JP2009260228A - 絶縁シート、銅張積層板、及び印刷回路基板の製造方法並びにこれを用いた印刷回路基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】水分吸収率が低く、高周波領域で低誘電率及び低損失値を有するので、電気的特性に優れて、纎維に対する樹脂の含浸性に優れた絶縁シート、銅張積層板、及び印刷回路基板の製造方法並びにこれを用いた印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明による絶縁シートの製造方法は、纎維を熱可塑性高分子バインダで固定し、内部に気孔が形成された熱可塑性補強基材を形成する工程と、熱可塑性補強基材に熱可塑性樹脂を含浸させて熱可塑性樹脂層を形成する工程と、熱可塑性補強基材と熱可塑性樹脂層とを熱圧着する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】本発明による絶縁シートの製造方法は、纎維を熱可塑性高分子バインダで固定し、内部に気孔が形成された熱可塑性補強基材を形成する工程と、熱可塑性補強基材に熱可塑性樹脂を含浸させて熱可塑性樹脂層を形成する工程と、熱可塑性補強基材と熱可塑性樹脂層とを熱圧着する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
本発明は、絶縁シート、銅張積層板、及び印刷回路基板の製造方法並びにこれを用いた印刷回路基板に関する。
近年、電気、電子、及び航空宇宙産業のような先端産業の高度発展に伴って電子機器内部に使用される印刷回路基板の高機能化が求められている。特に、半導体メモリあるいは演算装置のパッケージングに対して軽薄短小化が求められ、基板の高密度化、パターンの微細化、薄板化などが図られており、コンデンサのような受動素子あるいは集積回路チップ(IC Chip)のような能動素子の組み込み(Embedded)が進められている。また、パッケージの形態においてもチップがスタック(Stack)される3D形態に発展している。
このように、高密度化及び軽薄短小化された基板には、物理的特性から従来基板が持っていた反り(Warpage)変形や実装されるチップとの熱膨張係数(CTE)差によるはんだ接合の信頼性(Solder Joint Reliability)低下などの問題点が多くの発生することになる。
また、高密度化及び軽薄短小化された基板には、電気的に高周波においても回路間の干渉が起こらないように、低誘電率及び低損失値特性が要求される。このような基板の高性能化を達成するためには、先ず、元素材である銅張積層板(Copper Clad Laminate、CCL)あるいはプリプレグ(Prepreg、PPG)のような基板素材に対する改善が行われるべきである。
従来多層印刷回路基板は、熱硬化性樹脂、ガラス纎維、及び無機フィラー(Filler)などの複合材料で構成される。基本樹脂として、エポキシ樹脂及びBT(Bismalemide Triazine)樹脂が主に使用されている。
印刷回路基板の製造に使用されるエポキシ樹脂は、主剤の樹脂分子内にエポキシ基があり、このエポキシ基と副剤の硬化剤とが反応して架橋結合した3次元構造となる。主に使用されるエポキシは、製造方法に応じてビスフェノール型とノボラック(novolac)型とに分けられる。
近年、環境に優しい電気電子製品を製造するために、無鉛はんだ(Lead Free)及び無ハロゲン(Halogen Free)化が求められ、高いガラス転移温度を有するエポキシや、ブローム(Br)を難燃剤として導入しないエポキシが開発され使用されている。
エポキシ樹脂には、二酸化ケイ素(SiO2)のようなフィラーが添加されてエポキシの物性を補完し、水酸化アルミニウム(ATH)などの難燃剤の役割をするフィラーも添加される。相対的に 熱膨張係数(CTE)の低い二酸化ケイ素(SiO2)の添加量を増やし効果を高めるためには、フィラーのサイズを減少させ、サイズの異なるフィラーが導入されると熱膨張係数(CTE)を低くする。
補強材として使用されるガラス繊維織物の場合は、通常、E-ガラスが使用され、S-ガラス、NE-ガラス、T-ガラス、D-ガラスのような高強度(High Strength)のガラス纎維を用いたガラス繊維織物が、基板の熱膨張係数(CTE)を低くするために導入されている。
このように樹脂をガラス繊維織物に含浸させてB−ステージ状態のプリプレグを製造し、複数枚のプリプレグと銅箔とを積層及び加熱圧着して銅張積層板を製造する。
パッケージ(PKG)用印刷回路基板の基本樹脂としてはエポキシ樹脂以外に、BT樹脂も多く使用する。これは、BT樹脂が、熱的特性(High Tg)、電気的特性、及び銅箔との接着性(Peel Strength)などがエポキシ樹脂より優れて、構造的に非常に安定しているからである。
特に熱的特性が重要であるが、これはパッケージ用基板に高い信頼性が要求されるからである。樹脂のガラス転移温度(Tg)前後で熱膨張係数(CTE)が変わるので、工程上の不均一な体積収縮により、パッケージ用基板に破断(Brittle)や反りなどが発生し得る。
また、製造工程中にガラス転移温度(Tg)の前後で不均一な熱膨脹や反復的な熱収縮により残留応力が発生して、界面分離(Delamination)や反りのような最終製品に対する潜在不良が発生し得る。
これらの特性を有する既存のパッケージ用材料は、熱膨張係数は低いが、誘電率が約6.2程度の高いガラス繊維織物(E-Glass type Glass Fabric)にBTあるいはエポキシ樹脂を使用するため、通常、誘電率が3.5〜4程度で大きく、損失値も高くて高周波(GHz帯)領域では使用しにくく、纎維に対する含浸性に劣るという問題点があった。
また、フレキシブル(Flexible)あるいはリジッドフレキシブル(Rigid & Flexible)基板(PCB)材料であるフレキシブル銅張積層フィルム(Flexible Copper Clad Laminate、FCCL)として用いられているポリイミド(PI)は、水分吸収率が高くて寸法の不安定さや、誘電率(Dk)及び損失値(Df)が高いという問題点があった。
こうした問題点を解決するために、本発明は、水分吸収率が低く、高周波領域で低誘電率及び低損失値を有するため、電気的特性に優れ、纎維に対する樹脂の含浸性に優れた絶縁シート、銅張積層板、及び印刷回路基板の製造方法並びにこれを用いた印刷回路基板を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態によれば、纎維を熱可塑性高分子バインダで固定し、内部に気孔が形成された熱可塑性補強基材を形成する工程と、熱可塑性補強基材に熱可塑性樹脂を含浸させて熱可塑性樹脂層を形成する工程と、熱可塑性補強基材と熱可塑性樹脂層とを熱圧着する工程と、を含む絶縁シートの製造方法が提供される。
熱可塑性補強基材は液晶高分子不織布を含み、熱可塑性樹脂層は液晶高分子樹脂を含むことができる。
熱可塑性補強基材の密度は0.1g/cm3以下であってもよく、熱可塑性補強基材の熱膨張係数は10ppm/℃以下であってもよい。
熱圧着する工程は、熱可塑性樹脂層の融点より10℃〜50℃高い温度で、かつ熱可塑性補強基材の融点より10℃低い温度で行われることができる。
熱可塑性補強基材の密度は0.1g/cm3以下であってもよく、熱可塑性補強基材の熱膨張係数は10ppm/℃以下であってもよい。
熱圧着する工程は、熱可塑性樹脂層の融点より10℃〜50℃高い温度で、かつ熱可塑性補強基材の融点より10℃低い温度で行われることができる。
本発明の他の実施形態によれば、纎維を熱可塑性高分子バインダで固定し、内部に気孔が形成された熱可塑性補強基材を形成する工程と、熱可塑性補強基材に熱可塑性樹脂を含浸させて熱可塑性樹脂層を形成する工程と、熱可塑性樹脂層に金属層を形成する工程と、熱可塑性補強基材と金属層とを熱圧着する工程と、を含む銅張積層板の製造方法が提供される。
熱可塑性補強基材は液晶高分子不織布を含み、熱可塑性樹脂層は液晶高分子樹脂を含むことができる。
また、熱可塑性補強基材の密度は0.1g/cm3以下であってもよく、熱可塑性補強基材の熱膨張係数は10ppm/℃以下であってもよい。
熱圧着する工程は、熱可塑性樹脂層の融点より10℃〜50℃高い温度で、かつ熱可塑性補強基材の融点より10℃低い温度で行われることができる。
また、熱可塑性補強基材の密度は0.1g/cm3以下であってもよく、熱可塑性補強基材の熱膨張係数は10ppm/℃以下であってもよい。
熱圧着する工程は、熱可塑性樹脂層の融点より10℃〜50℃高い温度で、かつ熱可塑性補強基材の融点より10℃低い温度で行われることができる。
本発明のまた他の実施形態によれば、纎維を熱可塑性高分子バインダで固定し、内部に気孔が形成された熱可塑性補強基材を形成する工程と、熱可塑性補強基材に熱可塑性樹脂を含浸させて熱可塑性樹脂層を形成する工程と、熱可塑性樹脂層に金属層を形成する工程と、熱可塑性補強基材と金属層とを熱圧着する工程と、金属層に回路パターンを形成する工程と、を含む印刷回路基板の製造方法が提供される。
熱可塑性補強基材は液晶高分子不織布を含み、熱可塑性樹脂層は液晶高分子樹脂を含むことができる。
また、熱可塑性補強基材の密度は0.1g/cm3以下であってもよく、熱可塑性補強基材の熱膨張係数は10ppm/℃以下であってもよい。
熱圧着する工程は、熱可塑性樹脂層の融点より10℃〜50℃高い温度で、かつ熱可塑性補強基材の融点より10℃低い温度で行われることができる。
また、熱可塑性補強基材の密度は0.1g/cm3以下であってもよく、熱可塑性補強基材の熱膨張係数は10ppm/℃以下であってもよい。
熱圧着する工程は、熱可塑性樹脂層の融点より10℃〜50℃高い温度で、かつ熱可塑性補強基材の融点より10℃低い温度で行われることができる。
本発明のまた他の実施形態によれば、纎維を熱可塑性高分子バインダで固定し、内部に気孔が形成された熱可塑性補強基材と、熱可塑性補強基材に熱可塑性樹脂が含浸された熱可塑性樹脂層と、熱可塑性樹脂層に形成される回路パターンと、を含み、熱可塑性補強基材と熱可塑性樹脂層との厚さ割合(熱可塑性補強基材の厚さ÷熱可塑性樹脂層の厚さ)が0.9以上であることを特徴とする印刷回路基板が提供される。
熱可塑性補強基材は液晶高分子不織布を含み、熱可塑性樹脂層は液晶高分子樹脂を含むことができる。
また、熱可塑性補強基材の密度は0.1g/cm3以下であってもよく、熱可塑性補強基材の熱膨張係数は10ppm/℃以下であってもよい。
また、熱可塑性補強基材の密度は0.1g/cm3以下であってもよく、熱可塑性補強基材の熱膨張係数は10ppm/℃以下であってもよい。
液晶高分子不織布の製作において、内部に気孔を形成することにより液晶高分子樹脂の含浸量を画期的に改善することができ、これを用いた液晶高分子絶縁シート及び銅張積層板は、厚さ均一性及び表面特性に優れ、水分吸収率が低く、高周波領域でも低誘電率及び低損失値を有するので、電気的特性に優れる。
また、液晶高分子絶縁シート及び銅張積層板を用いたパッケージ用多層印刷回路基板は、熱安定性や低熱膨脹係数の特性から、基板の反りや歪みが少なくなり、プリップチップと印刷回路基板の接続材間の応力を減少させて、接続材のクラックや剥離を減少させることができる。
本発明は多様な変換を加えることができ、様々な実施例を有することができるため、特定実施例を図面に例示し、詳細に説明する。しかし、本発明がこれらの特定の実施形態に限定されるものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物及び代替物を含むものとして理解されるべきである。本発明を説明するに当たって、係る公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
本願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明らかに表現しない限り、複数の表現を含む。本願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、工程、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、1つまたはそれ以上の他の特徴や数字、工程、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除するものではないと理解しなくてはならない。
以下、本発明による絶縁シート、銅張積層板、及び印刷回路基板の製造方法並びにこれを用いた印刷回路基板の実施例を添付図面を参照して詳しく説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一であるか対応する構成要素は同じ図面番号を付し、これに対する重複される説明は省略する。
図1は本発明による印刷回路基板の製造方法を示す順序図であり、図2〜図5は本発明による絶縁シートの製造方法を示す工程図であり、図6〜図7は本発明による銅張積層板の製造方法を示す工程図であり、図8は本発明による印刷回路基板の断面図である。
図2〜図8を参照すると、纎維10、熱可塑性高分子バインダ20、熱可塑性補強基材30、熱可塑性樹脂層40、熱可塑性樹脂である液晶高分子樹脂42、金属層50、回路パターン60が示されている。
本実施例では、纎維を熱可塑性高分子バインダで固定し、内部に気孔が形成された熱可塑性補強基材を形成する工程と、熱可塑性補強基材に熱可塑性樹脂を含浸させて熱可塑性樹脂層を形成する工程と、熱可塑性樹脂層に金属層を形成する工程と、熱可塑性補強基材と金属層とを熱圧着する工程と、金属層に回路パターンを形成する工程と、を含み、纎維への熱可塑性樹脂の含浸量を画期的に改善でき、水分吸収率が低く、高周波領域においても低誘電率及び低損失値を有する絶縁シート及びそれを用いた銅張積層板及び印刷回路基板を提供することができる。
このために、先ず、工程S10で、図2に示すように、纎維10を熱可塑性高分子バインダ20で固定し、内部に気孔が形成された熱可塑性補強基材30を形成する。より具体的に、本実施例において、熱可塑性補強基材30は液晶高分子不織布で、また熱可塑性高分子バインダ20は液晶高分子バインダである場合を例に挙げて説明する。また、熱可塑性樹脂層40は液晶高分子樹脂層である場合を例に挙げて説明する。
液晶高分子(LCP、Liquid Crystal Polymer)は、現在、フレキシブル及びリジッドフレキシブル基板材料のフレキシブル銅張積層フィルム(FCCL)で使用されているポリイミドの代替材料として注目されている。
その理由は、ポリイミドが有する短所、すなわち水分吸収率が高くて寸法の不安定や誘電率及び損失値が高いという問題点を液晶高分子が解決できるからである。また、高周波(GHz帯)においても低誘電率及び低損失値を有するため、電気的特性も非常に優れる。これらの長所のため、液晶高分子はフレキシブル及びリジッドフレキシブル基板におけるポリイミドを代替する基板材料及び層間絶縁材として期待されている。
高耐熱性を有し、電気的特性に優れた液晶高分子を用いて熱可塑性補強基材30の液晶高分子不織布を製作し、これを補強基材として用いて基板の元素材を作製することができる。
液晶高分子不織布を製作する方法は、図2を参照して詳しく説明する。液晶高分子不織布は、MB(Mold Blown)加工方法を用いて製作することができる。MB加工は、図2に示すように、共押出機(co-extruder)のような機器を用いて2つの樹脂をそれぞれ溶融させて、微小孔を有するダイ(Die)を用いてエアブロー(air blow)で液晶高分子バインダ樹脂及び不織布の形態で作った後、カレンダリング(calendering)で2次加工することにより、所望する厚さに製作することができる。
ここで、使用される2つの樹脂のうちの1つは不織布の特性を与える樹脂で、用途により物性を考慮して選択することができ、本実施例では纎維10と称する。
また、2つの樹脂のうちの他の1つは纎維10が不織布の形態を維持できるように互いに連結させるバインダの役割をする樹脂であって、本実施例では熱可塑性高分子バインダ20と称する。
また、2つの樹脂のうちの他の1つは纎維10が不織布の形態を維持できるように互いに連結させるバインダの役割をする樹脂であって、本実施例では熱可塑性高分子バインダ20と称する。
したがって、MB加工により、それぞれの押出機に纎維10と熱可塑性高分子バインダ20とを添加し溶融させ、纎維10を熱可塑性高分子バインダ20で固定することにより、内部に空気層の気孔が形成された熱可塑性補強基材30を形成することができる。ここで、熱可塑性高分子バインダ20は具体的に液晶高分子バインダであることができる。
本実施例では、液晶高分子不織布に対する液晶高分子樹脂42の含浸性を改善するために、上述した共押出機を用いて1次成形された液晶高分子不織布を、カレンダリングを行って完全に圧着せず、内部に所定体積以上の空気層の気孔を形成させる。
液晶高分子不織布に液晶高分子樹脂42を含浸させると、液晶高分子樹脂42が液晶高分子不織布の気孔に吸収されて、含浸性を改善することができる。
液晶高分子不織布に液晶高分子樹脂42を含浸させると、液晶高分子樹脂42が液晶高分子不織布の気孔に吸収されて、含浸性を改善することができる。
次に、工程S20で、図3に示すように、熱可塑性補強基材30に液晶高分子樹脂42を含浸させて熱可塑性樹脂層40を形成する。
ここで、通常、基板の元素材を製作するに当たって、補強基材として使用されるガラス繊維織物の密度は0.6〜1.3g/cm3であり、ガラス不織布の密度は0.4〜0.8g/cm3であるが、本実施例による液晶高分子不織布の密度は0.1g/cm3以下で形成できる。
ここで、通常、基板の元素材を製作するに当たって、補強基材として使用されるガラス繊維織物の密度は0.6〜1.3g/cm3であり、ガラス不織布の密度は0.4〜0.8g/cm3であるが、本実施例による液晶高分子不織布の密度は0.1g/cm3以下で形成できる。
従来用いられる補強基材に液晶高分子樹脂42を含浸させる際には、樹脂の特性から十分な溶融粘度を確保しにくくて、補強基材に含浸される樹脂の量や加工速度が制限されるという問題点があったが、本実施例によれば、補強基材に所定空気層を形成することにより、液晶高分子樹脂42が容易に含浸されることができる。
このとき、従来使用される補強基材に液晶高分子樹脂42を含浸させて絶縁シートを製作する場合、所定溶融粘度を確保するためには、使用される液晶高分子樹脂42の分子量を高めなくてはならなかったが、高い分子量の液晶高分子樹脂42は溶媒に溶ける溶融分を高め難いという短所があった。
また、液晶高分子樹脂42の分子量が高くない場合には、溶融粘度が低くて補強基材に含浸される厚さには限界があった。この問題点を解決するために、本実施例では、上述したように液晶高分子不織布の密度を0.1g/cm3以下に低めて、内層に空気層の気孔を形成することにより、液晶高分子樹脂42を十分に吸着させることができる。
本実施例では、下記のような液晶高分子樹脂42を用いることができる。先ず、不織布の主成分として、低熱膨脹係数を有し、融点が300℃以上である熱可塑性液晶高分子を使用できる。
次に、不織布のバインダの役割をし、融点が上述した熱可塑性液晶高分子樹脂より低く、融点が300℃以上である熱可塑性液晶高分子を使用できる。
最後に、溶媒に溶けてワニス(Varnish)に含浸され、絶縁層を形成する可溶性(Soluble)液晶高分子を使用できる。
最後に、溶媒に溶けてワニス(Varnish)に含浸され、絶縁層を形成する可溶性(Soluble)液晶高分子を使用できる。
上述した液晶高分子の種類及び使用割合に応じて、多様な物性及び形態の不織布を製作して印刷回路基板に用いることができる。また、熱可塑性液晶高分子の代わりに、印刷回路基板に用いられる部品の実装温度240℃〜260℃で変形しない、すなわち、融点あるいはガラス転移温度(Glass Transition Temperature)が280℃以上であるポリフェ二レンサルファイド(PPS、polyphenylene sulfide)、ポリエーテルエーテルケトン(PPEK、polyetheretherketone)を用いて製作することもできる。
また、上述したバインダの役割をする液晶高分子の代わりに、熱硬化性樹脂をバインダ樹脂として用いて不織布を製作し、B−ステージの不織布を圧着加熱、硬化して用いることもできる。
上述したように製作された液晶高分子不織布を用いて、内部に形成された気孔に、溶融された液晶高分子樹脂42を含浸させ、図4に示すように、熱圧着して乾燥した後、図5に示すように、プリプレグ絶縁シートを製作することができる。この時、絶縁シート表面に離型フィルム(図示せず)を採用して2次熱圧着することにより、所望する厚さの絶縁シートを製作することもできる。
次に、工程S30で、図6に示すように、熱可塑性樹脂層40に金属層50を形成し、工程S42の熱可塑性樹脂層40の融点より10℃〜50℃高い温度で、かつ熱可塑性補強基材30の融点より10℃低い温度で、工程S40で、熱可塑性補強基材30と熱可塑性樹脂層40とを熱圧着する。
このようにして、図7に示すように、表面に金属層50が形成された銅張積層板を製作することができる。また、工程S50で、図8に示すように、表面に形成された金属層50をエッチングして回路パターン60を形成することにより印刷回路基板を製作することができる。
本実施例により製作された絶縁シート及び銅張積層板を用いて多層印刷回路基板を製作する際に、液晶高分子不織布内部の空気層に含浸される液晶高分子樹脂42の速度や量を調節することができる。
したがって、2次熱圧着後に完成された印刷回路基板の一部層に、液晶高分子不織布内部の空気層が完全に密着されることなく、纎維が絡んでいる内部に含浸された液晶高分子樹脂42が外郭をコーティング(Coating)している形態の多孔質(Porous)構造を形成することができる。
すなわち、熱可塑性補強基材30内部の空気層に液晶高分子樹脂42が含浸され、熱可塑性補強基材30の両面に液晶高分子樹脂42がコーティングされ熱可塑性樹脂層40を形成することができる。
この時、熱可塑性補強基材30と熱可塑性樹脂層40との厚さ割合(熱可塑性補強基材の厚さ÷熱可塑性樹脂層の厚さ)を0.9以上で形成することができる。すなわち、全体熱可塑性樹脂層40に対して、液晶高分子樹脂42が含浸された熱可塑性補強基材30の厚さが占める部分が大きいので、液晶高分子樹脂42の含浸量を増加させることができる。
また、熱可塑性補強基材30の密度は0.1g/cm3以下で形成されて、内部の空気層をより多く確保できるので、含浸される液晶高分子樹脂42の量を増加させることができる。
このように製作された印刷回路基板は、内部の空気層のために、誘電率を画期的に改善することができる。また、熱膨張係数の差から発生する内部応力を多孔性構造により分散できるという長所を有する。
また、液晶高分子不織布の熱膨張係数は10ppm/℃以下であるので、液晶高分子不織布を用いて製作される絶縁シート、銅張積層板、及びこれを用いた印刷回路基板に実装されるチップとの熱膨張係数の差によるはんだ接合の信頼性低下を防止することができる。
上記では本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載した本発明の思想及び領域から脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できよう。
10 纎維
20 熱可塑性高分子バインダ
30 熱可塑性補強基材
40 熱可塑性樹脂層
42 液晶高分子樹脂
50 金属層
60 回路パターン
20 熱可塑性高分子バインダ
30 熱可塑性補強基材
40 熱可塑性樹脂層
42 液晶高分子樹脂
50 金属層
60 回路パターン
Claims (23)
- 纎維を熱可塑性高分子バインダ(binder)で固定させ、内部に気孔が形成された熱可塑性補強基材を形成する工程と、
前記熱可塑性補強基材に熱可塑性樹脂を含浸させて熱可塑性樹脂層を形成する工程と、
前記熱可塑性補強基材と前記熱可塑性樹脂層とを熱圧着する工程と、
を含む絶縁シートの製造方法。 - 前記熱可塑性補強基材が、液晶高分子不織布を含むことを特徴とする請求項1に記載の絶縁シートの製造方法。
- 前記熱可塑性樹脂層が、液晶高分子樹脂を含むことを特徴とする請求項1に記載の絶縁シートの製造方法。
- 前記熱可塑性補強基材の密度が、0.1g/cm3以下であることを特徴とする請求項1に記載の絶縁シートの製造方法。
- 前記熱可塑性補強基材の熱膨張係数が、10ppm/℃以下であることを特徴とする請求項1に記載の絶縁シートの製造方法。
- 前記熱圧着する工程が、
前記熱可塑性樹脂層の融点(Melting Point)より10℃〜50℃高い温度で、かつ前記熱可塑性補強基材の融点より10℃低い温度で行われる工程であることを特徴とする請求項1に記載の絶縁シートの製造方法。 - 纎維を熱可塑性高分子バインダで固定し、内部に気孔が形成された熱可塑性補強基材を形成する工程と、
前記熱可塑性補強基材に熱可塑性樹脂を含浸させて熱可塑性樹脂層を形成する工程と、
前記熱可塑性樹脂層に金属層を形成する工程と、
前記熱可塑性補強基材と前記金属層とを熱圧着する工程と、
を含む銅張積層板の製造方法。 - 前記熱可塑性補強基材が、液晶高分子不織布を含むことを特徴とする請求項7に記載の銅張積層板の製造方法。
- 前記熱可塑性樹脂層が、液晶高分子樹脂を含むことを特徴とする請求項7に記載の銅張積層板の製造方法。
- 前記熱可塑性補強基材の密度が、0.1g/cm3以下であることを特徴とする請求項7に記載の銅張積層板の製造方法。
- 前記熱可塑性補強基材の熱膨張係数が、10ppm/℃以下であることを特徴とする請求項7に記載の銅張積層板の製造方法。
- 前記熱圧着する工程が、
前記熱可塑性樹脂層の融点より10℃〜50℃高い温度で、かつ前記熱可塑性補強基材の融点より10℃低い温度で行われる工程であることを特徴とする請求項7に記載の銅張積層板の製造方法。 - 纎維を熱可塑性高分子バインダで固定し、内部に気孔が形成された熱可塑性補強基材を形成する工程と、
前記熱可塑性補強基材に熱可塑性樹脂を含浸させて熱可塑性樹脂層を形成する工程と、
前記熱可塑性樹脂層に金属層を形成する工程と、
前記熱可塑性補強基材と前記金属層とを熱圧着する工程と、
前記金属層に回路パターンを形成する工程と、
を含む印刷回路基板の製造方法。 - 前記熱可塑性補強基材が、液晶高分子不織布を含むことを特徴とする請求項13に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記熱可塑性樹脂層が、液晶高分子樹脂を含むことを特徴とする請求項13に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記熱可塑性補強基材の密度が、0.1g/cm3以下であることを特徴とする請求項13に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記熱可塑性補強基材の熱膨張係数が、10ppm/℃以下であることを特徴とする請求項13に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記熱圧着する工程が、
前記熱可塑性樹脂層の融点より10℃〜50℃高い温度で、かつ前記熱可塑性補強基材の融点より10℃低い温度で行われる工程であることを特徴とする請求項13に記載の印刷回路基板の製造方法。 - 纎維を熱可塑性高分子バインダで固定し、内部に気孔が形成された熱可塑性補強基材と、
前記熱可塑性補強基材に熱可塑性樹脂が含浸された熱可塑性樹脂層と、
前記熱可塑性樹脂層に形成された回路パターンと、を含み、
前記熱可塑性補強基材と前記熱可塑性樹脂層との厚さ割合(熱可塑性補強基材の厚さ÷熱可塑性樹脂層の厚さ)が0.9以上であることを特徴とする印刷回路基板。 - 前記熱可塑性補強基材が、液晶高分子不織布を含むことを特徴とする請求項19に記載の印刷回路基板。
- 前記熱可塑性樹脂層が、液晶高分子樹脂を含むことを特徴とする請求項19に記載の印刷回路基板。
- 前記熱可塑性補強基材の密度が、0.1g/cm3以下であることを特徴とする請求項19に記載の印刷回路基板。
- 前記熱可塑性補強基材の熱膨張係数が、10ppm/℃以下であることを特徴とする請求項19に記載の印刷回路基板。
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