JP2009111148A - 描画データ検証方法及びマスク描画装置 - Google Patents
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Abstract
【構成】本発明に係る描画データ検証方法は、設計データと、この設計データから変換された描画データとの差分図形を求める工程(ステップS4)と、設計データを描画データに変換する際に、前記設計データに含まれる任意角図形から任意角近似に起因する差分が発生する領域の許容誤差領域に対応する図形を生成する工程(ステップS5)と、前記差分図形に対して前記許容誤差領域に対応する図形を差し引く処理を行い前記許容誤差領域における差分図形を除去する工程(ステップS6)とを備えたことを特徴とする。
【選択図】図9
Description
また、本発明の別の実施態様の描画データ検証方法は、設計データと、この設計データから変換された描画データとの差分図形を求める工程と、設計データを描画データに変換する際に、前記設計データに含まれる任意角図形から任意角近似に起因する差分が発生する領域の許容誤差領域を生成する工程と、前記許容誤差領域内における差分図形の被覆率、図形の高さを含む差分図形のサイズ、前記領域の任意角斜辺を境界として二つに分けた場合の差分図形の面積差のうち、少なくとも一つの算出結果に基づいて前記許容誤差領域内に不具合となる差分図形が含まれるか否かを判定する工程と、を備えたことを特徴とする描画データ検証方法。
前記設計データと、この設計データから変換された描画データとで排他的論理和演算を行い差分図形を求める第1の論理演算部と、前記設計データに含まれる任意角図形から任意角近似に起因する差分が発生する領域の許容誤差領域に対応する図形を生成する許容誤差領域生成部と、前記差分図形から前記許容誤差領域に対応する図形の論理差を求める演算を行い、前記許容誤差領域を除いた差分図形を求める第2の論理演算部と、を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1におけるシステム構成の一例を示す概念図である。
図1に示すように、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計される。そして、レイアウトデータとなるCADデータ(設計データ)10が生成される。そして、CADデータ10が変換装置20で変換され、電子ビーム描画装置に入力される描画データ12が生成される。描画データ12は、電子ビームを用いて試料に図形パターンを描画する電子ビーム描画装置の入力フォーマットに変換されたデータとなる。試料の例としてはレチクル、フォトマスクなどがある。そして、描画データ12に基づいて、さらに、電子ビーム描画装置内のフォーマットのデータに変換されて描画される。そして、CADデータ10とこれを変換した描画データ12とが相違ないかどうかをデータ検証装置200で検証する。データ検証装置200は、検証部100とモニタ102とインターフェース(I/F)回路104を備えている。そして、検証部100は、CADデータ10と描画データ12を入力して、排他的論理和(XOR)演算を行い、データ変換に起因する差分図形を検出する。さらに任意角近似に起因して差分が発生する領域に対応する差分図形を除去する論理差演算を行う。そして、その結果データ14をI/F回路104を介して外部に出力する。或いはモニタ102に表示する。この結果データをユーザが確認することで変換前後の図形の一致或いは不一致を検証することができる。
図2において、検証部100は、CADデータ振分回路112、描画データ振分回路114、メモリ106、XOR演算回路122,124、マスク処理回路130を有している。
図3は、三角形の任意角図形140と、矩形の非任意角図形150が混在するCADデータ10を示している。ここで、任意角図形140とは、描画装置がもつ成形アパーチャで成形できない角度をもつ図形を示している。例えば、45度と90度の角度が成形可能な成形アパーチャをもつ描画装置であれば、任意角は45度又は90度の整数倍を除く角度となる。
ここでは、非任意角図形となる矩形の図形160と、任意角図形がスリット分割された分割図形群170とが混在した描画データ12を示している。尚、この例では矩形の非任意角図形は一つであるが、実際には複数の図形からなる図形群を形成する。
CADデータ振分回路112は、CADデータ10に含まれる図形のうち、任意角図形だけを定義させたファイル32を作成してメモリ106に格納する。また、非任意角図形(矩形図形)だけを定義させたファイル42を作成してメモリ106に格納する。
図形に対応する図形群(スリット分割図形)と上述した非任意角図形に対応する図形(矩形図形)とに振り分ける。
次に、AED(許容誤差:Allowable Error Domain)領域を覆う図形を作成する工程として、AED生成部126は、メモリ106から任意角図形のデータファイル32を読み出し、図3に示すCADデータ10に含まれる任意角図形140の斜辺の始点t1(x1,y1)及び終点t2(x2,y2)の座標データ(位置データ)を取得すると共に、メモリ106から任意角近似値(ε値)を定義してある設定ファイル56を読み出す。ここで、任意角図形の斜線上に近似分割図形の中点があり、斜線と近似分割図形とのズレの最大値が任意角近似値(近似精度)となる分割方式を用いる場合にあっては、AED領域を覆う図形は片側の幅を任意角近似値とすることができる。例えば、図6に示すように、まず、取得した各点t1、t2の座標データから各点を結ぶ基準線を引き、取得した任意角近似値に基づき斜線の両側にε値を幅とする線を引く。また始点t1(x1,y1)と終点t2(x2,y2)からX軸、Y軸の方向にそれぞれ垂線を引き、これらの各線によって囲まれた範囲をAED領域として定義し、このAED領域に対応する大きさの図形を作成する。
まず、半導体集積回路のレイアウトが設計される。そして、レイアウトデータとなるCADデータ(設計データ)が生成される(ステップS1)。
前述の実施形態1では、任意角の角度に関らず一つの任意近似値を元にAED領域に対応する大きさのAED図形を作成していたが、本実施形態では、図10に示すように任意角の角度ごとに任意角近似値(ε値)が記述された設定ファイル56を用いてAED図形を作成する。
また、図10に示すようにAED領域を覆うAED図形を作成のためのパラメータとなる任意角近似値(角度とε値)が記述された設定ファイル56がメモリ106に格納されている(ステップS13)。
以上のように、実施形態2では、角度ごとに記述された任意角近似値を設定ファイルから読み出してAED図形を作成しているので、任意角図形の角度に応じてAED図形を作成しているので、データ検証を高精度に行うことができる。
前述の実施形態1、2ではAED領域内の不具合による差分図形は検出できない。そこでAED領域内部のデータ検証が必要な場合についての検証方法を説明する。
まず、図13に示す例は、AED領域内の差分図形の面積を計算して、AED領域に対する被覆率の値に基づき不具合の有無を検証する。
省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。
12 描画データ
14,51,53 結果データ
20 変換装置
32,34,42,44,56 ファイル
100 検証部
102 モニタ
104 I/F回路
106 メモリ
112 CADデータ振分回路
114 描画データ振分回路
126 AED生成部
130 マスク処理回路
Claims (5)
- 設計データと、この設計データから変換された描画データとの差分図形を求める工程と、
設計データを描画データに変換する際に、前記設計データに含まれる任意角図形から任意角近似に起因する差分が発生する領域の許容誤差領域に対応する図形を生成する工程と、
前記差分図形に対して前記許容誤差領域に対応する図形を差し引く処理を行い前記許容誤差領域における差分図形を除去する工程と、
を備えたことを特徴とする描画データ検証方法。 - 前記許容誤差領域に対応する図形は、予め定められた任意角近似値に基づいて生成されたことを特徴とする請求項1に記載の描画データの検証方法。
- 前記許容誤差領域に対応する図形は、任意角の角度に応じた任意角近似値に基づいて生成されたことを特徴とする請求項1に記載の描画データの検証方法。
- 設計データと、この設計データから変換された描画データとの差分図形を求める工程と、
設計データを描画データに変換する際に、前記設計データに含まれる任意角図形から任意角近似に起因する差分が発生する領域の許容誤差領域を生成する工程と、
前記許容誤差領域内における差分図形の被覆率、図形の高さを含む差分図形のサイズ、前記領域の任意角斜辺を境界として二つに分けた場合の差分図形の面積差のうち、少なくとも一つの算出結果に基づいて前記許容誤差領域内に不具合となる差分図形が含まれるか否かを判定する工程と、を備えたことを特徴とする描画データ検証方法。 - 設計データを入力する入力部と、
前記設計データと、この設計データから変換された描画データとで排他的論理和演算を行い差分図形を求める第1の論理演算部と、
前記設計データに含まれる任意角図形から任意角近似に起因する差分が発生する領域の許容誤差領域に対応する図形を生成する許容誤差領域生成部と、
前記差分図形から前記許容誤差領域に対応する図形の論理差を求める演算を行い、前記許容誤差領域を除いた差分図形を求める第2の論理演算部と、
を備えたことを特徴とするマスク描画装置。
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