JP2009199691A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】良好な記録再生特性と信頼性を両立したディスクリートトラック媒体やビットパターン媒体を作製する。
【解決手段】基板上に、少なくとも２層の異なる組成の強磁性合金層１８，１９からなる磁気記録層を有する。媒体の最表面側に位置する強磁性合金層１９は面内方向に非磁性原子の含有率の高い部分２３と低い部分を有し、非磁性原子の含有率の高い部分は、磁気記録層内の中間層を除く他の部分に比べ非磁性原子の含有率を高くする。媒体の最表面側に位置する強磁性合金層の非磁性原子の含有率の高い部分と低い部分は、おおむね同心円状に形成する。非磁性原子の含有率の高い部分は、非磁性原子２２をイオン注入することによって形成する。
【選択図】図６

Description

本発明は、高記録密度に適したディスクリートトラック媒体やビットパターン媒体に代表されるパターン媒体及びその製造方法に関わり、特にトラックガイド分離域に関する。

近年、パーソナルコンピュータで利用される情報量の増大や、映像記録機器、カーナビゲーションシステム等への用途拡大により、磁気記録再生装置はさらなる大容量化・高性能化の要求が高まっている。高記録密度化のためには磁気記録媒体の磁化反転単位を小さくし、媒体ノイズを低減する必要がある。その方法として従来の磁気記録媒体では、磁気記録層を構成する強磁性結晶粒があらかじめ磁気記録層に含まれる非磁性材料で分離される構造が採用された。

現在、より積極的にこの分離域を制御し磁気記録密度を向上する案として、記録トラック間に分離加工を施したディスクリートトラック媒体、さらには、記録ビット間にも分離加工を施したビットパターンド媒体が研究開発されており、いずれの場合も分離域形成加工技術が高記録密度化の重要なポイントとなっている。例えば、ディスクリートトラック媒体においては、分離域形成加工技術として基板に予め同心円状に凹凸形状を形成しておき、その上に磁性膜を形成することで、凹凸形状の磁性膜を形成する基板加工型や、磁性膜にマスクを施し凹部とすべき部分をエッチングすることによって凹凸形状を施す磁性膜加工型が提案されている。

しかしながら、これらの技術において、凹部には非磁性材料を埋め戻し、さらにその表面を凸部となる磁性膜の高さにあわせて平坦化し、さらに平坦化した面に保護膜を形成するといった複数のプロセス工程を有することで、磁性膜や保護膜の表面に発生する異物の増加、表面粗さの増加という新たな問題が発生し、高記録密度化のためのもう一つのポイントとなる磁気ヘッドと磁気ディスクの隙間狭小化（ナノスペーシング化）を妨げてしまう。

これらを解決する手段として、イオン注入を用いて分離域を形成する方法が試みられている。例えば、特許文献１では、ディスクリートトラック媒体の記録トラック間の分離域を、磁性層に窒素イオンを注入するなどの方法により磁気特性を変化させることで形成する方法が開示されている。この方法を用いることで、ヘッドのトラック幅を狭くするための加工精度に大きく影響されることなく、トラック密度を高めること可能になるとされている。また、特許文献２では、イオン注入を用いてサーボパターンを形成する方法が試みられている。この方法を用いることで、表面の平坦性をより一層改善できるとされている。

特開平５−２０５２５７号公報 特開平９−１６７３３６号公報

ディスクリートトラック媒体やビットパターン媒体において、記録トラック間や記録ビット間を分離する方法は重要な課題である。

上記文献のような方法を用いる場合、記録トラックに書きにじみがないようにしてトラック密度を向上するために、分離域を磁性層の膜厚方向全域にわたって形成しようとすると、イオン注入時の加速電圧を十分に高くして磁性層の膜厚方向全域に非磁性元素のイオンを注入して分離域を形成しなければならない。しかし、加速電圧を高くした場合、磁性層の記録トラック部分に非磁性元素のイオンが注入されないようにするためには、磁性層の上部に形成するマスク層の膜厚を厚くする必要がある。しかし、マスク層が厚くなると、高記録密度化のためにマスク層のパターンピッチを細かくしたときにパターン倒れが発生する問題があるため、パターンピッチにあわせてマスク層の膜厚を薄くする必要がある。しかし、マスク層の膜厚を薄くすると、加速電圧が高い場合、照射されたイオンをマスク層で十分に止めることができず、磁性層の記録トラック部分にまで非磁性元素のイオンが注入され、記録トラックの磁気特性を変化させてしまい、記録再生特性が劣化してしまう問題がある。その場合、イオン注入時の加速電圧を下げて注入エネルギーを低くする必要がある。ただし、注入エネルギーを低くした場合は、分離域を磁性層の膜厚方向全域にわたって形成することができなくなる問題がある。磁性層の構造が適切でないと、イオンが注入されずに分離域の下に残った磁性層による磁束が分離域表面まで現れ、ノイズの原因となってしまう。そのため、注入エネルギーを低くする場合は、その注入エネルギーに合わせて磁性層の構造を最適化する必要がある。

本発明の目的は、良好な記録再生特性と信頼性を両立したディスクリートトラック媒体やビットパターン媒体を作製することである。特に、イオン注入によってディスクリートトラック媒体やビットパターン媒体の分離域を形成する場合において、記録トラックや記録ビットに対するダメージがないように注入エネルギーを制御し、その注入エネルギーに合わせて磁性層の構造を最適化することで高記録密度化を実現可能な磁気記録媒体を作製することである。

上記目的を達成するために、本発明の磁気記録媒体においては、基板上に直接もしくは間接的に形成された磁気記録層を有し、磁気記録層は少なくとも２層の異なる組成の強磁性合金層を直接もしくは中間層を介して積層した構造を有し、その強磁性合金層のうち媒体の最表面側に位置する層は面内方向に非磁性原子の含有率の高い部分と低い部分を有し、非磁性原子の含有率の高い部分は、磁気記録層内の中間層を除く他の部分に比べ非磁性原子の含有率が高いことを特徴とする。

媒体の最表面側に位置する強磁性合金層の非磁性原子の含有率の高い部分と低い部分は、おおむね同心円状に形成するとよい。媒体最表面側に位置する強磁性合金層の非磁性原子の含有率の低い部分は、磁気記録層内の他の部分に比べ強磁性元素の含有率が高くなるようにするとよい。

非磁性原子としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｒｕ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅからなる群から選ばれるいずれか一種類以上の原子を用いるとよい。

磁気記録層はＣｏを含むことが望ましい。磁気記録層がＣｏを含む場合、非磁性原子はＣｒあるいはＴａであることが望ましい。磁気記録層がＣｏを含む場合、強磁性合金層のうちの媒体最表面側に位置する層の非磁性原子の含有率の低い部分は、磁気記録層内の他の部分に比べＣｏの含有率が高いことが望ましい。

非磁性原子の含有率の高い部分は、非磁性原子をイオン注入することによって形成するとよい。

本発明によれば、良好な記録再生特性と信頼性を両立したディスクリートトラック媒体やビットパターン媒体を作製することができる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
［実施例１］
図１〜８を参照して、本発明の実施例１による磁気記録媒体（磁気ディスク）の一例を示す。

図１に示す製造工程において、基板１０として、硼珪酸ガラス、或いはアルミノシリケートガラスからなる基板表面を化学強化した基板を洗浄後、乾燥して用いた。化学強化したガラス基板に替え、アルミニウム合金基板上にＮｉ−Ｐめっき後表面研磨した基板やＳｉやＴｉ合金からなる剛体基板を用いることもできる。

前記工程を経た基板上に密着層１１として５０at.%Ａｌ−５０at.%Ｔｉ合金層を５ｎｍ、第一軟磁性層１２として５１at.%Ｆｅ−３４at.%Ｃｏ−１０at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金層を１５ｎｍ、反強磁性結合層１３としてＲｕ層を０．５ｎｍ、第二軟磁性層１４として５１at.%Ｆｅ−３４at.%Ｃｏ−１０at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金層を１５ｎｍ、下地層１５として５０at.%Ｃｒ−５０at.%Ｔｉ合金層を２ｎｍ、第一配向制御層１６として９４at.%Ｎｉ−６at.%Ｗ合金層を７ｎｍ、第二配向制御層１７としてＲｕ層を１７ｎｍ、第一磁性層１８として５７mol%Ｃｏ−２０mol%Ｃｒ−１７mol%Ｐｔ−６mol%ＳｉＯ₂合金層を１３ｎｍ、第二磁性層１９として６２at.%Ｃｏ−１３at.%Ｃｒ−１８at.%Ｐｔ−７at.%Ｂ合金層を６ｎｍ順次積層した。

上記各層の成膜には真空中で基板を搬送し、上記のような複数の層を連続成膜可能な枚様式のスパッタリング装置を用いた。所望の膜組成と同じ組成の合金ターゲットを用意し、それをスパッタすることで上記のような合金層を成膜した。成膜時のＡｒガス圧は第二配向制御層１７と第一磁性層１８以外の層を成膜する際は１Ｐａとした。第二配向制御層１７を成膜する際のＡｒガス圧は、第二配向制御層の下部側９ｎｍを１Ｐａで成膜し、上部側８ｎｍを５Ｐａで成膜した。第一磁性層成膜時はＡｒに酸素を加えて成膜した。それぞれの分圧はＡｒを４Ｐａ、酸素を０．２Ｐａとした。

前記工程を経た媒体にレジスト２０を塗布した後、記録トラックとサーボエリアの形状と同様のパターンが形成されたスタンパー２１をレジスト２０に押し付けることによってレジスト２０にパターンを転写した（図２〜４）。パターンの溝部分のレジスト残膜を、酸素を用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）にて除去し、トラックピッチ９０ｎｍ、高さ９０ｎｍのレジストパターン２０′を形成した（図５）。このレジストパターン２０′には型押しによって同時に形成されたサーボエリアのパターンも含まれる。

レジストパターン２０′形成後、プラズマビームを用いて非磁性元素のイオン２２としてＣｒイオンを媒体に照射し、第二磁性層１９の一部にトラック分離域２３として非磁性元素（ここではＣｒ）の含有率が高い部分を形成した（図６）。

イオンを媒体に照射する方法としては、照射する非磁性元素（ここではＣｒ）を主成分とする陰極のアーク放電によりプラズマを生成し、生成したプラズマを湾曲した磁場ダクトにより輸送して、媒体にプラズマビームを照射する方法を用いた。あるいは、非磁性元素のイオンを照射する方法としてイオンビーム源を利用してもよい。Ｃｒイオン照射時の加速電圧は１０ｋＶとし、照射量は１×１０¹⁵〜４×１０¹⁶／ｃｍ²とした。

Ｃｒイオン照射後、酸素を用いたＲＩＥにてレジストパターン２０′を除去し、ＣＶＤにてＤＬＣ（Diamond-like Carbon）保護膜２４を４ｎｍ成膜し、パーフルオロアルキルポリエーテルを主成分とする潤滑剤を塗布して厚さ１ｎｍの潤滑膜２５を形成した（図７、８）。ＤＬＣ保護膜の代わりに、スパッタリングによるカーボン保護膜や、磁場フィルタによるイオン輸送機構を備えたカソーディックアーク法を用いて形成したｔａ−Ｃ（Tetrahedral Amorphous Carbon）保護膜などを用いることもできる。

作製した媒体の磁気的書き込み幅Ｍww（Magnetic Write Width）を、スピンスタンドを用いて評価した。磁気ヘッドは再生トラック幅Ｔwr（Track Width of Reader）が４０ｎｍ、書き込み幅Ｔww（Track Width of Writer）が６０ｎｍのものを用いた。

結果を図９に示す。照射量が増えるに従って徐々にＭwwが減少し、照射量が１×１０¹⁶／ｃｍ²以上になるとＭwwは６０ｎｍ程度でほぼ一定となった。

Ｃｒの照射量が最も少ない点でＭwwが７５ｎｍ以上あったのに対し、照射量が１×１０¹⁶／ｃｍ²以上の領域ではＭwwは６０ｎｍ程度まで大きく減少していることから、トラック幅を狭くしトラック密度を大きく向上できることが確認された。

以上のようなＭwwの変化の傾向は、以下のように説明できる。照射量が最も少ない点は、トラック分離域２３における非磁性原子（ここではＣｒ）の濃度の増加が小さく磁性があまり変化しないため、トラック間を十分に分離できていない領域である。照射量の増加とともにＭwwが減少していくのは、照射量増加に従ってトラック分離域２３の非磁性原子の濃度が増加し、トラック分離域２３の磁化や保磁力が徐々に減少することで、トラック間の特に第二磁性層１９の部分における磁気的な結合が弱まっていくためである。照射量が１×１０¹⁶／ｃｍ²以上でＭwwがほぼ一定になる領域では、特に第二磁性層１９におけるトラック分離域２３の磁化や保磁力が十分に小さくなるまで非磁性原子の濃度が高くなり、特に第二磁性層１９においてトラック間を十分に分離できている領域である。

本実施例のうち、Ｃｒイオンの照射量が２×１０¹⁶／ｃｍ²のサンプルに関して、トラック分離域２３と記録トラック部分におけるＣｒ濃度を分析した。分析にはエネルギー分散型蛍光Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）を用いた。トラック分離域の分析は、トラック分離域の面内方向中ほどの位置において、面垂直方向に第二磁性層１９の最上部付近の位置（図１０のＰ１の位置）から第二配向制御層１７の最上部付近の位置（図１０のＰ２の位置）まで実施した。記録トラック部分の分析は同様に、記録トラック部分の面内方向中ほどの位置において、面垂直方向に第二磁性層１９の最上部付近の位置（図１０のＰ３の位置）から第二配向制御層１７の最上部付近の位置（図１０のＰ４の位置）まで実施した。

分析結果を図１１に示す。トラック分離域２３に関しては、第二磁性層１９におけるＣｒ濃度はどの位置でも３０at.%を越えていた。Ｃｏ−Ｃｒ合金においてＣｒが３０at.%以上ある場合、磁化はほぼ失われることから、トラック分離域２３の磁化はほぼ失われており、記録トラック間の特に第二磁性層１９の部分において、トラック間が十分に分離するように形成されていることが確認された。

記録トラック部分に関して、第一磁性層１８および第二磁性層１９におけるＣｒ濃度は第一磁性層の部分で２０at.%前後、第二磁性層の部分で１２at.%前後となり、スパッタした合金の組成とほぼ同じ値であることが確認された。

図１１より、トラック分離域２３において、Ｃｒ照射時に第二磁性層１９だけでなく、第一磁性層１８にもＣｒが注入されているが、注入されている量は少なく、第二磁性層１９のトラック分離域２３に含まれるＣｒ濃度が最も高いことが確認された。

以上より、本実施例においてＣｒイオンを１×１０¹⁶／ｃｍ²以上照射することにより、トラック密度を十分に向上できることが確認された。

［実施例２］
実施例１の非磁性元素のイオン２２を他の元素に変えて、実施例１と同様にディスクリートトラック媒体を作製した。非磁性元素のイオン２２としてＭｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｒｕ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅのうちのいずれかの元素を用いた。イオン照射時の加速電圧及び照射量は実施例１と同様とした。

それぞれ実施例１と同じヘッドを用いてＭwwを評価した。結果を図１２〜１４に示す。まず、非磁性元素イオン２２の照射量が最も少ない点では、各元素ともＭwwの値は７５ｎｍ程度で、実施例１の同じ照射量におけるＭwwと同程度の値であった。非磁性元素のイオン２２の照射量が１×１０¹⁶／ｃｍ²より少ない領域では、各元素とも照射量の増加に従ってＭwwが徐々に減少する様子が確認できたものの、Ｍwwの値には多少のばらつきがあった。しかし、非磁性元素のイオン２２の照射量が１×１０¹⁶／ｃｍ²以上の領域では、各元素ともＭwwは６０ｎｍ程度の値となり、実施例１の同じ照射量におけるＭwwと同程度の値となった。すなわち、各元素とも照射量を１×１０¹⁶／ｃｍ²以上とすることで、実施例１の場合と同等のトラック密度が得られることが確認できた。

ただし、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｒｕを用いた媒体では、信頼性上問題のないレベルではあったが、Ｃｒを用いた場合に比べ耐食性が若干劣化した。Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅを用いた場合は浮上性に明確に影響するほどのレベルではなかったが、イオン照射後のトラック分離域２３上部の表面粗さが若干大きくなった。非磁性元素のイオン２２にＴａを用いた場合は、耐食性や表面粗さも実施例１の媒体と同等の媒体が得られた。

［比較例１］
実施例１のＣｒイオン照射時の加速電圧を２５ｋＶとし、実施例１と同様にディスクリートトラック媒体を作製した。

実施例１と同様にＭwwを評価した結果を図１５に示す。イオン照射量が７×１０¹⁵／ｃｍ²以下ではＭwwが正常に評価できたが、１×１０¹⁶／ｃｍ²以上ではＭwwが正常に評価できなくなった。

そこで、Ｍwwが正常に評価できなかったＣｒイオンの照射量が１×１０¹⁶／ｃｍ²のサンプルに関して、実施例１と同様の方法で、記録トラック部分とトラック分離域２３におけるＣｒ濃度を分析した。分析はエネルギー分散型蛍光Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）を用いて行った。結果を図１６に示す。

特に第二磁性層１９において、記録トラックに相当する部分の方がトラック分離域２３に相当する部分よりもＣｒ濃度が高くなっており、記録トラックに相当する部分の上部では２５at.%以上のＣｒが含まれていた。すなわち、記録トラック部分の磁化が、Ｃｒが多く含まれることにより大きく減少し、結果としてＭwwが正常に評価できなかったことがわかった。

記録トラック部分のＣｒ濃度が大きく増加した原因は以下のようなものである。実施例１のように、加速電圧が１０ｋＶと低い場合はレジストパターン２０′の膜厚が９０ｎｍでもＣｒイオンが記録トラック部分の第二磁性層１９にまで到達しないようにし、Ｃｒイオンが記録トラック部分に注入されないようにすることができたのに対し、本比較例のように加速電圧を２５ｋＶにまで上げた場合、Ｃｒイオンが記録トラック部分の第二磁性層にまで到達しないようにし記録トラック部分に注入されないようにするためには、レジストパターン２０′の厚さが９０ｎｍでは十分でなかった。そのため、記録トラック部分にまでＣｒが注入されてしまい、記録トラック部分のＣｒ濃度が増加したのである。

また、加速電圧を２５ｋＶまで上げた場合、トラック分離域においてもＣｒ濃度の分布中心が深くなる。そのため、トラック分離域２３において、加速電圧が１０ｋＶと低い実施例１の媒体では第二磁性層１９のＣｒ濃度が最も高くなったのに対し、本比較例では図１６の分析結果が示すように第一磁性層１８のＣｒ濃度が３０ａｔ％前後、第二磁性層１９のＣｒ濃度が１５at.%〜２０at.%程度となり、第一磁性層に含まれるＣｒ濃度の方が高くなった。また、第二磁性層１９のＣｒ濃度が１５at.%〜２０at.%程度では、磁化が十分に小さくならないため、第二磁性層１９の記録トラック間を十分に分離できていないことも確認された。

［比較例２］
実施例１の第一磁性層１８と第二磁性層１９の組成を変更し、実施例１と同様にディスクリートトラック媒体を作製し評価した。第一磁性層１８に６５mol%Ｃｏ−１１mol%Ｃｒ−１６mol%Ｐｔ−８mol%ＳｉＯ２合金層を形成し、第二磁性層１９に６２at.%Ｃｏ−１３at.%Ｃｒ−１８at.%Ｐｔ−７at.%Ｂ合金層を形成したもの（比較例２−１とする）、および第一磁性層１８に５７mol%Ｃｏ−２０mol%Ｃｒ−１７mol%Ｐｔ−６mol%ＳｉＯ２合金層を形成し、第二磁性層１９には５４at.%Ｃｏ−１８at.%Ｃｒ−１８at.%Ｐｔ−１０at.%Ｂ合金層を形成したもの（比較例２−２とする）の２種類の媒体を作製した。それぞれ第一磁性層１８の膜厚は１３ｎｍとし、第二磁性層１９の膜厚は６ｎｍとした。

実施例１と同様にＭwwを評価した結果を図１７に示す。イオンの照射量が少ない５×１０¹⁵／ｃｍ²以下の領域では実施例１および本比較例の媒体でＭwwに差が出たものの、７×１０¹⁵／ｃｍ²以上の領域では本比較例のＭwwは実施例１とほぼ同等となった。

そこで、Ｍwwが６０ｎｍ程度にまで小さくなっている媒体のうち注入量が２×１０¹⁶／ｃｍ²のものについて、実施例１の媒体と本比較例の媒体の信号対雑音比Ｓ／Ｎを評価した。評価ヘッドには実施例１でＭwwを評価したものと同じヘッドを用い、最高線記録密度ＨＦ＝６４ｋＦＣ／ｍｍにおける媒体ノイズと中線記録密度ＭＦ＝ＨＦ／２＝３２ｋＦＣ／ｍｍにおける出力からＳ／Ｎを求めた。

実施例１の媒体はＳ／Ｎが１７．７ｄＢであったのに対し、比較例２−１の媒体は１４．３ｄＢ、比較例２−２の媒体は１５．５ｄＢとなり、本比較例の媒体はどちらも実施例１の媒体に比べ、記録再生特性が大幅に劣化していることが確認された。

まず、比較例２−１の媒体のＳ／Ｎが大きく劣化した原因は以下のように説明できる。実施例１の媒体は第一磁性層１８のＣｏの濃度が５７mol%であったのに対し、本比較例の媒体は６５mol%と濃度が高く、磁化が大きい。そのため、比較例２−１の媒体では、Ｃｒイオンが照射されることで第二磁性層１９の磁化が十分に小さくなっても、第一磁性層１８の磁化が大きいため第一磁性層による磁束がトラック分離域２３の表面にまで現れ、それがノイズ源となってＳ／Ｎを大きく劣化させたものである。実施例１の媒体では、第一磁性層１８のＣｏの濃度が低く磁化が小さいため、トラック分離域２３の表面に現れる磁束は非常に小さく、Ｓ／Ｎを劣化させる要因とはならなかった。

また、比較例２−２の媒体のＳ／Ｎが大きく劣化した原因は以下のように説明できる。実施例１のように第一磁性層のＣｏの濃度を小さくして磁化を小さくした場合、十分な再生出力を得るためには、第二磁性層の磁化を大きくする必要がある。実施例１の第二磁性層１９のＣｏの濃度は６２mol%で第一磁性層１８のＣｏの濃度５７mol%よりも高く磁化も大きいが、比較例２−２の第二磁性層のＣｏの濃度は５４mol%で第一磁性層１８のＣｏの濃度５７mol%よりも低く磁化が小さい。そのため、比較例２−２では記録トラック部分全体の磁化が小さくなり出力が低下しＳ／Ｎが劣化したものである。

以上のように、媒体ノイズを抑えかつ十分な出力を得るには、第二磁性層１９に含まれる強磁性原子（ここではＣｏ）の濃度が第一磁性層１８に含まれる強磁性原子の濃度よりも高くするようにする必要がある。

実施例１による磁気記録媒体の製造工程を示す図。 実施例１による磁気記録媒体の製造工程を示す図。 実施例１による磁気記録媒体の製造工程を示す図。 実施例１による磁気記録媒体の製造工程を示す図。 実施例１による磁気記録媒体の製造工程を示す図。 実施例１による磁気記録媒体の製造工程を示す図。 実施例１による磁気記録媒体の製造工程を示す図。 実施例１による磁気記録媒体の製造工程を示す図。 磁気的書き込み幅Ｍwwの評価結果を示す図。 媒体の元素分析を実施したときの分析位置を示す模式図。 媒体の元素分析結果を示す模式図。 磁気的書き込み幅Ｍwwの評価結果を示す図。 磁気的書き込み幅Ｍwwの評価結果を示す図。 磁気的書き込み幅Ｍwwの評価結果を示す図。 磁気的書き込み幅Ｍwwの評価結果を示す図。 媒体の元素分析結果を示す模式図。 磁気的書き込み幅Ｍwwの評価結果を示す図。

符号の説明

１０：基板
１１：密着層、
１２：第一軟磁性層
１３：反強磁性結合層
１４：第二軟磁性層
１５：下地層
１６：第一結晶配向制御層
１７：第二結晶配向制御層
１８：第一磁性層
１９：第二磁性層
２０：レジスト
２０′：レジストパターン
２１：スタンパー
２２：非磁性元素のイオン
２３：トラック分離域
２４：ＤＬＣ保護層
２５：潤滑膜

Claims (12)

1. 基板上に直接もしくは間接的に形成された磁気記録層を有し、
   前記磁気記録層は少なくとも２層の異なる組成の強磁性合金層を直接もしくは中間層を介して積層した構造を有し、
   前記少なくとも２層の強磁性合金層のうち媒体の最表面側に位置する層は面内方向に非磁性原子の含有率の高い部分と低い部分を有し、
   前記媒体の最表面側に位置する強磁性合金層の前記非磁性原子の含有率の高い部分は、前記磁気記録層内の前記中間層を除く他の部分に比べ前記非磁性原子の含有率が高いことを特徴とする磁気記録媒体。
2. 基板上に直接もしくは間接的に形成された磁気記録層を有し、
   前記磁気記録層は少なくとも２層の異なる組成の強磁性合金層を直接もしくは中間層を介して積層した構造を有し、
   前記少なくとも２層の強磁性合金層のうち媒体の最表面側に位置する層は面内方向に非磁性原子の含有率の高い部分と低い部分を有し、
   前記媒体の最表面側に位置する強磁性合金層の前記非磁性原子の含有率の高い部分は、前記磁気記録層内の前記中間層を除く他の部分に比べ前記非磁性原子の含有率が高く、
   前記媒体の最表面側に位置する強磁性合金層の前記非磁性原子の含有率の低い部分は、前記磁気記録層内の他の部分に比べ強磁性元素の含有率が高いことを特徴とする磁気記録媒体。
3. 請求項１又は２記載の磁気記録媒体において、前記媒体の最表面側に位置する強磁性合金層の前記非磁性原子の含有率の高い部分と低い部分は、おおむね同心円状に形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
4. 請求項１又は２記載の磁気記録媒体において、前記非磁性原子がＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｒｕ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅからなる群から選ばれたいずれかの原子であることを特徴とする磁気記録媒体。
5. 請求項１又は２記載の磁気記録媒体において、前記磁気記録層がＣｏを含むことを特徴とする磁気記録媒体。
6. 請求項１又は２記載の磁気記録媒体において、前記磁気記録層がＣｏを含み、前記非磁性原子がＣｒ又はＴａであることを特徴とする磁気記録媒体。
7. 請求項２記載の磁気記録媒体において、前記強磁性元素がＣｏであることを特徴とする磁気記録媒体。
8. 請求項１又は２記載の磁気記録媒体において、前記非磁性原子の含有率の高い部分は前記非磁性原子をイオン注入することによって形成したものであることを特徴とする磁気記録媒体。
9. 基板上に、少なくとも２層の異なる組成の強磁性合金層を含む磁気記録層を形成する工程と、
   前記磁気記録層の面内方向に非磁性元素の含有率が高い部分を形成するための開口部を有するマスク層を形成する工程と、
   前記マスク層をマスクとして前記磁気記録層に前記非磁性元素をイオン注入する工程とを有し、
   前記イオン注入は、注入された非磁性元素の濃度の最も高くなる部分が前記少なくとも２層の強磁性合金層のうち媒体最表面側に位置する強磁性合金層中に位置するように行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
10. 請求項９記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記マスク層の開口部はおおむね同心円状に形成されていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
11. 請求項９記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記非磁性原子はＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｒｕ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅからなる群から選ばれた一種類以上の原子であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
12. 請求項９記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記磁気記録層はＣｏを含み、前記非磁性原子はＣｒ又はＴａであることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

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