layer 91, an alignment film 93, a retardation film 95, and an alignment film 97.
The alignment film 93 is provided on the bottom surface 23 side of the overcoat layer 91. The alignment film 93 is made of a light-transmitting material such as polyimide, and covers the overcoat layer 91 from the bottom surface 23 side. The alignment film 93 is subjected to an alignment process on the bottom surface 23 side.

位相差膜95は、配向膜93の底面23側に設けられている。位相差膜95は、例えば液晶化合物を含む材料で構成されており、平面視で反射領域Hに重なる領域に設けられている。位相差膜95は、この位相差膜95に入射された光に、1/2波長の位相差を与える。   The retardation film 95 is provided on the bottom surface 23 side of the alignment film 93. The retardation film 95 is made of, for example, a material containing a liquid crystal compound, and is provided in a region overlapping the reflection region H in plan view. The retardation film 95 gives a half-wave phase difference to the light incident on the retardation film 95.

素子基板60及び対向基板70の間に介在する液晶19は、配向膜61と配向膜97との間に介在している。液晶パネル40では、各画素9において、透過領域Tと反射領域Hとで液晶19の厚みが異なる所謂マルチギャップ構造が採用されている。
透過領域Tにおいて、液晶19は、L1なる厚みを有している。これに対し、反射領域Hでは、液晶19の厚みL2が、L1>L2となるように、位相差膜95の厚みが設定されている。なお、液晶パネル40では、L1は、L2の約2倍に設定されている。
The liquid crystal 19 interposed between the element substrate 60 and the counter substrate 70 is interposed between the alignment film 61 and the alignment film 97. In the liquid crystal panel 40, a so-called multi-gap structure in which the thickness of the liquid crystal 19 is different between the transmission region T and the reflection region H is adopted in each pixel 9.
In the transmissive region T, the liquid crystal 19 has a thickness of L1. On the other hand, in the reflection region H, the thickness of the retardation film 95 is set so that the thickness L2 of the liquid crystal 19 satisfies L1> L2. In the liquid crystal panel 40, L1 is set to approximately twice L2.

ここで、位相差膜95は、図10中のK−K線における断面図である図11に示すように、X方向に並ぶ複数の画素9間にわたって一連している。つまり、位相差膜95は、X方向に並ぶ複数の反射領域Hに、図3に示すマトリクスMの画素行42単位で重なっている。   Here, as shown in FIG. 11, which is a cross-sectional view taken along the line KK in FIG. That is, the retardation film 95 overlaps the plurality of reflection regions H arranged in the X direction in units of pixel rows 42 of the matrix M shown in FIG.

ここで、反射膜67及び位相差膜95は、図12に示す境界部115よりも反射領域H側で、共通電極69に重なっている。従って、反射領域Hは、各画素9の領域において、反射膜67と位相差膜95とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。図12では、構成をわかりやすく示すため、反射膜67の領域が、反射領域H側で共通電極69の領域よりも外側に及んでいる。反射膜67の領域は、これに限定されず、反射領域H側で少なくとも画素9の領域内に及んでいればよい。   Here, the reflective film 67 and the retardation film 95 overlap the common electrode 69 on the reflective region H side with respect to the boundary 115 shown in FIG. Therefore, the reflective region H can be defined as a region where the reflective film 67 and the retardation film 95 overlap in a plan view in the region of each pixel 9. In FIG. 12, the region of the reflective film 67 extends outside the region of the common electrode 69 on the reflective region H side in order to easily show the configuration. The region of the reflective film 67 is not limited to this, and it is sufficient that the reflective film 67 extends at least in the region of the pixel 9 on the reflective region H side.

また、透過領域Tは、各画素9の領域から反射領域Hを除いた領域と、共通電極69とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。
緩和層65は、画素9ごとに、反射領域Hに対応して選択的に設けられている。緩和層65は、反射領域H側で、共通電極69の領域よりも外側の領域に及んでいる。つまり、緩和層65は、反射膜67の領域よりも広い領域にわたって設けられている。このため、緩和層65とゲート線117との間の凹凸が反射膜67に反映されにくい。
なお、緩和層65は、画素9ごとにパターン形成されている構成に限定されない。緩和層65の構成としては、図3に示すマトリクスMの画素行42単位で、複数の反射領域Hにわたって一連した状態でパターン形成されている構成も採用され得る。
Further, the transmissive region T can be defined as a region where a region obtained by removing the reflective region H from the region of each pixel 9 and the common electrode 69 overlap in plan view.
The relaxation layer 65 is selectively provided corresponding to the reflection region H for each pixel 9. The relaxation layer 65 extends to a region outside the region of the common electrode 69 on the reflective region H side. That is, the relaxing layer 65 is provided over a region wider than the region of the reflective film 67. Therefore, the unevenness between the relaxing layer 65 and the gate line 117 is not easily reflected in the reflective film 67.
The relaxing layer 65 is not limited to the configuration in which the pattern is formed for each pixel 9. As the configuration of the relaxing layer 65, a configuration in which a pattern is formed in a series of states over a plurality of reflection regions H in units of pixel rows 42 of the matrix M shown in FIG.

TFT素子63は、図12で見て反射領域Hの左側の領域86内に設けられている。画素電極71は、反射領域H内から領域86内に及んでおり、領域86内に設けられたコンタクトホール76を介してドレイン電極75につながっている。   The TFT element 63 is provided in a region 86 on the left side of the reflection region H as viewed in FIG. The pixel electrode 71 extends from the reflection region H to the region 86, and is connected to the drain electrode 75 through a contact hole 76 provided in the region 86.

表示装置10では、照明装置30から表示パネル20に光を照射した状態で、液晶19の配向状態を画素9ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶19の配向状態は、TFT素子63のOFF状態及びON状態を切り替えることによって変化し得る。
図13(a)は、TFT素子63がOFF状態のときの透過領域Tにおける偏光状態を示す図であり、図13(b)は、TFT素子63がON状態のときの透過領域Tにおける偏光状態を示す図である。
In the display device 10, the display is controlled by changing the alignment state of the liquid crystal 19 for each pixel 9 in a state in which light is irradiated from the illumination device 30 to the display panel 20. The alignment state of the liquid crystal 19 can be changed by switching between the OFF state and the ON state of the TFT element 63.
FIG. 13A is a diagram illustrating a polarization state in the transmission region T when the TFT element 63 is in the OFF state, and FIG. 13B is a polarization state in the transmission region T when the TFT element 63 is in the ON state. FIG.

表示装置10では、液晶19の初期的な配向方向121は、図13(a)に示すように、偏光板7bの透過軸123bに沿った方向に設定されている。
TFT素子63がON状態に切り替わると、液晶19の配向方向121は、図13(b)に示すように、平面視で偏光板7bの透過軸123bに対してこの図で見て反時計方向に45度の傾きを有する方向に変化する。
In the display device 10, the initial alignment direction 121 of the liquid crystal 19 is set to a direction along the transmission axis 123b of the polarizing plate 7b as shown in FIG.
When the TFT element 63 is switched to the ON state, the alignment direction 121 of the liquid crystal 19 is counterclockwise as viewed in this figure with respect to the transmission axis 123b of the polarizing plate 7b in plan view, as shown in FIG. 13B. It changes in a direction having an inclination of 45 degrees.

図14(a)は、TFT素子63がOFF状態のときの反射領域Hにおける偏光状態を示す図であり、図14(b)は、TFT素子63がON状態のときの反射領域Hにおける偏光状態を示す図である。
反射領域Hにおける液晶19の配向方向121は、図14(a)及び図14(b)のそれぞれに示すように、透過領域Tと同様である。
FIG. 14A is a diagram illustrating a polarization state in the reflection region H when the TFT element 63 is in the OFF state, and FIG. 14B is a polarization state in the reflection region H when the TFT element 63 is in the ON state. FIG.
The alignment direction 121 of the liquid crystal 19 in the reflective region H is the same as that of the transmissive region T as shown in FIGS. 14A and 14B.

なお、図13(a)及び図13(b)、並びに図14(a)及び図14(b)において、X'方向及びY'方向は、X'方向が偏光板7bの透過軸123bに沿った方向を示し、Y'方向が偏光板7aの透過軸123aに沿った方向を示している。X'方向及びY'方向は、XY平面内で互いに直交する任意の2方向である。   13A and 13B, and FIGS. 14A and 14B, the X ′ direction and the Y ′ direction are along the transmission axis 123b of the polarizing plate 7b. Y ′ direction indicates the direction along the transmission axis 123a of the polarizing plate 7a. The X ′ direction and the Y ′ direction are arbitrary two directions orthogonal to each other in the XY plane.

透過領域Tでは、底面23側から偏光板7bを経て入射された入射光は、図13(a)及び図13(b)に示すように、偏光板7bの透過軸123bに沿った偏光軸を有する直線偏光125として液晶19に入射される。
液晶19に入射された直線偏光125は、TFT素子63がOFF状態のときに、図13(a)に示すように、偏光軸が液晶19の配向方向121に沿っている。このため、液晶19に入射された直線偏光125は、偏光状態が維持されたまま直線偏光125として偏光板7aに入射される。
偏光板7aに入射された直線偏光125は、偏光軸が偏光板7aの透過軸123aに対して直交しているため、偏光板7aによって吸収される。
In the transmission region T, the incident light incident from the bottom surface 23 side through the polarizing plate 7b has a polarization axis along the transmission axis 123b of the polarizing plate 7b as shown in FIGS. 13 (a) and 13 (b). The linearly polarized light 125 is incident on the liquid crystal 19.
When the TFT element 63 is in the OFF state, the linearly polarized light 125 incident on the liquid crystal 19 has a polarization axis along the alignment direction 121 of the liquid crystal 19 as shown in FIG. Therefore, the linearly polarized light 125 incident on the liquid crystal 19 is incident on the polarizing plate 7a as the linearly polarized light 125 while maintaining the polarization state.
The linearly polarized light 125 incident on the polarizing plate 7a is absorbed by the polarizing plate 7a because the polarization axis is orthogonal to the transmission axis 123a of the polarizing plate 7a.

他方で、TFT素子63がON状態のときに、直線偏光125は、図13(b)に示すように、偏光軸が液晶19の配向方向121とは交差している。このため、液晶19に入射された直線偏光125は、液晶19によって1/2波長の位相差が与えられ、直線偏光125の偏光軸に直交する偏光軸を有する直線偏光127として偏光板7aに入射される。
偏光板7aに入射された直線偏光127は、偏光軸が偏光板7aの透過軸123aの方向に沿っているため、偏光板7aを透過する。
このように、透過領域Tでは、TFT素子63のON状態及びOFF状態の切り替えにより、透過表示が制御される。
On the other hand, when the TFT element 63 is in the ON state, the polarization axis of the linearly polarized light 125 intersects the alignment direction 121 of the liquid crystal 19 as shown in FIG. Therefore, the linearly polarized light 125 incident on the liquid crystal 19 is given a phase difference of ½ wavelength by the liquid crystal 19 and is incident on the polarizing plate 7 a as the linearly polarized light 127 having a polarization axis orthogonal to the polarization axis of the linearly polarized light 125. Is done.
The linearly polarized light 127 incident on the polarizing plate 7a passes through the polarizing plate 7a because the polarization axis is along the direction of the transmission axis 123a of the polarizing plate 7a.
Thus, in the transmissive region T, transmissive display is controlled by switching the TFT element 63 between the ON state and the OFF state.

反射領域Hでは、表示面13側から偏光板7aを経て入射された入射光は、図14(a)及び図14(b)に示すように、偏光板7aの透過軸123aに沿った偏光軸を有する直線偏光129として位相差膜95に入射される。
ここで、位相差膜95の遅相軸131は、平面視でX'方向に対してこれらの図で見て反時計方向に67.5度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差膜95に入射された直線偏光129は、1/2波長の位相差が与えられ、直線偏光133として液晶19に入射される。直線偏光133の偏光軸は、平面視でX'方向に対して図14(a)及び図14(b)で見て反時計方向に45度の傾きを有する方向に沿っている。
In the reflection region H, the incident light incident from the display surface 13 side through the polarizing plate 7a is polarized along the transmission axis 123a of the polarizing plate 7a as shown in FIGS. 14 (a) and 14 (b). Is incident on the retardation film 95 as linearly polarized light 129 having
Here, the slow axis 131 of the retardation film 95 is set in a direction having an inclination of 67.5 degrees counterclockwise as viewed in these drawings with respect to the X ′ direction in plan view.
Accordingly, the linearly polarized light 129 incident on the retardation film 95 is given a half-wave phase difference and is incident on the liquid crystal 19 as the linearly polarized light 133. The polarization axis of the linearly polarized light 133 is along a direction having an inclination of 45 degrees counterclockwise as viewed in FIGS. 14 (a) and 14 (b) with respect to the X ′ direction in plan view.

液晶19に入射された直線偏光133は、TFT素子63がOFF状態のときに、図14(a)に示すように、偏光軸が液晶19の配向方向121とは交差している。このため、液晶19に入射された直線偏光133は、1/4波長の位相差が与えられ、この図で見て左回りの円偏光135として反射膜67に向けて射出される。
円偏光135は、反射膜67で反射され、この図で見て右回りすなわち円偏光135とは逆回転の円偏光137として液晶19に入射される。
液晶19に入射された円偏光137は、1/4波長の位相差が与えられ、平面視でX'方向に対してこの図で見て反時計方向に135度の傾きを有する方向に沿った偏光軸を有する直線偏光139として位相差膜95に入射される。
As shown in FIG. 14A, the linearly polarized light 133 incident on the liquid crystal 19 intersects the alignment direction 121 of the liquid crystal 19 when the TFT element 63 is in the OFF state. For this reason, the linearly polarized light 133 incident on the liquid crystal 19 is given a phase difference of ¼ wavelength, and is emitted toward the reflection film 67 as a counterclockwise circularly polarized light 135 as seen in this figure.
The circularly polarized light 135 is reflected by the reflective film 67, and enters the liquid crystal 19 as circularly polarized light 137 that rotates clockwise as viewed in FIG.
The circularly polarized light 137 incident on the liquid crystal 19 is given a phase difference of ¼ wavelength, and is along a direction having a tilt of 135 degrees counterclockwise as viewed in this figure with respect to the X ′ direction in plan view. The light is incident on the retardation film 95 as linearly polarized light 139 having a polarization axis.

位相差膜95に入射された直線偏光139は、1/2波長の位相差が与えられ、平面視でX'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光141として偏光板7aに入射される。
偏光板7aに入射された直線偏光141は、偏光軸が偏光板7aの透過軸123aに対して直交しているため、偏光板7aによって吸収される。
The linearly polarized light 139 incident on the retardation film 95 is given a half-wave phase difference, and is incident on the polarizing plate 7a as a linearly polarized light 141 having a polarization axis along the X ′ direction in plan view.
The linearly polarized light 141 incident on the polarizing plate 7a is absorbed by the polarizing plate 7a because the polarization axis is orthogonal to the transmission axis 123a of the polarizing plate 7a.

他方で、TFT素子63がON状態のときに、液晶19に入射された直線偏光133は、図14(b)に示すように、偏光軸が液晶19の配向方向121に沿っているため、偏光状態が維持されたまま直線偏光133として反射膜67に向けて射出される。
反射膜67に向けて射出された直線偏光133は、偏光状態が維持されたまま反射膜67で反射され、液晶19に入射される。
On the other hand, when the TFT element 63 is in the ON state, the linearly polarized light 133 incident on the liquid crystal 19 has a polarization axis along the alignment direction 121 of the liquid crystal 19 as shown in FIG. While maintaining the state, it is emitted toward the reflection film 67 as linearly polarized light 133.
The linearly polarized light 133 emitted toward the reflective film 67 is reflected by the reflective film 67 while maintaining the polarization state, and is incident on the liquid crystal 19.

反射膜67から液晶19に入射された直線偏光133は、偏光状態が維持されたまま位相差膜95に入射される。位相差膜95に入射された直線偏光133は、1/2波長の位相差が与えられ、平面視でY'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光143として偏光板7aに入射される。偏光板7aに入射された直線偏光143は、偏光軸が偏光板7aの透過軸123aの方向に沿っているため、偏光板7aを透過する。
このように、反射領域Hにおいても、透過領域Tと同様にTFT素子63のON状態及びOFF状態の切り替えにより、反射表示が制御される。
The linearly polarized light 133 incident on the liquid crystal 19 from the reflective film 67 is incident on the retardation film 95 while maintaining the polarization state. The linearly polarized light 133 incident on the retardation film 95 is given a half-wave phase difference, and is incident on the polarizing plate 7a as a linearly polarized light 143 having a polarization axis along the Y ′ direction in plan view. The linearly polarized light 143 incident on the polarizing plate 7a passes through the polarizing plate 7a because the polarization axis is along the direction of the transmission axis 123a of the polarizing plate 7a.
As described above, also in the reflective area H, the reflective display is controlled by switching the TFT element 63 between the ON state and the OFF state as in the transmissive area T.

ここで、表示装置10の製造方法について説明する。
表示装置10の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル40の製造工程と、表示パネル20の製造工程と、表示装置10の製造工程とに大別される。
まず、基板の製造工程について説明する。
基板の製造工程は、素子基板60の製造工程と、対向基板70の製造工程とに大別される。なお、素子基板60の製造工程と、対向基板70の製造工程とは、いずれが先でも後でもかまわない。
Here, a method for manufacturing the display device 10 will be described.
The manufacturing method of the display device 10 is roughly divided into a substrate manufacturing process, a liquid crystal panel 40 manufacturing process, a display panel 20 manufacturing process, and a display device 10 manufacturing process.
First, the manufacturing process of a board | substrate is demonstrated.
The manufacturing process of the substrate is roughly divided into a manufacturing process of the element substrate 60 and a manufacturing process of the counter substrate 70. Any of the manufacturing process of the element substrate 60 and the manufacturing process of the counter substrate 70 may be performed first or later.

素子基板60の製造工程では、図15(a)に示すように、まず、第1基板51の第1面51aに、ゲート電極72(ゲート線117)と、緩和層65とを形成する。
ゲート電極72(ゲート線117)は、例えばスパッタリング技術を活用して第1面51aに金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
In the manufacturing process of the element substrate 60, as shown in FIG. 15A, first, the gate electrode 72 (gate line 117) and the relaxing layer 65 are formed on the first surface 51a of the first substrate 51.
The gate electrode 72 (gate line 117) is formed by forming a metal film on the first surface 51a using, for example, a sputtering technique and then patterning the metal film using, for example, a photolithography technique or an etching technique. Can be formed.

緩和層65は、成膜工程と、パターニング工程とを含む工程によって形成され得る。
例えば緩和層65が酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料で構成される場合、成膜工程では、CVD(Chemical Vapor Deposition)技術、PVD(Physical Vapor Deposition)技術、蒸着技術などが活用され得る。パターニング工程では、例えばフォトリソグラフィ技術やエッチング技術などが活用され得る。
また、例えば緩和層65が樹脂材料で構成される場合、成膜工程では、スピンコート技術などを活用することによって、感光性を有する液状の樹脂材料で液状体膜が形成される。パターニング工程では、例えばフォトリソグラフィ技術などを活用することによって、液状体膜が緩和層65にパターニングされ得る。
The relaxing layer 65 can be formed by a process including a film forming process and a patterning process.
For example, when the relaxing layer 65 is made of an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride, a CVD (Chemical Vapor Deposition) technique, a PVD (Physical Vapor Deposition) technique, a vapor deposition technique, or the like can be used in the film forming process. In the patterning step, for example, a photolithography technique or an etching technique can be used.
For example, when the relaxation layer 65 is made of a resin material, a liquid film is formed of a photosensitive liquid resin material by utilizing a spin coating technique or the like in the film forming process. In the patterning step, the liquid film can be patterned on the relaxation layer 65 by utilizing, for example, a photolithography technique.

次いで、図15(b)に示すように、ゲート電極72(ゲート線117)及び緩和層65を第1面51a側から覆うゲート絶縁膜53を形成する。ゲート絶縁膜53は、例えば、CVD技術、PVD技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。
ここで、ゲート絶縁膜53には、透過領域Tに段差147が形成される。これは、ゲート絶縁膜53の下地側(図15(b)では第1基板51側)の凹凸形状が反映されやすいためである。このため、ゲート絶縁膜53には、透過領域Tを挟んで隣り合う緩和層65とゲート線117との間に段差147が形成されやすい。
Next, as shown in FIG. 15B, a gate insulating film 53 is formed to cover the gate electrode 72 (gate line 117) and the relaxing layer 65 from the first surface 51a side. The gate insulating film 53 can be formed of silicon nitride, silicon oxide, or the like by utilizing, for example, CVD technology, PVD technology, vapor deposition technology, or the like.
Here, a step 147 is formed in the transmission region T in the gate insulating film 53. This is because the uneven shape on the base side of the gate insulating film 53 (on the first substrate 51 side in FIG. 15B) is easily reflected. Therefore, a step 147 is easily formed in the gate insulating film 53 between the relaxing layer 65 and the gate line 117 that are adjacent to each other with the transmission region T interposed therebetween.

次いで、図15(c)に示すように、ゲート絶縁膜53上に、半導体層73を形成してから、半導体層73の一部に重なるソース電極74とドレイン電極75とを形成する。これにより、TFT素子63が形成される。
なお、ソース電極74及びドレイン電極75は、例えばスパッタリング技術を活用してゲート絶縁膜53上に金属膜を形成してから、この金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
Next, as illustrated in FIG. 15C, the semiconductor layer 73 is formed on the gate insulating film 53, and then the source electrode 74 and the drain electrode 75 that overlap with part of the semiconductor layer 73 are formed. Thereby, the TFT element 63 is formed.
The source electrode 74 and the drain electrode 75 are formed by forming a metal film on the gate insulating film 53 using, for example, a sputtering technique, and then patterning the metal film using, for example, a photolithography technique or an etching technique. Can be formed.

次いで、図15(d)に示すように、TFT素子63及びゲート絶縁膜53上に、樹脂層55を構成する材料を含む液状体55aで液状体膜55bを形成する。液状体膜55bは、ポジ型の感光性を有しており、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
ここで、液状体膜55bには、透過領域Tに段差149が形成される。これは、液状体膜55bに、ゲート絶縁膜53の段差147(図15(b))が反映されやすいためである。
Next, as shown in FIG. 15D, a liquid film 55 b is formed on the TFT element 63 and the gate insulating film 53 with a liquid 55 a containing a material constituting the resin layer 55. The liquid film 55b has positive photosensitivity, and can be formed by utilizing, for example, a spin coating technique.
Here, a step 149 is formed in the transmission region T in the liquid film 55b. This is because the step 147 (FIG. 15B) of the gate insulating film 53 is easily reflected in the liquid film 55b.

次いで、図16(a)に示すように、フォトマスク151を介して、液状体膜55bを紫外光153で露光する。ここで、フォトマスク151には、反射領域Hに重なる領域に複数の開口部155が設けられている。液状体膜55bには、複数の開口部155を介して紫外光153が照射される。   Next, as shown in FIG. 16A, the liquid film 55 b is exposed with ultraviolet light 153 through a photomask 151. Here, the photomask 151 is provided with a plurality of openings 155 in a region overlapping the reflective region H. The liquid film 55 b is irradiated with the ultraviolet light 153 through the plurality of openings 155.

このとき、液状体膜55bのうちで、コンタクトホール76を形成すべき部位76aにも紫外光153が照射される。
次いで、液状体膜55bに現像処理を施す。これにより、液状体膜55bのうちで、複数の開口部155を介して露光された部位、及び部位76aが除去される。
次いで、液状体膜55bに焼成処理を施すことにより、図16(b)に示すように、凹凸部79及びコンタクトホール76を有する樹脂層55が形成され得る。
At this time, the ultraviolet light 153 is also irradiated to a portion 76a where the contact hole 76 is to be formed in the liquid film 55b.
Next, the liquid film 55b is developed. Thereby, the site | part exposed through the some opening part 155 and the site | part 76a are removed among the liquid film 55b.
Next, by baking the liquid film 55b, the resin layer 55 having the uneven portions 79 and the contact holes 76 can be formed as shown in FIG.

次いで、例えばスパッタリング技術を活用して、樹脂層55上にアルミニウムなどの金属膜を形成する。
次いで、樹脂層55上に形成された金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって、図16(c)に示す反射膜67を形成する。
Next, a metal film such as aluminum is formed on the resin layer 55 using, for example, a sputtering technique.
Next, the reflective film 67 shown in FIG. 16C is formed by patterning the metal film formed on the resin layer 55 using, for example, a photolithography technique or an etching technique.

ここで、フォトリソグラフィ技術を活用して樹脂層55に凹凸部79を形成する場合、樹脂層55の表面と、凹凸部79の凸部との間に、図16(b)に示すように段差157が形成されやすい。段差157は、段差149よりも大きく設定される。これは、凹凸部79上に設ける反射膜67の厚みを考慮するためである。
液晶パネル40では、透過領域Tにおける樹脂層55の表面と、凹凸部79の凸部上に設けられた反射膜67とは、図16(c)に示すように、略同等の水準に設定されている。つまり、段差157の量から反射膜67の厚みを差し引いた量が、段差149の量と略同等に設定される。これは、緩和層65の厚みを、段差157の量から反射膜67の厚みを差し引いた量に設定することにより実現され得る。
Here, when the uneven portion 79 is formed in the resin layer 55 by utilizing the photolithography technique, a step is formed between the surface of the resin layer 55 and the convex portion of the uneven portion 79 as shown in FIG. 157 is easily formed. The step 157 is set larger than the step 149. This is because the thickness of the reflective film 67 provided on the uneven portion 79 is taken into consideration.
In the liquid crystal panel 40, the surface of the resin layer 55 in the transmission region T and the reflective film 67 provided on the convex portion of the concave and convex portion 79 are set to substantially the same level as shown in FIG. ing. That is, the amount obtained by subtracting the thickness of the reflective film 67 from the amount of the step 157 is set to be approximately equal to the amount of the step 149. This can be realized by setting the thickness of the relaxing layer 65 to an amount obtained by subtracting the thickness of the reflective film 67 from the amount of the step 157.

次いで、図17(a)に示すように、樹脂層55及び反射膜67上に、平坦化膜57を構成する材料を含む液状体57aで液状体膜57bを形成する。液状体膜57bは、ネガ型の感光性を有しており、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、液状体膜57bを露光する。このとき、液状体膜57bのうちで、平面視でコンタクトホール76に重なる部位76bには、露光光を遮光する。これにより、液状体膜57bのうちで部位76bを除く部位が硬化して、図17(b)に示す硬化層57cが形成され得る。
Next, as shown in FIG. 17A, a liquid film 57 b is formed on the resin layer 55 and the reflective film 67 with a liquid 57 a containing a material constituting the planarizing film 57. The liquid film 57b has negative photosensitivity and can be formed by utilizing, for example, a spin coating technique.
Next, the liquid film 57b is exposed. At this time, the exposure light is shielded in a portion 76b of the liquid film 57b that overlaps the contact hole 76 in plan view. As a result, the portion excluding the portion 76b in the liquid film 57b is cured, and the cured layer 57c shown in FIG. 17B can be formed.

次いで、図17(b)に示すように、硬化層57c上に共通電極69を形成する。共通電極69は、例えばスパッタリング技術を活用して硬化層57c上にITOの膜を形成してから、このITOの膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
次いで、硬化層57c及び共通電極69上に、硬化層57c及び共通電極69を覆う絶縁膜59を形成する。絶縁膜59は、例えば、CVD技術、PVD技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。また、絶縁膜59は、例えば、スピンコート技術を活用することによって、アクリル系の樹脂などによっても形成され得る。
Next, as shown in FIG. 17B, the common electrode 69 is formed on the hardened layer 57c. The common electrode 69 is formed by forming an ITO film on the hardened layer 57c using, for example, a sputtering technique and then patterning the ITO film using, for example, a photolithography technique or an etching technique. obtain.
Next, an insulating film 59 that covers the cured layer 57 c and the common electrode 69 is formed on the cured layer 57 c and the common electrode 69. The insulating film 59 can be formed of silicon nitride, silicon oxide, or the like by utilizing, for example, CVD technology, PVD technology, vapor deposition technology, or the like. The insulating film 59 can also be formed of an acrylic resin or the like by utilizing, for example, a spin coating technique.

次いで、絶縁膜59に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用して、平面視でドレイン電極75に重なるコンタクトホール76を形成する。
次いで、硬化層57cの部位76bを除去することにより、図17(c)に示すように、平坦化膜57が形成され得る。これにより、絶縁膜59から、平坦化膜57及び樹脂層55を経て、ドレイン電極75に至るコンタクトホール76が形成され得る。
Next, a contact hole 76 that overlaps the drain electrode 75 in plan view is formed in the insulating film 59 by using a photolithography technique, an etching technique, and the like.
Next, the planarizing film 57 can be formed as shown in FIG. 17C by removing the portion 76b of the hardened layer 57c. As a result, a contact hole 76 extending from the insulating film 59 to the drain electrode 75 through the planarizing film 57 and the resin layer 55 can be formed.

次いで、図10に示すように、絶縁膜59上に画素電極71を形成する。画素電極71は、例えばスパッタリング技術を活用して絶縁膜59上にITOの膜を形成してから、このITOの膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。   Next, as shown in FIG. 10, the pixel electrode 71 is formed on the insulating film 59. The pixel electrode 71 is formed by forming an ITO film on the insulating film 59 using, for example, a sputtering technique and then patterning the ITO film using, for example, a photolithography technique or an etching technique. obtain.

次いで、絶縁膜59及び画素電極71上に、画素電極71を覆う配向膜61を形成する。配向膜61は、画素電極71及び絶縁膜59上に、ポリイミドなどの樹脂で画素電極71を覆う樹脂膜を形成してから、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施すことによって形成され得る。画素電極71を覆う樹脂膜は、例えば、スピンコート技術や印刷技術を活用することにより形成され得る。
これにより、素子基板60が製造され得る。
Next, an alignment film 61 that covers the pixel electrode 71 is formed on the insulating film 59 and the pixel electrode 71. The alignment film 61 can be formed by forming a resin film covering the pixel electrode 71 with a resin such as polyimide on the pixel electrode 71 and the insulating film 59 and then performing an alignment process such as a rubbing process on the resin film. . The resin film covering the pixel electrode 71 can be formed by utilizing, for example, a spin coating technique or a printing technique.
Thereby, the element substrate 60 can be manufactured.

対向基板70の製造工程では、図18(a)に示すように、まず、第2基板81の対向面83bに、光吸収層85を、平面視で格子状に形成する。光吸収層85は、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、この樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。   In the manufacturing process of the counter substrate 70, as shown in FIG. 18A, first, the light absorption layer 85 is formed on the counter surface 83b of the second substrate 81 in a lattice shape in plan view. The light absorption layer 85 can be formed by forming a resin film containing carbon black, chromium, or the like and then patterning the resin film using, for example, a photolithography technique.

次いで、光吸収層85によって囲まれる各画素9の領域内に、カラーフィルタ87を形成する。カラーフィルタ87は、R、G及びBの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各画素9の領域内に配置することによって形成され得る。なお、各画素9の領域内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、光吸収層85及びカラーフィルタ87上にオーバーコート層91を形成する。オーバーコート層91は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。
Next, a color filter 87 is formed in the region of each pixel 9 surrounded by the light absorption layer 85. The color filter 87 can be formed by disposing a resin containing a colorant corresponding to each of R, G, and B light in the region of each pixel 9. In addition, arrangement | positioning of resin in the area | region of each pixel 9 can be performed by utilizing an inkjet technique or a vapor deposition technique, for example.
Next, an overcoat layer 91 is formed on the light absorption layer 85 and the color filter 87. The overcoat layer 91 can be formed of a resin having light transparency by utilizing, for example, a spin coat technique.

次いで、図18(b)に示すように、オーバーコート層91上に配向膜93を形成する。配向膜93の形成では、例えばスピンコート技術を活用して、ポリイミドなどの樹脂でオーバーコート層91上に樹脂膜を形成してから、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施す。これにより、配向膜93が形成され得る。   Next, as shown in FIG. 18B, an alignment film 93 is formed on the overcoat layer 91. In forming the alignment film 93, for example, a spin coating technique is used to form a resin film on the overcoat layer 91 with a resin such as polyimide, and then an alignment process such as a rubbing process is performed on the resin film. Thereby, the alignment film 93 can be formed.

次いで、図18(c)に示すように、ネガ型の感光性を有する液晶化合物が含有された液状体95aで、配向膜93上に液状体膜95bを形成する。液状体膜95bは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
なお、液状体95aとしては、液晶化合物と溶媒とを混合したものに光重合開始剤を添加した構成が採用され得る。
Next, as shown in FIG. 18C, a liquid film 95 b is formed on the alignment film 93 by using the liquid body 95 a containing a negative photosensitive liquid crystal compound. The liquid film 95b can be formed by utilizing, for example, a spin coating technique.
In addition, as the liquid body 95a, the structure which added the photoinitiator to what mixed the liquid crystal compound and the solvent may be employ | adopted.

液晶化合物としては、例えばBASF社製のLC242などが採用され得る。溶媒としては、例えばPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)などが採用され得る。光重合開始剤としては、例えばチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のイルガキュア907などが採用され得る。
ここで、液状体膜95bに含まれる液晶化合物は、配向処理が施された配向膜93によって分子の配向状態が規制される。これにより、液状体膜95bには、屈折率に異方性が発現する。
As the liquid crystal compound, for example, LC242 manufactured by BASF may be employed. As the solvent, for example, PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) may be employed. As the photopolymerization initiator, for example, Irgacure 907 manufactured by Ciba Specialty Chemicals may be employed.
Here, the alignment state of the molecules of the liquid crystal compound contained in the liquid film 95b is regulated by the alignment film 93 subjected to the alignment treatment. As a result, the liquid film 95b exhibits anisotropy in the refractive index.

次いで、図18(d)に示すように、フォトマスク165を介して、液状体膜95bを紫外光166で露光する。ここで、フォトマスク165には、反射領域Hに重なる領域に開口部167が設けられている。液状体膜95bには、開口部167を介して紫外光166が照射される。そして、液状体膜95bのうちで露光された部位が硬化する。   Next, as shown in FIG. 18D, the liquid film 95 b is exposed with ultraviolet light 166 through a photomask 165. Here, the photomask 165 has an opening 167 in a region overlapping the reflective region H. The liquid film 95 b is irradiated with ultraviolet light 166 through the opening 167. Then, the exposed portion of the liquid film 95b is cured.

次いで、液状体膜95bに、例えばPGMEAなどの現像液で現像処理を施す。これにより、フォトマスク165で遮光された領域内の液状体膜95bが剥離され、図10に示す位相差膜95が形成され得る。   Next, the liquid film 95b is developed with a developer such as PGMEA. As a result, the liquid film 95b in the region shielded from light by the photomask 165 is peeled off, and the retardation film 95 shown in FIG. 10 can be formed.

次いで、図10に示すように、配向膜93及び位相差膜95を底面23側から覆う配向膜97を形成する。
配向膜97の形成では、ポリイミドなどの樹脂で配向膜93及び位相差膜95上に樹脂膜を形成してから、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施す。
これにより、配向膜97が形成され、対向基板70が製造され得る。
Next, as shown in FIG. 10, an alignment film 97 that covers the alignment film 93 and the retardation film 95 from the bottom surface 23 side is formed.
In the formation of the alignment film 97, a resin film is formed on the alignment film 93 and the retardation film 95 with a resin such as polyimide, and then an alignment process such as a rubbing process is performed on the resin film.
Thereby, the alignment film 97 is formed, and the counter substrate 70 can be manufactured.

液晶パネル40の製造工程では、まず、素子基板60と、対向基板70とを、平面視で環状のシール材21(図8)を介して接合する。このとき、シール材21は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材21の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶19の注入口となる。
次いで、液晶19を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶19を封入する。これにより、図8に示す液晶パネル40が製造され得る。
In the manufacturing process of the liquid crystal panel 40, first, the element substrate 60 and the counter substrate 70 are joined via the annular sealing material 21 (FIG. 8) in plan view. At this time, the sealing material 21 is provided in a state where a part of the annular contour is missing in a plan view. A portion of the sealing material 21 lacking a part of the annular contour becomes an inlet for the liquid crystal 19.
Next, after the liquid crystal 19 is injected from the injection port, the liquid crystal 19 is sealed by closing the injection port. Thereby, the liquid crystal panel 40 shown in FIG. 8 can be manufactured.

表示パネル20の製造工程では、図8に示す偏光板7a及び7bを液晶パネル40に設ける。偏光板7aは、第2基板81の外向面83a(図10)に設けられ、偏光板7bは第1基板51の第2面51b(図10)に設けられる。これにより、図8に示す表示パネル20が製造され得る。
なお、偏光板7aや偏光板7bは、液晶パネル40の製造工程の前に、第1基板51や第2基板81に設けられていてもよい。
表示装置10の製造工程では、表示パネル20と照明装置30とを組み合わせることにより、表示装置10が製造され得る。
In the manufacturing process of the display panel 20, the polarizing plates 7a and 7b shown in FIG. The polarizing plate 7a is provided on the outward surface 83a (FIG. 10) of the second substrate 81, and the polarizing plate 7b is provided on the second surface 51b (FIG. 10) of the first substrate 51. Thereby, the display panel 20 shown in FIG. 8 can be manufactured.
Note that the polarizing plate 7 a and the polarizing plate 7 b may be provided on the first substrate 51 and the second substrate 81 before the manufacturing process of the liquid crystal panel 40.
In the manufacturing process of the display device 10, the display device 10 can be manufactured by combining the display panel 20 and the illumination device 30.

第2実施形態において、ゲート線117(ゲート電極72)が配線としてのゲート線に対応し、樹脂層55が凹凸形成層に対応している。
第2実施形態の表示装置10では、画素9ごとに、平面視で反射領域Hに重なる緩和層65が設けられている。各緩和層65は、ゲート線117と同じ階層(第1基板51の第1面51a)に設けられており、画素9ごとにゲート線117に隣り合っている。このため、反射領域Hにおける液晶19にゲート線117の厚みが反映されることを軽減することができる。これにより、反射膜67によって第2基板81側に反射された光の変調状態のばらつきを低減することができる。この結果、反射表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
In the second embodiment, the gate line 117 (gate electrode 72) corresponds to a gate line as a wiring, and the resin layer 55 corresponds to an unevenness forming layer.
In the display device 10 of the second embodiment, each pixel 9 is provided with a relaxation layer 65 that overlaps the reflection region H in plan view. Each relaxing layer 65 is provided on the same level as the gate line 117 (the first surface 51a of the first substrate 51), and is adjacent to the gate line 117 for each pixel 9. For this reason, it is possible to reduce the reflection of the thickness of the gate line 117 on the liquid crystal 19 in the reflection region H. Thereby, the variation in the modulation state of the light reflected to the second substrate 81 side by the reflective film 67 can be reduced. As a result, the display quality in the reflective display can be easily improved.

また、第2実施形態の表示装置10では、緩和層65の厚みの設定により、段差157が段差149(図16(b))よりも大きく設定されている。このため、凹凸部79に設けられた反射膜67と、透過領域Tにおける樹脂層55の表面とを、略同等の水準に設定しやすくすることができる。これにより、透過領域Tにおける液晶19のリタデーションと、反射領域Hにおける液晶19のリタデーションとを、それぞれ、適正に設定しやすくすることができる。この結果、反射表示及び透過表示のそれぞれにおいて、表示品位を向上させやすくすることができる。   In the display device 10 of the second embodiment, the step 157 is set larger than the step 149 (FIG. 16B) by setting the thickness of the relaxing layer 65. For this reason, it is possible to easily set the reflective film 67 provided on the uneven portion 79 and the surface of the resin layer 55 in the transmission region T to substantially the same level. Thereby, the retardation of the liquid crystal 19 in the transmission region T and the retardation of the liquid crystal 19 in the reflection region H can be easily set appropriately. As a result, the display quality can be easily improved in each of the reflective display and the transmissive display.

また、第2実施形態の表示装置10では、緩和層65が照明装置30からの光に対して遮光性を有している。このため、照明装置30から底面23を介して第1基板51に入射された光が、反射膜67によって乱反射することを軽減できる。これにより、乱反射した光が透過領域Tに入射することを低く抑えることができる。この結果、透過表示におけるコントラストが低下してしまうことを低く抑えることができる。   Further, in the display device 10 of the second embodiment, the relaxing layer 65 has a light shielding property against the light from the lighting device 30. For this reason, it can be reduced that the light incident on the first substrate 51 from the illumination device 30 via the bottom surface 23 is irregularly reflected by the reflection film 67. Thereby, it is possible to suppress the irregularly reflected light from entering the transmission region T. As a result, it is possible to suppress a decrease in contrast in transmissive display.

第3実施形態について説明する。
第3実施形態における表示装置10は、図7中のD−D線における断面図である図19に示すように、液晶パネル50を有している。第3実施形態における表示装置10は、第2実施形態における液晶パネル40が液晶パネル50に替えられていることを除いては、第2実施形態における表示装置10と同様の構成を有している。
従って、以下の第3実施形態では、重複した説明を避けるため、第2実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第2実施形態と異なる点のみについて説明する。
A third embodiment will be described.
The display device 10 according to the third embodiment includes a liquid crystal panel 50 as shown in FIG. 19 which is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. The display device 10 in the third embodiment has the same configuration as the display device 10 in the second embodiment, except that the liquid crystal panel 40 in the second embodiment is replaced with a liquid crystal panel 50. .
Therefore, in the following third embodiment, in order to avoid redundant description, the same components as those in the second embodiment are denoted by the same reference numerals, detailed description thereof is omitted, and only differences from the second embodiment are described. Will be described.

液晶パネル50は、図9中のF−F線における断面図である図20に示すように、第2実施形態における素子基板60に替えて素子基板80を有している。
液晶パネル50では、反射領域Hに緩和層65が設けられ、透過領域Tに緩和層171が設けられている。
緩和層171は、第1基板51の第1面51aに設けられており、ゲート絶縁膜53によって表示面13側から覆われている。緩和層171は、Y方向に隣り合う2つのゲート電極72間に設けられており、平面視で透過領域Tに重なる領域に設けられている。緩和層65と、緩和層171と、ゲート電極72とは、相互にY方向に間隔をあけた状態で、同じ階層に設けられている。
The liquid crystal panel 50 includes an element substrate 80 instead of the element substrate 60 in the second embodiment, as shown in FIG. 20 which is a cross-sectional view taken along line FF in FIG.
In the liquid crystal panel 50, the relaxation layer 65 is provided in the reflection region H, and the relaxation layer 171 is provided in the transmission region T.
The relaxing layer 171 is provided on the first surface 51 a of the first substrate 51 and is covered with the gate insulating film 53 from the display surface 13 side. The relaxing layer 171 is provided between two gate electrodes 72 adjacent in the Y direction, and is provided in a region overlapping the transmission region T in plan view. The relaxing layer 65, the relaxing layer 171 and the gate electrode 72 are provided in the same layer with a space therebetween in the Y direction.

緩和層171の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料や、アクリル系やエポキシ系などの樹脂材料等の種々の材料が採用され得る。なお、液晶パネル50では、緩和層171は、光透過性を有する材質で構成されている。このため、緩和層171は、照明装置30からの光に対して光透過性を有している。
素子基板80の製造工程では、図21(a)に示すように、第1基板51の第1面51aに、ゲート電極72(ゲート線117)と、緩和層65と、緩和層171とを形成する。
As the material of the relaxation layer 171, various materials such as inorganic materials such as silicon oxide and silicon nitride, and resin materials such as acrylic and epoxy can be employed. In the liquid crystal panel 50, the relaxing layer 171 is made of a light transmissive material. For this reason, the relaxing layer 171 has light transmittance with respect to the light from the illumination device 30.
In the manufacturing process of the element substrate 80, as shown in FIG. 21A, the gate electrode 72 (gate line 117), the relaxing layer 65, and the relaxing layer 171 are formed on the first surface 51a of the first substrate 51. To do.

緩和層171は、成膜工程と、パターニング工程とを含む工程によって形成され得る。
例えば緩和層171が酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料で構成される場合、成膜工程では、CVD技術、PVD技術、蒸着技術などが活用され得る。パターニング工程では、例えばフォトリソグラフィ技術やエッチング技術などが活用され得る。
また、例えば緩和層171が樹脂材料で構成される場合、成膜工程では、スピンコート技術などを活用することによって、感光性を有する液状の樹脂材料で液状体膜が形成される。パターニング工程では、例えばフォトリソグラフィ技術などを活用することによって、液状体膜が緩和層65にパターニングされ得る。
The relaxation layer 171 can be formed by a process including a film forming process and a patterning process.
For example, when the relaxation layer 171 is made of an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride, a CVD technique, a PVD technique, a vapor deposition technique, or the like can be used in the film forming process. In the patterning step, for example, a photolithography technique or an etching technique can be used.
For example, when the relaxation layer 171 is made of a resin material, in the film forming process, a liquid film is formed of a liquid resin material having photosensitivity by utilizing a spin coating technique or the like. In the patterning step, the liquid film can be patterned on the relaxation layer 65 by utilizing, for example, a photolithography technique.

なお、緩和層171の厚みは、緩和層65の厚みよりも薄く設定されている。
次いで、図21(b)に示すように、ゲート電極72(ゲート線117)、緩和層65及び緩和層171を第1面51a側から覆うゲート絶縁膜53を形成する。
ここで、ゲート絶縁膜53には、透過領域Tに段差173が形成される。これは、ゲート絶縁膜53の下地側(図21(b)では第1基板51側)の凹凸形状が反映されやすいためである。このため、ゲート絶縁膜53には、透過領域Tを挟んで隣り合う緩和層65と緩和層171との間、及びゲート線117と緩和層65との間に段差173が形成されやすい。
The thickness of the relaxing layer 171 is set to be thinner than the thickness of the relaxing layer 65.
Next, as shown in FIG. 21B, a gate insulating film 53 is formed to cover the gate electrode 72 (gate line 117), the relaxing layer 65, and the relaxing layer 171 from the first surface 51a side.
Here, a step 173 is formed in the transmission region T in the gate insulating film 53. This is because the uneven shape on the base side of the gate insulating film 53 (on the first substrate 51 side in FIG. 21B) is easily reflected. Therefore, in the gate insulating film 53, a step 173 is easily formed between the relaxing layer 65 and the relaxing layer 171 adjacent to each other with the transmission region T interposed therebetween, and between the gate line 117 and the relaxing layer 65.

TFT素子63及びゲート絶縁膜53上に液状体膜55bを形成すると、液状体膜55bには、図21(c)に示すように、透過領域Tに段差175が形成される。
液状体膜55bに露光処理及び現像処理を施すことによって凹凸部79及びコンタクトホール76を形成すると、樹脂層55には、図22(a)に示すように、段差177が形成されやすい。段差177は、凹凸部79上に設ける反射膜67の厚みを考慮して、段差175よりも大きく設定される。
When the liquid film 55b is formed on the TFT element 63 and the gate insulating film 53, a step 175 is formed in the transmission region T in the liquid film 55b as shown in FIG.
When the concavo-convex portion 79 and the contact hole 76 are formed by performing exposure processing and development processing on the liquid film 55b, a step 177 is easily formed in the resin layer 55 as shown in FIG. The step 177 is set larger than the step 175 in consideration of the thickness of the reflective film 67 provided on the uneven portion 79.

そして、凹凸部79上に反射膜67を形成すると、透過領域Tにおける樹脂層55の表面と、凹凸部79の凸部上に設けられた反射膜67とは、図22(b)に示すように、略同等の水準になる。   When the reflective film 67 is formed on the uneven portion 79, the surface of the resin layer 55 in the transmission region T and the reflective film 67 provided on the convex portion of the uneven portion 79 are as shown in FIG. In other words, the level is almost equivalent.

ここで、ゲート線117(ゲート電極72)厚みをH1とし、段差177の量をH2とし、反射膜67の厚みをH3とすると、緩和層65の厚みH4は、下記(1)式によって算出され得る。
緩和層65の厚みH4=H1+H2−H3…(1)
また、緩和層171の厚みH5は、下記(2)式によって算出され得る。
緩和層171の厚みH5=H4−H2=H1−H3…(2)
Here, assuming that the thickness of the gate line 117 (gate electrode 72) is H1, the amount of the step 177 is H2, and the thickness of the reflective film 67 is H3, the thickness H4 of the relaxing layer 65 is calculated by the following equation (1). obtain.
Thickness H4 of relaxation layer 65 = H1 + H2-H3 (1)
Further, the thickness H5 of the relaxation layer 171 can be calculated by the following equation (2).
Thickness H5 = H4-H2 = H1-H3 of relaxation layer 171 (2)

上記の(1)式及び(2)式に基づいて緩和層65の厚みH4及び緩和層171の厚みH5を設定することによって、透過領域Tにおける樹脂層55の表面と、凹凸部79の凸部上に設けられた反射膜67とを略同等の水準にすることができる。   By setting the thickness H4 of the relaxation layer 65 and the thickness H5 of the relaxation layer 171 based on the above formulas (1) and (2), the surface of the resin layer 55 in the transmission region T and the convex portions of the concave and convex portions 79 are formed. The reflective film 67 provided on the top can be set to a substantially equivalent level.

第3実施形態における表示装置10においても、第1実施形態における表示装置1や、第2実施形態における表示装置10と同様の効果が得られる。
透過領域Tに緩和層171を設けることは、樹脂層55を構成する材料を含む液状体55aの粘度が低い場合に有効である。液状体55aの粘度が低い場合、液状体膜55bに凹凸形状が顕著に反映されるからである。
Also in the display device 10 in the third embodiment, the same effects as those of the display device 1 in the first embodiment and the display device 10 in the second embodiment are obtained.
Providing the relaxing layer 171 in the transmission region T is effective when the viscosity of the liquid 55a containing the material constituting the resin layer 55 is low. This is because when the viscosity of the liquid 55a is low, the uneven shape is remarkably reflected in the liquid film 55b.

なお、第2実施形態及び第3実施形態では、それぞれ、緩和層65をゲート線117と同じ階層(第1基板51の第1面51a)に設けた構成を例示したが、緩和層65を設ける階層はこれに限定されない。緩和層65を設ける階層としては、例えば、ソース線119(ソース電極74)と同じ階層も採用され得る。この場合、緩和層65は、画素9ごとに、平面視で反射領域Hに重なる領域に設けられ、画素9ごとにソース線119に隣り合う。この構成においても、第1実施形態及び第2実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。   In the second embodiment and the third embodiment, the configuration in which the relaxing layer 65 is provided in the same layer (the first surface 51a of the first substrate 51) as the gate line 117 is illustrated. However, the relaxing layer 65 is provided. The hierarchy is not limited to this. As the layer on which the relaxing layer 65 is provided, for example, the same layer as the source line 119 (source electrode 74) may be employed. In this case, the relaxing layer 65 is provided for each pixel 9 in a region overlapping the reflection region H in plan view, and is adjacent to the source line 119 for each pixel 9. Even in this configuration, the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained.

また、第3実施形態では、緩和層171をゲート線117と同じ階層(第1基板51の第1面51a)に設けた構成を例示したが、緩和層171を設ける階層はこれに限定されない。緩和層171を設ける階層としては、例えば、ソース線119(ソース電極74)と同じ階層も採用され得る。この場合、緩和層171は、画素9ごとに、平面視で透過領域Tに重なる領域に設けられ、画素9ごとにソース線119に隣り合う。この構成においても、第3実施形態と同様の効果が得られる。   In the third embodiment, the configuration in which the relaxing layer 171 is provided in the same layer as the gate line 117 (the first surface 51a of the first substrate 51) is illustrated, but the layer in which the relaxing layer 171 is provided is not limited thereto. For example, the same layer as the source line 119 (source electrode 74) may be employed as the layer on which the relaxing layer 171 is provided. In this case, the relaxation layer 171 is provided for each pixel 9 in a region overlapping the transmission region T in plan view, and is adjacent to the source line 119 for each pixel 9. Even in this configuration, the same effect as the third embodiment can be obtained.

また、第1実施形態、第2実施形態及び第3実施形態では、それぞれ、液晶19の駆動方式としてFFS型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶19の駆動方式は、TN(Twisted Nematic)型、IPS(In Plane Switching)型、VA(Vertical Alignment)型等の種々の方式も採用され得る。   In the first embodiment, the second embodiment, and the third embodiment, the FFS type driving method is adopted as the driving method of the liquid crystal 19, but the driving method is not limited to this. As the driving method of the liquid crystal 19, various methods such as a TN (Twisted Nematic) type, an IPS (In Plane Switching) type, and a VA (Vertical Alignment) type can be adopted.

また、第2実施形態及び第3実施形態では、それぞれ、位相差膜95が対向基板70側に設けられている場合を例に説明したが、位相差膜95はこれに限定されず、素子基板60,80側に設けられていてもよい。
また、第1実施形態では、樹脂層55に凹凸部79を設けた構成も採用され得る。これにより、反射膜67で反射した光を拡散させることができるので、表示装置1における表示品位を一層向上させることができる。
In the second and third embodiments, the case where the retardation film 95 is provided on the counter substrate 70 side has been described as an example. However, the retardation film 95 is not limited to this, and the element substrate is used. It may be provided on the 60, 80 side.
In the first embodiment, a configuration in which the uneven portion 79 is provided in the resin layer 55 may be employed. Thereby, since the light reflected by the reflective film 67 can be diffused, the display quality in the display device 1 can be further improved.

また、第2実施形態及び第3実施形態では、それぞれ、配向膜93及び位相差膜95を有する構成を例に説明したが、これに限定されず、配向膜93及び位相差膜95に替えて位相差シート(位相差板)を貼り付けた構成も採用され得る。この構成では、配向膜93が省略され、且つ位相差膜95に替えて位相差シートが設けられる。この構成により、配向膜93を省略することができるので、表示装置10の薄型化が図られる。   In the second and third embodiments, the configuration having the alignment film 93 and the retardation film 95 has been described as an example. However, the configuration is not limited thereto, and the alignment film 93 and the retardation film 95 are replaced. A configuration in which a phase difference sheet (phase difference plate) is attached can also be adopted. In this configuration, the alignment film 93 is omitted, and a retardation sheet is provided instead of the retardation film 95. With this configuration, the alignment film 93 can be omitted, so that the display device 10 can be thinned.

また、第2実施形態及び第3実施形態では、それぞれ、入射された光に対して1/2波長の位相差を与える位相差膜95を例に説明したが、位相差膜95が与える位相差はこれに限定されず、1/4波長、1/8波長などの種々の位相差が採用され得る。   In the second embodiment and the third embodiment, the phase difference film 95 that gives a phase difference of ½ wavelength with respect to incident light has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and various phase differences such as ¼ wavelength and 1 / wavelength can be adopted.

また、第1実施形態における表示装置1としては、照明装置30を対向基板17よりも表示面13側に設けたフロントライト型の構成なども採用され得る。   In addition, as the display device 1 in the first embodiment, a front light type configuration in which the illumination device 30 is provided on the display surface 13 side with respect to the counter substrate 17 may be employed.

上述した表示装置1や表示装置10は、例えば、図23に示す電子機器500の表示部510に適用され得る。この電子機器500は、携帯電話機である。この電子機器500は、操作ボタン511を有している。表示部510は、操作ボタン511で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器500では、表示部510に表示装置1又は表示装置10が適用されているので、表示部510における表示品位を向上させやすくすることができる。   The display device 1 and the display device 10 described above can be applied to, for example, the display unit 510 of the electronic device 500 illustrated in FIG. This electronic device 500 is a mobile phone. This electronic device 500 has operation buttons 511. The display unit 510 can display various information including information input by the operation buttons 511 and incoming call information. In this electronic apparatus 500, since the display device 1 or the display device 10 is applied to the display unit 510, the display quality in the display unit 510 can be easily improved.

なお、電子機器500としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。また、表示装置1や、表示パネル20、液晶パネル3,40,50は、それぞれ、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適用され得る。   The electronic device 500 is not limited to a mobile phone, and includes various electronic devices such as mobile computers, digital still cameras, digital video cameras, in-vehicle devices such as display devices for car navigation systems, and audio devices. The display device 1, the display panel 20, and the liquid crystal panels 3, 40, and 50 can be applied as light valves to a projection display device such as a projector.

第1実施形態における表示装置の主要構成を示す分解斜視図。The disassembled perspective view which shows the main structures of the display apparatus in 1st Embodiment. 図1中のA−A線における断面図。Sectional drawing in the AA in FIG. 第1実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing a part of a plurality of pixels in the first embodiment. 図3中のC−C線における断面図。Sectional drawing in the CC line | wire in FIG. 第1実施形態におけるTFT素子、共通電極及び画素電極の配置を説明する平面図。The top view explaining arrangement | positioning of the TFT element in 1st Embodiment, a common electrode, and a pixel electrode. 第1実施形態における表示装置の偏光状態を説明する図。The figure explaining the polarization state of the display apparatus in 1st Embodiment. 第2実施形態における表示装置の主要構成を示す分解斜視図。The disassembled perspective view which shows the main structures of the display apparatus in 2nd Embodiment. 図7中のD−D線における断面図。Sectional drawing in the DD line | wire in FIG. 図3中のE部の拡大図。The enlarged view of the E section in FIG. 図9中のF−F線における断面図。Sectional drawing in the FF line | wire in FIG. 図10中のK−K線における断面図。Sectional drawing in the KK line | wire in FIG. 第2実施形態におけるTFT素子、共通電極及び画素電極の配置を説明する平面図。The top view explaining arrangement | positioning of the TFT element in 2nd Embodiment, a common electrode, and a pixel electrode. 第2実施形態における表示パネルの透過領域における偏光状態を説明する図。The figure explaining the polarization state in the transmissive area | region of the display panel in 2nd Embodiment. 第2実施形態における表示パネルの反射領域における偏光状態を説明する図。The figure explaining the polarization state in the reflective area | region of the display panel in 2nd Embodiment. 第2実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the element substrate in 2nd Embodiment. 第2実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the element substrate in 2nd Embodiment. 第2実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the element substrate in 2nd Embodiment. 第2実施形態における対向基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the opposing board | substrate in 2nd Embodiment. 第3実施形態における表示装置の図7中のD−D線における断面図。Sectional drawing in the DD line in FIG. 7 of the display apparatus in 3rd Embodiment. 第3実施形態における液晶パネルの図9中のF−F線における断面図。Sectional drawing in the FF line | wire in FIG. 9 of the liquid crystal panel in 3rd Embodiment. 第3実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the element substrate in 3rd Embodiment. 第3実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the element substrate in 3rd Embodiment. 本実施形態における表示装置が適用された電子機器の斜視図。The perspective view of the electronic device to which the display apparatus in this embodiment was applied. 従来の液晶装置の構成を説明する断面図。Sectional drawing explaining the structure of the conventional liquid crystal device. 従来の液晶装置における課題を説明する断面図。Sectional drawing explaining the subject in the conventional liquid crystal device. 従来の液晶装置における課題を説明する断面図。Sectional drawing explaining the subject in the conventional liquid crystal device.

符号の説明Explanation of symbols

1,10…表示装置、3,40,50…液晶パネル、9…画素、11…表示領域、13…表示面、15,60,80…素子基板、17,70…対向基板、19…液晶、20…表示パネル、23…底面、51…第1基板、51a…第1面、51b…第2面、55…樹脂層、55a…液状体、55b…液状体膜、63…TFT素子、65,171…緩和層、67…反射膜、72…ゲート電極、74…ソース電極、75…ドレイン電極、79…凹凸部、117…ゲート線、119…ソース線、500…電子機器、H…反射領域、T…透過領域、M…マトリクス。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,10 ... Display apparatus, 3,40,50 ... Liquid crystal panel, 9 ... Pixel, 11 ... Display area, 13 ... Display surface, 15, 60, 80 ... Element substrate, 17, 70 ... Counter substrate, 19 ... Liquid crystal, DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 ... Display panel, 23 ... Bottom surface, 51 ... 1st board | substrate, 51a ... 1st surface, 51b ... 2nd surface, 55 ... Resin layer, 55a ... Liquid material, 55b ... Liquid material film, 63 ... TFT element, 65, 171 ... Relaxation layer, 67 ... Reflective film, 72 ... Gate electrode, 74 ... Source electrode, 75 ... Drain electrode, 79 ... Uneven portion, 117 ... Gate line, 119 ... Source line, 500 ... Electronic device, H ... Reflection region, T: Transmission region, M: Matrix.

Claims (13)

第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、
前記第1基板及び前記液晶の間に介在し、前記第2基板を介して前記液晶に入射された光を前記第2基板側に反射させる反射膜と、
前記第1基板及び前記反射膜の間に介在する複数の配線と、
前記第1基板及び前記反射膜の間であって、平面視で隣り合う前記配線同士の間において、少なくとも前記反射膜に平面視で重なる領域を含んでパターン形成され、前記配線による段差を緩和する緩和層と、を有していることを特徴とする液晶装置。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
Liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate;
A reflective film interposed between the first substrate and the liquid crystal and reflecting light incident on the liquid crystal through the second substrate toward the second substrate;
A plurality of wirings interposed between the first substrate and the reflective film;
A pattern is formed between the first substrate and the reflective film between the adjacent wirings in plan view so as to include at least a region overlapping with the reflective film in plan view, thereby reducing a step due to the wiring. And a relaxation layer.
複数の画素が設定されており、
各前記画素には、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定されており、
前記反射膜は、前記反射領域ごとに設けられているとともに、前記緩和層は前記反射領域に対応して選択的に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
Multiple pixels are set,
In each of the pixels, a transmissive region for performing transmissive display and a reflective region for performing reflective display are set.
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the reflection film is provided for each of the reflection regions, and the relaxation layer is selectively formed corresponding to the reflection region.
平面視で各前記反射領域に重なる領域に凹凸部が設けられた凹凸形成層を有し、
前記凹凸形成層は、前記複数の配線及び前記反射膜の間に介在しており、
各前記反射膜は、各前記反射領域内で各前記凹凸部の前記液晶側に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の液晶装置。
Having a concavo-convex forming layer provided with a concavo-convex portion in a region overlapping each reflective region in plan view;
The irregularity forming layer is interposed between the plurality of wirings and the reflective film,
3. The liquid crystal device according to claim 2, wherein each of the reflection films is provided on the liquid crystal side of each of the uneven portions in each of the reflection regions.
前記緩和層が、前記透過領域に平面視で重なる領域にも設けられていることを特徴とする請求項3に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 3, wherein the relaxation layer is also provided in a region overlapping the transmission region in plan view. 前記反射領域に対応する前記緩和層と、前記透過領域に対応する前記緩和層とは、互いに厚みが異なることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 4, wherein the relaxation layer corresponding to the reflection region and the relaxation layer corresponding to the transmission region have different thicknesses. 前記反射領域に対応する前記緩和層の厚みが、前記透過領域に対応する前記緩和層の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項5に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 5, wherein a thickness of the relaxation layer corresponding to the reflection region is larger than a thickness of the relaxation layer corresponding to the transmission region. 前記反射領域に対応する前記緩和層と、前記透過領域に対応する前記緩和層とは、互いに材質が異なることを特徴とする請求項2乃至6のいずれか一項に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 2, wherein the relaxation layer corresponding to the reflection region and the relaxation layer corresponding to the transmission region are made of different materials. 少なくとも前記透過領域に対応する前記緩和層は、光透過性を有する材質で構成されていることを特徴とする請求項7に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 7, wherein at least the relaxing layer corresponding to the transmissive region is made of a light transmissive material. 前記反射領域に対応する前記緩和層が、光吸収性を有する材質で構成されていることを特徴とする請求項7又は8に記載の液晶装置。   9. The liquid crystal device according to claim 7, wherein the relaxation layer corresponding to the reflective region is made of a light-absorbing material. 各前記画素に対応して設けられ、前記画素ごとに前記液晶の駆動を制御するTFT素子を有しており、
前記配線は、前記TFT素子に駆動信号を供給するゲート線であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の液晶装置。
Provided corresponding to each of the pixels, each pixel has a TFT element that controls driving of the liquid crystal,
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the wiring is a gate line that supplies a driving signal to the TFT element.
各前記画素に対応して設けられ、前記画素ごとに前記液晶の駆動を制御するTFT素子を有しており、
前記配線は、前記TFT素子に画像信号を供給するソース線であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の液晶装置。
Provided corresponding to each of the pixels, each pixel has a TFT element that controls driving of the liquid crystal,
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the wiring is a source line that supplies an image signal to the TFT element.
第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板間に介在する液晶と、
透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定された複数の画素と、
前記第1基板及び前記液晶の間に介在し、前記画素ごとに前記反射領域に重なる領域に設けられた反射膜と、
前記第1基板及び前記反射膜の間に介在し、平面視で各前記反射領域に重なる領域に凹凸部が設けられた凹凸形成層と、
前記第1基板及び前記凹凸形成層の間に介在する緩和層と、を有し、
前記凹凸部は、前記凹凸形成層の前記液晶側に設けられており、
前記反射膜は、前記凹凸部の前記液晶側に設けられており、
前記緩和層は、平面視で少なくとも前記凹凸部に重なる領域に設けられていることを特徴とする液晶装置。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
Liquid crystal interposed between the first substrate and the second substrate;
A plurality of pixels in which a transmissive region for transmissive display and a reflective region for reflective display are set;
A reflective film interposed between the first substrate and the liquid crystal and provided in a region overlapping the reflective region for each pixel;
An irregularity-forming layer provided between the first substrate and the reflective film and having an irregularity in a region overlapping each reflective region in plan view;
A relaxation layer interposed between the first substrate and the unevenness forming layer,
The concavo-convex portion is provided on the liquid crystal side of the concavo-convex forming layer,
The reflective film is provided on the liquid crystal side of the uneven portion,
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the relaxation layer is provided in a region overlapping at least the uneven portion in plan view.
請求項1乃至12のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1 as a display unit.
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