JP2009172709A

JP2009172709A - Polishing liquid composition for magnetic disk substrate

Info

Publication number: JP2009172709A
Application number: JP2008012873A
Authority: JP
Inventors: Akihiko Doi; 陽彦土居; Tetsushi Yamaguchi; 哲史山口
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 2008-01-23
Filing date: 2008-01-23
Publication date: 2009-08-06

Abstract

【課題】研磨後の基板の表面粗さ及びスクラッチを低減しつつ研磨速度が向上した研磨が可能な磁気ディスク基板用研磨液組成物、及びこれを用いた磁気ディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】シリカ粒子及び水を含有する磁気ディスク基板用研磨液組成物であって、前記シリカ粒子が、一次粒子の形状係数ＳＦ−１が１４０以下であり、一次粒子の形状係数ＳＦ−２が１１０以上であり、かつ一次粒子の平均粒径が１〜４０ｎｍである、磁気ディスク基板用研磨液組成物。
【選択図】なしThe present invention provides a polishing composition for a magnetic disk substrate capable of polishing with an improved polishing speed while reducing the surface roughness and scratches of the substrate after polishing, and a method for producing a magnetic disk substrate using the same.
A polishing composition for a magnetic disk substrate containing silica particles and water, wherein the silica particles have a primary particle shape factor SF-1 of 140 or less, and the primary particle shape factor SF-2. Is a polishing liquid composition for a magnetic disk substrate, wherein the average particle size of primary particles is 1 to 40 nm.
[Selection figure] None

Description

本発明は、磁気ディスク基板用研磨液組成物、及びこれを用いた磁気ディスク基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a polishing composition for a magnetic disk substrate and a method for producing a magnetic disk substrate using the same.

近年、磁気ディスクドライブは小型化及び大容量化が進む傾向にあるため、磁気ディスクの単位記録面積を縮小し、１枚あたりの記録容量を大きくすることにより、この傾向に対応している。しかし、単位記録面積が小さくなると磁気信号が弱くなるため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くして検出感度を向上させる必要がある。このため、磁気ディスク基板の表面粗さを低減できる、研磨粒子であるシリカの粒径分布を工夫した研磨液組成物が提案されている（例えば、特許文献１）。また、研磨速度をより向上させるため、二次凝集コロイダルシリカを用いた研磨液組成物が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００４−２０４１５１号公報特開２００２−３３８２３２号公報 In recent years, magnetic disk drives tend to be reduced in size and increased in capacity, and this trend is addressed by reducing the unit recording area of the magnetic disk and increasing the recording capacity per sheet. However, since the magnetic signal becomes weaker as the unit recording area becomes smaller, it is necessary to improve the detection sensitivity by lowering the flying height of the magnetic head. For this reason, there has been proposed a polishing liquid composition that can reduce the surface roughness of a magnetic disk substrate and devise a particle size distribution of silica as abrasive particles (for example, Patent Document 1). In order to further improve the polishing rate, a polishing liquid composition using secondary agglomerated colloidal silica has been proposed (see, for example, Patent Document 2).
JP 2004-204151 A JP 2002-338232 A

しかし、特許文献１記載の研磨液組成物では、基板の表面粗さを低減することはできるが、研磨速度の低下により生産性が損なわれるという問題がある。また、特許文献２記載の研磨液組成物は、二次凝集コロイダルシリカを用いているため、表面粗さを低減できず、スクラッチが発生するという問題がある。 However, the polishing composition described in Patent Document 1 can reduce the surface roughness of the substrate, but has a problem that productivity is impaired due to a decrease in the polishing rate. Moreover, since the polishing liquid composition described in Patent Document 2 uses secondary agglomerated colloidal silica, there is a problem that the surface roughness cannot be reduced and scratches are generated.

さらに、磁気ディスクにおける記録方式は、記録容量の大容量化の要請に伴い、水平磁気記録方式から垂直磁気記録方式へと移行しつつある。垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板の製造過程では、テキスチャー工程を経ることなく磁性層が形成される。このため、基板に対する要求特性はさらに厳しくなっており、従来の研磨液組成物では、経済的な研磨速度で、垂直磁気記録方式の基板表面に求められる表面粗さ、スクラッチ数を達成することができない。 Furthermore, the recording system for magnetic disks is shifting from a horizontal magnetic recording system to a perpendicular magnetic recording system in response to a request for an increase in recording capacity. In the manufacturing process of the perpendicular magnetic recording type magnetic disk substrate, the magnetic layer is formed without going through the texturing process. For this reason, the required characteristics for the substrate have become more severe, and the conventional polishing composition can achieve the surface roughness and the number of scratches required for the substrate surface of the perpendicular magnetic recording system at an economical polishing rate. Can not.

そこで、本発明は、表面粗さ及びスクラッチを低減できるとともに、研磨速度を向上できる磁気ディスク基板用研磨液組成物、及びこれを用いた磁気ディスク基板の製造方法を提供する。 Accordingly, the present invention provides a polishing composition for a magnetic disk substrate capable of reducing surface roughness and scratches and improving the polishing rate, and a method for producing a magnetic disk substrate using the same.

本発明の磁気ディスク基板用研磨液組成物は、シリカ粒子及び水を含有する磁気ディスク基板用研磨液組成物であって、前記シリカ粒子が、一次粒子の形状係数ＳＦ−１が１４０以下であり、一次粒子の形状係数ＳＦ−２が１１０以上であり、かつ一次粒子の平均粒径が１〜４０ｎｍである磁気ディスク基板用研磨液組成物である。また、本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、本発明の磁気ディスク基板用研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。 The magnetic disk substrate polishing liquid composition of the present invention is a magnetic disk substrate polishing liquid composition containing silica particles and water, wherein the silica particles have a primary particle shape factor SF-1 of 140 or less. A polishing composition for a magnetic disk substrate having a primary particle shape factor SF-2 of 110 or more and an average primary particle size of 1 to 40 nm. The method for producing a magnetic disk substrate of the present invention is a method for producing a magnetic disk substrate including a step of polishing a substrate to be polished using the polishing composition for a magnetic disk substrate of the present invention.

本発明の磁気ディスク基板用研磨液組成物によれば、研磨後の基板の表面粗さ及びスクラッチを低減しつつ研磨速度が向上した研磨が可能となり、高記録密度に適した磁気ディスク基板、特に高記録密度に適した垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板を生産性よく製造できるという効果が好ましくは奏される。 According to the polishing composition for a magnetic disk substrate of the present invention, it becomes possible to perform polishing with an improved polishing speed while reducing the surface roughness and scratches of the substrate after polishing, and particularly a magnetic disk substrate suitable for high recording density. The effect that a perpendicular magnetic recording type magnetic disk substrate suitable for high recording density can be manufactured with high productivity is preferably exhibited.

本発明は、シリカ粒子を含む磁気ディスク基板用研磨液組成物において、全体として丸い形状であり、かつ表面に細かい凹凸が存在する一次粒子という特定のシリカ粒子を用いることにより、研磨後の基板の表面粗さ及びスクラッチを低減しつつ研磨速度が向上した研磨が可能になるという知見に基づく。 In the polishing composition for a magnetic disk substrate containing silica particles, the present invention uses specific silica particles, which are primary particles that have a round shape as a whole and have fine irregularities on the surface, thereby allowing the substrate to be polished after polishing. This is based on the knowledge that polishing with an improved polishing speed can be achieved while reducing surface roughness and scratches.

本発明の研磨液組成物によるスクラッチ及び表面粗さの低減及び研磨速度の向上のメカニズムは明らかではないが、シリカ粒子の丸い形状が研磨後の基板表面粗さを低減し、シリカ粒子の表面の凹凸が研磨速度を向上させていると推定される。ただし、これらの推測は、本発明を限定するものではない。 Although the mechanism of scratch and surface roughness reduction and polishing speed improvement by the polishing composition of the present invention is not clear, the round shape of the silica particles reduces the surface roughness of the substrate after polishing, and the surface of the silica particles It is presumed that the unevenness improves the polishing rate. However, these assumptions do not limit the present invention.

即ち、本発明は、１つの態様として、シリカ粒子及び水を含有する磁気ディスク基板用研磨液組成物であって、前記シリカ粒子が、一次粒子の形状係数ＳＦ−１が１４０以下であり、一次粒子の形状係数ＳＦ−２が１１０以上であり、かつ一次粒子の平均粒径が１〜４０ｎｍである磁気ディスク基板用研磨液組成物である。本発明の磁気ディスク基板用研磨液組成物（以下、本発明の研磨液組成物ともいう。）を用いることにより、研磨後の基板の表面粗さ及びスクラッチを悪化させることなく研磨速度が向上した研磨が可能となり、好ましくは、高記録密度に適した磁気ディスク基板、特に高記録密度に適した垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板が向上した生産性で提供され得る。 That is, the present invention, as one embodiment, is a polishing composition for a magnetic disk substrate containing silica particles and water, wherein the silica particles have a primary particle shape factor SF-1 of 140 or less, A polishing composition for a magnetic disk substrate having a particle shape factor SF-2 of 110 or more and an average primary particle size of 1 to 40 nm. By using the polishing composition for a magnetic disk substrate of the present invention (hereinafter also referred to as the polishing composition of the present invention), the polishing rate was improved without deteriorating the surface roughness and scratches of the substrate after polishing. Polishing is possible, and preferably a magnetic disk substrate suitable for high recording density, particularly a perpendicular magnetic recording type magnetic disk substrate suitable for high recording density can be provided with improved productivity.

本発明において粒子の形状係数「ＳＦ−１」とは、粒子の丸さの度合いを示すものであって、電子顕微鏡観察で得られる粒子の最大径を直径とする円の面積を電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積で除して１００を乗じた値をいう（特許第３２５３２２８号参照）。また、ＳＦ−１は、１００に近いほど球状に近い形状であることを表わす。前記電子顕微鏡としては、特に制限されないが、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）や走査型電気顕微鏡（ＳＥＭ）が使用できる。ＳＦ−１の測定は、実施例に記載のように行えるが、測定方法はこれに限定されない。 In the present invention, the particle shape factor “SF-1” indicates the degree of roundness of a particle, and the area of a circle whose diameter is the maximum diameter of the particle obtained by electron microscope observation is obtained by electron microscope observation. The value obtained by dividing by the projected area of the obtained particles and multiplying by 100 (see Japanese Patent No. 3253228). SF-1 indicates that the closer to 100, the closer to a spherical shape. Although it does not restrict | limit especially as said electron microscope, For example, a transmission electron microscope (TEM) and a scanning electric microscope (SEM) can be used. SF-1 can be measured as described in the examples, but the measurement method is not limited to this.

本発明において粒子の形状係数「ＳＦ−２」とは、粒子表面の滑らかさの度合いを示すものであって、電子顕微鏡観察で得られる粒子の周長を円周とする円の面積を電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積で除して１００を乗じた値をいう（特許第３２５３２２８号参照）。また、ＳＦ−２は、１００に近いほど表面が滑らかな形状であることを表わす。前記電子顕微鏡としては、特に制限されないが、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）や走査型電気顕微鏡（ＳＥＭ）が使用できる。ＳＦ−２の測定は、実施例に記載のように行えるが、測定方法はこれに限定されない。 In the present invention, the particle shape factor “SF-2” indicates the degree of smoothness of the particle surface, and the area of a circle having the circumference of the particle obtained by electron microscope observation as the circumference is defined as an electron microscope. A value obtained by dividing by the projected area of the particles obtained by observation and multiplying by 100 (see Japanese Patent No. 3253228). SF-2 indicates that the closer to 100, the smoother the surface. Although it does not restrict | limit especially as said electron microscope, For example, a transmission electron microscope (TEM) and a scanning electric microscope (SEM) can be used. SF-2 can be measured as described in the Examples, but the measurement method is not limited to this.

例えば、ＳＦ−１は、日本電子製透過型電子顕微鏡「ＪＥＭ−２０００ＦＸ」（８０ｋＶ、１〜５万倍）により、当該顕微鏡のメーカーが添付した説明書に従って試料を観察し、ＴＥＭ像を写真撮影し、この写真をスキャナで画像データとしてパソコンに取り込み、解析ソフト「ＷｉｎＲＯＯＦｖｅｒ.３．６」（販売元：三谷商事）を用いて、粒子一個の最大径と投影面積を計測して、ＳＦ−１を求めることができる。また、同様の方法により、粒子一個の周長と投影面積を計測して、ＳＦ−２を求めることができる。なお、ＳＦ−１及びＳＦ−２は、個数基準の平均値である。前記平均値を算出するために測定する粒子数は、特に制限されないが、１００個以上が好ましい。 For example, SF-1 is a transmission electron microscope “JEM-2000FX” (80 kV, 1 to 50,000 times) manufactured by JEOL, and the sample is observed according to the instructions attached by the manufacturer of the microscope, and a TEM image is taken. This photograph is taken into a personal computer as image data with a scanner, and the maximum diameter and projected area of each particle is measured using analysis software “WinROOF ver. 3.6” (distributor: Mitani Corp.). 1 can be obtained. Moreover, SF-2 can be calculated | required by measuring the circumference and projection area of one particle | grain by the same method. SF-1 and SF-2 are average values based on the number. The number of particles to be measured for calculating the average value is not particularly limited, but is preferably 100 or more.

［シリカ粒子］
本発明の研磨液組成物に用いられるシリカ粒子としては、例えばコロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられるが、表面粗さ低減の観点から、コロイダルシリカが好ましい。シリカ粒子の使用形態としては、操作性の観点からスラリー状であることが好ましい。なお、本発明に用いられるシリカ粒子は、１種類のシリカ粒子からなるものであっても、２種類以上のシリカ粒子を混合したものであってもよい。 [Silica particles]
Examples of the silica particles used in the polishing composition of the present invention include colloidal silica, fumed silica, and surface-modified silica. Colloidal silica is preferable from the viewpoint of reducing the surface roughness. The usage form of the silica particles is preferably a slurry from the viewpoint of operability. In addition, the silica particle used for this invention may consist of 1 type of silica particles, or may mix 2 or more types of silica particles.

シリカ粒子の一次粒子の形状係数ＳＦ−１は、研磨後の基板表面粗さを低減させる観点から、１４０以下であって、１００〜１４０が好ましく、１０５〜１３５がより好ましく、１１０〜１３０がさらに好ましい。 From the viewpoint of reducing the substrate surface roughness after polishing, the shape factor SF-1 of the primary particles of silica particles is 140 or less, preferably 100 to 140, more preferably 105 to 135, and more preferably 110 to 130. preferable.

シリカ粒子の一次粒子の形状係数ＳＦ−２は、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、１１０以上であって、１１０〜１４０が好ましく、１１３〜１３０がより好ましく、１１５〜１２５がさらに好ましい。 The shape factor SF-2 of the primary particles of silica particles is 110 or more, preferably 110 to 140, more preferably 113 to 130, and still more preferably 115 to 125, from the viewpoint of improving the polishing rate and reducing scratches.

シリカ粒子のＳＦ−１及びＳＦ−２を調整する方法は、特に限定されないが、例えばアルカリ金属珪酸塩水溶液に珪酸液を添加する際、混合液のＳｉＯ₂／Ｍ₂Ｏモル比（Ｍはアルカリ金属又は第４級アンモニウム）を調整する方法、前記珪酸液添加前又は添加中にＣａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｃｕ及び希土類金属からなる群から選ばれた１種又は２種以上の金属化合物を添加する方法、珪酸液と金属化合物との混合液を２０〜３００℃の任意の温度で０．５〜５０時間維持する方法などが挙げられる。 The method for adjusting the SF-1 and SF-2 of the silica particles is not particularly limited. For example, when a silicic acid solution is added to an alkali metal silicate aqueous solution, the SiO ₂ / M ₂ O molar ratio of the mixed solution (M is an alkali). Selected from the group consisting of Ca, Mg, Al, In, Ti, Zr, Sn, Si, Sb, Fe, Cu and rare earth metals before or during addition of the silicic acid solution Examples thereof include a method of adding one or two or more kinds of metal compounds, a method of maintaining a mixed solution of a silicic acid solution and a metal compound at an arbitrary temperature of 20 to 300 ° C. for 0.5 to 50 hours, and the like.

シリカ粒子の一次粒子の平均粒径（Ｄ₅₀）は、表面粗さ及びスクラッチ低減の観点から、１〜４０ｎｍであって、５〜４０ｎｍが好ましく、１０〜４０ｎｍがより好ましく、２０〜４０ｎｍがさらに好ましい。ここで、シリカ粒子の一次粒子の平均粒径（Ｄ₅₀）とは、透過型電子顕微鏡で観察した画像を用い、一次粒子の小粒径側からの累積体積頻度が５０％となる粒径（体積中位径）をいい、例えば、実施例に記載の方法により測定することができる。 The average particle diameter (D ₅₀ ) of primary particles of silica particles is 1 to 40 nm, preferably 5 to 40 nm, more preferably 10 to 40 nm, and further preferably 20 to 40 nm, from the viewpoint of surface roughness and scratch reduction. preferable. Here, the average particle diameter (D ₅₀ ) of the primary particles of the silica particles is a particle diameter (accumulated volume frequency from the small particle diameter side of the primary particles is 50% using an image observed with a transmission electron microscope. Volume median diameter), which can be measured, for example, by the method described in the Examples.

なお、シリカ粒子の一次粒子の粒径（Ｄ₁₀）は、表面粗さ及びスクラッチ低減の観点から、１〜３５ｎｍが好ましく、５〜３５ｎｍがより好ましく、１０〜３５ｎｍがさらに好ましい。シリカ粒子の一次粒子の粒径（Ｄ₂₅）は、表面粗さ及びスクラッチ低減の観点から、１０〜３５ｎｍが好ましく、１５〜３５ｎｍがより好ましく、２０〜３５ｎｍがさらに好ましい。シリカ粒子の一次粒子の粒径（Ｄ₉₀）は、表面粗さ及びスクラッチ低減の観点から、１０〜５５ｎｍが好ましく、１５〜５０ｎｍがより好ましく、２０〜４５ｎｍがさらに好ましい。ここで、シリカ粒子の一次粒子の粒径（Ｄ₁₀）、（Ｄ₂₅）、（Ｄ₉₀）とは、それぞれ、透過型電子顕微鏡で観察した画像を用い、一次粒子の小粒径側からの累積体積頻度が１０％、２５％、９０％となる粒径をいい、例えば、実施例に記載の方法により測定することができる。 The particle size (D ₁₀ ) of the primary particles of silica particles is preferably 1 to 35 nm, more preferably 5 to 35 nm, and still more preferably 10 to 35 nm, from the viewpoint of surface roughness and scratch reduction. The primary particle size (D ₂₅ ) of the silica particles is preferably 10 to 35 nm, more preferably 15 to 35 nm, and still more preferably 20 to 35 nm, from the viewpoint of surface roughness and scratch reduction. The primary particle size (D ₉₀ ) of the silica particles is preferably from 10 to 55 nm, more preferably from 15 to 50 nm, and even more preferably from 20 to 45 nm, from the viewpoints of surface roughness and scratch reduction. Here, the particle diameters (D ₁₀ ), (D ₂₅ ), and (D ₉₀ ) of the primary particles of the silica particles are respectively images from the small particle size side of the primary particles using images observed with a transmission electron microscope. The particle size at which the cumulative volume frequency is 10%, 25%, and 90% is referred to, and can be measured, for example, by the method described in the examples.

シリカ粒子は、研磨速度向上並びに基板の表面粗さ及びスクラッチ低減の観点から、透過型電子顕微鏡観察による測定で得られた前記シリカ粒子の粒径（ｎｍ）に対して小粒径側からの累積体積頻度（％）をプロットして得られた前記シリカ粒子の粒径対累積体積頻度グラフにおいて、粒径４０〜４５ｎｍの範囲における累積体積頻度（Ｖ）が粒径（Ｒ）に対し、下記式（１）を満たす粒径分布を有するものが好ましい。
Ｖ≧２×Ｒ（１） Silica particles are accumulated from the small particle size side with respect to the particle size (nm) of the silica particles obtained by observation with a transmission electron microscope from the viewpoint of improving the polishing rate and reducing the surface roughness and scratches of the substrate. In the particle size vs. cumulative volume frequency graph of the silica particles obtained by plotting the volume frequency (%), the cumulative volume frequency (V) in the particle size range of 40 to 45 nm is the following formula for the particle size (R): Those having a particle size distribution satisfying (1) are preferred.
V ≧ 2 × R (1)

シリカ粒子は、研磨速度向上並びに基板の表面粗さ及びスクラッチ低減の観点から、粒径５〜１５ｎｍの範囲における累積体積頻度（Ｖ）が粒径（Ｒ）に対し、下記式（２）：
Ｖ≦３×Ｒ＋１５（２）
を満たす粒径分布を有するものが好ましく、粒径５〜１５ｎｍの範囲における累積体積頻度（Ｖ）が粒径（Ｒ）に対し、下記式（３）：
Ｖ≦２×Ｒ−１０（３）
を満たす粒径分布を有するものがより好ましい。 From the viewpoint of improving the polishing rate, reducing the surface roughness of the substrate and reducing scratches, the silica particles have a cumulative volume frequency (V) in the particle size range of 5 to 15 nm with respect to the particle size (R).
V ≦ 3 × R + 15 (2)
Preferably having a particle size distribution that satisfies the following conditions: the cumulative volume frequency (V) in the particle size range of 5 to 15 nm is the following formula (3) with respect to the particle size (R):
V ≦ 2 × R-10 (3)
What has the particle size distribution which satisfy | fills is more preferable.

シリカ粒子の粒径分布を調整する方法は、特に限定されないが、例えばシリカ粒子がコロイダルシリカの場合、その製造段階における粒子の成長過程で新たな核となる粒子を加えることにより所望の粒径分布を持たせる方法や、異なる粒径分布を有する２種以上のシリカ粒子を混合して所望の粒径分布を持たせる方法等が挙げられる。 The method for adjusting the particle size distribution of the silica particles is not particularly limited. For example, when the silica particles are colloidal silica, a desired particle size distribution can be obtained by adding new core particles during the particle growth process in the production stage. And a method of mixing two or more types of silica particles having different particle size distributions to give a desired particle size distribution.

本発明の研磨液組成物中におけるシリカ粒子の含有量は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは３重量％以上、さらにより好ましくは４重量％以上であり、また、基板表面の平坦性をより向上させる観点から、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下、さらに好ましくは１３重量％以下、さらにより好ましくは１０重量％以下である。すなわち、上記シリカ粒子の含有量は、好ましくは０．５〜２０重量％、より好ましくは１〜１５重量％、さらに好ましくは３〜１３重量％、さらにより好ましくは４〜１０重量％である。 The content of the silica particles in the polishing composition of the present invention is preferably 0.5% by weight or more, more preferably 1% by weight or more, further preferably 3% by weight or more, from the viewpoint of improving the polishing rate. More preferably, it is 4% by weight or more, and from the viewpoint of further improving the flatness of the substrate surface, it is preferably 20% by weight or less, more preferably 15% by weight or less, still more preferably 13% by weight or less, even more preferably. Is 10% by weight or less. That is, the content of the silica particles is preferably 0.5 to 20% by weight, more preferably 1 to 15% by weight, still more preferably 3 to 13% by weight, and even more preferably 4 to 10% by weight.

［重合体／クメンスルホン酸］
本発明の研磨液組成物は、イオン性親水基を有する分子量１０万以下の重合体、クメンスルホン酸、及びそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１種以上を含有することが好ましい。これら重合体等は、シリカ粒子の凝集、研磨パッドと被研磨基板の間の摩擦を抑制し、スクラッチ及び表面粗さを低減するものと推定される。 [Polymer / cumene sulfonic acid]
The polishing liquid composition of the present invention preferably contains at least one selected from the group consisting of a polymer having an ionic hydrophilic group and a molecular weight of 100,000 or less, cumenesulfonic acid, and salts thereof. These polymers and the like are presumed to suppress the aggregation of silica particles and the friction between the polishing pad and the substrate to be polished, and to reduce scratches and surface roughness.

前記重合体のイオン性親水基としては、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ホスホン酸基等に代表されるアニオン性基、４級アンモニウム塩に代表されるカチオン性基が挙げられる。これらの内、スクラッチ低減の観点から、イオン性親水基としてアニオン性基を有するものが好ましく、スルホン酸基及び／又はカルボン酸基を有するものがより好ましい。 Examples of the ionic hydrophilic group of the polymer include anionic groups typified by carboxylic acid groups, sulfonic acid groups, sulfate ester groups, phosphate ester groups, phosphonic acid groups, and cationic groups typified by quaternary ammonium salts. Groups. Among these, from the viewpoint of reducing scratches, those having an anionic group as the ionic hydrophilic group are preferred, and those having a sulfonic acid group and / or a carboxylic acid group are more preferred.

前記重合体の重量平均分子量は、スクラッチ低減及び研磨液の粘性低減の観点から、好ましくは１０万以下であり、より好ましくは５００〜５万、さらにより好ましくは５００〜３万、さらにより好ましくは５００〜１万２０００である。該重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）でのポリスチレンスルホン酸換算の重量平均分子量をいう。以下にＧＰＣ測定条件を示す。
〔ＧＰＣ条件〕
カラム：Ｇ４０００ＰＷＸＬ（東ソー社製）＋Ｇ２５００ＰＷＸＬ（東ソー社製）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／アセトニトリル＝９／１（容量比）
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
温度：４０℃
検出：２１０ｎｍ
サンプル：濃度５ｍｇ／ｍＬ（注入量１００μＬ） The weight average molecular weight of the polymer is preferably 100,000 or less, more preferably 500 to 50,000, still more preferably 500 to 30,000, and still more preferably, from the viewpoints of scratch reduction and polishing liquid viscosity reduction. 500 to 12,000. The weight average molecular weight refers to a weight average molecular weight in terms of polystyrene sulfonic acid in gel permeation chromatography (GPC). The GPC measurement conditions are shown below.
[GPC conditions]
Column: G4000PWXL (manufactured by Tosoh Corporation) + G2500PWXL (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: 0.2M phosphate buffer / acetonitrile = 9/1 (volume ratio)
Flow rate: 1.0 mL / min
Temperature: 40 ° C
Detection: 210nm
Sample: concentration 5 mg / mL (injection volume 100 μL)

前記重合体としては、スルホン酸基含有単量体の（共）重合体、（メタ）アクリル酸（共）重合体、マレイン酸（共）重合体、ポリスチレンスルホン酸及びそれらの塩等が例示できるが、スクラッチ低減の観点から、（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／マレイン酸共重合体、ポリ（メタ）アクリル酸、及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種以上であることが好ましく、より好ましくは（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／マレイン酸共重合体であり、さらに好ましくは（メタ）アクリル酸／マレイン酸共重合体及びそれらの塩である。なお、本発明において、（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸又はメタクリル酸を指す。 Examples of the polymer include (co) polymers of sulfonic acid group-containing monomers, (meth) acrylic acid (co) polymers, maleic acid (co) polymers, polystyrene sulfonic acids, and salts thereof. Is selected from the group consisting of (meth) acrylic acid / sulfonic acid copolymer, (meth) acrylic acid / maleic acid copolymer, poly (meth) acrylic acid, and salts thereof from the viewpoint of reducing scratches. It is preferably at least one, more preferably a (meth) acrylic acid / sulfonic acid copolymer, a (meth) acrylic acid / maleic acid copolymer, and even more preferably a (meth) acrylic acid / maleic acid copolymer Copolymers and their salts. In the present invention, (meth) acrylic acid refers to acrylic acid or methacrylic acid.

（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体は、（メタ）アクリル酸由来の構成単位とスルホン酸基含有単量体由来の構成単位とを含む共重合体、及びスルホン酸基含有単量体由来の構成単位を含むホモポリマーからなる群から選ばれる少なくとも１種以上を含む。（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体は、スルホン酸基含有単量体に由来する構成単位を、１種あるいは２種以上含んでいてもよい。 The (meth) acrylic acid / sulfonic acid copolymer is derived from a copolymer containing a structural unit derived from (meth) acrylic acid and a structural unit derived from a sulfonic acid group-containing monomer, and derived from a sulfonic acid group-containing monomer. And at least one selected from the group consisting of homopolymers containing the structural units. The (meth) acrylic acid / sulfonic acid copolymer may contain one or more structural units derived from the sulfonic acid group-containing monomer.

前記スルホン酸基含有単量体としては、例えば、イソプレンスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸等が挙げられる。中でも、スクラッチ低減の観点から、イソプレンスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸が好ましく、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸がより好ましい。なお、本発明において、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸とは、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸又は２−メタクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸を指す。 Examples of the sulfonic acid group-containing monomer include isoprene sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, styrene sulfonic acid, methallyl sulfonic acid, vinyl sulfonic acid, allyl sulfonic acid, isoamido Examples include lensulfonic acid. Among these, from the viewpoint of reducing scratches, isoprenesulfonic acid and 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid are preferable, and 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid is more preferable. In the present invention, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid refers to 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid or 2-methacrylamide-2-methylpropanesulfonic acid.

前記（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体は、本発明の効果を奏する範囲内で、スルホン酸基含有単量体及び（メタ）アクリル酸単量体以外の単量体に由来する構成単位成分を含有していてもよい。 The (meth) acrylic acid / sulfonic acid copolymer is a structural unit derived from a monomer other than the sulfonic acid group-containing monomer and the (meth) acrylic acid monomer within the scope of the effects of the present invention. It may contain components.

（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体又はその塩の各々を構成する全構成単位中に占めるスルホン酸基含有単量体由来の構成単位の含有率は、スクラッチ低減の観点から、１０〜９０モル％であることが好ましく、より好ましくは１５〜８０モル％、さらに好ましくは１５〜５０モル％である。なお、ここでスルホン酸基を含む（メタ）アクリル酸単量体は、スルホン酸基含有単量体として数える。 The content rate of the structural unit derived from the sulfonic acid group-containing monomer in all the structural units constituting each of the (meth) acrylic acid / sulfonic acid copolymer or salt thereof is 10 to 90 from the viewpoint of reducing scratches. It is preferable that it is mol%, More preferably, it is 15-80 mol%, More preferably, it is 15-50 mol%. Here, the (meth) acrylic acid monomer containing a sulfonic acid group is counted as a sulfonic acid group-containing monomer.

好ましい（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体としては、スクラッチ低減の観点から、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体等が挙げられる。 Preferred (meth) acrylic acid / sulfonic acid copolymers include (meth) acrylic acid / isoprenesulfonic acid copolymers, (meth) acrylic acid / 2- (meth) acrylamide-2-methyl, from the viewpoint of reducing scratches. Examples thereof include propanesulfonic acid copolymer, (meth) acrylic acid / isoprenesulfonic acid / 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid copolymer, and the like.

（メタ）アクリル酸／マレイン酸共重合体は、（メタ）アクリル酸由来の構成単位とマレイン酸由来の構成単位とを含む共重合体、及びマレイン酸由来の構成単位を含むホモポリマーからなる群から選ばれる少なくとも１種以上を含む。 The (meth) acrylic acid / maleic acid copolymer is a group comprising a copolymer containing a structural unit derived from (meth) acrylic acid and a structural unit derived from maleic acid, and a homopolymer containing a structural unit derived from maleic acid. Including at least one selected from

前記（メタ）アクリル酸／マレイン酸共重合体は、本発明の効果を奏する範囲内で、マレイン酸単量体及び（メタ）アクリル酸単量体以外の単量体に由来する構成単位成分を含有していてもよい。 The (meth) acrylic acid / maleic acid copolymer is a structural unit component derived from a monomer other than the maleic acid monomer and the (meth) acrylic acid monomer within the scope of the effects of the present invention. You may contain.

（メタ）アクリル酸／マレイン酸共重合体を構成する全構成単位中に占めるマレイン酸由来の構成単位の含有率は、スクラッチ低減の観点から、好ましくは１０〜９０モル％、より好ましくは２０〜８０モル％、さらに好ましくは３０〜７０モル％である。 The content of the structural unit derived from maleic acid in all the structural units constituting the (meth) acrylic acid / maleic acid copolymer is preferably 10 to 90 mol%, more preferably 20 to 20% from the viewpoint of reducing scratches. It is 80 mol%, More preferably, it is 30-70 mol%.

前記（共）重合体は、例えば、ジエン構造あるいは芳香族構造を含むベースポリマーを、公知の方法、例えば、（社）日本化学会編集、新実験化学講座１４（有機化合物の合成と反応ＩＩＩ、１７７３頁、１９７８年）などに記載された方法により得られる。 The (co) polymer is obtained by, for example, converting a base polymer containing a diene structure or an aromatic structure into a known method, for example, edited by The Chemical Society of Japan, New Experimental Chemistry Course 14 (Synthesis and Reaction of Organic Compounds III, 1773, 1978).

また、これらのアニオン性基を有する重合体及びクメンスルホン酸の塩型を用いる場合の対イオンとしては、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等との塩が挙げられる。金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。これらの金属の中でも、表面粗さ及びナノスクラッチ低減の観点から１Ａ、３Ｂ、又は８族に属する金属が好ましく、１Ａ族に属するナトリウム及びカリウムがより好ましい。 In addition, there are no particular limitations on the counter ion in the case of using the polymer having these anionic groups and the salt form of cumenesulfonic acid, and specific examples include salts with metals, ammonium, alkylammonium, and the like. . Specific examples of the metal include metals belonging to the periodic table (long-period type) 1A, 1B, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 6A, 7A, or Group 8. Among these metals, metals belonging to Group 1A, 3B, or Group 8 are preferable from the viewpoint of surface roughness and nanoscratch reduction, and sodium and potassium belonging to Group 1A are more preferable.

アルキルアンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。有機アミン等の具体例としては、ジメチルアミン、トリメチルアミン、アルカノールアミン等が挙げられる。これらの塩の中では、アンモニウム塩、ナトリウム塩及びカリウム塩がより好ましい。 Specific examples of alkylammonium include tetramethylammonium, tetraethylammonium, tetrabutylammonium and the like. Specific examples of the organic amine include dimethylamine, trimethylamine, alkanolamine and the like. Among these salts, ammonium salts, sodium salts, and potassium salts are more preferable.

研磨液組成物中における、イオン性親水基を有する重量平均分子量１０万以下の重合体、クメンスルホン酸、及びそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１種以上の含有量は、スクラッチ低減の観点から、０．０１重量％以上が好ましく、また、研磨液粘性低減の観点から、１重量％以下が好ましい。より好ましくは０．０２５〜０．５重量％、さらに好ましくは０．０４〜０．２重量％、さらにより好ましくは０．０８〜０．１５重量％である。 In the polishing composition, the content of at least one selected from the group consisting of a polymer having an ionic hydrophilic group and a weight average molecular weight of 100,000 or less, cumene sulfonic acid, and a salt thereof is From the viewpoint, 0.01% by weight or more is preferable, and from the viewpoint of reducing the viscosity of the polishing liquid, 1% by weight or less is preferable. More preferably, it is 0.025 to 0.5 weight%, More preferably, it is 0.04 to 0.2 weight%, More preferably, it is 0.08 to 0.15 weight%.

また、研磨液組成物中における、シリカ粒子とイオン性親水基を有する重量平均分子量１０万以下の重合体、クメンスルホン酸及びそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１種以上との濃度比［シリカの濃度（重量％）／イオン性親水基を有する重量平均分子量１０万以下の重合体、クメンスルホン酸及びそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１種の濃度（重量％）］は、研磨速度向上並びに表面粗さ及びスクラッチ低減の観点から、４〜１０００が好ましく、１０〜５００がより好ましく、２０〜１００がさらに好ましい。 Further, in the polishing composition, the concentration ratio between silica particles and at least one selected from the group consisting of a polymer having an ionic hydrophilic group and a weight average molecular weight of 100,000 or less, cumenesulfonic acid, and salts thereof. [Silica concentration (% by weight) / at least one concentration (% by weight) selected from the group consisting of a polymer having an ionic hydrophilic group and a weight average molecular weight of 100,000 or less, cumenesulfonic acid, and salts thereof] From the viewpoint of improving the polishing rate, reducing the surface roughness and scratching, 4 to 1000 are preferable, 10 to 500 are more preferable, and 20 to 100 are more preferable.

［水］
本発明の研磨液組成物中の水は、媒体として使用されるものであり、蒸留水、イオン交換水、超純水等が挙げられる。被研磨基板の表面清浄性の観点からイオン交換水及び超純水が好ましく、超純水がより好ましい。研磨液組成物中の水の含有量は、６０〜９９．４重量％が好ましく、７０〜９８．９重量％がより好ましい。また、本発明の効果を阻害しない範囲内でアルコール等の有機溶剤を配合してもよい。 [water]
Water in the polishing composition of the present invention is used as a medium, and examples thereof include distilled water, ion exchange water, and ultrapure water. From the viewpoint of the surface cleanliness of the substrate to be polished, ion exchange water and ultrapure water are preferable, and ultrapure water is more preferable. The content of water in the polishing composition is preferably 60 to 99.4% by weight, and more preferably 70 to 98.9% by weight. Moreover, you may mix | blend organic solvents, such as alcohol, in the range which does not inhibit the effect of this invention.

［酸］
本発明の研磨液組成物は、酸及び／又はその塩を含むことが好ましい。本発明の研磨液組成物に使用される酸及び／又はその塩としては、研磨速度の向上の観点から、その酸のｐＫ１が２以下の化合物が好ましく、スクラッチを低減する観点から、好ましくはｐＫ１が１．５以下、より好ましくは１以下、さらに好ましくはｐＫ１で表せない程の強い酸性を示す化合物である。その例としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸及びその塩、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１，−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸及びその塩、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸及びその塩、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸及びその塩等が挙げられる。中でも、スクラッチ低減の観点から、無機酸や有機ホスホン酸及びそれらの塩が好ましい。また、無機酸及びその塩の中では、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸及びそれらの塩がより好ましい。有機ホスホン酸及びその塩の中では、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの塩がより好ましい。これらの酸及びその塩は単独で又は２種以上を混合して用いてもよい。ここで、ｐＫ１とは有機化合物又は無機化合物の第一酸解離定数（２５℃）の逆数の対数値である。各化合物のｐＫ１は例えば改訂４版化学便覧（基礎編）ＩＩ、ｐｐ３１６−３２５（日本化学会編）等に記載されている。 [acid]
The polishing liquid composition of the present invention preferably contains an acid and / or a salt thereof. The acid and / or salt thereof used in the polishing composition of the present invention is preferably a compound having a pK1 of 2 or less from the viewpoint of improving the polishing rate, and preferably pK1 from the viewpoint of reducing scratches. Is 1.5 or less, more preferably 1 or less, and still more preferably a compound exhibiting strong acidity that cannot be expressed by pK1. Examples thereof include inorganic acids such as nitric acid, sulfuric acid, sulfurous acid, persulfuric acid, hydrochloric acid, perchloric acid, phosphoric acid, phosphonic acid, phosphinic acid, pyrophosphoric acid, tripolyphosphoric acid, amidosulfuric acid, and salts thereof, 2-aminoethylphosphone. Acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), ethane-1,1, -diphosphonic acid, ethane-1 , 1,2-Triphosphonic acid, ethane-1-hydroxy-1,1-diphosphonic acid, ethane-1-hydroxy-1,1,2-triphosphonic acid, ethane-1,2-dicarboxy-1,2-diphosphonic Acid, methanehydroxyphosphonic acid, 2-phosphonobutane-1,2-dicarboxylic acid, 1-phosphonobutane Organic phosphonic acids such as 2,3,4-tricarboxylic acid and α-methylphosphonosuccinic acid and salts thereof, aminocarboxylic acids such as glutamic acid, picolinic acid and aspartic acid and salts thereof, oxalic acid, nitroacetic acid, maleic acid, Examples thereof include carboxylic acids such as oxaloacetic acid and salts thereof. Among these, from the viewpoint of reducing scratches, inorganic acids, organic phosphonic acids, and salts thereof are preferable. Among inorganic acids and salts thereof, nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, perchloric acid and salts thereof are more preferable. Among organic phosphonic acids and salts thereof, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid) and their salts are more preferred. preferable. These acids and salts thereof may be used alone or in admixture of two or more. Here, pK1 is a logarithmic value of the reciprocal of the first acid dissociation constant (25 ° C.) of the organic compound or inorganic compound. The pK1 of each compound is described in, for example, the revised 4th edition, Chemical Handbook (Basic Edition) II, pp316-325 (Edited by Chemical Society of Japan).

これらの酸の塩を用いる場合の対イオンとしては、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等との塩が挙げられる。上記金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、スクラッチ低減の観点から１Ａ族に属する金属又はアンモニウムとの塩が好ましい。 The counter ion in the case of using these acid salts is not particularly limited, and specific examples thereof include salts with metals, ammonium, alkylammonium and the like. Specific examples of the metal include metals belonging to the periodic table (long-period type) 1A, 1B, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 6A, 7A, or Group 8. Among these, a salt with a metal belonging to Group 1A or ammonium is preferable from the viewpoint of reducing scratches.

研磨液組成物中における前記酸及びその塩の含有量は、研磨速度向上、表面粗さ及びスクラッチ低減の観点から、０．０００１〜５重量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜４重量％であり、さらに好ましくは０．０５〜３重量％、さらにより好ましくは０．１〜２．５重量％である。 The content of the acid and its salt in the polishing composition is preferably 0.0001 to 5% by weight, more preferably 0.01 to 4% by weight, from the viewpoint of improving the polishing rate, surface roughness and reducing scratches. More preferably 0.05 to 3% by weight, still more preferably 0.1 to 2.5% by weight.

本発明の研磨液組成物の酸価は、研磨速度向上の観点から、好ましくは０．２ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、より好ましくは０．５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、さらに好ましくは１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であり、表面粗さ、うねり及びスクラッチ低減の観点から、好ましくは１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、より好ましくは９ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、さらに好ましくは８ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。従って、表面品質を保ちつつ研磨速度を向上させるためには、上記酸価は、好ましくは０．２〜１０ｍｇＫＯＨ／ｇ、より好ましくは０．５〜９ｍｇＫＯＨ／ｇ、さらに好ましくは１〜８ｍｇＫＯＨ／ｇである。上記酸価の調整は、例えば上述の酸の含有量を調整することにより行うことができる。なお、上記酸価は、ＪＩＳＫ００７０（１９９２）により測定することができる。 The acid value of the polishing composition of the present invention is preferably 0.2 mgKOH / g or more, more preferably 0.5 mgKOH / g or more, further preferably 1 mgKOH / g or more, from the viewpoint of improving the polishing rate. From the viewpoint of reducing waviness and scratches, it is preferably 10 mgKOH / g or less, more preferably 9 mgKOH / g or less, and still more preferably 8 mgKOH / g or less. Therefore, in order to improve the polishing rate while maintaining the surface quality, the acid value is preferably 0.2 to 10 mgKOH / g, more preferably 0.5 to 9 mgKOH / g, and further preferably 1 to 8 mgKOH / g. It is. The acid value can be adjusted, for example, by adjusting the acid content. The acid value can be measured according to JIS K0070 (1992).

［酸化剤］
本発明の研磨液組成物は、酸化剤を含むことが好ましい。本発明の研磨液組成物に使用できる酸化剤としては、研磨速度を向上させる観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。 [Oxidant]
The polishing composition of the present invention preferably contains an oxidant. As an oxidizing agent that can be used in the polishing liquid composition of the present invention, from the viewpoint of improving the polishing rate, peroxide, permanganic acid or a salt thereof, chromic acid or a salt thereof, peroxo acid or a salt thereof, oxygen acid or an acid thereof Examples thereof include salts, metal salts, nitric acids, sulfuric acids and the like.

前記過酸化物としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム等が挙げられ、過マンガン酸又はその塩としては、過マンガン酸カリウム等が挙げられ、クロム酸又はその塩としては、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩等が挙げられ、ペルオキソ酸又はその塩としては、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸等が挙げられ、酸素酸又はその塩としては、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム等が挙げられ、金属塩類としては、塩化鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩＩ）、クエン酸鉄（ＩＩＩ）、硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）等が挙げられる。 Examples of the peroxide include hydrogen peroxide, sodium peroxide, barium peroxide, etc., examples of the permanganic acid or salt thereof include potassium permanganate, and examples of the chromic acid or salt thereof include chromium. Acid metal salts, metal dichromates, and the like. Peroxoacids or salts thereof include peroxodisulfuric acid, ammonium peroxodisulfate, metal peroxodisulfate, peroxophosphoric acid, peroxosulfuric acid, sodium peroxoborate, and performic acid. Peroxyacetic acid, perbenzoic acid, perphthalic acid, etc., and oxygen acids or salts thereof include hypochlorous acid, hypobromite, hypoiodous acid, chloric acid, bromic acid, iodic acid, hypochlorous acid. Examples thereof include sodium chlorate and calcium hypochlorite, and metal salts include iron (III) chloride, iron (III) sulfate, iron (III) citrate, ammonium sulfate. Moniumu iron (III), and the like.

好ましい酸化剤としては、過酸化水素、硝酸鉄（ＩＩＩ）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（ＩＩＩ）及び硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）等が挙げられる。より好ましい酸化剤としては、表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から過酸化水素が挙げられる。これらの酸化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。 Preferable oxidizing agents include hydrogen peroxide, iron (III) nitrate, peracetic acid, ammonium peroxodisulfate, iron (III) sulfate, and iron (III) ammonium sulfate. As a more preferable oxidizing agent, hydrogen peroxide is mentioned from the viewpoint that metal ions do not adhere to the surface and are generally used and inexpensive. These oxidizing agents may be used alone or in admixture of two or more.

研磨液組成物中における前記酸化剤の含有量は、研磨速度向上の観点から、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上であり、表面粗さ、うねり及びスクラッチ低減の観点から、好ましくは４重量％以下、より好ましくは２重量％以下、さらに好ましくは１重量％以下である。従って、表面品質を保ちつつ研磨速度を向上させるためには、上記含有量は、好ましくは０．０１〜４重量％、より好ましくは０．０５〜２重量％、さらに好ましくは０．１〜１重量％である。 The content of the oxidizing agent in the polishing liquid composition is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.05% by weight or more, and further preferably 0.1% by weight or more from the viewpoint of improving the polishing rate. In view of surface roughness, waviness and scratch reduction, it is preferably 4% by weight or less, more preferably 2% by weight or less, and further preferably 1% by weight or less. Therefore, in order to improve the polishing rate while maintaining the surface quality, the content is preferably 0.01 to 4% by weight, more preferably 0.05 to 2% by weight, and still more preferably 0.1 to 1. % By weight.

［その他の成分］
本発明の研磨液組成物には、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤等が挙げられる。研磨液組成物中のこれら他の任意成分の含有量は、０〜１０重量％が好ましく、０〜５重量％がより好ましい。 [Other ingredients]
In the polishing composition of the present invention, other components can be blended as necessary. Examples of other components include a thickener, a dispersant, a rust inhibitor, a basic substance, and a surfactant. 0-10 weight% is preferable and, as for content of these other arbitrary components in polishing liquid composition, 0-5 weight% is more preferable.

［研磨液組成物のｐＨ］
本発明の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度向上の観点から３．０以下が好ましく、より好ましくは１．８以下、さらに好ましくは１．７以下、さらにより好ましくは１．６以下である。また、表面粗さ低減の観点から、０．５以上が好ましく、より好ましくは０．８以上、さらに好ましくは１．０以上、さらにより好ましくは１．２以上である。また、研磨液組成物の廃液ｐＨは、研磨速度向上の観点から３以下が好ましく、より好ましくは２．５以下、さらに好ましくは２．２以下、さらにより好ましくは２．０以下である。また、表面粗さ低減の観点から、研磨液組成物の廃液ｐＨは、０．８以上が好ましく、より好ましくは１．０以上、さらに好ましくは１．２以上、さらにより好ましくは１．５以上である。なお、廃液ｐＨとは、研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨廃液、即ち、研磨機より排出された直後の研磨液組成物のｐＨをいう。 [PH of polishing composition]
The pH of the polishing composition of the present invention is preferably 3.0 or less from the viewpoint of improving the polishing rate, more preferably 1.8 or less, still more preferably 1.7 or less, and even more preferably 1.6 or less. . Moreover, 0.5 or more is preferable from a viewpoint of surface roughness reduction, More preferably, it is 0.8 or more, More preferably, it is 1.0 or more, More preferably, it is 1.2 or more. In addition, the waste liquid pH of the polishing composition is preferably 3 or less, more preferably 2.5 or less, still more preferably 2.2 or less, and even more preferably 2.0 or less, from the viewpoint of improving the polishing rate. Further, from the viewpoint of reducing the surface roughness, the waste liquid pH of the polishing composition is preferably 0.8 or more, more preferably 1.0 or more, still more preferably 1.2 or more, and even more preferably 1.5 or more. It is. The waste liquid pH refers to the polishing waste liquid in the polishing step using the polishing liquid composition, that is, the pH of the polishing liquid composition immediately after being discharged from the polishing machine.

［研磨液組成物の調製方法］
本発明の研磨液組成物は、例えば、上述したシリカ粒子を、所望により、重合体、クメンスルホン酸、及びそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１種、酸及び/又はその塩、酸化剤、並びに他の成分等を加えて、水と公知の方法で混合することにより調製できる。この際、シリカ粒子は、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。本発明の研磨液組成物中における各成分の含有量や濃度は、上述した範囲であるが、その他の態様として、本発明の研磨液組成物を濃縮物として調製してもよい。 [Method for preparing polishing liquid composition]
The polishing liquid composition of the present invention is, for example, at least one selected from the group consisting of a polymer, cumenesulfonic acid, and a salt thereof, an acid and / or a salt thereof, an oxidation, if desired. It can be prepared by adding an agent and other components and mixing with water by a known method. At this time, the silica particles may be mixed in a concentrated slurry state, or may be mixed after being diluted with water or the like. Although content and density | concentration of each component in the polishing liquid composition of this invention are the ranges mentioned above, you may prepare the polishing liquid composition of this invention as a concentrate as another aspect.

［磁気ディスク基板の製造方法］
本発明は、その他の態様として、磁気ディスク基板の製造方法（以下、本発明の製造方法ともいう。）に関する。本発明の製造方法は、上述した本発明の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程（以下、「本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程」と称することがある。）を含む磁気ディスク基板の製造方法である。これにより、研磨後の基板の表面粗さ及びスクラッチを悪化させることなく研磨速度が向上した研磨が好ましくは可能となり、高記録密度に適した磁気ディスク基板、特に高記録密度に適した垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板を好ましくは生産性よく提供できる。本発明の製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。よって、本発明の製造方法は、その他の態様として、本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程を含む垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法である。 [Method of manufacturing magnetic disk substrate]
As another aspect, the present invention relates to a method of manufacturing a magnetic disk substrate (hereinafter also referred to as a manufacturing method of the present invention). The production method of the present invention is a step of polishing a substrate to be polished using the above-described polishing liquid composition of the present invention (hereinafter sometimes referred to as “polishing step using the polishing liquid composition of the present invention”). The manufacturing method of the magnetic disk board | substrate containing this. This makes it possible to perform polishing with an improved polishing rate without deteriorating the surface roughness and scratches of the substrate after polishing, and a magnetic disk substrate suitable for high recording density, particularly perpendicular magnetic recording suitable for high recording density. The magnetic disk substrate of the type can be preferably provided with high productivity. The manufacturing method of the present invention is particularly suitable for a method for manufacturing a magnetic disk substrate for perpendicular magnetic recording. Therefore, as another aspect, the manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing a magnetic disk substrate for a perpendicular magnetic recording system including a polishing step using the polishing composition of the present invention.

本発明の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する方法の具体例としては、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本発明の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨する方法が挙げられる。 As a specific example of a method for polishing a substrate to be polished using the polishing liquid composition of the present invention, the substrate to be polished is sandwiched between a surface plate to which a polishing pad such as a non-woven organic polymer polishing cloth is attached. A method of polishing the substrate to be polished by moving the surface plate or the substrate to be polished while supplying the polishing composition of the invention to the polishing machine can be mentioned.

被研磨基板の研磨工程が多段階で行われる場合は、本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程は２段階目以降に行われるのが好ましく、最終研磨工程で行われるのがより好ましい。その際、前工程の研磨材や研磨液組成物の混入を避けるために、それぞれ別の研磨機を使用してもよく、またそれぞれ別の研磨機を使用した場合では、研磨工程毎に被研磨基板を洗浄することが好ましい。なお、研磨機としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。 In the case where the polishing process of the substrate to be polished is performed in multiple stages, the polishing process using the polishing composition of the present invention is preferably performed in the second stage and more preferably in the final polishing process. At that time, in order to avoid mixing of the polishing material and polishing liquid composition in the previous process, different polishing machines may be used, and in the case of using different polishing machines, polishing is performed for each polishing process. It is preferable to clean the substrate. The polishing machine is not particularly limited, and a known polishing machine for polishing a magnetic disk substrate can be used.

［研磨パッド］
本発明で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。 [Polishing pad]
The polishing pad used in the present invention is not particularly limited, and a polishing pad of a suede type, a nonwoven fabric type, a polyurethane closed-cell foam type, or a two-layer type in which these are laminated can be used. From the viewpoint, a suede type polishing pad is preferable.

研磨パッドの表面部材の平均気孔径は、スクラッチ低減及びパッド寿命の観点から、５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは４５μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下、さらにより好ましくは３５μｍ以下である。パッドの研磨液保持性の観点から、気孔で研磨液を保持し液切れを起こさないようにするために、平均気孔径は０．０１μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．１μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上、さらにより好ましくは１０μｍ以上である。また、研磨パッドの気孔径の最大値は、研磨速度維持の観点から、１００μｍ以下が好ましく、より好ましくは７０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは５０μｍ以下である。よって、本発明の製造方法は、その他の態様として、本発明の研磨液組成物を用いた工程で使用される研磨パッドの表面部材の平均気孔径が１０〜５０μｍである、製造方法である。 The average pore diameter of the surface member of the polishing pad is preferably 50 μm or less, more preferably 45 μm or less, still more preferably 40 μm or less, and even more preferably 35 μm or less, from the viewpoint of scratch reduction and pad life. From the viewpoint of holding the polishing liquid of the pad, the average pore diameter is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.1 μm or more, and still more preferably, in order to keep the polishing liquid in the pores and prevent the liquid from running out. It is 1 μm or more, more preferably 10 μm or more. Further, the maximum value of the pore size of the polishing pad is preferably 100 μm or less, more preferably 70 μm or less, still more preferably 60 μm or less, and even more preferably 50 μm or less, from the viewpoint of maintaining the polishing rate. Therefore, the manufacturing method of this invention is a manufacturing method whose average pore diameter of the surface member of the polishing pad used at the process using the polishing liquid composition of this invention is 10-50 micrometers as another aspect.

［研磨荷重］
本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨荷重は、好ましくは５．９ｋＰａ以上、より好ましくは６．９ｋＰａ以上、さらに好ましくは７．５ｋＰａ以上である。これにより、研磨速度の低下を抑制できるため、生産性の向上が可能となる。なお、本発明の製造方法において研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。また、本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程は、研磨荷重は２０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１８ｋＰａ以下、さらに好ましくは１６ｋＰａ以下である。これにより、スクラッチの発生を抑制することができる。したがって、本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程において研磨圧力は５．９〜２０ｋＰａが好ましく、６．９〜１８ｋＰａがより好ましく、７．５〜１６ｋＰａがさらに好ましい。研磨荷重の調整は、定盤及び被研磨基板のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することにより行うことができる。 [Polishing load]
The polishing load in the polishing step using the polishing liquid composition of the present invention is preferably 5.9 kPa or more, more preferably 6.9 kPa or more, and further preferably 7.5 kPa or more. Thereby, since the fall of a grinding | polishing speed | rate can be suppressed, productivity can be improved. In the production method of the present invention, the polishing load refers to the pressure of the surface plate applied to the polishing surface of the substrate to be polished during polishing. In the polishing step using the polishing composition of the present invention, the polishing load is preferably 20 kPa or less, more preferably 18 kPa or less, and further preferably 16 kPa or less. Thereby, generation | occurrence | production of a scratch can be suppressed. Accordingly, in the polishing step using the polishing composition of the present invention, the polishing pressure is preferably 5.9 to 20 kPa, more preferably 6.9 to 18 kPa, and further preferably 7.5 to 16 kPa. The polishing load can be adjusted by applying air pressure or weight to at least one of the surface plate and the substrate to be polished.

［研磨液組成物の供給］
本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程における本発明の研磨液組成物の供給速度は、スクラッチ低減の観点から、被研磨基板１ｃｍ²当たり、好ましくは０．０５〜１５ｍＬ／分であり、より好ましくは０．０６〜１０ｍＬ／分であり、さらに好ましくは０．０７〜１ｍＬ／分、さらにより好ましくは０．０８〜０．５ｍＬ／分、さらにより好ましくは０．１２〜０．５ｍＬ／分である。 [Supply of polishing liquid composition]
From the viewpoint of reducing scratches, the supply rate of the polishing composition of the present invention in the polishing step using the polishing composition of the present invention is preferably 1 to 15 mL / min per 1 cm ^{2 of the} substrate to be polished. More preferably 0.06 to 10 mL / min, still more preferably 0.07 to 1 mL / min, even more preferably 0.08 to 0.5 mL / min, even more preferably 0.12 to 0.5 mL / min. Minutes.

本発明の研磨液組成物を研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物を研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物の安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、本発明の研磨液組成物となる。 As a method for supplying the polishing composition of the present invention to a polishing machine, for example, a method of continuously supplying using a pump or the like can be mentioned. When supplying the polishing composition to the polishing machine, in addition to the method of supplying one component containing all the components, considering the stability of the polishing composition, etc., it is divided into a plurality of compounding component liquids, Two or more liquids can be supplied. In the latter case, for example, the plurality of compounding component liquids are mixed in the supply pipe or on the substrate to be polished to obtain the polishing liquid composition of the present invention.

［相対速度］
本発明では、本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨パッドに対する被研磨基板の相対速度を調整することで、基板の表面粗さ及びスクラッチをさらに改善することができる。ここで、研磨パッドに対する被研磨基板の相対速度とは、下記式によって表されるものをいう。
相対速度（ｍ／秒）＝（π／４）×（Ｒｕｐ−Ｒｄｏｗｎ）×（Ｄｏｕｔ＋Ｄｉｎ）
Ｒｕｐ：上定盤の回転数（回転／秒）
Ｒｄｏｗｎ：下定盤の回転数（回転／秒）（ただし、上定盤と同方向の回転の場合は正の値とし、逆方向の回転の場合は負の値とする。）
Ｄｏｕｔ：上定盤又は下定盤の外径（ｍ）
Ｄｉｎ：上定盤又は下定盤の内径（ｍ） [Relative speed]
In the present invention, the surface roughness and scratches of the substrate can be further improved by adjusting the relative speed of the substrate to be polished with respect to the polishing pad in the polishing step using the polishing composition of the present invention. Here, the relative speed of the substrate to be polished with respect to the polishing pad refers to that represented by the following formula.
Relative velocity (m / sec) = (π / 4) × (Rup−Rdown) × (Dout + Din)
Rup: Upper surface plate rotation speed (rev / sec)
Rdown: Number of rotations of the lower surface plate (rotation / second) (However, a positive value is used for rotation in the same direction as the upper surface plate, and a negative value is used for rotation in the reverse direction.)
Dout: outer diameter of upper surface plate or lower surface plate (m)
Din: Inner diameter of upper surface plate or lower surface plate (m)

基板の表面粗さ及びスクラッチ低減及び生産性向上の観点から、上記相対速度は、好ましくは０．１〜１ｍ／秒、より好ましくは０．２〜０．８ｍ／秒、さらに好ましくは０．３〜０．６ｍ／秒、さらにより好ましくは０．４〜０．６ｍ／秒である。 From the viewpoint of substrate surface roughness and scratch reduction and productivity improvement, the relative speed is preferably 0.1 to 1 m / second, more preferably 0.2 to 0.8 m / second, and still more preferably 0.3. It is -0.6m / sec, More preferably, it is 0.4-0.6m / sec.

［被研磨基板］
本発明において好適に使用される被研磨基板の表面性状は特に限定されないが、高密度記録用の基板を製造するためには、例えば、表面粗さＲａが０．１ｎｍ程度の表面性状を有する基板が適する。表面粗さＲａとは、表面平滑性の尺度であり、評価方法は限られないが、例えば原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）において１０μｍ以下の波長で測定可能な粗さとして評価し、中心線平均粗さＲａとして表わすことができる。 [Polished substrate]
The surface property of the substrate to be polished that is preferably used in the present invention is not particularly limited, but for producing a substrate for high-density recording, for example, a substrate having a surface property with a surface roughness Ra of about 0.1 nm. Is suitable. The surface roughness Ra is a measure of surface smoothness, and the evaluation method is not limited. For example, the surface roughness Ra is evaluated as roughness measurable at a wavelength of 10 μm or less with an atomic force microscope (AFM), and the center line average roughness is measured. Can be represented as Ra.

本発明において好適に使用される被研磨基板の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金や、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質や、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料や、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属や、これらの金属を主成分とする合金を含有する被研磨基板が好適である。特にＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板に適しており、中でもＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板が適している。 Examples of the material of the substrate to be polished preferably used in the present invention include metals, metalloids such as silicon, aluminum, nickel, tungsten, copper, tantalum, and titanium, or alloys thereof, glass, glassy carbon, and amorphous. Examples thereof include glassy substances such as carbon, ceramic materials such as alumina, silicon dioxide, silicon nitride, tantalum nitride, and titanium carbide, and resins such as polyimide resin. Among these, a substrate to be polished containing a metal such as aluminum, nickel, tungsten, copper, or an alloy containing these metals as a main component is preferable. It is particularly suitable for Ni-P plated aluminum alloy substrates and glass substrates such as crystallized glass and tempered glass, among which Ni-P plated aluminum alloy substrates are suitable.

上記被研磨基板の形状には特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状であればよい。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２〜９５ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．５〜２ｍｍ程度である。また、被研磨基板としては、例えば、垂直磁気記録方式を含む磁気ディスク基板の製造に通常使用される基板を用いることができる。 There is no restriction | limiting in particular in the shape of the said to-be-polished substrate, For example, what is necessary is just the shape which has planar parts, such as a disk shape, plate shape, slab shape, prism shape, and the shape which has curved surface parts, such as a lens. Of these, a disk-shaped substrate to be polished is suitable. In the case of a disk-shaped substrate to be polished, the outer diameter is, for example, about 2 to 95 mm, and the thickness is, for example, about 0.5 to 2 mm. In addition, as the substrate to be polished, for example, a substrate usually used for manufacturing a magnetic disk substrate including a perpendicular magnetic recording system can be used.

［研磨方法］
本発明は、その他の態様として、上述した研磨液組成物を研磨パッドに接触させながら被研磨基板を研磨することを含む被研磨基板の研磨方法に関する。本発明の研磨方法を使用することにより、生産性を損なうことなく表面粗さ及びスクラッチがともに低減された被研磨基板の研磨が可能となり、好ましくは、表面粗さ及びスクラッチがともに低減された磁気ディスク基板、特に垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板が生産性よく提供され得る。本発明の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板や磁気記録用媒体の基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。なお、具体的な研磨の方法及び条件は、上述のとおりとすることができる。 [Polishing method]
As another aspect, the present invention relates to a method for polishing a substrate to be polished, which comprises polishing the substrate to be polished while bringing the above-mentioned polishing composition into contact with a polishing pad. By using the polishing method of the present invention, it becomes possible to polish a substrate to be polished with reduced surface roughness and scratch without impairing productivity. Preferably, a magnetic material with reduced surface roughness and scratch is used. A disk substrate, in particular, a perpendicular magnetic recording type magnetic disk substrate can be provided with high productivity. Examples of the substrate to be polished in the polishing method of the present invention include those used in the manufacture of magnetic disk substrates and magnetic recording medium substrates as described above, and in particular, magnetic disk substrates for perpendicular magnetic recording systems. A substrate used for production is preferred. The specific polishing method and conditions can be as described above.

本発明によれば、生産性を損なわずに表面粗さが低減された磁気ディスク基板を提供できる。特に、磁気ディスク基板表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）観察して得られた表面粗さの最大高さＲｍａｘを、例えば３ｎｍ未満、好ましくは２ｎｍ未満、より好ましくは１．５ｎｍ未満に改善することができ、特に垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板を好ましくは提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide a magnetic disk substrate having a reduced surface roughness without impairing productivity. In particular, the maximum height Rmax of the surface roughness obtained by observing the surface of the magnetic disk substrate with an atomic force microscope (AFM) is improved to, for example, less than 3 nm, preferably less than 2 nm, more preferably less than 1.5 nm. In particular, a perpendicular magnetic recording type magnetic disk substrate can be preferably provided.

１．研磨液組成物の調製
下記表１に示したコロイダルシリカ（シリカＡ〜Ｈ）、硫酸（和光純薬工業社製特級）、ＨＥＤＰ（１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、ソルーシア・ジャパン製ディクエスト２０１０）、過酸化水素水（旭電化製濃度：３５重量％）、アクリル酸/マレイン酸共重合体Ｎａ塩（商品名：アクアリックＴＬ２１３；日本触媒社製）、クメンスルホン酸Ｎａ塩（テイカストックN5040；テイカ社製）、及びイオン交換水を混合することにより、下記表２に示す組成を含む実施例１〜５及び比較例１〜５の研磨液組成物を調製した。いずれの研磨液組成物も、硫酸：０．４重量％、ＨＥＤＰ：０．１重量％、過酸化水素０．４重量％であり、ｐＨは１．５であった。なお、下記表１に示すシリカ粒子の粒径、粒径分布、累積体積頻度、ＳＦ−１、及びＳＦ−２は、以下のように測定した。 1. Preparation of polishing liquid composition Colloidal silica (silica A to H) shown in Table 1 below, sulfuric acid (special grade manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), HEDP (1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, manufactured by Sorcia Japan Diquest 2010), hydrogen peroxide solution (concentration: 35% by weight, manufactured by Asahi Denka), acrylic acid / maleic acid copolymer Na salt (trade name: Aqualic TL213; manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.), cumene sulfonic acid Na salt ( The polishing liquid compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5 including the compositions shown in Table 2 below were prepared by mixing Teika Stock N5040 (manufactured by Teika) and ion-exchanged water. All the polishing liquid compositions were sulfuric acid: 0.4% by weight, HEDP: 0.1% by weight, hydrogen peroxide 0.4% by weight, and pH was 1.5. The particle size, particle size distribution, cumulative volume frequency, SF-1 and SF-2 of the silica particles shown in Table 1 below were measured as follows.

シリカ粒子の累積体積頻度の測定方法
スラリー状のシリカ粒子を試料として用い、日本電子製透過型電子顕微鏡「ＪＥＭ−２０００ＦＸ」（８０ｋＶ、１〜５万倍）により、当該顕微鏡のメーカーが添付した説明書に従って試料を観察し、ＴＥＭ像を写真撮影した。この写真をスキャナで画像データとしてパソコンに取り込み、解析ソフト「ＷｉｎＲＯＯＦｖｅｒ.３．６」（販売元：三谷商事）を用いて個々のシリカ粒子の円相当径を求め、それを粒径とした。このようにして、１０００個以上のシリカ粒子の粒径を求めた後、その結果をもとに表計算ソフト「ＥＸＣＥＬ」（マイクロソフト社製）にて粒径から粒子体積に換算し、粒径分布を得た。そして、得られたシリカ粒子の粒径分布データに基づき、全粒子中における、ある粒径の粒子の割合（体積割合）を小粒径側からの累積頻度として表し、累積体積頻度（％）を得た。図１に、上記測定方法によって得られた累積体積頻度に基づいて作成したシリカ粒子Ｎｏ．Ａ〜Ｈの粒径対累積体積頻度グラフを示す。また、同図に、上述した粒径（Ｒ）と累積体積頻度（Ｖ）との関係式（１）から（３）を併せて記す。なお、下記表１中のシリカの粒径は、累積体積頻度で１０％となる粒径（Ｄ₁₀）、２５％となる粒径（Ｄ₂₅）、５０％となる粒径（Ｄ₅₀）及び９０％となる粒径（Ｄ₉₀）である。 Method for measuring cumulative volume frequency of silica particles Using slurry-like silica particles as a sample, JEOL's transmission electron microscope “JEM-2000FX” (80 kV, 1 to 50,000 times), an explanation attached by the manufacturer of the microscope The sample was observed according to the manual and a TEM image was taken. This photograph was taken into a personal computer as image data with a scanner, and the equivalent circle diameter of each silica particle was determined using analysis software “WinROOF ver. 3.6” (distributor: Mitani Corp.), which was used as the particle diameter. Thus, after obtaining the particle size of 1000 or more silica particles, the particle size distribution is converted from the particle size to the particle volume by using spreadsheet software “EXCEL” (manufactured by Microsoft) based on the result. Got. Based on the particle size distribution data of the obtained silica particles, the ratio (volume ratio) of particles having a certain particle diameter in all particles is expressed as the cumulative frequency from the small particle diameter side, and the cumulative volume frequency (%) is expressed as Obtained. FIG. 1 shows the silica particle No. 1 prepared based on the cumulative volume frequency obtained by the above measurement method. The particle size of AH-accumulation volume frequency graph is shown. Further, in the same figure, the relational expressions (1) to (3) between the above-mentioned particle size (R) and the cumulative volume frequency (V) are also shown. In addition, the particle size of silica in the following Table 1 is the particle size (D ₁₀ ) of 10%, the particle size of 25% (D ₂₅ ), the particle size of 50% (D ₅₀ ), and the cumulative volume frequency. The particle size (D ₉₀ ) is 90%.

シリカ粒子のＳＦ−１及びＳＦ−２の測定方法
スラリー状のシリカ粒子を試料として用い、日本電子製透過型電子顕微鏡「ＪＥＭ−２０００ＦＸ」（８０ｋＶ、１〜５万倍）により、当該顕微鏡のメーカーが添付した説明書に従って試料を観察し、ＴＥＭ像を写真撮影した。この写真をスキャナで画像データとしてパソコンに取り込み、解析ソフト「ＷｉｎＲＯＯＦｖｅｒ.３．６」（販売元：三谷商事）を用いて粒子一個の最大径と投影面積を計測してＳＦ−１を算出し、粒子一個の周長と投影面積を計測してＳＦ−２を算出した。なお、下記表１の数値は、１００個のシリカ粒子のＳＦ−１及びＳＦ−２を求めた後これらの平均値を算出したものである。 Method for Measuring SF-1 and SF-2 of Silica Particles Using the slurry-like silica particles as samples, the transmission electron microscope “JEM-2000FX” (80 kV, 1 to 50,000 times) manufactured by JEOL Ltd. Were observed according to the instructions attached to TEM, and a TEM image was taken. This photograph is taken into a personal computer as image data with a scanner, and SF-1 is calculated by measuring the maximum diameter and projected area of one particle using analysis software "WinROOF ver. 3.6" (distributor: Mitani Corp.). SF-2 was calculated by measuring the perimeter of each particle and the projected area. In addition, the numerical value of following Table 1 calculates these average values, after calculating | requiring SF-1 and SF-2 of 100 silica particles.

２．基板の研磨
次に、調製した実施例１〜５、比較例１〜５の研磨液組成物を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。 2. Next, the following to-be-polished substrate was grind | polished on the grinding | polishing conditions shown below using the prepared polishing liquid composition of Examples 1-5 and Comparative Examples 1-5.

被研磨基板
被研磨基板として、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。なお、この被研磨基板は、厚さが１．２７ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（ＤｉｇｉｔａｌＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔＮａｎｏＳｃｏｐｅＩＩＩａＭｕｌｔｉＭｏｄｅＡＦＭ）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍ、長波長うねり（波長０．４〜２ｍｍ）の振幅は２ｎｍ、短波長うねり（波長５０〜４００μｍ）の振幅は２ｎｍであった。 As a substrate to be polished, a substrate obtained by roughly polishing a Ni-P plated aluminum alloy substrate in advance with a polishing composition containing an alumina abrasive was used. The substrate to be polished has a thickness of 1.27 mm, an outer diameter of 95 mm, an inner diameter of 25 mm, a center line average roughness Ra measured by AFM (Digital Instrument Nanoscope IIIa Multi Mode AFM), 1 nm, and a long wavelength. The amplitude of the undulation (wavelength 0.4 to 2 mm) was 2 nm, and the amplitude of the short wavelength undulation (wavelength 50 to 400 μm) was 2 nm.

研磨条件
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（厚さ０．９ｍｍ、平均開孔径３０μｍ）
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ²あたりの供給速度：０．０７２ｍＬ／分）
下定盤回転数：３２．５ｒｐｍ
研磨荷重：１１．４ｋＰａ
研磨時間：４分間 Polishing conditions <br/> Polishing tester: "Fast double-sided 9B polishing machine" manufactured by Speedfam
Polishing pad: Fujibo's suede type (thickness 0.9mm, average hole diameter 30μm)
Polishing liquid composition supply amount: 100 mL / min (supply rate per 1 cm ^{2 of} polishing substrate: 0.072 mL / min)
Lower platen rotation speed: 32.5 rpm
Polishing load: 11.4kPa
Polishing time: 4 minutes

３．評価方法
実施例１〜５及び比較例１〜５の研磨液組成物を用いた研磨の研磨速度、研磨後のロールオフ、及び、研磨後の砥粒の基板への突き刺さりは、以下の方法で評価し、その結果を下記表２に示す。なお、下記表２に示すデータは、各実施例及び各比較例につき４枚の被研磨基板を研磨した後、各被研磨基板の両面について測定し、４枚（表裏合わせて計８面）のデータの平均とした。 3. Evaluation Method Polishing rate of polishing using the polishing liquid compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5, roll-off after polishing, and piercing of the polished abrasive grains onto the substrate are as follows. The results are shown in Table 2 below. In addition, the data shown in the following Table 2 shows that after polishing four substrates to be polished for each example and each comparative example, measurement was performed on both surfaces of each substrate to be polished, and four sheets (a total of eight surfaces). It was set as the average of data.

表面粗さの測定方法
ＡＦＭ（ＤｉｇｉｔａｌＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔＮａｎｏＳｃｏｐｅＩＩＩａＭｕｌｔｉＭｏｄｅＡＦＭ）を用いて、以下に示す条件にて各基板の内周縁と外周縁との中央部分を表裏１箇所ずつ測定し、中心線平均粗さＲａについて、４枚（表裏合わせて計８面）の平均値をそれぞれ表２に示すＲａとした。
（ＡＦＭの測定条件）
Ｍｏｄｅ：Ｎｏｎ−Ｃｏｎｔａｃｔ
Ａｒｅａ：１×１μｍ
Ｓｃａｎｒａｔｅ：１．０Ｈｚ
Ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒ：ＮＣＨ−１０Ｖ Using a surface roughness measurement method AFM (Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM), measure the central part of the inner and outer peripheries of each substrate one by one on the front and back sides under the following conditions. For Ra, the average value of 4 sheets (8 surfaces in total) was set as Ra shown in Table 2.
(AFM measurement conditions)
Mode: Non-Contact
Area: 1 × 1μm
Scan rate: 1.0 Hz
Cantilever: NCH-10V

スクラッチ数の測定方法
測定機器：ＶＩＳＩＯＮＰＳＹＴＥＣ製、ＭｉｃｒｏＭａｘＶＭＸ−２１００
光源：２Ｓλ（２５０Ｗ）及び３Ｐλ（２５０Ｗ）共に１００％
チルト角：−９°
倍率：最大（視野範囲：全面積の１２０分の１）
観察領域：全面積（外周９５ｍｍφで内周２５ｍｍの基板）
アイリス：ｎｏｔｃｈ
評価：研磨試験機に投入した基板の中、無作為に４枚を選択し、その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（本）の合計を８で除して、基板面当たりのスクラッチ数を算出した。 Method for measuring the number of scratches Measuring instrument: VISION PSYTEC, MicroMax VMX-2100
Light source: 100% for both 2Sλ (250 W) and 3Pλ (250 W)
Tilt angle: -9 °
Magnification: Maximum (Field range: 1/120 of the total area)
Observation area: Total area (substrate with outer circumference of 95 mmφ and inner circumference of 25 mm)
Iris: notch
Evaluation: Scratches per substrate surface are selected by randomly selecting 4 substrates from among the substrates put into the polishing tester and dividing the total number of scratches (both) on both surfaces of each of the 4 substrates by 8. Numbers were calculated.

研磨速度の測定方法
研磨前後の各基板の重さを重量計（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製「ＢＰ−２１０Ｓ」）を用いて測定し、各基板の重量変化を求め、１０枚の平均値を重量減少量とし、それを研磨時間で割った値を重量減少速度とした。この重量減少速度を下記の式に導入し、研磨速度（μｍ／ｍｉｎ）に変換した。
研磨速度（μｍ／ｍｉｎ）＝重量減少速度（ｇ／ｍｉｎ）／基板片面面積（ｍｍ²）／Ｎｉ−Ｐメッキ密度（ｇ／ｃｍ³）×１０⁶
（基板片面面積：６５９７ｍｍ²、Ｎｉ−Ｐメッキ密度：７．９ｇ／ｃｍ³として算出） Measuring method of polishing rate The weight of each substrate before and after polishing is measured using a weigh scale ("BP-210S" manufactured by Sartorius) to determine the weight change of each substrate, and the average value of 10 substrates is used as the weight reduction amount. The value obtained by dividing the result by the polishing time was defined as the weight reduction rate. This weight reduction rate was introduced into the following formula and converted into a polishing rate (μm / min).
Polishing rate (μm / min) = weight reduction rate (g / min) / substrate single-sided area (mm ² ) / Ni-P plating density (g / cm ³ ) × 10 ⁶
(Calculated as substrate one side area: 6597 mm ² , Ni-P plating density: 7.9 g / cm ³ )

表２に示すように、実施例１〜５の研磨液組成物を用いると、比較例１〜５の研磨液組成物に比べ、研磨後の基板の表面粗さ及びスクラッチを低減しつつ研磨速度を向上することができた。 As shown in Table 2, when the polishing liquid compositions of Examples 1 to 5 were used, the polishing speed was reduced while reducing the surface roughness and scratches of the substrate after polishing as compared with the polishing liquid compositions of Comparative Examples 1 to 5. Was able to improve.

本発明によれば、例えば、高記録密度化に適した磁気ディスク基板を提供できる。 According to the present invention, for example, a magnetic disk substrate suitable for increasing the recording density can be provided.

本発明の実施例で使用したシリカ粒子の粒径対累積体積頻度グラフの一例である。It is an example of the particle size vs. cumulative volume frequency graph of the silica particle used in the Example of this invention.

Claims

A polishing composition for a magnetic disk substrate containing silica particles and water,
The silica particles have a primary particle shape factor SF-1 of 140 or less, a primary particle shape factor SF-2 of 110 or more, and an average primary particle size of 1 to 40 nm. Polishing liquid composition.

The silica particles are obtained by plotting the cumulative volume frequency (%) from the small particle size side against the particle size (nm) obtained by measurement by transmission electron microscope observation, and the silica particle size vs. cumulative 2. The magnetic disk substrate polishing according to claim 1, wherein in the volume frequency graph, the cumulative volume frequency (V) in the particle size range of 40 to 45 nm has a particle size distribution satisfying the following formula (1) with respect to the particle size (R). Liquid composition.
V ≧ 2 × R (1)

The polishing composition for a magnetic disk substrate according to claim 1, further comprising an acid and / or a salt thereof.

The polishing composition for a magnetic disk substrate according to any one of claims 1 to 3, further comprising an oxidizing agent.

5. The polymer according to claim 1, comprising at least one selected from the group consisting of a polymer having an ionic hydrophilic group and a molecular weight of 100,000 or less, cumenesulfonic acid, and salts thereof. Polishing liquid composition for magnetic disk substrates.

A method for manufacturing a magnetic disk substrate for a perpendicular magnetic recording system, comprising a step of polishing a substrate to be polished using the polishing composition for a magnetic disk substrate according to claim 1.