JP2009260355A - 太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の太陽電池は、太陽電池は、第一表面と該第一表面に対向する第二表面を有し、該第二表面に複数の凹槽が形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板の第一表面に設置され、該第一表面とオーミック接触する背面電極と、前記凹槽の内表面に設置されたドープシリコン層と、前記シリコン基板の第二表面に設置された前面電極と、を含む。前記前面電極がカーボンナノチューブ複合構造体を含む。
【選択図】図2
Description
本実施例において、前記複数のカーボンナノチューブが配向して配列するカーボンナノチューブフィルムは、図4に示されている。前記カーボンナノチューブフィルムは、カーボンナノチューブアレイから引き伸ばし、形成されるものである。該カーボンナノチューブフィルムは、同じ方向に沿って、配列された複数のカーボンナノチューブを含む。図5を参照すると、具体的には、前記カーボンナノチューブフィルムは、端と端に接続され、基本的に同じ長さの複数のカーボンナノチューブセグメント186を含む。前記カーボンナノチューブセグメント186は、端と端が分子間力で連接される。各々のカーボンナノチューブセグメント186は、同じ方向に沿って、均一的に配列される複数のカーボンナノチューブ188からなり、各々の前記カーボンナノチューブ188が分子間力で緊密に連接される。前記カーボンナノチューブフィルムは、カーボンナノチューブアレイから伸び出すことによって、形成されるので、該カーボンナノチューブフィルムの長さと幅は、カーボンナノチューブアレイが成長された基板の寸法に関係する。
単一のカーボンナノチューブフィルムは、絡み合った複数のカーボンナノチューブを含む。ここで、前記複数のカーボンナノチューブは、分子間力で接近して、相互に絡み合って、カーボンナノチューブネットに形成されている。前記複数のカーボンナノチューブは、等方的に、均一に前記カーボンナノチューブ構造体に分布されている。前記複数のカーボンナノチューブは配向せずに配列されて、多くの微小な穴が形成されている。ここで、単一の前記微小な穴の直径が10マイクロメートル以下になる。前記カーボンナノチューブフィルムの厚さは、1マイクロメートル〜1ミリメートルである。前記カーボンナノチューブフィルムは、溶液に浸漬したカーボンナノチューブ原料をろ過して成るものである。
単一のカーボンナノチューブフィルムは、等方的に配列されているか、所定の複数の方向に沿って配列されているか、または、異なる方向に沿って配列されている複数のカーボンナノチューブを含む。前記カーボンナノチューブフィルムは、押し器具を利用して、カーボンナノチューブアレイを同じ方向又は異なる方向に沿って押して成るものである。前記カーボンナノチューブフィルムにおいて、隣接するカーボンナノチューブは分子間力で接続され、カーボンナノチューブフィルムの表面と0°〜15°の角度が形成されている。前記カーボンナノチューブフィルムの厚さは、0.5ナノメートル〜1ミリメートルである。
12、32 背面電極
14、34 シリコン基板
16、36 ドープシリコン層
18、38 前面電極
20 電極
22 反射防止層
141、341 シリコン基板の第一表面
142、342 凹槽
143、343 シリコン基板の第二表面
144、344 凹槽の内表面
181 前面電極の第一表面
182 前面電極の第二表面
183 カーボンナノチューブ構造体
184 金属粒子
186 カーボンナノチューブセグメント
188 カーボンナノチューブ
Claims (8)
- 第一表面と該第一表面に対向する第二表面を有し、該第二表面に複数の凹槽が形成されたシリコン基板と、
前記シリコン基板の第一表面に設置され、該第一表面とオーミック接触する背面電極と、
前記凹槽の内表面に設置されたドープシリコン層と、
前記シリコン基板の第二表面に設置された前面電極と、
を含み、
前記前面電極がカーボンナノチューブ複合構造体を含むことを特徴とする太陽電池。 - 前記カーボンナノチューブ複合構造体は、カーボンナノチューブ構造体及び該カーボンナノチューブ構造体に分布された金属粒子を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記金属粒子は、プラチナ粒子、パラジウム粒子、ルテニウム粒子、銀粒子、金粒子又はそれらの少なくとも二種以上の混合物であることを特徴とする、請求項2に記載の太陽電池。
- 前記カーボンナノチューブ構造体が均一に分布された複数カーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項2又は3に記載の太陽電池。
- 前記カーボンナノチューブ構造体が少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを含むことを特徴とする、請求項2から4のいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記カーボンナノチューブフィルムが、同じ方向に沿って配列された複数のカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項5に記載の太陽電池。
- 前記カーボンナノチューブフィルムが、絡み合った複数のカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項5に記載の太陽電池。
- 前記カーボンナノチューブフィルムが、等方的に配列されているか、所定の方向に沿って配列されているか、または、異なる複数の方向に沿って配列されている複数のカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項5に記載の太陽電池。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN200810066749.0 | 2008-04-18 | ||
| CN200810066749.0A CN101562203B (zh) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | 太阳能电池 |
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| JP2009260355A true JP2009260355A (ja) | 2009-11-05 |
| JP5155241B2 JP5155241B2 (ja) | 2013-03-06 |
Family
ID=41200088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2009097948A Expired - Fee Related JP5155241B2 (ja) | 2008-04-18 | 2009-04-14 | 太陽電池 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090260679A1 (ja) |
| JP (1) | JP5155241B2 (ja) |
| CN (1) | CN101562203B (ja) |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20091009 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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