JP2009270174A - Surface treatment method for forming printed circuit board, and etching treatment liquid used for the surface treatment method - Google Patents
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Abstract
【課題】めっき皮膜が基板から引き剥がれることなく、絶縁樹脂基板とめっき皮膜との密着を向上させる。
【解決手段】シリカ系フィラーを含有する絶縁樹脂基板を粗化処理する粗化処理工程と、粗化処理工程により絶縁樹脂基板上に生成した処理残渣を還元して溶解する還元処理工程と、絶縁樹脂基板に含有されるフィラーをエッチングするエッチング処理工程と、エッチング処理工程にてエッチングされた絶縁樹脂に対してめっき処理を施すめっき処理工程とを有する。
【選択図】なしThe adhesion of an insulating resin substrate and a plating film is improved without the plating film being peeled off from the substrate.
A roughening treatment step of roughening an insulating resin substrate containing a silica-based filler, a reduction treatment step of reducing and dissolving a processing residue generated on the insulating resin substrate by the roughening treatment step, an insulation An etching process for etching the filler contained in the resin substrate; and a plating process for plating the insulating resin etched in the etching process.
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Description
本発明は、シリカ系フィラーを含有する絶縁樹脂を用いてプリント配線基板を形成するための表面処理方法及びその表面処理方法に用いられるエッチング処理液に関する。 The present invention relates to a surface treatment method for forming a printed wiring board using an insulating resin containing a silica-based filler, and an etching treatment liquid used in the surface treatment method.
エレクトロニクス産業の飛躍的発展に伴い、プリント配線基板も、高密度化、高性能化の要求が高まり需要が大きく拡大している。特に、携帯電話やノートパソコン、カメラ等の最新デジタル機器のマザー配線基板においては、その小型化・薄型化に従って、配線パターンの高密度化・微細化の要望が高まっている。また、搭載された部品と部品との間において、より高周波で接続することの要求も高まっており、このことから、高速信号を扱うことが有利な表面粗さ（微小な凹凸）の小さな基材が求められている。 With the rapid development of the electronics industry, demand for high-density and high-performance printed circuit boards has also increased, and demand has expanded greatly. In particular, in the mother wiring boards of the latest digital devices such as mobile phones, notebook computers, and cameras, there is a growing demand for higher density and miniaturization of wiring patterns as they become smaller and thinner. In addition, there is an increasing demand for high-frequency connections between mounted components, which makes it possible to handle high-speed signals with a small surface roughness (small irregularities). Is required.
現在、ビルドアップ工法における実装技術としては、セミアディティブ法やフルアディティブ法による配線基板の製造方法が多用されている。 Currently, as a mounting technique in the build-up method, a method for manufacturing a wiring board by a semi-additive method or a full additive method is frequently used.
ビルドアップ工法のセミアディティブ法では、絶縁樹脂基板の表面を粗化した後に触媒を付与し、無電解銅めっき等の無電解めっき処理を行い、さらに電気銅めっき等の電気めっき処理を行う。また、フルアディティブ工法では、絶縁樹脂材の表面を粗化した後に触媒を付与し、無電解銅めっき等の無電解めっき処理のみを行う。これら絶縁樹脂材とめっきと皮膜の密着は、絶縁樹脂材表面を粗化することで形成される基板表面の凹凸のアンカーへの投錨効果により得られている。 In the semi-additive method of the build-up method, a catalyst is applied after roughening the surface of the insulating resin substrate, electroless plating treatment such as electroless copper plating is performed, and electroplating treatment such as electrolytic copper plating is further performed. In the full additive method, the surface of the insulating resin material is roughened and then a catalyst is applied to perform only electroless plating such as electroless copper plating. The adhesion between the insulating resin material, the plating, and the film is obtained by the anchoring effect on the uneven anchors on the substrate surface formed by roughening the surface of the insulating resin material.
ところで、ビルドアップ工法に使用される絶縁樹脂には、シリカ系フィラーが含有されている場合が多く、このフィラーによって絶縁樹脂の機械的、電気的特性の改善を図ることが可能となっており、また一方で、絶縁樹脂の粗化時にアンカーを生成し、めっき皮膜との密着を向上させる役割も担っている（例えば、特許文献１参照）。 By the way, the insulating resin used in the build-up method often contains a silica-based filler, and it is possible to improve the mechanical and electrical characteristics of the insulating resin by this filler. On the other hand, an anchor is generated at the time of roughening the insulating resin, and also plays a role of improving adhesion with the plating film (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、最近の基材は、高速信号を扱うためや高密度な配線（配線自体および配線間のスペースが狭い配線）を得るために、基材表面の粗さ（アンカーとなる凹凸）を小さくすることが求められるようになってきており、アンカー効果はより小さくなってきている。このため、絶縁樹脂材とめっき皮膜との十分な密着が得られなくなってきており、良好な回路基板を形成することができなくなっている。 However, recent base materials reduce the surface roughness of the base material (unevenness that becomes an anchor) in order to handle high-speed signals and to obtain high-density wiring (wiring itself and wiring with a narrow space between wirings). Therefore, the anchor effect is becoming smaller. For this reason, sufficient adhesion between the insulating resin material and the plating film cannot be obtained, and a good circuit board cannot be formed.
本発明は、これら従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、高速信号や高密度配線に適した表面粗さの小さな基材でも、絶縁樹脂材とめっき皮膜との十分な密着が得られるプリント配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of these problems of the prior art, and sufficient adhesion between an insulating resin material and a plating film can be obtained even with a substrate having a small surface roughness suitable for high-speed signals and high-density wiring. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a printed wiring board.
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、シリカ系フィラーを含有する絶縁樹脂基板に対し、当該絶縁樹脂基板を粗化処理した後に、フッ素化合物を含有させた処理液でエッチング処理することにより、絶縁樹脂材とめっき皮膜の密着性を向上させることが可能であることを見出した。 As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the inventors of the present invention have performed a roughening treatment on the insulating resin substrate containing a silica-based filler and then a treatment containing a fluorine compound. It has been found that the adhesion between the insulating resin material and the plating film can be improved by etching with a liquid.
すなわち、本発明に係る表面処理方法は、絶縁樹脂基板を粗化処理する粗化処理工程と、上記粗化処理工程により上記絶縁樹脂基板上に生成した処理残渣を還元処理する還元処理工程と、上記絶縁樹脂基板に含有されるフィラーをエッチングするエッチング工程と、上記エッチング工程にてエッチングされた絶縁樹脂に対してめっき処理を施すめっき処理工程とを有する。 That is, the surface treatment method according to the present invention includes a roughening treatment step of roughening an insulating resin substrate, a reduction treatment step of reducing a treatment residue generated on the insulating resin substrate by the roughening treatment step, An etching process for etching the filler contained in the insulating resin substrate; and a plating process for plating the insulating resin etched in the etching process.
また、本発明の他の実施形態に係る表面処理方法は、絶縁樹脂基板を粗化処理する粗化処理工程と、上記粗化処理工程により上記絶縁樹脂基板上に生成した処理残渣を還元処理するとともに、該絶縁樹脂基板に含有されるフィラーをエッチングする還元及びエッチング処理工程と、上記還元及びエッチング工程にてエッチングされた絶縁樹脂に対してめっき処理を施すめっき処理工程とを有する。 Further, a surface treatment method according to another embodiment of the present invention includes a roughening treatment step for roughening an insulating resin substrate, and a reduction treatment of a treatment residue generated on the insulating resin substrate by the roughening treatment step. In addition, there are a reduction and etching treatment step for etching the filler contained in the insulating resin substrate, and a plating treatment step for plating the insulating resin etched in the reduction and etching step.
また、本発明に係る表面処理方法におけるフィラーのエッチング処理工程では、フッ素化合物を含有するエッチング処理液を用いてフィラーをエッチングする。 Further, in the filler etching treatment step in the surface treatment method according to the present invention, the filler is etched using an etching treatment liquid containing a fluorine compound.
そして、そのエッチング処理液に含有されるフッ素化合物としては、フッ化水素、フッ化ナトリウム、ホウフッ化水素酸、フッ化水素アンモニウム、フッ化水素ナトリウム、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム、ヘキサフルオロリン酸アンモニウム等が挙げられる。 And as a fluorine compound contained in the etching treatment liquid, hydrogen fluoride, sodium fluoride, borohydrofluoric acid, ammonium hydrogen fluoride, sodium hydrogen fluoride, ammonium hexafluorosilicate, ammonium hexafluorophosphate, etc. Is mentioned.
また、本発明に係るエッチング処理液は、上記表面処理方法に用いられ、フッ素化合物を含有し、絶縁樹脂に添加されるフィラーをエッチングするエッチング処理液である。 Moreover, the etching process liquid which concerns on this invention is an etching process liquid which is used for the said surface treatment method, and etches the filler which contains a fluorine compound and is added to insulating resin.
本発明に係る表面処理方法によれば、表面の粗さが小さな基板でもめっき皮膜との十分な密着が得られ、高速信号を扱うプリント配線基板や配線密度の高いプリント配線基板の製造に好適に利用することができる。 According to the surface treatment method of the present invention, sufficient adhesion with a plating film can be obtained even on a substrate having a small surface roughness, and it is suitable for manufacturing a printed wiring board that handles high-speed signals or a printed wiring board with high wiring density. Can be used.
以下、本実施の形態に係る回路基板の製造方法について詳細に説明する。 Hereinafter, the circuit board manufacturing method according to the present embodiment will be described in detail.
本実施の形態に係る表面処理方法は、シリカ系フィラーを含有する絶縁樹脂基板に対する表面処理方法であって当該絶縁樹脂基板を粗化処理する粗化処理工程と、粗化処理工程により絶縁樹脂基板上に生成した処理残渣を還元反応により溶解除去する還元処理工程と、絶縁樹脂基板に含有されるフィラーを、フッ素化合物を含有するエッチング処理液を用いてエッチングするエッチング処理工程と、エッチング工程にてエッチングされた絶縁樹脂基板に対してめっき処理を施すめっき処理工程とを有する。 The surface treatment method according to the present embodiment is a surface treatment method for an insulating resin substrate containing a silica-based filler, the roughening treatment step for roughening the insulating resin substrate, and the roughening treatment step for the insulating resin substrate. In the reduction treatment step of dissolving and removing the treatment residue generated above by a reduction reaction, the etching treatment step of etching the filler contained in the insulating resin substrate using an etching treatment liquid containing a fluorine compound, and the etching step And a plating process for applying a plating process to the etched insulating resin substrate.
また、他の実施形態に係る表面処理方法は、上述のようにシリカ系フィラーを含有する絶縁樹脂基板を粗化処理した後、処理残渣を還元反応により溶解除去する還元処理とともに、絶縁樹脂基板に含有されるフィラーをフッ素化合物を含有するエッチング処理液を用いてエッチングするフィラーエッチング処理を同時に行い、エッチングされた絶縁樹脂基板に対してめっき処理を施す。 In addition, the surface treatment method according to another embodiment, after roughening the insulating resin substrate containing the silica-based filler as described above, is applied to the insulating resin substrate together with a reduction treatment that dissolves and removes the processing residue by a reduction reaction. The filler etching process which etches the contained filler using the etching process liquid containing a fluorine compound is performed simultaneously, and the etching process is performed with respect to the insulated resin substrate.
このように、以下に詳細に説明する表面処理方法は、シリカ系フィラーを含有する絶縁樹脂基板に対し、当該絶縁樹脂基板の粗化処理に伴う処理残渣に対する還元処理後に、又はその還元処理と同時に、フッ素化合物を含有する処理液を用いて、絶縁樹脂基板に含有されるフィラーに対してエッチング処理を施すことを特徴としている。このように、フッ素化合物を含有させた処理液によってエッチング処理を施すことにより、シリカ系フィラーを含有する絶縁樹脂基板と、後のめっき処理にて形成させるめっき皮膜との密着を向上させることができる。 As described above, the surface treatment method described in detail below is applied to an insulating resin substrate containing a silica-based filler after or simultaneously with the reduction treatment of the treatment residue accompanying the roughening treatment of the insulating resin substrate. An etching treatment is performed on the filler contained in the insulating resin substrate using a treatment liquid containing a fluorine compound. Thus, by performing the etching treatment with the treatment liquid containing the fluorine compound, the adhesion between the insulating resin substrate containing the silica filler and the plating film formed in the subsequent plating treatment can be improved. .
従来のシリカ系フィラーを含有する絶縁樹脂材に対する一般的な表面処理方法としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の膨潤液による膨潤処理後、過マンガン酸ナトリウム溶液又は過マンガン酸カリウム溶液等によって樹脂基板をエッチング処理して粗化する。そしてその後、硫酸ヒドロキシルアミン等の溶液によって、樹脂基板に残留している、例えばマンガン酸化物等を還元して溶解させる還元処理を行う。 As a general surface treatment method for an insulating resin material containing a conventional silica-based filler, after a swelling treatment with a swelling liquid such as N-methyl-2-pyrrolidone, a sodium permanganate solution or a potassium permanganate solution is used. The resin substrate is roughened by etching. Thereafter, a reduction treatment is performed to reduce and dissolve, for example, manganese oxide remaining on the resin substrate with a solution of hydroxylamine sulfate or the like.
より具体的に説明すると、まず、シリカ系フィラーを含有する絶縁樹脂基板に対する膨潤処理としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン等を含有した膨潤液を用い、約６０〜９０℃程度の条件で１０〜３０分間、絶縁樹脂基板をその膨潤液に浸漬させる。このようにして、絶縁樹脂基板に対して膨潤処理を施すことによって、後工程における粗化処理において基板表面を粗化し易くする。 More specifically, first, as the swelling treatment for the insulating resin substrate containing the silica filler, for example, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, γ- Using a swelling liquid containing butyrolactone or the like, the insulating resin substrate is immersed in the swelling liquid at a temperature of about 60 to 90 ° C. for 10 to 30 minutes. In this way, by subjecting the insulating resin substrate to the swelling treatment, the substrate surface is easily roughened in the roughening treatment in the subsequent step.
そして、膨潤処理を施した絶縁樹脂基板を水洗後、次に、例えば過マンガン酸ナトリウム溶液、過マンガン酸カリウム、クロム酸ナトリウム、クロム酸カリウム等を含有するエッチング液に、その絶縁樹脂基板を接触させることによって、基板表面を粗化する。具体的には、例えば５０〜８０℃程度の温度条件で１〜１０分間、樹脂表面を粗化する。 Then, after washing the insulating resin substrate subjected to the swelling treatment, the insulating resin substrate is then contacted with an etching solution containing, for example, a sodium permanganate solution, potassium permanganate, sodium chromate, potassium chromate, etc. To roughen the substrate surface. Specifically, for example, the resin surface is roughened at a temperature of about 50 to 80 ° C. for 1 to 10 minutes.
そして、このようにして樹脂基板の表面を粗化すると、次に、粗化処理によって樹脂基板表面に生じた処理残渣を溶解除去する。具体的には、粗化処理で用いたエッチング処理液に含有されていた、例えば過マンガン酸ナトリウムに由来するマンガン酸化物が残渣となって生じた樹脂基板表面を、還元剤を含有した処理液を用いて還元反応により溶解除去することによって清浄にする。還元処理液としては、例えば、硫酸ヒドロキシルアミン、次亜リン酸ナトリウム、アミノボラン、ジメチルアミンボラン、ハイドロサルファイト、ホルマリン等の還元剤を含有する処理液を用い、約２０〜９０℃程度の温度条件で約５〜３０分間、絶縁樹脂を浸漬させてマンガン酸化物等の粗化処理残渣を溶解除去する。 Then, when the surface of the resin substrate is roughened in this way, the processing residue generated on the surface of the resin substrate by the roughening treatment is dissolved and removed. Specifically, a treatment liquid containing a reducing agent is used to form a resin substrate surface that is contained in an etching treatment liquid used in the roughening treatment, for example, a manganese oxide derived from sodium permanganate as a residue. The solution is removed by dissolution using a reduction reaction. As the reduction treatment liquid, for example, a treatment liquid containing a reducing agent such as hydroxylamine sulfate, sodium hypophosphite, aminoborane, dimethylamine borane, hydrosulfite, formalin, etc., and a temperature condition of about 20 to 90 ° C. Then, the insulating resin is immersed for about 5 to 30 minutes to dissolve and remove the roughening residue such as manganese oxide.
以上のようにして、めっき前処理工程を経ると、その絶縁樹脂基板に対してめっき処理を施す。めっき前処理に際しては、触媒の付与や、めっきレジストの形成等、所望の回路パターンとなるような処理を行い、セミアディティブ法やフルアディティブ法等を利用して、めっき皮膜を形成していく。 As described above, after the plating pretreatment process, the insulating resin substrate is plated. In the pre-plating treatment, a treatment for obtaining a desired circuit pattern such as application of a catalyst or formation of a plating resist is performed, and a plating film is formed using a semi-additive method or a full additive method.
このような従来の表面処理方法においては、例えば、高密度、高精細なプリント配線基板の製造を考慮して小さい凹凸を基板表面に形成させた場合には、樹脂基板と後の工程にて形成させるめっき皮膜とを十分に密着させることができなくなってしまう。一方で、密着性を考慮して、樹脂基板に対して大きな凹凸を形成させた場合には、めっき皮膜との密着を向上させることはできるものの、高速信号を扱う基板や、高密度な配線には適さない不良な回路基板が製造されてしまうこととなる。 In such a conventional surface treatment method, for example, when small irregularities are formed on the substrate surface in consideration of manufacturing a high-density, high-definition printed wiring board, it is formed in a resin substrate and a subsequent process. It becomes impossible to make it adhere | attach sufficiently with the plating film to be made. On the other hand, in the case where large unevenness is formed on the resin substrate in consideration of adhesion, the adhesion with the plating film can be improved, but it can be applied to a substrate that handles high-speed signals and high-density wiring. This will produce a defective circuit board that is not suitable.
そこで、本実施の形態に係る表面処理方法では、上述した従来の表面処理方法における還元処理時に、又は還元処理の後に、シリカ系フィラーをエッチングさせる効果のあるエッチング処理液（以下、フィラーエッチング処理液という。）を用いて、エッチング処理を施すことを特徴としている。 Therefore, in the surface treatment method according to the present embodiment, an etching treatment liquid (hereinafter referred to as filler etching treatment liquid) having an effect of etching the silica-based filler during or after the reduction treatment in the conventional surface treatment method described above. Is used for etching.
本実施の形態に係る表面処理方法におけるフィラーエッチング処理に用いられるフィラーエッチング処理液には、フッ素化合物が含有されていることを特徴としている。このフッ素化合物としては、フッ化水素、フッ化ナトリウム、ホウフッ化水素酸、フッ化水素アンモニウム、フッ化水素ナトリウム、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム、ヘキサフルオロリン酸アンモニウム等から選択される１種を、又は２種以上を任意の割合で混合させて用いることができる。 The filler etching treatment liquid used for the filler etching treatment in the surface treatment method according to the present embodiment is characterized by containing a fluorine compound. As this fluorine compound, one selected from hydrogen fluoride, sodium fluoride, borofluoric acid, ammonium hydrogen fluoride, sodium hydrogen fluoride, ammonium hexafluorosilicate, ammonium hexafluorophosphate, or the like, or Two or more kinds can be mixed and used at an arbitrary ratio.
本実施の形態に係る表面処理方法においては、このフィラーエッチング処理液を用いたフィラーのエッチング処理を、絶縁樹脂基板のエッチング後の残留したマンガン酸化物等の処理残渣に対する還元反応による溶解処理（還元処理）後に、又はこの溶解処理時に同時に行う。したがって、溶解処理後にフィラーエッチング処理を行う場合には、還元処理後、適宜樹脂基板の水洗処理等を経て、当該フィラーエッチング処理液に樹脂基板を含浸させる等して、エッチング処理を行う。一方、溶解処理時にフィラーエッチング処理を同時に行う場合には、還元剤を含有した溶解処理液にフィラーエッチング処理液を含有させることによって処理する。 In the surface treatment method according to the present embodiment, the filler etching process using the filler etching process liquid is performed by a dissolution process (reduction process) by a reduction reaction on a process residue such as manganese oxide remaining after etching the insulating resin substrate. Treatment) or simultaneously with the dissolution treatment. Therefore, when the filler etching process is performed after the dissolution process, the etching process is performed by appropriately washing the resin substrate with water after the reduction process and then impregnating the resin substrate with the filler etching process liquid. On the other hand, when the filler etching process is performed simultaneously with the dissolution process, the filler etching process liquid is included in the dissolution process liquid containing the reducing agent.
このように、本実施の形態に係る表面処理方法においては、膨潤処理を施した樹脂基板に対する過マンガン酸カリウム等による粗化処理後、さらにはその粗化処理によって生じた処理残渣の還元反応による溶解除去後に、フィラーをエッチングするようにしている。すなわち、過マンガン酸カリウム等による粗化処理を行う前にフィラーをエッチングしようとしても、フィラーは樹脂に覆われるようにして含有されているので、効果的にフィラーをエッチングすることはできず、その結果として、樹脂基板とめっき皮膜との十分な密着性の向上効果を発揮させることができない。そこで、本実施の形態に係る表面処理方法においては、フィラーを覆っている樹脂を、その樹脂基板を粗化させることによって除き、さらに粗化処理によって生じた酸化物等の残渣も除いた後に、または残渣を除くと同時に、フィラーをエッチングするようにしている。これにより、樹脂基板に含有されているフィラーを効果的にエッチング処理することができ、その結果樹脂基板とめっき皮膜との十分な密着性の向上効果を発揮させることが可能となる。 As described above, in the surface treatment method according to the present embodiment, after the roughening treatment with potassium permanganate or the like on the resin substrate subjected to the swelling treatment, further, by the reduction reaction of the treatment residue generated by the roughening treatment. After the dissolution and removal, the filler is etched. That is, even if the filler is to be etched before the roughening treatment with potassium permanganate or the like, since the filler is contained so as to be covered with the resin, the filler cannot be effectively etched. As a result, the effect of improving sufficient adhesion between the resin substrate and the plating film cannot be exhibited. Therefore, in the surface treatment method according to the present embodiment, the resin covering the filler is removed by roughening the resin substrate, and after removing residues such as oxides generated by the roughening treatment, Alternatively, the filler is etched simultaneously with removing the residue. Thereby, the filler contained in the resin substrate can be effectively etched, and as a result, the effect of improving the sufficient adhesion between the resin substrate and the plating film can be exhibited.
そのフィラーエッチング処理と同時に行う、又はフィラーエッチング処理の前に行う還元処理は、上述したように、絶縁樹脂基板に対する過マンガン酸溶液等によるエッチング処理によって生成した酸化残留物等の処理残渣を、還元反応によって溶解除去させる処理である。本実施の形態に係る表面処理方法における還元処理に用いられる還元処理液としては、従来と同様に、例えば硫酸ヒドロキシルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸等、種々のアミン系化合物からなる還元剤を含有させることができる。また、これらのアミン系化合物等の還元剤を含有させた還元処理液には、硫酸または水酸化ナトリウム等のｐＨ調整剤や、樹脂基板の表面濡れ性を向上させることを目的として、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、ポリアセチレングリコールといった非イオン系界面活性剤等の界面活性剤を含有させることもできる。 As described above, the reduction process performed simultaneously with the filler etching process or before the filler etching process reduces the processing residue such as the oxidation residue generated by the etching process with the permanganic acid solution or the like for the insulating resin substrate. This is a process of removing by dissolution. As the reduction treatment liquid used for the reduction treatment in the surface treatment method according to the present embodiment, for example, hydroxylamine sulfate, ethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, monoethanolamine, diethanolamine, A reducing agent made of various amine compounds such as ethylenediaminetetraacetic acid and nitrilotriacetic acid can be contained. In addition, in the reduction treatment liquid containing a reducing agent such as these amine compounds, polyoxyethylene is used for the purpose of improving the pH wettability of sulfuric acid or sodium hydroxide and the surface wettability of the resin substrate. Surfactants such as nonionic surfactants such as alkyl ethers, polyoxyethylene alkylphenol ethers, and polyacetylene glycols can also be included.
また、還元処理と同時にではなく、当該残留酸化物等の処理残渣に対する溶解除去のための還元処理の後にフィラーエッチング処理を行う場合、すなわち、フィラーエッチング処理のみを還元溶解処理後に行う場合においても、そのフィラーエッチング処理液は、上述したアミン系化合物等を含有させた還元剤を用いることができ、さらに硫酸あるいは水酸化ナトリウム等のｐＨ調整剤、基板の表面濡れ向上等を目的とした界面活性剤等を含有させることができる。 Also, when performing the filler etching process after the reduction process for dissolving and removing the residual oxide or the like, not simultaneously with the reduction process, that is, when performing only the filler etching process after the reduction dissolution process, As the filler etching treatment liquid, a reducing agent containing the above-described amine compound or the like can be used. Further, a pH adjuster such as sulfuric acid or sodium hydroxide, or a surfactant for the purpose of improving the surface wetting of the substrate. Etc. can be contained.
また、本実施の形態に係る表面処理方法におけるフィラーエッチング処理は、処理対象である絶縁樹脂の表面粗さがほとんど変化しない程度で処理を行うことが好ましい。すなわち、フィラーエッチング処理は、過剰に行うとフィラーのエッチングが過剰となり、絶縁樹脂の表面粗さが増加してしまうこととなる。この場合、高速信号を扱う配線や、高密度な配線に対して、表面粗さの増加した配線基板を用いると、短絡や断線等の接続性を低下させる要因となり、良好な回路基板を製造することができなくなる。したがって、本実施の形態に係る表面処理方法では、これらの配線基板に良好に適用することができるように、表面粗さを粗くしないような処理条件でフィラーエッチング処理を施すことが好ましい。 Moreover, it is preferable that the filler etching process in the surface treatment method according to the present embodiment is performed to such an extent that the surface roughness of the insulating resin to be processed hardly changes. That is, if the filler etching process is performed excessively, the filler will be excessively etched and the surface roughness of the insulating resin will increase. In this case, if a wiring board with increased surface roughness is used for wiring that handles high-speed signals or high-density wiring, the connectivity such as short-circuiting or disconnection is reduced, and a good circuit board is manufactured. I can't. Therefore, in the surface treatment method according to the present embodiment, it is preferable to perform the filler etching treatment under the treatment conditions that do not roughen the surface roughness so that the surface treatment method can be satisfactorily applied to these wiring boards.
具体的には、処理温度としては、２０〜５０℃程度の範囲内に設定された処理液を用い、また処理時間として、１〜１５分程度の間、その処理液に含浸させて処理することが好ましい。さらに、上述した処理液に含有されるフッ素化合物濃度としては、１〜１００ｇ／Ｌ程度の範囲内に設定することが好ましい。 Specifically, the treatment temperature is set within a range of about 20 to 50 ° C., and the treatment time is impregnated in the treatment solution for about 1 to 15 minutes. Is preferred. Furthermore, the concentration of the fluorine compound contained in the treatment liquid described above is preferably set within a range of about 1 to 100 g / L.
このように、本実施の形態に係る表面処理方法においては、フッ素化合物を含有する処理液を用いて樹脂基板に含有されているフィラーをエッチングするようにしている。これにより、微小なアンカーを形成させることが可能となっている。すなわち、樹脂基板に含有されているフィラーをエッチングすることによって、このフィラーのエッチング処理によって形成される小さくなったフィラーと、フィラーを保持している樹脂との間に間隙が形成されるようになり、この間隙が、後工程のめっき処理によって析出されるめっき皮膜を保持するアンカーとして作用するようになる。そして、このアンカー効果により、表面粗さの小さな基板でも、めっき皮膜と樹脂基板との密着を向上させることが可能となっている。 Thus, in the surface treatment method according to the present embodiment, the filler contained in the resin substrate is etched using the treatment liquid containing the fluorine compound. Thereby, it is possible to form a minute anchor. That is, by etching the filler contained in the resin substrate, a gap is formed between the reduced filler formed by this filler etching process and the resin holding the filler. The gap acts as an anchor for holding a plating film deposited by a subsequent plating process. The anchor effect makes it possible to improve the adhesion between the plating film and the resin substrate even with a substrate having a small surface roughness.
なお、本実施の形態に係る表面処理方法を適用することができる絶縁樹脂としては、デスミア処理やフィラーエッチング処理に用いられる溶液に容易に溶解することのない樹脂であればよく、例えば、電気絶縁樹脂として広く用いられているエポキシ樹脂の他、イミド樹脂や、フェノールホルムアルデヒド樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ビスマレイミド―トリアジン樹脂、シロキサン樹脂、マレイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルサルホン等を用いることができるが、これらの限られるものでなく、また一例として挙げた上述の樹脂から選択された２種以上の樹脂を任意な割合で混合させて生成した樹脂を用いて、本実施の形態に係る表面処理方法を適用し、めっき皮膜を形成させるようにしてもよい。 The insulating resin to which the surface treatment method according to this embodiment can be applied may be a resin that does not easily dissolve in a solution used for desmear treatment or filler etching treatment. In addition to epoxy resins widely used as resins, imide resins, phenol formaldehyde resins, novolac resins, melamine resins, polyphenylene ether resins, bismaleimide-triazine resins, siloxane resins, maleimide resins, polyether ether ketone resins, polyethers Imide resin, polyethersulfone and the like can be used, but are not limited to these, and two or more kinds of resins selected from the above-mentioned resins listed as examples are mixed at an arbitrary ratio. Surface treatment method according to the present embodiment using a resin Applied, it may be allowed to form a plating film.
そして、上述したように、フィラーエッチング処理を施した後には、周知の方法によりめっき処理を施し、めっき皮膜を形成させる。このめっき処理においては、セミアディティブ法を用いてもよく、フルアディティブ法を用いて処理するようにしてもよい。 And as mentioned above, after performing a filler etching process, a plating process is performed by a well-known method and a plating film is formed. In this plating process, a semi-additive method or a full additive method may be used.
以下では具体的に、フルアディティブ法によるめっき処理について説明する。なお、以下の説明においては、銅めっき皮膜を形成する例について具体的に説明するが、金属めっき皮膜は銅めっき皮膜に限られず、ニッケル等のその他の金属めっき皮膜であっても、本実施の形態に係る表面処理方法を適用することができる。また、上述したように、本実施の形態に係る表面処理方法では、めっき処理として、フルアディティブ法によるめっき処理だけではなく、セミアディティブ法を用いて、電気めっきによりめっき皮膜を形成するようにしてもよい。 Below, the plating process by a full additive method is demonstrated concretely. In the following description, an example of forming a copper plating film will be specifically described. However, the metal plating film is not limited to the copper plating film, and even if the metal plating film is other metal plating film such as nickel. The surface treatment method according to the embodiment can be applied. In addition, as described above, in the surface treatment method according to the present embodiment, the plating film is formed by electroplating using not only a plating process by a full additive method but also a semi-additive method as a plating process. Also good.
上述した、絶縁樹脂基板に対する膨潤処理、粗化処理を経た後、粗化処理により発生した処理残渣に対する還元溶解処理と共に、または還元溶解処理の後に、フッ素化合物を含有するフィラーエッチング処理液を用いてフィラーに対してエッチング処理を施すと、まず、周知の方法により清浄処理を施して樹脂基板をクリーニングする。清浄処理は、例えば、清浄溶液中に６５℃で５分間、表面処理を施した樹脂基板を浸漬させて、表面のゴミ等を除去するとともに、樹脂基板に水濡れ性を与える。溶液としては、酸性溶液を用いても、アルカリ性溶液を用いてもよい。この清浄処理工程によって、樹脂基板の表面を清浄にし、後工程にて形成されるめっき皮膜のより一層の密着性等を向上させる。 Using the filler etching treatment liquid containing a fluorine compound after the swelling treatment and the roughening treatment for the insulating resin substrate as described above, together with the reduction dissolution treatment for the processing residue generated by the roughening treatment, or after the reduction dissolution treatment. When the etching process is performed on the filler, first, a cleaning process is performed by a known method to clean the resin substrate. In the cleaning treatment, for example, the resin substrate subjected to the surface treatment is immersed in a cleaning solution at 65 ° C. for 5 minutes to remove dust on the surface and to give the resin substrate water wettability. As the solution, an acidic solution or an alkaline solution may be used. By this cleaning process, the surface of the resin substrate is cleaned, and the adhesion of the plating film formed in the subsequent process is improved.
そして、このようにして樹脂基板をクリーニングすると、次に、回路パターンを形成させる樹脂基板の表面に触媒を付与する。この触媒付与において用いられる触媒は、例えば、２価のパラジウムイオン（Ｐｄ２＋）を含有した触媒液、例えば、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２・２Ｈ２Ｏ）、塩化第一スズ（ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ）、塩酸（ＨＣｌ）等を組成する混合溶液を用いることができる。また、この触媒液の濃度としては、例えば、Ｐｄ濃度が１００〜３００ｍｇ／Ｌ、Ｓｎ濃度が１０〜２０ｇ／Ｌ、ＨＣｌ濃度が１５０〜２５０ｍＬ／Ｌの各濃度組成とすることができる。そして、この触媒液中に樹脂基板を、例えば温度３０〜４０℃の条件で１〜３分間浸漬させて、まずＰｄ−Ｓｎコロイドを樹脂基板の表面に吸着させ、そして次に常温条件下で、例えば５０〜１００ｍＬ／Ｌの硫酸又は塩酸からなるアクセレータ（促進剤）に浸漬させて触媒の活性化を行う。この活性化処理によって、錯化合物のスズが除去され、パラジウム吸着粒子となり、最終的にパラジウム触媒として、その後の無電解銅めっきによる銅の析出を促進させるようにする。なお、水酸化ナトリウムやアンモニア溶液をアクセレータとして用いてもよい。また、この樹脂基板に対する触媒付与に際しては、コンディショナー液やプレディップ液を用いた前処理を施し、より樹脂基板と銅めっき皮膜との密着性をより一層に高めるようにしてもよく、さらに触媒の樹脂基板の表面への馴染みを良くする前処理を施すようにしてもよい。なお、触媒液は、当然上記のものに限られるものではない。 Then, after the resin substrate is cleaned in this way, a catalyst is applied to the surface of the resin substrate on which the circuit pattern is formed. The catalyst used in the catalyst application is, for example, a catalyst solution containing divalent palladium ions (Pd 2+ ), such as palladium chloride (PdCl 2 .2H 2 O), stannous chloride (SnCl 2 .2H 2 O). ), Hydrochloric acid (HCl) and the like can be used as a mixed solution. Moreover, as a density | concentration of this catalyst liquid, it can be set as each concentration composition whose Pd density | concentration is 100-300 mg / L, Sn density | concentration is 10-20 g / L, and HCl density | concentration is 150-250 mL / L, for example. Then, the resin substrate is immersed in the catalyst solution for 1 to 3 minutes, for example, at a temperature of 30 to 40 ° C., and the Pd—Sn colloid is first adsorbed on the surface of the resin substrate. For example, the catalyst is activated by being immersed in an accelerator (accelerator) made of 50 to 100 mL / L sulfuric acid or hydrochloric acid. By this activation treatment, the complex compound tin is removed to form palladium-adsorbed particles, and finally, as a palladium catalyst, the deposition of copper by the subsequent electroless copper plating is promoted. Sodium hydroxide or ammonia solution may be used as an accelerator. In addition, when the catalyst is applied to the resin substrate, a pretreatment using a conditioner solution or a pre-dip solution may be performed to further improve the adhesion between the resin substrate and the copper plating film. You may make it perform the pre-processing which improves the familiarity to the surface of a resin substrate. Naturally, the catalyst solution is not limited to the above.
次に、このようにして樹脂基板に触媒を付与した後、適宜、所望の回路パターンを形成するためのめっきレジストを形成する。つまり、次の工程で回路パターンを構成する銅めっき皮膜を析出させる箇所以外をマスキングするレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、めっき処理終了後にエッチング操作等により剥離除去してもよいが、めっき処理後に剥離除去せずに、ソルダーレジストとして機能するようにしてもよい。めっきレジストの形成方法は、周知の方法を用いて行うことができる。 Next, after applying the catalyst to the resin substrate in this manner, a plating resist for forming a desired circuit pattern is appropriately formed. That is, a resist pattern for masking other than the portion where the copper plating film constituting the circuit pattern is deposited is formed in the next step. This resist pattern may be peeled off by an etching operation or the like after the end of the plating process, but may function as a solder resist without being peeled off after the plating process. The plating resist can be formed using a well-known method.
そして、めっきレジストを形成すると、次に、無電解めっき法により、銅めっき皮膜を析出させ、回路パターンを形成する。なお、無電解めっき法により銅めっき皮膜を析出させるにあたり、めっきレジストの形成後、例えば１０％硫酸及びレデュサーを用いて、樹脂基板の表面に付着している触媒のパラジウム吸着粒子を還元することによって触媒を活性化させ、樹脂基板上における銅めっきの析出を向上させるようにしてもよい。 After the plating resist is formed, a copper plating film is then deposited by an electroless plating method to form a circuit pattern. In depositing the copper plating film by the electroless plating method, after forming the plating resist, for example, by reducing the palladium adsorbed particles of the catalyst adhering to the surface of the resin substrate using 10% sulfuric acid and a reducer. The catalyst may be activated to improve the deposition of copper plating on the resin substrate.
具体的に、このめっき処理においては、無電解銅めっき浴として、例えば、錯化剤としてＥＤＴＡを用いためっき浴を用いることができる。この無電解銅めっき浴の組成の一例としては、硫酸銅（１０ｇ／Ｌ）、ＥＤＴＡ（３０ｇ／Ｌ）を含有し、水酸化ナトリウムによってｐＨ１２．５に調整された無電解銅めっき浴を使用することができる。また、錯化剤としてロッシェル塩を用いた無電解銅めっき浴を使用してもよい。そして、この無電解銅めっき浴中に樹脂基板を、例えば６０〜８０℃の温度条件で３０〜６００分間浸漬することによって、銅めっき皮膜を形成させていく。また、例えば、多層配線基板において下層との導通のためのビア等を形成させた場合には、液の攪拌を十分に行って、ビアにイオン供給が十分に行われるようにするとよい。攪拌方法としては、空気攪拌やポンプ循環等による方法等を適用することができる。 Specifically, in this plating treatment, for example, a plating bath using EDTA as a complexing agent can be used as the electroless copper plating bath. As an example of the composition of this electroless copper plating bath, an electroless copper plating bath containing copper sulfate (10 g / L) and EDTA (30 g / L) and adjusted to pH 12.5 with sodium hydroxide is used. be able to. Further, an electroless copper plating bath using Rochelle salt as a complexing agent may be used. And a copper plating membrane | film | coat is formed by immersing a resin substrate in this electroless copper plating bath for 30 to 600 minutes on the temperature conditions of 60-80 degreeC, for example. Further, for example, when vias for conduction with the lower layer are formed in the multilayer wiring board, it is preferable to sufficiently stir the liquid so that ions are sufficiently supplied to the vias. As the stirring method, a method using air stirring, pump circulation, or the like can be applied.
なお、このめっき処理においては、樹脂基板との密着をさらに向上させるために、二段階めっきを施すようにしてもよい。すなわち、樹脂基板上に下地めっき皮膜を形成する一次めっき処理を行い、そして形成された下地めっき皮膜上に、下地めっき皮膜よりも膜厚の厚い厚付けめっき皮膜を形成する二次めっき処理を行って回路パターンを形成するようにしてもよい。そして特に、一次めっき処理に際しては、二次めっき処理において形成される厚付けめっき皮膜の内部応力の向きとは異なる向きの内部応力、換言すると、二次めっき処理において形成される厚付けめっき皮膜の内部応力とは逆方向の向きの内部応力であって、一般的には引張内部応力を有する下地めっき皮膜を形成させる無電解めっき浴を用いてめっき処理を行うようにしてもよい。 In this plating process, two-step plating may be performed in order to further improve the adhesion with the resin substrate. That is, a primary plating process for forming a base plating film on a resin substrate is performed, and a secondary plating process for forming a thick plating film having a thickness larger than that of the base plating film is performed on the formed base plating film. A circuit pattern may be formed. In particular, in the primary plating process, the internal stress in a direction different from the internal stress direction of the thick plating film formed in the secondary plating process, in other words, the thick plating film formed in the secondary plating process. The plating treatment may be performed using an electroless plating bath that forms an underlying plating film having a tensile internal stress that is an internal stress in a direction opposite to the internal stress.
なお、上述しためっき処理において用いためっき浴及びその組成、処理条件等は一例であり、当然これらに限られるものではない。 In addition, the plating bath used in the above-described plating treatment, its composition, treatment conditions, and the like are examples, and are not limited to these.
以上説明したように、本実施の形態に係る表面処理方法は、従来の表面処理方法とは異なり、シリカ系フィラーを含有する絶縁樹脂基板を粗化処理し、その粗化処理によって生成した残渣を還元処理液を用いて溶解除去する還元処理した後に、又はその還元処理とともに、フッ素化合物を含有するフィラーエッチング溶液を用いて、絶縁樹脂基板に含まれているフィラーをエッチングするようにしている。これにより、樹脂基板に含有されているフィラーを効果的にエッチング処理することができるとともに、そのフィラーのエッチング処理によって、フィラーと樹脂との間にアンカー効果を発揮する微小な間隙を形成させることができるようになる。その結果、その微小な間隙にめっき皮膜が析出されるようになり、基板の表面粗さを粗くしなくとも、析出生成しためっき皮膜と樹脂基板との密着を向上させることができ、短絡等の接続性を高いプリント配線基板を製造することが可能となる。 As described above, the surface treatment method according to the present embodiment is different from the conventional surface treatment method in that the insulating resin substrate containing the silica filler is roughened, and the residue generated by the roughening treatment is removed. The filler contained in the insulating resin substrate is etched by using a filler etching solution containing a fluorine compound after the reduction process of dissolving and removing using the reduction process liquid or together with the reduction process. As a result, the filler contained in the resin substrate can be effectively etched, and a fine gap that exhibits an anchor effect can be formed between the filler and the resin by etching the filler. become able to. As a result, the plating film is deposited in the minute gaps, and the adhesion between the deposited plating film and the resin substrate can be improved without roughening the surface roughness of the substrate. A printed wiring board with high connectivity can be manufactured.
また、このように、表面粗さを粗くしなくとも密着を向上させることができるので、高速信号や高密度配線等の表面粗さの小さいプリント配線基板の製造に、特に好適に適用することができる。 In addition, since the adhesion can be improved without roughening the surface roughness in this way, it can be particularly suitably applied to the production of a printed wiring board having a small surface roughness such as high-speed signals and high-density wiring. it can.
なお、本実施の形態に係る表面処理方法は、表面粗さの小さくない基材にも適用することができることはいうまでもない。 Needless to say, the surface treatment method according to the present embodiment can be applied to a substrate having a small surface roughness.
本発明は、上述の実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲での設計変更等があっても本発明に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and any design change or the like within a range not departing from the gist of the present invention is included in the present invention.
また、本発明は、配線基板の製造方法、ビルドアップ工法による高密度多層配線基板の製造にのみ適用されるものではなく、例えば、ウエハレベルＣＳＰ（Chip SizエポキシPackageまたはChip ScalエポキシPackage）、あるいはＴＣＰ（Tape Carrier Package）等における多層配線層の製造工程にも適用されるものである。 In addition, the present invention is not only applied to a method for manufacturing a wiring board and a high-density multilayer wiring board by a build-up method. For example, a wafer level CSP (Chip Siz epoxy package or Chip Scal epoxy package), or The present invention is also applied to a manufacturing process of a multilayer wiring layer in TCP (Tape Carrier Package) or the like.
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。なお、下記に詳述する実施例１及び２、並びに比較例１及び２の各実験においては、アンカー効果の小さい、すなわち表面粗さの小さい基材を用いてめっき処理を施し、めっき皮膜の基板からの引き剥がれ性について調べた。なお、本発明は、下記の実施例に何ら限定されるものではない。 Hereinafter, specific examples of the present invention will be described. In each of the experiments of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 described in detail below, plating treatment was performed using a base material having a small anchor effect, that is, a small surface roughness, and a substrate of a plating film The peelability from the film was examined. In addition, this invention is not limited to the following Example at all.
（実施例１）
一般的な絶縁樹脂（味の素ファインテクノ株式会社製 ABF-GX13）を積層させた基板を用い、この基板を膨潤液（上村工業株式会社製 DEC-501）及び樹脂エッチング液（上村工業株式会社製 DES-502）により粗化した後、還元液（上村工業株式会社製 DEN-503H）にフッ化水素ナトリウム３０ｇ／Ｌを含有させた還元処理液にて、３０℃の温度条件で１０分間の還元処理及びフィラーエッチング処理を行い、基板の表面粗さを測定した。
Example 1
Using a substrate laminated with a general insulating resin (ABF-GX13 manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.), this substrate was swollen (DEC-501 manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) and resin etching solution (DES manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.). -502), followed by reduction treatment for 10 minutes at a temperature of 30 ° C. in a reduction treatment solution containing sodium hydrogen fluoride 30 g / L in a reduction solution (DEN-503H manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) And the filler etching process was performed and the surface roughness of the board | substrate was measured.
続いて、その基板に対して、触媒付与プロセス（スルカッププロセス：クリーナーコンディショナーACL-009、プレディップ PED-104、キャタリスト AT-105、アクセレレータ AL-106（全て上村工業株式会社製））により触媒を付与した後、無電解銅めっき液（上村工業株式会社製 PEA）にて無電解銅めっき処理を行い、１μｍのめっき皮膜を形成させた。そして、さらに電気銅めっき液（上村工業株式会社製 ETN）を用いて、電気銅めっき処理を行い、３０μｍの厚みの銅めっき皮膜を形成させ、銅めっき皮膜の引き剥がし強度を測定した。 Subsequently, the catalyst is applied to the substrate by a catalyst application process (through cup process: cleaner conditioner ACL-009, pre-dip PED-104, catalyst AT-105, accelerator AL-106 (all manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.)). Then, electroless copper plating treatment was performed with an electroless copper plating solution (PEA manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) to form a 1 μm plating film. Further, using an electrolytic copper plating solution (ETN manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.), an electrolytic copper plating treatment was performed to form a copper plating film having a thickness of 30 μm, and the peel strength of the copper plating film was measured.
（実施例２）
実施例１と同じく、一般的な絶縁樹脂（味の素ファインテクノ株式会社製 ABF-GX13）を積層させた基板を用い、この基板を膨潤液（上村工業株式会社製 DEC-501）及び樹脂エッチング液（上村工業株式会社製 DES-502）により粗化した後、この実施例２においては、まず還元液（上村工業株式会社製 DEN-503H）にて還元処理を行い、引き続きフッ化水素ナトリウム３０ｇ／Ｌを含むエッチング処理液にて、３０℃の温度条件で１０分間のフィラーエッチング処理を行い、基板の表面粗さを測定した。すなわち、実施例１とは異なり、還元処理の後に、独立してフィラーエッチング処理を行った。
(Example 2)
As in Example 1, using a substrate on which a general insulating resin (ABF-GX13 manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) was laminated, this substrate was swelled (DEC-501 manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) and a resin etching solution ( After roughening by DES-502 manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd., in Example 2, first, reduction treatment (DEN-503H manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) was performed, followed by sodium hydrogen fluoride 30 g / L. In the etching treatment liquid containing, filler etching treatment for 10 minutes was performed at a temperature condition of 30 ° C., and the surface roughness of the substrate was measured. That is, unlike Example 1, the filler etching process was independently performed after the reduction process.
その後、実施例１と同様に、前処理、無電解銅めっき、電気銅めっきを行って、銅めっき皮膜の引き剥がし強度を測定した。 Thereafter, in the same manner as in Example 1, pretreatment, electroless copper plating, and electrolytic copper plating were performed, and the peel strength of the copper plating film was measured.
（比較例１）
実施例１と同じく、一般的な絶縁樹脂（味の素ファインテクノ株式会社製 ABF-GX13）を積層させた基板を用い、この基板を膨潤液（上村工業株式会社製 DEC-501）及び樹脂エッチング液（上村工業株式会社製 DES-502）により粗化した後、還元液（上村工業株式会社製 DEN-503H）にて還元処理を行い、基板の表面粗さを測定した。しかしながら、この比較例１においては、実施例１及び２とは異なり、フィラーエッチング処理は行わなかった。
(Comparative Example 1)
As in Example 1, using a substrate on which a general insulating resin (ABF-GX13 manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) was laminated, this substrate was swelled (DEC-501 manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) and a resin etching solution ( After roughening with DES-502 manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd., reduction treatment was performed with a reducing solution (DEN-503H manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.), and the surface roughness of the substrate was measured. However, in Comparative Example 1, unlike Examples 1 and 2, the filler etching treatment was not performed.
その後、引き続き、実施例１と同様に、前処理、無電解銅めっき、電気銅めっきを行って、銅めっき皮膜の引き剥がし強度を測定した。 Thereafter, in the same manner as in Example 1, pretreatment, electroless copper plating, and electrolytic copper plating were performed, and the peel strength of the copper plating film was measured.
（比較例２）
実施例１と同じく、一般的な絶縁樹脂（味の素ファインテクノ株式会社製 ABF-GX13）を積層させた基板を用い、この基板を膨潤液（上村工業株式会社製 DEC-501）及び樹脂エッチング液（上村工業株式会社製 DES-502）により、比較例１より基板の表面粗さが粗くなるように粗化処理をした後、還元液（上村工業株式会社製 DEN-503H）にて還元処理を行い、基板の表面粗さを測定した。比較例２においても、比較例１と同様に、フィラーエッチング処理を行わなかった。
(Comparative Example 2)
As in Example 1, using a substrate on which a general insulating resin (ABF-GX13 manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) was laminated, this substrate was swelled (DEC-501 manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) and a resin etching solution ( DES-502) manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd. was used to roughen the substrate so that the surface roughness of the substrate was greater than in Comparative Example 1, and then reduced using a reducing solution (DEN-503H manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) The surface roughness of the substrate was measured. Also in Comparative Example 2, as in Comparative Example 1, the filler etching treatment was not performed.
その後、引き続き、実施例１と同様に、前処理、無電解銅めっき、電気銅めっきを行って、銅めっき皮膜の引き剥がし強度を測定した。 Thereafter, in the same manner as in Example 1, pretreatment, electroless copper plating, and electrolytic copper plating were performed, and the peel strength of the copper plating film was measured.
＜実験結果＞ <Experimental result>
表１は、各実験における表面粗さ（Ｒａ）と引き剥がし強度についての測定結果である。なお、表面粗さについては、レーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製 VK-8550）を用いて測定し、また引き剥がし強度については、オートグラフ（島津製作所株式会社製 AGS-100D）を用いて測定した。 Table 1 shows the measurement results for the surface roughness (Ra) and the peel strength in each experiment. The surface roughness was measured using a laser microscope (VK-8550 manufactured by Keyence Corporation), and the peel strength was measured using an autograph (AGS-100D manufactured by Shimadzu Corporation).
表１から明瞭に判るように、実施例１及び実施例２では、基板の表面粗さの小さい基板でも、絶縁樹脂材と銅めっき皮膜との十分な密着効果が確認された。また、この実施例１及び２では、フィラーエッチング処理を行っても、基板表面の粗さの増加は確認されなかった。 As can be clearly seen from Table 1, in Example 1 and Example 2, a sufficient adhesion effect between the insulating resin material and the copper plating film was confirmed even on a substrate having a small surface roughness. In Examples 1 and 2, no increase in the surface roughness of the substrate was confirmed even when the filler etching process was performed.
これに対し、比較例１では、基板の表面粗さを抑えることはできたものの、絶縁樹脂材と銅めっき皮膜との十分な密着効果を発揮させることはできなかった。また、比較例２では、基板表面を比較例１に比べて粗くなるように処理したことにより、絶縁樹脂材と銅めっき皮膜との十分な密着効果を発揮させることはできたものの、表面粗さが０．７８μｍと非常に粗くなり、高速信号を扱う配線基板や高密度な配線基板には不適当な基板となってしまった。 On the other hand, in Comparative Example 1, although the surface roughness of the substrate could be suppressed, a sufficient adhesion effect between the insulating resin material and the copper plating film could not be exhibited. In Comparative Example 2, although the substrate surface was processed to be rougher than Comparative Example 1, it was possible to exert a sufficient adhesion effect between the insulating resin material and the copper plating film, but the surface roughness Became very rough as 0.78 μm, and became a substrate unsuitable for a wiring board that handles high-speed signals or a high-density wiring board.
以上の実験結果からも明確に判るように、本実施の形態に係る表面粗化方法によれば、表面粗さを粗くすることなく、めっき皮膜との密着を向上させることが可能となり、高速信号を扱う配線基板や高密度配線基板に適したプリント回路基板を良好に製造できることが明らかとなった。 As can be clearly seen from the above experimental results, according to the surface roughening method according to the present embodiment, it is possible to improve the adhesion with the plating film without increasing the surface roughness, and the high speed signal. It has become clear that a printed circuit board suitable for a wiring board handling high-density wiring boards can be manufactured satisfactorily.
Claims (6)
上記粗化処理工程により上記絶縁樹脂基板上に生成した処理残渣を還元処理する還元処理工程と、
上記絶縁樹脂基板に含有されるフィラーをエッチングするエッチング処理工程と、
上記エッチング処理工程にてエッチングされた絶縁樹脂に対してめっき処理を施すめっき処理工程と
を有する表面処理方法。 A roughening process for roughening the insulating resin substrate;
A reduction treatment step of reducing the treatment residue generated on the insulating resin substrate by the roughening treatment step;
An etching process step for etching the filler contained in the insulating resin substrate;
And a plating treatment step of performing a plating treatment on the insulating resin etched in the etching treatment step.
上記粗化処理工程により上記絶縁樹脂基板上に生成した処理残渣を還元処理するとともに、該絶縁樹脂基板に含有されるフィラーをエッチングする還元及びエッチング処理工程と、
上記還元及びエッチング処理工程にてエッチングされた絶縁樹脂に対してめっき処理を施すめっき処理工程と
を有する表面処理方法。 A roughening process for roughening the insulating resin substrate;
A reduction and etching treatment step of reducing the treatment residue generated on the insulating resin substrate by the roughening treatment step, and etching the filler contained in the insulating resin substrate;
A plating treatment step of performing a plating treatment on the insulating resin etched in the reduction and etching treatment steps.
フッ素化合物を含有し、絶縁樹脂に添加されるフィラーをエッチングするエッチング処理液。 It is used for the surface treatment method according to any one of claims 1 to 4,
An etching treatment liquid that etches a filler that contains a fluorine compound and is added to an insulating resin.
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