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JP2009182073A - Multilayer substrate - Google Patents

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JP2009182073A
JP2009182073A JP2008018591A JP2008018591A JP2009182073A JP 2009182073 A JP2009182073 A JP 2009182073A JP 2008018591 A JP2008018591 A JP 2008018591A JP 2008018591 A JP2008018591 A JP 2008018591A JP 2009182073 A JP2009182073 A JP 2009182073A
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JP
Japan
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polyimide
polyimide film
adhesive
bis
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP2008018591A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Okamoto
淳 岡本
Tetsuo Okuyama
哲雄 奥山
Satoshi Maeda
郷司 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyobo Co Ltd
Original Assignee
Toyobo Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toyobo Co Ltd filed Critical Toyobo Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer substrate in which a polyimide film and an inorganic substrate are stacked, for preventing peeling of the polyimide film, being excellent in productivity. <P>SOLUTION: In the multilayer substrate, the polyimide film is layered on the inorganic substrate with an adhesive in between. The polyimide film contains, as a main component, polyimide that results from reaction between aromatic tetracarboxilic acid and aromatic diamine, with the linear expansion coefficient being ≤10 ppm/°C. The 5% weight reduction temperature of the adhesive is ≥400°C, with the polyimide or polyimidimide being soluble in organic solvent. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、セラミック基板やガラス基板などの無機基板をコアなどに用いた多層構造を有する多層基板に関し、さらに詳しくは、セラミック基板やガラス基板と耐熱フィルムとを、接着剤を用いて積層することにより絶縁層を形成してなる多層基板に関するものである。   The present invention relates to a multilayer substrate having a multilayer structure using an inorganic substrate such as a ceramic substrate or a glass substrate as a core, and more specifically, laminating a ceramic substrate or a glass substrate and a heat-resistant film using an adhesive. The present invention relates to a multilayer substrate formed with an insulating layer.

ポリイミドフィルムは、その卓越した耐熱性や電気特性・機械的物性・寸法安定性などを有しているために、フレキシブルプリント配線板、TABテープ、半導体実装のための基材をはじめとする各種電子材料や産業機器、航空機などの高性能部品として広範な分野で用いられている。特に、昨今の高密度実装に伴う回路基板や半導体パッケージ用基材においては、信号伝送の高速化を図るために誘電率の低い絶縁樹脂を層間絶縁膜と使用することが主流となってきているが、ポリイミドはその代表的な絶縁材料の一つである。   Polyimide film has excellent heat resistance, electrical properties, mechanical properties, dimensional stability, etc., so various electronic devices including flexible printed wiring boards, TAB tapes, and substrates for semiconductor mounting. It is used in a wide range of fields as high-performance parts such as materials, industrial equipment, and aircraft. In particular, in circuit boards and semiconductor package base materials associated with recent high-density mounting, it has become mainstream to use an insulating resin having a low dielectric constant as an interlayer insulating film in order to increase the speed of signal transmission. However, polyimide is one of the typical insulating materials.

通常、ポリイミドフィルムは、接着剤を用いて銅箔と貼り合わせたり、蒸着法、メッキ法、スパッタ法、又はキャスト法によりフィルム層と銅箔からなる積層板(銅箔付きポリイミドフィルム)に加工されたりして、フレキシブルプリント多層回路基板のベースフィルム(外層材や内層材)として使用される。多層基板の層間絶縁材として用いられる場合には、ポリイミドフィルム自体は、エポキシの半硬化シートのように接着性を持たないため、なんらかの接着剤と組み合わせて用いられる。   Usually, a polyimide film is bonded to a copper foil using an adhesive, or processed into a laminate (a polyimide film with a copper foil) composed of a film layer and a copper foil by vapor deposition, plating, sputtering, or casting. In other words, it is used as a base film (outer layer material or inner layer material) of a flexible printed multilayer circuit board. When used as an interlayer insulating material for a multilayer substrate, the polyimide film itself does not have adhesiveness like an epoxy semi-cured sheet, and therefore is used in combination with some adhesive.

従来のポリイミドフィルムは表面の接着性に乏しいことが問題となっており、そのために接着剤を介して多層積層を行う場合、層間の接着信頼性が乏しく、そのままでは製品の不良が生じる原因となっていた。このため、ポリイミドフィルム表面の接着性を改善することを目的に、コロナ処理やプラズマ処理を施して使用することが提案されてきた。また、接着剤の選択が重要であり、ポリアミド樹脂とエポキシ樹脂を主構成成分とした接着剤を用いた技術が開示されている(特許文献1〜6参照)。
上記技術により、ポリイミドフィルムと銅箔との接着性は実用レベルが確保されたが、近年は、かかる多層基板の半導体パッケージ用基材用途への要求特性が高くなっており、従来のリードフレームを用いたICパッケージ同様の信頼性が求められるようになってきている。半導体パッケージの信頼性試験では高温高湿試験や冷熱衝撃試験など過酷な環境下での安定性が要求され、従来のポリイミドフィルム使用ではこれらの要求をクリアできないことが問題になってきている。
かかる問題に対処するために、温度による寸法変化を抑えた特定のポリイミドフィルムに関する提案がなされている(特許文献7参照)。
また、温度変化に対して安定した基板を提供することを目的とした、ガラス基板も提案されている(特許文献8参照)。
いずれの従来提案技術においても、温度変化に対する安定性は充分に到達されたものではなく、多層基板そのものの温度変化に対する安定と、温度変化による多層基板間の線膨張係数の相互乖離による剥がれなどに対する耐性が共に満足するものは得られていない。
また、今日半導体チップの配線は微細化しており、セラミック基板やガラス基板などの無機基板と接続する場合、微細パターンの描ける再配線層があることが望まれている。しかし、無機基板と物性の違う材料を貼りあわせた場合、この貼り合わせ部分での接続信頼性の低下、剥がれや浮き上がりなどが生じ実用となるものは無かった。
Conventional polyimide films have a problem of poor surface adhesion. Therefore, when multilayer lamination is performed via an adhesive, the adhesion reliability between the layers is poor, which may cause defective products. It was. For this reason, in order to improve the adhesiveness of the polyimide film surface, it has been proposed to use it after performing corona treatment or plasma treatment. In addition, selection of an adhesive is important, and a technique using an adhesive having a polyamide resin and an epoxy resin as main constituent components is disclosed (see Patent Documents 1 to 6).
The above technology has ensured a practical level of adhesion between the polyimide film and the copper foil. However, in recent years, the characteristics required for the base material for semiconductor packages of such multilayer substrates have increased, and conventional lead frames The same reliability as the IC package used has been demanded. Semiconductor package reliability tests require stability in harsh environments such as high-temperature and high-humidity tests and thermal shock tests, and it has become a problem that conventional polyimide films cannot satisfy these requirements.
In order to cope with such a problem, a proposal has been made regarding a specific polyimide film in which a dimensional change due to temperature is suppressed (see Patent Document 7).
In addition, a glass substrate has also been proposed for the purpose of providing a substrate that is stable against temperature changes (see Patent Document 8).
In any of the conventional proposed technologies, the stability against the temperature change is not sufficiently achieved, and the stability against the temperature change of the multilayer substrate itself and the peeling due to the mutual divergence of the linear expansion coefficients between the multilayer substrates due to the temperature change, etc. No one that satisfies both tolerances has been obtained.
In addition, semiconductor chip wiring has been miniaturized today, and when connected to an inorganic substrate such as a ceramic substrate or a glass substrate, a rewiring layer capable of drawing a fine pattern is desired. However, when a material having a physical property different from that of the inorganic substrate is bonded, there is no practical use due to a decrease in connection reliability, peeling or lifting at the bonded portion.

特開平 09−289229号公報JP 09-289229 A 特開平 09−289231号公報JP 09-289231 A 特開平 09−298220号公報JP 09-298220 A 特開平 09−321094号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 09-321094 特開平 10−084018号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-084018 特開平 10−109070号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-109070 特表平 11−505184号公報Japanese National Patent Publication No. 11-505184 特開2003−204152号公報JP 2003-204152 A

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、絶縁層の厚み精度が高く、ひいては、伝送線路の特性インピーダンスが安定しており、温度サイクル下、および高温高湿度下での信頼性を兼ね備え、さらにセラミック基板やガラス基板などの無機基板との線膨張係数差が小さく、ベアチップ実装時の接続信頼性が高い、かつ接着剤がワニス状態で安定であり、そのため歩留まりが向上し、製造工程が簡略化でき(生産性が良い)、イミド化の必要がなく、絶縁層フィルムの品質が良く厚み斑が小さい多層基板を提供することを課題とするものである。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems. The thickness accuracy of the insulating layer is high, and as a result, the characteristic impedance of the transmission line is stable, the temperature cycle, and the high temperature and high humidity. In addition, there is a small difference in linear expansion coefficient from inorganic substrates such as ceramic substrates and glass substrates, high connection reliability when mounting bare chips, and the adhesive is stable in the varnish state, so the yield is high. It is an object of the present invention to provide a multilayer substrate that can be improved, can simplify the manufacturing process (good productivity), does not require imidization, has good insulating layer film quality, and small thickness unevenness.

前記課題を解決した本発明は、下記の構成によるものである。
1. ポリイミドフィルムが接着剤を介して無機基板に積層された構成を有する多層基板において、前記ポリイミドフィルムが芳香族テトラカルボン酸類と芳香族ジアミン類とを反応させて得られるポリイミドを主成分とし、かつ線膨張係数が10ppm/℃以下であるポリイミドフィルムであり、前記接着剤の5%重量減少温度が400℃以上であり、かつ有機溶媒可溶性であるポリイミドまたはポリアミドイミドであることを特徴とする多層基板。
2. ポリイミドフィルムが、芳香族テトラカルボン酸無水物類とベンゾオキサゾール構造を有するジアミン類との縮合から得られるポリイミドベンゾオキサゾールを主成分とするポリイミドフィルムである前記1.に記載の多層基板。
3. 接着剤がベンゾフェノン構造を有する芳香族テトラカルボン酸類と芳香族ジアミン類とを反応させて得られるポリイミドを主成分とするものである前記1.又は2.に記載の多層基板。
4. 無機基板が、セラミック基板又はガラス基板である前記1.〜3.のいずれかに記載の多層基板。
The present invention that has solved the above-described problems has the following configuration.
1. In a multilayer substrate having a structure in which a polyimide film is laminated on an inorganic substrate through an adhesive, the polyimide film is mainly composed of polyimide obtained by reacting aromatic tetracarboxylic acids and aromatic diamines, and a wire A multilayer substrate characterized in that it is a polyimide film having an expansion coefficient of 10 ppm / ° C. or lower, a 5% weight reduction temperature of the adhesive is 400 ° C. or higher, and is an organic solvent-soluble polyimide or polyamideimide.
2. 1. The polyimide film as described above in which the polyimide film is mainly composed of polyimide benzoxazole obtained by condensation of aromatic tetracarboxylic acid anhydrides and diamines having a benzoxazole structure. The multilayer substrate described in 1.
3. The above-mentioned 1. The adhesive is mainly composed of polyimide obtained by reacting an aromatic tetracarboxylic acid having a benzophenone structure and an aromatic diamine. Or 2. The multilayer substrate described in 1.
4). 1. The inorganic substrate is a ceramic substrate or a glass substrate. ~ 3. A multilayer substrate according to any one of the above.

本発明では、耐熱フィルムと無機基板とが積層された多層基板におけるフィルムとして、線膨張係数の低い特定構造のポリイミドフィルムを用いて、さらに特定接着剤を使用することで、多層基板を構成した場合の層間の位置精度が高く、高密度の配線を形成可能であり、またフィルムの弾性率が高く、通常のプロセス温度範囲内では熱変形を起こさないことから、プレスにより積層した場合でも、層間の厚み精度を一定に保つことが可能であり、結果として特性インピーダンスのバラツキが少ない良好な伝送線路を形成可能である。さらに多層基板そのものの温度変化に対する安定と、温度変化による多層基板間の線膨張係数の相互乖離による剥がれなどに対する耐性が共に満足するものであり、かつ接着剤がワニス状態で安定であり、そのため歩留まりが向上し、製造工程が簡略化でき(生産性が良い)、イミド化の必要がなく、絶縁層フィルムの品質が良く厚み斑が小さいものとなる。
本発明における低線膨張係数フィルムを無機基板と張り合わせた多層基板は、接続信頼性の高い基板を作製でき、無機基板上でのビルドアップ工法により従来回路基板より高い耐熱性を持つ充分な接着力も得られ、微細な配線、環境安定性、高信頼性を有する多層基板となる。
In the present invention, as a film in a multilayer substrate in which a heat-resistant film and an inorganic substrate are laminated, a polyimide film having a specific structure with a low linear expansion coefficient is used, and a specific adhesive is further used to configure the multilayer substrate. The position accuracy between the layers is high, high-density wiring can be formed, and the elastic modulus of the film is high, and thermal deformation does not occur within the normal process temperature range. It is possible to keep the thickness accuracy constant, and as a result, it is possible to form a good transmission line with little variation in characteristic impedance. Furthermore, both the stability of the multilayer substrate itself against temperature changes and the resistance to peeling due to the mutual divergence of the linear expansion coefficients between the multilayer substrates due to temperature changes are satisfied, and the adhesive is stable in the varnish state, so the yield is high. The manufacturing process can be simplified (productivity is good), imidization is not required, the quality of the insulating layer film is good, and the thickness unevenness is small.
The multilayer substrate in which the low linear expansion coefficient film in the present invention is bonded to an inorganic substrate can produce a substrate with high connection reliability, and has a sufficient heat resistance higher than that of a conventional circuit substrate by a build-up method on the inorganic substrate. The resulting multilayer board has fine wiring, environmental stability, and high reliability.

本発明におけるポリイミドフィルムは、芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類とを反応させて得られるポリイミドフィルムであって、線膨張係数が10ppm/℃以下のポリイミドフィルムであれば、とくに限定されるものではないが、好ましくは下記の芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸(無水物)類との組み合わせが好ましい例として挙げられる。
A.ピロメリット酸残基を有する芳香族テトラカルボン酸類、ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類との組み合わせ。
B.フェニレンジアミン骨格を有する芳香族ジアミン類とビフェニルテトラカルボン酸骨格を有する芳香族テトラカルボン酸類との組み合わせ。
中でも特にA.のベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン残基を有するポリイミドフィルムを製造するための組み合わせが好ましい。
本発明における特に好ましいポリイミドフィルムは、具体的にはベンゾオキサゾール構造を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸無水物類の縮合により得られるポリイミドを主原料とするフィルムである。
一般にポリイミドは、溶媒中でジアミン類とテトラカルボン酸無水物を反応して得られるポリアミド酸溶液を、支持体に塗布・乾燥してグリーンフィルム(前駆体フィルム、またはポリアミド酸フィルムともいう)と成し、さらに支持体上で、あるいは支持体から剥がした状態でグリーンフィルムを高温熱処理することにより脱水閉環反応(イミド化)を行うことによって得られる。
前記のベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類としては、具体的には以下のものが挙げられ、該ジアミンは、単独であっても二種以上を用いることも可能である。
The polyimide film in the present invention is a polyimide film obtained by reacting aromatic diamines and aromatic tetracarboxylic acids, and is particularly limited as long as it has a linear expansion coefficient of 10 ppm / ° C. or less. However, preferably, the following combinations of aromatic diamines and aromatic tetracarboxylic acids (anhydrides) are preferred examples.
A. Combination with aromatic tetracarboxylic acid having pyromellitic acid residue and aromatic diamine having benzoxazole structure.
B. A combination of an aromatic diamine having a phenylenediamine skeleton and an aromatic tetracarboxylic acid having a biphenyltetracarboxylic acid skeleton.
In particular, A. A combination for producing a polyimide film having an aromatic diamine residue having a benzoxazole structure is preferred.
A particularly preferred polyimide film in the present invention is a film mainly comprising a polyimide obtained by condensation of a diamine having a benzoxazole structure and an aromatic tetracarboxylic acid anhydride.
In general, a polyimide is formed into a green film (also referred to as a precursor film or a polyamic acid film) by applying a polyamic acid solution obtained by reacting diamines and tetracarboxylic anhydride in a solvent to a support and drying. In addition, the green film can be obtained by subjecting the green film to high-temperature heat treatment on the support or in a state where the green film is peeled off from the support to perform a dehydration ring-closing reaction (imidization).
Specific examples of the aromatic diamine having the benzoxazole structure include the following, and these diamines may be used alone or in combination of two or more.

Figure 2009182073
Figure 2009182073

Figure 2009182073
Figure 2009182073

Figure 2009182073
Figure 2009182073

Figure 2009182073
これらの中でも、合成のし易さの観点から、アミノ(アミノフェニル)ベンゾオキサゾールの各異性体が好ましい。ここで、「各異性体」とは、アミノ(アミノフェニル)ベンゾオキサゾールが有する2つアミノ基が配位位置に応じて定められる各異性体である(例;上記「化1」〜「化4」に記載の各化合物)。これらのジアミンは、単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
本発明で用いるポリイミドフィルムにおいては、前記ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミンを70モル%以上使用することが好ましい。
Figure 2009182073
Among these, amino (aminophenyl) benzoxazole isomers are preferable from the viewpoint of ease of synthesis. Here, “each isomer” refers to each isomer in which two amino groups of amino (aminophenyl) benzoxazole are determined according to the coordination position (eg, the above “formula 1” to “formula 4”). Each compound described in the above. These diamines may be used alone or in combination of two or more.
In the polyimide film used in the present invention, it is preferable to use 70 mol% or more of the aromatic diamine having the benzoxazole structure.

さらに、前記事項に限定されず下記の芳香族ジアミンを使用してもよいが、好ましくは全芳香族ジアミン類の30モル%未満であれば下記に例示される前記ベンゾオキサゾール構造を有しないジアミン類を一種または二種以上、併用してのポリイミドフィルムである。全ジアミン類の30モル%未満であれば下記に例示されるジアミン類を併用してのポリイミドフィルムであってもよい。
そのようなジアミン類としては、例えば、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルフォン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、m−フェニレンジアミン、o−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、m−アミノベンジルアミン、p−アミノベンジルアミン、
Furthermore, the following aromatic diamines may be used without being limited to the above items, but preferably diamines having no benzoxazole structure exemplified below as long as they are less than 30 mol% of the total aromatic diamines. It is a polyimide film using one or two or more in combination. If it is less than 30 mol% of all diamines, the polyimide film which used together diamine illustrated below may be sufficient.
Examples of such diamines include 4,4′-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone, and bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl]. Sulfide, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, m-phenylenediamine, o-phenylenediamine, p-phenylenediamine, m-aminobenzylamine, p-aminobenzylamine,

3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,4’−ジアミノジフェニルスルホキシド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、   3,3′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenyl sulfide, 3,3′-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,4′-diaminodiphenyl sulfoxide 4,4'-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminobenzophenone, 3,4'- Diaminobenzophenone, 4,4′-diaminobenzophenone, 3,3′-diaminodiphenylmethane, 3,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylmethane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, 1 , 1-Bi [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1 , 2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl ]propane,

1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノシ)フェニル]ブタン、2,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、2−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−2−[4−(4−アミノフェノキシ)−3−メチルフェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−3−メチルフェニル]プロパン、2−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−2−[4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、   1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) Phenyl] butane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 2,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 2- [4- (4-aminophenoxy) Phenyl] -2- [4- (4-aminophenoxy) -3-methylphenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) -3-methylphenyl] propane, 2- [4- ( 4-aminophenoxy) phenyl] -2- [4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphen Le] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane,

1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホキシド、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルフォン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、4,4’−ビス[(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,1−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、   1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) ) Biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfoxide, bis [4- ( 4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) ) Benzoyl] benzene, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,4-bis [4- ( -Aminophenoxy) benzoyl] benzene, 4,4'-bis [(3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,1-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,3-bis [4 -(3-aminophenoxy) phenyl] propane, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide,

2,2−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、1,1−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホキシド、4,4’−ビス[3−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4’−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾフェノン、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ジフェニルスルホン、ビス[4−{4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ}フェニル]スルフォン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノ−6−トリフルオロメチルフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノ−6−フルオロフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノ−6−メチルフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノ−6−シアノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、   2,2-bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, 1,1 -Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ethane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfoxide, 4,4 '-Bis [3- (4-aminophenoxy) benzoyl] diphenyl ether, 4,4'-bis [3- (3-aminophenoxy) benzoyl] diphenyl ether, 4,4'-bis [4- (4-amino-α) , Α-dimethylbenzyl) phenoxy] benzophenone, 4,4′-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] diphenylsulfone, bis 4- {4- (4-aminophenoxy) phenoxy} phenyl] sulfone, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy-α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy-α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-amino-6-trifluoromethylphenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3 -Bis [4- (4-amino-6-fluorophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-amino-6-methylphenoxy) -α, α-dimethylbenzyl Benzene, 1,3-bis [4- (4-amino-6-cyanophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene,

3,3’−ジアミノ−4,4’−ジフェノキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−5,5’−ジフェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−4,5’−ジフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−フェノキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−5−フェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−4−フェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−5’−フェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジビフェノキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−5,5’−ジビフェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−4,5’−ジビフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−ビフェノキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−5−ビフェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−4−ビフェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−5’−ビフェノキシベンゾフェノン、1,3−ビス(3−アミノ−4−フェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−4−フェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−5−フェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−5−フェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−4−ビフェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−4−ビフェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−5−ビフェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−5−ビフェノキシベンゾイル)ベンゼン、2,6−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾニトリルおよび上記芳香族ジアミンにおける芳香環上の水素原子の一部もしくは全てがハロゲン原子、炭素数1〜3のアルキル基またはアルコキシル基、シアノ基、またはアルキル基またはアルコキシル基の水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換された炭素数1〜3のハロゲン化アルキル基またはアルコキシル基で置換された芳香族ジアミン等が挙げられる。   3,3′-diamino-4,4′-diphenoxybenzophenone, 4,4′-diamino-5,5′-diphenoxybenzophenone, 3,4′-diamino-4,5′-diphenoxybenzophenone, 3, 3'-diamino-4-phenoxybenzophenone, 4,4'-diamino-5-phenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-4-phenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-5'-phenoxybenzophenone, 3,3 '-Diamino-4,4'-dibiphenoxybenzophenone, 4,4'-diamino-5,5'-dibiphenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-4,5'-dibiphenoxybenzophenone, 3,3'- Diamino-4-biphenoxybenzophenone, 4,4′-diamino-5-biphenoxybenzophenone, 3,4 -Diamino-4-biphenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-5'-biphenoxybenzophenone, 1,3-bis (3-amino-4-phenoxybenzoyl) benzene, 1,4-bis (3-amino- 4-phenoxybenzoyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-5-phenoxybenzoyl) benzene, 1,4-bis (4-amino-5-phenoxybenzoyl) benzene, 1,3-bis (3-amino) -4-biphenoxybenzoyl) benzene, 1,4-bis (3-amino-4-biphenoxybenzoyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-5-biphenoxybenzoyl) benzene, 1,4-bis (4-Amino-5-biphenoxybenzoyl) benzene, 2,6-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) pheno Si] benzonitrile and some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring in the aromatic diamine are halogen atoms, alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms or alkoxyl groups, cyano groups, or alkyl groups or alkoxyl group hydrogen atoms. Examples thereof include aromatic diamines substituted with a halogenated alkyl group having 1 to 3 carbon atoms partially or wholly substituted with a halogen atom or an alkoxyl group.

前記の芳香族テトラカルボン酸類は、例えば芳香族テトラカルボン酸無水物類である。芳香族テトラカルボン酸無水物類としては、具体的には、以下のものが挙げられるが、ポリイミド中で70モル%以上使用することが好ましく、特にピロメリット酸を70モル%以上使用することが好ましい。   The aromatic tetracarboxylic acids are, for example, aromatic tetracarboxylic acid anhydrides. Specific examples of the aromatic tetracarboxylic acid anhydrides include the following, but it is preferable to use 70 mol% or more in polyimide, and it is particularly preferable to use 70 mol% or more of pyromellitic acid. preferable.

Figure 2009182073
Figure 2009182073

Figure 2009182073
Figure 2009182073

これらのテトラカルボン酸二無水物は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
全テトラカルボン酸二無水物の30モル%未満であれば前記限定に係らず下記に例示される非芳香族のテトラカルボン酸二無水物類を一種または二種以上、併用しても構わない。そのようなテトラカルボン酸無水物としては、例えば、ブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、ペンタン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサ−1−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、3−エチルシクロヘキサ−1−エン−3−(1,2),5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−メチル−3−エチルシクロヘキサン−3−(1,2),5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−メチル−3−エチルシクロヘキサ−1−エン−3−(1,2),5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−エチルシクロヘキサン−1−(1,2),3,4−テトラカルボン酸二無水物、1−プロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3,4−テトラカルボン酸二無水物、1,3−ジプロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3−(2,3)−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル−3,4,3’,4’−テトラカルボン酸二無水物、
These tetracarboxylic dianhydrides may be used alone or in combination of two or more.
The non-aromatic tetracarboxylic dianhydrides exemplified below may be used alone or in combination of two or more, as long as the total tetracarboxylic dianhydride is less than 30 mol%. Examples of such tetracarboxylic acid anhydrides include butane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pentane-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, and cyclobutanetetracarboxylic acid. Acid dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, cyclohex-1-ene-2,3 5,6-tetracarboxylic dianhydride, 3-ethylcyclohex-1-ene-3- (1,2), 5,6-tetracarboxylic dianhydride, 1-methyl-3-ethylcyclohexane-3 -(1,2), 5,6-tetracarboxylic dianhydride, 1-methyl-3-ethylcyclohex-1-ene-3- (1,2), 5,6-tetracarboxylic dianhydride 1-ethylcyclohexane -(1,2), 3,4-tetracarboxylic dianhydride, 1-propylcyclohexane-1- (2,3), 3,4-tetracarboxylic dianhydride, 1,3-dipropylcyclohexane- 1- (2,3), 3- (2,3) -tetracarboxylic dianhydride, dicyclohexyl-3,4,3 ′, 4′-tetracarboxylic dianhydride,

ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−プロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3,4−テトラカルボン酸二無水物、1,3−ジプロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3−(2,3)−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル−3,4,3’,4’−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらのテトラカルボン酸二無水物は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。   Bicyclo [2.2.1] heptane-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 1-propylcyclohexane-1- (2,3), 3,4-tetracarboxylic dianhydride, 1 , 3-Dipropylcyclohexane-1- (2,3), 3- (2,3) -tetracarboxylic dianhydride, dicyclohexyl-3,4,3 ′, 4′-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.1] Heptane-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.2] octane-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.2] Oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride and the like. These tetracarboxylic dianhydrides may be used alone or in combination of two or more.

前記芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸(無水物)類とを反応(重合)させてポリアミド酸を得るときに用いる溶媒は、原料となるモノマーおよび生成するポリアミド酸のいずれをも溶解するものであれば特に限定されないが、極性有機溶媒が好ましく、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックアミド、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、スルホラン、ハロゲン化フェノール類等があげられる。 これらの溶媒は、単独あるいは混合して使用することができる。溶媒の使用量は、原料となるモノマーを溶解するのに十分な量であればよく、具体的な使用量としては、モノマーを溶解した溶液に占めるモノマーの質量が、通常5〜40質量%、好ましくは10〜30質量%となるような量が挙げられる。   The solvent used when the polyamic acid is obtained by reacting (polymerizing) the aromatic diamine and the aromatic tetracarboxylic acid (anhydride) dissolves both the monomer as a raw material and the polyamic acid to be produced. Although it will not specifically limit if it is a thing, A polar organic solvent is preferable, for example, N-methyl- 2-pyrrolidone, N-acetyl- 2-pyrrolidone, N, N- dimethylformamide, N, N- diethylformamide, N, N -Dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphoric amide, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol dimethyl ether, sulfolane, halogenated phenols and the like. These solvents can be used alone or in combination. The amount of the solvent used may be an amount sufficient to dissolve the monomer as a raw material. As a specific amount used, the mass of the monomer in the solution in which the monomer is dissolved is usually 5 to 40% by mass, The amount is preferably 10 to 30% by mass.

ポリイミドまたは線状ポリアミド酸の分子末端を炭素−炭素二重結合を有する末端基で封止するために無水マレイン酸等を用いることが出来る。無水マレイン酸の使用量は、芳香族ジアミン成分1モル当たり0.001〜1.0モル比である。
ポリアミド酸溶液は、固形分を好ましくは5〜40質量%、より好ましくは10〜30質量%を含有するものであって、またその粘度はブルックフィールド粘度計による測定で10〜2000Pa・s、好ましくは100〜1000Pa・sのものが、安定した送液が可能であることから好ましい。重合反応は、有機溶媒中で撹拌および/または混合しながら、0〜80℃の温度範囲で、10分〜30時間連続して進められるが、必要により重合反応を分割するなどして、温度を上下させてもかまわない。この場合に、両反応体の添加順序には特に制限はないが、芳香族ジアミン類の溶液中に芳香族テトラカルボン酸無水物類を添加するのが好ましい。
Maleic anhydride or the like can be used to seal the molecular ends of polyimide or linear polyamic acid with terminal groups having a carbon-carbon double bond. The amount of maleic anhydride used is 0.001 to 1.0 molar ratio per mole of aromatic diamine component.
The polyamic acid solution preferably contains a solid content of 5 to 40% by mass, more preferably 10 to 30% by mass, and its viscosity is 10 to 2000 Pa · s as measured by a Brookfield viscometer, preferably Is preferably 100 to 1000 Pa · s because stable liquid feeding is possible. The polymerization reaction is continuously carried out for 10 minutes to 30 hours in a temperature range of 0 to 80 ° C. while stirring and / or mixing in an organic solvent. You can move it up and down. In this case, the order of addition of both reactants is not particularly limited, but it is preferable to add aromatic tetracarboxylic anhydrides to the solution of aromatic diamines.

本発明で用いるポリイミドフィルムの製造方法としては、ポリアミド酸溶液を支持体にフィルム状に連続的に押し出し又は塗布し、次いで乾燥することにより得たグリーンフィルムを、前記支持体から剥離し、延伸、乾燥、熱処理することにより製造されるが、ポリアミド酸の有機溶媒からポリイミドフィルムを製造する代表的な方法としては、閉環触媒および脱水剤を含有しないポリイミド酸の有機溶媒溶液をスリット付き口金から支持体上に流延してフィルムに成形し、支持体上で加熱乾燥することにより自己支持性を有するグリーンフィルムにした後、支持体よりフィルムを剥離し、更に高温下で乾燥熱処理することによりイミド化する熱閉環法、および閉環触媒および脱水剤を含有せしめたポリド酸の有機溶媒をスリット付き口金から支持体上に流延してフィルム状に成形し、支持体上でイミド化を一部進行させて自己支持性を有するフィルムとした後、支持体よりフィルムを剥離し、加熱乾燥/イミド化し、熱処理を行う化学閉環法が挙げられる。
ポリイミドフィルム製造に用いる支持体としては、ポリアミド酸溶液をフィルム状に成形する際に用いられるドラムまたはベルト状回転体を用いることができる。ポリアミド酸溶液は支持体上に塗布され、加熱乾燥により自己支持性を与えられる。支持体の表面は金属、プラスチック、ガラス、磁器などが挙げられ、好ましくは金属であり、更に好ましくは錆びなくて耐腐食に優れるSUS材である。また、Cr、Ni、Snなどの金属メッキをしても良い。本発明における支持体表面は必要に応じて鏡面にすることや、あるいは梨地状に加工することができる。
本発明で用いるポリイミドフィルムは前記したように製造することができるが、これらのフィルムの線膨張係数は10ppm/℃以下であることが前記した理由により必須であり、好ましくは−2〜10ppm/℃、より好ましくは、−2〜8ppm/℃、さらに好ましくは−2〜6ppm/℃である。
As a method for producing a polyimide film used in the present invention, a green film obtained by continuously extruding or applying a polyamic acid solution to a support in the form of a film and then drying is peeled off from the support, and stretched. A typical method for producing a polyimide film from an organic solvent of polyamic acid, which is produced by drying and heat treatment, is that a solution of an organic solvent of polyimide acid containing no ring closure catalyst and a dehydrating agent is supported from a base with a slit. Cast on top to form a film, heat-dry on the support to form a self-supporting green film, peel off the film from the support, and further heat and dry at a high temperature for imidization The thermal ring closure method and the organic solvent of polydoic acid impregnated with a ring closure catalyst and a dehydrating agent After casting on a support and forming it into a film, after partially imidizing on the support and making it a film having self-supporting properties, the film is peeled off from the support, heat-dried / imidized, There is a chemical ring closure method in which heat treatment is performed.
As a support used for producing the polyimide film, a drum or a belt-like rotating body used when the polyamic acid solution is formed into a film can be used. The polyamic acid solution is applied on a support and is self-supporting by heat drying. The surface of the support may be metal, plastic, glass, porcelain, etc., preferably metal, and more preferably SUS material that does not rust and has excellent corrosion resistance. Further, metal plating such as Cr, Ni, Sn may be performed. The surface of the support in the present invention can be mirror-finished or processed into a satin finish as necessary.
Although the polyimide film used in the present invention can be produced as described above, the linear expansion coefficient of these films is essential for the reason described above, preferably −2 to 10 ppm / ° C. More preferably, it is −2 to 8 ppm / ° C., and further preferably −2 to 6 ppm / ° C.

本発明の多層基板に使用される接着剤としては、5%重量減少温度が400℃以上であり、かつ有機溶媒可溶性であるポリイミドまたはポリアミドイミドであることが必要である。接着剤が有機溶媒可溶性でないと、ポリアミド酸の状態で有機溶媒に溶解させ、基材に塗工し、その後高温加熱処理(イミド化)する工程が必要であるため、製造コストが高くなるばかりでなく、加熱処理後に欠点が発生し品質が低下する恐れがある。さらに、ポリアミド酸溶液は室温でもゆるやかにイミド化反応が進行するため、ワニス状態での安定性に問題がある。
本発明で用いる接着剤としては、例えば、熱可塑性ポリアミドイミド、熱可塑性ポリイミド、熱可塑性ポリイミドシロキサン、熱可塑性ポリアミドイミドシロキサンなどが挙げられ、またこれら樹脂の一種又は二種以上の樹脂ブレンドが挙げられるが、いずれも有機溶媒可溶性のもでなければならない。特に好ましくは、ベンゾフェノン構造を有する芳香族テトラカルボン酸類と芳香族ジアミン類とを反応させて得られるポリイミドを主成分とする有機溶媒可溶性のものである。
The adhesive used in the multilayer substrate of the present invention is required to be a polyimide or polyamideimide having a 5% weight loss temperature of 400 ° C. or more and being soluble in an organic solvent. If the adhesive is not soluble in an organic solvent, it requires a process in which it is dissolved in an organic solvent in the form of a polyamic acid, applied to a substrate, and then subjected to a high-temperature heat treatment (imidization), which increases the production cost. However, defects may occur after the heat treatment and the quality may deteriorate. Furthermore, since the polyamic acid solution undergoes an imidization reaction slowly even at room temperature, there is a problem in stability in a varnish state.
Examples of the adhesive used in the present invention include thermoplastic polyamide-imide, thermoplastic polyimide, thermoplastic polyimide siloxane, thermoplastic polyamide-imide siloxane, and the like, and one or a mixture of two or more of these resins. However, both must be organic solvent soluble. Particularly preferred is an organic solvent-soluble material mainly composed of polyimide obtained by reacting an aromatic tetracarboxylic acid having a benzophenone structure and an aromatic diamine.

ポリイミドフィルムを接着剤を介して無機基板に積層する方法は、特に限定されるものではないが、例えば、まず共押し出しによる方法、一方の層であるポリイミドフィルム上に接着剤層のポリイミドのポリアミド酸溶液を流延してこれをイミド化する方法、一方の層であるポリイミドフィルムの前駆体フィルム上に他方のポリイミドの前駆体フィルムを積層し共にイミド化する方法、ポリイミドフィルム層上にポリイミドのポリアミド酸溶液をスプレーコートなどで塗布してイミド化するなどして得た接着剤付き耐熱フィルム層を無機基板に積層する方法、無機基板に前記の接着剤を設けて後にポリイミドフィルムを積層する方法などが挙げられる。   The method of laminating the polyimide film on the inorganic substrate through the adhesive is not particularly limited. For example, first, the method by coextrusion, the polyimide polyamic acid of the adhesive layer on the polyimide film which is one layer A method of casting a solution and imidizing it, a method of laminating a precursor film of another polyimide on a polyimide film precursor film which is one layer, and imidizing together, a polyimide polyamide on a polyimide film layer A method of laminating a heat-resistant film layer with an adhesive obtained by applying an acid solution by spray coating or the like to imidize, an inorganic substrate, a method of laminating a polyimide film after providing the adhesive on an inorganic substrate, etc. Is mentioned.

本発明で用いる無機基板におけるガラス基板としては、従来公知のガラス基板が使用できるが、好ましくは感光性ガラスを用いた基板などが使用できる。セラミック基板としては従来公知のセラミック基板が使用でき、アルミナ、ジルコニア、ムライト、コディライト、ステアタイト、チタン酸マグネシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミックスからなるものが挙げられる。
また無機基板にスルーホール、導体回路や抵抗やインダクタ、コンデンサを設けたものであってもよい。なお、本発明の多層基板の作製方法は、上記に限定されるものではなく、ビルドアップ、一括積層などの方法も好ましい例として挙げられる。
As the glass substrate in the inorganic substrate used in the present invention, a conventionally known glass substrate can be used, but a substrate using photosensitive glass is preferably used. A conventionally known ceramic substrate can be used as the ceramic substrate, and it is made of ceramics such as alumina, zirconia, mullite, cordierite, steatite, magnesium titanate, calcium titanate, strontium titanate, aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, etc. Is mentioned.
Further, the inorganic substrate may be provided with through holes, conductor circuits, resistors, inductors, and capacitors. In addition, the manufacturing method of the multilayer board | substrate of this invention is not limited above, The methods, such as buildup and collective lamination, are also mentioned as a preferable example.

以下、実施例および比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。なお、以下の実施例における物性の評価方法は以下の通りである。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated more concretely, this invention is not limited by a following example. In addition, the evaluation method of the physical property in the following examples is as follows.

1.ポリアミド酸の還元粘度(ηsp/C)
ポリマー濃度が0.2g/dlとなるようにN−メチル−2−ピロリドン(又は、N,N−ジメチルアセトアミド)に溶解した溶液をウベローデ型の粘度管により30℃で測定した。
1. Reduced viscosity of polyamic acid (ηsp / C)
A solution dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (or N, N-dimethylacetamide) so that the polymer concentration was 0.2 g / dl was measured at 30 ° C. with an Ubbelohde type viscosity tube.

2.ポリイミドフィルムの厚さ
測定対象のポリイミドフィルムについて、マイクロメーター(ファインリューフ社製、ミリトロン1245D)を用いて測定した。
2. The thickness of the polyimide film The polyimide film to be measured was measured using a micrometer (Minetron 1245D, manufactured by Fine Reef).

3.ポリイミドフィルムの厚さ斑
測定対象のポリイミドフィルムについて、幅方向(TD)については、幅方向1cm間隔で全幅測定し、その間の平均厚さ及び最大厚さ、最小厚さを出し、下式を用いて計算した。また、長手方向(MD)については、長手方向5cm間隔で5m分測定し、その間の平均厚さ及び最大厚さ、最小厚さを出し、下式を用いて計算した。
厚さ斑(%)=((最大厚さ−最小厚さ)/平均厚さ)×100
3. Thickness unevenness of polyimide film About the polyimide film to be measured, in the width direction (TD), measure the full width at intervals of 1 cm in the width direction, and calculate the average thickness, maximum thickness, and minimum thickness between them, and use the following formula Calculated. Moreover, about the longitudinal direction (MD), it measured for 5 m by 5 cm space | interval of the longitudinal direction, the average thickness in the meantime, the maximum thickness, and the minimum thickness were taken out, and it calculated using the following Formula.
Thickness unevenness (%) = ((maximum thickness−minimum thickness) / average thickness) × 100

4.ポリイミドフィルムの引張弾性率、引張破断強度、及び引張破断伸
測定対象のポリイミドフィルムについて、下記条件で引張破壊試験を行い、MD方向について、引張弾性率、引張破断強度および引張破断伸度を測定した。
装置名 : 島津製作所社製 オートグラフ
サンプル長さ : 100mm
サンプル幅 : 10mm
引張り速度 : 50mm/min
チャック間距離 : 40mm
4). Tensile modulus, tensile breaking strength, and tensile breaking elongation of the polyimide film were measured for the polyimide film to be measured under the following conditions, and the tensile modulus, tensile breaking strength, and tensile breaking elongation were measured in the MD direction. .
Device name: Autograph made by Shimadzu Corporation
Sample length: 100mm
Sample width: 10mm
Pulling speed: 50mm / min
Distance between chucks: 40 mm

5.ポリイミドフィルムの線膨張係数(CTE)
測定対象のポリイミドフィルムについて、下記条件にてMD方向およびTD方向の伸縮率を測定し、90〜100℃、100〜110℃、…と10℃の間隔での伸縮率/温度を測定し、この測定を400℃まで行い、100℃から350℃までの全測定値の平均値をCTE(ppm/℃)として算出した。
装置名 : MACサイエンス社製 TMA4000S
サンプル長さ : 10mm
サンプル幅 : 2mm
昇温開始温度 : 25℃
昇温終了温度 : 400℃
昇温速度 : 5℃/min
雰囲気 : アルゴン
5. Linear expansion coefficient (CTE) of polyimide film
For the polyimide film to be measured, the stretch rate in the MD direction and the TD direction is measured under the following conditions, and the stretch rate / temperature at intervals of 90 to 100 ° C., 100 to 110 ° C.,. The measurement was performed up to 400 ° C., and the average value of all measured values from 100 ° C. to 350 ° C. was calculated as CTE (ppm / ° C.).
Device name: TMA4000S manufactured by MAC Science
Sample length: 10mm
Sample width: 2mm
Temperature rise start temperature: 25 ° C
Temperature rise end temperature: 400 ° C
Temperature increase rate: 5 ° C / min
Atmosphere: Argon

6.ポリイミドフィルムの吸水率
ポリイミドフィルムの吸水率は、フィルムを約10cm×10cmにカットして試験とし、試験片を150℃のドライオーブンにて1時間乾燥し、直後にその質量を測定し初期値とし、ついで25℃のイオン交換水に試験片を24時間入れ、その後に表面の水滴を十分に拭き取って再秤量し吸水値とした。下記式より吸水率を求めた。
吸水率=100×(吸水値−初期値)/(初期値) [質量%]
6). Water absorption rate of the polyimide film The water absorption rate of the polyimide film was determined by cutting the film to about 10 cm x 10 cm, and drying the test piece for 1 hour in a dry oven at 150 ° C. Then, the test piece was placed in ion exchange water at 25 ° C. for 24 hours, and then water droplets on the surface were sufficiently wiped off and reweighed to obtain a water absorption value. The water absorption was determined from the following formula.
Water absorption rate = 100 × (water absorption value−initial value) / (initial value) [mass%]

7.接着剤のガラス転移温度
測定対象の接着剤について、下記条件で粘弾性測定(DMA)を行い、tanδピークの最大値よりガラス転移温度(℃)を求めた。
装置名 : ユービーエム社製 Rheogel−E4000
冶具 : 伸張冶具
試料長さ : 14mm
試料幅 : 5mm
周波数 : 10Hz
昇温開始温度 : 30℃
昇温速度 : 5℃/min
雰囲気 : 窒素
7). Glass transition temperature of adhesive The viscoelasticity measurement (DMA) of the adhesive to be measured was performed under the following conditions, and the glass transition temperature (° C.) was determined from the maximum value of the tan δ peak.
Device name: Rheogel-E4000 manufactured by UBM
Jig: Stretch jig
Sample length: 14mm
Sample width: 5 mm
Frequency: 10Hz
Temperature rising start temperature: 30 ° C
Temperature increase rate: 5 ° C / min
Atmosphere: Nitrogen

8.接着剤の5%重量減少温度
測定対象の接着剤について、下記条件で熱天秤測定(TGA)を行い、試料の重量が5%減る温度を5%重量減少温度(℃)とした。
装置名 : MACサイエンス社製 TG−DTA2000S
パン : アルミパン(非気密型)
試料重量 : 10mg
昇温開始温度 : 30℃
昇温速度 : 20℃/min
雰囲気 : 窒素
8). 5% weight reduction temperature of adhesive The adhesive to be measured was subjected to thermobalance measurement (TGA) under the following conditions, and the temperature at which the weight of the sample was reduced by 5% was defined as a 5% weight reduction temperature (° C.).
Device name: TG-DTA2000S manufactured by MAC Science
Bread: Aluminum bread (non-airtight type)
Sample weight: 10mg
Temperature rising start temperature: 30 ° C
Temperature increase rate: 20 ° C / min
Atmosphere: Nitrogen

9.剥離強度
サンプルの剥離強度は下記条件で180度剥離試験を行うことで求めた。
装置名 : 島津製作所社製 オートグラフAG−IS
サンプル長さ : 100mm
サンプル幅 : 10mm
測定温度 : 30℃
剥離速度 : 50mm/min
雰囲気 : 大気
9. Peel strength The peel strength of the sample was determined by conducting a 180 degree peel test under the following conditions.
Device name: Autograph AG-IS, manufactured by Shimadzu Corporation
Sample length: 100mm
Sample width: 10mm
Measurement temperature: 30 ° C
Peeling speed: 50mm / min
Atmosphere: Atmosphere

〔製造例1〕
(ポリイミドフィルムAの作成)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、5−アミノ−2−(p−アミノフェニル)ベンゾオキサゾール223質量部、N,N−ジメチルアセトアミド4416質量部を加えて完全に溶解させた後,コロイダルシリカをジメチルアセトアミドに分散してなるスノーテックス(登録商標)DMAC−ST30(日産化学工業株式会社製)40.5質量部(シリカを8.1質量部含む)、ピロメリット酸二無水物217質量部を加え、25℃の反応温度で24時間攪拌すると、褐色で粘調なポリアミド酸溶液Aが得られた。この還元粘度は3.9dl/gであった。
このポリアミド酸溶液Aを、ポリエチレンテレフタレート製フィルムA−4100(東洋紡績株式会社製)の無滑剤面上に、コンマコーターを用いてコーティングし、110℃にて5分間乾燥後、支持体から剥がさずにポリアミド酸フィルムを巻き取った。ポリアミド酸フィルムを3つの熱処理ゾーンを有するピンテンターに通し、一段目150℃×2分間、2段目220℃×2分間、3段目475℃×4分間の熱処理を行い、テンター通過後20分間に6本のロールを通過させて両面フリーのプロセスを与え、最終的に500mm幅にスリットして、厚さ25μmのポリイミドフィルムAを得た。
得られたポリイミドフィルムAの物性値を表1に示す。
[Production Example 1]
(Preparation of polyimide film A)
The inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was replaced with nitrogen, and then 223 parts by mass of 5-amino-2- (p-aminophenyl) benzoxazole and 4416 parts by mass of N, N-dimethylacetamide were added. 40.5 parts by mass of Snowtex (registered trademark) DMAC-ST30 (Nissan Chemical Industry Co., Ltd.) obtained by dispersing colloidal silica in dimethylacetamide (including 8.1 parts by mass of silica) When 217 parts by mass of pyromellitic dianhydride was added and stirred at a reaction temperature of 25 ° C. for 24 hours, a brown and viscous polyamic acid solution A was obtained. This reduced viscosity was 3.9 dl / g.
This polyamic acid solution A was coated on a non-lubricant surface of polyethylene terephthalate film A-4100 (manufactured by Toyobo Co., Ltd.) using a comma coater, dried at 110 ° C. for 5 minutes, and then not peeled off from the support. The polyamic acid film was wound up. The polyamic acid film is passed through a pin tenter having three heat treatment zones, the first stage is 150 ° C. × 2 minutes, the second stage is 220 ° C. × 2 minutes, the third stage is 475 ° C. × 4 minutes, and 20 minutes after passing through the tenter. Six rolls were passed to give a double-side free process, and finally slit to a width of 500 mm to obtain a polyimide film A having a thickness of 25 μm.
The physical property values of the obtained polyimide film A are shown in Table 1.

〔製造例2〕
(ポリイミドフィルムBの作成)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、ジアミノジフェニルエーテル200質量部、N−メチル−2−ピロリドン4170質量部を加えて完全に溶解させた後、コロイダルシリカをジメチルアセトアミドに分散してなるスノーテックス(登録商標)DMAC−ST30(日産化学工業株式会社製)40.5質量部(シリカを8.1質量部含む)、ピロメリット酸二無水物217質量部を加え、25℃の反応温度で5時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液Bが得られた。この還元粘度は3.6dl/gであった。
このポリアミド酸溶液Bを、ポリエチレンテレフタレート製フィルムA−4100(東洋紡績株式会社製)の無滑剤面上に、コンマコーターを用いてコーティングし、110℃にて5分間乾燥後、支持体から剥がさずにポリアミド酸フィルムを巻き取った。ポリアミド酸フィルムを3つの熱処理ゾーンを有するピンテンターに通し、一段目150℃×2分間、2段目220℃×2分間、3段目400℃×4分間の熱処理を行い、テンター通過後20分間に6本のロールを通過させて両面フリーのプロセスを与え、最終的に500mm幅にスリットして、厚さ25μmのポリイミドフィルムBを得た。
得られたポリイミドフィルムBの物性値を表1に示す。
[Production Example 2]
(Preparation of polyimide film B)
After the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was purged with nitrogen, 200 parts by mass of diaminodiphenyl ether and 4170 parts by mass of N-methyl-2-pyrrolidone were added and completely dissolved, and then colloidal silica was added. 40.5 parts by mass of Snowtex (registered trademark) DMAC-ST30 (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) dispersed in dimethylacetamide (including 8.1 parts by mass of silica), 217 parts by mass of pyromellitic dianhydride In addition, when the mixture was stirred at a reaction temperature of 25 ° C. for 5 hours, a brown viscous polyamic acid solution B was obtained. This reduced viscosity was 3.6 dl / g.
This polyamic acid solution B was coated on the non-lubricant surface of polyethylene terephthalate film A-4100 (manufactured by Toyobo Co., Ltd.) using a comma coater, dried at 110 ° C. for 5 minutes, and then not peeled off from the support. The polyamic acid film was wound up. The polyamic acid film is passed through a pin tenter having three heat treatment zones, the first stage is 150 ° C. × 2 minutes, the second stage is 220 ° C. × 2 minutes, the third stage is 400 ° C. × 4 minutes, and 20 minutes after passing through the tenter. Six rolls were passed to give a double-side free process, and finally slit to a width of 500 mm to obtain a polyimide film B with a thickness of 25 μm.
Table 1 shows the physical property values of the obtained polyimide film B.

〔製造例3〕
(ポリイミドフィルムCの作成)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、フェニレンジアミン108質量部、N−メチル−2−ピロリドン4010質量部を加えて完全に溶解させた後、コロイダルシリカをジメチルアセトアミドに分散してなるスノーテックス(登録商標)DMAC−ST30(日産化学工業株式会社製)40.5質量部(シリカを8.1質量部含む)と、ジフェニルテトラカルボン酸二無水物292.5質量部を加え、25℃の反応温度で12時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液Cが得られた。この還元粘度は4.3dl/gであった。
このポリアミド酸溶液Cを、ポリエチレンテレフタレート製フィルムA−4100(東洋紡績株式会社製)の無滑剤面上に、コンマコーターを用いてコーティングし、110℃にて5分間乾燥後、支持体から剥がさずにポリアミド酸フィルムを巻き取った。ポリアミド酸フィルムを3つの熱処理ゾーンを有するピンテンターに通し、一段目150℃×2分間、2段目220℃×2分間、3段目460℃×4分間の熱処理を行い、テンター通過後20分間に6本のロールを通過させて両面フリーのプロセスを与え、最終的に500mm幅にスリットして、厚さ25μmのポリイミドフィルムCを得た。
得られたポリイミドフィルムCの物性値を表1に示す。
[Production Example 3]
(Preparation of polyimide film C)
After the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was replaced with nitrogen, 108 parts by mass of phenylenediamine and 4010 parts by mass of N-methyl-2-pyrrolidone were added and completely dissolved, and then colloidal silica was added. 40.5 parts by mass of Snowtex (registered trademark) DMAC-ST30 (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) dispersed in dimethylacetamide (including 8.1 parts by mass of silica), diphenyltetracarboxylic dianhydride 292. When 5 parts by mass was added and stirred for 12 hours at a reaction temperature of 25 ° C., a brown viscous polyamic acid solution C was obtained. This reduced viscosity was 4.3 dl / g.
This polyamic acid solution C was coated on the non-lubricant surface of polyethylene terephthalate film A-4100 (manufactured by Toyobo Co., Ltd.) using a comma coater, dried at 110 ° C. for 5 minutes, and then not peeled off from the support. The polyamic acid film was wound up. The polyamic acid film is passed through a pin tenter having three heat treatment zones, the first stage 150 ° C. × 2 minutes, the second stage 220 ° C. × 2 minutes, the third stage 460 ° C. × 4 minutes, and after passing through the tenter 20 minutes Six rolls were passed to give a double-side free process, and finally slit to a width of 500 mm to obtain a polyimide film C having a thickness of 25 μm.
Table 1 shows the physical property values of the obtained polyimide film C.

Figure 2009182073
Figure 2009182073

〔製造例4〕
(溶媒可溶ポリイミド系接着剤Aの調製)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、ベンゾフェノン−3,3′,4,4′−テトラカルボン酸二無水物145g(0.45モル)、ピロメリト酸二無水物10.91g(0.05モル)、及びナトリウムメチレート0.2g(0.0037モル)をDMF597gに溶解した。反応混合物を80℃に加熱し、80%の2,4−異性体、及び20%の2,6−異性体からなるトルエンジイソシアネート87.08g(0.5モル)を、窒素雰囲気中、定速攪拌下に4時間かけて滴加した。その後、最終的重縮合溶液をCO発生が終了するまで80℃で1時間攪拌して、溶媒可溶ポリイミド系接着剤Aを得た。
得られた溶媒可溶ポリイミド系接着剤Aのポリマーのガラス転移温度は340℃、5%重量減少温度は450℃であった。
[Production Example 4]
(Preparation of solvent-soluble polyimide adhesive A)
After the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was purged with nitrogen, 145 g (0.45 mol) of benzophenone-3,3 ′, 4,4′-tetracarboxylic dianhydride, pyromellitic acid 2 Anhydrous 10.91 g (0.05 mol) and sodium methylate 0.2 g (0.0037 mol) were dissolved in 597 g of DMF. The reaction mixture was heated to 80 ° C., and 87.08 g (0.5 mol) of toluene diisocyanate composed of 80% of 2,4-isomer and 20% of 2,6-isomer was added at a constant rate in a nitrogen atmosphere. Add dropwise over 4 hours under stirring. Thereafter, the final polycondensation solution was stirred at 80 ° C. for 1 hour until CO 2 generation was completed to obtain a solvent-soluble polyimide adhesive A.
The solvent-soluble polyimide adhesive A polymer obtained had a glass transition temperature of 340 ° C. and a 5% weight loss temperature of 450 ° C.

〔製造例5〕
(溶媒可溶ポリイミド系接着剤Bの調製)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、ポリエーテルイミド(ゼネラル・エレクトリック社製、商品名:Ultem1000)を20質量%になるようジメチルアセトアミドに溶解させ、ポリイミド系接着剤Bを得た。
得られたポリイミド系接着剤Bのポリマーのガラス転移温度は228℃、5%重量減少温度は506℃であった。
[Production Example 5]
(Preparation of solvent-soluble polyimide adhesive B)
After replacing the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod with nitrogen, polyetherimide (manufactured by General Electric Co., Ltd., trade name: Ultem1000) was dissolved in dimethylacetamide so as to be 20% by mass, and polyimide A system adhesive B was obtained.
The polymer of the obtained polyimide adhesive B had a glass transition temperature of 228 ° C. and a 5% weight loss temperature of 506 ° C.

〔製造例6〕
(溶媒可溶ポリイミド系接着剤Cの調製)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物73.56g、ジアミノポリシロキサン88g、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン61.58g、及びN−メチル−2−ピロリドン1000gを仕込んだ。60℃で約2時間攪拌させた後、水を除去しながら200℃で3時間攪拌しながら反応させた。反応後、反応液を10リットル水中に添加して、ホモミキサ−を使用して30分間で析出させ、濾過によりポリマー粉末を単離した。このポリマー粉末について5リットルの2−プロパノ−ル中でホモミキサ−を使用して80℃で1時間洗浄を2回行い、120℃で5時間熱風乾燥後、120℃で24時間真空乾燥した後、テトラヒドロフランを加え、固形分濃度が20質量%の溶媒可溶ポリイミド系接着剤Cを得た。
得られた溶媒可溶ポリイミド系接着剤Cのポリマーのガラス転移温度は192℃、5%重量減少温度は495℃であった。
[Production Example 6]
(Preparation of solvent-soluble polyimide adhesive C)
After the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was purged with nitrogen, 73,56 g of 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 88 g of diaminopolysiloxane, 2,2 61.58 g of bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane and 1000 g of N-methyl-2-pyrrolidone were charged. After stirring at 60 ° C. for about 2 hours, the reaction was carried out with stirring at 200 ° C. for 3 hours while removing water. After the reaction, the reaction solution was added to 10 liters of water, precipitated for 30 minutes using a homomixer, and polymer powder was isolated by filtration. This polymer powder was washed twice at 80 ° C. for 1 hour using a homomixer in 5 liters of 2-propanol, dried with hot air at 120 ° C. for 5 hours, and then vacuum dried at 120 ° C. for 24 hours. Tetrahydrofuran was added to obtain a solvent-soluble polyimide adhesive C having a solid concentration of 20% by mass.
The solvent-soluble polyimide adhesive C polymer obtained had a glass transition temperature of 192 ° C. and a 5% weight loss temperature of 495 ° C.

〔製造例7〕
(溶媒可溶ポリイミド系接着剤Dの調製)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物63.2g、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン63.57g、分子量が750のビス( 3−アミノプロピル)ポリメチルシロキサン 62.11g、及びキシレン315gを仕込んだ。150℃で約1時間反応させた後、水を除去しながら165℃で18時間攪拌しながら反応させた。反応後、減圧下で残存するキシレンを留去し、N−メチル−2−ピロリドンを加え、固形分濃度が20質量%の溶媒可溶ポリイミド系接着剤Dを得た。
得られた溶媒可溶ポリイミド系接着剤Dのポリマーのガラス転移温度は186℃、5%重量減少温度は366℃であった。
[Production Example 7]
(Preparation of solvent-soluble polyimide adhesive D)
The inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer and a stirring rod was purged with nitrogen, and then 63.2 g of 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) ) Phenyl] propane 63.57 g, 62.11 g of bis (3-aminopropyl) polymethylsiloxane having a molecular weight of 750, and 315 g of xylene were charged. After reacting at 150 ° C. for about 1 hour, the reaction was carried out with stirring at 165 ° C. for 18 hours while removing water. After the reaction, the remaining xylene was distilled off under reduced pressure, and N-methyl-2-pyrrolidone was added to obtain a solvent-soluble polyimide adhesive D having a solid concentration of 20% by mass.
The solvent-soluble polyimide adhesive D polymer obtained had a glass transition temperature of 186 ° C. and a 5% weight loss temperature of 366 ° C.

〔製造例8〕
(溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤Aの調製)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、トリメリット酸無水物190g、及びオキシジアニリンジイソシアネート250gを仕込み、さらにN−メチル−2−ピロリドンをポリマー濃度が40%となるように仕込んだ。120℃で約1時間反応させた後、180℃に昇温して5時間攪拌しながら反応させた。次に加熱を止め、冷却しながら、さらにN−メチル−2−ピロリドンを加え希釈して、固形分濃度が20質量%の溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤Aを得た。
得られた溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤Aのポリマーのガラス転移温度は290℃、5%重量減少温度は495℃であった。
[Production Example 8]
(Preparation of Solvent Soluble Polyamideimide Adhesive A)
The inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was purged with nitrogen, and then 190 g of trimellitic anhydride and 250 g of oxydianiline diisocyanate were added, and N-methyl-2-pyrrolidone was added at a polymer concentration of 40. It was charged to become%. After making it react at 120 degreeC for about 1 hour, it heated up at 180 degreeC and made it react, stirring for 5 hours. Next, while heating was stopped and cooling, N-methyl-2-pyrrolidone was further added and diluted to obtain a solvent-soluble polyamideimide-based adhesive A having a solid content concentration of 20% by mass.
The solvent-soluble polyamideimide-based adhesive A polymer obtained had a glass transition temperature of 290 ° C. and a 5% weight loss temperature of 495 ° C.

〔製造例9〕
(溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤Bの調製)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、トリメリット酸無水物192g、o−トリジンジイソシアネート211g(80モル%)、2,4−トリレンジイソシアネート35g、及びトリエチレンジアミン1gを仕込み、さらにN−メチル−2−ピロリドンをポリマー濃度が40%となるように仕込んだ。120℃で約1時間反応させた後、さらに180℃で5時間攪拌しながら反応させた。次に加熱を止め、冷却しながら、さらにN−メチル−2−ピロリドンを加え希釈して、固形分濃度が20質量%の溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤Bを得た。
得られた溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤Bのポリマーのガラス転移温度は320℃、5%重量減少温度は485℃であった。
[Production Example 9]
(Preparation of Solvent-Soluble Polyamideimide Adhesive B)
After the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was purged with nitrogen, 192 g of trimellitic anhydride, 211 g of o-tolidine diisocyanate (80 mol%), 35 g of 2,4-tolylene diisocyanate, 1 g of ethylenediamine was charged, and N-methyl-2-pyrrolidone was further charged so that the polymer concentration was 40%. After making it react at 120 degreeC for about 1 hour, it was made to react, further stirring at 180 degreeC for 5 hours. Next, while heating was stopped and cooling, N-methyl-2-pyrrolidone was further added and diluted to obtain a solvent-soluble polyamideimide-based adhesive B having a solid content concentration of 20% by mass.
The solvent-soluble polyamideimide-based adhesive B polymer obtained had a glass transition temperature of 320 ° C. and a 5% weight loss temperature of 485 ° C.

〔製造例10〕
(溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤Cの調製)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、トリメリット酸無水物190g、シクロヘキサンジカルボン酸172g、イソホロンジイソシアネート450g、及び末端アミノ基シリコン7.5gを仕込み、さらにN−メチル−2−ピロリドンをポリマー濃度が40%となるように仕込んだ。120℃で約1時間反応させた後、180℃に昇温して5時間攪拌しながら反応させた。次に加熱を止め、冷却しながら、さらにN−メチル−2−ピロリドンを加え希釈して、固形分濃度が20%の溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤Cを得た。
得られた溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤Cのポリマーのガラス転移温度は237℃、5%重量減少温度は360℃であった。
[Production Example 10]
(Preparation of Solvent Soluble Polyamideimide Adhesive C)
After the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was purged with nitrogen, 190 g of trimellitic anhydride, 172 g of cyclohexanedicarboxylic acid, 450 g of isophorone diisocyanate, and 7.5 g of terminal amino group silicon were charged. -Methyl-2-pyrrolidone was charged to a polymer concentration of 40%. After making it react at 120 degreeC for about 1 hour, it heated up at 180 degreeC and made it react, stirring for 5 hours. Next, while heating was stopped and cooling, N-methyl-2-pyrrolidone was further added and diluted to obtain a solvent-soluble polyamideimide-based adhesive C having a solid content concentration of 20%.
The solvent-soluble polyamideimide-based adhesive C polymer obtained had a glass transition temperature of 237 ° C. and a 5% weight loss temperature of 360 ° C.

〔製造例11〕
(溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤Dの調製)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン49.3質量部、反応性シリコーンオイル:X−22−161−A(信越化学工業株式会社製)48.3質量部、無水トリメリット酸60.5質量部、及びN−メチル−2−ピロリドン474質量部を仕込んだ。80℃で30分間反応させた後、トルエン100mlを加えてから160℃に昇温し、2時間還流させた。さらに、190℃まで昇温しトルエンを除去した。その後、溶液を室温に戻し、4,4′−ジフェニルメタンジイソシアネート45.1質量部を加え、190℃で2時間反応させ、さらにN−メチル−2−ピロリドンを加え希釈して、固形分濃度が20質量%の溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤Dを得た。
得られた溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤Dのポリマーのガラス転移温度は161℃、5%重量減少温度は373℃あった。
[Production Example 11]
(Preparation of Solvent-Soluble Polyamideimide Adhesive D)
After the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was purged with nitrogen, 49.3 parts by mass of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, reactive silicone oil: X -22-161-A (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 48.3 parts by mass, trimellitic anhydride 60.5 parts by mass, and N-methyl-2-pyrrolidone 474 parts by mass were charged. After reacting at 80 ° C. for 30 minutes, 100 ml of toluene was added, and then the temperature was raised to 160 ° C. and refluxed for 2 hours. Further, the temperature was raised to 190 ° C. to remove toluene. Thereafter, the solution is returned to room temperature, 45.1 parts by mass of 4,4′-diphenylmethane diisocyanate is added, and the mixture is reacted at 190 ° C. for 2 hours. Further, N-methyl-2-pyrrolidone is added to dilute to obtain a solid concentration of 20 A mass% solvent-soluble polyamideimide-based adhesive D was obtained.
The solvent-soluble polyamideimide-based adhesive D polymer obtained had a glass transition temperature of 161 ° C. and a 5% weight loss temperature of 373 ° C.

〔実施例1〕
ポリイミドフィルムA上の片面に、溶媒可溶ポリイミド系接着剤Aを塗布し、100℃にて1時間乾燥し、更にTg付近の温度(340℃)にて15分間加熱処理を行い、厚みが20μmとなるよう調整した。このポリイミドフィルムA/溶媒可溶ポリイミド系接着剤Aの2層品とセラミック基板(日本カーバイド工業社製、商品名:アルミナセラミック、厚さ1.0mm)を重ね合わせ、Tg+50℃(390℃)、10MPaにて15分間プレスを行い、テスト用多層基板1を得た。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表2に示す。
[Example 1]
A solvent-soluble polyimide-based adhesive A is applied to one side of the polyimide film A, dried at 100 ° C. for 1 hour, further heat-treated at a temperature near Tg (340 ° C.) for 15 minutes, and a thickness of 20 μm. It adjusted so that it might become. Two layers of this polyimide film A / solvent soluble polyimide-based adhesive A and a ceramic substrate (made by Nippon Carbide Industries Co., Ltd., trade name: alumina ceramic, thickness 1.0 mm) are superposed, Tg + 50 ° C. (390 ° C.), The test was performed at 10 MPa for 15 minutes to obtain a test multilayer substrate 1. The obtained test multilayer substrate was evaluated according to the following. The results are shown in Table 2.

〔実施例2〕
ポリイミドフィルムCを使用する以外は、実施例1と同様にして、多層基板2を得た。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表2に示す。
[Example 2]
A multilayer substrate 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the polyimide film C was used. The obtained test multilayer substrate was evaluated according to the following. The results are shown in Table 2.

〔実施例3〕
ガラス基板(コーニング社製、商品名:1737ガラス、厚さ1.0mm)を使用する以外は、実施例1と同様にして、多層基板3を得た。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表2に示す。
Example 3
A multilayer substrate 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that a glass substrate (manufactured by Corning, trade name: 1737 glass, thickness 1.0 mm) was used. The obtained test multilayer substrate was evaluated according to the following. The results are shown in Table 2.

〔実施例4〜7〕
溶媒可溶ポリイミド系接着剤B、C、溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤A、Bを使用する以外は、実施例1と同様にして、多層基板4〜7を得た。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表3に示す。
[Examples 4 to 7]
Multilayer substrates 4 to 7 were obtained in the same manner as in Example 1 except that solvent-soluble polyimide adhesives B and C and solvent-soluble polyamideimide adhesives A and B were used. The obtained test multilayer substrate was evaluated according to the following. The results are shown in Table 3.

〔比較例1〕
ポリイミドフィルムBを使用する以外は、実施例1と同様にして、多層基板8を得た。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表4に示す。
[Comparative Example 1]
A multilayer substrate 8 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the polyimide film B was used. The obtained test multilayer substrate was evaluated according to the following. The results are shown in Table 4.

〔比較例2〜4〕
溶媒可溶ポリイミド系接着剤D、溶媒可溶ポリアミドイミド系接着剤C、Dを使用する以外は、実施例1と同様にして、多層基板9〜11を得た。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表4に示す。
[Comparative Examples 2 to 4]
Multilayer substrates 9 to 11 were obtained in the same manner as in Example 1 except that the solvent-soluble polyimide adhesive D and the solvent-soluble polyamideimide adhesives C and D were used. The obtained test multilayer substrate was evaluated according to the following. The results are shown in Table 4.

《基板の評価》
得られたテスト用多層基板の加速試験を下記試験に供した。
上記で得られた、ポリイミドフィルム、接着剤、無機基板から成る各テストピースにつき、N雰囲気下で400℃1時間加熱処理した後の剥離強度を評価した。また、加熱処理後の品位も合わせて評価した。
なお、得られた剥離強度のうち5N/cm以上のものを○、1N/cm以上5N/cm未満のものを△、1N/cm未満のものを×とした。また、外観観察により、接着剤が変色しなかったものを○、茶色く変色したものを△、黒く変色したものを×とした。また、剥がれ,膨れの全く見られないものを○、剥がれ,膨れが僅か見られるものを△、剥がれ,膨れが見られるものを×とした。
<Evaluation of substrate>
The acceleration test of the obtained test multilayer substrate was subjected to the following test.
Obtained above, a polyimide film, an adhesive, for each test piece composed of an inorganic substrate was evaluated for peeling strength after heat treatment 400 ° C. 1 hour under N 2 atmosphere. The quality after the heat treatment was also evaluated.
Of the obtained peel strengths, those of 5 N / cm or more were evaluated as ◯, those of 1 N / cm or more and less than 5 N / cm were evaluated as Δ, and those of less than 1 N / cm as X. In addition, according to the appearance observation, those in which the adhesive was not discolored were rated as “◯”, those that were browned as “Δ”, and those that were blackened as “×”. In addition, the case where peeling or swelling was not observed at all was rated as ◯, the case where peeling or swelling was slightly observed was indicated as Δ, and the case where peeling or swelling was observed was rated as ×.

Figure 2009182073
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本発明の多層基板は、温度変化に対して安定化するとともに正確な値を維持することができ、ポリイミドフィルム層に導体回路が形成できるため細密回路が形成できるので、基板の実装密度が向上し小型化が可能となり、無機基板をその内部に有しているため多層基板としての湾曲が抑えられかつ、無機基板とポリイミドフィルム層との線膨張係数の乖離がなく、そのために多層基板の反りや基板内での剥がれなどが少ないため多層基板として極めて有用である。さらに接着剤がワニス状態で安定であり、そのため歩留まりが向上し、製造工程が簡略化でき(生産性が良い)、イミド化の必要がなく、絶縁層フィルムの品質が良く厚み斑が小さい多層基板を得ることができる。
さらに温度サイクル下、および高温高湿度下での接着信頼性を兼ね備え、さらに無機基板との線膨張係数差が小さく、ベアチップ実装時の接続信頼性が高いインターポーザ用多層基板を作製することが可能であり、産業上極めて有意義なものである。
無機基板のガスバリア性はきわめて高い為、ガスバリア性を必要とする用途にも最適となり、そこに接着した部分についても、ガス透過が少なくなり、きわめて高い信頼性を有することとなり、産業上極めて有意義なものである。
The multilayer substrate of the present invention can be stabilized against temperature changes and can maintain an accurate value, and since a conductor circuit can be formed on the polyimide film layer, a fine circuit can be formed, thereby improving the mounting density of the substrate. It is possible to reduce the size, and since the inorganic substrate is included therein, the curvature of the multilayer substrate is suppressed, and there is no difference in the coefficient of linear expansion between the inorganic substrate and the polyimide film layer. Since there is little peeling in the substrate, it is extremely useful as a multilayer substrate. In addition, the adhesive is stable in the varnish state, which improves the yield, simplifies the manufacturing process (good productivity), does not require imidization, has a good insulating layer film quality, and a small thickness variation. Can be obtained.
Furthermore, it is possible to produce a multi-layer substrate for interposers that has adhesive reliability under temperature cycling and high temperature and high humidity, has a small difference in linear expansion coefficient from inorganic substrates, and has high connection reliability when mounting bare chips. Yes, it is very meaningful in industry.
Since the gas barrier property of the inorganic substrate is extremely high, it is optimal for applications that require gas barrier properties, and even the part bonded to it has less gas permeation and has extremely high reliability. Is.

Claims (4)

ポリイミドフィルムが接着剤を介して無機基板に積層された構成を有する多層基板において、前記ポリイミドフィルムが芳香族テトラカルボン酸類と芳香族ジアミン類とを反応させて得られるポリイミドを主成分とし、かつ線膨張係数が10ppm/℃以下であるポリイミドフィルムであり、前記接着剤の5%重量減少温度が400℃以上であり、かつ有機溶媒可溶性のポリイミドまたはポリアミドイミドであることを特徴とする多層基板。   In a multilayer substrate having a structure in which a polyimide film is laminated on an inorganic substrate through an adhesive, the polyimide film is mainly composed of polyimide obtained by reacting aromatic tetracarboxylic acids and aromatic diamines, and a wire A multilayer substrate characterized by being a polyimide film having an expansion coefficient of 10 ppm / ° C. or less, a 5% weight reduction temperature of the adhesive of 400 ° C. or more, and an organic solvent-soluble polyimide or polyamideimide. ポリイミドフィルムが、芳香族テトラカルボン酸無水物類とベンゾオキサゾール構造を有するジアミン類との縮合から得られるポリイミドベンゾオキサゾールを主成分とするポリイミドフィルムである請求項1に記載の多層基板。   The multilayer substrate according to claim 1, wherein the polyimide film is a polyimide film mainly composed of polyimide benzoxazole obtained by condensation of aromatic tetracarboxylic acid anhydrides and diamines having a benzoxazole structure. 接着剤が、ベンゾフェノン構造を有する芳香族テトラカルボン酸類と芳香族ジアミン類とを反応させて得られるポリイミドを主成分とするものである請求項1又は2に記載の多層基板。   The multilayer substrate according to claim 1 or 2, wherein the adhesive is mainly composed of polyimide obtained by reacting an aromatic tetracarboxylic acid having a benzophenone structure and an aromatic diamine. 無機基板が、セラミック基板又はガラス基板である請求項1〜3いずれかに記載の多層基板。   The multilayer substrate according to claim 1, wherein the inorganic substrate is a ceramic substrate or a glass substrate.
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