JP2009116148A - 発光装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】電源線における電位降下によって、電源線に接続された各単位回路の発光量が減少することを抑制する。
【解決手段】発光装置１０はｎ個の単位回路Ｕ１〜Ｕｎを備える。複数の単位回路Ｕ１〜Ｕｎの各々は、高位側電源線１６から電力の供給を受けて駆動電流Ｉｄｓを生成する電流源トランジスタＴｇと、駆動電流Ｉｄｓに応じた輝度で発光する発光素子２３と、を備え、複数の単位回路Ｕ１〜Ｕｎの各々における電流源トランジスタＴｇのゲートは、基準電位線１８の基準電位供給用端子２２と低電位供給点Ｃとの間に接続され、基準電位供給用端子２２には電源回路１４及び１５から基準電位ＶＲＥＦが供給され、低電位供給点Ｃには、基準電位ＶＲＥＦよりも低い電位が供給される。
【選択図】 図４

Description

本発明は、有機発光ダイオード（以下「ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ」という）素子など各種の発光素子を利用した発光装置、及びそのような発光装置を備えた電子機器に関するものである。

基板の上に、ＯＬＥＤ素子などの発光素子と、これに電流を供給するためのトランジスタと、を含む単位回路を複数個配列した構成の発光装置が従来から提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１の構成においては、基板の上には更に電源線が設けられ、その電源線に各単位回路がそれぞれ接続される。電源からの電力は、電源端子を介して電源線に供給される。各々の単位回路のトランジスタは電源線から電力の供給を受けて駆動電流を生成する。各々の単位回路の発光素子は、トランジスタで生成された駆動電流の供給を受けて発光する。このとき、電流は電源線から各単位回路へ向かって流れる。
特開平８-１０８５６８号公報

ここで、電源線自体は抵抗体であるため、各発光素子に対する駆動電流の供給に伴って電源線に電流が流れると、電源線において電位降下が生じる。電源端子から単位回路のトランジスタと電源線との接続点に至る電流の経路長が大きいほど、その電流経路の抵抗値も大きくなり、接続点で生じる電位降下量も大きくなる。そうすると、トランジスタで生成される駆動電流も大きく減少し、これにより発光素子の発光強度（輝度）が大きく減少してしまう。
すなわち、電源端子から単位回路のトランジスタに至る電流の経路長が大きいほど発光素子の発光強度が大きく減少するので、各単位回路における発光素子の発光強度にばらつきが生じてしまうという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、電源線に接続された各単位回路における発光素子の発光強度のばらつきを抑制するという課題の解決を目的としている。

以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、電源端子を介して電力が供給される高位側電源線に各々が接続される複数の単位回路（高位側電源線に接続された全ての複数の単位回路の他、そのうちの一部の複数の単位回路も含む）を備え、複数の単位回路の各々は、高位側電源線から電力の供給を受けて駆動電流を生成する電流源トランジスタと、電流源トランジスタによって生成される駆動電流に応じた輝度で発光する発光素子と、を備え、複数の単位回路の各々における電流源トランジスタのゲートは、基準電位線の第１電位供給点と第２電位供給点との間に接続され、電源端子から電流源トランジスタに至る電流経路の抵抗値が大きいほど、第１電位供給点から当該電流源トランジスタのゲートに至る電流経路の抵抗値は大きく、第１電位供給点には基準電位が供給され、第２電位供給点には、基準電位よりも低い電位が供給される。

この発明によれば、高位側電線線で生じる電位降下によって、単位回路の電流源トランジスタに供給される電源電位が減少した場合であっても、電流源トランジスタのゲートに供給される基準電位を電源電位の減少に応じて減少させることができる。これにより、電流源トランジスタで生成される駆動電流の減少を抑制でき、各単位回路における発光素子の発光強度（輝度）にばらつきが生じることを抑制できる。

上述した発光装置の具体的な態様としては、複数の単位回路の各々は、高位側電源線と低位側電源線との間に配置され、第２電位供給点に低位側電源線を接続するという態様であってもよい。この発明によれば、基準電位線における第２電位供給点の電位を低位側電源線の電位まで降下させることができる。

また、上述した発光装置において、第２電位供給点と低位側電源線との間に抵抗体を設けることで、第２電位供給点と低位側電源線との間の電圧を所望の値に設定することもできる。また、上述した発光装置において、第２電位供給点と低位側電源線との間には、複数ビットの入力データに応じて第２電位供給点と低位側電源線との間の電圧を変更する電圧変更手段を設けることもできる。この発明によれば、高位側電源線における電位降下量が変動した場合にも、そのときの基準電位線の電位降下量を調整することができる。これにより、各単位回路の電流源トランジスタで生成される駆動電流のばらつき(発光素子の発光強度のばらつき)を抑制できる。

上述の電圧変更手段は、例えばデジタルデータの入力信号に応じたアナログ信号を出力するＤＡ変換器で構成することもできる。この場合、ＤＡ変換器に入力される複数ビットのデジタルデータを制御して、ＤＡ変換器の出力である第２電位供給点と低位側電源線との間の電圧値を変更することができる。また、上述の電圧変更手段をトランジスタで構成することもできる。この場合、トランジスタのゲートへ供給される電圧を制御してトランジスタのオン抵抗を調整することによって、第２電位供給点と低位側電源線との間の電圧を変更することもできる。これにより、基準電位線の電位降下量を調整することができる。

また、上述した発光装置において、基準電位供給配線の第１電位供給点と第２電位供給点との間には、低位側電源線との接続点が複数設けられ、各接続点と低位側電源線との間の抵抗値は、第１電位供給点から接続点に至る電流経路の抵抗値が大きいほど、第１電位供給点の電位と当該接続点の電位との電位差は大きくなるように、個別に設定するという態様であってもよい。この発明によれば、各電流源トランジスタのゲートに供給される基準電位の電位降下量を、各電流源トランジスタに供給される電源電位の電位降下量に精度良く近づけることができ、各単位回路の電流源トランジスタで生成される駆動電流のばらつき(発光素子の発光強度のばらつき)を一層抑制できる。

次に、本発明に係る電子機器は、上述した発光装置を備えることが好ましい。このような電子機器としては、プリンタ、複写機、ファクシミリ、あるいは、画像を表示する表示装置、パーソナルコンピュータ、携帯電話機等が該当する。

<Ａ：第１実施形態>
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置を露光装置（光ヘッド）として利用した画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。同図に示すように、画像形成装置は発光装置１０と集光性レンズアレイ１１と感光体ドラム１２（像担持体）とを含む。発光装置１０は、基板１３の表面に直線状に配列された多数の発光素子（図１においては図示略）を含む。これらの発光素子は、用紙などの記録材に印刷されるべき画像の態様に応じて選択的に発光する。感光体ドラム１２は、主走査方向に延在する回転軸に支持され、外周面を発光装置１０に対向させた状態で副走査方向（記録材が搬送される方向）に回転する。

集光性レンズアレイ１１は発光装置１０と感光体ドラム１２との間隙に配置される。この集光性レンズアレイ１１は、各々の光軸を発光装置１０に向けた姿勢でアレイ状に配列された多数の屈折率分布型レンズを含む。このような集光性レンズアレイ１１としては、例えば日本板硝子株式会社から入手可能なＳＬＡ（セルフォック・レンズ・アレイ）がある（セルフォック／ＳＥＬＦＯＣは日本板硝子株式会社の登録商標）。

発光装置１０の各発光素子からの出射光は集光性レンズアレイ１１の各屈折率分布型レンズを透過したうえで感光体ドラム１２の表面に到達する。この露光によって感光体ドラム１２の表面には所望の画像に応じた潜像（静電潜像）が形成される。

図２は、発光装置１０の電気的な構成を示すブロック図である。図２に示すように、発光装置１０は、電源回路１４及び１５と、高位側電源線１６と、低位側電源線（接地線）１７と、基準電位線１８と、ｎ個の単位回路Ｕ（Ｕ_１〜Ｕ_ｎ）と、駆動回路１９と、が基板１３の表面に配置された構造となっている。電源回路１４及び１５は、長尺状の基板１３の長手方向両端部の近傍に配置されている。高位側電源線１６及び低位側電源線１７は主走査方向に沿って延在する。高位側電源線１６の両端には電源端子２０が設けられている。また、低位側電源線１７の両端にも電源端子２１が設けられている。高位側電源線１６には電源端子２０を介して電源回路１４及び１５から電源電位ＶＥＬが供給される。低位側電源線１７には電源端子２１を介して電源回路１４及び１５から接地電位ＶＣＴ（ＶＥＬ＞ＶＣＴ）が供給される。また、基準電位線１８は主走査方向に沿って延在し、その両端には基準電位供給用端子２２が設けられている。基準電位線１８には基準電位供給用端子２２を介して電源回路１４及び１５から基準電位ＶＲＥＦ（ＶＥＬ＞ＶＲＥＦ＞ＶＣＴ）が供給される。単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎは、主走査方向に沿って配列され、その各々は、高位側電源線１６及び低位側電源線１７との間に配置される。

図２に示すように、単位回路Ｕ_１は、電流源トランジスタＴｇと、トランジスタＴｒと、発光素子２３と、を含む。なお、他の単位回路Ｕ_２〜Ｕ_ｎも単位回路Ｕ_１と同様に構成されている。図２に示すように、発光素子２３は、高位側電源線１６と低位側電源線１７との間に配置される。発光素子２３は、駆動電流Ｉｄｓに応じた階調となる素子である。本実施形態における発光素子２３は、有機ＥＬ素子（ＥlectroLuminescent）材料で形成された発光層が陽極と陰極との間隙に介在するОＬＥＤ素子であり、発光層に供給される駆動電流Ｉｄｓの電流値に応じた輝度で発光する。

図２に示すように、電流源トランジスタＴｇは、高位側電源線１６と発光素子２３との間に配置されるＰチャネル型のトランジスタ（典型的には薄膜トランジスタ）である。電流源トランジスタＴｇのソースは高位側電源線１６と接続され、高位側電源線１６から電源電位ＶＥＬが供給される。図２に示すように、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける電流源トランジスタＴｇのソースと高位側電源線１６との接続点をそれぞれＳ_１〜Ｓ_ｎとする。また、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける電流源トランジスタＴｇのゲートは基準電位線１８と接続される。電源電位ＶＥＬと基準電位ＶＲＥＦの供給により、各電流源トランジスタＴｇは定電流源として機能する。

図２に示すように、トランジスタＴｒは、電流源トランジスタＴｇと発光素子２３との間に配置されるトランジスタ（典型的には薄膜トランジスタ）である。駆動回路１９は、画像形成装置の制御装置（例えばＣＰＵやコントローラである。以下では「上位装置」という）から送られた階調データに応じた電位ＶｄをトランジスタＴｒのゲートに供給する。本実施形態における階調データは、発光素子２３に対して点灯（高階調）および消灯（低階調）の何れかを指定するデータである。トランジスタＴｒは、階調データに応じた電位Ｖｄがゲートに供給されることでオン状態又はオフ状態の何れかに制御される。トランジスタＴｒがオン状態に変化すると、電流源トランジスタＴｇで生成された駆動電流Ｉｄｓが発光素子２３に供給され、これによって発光素子２３は発光する。これに対し、トランジスタＴｒがオフ状態に変化すると、電流源トランジスタＴｇで生成された駆動電流Ｉｄｓの電流値はゼロとなって発光素子２３は消灯する。

発光素子２３の発光強度（輝度）は、定電流源である電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓの電流値で決まる。電流源トランジスタＴｇは飽和領域で動作し、電流源トランジスタＴｇによって生成される駆動電流Ｉｄｓは、次に示す式（１）で表される。
Ｉｄｓ＝（μ＊Ｃｏｘ／２）＊（Ｗ／Ｌ）＊（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）^２＊（１＋Ｖｄｓ）・・（１）
上記式（１）において、μは電子の移動度、Ｃｏｘは電流源トランジスタＴｇのゲート容量、Ｗは電流源トランジスタＴｇのチャネル幅、Ｌは電流源トランジスタＴｇのチャネル長、Ｖｇｓは電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧、Ｖｔｈは電流源トランジスタＴｇの閾値電圧、Ｖｄｓは電流源トランジスタＴｇのドレイン・ソース間電圧をそれぞれ表している。

各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける発光素子２３の発光強度を等しくするためには、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓの電流値を等しくする必要がある。そうすると、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおいて、電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓの電流値に大きく影響を与える電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓを一定にする必要がある。

ここで、基準電位線１８に電流が流れない構成（対比例）を想定する。図３は、対比例における、高位側電源線１６における主走査方向の各接続点Ｓ_１〜Ｓ_ｎの位置と、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇに供給される電源電位ＶＥＬ及び基準電位ＶＲＥＦと、の関係を示す図である。高位側電源線１６は抵抗体（図４の抵抗Ｒｅｌ）であるため、各発光素子２３に対する駆動電流Ｉｄｓの供給に伴って電流が高位側電源線１６を流れると、高位側電源線１６において電位降下が生じる。電源端子２０から電流源トランジスタＴｇと高位側電源線１６との接続点Ｓに至る電流の経路長が大きいほど、その電流経路における抵抗値も大きいため、接続点Ｓで生じる電位降下量も大きい。すなわち、図３に示すように、各接続点Ｓ_１〜Ｓ_ｎの位置が高位側電源線１６の両方の端部２０からその延在方向の中央（電源端子２０間の中点）に向かうにつれて電源電位ＶＥＬは減少する。対比例においては、高位側電源線１６の延在方向中央（電源端子２０間の中点）に単位回路Ｕ_ｎ／２が接続されており、その単位回路Ｕ_ｎ／２の電流源トランジスタＴｇに供給される電源電位ＶＥＬの減少量が最も大きい。図３に示すようにその減少量を△Ｖとする。一方、各電流源トランジスタＴｇのゲートにおけるインピーダンスは非常に大きいため、ゲートには殆ど電流が流れず、基準電位線１８で電位降下は殆ど発生しない。そのため、図３に示すように各電流源トランジスタＴｇのゲートの電位はほぼ同電位となる。従って、基準電位線１８に電流は流れない。

以上のように、対比例においては、高位側電源線１６では電位降下が発生するのに対して、基準電位線１８では電位降下が発生しないから、図３に示すように各電流源トランジスタＴｇにおけるゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが減少する。図３に示すように、電源端子２０から接続点Ｓまでの距離が大きいほど、電流源トランジスタＴｇにおけるゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが大きく減少し、電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓの電流値が大きく減少してしまう。従って、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける発光素子２３の発光強度にばらつきが発生し、画像形成装置の形成する画像に階調のムラが発生する。
基板１３は長尺状の板であるため、電源端子２０から延びる高位側電源線１６の主走査方向の距離が大きく、高位側電源線１６で生じる電位降下量が大きい。そのため、画像形成装置の露光ヘッドに用いられる発光装置においては、発光素子２３の発光強度にばらつきが生じ、画像形成装置の形成する画像に階調のムラが発生するという問題が特に顕著となる。

ところで、高位側電源線１６における電位降下によって電流源トランジスタＴｇのソースに供給される電源電位ＶＥＬが減少しても、電流源トランジスタＴｇのゲートに供給される基準電位ＶＲＥＦも電源電位ＶＥＬの減少に応じて減少すれば、電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓの減少を抑制することができる。本実施形態はかかる点に着目したものである。本実施形態においては、基準電位ＶＲＥＦよりも低い電位が供給される箇所を基準電位線１８に設けることによって基準電位供給配線１８に電流が流れるようにし、基準電位線１８において電位降下を発生させている。具体的な態様については、以下に説明する。

図４は、高位側電源線１６の延在方向の中央（電源端子２０間の中点）付近の電気的な構成を模式的に示した図である。図４に示すように、各単位回路Ｕ_{（ｎ／２）−１}〜Ｕ_{（ｎ／２）＋１}の電流源トランジスタＴｇのゲートと基準電位線１８との接続点をゲート接続点Ｇ_{（ｎ／２）−１}〜Ｇ_{（ｎ／２）＋１}としている。本実施形態においても、上述の対比例と同様に、高位側電源線１６の延在方向中央（電源端子２０間の中点）に単位回路Ｕ_ｎ／２が接続されている。本実施形態において、基準電位線１８のうちの低電位供給点Ｃには抵抗体Ｒｃｏｎを介して低位側電源線１７が接続される。基準電位ＶＲＥＦは接地電位ＶＣＴよりも高位であるから、基準電位供給用端子２２から低電位供給点Ｃ及び抵抗体Ｒｃｏｎを経由して低位側電源線１７へ電流Ｉｒｅｆが流れる。基準電位線１８は抵抗体（図４に示す抵抗Ｒｒｅｆ）であるため、基準電位線１８に電流Ｉｒｅｆが流れると、基準電位線１８において電位降下が生じる。基準電位供給用端子２２からの電流経路の抵抗値が大きいほど（低電位供給点Ｃに近いほど）、基準電位線１８における電位降下量は大きい。

本実施形態においては、図４に示すように、基準電位線１８のゲート接続点Ｇ_ｎ／２（基準電位供給用端子２２間の中点）の近傍に低電位供給点Ｃが設けられている。そうすると、図５に示すように、基準電位線１８のゲート接続点Ｇ_ｎ／２における電位降下量が最大となるように、基準電位供給用端子２２からゲート接続点Ｇ_ｎ／２にかけて基準電位線１８の電位が降下する。本形態では、ゲート接続点Ｇ_ｎ／２における電位がＶＲＥＦ−△Ｖとなるように抵抗体Ｒｃｏｎの抵抗値が選定される。従って、図５に示すように、端部（単位回路Ｕ_１、単位回路Ｕ_ｎ）における電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓと中央（単位回路Ｕ_ｎ／２）における電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一致する。

本実施形態の構成によれば、図５に示すように、高位側電源線１６における電位降下に対応するように基準電位線１８においても電位降下が発生する。これにより、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇのゲートに略同電位の基準電位ＶＲＥＦが供給される対比例と比較して、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおけるゲート・ソース間電圧Ｖｇｓのばらつきが抑制される。従って、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓの電流値のばらつき（発光素子２３の発光強度のばらつき）が対比例と比較して抑制される。

<Ｂ：第２実施形態>
第１実施形態の発光装置１０においては、低電位供給点Ｃと低位側電源線１７の間に抵抗体Ｒｃｏｎが設けられていた。これに対して、第２実施形態の発光装置１０においては、低電位供給点Ｃと低位側電源線１７との間に、入力される複数ビットのデータに応じて低電位供給点Ｃと低位側電源線１７との間の電圧を変更する電圧変更手段が設けられている点で第１実施形態の発光装置１０と相違する。他の構成については、第１実施形態の構成と同じであるため、重複する部分については説明を省略する。

本形態では、電圧変更手段は、入力されるデジタルデータに応じたアナログ信号を出力するＤＡ変換器で構成されている。図６は、低電位供給点Ｃと低位側電源線１７との間に設けられたＤＡ変換器２４の概略構成を示す図である。図６に示すように、低電位供給点Ｃと低位側電源線１７との間には、複数の抵抗体Ｒ１〜Ｒ４が直列に接続されている。抵抗体Ｒ１の両端間にはスイッチＳｗ１が設けられ、抵抗体Ｒ２の両端間にはスイッチＳｗ２が設けられ、抵抗体Ｒ３の両端間にはスイッチＳｗ３が設けられている。ここで、抵抗体Ｒ１〜Ｒ３の各々の抵抗値ｒ１〜ｒ３は異なる。具体的には、各々の抵抗値は２のべき乗の相対比で表される（ｒ１：ｒ２：ｒ３＝１：２：４）。なお、各抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の各々は単一の抵抗体で構成されてもよいし、複数の抵抗体から構成されていてもよい。

ＤＡ変換器２４には、複数のビットｂ（ｂ１〜ｂ３）のデジタルデータ（以下「調整データ」という）Ｄが制御回路（図示略）から入力される。ビットｂ１はスイッチＳｗ１に供給され、ビットｂ２はスイッチＳｗ２に供給され、ビットｂ３はスイッチＳｗ３に供給される。スイッチＳｗは供給されるビットｂの値に応じて切り替わる。本形態ではスイッチＳｗに供給されるビットｂが「１」のときはスイッチＳｗはオンとなり、供給されるビットｂが「０」のときはスイッチＳｗはオフとなる。スイッチＳｗがオンになると、そのスイッチＳｗに対応する抵抗体Ｒの両端間は短絡する。

低電位供給点Ｃと低位側電源線１７との間の抵抗値は、抵抗体Ｒ１〜Ｒ３のうち調整データＤに応じて選択された（両端間が短絡していない）抵抗体Ｒの抵抗値ｒと抵抗体Ｒ４の抵抗値ｒ４とを合成した抵抗値となる。例えば、ＤＡ変換器２４に入力される調整データＤが、ｂ１＝１、ｂ２＝ｂ３＝０の場合は、スイッチＳｗ１のみがオンとなって抵抗体Ｒ１の両端間は短絡し、低電位供給点Ｃと低位側電源線１７との間の抵抗値は、抵抗体Ｒ２〜Ｒ４の各抵抗値ｒ２〜ｒ４を合成した抵抗値となる（６ｒ１＋Ｒ４）。

本実施形態の構成によれば、ＤＡ変換器２４に入力する調整データＤを制御することで、低電位供給点Ｃと低位側電源線１７との間の抵抗値を多段階に調整することができ、低電位供給点Ｃと低位側電源線１７との間の電圧値（ＤＡ変換器２４から出力されるアナログ信号に相当）を調整することができる。これによって、基準電位線１８における電位降下量を調整することができる。すなわち、各電流源トランジスタＴｇのゲートに供給される基準電位ＶＲＥＦの減少量を調整できる。
例えば、高位側電源線１６における電位降下量が変化した場合にも、基準電位線１８における電位降下量を高位側電源線１６における電位降下量の変化に応じて調整することによって、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓのばらつきを抑制できる。従って、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓの電流値のばらつき（発光素子２３の発光強度）を抑制できる。

なお、本実施形態においては、抵抗体Ｒ１〜Ｒ３の各々の抵抗値ｒ１〜ｒ３は異なるという態様であるが、これに限らず、例えば抵抗体Ｒ１〜Ｒ３の各々の抵抗値ｒ１〜ｒ３は同じでもよい。また、抵抗体Ｒ４の抵抗値ｒ４についても、抵抗体Ｒ１〜Ｒ３の抵抗値ｒ１〜ｒ３と異なっていてもよいし、同じであってもよい。

なお、本実施形態においては、ＤＡ変換器２４の構成として、図６に示されるような構成を例示しているが、これに限らず、ＤＡ変換器２４は、入力される複数ビットのデータに応じて低電位供給点Ｃと低位側電源線１７との間の電圧値を変更するものであればよい。例えば、ＤＡ変換器２４は、各々の両端間にスイッチＳｗが設けられた複数の抵抗体Ｒが直列に接続されるという構成であってもよい。ただし、本形態に係るＤＡ変換器２４のように、直列に接続された複数の抵抗体Ｒ１〜Ｒ４のうちの複数の抵抗体Ｒ１〜Ｒ３の各両端間にスイッチＳｗ１〜Ｓｗ３を設け、残りの抵抗体Ｒ４の両端間にはスイッチＳｗを設けないという構成によれば、少数の抵抗体Ｒで、低電位供給点Ｃと低位側電源線１７との間の抵抗値の分解能を高める（抵抗値の変化の刻み幅を小さくする）ことができるという利点がある。

<Ｃ：第３実施形態>
第２実施形態の発光装置１０においては、電圧変更手段の一例としてＤＡ変換器２４を用いるという構成が例示されていた。これに対して、第３実施形態の発光装置１０においては、電圧変更手段の他の例としてトランジスタを用いる点で第２実施形態の発光装置１０と相違する。他の構成については、上述の各実施形態の構成と同じであるため、重複する部分については説明を省略する。

図７は、第３実施形態における、高位側電源線１６の延在方向の中央付近の電気回路を模式的に示した図である。図７に示すように、低電位供給点Ｃと低位側電源線１７との間にはトランジスタＴｓが設けられ、そのトランジスタＴｓのゲートにはゲート電位Ｖｓが制御回路（図示略）から供給される。本実施形態においては、トランジスタＴｓのゲートに供給されるゲート電位Ｖｓを制御してトランジスタＴｓのオン抵抗を変更することによって、低電位供給点Ｃと低位側電源線１７との間の電圧を変更している。かかる構成によっても、低電位供給点Ｃと低位側電源線１７との間の電圧を調整することができ、高位側電源線１６における電位降下量の変化に応じて基準電位線１８における電位降下量を調整することができる。

<Ｄ：変形例>
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの２以上の変形例を組み合わせることもできる。
（１）変形例１
上述の各実施形態においては、発光素子２３の一例として、ＯＬＥＤ素子を取り上げたが、無機発光ダイオードやＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）であってもよい。要は、駆動電流に応じた発光輝度で発光するのであれば、どのような素子であってもよい。

（２）変形例２
上述の各実施形態においては、基準電位線１８に低位側電源線１７が接続されているが、これに限らず、例えば図８に示すように、基準電位ＶＲＥＦよりも低い電位ＶＬが供給される低電位供給配線２５を基準電位線１８に接続するという態様であってもよい。そのような態様であっても、高位側電源線１６における電位降下に対応するように基準電位線１８において電位降下を発生させることができる。なお、図８の態様においては、低電位供給配線２５に供給される電位ＶＬの値を調整することによって、基準電位線１８における電位降下量を調整することもできる。また、基準電位線１８と低電位供給配線２５との接続点である低電位供給点Ｃと、低電位供給配線２５との間に、抵抗体Ｒｃｏｎを設けてもよいし、ＤＡ変換器２４やトランジスタＴｓを設けてもよい。

（３）変形例３
また、上述の各実施形態においては、高位側電源線１６の両端から電源電位ＶＥＬが供給されるという態様であるが、これに限らず、例えば図９に示すように、高位側電源線１６の一方の端部のみに電源端子２０を設け、電源端子２０を介して電源回路１４から電源電位ＶＥＬを供給するという構成とすることもできる。

この構成においては、図９に示すように、基準電位線１８の一方の端部には基準電位供給用端子２２が設けられ、基準電位供給用端子２２を介して電源回路１４から基準電位ＶＲＥＦが供給されると共に、他方の端部には低電位供給用端子２６が設けられ、低電位供給用端子２６を介して電源回路１５から基準電位ＶＲＥＦよりも低い電位ＶＬが供給されるという態様とすることもできる。かかる態様によれば、基準電位供給用端子２２から低電位供給用端子２６へ向かって電流が流れ、基準電位供給用端子２６における電位降下量が最大となるように、基準電位供給用端子２２から基準電位供給用端子２６にかけて基準電位線１８の電位が降下する。

図９に示すように、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇのゲートは、基準電位線１８の基準電位供給用端子２２と低電位供給用端子２６との間に接続されており、電源端子２０から電流源トランジスタＴｇに至るまでの電流経路の抵抗値が大きいほど、基準電位供給用端子２２から当該電流源トランジスタＴｇと基準電位線１８との接続点に至るまでの電流経路の抵抗値は大きい。そうすると、高位側電源線１６における電位降下に対応するように基準電位線１８において電位降下が発生する。これにより、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓのばらつきを抑制することができ、各電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓのばらつき（発光素子２３の発光強度のばらつき）を抑制できる。なお、かかる態様においては、低電位供給用端子２６を介して基準電位線１８に供給される電源回路１５からの電位ＶＬを調整することによって、基準電位線１８における電位降下量を調整することもできる。

（４）変形例４
上述の各実施形態において、基準電位線１８を流れる電流Ｉｒｅｆは、低電位供給点Ｃに流れ込み、低位側電源線１７を通って電源端子２１に向かって流れる。低位側電源線１７は抵抗体（例えば図４に示す抵抗Ｒｃｔ）であるため、低位側電源線１７に電流Ｉｒｅｆが流れると、低位側電源線１７において電位降下が生じる。低電位供給点Ｃからの電流経路の抵抗値が大きいほど（電源端子２１に近いほど）、低位側電源線１７における電位降下量は大きく、図１０に示すように、低位側電源線１７における電位は電源端子２１に近いほど接地電位ＶＣＴに近づく。一方、図１０に示すように、電源端子２０から接続点Ｓまでの距離が大きいほど、高位側電源線１６における電位降下量は大きい。そうすると、図１０に示すように、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける電流源トランジスタＴｇのドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓは、電源端子２０から接続点Ｓまでの距離が大きいほど減少する。上記式（１）から理解されるように、電流源トランジスタＴｇのドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓが減少すると、その電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓも減少する。その結果、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける発光素子２３の発光強度にばらつきを生じてしまう。

ここで、上記式（１）より、電流源トランジスタＴｇのドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓが減少しても、電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓを大きく設定すれば、電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓの減少を抑制できるということが分かる。そこで、各電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓの値が、各電流源トランジスタＴｇのドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓの減少による駆動電流Ｉｄｓの減少を補填できる程度の値となるように、基準電位線１８における電位降下量を高位側電源線１６における電位降下量よりも大きく設定するという態様とすることもできる。かかる態様によれば、各電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓのばらつき（発光素子２３の発光強度のばらつき）を一層抑制できる。

（５）変形例５
上述の各実施形態においては、低電位供給点Ｃにおいて基準電位線１８と低位側電源線１７とが接続されているが、これに限らず、例えば図１１に示すように、基準電位供給用端子２２と低電位供給点Ｃとの間に基準電位線１８と低位側電源線１７との接続点Ｚが複数設けられ、電源端子２０から各接続点Ｚに至る電流経路の抵抗値が大きいほど接続点Ｚと低位側電源線１７との間の電位差が大きくなるように、各接続点Ｚと低位側電源線１７との間の抵抗値（例えば図１１の抵抗体Ｒｃｏｎの抵抗値）を個別に設定するという態様であってもよい。かかる態様によれば、各接続点Ｚと低位側電源線１７との間の電圧を個別に調整することによって、各電流源トランジスタＴｇに供給される電源電位ＶＥＬの減少量と基準電位ＶＲＥＦの減少量をほぼ同一の値とすることもできる。従って、各電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓをほぼ同一の値とすることができ、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける発光素子２２の発光強度（輝度）にばらつきが生じることを一層抑制できる。図１１の態様においては、各接続点Ｚと低位側電源線１７との間に抵抗体Ｒｃｏｎが設けられているが、これに限らず、例えば上述のＤＡ変換器２４やトランジスタＴｓなどを設けることができ、種々の変更や組み合わせが可能である。

（６）変形例６
例えば、高位側電源線１６における電源電位ＶＥＬの減少量が、基準電位ＶＲＥＦと接地電位ＶＣＴとの電位差に相当するという可能性もある。そのような場合であっても、抵抗体Ｒｃｏｎなどを介さずに低位側電源線１７を基準電位線１８に接続するという態様によれば、高位側電源線１６における電位降下に対応するように基準電位線１８において電位降下を発生させることができる。

（７）変形例７
基準電位線１８における電位降下を高位側電源線１６における電位降下に対応させるために、基準電位線１８において基準電位供給用端子２２から各ゲート接続点Ｇに至るまでの電流経路の抵抗値を個別に設定するという態様とすることもできる。抵抗値の設定に際しては、基準電位線１８に抵抗体を挿入するという態様であってもよいし、別途に抵抗体を設けずに基準電位線１８自体の太さなどを変更するという態様であってもよい。

（８）変形例８
上述の各実施形態においては、高位側電源線１６及び基準電位線１８にそれぞれ供給される電源電位ＶＥＬ及び基準電位ＶＲＥＦは、同じ電源回路から供給されるという態様であるが、これに限らず、例えば電源電位ＶＥＬ及び基準電位ＶＲＥＦは、別々の電源回路からそれぞれ供給されるという態様であってもよい。

（９）変形例９
上述の各実施形態においては、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎは、電流源トランジスタＴｇと、電流源トランジスタＴｇで生成された電流を発光素子２３に供給するか否かを切り替えるトランジスタＴｒと、発光素子２３と、を備えているが、これに限らず、例えば単位回路ＵはトランジスタＴｒを備えずに、電流源トランジスタＴｇと発光素子２３とを備えるという態様であってもよい。かかる態様の発光装置１０は、原稿などの読取対象に光を照射するライン型の光ヘッド（照明装置）としてスキャナなどの画像読取装置に採用することもできる。

（１０）変形例１０
上述の各実施形態においては、電流源トランジスタＴｇ及びトランジスタＴｒは、高位側電源線１６と発光素子２３との間に配置されているが、これに限らず、例えば電流源トランジスタＴｇ及びトランジスタＴｒの両方又は何れか一方を発光素子２３と低位側電源線１７との間に配置してもよい。また、上述の各実施形態においては、トランジスタＴｒは、電流源トランジスタＴｇと発光素子２３との間に配置されているが、これに限らず、例えば高位側電源線１６と電流源トランジスタＴｇとの間にトランジスタＴｒを配置してもよい。また、発光素子２３と低位側電源線１７との間に電流源トランジスタＴｇ及びトランジスタＴｒの両方を配置した態様において、トランジスタＴｒは、発光素子２３と電流源トランジスタＴｇとの間に配置してもよいし、電流源トランジスタＴｇと低位側電源線１７との間に配置してもよい。

<Ｅ：電子機器>
次に、図１２を参照して、本発明に係る電子機器のひとつの態様である画像形成装置について説明する。この画像形成装置は、ベルト中間転写体方式を利用したタンデム型のフルカラー画像形成装置である。

この画像形成装置では、各々が同様の構成である４個の発光装置１０Ｋ，１０Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙが、各々の構成が同様である４個の感光体ドラム（像担持体）１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙの像形成面１１０に対向する位置にそれぞれ配置されている。発光装置１０Ｋ，１０Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙは、上記の各形態に係る発光装置１０と同様の構成である。

図１２に示すように、この画像形成装置には、駆動ローラ１２１と従動ローラ１２２とが設けられており、これらのローラ１２１，１２２には無端の中間転写ベルト１２０が巻回されて、矢印に示すようにローラ１２１，１２２の周囲を回転させられる。図示しないが、中間転写ベルト１２０に張力を与えるテンションローラなどの張力付与手段を設けてもよい。

この中間転写ベルト１２０の周囲には、外周面に感光層を有する４個の感光体ドラム１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙが互いに所定の間隔をおいて配置される。添字「Ｋ」，「Ｃ」，「Ｍ」，「Ｙ」はそれぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローの顕像を形成するために使用されることを意味している。他の部材についても同様である。感光体ドラム１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙは、中間転写ベルト１２０の駆動と同期して回転駆動される。

各感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の周囲には、コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）と、発光装置１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）と、現像器１１４（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）とが配置されている。コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、これに対応する感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の像形成面１１０Ａ（外周面）を一様に帯電させる。発光装置１０Ａ（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、各感光体ドラムの帯電した像形成面１１０Ａに静電潜像を書き込む。各発光装置１０Ａ（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）においては、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の母線（主走査方向）に沿って複数の発光素子２０が配列する。静電潜像の書き込みは、複数の発光素子２０によって感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）に光を照射することにより行う。現像器１１４（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、静電潜像に現像剤としてのトナーを付着させることにより感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）に顕像（すなわち可視像）を形成する。

このような４色の単色顕像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、イエローの各顕像は、中間転写ベルト１２０上に順次に一次転写されることによって中間転写ベルト１２０上で重ね合わされ、この結果としてフルカラーの顕像が形成される。中間転写ベルト１２０の内側には、４つの一次転写コロトロン（転写器）１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）が配置されている。一次転写コロトロン１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の近傍にそれぞれ配置されており、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）から顕像を静電的に吸引することにより、感光体ドラムと一次転写コロトロンの間を通過する中間転写ベルト１２０に顕像を転写する。

最終的に画像を形成する対象（記録材）としてのシート１０２は、ピックアップローラ１０３によって、給紙カセット１０１から１枚ずつ給送されて、駆動ローラ１２１に接した中間転写ベルト１２０と二次転写ローラ１２６の間のニップに送られる。中間転写ベルト１２０上のフルカラーの顕像は、二次転写ローラ１２６によってシート１０２の片面に一括して二次転写され、定着部である定着ローラ対１２７を通ることでシート１０２上に定着される。この後、シート１０２は、排紙ローラ対１２８によって、装置上部に形成された排紙カセット上へ排出される。

次に、図１３を参照して、本発明に係る画像形成装置の他の形態について説明する。この画像形成装置は、ベルト中間転写体方式を利用したロータリ現像式のフルカラー画像形成装置である。図１３に示すように、感光体ドラム１１０の周囲には、コロナ帯電器１６８と、ロータリ式の現像ユニット１６１と、上記の実施形態に係る発光装置１０と、中間転写ベルト１６９とが設けられている。

コロナ帯電器１６８は、感光体ドラム１１０の外周面を一様に帯電させる。発光装置１０は、感光体ドラム１１０の帯電させられた像形成面（外周面）に静電潜像を書き込む。この発光装置１０においては、感光体ドラム１１０の母線（主走査方向）に沿って複数の発光素子３２が配列する。静電潜像の書き込みは、これらの発光素子３２から感光体ドラム１１０に光を照射することにより行う。

現像ユニット１６１は、４つの現像器１６３Ｙ，１６３Ｃ，１６３Ｍ，１６３Ｋが９０°の角間隔をおいて配置されたドラムであり、軸１６１ａを中心にして反時計回りに回転可能である。現像器１６３Ｙ，１６３Ｃ，１６３Ｍ，１６３Ｋは、それぞれイエロー、シアン、マゼンタ、黒のトナーを感光体ドラム１１０に供給して、静電潜像に現像剤としてのトナーを付着させることにより感光体ドラム１１０に顕像（すなわち可視像）を形成する。

無端の中間転写ベルト１６９は、駆動ローラ１７０ａ、従動ローラ１７０ｂ、一次転写ローラ１６６およびテンションローラに巻回されて、これらのローラの周囲を矢印に示す向きに回転させられる。一次転写ローラ１６６は、感光体ドラム１１０から顕像を静電的に吸引することにより、感光体ドラム１１０と一次転写ローラ１６６の間を通過する中間転写ベルト１６９に顕像を転写する。

具体的には、感光体ドラム１１０の最初の１回転で、発光装置１０によりイエロー（Ｙ）像のための静電潜像が書き込まれて現像器１６３Ｙにより同色の顕像が形成され、さらに中間転写ベルト１６９に転写される。また、次の１回転で、発光装置１０Ａによりシアン（Ｃ）像のための静電潜像が書き込まれて現像器１６３Ｃにより同色の顕像が形成され、イエローの顕像に重なり合うように中間転写ベルト１６９に転写される。そして、このようにして感光体ドラム１１０が４回転する間に、イエロー、シアン、マゼンタ、黒の顕像が中間転写ベルト１６９に順次に重ね合わせられ、この結果としてフルカラーの顕像が転写ベルト１６９上に形成される。最終的に画像を形成する対象としてのシートの両面に画像を形成する場合には、中間転写ベルト１６９に表面と裏面の同色の顕像を転写し、次に中間転写ベルト１６９に表面と裏面の次の色の顕像を転写する形式で、フルカラーの顕像を中間転写ベルト１６９上に形成する。

画像形成装置には、シートが通過させられるシート搬送路１７４が設けられている。シートは、給紙カセット１７８から、ピックアップローラ１７９によって１枚ずつ取り出され、搬送ローラによってシート搬送路１７４を進行させられ、駆動ローラ１７０ａに接した中間転写ベルト１６９と二次転写ローラ１７１の間のニップを通過する。二次転写ローラ１７１は、中間転写ベルト１６９からフルカラーの顕像を一括して静電的に吸引することにより、シートの片面に顕像を転写する。二次転写ローラ１７１は、図示しないクラッチにより中間転写ベルト１６９に接近および離間させられるようになっている。そして、シートにフルカラーの顕像を転写する時に二次転写ローラ１７１は中間転写ベルト１６９に当接させられ、中間転写ベルト１６９に顕像を重ねている間は二次転写ローラ１７１から離される。

以上のようにして画像が転写されたシートは定着器１７２に搬送され、定着器１７２の加熱ローラ１７２ａと加圧ローラ１７２ｂの間を通過させられることにより、シート上の顕像が定着する。定着処理後のシートは、排紙ローラ対１７６に引き込まれて矢印Ｆの向きに進行する。両面印刷の場合には、シートの大部分が排紙ローラ対１７６を通過した後、排紙ローラ対１７６が逆方向に回転させられ、矢印Ｇで示すように両面印刷用搬送路１７５に導入される。そして、二次転写ローラ１７１により顕像がシートの他面に転写され、再び定着器１７２で定着処理が行われた後、排紙ローラ対１７６でシートが排出される。

図１２および図１３に例示した画像形成装置は、ＯＬＥＤ素子を発光素子２３として採用した光源（露光手段）を利用しているので、レーザ走査光学系を用いた場合よりも装置が小型化される。なお、以上に例示した以外の電子写真方式の画像形成装置にも本発明の発光装置１０を採用することができる。例えば、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラムからシートに対して直接的に顕像を転写するタイプの画像形成装置や、モノクロの画像を形成する画像形成装置にも本発明に係る発光装置１０を応用することが可能である。

本発明に係る発光装置の用途は感光体の露光に限定されない。例えば、本発明の発光装置は、原稿などの読取対象に光を照射するライン型の光ヘッド（照明装置）としてスキャナなどの画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファクシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のような二次元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。また、複数の発光素子（特に発光素子）を面状に配列した発光装置は、液晶パネルの背面側に配置されるバックライトユニットとしても採用される。また、複数の単位回路を行列状に配列した発光装置は各種の電子機器の表示装置として採用される。

第１実施形態に係る画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。 同実施形態に係る発光装置１０の電気的な構成を示すブロック図である。 高位側電源線１６の位置と、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの駆動トランジスタＴｓｗに供給される電源電圧ＶＥＬ及びゲート電圧ＶＥＬと、の関係を示す図である。 高位側電源線１６の延在方向の中央（電源端子２０間の中点）付近の電気的な構成を模式的に示した図である。 各電流源トランジスタに供給される電源電位ＶＥＬと基準電位ＶＲＥＦとの関係を示す図である。 第２実施形態に係るＤＡ変換器２４の概略構成を示す図である。 第３実施形態に係る発光装置１０において、高位側電源線１６の延在方向の中央（電源端子２０間の中点）付近の電気的な構成を模式的に示した図である。 変形例２に係る発光装置１０において、高位側電源線１６の延在方向の中央（電源端子２０間の中点）付近の電気的な構成を模式的に示した図である。 変形例３に係る発光装置１０において、高位側電源線１６の延在方向の中央（電源端子２０間の中点）付近の電気的な構成を模式的に示した図である。 各電流源トランジスタに供給される電源電位ＶＥＬと基準電位ＶＲＥＦと接地電位ＶＣＴとの関係を示す図である。 変形例５に係る発光装置１０において、高位側電源線１６の延在方向の中央（電源端子２０間の中点）付近の電気的な構成を模式的に示した図である。 本発明に係る電子機器の具体例（画像形成装置）を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器の具体例（画像形成装置）を示す斜視図である。

符号の説明

１０……発光装置、１６……高位側電源線、１７……低位側電源線、１８……基準電位線、２０……電源端子、２１……電源端子、２２……基準電位供給用端子、２３……発光素子、２４……ＤＡ変換器Ｕ_１〜Ｕ_ｎ……単位回路、Ｔｇ……電流源トランジスタ、Ｔｒ……トランジスタ（スイッチ）、Ｔｓ……トランジスタ、Ｓ_１〜Ｓ_ｎ……接続点、Ｇ_１〜Ｇ_ｎ……ゲート接続点、Ｉｄｓ……駆動電流。

Claims (8)

1. 電源端子を介して電力が供給される高位側電源線に各々が接続される複数の単位回路を備えた発光装置であって、
   前記複数の単位回路の各々は、
   前記高位側電源線から電力の供給を受けて駆動電流を生成する電流源トランジスタと、
   前記電流源トランジスタによって生成される駆動電流に応じた輝度で発光する発光素子と、を備え、
   前記複数の単位回路の各々における電流源トランジスタのゲートは、基準電位線の第１電位供給点と第２電位供給点との間に接続され、
   前記電源端子から前記電流源トランジスタに至る電流経路の抵抗値が大きいほど、前記第１電位供給点から当該電流源トランジスタのゲートに至る電流経路の抵抗値は大きく、
   前記第１電位供給点には基準電位が供給され、前記第２電位供給点には、前記基準電位よりも低い電位が供給されることを特徴とする発光装置。
2. 前記複数の単位回路の各々は、前記高位側電源線と前記低位側電源線との間に配置され、
   前記第２電位供給点には、前記低位側電源線が接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第２電位供給点と前記低位側電源線との間には、抵抗体が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
4. 前記第２電位供給点と前記低位側電源線との間には、前記第２電位供給点と前記低位側電源線との間の電圧を変更するための電圧変更手段が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
5. 前記電圧変更手段は、前記第２電位供給点と前記低位側電源線との間の電圧を複数ビットの入力データに応じて変更することを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
6. 前記電圧変更手段は、トランジスタで構成され、
   前記トランジスタのゲートへ供給される電圧を制御することによって、前記第２電位供給点と前記低位側電源線との間の電圧を変更することを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
7. 前記基準電位供給配線において、前記第１電位供給点と前記第２電位供給点との間には、前記低位側電源線との接続点が複数設けられ、
   前記各接続点と前記低位側電源線との間の抵抗値は、前記第１電位供給点から前記接続
   点に至る電流経路の抵抗値が大きいほど、前記第１電位供給点の電位と当該接続点の電位との電位差は大きくなるように、個別に設定されていることを特徴とする請求項３から６の何れか１項に記載の発光装置。
8. 請求項１から７の何れか１項に記載の発光装置を具備する電子機器。
   

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