JP2009116167A - Manufacturing method of liquid crystal display element - Google Patents
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Abstract
【課題】 液晶表示装置の表示品位を向上させる。
【解決手段】
一対の基板の各々表面上に電極パターンを形成する工程と、電極パターンの上に配向膜を形成する工程と、配向膜をラビング処理する工程と、ラビング処理した配向膜にプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した配向膜が形成された一対の基板間に液晶を挟持して液晶セルを形成する工程とを含む液晶表示素子の製造方法を提供する。
【選択図】 図2PROBLEM TO BE SOLVED: To improve display quality of a liquid crystal display device.
[Solution]
A step of forming an electrode pattern on each surface of a pair of substrates, a step of forming an alignment film on the electrode pattern, a step of rubbing the alignment film, and a step of irradiating plasma on the alignment film subjected to the rubbing treatment And a step of forming a liquid crystal cell by sandwiching a liquid crystal between a pair of substrates on which an alignment film irradiated with plasma is formed.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、液晶表示素子(LCD)の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display element (LCD).
LCDの作製においては、基板上方に配向膜を形成後、ラビング処理を施す。特開2005−234254号公報において、配向欠陥の少ないラビング処理の方法が提案されている。 In manufacturing the LCD, a rubbing process is performed after forming an alignment film above the substrate. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-234254 proposes a rubbing treatment method with few alignment defects.
LCD製造工程において、ラビング後の洗浄が不十分であると、ラビング布ゴミ及びラビングによる静電気等で付着した微小ゴミが配向膜表面に残留したままセル化され、ゴミ自体の視覚認識による表示欠陥、もしくはゴミ付近の液晶配向の乱れによる表示欠陥が生じる。 In the LCD manufacturing process, if the cleaning after the rubbing is insufficient, the rubbing cloth dust and the fine dust adhered by static electricity due to the rubbing remain on the surface of the alignment film and become cells, and display defects due to visual recognition of the dust itself, Or a display defect occurs due to disorder of liquid crystal alignment in the vicinity of dust.
単純マトリクス型LCDでは、ラビング処理後にエアーブローを施す程度の表面処理しか行わず、特に洗浄などを行うことなく重ね合わせることが多かった。ラビング後は強力な静電気が発生するため、エアーブロー程度では完全に微小ゴミを除去することができなかった。 In a simple matrix type LCD, only a surface treatment to the extent that an air blow is performed after the rubbing treatment is performed, and the superposition is often performed without performing cleaning or the like. Since strong static electricity is generated after rubbing, it was not possible to completely remove fine dust by air blow.
本発明の目的は、表示品位の向上した液晶表示素子を提供することである。 An object of the present invention is to provide a liquid crystal display element with improved display quality.
本発明の一観点によれば、一対の基板の各々表面上に電極パターンを形成する工程と、前記電極パターンの上に配向膜を形成する工程と、前記配向膜をラビング処理する工程と、前記ラビング処理した前記配向膜にプラズマを照射する工程と、前記プラズマを照射した配向膜が形成された一対の基板間に液晶を挟持して液晶セルを形成する工程とを含む液晶表示素子の製造方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, a step of forming an electrode pattern on each surface of a pair of substrates, a step of forming an alignment film on the electrode pattern, a step of rubbing the alignment film, A method for manufacturing a liquid crystal display element, comprising: irradiating plasma on the alignment film subjected to rubbing treatment; and forming a liquid crystal cell by sandwiching liquid crystal between a pair of substrates on which the alignment film irradiated with the plasma is formed. Is provided.
本発明によれば、表示品位の向上した液晶表示素子を提供できる。 According to the present invention, a liquid crystal display element with improved display quality can be provided.
図1を参照して、実施例により作製する液晶表示素子の製造方法の概略を説明する。図1は、液晶表示素子の概略断面図である。 With reference to FIG. 1, the outline of the manufacturing method of the liquid crystal display element produced by an Example is demonstrated. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display element.
2つのガラス基板1A、1Bの各々の表面上に透明であるインジウムスズオキサイド(ITO)膜をCVD、蒸着、スパッタなどにより形成し、フォトリソグラフィーにて所望のITO電極パターン2および外部取出し配線2lを形成する。ガラス基板として板厚0.7mm、基板サイズ縦150mm×横300mmの青板ガラスを用い、洗浄機を用いて洗浄を行った。ここではアルカリ性洗剤を用いたブラシ洗浄、純水によるブラシ洗浄、エアーナイフによる水切り、IR(赤外線)及びUV(紫外線)洗浄を行った。なお、ITOの厚さは800Åである。
A transparent indium tin oxide (ITO) film is formed on the surface of each of the two glass substrates 1A and 1B by CVD, vapor deposition, sputtering, etc., and a desired
ITO電極パターン2が付いたガラス基板1A、1B上にフレキソ印刷にて絶縁膜4を形成する。この絶縁膜4は必須では無いが、上下基板間の短絡防止のため形成しても良い。絶縁膜形成方法としてフレキソ印刷の他に、メタルマスクを用い、蒸着やスパッタなどの方法を行っても良い。
An insulating film 4 is formed on the glass substrates 1A and 1B with the
次に、絶縁膜4の上に絶縁膜4とほぼ同じパターンの配向膜5をフレキソ印刷等で形成する。次にラビング処理を施す。ラビングは布を巻いた円筒状のロールを高速に回転させ、配向膜5上を擦る工程である。 Next, an alignment film 5 having substantially the same pattern as that of the insulating film 4 is formed on the insulating film 4 by flexographic printing or the like. Next, a rubbing process is performed. The rubbing is a process in which a cylindrical roll wound with a cloth is rotated at high speed and rubbed on the alignment film 5.
配向膜5の形成後、大気圧プラズマを照射して表面処理を行う。なお、配向膜形成・表面処理の詳細な工程については、LCDの種類毎の実施例において説明する。 After the alignment film 5 is formed, surface treatment is performed by irradiating atmospheric pressure plasma. The detailed steps of alignment film formation and surface treatment will be described in the examples for each type of LCD.
シール材6を所定のパターンにスクリーン印刷する。シール材6の形成にはスクリーン印刷の代わりにディスペンサを用いても良い。シール材には熱硬化性のES−7500(三井化学製)を用いるが、光硬化性のものや、光・熱併用型シール材でも良い。このシール材6は直径6μmの大きさのグラスファイバーを数%含んでいる。 The sealing material 6 is screen-printed in a predetermined pattern. A dispenser may be used for forming the sealing material 6 instead of screen printing. A thermosetting ES-7500 (manufactured by Mitsui Chemicals) is used as the sealing material, but a photo-curing material or a combined light / heat sealing material may be used. The sealing material 6 contains several percent of glass fibers having a diameter of 6 μm.
導通材7を所定の位置に印刷する。ここではシール材ES−7500に6.5μmのAuめっきを施したスチレンボールを数%含んだものを導通材7として所定の位置にスクリーン印刷する。 The conductive material 7 is printed at a predetermined position. Here, the seal material ES-7500 containing a few percent of styrene balls plated with 6.5 μm Au is screen-printed at a predetermined position as the conductive material 7.
シール材パターン6及び導通材パターン7は上側の基板1Bにのみ形成し、下側の基板1Aにはギャップコントロール材を乾式散布法にて散布する。ギャップコントロール材には6μmのプラスチックボールを用いる。 The sealing material pattern 6 and the conductive material pattern 7 are formed only on the upper substrate 1B, and a gap control material is sprayed on the lower substrate 1A by a dry spraying method. A 6 μm plastic ball is used as the gap control material.
2つの基板1A、1Bを、配向膜5が内側になるよう所定の位置で重ね合わせセル化し、プレスした状態で熱処理によりシール材6を硬化する。 The two substrates 1A and 1B are stacked into cells at predetermined positions so that the alignment film 5 is on the inside, and the sealing material 6 is cured by heat treatment in a pressed state.
次にスクライバー装置によりガラス基板に傷をつけ、ブレイキングにより所定の大きさ、形に分割して空セルを作成する。 Next, the glass substrate is scratched with a scriber device, and is divided into a predetermined size and shape by breaking to create empty cells.
上記の空セルに毛細管現象を利用した注入法でナノメートルサイズの金属粒子含有液晶3を注入し、その後エンドシール材で注入口を封止する。その後ガラス基板の面取りと洗浄を行い、液晶表示素子101を作成する。 The nanometer-sized metal particle-containing liquid crystal 3 is injected into the empty cell by an injection method utilizing capillary action, and then the injection port is sealed with an end seal material. Thereafter, the glass substrate is chamfered and cleaned to form the liquid crystal display element 101.
以下、LCDの種類毎に実施例を説明する。 Hereinafter, an embodiment will be described for each type of LCD.
(実施例1)
実施例1では、ツイストネマチック(TN)−LCDの製造を対象とする。配向膜として、TN用の低プレチルト角水平配向膜材料(日産化学製、SE−410)を用いる。この配向膜を基板上方に印刷後、本焼成を行う(180℃〜250℃、1時間〜2時間)。ここでは180℃で1.5時間熱処理を行う。
Example 1
Example 1 is directed to the manufacture of twisted nematic (TN) -LCDs. As the alignment film, a low pretilt angle horizontal alignment film material for TN (manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd., SE-410) is used. This alignment film is printed on the substrate and then subjected to main baking (180 ° C. to 250 ° C., 1 hour to 2 hours). Here, heat treatment is performed at 180 ° C. for 1.5 hours.
配向処理としてラビングを行う。ラビングは液晶層が基板面において90度ツイストするように施す。 Rubbing is performed as an alignment treatment. The rubbing is performed so that the liquid crystal layer is twisted 90 degrees on the substrate surface.
ラビング後に大気圧プラズマ(AP)による表面処理を行う。 After rubbing, surface treatment with atmospheric pressure plasma (AP) is performed.
図2を参照する。図2は、大気圧プラズマAPによる配向膜処理の概略図である。図示のように、電極2、配向膜5が形成された基板1を矢印の方向に搬送し、上方から配向膜5に向けて大気圧プラズマAPを照射する。大気圧プラズマAPはプラズマ電極9間にガス供給源GSからプラズマ生成用ガスが供給され、電極間に電源PSから例えば交流電圧が印加されて生成される。生成したプラズマはノズル10から基板上に照射される。プラズマ条件は電力4.5kW、窒素ガス流量300l/min、ドライエアー流量300ml/minである。ノズルヘッドと配向膜表面との距離は3mmである。
Please refer to FIG. FIG. 2 is a schematic diagram of alignment film processing using atmospheric pressure plasma AP. As shown in the drawing, the
ここでは搬送速度を3m/minと1m/minの2種類とし、前者を弱いAP処理条件、後者を強いAP処理条件とする。なお、ノズルの幅は150mm程度である。AP処理後にエアーブローを行う。 Here, two types of conveyance speeds of 3 m / min and 1 m / min are used, the former being weak AP processing conditions and the latter being strong AP processing conditions. The width of the nozzle is about 150 mm. Air blow is performed after AP treatment.
その後、基板にメインシールパターンをスクリーン印刷もしくはディスペンサにて形成し、ギャップコントロール剤を散布する。そして2つの基板を貼りあわせて空セルを形成する。空セルの空隙部分に大日本インキ化学工業製のSTN用液晶(Δn=0.093)を真空注入法(毛細管現象を利用した方法)で注入し、TN−LCDを完成する。 Thereafter, a main seal pattern is formed on the substrate by screen printing or a dispenser, and a gap control agent is sprayed. Then, the two substrates are bonded to form an empty cell. A liquid crystal for STN (Δn = 0.093) manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc. is injected into the void portion of the empty cell by a vacuum injection method (method using a capillary phenomenon) to complete a TN-LCD.
なお、液晶セルの形成は、一方の基板にシール材を塗布して枠を作り、その枠に液晶を滴下してから他方の基板を貼りあわせるODF(滴下注入)法を用いても良い。 Note that the liquid crystal cell may be formed by an ODF (drop injection) method in which a sealing material is applied to one substrate to form a frame, a liquid crystal is dropped on the frame, and then the other substrate is bonded.
上記の方法により、AP処理無し、AP処理弱、AP処理強の3種類の液晶表示素子を作製し、それらのプレチルト角を複数点測定した。測定はクリスタルローテーション法を用い、6つの微小エリア(0.5mmΦ)に光を当て測定した。 Three types of liquid crystal display elements of no AP treatment, weak AP treatment, and strong AP treatment were produced by the above method, and their pretilt angles were measured at a plurality of points. The crystal rotation method was used for the measurement, and light was applied to six minute areas (0.5 mmΦ).
図3を参照して、AP処理の効果について検討する。図3は、各素子のプレチルト角の表である。図示のように、AP処理を行わなかった(エアーブローのみ)場合、6つのエリアのプレチルト角は1.4276°〜1.9795°である。その最大値と最小値の差は0.5519°である。また、セル内に0.1mm〜0.3mm程度の微小ゴミが見られた。 With reference to FIG. 3, the effect of the AP processing will be examined. FIG. 3 is a table of pretilt angles of the respective elements. As shown in the figure, when AP processing is not performed (only air blow), the pretilt angles of the six areas are 1.4276 ° to 1.9795 °. The difference between the maximum value and the minimum value is 0.5519 °. In addition, minute dust of about 0.1 mm to 0.3 mm was observed in the cell.
一方、AP処理を施したセルのプレチルト角を見ると、未処理のものに比べ低いプレチルト角であり、また最大値と最小値の差も少ない。AP処理弱の場合、6点のプレチルト角は0.93979°〜1.0317°であり、最大値と最小値の差は0.09191°である。AP処理強の場合、6点のプレチルト角は0.64694°〜0.75657°であり、最大値と最小値の差は0.10963°である。 On the other hand, looking at the pretilt angle of the cell subjected to AP processing, the pretilt angle is lower than that of the untreated cell, and the difference between the maximum value and the minimum value is small. In the case of weak AP processing, the pretilt angles at 6 points are 0.93979 ° to 1.0317 °, and the difference between the maximum value and the minimum value is 0.09191 °. In the case of strong AP processing, the pretilt angles at six points are 0.64694 ° to 0.75657 °, and the difference between the maximum value and the minimum value is 0.10963 °.
一般的にプレチルト角が低いほど、マルチプレックス駆動のTN−LCDのコントラストが高くなるため、AP処理を施すことが好ましいといえる。プレチルト角のばらつきの幅も小さくなるため、表示の均一性が高くなるであろう。また、AP処理を行った場合、未処理の際に見られた微小ゴミは観察されなかった。微小ゴミは静電気によって配向膜上に付着すると考えられる。AP処理を行うと静電気が除去されるため(静電気除去効果は確認済み)、微小ゴミが付着しなくなったものと考えられる。 In general, the lower the pretilt angle, the higher the contrast of the multiplex-driven TN-LCD, and therefore it can be said that AP processing is preferable. Since the width of the variation in the pretilt angle is also small, the display uniformity will be high. In addition, when the AP treatment was performed, the fine dust seen when untreated was not observed. It is considered that minute dust adheres to the alignment film due to static electricity. When AP treatment is performed, static electricity is removed (the effect of removing static electricity has been confirmed), and it is considered that fine dust is no longer attached.
大気圧プラズマAPは、有機物を分解する働きがあることが知られている。そのため、配向膜のうち、他に比べて立ち上がりが大きかったり、異常な方向に立ち上がったりした側鎖、主鎖(有機結合)などが分解され、結果として低く、ばらつきの少ないプレチルト角の配向膜が得られると考えられる。なお、低いプレチルト角はラビングを弱めるなどすることで実現可能であるが、その場合プレチルト角が0°になってしまう場所が生じる等の理由から現実的ではない。そこで実施例のようにAP処理を施すことが有効になる。 It is known that the atmospheric pressure plasma AP has a function of decomposing organic substances. Therefore, among the alignment films, side chains, main chains (organic bonds), etc., which have a larger rise or rise in an abnormal direction, are decomposed, and as a result, an alignment film having a low pre-tilt angle with little variation is decomposed. It is thought that it is obtained. A low pretilt angle can be realized by weakening rubbing or the like. However, in that case, it is not realistic because a place where the pretilt angle becomes 0 ° occurs. Therefore, it is effective to perform AP processing as in the embodiment.
実施例1では、プレチルト角を平均1.6°から0.8°にすることにより、1/8Duty駆動のTN−LCDのコントラスト比を1.5倍に高めることが出来た。 In Example 1, the contrast ratio of the 1/8 Duty drive TN-LCD could be increased to 1.5 times by changing the pretilt angle from an average of 1.6 ° to 0.8 °.
(実施例2)
実施例2では、スーパーツイストネマチックSTN−LCDの製造を対象とする。ガラス基板の種類・サイズや洗浄方法は実施例1と同様である。ガラス基板洗浄後、ITO膜を形成し、その後、配向膜のフレキソ印刷を行う。ここでは配向膜としてSTN用の高プレチルト角の水平配向膜材料(日産化学製)を用いる。この配向膜を本焼成する(180℃〜250℃、1〜2時間)。ここでは200度で1.5時間熱処理を行う。
(Example 2)
The second embodiment is directed to the manufacture of a super twist nematic STN-LCD. The type and size of the glass substrate and the cleaning method are the same as in Example 1. After the glass substrate is washed, an ITO film is formed, and then the alignment film is flexographically printed. Here, a high pretilt angle horizontal alignment film material (manufactured by Nissan Chemical Industries) for STN is used as the alignment film. This alignment film is finally baked (180 ° C. to 250 ° C., 1 to 2 hours). Here, heat treatment is performed at 200 degrees for 1.5 hours.
次に配向膜処理としてラビングを行う。ラビングは液晶層が180°ツイストするように行う。 Next, rubbing is performed as an alignment film treatment. The rubbing is performed so that the liquid crystal layer is twisted 180 °.
ラビング後にAP処理を行う。AP処理の方法は図2に示したものと同様である。プラズマ条件は、電力3.0kW、窒素ガス流量300l/min、ドライエアー流量300ml/min、ノズルヘッドと基板の距離3mm、搬送速度3m/minである。 AP processing is performed after rubbing. The AP processing method is the same as that shown in FIG. The plasma conditions are a power of 3.0 kW, a nitrogen gas flow rate of 300 l / min, a dry air flow rate of 300 ml / min, a distance between the nozzle head and the substrate of 3 mm, and a transfer speed of 3 m / min.
その後実施例1と同様の方法で液晶表示素子を完成する。ただし、注入する液晶は大日本インキ化学工業製のSTN用液晶(Δn=0.165)である。また、偏光板はノーマリブラックとなるように配置する。 Thereafter, a liquid crystal display element is completed in the same manner as in Example 1. However, the liquid crystal to be injected is STN liquid crystal (Δn = 0.165) manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. The polarizing plate is arranged so as to be normally black.
上記の方法でSTN−LCDのサンプルを作製した。比較のために、1枚の液晶セルのうち、1/4(面積比)の領域のみAP処理を施し、残りの3/4の領域は処理を施さなかった。処理後に全面エアーブローを行った。 A sample of STN-LCD was prepared by the above method. For comparison, only a quarter (area ratio) region of one liquid crystal cell was subjected to AP treatment, and the remaining 3/4 region was not treated. After the treatment, the entire surface was blown with air.
図4は、サンプルの表示部の平面図である。左1/4の領域(左領域と呼ぶこととする)がAP処理を施した領域、右3/4の領域(右領域と呼ぶこととする)がAP処理を施さなかった領域である。サンプルには黒表示を保つ程度の電圧、すなわち閾値電圧よりも少し小さい程度の電圧を印加した。図示のように、左領域は黒表示のままであるが、右領域においては所々に白い点状の表示欠陥(白点欠陥と呼ぶこととする)が観察された。 FIG. 4 is a plan view of a sample display unit. The left 1/4 area (referred to as the left area) is the area where AP processing has been performed, and the right 3/4 area (referred to as the right area) is the area where AP processing has not been performed. A voltage that kept black display, that is, a voltage slightly lower than the threshold voltage, was applied to the sample. As shown in the figure, the left region remains black, but white point-like display defects (referred to as white point defects) are observed in the right region.
白点欠陥は、電圧無印加時には見られず、閾値付近の電圧を印加した時のみ見られるため、配向膜の局所的なプレチルト角のばらつきにより生じる欠陥であると考えられる。その後、複数のサンプルを作製したが、AP処理を施した領域については白点欠陥は確認されなかった。これは実施例1と同様の理由で、配向膜のプレチルト角のばらつきが減少し、また微小ゴミが減少したためと考えられる。 The white spot defect is not seen when no voltage is applied, but is seen only when a voltage in the vicinity of the threshold is applied. Therefore, it is considered that the white spot defect is caused by a variation in the local pretilt angle of the alignment film. After that, a plurality of samples were produced, but no white spot defect was confirmed in the area subjected to AP treatment. This is presumably because, for the same reason as in Example 1, the variation in the pretilt angle of the alignment film was reduced and the amount of fine dust was reduced.
なお、実施例2によるサンプルではプレチルト角の測定を行えなかったものの、LCDの電圧−透過率特性はAP処理の有無でほとんど差が無かったため、プレチルト角自体はAP処理領域と未処理領域とで同程度と考えられる。 Although the sample according to Example 2 could not measure the pretilt angle, there was almost no difference in the voltage-transmittance characteristics of the LCD with and without the AP process, so the pretilt angle itself was different between the AP process area and the unprocessed area. It is considered to be the same level.
上記の実施例のように、配向膜のラビング後にAP処理を行うことで、表示欠陥を減少させ、表示品質を向上させることが出来る。 By performing AP treatment after the alignment film is rubbed as in the above embodiment, display defects can be reduced and display quality can be improved.
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、配向膜を用いる液晶表示装置であれば、AP処理の効果は(少なくとも微小ゴミの除去に関して)期待できるであろう。適用できるLCDのタイプとしては、D(Dual)STN−LCD、F(Film)STN−LCD、VA(垂直配向)−LCD等が挙げられる。また、IPS(インプレインスイッチング)やマルチドメインVA、TNモード等を用いたTFT−LCDにおいても、表示の均一性が向上することが期待できる。 Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited thereto. For example, in the case of a liquid crystal display device using an alignment film, the effect of AP treatment can be expected (at least for removal of minute dust). Applicable LCD types include D (Dual) STN-LCD, F (Film) STN-LCD, VA (Vertical Alignment) -LCD, and the like. In addition, display uniformity can be expected to improve in TFT-LCDs using IPS (in-plane switching), multi-domain VA, TN mode, and the like.
その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。 It will be apparent to those skilled in the art that other various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.
1、1A、1B (透明)基板
2、2l 電極
3 液晶
4 絶縁膜
5 配向膜
6 シール材
7 導通材
8 偏光板
9 プラズマ発生装置
10 ノズル
101 液晶表示素子
AP 大気圧プラズマ
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記電極パターンの上に配向膜を形成する工程と、
前記配向膜をラビング処理する工程と、
前記ラビング処理した前記配向膜にプラズマを照射する工程と、
前記プラズマを照射した配向膜が形成された一対の基板間に液晶を挟持して液晶セルを形成する工程と
を含む液晶表示素子の製造方法。 Forming an electrode pattern on each surface of a pair of substrates;
Forming an alignment film on the electrode pattern;
Rubbing the alignment film; and
Irradiating the rubbing-treated alignment film with plasma;
Forming a liquid crystal cell by sandwiching liquid crystal between a pair of substrates on which an alignment film irradiated with the plasma is formed.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108780250A (en) * | 2016-07-27 | 2018-11-09 | 株式会社Lg化学 | Variable transmittance film, its production method and use |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108780250A (en) * | 2016-07-27 | 2018-11-09 | 株式会社Lg化学 | Variable transmittance film, its production method and use |
| JP2019505848A (en) * | 2016-07-27 | 2019-02-28 | エルジー・ケム・リミテッド | Transmissivity variable film, manufacturing method and use thereof |
| US10890806B2 (en) | 2016-07-27 | 2021-01-12 | Lg Chem, Ltd. | Transmittance variable film, manufacturing method and use thereof |
| CN108780250B (en) * | 2016-07-27 | 2022-03-08 | 株式会社Lg化学 | Transmittance variable film, method for producing same, and use thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110201 |