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JP2009171211A - Layered balun, hybrid integrated circuit module, and multilayer substrate - Google Patents

Layered balun, hybrid integrated circuit module, and multilayer substrate Download PDF

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JP2009171211A
JP2009171211A JP2008006849A JP2008006849A JP2009171211A JP 2009171211 A JP2009171211 A JP 2009171211A JP 2008006849 A JP2008006849 A JP 2008006849A JP 2008006849 A JP2008006849 A JP 2008006849A JP 2009171211 A JP2009171211 A JP 2009171211A
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JP
Japan
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transmission line
dielectric
balun
laminated
dielectric layer
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2008006849A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinpei Oshima
心平 大島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a layered balun, a hybrid integrated circuit module and multilayer substrate that can be reduced in size and in profile. <P>SOLUTION: When forming the layered balun comprising a Marchand balun, transmission lines 113 and 114 comprising 1/2 wavelength transmission lines are stacked on adjacent layers which are opposite to each other between dielectric so that the current direction of the transmission line 113 and that of the transmission line 114 are the same, when conducting the current thereto. A magnetic shield is formed between the transmission lines 113 and 114. This eliminates a ground electrode layer for making each of the transmission lines 113 and 114 free of magnetic interferences. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、積層型バランに関し、特に、無線通信機器用ＩＣの平衡−不平衡変換器あるいは位相変換器等として用いられる積層型バラン及びこれを備えた混成集積回路モジュール並びに積層基板に関するものである。   The present invention relates to a laminated balun, and more particularly to a laminated balun used as a balanced-unbalanced converter or a phase converter of an IC for a wireless communication device, a hybrid integrated circuit module including the laminated balun, and a laminated substrate. .

従来、高周波信号における平衡−不平衡信号回路として、図１２に示すMarchandバランが多く用いられている。このMarchandバラン１０は分布定数回路で構成された簡単な構成である。すなわち、Marchandバラン１０は、直列接続された２つの１／４波長伝送線路１１，１２を有し、一方の１／４波長伝送線路１１の開放端が不平衡端子１５に接続されている。これら２つの１／４波長伝送線路１１，１２によって１／２波長ラインが構成される。さらに、一方の１／４波長伝送線路１１に対向させて１／４波長伝送線路１３が設けられ、他方の１／４波長伝送線路１２に対向させて１／４波長伝送線路１４が設けられている。一方の１／４波長伝送線路１３の一端すなわち１／４波長伝送線路１１の不平衡端子１５側は接地され、他端は平衡端子１６に接続されている。他方の１／４波長伝送線路１４の一端すなわち１／４波長伝送線路１１と１／４波長伝送線路１２の接続部側の端は平衡端子１７に接続され、他端は接地されている。   Conventionally, a Marchand balun shown in FIG. 12 is often used as a balanced-unbalanced signal circuit for high-frequency signals. The Marchand balun 10 has a simple configuration including a distributed constant circuit. That is, the Marchand balun 10 has two quarter wavelength transmission lines 11 and 12 connected in series, and the open end of one quarter wavelength transmission line 11 is connected to the unbalanced terminal 15. These two quarter wavelength transmission lines 11 and 12 constitute a half wavelength line. Further, a quarter wavelength transmission line 13 is provided to face one quarter wavelength transmission line 11, and a quarter wavelength transmission line 14 is provided to face the other quarter wavelength transmission line 12. Yes. One end of one quarter wavelength transmission line 13, that is, the unbalanced terminal 15 side of the quarter wavelength transmission line 11 is grounded, and the other end is connected to the balanced terminal 16. One end of the other 1/4 wavelength transmission line 14, that is, the end of the 1/4 wavelength transmission line 11 and the 1/4 wavelength transmission line 12 on the connecting portion side is connected to the balanced terminal 17, and the other end is grounded.

このように、Marchandバラン１０は簡単な構成であるため、高周波帯において小型で良好な特性が実現し易いという利点を有している。そのような技術的な背景と近年の無線機器の普及から、積層構造のMarchandバランの開発を部品メーカ各社が進めている。   Thus, since the Marchand balun 10 has a simple configuration, it has an advantage that it is easy to realize a small size and good characteristics in a high frequency band. Due to such a technical background and the spread of wireless devices in recent years, component manufacturers have been developing the Marchand balun with a laminated structure.

この種の積層型バランとしては、特許第２７７３６１７号公報（特許文献１）に開示されるバルントランスや、特許２９９０６５２号公報（特許文献２）に開示される積層型バルントランスが知られている。   As this type of laminated balun, a balun transformer disclosed in Japanese Patent No. 2773617 (Patent Document 1) and a laminated balun transformer disclosed in Japanese Patent No. 2990652 (Patent Document 2) are known.

図１３に示すように、特許文献１に開示されるバルントランス２０は、誘電体基板２１〜２５が記述の順に積層して形成され、各誘電体基板２１〜２５の上面にはアース電極あるいはストリップラインが形成されている。すなわち、最上部に位置する第１の誘電体基板２１にはアース電極３１が形成されアース用の外部端子電極（図示せず）に接続されている。第２の誘電体基板２２の上面には直線状のストリップライン３２が形成されており、その一端３２ａは不平衡外部端子（図示せず）に接続されている。第３の誘電体基板２３の上面には前述した１／２波長ストリップラインを構成する渦巻形状に配置されたストリップライン３３、３４が形成されている。これらのストリップライン３３，３４は誘電体基板２３の中央部を境にしてほぼ対称に設けられている。また、一方のストリップライン３３の渦巻中心にある一端３３ａはビア導体（図示せず）を介してストリップライン３２の他端３２ｂに接続されている。ストリップライン３３の他端３３ｂは他方のストリップライン３４の渦巻外側に位置する一端３４ａに接続され、ストリップライン３４の渦巻中央部に位置する他端３４ｂは開放されている。   As shown in FIG. 13, the balun transformer 20 disclosed in Patent Document 1 is formed by laminating dielectric substrates 21 to 25 in the order described, and ground electrodes or strips are formed on the upper surfaces of the dielectric substrates 21 to 25. A line is formed. That is, a ground electrode 31 is formed on the first dielectric substrate 21 located at the uppermost part, and is connected to an external terminal electrode (not shown) for grounding. A straight strip line 32 is formed on the upper surface of the second dielectric substrate 22, and one end 32a thereof is connected to an unbalanced external terminal (not shown). On the upper surface of the third dielectric substrate 23, strip lines 33 and 34 arranged in a spiral shape constituting the half-wave strip line described above are formed. These strip lines 33 and 34 are provided almost symmetrically with the central portion of the dielectric substrate 23 as a boundary. One end 33a at the center of the spiral of one strip line 33 is connected to the other end 32b of the strip line 32 via a via conductor (not shown). The other end 33b of the strip line 33 is connected to one end 34a located outside the spiral of the other strip line 34, and the other end 34b located at the center of the spiral of the strip line 34 is open.

第４の誘電体基板２４の上面には上記のストリップライン３３，３４に対向するように、前述した２つの１／４波長ストリップラインを構成する２つの渦巻形状のストリップライン３５，３６が形成されている。ストリップライン３３に対向して設けられている一方のストリップライン３５の一端３５ａは一方の平衡外部端子（図示せず）に接続されている。また前記一方のストリップライン３５の他端はビア導体（図示せず）を介して第５の誘電体基板３５の上面に形成されているアース電極３７に接続されている。また、ストリップライン３４に対向して設けられている他方のストリップライン３６の一端３６ａは他方の平衡外部端子（図示せず）に接続されている。また、前記他方のストリップライン３６の他端はビア導体（図示せず）を介して第５の誘電体基板２５の上面に形成されたアース電極３７に接続されている。また、アース電極３７はアース用の外部端子電極（図示せず）に接続されている。   On the upper surface of the fourth dielectric substrate 24, two spiral strip lines 35, 36 constituting the two quarter wavelength strip lines described above are formed so as to face the strip lines 33, 34 described above. ing. One end 35a of one strip line 35 provided to face the strip line 33 is connected to one balanced external terminal (not shown). The other end of the one strip line 35 is connected to a ground electrode 37 formed on the upper surface of the fifth dielectric substrate 35 via a via conductor (not shown). One end 36a of the other strip line 36 provided to face the strip line 34 is connected to the other balanced external terminal (not shown). The other end of the other strip line 36 is connected to a ground electrode 37 formed on the upper surface of the fifth dielectric substrate 25 via a via conductor (not shown). The ground electrode 37 is connected to an external terminal electrode (not shown) for grounding.

上記構成によって、図１２に示したMarchandバラン（バルントランス）が形成されている。   With the above configuration, the Marchand balun (balun transformer) shown in FIG. 12 is formed.

図１４に示すように、特許文献２に開示される積層型バルントランス４０は、上記のバルントランス２０の実装面積を小さくするために各渦巻状ストリップラインを異なる層に設けるように構成したものである。   As shown in FIG. 14, the laminated balun transformer 40 disclosed in Patent Document 2 is configured such that each spiral strip line is provided in a different layer in order to reduce the mounting area of the balun transformer 20 described above. is there.

すなわち、積層型バルントランス４０は、誘電体基板４１〜４８が記述の順に積層されて形成され、各誘電体基板４１〜４８の上面にはアース電極あるいはストリップラインが形成されている。すなわち、最上部に位置する第１の誘電体基板４１にはアース電極５１が形成され、このアース電極５１はアース用の外部端子電極（図示せず）に接続されている。第２の誘電体基板４２の上面には略直線状のストリップライン５２が形成されており、その一端５２ａは不平衡外部端子（図示せず）に接続されている。第３の誘電体基板４３の上面には前述した１／２波長ストリップラインの半分を構成する渦巻形状に配置されたストリップライン５３が形成されている。このストリップライン５３の渦巻中心にある一端５３ａはビア導体（図示せず）を介してストリップライン５２の他端５２ｂに接続されている。ストリップライン５３の他端５３ｂは後述するストリップライン５７の渦巻外側に位置する一端５７ａに接続されている。   That is, the multilayer balun transformer 40 is formed by laminating dielectric substrates 41 to 48 in the order described, and ground electrodes or strip lines are formed on the upper surfaces of the dielectric substrates 41 to 48. That is, a ground electrode 51 is formed on the first dielectric substrate 41 located at the top, and the ground electrode 51 is connected to an external terminal electrode (not shown) for grounding. A substantially straight strip line 52 is formed on the upper surface of the second dielectric substrate 42, and one end 52a thereof is connected to an unbalanced external terminal (not shown). Formed on the upper surface of the third dielectric substrate 43 is a strip line 53 arranged in a spiral shape that constitutes half of the half-wave strip line described above. One end 53a at the spiral center of the strip line 53 is connected to the other end 52b of the strip line 52 through a via conductor (not shown). The other end 53b of the strip line 53 is connected to one end 57a located outside the spiral of the strip line 57 described later.

第４の誘電体基板４４の上面には上記のストリップライン５３に対向するように、前述した一方の１／４波長ストリップラインを構成する渦巻形状のストリップライン５４が形成されている。ストリップライン５４の渦巻の外側に位置する一端５４ａは一方の平衡外部端子（図示せず）に接続されている。ストリップライン５４の渦巻の中心部に位置する他端５４ｂはビア導体（図示せず）を介して第５の誘電体基板４５の上面に形成されているアース電極５５に接続されている。   On the upper surface of the fourth dielectric substrate 44, a spiral strip line 54 that constitutes the above-described one quarter-wave strip line is formed so as to face the strip line 53 described above. One end 54a located outside the spiral of the strip line 54 is connected to one balanced external terminal (not shown). The other end 54b located at the center of the spiral of the strip line 54 is connected to a ground electrode 55 formed on the upper surface of the fifth dielectric substrate 45 via a via conductor (not shown).

第５の誘電体基板４５の上面にはアース電極５５が形成され、このアース電極５５はアース用の外部端子電極（図示せず）に接続されている。   A ground electrode 55 is formed on the upper surface of the fifth dielectric substrate 45, and the ground electrode 55 is connected to an external terminal electrode (not shown) for grounding.

第６の誘電体基板４６の上面にはストリップライン５７に対向するように、前述した他方の１／４波長ストリップラインを構成する渦巻形状のストリップライン５６が形成されている。ストリップライン５６の渦巻の外側に位置する一端５６ａは他方の平衡外部端子（図示せず）に接続されている。ストリップライン５６の渦巻の中心部に位置する他端５６ｂはビア導体（図示せず）を介して第５の誘電体基板４５の上面に形成されているアース電極５５に接続されている。   On the upper surface of the sixth dielectric substrate 46, a spiral strip line 56 constituting the other quarter-wave strip line is formed so as to face the strip line 57. One end 56a located outside the spiral of the strip line 56 is connected to the other balanced external terminal (not shown). The other end 56b located at the center of the spiral of the strip line 56 is connected to a ground electrode 55 formed on the upper surface of the fifth dielectric substrate 45 via a via conductor (not shown).

第７の誘電体基板４７の上面には前述した１／２波長ストリップラインの半分を構成する渦巻形状に配置されたストリップライン５７が形成されている。このストリップライン５７の渦巻外側にある一端５７ａは外部電極（図示せず）を介してストリップライン５３の他端５３ｂに接続されている。ストリップライン５７の他端５７ｂは開放されている。   Formed on the upper surface of the seventh dielectric substrate 47 is a strip line 57 arranged in a spiral shape that constitutes half of the half-wave strip line described above. One end 57a outside the spiral of the strip line 57 is connected to the other end 53b of the strip line 53 via an external electrode (not shown). The other end 57b of the strip line 57 is open.

第８の誘電体基板４８の上面にはアース電極５８が形成され、このアース電極５８はアース用の外部端子電極（図示せず）に接続されている。   A ground electrode 58 is formed on the upper surface of the eighth dielectric substrate 48, and the ground electrode 58 is connected to an external terminal electrode (not shown) for grounding.

上記構成によって、図１２に示したMarchandバラン（バルントランス）が形成されている。   With the above configuration, the Marchand balun (balun transformer) shown in FIG. 12 is formed.

さらに、特許文献２には、図１５に示す積層型バルントランス４０Ｂのように、１／２波長ストリップラインを構成する２つの１／４波長ストリップライン５３，５７の間を外部電極に代えてビア導体によって接続するようにしたものも開示されている。
特許２７７３６１７号公報 特許２９９０６５２号公報 Further, in Patent Document 2, as in a laminated balun transformer 40B shown in FIG. 15, a space between two quarter-wave strip lines 53 and 57 constituting a half-wave strip line is replaced with an external electrode and a via. A device that is connected by a conductor is also disclosed.
Japanese Patent No. 2773617 Japanese Patent No. 2990652

前出した特許文献１に開示されるバルントランスは、Marchandバランをそのまま積層体で実現したオーソドックス構造である。そして、１／２波長のラインを引くための面積が必要になるため、小型化が難しいという問題点があった。さらに、低背化が可能ではあるが、低背化を行った場合、ストリップラインとアース電極との間隔が狭くなる。このため、これらの間の結合容量が大きくなるので、インピーダンス整合が取り難くなるという問題点あった。   The balun transformer disclosed in the above-mentioned Patent Document 1 has an orthodox structure in which the Marchand balun is realized as a laminated body as it is. In addition, since an area for drawing a half-wave line is required, there is a problem that miniaturization is difficult. Further, although the height can be reduced, when the height is reduced, the distance between the strip line and the ground electrode is narrowed. For this reason, since the coupling capacitance between them becomes large, there is a problem that it is difficult to obtain impedance matching.

また、特許文献２に開示される積層型バルントランスは、１／２波長ストリップラインを２層で構成することで、特許文献１に開示されるバルントランスに比べて半分以下の面積でバランを構成できる利点がある。また、平衡入出力側の１／４波長ストリップラインのインピーダンスを独立して調整することが可能等の利点はある。しかしながら、１／２波長ストリップラインを２層に分割し、これら２層の間にＧＮＤプレーンを設け、各ラインが電磁界結合して特性が劣化することを防止している。このため、低背化が困難であるという問題点があった。   In addition, the laminated balun transformer disclosed in Patent Document 2 is configured by forming a balun with an area less than half that of the balun transformer disclosed in Patent Document 1 by configuring the ½ wavelength strip line with two layers. There are advantages you can do. Further, there is an advantage that the impedance of the 1/4 wavelength stripline on the balanced input / output side can be adjusted independently. However, the half-wave strip line is divided into two layers, and a GND plane is provided between these two layers to prevent the characteristics from deteriorating due to electromagnetic coupling between the lines. For this reason, there is a problem that it is difficult to reduce the height.

本発明は以上の点に着目したもので、小型化と低背化が可能な積層型バルントランス及び混成集積回路モジュール並びに積層基板を提供することを目的とする。   The present invention focuses on the above points, and an object of the present invention is to provide a laminated balun transformer, a hybrid integrated circuit module, and a laminated substrate that can be reduced in size and height.

本発明の第１の技術手段は、１／２波長伝送線路と該１／２波長伝送線路の一端側に誘電体を挟んで対向させて設けられた１／４波長伝送線路と前記１／２波長伝送線路の他端側半分に誘電体を挟んで対向して設けられた１／４波長伝送線路とを備えた積層型バルントランスである。そして、前記１／２波長伝送線路の一端側の半分を構成する第１の伝送線路が形成されている第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層に隣接して積層され、使用時の電流の方向が前記第１の伝送線路の電流の方向と同じになるように且つ前記第１の伝送線路に誘電体を挟んで対向するように、前記１／２波長伝送線路の他端側半分を構成する第２の伝送線路が形成されている第２の誘電体層と、を有する。さらに、前記誘電体層を挟んで対向する第１の伝送線路と第２の伝送線路とを、それぞれの電流の方向が同方向になるように導電接続する接続手段と、を有する。また、前記第１の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第１の伝送線路結合するように、一方の１／４波長伝送線路を構成し、一端が平衡入出力側の一方に接続されると共に他端が第１のグランド電極層に接続された第３の伝送線路が形成されている第３の誘電体層と、前記第２の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第２の伝送線路に電磁結合するように、他方の１／４波長伝送線路を構成し、一端が平衡入出力側の他方に接続されると共に他端が第２のグランド電極層に接続された第４の伝送線路が形成されている第４の誘電体層と、を有する。また、前記第３の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第３の伝送線路に対向するように配置された前記第１のグランド電極層と、前記第４の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第４の伝送線路に対向するように配置された前記第２のグランド電極層と、前記第３の伝送線路の平衡入出力側の一端又は前記第４の伝送線路の平衡入出力側の一端のうちの何れか一方に介在して接続されている位相補正用伝送線路とを備える。これにより上記目的が達成される。   The first technical means of the present invention includes a ½ wavelength transmission line, a ¼ wavelength transmission line provided opposite to one end of the ½ wavelength transmission line with a dielectric interposed therebetween, and the ½ wavelength transmission line. It is a laminated balun transformer provided with a quarter wavelength transmission line provided opposite to the other half of the wavelength transmission line with a dielectric in between. A first dielectric layer on which a first transmission line constituting one end of the half-wavelength transmission line is formed, and a first dielectric layer stacked adjacent to the first dielectric layer; The other end of the half-wave transmission line so that the current direction is the same as the current direction of the first transmission line and is opposed to the first transmission line with a dielectric in between And a second dielectric layer on which a second transmission line constituting the side half is formed. Furthermore, there is provided connection means for conductively connecting the first transmission line and the second transmission line that are opposed to each other with the dielectric layer interposed therebetween so that the directions of the respective currents are the same. Further, one quarter wavelength transmission line is configured so as to be laminated adjacent to the first dielectric layer and coupled to the first transmission line across the dielectric, and one end is on the balanced input / output side A third dielectric layer formed with a third transmission line connected to one of the first and the other end connected to the first ground electrode layer, and laminated adjacent to the second dielectric layer The other quarter-wave transmission line is configured so as to be electromagnetically coupled to the second transmission line across a dielectric, and one end is connected to the other on the balanced input / output side and the other end is the second And a fourth dielectric layer on which a fourth transmission line connected to the ground electrode layer is formed. A first ground electrode layer stacked adjacent to the third dielectric layer and disposed to face the third transmission line with the dielectric interposed therebetween; and the fourth dielectric The second ground electrode layer, which is stacked adjacent to the layer and arranged to face the fourth transmission line across a dielectric, and one end of the third transmission line on the balanced input / output side or A phase correcting transmission line connected to one of the balanced input / output ends of the fourth transmission line. This achieves the above object.

第１の技術手段によれば、１／２波長伝送線路を構成する第１の伝送線路と第２の伝送線路が誘電体を挟んで隣接層に積層して設けられており、さらに、使用時において第１の伝送線路の電流の方向と第２の伝送線路の電流の方向が同じ方向になるように第１の伝送線路と第２の伝送線路が積層配置されている。これにより、第１のストリップラインの電流によって第１の伝送線路の周囲に発生する磁界と第２の伝送線路の電流によって第２の伝送線路の周囲に発生する磁界が、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間の隙間において互いに打ち消し合い、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間にマグネチックシールドが形成される。これにより、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間で互いに磁気干渉を受けないようにするためのグランド電極層を設ける必要が無くなる。このため、小型化および低背化が可能になる。したがって、フィルタとバランを複合した小型積層バランスフィルタへの適用が容易になるとともに、中間層の前記グランド電極を削減できるため製造も従来に比べて容易になる。さらに、位相補正用伝送線路によって位相差特性が改善される。   According to the first technical means, the first transmission line and the second transmission line constituting the ½ wavelength transmission line are provided on the adjacent layers with the dielectric interposed therebetween, and further, when used The first transmission line and the second transmission line are laminated so that the direction of the current in the first transmission line and the direction of the current in the second transmission line are the same. Thereby, the magnetic field generated around the first transmission line by the current of the first stripline and the magnetic field generated around the second transmission line by the current of the second transmission line are They cancel each other out in the gap between the second transmission line and a magnetic shield is formed between the first transmission line and the second transmission line. This eliminates the need to provide a ground electrode layer for preventing magnetic interference between the first transmission line and the second transmission line. For this reason, size reduction and height reduction are attained. Therefore, the present invention can be easily applied to a small laminated balance filter in which a filter and a balun are combined, and the ground electrode in the intermediate layer can be reduced, so that manufacture is also easier than in the prior art. Further, the phase difference characteristic is improved by the phase correction transmission line.

また、１／２波長伝送線路の一端が第１の伝送線路と第２の伝送線路の何れか一方と同一の層上で外部端子電極に導電接続され、第１の伝送線路と第２の伝送線路とが対向する領域に他の配線層を有さないので良好なマグネチックシールドが形成される。   One end of the half-wave transmission line is conductively connected to the external terminal electrode on the same layer as either the first transmission line or the second transmission line, and the first transmission line and the second transmission line are connected. Since there is no other wiring layer in the region facing the line, a good magnetic shield is formed.

また、本発明の第２の技術手段は、１／２波長伝送線路と該１／２波長伝送線路の一端側に誘電体を挟んで対向させて設けられた１／４波長伝送線路と前記１／２波長伝送線路の他端側に誘電体を挟んで対向して設けられた１／４波長伝送線路とを備えた積層型バランである。そして、前記１／２波長伝送線路の一端側半分を構成する第１の伝送線路が形成されている第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層に隣接して積層され、前記第１の伝送線路に対して誘電体を挟んで容量結合するように、前記１／２波長伝送線路の他端側半分を構成する第２の伝送線路が形成されている第２の誘電体層と、を有する。また、前記第１の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第１の伝送線路に電磁結合するように、一方の１／４波長伝送線路を構成し、一端が平衡入出力側の一方に接続されると共に他端が第１のグランド電極層に接続された第３の伝送線路が形成されている第３の誘電体層と、前記第２の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第２の伝送線路に電磁結合するように、他方の１／４波長伝送線路を構成し、一端が平衡入出力側の他方に接続されると共に他端が第２のグランド電極層に接続された第４の伝送線路が形成されている第４の誘電体層と、を有する。また、前記第３の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第３の伝送線路に対向するように配置された前記第１のグランド電極層と、前記第４の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第４の伝送線路に対向するように配置された前記第２のグランド電極層と、前記第３の伝送線路の平衡入出力側の一端又は前記第４伝送線路の平衡入出力側の一端のうちの何れか一方に介在して接続されている位相補正用伝送線路とを備える。これにより上記目的が達成される。   The second technical means of the present invention includes a ½ wavelength transmission line, a ¼ wavelength transmission line provided opposite to one end of the ½ wavelength transmission line with a dielectric interposed therebetween, and the 1 The laminated balun includes a quarter wavelength transmission line provided opposite to the other end side of the / 2 wavelength transmission line with a dielectric interposed therebetween. A first dielectric layer on which a first transmission line constituting one end half of the half-wavelength transmission line is formed, and is laminated adjacent to the first dielectric layer; A second dielectric layer on which a second transmission line constituting the other half of the half-wavelength transmission line is formed so as to be capacitively coupled to one transmission line with a dielectric interposed therebetween; Have. Further, one quarter wavelength transmission line is configured so as to be laminated adjacent to the first dielectric layer and electromagnetically coupled to the first transmission line across the dielectric, and one end is balanced. A third dielectric layer formed with a third transmission line connected to one of the output sides and having the other end connected to the first ground electrode layer; and adjacent to the second dielectric layer. The other quarter-wave transmission line is configured so as to be electromagnetically coupled to the second transmission line across a dielectric, and one end is connected to the other on the balanced input / output side and the other end is And a fourth dielectric layer on which a fourth transmission line connected to the second ground electrode layer is formed. A first ground electrode layer stacked adjacent to the third dielectric layer and disposed to face the third transmission line with the dielectric interposed therebetween; and the fourth dielectric The second ground electrode layer, which is stacked adjacent to the layer and arranged to face the fourth transmission line across a dielectric, and one end of the third transmission line on the balanced input / output side or A phase correction transmission line connected to either one of one ends of the fourth transmission lines on the balanced input / output side. This achieves the above object.

第２の技術手段によれば、１／２波長伝送線路を構成する第１の伝送線路と第２の伝送線路が誘電体を挟んで隣接層に積層して設けられており、さらに、第１の伝送線路と第２の伝送線路は誘電体を挟んで容量結合するように積層配置されている。これにより、第１の伝送線路と第２の伝送線路によって形成される１／２波長伝送線路に波長短縮効果が発生して第１の伝送線路と第２の伝送線路のライン長を短く設定することができる。このため、小型化が可能になる。したがって、フィルタとバランを複合した小型積層バランスフィルタへの適用が容易になるととともに、中間層の前記グランド電極を削減できるため製造も従来に比べて容易になる。さらに、位相補正用伝送線路によって位相差特性が改善される。   According to the second technical means, the first transmission line and the second transmission line constituting the ½ wavelength transmission line are provided on the adjacent layers with the dielectric interposed therebetween, and further, The transmission line and the second transmission line are laminated so as to be capacitively coupled with a dielectric interposed therebetween. As a result, a wavelength shortening effect is generated in the ½ wavelength transmission line formed by the first transmission line and the second transmission line, and the line lengths of the first transmission line and the second transmission line are set short. be able to. For this reason, size reduction becomes possible. Therefore, the present invention can be easily applied to a small laminated balance filter in which a filter and a balun are combined, and the ground electrode in the intermediate layer can be reduced. Further, the phase difference characteristic is improved by the phase correction transmission line.

また、１／２波長伝送線路の一端が第１の伝送線路と第２の伝送線路の何れか一方と同一の層上で外部端子電極に導電接続され、第１の伝送線路と第２の伝送線路とが対向する領域に他の配線層を有さないので容量結合が良好となる。   One end of the half-wave transmission line is conductively connected to the external terminal electrode on the same layer as either the first transmission line or the second transmission line, and the first transmission line and the second transmission line are connected. Since there is no other wiring layer in the region facing the line, the capacitive coupling is good.

また、本発明の第３技術手段は、上記の積層型バランを備えた混成集積回路モジュール及び上記の積層型バランが内部に形成されている積層基板であって、これにより上記の目的が達成される。   According to a third technical means of the present invention, there is provided a hybrid integrated circuit module having the above-described multilayer balun and a multilayer substrate in which the multilayer balun is formed, whereby the above object is achieved. The

第３の技術手段によれば、積層型バランは上記第１の技術手段および第２の技術手段の何れかに記載の積層型バランからなるので、積層型バルントランスの小型化及び低背化が可能となり、積層型バランを積層基板の内部に容易に設けることができる。   According to the third technical means, since the laminated balun is composed of the laminated balun described in either the first technical means or the second technical means, the laminated balun transformer can be reduced in size and height. This makes it possible to easily provide a laminated balun inside the laminated substrate.

本発明の積層型バランによれば、１／２波長伝送線路を構成する第１の伝送線路と第２の伝送線路が誘電体を挟んで隣接層に積層して設けられており、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間で互いに磁気干渉を受けないようにするためのグランド電極層を設ける必要が無くなるので、小型化および低背化が可能になる。   According to the laminated balun of the present invention, the first transmission line and the second transmission line constituting the ½ wavelength transmission line are provided by being laminated on adjacent layers with a dielectric interposed therebetween, Since it is not necessary to provide a ground electrode layer for preventing magnetic interference between the transmission line and the second transmission line, it is possible to reduce the size and height.

さらに、本発明の積層型バランによれば、１／２波長伝送線路を構成する第１の伝送線路と第２の伝送線路が誘電体を挟んで容量結合するように隣接層に積層して設けられているため、第１の伝送線路と第２の伝送線路によって形成される１／２波長伝送線路に波長短縮効果が生じるので、小型化が可能になる。また、位相補正用伝送線路によって位相差特性が改善される。   Furthermore, according to the laminated balun of the present invention, the first transmission line and the second transmission line constituting the half-wave transmission line are provided on the adjacent layers so as to be capacitively coupled with the dielectric interposed therebetween. Therefore, the wavelength shortening effect is generated in the half-wavelength transmission line formed by the first transmission line and the second transmission line, so that the size can be reduced. Further, the phase difference characteristic is improved by the phase correction transmission line.

したがって、フィルタとバランを複合した小型積層バランスフィルタへの適用が容易になるとともに、中間層の前記グランド電極を削減できるため製造も従来に比べて容易になる。   Therefore, the present invention can be easily applied to a small laminated balance filter in which a filter and a balun are combined, and the ground electrode in the intermediate layer can be reduced, so that manufacture is also easier than in the prior art.

図１乃至図３は本発明の第１実施形態における積層型バランを示す図で、２．４ＧＨｚ帯無線システム（通過帯域２．４〜２．５ＧＨｚ）を想定した積層型バランの構造例を示す図である。図１は本発明の第１実施形態における積層型バランを示す分解斜視図、図２は伝送線路の導体パターンを示す平面図、図３は側面断面図である。図において、100は積層型バランで、所定厚さの板状をなす７つの誘電体層101〜107を上下方向に積層して、周知のＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）材料、すなわち一般的な比誘電率８の材料を用いて形成されている。   FIG. 1 to FIG. 3 are views showing a laminated balun according to the first embodiment of the present invention, and show a structural example of a laminated balun assuming a 2.4 GHz band wireless system (passband 2.4 to 2.5 GHz). FIG. FIG. 1 is an exploded perspective view showing a laminated balun according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a conductor pattern of a transmission line, and FIG. 3 is a side sectional view. In the figure, reference numeral 100 denotes a laminated balun, in which seven dielectric layers 101 to 107 having a plate shape with a predetermined thickness are laminated in the vertical direction to form a well-known LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) material, that is, a general A material having a relative dielectric constant of 8 is used.

最上層の誘電体層101はダミー層で、第２層目の誘電体層102の上面に形成されているグランド電極層111を保護するためのものである。   The uppermost dielectric layer 101 is a dummy layer for protecting the ground electrode layer 111 formed on the upper surface of the second dielectric layer 102.

第２層目の誘電体層102の上面には、一部の周縁部を除いてグランド電極層111が形成され、周縁部の複数箇所において、グランド用の外部端子電極に導電接続されている。   A ground electrode layer 111 is formed on the upper surface of the second dielectric layer 102 except for a part of the peripheral edge, and is electrically connected to the external terminal electrode for ground at a plurality of locations on the peripheral edge.

第３層目の誘電体層103の上面には、前述したMarchandバラン１０における一方の１／４波長伝送線路１４を構成する伝送線路112と位相補正用伝送線路113が形成されている。この伝送線路112は、その一部が蛇行した形状（ミアンダ形状）をなしており、その一端112aがビア導体を介してグランド電極111に導電接続されている。また、位相補正用伝送線路113は蛇行した形状(ミアンダ形状)をなし、位相補正用伝送線路113の一端113aが伝送線路112の他端112bに接続され、位相補正用伝送線路113の他端113bは外部端子電極(図示せず)に導電接続されている。   On the upper surface of the third dielectric layer 103, a transmission line 112 and a phase correction transmission line 113 constituting one quarter wavelength transmission line 14 in the Marchand balun 10 are formed. The transmission line 112 has a serpentine shape (a meander shape), and one end 112a thereof is conductively connected to the ground electrode 111 via a via conductor. The phase correction transmission line 113 has a meandering shape (a meander shape), one end 113a of the phase correction transmission line 113 is connected to the other end 112b of the transmission line 112, and the other end 113b of the phase correction transmission line 113. Are electrically connected to an external terminal electrode (not shown).

第４層目の誘電体層104の上面には、前述したMarchandバラン１０における１／２波長伝送線路の半分１２を構成する伝送線路114が形成されている。この伝送線路114は、その一部が蛇行した形状（ミアンダ形状）をなすとともに、上記伝送線路112とほぼ同じ形状をなし、誘電体を挟んで伝送線路112に重なるように対向して設けられている。また、伝送線路114の一端114a（伝送線路112の一端側に対向）はビア導体を介して第５層目の誘電体層105に形成されている伝送線路115の他端115bに導電接続されている。伝送線路114の他端114b（伝送線路112の他端112bに対向）は開放されている。   On the upper surface of the fourth dielectric layer 104, a transmission line 114 constituting the half 12 of the half-wave transmission line in the Marchand balun 10 is formed. The transmission line 114 has a serpentine shape (a meander shape), and has substantially the same shape as the transmission line 112. The transmission line 114 is provided to face the transmission line 112 with a dielectric interposed therebetween. Yes. Also, one end 114a of the transmission line 114 (opposing one end side of the transmission line 112) is conductively connected to the other end 115b of the transmission line 115 formed in the fifth dielectric layer 105 via a via conductor. Yes. The other end 114b of the transmission line 114 (opposite the other end 112b of the transmission line 112) is open.

第５層目の誘電体層105の上面には、前述したMarchandバラン１０における１／２波長伝送線路の半分１１を構成する伝送線路115が形成されている。この伝送線路115は、その一部が蛇行した形状（ミアンダ形状）をなすとともに、上記伝送線路114とほぼ同じ形状をなし、誘電体を挟んで伝送線路114に重なるように対向して設けられている。また、伝送線路115の一端115a（伝送線路114の一端側に対向）は前記誘電体層105の上面において外部端子電極（図示せず）に導電接続されている。また、伝送線路115の他端115b（伝送線路114の他端側に対向）はビア導体を介して上記第４層目の伝送線路114の一端114aに導電接続されている。   On the upper surface of the fifth dielectric layer 105, a transmission line 115 constituting the half 11 of the half-wave transmission line in the Marchand balun 10 is formed. The transmission line 115 has a serpentine shape (a meander shape), partly the same shape as the transmission line 114, and is provided to face the transmission line 114 with a dielectric interposed therebetween. Yes. One end 115a of the transmission line 115 (opposing one end side of the transmission line 114) is conductively connected to an external terminal electrode (not shown) on the upper surface of the dielectric layer 105. The other end 115b of the transmission line 115 (opposite the other end of the transmission line 114) is conductively connected to one end 114a of the fourth-layer transmission line 114 via a via conductor.

第６層目の誘電体層106の上面には、前述したMarchandバラン１０における他方の１／４波長伝送線路１３を構成する伝送線路116が形成されている。この伝送線路116は、その一部が蛇行した形状（ミアンダ形状）をなすとともに、上記伝送線路115とほぼ同じ形状をなし、誘電体を挟んで伝送線路115に重なるように対向して設けられている。また、伝送線路116の一端116a（伝送線路115の他端側に対向）は外部端子電極に導電接続されている。伝送線路116の他端116b（伝送線路115の一端側に対向）はビア導体を介してグランド電極層117に導電接続されている。   On the upper surface of the sixth dielectric layer 106, a transmission line 116 constituting the other quarter-wave transmission line 13 in the Marchand balun 10 is formed. The transmission line 116 has a serpentine shape (a meander shape), has substantially the same shape as the transmission line 115, and is provided to face the transmission line 115 with a dielectric interposed therebetween. Yes. One end 116a of the transmission line 116 (opposite the other end side of the transmission line 115) is conductively connected to the external terminal electrode. The other end 116b of the transmission line 116 (opposing one end side of the transmission line 115) is conductively connected to the ground electrode layer 117 through a via conductor.

第７層目の誘電体層107の上面には、一部の周縁部を除いてグランド電極層117が形成され、周縁部の複数箇所において、グランド用の外部端子電極に導電接続されている。   A ground electrode layer 117 is formed on the upper surface of the seventh dielectric layer 107 except for a part of the peripheral portion, and is electrically connected to the external terminal electrode for ground at a plurality of locations on the peripheral portion.

上記構成によってMarchandバラン１０をなす積層型バラン100が形成されている。上記構成の積層型バラン100は、１／２波長伝送線路を構成する片側半分の伝送線路114と残り半分の伝送線路115が誘電体を挟んで隣接層に積層して設けられている。そして、使用時において伝送線路114の電流の方向と伝送線路115の電流の方向が同じ方向になるように伝送線路114と伝送線路115が積層配置されて導電接続されている。これにより、伝送線路114の電流によってこの伝送線路114の周囲に発生する磁界と、伝送線路115の電流によってこの伝送線路115の周囲に発生する磁界が、これらの伝送線路114,115の間の隙間において互いに打ち消し合い、これらの伝送線路114,115の間にマグネチックシールド（磁気シールド）が形成される。このため、バランの特性を極端に劣化させる伝送線路114,115間の不要な磁気結合を防止することができるので、伝送線路114と伝送線路115との間で互いに磁気干渉を受けないようにするための従来例のようなグランド電極層を設ける必要が無くなる。   A stacked balun 100 forming the Marchand balun 10 is formed by the above configuration. The laminated balun 100 having the above-described configuration is provided by laminating one half transmission line 114 and the other half transmission line 115 constituting a half-wavelength transmission line in adjacent layers with a dielectric interposed therebetween. In use, the transmission line 114 and the transmission line 115 are laminated and conductively connected so that the current direction of the transmission line 114 and the current direction of the transmission line 115 are the same. Thereby, the magnetic field generated around the transmission line 114 by the current of the transmission line 114 and the magnetic field generated around the transmission line 115 by the current of the transmission line 115 are mutually in the gap between the transmission lines 114 and 115. The magnetic shields (magnetic shields) are formed between these transmission lines 114 and 115. For this reason, unnecessary magnetic coupling between the transmission lines 114 and 115 that extremely deteriorates the characteristics of the balun can be prevented, so that the transmission line 114 and the transmission line 115 are not subject to magnetic interference with each other. There is no need to provide a ground electrode layer as in the conventional example.

さらに、１／２波長伝送線路を構成する伝送線路114,115は、図４に示すように誘電体を挟んで容量結合するように積層配置され、伝送線路114,115間に静電容量Ｃが発生している。このため、これらの伝送線路114,115によって形成される１／２波長伝送線路に波長短縮効果が発生して伝送線路114,115のライン長を短く設定することができる。   Further, the transmission lines 114 and 115 constituting the ½ wavelength transmission line are laminated so as to be capacitively coupled with a dielectric interposed therebetween as shown in FIG. 4, and a capacitance C is generated between the transmission lines 114 and 115. . For this reason, a wavelength shortening effect occurs in the half-wavelength transmission line formed by these transmission lines 114 and 115, and the line length of the transmission lines 114 and 115 can be set short.

図４は、上記積層型バラン100の等価回路図である。図において、１／２波長伝送線路210を構成する直列接続された２つの１／４波長伝送線路211,212は上記伝送線路115,114に記述の順に対応し、伝送線路211の一端は不平衡外部端子電極231に接続され、伝送線路212の他端は開放されている。また、一方の１／４波長伝送線路221は上記伝送線路116に対応し、その一端が一方の平衡外部端子電極232に接続され、他端が接地されている。他方の１／４波長伝送線路222は上記伝送線路112に対応し、その一端が他一方の平衡外部端子電極233に接続され、他端が接地されている。   FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the laminated balun 100. In the figure, two quarter wavelength transmission lines 211 and 212 connected in series constituting the half wavelength transmission line 210 correspond to the transmission lines 115 and 114 in the order described, and one end of the transmission line 211 is an unbalanced external terminal electrode 231. And the other end of the transmission line 212 is open. One quarter wavelength transmission line 221 corresponds to the transmission line 116, one end of which is connected to one balanced external terminal electrode 232 and the other end is grounded. The other quarter wavelength transmission line 222 corresponds to the transmission line 112, one end of which is connected to the other balanced external terminal electrode 233, and the other end is grounded.

したがって、積層型バラン100は、従来例のものに比べて小型化および低背化が可能になる。さらに、積層型バラン100を用いることにより、フィルタとバランを複合した小型積層バランスフィルタへの適用が容易になる。また、従来例における中間層の前記グランド電極を削減できるため製造も従来に比べて容易になる。   Therefore, the multilayer balun 100 can be reduced in size and height as compared with the conventional one. Furthermore, the use of the multilayer balun 100 facilitates application to a compact multilayer balance filter that combines a filter and a balun. In addition, since the ground electrode of the intermediate layer in the conventional example can be reduced, the manufacture becomes easier as compared with the conventional case.

上記位相補正用伝送線路113の効果で、平衡端子間の位相差特性が改善される。また、位相補正用伝送線路113の付加以外は、基本的には、位相補正用伝送線路113を設けない積層バランと全く同じ構造であり、他の特性の劣化はほとんどない。   Due to the effect of the phase correcting transmission line 113, the phase difference characteristic between the balanced terminals is improved. Further, except for the addition of the phase correction transmission line 113, the structure is basically the same as that of the laminated balun without the phase correction transmission line 113, and other characteristics are hardly deteriorated.

また、上記積層型バラン100は位相補正用伝送線路113を備えているので、この位相補正用伝送線路113を設けない積層型バランに比べて位相差が大幅に改善される。   Further, since the laminated balun 100 includes the phase correcting transmission line 113, the phase difference is greatly improved as compared with the laminated balun without the phase correcting transmission line 113.

次に、図５乃至図９を参照して、上記積層型バラン100の特性を説明する。図５は積層型バラン100の特性を求めるための評価回路を示すブロック図、図６は評価回路における波振幅を示す図である。図７は本実施形態における位相補正用伝送線路113を設けない積層型バランの特性曲線を示す図、図８は本実施形態の積層型バラン100の電磁界シミュレーションによる特性曲線を示す図、図９は本実施形態の積層型バラン100の測定実験結果による特性曲線を示す図である。   Next, the characteristics of the laminated balun 100 will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a block diagram showing an evaluation circuit for obtaining the characteristics of the multilayer balun 100, and FIG. 6 is a diagram showing a wave amplitude in the evaluation circuit. FIG. 7 is a diagram showing a characteristic curve of a multilayer balun without the phase correction transmission line 113 in this embodiment, FIG. 8 is a diagram showing a characteristic curve by electromagnetic field simulation of the multilayer balun 100 of this embodiment, and FIG. FIG. 5 is a diagram showing a characteristic curve based on a measurement experiment result of the laminated balun 100 of the present embodiment.

図５において、240は損失や反射が無い理想的なバランであり、その一方の平衡端子は積層型バラン100の一方の平衡外部端子電極232に接続され、バラン240の他方の平衡端子は積層型バラン100の他方の平衡外部端子電極233に接続されている。また、積層型バラン100の不平衡外部端子電極231は入力端子INに接続され、バラン240の不平衡端子は出力端子OUTに接続されている。図５の評価回路において、入力端子INに波振幅V1（図６参照）を印加したときに一方の平衡外部端子電極232には波振幅V2（図６参照）が出力され、他方の平衡外部端子電極233には波振幅V3（図６参照）が出力される。さらに、出力端子OUTには波振幅V4（図６参照）が出力される。   In FIG. 5, 240 is an ideal balun having no loss or reflection, and one balanced terminal thereof is connected to one balanced external terminal electrode 232 of the laminated balun 100, and the other balanced terminal of the balun 240 is laminated. The other balun 100 is connected to the other balanced external terminal electrode 233. The unbalanced external terminal electrode 231 of the multilayer balun 100 is connected to the input terminal IN, and the unbalanced terminal of the balun 240 is connected to the output terminal OUT. In the evaluation circuit of FIG. 5, when the wave amplitude V1 (see FIG. 6) is applied to the input terminal IN, the wave amplitude V2 (see FIG. 6) is output to one balanced external terminal electrode 232, and the other balanced external terminal. A wave amplitude V3 (see FIG. 6) is output to the electrode 233. Further, the wave amplitude V4 (see FIG. 6) is output to the output terminal OUT.

図７は前述したように本実施形態における位相補正用伝送線路113を設けない積層型バランにおける特性を示す図で、図中、Ａは積層型バランの反射特性で、S11の振幅の絶対値を表すものであり、不平衡端子231に入力した電力信号が不平衡端子231に戻ってくる割合である。Ｂは積層型バランの挿入損失（Ｓ２１）の振幅の絶対値であり、不平衡端子231から平衡端子232に抜ける電力信号の割合である。Ｃは積層型バランの挿入損失（Ｓ３１）の振幅の絶対値であり、不平衡端子231から平衡端子233に抜ける電力信号の割合である。Ｄは平衡端子232に出力される電力信号の位相と平衡端子233に出力される電力信号の位相との差である。   FIG. 7 is a diagram showing the characteristics of the multilayer balun without the phase correction transmission line 113 in the present embodiment as described above. In FIG. 7, A is the reflection characteristic of the multilayer balun, and the absolute value of the amplitude of S11 This represents the ratio of the power signal input to the unbalanced terminal 231 returning to the unbalanced terminal 231. B is the absolute value of the amplitude of the insertion loss (S21) of the laminated balun, and is the ratio of the power signal that passes from the unbalanced terminal 231 to the balanced terminal 232. C is the absolute value of the amplitude of the insertion loss (S31) of the laminated balun, and is the ratio of the power signal that passes from the unbalanced terminal 231 to the balanced terminal 233. D is the difference between the phase of the power signal output to the balanced terminal 232 and the phase of the power signal output to the balanced terminal 233.

図７に示すように、位相補正用伝送線路113を設けない場合は、信号周波数が２ＧＨｚ〜３ＧＨｚの間で、位相差Ｄが１８６〜１９２度程度の値を示しており、２．４ＧＨｚ帯無線システムの通過帯域２．４〜２．５ＧＨｚにおいては１８０度±９度を示しており、改善の余地が残されている。   As shown in FIG. 7, when the phase correction transmission line 113 is not provided, the signal frequency is between 2 GHz and 3 GHz, and the phase difference D is about 186 to 192 degrees, and 2.4 GHz band wireless In the system pass band of 2.4 to 2.5 GHz, 180 ° ± 9 ° is shown, leaving room for improvement.

なお、不平衡端子231に入力された電力信号が、平衡端子232と平衡端子233に当分に分配され（デシベルで考えると3dB)、かつ平衡端子232と平衡端子233で得られる電力信号の位相が１８０度の差をもっていることが、理想的なバランの動作である。   The power signal input to the unbalanced terminal 231 is distributed to the balanced terminal 232 and the balanced terminal 233 for the time being (3 dB in terms of decibels), and the phase of the power signal obtained at the balanced terminal 232 and the balanced terminal 233 is Having a difference of 180 degrees is an ideal balun operation.

図８は前述した本実施形態における位相補正用伝送線路113を設けた積層型バラン100の電磁界シミュレーションによる特性曲線を示す図であり、図中、Ａは積層型バランの反射特性で、S11の振幅の絶対値を表すものであり、不平衡端子231に入力した電力信号が不平衡端子231に戻ってくる割合である。Ｂは積層型バランの挿入損失（Ｓ２１）の振幅の絶対値であり、不平衡端子231から平衡端子232に抜ける電力信号の割合である。Ｃは積層型バランの挿入損失（Ｓ３１）の振幅の絶対値であり、不平衡端子231から平衡端子233に抜ける電力信号の割合である。Ｄは平衡端子232に出力される電力信号の位相と平衡端子233に出力される電力信号の位相との差である。   FIG. 8 is a diagram showing a characteristic curve by electromagnetic field simulation of the laminated balun 100 provided with the phase correcting transmission line 113 in the above-described embodiment. In FIG. 8, A is a reflection characteristic of the laminated balun, and S11 This represents the absolute value of the amplitude, and is the rate at which the power signal input to the unbalanced terminal 231 returns to the unbalanced terminal 231. B is the absolute value of the amplitude of the insertion loss (S21) of the laminated balun, and is the ratio of the power signal that passes from the unbalanced terminal 231 to the balanced terminal 232. C is the absolute value of the amplitude of the insertion loss (S31) of the laminated balun, and is the ratio of the power signal that passes from the unbalanced terminal 231 to the balanced terminal 233. D is the difference between the phase of the power signal output to the balanced terminal 232 and the phase of the power signal output to the balanced terminal 233.

図８に示すように、位相補正用伝送線路113を設けた場合は、信号周波数が２ＧＨｚ〜３ＧＨｚの間で、挿入損失：４ｄＢ以下（分配損３ｄＢも含む）、振幅差：０±０．３ｄＢ、反射特性：リターンロス１５ｄＢ以上、位相差Ｄが１７９〜１８２度程度の値を示し、２．４ＧＨｚ帯無線システムの通過帯域２．４〜２．５ＧＨｚにおいては位相差が１８０度±１度以内であり、位相差が大幅に改善されていることが確認できる。また、不平衡端子231に入力された電力信号が、平衡端子232と平衡端子233に当分に分配されて理想的なバランになっている。   As shown in FIG. 8, when the phase correction transmission line 113 is provided, the signal frequency is between 2 GHz and 3 GHz, the insertion loss is 4 dB or less (including the distribution loss of 3 dB), and the amplitude difference is 0 ± 0.3 dB. Reflective characteristics: Return loss of 15 dB or more, and phase difference D shows a value of about 179 to 182 degrees, and the phase difference is within 180 degrees ± 1 degree in the pass band of 2.4 GHz to 2.5 GHz of the 2.4 GHz band wireless system. It can be confirmed that the phase difference is greatly improved. In addition, the power signal input to the unbalanced terminal 231 is distributed to the balanced terminal 232 and the balanced terminal 233 for the time being, thereby forming an ideal balun.

図９は前述した本実施形態における位相補正用伝送線路113を設けた積層型バラン100の測定実験結果による特性曲線を示す図であり、図中、Ａは積層型バランの反射特性で、S11の振幅の絶対値を表すものであり、不平衡端子231に入力した電力信号が不平衡端子231に戻ってくる割合である。Ｂは積層型バランの挿入損失（Ｓ２１）の振幅の絶対値であり、不平衡端子231から平衡端子232に抜ける電力信号の割合である。Ｃは積層型バランの挿入損失（Ｓ３１）の振幅の絶対値であり、不平衡端子231から平衡端子233に抜ける電力信号の割合である。Ｄは平衡端子232に出力される電力信号の位相と平衡端子233に出力される電力信号の位相との差である。   FIG. 9 is a diagram showing a characteristic curve based on a measurement experiment result of the laminated balun 100 provided with the phase correcting transmission line 113 in the present embodiment. In FIG. 9, A is a reflection characteristic of the laminated balun, and This represents the absolute value of the amplitude, and is the rate at which the power signal input to the unbalanced terminal 231 returns to the unbalanced terminal 231. B is the absolute value of the amplitude of the insertion loss (S21) of the laminated balun, and is the ratio of the power signal that passes from the unbalanced terminal 231 to the balanced terminal 232. C is the absolute value of the amplitude of the insertion loss (S31) of the laminated balun, and is the ratio of the power signal that passes from the unbalanced terminal 231 to the balanced terminal 233. D is the difference between the phase of the power signal output to the balanced terminal 232 and the phase of the power signal output to the balanced terminal 233.

図９に示すように、位相補正用伝送線路113を設けた場合は、信号周波数が２ＧＨｚ〜３ＧＨｚの間で、挿入損失：４ｄＢ以下（分配損３ｄＢも含む）、振幅差：０±０．３ｄＢ、リターンロス(反射特性)：１７ｄＢ以上、位相差Ｄが１７８〜１７５度程度の値を示し、２．４ＧＨｚ帯無線システムの通過帯域２．４〜２．５ＧＨｚにおいては位相差が１８０度±３度以内であり、実験によっても本発明による手法効果が確認できる。また、不平衡端子231に入力された電力信号が、平衡端子232と平衡端子233に当分に分配されてほぼ理想的なバランになっている。   As shown in FIG. 9, when the phase correction transmission line 113 is provided, the signal frequency is between 2 GHz and 3 GHz, the insertion loss is 4 dB or less (including the distribution loss of 3 dB), and the amplitude difference is 0 ± 0.3 dB. Return loss (reflection characteristics): 17 dB or more, phase difference D is a value of about 178 to 175 degrees, and phase difference is 180 degrees ± 3 in the passband 2.4 to 2.5 GHz of the 2.4 GHz band wireless system. The effect of the technique according to the present invention can be confirmed by experiments. In addition, the power signal input to the unbalanced terminal 231 is distributed to the balanced terminal 232 and the balanced terminal 233 for the time being, so that an almost ideal balun is obtained.

このように、本実施形態における積層型バラン100は実用に適した特性を有している。   Thus, the laminated balun 100 in this embodiment has characteristics suitable for practical use.

尚、上記実施形態では各伝送線路112〜116の蛇行回数を少なくして形成したが、これに限定されることはない。例えば、各伝送線路の蛇行回数を多くすると同一周波数においては伝送線路形成面積の縮小化を図ることができる。これにより、積層型バラン100をさらに小型に形成することができる。また、前述した本実施形態における低背化された積層型バラン100の伝送線路のパターン設計は、ある程度の自由度がある。よって、伝送線路のパターン設計により、寄生成分の影響が変わり、バランの周波数特性が変わる。故に、バランの特性によっては、第３層目の誘電体層103の上面に形成した位相補正用伝送線路113を除去し、第６層目の誘電体層106の上面に形成した１/4波長の伝送線路116に位相補正用伝送線路を設けることで位相差特性を改善することもできる。また、各伝送線路112〜116を渦巻状に形成しても同様の効果を得ることができる。   In the above embodiment, the transmission lines 112 to 116 are formed with a small number of meanders, but the present invention is not limited to this. For example, if the number of meanders of each transmission line is increased, the transmission line formation area can be reduced at the same frequency. As a result, the multilayer balun 100 can be further reduced in size. In addition, the transmission line pattern design of the low-profile stacked balun 100 in the present embodiment described above has a certain degree of freedom. Therefore, the transmission line pattern design changes the influence of parasitic components and changes the frequency characteristics of the balun. Therefore, depending on the characteristics of the balun, the phase correction transmission line 113 formed on the upper surface of the third dielectric layer 103 is removed, and the 1/4 wavelength formed on the upper surface of the sixth dielectric layer 106. By providing the transmission line 116 with a phase correction transmission line, the phase difference characteristic can be improved. The same effect can be obtained even if each transmission line 112 to 116 is formed in a spiral shape.

次に、本発明の第２実施形態を説明する。   Next, a second embodiment of the present invention will be described.

第２実施形態では、上記第１実施形態に記載の積層型バランを備えた混成集積回路モジュールについて説明する。本実施形態においては積層基板の内部に積層型バランを備えた。   In the second embodiment, a hybrid integrated circuit module including the stacked balun described in the first embodiment will be described. In the present embodiment, a multilayer balun is provided inside the multilayer substrate.

図１０は第２実施形態における混成集積回路モジュールを示す断面図、図１１は第２実施形態における混成集積回路モジュールの電気系回路を示すブロック図である。これらの図において、300は混成集積回路モジュールで、低温同時焼成セラミックス（Low Temperature Co-fired Ceramics）からなる積層基板301にバンドパスフィルタ305、積層型バルントランス306及び高周波送受信用ＩＣ等が設けられて構成されている。そして、バンドパスフィルタ305の一方の入出力は積層型バラン306を介して高周波送受信用ＩＣに接続されている。また、使用時においては、バンドパスフィルタ305の他方の入出力はアンテナ311に接続される。   FIG. 10 is a cross-sectional view showing a hybrid integrated circuit module according to the second embodiment, and FIG. 11 is a block diagram showing an electric circuit of the hybrid integrated circuit module according to the second embodiment. In these figures, reference numeral 300 denotes a hybrid integrated circuit module, which is provided with a bandpass filter 305, a multilayer balun transformer 306, a high frequency transmission / reception IC, etc. on a multilayer substrate 301 made of low temperature co-fired ceramics. Configured. One input / output of the band-pass filter 305 is connected to a high frequency transmission / reception IC via a multilayer balun 306. In use, the other input / output of the bandpass filter 305 is connected to the antenna 311.

積層基板301の底面には接続用の複数の外部端子電極302が設けられ、積層基板301の上面には抵抗器やコンデンサ等の電子部品307と高周波送受信用ＩＣ308が搭載されている。これらの電子部品307と高周波送受信用ＩＣ308は積層基板の上面に形成されたランド電極303及び積層基板301の内部に形成されている多層配線304を介して積層基板301の内部に形成されている積層型バラン306に導電接続されている。また、積層型バラン306は積層基板301の内部に形成されているバンドパスフィルタ305に接続されている。バンドパスフィルタ305のアンテナ接続用入出力は所定のランド電極302に接続されている。また、積層基板301の上面には、搭載されたは電子部品307や高周波送受信用ＩＣ308等を覆うようにシールドカバー309が設けられている。   A plurality of external terminal electrodes 302 for connection are provided on the bottom surface of the multilayer substrate 301, and an electronic component 307 such as a resistor and a capacitor, and a high frequency transmission / reception IC 308 are mounted on the top surface of the multilayer substrate 301. The electronic component 307 and the high frequency transmitting / receiving IC 308 are formed in the multilayer substrate 301 via the land electrode 303 formed on the upper surface of the multilayer substrate and the multilayer wiring 304 formed in the multilayer substrate 301. The mold balun 306 is conductively connected. The multilayer balun 306 is connected to a band pass filter 305 formed inside the multilayer substrate 301. The antenna connection input / output of the band pass filter 305 is connected to a predetermined land electrode 302. Further, a shield cover 309 is provided on the upper surface of the multilayer substrate 301 so as to cover the mounted electronic component 307, the high frequency transmission / reception IC 308, and the like.

上記構成の混成集積回路モジュール300によれば、積層型バラン306は上記第１実施形態に記載の積層型バランからなるので、積層型バラン306の小型化及び低背化が可能となり、積層型バラン306を積層基板301の内部に容易に設けることができる。   According to the hybrid integrated circuit module 300 having the above configuration, the stacked balun 306 is composed of the stacked balun described in the first embodiment. Therefore, the stacked balun 306 can be reduced in size and height, and the stacked balun can be reduced. 306 can be easily provided inside the multilayer substrate 301.

尚、第２実施形態では積層基板301を低温同時焼成セラミックスによって形成したが、これに限定されることはない。樹脂系の基板、例えば、エポキシ系の樹脂、ポリイミト゛系の樹脂またはこれら樹脂基板にガラス繊維を含有させたものでもよい。また、第２実施形態では、積層型バラン306を積層基板301の内部に設けたが、積層型バラン素子を積層基板に搭載した混成集積回路モジュールを形成しても良い。   In the second embodiment, the multilayer substrate 301 is formed of low-temperature co-fired ceramics, but is not limited thereto. A resin substrate, for example, an epoxy resin, a polyimide resin, or a glass substrate containing these resin substrates may be used. In the second embodiment, the multilayer balun 306 is provided inside the multilayer substrate 301. However, a hybrid integrated circuit module in which the multilayer balun element is mounted on the multilayer substrate may be formed.

また、混成集積回路モジュール以外に用いる積層基板内に、前述した第１実施形態に記載の積層型バランを埋設しても良い。   In addition, the multilayer balun described in the first embodiment may be embedded in a multilayer substrate used other than the hybrid integrated circuit module.

本発明の第１実施形態における積層型バランを示す分解斜視図The disassembled perspective view which shows the laminated balun in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態における積層型バランの伝送線路の導体パターンを示す平面図The top view which shows the conductor pattern of the transmission line of the laminated balun in 1st Embodiment of this invention 本発明の第１実施形態における積層型バランの側面断面図Side surface sectional drawing of the laminated balun in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態における積層型バランを示す等価回路図1 is an equivalent circuit diagram showing a stacked balun according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態における積層型バランの評価回路を示すブロック図The block diagram which shows the evaluation circuit of the laminated balun in 1st Embodiment of this invention 本発明の第１実施形態における評価回路の各部の波振幅を示す図The figure which shows the wave amplitude of each part of the evaluation circuit in 1st Embodiment of this invention 本発明の第１実施形態における位相補正用伝送線路を設けない積層型バランの特性曲線を示す図The figure which shows the characteristic curve of the laminated balun which does not provide the transmission line for phase correction in 1st Embodiment of this invention 本発明の第１実施形態の積層型バランの電磁界シミュレーションによる特性曲線を示す図The figure which shows the characteristic curve by the electromagnetic field simulation of the lamination type balun of 1st Embodiment of this invention 本発明の第１実施形態の積層型バランの測定実験結果による特性曲線を示す図The figure which shows the characteristic curve by the measurement experiment result of the lamination type balun of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態における混成集積回路モジュールを示す断面図Sectional drawing which shows the hybrid integrated circuit module in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態における混成集積回路モジュールの電気系回路を示すブロック図The block diagram which shows the electric system circuit of the hybrid integrated circuit module in 2nd Embodiment of this invention Marchandバランを説明する等価回路図Equivalent circuit diagram explaining Marchand balun 従来例の積層型バルントランスを示す分解斜視図Exploded perspective view showing a conventional laminated balun transformer 従来例の積層型バルントランスを示す分解斜視図Exploded perspective view showing a conventional laminated balun transformer 従来例の積層型バルントランスを示す分解斜視図Exploded perspective view showing a conventional laminated balun transformer

符号の説明Explanation of symbols

100…積層型バラン、101〜107…誘電体層、111,117…グランド電極層、112〜116…伝送線路、210…１／２波長伝送線路、211,212,221,222…１／４波長伝送線路、231…不平衡外部端子電極、232,233…平衡外部端子電極、300…混成集積回路モジュール、301…積層基板、302…外部端子電極、303…ランド電極、304…多層配線、305…バンドパスフィルタ、306…積層型バラン、307…電子部品、308…高周波送受信用ＩＣ、309…シールドカバー。   100 ... Multilayer balun, 101-107 ... Dielectric layer, 111,117 ... Ground electrode layer, 112-116 ... Transmission line, 210 ... 1/2 wavelength transmission line, 211,212,221,222 ... 1/4 wavelength transmission line, 231 ... Unbalanced external Terminal electrode, 232,233 ... Balanced external terminal electrode, 300 ... Hybrid integrated circuit module, 301 ... Multilayer substrate, 302 ... External terminal electrode, 303 ... Land electrode, 304 ... Multi-layer wiring, 305 ... Band pass filter, 306 ... Multilayer balun, 307 ... electronic components, 308 ... IC for high frequency transmission / reception, 309 ... shield cover.

Claims (15)

１／２波長伝送線路と該１／２波長伝送線路の一端側に誘電体を挟んで対向して設けられた１／４波長伝送線路と前記１／２波長伝送線路の他端側半分に誘電体を挟んで対向して設けられた１／４波長伝送線路とを備えた積層型バランにおいて、
前記１／２波長伝送線路の一端側を構成する第１の伝送線路が形成されている第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層に隣接して積層され、使用時の電流の方向が前記第１の伝送線路の電流と同方向になるように且つ前記第１の伝送線路に誘電体を挟んで対向するように、前記１／２波長伝送線路の他端側を構成する第２の伝送線路が形成されている第２の誘電体層と、
前記誘電体を挟んで対向する第１の伝送線路と第２の伝送線路とのそれぞれの、電流の方向が同じになるように導電接続する接続手段と、
前記第１の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第１の伝送線路に電磁結合するように、一方の１／４波長伝送線路を構成し、一端が平衡入出力側の一方に接続されると共に他端が第１のグランド電極層に接続された第３の伝送線路が形成されている第３の誘電体層と、
前記第２の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第２の伝送線路に電磁結合するように、他方の１／４波長伝送線路を構成し、一端が平衡入出力側の他方に接続されると共に他端が第２のグランド電極層に接続された第４の伝送線路が形成されている第４の誘電体層と、
前記第３の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第３の伝送線路に対向するように配置された前記第１のグランド電極層と、
前記第４の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第４の伝送線路に対向するように配置された前記第２のグランド電極層と、
前記第３の伝送線路の平衡入出力側の一端又は前記第４の伝送線路の平衡入出力側の一端のうちの何れか一方に介在して接続されている位相補正用伝送線路とを備えた
ことを特徴とする積層型バラン。 A ½ wavelength transmission line, a ¼ wavelength transmission line provided opposite to one end of the ½ wavelength transmission line with a dielectric interposed therebetween, and a dielectric on the other half of the ½ wavelength transmission line. In a laminated balun comprising a quarter wavelength transmission line provided opposite to each other across the body,
A first dielectric layer on which a first transmission line constituting one end side of the half-wave transmission line is formed;
Stacked adjacent to the first dielectric layer, facing the first transmission line with a dielectric in between so that the direction of current in use is the same direction as the current of the first transmission line A second dielectric layer on which a second transmission line constituting the other end of the half-wave transmission line is formed,
Connection means for conductively connecting each of the first transmission line and the second transmission line facing each other with the dielectric interposed therebetween so as to have the same current direction;
One quarter wavelength transmission line is configured to be laminated adjacent to the first dielectric layer and electromagnetically coupled to the first transmission line across the dielectric, and one end is on the balanced input / output side A third dielectric layer formed with a third transmission line connected to one of the first and the other end connected to the first ground electrode layer;
The other quarter-wave transmission line is configured so as to be laminated adjacent to the second dielectric layer and electromagnetically coupled to the second transmission line across the dielectric, and one end is on the balanced input / output side A fourth dielectric layer formed with a fourth transmission line connected to the other of the first and the other end connected to the second ground electrode layer;
The first ground electrode layer laminated adjacent to the third dielectric layer and disposed to face the third transmission line across the dielectric; and
The second ground electrode layer laminated adjacent to the fourth dielectric layer and disposed to face the fourth transmission line across the dielectric; and
A phase correction transmission line connected to either one of the balanced input / output side one end of the third transmission line or the balanced input / output side one end of the fourth transmission line. A laminated balun characterized by that. 前記第１乃至第４の伝送線路のそれぞれが渦巻形状をなしている
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型バラン。 The laminated balun according to claim 1, wherein each of the first to fourth transmission lines has a spiral shape. 前記第１乃至第４の伝送線路のそれぞれの一部が蛇行形状をなしている
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型バラン。 The laminated balun according to claim 1, wherein a part of each of the first to fourth transmission lines has a meandering shape. 前記位相補正用伝送線路が蛇行形状をなしている
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型バラン。 The laminated balun according to claim 1, wherein the phase correcting transmission line has a meandering shape. 前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路は前記誘電体を挟んで容量結合するように配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型バラン。 The laminated balun according to claim 1, wherein the first transmission line and the second transmission line are arranged so as to be capacitively coupled with the dielectric interposed therebetween. １／２波長伝送線路と該１／２波長伝送線路の一端側半分に誘電体を挟んで対向して設けられた１／４波長伝送線路と前記１／２波長伝送線路の他端側に誘電体を挟んで対向して設けられた１／４波長伝送線路とを備えた積層型バランにおいて、
前記１／２波長伝送線路の一端側を構成する第１の伝送線路が形成されている第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層に隣接して積層され、前記第１の伝送線路に対して誘電体を挟んで容量結合するように、前記１／２波長伝送線路の他端側を構成する第２の伝送線路が形成されている第２の誘電体層と、
前記第１の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第１の伝送線路に電磁結合するように、一方の１／４波長伝送線路を構成し、一端が平衡入出力側の一方に接続されると共に他端が第１のグランド電極層に接続された第３の伝送線路が形成されている第３の誘電体層と、
前記第２の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第２の伝送線路に電磁結合するように、他方の１／４波長伝送線路を構成し、一端が平衡入出力側の他方に接続されると共に他端が第２のグランド電極層に接続された第４の伝送線路が形成されている第４の誘電体層と、
前記第３の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第３の伝送線路に対向するように配置された第１のグランド電極層と、
前記第４の誘電体層に隣接して積層され、誘電体を挟んで前記第４の伝送線路に対向するように配置された第２のグランド電極層と、
前記第３の伝送線路の平衡入出力側の一端又は前記第４伝送線路の平衡入出力側の一端のうちの何れか一方に介在して接続されている位相補正用伝送線路とを備えた
ことを特徴とする積層型バラン。 A ½ wavelength transmission line, a ¼ wavelength transmission line provided opposite to each other with a dielectric on one half of the ½ wavelength transmission line, and a dielectric on the other end of the ½ wavelength transmission line. In a laminated balun comprising a quarter wavelength transmission line provided opposite to each other across the body,
A first dielectric layer on which a first transmission line constituting one end side of the half-wave transmission line is formed;
A second layer that is laminated adjacent to the first dielectric layer and that constitutes the other end of the half-wave transmission line so as to be capacitively coupled to the first transmission line with a dielectric interposed therebetween. A second dielectric layer on which the transmission line is formed;
One quarter wavelength transmission line is configured to be laminated adjacent to the first dielectric layer and electromagnetically coupled to the first transmission line across the dielectric, and one end is on the balanced input / output side A third dielectric layer formed with a third transmission line connected to one of the first and the other end connected to the first ground electrode layer;
The other quarter-wave transmission line is configured so as to be laminated adjacent to the second dielectric layer and electromagnetically coupled to the second transmission line across the dielectric, and one end is on the balanced input / output side A fourth dielectric layer formed with a fourth transmission line connected to the other of the first and the other end connected to the second ground electrode layer;
A first ground electrode layer stacked adjacent to the third dielectric layer and disposed to face the third transmission line across the dielectric;
A second ground electrode layer stacked adjacent to the fourth dielectric layer and disposed to face the fourth transmission line across the dielectric;
A phase correction transmission line connected to either one of one end on the balanced input / output side of the third transmission line or one end on the balanced input / output side of the fourth transmission line. A laminated balun characterized by 前記第２の伝送線路は、使用時の電流方向が前記第１の伝送線路の電流方向と同方向になるように形成されている
ことを特徴とする請求項６に記載の積層型バラン。 The multilayer balun according to claim 6, wherein the second transmission line is formed so that a current direction in use is the same as a current direction of the first transmission line. 前記第１乃至第４の伝送線路のそれぞれが渦巻形状をなしている
ことを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の積層型バラン。 The laminated balun according to claim 6 or 7, wherein each of the first to fourth transmission lines has a spiral shape. 前記第１乃至第４の伝送線路のそれぞれの一部が蛇行形状をなしている
ことを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の積層型バラン。 The laminated balun according to claim 6 or 7, wherein a part of each of the first to fourth transmission lines has a meandering shape. 前記位相補正用伝送線路が蛇行形状をなしている
ことを特徴とする請求項６に記載の積層型バラン。 The multilayer balun according to claim 6, wherein the phase correction transmission line has a meandering shape. 前記請求項１乃至１０の何れかに記載の積層型バランを備えている
ことを特徴とする混成集積回路モジュール。 A hybrid integrated circuit module comprising the laminated balun according to claim 1. 積層セラミック基板を有し、該積層セラミック基板の内部に前記積層型バランが設けられている
ことを特徴とする請求項１１に記載の混成集積回路モジュール。 The hybrid integrated circuit module according to claim 11, comprising a multilayer ceramic substrate, wherein the multilayer balun is provided inside the multilayer ceramic substrate. 前記積層セラミック基板が低温同時焼成セラミックスからなる
ことを特徴とする請求項１２に記載の混成集積回路モジュール。 The hybrid integrated circuit module according to claim 12, wherein the multilayer ceramic substrate is made of a low-temperature co-fired ceramic. 前記請求項１乃至３の何れかに記載の積層型バランが内部に形成されている
ことを特徴とする積層基板。 A multilayer substrate comprising the multilayer balun according to any one of claims 1 to 3 formed therein. 低温同時焼成セラミックス基板である
ことを特徴とする請求項１４に記載の積層基板。 The multilayer substrate according to claim 14, which is a low-temperature co-fired ceramic substrate.
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