JP2009266451A - 表示装置の製造方法および転写基板 - Google Patents

Abstract

【課題】装置基板側のレイアウトや材質に制限を加えずに簡便な手順で補助電極上の有機層を除去できる表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極５と補助電極５ａとを絶縁性を保って基板１上にパターン形成し、この上部に有機層１３，１５ｂ，１７を成膜する。孔パターン２３ａが設けられた光熱変換層２３とこの上部の膜厚調整層（有機転写層）１９と備えた転写基板３０を用意し、膜厚調整層１９と電子輸送層（有機層）１７とを対向させると共に孔パターン２ａと補助電極５ａとを対向させて転写基板３０と基板１とを重ね合わせる。転写基板３０側から光熱変換層２３にレーザ光Ｌｈを照射し、光熱変換層２３上の膜厚調整層１９を下部電極５上に熱転写して膜厚調整層（有機転写パターン）を形成する。また、補助電極５ａにレーザ光Ｌｈを照射し、補助電極５ａ上の有機層を除去する。
【選択図】図４

Description

本発明は表示装置の製造方法および転写基板に関し、特には有機層を電極で挟持してなる有機電界発光素子を備えた表示装置の製造方法、およびこの製造方法に用いる転写基板に関する。

有機材料のエレクトロルミネッセンスを利用した有機電界発光素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。このような有機電界発光素子を用いたアクティブマトリックス型の表示装置においては、基板上の各画素に薄膜トランジスタを用いた画素駆動回路が設けられ、これを覆う層間絶縁膜上に有機電界発光素子が形成されている。

各有機電界発光素子は、画素駆動回路に接続された状態で画素毎にパターン形成された下部電極、および下部電極の中央部を画素開口として露出させてその周囲を覆う分離絶縁膜を備えている。そして、この分離絶縁膜における画素開口内の下部電極上に有機層が設けられ、この有機層を覆う状態で上部電極を設けた構成となっている。このうち上部電極は、例えば複数の画素を覆うベタ膜として形成され、複数の画素間に共通の上部共通電極として用いられている。

以上のような構成のアクティブマトリックス型の表示装置においては、有機電界発光素子の開口率を確保するために、基板と反対側から光を取り出す、いわゆる上面光取り出し構造（以下、上面発光型と記す）として構成することが有効になる。このため、上部電極は、光透過性を確保するために薄膜化が要求され、これにより抵抗値が上昇して電圧降下が生じ易くなる傾向にある。そこで、下部電極と同一層からなる補助電極を、下部電極に対して絶縁性を保って形成し、この補助電極を上部電極に接続させることにより、上部電極の電圧降下を防止している。

以上のような表示装置の製造においては、有機層を形成する技術として、従来から行われているマスク蒸着法と比較して、基板の大型化が可能な転写法が注目されている。転写法による有機層の形成では、光熱変換層上に有機層を設けた転写基板を用意し、この有機層側を下部電極に対向させる状態で基板と転写基板とを重ね合わせる。そして転写基板側から照射したレーザ光を光熱変換層で熱変換し、光熱変換層上の有機層を下部電極上に熱転写する。

ここで熱転写される有機層のうち、発光層は各色画素毎にそれぞれパターン形成され、その他の正孔輸送層等の各色画素に共通の有機層は、基板上に一括形成される。このため、熱転写後には、補助電極上に成膜される共通の有機層を除去する必要がある。

そこで、有機層の形成後に、有機層側からのレーザ照射によって補助電極上の有機層を選択的に除去する手法が提案されている（以上、下記特許文献１参照）。またこのようなレーザ照射を、基板側から行う手法も提案されている。この場合、基板として光透過性基板を用い、この基板と補助電極との間に光熱変換層を配置するか、または補助電極自体を光熱変換層として用い、これによって補助電極上の有機層を選択的に除去するとしている（以上、下記特許文献２参照）。

特開２００５−１１８１０号公報 特開２００６−２８６４９３号公報

しかしながら、有機層側からのレーザ照射によって有機層を除去する方法では、製造装置のレーザ照射部において転写基板を用いた有機層の熱転写を行い、次にレーザ照射部の基板を転写基板分離部に移動させて基板上から転写基板を分離除去する。そして再びレーザ照射部において有機層側からのレーザ照射を行うことになる。このため、製造装置内において基板の移動頻度が高く、スループットの低下要因となっている。

また、基板側からのレーザ光照射によって補助電極上の有機層を除去する方法では、補助電極と基板との間にレーザ光を吸収する材料層を配置できず、アクティブマトリックスの画素駆動回路のレイアウトが制限される。しかも、基板や補助電極の材質も制限されることになり、部品コストが増大する要因となっている。

そこで本発明は、装置基板側のレイアウトや材質に制限を加えることなく、より簡便な手順で補助電極上の有機層を除去でき、これによってスループットの向上および製造コストの削減を図ることが可能な表示装置の製造方法および転写基板を提供することを目的とする。

このような目的を達成するための本発明の表示装置の製造方法は、次の工程を行うことを特徴としている。先ず第１工程では、下部電極と補助電極とを絶縁性を保った状態で基板上にパターン形成する。次の第２工程では、基板上に有機層を成膜する。次いで、第３工程では、孔パターンを備えた光熱変換層とこの上部の有機転写層と備えた転写基板を用意し、基板と重ね合わせる。この際、転写基板上の有機転写層と基板上の有機層とを対向させると共に、転写基板側の孔パターンと基板側の補助電極とを対向させる。その後、第４工程では、転写基板側から光熱変換層にエネルギー線を照射することにより、当該光熱変換層上の有機転写層を下部電極上に熱転写して有機転写パターンを形成する。また第４工程と前後して行われる第５工程では、転写基板側から孔パターンを介して補助電極にエネルギー線を照射することにより、補助電極上の有機層を除去する。そして、以上の後の第６工程では、有機転写パターン上に積層されると共に、有機層が除去された補助電極に接する状態で、基板上に上部電極を形成する。

また本発明はこのような製造方法に用いる転写基板でもあり、光透過性の基板と、孔パターンを備えて前記基板上に設けられた光熱変換層と、光熱変換層を介して基板上に設けられた有機転写層とを有している。

以上のような構成によれば、基板上への有機転写パターンの形成のためのエネルギー線の照射と、既に形成されている有機層を補助電極上から選択的に除去するためのエネルギー線の照射とが、１枚の転写基板を介して連続して行われる。このため２回のエネルギー線の照射の間に、基板上から転写基板を分離除去する必要がない。また、転写基板側からのエネルギー線の照射であるため、下部電極が形成された基板側のレイアウトや材質などの構成に制限が加わることもない。

以上説明したように本発明によれば、装置基板側のレイアウトや材質に制限を加えることなく、より簡便な手順で補助電極上の有機層を除去することができる。これによって有機電界発光素子を有する表示装置の製造において、スループットの向上および製造コストの削減を図ることが可能になる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。各実施形態では、有機電界発光素子を用いたアクティブマトリックス型の表示装置の製造工程と、この製造工程中で用いる転写基板の構成とを、断面工程図に従って説明する。

＜第１実施形態＞
先ず、図１に示すように、例えばガラスからなる基板１上の各画素ａ上に薄膜トランジスタＴｒを形成する。またここでの図示は省略したが、基板１上には、この薄膜トランジスタＴｒの形成と同一プロセスで、薄膜トランジスタＴｒに接続される信号線や走査線、さらには周辺回路を形成する。尚、画素ａは、各色の画素ａ（Ｒ），ａ（Ｇ），ａ（Ｂ）を１組にして１つの表示画素を構成し、基板１上にマトリックス状に配列されている。

次に、この薄膜トランジスタＴｒを備えた画素駆動回路を覆う状態で、基板１上に層間絶縁膜３を形成する。この層間絶縁膜３は、表面平坦な平坦化絶縁膜として形成されると共に、薄膜トランジスタＴｒに達する接続孔３ａを備えて形成されることとする。

次に、以上のような層間絶縁膜３で表面が覆われた基板１上に、接続孔３ａを介して各薄膜トランジスタＴｒに接続された下部電極５を、画素電極として配列形成する。この下部電極５は、例えば有機電界発光素子の陽極として用いられるものであり、一例としてクロム（Ｃｒ）を用いて形成される。また下部電極５の形成と同一工程で、下部電極５と絶縁性を保った位置に補助電極５ａを形成する。この補助電極５ａは、下部電極５−５間に配置される、例えば格子状に設けられていることとする。

次いで、下部電極５の周縁を覆う分離絶縁膜７を、基板１上にパターン形成する。この分離絶縁膜７は、下部電極５の中央を広く開口する画素開口７ａを備えると共に、補助電極５ａに達する接続孔７ｂを備えている。接続孔７ｂは、表示に影響のない位置に設けられていれば良い。このため、分離絶縁膜７は、格子状のパターンを有し、この格子状の各位置に接続孔７ｂを設けた形状で形成される。このような分離絶縁膜７のパターン形成は、例えばリソグラフィー技術を適用して行う。この場合、例えばポリイミドのような感光性組成物を用い、塗布性膜されたポリイミド膜に対してリソグラフィー処理を行うことにより、画素開口７ａおよび接続孔７ｂを形成する。

次に、下部電極５の露出面上を完全に覆う状態で、正孔注入層と正孔輸送層とをこの順に積層してなる正孔供給層１３を有機層として成膜する。この際先ず、正孔注入層として、例えばｍ−ＭＴＤＡＴＡ〔4,4,4 -tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine〕を２５ｎｍの膜厚で蒸着成膜する。次に、正孔輸送層として、α−ＮＰＤ[4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl]を３０ｎｍの膜厚で蒸着成膜する。

これにより、正孔注入層と正孔輸送層の積層構造からなる正孔供給層（有機層）１３は、画素開口７ａ底部の下部電極上５上のみならず、分離絶縁膜７上や接続孔７ｂ底部の補助電極５ａの上部にも成膜される。

次に、図１（２）に示すように、転写基板２０ｇを用いた転写法により、緑色の画素ａ（Ｇ）における下部電極５の上方に緑色発光層１５ｇを有機転写パターンとして形成する。

この際先ず、転写基板２０ｇを用意する。この転写基板２０ｇは、ガラスやプラスチック材料からなる光透過性基板２１上に、光熱変換層２３を設けている。この光熱変換層２３は、例えばスパッタリング法によってクロム（Ｃｒ）を２００ｎｍの膜厚で成膜してなる。またこの光熱変換層２３上には、保護層２５として窒化シリコン膜（ＳｉＮx）が９０ｎｍの膜厚でＣＶＤ法によって成膜されている。そして、この保護層２５上に、緑色発光材料を含有する発光転写層１５Ｇが２５ｎｍの膜厚で成膜されている。ここで用いる緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでも良い。また発光転写層１５Ｇは、緑色発光材料の他に、正孔輸送性材料、電子輸送性材料、および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいることとする。このような発光転写層１５Ｇは、例えばジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に、緑色発光材料であるクマリン６を５重量％混合したものにより構成されていることとする。

以上のような構成の転写基板２０ｇを用いた転写は、次のように行う。先ず、真空雰囲気中において、正孔供給層（有機層）１３までを形成した基板１と、転写基板２０ｇとを、正孔供給層（有機層）１３と発光転写層１５Ｇを対向させる状態で重ね合わせる。この際、基板1上の分離絶縁膜７が、スペーサとして機能する。これにより、基板１と転写基板２０ｇとを重ね合わせた状態でも、基板１側の下部電極５上における正孔供給層（有機層）１３と、転写基板２０ｇ側の発光転写層１５Ｇとの間に、真空状態の空間が形成される。

この状態で、転写基板２０ｇ側から光熱変換層２３に、エネルギー線として例えばレーザ光Ｌｈを照射する。この際、緑色発光の画素ａ（Ｇ）に対応する部分のみに選択的にレーサ光Ｌｈを照射し、光熱変換層２３のレーザ光Ｌｈ照射部に熱を発生させる。レーザ光Ｌｈとしては、例えば波長８００ｎｍの半導体レーザ光を用い、照射条件としては例えば０．３ｍＷ／μｍ²、スキャン速度２５０ｍｍ／ｓｅｃとする。そして、レーザ光Ｌｈの照射部に対応する部分の発光転写層１５Ｇを、基板１側の画素ａ（Ｇ）部に熱転写させ、基板１の下部電極５上方に、有機転写パターンとして緑色発光層１５ｇをパターン形成する。

そして、この転写後には、重なり合っている基板１と転写基板２０ｇとを分離する。

次に、図２（１）に示すように、転写基板２０ｒを用いた転写法により、赤色の画素ａ（Ｒ）における下部電極５の上方に赤色発光層１５ｒを有機転写パターンとして形成する。

この際先ず、転写基板２０ｒを用意する。この転写基板２０ｒは、緑色発光層１５ｇを転写する際に用いた転写基板において、緑色発光材料を含有する発光転写層（１５Ｇ)に換えて、赤色発光材料を含有する発光転写層１５Ｒを用いた構成であって良い。赤色発光材料を含有する発光転写層１５Ｒは、例えば３０ｎｍの膜厚で成膜されている。ここで用いる赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでも良い。また発光転写層１５Ｒは、赤色発光材料の他に、正孔輸送性材料、電子輸送性材料、および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいることとする。このような発光転写層１５Ｒは、例えばジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に、赤色発光材料である２，６≡ビス［（４’≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されていることとする。

そして、以上のような構成の転写基板２０ｒを用いた転写は、緑色の転写基板２０ｇを用いた転写と同様に行ってよい。すなわち、先ず、真空雰囲気中において、緑色の発光層１５ｇまでを形成した基板１と、転写基板２０ｒとを、正孔供給層（有機層）１３と発光転写層１５Ｒとを対向させる状態で重ね合わせる。この際、基板1上の分離絶縁膜７が、スペーサとして機能する。これにより、基板１と転写基板２０ｒとを重ね合わせた状態でも、基板１側の下部電極５上における正孔供給層（有機層）１３と、転写基板２０ｒ側の発光転写層１５Ｇとの間に、真空状態の空間が形成されることも同様である。

この状態で、転写基板２０ｒ側から光熱変換層２３に、エネルギー線として例えばレーザ光Ｌｈを照射する。この際、赤色発光の画素ａ（Ｒ）に対応する部分のみに選択的にレーサ光Ｌｈを照射し、光熱変換層２３のレーザ光Ｌｈ照射部に熱を発生させる。レーザ光Ｌｈとしては、例えば波長８００ｎｍの半導体レーザ光を用い、照射条件としては例えば０．３ｍＷ／μｍ²、スキャン速度２５０ｍｍ／ｓｅｃとする。そして、レーザ光Ｌｈの照射部に対応する部分の発光転写層１５Ｒを、基板１側の画素ａ（Ｒ）部に熱転写させ、基板１の下部電極５上方に、有機転写パターンとして赤色発光層１５ｒをパターン形成する。

そして、この転写後には、重なり合っている基板１と転写基板２０ｒとを分離する。

尚、以上の緑色の発光層１５ｇの転写によるパターン形成と、赤色の発光層１５ｒの転写によるパターン形成とは、どちらを先に行っても良い。

次に図２（２）に示すように、青色の画素ａ（Ｂ）を含む基板1上の全面に、青色発光層１５ｂを形成する。このような青色発光層１５ｂの形成は、正孔注入層、正孔輸送層と同様の蒸着法にて行われる。

青色発光材料を含有する発光転写層は、例えば３０ｎｍの膜厚で成膜されている。ここで用いる青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでも良い。また青色の発光転写層は、青色発光材料の他に、正孔輸送性材料、電子輸送性材料、および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいることとする。このような発光転写層は、例えばジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に、青色発光材料である４，４’≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されていることとする。

尚、このように基板1上の全面に成膜される有機層としての発光層１５ｂは、赤色の画素ａ（Ｒ）および緑色の画素ａ（Ｇ）において、共振膜厚を調整する層として機能する。

次に、基板１上の全面に成膜された青色発光層１５ｂ上に、有機層として電子輸送層１７を２０ｎｍ程度の膜厚で成膜する。この電子輸送層１７は、例えば８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）からなり、蒸着法にて全面成膜される。

以上の後、図３に示すように、転写基板３０を用いた転写法により、青色の画素ａ（Ｂ）における電子輸送層１７の上方に、共振膜厚を調整するための膜厚調整層１９を有機転写パターンとして形成する。本第１実施形態においては、この工程からが特徴的である。

この際先ず、転写基板３０を用意する。この転写基板３０は、ガラスやプラスチック材料からなる光透過性基板２１上に、光熱変換層２３としてクロム（Ｃｒ）が２００ｎｍの膜厚でスパッタリング法により成膜されている。この光熱変換層２３には、例えばリソフラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクにしたエッチングによって孔パターン２３ａが設けられているところが特徴的である。この孔パターン２３ａは、基板１側の分離絶縁膜７に形成した接続孔７ａに対応する位置に設けられていることとする。

このような孔パターン２３ａを備えた光熱変換層２３上に、保護層２５として窒化シリコン膜（ＳｉＮx）が９０ｎｍの膜厚でＣＶＤ法によって成膜されている。そして、この保護層２５上に、膜厚調整層１９として８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）が１２０ｎｍの膜厚で成膜されている。

以上のような構成の転写基板３０を用いた転写は、次のように行う。先ず、真空雰囲気中において、基板１と転写基板３０とを、電子輸送層（有機層）１７と膜厚調整層１９とを対向させる状態で重ね合わせる。この際、基板１側の形成した分離絶縁膜７の接続孔７ｂと、転写基板３０に形成した光熱変換層２３の孔パターン２３ａとを対向させて配置することが重要である。また、基板1上の分離絶縁膜７がスペーサとして機能し、基板１と転写基板３０とを重ね合わせた状態でも、この間に真空状態の空間が形成されることは、上述した各層の転写と同様である。

この状態で、転写基板３０側から光熱変換層２３に、エネルギー線として例えばレーザ光Ｌｈを照射する。この際、青色発光の画素ａ（Ｂ）に対応する部分のみに選択的に、上述と同様のレーサ光Ｌｈを照射し、レーザ光Ｌｈの照射部に対応する部分の膜厚調整層１９を、有機転写パターンとして基板１側の画素ａ（Ｂ）部に熱転写させる。

その後、図４に示すように、同様の転写基板３０側から、転写基板３０に形成した光熱変換層２３の孔パターン２３ａ部分にレーザ光Ｌｈを選択的に照射する。これにより、孔パターン２３ａを介して、基板１側の分離絶縁膜７に形成した接続孔７ｂ底部の補助電極５ａにレーザ光Ｌｈを照射し、この補助電極７ａでの光熱変換によってレーザ光Ｌｈ照射部に熱を発生させる。そして、レーザ光Ｌｈの照射部に対応する補助電極７ａ上の有機層、すなわち正孔供給層１３、青色の発光層１５ｂ、さらには電子輸送層１７を、昇華させて除去する。

そして、このような有機層の除去後には、重なり合っている基板１と転写基板３０とを分離する。

尚、同一の転写基板３０を基板１に対して重ね合わせて行われる、膜厚調整層の転写工程と有機層の除去工程とは、どちらを先に行っても良い。

また、転写基板３０の光熱変換層２３と、有機層（正孔供給層１３、青色の発光層１５ｂ、および電子輸送層１７）の除去の際に光熱変換層として用いられる補助電極７ａを、同一材料であるＣｒで構成することもできる。このため、図３に示した膜厚調整層１９をパターン転写するためのレーザ光Ｌｈの照射範囲を、両側の補助電極７ａにまで広げることにより、１回のレーザ光Ｌｈの照射でこの部分の有機層も除去可能である。

以上の後、図５に示すように、膜厚調整層１９がパターン転写され、補助電極５ａ上の有機層を除去した基板１上に、各画素ａに共通の上部電極４１を形成し、接続孔７ｂ底部に露出させた補助電極５ａに対して上部電極４１を接する状態とする。この上部電極４１は、例えば有機電界発光素子の陰極として用いられるものであり、この上部電極４１と下部電極５とで、有機材料からなる各色の発光層１５ａ，１５ｇ，１５ｂを含む有機材料層を挟む部分に、各色発光の有機電界発光素子ＥＬが形成される。

ここで、各有機電界発光素子ＥＬは、各色の発光層１５ａ，１５ｇ，１５ｂで発生した発光光を、下部電極５と上部電極４１との間で共振させて上部電極４１側から取り出す微小共振器構造として形成された上面発光型として形成される。このため、上部電極４１は半透過半反射性の材料で構成され、例えばマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）を１０ｎｍの膜厚で形成してされる。このような上部電極４１は、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ(chemical vapor deposition)法によって上部共通電極の形成を行うこととする。また、望ましくは、有機材料からなる層を大気に暴露することなく、有機材料からなる各層の形成と同一の装置内において連続して上部電極４１の形成を行うことで、大気中の水分による有機材料からなる層の劣化を防止する。

次に、上部電極４１上に、絶縁性または導電性の保護膜４３を設ける。この際、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法で、例えば蒸着法やＣＶＤ(chemical vapor deposition)法によって保護膜４３の形成を行うこととする。また、保護膜４３の形成は、上部電極４１を大気に暴露することなく、上部電極４１の形成と同一の装置内において連続して行うこととする。これによって、大気中の水分や酸素による有機層の劣化を防止する。

また、この保護膜４３は、有機層への水分の到達防止を目的とし、透過水性,吸水性の低い材料を用いて十分な膜厚で形成されることとする。さらに、表示装置が上面発光型である場合には、この保護膜は有機層で発生した光を透過する材料からなり、例えば８０％程度の透過率が確保されていることとする。

そして、特にここでは、保護膜４３を絶縁性材料によって形成する、つまり、金属薄膜からなる単層構造の上部電極４１上に、絶縁性の保護膜４３を直接形成する。このような保護膜４３として、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）,アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）,アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx ）さらにはアモルファスカーボン（α−Ｃ）等を好適に用いることができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。

例えば、アモルファス窒化シリコンからなる保護膜４３を形成する場合には、ＣＶＤ法によって０．５〜３μｍの膜厚に形成されることとする。ただし、この際、有機層の劣化による輝度の低下を防止するため成膜温度を常温に設定し、さらに、保護膜４３の剥がれを防止するために膜のストレスを最小になる条件で成膜することが望ましい。

尚、保護膜４３を導電性材料で構成する場合には、ＩＴＯやＩＸＯのような透明導電性材料が用いられる。

以上のようにして保護膜４３を形成した後には、必要に応じて保護膜４３上に紫外線硬化樹脂を介してガラス基板を固着し、表示装置４５を完成させる。

以上のような第１実施形態によれば、図３および図４を用いて説明したように、基板１上への膜厚調整層（有機転写パターン）１９ａの形成のためのレーザ光Ｌｈの照射と、既に形成されている有機層（正孔供給層１３、青色の発光層１５ｂ、電子輸送層１７）を補助電極５ａ上から選択的に除去するためのレーザ光Ｌｈの照射とが、１枚の転写基板３０を介して連続的に行われる。したがって、これらの２回のレーザ光Ｌｈの照射の間に、基板１上から転写基板３０を分離除去する必要がない。また、レーザ光Ｌｈの照射は、全て転写基板３０側からなされるため、下部電極５が形成された基板１側のレイアウトや材質などの構成に制限が加わることもない。

したがって、表示装置４５の基板１側のレイアウトや材質に制限を加えることなく、より簡便な手順で補助電極５ａ上の有機層を除去することができる。この結果、有機電界発光素子ＥＬを有する表示装置４５の製造において、スループットの向上および製造コストの削減を図ることが可能になる。

＜第２実施形態＞
図６，７は第２実施形態の製造方法の特徴部を示す断面工程図である。以下第２実施形態の製造方法を説明する。尚、第１形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

先ず、第１実施形態で図１および図２を用いて説明したと同様の手順で、基板１上の全面に電子輸送層１７を形成するまでを行う。その後、青色の画素ａ（Ｂ）における電子輸送層１７の上方に、共振膜厚を調整するための膜厚調整層を有機転写パターンとして形成する工程を行うが、本第２実施形態においては、この工程からが特徴的である。

すなわち、先ず図６に示すように、本第２実施形態に特徴的な転写基板３２を用意する。この転写基板３２は、ガラスやプラスチック材料からなる光透過性基板２１上における青色の画素ａ（Ｂ）に対応する部分に、光熱変換層２３がパターン形成されている。この光電変換層２３は、スパッタリング法によって成膜した膜厚２００ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜からなり、例えばリソフラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクにしたエッチングによってパターニングされている。

そして、この光熱変換層２３と同一層には、光反射層３５がパターン形成されているところが特徴的である。この光反射層３５は、例えば以降に用いるエネルギー線としてのレーザ光を反射する材質で構成されれば良く、例えばＡｇ、Ａｌやこれら金属を主成分とした合金からなる。この光反射層３５には、例えばリソフラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクにしたエッチングによって孔パターン３５ａおよび開口窓３５ｂが設けられているところが特徴的である。このうち孔パターン３３ａは、基板１側の分離絶縁膜７に形成した接続孔７ａに対応する位置に設けられていることとする。また開口窓３５ｂは、青色の画素ａ（Ｂ）に対応する部分に設けられている。そしてこの開口窓３５ｂ内に、光熱変換層２３が配置された構成となっている。尚、この光熱変換層２３、さらには光熱変換層２３と光反射層３５との間において接続孔７ａに対応する位置にも、孔パターン２３ａが設けられていることとする。

そしてこのような孔パターン２３ａ，３５ａを備えた光熱変換層２３および光反射層３５上に、保護層２５として窒化シリコン膜（ＳｉＮx）が９０ｎｍの膜厚でＣＶＤ法によって成膜されている。そして、この保護層２５上に、膜厚調整層１９として８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）が１２０ｎｍの膜厚で成膜されている。

以上のような構成の転写基板３２を用いた転写は、次のように行う。先ず、真空雰囲気中において、基板１と転写基板３２とを、電子輸送層（有機層）１７と膜厚調整層１９とを対向させる状態で重ね合わせる。この際、基板１側の形成した分離絶縁膜７の接続孔７ｂと、転写基板３０に形成した孔パターン２３ａ，３５ａとを対向させて配置することが重要である。また、基板1上の分離絶縁膜７がスペーサとして機能し、基板１と転写基板３０とを重ね合わせた状態でも、この間に真空状態の空間が形成されることは、上述した各層の転写と同様である。

この状態で、転写基板３２側の全面に、エネルギー線として例えばレーザ光Ｌｈを照射する。レーザ光Ｌｈとしては、光熱変換層２３および補助配線５ａで吸収されて発熱し、光反射層３５に対する反射率が高い波長を選択する。このようなレーザ光Ｌｈとしては、例えば波長８００ｎｍの半導体レーザ光を用い、照射条件としては例えば０．３ｍＷ／μｍ²、スキャン速度２５０ｍｍ／ｓｅｃとする。これにより、光熱変換層２３が配置された部分においては、膜厚調整層１９を有機転写パターンとして基板１側の画素ａ（Ｂ）部に熱転写させる。また、光反射層３５が配置された部分においては、レーザ光Ｌｈが反射されるため、膜厚調整層１９の転写は発生しない。さらに孔パターン２３ａ，３５ａが配置された部分においては、孔パターン２３ａ，３５ａを介して、基板１側の分離絶縁膜７に形成した接続孔７ｂ底部の補助電極５ａにレーザ光Ｌｈが照射され、この補助電極７ａでの光熱変換によってレーザ光Ｌｈ照射部に熱を発生させる。そして、レーザ光Ｌｈの照射部に対応する補助電極７ａ上の有機層、すなわち正孔供給層１３、青色の発光層１５ｂ、さらには電子輸送層１７を、昇華させて除去する。

そして、このような有機層の除去後には、重なり合っている基板１と転写基板３２とを分離する。

その後は、第１実施形態において図５を用いて説明したと同様にして、膜厚調整層１９がパターン転写され、補助電極５ａ上の有機層を除去した基板１上に、各画素ａに共通の上部電極４１を形成する。これにより、この上部電極４１と下部電極５とで、有機材料からなる各色の発光層１５ａ，１５ｇ，１５ｂを含む有機材料層を挟む部分に、各色発光の有機電界発光素子ＥＬが形成される。またさらに、上部電極４１上に、絶縁性または導電性の保護膜４３を設け、必要に応じて保護膜４３上に紫外線硬化樹脂を介してガラス基板を固着して表示装置４５を完成させる。

以上のような第２実施形態では、図７を用いて説明したように、基板１上への膜厚調整層（有機転写パターン）１９ａの形成のためのレーザ光Ｌｈの照射と、既に形成されている有機層（正孔供給層１３、青色の発光層１５ｂ、電子輸送層１７）を補助電極５ａ上から選択的に除去するためのレーザ光Ｌｈの照射とが、１枚の転写基板３０を介して同時に行われる。第１実施形態と比較して、さらにスループットの向上が図られる。また、レーザ光Ｌｈの照射は、全て転写基板３０側からなされるため、下部電極５が形成された基板１側のレイアウトや材質などの構成に制限が加わることがなく、製造コストの削減を図ることが可能になることは、第１実施形態と同様である。

＜第３実施形態＞
図８〜図１４は、第３実施形態の製造方法を説明するための断面工程図であり、以下これららの図面に基づいて第３実施形態を説明する。尚、第１形態と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を行う。

先ず、第１実施形態で図１（１）を用いて説明したと同様の手順で、基板１上の全面に正孔供給層（有機層）１３を形成するまでを行う。

その後、緑青色の画素ａ（Ｇ）における電子輸送層１７の上方に、緑色発光層を有機転写パターンとして形成する工程を行うが、本第３実施形態においては、この工程が特徴的である。

すなわち、先ず図８に示すように、本第３実施形態に特徴的な転写基板２０ｇ’を用意する。この転写基板２０’は、ガラスやプラスチック材料からなる光透過性基板２１上に、光熱変換層２３としてクロム（Ｃｒ）が２００ｎｍの膜厚でスパッタリング法により成膜されている。この光熱変換層２３には、例えばリソフラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクにしたエッチングによって孔パターン２３ａが設けられているところが特徴的である。この孔パターン２３ａは、基板１側の分離絶縁膜７に形成した接続孔７ａに対応する位置に設けられていることとする。

このような孔パターン２３ａを備えた光熱変換層２３上に、保護層２５として窒化シリコン膜（ＳｉＮx）が９０ｎｍの膜厚でＣＶＤ法によって成膜されている。そして、この保護層２５上に、緑色発光材料を含有する発光転写層１５Ｇが２５ｎｍの膜厚で成膜されている。ここで用いる緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでも良い。また発光転写層１５Ｇは、緑色発光材料の他に、正孔輸送性材料、電子輸送性材料、および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいることとする。このような発光転写層１５Ｇは、例えばジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に、緑色発光材料であるクマリン６を５重量％混合したものにより構成されていることとする。

以上のような構成の転写基板２０ｇ’を用いた転写は、次のように行う。先ず、真空雰囲気中において、正孔供給層（有機層）１３までを形成した基板１と、転写基板２０ｇ’とを、正孔供給層（有機層）１３と発光転写層１５Ｇを対向させる状態で重ね合わせる。この際、基板1上の分離絶縁膜７が、スペーサとして機能する。これにより、基板１と転写基板２０ｇとを重ね合わせた状態でも、基板１側の下部電極５上における正孔供給層（有機層）１３と、転写基板２０ｇ側の発光転写層１５Ｇとの間に、真空状態の空間が形成される。

この状態で、図９に示すように、転写基板２０ｇ’側から光熱変換層２３に、エネルギー線として例えばレーザ光Ｌｈを照射する。この際、緑色発光の画素ａ（Ｇ）に対応する部分のみに選択的にレーサ光Ｌｈを照射し、光熱変換層２３のレーザ光Ｌｈ照射部に熱を発生させる。レーザ光Ｌｈとしては、例えば波長８００ｎｍの半導体レーザ光を用い、照射条件としては例えば０．３ｍＷ／μｍ²、スキャン速度２５０ｍｍ／ｓｅｃとする。そして、レーザ光Ｌｈの照射部に対応する部分の発光転写層１５Ｇを、基板１側の画素ａ（Ｇ）部に熱転写させ、基板１の下部電極５上方に、有機転写パターンとして緑色発光層１５ｇをパターン形成する。

その後、図１０に示すように、同様の転写基板２０ｇ’側から、転写基板２０ｇ’に形成した光熱変換層２３の孔パターン２３ａ部分にレーザ光Ｌｈを選択的に照射する。これにより、孔パターン２３ａを介して、基板１側の分離絶縁膜７に形成した接続孔７ｂ底部の補助電極５ａにレーザ光Ｌｈを照射し、この補助電極７ａでの光熱変換によってレーザ光Ｌｈ照射部に熱を発生させる。そして、レーザ光Ｌｈの照射部に対応する補助電極７ａ上の有機層、すなわち正孔供給層１３を、昇華させて除去する。

そして、このような有機層の除去後には、重なり合っている基板１と転写基板２０ｇ’とを分離する。

尚、同一の転写基板２０ｇ’を基板１に対して重ね合わせて行われる、緑色発光層１５ｇの転写工程と正孔供給層（有機層）１３の除去工程とは、どちらを先に行っても良い。

以降の工程は、第１実施形態において図２〜図５を用いて説明したと同様の手順を行えば良い。

すなわち先ず、図１１（１）に示すように、転写基板２０ｒを用いた転写法により、赤色の画素ａ（Ｒ）における下部電極５の上方に赤色発光層１５ｒを有機転写パターンとして形成する。

この際先ず、転写基板２０ｒを用意する。この転写基板２０ｒは、緑色発光層１５ｇを転写する際に用いた転写基板において、緑色発光材料を含有する発光転写層（１５Ｇ)に換えて、赤色発光材料を含有する発光転写層１５Ｒを用いた構成であって良い。赤色発光材料を含有する発光転写層１５Ｒは、例えば３０ｎｍの膜厚で成膜されている。ここで用いる赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでも良い。また発光転写層１５Ｒは、赤色発光材料の他に、正孔輸送性材料、電子輸送性材料、および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいることとする。このような発光転写層１５Ｒは、例えばジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に、赤色発光材料である２，６≡ビス［（４’≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されていることとする。

そして、以上のような構成の転写基板２０ｒを用いた転写は、緑色の転写基板２０ｇを用いた転写と同様に行ってよい。すなわち、先ず、真空雰囲気中において、緑色の発光層１５ｇまでを形成した基板１と、転写基板２０ｒとを、正孔供給層（有機層）１３と発光転写層１５Ｒとを対向させる状態で重ね合わせる。この際、基板1上の分離絶縁膜７が、スペーサとして機能する。これにより、基板１と転写基板２０ｒとを重ね合わせた状態でも、基板１側の下部電極５上における正孔供給層（有機層）１３と、転写基板２０ｒ側の発光転写層１５Ｇとの間に、真空状態の空間が形成されることも同様である。

この状態で、転写基板２０ｒ側から光熱変換層２３に、エネルギー線として例えばレーザ光Ｌｈを照射する。この際、赤色発光の画素ａ（Ｒ）に対応する部分のみに選択的にレーサ光Ｌｈを照射し、光熱変換層２３のレーザ光Ｌｈ照射部に熱を発生させる。レーザ光Ｌｈとしては、例えば波長８００ｎｍの半導体レーザ光を用い、照射条件としては例えば０．３ｍＷ／μｍ²、スキャン速度２５０ｍｍ／ｓｅｃとする。そして、レーザ光Ｌｈの照射部に対応する部分の発光転写層１５Ｒを、基板１側の画素ａ（Ｒ）部に熱転写させ、基板１の下部電極５上方に、有機転写パターンとして赤色発光層１５ｒをパターン形成する。

そして、この転写後には、重なり合っている基板１と転写基板２０ｒとを分離する。

尚、以上の緑色発光層１５ｇの転写によるパターン形成および補助電極５ａ上の正孔供給層１３の除去と、赤色発光層１５ｒの転写によるパターン形成とは、どちらを先に行っても良い。また、赤色発光層１５ｒの転写の際に、孔パターンを備えた光熱変換層を有する転写基板を用いることにより、赤色発光層１５ｒの転写によるパターン形成と補助電極５ａ上の正孔供給層１３の除去とを同一の転写基板を介して行うようにしても良い。

次に図１１（２）に示すように、青色の画素ａ（Ｂ）を含む基板1上の全面に、青色発光層１５ｂおよび電子輸送層１７をこの順に形成する。このような青色発光層１５ｂおよび電子輸送層１７の形成は、蒸着法によって行う。また、このように基板1上の全面に成膜される有機層としての青色発光層１５ｂは、赤色の画素ａ（Ｒ）および緑色の画素ａ（Ｇ）において、共振膜厚を調整する層として機能することは、第１実施形態と同様である。

以上の後、図１２に示すように、転写基板３０を用いた転写法により青色の画素ａ（Ｂ）における電子輸送層１７の上方に、共振膜厚を調整するための膜厚調整層１９を有機転写パターンとして形成し、続いて図１３に示すように、補助電極７ａ上の有機層、すなわち青色発光層１５ｂおよび電子輸送層１７を昇華させて除去する。

これらの工程は、第１実施形態において図３、図４を用いて説明したと同様に、孔パターン２３ａを備えた光熱変換層２３を有する１枚の転写基板３０を介しての２回の連続したレーザ光Ｌｈの照射によって行われる。

そして、このような有機層の除去後には、重なり合っている基板１と転写基板３０とを分離する。

尚、同一の転写基板３０を基板１に対して重ね合わせて行われる、膜厚調整層の転写工程と有機層の除去工程とは、どちらを先に行っても良い。

また、転写基板３０の光熱変換層２３と、有機層（青色発光層１５ｂおよび電子輸送層１７）の除去の際に光熱変換層として用いられる補助電極７ａとを、同一材料であるＣｒで構成することもできる。このため、図１２に示した膜厚調整層１９をパターン転写するためのレーザ光Ｌｈの照射範囲を、両側の補助電極７ａにまで広げることにより、１回のレーザ光Ｌｈの照射でこの部分の有機層も除去可能であることも第１実施形態と同様である。

以上の後には、図１４に示すように、膜厚調整層１９がパターン転写され、補助電極５ａ上の有機層を除去した基板１上に、各画素ａに共通の上部電極４１を形成し、接続孔７ｂ底部に露出させた補助電極５ａに対して上部電極４１を接する状態とする。この上部電極４１は、例えば有機電界発光素子の陰極として用いられるものであり、この上部電極４１と下部電極５とで、有機材料からなる各色の発光層１５ａ，１５ｇ，１５ｂを含む有機材料層を挟む部分に、各色発光の有機電界発光素子ＥＬが形成される。またさらに、上部電極４１上に、絶縁性または導電性の保護膜４３を設け、必要に応じて保護膜４３上に紫外線硬化樹脂を介してガラス基板を固着して表示装置４５を完成させる。

以上のような第３実施形態では、図１０を用いて説明したように、緑色発光層１５ｇの形成に用いる転写基板２０ｇ’の光熱変換層２３に孔パターン２３ａを設け、この孔パターン２５ａを介してのレーザ光Ｌｈの照射によって、補助電極５ａ上の正孔供給層（有機層）１３を除去する構成である。このため、図１２を用いて説明したように膜厚調整層（有機転写パターン）１９ａを形成した後に、これと同じ転写基板３０を介してのレーザ光Ｌｈの照射によって補助電極５ａを露出させる際には、既に補助電極５ａ上から正孔供給層（有機層）１３が除去されていることになる。

つまり、補助電極５ａを露出させるためのレーザ光Ｌｈ照射による有機層の除去が、２回に分けて行われることになるため、１回に必要なレーザ強度を低くでき、基板１側の特に補助電極５ａに与えるダメージを抑えることができる。

＜第４実施形態＞
図１５，１６は第４実施形態の製造方法の特徴部を示す断面工程図である。本第４実施形態は、第２実施形態と第３実施形態とを組み合わせた実施形態である。

先ず、第１実施形態で図１（１）を用いて説明したと同様の手順で、基板１上の全面に正孔供給層（有機層）１３を形成するまでを行う。

その後、緑青色の画素ａ（Ｇ）における電子輸送層１７の上方に、緑色発光層を有機転写パターンとして形成する工程を行うが、本第４実施形態においては、この工程が特徴的である。

すなわち、先ず図１５に示すように、本第４実施形態に特徴的な転写基板２０ｇ”を用意する。この転写基板２０”は、ガラスやプラスチック材料からなる光透過性基板２１上における緑色の画素ａ（Ｂ）に対応する部分に、光熱変換層２３がパターン形成されている。この光電変換層２３は、スパッタリング法によって成膜した膜厚２００ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜からなり、例えばリソフラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクにしたエッチングによってパターニングされている。

そして、この光熱変換層２３と同一層には、光反射層３５がパターン形成されているところが特徴的である。この光反射層３５は、例えば以降に用いるエネルギー線としてのレーザ光を反射する材質で構成されれば良く、例えばＡｇ、Ａｌやこれら金属を主成分とした合金からなる。この光反射層３５には、例えばリソフラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクにしたエッチングによって孔パターン３５ａおよび開口窓３５ｂが設けられているところが特徴的である。このうち孔パターン３５ａは、基板１側の分離絶縁膜７に形成した接続孔７ａに対応する位置に設けられていることとする。また開口窓３５ｂは、緑色の画素ａ（Ｇ）に対応する部分に設けられている。そしてこの開口窓３５ｂ内に、光熱変換層２３が配置された構成となっている。尚、この光熱変換層２３、さらには光熱変換層２３と光反射層３５との間において接続孔７ａに対応する位置にも、孔パターン２３ａが設けられていることとする。

そしてこのような孔パターン２３ａ，３５ａを備えた光熱変換層２３および光反射層３５上に、保護層２５として窒化シリコン膜（ＳｉＮx）が９０ｎｍの膜厚でＣＶＤ法によって成膜されている。そして、この保護層２５上に、緑色発光材料を含有する発光転写層１５Ｇが２５ｎｍの膜厚で成膜されている。ここで用いる緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでも良い。また発光転写層１５Ｇは、緑色発光材料の他に、正孔輸送性材料、電子輸送性材料、および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいることとする。このような発光転写層１５Ｇは、例えばジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に、緑色発光材料であるクマリン６を５重量％混合したものにより構成されていることとする。

以上のような構成の転写基板２０ｇ”を用いた転写は、次のように行う。先ず、真空雰囲気中において、基板１と転写基板２０”とを、正孔供給層（有機層）１３と発光転写層１５Ｇを対向させる状態で重ね合わせる。この際、基板1上の分離絶縁膜７が、スペーサとして機能する。これにより、基板１と転写基板２０ｇとを重ね合わせた状態でも、基板１側の下部電極５上における正孔供給層（有機層）１３と、転写基板２０ｇ側の発光転写層１５Ｇとの間に、真空状態の空間が形成される。

この状態で、図１６に示すように、転写基板２０ｇ”の全面に、エネルギー線として例えばレーザ光Ｌｈを照射する。レーザ光Ｌｈとしては、光熱変換層２３および補助配線５ａで吸収されて発熱し、光反射層３５に対する反射率が高い波長を選択する。このようなレーザ光Ｌｈとしては、例えば波長８００ｎｍの半導体レーザ光を用い、照射条件としては例えば０．３ｍＷ／μｍ²、スキャン速度２５０ｍｍ／ｓｅｃとする。これにより、光熱変換層２３が配置された部分においては、緑色の発光転写層１５Ｇを転写発光層（有機転写パターン）１５ｇとして基板１側の画素ａ（Ｂ）部に熱転写させる。また、光反射層３５が配置された部分においては、レーザ光Ｌｈが反射されるため、発光転写層１５Ｇの転写は発生しない。さらに孔パターン２３ａ，３５ａが配置された部分においては、孔パターン２３ａ，３５ａを介して、基板１側の分離絶縁膜７に形成した接続孔７ｂ底部の補助電極５ａにレーザ光Ｌｈが照射され、この補助電極７ａでの光熱変換によってレーザ光Ｌｈ照射部に熱を発生させる。そして、レーザ光Ｌｈの照射部に対応する補助電極７ａ上の有機層、すなわち正孔供給層１３を昇華させて除去する。

そして、このような有機層の除去後には、重なり合っている基板１と転写基板２０ｇ”とを分離する。

その後は、第３実施形態において図１１〜図１４を用いて説明したと同様の工程を行うことにより表示装置４５を完成させる。

以上のような第４実施形態では、図１６を用いて説明したように、基板１上への緑色発光層（有機転写パターン）１５ｇの形成のためのレーザ光Ｌｈの照射と、既に形成されている有機層（正孔供給層１３）を補助電極５ａ上から選択的に除去するためのレーザ光Ｌｈの照射とが、１枚の転写基板２９ｇ”を介して同時に行われる。このため、第３実施形態と比較して、さらにスループットの向上が図られる。

＜適用例＞
以上説明した本発明に係る製造方法によって得られる表示装置は、図１７〜図２１に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。

図１７は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。

図１８は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図１９は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図２０は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図２１は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

第１実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その１）である。 第１実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その２）である。 第１実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その３）である。 第１実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その４）である。 第１実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その５）である。 第２実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その１）である。 第２実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その２）である。 第３実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その１）である。 第３実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その２）である。 第３実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その３）である。 第３実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その４）である。 第３実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その５）である。 第３実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その６）である。 第３実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その７）である。 第４実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その１）である。 第４実施形態の表示装置の製造方法を断面工程図（その２）である。 本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。 本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。 本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。 本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。 本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

符号の説明

１…基板、５…下部電極、５ａ…補助電極、７…分離絶縁膜、７ａ…画素開口、７ｂ…接続孔、１３…正孔供給層（有機層）、１５ｂ…青色の発光層（有機層）、１５ｒ，１５ｇ，１５ｂ…発光層、１７…電子輸送層（有機層）、１９ａ…有機転写パターン、２１…光透過性の基板、２３…光熱変換層、２３ａ，３５ａ…孔パターン、３５ｂ…開口窓、…有機転写層、２０ｇ’，２０ｇ”，３０，３２…転写基板、３５…光反射層、４１…上部電極、４５…表示装置、Ｌｈ…レーザ光（エネルギー線）

Claims (11)

1. 下部電極と補助電極とを絶縁性を保った状態で基板上にパターン形成する第１工程と、
   前記下部電極と補助電極とが形成された前記基板上に有機層を成膜する第２工程と、
   孔パターンが設けられた光熱変換層とこの上部の有機転写層と備えた転写基板を用意し、当該有機転写層と前記有機層とを対向させると共に当該孔パターンと前記補助電極とを対向させる状態で当該転写基板と前記基板とを重ね合わせる第３工程と、
   前記転写基板側から前記光熱変換層にエネルギー線を照射することにより、当該光熱変換層上の前記有機転写層を前記下部電極上に熱転写して有機転写パターンを形成する第４工程と、
   前記転写基板側から前記孔パターンを介して前記補助電極にエネルギー線を照射することにより、当該補助電極上の前記有機層を除去する第５工程と、
   前記有機転写パターン上に積層されると共に前記補助電極に接する状態で前記基板上に上部電極を形成する第６工程と
   を行う表示装置の製造方法。
2. 前記第１工程の後でかつ前記第２工程の前に、
   前記下部電極を露出する画素開口と前記補助電極を露出する接続孔を有する分離絶縁膜を前記基板上に形成する工程を行う
   請求項１記載の表示装置の製造方法。
3. 前記第３工程では、前記分離絶縁膜の接続孔と前記孔パターンとを対向させるように、前記転写基板と前記基板とを重ね合わせ、
   前記第５工程では、前記接続孔の底部に露出する前記補助電極上の前記有機層を除去する
   請求項２記載の表示装置の製造方法。
4. 前記第４工程で形成する有機転写パターンは、前記下部電極と前記上部電極との間に狭持される有機材料からなる層の最上部を構成する
   請求項１〜３のうちの何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
5. 前記第４工程で形成する有機転写パターンは、前記下部電極と前記上部電極との間隔を調整するための膜厚調整層である
   請求項１〜４のうちの何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
6. 前記第４工程で形成する有機転写パターンは、発光層を含む
   請求項１〜３のうちの何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
7. 前記転写基板における前記有機転写層の下部には、孔パターンと開口窓とを備えた光反射層が設けられ、
   前記光熱変換層は、少なくとも前記光反射層の開口窓内に設けられている
   請求項１〜６のうちの何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
8. 前記第３工程では、前記反射層の孔パターンおよび前記光熱変換層の項パターンと、前記補助電極とを対向させる状態で当該転写基板と前記基板とを重ね合わせ、
   前記第４工程と前記第５工程のエネルギー線の照射を、前記転写基板側から一括して行う
   請求項７記載の表示装置の製造方法。
9. 前記光熱変換層と前記補助電極とは、同程度の光熱変換効率を備えている
   請求項８記載の表示装置の製造方法。
10. 光透過性の基板と、
    孔パターンを備えて前記基板上に設けられた光熱変換層と、
    前記光熱変換層を介して前記基板上に設けられた有機転写層と
    を有する転写基板。
11. 前記基板と前記有機転写層との間には、孔パターンと開口窓とを備えた光反射層が設けられ、
    前記光熱変換層は、少なくとも前記光反射層の開口窓内に設けられている
    請求項１０記載の転写基板。

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