JP2009244559A - アクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】予め設定したレーザー光の照射領域に対するレーザー光が照射された領域の位置ずれを早期に検出する。
【解決手段】複数の表示用配線１１が設けられた表示領域Ｄと、表示領域Ｄの外部で各表示用配線１１に接続された短絡用配線１９，２０と、短絡用配線１９，２０に対して設けられた位置確認用パターン２３とを備えたアクティブマトリクス形成用基板５０を準備する準備工程Ｓ１と、表示領域Ｄの外部において、各表示用配線１１にレーザー光を照射することにより、各表示用配線１１の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程Ｓ７と、位置確認用パターン２３とレーザー光が照射された領域Ｂとの位置関係を確認する位置確認工程Ｓ８とを含むようにした。
【選択図】図１３

Description

本発明は、アクティブマトリクス基板の製造方法に関するものである。

アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置は、複数の画素電極がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板に対向して配置されて共通電極が形成された対向基板と、これら両基板の間で枠状のシール材によって封入された液晶層とを有する液晶表示パネルを備え、この液晶表示パネルにＬＳＩ（Large Scale Integration）ドライバチップ等の実装部品が取り付けられて構成されている。この液晶表示装置は、各画素電極に所定の電荷を書き込むことで各画素電極と共通電極との間の液晶層に電圧を印加して各画素毎に液晶分子の配向を制御することにより、所望の画像表示を行うように構成されている。

アクティブマトリクス基板には、上記各画素電極、各画素電極に電気的に接続された複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）、及び各ＴＦＴに接続されたゲート線及びソース線等の複数の表示用配線が設けられている。このアクティブマトリクス基板は、製造工程において、上記ＬＳＩドライバチップを接続するための各表示用配線の端子部に静電気に起因する高電圧が印加されることにより、各ＴＦＴに過電流が流れてそれら各ＴＦＴの静電破壊や特性劣化がもたらされる虞がある。この静電気による各ＴＦＴの静電破壊や特性劣化への対策として、アクティブマトリクス基板には、各表示用配線の端部を互いに電気的に接続してそれら各配線を同電位に保持することによって特定の表示用配線のみに高電圧が印加されることを抑制するショートリングと呼ばれる短絡用の配線が形成されている。

このショートリングは、各表示用配線の互いの電気的な接続を解除して各表示用配線を独立して駆動させる必要があることから、液晶表示パネルの作製の終了段階において各表示用配線から切り離されている。ショートリングを各表示用配線から切り離す方法として、レーザー光の照射によって各表示用配線を切断する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

図２５は、従来におけるレーザー光の照射によってショートリング１００を各表示用配線１０１から切り離す方法を示す図である。

ショートリング１００を各表示用配線１０１から切り離すには、まず、図２５に示すように、ショートリング１００に接続された全ての表示用配線１０１を横断するようにレーザー光の照射領域１０３を設定する。そして、レーザーカット装置から出射するレーザー光のスポットＳを照射領域１０３の一端側（図中右端側）の開始点に合わせてレーザー光を照射し、その開始点から他端側（図中左端側）に向かってレーザー光のスポットＳを移動させて照射領域１０３全体にレーザー光を照射することにより、そのレーザー光が照射された領域１０４に重なる各表示用配線１０１の被照射部分を熔融及び蒸発させて各表示用配線１０１を切断してショートリング１００を各表示用配線１０１から分離させる。
特開平１１−３０５２６１号公報

図２６及び図２７は、予め設定したレーザー光の照射領域１０３からずれてレーザー光が照射された各表示用配線１０１の状態を示す図である。

上述のようにレーザー光の照射によってショートリング１００を各表示用配線１０１から切り離す場合には、図２６に示すように、レーザーカット装置の不具合によって実際のレーザー光の照射領域１０４が所望の照射領域１０３から徐々にずれることにより、各表示用配線１０１が切断された領域が所望の領域からずれる場合がある。このようにレーザー光の照射領域１０４がずれた状態でレーザーカット装置を使用し続けていると、図２７に示すように、レーザー光の照射領域１０４が所望の照射領域１０３から大幅にずれて、最終的には切断できない表示用配線１０１ａが生じ、各表示用配線１０１ａが互いに接続されたままの切断不良が生じる虞がある。

尚、仮に、各表示用配線が切断不良となった場合には、液晶表示装置として駆動させたときに、互いに接続された各表示用配線は独立して駆動できずにそれら各配線間でリークが生じて表示品位が低下することになる。また、このように各表示用配線が切断不良となった場合には、液晶表示パネルにＬＳＩドライバチップを実装して液晶表示パネルをドライバ駆動させたときに初めて欠陥が顕在化するため、ＬＳＩドライバチップの実装前に切断不良を解消することができず、製造歩留りが低下してしまう。

本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、予め設定したレーザー光の照射領域に対するレーザー光が照射された領域の位置ずれを早期に検出することにある。

上記の目的を達成するために、この発明では、レーザー光の照射によって各表示用配線の互いの電気的な接続を解除した後に、位置確認用パターンとレーザー光が照射された領域との位置関係を確認するようにした。

具体的に、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、複数の表示用配線が設けられた表示領域と、該表示領域の外部で上記各表示用配線に接続された短絡用配線と、該短絡用配線に対して設けられた位置確認用パターンとを備えたアクティブマトリクス形成用基板を準備する準備工程と、上記表示領域の外部において、上記各表示用配線にレーザー光を照射することにより、上記各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程と、上記位置確認用パターンと上記レーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程とを含むことを特徴とする。

この製造方法によると、レーザー光の照射によって各表示用配線を切断して各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程を行った後に、位置確認用パターンとレーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程を行うことにより、接続解除工程を行う際にレーザーカット装置の不具合によって予め設定したレーザー光の照射領域に対して実際のレーザー光が照射された領域に位置ずれが生じたとしても、位置確認工程においてそのレーザー光が照射された領域の位置ずれが早期に検出される。さらに、レーザー光が照射された領域の位置ずれが検出された場合にそのレーザー光の照射領域の位置を所望の照射領域の位置に修正することにより、その後に互いの電気的な接続が解除される各表示用配線について、接続解除工程の後においてもそれら各表示用配線が互いに接続されたままとなる切断不良を抑制することが可能になる。

上記アクティブマトリクス形成用基板では、上記複数の表示用配線が互いに並んで上記表示領域の外部に引き出されて該表示領域の外部で配線群を構成し、該配線群の両側に上記位置確認用パターンが一対に設けられ、上記接続解除工程では、上記一対の位置確認用パターンの間において上記各表示用配線にレーザー光を照射することによって該各表示用配線を切断することが好ましい。

この製造方法によると、互いに並んで表示領域の外部に引き出された複数の表示用配線によってその表示領域の外部で構成された配線群の両側に位置確認用パターンが一対に設けられ、その一対の位置確認用パターンの間において各表示用配線を切断することにより、それら各表示用配線と短絡用配線とが切り離され、各表示用配線の互いの電気的な接続が解除される。このようにすれば、位置確認工程における位置確認用パターンとレーザー光が照射された領域との位置関係の確認を、一対の位置確認用パターンの一方から他方に向かってレーザー光が照射された領域が延びているかを確認することによって容易に行うことが可能になる。

上記アクティブマトリクス形成用基板は、上記各表示用配線におけるレーザー光が照射される部分に切欠部がそれぞれ形成されていることが好ましい。

この製造方法によると、上記各表示用配線におけるレーザー光が照射される部分に切欠部がそれぞれ形成されていることにより、各表示用配線におけるレーザー光が照射される部分がそれら各表示用配線の他の部分に比べて細く形成されているため、接続解除工程において各表示用配線がより確実に切断される。そして、レーザー光の照射によって熔融される各表示用配線の配線材料の量が少なくなるため、熔融された配線材料によって隣り合う各表示用配線同士が新たに電気的に接続されることが抑制される。

上記接続解除工程の後に、上記各表示用配線における上記レーザー光が照射された領域を挟む部分の間の電気抵抗を測定する抵抗測定工程と、上記抵抗測定工程によって測定された電気抵抗に基づき、上記各表示用配線の少なくとも一部に切断不良が生じていると判断した場合に、上記各表示用配線にレーザー光を再度照射して該各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する再接続解除工程とを含むことが好ましい。

この製造方法によると、抵抗測定工程において、各表示用配線におけるレーザー光が照射された領域を挟む部分の間の電気抵抗を測定することにより、各表示用配線に切断不良が生じている場合（各表示用配線の互いの電気的な接続が解除されていない場合）には所定の電気抵抗が測定されるのに対し、各表示用配線が切断されている場合（各表示用配線の互いの電気的な接続が解除されている場合）にはその所定の電気抵抗に対して測定される電気抵抗が著しく大きくなるため、各表示用配線が確かに切断されているかが確認される。そして、この抵抗測定工程によって所定の電気抵抗が測定されて各表示用配線に切断不良が生じていると判断した場合には、各表示用配線にレーザー光を再度照射してそれら各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する再接続解除工程を行うため、各表示用配線の互いの電気的な接続をより確実に解除することが可能になる。

上記再接続解除工程では、上記接続解除工程において上記レーザー光が照射された領域とは異なる領域で上記各表示用配線にレーザー光を照射することが好ましい。

ところで、レーザー光が照射される基板の表面状態によっては、レーザー光を照射した際にその表面においてレーザー光が拡散反射される等して各表示用配線のレーザー光が照射された部分に対して十分にエネルギーの付与がされないことにより、その各表示用配線の一部が除去されずに残って各表示用配線に切断不良が生じる虞がある。このようにレーザー光が照射される基板の表面状態に起因して各表示用配線に切断不良が生じた場合には、再接続解除工程において接続解除工程と同じ領域で各表示用配線にレーザー光を照射しても、各表示用配線の除去されずに残った一部には接続解除工程と同様にレーザー光の照射によるエネルギーの付与が十分にされず、再接続解除工程を行ったとしても各表示用配線に切断不良が残る虞がある。

これに対して、上記製造方法によると、再接続解除工程では、接続解除工程においてレーザー光が照射された領域とは異なる領域で各表示用配線にレーザー光を照射するため、各表示用配線をより確実に切断することが可能になる。

上記アクティブマトリクス形成用基板は、上記表示領域がマトリクス状に複数規定され、上記アクティブマトリクス形成用基板を上記複数の表示領域の各行毎に分断することによって複数の短冊状基板を形成する第１分断工程と、上記各短冊状基板を上記各表示領域毎に分断する第２分断工程とを含み、上記接続解除工程では、上記各短冊状基板において、上記各表示用配線に連続してレーザー光を照射することが好ましい。

この製造方法によると、接続解除工程では、各短冊状基板において、各表示用配線に連続してレーザー光を照射することにより、各表示領域毎の各表示用配線の互いの電気的な接続が連続して解除される。そのことにより、各短冊状基板を各表示領域毎に個別の基板に分断した後に個々の基板に対してレーザー光の照射をそれぞれ行ってそれら各基板における各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する場合に比べて、複数の表示領域における各表示用配線の互いの電気的な接続が効率的に解除される。

上記切断工程よりも前に、上記各短冊状基板における上記短絡用配線に所定の信号を供給することにより、上記各表示領域毎の各表示用配線を検査する検査工程を含むことが好ましい。

この製造方法によると、各短冊状基板において、短絡用配線に所定の信号を供給することにより、短絡用配線を介して各表示用配線に信号が供給される。このとき、各表示用配線のいずれかが断線している場合には、断線した表示用配線において断線した先に上記信号が供給されない。そのことにより、各短冊状基板における各表示用配線の断線の有無が検査される。このようにすれば、各短冊状基板を各表示領域毎に個別の基板に分断した後に個々の基板に対して各表示用配線の検査をそれぞれ行う場合に比べて、複数の表示領域における各表示用配線の断線の有無が効率的に検査される。

また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、複数の表示用配線が設けられた表示領域と、該表示領域の外部で上記各表示用配線に接続された短絡用配線と、該短絡用配線に対して設けられた位置確認用パターンとを備えたアクティブマトリクス形成用基板を準備する準備工程と、上記表示領域の外部において、上記各表示用配線及び上記短絡用配線の少なくとも一方にレーザー光を照射することにより、上記各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程と、上記位置確認用パターンと上記レーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程とを含むことを特徴とする。

この製造方法によっても、レーザー光の照射によって各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程を行った後に、位置確認用パターンとレーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程を行うため、位置確認工程において予め設定したレーザー光の照射領域に対するレーザー光が照射された領域の位置ずれが早期に検出される。さらに、レーザー光が照射された領域の位置ずれが検出された場合にそのレーザー光の照射領域の位置を所望の照射領域の位置に修正することにより、その後に互いの電気的な接続が解除される各表示用配線について、接続解除工程の後においてもそれら各表示用配線が互いに接続されたままとなることを抑制することが可能になる。

本発明によれば、レーザー光の照射によって各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程を行った後に、位置確認用パターンとレーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程を行うので、予め設定したレーザー光の照射領域に対するレーザー光が照射された領域の位置ずれを早期に検出できる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。

《発明の実施形態１》
図１〜図３は、本発明の実施形態１を示している。図１は、液晶表示装置１を概略的に示す平面図である。図２は、図１のII−II線に沿って液晶表示装置１を概略的に示す断面図である。図３は、液晶表示装置１を構成するアクティブマトリクス基板１０を概略的に示す平面図である。

液晶表示装置１は、図１及び図２に示すように、液晶表示パネル４４と、その液晶表示パネル４４に実装された集積回路チップであるＬＳＩ（Large Scale Integration）ドライバチップ４７とを備えている。

液晶表示パネル４４は、アクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０に対向して配置された対向基板４０と、これらアクティブマトリクス基板１０と対向基板４０との間に設けられた液晶層４３とを備えている。この液晶表示パネル４４は、マトリクス状に配置された複数の画素（図示省略）からなる表示領域Ｄを有している。

アクティブマトリクス基板１０及び対向基板４０は、矩形状等に形成され、液晶層４３側の表面に配向膜（図示省略）がそれぞれ設けられていると共に、液晶層４３とは反対側の表面に偏光板４５，４６（図１では図示省略）がそれぞれ設けられている。

これらアクティブマトリクス基板１０と対向基板４０との間には略枠状のシール材４１が配置されており、シール材４１の内側に液晶材料が封入されていることにより、上記液晶層４３が設けられている。図１に示すように、シール材４１には液晶材料を内側に注入するための注入口４１ａが形成されており、この注入口４１ａは封止材４２によって塞がれている。シール材４１は、絶縁性を有する接着材から形成されており、内部に導電粒子が分散されている。

アクティブマトリクス基板１０は、図１に示すように、一辺側（図中下辺側）が対向基板４０よりも外側に突出して設けられた端子領域１０ａを表示領域Ｄの外部に有し、この端子領域１０ａに上記ＬＳＩドライバチップ４７が実装される実装領域１０ｂが規定されている。

ＬＳＩドライバチップ４７は、例えば絶縁性を有する接着材中に導電粒子が分散されてなる異方性導電フィルム（図示省略：Anisotropic Conductive Film、以下、ＡＣＦと称する）を介して実装され、このＡＣＦ中の導電粒子を介して後述する実装領域１０ｂ上の各端子１８，２４に接続される。

尚、本実施形態では、ＬＳＩドライバチップ４７がＡＣＦを介して各端子１８，２４に接続されるとしているが、ＬＳＩドライバチップ４７は、銀ペーストを介して各端子１８，２４に接続する銀ペースト接続方式や、金線等を介して各端子１８，２４に接続するワイヤボンディング方式等の他の接続方式によって実装されてもよい。

このアクティブマトリクス基板１０は、図３に示すように、表示領域Ｄに、複数の表示用配線として、互いに平行に延びる複数のゲート線１１と、各ゲート線１１に交差する方向に互いに平行に延びる複数のソース線１２とが設けられている。図示は省略するが、各ゲート１１線と各ソース１２線との交差部付近にはこれら各ゲート線１１及び各ソース線１２に接続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称する）がそれぞれ設けられており、それら各ＴＦＴには各画素に対応してマトリクス状に設けられた複数の画素電極がそれぞれ接続されている。

各ゲート線１１は各画素の間において行方向（例えば図中横方向）に延びるように線状に設けられ、各ソース線１２は各画素の間において列方向（例えば図中縦方向）に延びるように線状に設けられている。複数のゲート線１１は、一方側（図中右側）から表示領域Ｄの外部に引き出された第１ゲート線１１ａと、これら各第１ゲート線１１ａの間に延びるように設けられて各第１ゲート線１１ａが引き出された方向とは反対側（図中左側）から表示領域Ｄの外部に引き出された複数の第２ゲート線１１ｂとによって構成されている。

さらに、各ゲート線１１の間には、これら各ゲート線１１に沿って延びるように補助容量線１５がそれぞれ形成されている。各補助容量線１５は、図中に示すように、表示領域Ｄを囲むように矩形環状等に形成されたコモン配線１６における左右方向の両側辺に接続されている。このコモン配線１６の四隅には、シール材４１中の導電粒子を介して後述する対向基板４０の共通電極に電気的に接続されたコモン転移部１７がそれぞれ設けられている。

また、図中左右方向に交互に表示領域Ｄの外部に引き出された各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂは、各ソース線１２に沿ってそれぞれ互いに並んで端子領域１０ａに引き出され、表示領域Ｄの外部で第１配線群１３及び第２配線群１４をそれぞれ構成している。そして、各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂは、実装領域１０ｂを経由しており、その実装領域１０ｂにＬＳＩドライバチップ４７に接続するためのゲートドライバ搭載用端子１８がそれぞれ設けられている。これら各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂは、例えば、５μｍ〜１０μｍ程度の配線幅に形成され、互いに２０μｍ〜４０μｍ程度の間隔で設けられている。

さらに、このアクティブマトリクス基板１０は、端子領域１０ａにおける実装領域１０ｂよりも外側に設けられた短絡用配線であるショートリング１９，２０と、それらショートリング１９，２０に対して設けられた位置確認用パターン２３とを備えている。

各ショートリング１９，２０は、各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂの引き出された先にそれぞれ設けられており、一端にゲート信号入力端子２１，２２がそれぞれ設けられている。各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂは、各ゲートドライバ搭載用端子１８とショートリング１９，２０との間においてそれぞれ切断されている。これら各ゲート線１１は、切断面からの酸化腐食等を抑制するために、ＬＳＩドライバチップ４７を実装するためのＡＣＦによって切断面が覆われるように実装領域１０ｂ上で切断されている。

そして、各ゲートドライバ搭載用端子１８よりも外側に配置された各第１配線群１３及び各第２配線群１４の両側には、図中に示すように、各ゲート線１１の切断された部分を挟むように一対の位置確認用パターン２３がそれぞれ設けられている。これら一対の位置確認用パターン２３は、１つの角が互いに向かい合う正三角形状（１辺が例えば１００μｍ程度）に、ゲート線１１又はソース線１２と同じ金属材料等によって形成されている。また、これら一対の位置確認用パターン２３は、各配線群１３，１４に対して、各ゲート線１１との間でショートが生じない程度（例えば５０μｍ程度）の間隔で設けられている。

尚、本実施形態では、各位置確認用パターン２３が正三角形状に形成されているとしているが、各位置確認用パターン２３は、その他の多角形状や円形状等の種々の形状に形成されていてもよい。

各ソース線１２は、一方の端部がそれぞれ実装領域１０ｂに引き出され、その引き出された端部にＬＳＩドライバチップ４７に接続するためのソースドライバ搭載用端子２４がそれぞれ設けられている。これら各ソース線１２の他方の端部は、それぞれＴＦＴ２５のドレイン電極に接続されている。

これら各ＴＦＴ２５のソース電極は、各第１配線群１３の外側でそれら各第１ゲート線１１ａに沿ってゲート信号入力端子２１側に延びるように端子領域１０ａに引き出された一対の引き出し配線２６の一方に交互に接続されている。これら各引き出し配線２６の引き出された端部には、ソース信号入力端子２７がそれぞれ設けられている。

また、各ＴＦＴ２５のゲート電極も、各第１配線群１３の外側でそれら各第１ゲート線１１ａに沿ってゲート信号入力端子２１側に延びるように端子領域１０ａに引き出された引き出し配線２８に接続されている。その引き出し配線２８の引き出された端部には、ソース信号入力端子２７に並んでＴＦＴ駆動信号入力端子２９が設けられている。

また、コモン配線１６は、各第２配線群１４の外側でそれら各第２ゲート線１１ｂに沿ってゲート信号入力端子２２側に延びるように端子領域１０ａに引き出されたコモン引き出し配線３０に接続されている。このコモン引き出し配線３０の引き出された端部には、コモン信号入力端子３１が設けられている。

上記対向基板４０は、図示は省略するが、表示領域Ｄに、各画素電極に重なり合うように複数のカラーフィルタが設けられ、これら各カラーフィルタを区画するようにブラックマトリクスが設けられている。そして、これら各カラーフィルタ及びブラックマトリクスを覆うように共通電極が設けられている。この共通電極は、シール材４１中の導電粒子、コモン転移部１７、コモン配線１６及びコモン引き出し配線３０を介してコモン信号入力端子３１に電気的に接続されている。

こうして、液晶表示装置１は、コモン信号入力端子３１に一定の共通信号を入力しながら、ＬＳＩドライバチップ４７によって、各ゲート線１１に所定のゲート信号を供給すると共に各ソース線１２に所定のソース信号を供給することにより、各ゲート線１１に接続されたＴＦＴを順にオン状態に切り替え、ドレイン電極を介して各画素電極に所定の電荷を書き込む。これにより、各画素電極と共通電極との間で液晶層４３に所定の電圧が印加されることによって、各画素毎に液晶分子の配向を制御して所望の画像表示を行うように構成されている。

−製造方法−
次に、上記液晶表示装置１を製造する方法について、図４〜図１６を参照しながら説明する。図４は、液晶表示装置１の製造方法のフローを概略的に示す図である。図５及び図６は、アクティブマトリクス形成用基板５０について説明するための図である。図７は、対向形成用基板５２を概略的に示す平面図である。図８は、貼り合わせ母基板５５を概略的に示す平面図である。図９及び図１０は、液晶層封入工程Ｓ５の前後における短冊状パネル６０を概略的に示す平面図である。図１１〜図１６は、接続解除工程Ｓ７、位置確認工程Ｓ８、抵抗測定工程Ｓ９及び第２分断工程Ｓ１１を説明するための図である。

この液晶表示装置１の製造方法には、図４に示すように、アクティブマトリクス形成用基板準備工程Ｓ１と、対向形成用基板準備工程Ｓ２と、貼り合わせ工程Ｓ３と、第１分断工程Ｓ４と、液晶層封入工程Ｓ５と、検査工程Ｓ６と、接続解除工程Ｓ７と、位置確認工程Ｓ８と、抵抗測定工程Ｓ９と、再接続解除工程Ｓ１０と、第２分断工程Ｓ１１と、実装工程Ｓ１２とが含まれる。

（アクティブマトリクス形成用基板準備工程）
アクティブマトリクス形成用基板準備工程Ｓ１では、複数のガラス基板の集合体であるガラス母基板に、図５に示すように、複数の表示領域Ｄがマトリクス状に規定され、各表示領域Ｄ毎に複数の配線１１，１２，１５，１６，１９，２０，２６，２８，３０、端子１８，２１，２２，２４，２７，２９，３１、位置確認用パターン２３，ＴＦＴ及び画素電極等（図５ではいずれも図示省略）が形成されたアクティブマトリクス形成用基板５０を準備する。

すなわち、このアクティブマトリクス形成用基板５０は、複数のアクティブマトリクス基板１０を形成する領域（以下、アクティブマトリクス基板領域と称する）５１がマトリクス状に配置され、各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂを切断する前の状態の複数のアクティブマトリクス基板の集合体として作製されている。つまり、各アクティブマトリクス基板領域５１は、図６に示すように、各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂの引き出された端部が互いに異なるショートリング１９，２０に接続され、それぞれ互いに電気的に接続されている。これにより、各配線群１３，１４において、各ゲート線１１が同電位に保持され、製造工程中に特定のゲート線１１のみに静電気に起因する高電圧が印加されて各ＴＦＴの静電破壊や特性劣化がもたらされることが抑制される。そして、一対の位置確認用パターン２３の間には、全ての各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂを横断するように２５００μｍ程度の長さのレーザー光の照射領域Ａがそれぞれ設定されている。

尚、各照射領域Ａの長さは、液晶表示装置１における画素数に対応するゲート線１１の本数によって異なるため、適宜設定することが可能であり、全ての各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂを横断するように設定されていればよい。

その後、例えば純水、超音波及び紫外線の照射等によってアクティブマトリクス形成用基板５０を洗浄して基板表面に付着したパーティクルや不純物を除去する。続いて、印刷法によってアクティブマトリクス形成用基板５０に配向膜を設ける。

（対向形成用基板準備工程）
対向形成用基板準備工程Ｓ２では、図７に示すように、ガラス母基板に複数の表示領域Ｄが規定され、各表示領域Ｄ毎に複数のカラーフィルタ及び共通電極が形成された対向形成用基板５２を準備する。すなわち、この対向形成用基板５２は、複数の対向基板４０を形成する領域（以下、対向基板領域と称する）５３がマトリクス状に配置され、複数の対向基板４０の集合体として作製されている。

その後、上記アクティブマトリクス形成用基板５０と同様に、対向形成用基板５２を洗浄し、その洗浄後の対向形成用基板５２に印刷法によって配向膜を設ける。

（貼り合わせ工程）
次に、貼り合わせ工程Ｓ３では、まず、対向形成用基板５２の表面に対し、スクリーン印刷又はディスペンサ等によって各対向基板領域５３に未硬化のシール材４１をそれぞれ略枠状に供給する。続いて、端子領域１０ａを除く各アクティブマトリクス基板領域５１及び各対向基板領域５３がシール材４１を介して互いに重なり合うようにアクティブマトリクス形成用基板５０と対向形成用基板５２とを貼り合わせた後、紫外線による露光処理や加熱処理等を行うことによって各シール材４１を硬化させる。そうして、図８に示すように、各アクティブマトリクス基板領域５１と各対向基板領域５３とがシール材４１を介して貼り合わされた複数の貼り合わせ基板領域５６を含む貼り合わせ母基板５５を作製する。各貼り合わせ基板領域５６は、アクティブマトリクス基板領域５１と対向基板領域５３との間でシール材４１によって仕切られた空隙セル５７を有している。

尚、本実施形態では、対向形成用基板５３にシール材４１を供給するとして説明しているが、アクティブマトリクス形成用基板５０の表面に対し、各アクティブマトリクス基板領域５１にシール材４１を供給するようにしてもよい。

（第１分断工程）
次に行う第１分断工程Ｓ４では、例えばレーザー光の照射又はカッターホイールを用いたスクライブブレイク法等により、貼り合わせ母基板５５を分断ライン５８，５９上で複数の貼り合わせ基板領域５６（表示領域Ｄ）における各行毎に分断する。このとき、分断ライン５８においては、アクティブマトリクス形成用基板５０及び対向形成用基板５２の双方を分断する。一方、分断ライン５９においては、対向形成用基板５２のみを分断して各端子領域１０ａを対向形成用基板５２から露出させる。そうして、貼り合わせ母基板５５を分断して、図９に示す短冊状パネル６０を複数形成する。このとき、アクティブマトリクス形成用基板５０が複数のアクティブマトリクス基板領域５１の各行毎に分断されて各短冊状パネル６０をそれぞれ構成する複数の短冊状基板６１となり、対向形成用基板５２が複数の対向基板領域５３の各行毎に分断されて各短冊状パネル６０をそれぞれ構成する複数の短冊状基板６２となる。

（液晶層封入工程）
続いて行う液晶層封入工程Ｓ５では、まず、各短冊状パネル６０を真空処理室に搬入した後、各短冊状パネル６０における各貼り合わせ基板領域５６の注入口４１ａを液晶材料に漬ける。そして、真空処理室の内部を真空引きすることによって、各貼り合わせ基板領域５６の空隙セル５７に液晶材料を充填する。

その後、真空処理室の気圧を大気圧に戻して各短冊状パネル６０を真空処理室から搬出し、各貼り合わせ基板領域５６の注入口４１ａを覆うように封止材４２を塗布して注入口４１ａを塞ぐ。そうして、図１０に示すように、各貼り合わせ基板領域５６のシール材４１の内側に液晶層４３を封入することにより、それら各貼り合わせ基板領域５６が液晶表示パネル４４の構造を有することとなる。

（検査工程）
次に行う検査工程Ｓ６では、各短冊状パネル６０（短冊状基板６１）における各ショートリング１９，２０に所定のゲート検査信号を供給することにより、各表示領域Ｄ毎の各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂを検査する。

具体的に、この検査工程Ｓ６では、コモン信号入力端子３１に一定のコモン検査信号を入力すると共に、ＴＦＴ駆動信号入力端子２９にＴＦＴ駆動信号を入力することによって各ＴＦＴ２５をオン状態にしながら、ゲート信号入力端子２１，２２に書き込み時間だけタイミングをずらして所定のゲート検査信号をそれぞれ入力することにより、各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂに接続されたＴＦＴを順にオン状態に切り替える。そして、各ソース信号入力端子２７に所定のソース検査信号を入力することによって、ドレイン電極を介して特定の画素電極に所定の電荷を書き込む。そうして、特定の画素電極と共通電極との間で液晶層４３に所定の電圧が印加されることにより、その画素電極を含む画素が点灯状態となる。

このとき、各ゲート線１１が断線している場合には、各ゲート線１１にゲート検査信号を供給したときに、断線しているゲート線１１において、その断線した先には上記ゲート検査信号が供給されず、断線した先で接続された画素電極を含む画素は非点灯状態となる。このことから、各ゲート線１１の断線を検出する。

また、各第１ゲート線１１ａと各第２ゲート線１１ｂとの間でリークが生じた場合には、各第１ゲート線１１ａにゲート検査信号を供給したときに、ゲート検査信号が未供給であるはずのリーク先の第２ゲート線１１ｂにもその信号が供給され、そのリーク先の第２ゲート線１１ｂに接続された画素電極を含む画素も点灯状態となる。そして、各第２ゲート線１１ｂにゲート検査信号を供給したときに、ゲート検査信号が未供給であるはずのリーク先の第１ゲート線１１ａに接続された画素電極を含む画素が点灯状態となる。このことから、各第１ゲート線１１ａと各第２ゲート線１１ｂとの間のリークを検出する。

（接続解除工程）
次に行う接続解除工程Ｓ７では、各短冊状パネル６０において、一対の位置確認用パターン２３の間に予め設定された各照射領域Ａで各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂに連続してレーザー光を照射することにより、各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂにおける互いの電気的な接続それぞれ解除する。

この接続解除工程Ｓ７では、まず、図１１に示すように、各短冊状パネル６０をステージ６３に載置する。このとき、短冊状基板６２をステージ６３側に配置させ、その短冊状基板６２をステージ６３によって吸着することによって短冊状パネル６０を保持する。すなわち、短冊状基板６１は各ゲート線１１が設けられた側がステージ側を向いている。そして、短冊状基板６１における各ゲート線１１が設けられた側とは反対側から各照射領域Ａにレーザー光を照射する。ここで、図１１中の矢印６４はレーザー光を照射する方向を示している。

各第１ゲート線１１ａの互いの電気的な接続を解除する場合には、図１２に示すように、レーザーカット装置から出射するレーザー光のスポットＳを予め設定された照射領域Ａの一端側（図中右端側）の開始点に合わせてレーザー光を照射し、その開始点から他端側（図中左端側）に向かってレーザー光のスポットＳを移動させて照射領域Ａの全体にレーザー光を照射する。そうして、各第１ゲート線１１ａにレーザー光を照射することにより、そのレーザー光が照射された領域Ｂに重なる各第１ゲート線１１ａの被照射部分を熔融及び蒸発させて各第１ゲート線１１ａを切断し、各第１ゲート線１１ａとショートリング１９とを切り離す。これによって、各第１ゲート線１１ａの互いの電気的な接続を解除する。

続いて、各第２ゲート線１１ｂの互いの電気的な接続を解除する場合にも、上述した各第１ゲート線１１ａと同様に、レーザー光を照射することよって各第２ゲート線１１ｂを切断してそれら各第２ゲート線１１ｂとショートリング２０とを切り離す。そうして、このレーザー光の照射による各１ゲート線１１ａ及び第２ゲート線１１ｂの切断を、各短冊状パネル６０における各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂに対して連続して行うことにより、各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂにおける互いの電気的な接続を連続して解除する。

（位置確認工程）
その後行う位置確認工程Ｓ８では、一対の位置確認用パターン２３とレーザー光が照射された領域Ｂとの位置関係を簡易ルーペを用いて目視によって確認する。ここで、簡易ルーペには、視認する領域を例えば３０倍程度拡大できるものを用いる。

この位置確認工程Ｓ８では、上記接続解除工程Ｓ７において、図１３に示すように、予め設定された所望の照射領域Ａ上に精度良くレーザー光が照射された場合、レーザー光の照射痕が、一対の位置確認用パターン２３の対向する角を結ぶように、その一対の位置確認用パターン２３の一方から他方に向かって延びるように残っていることが視認される。これに対して、図１４に示すように、レーザーカット装置の不具合によって上記接続解除工程Ｓ７において所望の照射領域Ａ上からずれてレーザー光が照射された場合には、レーザー光の照射痕が、一対の位置確認用パターン２３の一方から他方に向かう方向に対して斜め方向に延びるように残っていることが視認される。このことから、予め設定した照射領域Ａに対するレーザー光が照射された領域Ｂの位置ずれが検出される。

そして、位置確認工程Ｓ８において所望の照射領域Ａに対するレーザー光が照射された領域Ｂの位置ずれが検出された場合には、レーザーカット装置の不具合と判断し、レーザー光の照射領域Ｂの位置が所望の照射領域Ａの位置になるようにレーザーカット装置の設定を修正する。尚、この位置確認工程Ｓ８は、各短冊状パネル６０における各貼り合わせ基板領域５６の全てに行う必要はなく、例えば数個〜数百個程度の短冊状パネル６０から抜き取りによって行えばよい。

（抵抗測定工程）
次に行う抵抗測定工程Ｓ９では、各短冊状パネル６０において、図１５に示すように、各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂにおけるレーザー光が照射された領域Ｂを挟む部分の間の電気抵抗をそれぞれ測定する。この抵抗測定工程Ｓ９では、各ゲート線１１におけるショートリング１９，２０との接続部と各ゲートドライバ搭載用端子１８との間の電気抵抗を抵抗測定器６５によって測定する。抵抗測定器６５は上記各ゲート線１１の接続部及び各端子１８に接触させる電極６６を有しており、この電極６６は各ゲート線１１の接続部及び各端子１８の全面を接触させる観点から導電性ゴムによって形成されている。

尚、本実施形態では、抵抗測定器６５の電極６６が導電性ゴムによって形成されているとしているが、この電極６６は、導電性材料によって形成されていれば特に限定されるものではない。

この抵抗測定工程Ｓ９において、図中左側に示すように、各ゲート線（第２ゲート線１１ｂ）１１に切断不良が生じている場合には所定の電気抵抗（例えば数十ｋΩ〜数百ｋΩ程度）が測定されるのに対し、図中右側に示すように、各ゲート線（各第１ゲート線１１ａ）１１が切断されている場合にはその所定の電気抵抗に対して測定される電気抵抗が著しく大きくなる。このことから、それら各ゲート線１１が確かに切断されているか否か、つまり各ゲート線１１の切断不良の有無が確認される。

このように、抵抗測定工程Ｓ９によって測定された電気抵抗に基づいて各ゲート線１１の少なくとも一部に切断不良が生じていると判断した場合、すなわち抵抗測定工程Ｓ９において上記所定の電気抵抗が測定された場合には、再接続解除工程Ｓ１０を行う。

（再接続解除工程）
再接続解除工程Ｓ１０では、抵抗測定工程Ｓ９において少なくとも一部に切断不良が生じていると判断された各ゲート線１１に対し、上述の接続解除工程Ｓ７と同様に、一対の位置確認用パターン２３の間で各ゲート線１１にレーザー光を再度照射し、それら各ゲート線１１の互いの電気的な接続を解除する。その後、再び抵抗測定工程Ｓ９を行って、各ゲート線１１の切断不良の有無を確認する。このように、抵抗測定工程Ｓ９において各ゲート線１１が確かに切断されていると判断されるまで、抵抗測定工程Ｓ９及び再接続解除工程Ｓ１０を繰り返し行い、その後に第２分断工程Ｓ１１を行う。

（第２分断工程）
次に行う第２分断工程Ｓ１１では、第１分断工程Ｓ４と同様にレーザー光の照射又はカッターホイールを用いたスクライブブレイク法等によって、各短冊状パネル６０を各貼り合わせ基板領域５６（表示領域Ｄ）毎に分断することにより、図１６に示すように、複数の液晶表示パネル４４を形成する。このとき、各短冊状基板６１が各アクティブマトリクス基板領域５１毎に分断されて複数のアクティブマトリクス基板１０が作製され、各短冊状基板６２が各対向基板領域５３毎に分断されて複数の対向基板４０が作製される。

その後、各液晶表示パネル４４の両面に加圧ローラー等によって偏光板４５，４６をそれぞれ貼り付け、これら偏光板４５，４６が貼り付けられた各液晶表示パネル４４に実装工程Ｓ１２を行う。

（実装工程）
実装工程Ｓ１２では、各液晶表示パネル４４における実装領域１０ｂにＡＣＦを配置した後に、その実装領域１０ｂにＡＣＦを介してＬＳＩドライバチップ４７を圧着することにより、各液晶表示パネル４４にＬＳＩドライバチップ４７を実装する。以上の工程を行うことによって、液晶表示装置１が製造される。

−実施形態１の効果−
したがって、この実施形態１によると、レーザー光の照射によって各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂを切断してそれら各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂの互いの電気的な接続をそれぞれ解除する接続解除工程Ｓ７を行った後に、位置確認用パターン２３とレーザー光が照射された領域Ｂとの位置関係を確認する位置確認工程Ｓ８を行うことにより、接続解除工程Ｓ７を行う際にレーザーカット装置の不具合によって予め設定したレーザー光の照射領域Ａに対して実際のレーザー光が照射された領域Ｂに位置ずれが生じたとしても、位置確認工程Ｓ８においてそのレーザー光が照射された領域Ｂの位置ずれを早期に検出できる。

そして、レーザー光が照射された領域Ｂの位置ずれが検出された場合にそのレーザー光の照射領域Ｂの位置を所望の照射領域Ａの位置に修正するため、その後に互いの電気的な接続が解除される各ゲート線１１に切断不良が生じることを抑制できる。

ところで、仮に、接続解除工程Ｓ７において、図１７に示すように、短冊状基板６１における各ゲート線１１が設けられた側から照射領域Ａにレーザー光を照射した場合には、図１８及び図１９に示すように、熔融した各ゲート線１１の配線材料が微粒子６７となって飛散してレーザー光が照射された領域Ｂの周辺に散在するため、その散在した微粒子６７によって隣り合う各ゲート線１１が再び電気的に接続される等の２次不良が生じる虞がある。ここで、図１８中の矢印６８は配線材料の微粒子６７の飛散方向を示している。

これ対して、本実施形態では、短冊状基板６１における各ゲート線１１が設けられた側とは反対側から照射領域Ａにレーザー光を照射するため、図２０に示すように、レーザー光の照射によって飛散した各ゲート線１１の配線材料の微粒子６７が重力によって物理的にステージ６３側に落ちる。ここで、図２０中の矢印６９は配線材料の微粒子６７の飛散方向を示している。そのことにより、図２１に示すように、レーザー光が照射された領域Ｂの周辺に散在する配線材料の微粒子６７を減少させることができ、その散在した微粒子６７によって隣り合う各ゲート線１１が再び電気的に接続される等の２次不良を抑制できる。

さらに、表示領域Ｄの外部で各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂによってそれぞれ構成された各配線群１３，１４の両側に位置確認用パターン２３が一対に設けられ、その一対の位置確認用パターン２３の間において各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂを切断するため、位置確認工程Ｓ８における位置確認用パターン２３とレーザー光が照射された領域Ｂとの位置関係の確認を、一対の位置確認用パターン２３の一方から他方に向かってレーザー光が照射された領域Ｂが延びているかを確認することによって容易に行うことができる。

また、抵抗測定工程Ｓ９によって所定の電気抵抗が測定されて各ゲート線１１の少なくとも一部に切断不良が生じていると判断した場合には、各ゲート線１１にレーザー光を再度照射してそれら各ゲート線１１の互いの電気的な接続を解除する再接続解除工程Ｓ１０を行うため、各ゲート線１１の互いの電気的な接続をより確実に解除できる。

また、接続解除工程Ｓ７では、各短冊状パネル６０において、各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂに連続してレーザー光を照射することにより、各表示領域Ｄ毎の各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂの互いの電気的な接続が連続して解除される。そのことにより、短冊状パネル６０を各貼り合わせ基板領域５６毎に個別の基板に分断した後に個々の基板に対してレーザー光の照射をそれぞれ行ってそれら各基板における各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂの互いの電気的な接続を解除する場合に比べて、複数の表示領域Ｄにおける各第１ゲート線１１ａ及び各第２ゲート線１１ｂの互いの電気的な接続を効率的に解除できる。

また、検査工程Ｓ６では、各短冊状パネル６０において、各端子２１，２２を介して各ショートリング１９，２０に書き込み時間だけタイミングをずらして所定のゲート検査信号を供給することにより、各短冊状基板６１における各ゲート線１１の断線の有無、及び各第１ゲート線１１ａと各第２ゲート線１１ｂとのリークの有無を検査する。そのことにより、短冊状パネル６０を各貼り合わせ基板領域５６毎に個別の基板に分断した後に個々の基板に対して各ゲート線１１の検査をそれぞれ行う場合に比べて、複数の表示領域Ｄにおける各ゲート線１１の断線の有無及び各第１ゲート線１１ａと各第２ゲート線１１ｂとのリークの有無を効率的に検査できる。

《発明の実施形態２》
図２２及び図２３は、本発明の実施形態２を示している。尚、以降の各実施形態では、図１〜図２１と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。図２２及び図２３は、本実施形態におけるアクティブマトリクス形成用基板５０のアクティブマトリクス基板領域５１を示す平面図である。

上記実施形態１では、１組の一対の位置確認用パターン２３が各配線群１３，１４の両側にそれぞれ設けられたものについて説明したが、本実施形態では、図２２に示すように、２組の一対の位置確認用パターン２３が各配線群１３，１４の両側で各ゲート線１１が引き出された方向に並ぶようにそれぞれ設けられている。

すなわち、２組の一対の位置確認用パターン２３は、互いに異なる領域で各配線群１３，１４を挟むように設けられている。これら各一対の位置確認用パターン２３の間にはレーザー光の照射領域Ａがそれぞれ設定されている。そして、各ゲート線１１は、図２３に示すように、レーザー光が照射される部分、つまり照射領域Ａに重なる部分に切欠部７０がそれぞれ形成されている。

本実施形態の接続解除工程Ｓ７では、２組の一対の位置確認用パターン２３のうちの一方の位置確認用パターン２３の間において各ゲート線１１にレーザー光を照射することによってそれら各ゲート線１１を切断する。そして、抵抗測定工程Ｓ９において測定された電気抵抗に基づいて各ゲート線１１の少なくとも一部に切断不良が生じていると判断した場合には、再接続解除工程Ｓ１０において、他方の一対の位置確認用パターン２３に間で各ゲート線１１にレーザー光を照射することにより、接続解除工程Ｓ７においてレーザー光が照射された領域とは異なる領域で各ゲート線１１にレーザー光を照射してそれら各ゲート線１１を切断する。

−実施形態２の効果−
したがって、この実施形態２によると、上記各ゲート線１１におけるレーザー光が照射される部分に切欠部７０がそれぞれ形成されていることにより、各ゲート線１１におけるレーザー光が照射される部分がそれら各ゲート線１１の他の部分に比べて細く形成されているため、接続解除工程Ｓ７において各ゲート線１１をより確実に切断できる。そして、レーザー光の照射によって熔融される各ゲート線１１の配線材料の量が少なくなるため、熔融された配線材料によって隣り合う各ゲート線１１同士が新たに電気的に接続されることを抑制できる。

ところで、レーザー光が照射される基板の表面状態によっては、レーザー光を照射した際にその表面においてレーザー光が拡散反射される等して各ゲート線１１のレーザー光が照射された部分に対して十分にエネルギーの付与がされないことにより、それら各ゲート線１１の一部が除去されずに残って各ゲート線１１に切断不良が生じる虞がある。このようにレーザー光が照射される基板の表面状態に起因して各ゲート線１１に切断不良が生じた場合には、再接続解除工程Ｓ１０において接続解除工程Ｓ７と同じ領域で各ゲート線１１にレーザー光を照射しても、各ゲート線１１の除去されずに残った一部には接続解除工程Ｓ７と同様にレーザー光の照射によるエネルギーの付与が十分にされず、再接続解除工程Ｓ１０を行ったとしても各ゲート線１１に切断不良が残る虞がある。

これに対して、本実施形態の製造方法によると、再接続解除工程Ｓ１０では、接続解除工程Ｓ７においてレーザー光が照射された領域とは異なる領域で各ゲート線１１にレーザー光を照射するため、各ゲート線１１をさらに確実に切断できる。

《発明の実施形態３》
図２４は、本発明の実施形態３を示している。図２４は、本実施形態におけるアクティブマトリクス形成用基板５０のアクティブマトリクス基板領域５１を示す平面図である。

上記実施形態１及び実施形態２では、各ゲート線１１ａ，１１ｂにレーザー光を照射することにより、それら各ゲート線１１ａ，１１ｂの互いの電気的な接続をそれぞれ解除するとしたが、本実施形態では、各ショートリング１９，２０にレーザー光を照射することにより、各ゲート線１１ａ，１１ｂの互いの電気的な接続をそれぞれ解除する。

本実施形態におけるアクティブマトリクス形成用基板５０の各アクティブマトリクス基板領域５１は、図２４に示すように、各ショートリング１９，２０の両側にそれら各ショートリング１９，２０と各ゲート線１１との接続部を挟むように一対の位置確認用パターン２３が設けられており、この一対の位置確認用パターン２３の間にレーザー光の照射領域Ａが設定されている。

そして、本実施形態における接続解除工程Ｓ７では、一対の位置確認用パターン２３の間において各ショートリング１９，２０にレーザー光を照射して、レーザー光が照射された領域Ｂに重なる各ショートリング１９，２０を熔融及び蒸発させて除去することにより、各ゲート線１１ａ，１１ｂの互いの電気的な接続をそれぞれ解除する。

−実施形態３の効果−
したがって、本実施形態３によっても、レーザー光の照射によって各ゲート線１１ａ，１１ｂの互いの電気的な接続を解除する接続解除工程Ｓ７を行った後に、位置確認用パターン２３とレーザー光が照射された領域Ｂとの位置関係を確認する位置確認工程Ｓ８を行うため、位置確認工程Ｓ８において予め設定したレーザー光の照射領域Ａに対するレーザー光が照射された領域Ｂの位置ずれを早期に検出できる。

《その他の実施形態》
上記各実施形態では、位置確認用パターン２３が一対に設けられているとしたが、本発明はこれに限られず、位置確認用パターン２３は、単一に設けられていてもよく、レーザー光が照射された領域Ｂとの位置関係が確認可能であれば任意の位置に設けることが可能である。

また、上記実施形態２では、２組の一対の位置確認用パターン２３が各配線群１３，１４の両側にそれぞれ設けられているとしたが、本発明はこれに限られず、３組以上の複数の一対の位置確認用パターン２３が各配線群１３，１４の両側にそれぞれ設けられていてもよい。そして、再接続解除工程Ｓ１０を複数回繰り返し行う場合に、各再接続解除工程Ｓ１０において互いに異なる一対の位置確認用パターン２３の間で各ゲート線１１にレーザー光を照射するようにしてもよい。

上記実施形態１では、アクティブマトリクス形成用基板５０と対向形成用基板５２とを貼り合わせた後にシール材４１の注入口４１ａから液晶材料を注入する、いわゆる真空注入法によって液晶層４３を設けるとしたが、本発明はこれに限られず、アクティブマトリクス形成用基板５０及び対向形成用基板５２の一方に各シール材４１を枠状に供給してそれら各シール材４１の内側に液晶材料を所定量滴下した後に両形成用基板５０，５２を貼り合わせる、いわゆる滴下注入法（ＯＤＦ：One Drop Filling）によって液晶層４３を設けてもよい。

上記実施形態１では、検査工程Ｓ６において、短冊状パネル６０の状態において各表示領域Ｄを点灯させることによって各表示領域Ｄ毎の各ゲート線１１を検査するとしたが、本発明はこれに限られず、検査工程は、貼り合わせ工程の前に、各ゲート線１１に所定のゲート検査信号を供給して各画素電極に電荷を書き込み、所定時間経過後に書き込んだ電荷を読み出すことにより、各ゲート線１１の断線や短絡等を検出する電荷検出法等の他の検査方法によって行われていてもよい。

上記各実施形態では、本発明に係るアクティブマトリクス基板１０の製造方法について液晶表示装置１の製造方法に沿って説明したが、本発明はこれに限られず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の他の表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の製造方法にも適用することが可能である。

以上説明したように、本発明は、アクティブマトリクス基板の製造方法について有用であり、特に、予め設定したレーザー光の照射領域に対するレーザー光が照射された領域の位置ずれを早期に検出することが要望されるアクティブマトリクス基板の製造方法に適している。

実施形態１の液晶表示装置を概略的に示す平面図である。 図１のII−II線断面を概略的に示す断面図である。 実施形態１のアクティブマトリクス基板を概略的に示す平面図である。 液晶表示装置の製造方法のフローを示す図である。 アクティブマトリクス形成用基板を概略的に示す平面図である。 アクティブマトリクス基板領域を概略的に示す平面図である。 対向形成用基板を概略的に示す平面図である。 貼り合わせ母基板を概略的に示す平面図である。 短冊状パネルを概略的に示す平面図である。 液晶層が封入された短冊状パネルを概略的に示す平面図である。 接続解除工程において照射領域にレーザー光が照射された状態を示す断面図である。 レーザー光の照射によって各ゲート線を切断した状態のアクティブマトリクス基板領域を概略的に示す平面図である。 所望の照射領域に精度良くレーザー光が照射された状態を示す平面図である。 所望の照射領域に対して実際のレーザー光の照射領域がずれた状態を示す平面図である。 位置確認工程において、各ゲート線におけるレーザー光が照射された領域を挟む部分の電気抵抗を測定している状態を示す平面図である。 第２分断工程において、短冊状パネルが各貼り合わせ基板領域毎に分断された状態を示す平面図である。 短冊状基板における各ゲート線が設けられた側から照射領域にレーザー光を照射した状態を示す断面図である。 短冊状基板における各ゲート線が設けられた側から照射領域にレーザー光を照射した場合での配線材料の微粒子の飛散状態を示す断面図である。 短冊状基板における各ゲート線が設けられた側から照射領域にレーザー光を照射した場合での配線材料の微粒子の飛散状態を示す平面図である。 短冊状基板における各ゲート線が設けられた側とは反対側から照射領域にレーザー光を照射した場合での配線材料の微粒子の飛散状態を示す断面図である。 短冊状基板における各ゲート線が設けられた側とは反対側から照射領域にレーザー光を照射した場合での配線材料の微粒子の飛散状態を示す平面図である。 実施形態２におけるアクティブマトリクス形成用基板のアクティブマトリクス基板領域を概略的に示す平面図である。 図２２におけるレーザー光の照射領域を拡大して概略的に示す平面図である。 実施形態３におけるアクティブマトリクス形成用基板のアクティブマトリクス基板領域を概略的に示す平面図である。 従来におけるレーザー光の照射による各表示用配線の切断において、所望の照射領域にレーザー光が照射された状態を示す平面図である。 従来におけるレーザー光の照射による各表示用配線の切断において、所望の照射領域に対してレーザー光が照射された領域が若干ずれた状態を示す平面図である。 従来におけるレーザー光の照射による各表示用配線の切断において、所望の照射領域に対してレーザー光が照射された領域が大幅にずれた状態を示す平面図である。

符号の説明

Ａ 予め設定されたレーザー光の照射領域
Ｂ レーザー光が照射された領域
Ｄ 表示領域
１ 液晶表示装置
１０ アクティブマトリクス基板
１１ ゲート線（表示用配線）
１１ａ 第１ゲート線（表示用配線）
１１ｂ 第２ゲート線（表示用配線）
１３ 第１配線群（配線群）
１４ 第２配線群（配線群）
１９，２０ ショートリング（短絡用配線）
２３ 位置確認用パターン
５０ アクティブマトリクス形成用基板
６１ 短冊状基板
７０ 切欠部

Claims (8)

1. 複数の表示用配線が設けられた表示領域と、該表示領域の外部で上記各表示用配線に接続された短絡用配線と、該短絡用配線に対して設けられた位置確認用パターンとを備えたアクティブマトリクス形成用基板を準備する準備工程と、
   上記表示領域の外部において、上記各表示用配線にレーザー光を照射することにより、上記各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程と、
   上記位置確認用パターンと上記レーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程とを含む
   ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
2. 請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法において、
   上記アクティブマトリクス形成用基板では、上記複数の表示用配線が互いに並んで上記表示領域の外部に引き出されて該表示領域の外部で配線群を構成し、該配線群の両側に上記位置確認用パターンが一対に設けられ、
   上記接続解除工程では、上記一対の位置確認用パターンの間において上記各表示用配線にレーザー光を照射することによって該各表示用配線を切断する
   ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
3. 請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法において、
   上記アクティブマトリクス形成用基板は、上記各表示用配線におけるレーザー光が照射される部分に切欠部がそれぞれ形成されている
   ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
4. 請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法において、
   上記接続解除工程の後に、上記各表示用配線における上記レーザー光が照射された領域を挟む部分の間の電気抵抗を測定する抵抗測定工程と、
   上記抵抗測定工程によって測定された電気抵抗に基づき、上記各表示用配線の少なくとも一部に切断不良が生じていると判断した場合に、上記各表示用配線にレーザー光を再度照射して該各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する再接続解除工程とを含む
   ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
5. 請求項４に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法において、
   上記再接続解除工程では、上記接続解除工程においてレーザー光が照射された領域とは異なる領域で上記各表示用配線にレーザー光を照射する
   ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
6. 請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法において、
   上記アクティブマトリクス形成用基板は、上記表示領域がマトリクス状に複数規定され、
   上記アクティブマトリクス形成用基板を上記複数の表示領域の各行毎に分断することによって複数の短冊状基板を形成する第１分断工程と、
   上記各短冊状基板を上記各表示領域毎に分断する第２分断工程とを含み、
   上記接続解除工程では、上記各短冊状基板において、上記各表示用配線に連続してレーザー光を照射する
   ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
7. 請求項６に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法において、
   上記接続解除工程よりも前に、上記各短冊状基板における上記短絡用配線に所定の信号を供給することにより、上記各表示領域毎の各表示用配線を検査する検査工程を含む
   ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
8. 複数の表示用配線が設けられた表示領域と、該表示領域の外部で上記各表示用配線に接続された短絡用配線と、該短絡用配線に対して設けられた位置確認用パターンとを備えたアクティブマトリクス形成用基板を準備する準備工程と、
   上記表示領域の外部において、上記各表示用配線及び上記短絡用配線の少なくとも一方にレーザー光を照射することにより、上記各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程と、
   上記位置確認用パターンと上記レーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程とを含む
   ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。

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