JP2009177030A - 光送信モジュール及び光伝送装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光変調器から出力された信号による、半導体レーザ素子から出力される光の波形の乱れを抑えることができる、同軸型の光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュールは、同軸型の光送信パッケージと、光送信パッケージに接合される配線基板４０とを有する。光送信パッケージは、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子から出力される光を変調する光変調部と、半導体レーザ素子及び光変調部と電気的に接続される導体基板２１とを備え、配線基板４０に、半導体レーザ素子に駆動電流を供給する駆動電流供給線４２と、導体基板２１と共通グラウンドとを電気的に接続する共通グラウンド線とが形成され、一端が共通グラウンド線と電気的に接続され、他端が駆動電流供給線４２と電気的に接続される信号減衰回路６０が、配線基板４０上に設けられている。
【選択図】図３

Description

本発明は、光送信モジュール及び光伝送装置に関する。

通信速度が２．５Ｇｂｉｔ／ｓ以上の中長距離用の光送信モジュールの光源では、電界吸収型変調器（ＥＡ）と半導体レーザ素子（ＬＤ）とが搭載されたＥＡ集積型ＬＤと呼ばれる光送信モジュールが広く用いられている。このような光送信モジュールは、高周波信号を電界吸収型変調器に与えることにより、半導体レーザ素子から出力された一定の安定した光を高速変調して光信号を出力するようになっている。

このような光送信モジュールにおいて、低コストで製造が容易な同軸型パッケージを採用する要求が高まっている。しかし、このような光送信モジュールは温度変動の影響を受けやすいため、温度変化による光出力強度や高速応答特性が劣化しないよう、温度一定制御が不可欠だった。そのため、消費電力の大きな温度制御素子を光送信モジュール内部に搭載することが不可欠だった。そして、温度制御素子の搭載スペースを確保するため、このような光送信モジュールにおいては、従来は、例えば、特許文献１の図６（１）や図２２に開示されているような、バタフライ型の光送信パッケージを用いることが主流であった。

近年、非特許文献１に開示されているように、温度一定制御が不要なＥＡ集積型ＬＤが登場した。このことにより、光送信パッケージ内部への温度制御素子の搭載が不要となった。また、光送受信機の小型化の要求が強くなっていることから、光ファイバをインタフェースとするピグテイル型光送受信機に代わって、光コネクタをインタフェースとするレセプタクル型光送受信機が主流となってきている。レセプタクル型光送受信機においては、光ファイバの挿抜時に光送信モジュールに直接機械的応力が加わることから、光送信モジュールのリード端子と光送受信機内部の回路基板パッド部とのはんだ接続の信頼性が著しく低下する懸念があり、これを回避する手段として両者の接合部分に、ベースフィルム上に形成された導体箔により電気配線が形成され、柔軟性により繰り返し変形させることが可能で、変形してもその電気的特性が維持されるフレキシブル基板が多く用いられるようになってきた。また、光送信モジュールや光受信モジュールの電気的・光学的仕様、外形仕様の共通化を目的とした１０Ｇｂｉｔ／ｓ小型モジュール用マルチソース・アグリーメント（ＸＭＤ−ＭＳＡ）においては、フレキシブル基板を使用することが共通仕様となっている。

図１１の、電界吸収型変調器などの光変調部２４を備えた光送信モジュール１０の等価回路図に示すように、光変調部２４を備えた光送信モジュール１０においては、光変調部２４から漏れ出す信号、すなわち、光変調部２４から出力される信号が半導体レーザ素子２３に回り込み、半導体レーザ素子２３から出力される光の波形が乱れることがある。

図１２は、図１１の等価回路図に示す光送信モジュール１０の周波数応答特性の一例を示す図である。図１３は、図１１の等価回路図に示す光送信モジュール１０の光出力波形の一例を示す図である。図１２に示されているように、図１１の等価回路図に示す光送信モジュール１０においては、数ＧＨｚ帯にいくつかのディップ９０が見受けられる。これらのディップ９０の影響により、図１３に示すように、光出力波形のアイ開口度が劣化する。

特許文献１には、バタフライ型の光送信パッケージを備えた光送信モジュールにおいて、光送信パッケージ内部に積層型コンデンサを搭載することにより、光変調部から出力される信号の半導体レーザ素子への影響を低減した技術が開示されている。このような技術を用いれば、半導体レーザ素子から出力される光の波形が安定する。
特許第３３３０４５１号 Optical Fiber Communication Conference 2005,PDP14,200

しかし、光送信パッケージの内部の容積が小さな同軸型の光送信パッケージを備えた光送信モジュールでは、光送信パッケージの内部に積層型コンデンサを搭載することが困難である。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、光変調部から出力された信号による、半導体レーザ素子から出力される光の波形の乱れを抑えることができる、同軸型の光送信モジュールを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明に係る光送信モジュールは、同軸型の光送信パッケージと、前記光送信パッケージに接合される配線基板と、を有する光送信モジュールであって、前記光送信パッケージが、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出力される光を、入力される信号に基づいて変調する光変調部と、前記半導体レーザ素子及び前記光変調部と電気的に接続される導体基板と、を備え、前記配線基板に、前記半導体レーザ素子に駆動電流を供給する駆動電流供給線と、前記導体基板と共通グラウンドとを電気的に接続する共通グラウンド線と、が形成され、一端が前記共通グラウンド線と電気的に接続され、他端が前記駆動電流供給線と電気的に接続される、前記光変調部から出力される信号を減衰する信号減衰回路が、前記配線基板上に設けられていることを特徴とする。

本発明によれば、光送信パッケージの外部において、配線基板上に設けられている信号減衰回路によって、光変調部から出力される高周波の信号が減衰されることから、この信号が半導体レーザ素子に回り込むことによる影響が低減されるため、同軸型の光送信パッケージを備えた光送信モジュールであっても、光変調部から出力された信号による、半導体レーザ素子から出力される光の波形の乱れを抑えることができる。

また、本発明の一態様では、前記配線基板に、前記光変調部に入力される信号を供給する信号線が形成されている。この態様によれば、信号線を用いて光変調部に信号を供給することができる。

また、この態様では、前記駆動電流供給線の少なくとも一部と、前記信号線の少なくとも一部とが、略平行に形成されていてもよい。

また、本発明の一態様では、前記信号減衰回路が、前記配線基板が前記光送信パッケージに接合される面の反対面側の、前記配線基板上に設けられている。この態様によれば、信号減衰回路が設けられる面とは反対側の面で光送信パッケージと配電基板とが接合されるので、より容易に配電基板と光送信パッケージとを接合することができる。

また、本発明の一態様では、前記駆動電流供給線と、前記共通グラウンド線との間に、絶縁膜が形成されており、前記配線基板が、前記絶縁膜を貫通して、前記共通グラウンド線と電気的に接続する信号減衰回路接続用電極をさらに備え、前記信号減衰回路が、一端が前記信号減衰回路接続用電極と電気的に接続され、他端が前記駆動電流供給線と電気的に接続される。この態様によれば、駆動電流供給線と、前記共通グラウンド線との間に絶縁膜が形成されている配線基板であっても、配線基板上に信号減衰回路を設けることができる。

また、本発明の一態様では、前記信号減衰回路の一端が、前記共通グラウンド線上の、前記導体基板と電気的に接続される端部までの電気的な距離が、前記共通グラウンドと電気的に接続される端部までの電気的な距離より短い位置で、前記共通グラウンド線と電気的に接続されている。この態様によれば、信号減衰回路の一端が、共通グラウンド線上の、導体基板と電気的に接続される端部までの電気的な距離が、共通グラウンドと電気的に接続される端部までの電気的な距離より長い位置で、共通グラウンド線と電気的に接続されている場合と比較して、信号減衰回路によって減衰される信号が共通グラウンド線を流れる距離を短くすることができる。

また、本発明の一態様では、前記信号減衰回路が、積層型コンデンサを備える。この態様であれば、単層型コンデンサを備えた信号減衰回路を備えた光送信モジュールよりも、光変調部から出力される信号をより減衰させることができる。

また、本発明に係る光伝送装置は、上記光送信モジュールと、前記半導体レーザ素子に前記駆動電流を供給する駆動電源と、前記光変調部に入力される信号を生成する変調用信号生成回路と、を備えることを特徴とする。

以下、本発明の実施形態について図面に基づき詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る光送信モジュール１０の部分断面図の一例を示す図である。図２は、図１中の破線部内の領域を拡大した部分拡大断面図の一例を示す図である。図３は、光送信モジュール１０に接合される配線基板４０の平面図の一例を示す図である。図４は、図３中の矢印IV−IV線拡大断面図の一例を示す図である。図５は、本実施形態に係る光送信モジュール１０の等価回路図の一例を示す図である。

光送信モジュール１０は、同軸型の光送信パッケージ２０と、光送信パッケージ２０に接合される配線基板４０（例えば、フレキシブル基板）と、信号減衰回路６０と、を有している。

本実施形態における光送信パッケージ２０は、導体基板２１（例えば、金属ステム）と、搭載基板２２と、半導体レーザ素子２３と、光変調部２４（例えば、電界吸収型光変調器）と、収容部２５と、信号端子２６と、駆動電流供給端子２７と、共通グラウンド端子２８と、ワイヤ２９と、レンズ３０と、を少なくとも備えている。

導体基板２１には、搭載基板２２が搭載されている。そして、搭載基板２２上には、半導体レーザ素子２３と、光変調部２４とが搭載されている。このとき、半導体レーザ素子２３、及び、光変調部２４のそれぞれは、一方の配線が搭載基板２２上にはんだ接続されており、他方の配線が導体基板２１へ搭載基板２２上のパターンを介して接続されている。このようにして、導体基板２１は、半導体レーザ素子２３及び光変調部２４と電気的に接続される。

半導体レーザ素子２３から出力される光が光変調部２４に入力されるようにして、半導体レーザ素子２３と光変調部２４とは搭載基板２２上に配置されている。そして、光変調部２４は、半導体レーザ素子２３から出力される光を変調して出力する。

そして、導体基板２１には、光変調部２４に信号を供給する信号端子２６と、半導体レーザ素子２３に駆動電流を供給する駆動電流供給端子２７が貫通している。このとき、信号端子２６や駆動電流供給端子２７が導体基板２１と導通されないよう、導体基板２１の、信号端子２６と導体基板２１との間、及び、駆動電流供給端子２７と導体基板２１との間に、絶縁体であるガラスビーズ２１ａが形成されている。

そして、導体基板２１と、金属などの導体からなる収容部２５とは、半導体レーザ素子２３と、光変調部２４とが収容部２５に収容されるよう、溶接などにより接合される。また、導体基板２１には、収容部２５と接合する方向を定めるためのガイドとなる窪み２１ｂが、導体基板２１の外周に沿って、所定の角度毎（例えば、９０度毎）に形成されていてもよい。

光変調部２４から出力された光は、レンズ３０を経由して、収容部２５の先端部２５ａを通って、光送信パッケージ２０と接続される光ファイバ（図示せず）などへ出力される。

金属などの導体からなる共通グラウンド端子２８が、導体基板２１にロウ付けされており、導体基板２１と電気的に接続されている。共通グラウンド端子２８の機能については後述する。

光変調部２４は信号端子２６にワイヤ２９で接続されている。すなわち、光変調部２４と信号端子２６とはワイヤボンディングされている。また、半導体レーザ素子２３は駆動電流供給端子２７にワイヤ２９で接続されている。すなわち、半導体レーザ素子２３と駆動電流供給端子２７とはワイヤボンディングされている。また、光変調部２４及び半導体レーザ素子２３は、配線基板４０上に施された回路基板へ接続するための端子へ、はんだ接続によって電気的に接続されている。

配線基板４０には、信号線４１と、駆動電流供給線４２と、絶縁部材４３と、共通グラウンド線４４と、中間絶縁膜４５と、表面絶縁膜４６と、が形成されている。また、配線基板４０は信号減衰回路接続用電極４７を備えており、配線基板４０は信号減衰回路接続用電極４７と接触している。また、配線基板４０上に信号減衰回路６０が設けられている。

信号線４１と、駆動電流供給線４２と、共通グラウンド線４４とは、例えば、金属などの導体により構成されている。信号線４１、及び、駆動電流供給線４２は、それぞれ少なくとも一部が直線状に延在している。絶縁部材４３と、中間絶縁膜４５とは、例えば、樹脂などの絶縁体により構成されている。表面絶縁膜４６は、例えば、透明な樹脂などの、透明な絶縁体により構成されている。

共通グラウンド線４４の表面上には中間絶縁膜４５が形成されている。そして、中間絶縁膜４５の表面上に、信号線４１と、駆動電流供給線４２と、絶縁部材４３が形成されている。このように、駆動電流供給線４２と、共通グラウンド線４４との間に、中間絶縁膜４５が形成されていてもよい。このとき、信号線４１の表面と、駆動電流供給線４２の表面と、絶縁部材４３の表面とは、略同一平面上にある。このように、本実施形態においては、駆動電流供給線４２及び信号線４１が形成されている面と、共通グラウンド線４４が形成されている面とは異なる。このようにして、信号を伝達する伝送路がマイクロストリップラインとなるように配線基板４０を形成してもよい。なお、このように、信号線４１と、駆動電流供給線４２とは、概ね平行に配置されていてもよい。すなわち、配線基板４０は、信号線４１の少なくとも一部と駆動電流供給線４２の少なくとも一部が略平行になるよう形成されていてもよい。

そして、信号線４１の表面と、駆動電流供給線４２の表面と、絶縁部材４３の表面と、で形成される平面上に表面絶縁膜４６が形成されている。

また、中間絶縁膜４５が設けられている面とは逆側の共通グラウンド線４４の表面上にも表面絶縁膜４６が形成されている。

信号線４１は、一端が信号端子２６とはんだにより電気的に接続されており、他端が変調用信号生成回路８０（例えば、交流源）に電気的に接続されている。信号線４１は、光変調部２４に入力される信号を、変調用信号生成回路８０から受け取り、信号端子２６を経由して光変調部２４に供給する。

駆動電流供給線４２は、一端が駆動電流供給端子２７と、はんだにより電気的に接続されており、他端が駆動電源８１（例えば、定電流源）に電気的に接続されている。駆動電流供給線４２は、駆動電流を、駆動電源８１から受け取り、駆動電流供給端子２７を経由して半導体レーザ素子２３に供給する。

共通グラウンド線４４は、一端が共通グラウンド端子２８と、はんだにより電気的に接続されており、他端が共通グラウンド８２と電気的に接続されている。すなわち、共通グラウンド線４４は、導体基板２１と共通グラウンド８２とを電気的に接続している。半導体レーザ素子２３から出力される駆動電流や、光変調部２４から出力される信号は、共通グラウンド端子２８、共通グラウンド線４４を経由して共通グラウンド８２へと出力される。このようにして、半導体レーザ素子２３や光変調部２４は接地される。

信号減衰回路接続用電極４７は、例えば、金属などの導体である。信号減衰回路接続用電極４７は、絶縁部材４３及び中間絶縁膜４５を貫通して共通グラウンド線４４に達している。すなわち、信号減衰回路接続用電極４７は共通グラウンド線４４と電気的に接続している。そして、信号減衰回路接続用電極４７の表面は、信号線４１の表面と、駆動電流供給線４２の表面と、絶縁部材４３の表面とで形成される平面と、略同一平面上にある。

そして、信号減衰回路６０が、一端が信号減衰回路接続用電極４７と電気的に接続され、他端が駆動電流供給線４２と電気的に接続されている。具体的には、例えば、本実施形態のように信号減衰回路６０の両端には金属メッキ６０ａが施されている場合は、一方の金属メッキ６０ａが信号減衰回路接続用電極４７と接触し、他方の金属メッキ６０ａが駆動電流供給線４２と接触している。

このようにして、信号減衰回路６０は、一端が共通グラウンド線４４と電気的に接続され、他端が駆動電流供給線４２と電気的に接続される。信号減衰回路６０は、コンデンサ成分６１と抵抗成分６２を含んだ回路であり、光変調部２４から出力される信号を減衰する。なお、信号減衰回路６０は、積層型コンデンサを備えていてもよい。

このとき、図３に示すように、信号減衰回路６０が、光送信パッケージ２０に接合される面の反対面側の、配線基板４０上に設けられていてもよい。

また、信号減衰回路６０の一端が、共通グラウンド線４４上の、導体基板２１と電気的に接続される（例えば、共通グランド端子２８と接続される）端部までの電気的な距離（図３中ｄ_１）が、共通グラウンド８２と電気的に接続される端部までの電気的な距離（図３中ｄ_２）より短い位置で、共通グラウンド線４４と電気的に接続されていてもよい。より具体的には、例えば、共通グラウンド線４４上の、導体基板２１と電気的に接続される端部までの電気的な距離（図３中ｄ_１）が３ｍｍ以内であってもよい。

なお、図５の等価回路図には、本実施形態に係る光送信モジュールのインピーダンス要素８３が示されている。

駆動電源８１から駆動電流供給線４２、及び、駆動電流供給端子２７を経由して半導体レーザ素子２３に供給される駆動電流により、半導体レーザ素子２３は光を光変調部２４へ出力する。

光変調部２４には、半導体レーザ素子２３から出力される光が入力される。そして、光変調部２４は、変調用信号生成回路８０により生成され、信号線４１、及び、信号端子２６を経由して入力される信号に基づいて、入力された光を変調して、レンズ３０、光送信パッケージ２０の収容部２５の先端部２５ａを経由して、光送信パッケージ２０と接続される光ファイバ（図示せず）などへ出力する。

本実施形態において、変調用信号生成回路８０は、高周波の信号を生成する。そして、信号減衰回路６０中のコンデンサ成分６１及び抵抗成分６２が高周波数帯では数Ω前後のインピーダンス成分としてふるまうため、光変調部２４から出力され、共通グラウンド線４４、共通グラウンド８２を経由して、駆動電流供給線４２に回り込む信号を、信号減衰回路６０によって減衰することができる。

このことによって、半導体レーザ素子２３から出力される光の波形の乱れを抑えることができる。

また、信号減衰回路６０が配線基板４０上に設けられているため、信号減衰回路６０のサイズが大きくても、光送信パッケージ２０の収容部２５の容積を気にすることなく、光送信モジュール１０に信号減衰回路６０を設けることができる。

また、信号減衰回路６０によって、駆動電流供給線４２と信号線４１との間の電気的結合による狭帯域共振の半導体レーザ素子２３への影響の低減が期待できる。また、駆動電流供給線４２における電気的反射の半導体レーザ素子２３への影響の低減が期待できる。

図６は、コンデンサＡ、コンデンサＢ、及びコンデンサＣについてのインピーダンス−周波数特性の一例を示す図である。ここで、コンデンサＡは容量値が１００ｐＦであり、コンデンサＢ及びコンデンサＣは容量値が２２０ｐＦである。

図７は、信号減衰回路６０にコンデンサＡを使用したときの光送信モジュール１０の周波数応答特性の一例を示す図である。図８は、信号減衰回路６０にコンデンサＡを使用したときの光送信モジュール１０の光出力波形の一例を示す図である。

図７に示されているように、本実施形態に係る光送信モジュール１０にはディップ９０の存在が見受けられない。そのため、図８に示すように光出力波形のアイ開口度が、図１３に示す光出力波形と比較して改善されている。

図９は、信号減衰回路６０にコンデンサＢを使用したときの光送信モジュール１０の周波数応答特性の一例を示す図である。図１０は、信号減衰回路６０にコンデンサＣを使用したときの光送信モジュール１０の周波数応答特性の一例を示す図である。コンデンサＡ及びコンデンサＢにおいては、５Ｇｈｚ時のインピーダンスが約６Ωとなっており、コンデンサＣにおいては、５Ｇｈｚ時のインピーダンスが約０．５Ωとなっている。このことから、所望の周波数帯でのインピーダンスの値により減衰特性の相違があることがわかる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。

例えば、配線基板４０には、略同一平面上に、信号線４１、駆動電流供給線４２、共通グラウンド線４４が形成されていてもよい。具体的には、例えば、信号を伝達する伝送路がコプレーナラインとなるように配線基板４０を形成してもよい。

また、光変調部２４などの光変調部は、信号線４１と電気的に接続していればよく、信号端子２６を介して光変調部と信号線４１とが電気的に接続されていなくてもよい。

また、半導体レーザ素子２３は、駆動電流供給線４２と電気的に接続されていればよく、駆動電流供給端子２７を介して半導体レーザ素子２３と駆動電流供給線４２とが電気的に接続されていなくてもよい。

また、導体基板と共通グラウンド８２とは電気的に接続されていればよく、共通グランド端子２８を介して導体基板と共通グラウンド８２とが電気的に接続されていなくてもよい。

また、半導体レーザ素子２３や光変調部は導体基板２１などの導体基板と電気的に接続されていればよく、光送信パッケージ２０は搭載基板２２を備えていなくてもよい。

なお、以上の説明において示した具体的な数値は例示であり、示された数値に限定されるものではない。

なお、上述の実施形態は光送信モジュールに限らず、例えば光ディスク装置や携帯電話のようにフレキシブル基板を通じて高速な情報通信を行う機器においても利用可能である。

本発明の一実施形態に係る光送信モジュールの部分断面図の一例を示す図である。 図１中の破線部内の領域を拡大した部分拡大断面図の一例を示す図である。 本発明の一実施形態に係る光送信モジュールに接合される配線基板の平面図の一例を示す図である。 図３中の矢印IV−IV線拡大断面図の一例を示す図である。 本発明の一実施形態に係る光送信モジュールの等価回路図の一例を示す図である。 コンデンサＡ、コンデンサＢ、及びコンデンサＣについてのインピーダンス−周波数特性の一例を示す図である。 信号減衰回路にコンデンサＡを使用したときの光送信モジュールの周波数応答特性の一例を示す図である。 信号減衰回路にコンデンサＡを使用したときの光送信モジュールの光出力波形の一例を示す図である。 信号減衰回路にコンデンサＢを使用したときの光送信モジュールの周波数応答特性の一例を示す図である。 信号減衰回路にコンデンサＣを使用したときの光送信モジュールの周波数応答特性の一例を示す図である。 従来の電界吸収型変調器などの光変調器を備えた光送信モジュールの等価回路図の一例を示す図である。 図１１の等価回路図に示す光送信モジュールの周波数応答特性の一例を示す図である。 図１１の等価回路図に示す光送信モジュールの光出力波形の一例を示す図である。

符号の説明

１０ 光送信モジュール、２０ 光送信パッケージ、２１ 導体基板、２１ａ ガラスビーズ、２１ｂ 窪み、２２ 搭載基板、２３ 半導体レーザ素子、２４ 光変調部、２５ 収容部、２５ａ 先端部、２６ 信号端子、２７ 駆動電流供給端子、２８ 共通グラウンド端子、２９ ワイヤ、３０ レンズ、４０ 配線基板、４１ 信号線、４２ 駆動電流供給線、４３ 絶縁部材、４４ 共通グラウンド線、４５ 中間絶縁膜、４６ 表面絶縁膜、４７ 信号減衰回路接続用電極、６０ 信号減衰回路、６０ａ 金属メッキ、６１ コンデンサ成分、６２ 抵抗成分、８０ 変調用信号生成回路、８１ 駆動電源、８２ 共通グラウンド、８３ インピーダンス要素、９０ ディップ。

Claims (8)

1. 同軸型の光送信パッケージと、前記光送信パッケージに接合される配線基板と、を有する光送信モジュールであって、
   前記光送信パッケージが、
   半導体レーザ素子と、
   前記半導体レーザ素子から出力される光を、入力される信号に基づいて変調する光変調部と、
   前記半導体レーザ素子及び前記光変調部と電気的に接続される導体基板と、
   を備え、
   前記配線基板に、
   前記半導体レーザ素子に駆動電流を供給する駆動電流供給線と、
   前記導体基板と共通グラウンドとを電気的に接続する共通グラウンド線と、
   が形成され、
   一端が前記共通グラウンド線と電気的に接続され、他端が前記駆動電流供給線と電気的に接続される、前記光変調部から出力される信号を減衰する信号減衰回路が、前記配線基板上に設けられている、
   ことを特徴とする光送信モジュール。
2. 前記配線基板に、前記光変調部に入力される信号を供給する信号線が形成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の光送信モジュール。
3. 前記駆動電流供給線の少なくとも一部と、前記信号線の少なくとも一部とが、略平行に形成されている、
   ことを特徴とする請求項２に記載の光送信モジュール。
4. 前記信号減衰回路が、前記配線基板が前記光送信パッケージに接合される面の反対面側の、前記配線基板上に設けられている、
   ことを特徴とする請求項１乃至３に記載の光送信モジュール。
5. 前記駆動電流供給線と、前記共通グラウンド線との間に、絶縁膜が形成されており、
   前記配線基板が、前記絶縁膜を貫通して、前記共通グラウンド線と電気的に接続する信号減衰回路接続用電極をさらに備え、
   前記信号減衰回路が、一端が前記信号減衰回路接続用電極と電気的に接続され、他端が前記駆動電流供給線と電気的に接続される、
   ことを特徴とする請求項１乃至４に記載の光送信モジュール。
6. 前記信号減衰回路の一端が、前記共通グラウンド線上の、前記導体基板と電気的に接続される端部までの電気的な距離が、前記共通グラウンドと電気的に接続される端部までの電気的な距離より短い位置で、前記共通グラウンド線と電気的に接続されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至５に記載の光送信モジュール。
7. 前記信号減衰回路が、積層型コンデンサを備える、
   ことを特徴とする請求項１乃至６に記載の光送信モジュール。
8. 請求項１乃至６に記載の光送信モジュールと、
   前記半導体レーザ素子に前記駆動電流を供給する駆動電源と、
   前記光変調部に入力される信号を生成する変調用信号生成回路と、
   を備える光伝送装置。

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