JP2009109600A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 小型携帯機器に用いられる液晶表示装置にして、画素電極に映像信号線を供給する駆動回路の負担を小さくし、表示品質の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示素子と、液晶駆動回路とを備える液晶表示装置であって、画素部に昇圧回路を設ける。昇圧回路は画素電極と昇圧容量の一方の電極に映像信号を書き込んだ後、画素電極をフローティング状態とする。その後、昇圧容量の他方の電極に映像信号を印加して画素電極の電圧を昇圧または降圧する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、液晶表示装置に係わり、特に、携帯型装置の表示部に用いられる液晶表示装置の画素構造に適用して有効な技術に関する。

ＴＦＴ（Thin Film Transistor）方式の液晶表示装置は、パソコン、ＴＶ等の表示装置として広く使用されている。これらの液晶表示装置は、液晶表示パネルと、液晶表示パネルを駆動する駆動回路とを備えている。

そして、このような液晶表示装置において小型のものが、携帯電話機等の携帯機器の表示装置として広く利用されている。液晶表示装置を携帯機器の表示装置として用いる場合には、従来の液晶表示装置に比べて、低消費電力であることが望まれている。

下記「特許文献１」には、液晶表示パネルに低電圧で映像信号を供給し、画素に設けた画素容量を用いて画素電位を制御する記載がある。しかしながら、「特許文献１」には一定の画素電位制御信号による昇圧・降圧の記載しかない。

特開２００２−２７８５１７号公報

携帯機器に用いられる表示装置として、液晶表示装置のさらなる低消費電力化が望まれている。そのため、駆動回路は低電圧で駆動するものが開発されている。また、従来の液晶表示装置では、コモン電圧を一定として、隣合う画素の極性が反転するドット反転駆動が行われていたが、携帯機器用液晶表示装置では低電圧駆動化のために画素電極に印加する電圧とは逆極性側にコモン電圧をも変化させる、いわゆるコモン交流化駆動が行われている。

しかしながら、高解像度化が進むとコモン交流化駆動において画素電極に書き込まれる電圧の大きさ、または信号線の長さによってコモン電圧が変動するといった問題が生じていた。

そのため、携帯機器用液晶表示装置でも、コモン交流化駆動からドット反転駆動に駆動方式の変更が試みられている。しかしながら、隣合う画素の極性が反転するドット反転駆動では、駆動回路は高耐圧となり、消費電力が増加するため、低消費電力化は困難であった。

本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、小型の液晶表示装置において、低消費電力である液晶表示装置を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。

液晶表示装置は、２枚の基板と、２枚の基板の間に挟まれた液晶組成物と、基板に設けられた複数の画素と、画素に設けられた画素電極と、記画素電極に対向する対向電極と、画素電極に電気的に接続された第１の容量電極と第２の容量電極とを有する昇圧容量と、オン状態で画素電極と第１の容量電極とに映像信号を供給する第１のスイッチング素子と、オン状態で第２の容量電極に映像信号を供給する第２のスイッチング素子と、第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子に映像信号を供給する映像信号線と、第１のスイッチング素子のオン・オフを制御する走査信号を供給する走査信号線と、第２のスイッチング素子のオン・オフを制御する昇圧走査信号を供給する昇圧走査信号線とを備える。

走査信号により第１のスイッチング素子をオン状態として、画素電極と第１の容量電極に映像信号を供給し、次に第１のスイッチング素子をオフ状態とした後に、第２のスイッチング素子をオン状態として第２の容量電極に映像信号を供給し、画素電極の電圧を昇圧または降圧する。

画素電極に書き込む映像信号は低電圧とし、画素電極に映像信号を書き込んだ後、映像信号を用いて画素電極の電圧を昇圧または降圧することが可能となる。そのため、昇圧容量を任意に設定することで、画素電極の電圧を映像信号の定数倍の電圧とすることが可能である。

液晶表示装置は、２枚の基板と、２枚の基板の間に挟まれた液晶組成物と、基板に設けられた複数の画素と、画素に設けられた画素電極と、記画素電極に対向する対向電極と、画素電極に電気的に接続された第１の容量電極と第２の容量電極とを有する昇圧容量と、オン状態で画素電極と第１の容量電極とに映像信号を供給する第１のスイッチング素子と、オン状態で第２の容量電極に映像信号を供給する第２のスイッチング素子と、第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子に映像信号を供給する映像信号線と、第１のスイッチング素子のオン・オフを制御する走査信号を供給する走査信号線と、第２のスイッチング素子のオン・オフを制御する昇圧走査信号を供給する昇圧走査信号線とを備える。

走査信号により第１のスイッチング素子をオン状態として、画素電極と第１の容量電極に映像信号を供給し、第１のスイッチング素子をオフ状態とした後に、第２のスイッチング素子をオン状態として第２の容量電極に映像信号を供給し、画素電極の電圧を昇圧または降圧する。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

図１は、本発明の実施の形態の液晶表示装置の基本構成を示すブロック図である。同図に示すように、本実施の形態の液晶表示装置１００は、液晶表示パネル１と、駆動回路５と、フレキシブル基板７０と、バックライト１１０とから構成される。

液晶表示パネル１は、昇圧回路１０、画素電極１１、対向電極１５等が形成されるＴＦＴ基板２と、カラーフィルタ等が形成されるカラーフィルタ基板（図示せず）とを、所定の間隙を隔てて重ね合わせ、該両基板間の周縁部近傍に枠状に設けたシール材により、両基板を貼り合わせると共に、シール材の内側に液晶組成物を封入、封止し、さらに、両基板の外側に偏光板を貼り付けて構成される。

なお、本実施の形態は対向電極１５がＴＦＴ基板２に設けられる所謂横電界方式の液晶表示パネルにも、対向電極１５がカラーフィルタ基板に設けられる所謂縦電界方式の液晶表示パネルにも同様に適用される。

ＴＦＴ基板２には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設される走査信号線（ゲート線とも呼ぶ）２１と、ｙ方向に延在しｘ方向に並設される映像信号線（ドレイン信号線とも呼ぶ）２２とが設けられており、走査信号線２１と映像信号線２２とで囲まれる領域に画素部８が形成されている。

なお、液晶表示パネル１は多数の画素部８をマトリクス状に備えているが、図を解り易くするため、図１では画素部８を１つだけ示している。マトリクス状に配置された画素部８は表示領域９を形成し、各画素部８が表示画像の画素の役割をはたし、表示領域９に画像を表示する。

各画素部８の昇圧回路１０は、一方の端子が画素電極１１に接続され、他方が映像信号線２２に接続され、制御端子が走査信号線２１と昇圧走査信号線２４に接続される。この昇圧回路１０は、画素電極１１に映像信号を供給するためのスイッチと、映像信号を昇圧または降圧して階調電圧を生成する機能を有する。なお、昇圧回路１０の詳細については後述する。

駆動回路５は、ＴＦＴ基板２を構成する透明な絶縁基板（ガラス基板、樹脂基板等）に配置される。駆動回路５は走査線駆動回路５１、昇圧走査線駆動回路５２とに電気的に接続している。

ＴＦＴ基板２には、フレキシブル基板７０が接続されている。フレキシブル基板７０にはコネクタ４が設けられている。コネクタ４は外部信号線と接続され外部からの信号が入力する。コネクタ４と駆動回路５の間には配線７１が設けられており、外部からの信号は配線７１を介して駆動回路５に入力する。

液晶表示パネル１は非発光素子であるため、光源を必要とするが、液晶表示装置１００にはバックライト１１０が設けられており、バックライト１１０は液晶表示パネル１に光を照射する。液晶表示パネル１は照射された光の透過・反射量を制御して表示を行う。なお、バックライト１１０は液晶表示パネル１の背面または前面に設けられるが、図１では図をわかり易くするために液晶表示パネル１と並べて示した。

液晶表示装置１００の外部に設けられた制御装置（図示せず）から送出された制御信号、および外部電源回路（図示せず）から供給される電源電圧が、コネクタ４、配線７１を介して駆動回路５に入力する。

外部から駆動回路５に入力する信号は、クロック信号、ディスプレイタイミング信号、水平同期信号、垂直同期信号等の各制御信号および表示用デ−タ（Ｒ・Ｇ・Ｂ）、表示モード制御コマンドであり、入力した信号を基に、駆動回路５は液晶表示パネル１を駆動する。

駆動回路５は１チップの半導体集積回路（ＬＳＩ）から構成され、制御信号線６４を介して走査線駆動回路５１へ制御信号を出力し、制御信号線６６を介して制御信号を昇圧走査線駆動回路５２に出力している。また、映像信号線２２には映像信号を出力している。

走査線駆動回路５１は、駆動回路５内部で発生させる基準クロックに基づき、１水平走査時間毎に、順次液晶表示パネル１の各走査信号線２１に“Ｈｉｇｈ”レベルの選択電圧（走査信号）を一定期間供給する。これにより、各走査信号線２１に接続された複数の昇圧回路１０により、１水平走査期間毎の一定期間、映像信号線２２と画素電極１１との間が電気的に導通状態となる。

また、昇圧走査線駆動回路５２は、駆動回路５内部で発生させる基準クロックに基づき、１水平走査期間毎に、順次昇圧走査信号線２４に“Ｈｉｇｈ”レベルの選択電圧（昇圧走査信号）を走査信号とは異なる一定期間供給する。昇圧走査信号による制御に従い昇圧回路１０は画素電極１１の電圧を昇圧または降圧する。

また、駆動回路５は画素が表示すべき階調に対応する表示データに従って任意の電圧である映像信号を選択し、映像信号を映像信号線２２に出力する。駆動回路５から映像信号が供給されると、走査信号により導通状態の昇圧回路１０を介して、映像信号線２２から映像信号が画素電極１１に供給される。その後、昇圧回路１０がオフ状態となることで画素が表示すべき映像データに基づく映像信号が画素電極１１に保持される。

さらに昇圧回路１０は昇圧走査信号により画素電極１１に保持された電圧を映像信号を用いて昇圧または降圧し、画素が表示すべき階調電圧を形成する。表示データに基く映像信号を用いて階調電圧を形成することが可能なため、表示データに線型に変化するよう階調電圧を昇圧または降圧することが可能となる。

例えば、昇圧回路１０が２倍の昇圧能力を有しているとすると、画素電極１１には映像信号の２倍の階調電圧を書き込むことが可能である。よって、駆動回路５からガンマ補正等の加工を映像信号に施す場合でも、駆動回路５が出力する映像信号の波形変化に沿った階調電圧が画素電極に書き込まれることになる。

次に図２に液晶表示装置１の画素部８の平面回路図を示す。図２に示すようにＴＦＴ基板２には画素部８が形成されている。また画素部８は走査信号線２１と対向電極信号線２５と映像信号線２２とに囲まれている。なお、図２では横電界方式の画素電極１１と対向電極１５とを具象的に表示している。

画素部８には昇圧回路１０が形成されている。昇圧回路１０は第１のスイッチング素子８１と第２のスイッチング素子８２と第３のスイッチング素子８３と昇圧容量９１とから形成されている。なお、符号９２は保持容量である。

第１のスイッチング素子８１はドレイン端子が映像信号線２２に接続され、ソース端子が画素電極１１と昇圧容量９１の一方の端子に接続し、制御端子が走査信号線２１に接続されている。第２のスイッチング素子８２はドレイン端子が映像信号線２２に接続され、ソース端子が昇圧容量９１の他方の端子に接続され、制御端子が昇圧走査信号線２４に接続されている。

なお、ソース、ドレインの呼び方は、バイアスの関係で逆になることもあるが、ここでは、映像信号線２２に接続される方をドレインと称する。

また、画素部８には対向電極１５が設けられている。画素電極１１と対向電極１５とは櫛歯状に形成され、各電極は交互に対向するよう配置されている。画素電極１１に供給された階調電圧と、対向電極１５に供給される対向電圧との間に生じる電位差により、液晶分子の配向方向が変化して透過光の強度を制御することができる。

次に、図３を用いて昇圧回路１０の動作について説明する。符号Ｖｃｏｍは対向電極１５に供給される対向電圧を示す。なお、対向電圧Ｖｃｏｍは一定の場合を示しているが、対向電圧Ｖｃｏｍが交流駆動のために１フレーム期間または数水平走査期間毎に極性が反転している、所謂Ｖｃｏｍ反転駆動の場合でも本発明を適用することが可能である。

まず、１ライン目の走査信号線２１に走査信号Ｇ１が出力する。第１のスイッチング素子８１は走査信号Ｇ１によりオン状態となり、映像信号線２２を介して供給される映像信号Ｓ１を画素電極１１に書き込む。また、昇圧容量９１の一方の電極にも映像信号に従った電圧Ｓ１が保持される。

この時、同時に第３のスイッチング素子８３が走査信号Ｇ１によりオン状態となっており、昇圧容量９１の他方の電極には、対向電極信号線２５により供給される対向電圧Ｖｃｏｍが保持される。

次に、走査信号Ｇ１の出力が終了して第１のスイッチング素子８１と第３のスイッチング素子８３とがオフ状態となった後に、昇圧走査信号線２４により昇圧走査信号Ｇ１ｎが供給されて、第２のスイッチング素子８２がオン状態となり、昇圧容量９１の他方の電極に映像信号Ｓ１が供給される。

この時、画素電極１１はフローティング状態となっているため、昇圧容量９１の他方の電極が映像信号Ｓ１により変化すると、画素電極１１の電圧Ｐ１も影響を受けて変化することになる。

昇圧容量をＣｐ、画素容量と保持容量との和をＣｓｔｇとした場合に、画素電極１１に生じる電圧Ｐ１は、映像信号Ｓ１の（１＋Ｃｐ／（Ｃｐ＋Ｃｓｔｇ））倍となる。例えば、Ｃｐ＝Ｃｓｔｇの場合は、１．５倍となる。また、Ｃｐ＞＞Ｃｓｔｇの場合は２倍となる。

図中ＰＳ１で示す時点では、画素電極１１の電圧はＳ１であり、ＰＳ２では（１＋Ｃｐ／（Ｃｐ＋Ｃｓｔｇ））×Ｓ１となっている。

次に図４に、昇圧走査信号を次段の走査信号を利用して形成する回路を示す。昇圧回路１０には第４のスイッチング素子８４と第５のスイッチング素子８５と容量９３と９４とが追加されている。また、図５に図４の駆動方法を示すタイミングチャートを示す。

まず、走査信号Ｇ１によって、第１のスイッチング素子と第３のスイッチング素子８３がオン状態となって、画素電極１１−１と昇圧容量９１の一方の電極に映像信号Ｓ１が書き込まれる。その後、走査信号Ｇ１の出力が終了して第１のスイッチング素子と第３のスイッチング素子８３がオフ状態となる。

ただし、映像信号Ｓ１を引き続き出力した状態で、次段の走査信号Ｇ２を出力する。走査信号Ｇ２により第６のスイッチング素子がオン状態となり、第２のスイッチング素子の制御電極に走査信号Ｇ２による昇圧走査信号Ｇ１ｎが供給される。

しかしながら、第２のスイッチング素子８２の制御電極は容量９４と抵抗が並列に信号線２１−０に接続されているので、一定時間第２のスイッチング素子の制御電極に昇圧走査信号Ｇ１ｎが供給された後、第２のスイッチング素子の制御電極は信号線２１−０の電圧に近づく。

信号線２１−０の電圧を第２のスイッチング素子８２がオフ状態となるよう定めることで、昇圧走査信号Ｇ１ｎにより一定期間、第２のスイッチング素子８２をオン状態とした後、オフ状態とすることが可能である。なお、２段目からは信号線２１−０の代わりに、前段の走査信号線２１を用いることが可能である。

また、信号線２１−０には容量９３が接続されている。容量９３は走査信号Ｇ１により、充電された後、走査信号Ｇ２が供給されると第５のスイッチング素子８５がオン状態となって充電された電荷を信号線２１−０に放電し、容量９４の他方の電極を一定時間充電して第２のスイッチング素子８２がオン状態である時間を調整することが可能である。

さらに、第２のスイッチング素子８２がオフ状態となった後に映像信号Ｓ２を出力することで、２ライン目の画素１１−２には表示データに従った映像信号Ｓ２が書き込まれることになる。

次に図６に、表示領域外に昇圧走査線駆動回路５２を設ける構成を示す。昇圧走査線駆動回路５２には第１の制御スイッチング素子５３と第２の制御スイッチング素子５４と第３の制御スイッチング素子５５と第４の制御スイッチング素子５６と第１の制御信号線２６と第２の制御信号線２７とオフ電圧供給線２８とが形成されている。

次に図７のタイミングチャートを用いて図６に示す回路の動作について説明する。まず走査信号線駆動回路から走査信号Ｇ１が出力する。次に制御信号線２７に制御信号Ｃ１が出力すると、第１の制御スイッチング素子５３がオン状態となって、走査信号線２１に走査信号Ｇ１ｆが出力する。

走査信号Ｇ１ｆが出力すると、第１のスイッチング素子８１がオン状態となって画素電極１５と昇圧容量９１の一方の電極に映像信号Ｓ１が書き込まれる。この時第４の制御スイッチング素子５６もオン状態となっており、第２のスイッチング素子８２はオフ状態となっている。

次に制御信号Ｃ１の出力を停止し、制御信号Ｃ２を出力すると、第２のスイッチング素子がオン状態となって走査信号線２１にはオフ信号が出力し、昇圧走査信号線２４には昇圧走査信号Ｇ１ｎが出力する。

昇圧走査信号Ｇ１ｎが出力すると第２のスイッチング素子８２がオン状態となって、画素電極１１の電圧が映像信号によって昇圧される。

次に図８に昇圧回路１０を設けた画素部８の概略平面図を示す。また、図９に図８のＡ−Ａ線での概略断面図を示す。

図８に示すように、映像信号線２２と画素電極１１との間を電気的に接続するように第１のトランジスタ８１が設けられ、走査信号によりオン状態となり映像信号を画素電極１１に供給可能となっている。

また、画素電極１１の一部は保持容量９２と昇圧容量９１に重なるように延在し、保持容量９２の一方の電極である第１保持電極９２−１と、昇圧容量９１の一方の電極である第１昇圧電極９１−１を形成している。

また、昇圧走査信号線２４によって制御される第２のトランジスタ８２が映像信号線２２と昇圧容量９１の他方の電極である第２昇圧電極９１−２とを電気的に接続可能としている。

保持容量９２の他方の電極である第２保持電極９２−２と第２昇圧電極９１−２との間には第３のトランジスタ８３が形成され、走査信号線２１の制御により第２保持電極９２−２と第２昇圧電極９１−２とを電気的に接続可能としている。

なお、第２保持電極９２−２と第２昇圧電極９１−２とを不透明な金属膜で形成する場合は、第２保持電極９２−２と第２昇圧電極９１−２とに重なるように遮光膜を形成する必要がある。

また、液晶表示パネル１は図９に示すような断面構造をしており、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とが対向して配置されている。ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との間には、液晶組成物４が保持されている。なお、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との周辺部には、シール材（図示せず）が設けられており、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とシール材とは、狭い隙間を有する容器を形成し、液晶組成物４はＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との間に封止される。また、符号１４と符号１８は液晶分子の配向を制御する配向膜である。

カラーフィルタ基板３には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）毎にカラーフィルタ１５０が形成されており、各カラーフィルタ１５０の境界には遮光のためにブラックマトリクス１６２が形成されている。

ＴＦＴ基板２は、少なくとも一部が透明なガラス、樹脂等からなる。ＴＦＴ基板２上には下地膜が形成されその上にポリシリコン膜からなる半導体層１３４が形成される。

半導体層１３４の上にはゲート絶縁膜１３６が形成され、ゲート絶縁膜１３６の上にはゲート電極１３１が形成される。前述したようにＴＦＴ基板２には走査信号線２１が形成されているが、走査信号線２１の一部はゲート電極１３１を形成する。走査信号線２１は、クロム（Ｃｒ）または、ジルコニウム（Zirconium）を主体とする層と、アルミニウム（Ａｌ）を主体とする層の多層膜から形成される。また、上面からＴＦＴ基板側の下面に向けて線幅が広がるように側面が傾斜している。

半導体層１３４の両端部には不純物が注入されドレイン領域１３２とソース領域１３３とが離間して形成されている。前述したように、ドレインとソースの呼び方は電位によって変化するが、本明細書では映像信号線２２と接続する方をドレインと呼び、画素電極１１と接続する方をソースと呼ぶ。

映像信号線２２は、モリブデン（Mo）とクロム（Cr）の合金や、モリブデン（Mo）又はタングステン（Ｗ）を主体とする２つの層で、アルミニウム（Al）を主体とする層を挟んだ多層膜から形成されている。また、第１のトランジスタ８１を覆うように絶縁膜１４３が形成されている。ソース領域１３３は絶縁膜１４３に形成されたスルーホール１４６を介して画素電極１１と接続されている。

なお、絶縁膜１４３は窒化シリコンや酸化シリコン等の無機絶縁膜を用いて形成可能であり、また有機樹脂膜を用いることもできる。有機絶縁膜はその表面を比較的平坦に形成することが可能なものであるが、凹凸を形成すように加工することも可能である。

画素電極１１及び対向電極１５は透明導電膜からなり、透明導電膜は、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＴＺＯ(Indium Tin Zinc Oxide)、ＩＺＯ (Indium Zinc Oxide)、ＺｎＯ (Zinc Oxide)、ＳｎＯ（酸化スズ）、Ｉｎ2Ｏ3（酸化インジウム）等の透光性の導電層から構成されている。

また、前述したクロムを主体とする層は、クロム単体でもクロムとモリブデン（Ｍｏ）等の合金でもよく、ジルコニウムを主体とする層は、ジルコニウム単体でもジルコニウムとモリブデン等の合金でもよく、タングステンを主体とする層は、タングステン単体でもタングステンとモリブデン等の合金でもよく、アルミニウムを主体とする層は、アルミニウム単体でもアルミニウムとネオジウム（Neodymium）等の合金でもよい。

次に図１０に、対向電極１５を画素電極１１の下層に帯状に形成した概略画素構成を示す。対向電極１５を画素電極１１の下層に形成していることで、保持容量９２を特に形成する必要がなく、シンプルな構成で液晶表示パネル１を形成することが可能である。

本発明の実施の形態の液晶表示装置を示す概略ブロック図である。 本発明の実施の形態の液晶表示装置の画素部を示す概略回路図である。 本発明の実施の形態の液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。 本発明の実施の形態の液晶表示装置の画素部を示す概略回路図である。 本発明の実施の形態の液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。 本発明の実施の形態の液晶表示装置の画素部を示す概略回路図である。 本発明の実施の形態の液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。 本発明の実施の形態の液晶表示装置の画素部を示す概略平面図である。 本発明の実施の形態の液晶表示装置の画素部を示す概略断面図である。 本発明の実施の形態の液晶表示装置の画素部を示す概略平面図である。

符号の説明

１…液晶表示パネル、２…ＴＦＴ基板、５…駆動回路、８…画素部、９…表示領域、１０…昇圧回路、１１…画素電極、２１…走査信号線、２２…映像信号線、２４…昇圧走査信号線、７０…フレキシブルプリント基板、８１…第１のトランジスタ、８２…第２のトランジスタ、８３…第３のトランジスタ、９１…昇圧容量、９２…保持容量、１００…液晶表示装置。

Claims (6)

1. 第１の基板と、第２の基板と、
   前記第１の基板と第２の基板の間に挟まれた液晶組成物と、
   前記第１の基板に設けられた複数の画素と、
   前記画素に設けられた画素電極と、
   前記画素電極に対向する対向電極と、
   前記画素電極に電気的に接続された第１の容量電極と第２の容量電極とを有する昇圧容量と、
   オン状態で前記画素電極と前記第１の容量電極とに映像信号を供給する第１のスイッチング素子と、
   オン状態で前記第２の容量電極に映像信号を供給する第２のスイッチング素子と、
   前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子に映像信号を供給する映像信号線と、
   前記第１のスイッチング素子のオン・オフを制御する走査信号を供給する走査信号線と、
   前記第２のスイッチング素子のオン・オフを制御する昇圧走査信号を供給する昇圧走査信号線とを有し、
   前記走査信号により前記第１のスイッチング素子をオン状態として、前記画素電極と前記第１の容量電極に映像信号を供給し、次に第１のスイッチング素子をオフ状態とした後に、前記第２のスイッチング素子をオン状態として前記第２の容量電極に映像信号を供給し、前記画素電極の電圧を昇圧または降圧することを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記走査信号によりオン状態となり、前記対向電極と前記第２の容量電極とを電気的に接続する第３のスイッチング素子を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１のスイッチング素子と、前記第２のスイッチング素子と、前記第３のスイッチング素子とは隣合う２本の前記映像信号線と、隣合う２本の前記走査信号線で囲まれる画素領域内に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 第１の基板と、第２の基板と、
   前記第１の基板と第２の基板の間に挟まれた液晶組成物と、
   前記第１の基板に設けられた複数の画素と、
   前記画素に設けられた画素電極と、
   前記画素電極に対向し、共通電圧が供給される対向電極と、
   前記画素電極に電気的に接続された第１の容量電極と第２の容量電極とを有する昇圧容量と、
   オン状態で前記画素電極と前記第１の容量電極とに映像信号を供給する第１のスイッチング素子と、
   オン状態で前記第２の容量電極に映像信号を供給する第２のスイッチング素子と、
   オン状態で前記第２の容量電極に前記共通電圧を供給する第３のスイッチング素子と、
   前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子に映像信号を供給する映像信号線と、
   前記第１のスイッチング素子と前記第３のスイッチング素子のオン・オフを制御する走査信号を供給する走査信号線と、
   前記第２のスイッチング素子のオン・オフを制御する昇圧走査信号を供給する昇圧走査信号線とを有し、
   前記走査信号により前記第１のスイッチング素子をオン状態として、前記画素電極と前記第１の容量電極に映像信号を供給し、前記第３のスイッチング素子をオン状態として、前記第２の容量電極に共通電圧を供給し、次に第１のスイッチング素子と第３のスイッチング素子とをオフ状態とした後に、前記第２のスイッチング素子をオン状態として前記第２の容量電極に映像信号を供給し、前記画素電極の電圧を昇圧または降圧することを特徴とする液晶表示装置。
5. 前記昇圧走査信号は昇圧走査信号駆動回路によって駆動されることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１のスイッチング素子と、前記第２のスイッチング素子と、前記第３のスイッチング素子とは隣合う２本の前記映像信号線と、隣合う２本の前記走査信号線で囲まれる画素領域内に形成されることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。

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