JP2009198438A - 半導体装置のリーク検査方法およびそれが適用可能な半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】パッケージ内部にありチップ間を接続する端子について、リークの有無を短時間で検査できる半導体装置のリーク検査方法およびそれが適用可能な半導体装置の提供。
【解決手段】半導体装置１のパッケージ２内には、入力側インバータ５を含んだ入力側チップ３および出力側インバータ６を含んだ出力側チップ４が形成されている。入力側インバータ５の出力端５ｃと出力側インバータ６の入力端６ａとは、チップ３、４間において接続端子１０により接続されている。出力側チップ４内のリーク検査方法は、電源端子Ｖddに電圧を供給して接続端子１０を充電した後、接続端子１０をハイインピーダンス化した状態で、電源端子Ｖddの電圧を変化させて出力側インバータ６のスレシホールド電圧を接続端子１０の充電電圧近傍に設定する。その後、リークにより接続端子１０の充電電圧が増減したことを、出力側インバータ６の出力信号の反転により検出する。
【選択図】図１

Description

本発明は、パッケージ内部にありチップ間を接続する端子について、リークの有無を検査する半導体装置のリーク検査方法およびそれが適用可能な半導体装置に関する。

ＭＣＰ（Multi Chip Package）等の半導体装置においては、パッケージ内部に複数の半導体チップが形成されており、このため半導体チップ間の接続端子（パッド）もパッケージ中にあって、外部には引き出されてはいないことが多い。したがって、パッケージ内部にある端子について、直接に電流のリーク特性を検出することはできなかった。
これに対して、双方の半導体チップ間の接続端子に電荷を保存した後に、接続端子をハイインピーダンス化した上で、この保存電荷による電圧の変化を検出することにより、リーク電流の有無を検査する方法に関する従来技術があった（例えば、特許文献１参照）。

図２７に、この従来技術による検査方法を適用可能な半導体装置の一例を示す。半導体装置１００のパッケージ１０１中には、一対の半導体チップ１０２、１０３が形成されている。図２７において左方に示された半導体チップを入力側チップ１０２、右方に示された半導体チップを出力側チップ１０３とする。入力側チップ１０２および出力側チップ１０３は、それぞれ入力側インバータ１０４、出力側インバータ１０５を含んでおり、パッケージ１０１の外部には、双方のインバータ１０４、１０５に対して電圧を供給するための共通の電源端子Ｖddと、双方のインバータ１０４、１０５を低電圧側へ接続する共通の低電圧端子Ｖssが引き出されている。

入力側インバータ１０４の出力端１０６と、出力側インバータ１０５の入力端１０７は、双方の半導体チップ１０２、１０３間において接続端子１０８により接続されている。また、出力側インバータ１０５の出力端子１０９はパッケージ１０１の外部へと引き出されている。
この構成の半導体装置１００において、図２８に示したフローチャートに基づいて、接続端子１０８から出力側チップ１０３内へのリークの有無を検出する。最初に、電源端子Ｖddに電源電圧Ｖdd（２Ｓ）を入力するとともに、入力側インバータ１０４の出力をＨｉとする（ステップＳ２８０１）。入力側インバータ１０４の出力がＨｉとなったことにより、接続端子１０８には充電電圧Ｖdd（２Ｓ）により電荷が蓄えられる。

次に、入力側インバータ１０４をオフして接続端子１０８を入力側チップ１０２に対して遮断状態とすることによりハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化する（ステップＳ２８０２）。接続端子１０８がハイインピーダンス化されたことにより、電源端子Ｖddへの電源電圧Ｖdd（２Ｓ）の入力が継続されるのにも拘らず、接続端子１０８への充電は停止する。

その後、放置しながら（ステップＳ２８０３）、出力側インバータ１０５の出力を検出して、接続端子１０８からのリーク電流の有無を検査する（ステップＳ２８０４）。
図２９に示すように、接続端子１０８から低電圧側へのリーク電流が発生していれば、充電後に放置することにより接続端子１０８から電荷が抜けて（放電して）、充電電圧ＶchがＶdd（２Ｓ）から徐々に低下していく。やがて、充電電圧Ｖchが出力側インバータ１０５のスレシホールド電圧Ｖth2よりも低下すると、出力側インバータ１０５の出力である出力端子１０９の端子信号ＶINVがＬｏ状態であるＶssからＨｉ状態へと反転する（図示せず）。
特開２００５−３００４８５号公報

ここで、図２９に示すように、出力側インバータ１０５において、入力電圧の変化により出力信号が反転するためのスレシホールド電圧Ｖth2は、通常、出力側インバータ１０５に供給された電源電圧Ｖdd（２Ｓ）の、およそ１／２に設定されている。したがって、接続端子１０８の充電電圧Ｖchが低下して、スレシホールド電圧Ｖth2を横切るまでには相当の時間を要し、短時間で検査を行うことができない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、パッケージ内部にありチップ間を接続する端子について、リークの有無を短時間で検査できる半導体装置のリーク検査方法およびそれが適用可能な半導体装置を提供することにある。

本発明の課題を解決するために、請求項１の半導体装置のリーク検査方法によれば、電源端子に電圧を供給するとともに、入力側インバータをＨｉ出力させることにより接続端子に充電を施す端子充電工程と、接続端子に充電が施された後、接続端子をハイインピーダンス化するハイインピーダンス化工程と、電源端子に電圧を供給して、出力側インバータの出力端子の信号が反転するためのスレシホールド電圧を接続端子の充電電圧近傍に設定するスレシホールド電圧設定工程と、接続端子をハイインピーダンス化した後において、接続端子の充電電圧が増減してスレシホールド電圧を横切ることにより、出力側インバータの出力端子の信号が変化したことを検出する出力信号検出工程と、出力側インバータの出力端子の信号が変化した場合に、出力側チップ内においてリークが有ると判定するリーク判定工程とを備えた。
これにより、出力側チップ内においてリークが発生すれば、接続端子の充電電圧が増大または減少して、近傍に設定されたスレシホールド電圧を横切るため、短時間で出力側チップ内におけるリークの有無を検査することができる。

請求項２の半導体装置のリーク検査方法によれば、スレシホールド電圧設定工程において、スレシホールド電圧を接続端子の充電電圧より低く設定し、出力信号検出工程において出力側インバータの出力端子の信号がＬｏからＨｉに変化したことを検出した場合に、リーク判定工程において、出力側チップ内に低電圧側へのリークが有ると判定する。
これにより、短時間で出力側チップ内における低電圧側へのリークの有無を検査することができる。
請求項３の半導体装置のリーク検査方法によれば、スレシホールド電圧設定工程において、スレシホールド電圧を接続端子の充電電圧より高く設定し、出力信号検出工程において出力側インバータの出力端子の信号がＨｉからＬｏに変化したことを検出した場合に、リーク判定工程において、出力側チップ内に電源電圧側へのリークが有ると判定する。
これにより、短時間で出力側チップ内における電源電圧側へのリークの有無を検査することができる。
請求項４の半導体装置のリーク検査方法によれば、入力側インバータおよび出力側インバータを低電圧側へ接続する低電圧端子と電源端子のうちの少なくともいずれかの端子については、入力側インバータと出力側インバータとに異なる電圧を供給可能なようにパッケージの外部に別々に引き出され、出力側インバータには入力側インバータよりも高い電源電圧を供給することにより、スレシホールド電圧を接続端子の充電電圧近傍に設定する。
これにより、スレシホールド電圧を接続端子の充電電圧近傍に設定するために、当初から入力側インバータと出力側インバータとに異なる電圧を供給すればよく、検査途中で出力側インバータに供給する電源電圧を増大させる必要がない。

請求項５の半導体装置によれば、請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の半導体装置のリーク検査方法を適用可能である。これにより、短時間で出力側チップ内におけるリークの有無を検査できる半導体装置にすることができる。

＜実施形態１＞
図１乃至図５に基づいて、本発明の実施形態１について説明する。図１において、半導体装置１（本発明の半導体装置に該当する）のパッケージ２（本発明のパッケージに該当する）の内部には、一対の半導体チップ３、４（本発明の半導体チップに該当する）が形成されている。図１において左方に示された半導体チップを入力側チップ３（本発明の入力側チップに該当する）、右方に示された半導体チップを出力側チップ４（本発明の出力側チップに該当する）とする。

入力側チップ３はハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）機能付き入力側インバータ（ハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）機能付きＮＯＴゲート）５（本発明の入力側インバータに該当する）を含み、出力側チップ４は出力側インバータ（ＮＯＴゲート）６（本発明の出力側インバータに該当する）を含んでいる。以後、本実施形態および他の実施形態等において、ハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）機能付き入力側インバータ５は単に入力側インバータ５という。

半導体装置１のパッケージ２の外部には、双方のインバータ５、６に対して電圧を供給するための共通の電源端子Ｖdd（本発明の電源端子に該当する）と、双方のインバータ５、６を低電圧側（グランド側）へ接続する共通の低電圧端子Ｖss（本発明の低電圧端子に該当する）が引き出されている。
また、入力側インバータ５の第１入力端５ａには、半導体装置１の第１入力端子（パッド）７が接続されており、第２入力端５ｂには半導体装置１の第２入力端子（パッド）８が接続されている。図１に示すように、半導体装置１の第１入力端子７および第２入力端子８はパッケージ２の外部に引き出されている。

一方、出力側インバータ６の出力端６ｂ（本発明の出力側インバータの出力端子に該当する）には、半導体装置１の出力端子（パッド）９が接続されている。図１に示すように、半導体装置１の出力端子９は、パッケージ２の外部に引き出されており、出力側インバータ６の出力端６ｂにおける信号がパッケージ２の外部から検出可能とされている。また、入力側インバータ５の出力端５ｃ（本発明の入力側インバータの出力端子に該当する）と出力側インバータ６の入力端６ａ（本発明の出力側インバータの入力端子に該当する）とは、入力側チップ３と出力側チップ４との間で接続端子１０（パッケージ２中にあり本発明の接続端子に該当する）により互いに接続されている。

この半導体装置１について、接続端子１０から出力側チップ４内の低電圧側（グランド側）へのリーク電流（以下リークという）の有無を検出するために、図２に示したフローにしたがって行う検査方法について説明する。最初に、電源端子Ｖddに電圧Ｖth2Hを供給するとともに入力側インバータ５の出力をハイ（以下Ｈｉという）とし、接続端子１０を電圧Ｖth2Hで充電する（ステップＳ２０１：端子充電工程）。

この時、出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖthは、電圧Ｖth2Hのほぼ１／２に設定される（図３示）。スレシホールド電圧Ｖthとは、接続端子１０の充電電圧Ｖchが増減して横切ることにより、出力側インバータ６の出力端６ｂの信号が反転するときの電圧である。ここで電源端子Ｖddに供給された電圧Ｖth2Hは、電源端子ＶddにＶdd（２Ｈ）の電源電圧を供給した場合の出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2よりもわずかに高く設定されている。

次に、入力側インバータ５をオフ状態とし、接続端子１０を入力側チップ３に対して遮断状態（フローティング状態）にして、接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化する（ステップＳ２０２：ハイインピーダンス化工程）。これにより、これ以降は入力側インバータ５への電源電圧の供給を継続しても、接続端子１０に充電が行われることはない。

この状態で、電源電圧をＶth2HからＶdd（２Ｈ）へと増大させる（ステップＳ２０３：スレシホールド電圧設定工程）。これにより、出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖthも上述した電圧Ｖth2に増大され、接続端子１０の充電電圧Ｖth2Hよりもわずかに低く（充電電圧Ｖth2Hの近傍に）設定される（図３示）。その後、半導体装置１を放置し、出力側チップ４内での低電圧側へのリークにともなう、接続端子１０からの電荷の抜け（放電）を進行させる（ステップＳ２０４）。

最後に、半導体装置１を放置しながら出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９における出力信号を検出して、出力側インバータ６の出力信号ＶINVがロー（以下Ｌｏという）からＨｉへと反転するか否かを検出する（ステップＳ２０５：出力信号検出工程）。出力側チップ４内での低電圧側へのリークにより、接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Hから低下して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切ると、出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＬｏからＨｉへと反転するからである（図３（ｂ））。

すなわち、図３（ａ）に示すように、接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Hから低下することがなく、出力側インバータ６の出力信号ＶINVがＬｏからＨｉへと反転することがない場合、接続端子１０から出力側チップ４内の低電圧側へのリークはないと判定され、図３（ｂ）に示すように、接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Hから低下して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切り、出力側インバータ６の出力信号ＶINVがＬｏからＨｉへと反転した場合、接続端子１０から出力側チップ４内の低電圧側へのリークがあると判定される（リーク判定工程）。

次に、半導体装置１について、接続端子１０から出力側チップ４内の電源電圧側へのリークの有無を検出するために、図４に示したフローにしたがって行う検査方法について説明する。尚、本実施形態の説明中において、電源端子Ｖddに供給される電圧Ｖdd（２Ｌ）と、上述した出力側チップ４内の低電圧側へのリークの検査の場合に電源端子Ｖddに供給された電圧Ｖdd（２Ｈ）とは、説明の都合上互いに異なるシンボル符号を使用しているが、ともに出力側インバータ６のスレシホールド電圧をＶth2に設定する実質的に等しい値となる。しかしながら、本発明においては、必ずしも電圧Ｖdd（２Ｌ）と電圧Ｖdd（２Ｈ）とを等しくする必要はなく、双方の値は互いに自由に設定することが可能である。

最初に、電源端子Ｖddに電圧Ｖth2Lを供給するとともに入力側インバータ５の出力をＨｉとし、接続端子１０を電圧Ｖth2Lで充電する（ステップＳ４０１）。この時、出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖthは、電圧Ｖth2Lのほぼ１／２に設定される（図５示）。ここで電源端子Ｖddに供給された電圧Ｖth2Lは、電源端子ＶddにＶdd（２Ｌ）の電源電圧を供給した場合の出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2よりもわずかに低く設定されている。

次に、入力側インバータ５をオフ状態とし、接続端子１０を入力側チップ３に対して遮断状態（フローティング状態）にして、接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化する（ステップＳ４０２）。これにより、これ以降は入力側インバータ５への電源電圧の供給を継続しても、接続端子１０に充電が行われることはない。

この状態で、電源電圧をＶth2LからＶdd（２Ｌ）へと増大させる（ステップＳ４０３）。これにより、出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖthも上述した電圧Ｖth2に増大され、接続端子１０の充電電圧Ｖth2Lよりもわずかに高く（充電電圧Ｖth2Lの近傍に）設定される（図５示）。その後、半導体装置１を放置し、出力側チップ４内での電源電圧側へのリークにともなう、接続端子１０への電荷の供給（充電）を進行させる（ステップＳ４０４）。

最後に、半導体装置１を放置しながら出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９における出力信号を検出して、出力側インバータ６の出力信号ＶINVが、ＨｉからＬｏへと反転するか否かを検出する（ステップＳ４０５）。出力側チップ４内での接続端子１０から電源電圧側へのリークにより、接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Lから上昇して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切ると、出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＨｉからＬｏへと反転するからである（図５（ｂ））。

すなわち、図５（ａ）に示すように、接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Lから上昇することがなく、出力側インバータ６の出力信号ＶINVがＨｉからＬｏへと反転することがない場合、接続端子１０から出力側チップ４内の電源電圧側へのリークはないと判定され、図５（ｂ）に示すように、接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Lから上昇して、出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切り、出力側インバータ６の出力信号ＶINVがＨｉからＬｏへと反転した場合、接続端子１０から出力側チップ４内の電源電圧側へのリークがあると判定される。

本実施形態によれば、電源端子Ｖddに電圧Ｖth2HまたはＶth2Lを供給するとともに、入力側インバータ５をＨｉ出力させることにより接続端子１０に充電を施した後、接続端子１０をハイインピーダンス化し、その後、電源端子Ｖddに加える電圧をＶdd（２Ｈ）またはＶdd（２Ｌ）に増大して、出力側インバータ６の出力端６ｂの信号が反転するためのスレシホールド電圧Ｖthを接続端子１０の充電電圧Ｖth2HまたはＶth2Lの近傍に設定する。その後放置して、接続端子１０の充電電圧Ｖth2HまたはＶth2Lが減少または増大して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切ることにより、出力側インバータ６の出力端６ｂの信号が反転したことを検出する。
これにより、出力側チップ４内において接続端子１０からリークが発生すれば、接続端子１０の充電電圧Ｖth2HまたはＶth2Lが減少または増大して、近傍に設定されたスレシホールド電圧Ｖth2を横切るため、短時間で出力側チップ４内における接続端子１０からのリークの有無を検査することができる。

また、スレシホールド電圧Ｖth2を接続端子１０の充電電圧Ｖth2Hよりわずかに低く設定し、検出された出力側インバータ６の出力端６ｂの信号がＬｏからＨｉに変化した場合に、出力側チップ４内において接続端子１０から低電圧側へのリークが有ると判定する。これにより、短時間で出力側チップ４内における接続端子１０から低電圧側へのリークの有無を検査することができる。

また、スレシホールド電圧Ｖth2を接続端子１０の充電電圧Ｖth2Lよりわずかに高く設定し、検出された出力側インバータ６の出力端６ｂの信号がＨｉからＬｏに変化した場合に、出力側チップ４内において接続端子１０から電源電圧側へのリークが有ると判定する。これにより、短時間で出力側チップ４内における接続端子１０から電源電圧側へのリークの有無を検査することができる。

＜実施形態２＞
次に、図６乃至図１０に基いて、本発明の実施形態２による半導体装置１１、１２、１３およびそのリーク検査方法について説明する。図６乃至図８に示した半導体装置１１、１２、１３において、図１に示した実施形態１による半導体装置１と同様の構成については同一の符号を付している。本実施形態による半導体装置１１、１２、１３は、実施形態１による半導体装置１に対して電源端子Ｖddと低電圧端子Ｖssのうちの少なくともいずれかの端子については、入力側インバータ５と出力側インバータ６とに異なる電圧を供給可能なように、パッケージ２の外部へ別々に引き出されている。

図６に示すように、実施形態２の第１実施例による半導体装置１１においては、入力側インバータ５へ電源電圧を供給する第１電源端子Ｖdd1と、出力側インバータ６へ電源電圧を供給する第２電源端子Ｖdd2とが別々に形成され、ともにパッケージ２の外部へ引き出されている。その他の構成については、実施形態１による半導体装置１と同様であるため説明は省略する。

次に、図７に示すように、実施形態２の第２実施例による半導体装置１２においては、入力側インバータ５を低電圧側へ接続する第１低電圧端子Ｖss1と、出力側インバータ６を低電圧側へ接続する第２低電圧端子Ｖss2とが別々に形成され、ともにパッケージ２の外部へ引き出されている。その他の構成については、実施形態１による半導体装置１と同様であるため説明は省略する。

次に、図８に示すように、実施形態２の第３実施例による半導体装置１３においては、入力側インバータ５へ電源電圧を供給する第１電源端子Ｖdd1と、出力側インバータ６へ電源電圧を供給する第２電源端子Ｖdd2とが別々に形成され、ともにパッケージ２の外部へ引き出されている。さらに、入力側インバータ５を低電圧側へ接続する第１低電圧端子Ｖss1と、出力側インバータ６を低電圧側へ接続する第２低電圧端子Ｖss2とも別々に形成され、ともにパッケージ２の外部へ引き出されている。その他の構成については、実施形態１による半導体装置１と同様であるため説明は省略する。

上述したように、本実施形態の第１実施例乃至第３実施例による半導体装置１１、１２、１３のいずれにおいても、電源端子Ｖddと低電圧端子Ｖssのうちの少なくともいずれかの端子については、入力側インバータ５と出力側インバータ６とで別々に形成されて、パッケージ２の外部へ引き出されているため、入力側インバータ５と出力側インバータ６に対して、互いに異なる電圧を供給することが可能である。

次に、図９に基づき、上述した本実施形態の第１実施例乃至第３実施例による半導体装置１１、１２、１３について、接続端子１０から出力側チップ４内の低電圧側（グランド側）へのリークの有無を検出するための検査方法について説明する。最初に、入力側インバータ５に電源電圧Ｖth2Hを供給するとともに入力側インバータ５の出力をＨｉとし、接続端子１０を電圧Ｖth2Hで充電する（端子充電工程）。ここで入力側インバータ５に供給された電圧Ｖth2Hは、出力側インバータ６にＶdd（２Ｈ）の電源電圧を供給した場合のスレシホールド電圧Ｖth2よりもわずかに高く設定されている。
次に、接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化する（ハイインピーダンス化工程）。これにより、これ以降は入力側インバータ５への電源電圧の供給を継続しても、接続端子１０に充電が行われることはない。

一方、上述したように、入力側インバータ５と出力側インバータ６とには互いに異なる電圧を供給可能であるため、出力側インバータ６には電源電圧Ｖdd（２Ｈ）を供給できる。入力側インバータ５に供給された電圧Ｖth2Hよりも高い電源電圧Ｖdd（２Ｈ）を、出力側インバータ６に対し供給することにより、出力側インバータ６のスレシホールド電圧は、当初から接続端子１０の充電電圧Ｖth2Hよりわずかに低いＶth2（電圧Ｖdd（２Ｈ）のほぼ１／２）に設定される（図９示：スレシホールド電圧設定工程）。

その後、半導体装置１１、１２、１３を放置し、出力側チップ４内での接続端子１０から低電圧側へのリークにともなう、接続端子１０からの電荷の抜け（放電）を進行させながら、出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９における出力信号を検出して、出力側インバータ６の出力信号ＶINVが、ＬｏからＨｉへと反転するか否かを検出する（出力信号検出工程）。出力側チップ４内での接続端子１０から低電圧側へのリークにより、接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Hから低下して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切ると、出力側インバータ６の出力信号ＶINVはＬｏからＨｉへと反転するからである（図９（ｂ））。

すなわち、図９（ａ）に示すように、接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Hから低下することがなく、出力側インバータ６の出力信号ＶINVがＬｏからＨｉへと反転することがない場合、接続端子１０から出力側チップ４内の低電圧側へのリークはないと判定され、図９（ｂ）に示すように、接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Hから低下して、出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切り、出力側インバータ６の出力信号ＶINVがＬｏからＨｉへと反転した場合、接続端子１０から出力側チップ４内の低電圧側へのリークがあると判定される（リーク判定工程）。

次に、図１０に基づき、上述した本実施形態の第１実施例乃至第３実施例による半導体装置１１、１２、１３について、接続端子１０から出力側チップ４内の電源電圧側へのリークの有無を検出するための検査方法について説明する。尚、本実施形態の説明中において、電源端子Ｖddに供給される電圧Ｖdd（２Ｌ）と、上述した出力側チップ４内の低電圧側へのリークの検査の場合に、電源端子Ｖddに供給された電圧Ｖdd（２Ｈ）とは、説明の都合上互いに異なるシンボル符号を使用しているが、ともに出力側インバータ６のスレシホールド電圧をＶth2に設定する実質的に等しい値となる。しかしながら、本発明においては、必ずしも電圧Ｖdd（２Ｌ）と電圧Ｖdd（２Ｈ）とを等しくする必要はなく、双方の値は互いに自由に設定することが可能である。

最初に、入力側インバータ５に電源電圧Ｖth2Lを供給するとともに入力側インバータ５の出力をＨｉとし、接続端子１０を電圧Ｖth2Lで充電する（端子充電工程）。ここで入力側インバータ５に供給された電圧Ｖth2Lは、出力側インバータ６にＶdd（２Ｌ）の電源電圧を供給した場合のスレシホールド電圧Ｖth2よりもわずかに低く設定されている。
次に、接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化する（ハイインピーダンス化工程）。これにより、これ以降は入力側インバータ５への電源電圧の供給を継続しても、接続端子１０に充電が行われることはない。

一方、上述したように、入力側インバータ５と出力側インバータ６とには互いに異なる電圧を供給可能であるため、出力側インバータ６には電源電圧Ｖdd（２Ｌ）を供給できる。出力側インバータ６に対し、入力側インバータ５に供給された電圧Ｖth2Lよりも高い電源電圧Ｖdd（２Ｌ）を供給することにより、出力側インバータ６のスレシホールド電圧は、当初から接続端子１０の充電電圧電圧Ｖth2Lよりわずかに高いＶth2（電圧Ｖdd（２Ｌ）のほぼ１／２）に設定される（図１０示：スレシホールド電圧設定工程）。

その後、半導体装置１１、１２、１３を放置しながら、出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９における出力信号を検出して、出力側チップ４内での接続端子１０から電源電圧側へのリークにともなう、接続端子１０への電荷の供給（充電）を進行させ、出力側インバータ６の出力信号ＶINVが、ＨｉからＬｏへと反転するか否かを検出する（出力信号検出工程）。出力側チップ４内での接続端子１０から電源電圧側へのリークにより、接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Lから上昇して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切ると、出力側インバータ６の出力信号ＶINVはＨｉからＬｏへと反転するからである（図１０（ｂ））。

すなわち、図１０（ａ）に示すように、接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Lから上昇することがなく、出力側インバータ６の出力信号ＶINVがＨｉからＬｏへと反転することがない場合、接続端子１０から出力側チップ４内の電源電圧側へのリークはないと判定され、図１０（ｂ）に示すように、接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Lから上昇して、出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切り、出力側インバータ６の出力信号ＶINVがＨｉからＬｏへと反転した場合、接続端子１０から出力側チップ４内の電源電圧側へのリークがあると判定される（リーク判定工程）。

本実施形態によれば、電源端子Ｖddと低電圧端子Ｖssのうちの少なくともいずれかの端子については、入力側インバータ５と出力側インバータ６とに異なる電圧を供給可能なように別々に引き出され、出力側インバータ６には入力側インバータ５よりも高い電源電圧を供給することにより、スレシホールド電圧Ｖth2を接続端子１０の充電電圧Ｖth2H、Ｖth2L近傍に設定する。
これにより、スレシホールド電圧Ｖth2を接続端子１０の充電電圧Ｖth2H、Ｖth2L近傍に設定するために、当初から入力側インバータ５と出力側インバータ６とに異なる電圧を供給すればよく、検査途中で出力側インバータ６に供給する電源電圧Ｖth2H、Ｖth2Lを増大させる必要がない。

＜実施形態３＞
次に、図１１に基いて、本発明の実施形態３による半導体装置１４およびそのリーク検査方法について説明する。図１１において図１に示した実施形態１による半導体装置１と同様の構成については、同一の符号を付している。
図１１に示すように、実施形態１による半導体装置１と同様に、半導体装置１４のパッケージ２内部には入力側チップ１５および出力側チップ１６を備えている。入力側チップ１５内には複数の入力側インバータ５が形成されており、それぞれの入力端５ａ、５ｂはパッケージ２の外部に引き出された入力端子７、８と接続されている。

一方、出力側チップ１６内には複数の出力側インバータ６が形成されている。出力側インバータ６は入力側インバータ５と同数形成されており、それぞれの入力端６ａが上述した入力側インバータ５の出力端５ｃと接続端子１０により接続されている。これにより、半導体装置１４のパッケージ２内には、それぞれが一対のインバータ５、６を含む複数のインバータ列（符号なし）が形成されている。

また、パッケージ２の外部には、双方のインバータ５、６に対して電圧を供給するための共通の電源端子Ｖddと、双方のインバータ５、６を低電圧側（グランド側）へ接続する共通の低電圧端子Ｖssが引き出されている。

さらに、出力側チップ１６内にはＡＮＤゲート１７およびＯＲゲート１８が形成されている。ＡＮＤゲート１７の入力側には出力側インバータ６のすべての出力端６ｂが接続されており、ＡＮＤゲート１７の出力端１７ａはパッケージ２の外部に引き出された出力端子（パッド）１９と接続されている。また、ＯＲゲート１８の入力側にも出力側インバータ６のすべての出力端６ｂが接続されており、ＯＲゲート１８の出力端１８ａはパッケージ２の外部に引き出された出力端子（パッド）２０と接続されている。その他の構成については、実施形態１による半導体装置１と同様であるため説明は省略する。

本実施形態による半導体装置１４について、接続端子１０から出力側チップ１６内の低電圧側（グランド側）へのリークの有無を検査する場合、実施形態１による半導体装置１におけるリーク検査と同様に、最初に、電源端子Ｖddに電圧Ｖth2Hを供給するとともに、それぞれのインバータ列につき入力側インバータ５の出力をＨｉとし、それぞれの接続端子１０を電圧Ｖth2Hで充電する。

次に、それぞれの接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、電源電圧をＶth2HからＶdd（２Ｈ）へと増大させる。その後、半導体装置１４を放置しながら、ＯＲゲート１８の出力端１８ａと接続された出力端子２０における出力信号を検出して、ＯＲゲート１８の出力端１８ａの出力信号が、ＬｏからＨｉへと反転するか否かを検出する。通常、出力側チップ１６内において低電圧側へのリークが発生していない場合、複数ある出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはすべてＬｏであるため、ＯＲゲート１８の出力端１８ａの出力信号もＬｏとなっている。

出力側チップ１６内での低電圧側へのリークにより、いずれかの接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Hから低下して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切ると、該当する出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＬｏからＨｉへと反転する。これにより、ＯＲゲート１８の出力端１８ａの出力信号もＬｏからＨｉへと反転するため、ＯＲゲート１８の出力端１８ａに接続された出力端子２０の出力信号を検出することにより、出力側チップ１６内での低電圧側へのリークがあると判定される。
半導体装置１４について、接続端子１０から出力側チップ１６内の電源電圧側へのリークの有無を検査する場合、実施形態１による半導体装置１におけるリーク検査と同様に、最初に、電源端子Ｖddに電圧Ｖth2Lを供給するとともに、それぞれのインバータ列につき入力側インバータ５の出力をＨｉとし、それぞれの接続端子１０を電圧Ｖth2Lで充電する。

次に、それぞれの接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、電源電圧をＶth2LからＶdd（２Ｌ）へと増大させる。その後、半導体装置１４を放置しながら、ＡＮＤゲート１７の出力端１７ａと接続された出力端子１９における出力信号を検出して、ＡＮＤゲート１７の出力端１７ａの出力信号が、ＨｉからＬｏへと反転するか否かを検出する。通常、出力側チップ１６内において電源電圧側へのリークがない場合、複数ある出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはすべてＨｉであるため、ＡＮＤゲート１７の出力端１７ａの出力信号もＨｉとなっている。

出力側チップ１６内での電源電圧側へのリークにより、いずれかの接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Lから上昇して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切ると、該当する出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＨｉからＬｏへと反転する。これにより、ＡＮＤゲート１７の出力端１７ａの出力信号もＨｉからＬｏへと反転するため、ＡＮＤゲート１７の出力端１７ａに接続された出力端子１９の出力信号を検出することにより、出力側チップ１６内での電源電圧側へのリークがあると判定される。

本実施形態による半導体装置のリーク検査方法によれば、出力側チップ１６内の複数ある接続端子１０のどれからのリークであるかが特定できないが、通常、製品検査においては出力側チップ１６内にリーク箇所が１箇所でもあれば不良とされるため、実用上の問題はない。

＜実施形態４＞
次に、図１２に基いて、本発明の実施形態４による半導体装置２１およびそのリーク検査方法について説明する。図１２において図１１に示した実施形態３による半導体装置１４と同様の構成については、同一の符号を付している。本実施形態による半導体装置２１は、複数ある接続端子１０について、その隣り合った接続端子１０の間におけるリークの有無を検査可能に形成されており、実施形態３による半導体装置１４におけるＡＮＤゲート１７に代えて、出力側チップ２２中に一対のＡＮＤゲート２３、２４を設け、ＯＲゲート１８に代えて、出力側チップ２２中に一対のＯＲゲート５４、５５を設けたものである。

出力側チップ２２内に並べられた複数ある出力側インバータ６の出力端６ｂは、１つおきにＡＮＤゲート２３の入力側およびＯＲゲート５４の入力側に接続されている。また、出力側インバータ６の出力端６ｂのうち、ＡＮＤゲート２３およびＯＲゲート５４に接続されていない出力端６ｂ（ＡＮＤゲート２３およびＯＲゲート５４に接続されているものの隣に位置している出力端６ｂ）は、他のＡＮＤゲート２４およびＯＲゲート５５の入力側に接続されている。

ＡＮＤゲート２３の出力端２３ａには、パッケージ２の外部へ引き出された出力端子（パッド）２５が接続されている。また、ＯＲゲート５４の出力端５４ａには、パッケージ２の外部へ引き出された出力端子（パッド）５６が接続されている。また、ＡＮＤゲート２４の出力端２４ａには、パッケージ２の外部へ引き出された出力端子（パッド）２６が接続されている。また、ＯＲゲート５５の出力端５５ａには、パッケージ２の外部へ引き出された出力端子（パッド）５７が接続されている。その他の構成については、実施形態３による半導体装置１４と同様であるため説明は省略する。

半導体装置２１について、いずれかの接続端子１０から隣の接続端子１０を介した低電圧側に向けてのリークの有無を検査する場合、最初に、電源端子Ｖddに電圧Ｖth2Hを供給するとともに、１つおきに配置された入力側インバータ５（例えば、ＡＮＤゲート２３およびＯＲゲート５４に接続された出力側インバータ６と接続端子１０を介して接続された入力側インバータ５とする）の出力をＨｉとし、それぞれの接続端子１０を１つおきに電圧Ｖth2Hで充電する。その他の入力側インバータ５（ＡＮＤゲート２４およびＯＲゲート５５に接続された出力側インバータ６と接続端子１０を介して接続された入力側インバータ５であって、これも１つおきに配置されている）の出力はＬｏとされ、これらに接続された接続端子１０には充電は行われない。

次に、出力側インバータ６を介してＡＮＤゲート２３およびＯＲゲート５４に接続された接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、電源電圧をＶth2HからＶdd（２Ｈ）へと増大させる。この場合、ＡＮＤゲート２４およびＯＲゲート５５に接続された入力側インバータ５の出力はＬｏのままとする。その後、半導体装置２１を放置しながら、ＯＲゲート５４の出力端５４ａと接続された出力端子５６における出力信号を検出する。

出力側チップ２２内において、全くリークが発生していない場合、Ｈｉ出力させた入力側インバータ５と接続された、すべての出力側インバータ６の出力端６ｂにおける出力信号ＶINVが、そろってＬｏとなるため、ＯＲゲート５４の出力端５４ａにおける出力信号はＬｏとなっている。
出力側チップ２２内において、充電を行ったいずれかの接続端子１０から低電圧側に向けてリークが発生した場合、充電を行った接続端子１０の電圧が低下し、これと接続された出力側インバータ６の出力端６ｂの出力がＬｏからＨｉへと反転する。

次に、再び、電源端子Ｖddに電圧Ｖth2Hを供給し、Ｈｉ出力させる入力側インバータ５とＬｏ出力のままとする入力側インバータ５を、上述した場合と入れ換えて同様の検査を行う。この場合は、接続端子１０に充電後、出力側インバータ６を介してＡＮＤゲート２４およびＯＲゲート５５に接続された接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、電源電圧をＶth2HからＶdd（２Ｈ）へと増大させる。その後、上述した場合と同様に、半導体装置２１を放置しながら、ＯＲゲート５５の出力端５５ａと接続された出力端子５７における出力信号を検出する。

これらにより、半導体装置２１を放置しながら出力端子５６あるいは出力端子５７の出力信号を検出し、これらの出力信号がＬｏである場合、出力側チップ２２内においてリークが発生しておらず、出力端子５６あるいは出力端子５７の出力信号がＬｏからＨｉに反転した場合、出力側チップ２２内において低電圧側へのリークが発生していると判定される。

半導体装置２１について、いずれかの接続端子１０から隣の接続端子１０を介した電源電圧側に向けてのリークの有無を検査する場合、最初に、電源端子Ｖddに電圧Ｖth2Lを供給するとともに、すべての入力側インバータ５の出力をＨｉとし、それぞれの接続端子１０を電圧Ｖth2Lで充電する。

次に、出力側インバータ６を介してＡＮＤゲート２３およびＯＲゲート５４に接続された接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、電源電圧をＶth2LからＶdd（２Ｌ）へと増大させる。この場合、ＡＮＤゲート２４およびＯＲゲート５５に接続された入力側インバータ５の出力はＨｉのままとする。その後、半導体装置２１を放置しながら、ＡＮＤゲート２３の出力端２３ａと接続された出力端子２５における出力信号を検出する。

出力側チップ２２内において、全くリークが発生していない場合、すべての出力側インバータ６の出力端６ｂにおける出力信号ＶINVが、そろってＨｉとなるため、ＡＮＤゲート２３の出力端２３ａにおける出力信号はＨｉとなっている。
出力側チップ２２内において、充電を行ったいずれかの接続端子１０から電源電圧側に向けてリークが発生した場合、充電を行った接続端子１０の電圧が上昇し、これと接続された出力側インバータ６の出力端６ｂの出力がＨｉからＬｏへと反転する。

次に、再び、電源端子Ｖddに電圧Ｖth2Lを供給し、ハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化する接続端子１０と接続された入力側インバータ５とＨｉ出力のままとする入力側インバータ５を、上述した場合と入れ換えて同様の検査を行う。この場合は、接続端子１０に充電後、出力側インバータ６を介してＡＮＤゲート２４およびＯＲゲート５５に接続された接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、電源電圧をＶth2LからＶdd（２Ｌ）へと増大させる。その後、上述した場合と同様に、半導体装置２１を放置しながら、ＡＮＤゲート２４の出力端２４ａと接続された出力端子２６における出力信号を検出する。

これらにより、半導体装置２１を放置しながら出力端子２５あるいは出力端子２６の出力信号を検出し、これらの出力信号がＨｉである場合、出力側チップ２２内においてリークが発生しておらず、出力端子２５あるいは出力端子２６の出力信号がＨｉからＬｏに反転した場合、出力側チップ２２内において電源電圧側へのリークが発生していると判定される。
本実施形態による半導体装置のリーク検査方法においても、出力側チップ２２内の複数ある接続端子１０のどれからのリークであるかが特定できないが、実施形態３の場合と同様の理由で、実用上の問題はない。

＜実施形態５＞
次に、図１３乃至図１５に基いて、本発明の実施形態５による半導体装置２７およびそのリーク検査方法について説明する。図１３において図１に示した実施形態１による半導体装置１と同様の構成については、同一の符号を付している。本実施形態による半導体装置２７は、実施形態１による半導体装置１において、一対のインバータ５、６を含みパッケージ２中に形成されていたインバータ列を、さらにもう１つ設けたものである。半導体装置２７において新たに加えられたインバータ列は、実施形態１による半導体装置１において形成されていたインバータ列に対して、入出力方向が反対向きに形成されている。すなわち、図１３に示すように半導体装置２７においては、順方向インバータ列３０と逆方向インバータ列３１とを有している。

順方向インバータ列３０は実施形態１による半導体装置１においても形成されており、パッケージ２の外部に引き出された入力端子７、８と接続され第１チップ２８（第２チップ２９内のリークの有無を検査する場合には本発明の入力側チップに該当し、第１チップ２８内のリークの有無を検査する場合には本発明の出力側チップに該当する）内に設けられた入力側インバータ５と、この入力側インバータ５の出力端５ｃと接続端子１０により接続された入力端６ａを有するとともに、パッケージ２の外部に引き出された出力端子９と接続され、第２チップ２９（第２チップ２９内のリークの有無を検査する場合には本発明の出力側チップに該当し、第１チップ２８内のリークの有無を検査する場合には本発明の入力側チップに該当する）内に設けられた出力側インバータ６を備えている。

また、逆方向インバータ列３１は、パッケージ２の外部に引き出された入力端子７、８と接続され第２チップ２９内に設けられた入力側インバータ５と、この入力側インバータ５の出力端５ｃと接続端子１０により接続された入力端６ａを有するとともに、パッケージ２の外部に引き出された出力端子９と接続され、第１チップ２８内に設けられた出力側インバータ６を備えている。その他の構成については、実施形態１による半導体装置１と同様であるため説明は省略する。上述した構成を備えることにより、半導体装置２７は第１チップ２８および第２チップ２９内に発生するリークを同時に検出することができる。

本実施形態による半導体装置２７について、接続端子１０から第１チップ２８および第２チップ２９の低電圧側（グランド側）へのリークの有無を検査する場合、最初に、電源端子Ｖddに電圧Ｖth12Hを供給するとともに、第１チップ２８および第２チップ２９の双方に形成された入力側インバータ５の出力をＨｉとし、それぞれの接続端子１０を電圧Ｖth12Hで充電する。

この時、電源端子Ｖddに供給する電圧Ｖth12Hは、電源電圧をＶdd（２Ｈ）とした場合における出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth12よりもわずかに高く設定する。ここで実際上、第１チップ２８に形成された出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth12と、出力側チップ２９に形成された出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth12には製品上のばらつきが存在するため、供給電圧Ｖth12Hは双方のスレシホールド電圧Ｖth12よりも高く設定するように注意する。

次に、双方の接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、電源電圧をＶth12HからＶdd（２Ｈ）へと増大させて、第１チップ２８および第２チップ２９の双方に形成された出力側インバータ６のスレシホールド電圧ＶthをＶth12とする。その後、半導体装置２７を放置しながら、第１チップ２８および第２チップ２９の双方の出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された、それぞれの出力端子９における出力信号を検出して、出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号が、ＬｏからＨｉへと反転するか否かを検出する。通常、第１チップ２８および第２チップ２９内において低電圧側へのリークが発生していない場合、双方の出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはいずれもＬｏとなっている（図１４（ａ）示）。

第１チップ２８または第２チップ２９内での低電圧側へのリークにより、いずれかの接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth12Hから低下して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth12を横切ると、該当する出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＬｏからＨｉへと反転する（図１４（ｂ）示）。これにより、出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９の出力信号を検出することにより、第１チップ２８または第２チップ２９内での低電圧側へのリークがあると判定される。

本実施形態による半導体装置２７について、接続端子１０から第１チップ２８および第２チップ２９の電源電圧側へのリークの有無を検査する場合、最初に、電源端子Ｖddに電圧Ｖth12Lを供給するとともに、第１チップ２８および第２チップ２９の双方に形成された入力側インバータ５の出力をＨｉとし、それぞれの接続端子１０を電圧Ｖth12Lで充電する。
この時、電源端子Ｖddに供給する電圧Ｖth12Lは、電源電圧をＶdd（２Ｌ）とした場合における出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth12よりもわずかに低く設定するのであるが、上述した場合と同様の理由で、供給電圧Ｖth12Lは双方のスレシホールド電圧Ｖth12よりも低く設定するように注意する。

次に、双方の接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、電源電圧をＶth12LからＶdd（２Ｌ）へと増大させて、第１チップ２８および第２チップ２９の双方に形成された出力側インバータ６のスレシホールド電圧ＶthをＶth12とする。その後、半導体装置２７を放置しながら、第１チップ２８および第２チップ２９の双方の出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された、それぞれの出力端子９における出力信号を検出して、出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号が、ＨｉからＬｏへと反転するか否かを検出する。通常、第１チップ２８および第２チップ２９内において電源電圧側へのリークが発生していない場合、双方の出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはいずれもＨｉとなっている（図１５（ａ）示）。

第１チップ２８または第２チップ２９内での電源電圧側へのリークにより、いずれかの接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth12Lから上昇して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth12を横切ると、該当する出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＨｉからＬｏへと反転する（図１５（ｂ）示）。これにより、出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９の出力信号を検出することにより、第１チップ２８または第２チップ２９内での電源電圧側へのリークがあると判定される。

＜実施形態５の変形例＞
次に、図１６乃至図２０に基いて、本発明の実施形態５の変形例による半導体装置３２、３３、３４およびそのリーク検査方法について説明する。図１６乃至図１８において図１３に示した実施形態５による半導体装置２７と同様の構成については、同一の符号を付している。本変形例による半導体装置３２、３３、３４は、実施形態５による半導体装置２７に対して電源端子Ｖddと低電圧端子Ｖssのうちの少なくともいずれかの端子については、第１チップ２８と第２チップ２９とに異なる電圧を供給可能なように、パッケージ２の外部へ別々に引き出されている。

図１６に示すように、実施形態５の第１変形例による半導体装置３２においては、第１チップ２８へ電源電圧を供給する第１電源端子Ｖdd1と、第２チップ２９へ電源電圧を供給する第２電源端子Ｖdd2とが別々に形成され、ともにパッケージ２の外部へ引き出されている。その他の構成については、実施形態５による半導体装置２７と同様であるため説明は省略する。

次に、図１７に示すように、実施形態５の第２変形例による半導体装置３３においては、第１チップ２８を低電圧側へ接続する第１低電圧端子Ｖss1と、第２チップ２９を低電圧側へ接続する低第２電圧端子Ｖss2とが別々に形成され、ともにパッケージ２の外部へ引き出されている。その他の構成については、実施形態５による半導体装置２７と同様であるため説明は省略する。

次に、図１８に示すように、実施形態５の第３変形例による半導体装置３４においては、第１チップ２８へ電源電圧を供給する第１電源端子Ｖdd1と、第２チップ２９へ電源電圧を供給する第２電源端子Ｖdd2とが別々に形成され、ともにパッケージ２の外部へ引き出されている。さらに、第１チップ２８を低電圧側へ接続する第１低電圧端子Ｖss1と、第２チップ２９を低電圧側へ接続する第２低電圧端子Ｖss2とも別々に形成され、ともにパッケージ２の外部へ引き出されている。その他の構成については、実施形態５による半導体装置２７と同様であるため説明は省略する。

上述したように、第１変形例乃至第３変形例による半導体装置３２、３３、３４のいずれにおいても、電源端子Ｖddと低電圧端子Ｖssのうちの少なくともいずれかの端子については、第１チップ２８と第２チップ２９とで別々に形成されて、パッケージ２の外部へ引き出されているため、第１チップ２８と第２チップ２９に対して、互いに異なる電圧を供給することが可能である。

次に、図１９に基づき、上述した第１変形例乃至第３変形例による半導体装置３２、３３、３４について、接続端子１０から第２チップ２９内の低電圧側（グランド側）へのリークの有無を検出するための検査方法について説明する。最初に、第１チップ２８および第２チップ２９の双方に電源電圧Ｖth2Hを供給するとともに、第１チップ２８内に形成された入力側インバータ５（順方向インバータ列３０中にあるもの）の出力をＨｉとし、順方向インバータ列３０中の接続端子１０を電圧Ｖth2Hで充電する。

上述したように、第１チップ２８と第２チップ２９とには互いに異なる電圧を供給可能であるが、検査開始時には双方にほぼ等しい電圧を供給し、第２チップ２９から第１チップ２８への出力をＬｏ設定する。これは、第２チップ２９から第１チップ２８へ向けてＨｉ出力を与えることにより、第１チップ２８の電源電圧よりも高い電圧が加わって第１チップ２８を破壊することを防ぐためである。

次に、第２チップ２９へ供給する電源電圧をＶdd（２Ｈ）に増大させる。これにより、第２チップ２９内に形成された出力側インバータ６（順方向インバータ列３０中にあるもの）のスレシホールド電圧は、Ｖth2に設定される。その後、順方向インバータ列３０中の接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、半導体装置３２、３３、３４を放置しながら、第２チップ２９内に形成された出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９において、出力信号ＶINVを検出する。
通常、第２チップ２９内において低電圧側へのリークが発生していない場合、第２チップ２９内の出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＬｏとなっている（図１９（ａ）示）。

第２チップ２９内での低電圧側へのリークにより、順方向インバータ列３０中の接続端子１０の充電電圧Ｖch1がＶth2Hから低下して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切ると、出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＬｏからＨｉへと反転する（図１９（ｂ）示）。これにより、第２チップ２９内に形成された出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９の出力信号を検出することにより、第２チップ２９内での低電圧側へのリークがあると判定される。
第１チップ２８内での低電圧側へのリークの有無を検査する場合は、上述した場合に対して第１チップ２８と第２チップ２９とを入れ換えて、逆方向インバータ列３１に対して検査を行うのみであるため、説明は省略する。

次に、図２０に基づき、上述した第１変形例乃至第３変形例による半導体装置３２、３３、３４について、接続端子１０から第２チップ２９内の電源電圧側へのリークの有無を検出するための検査方法について説明する。最初に、低電圧側へのリークの有無を検出する場合と同様に、第１チップ２８および第２チップ２９の双方に電源電圧Ｖth2Lを供給するとともに、第１チップ２８内に形成された入力側インバータ５（順方向インバータ列３０中にあるもの）の出力をＨｉとし、順方向インバータ列３０中の接続端子１０を電圧Ｖth2Lで充電する。

上述したように、第１チップ２８と第２チップ２９とには互いに異なる電圧を供給可能であるが、検査開始時には双方にほぼ等しい電圧を供給し、第２チップ２９から第１チップ２８への出力をＬｏ設定する。これは、第２チップ２９から第１チップ２８へ向けてＨｉ出力を与えることにより、第１チップ２８の電源電圧よりも高い電圧が加わって第１チップ２８を破壊することを防ぐためである。

次に、第２チップ２９へ供給する電源電圧をＶdd（２Ｌ）に増大させる。これにより、順方向インバータ列３０中の出力側インバータ６のスレシホールド電圧は、Ｖth2に設定される。その後、順方向インバータ列３０中の接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、半導体装置３２、３３、３４を放置しながら、第２チップ２９内に形成された出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９において、出力信号ＶINVを検出する。
通常、第２チップ２９内において電源電圧側へのリークが発生していない場合、第２チップ２９内の出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＨｉとなっている（図２０（ａ）示）。

第２チップ２９内での電源電圧側へのリークにより、順方向インバータ列３０中の接続端子１０の充電電圧Ｖch1がＶth2Lから上昇して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切ると、出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＨｉからＬｏへと反転する（図２０（ｂ）示）。これにより、第２チップ２９内に形成された出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９の出力信号を検出することにより、第２チップ２９内での電源電圧側へのリークがあると判定される。
第１チップ２８内での電源電圧側へのリークの有無を検査する場合は、上述した場合に対して第１チップ２８と第２チップ２９とを入れ換えて、逆方向インバータ列３１に対して検査を行うのみであるため、説明は省略する。

＜実施形態６＞
次に、図２１および図２２に基いて、本発明の実施形態６による半導体装置３８およびそのリーク検査方法について説明する。図２１は、第２チップ３６に形成された出力側インバータ６の出力端６ｂが、直接にパッケージ２の外部に引き出されていない例としての半導体装置３５を示している。半導体装置３５のパッケージ２内には、第１チップ２８と第２チップ３６とが形成されている。第１チップ２８は、図１３に示した半導体装置２７が有するものと同様のものである。

半導体装置２７の第２チップ３６には出力側インバータ６が形成されており、その入力端６ａは接続端子１０により、第１チップ２８に形成された入力側インバータ５の出力端５ｃと接続されている。第２チップ３６内に形成された出力側インバータ６の出力端６ｂは機能ブロック３７と接続されており、パッケージ２の外部へと直接に引き出されてはいない。機能ブロック３７には、第２チップ３６内に形成された入力側インバータ５の第１入力端５ａおよび第２入力端５ｂが接続されており、第２チップ３６内に形成された入力側インバータ５の出力端５ｃは接続端子１０により、第１チップ２８に形成された出力側インバータ６の入力端６ａと接続されている。
上述したように、第２チップ３６に形成された出力側インバータ６の出力端６ｂは、パッケージ２の外部へ直接に引き出されてはいないため、出力端６ｂにおける出力信号ＶINVを検出して、第２チップ３６内のリークの有無を検査することができない。

図２２は、上述したように出力側インバータ６の出力端６ｂが直接にパッケージ２の外部へと引き出されていない場合において、チップ内のリークの有無を検査することのできる半導体装置３８を示している。図２２に示した半導体装置３８において、図１１に示した実施形態３による半導体装置１４と同様の構成については、同一の符号を付している。

半導体装置３８のパッケージ２内には、第１チップ３９および第２チップ４０が形成されている。半導体装置３８は、図１１に示した実施形態３による半導体装置１４と同様に、それぞれが入力側インバータ５および出力側インバータ６を含んだ複数のインバータ列４１を有している。各々のインバータ列４１中の入力側インバータ５の入力端５ａ、５ｂは、それぞれ入力端子７、８に接続されるとともに、インバータ列４１に含まれたそれぞれの出力側インバータ６の出力端６ｂは、実施形態３による半導体装置１４と同様に、ＡＮＤゲート１７およびＯＲゲート１８の入力側に接続されている。
ＡＮＤゲート１７の出力端１７ａには保持回路４２が接続され、保持回路４２を介して出力端１７ａは機能ブロック４４に接続されている。また、ＯＲゲート１８の出力端１８ａには保持回路４３が接続され、保持回路４３を介して出力端１８ａは機能ブロック４４に接続されている。

半導体装置３８のパッケージ２内には、上述のインバータ列４１とは入出力方向が逆向きの送信用インバータ列４５が形成されている。送信用インバータ列４５は、第２チップ４０内に形成された入力側インバータ５と、第１チップ３９内に形成された出力側インバータ６（入力側インバータ５および出力側インバータ６は、ともに上述した実施形態において使用したものと同一のものでよい）とを備えており、入力側インバータ５の出力端５ｃと出力側インバータ６の入力端６ａとは接続端子１０により接続されている。送信用インバータ列４５の入力側インバータ５の入力端５ａ、５ｂは、機能ブロック４４と接続されており、出力側インバータ６の出力端６ｂは、パッケージ２の外部へと引き出された出力端子９と接続されている。その他の構成については、実施形態３による半導体装置１４と同様であるため説明は省略する。

半導体装置３８について、接続端子１０から第２チップ４０内の低電圧側（グランド側）へのリークの有無を検査する場合、実施形態３による半導体装置１４において検査する場合と同様に、最初に、電源端子Ｖddに電圧Ｖth2Hを供給するとともに、それぞれのインバータ列４１につき入力側インバータ５の出力をＨｉとし、それぞれの接続端子１０を電圧Ｖth2Hで充電する。

次に、インバータ列４１中のそれぞれの接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、電源電圧をＶth2HからＶdd（２Ｈ）へと増大させる。その後、半導体装置３８を放置し、所定時間後のＯＲゲート１８の出力端１８ａにおける出力信号を一旦保持回路４３に保持させる。上述した所定時間は、リークがあった場合に、接続端子１０の充電電圧が出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切るのに十分な時間に設定する。

保持回路４３に保持された所定時間後の出力信号は、電源電圧Ｖdd（２Ｈ）を維持した状態で、機能ブロック４４および送信用インバータ列４５を介して出力端子９において読み取られ、ＯＲゲート１８の出力端１８ａにおける出力信号がＬｏからＨｉへと反転したか否かが検出される。

第２チップ４０内での低電圧側へのリークにより、いずれかの接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Hから低下して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切ると、該当する出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＬｏからＨｉへと反転する。これにより、ＯＲゲート１８の出力端１８ａの出力信号もＬｏからＨｉへと反転するため、送信用インバータ列４５に接続された出力端子９の出力信号を検出することにより、第２チップ４０内での低電圧側へのリークがあると判定される。

半導体装置３８について、接続端子１０から第２チップ４０内の電源電圧側へのリークの有無を検査する場合、実施形態３による半導体装置１４において検査する場合と同様に、最初に、電源端子Ｖddに電圧Ｖth2Lを供給するとともに、それぞれのインバータ列４１につき入力側インバータ５の出力をＨｉとし、それぞれの接続端子１０を電圧Ｖth2Lで充電する。

次に、それぞれのインバータ列４１の接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、電源電圧をＶth2LからＶdd（２Ｌ）へと増大させる。その後、半導体装置３８を放置し、所定時間後のＡＮＤゲート１７の出力端１７ａにおける出力信号を一旦保持回路４２に保持させる。上述した所定時間は、リークがあった場合に、接続端子１０の充電電圧が出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切るのに十分な時間に設定する。

保持回路４２に保持された所定時間後の出力信号は、電源電圧Ｖdd（２Ｌ）を維持した状態で、機能ブロック４４および送信用インバータ列４５を介して出力端子９において読み取られ、ＡＮＤゲート１７の出力端１７ａにおける出力信号がＨｉからＬｏへと反転したか否かが検出される。

第２チップ４０内での電源電圧側へのリークにより、いずれかの接続端子１０の充電電圧ＶchがＶth2Lから上昇して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切ると、該当する出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＨｉからＬｏへと反転する。これにより、ＡＮＤゲート１７の出力端１７ａの出力信号もＨｉからＬｏへと反転するため、送信用インバータ列４５に接続された出力端子９の出力信号を検出することにより、第２チップ４０内での電源電圧側へのリークがあると判定される。

＜実施形態６の変形例＞
次に、図２３に基いて、本発明の実施形態６の変形例による半導体装置４６およびそのリーク検査方法について説明する。図２３に示した半導体装置４６において、図２２に示した実施形態６による半導体装置３８と同様の構成については、同一の符号を付している。
本変形例による半導体装置４６は、パッケージ２内に形成された第１チップ４７および第２チップ４８を備えている。パッケージ２内には、実施形態６による半導体装置３８と同様に、複数のインバータ列４１および、これに対して入出力方向が逆向きの送信用インバータ列４５が形成されている。

さらに、パッケージ２内には、インバータ列４１に対して入出力方向が逆向きである一対の検出用インバータ列４９が形成されている。それぞれの検出用インバータ列４９は、第２チップ４８内に形成された入力側インバータ５０と、第１チップ４７内に形成された出力側インバータ６とを備えており、入力側インバータ５０の出力端５０ｂと出力側インバータ６の入力端６ａとは接続端子１０により接続されている。また、出力側インバータ６の出力端６ｂは、パッケージ２の外部に引き出された出力端子９と接続されている。

インバータ列４１に含まれる出力側インバータ６の出力端６ｂは、実施形態６による半導体装置３８と同様に、すべてＡＮＤゲート１７およびＯＲゲート１８の入力側に接続されている。しかしながら、ＡＮＤゲート１７の出力端１７ａは、保持回路４２には接続されずに、一方の検出用インバータ列４９に含まれる入力側インバータ５０の入力端５０ａに接続されている。また、ＯＲゲート１８の出力端１８ａも、保持回路４３には接続されずに、他方の検出用インバータ列４９に含まれる入力側インバータ５０の入力端５０ａに接続されている。その他の構成については、実施形態６による半導体装置３８と同様であるため説明は省略する。

半導体装置４６について、接続端子１０から第２チップ４８内の低電圧側（グランド側）へのリークの有無を検査する場合、ＯＲゲート１８の出力端１８ａにおける出力信号が、検出用インバータ列４９を介して出力端子９において読み取られ、ＯＲゲート１８の出力端１８ａにおける出力信号がＬｏからＨｉへと反転したか否かが検出される。

半導体装置４６について、接続端子１０から第２チップ４８内の電源電圧側へのリークの有無を検査する場合、ＡＮＤゲート１７の出力端１７ａにおける出力信号が、検出用インバータ列４９を介して出力端子９において読み取られ、ＡＮＤゲート１７の出力端１７ａにおける出力信号がＨｉからＬｏへと反転したか否かが検出される。

＜実施形態７＞
次に、図２４に基いて、本発明の実施形態７による半導体装置５１およびそのリーク検査方法について説明する。本実施形態による半導体装置５１は、パッケージ２内に第１チップ５２および第２チップ３６を備えている。半導体装置５１は、図２２に示した半導体装置３８に対して、パッケージ２内にインバータ列４１を１つだけ備えており、それに伴いＡＮＤゲート１７、ＯＲゲート１８および保持回路４２、４３を有していない点が異なる。

さらに半導体装置５１は、第１チップ５２内に新たに検出用インバータ５３を形成している。検出用インバータ５３の入力端５３ａは、インバータ列４１中の入力側インバータ５の出力端５ｃと接続されている。また、検出用インバータ５３の出力端５３ｂは、パッケージ２の外部に引き出された出力端子９と接続されている。その他の構成については、図２２に示した半導体装置３８と同様であるため説明は省略する。尚、図２４に示した半導体装置５１おいて、図２２に示した半導体装置３８または図２１に示した半導体装置３５と同様の構成については、同一の符号を付している。
半導体装置５１について、接続端子１０から第２チップ３６内の低電圧側（グランド側）へのリークの有無を検出するための検査方法について説明する。最初に、電源端子Ｖddに電圧Ｖth2Hを供給するとともに、インバータ列４１中の入力側インバータ５の出力をＨｉとし、インバータ列４１中の接続端子１０を電圧Ｖth2Hで充電する。

次に、インバータ列４１中の入力側インバータ５をオフ状態にして遮断し、インバータ列４１中の接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した状態で、電源電圧をＶth2HからＶdd（２Ｈ）へと増大させる。これにより、検出用インバータ５３のスレシホールド電圧はＶth2に設定される。
その後、半導体装置５１を放置しながら、検出用インバータ５３の出力端５３ｂと接続された出力端子９における出力信号を検出して、検出用インバータ５３の出力信号ＶINVが、ＬｏからＨｉへと反転するか否かを検出する。
次に、半導体装置５１について、接続端子１０から第２チップ３６内の電源電圧側へのリークの有無を検出するための検査方法について説明する。最初に、電源端子Ｖddに電圧Ｖth2Lを供給するとともにインバータ列４１中の入力側インバータ５の出力をＨｉとし、インバータ列４１中の接続端子１０を電圧Ｖth2Lで充電する。

次に、インバータ列４１中の入力側インバータ５をオフ状態にして遮断し、インバータ列４１中の接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した状態で、電源電圧をＶth2LからＶdd（２Ｌ）へと増大させる。これにより、検出用インバータ５３のスレシホールド電圧はＶth2に設定される。
その後、半導体装置５１を放置しながら、検出用インバータ５３の出力端５３ｂと接続された出力端子９における出力信号を検出して、検出用インバータ５３の出力信号ＶINVが、ＨｉからＬｏへと反転するか否かを検出する。

＜実施形態５のさらなる変形例＞
次に、図２５および図２６に基いて、本発明の実施形態５のさらなる変形例による半導体装置のリーク検査方法について説明する。本変形例は、図１６乃至図１８に示した半導体装置３２、３３、３４のいずれかにおいて、第１チップ２８または第２チップ２９内のリークの有無を検出するための検査方法に関するものである。
図２５に基づき、図１６乃至図１８に示した半導体装置３２、３３、３４について、接続端子１０から第２チップ２９内の低電圧側（グランド側）へのリークの有無を検出するための検査方法について説明する。最初に、第１チップ２８および第２チップ２９の双方に電源電圧Ｖth2Hを供給するとともに、順方向インバータ列３０中の入力側インバータ５の出力をＨｉとし、順方向インバータ列３０中の接続端子１０を電圧Ｖth2Hで充電する。

上述したように、第１チップ２８と第２チップ２９とには互いに異なる電圧を供給可能であるが、検査開始時には双方にほぼ等しい電圧を供給し、第２チップ２９から第１チップ２８への出力をＬｏ設定する。これは、第２チップ２９から第１チップ２８へ向けてＨｉ出力を与えることにより、第１チップ２８の電源電圧よりも高い電圧が加わって第１チップ２８を破壊することを防ぐためである。

次に、第２チップ２９へ供給する電源電圧をＶdd（２Ｈ）に増大させる。これにより、順方向インバータ列３０中の出力側インバータ６のスレシホールド電圧はＶth2に設定される。

それとともに、第１チップ２８へ供給する電源電圧を漸次減少させていき、順方向インバータ列３０中の出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2をサーチする。第１チップ２８へ供給する電源電圧の減少により、順方向インバータ列３０中の接続端子１０における充電電圧も低下していき、順方向インバータ列３０中の出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切った時に、出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＬｏからＨｉへと反転する（図２５（ａ）示）。次に、この時点において第１チップ２８へ供給している電源電圧（Ｖth2と等しい）を記憶し、再び、第１チップ２８へ供給する電源電圧を、製品上のばらつきあるいは検査工程上のばらつきを考慮して、Ｖth2よりほんの少し高め（＋α）に設定する。

その後、順方向インバータ列３０中の接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、半導体装置３２、３３、３４を放置しながら、順方向インバータ列３０中の出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９において、出力信号ＶINVを検出する。
通常、第２チップ２９内において低電圧側へのリークが発生していない場合、第２チップ２９内の出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＬｏとなっている（図２５（ａ）示）。

第２チップ２９内での低電圧側へのリークにより、順方向インバータ列３０中の接続端子１０の充電電圧Ｖch1が設定電圧から低下して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切ると、出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＬｏからＨｉへと反転する（図２５（ｂ）示）。これにより、順方向インバータ列３０中の出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９の出力信号を検出することにより、第２チップ２９内での低電圧側へのリークがあると判定される。

このように、本変形例においては、第１チップ２８へ供給する電源電圧を減少させていき、出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切った時の第１チップ２８へ供給している電源電圧を記憶し、改めて第１チップ２８へ供給する電源電圧を記憶された電圧よりほんの少し高めに設定する。
このため、出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2に製品上のばらつきがあっても、接続端子１０の充電電圧がスレシホールド電圧Ｖth2よりほんの少し高くなり、第２チップ２９内での低電圧側へのリークにより、接続端子１０の充電電圧Ｖch1が設定電圧から低下して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切るまでの時間をよりいっそう短縮できる。
第１チップ２８内での低電圧側へのリークの有無を検査する場合は、上述した場合に対して第１チップ２８と第２チップ２９とを入れ換えて、逆方向インバータ列３１に対して検査を行うのみであるため、説明は省略する。

図２６に基づき、図１６乃至図１８に示した半導体装置３２、３３、３４について、接続端子１０から第２チップ２９内の電源電圧側へのリークの有無を検出するための検査方法について説明する。最初に、第１チップ２８および第２チップ２９の双方に電源電圧Ｖth2Lを供給するとともに、順方向インバータ列３０中の入力側インバータ５の出力をＨｉとし、順方向インバータ列３０中の接続端子１０を電圧Ｖth2Lで充電する。
上述したように、第１チップ２８と第２チップ２９とには互いに異なる電圧を供給可能であるが、検査開始時には双方にほぼ等しい電圧を供給し、第２チップ２９から第１チップ２８への出力をＬｏ設定する。これは、第２チップ２９から第１チップ２８へ向けてＨｉ出力を与えることにより、第１チップ２８の電源電圧よりも高い電圧が加わって第１チップ２８を破壊することを防ぐためである。

次に、第２チップ２９へ供給する電源電圧をＶdd（２Ｌ）に増大させる。これにより、順方向インバータ列３０中の出力側インバータ６のスレシホールド電圧はＶth2に設定される。
それとともに、第１チップ２８へ供給する電源電圧を漸次増大させていき、順方向インバータ列３０中の出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2をサーチする。第１チップ２８へ供給する電源電圧の増大により、順方向インバータ列３０中の接続端子１０における充電電圧も上昇していき、順方向インバータ列３０中の出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切った時に、出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＨｉからＬｏへと反転する（図２６（ａ）示）。次に、この時点において第１チップ２８へ供給している電源電圧（Ｖth2と等しい）を記憶し、再び、第１チップ２８へ供給する電源電圧を、製品上のばらつきあるいは検査工程上のばらつきを考慮して、Ｖth2よりほんの少し低め（−α）に設定する。

その後、順方向インバータ列３０中の接続端子１０をハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化した後、半導体装置３２、３３、３４を放置しながら、第２チップ２９内に形成された出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９において、出力信号ＶINVを検出する。
通常、第２チップ２９内において電源電圧側へのリークが発生していない場合、順方向インバータ列３０中の出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＨｉとなっている（図２６（ａ）示）。

第２チップ２９内での電源電圧側へのリークにより、順方向インバータ列３０中の接続端子１０の充電電圧Ｖch1が設定電圧から上昇して順方向インバータ列３０中の出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切ると、出力側インバータ６の出力端６ｂの出力信号ＶINVはＨｉからＬｏへと反転する（図２６（ｂ）示）。これにより、第２チップ２９内に形成された出力側インバータ６の出力端６ｂと接続された出力端子９の出力信号を検出することにより、第２チップ２９内での電源電圧側へのリークがあると判定される。

このように、本変形例においては、第１チップ２８へ供給する電源電圧を増大させていき、出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切った時の第１チップ２８へ供給している電源電圧を記憶し、改めて第１チップ２８へ供給する電源電圧を記憶された電圧よりほんの少し低めに設定する。

このため、出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2に製品上のばらつきがあっても、接続端子１０の充電電圧がスレシホールド電圧Ｖth2よりほんの少し低くなり、第２チップ２９内での電源電圧側へのリークにより、接続端子１０の充電電圧Ｖch1が設定電圧から上昇して出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2を横切るまでの時間をよりいっそう短縮できる。
第１チップ２８内での電源電圧側へのリークの有無を検査する場合は、上述した場合に対して第１チップ２８と第２チップ２９とを入れ換えて、逆方向インバータ列３１に対して検査を行うのみであるため、説明は省略する。
本変形例による半導体装置のリーク検査方法を用いれば、高温下での検査または低温下での検査において、出力側インバータ６のスレシホールド電圧Ｖth2が雰囲気中温度により変動しても、短時間で検査を行うことが可能である。

＜他の実施形態＞
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、次のように変形または拡張することができる。
本発明は、パッケージ２内に３個以上の半導体チップを備えた半導体装置にも適用可能である。
図１１に示した半導体装置１４、図１２に示した半導体装置２１、図２２に示した半導体装置３８、図２３に示した半導体装置４６においては、ＡＮＤゲートの代わりにＮＡＮＤゲートを使用し、ＯＲゲートの代わりにＮＯＲゲートを使用してもよい。

また、図１、図６〜８、図１１〜１３、図１６〜１８、図２１〜２４において、入力側インバータ５の代わりに、ハイインピーダンス機能付きノンインバータ、ハイインピーダンス機能付きＡＮＤゲート、ハイインピーダンス機能付きＮＡＮＤゲート、ハイインピーダンス機能付きＯＲゲート、ハイインピーダンス機能付きＮＯＲゲートのいずれかを使用してもよく、出力側インバータ６の代わりに、ノンインバータ、ＡＮＤゲート、ＮＡＮＤゲート、ＯＲゲート、ＮＯＲゲートのいずれかを使用してもよい。

実施形態１による半導体装置の簡略化した回路図 図１に示した半導体装置について、低電圧側へのリークの有無を検査するリーク検査方法の手順を表すフローチャート 図１に示した半導体装置について低電圧側へのリークの有無を検査した場合において、リークの無い時の各検出値を表すタイムチャート（ａ）、リークの有る時の各検出値を表すタイムチャート（ｂ） 図１に示した半導体装置について、電源電圧側へのリークの有無を検査するリーク検査方法の手順を表すフローチャート 図１に示した半導体装置について電源電圧側へのリークの有無を検査した場合において、リークの無い時の各検出値を表すタイムチャート（ａ）、リークの有る時の各検出値を表すタイムチャート（ｂ） 実施形態２の第１実施例による半導体装置の簡略化した回路図 実施形態２の第２実施例による半導体装置の簡略化した回路図 実施形態２の第３実施例による半導体装置の簡略化した回路図 図６乃至図８のいずれかに示した半導体装置について低電圧側へのリークの有無を検査した場合において、リークの無い時の各検出値を表すタイムチャート（ａ）、リークの有る時の各検出値を表すタイムチャート（ｂ） 図６乃至図８のいずれかに示した半導体装置について電源電圧側へのリークの有無を検査した場合において、リークの無い時の各検出値を表すタイムチャート（ａ）、リークの有る時の各検出値を表すタイムチャート（ｂ） 実施形態３による半導体装置の簡略化した回路図 実施形態４による半導体装置の簡略化した回路図 実施形態５による半導体装置の簡略化した回路図 図１３に示した半導体装置について低電圧側へのリークの有無を検査した場合において、リークの無い時の各検出値を表すタイムチャート（ａ）、リークの有る時の各検出値を表すタイムチャート（ｂ） 図１３に示した半導体装置について電源電圧側へのリークの有無を検査した場合において、リークの無い時の各検出値を表すタイムチャート（ａ）、リークの有る時の各検出値を表すタイムチャート（ｂ） 実施形態５の第１変形例による半導体装置の簡略化した回路図 実施形態５の第２変形例による半導体装置の簡略化した回路図 実施形態５の第３変形例による半導体装置の簡略化した回路図 図１６乃至図１８のいずれかに示した半導体装置について低電圧側へのリークの有無を検査した場合において、リークの無い時の各検出値を表すタイムチャート（ａ）、リークの有る時の各検出値を表すタイムチャート（ｂ） 図１６乃至図１８のいずれかに示した半導体装置について電源電圧側へのリークの有無を検査した場合において、リークの無い時の各検出値を表すタイムチャート（ａ）、リークの有る時の各検出値を表すタイムチャート（ｂ） 出力側チップに形成された出力側インバータの出力端が、直接に外部に引き出されていない半導体装置を簡略化して表した回路図 実施形態６による半導体装置の簡略化した回路図 実施形態６の変形例による半導体装置の簡略化した回路図 実施形態７による半導体装置の簡略化した回路図 図１６乃至図１８のいずれかに示した半導体装置について低電圧側へのリークの有無を検査する方法に関するさらなる変形例において、リークの無い時の各検出値を表すタイムチャート（ａ）、リークの有る時の各検出値を表すタイムチャート（ｂ） 図１６乃至図１８のいずれかに示した半導体装置について電源電圧側へのリークの有無を検査する方法に関するさらなる変形例において、リークの無い時の各検出値を表すタイムチャート（ａ）、リークの有る時の各検出値を表すタイムチャート（ｂ） 従来技術を説明するための半導体装置の簡略化した回路図 図２７に示した半導体装置について、低電圧側へのリークの有無を検査する従来技術によるリーク検査方法の手順を表すフローチャート 図２７に示した半導体装置について従来技術による方法により低電圧側へのリークの有無を検査した場合において、リークの有る時の各検出値を表すタイムチャート

符号の説明

図面中、１，１１，１２，１３，１４，２１，２７，３２，３３，３４，３５，３８，４６，５１は半導体装置、２はパッケージ、３，１５は入力側チップ、４，１６，２２は出力側チップ、５は入力側インバータ、５ｃは入力側インバータの出力端（出力端子）、６は出力側インバータ、６ａは出力側インバータの入力端（入力端子）、６ｂは出力側インバータの出力端（出力端子）、１０は接続端子、２８，３９，４７，５２は第１チップ、２９，３６，４０，４８は第２チップ、Ｖddは電源端子、Ｖdd1は第１電源端子、Ｖdd2は第２電源端子、Ｖssは低電圧端子、Ｖss1は第１低電圧端子、Ｖss2は第２低電圧端子を示している。

Claims (5)

1. 半導体装置のパッケージの内部には複数の半導体チップが形成され、前記半導体チップのうちのいずれかを入力側チップとし、その他の前記半導体チップのうちのいずれかを出力側チップとし、前記入力側チップは入力側インバータを具備するとともに、前記出力側チップは出力側インバータを具備し、前記入力側インバータおよび前記出力側インバータに電圧を供給する電源端子が前記パッケージの外部に引き出され、前記入力側インバータの出力端子と前記出力側インバータの入力端子とは、前記入力側チップおよび前記出力側チップ間において、前記パッケージ内部の接続端子により互いに接続されるとともに、前記出力側インバータの出力端子における信号が前記パッケージの外部から検出可能とされており、
   前記電源端子に電圧を供給するとともに、前記入力側インバータをＨｉ出力させることにより前記接続端子に充電を施す端子充電工程と、
   前記接続端子に充電が施された後、前記接続端子をハイインピーダンス化するハイインピーダンス化工程と、
   前記電源端子に電圧を供給して、前記出力側インバータの前記出力端子の信号が反転するためのスレシホールド電圧を前記接続端子の充電電圧近傍に設定するスレシホールド電圧設定工程と、
   前記接続端子をハイインピーダンス化した後において、前記接続端子の充電電圧が増減して前記スレシホールド電圧を横切ることにより、前記出力側インバータの出力端子の信号が変化したことを検出する出力信号検出工程と、
   前記出力側インバータの出力端子の信号が変化した場合に、前記出力側チップ内においてリークが有ると判定するリーク判定工程とを備えたことを特徴とする半導体装置のリーク検査方法。
2. 前記スレシホールド電圧設定工程において、前記スレシホールド電圧を前記接続端子の充電電圧より低く設定し、前記出力信号検出工程において前記出力側インバータの出力端子の信号がＬｏからＨｉに変化したことを検出した場合に、前記リーク判定工程において、前記出力側チップ内に低電圧側へのリークが有ると判定することを特徴とする請求項１記載の半導体装置のリーク検査方法。
3. 前記スレシホールド電圧設定工程において、前記スレシホールド電圧を前記接続端子の充電電圧より高く設定し、前記出力信号検出工程において前記出力側インバータの出力端子の信号がＨｉからＬｏに変化したことを検出した場合に、前記リーク判定工程において、前記出力側チップ内に電源電圧側へのリークが有ると判定することを特徴とする請求項１記載の半導体装置のリーク検査方法。
4. 前記入力側インバータおよび前記出力側インバータを低電圧側へ接続する低電圧端子と前記電源端子のうちの少なくともいずれかの端子については、前記入力側インバータと前記出力側インバータとに異なる電圧を供給可能なように前記パッケージの外部に別々に引き出され、前記出力側インバータには前記入力側インバータよりも高い電源電圧を供給することにより、前記スレシホールド電圧を前記接続端子の充電電圧近傍に設定することを特徴とする請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の半導体装置のリーク検査方法。
5. 請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の半導体装置のリーク検査方法を適用可能なことを特徴とする半導体装置。

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