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JP2009164344A - Semiconductor testing device and semiconductor testing method - Google Patents

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JP2009164344A
JP2009164344A JP2008000632A JP2008000632A JP2009164344A JP 2009164344 A JP2009164344 A JP 2009164344A JP 2008000632 A JP2008000632 A JP 2008000632A JP 2008000632 A JP2008000632 A JP 2008000632A JP 2009164344 A JP2009164344 A JP 2009164344A
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test
integrated circuits
semiconductor
semiconductor wafer
testing
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JP2008000632A
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Ryuta Motooka
竜太 本岡
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Yokogawa Electric Corp
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Yokogawa Electric Corp
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Abstract

【課題】同時にテストする2以上の集積回路の配置を最適化してテスト効率を高める方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハ8上のm(2以上の自然数)個の集積回路のテストを同時に実施することができるプローブカード5を用いてテストを繰り返し実施することにより、半導体ウェハ8上に形成されたn(mより大きな自然数)個の集積回路のテストを実施する半導体テスト装置であって、当該装置は、半導体ウェハ8に近接する他の半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路のテストに要した時間の分布を集積回路ごとに集計するテスト時間集計部22と、集計した時間の分布を参照して、同時にテストするm個の集積回路の配置を決定するマルチ配置決定部24と、決定された配置に従って集積回路のテストを繰り返し実施するテスト実行部25とを有する。これにより同時にテストする2以上の集積回路の配置を最適化し、テスト時間を短縮する。
【選択図】図1
Provided is a method for improving the test efficiency by optimizing the arrangement of two or more integrated circuits to be tested simultaneously.
A semiconductor device is formed on a semiconductor wafer by repeatedly performing the test using a probe card capable of simultaneously testing m (two or more natural number) integrated circuits on the semiconductor wafer. A semiconductor test apparatus for testing n (natural number greater than m) integrated circuits, the apparatus testing n integrated circuits formed on another semiconductor wafer close to the semiconductor wafer 8 A test time totaling unit 22 that totals the time distribution required for each integrated circuit, a multi-location determining unit 24 that determines the arrangement of m integrated circuits to be tested simultaneously with reference to the total time distribution, And a test execution unit 25 that repeatedly executes the test of the integrated circuit according to the determined arrangement. This optimizes the arrangement of two or more integrated circuits to be tested simultaneously and shortens the test time.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、2以上の集積回路を同時にテストすることができるプローブカードを用いて半導体ウェハ上に形成された集積回路のテストを実施する半導体テスト装置及び半導体テスト方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor test apparatus and a semiconductor test method for testing an integrated circuit formed on a semiconductor wafer using a probe card capable of simultaneously testing two or more integrated circuits.

近年の半導体ウェハの大口径化、半導体集積回路の高集積化及び縮小化などにより、一枚の半導体ウェハから製造することができる半導体製品の数が増加し、製造コストの削減が図られている。   With the recent increase in the diameter of semiconductor wafers and the higher integration and reduction of semiconductor integrated circuits, the number of semiconductor products that can be manufactured from a single semiconductor wafer has increased, and manufacturing costs have been reduced. .

一方で、半導体ウェハ上に形成された半導体製品は総てが良品であるとは限らないため、半導体ウェハ上に形成された集積回路の電気的特性をテストして不良品をスクリーニングすることが一般的に行われている。このテストは、通常、半導体ウェハ上の集積回路の電極パッドに対してプローブ針を接触させた状態で実施される。前述したように、半導体製品の数が増加すると半導体ウェハ1枚あたりのテストに要する時間も増加し、検査コストが増加してしまう。   On the other hand, not all semiconductor products formed on semiconductor wafers are good products, so it is common to screen defective products by testing the electrical characteristics of integrated circuits formed on semiconductor wafers. Has been done. This test is usually performed with a probe needle in contact with an electrode pad of an integrated circuit on a semiconductor wafer. As described above, when the number of semiconductor products increases, the time required for a test per semiconductor wafer also increases and the inspection cost increases.

そこで、検査コストを抑えるために、例えば、複数の集積回路の電極パッドに対してプローブ針を接触させることにより2以上の集積回路に対して同時にテストを実施することができる、いわゆるマルチプロービング用のプローブカードが開発されている。このマルチプロービング用のプローブカードを使用することにより、一度にテストされる集積回路の数が増えるため、テスト時間が短縮され、検査コストを削減することができる。   Therefore, in order to reduce the inspection cost, for example, a test for two or more integrated circuits can be performed simultaneously by bringing a probe needle into contact with electrode pads of a plurality of integrated circuits. Probe cards have been developed. By using the probe card for multi-probing, the number of integrated circuits to be tested at a time increases, so that the test time can be shortened and the inspection cost can be reduced.

特許文献1には、マルチプロービング用の非対称形のプローブカードを用いてテストを実施する際に、ソフトウェア的に対称形のロケーションを有するプローブカードと非対称形のロケーションを有するプローブカードとをタッチダウン(ショット)の度毎に使い分けることで、同じ集積回路を重複して検査することを回避して集積回路に加わるストレスを均一化する考案が開示されている。
特開2004−253585号公報
In Patent Document 1, when a test is performed using an asymmetric probe card for multi-probing, a probe card having a symmetric location in software and a probe card having an asymmetric location are touched down ( A device has been disclosed in which the stress applied to the integrated circuit is made uniform by avoiding redundant inspection of the same integrated circuit by properly using each shot).
JP 2004-253585 A

ところで、プローブカードを用いて行われる集積回路のテストには様々な検査項目が含まれるが、これら検査項目の総てを合格しない限り良品とは判定されないが、これら検査項目の1つでも不合格となれば、テストはその時点で中断され、不良品と判定される。したがって、テストに要する時間は良品よりも不良品の方が短くなるのが一般的である。   By the way, various test items are included in the integrated circuit test performed using the probe card, but it is not determined as good unless all of these test items pass, but even one of these test items fails. If so, the test is interrupted at that time and is determined to be defective. Therefore, the time required for the test is generally shorter for a defective product than for a good product.

同時にテストする2以上の集積回路に良品と不良品が含まれている場合、不良品の集積回路をテストしたプローブ針は、同時に行っている良品のテストが終了することを待機しなければならず、テスト効率が低下してしまう。これに従って、半導体ウェハ1枚あたりに要するテスト時間も長期化してしまい、検査コストが増加してしまう。   When two or more integrated circuits to be tested at the same time include a good product and a defective product, the probe needle that has tested the defective integrated circuit must wait for the test of the good product being performed at the same time to end. Test efficiency will be reduced. Accordingly, the test time required for one semiconductor wafer is also prolonged, and the inspection cost is increased.

本発明は、上記問題点を解決するために成されたものであり、その目的は、同時にテストする2以上の集積回路の配置を最適化してテスト効率の高い半導体テスト装置及び半導体テスト方法を提供することである。   The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a semiconductor test apparatus and a semiconductor test method with high test efficiency by optimizing the arrangement of two or more integrated circuits to be tested simultaneously. It is to be.

本発明の第1の特徴は、半導体ウェハ上のm(2以上の自然数)個の集積回路のテストを同時に実施することができるプローブカードを用いてテストを繰り返し実施することにより、半導体ウェハ上に形成されたn(mより大きな自然数)個の集積回路のテストを実施する半導体テスト装置であって、半導体テスト装置が、半導体ウェハに近接する他の半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路のテストに要した時間の分布を集積回路ごとに集計するテスト時間集計部と、集計した時間の分布を参照して、同時にテストするm個の集積回路の配置を決定するマルチ配置決定部と、決定された配置に従って集積回路のテストを繰り返し実施するテスト実行部とを有することである。   A first feature of the present invention is that a test is repeatedly performed using a probe card capable of simultaneously testing m (two or more natural numbers) integrated circuits on a semiconductor wafer. A semiconductor test apparatus for testing n (natural number greater than m) integrated circuits formed, wherein the semiconductor test apparatus is formed on another semiconductor wafer adjacent to the semiconductor wafer. A test time counting unit that counts the distribution of time required for the test for each integrated circuit, a multi-placement determination unit that determines the placement of m integrated circuits to be tested at the same time with reference to the calculated time distribution, And a test execution unit that repeatedly executes the test of the integrated circuit according to the determined arrangement.

互いに近接する2以上の半導体ウェハにおいて各集積回路のテストに要する時間の分布は近似する傾向にある。この傾向を利用すれば、他の半導体ウェハのn個の集積回路のテストに要した時間の分布から、当該半導体ウェハのn個の集積回路のテストに必要な時間の分布を集積回路ごとに予測することができる。そこで、半導体ウェハに近接する他の半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路のテストに要した時間の分布を参照して、同時にテストするm個の集積回路の配置を決定する。これにより、同時にテストする2以上の集積回路の配置を最適化し、半導体ウェハ1枚あたりのテスト時間を短縮して検査コストを抑えることができる。   The distribution of time required for testing each integrated circuit in two or more semiconductor wafers close to each other tends to approximate. If this tendency is used, the time distribution required for testing the n integrated circuits of the semiconductor wafer is predicted for each integrated circuit from the distribution of time required for testing the n integrated circuits of the other semiconductor wafers. can do. Therefore, the arrangement of m integrated circuits to be tested simultaneously is determined with reference to the distribution of time required for testing n integrated circuits formed on another semiconductor wafer adjacent to the semiconductor wafer. Thereby, the arrangement of two or more integrated circuits to be tested at the same time can be optimized, the test time per semiconductor wafer can be shortened, and the inspection cost can be suppressed.

本発明の第1の特徴において、マルチ配置決定部は、半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路について取り得るm個の集積回路の配置群の中で、n個の集積回路のテストに要する全体の時間が最も短くなる配置を選択しても構わない。これにより、同時にテストする2以上の集積回路の配置を最適化し、半導体ウェハ1枚あたりのテスト時間を短縮して検査コストを抑えることができる。   In the first feature of the present invention, the multi-placement determining unit is used to test n integrated circuits in a group of m integrated circuits that can be taken with respect to n integrated circuits formed on a semiconductor wafer. You may select the arrangement | positioning with the shortest total time which requires. Thereby, the arrangement of two or more integrated circuits to be tested at the same time can be optimized, the test time per semiconductor wafer can be shortened, and the inspection cost can be suppressed.

本発明の第1の特徴において、半導体ウェハに近接する他の半導体ウェハが複数有る場合、テスト時間集計部は、複数の他の半導体ウェハ間で形成位置が対応する複数の集積回路についてテストに要した時間の平均値を取っても構わない。これにより、より精度の高いテスト時間の予測が可能となる。   In the first aspect of the present invention, when there are a plurality of other semiconductor wafers close to the semiconductor wafer, the test time counting unit is required for testing a plurality of integrated circuits corresponding to the formation positions between the plurality of other semiconductor wafers. You may take the average value of the time. This makes it possible to predict the test time with higher accuracy.

本発明の第1の特徴において、半導体テスト装置は、複数の他の半導体ウェハと半導体ウェハとの距離がそれぞれ異なる場合において、集積回路のテストに要した時間に対して、他の半導体ウェハ各々の距離に応じた重み付けを行う重み付け部を更に有し、テスト時間集計部は、重み付けされた時間の分布を集計してもよい。これにより、テスト時間に対してウェハ間の距離に応じた重み付けが行われるので、より正確なテスト時間の予測を行うことができる。   In the first feature of the present invention, the semiconductor test apparatus is configured so that each of the other semiconductor wafers can be compared with the time required for the test of the integrated circuit when the distance between the plurality of other semiconductor wafers and the semiconductor wafer is different. A weighting unit that performs weighting according to the distance may be further included, and the test time counting unit may total the weighted time distribution. Thereby, since weighting according to the distance between wafers is performed with respect to test time, more accurate test time can be predicted.

本発明の第2の特徴は、半導体ウェハ上のm(2以上の自然数)個の集積回路のテストを同時に実施することができるプローブカードを用いてテストを繰り返し実施することにより、半導体ウェハ上に形成されたn(mより大きな自然数)個の集積回路のテストを実施する半導体テスト方法であって、半導体テスト方法が、半導体ウェハに近接する他の半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路のテストに要した時間の分布を集積回路ごとに集計する第1の段階と、集計した時間の分布を参照して、同時にテストするm個の集積回路の配置を決定する第2の段階と、決定された配置に従って集積回路のテストを繰り返し実施する第3の段階とを有することである。   The second feature of the present invention is that the test is repeatedly performed using a probe card capable of simultaneously testing m (2 or more natural number) integrated circuits on the semiconductor wafer. A semiconductor test method for testing n (natural number larger than m) integrated circuits formed, wherein the semiconductor test method is formed on another semiconductor wafer adjacent to the semiconductor wafer. A first stage for totalizing the time distribution required for the test for each integrated circuit, a second stage for determining the arrangement of m integrated circuits to be tested simultaneously with reference to the total time distribution, And a third stage of repeatedly testing the integrated circuit according to the determined arrangement.

本発明の第2の特徴において、第2の段階は、半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路について取り得るm個の集積回路の配置群の中で、n個の集積回路のテストに要する全体の時間が最も短くなる配置を選択する段階であってもよい。   In the second aspect of the present invention, the second step is to test n integrated circuits in a group of m integrated circuits that can be taken for n integrated circuits formed on a semiconductor wafer. It may be a step of selecting an arrangement that requires the shortest overall time.

本発明の第2の特徴において、半導体ウェハに近接する他の半導体ウェハが複数有る場
合、第1の段階において、複数の他の半導体ウェハ間で形成位置が対応する複数の集積回路についてテストに要した時間の平均値を取っても構わない。
In the second aspect of the present invention, when there are a plurality of other semiconductor wafers close to the semiconductor wafer, in the first stage, it is necessary to test a plurality of integrated circuits whose formation positions correspond between the plurality of other semiconductor wafers. You may take the average value of the time.

本発明の第2の特徴において、半導体テスト方法は、複数の他の半導体ウェハと半導体ウェハとの距離がそれぞれ異なる場合、第1の段階の前に、集積回路のテストに要した時間に対して、他の半導体ウェハ各々の距離に応じた重み付けを行う段階を更に有していてもよい。   In the second aspect of the present invention, the semiconductor test method is configured to measure the time required for testing the integrated circuit before the first stage when the distance between the semiconductor wafer and the other semiconductor wafers is different. The method may further include a step of performing weighting according to the distance of each of the other semiconductor wafers.

本発明によれば、同時にテストする2以上の集積回路の配置を最適化してテスト効率の高い半導体テスト装置及び半導体テスト方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor test apparatus and a semiconductor test method with high test efficiency by optimizing the arrangement of two or more integrated circuits to be tested simultaneously.

以下図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、図面の記載において同一部分には同一符号を付して説明を省略する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図1(a)を参照して、本発明の実施の形態に係わる半導体テスト装置の構成を説明する。半導体テスト装置は、半導体ウェハ8上に形成された複数の集積回路の電気的特性をテストする装置であって、集積回路各々が良品であるか不良品であるかを判定するために用いられる。   With reference to FIG. 1A, a configuration of a semiconductor test apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. The semiconductor test apparatus is an apparatus for testing electrical characteristics of a plurality of integrated circuits formed on the semiconductor wafer 8, and is used to determine whether each integrated circuit is a good product or a defective product.

半導体テスト装置は、プローバ2と、テスタ3とを備える。プローバ2は、半導体ウェハ8が載置されるステージ4と、半導体ウェハ8上に形成された集積回路の電極パッドに対してプローブ針7を接触させて集積回路へ電気信号を送信し、且つ集積回路から出力される電気信号を受信するプローブカード5とを備える。ステージ4は、集積回路が形成された半導体ウェハ8の主表面に対して平行なX軸、これに直交するY軸及び半導体ウェハ8の主表面に対して垂直なZ軸方向に移動することができる。   The semiconductor test apparatus includes a prober 2 and a tester 3. The prober 2 transmits an electrical signal to the integrated circuit by bringing the probe needle 7 into contact with the stage 4 on which the semiconductor wafer 8 is placed, and the electrode pad of the integrated circuit formed on the semiconductor wafer 8, and integrating the probe. And a probe card 5 for receiving an electrical signal output from the circuit. The stage 4 can move in the X axis parallel to the main surface of the semiconductor wafer 8 on which the integrated circuit is formed, the Y axis orthogonal to the main surface, and the Z axis direction perpendicular to the main surface of the semiconductor wafer 8. it can.

テスタ3は、プローブカード5に接続されたテストヘッド6と、テストヘッド6及びプローバ2全体を制御する制御演算部11と、テストに必要な情報を記憶するメモリ12とを備え、テストヘッド6を介してプローブカード5のプローブ針7に電気的に接続されている。   The tester 3 includes a test head 6 connected to the probe card 5, a control calculation unit 11 that controls the test head 6 and the entire prober 2, and a memory 12 that stores information necessary for the test. Via the probe needle 7 of the probe card 5.

制御演算部11は、ステージ4の動きを制御することにより、ステージ4上に載置された半導体ウェハ8の集積回路の電極パッドに対してプローブカード5のプローブ針7を接触させる。半導体ウェハ8の集積回路の電極パッドに対してプローブカード5のプローブ針7が接触した状態において、テスタ3は、集積回路の電極パッドに対して所定のテストパターンからなる電気信号を入力し、入力された電気信号に対して集積回路の電極パッドから出力される電気信号を解析して集積回路の良否を判定する。制御演算部11は、各集積回路についてテストに要した時間を計測し、計測した時間をメモリ12に記憶させる。   The control operation unit 11 controls the movement of the stage 4 to bring the probe needle 7 of the probe card 5 into contact with the electrode pad of the integrated circuit of the semiconductor wafer 8 placed on the stage 4. In a state where the probe needle 7 of the probe card 5 is in contact with the electrode pad of the integrated circuit of the semiconductor wafer 8, the tester 3 inputs and inputs an electrical signal having a predetermined test pattern to the electrode pad of the integrated circuit. The quality of the integrated circuit is determined by analyzing the electrical signal output from the electrode pad of the integrated circuit with respect to the generated electrical signal. The control calculation unit 11 measures the time required for the test for each integrated circuit, and stores the measured time in the memory 12.

プローブカード5は、m個の集積回路の電極パッドに対してプローブ針を接触させることによりm個の集積回路に対して同時にテストを実施することができる、いわゆるマルチプロービング用のプローブカードである。ここで、「m」は2以上の自然数である。ステージ4の動きを制御しながら、マルチプロービング用のプローブカード5を用いて集積回路のテストを繰り返し実施することにより、半導体ウェハ8上に形成されたn個の集積回路総てのテストを実施することができる。ここで、「n」はmより大きな自然数である。なお、本発明の実施の形態においては、半導体ウェハ8上に形成された2個(m=2)の集積回路に対して同時にテストを実施するマルチプロービング用のプローブカード5の例について説明する。   The probe card 5 is a so-called multi-probing probe card that can simultaneously perform tests on m integrated circuits by bringing probe needles into contact with electrode pads of m integrated circuits. Here, “m” is a natural number of 2 or more. A test of all the n integrated circuits formed on the semiconductor wafer 8 is performed by repeatedly performing the test of the integrated circuit using the probe card 5 for multi-probing while controlling the movement of the stage 4. be able to. Here, “n” is a natural number larger than m. In the embodiment of the present invention, an example of a probe card 5 for multi-probing for simultaneously testing two (m = 2) integrated circuits formed on a semiconductor wafer 8 will be described.

図2(a)〜図2(f)及び図3(a)〜図3(f)は、マルチプロービング用のプローブカードを用いてテストを繰り返し実施することにより半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路の総てをテストする手順を示し、図2(a)〜図2(f)は縦方向(Y方向)に配列された2個の集積回路に対して同時にテスト可能なプローブカードSaを用いた場合を示す。   2 (a) to 2 (f) and FIGS. 3 (a) to 3 (f) show n pieces formed on a semiconductor wafer by repeatedly performing a test using a probe card for multi-probing. FIG. 2A to FIG. 2F show probe cards Sa that can be simultaneously tested for two integrated circuits arranged in the vertical direction (Y direction). The case where is used is shown.

先ず、制御演算部11は、プローブカードSaのプローブ針が図2(a)の点線で囲んだ位置にくるように、テストヘッド6に対するステージ4の位置を調整し、その後、プローブカードSaのプローブ針7を半導体ウェハ8上の集積回路の電極パッドへ接触させる。そして、テスタ3は所定のテストを実施する。なお、図2(a)に示すプローブカードSaの位置では、下方部分に集積回路9が形成されているが、上方部分には集積回路9が形成されていないため、図2(a)に示すショットでは下方部分の集積回路9に対してのみテストが実施される。テスト結果(良否判定)として、良品の判定を「P(パス)」で示し、不良品の判定を「F(フェイル)」で示す。   First, the control calculation unit 11 adjusts the position of the stage 4 with respect to the test head 6 so that the probe needle of the probe card Sa is in the position surrounded by the dotted line in FIG. 2A, and then the probe of the probe card Sa The needle 7 is brought into contact with the electrode pad of the integrated circuit on the semiconductor wafer 8. Then, the tester 3 performs a predetermined test. In addition, in the position of the probe card Sa shown in FIG. 2A, the integrated circuit 9 is formed in the lower part, but since the integrated circuit 9 is not formed in the upper part, it is shown in FIG. In the shot, the test is performed only on the integrated circuit 9 in the lower part. As a test result (good / bad determination), a non-defective product determination is indicated by “P (pass)”, and a defective product determination is indicated by “F (fail)”.

その後、図2(b)に示すように、制御演算部11は、ステージ4を隣接する集積回路9まで横方向(X方向)に移動させ、プローブ針7を集積回路9の電極パッドに接触させ、この状態においてテスタ3は所定のテストを実施する。同様に、図2(c)に示すようにステージ4を移動させて集積回路のテストを実施する。このように、ステージ4の移動、プローブ針7の接触、集積回路9のテストを繰り返し実施することにより、図2(f)に示すように、半導体ウェハ8上に形成された総ての集積回路9について所定のテストを実施することができる。なお、図2(c)及び図2(d)の矢印はプローブカードSaの移動方向を示す。   Thereafter, as shown in FIG. 2B, the control calculation unit 11 moves the stage 4 to the adjacent integrated circuit 9 in the lateral direction (X direction), and brings the probe needle 7 into contact with the electrode pad of the integrated circuit 9. In this state, the tester 3 performs a predetermined test. Similarly, as shown in FIG. 2C, the stage 4 is moved to test the integrated circuit. In this way, all the integrated circuits formed on the semiconductor wafer 8 as shown in FIG. 2 (f) are obtained by repeatedly performing the movement of the stage 4, the contact of the probe needle 7, and the test of the integrated circuit 9. A predetermined test can be performed for 9. 2C and 2D indicate the moving direction of the probe card Sa.

図3(a)〜図3(f)は斜め方向に配列された2個の集積回路に対して同時にテスト可能なプローブカードSbを用いた場合を示す。この場合も前記の図2(a)〜図2(f)の例と同様にして、ステージ4の移動、プローブ針7の接触、集積回路9のテストを繰り返し実施することにより、図3(f)に示すように、半導体ウェハ8上に形成された総ての集積回路9について所定のテストを実施することができる。なお、図2(f)及び図3(f)に示すように、使用するプローブカードの種類(Sa、Sb)が異なっても集積回路各々の良否判定に違いは無い。   FIG. 3A to FIG. 3F show a case where a probe card Sb that can be tested simultaneously on two integrated circuits arranged in an oblique direction is used. In this case, similarly to the example of FIGS. 2A to 2F, the stage 4 is moved, the probe needle 7 is contacted, and the integrated circuit 9 is repeatedly tested, so that FIG. ), A predetermined test can be performed on all the integrated circuits 9 formed on the semiconductor wafer 8. As shown in FIGS. 2 (f) and 3 (f), there is no difference in pass / fail judgment of each integrated circuit even if the types (Sa, Sb) of probe cards to be used are different.

図4(a)は、図2に示した手順により実施された集積回路の良否判定を半導体ウェハ8上のマップで示したものであり、図4(b)及び図4(c)は、各集積回路のテストに要した時間を半導体ウェハ8上のマップで示したものである。このように、図1(a)の半導体テスト装置によって実施されたテストの結果は、図4(a)に示すような「パスフェイルマップ」或いは図4(b)又は図4(c)に示すような「テスト時間マップ」として、図1(a)のメモリ12に記憶される。パスフェイルマップは、各集積回路の良否判定のみを半導体ウェハ8上の位置に対応させて記憶したものであり、テスト時間マップは、各集積回路のテストに要した時間を半導体ウェハ8上の位置に対応させて記憶したものである。図4(b)のテスト時間マップの例は、良品の集積回路のテスト時間を30秒、不良品の集積回路のテスト時間を10秒で一律にマップ表示した場合であり、図4(c)のテスト時間マップの例は、不良品の集積回路各々についてのテスト時間をマップ表示する場合である。本発明の実施の形態では、図4(b)に示すようなテスト時間マップが図1(a)のメモリ12に記憶されている場合について説明を続ける。   FIG. 4A shows the quality determination of the integrated circuit performed by the procedure shown in FIG. 2 on a map on the semiconductor wafer 8, and FIG. 4B and FIG. The time required for the test of the integrated circuit is shown by a map on the semiconductor wafer 8. As described above, the result of the test performed by the semiconductor test apparatus of FIG. 1A is the “pass-fail map” as shown in FIG. 4A, or as shown in FIG. 4B or 4C. Such a “test time map” is stored in the memory 12 of FIG. The pass / fail map stores only the pass / fail judgment of each integrated circuit in correspondence with the position on the semiconductor wafer 8, and the test time map shows the time required for the test of each integrated circuit on the position on the semiconductor wafer 8. It is memorized corresponding to. The example of the test time map in FIG. 4B is a case where the test time of a good integrated circuit is uniformly displayed as 30 seconds and the test time of a defective integrated circuit is uniformly displayed as 10 seconds, as shown in FIG. An example of the test time map is a case where the test time for each defective integrated circuit is displayed as a map. In the embodiment of the present invention, the case where a test time map as shown in FIG. 4B is stored in the memory 12 of FIG.

図5(a)〜図5(d)は、半導体ウェハ8上に形成されたn(=22)個の集積回路について取り得るm(=2)個の集積回路の配置の例を示すウェハマップであり、図5(a)及び図5(b)は、縦方向(Y方向)に配列された2個の集積回路に対して同時にテ
ストを実施可能なプローブカードSaの配置例であり、図5(c)及び図5(d)は、斜め方向に配列された2個の集積回路に対して同時にテストを実施可能なプローブカードSbの配置例である。
FIG. 5A to FIG. 5D are wafer maps showing examples of arrangement of m (= 2) integrated circuits that can be taken for n (= 22) integrated circuits formed on the semiconductor wafer 8. FIGS. 5A and 5B are examples of arrangement of probe cards Sa that can simultaneously test two integrated circuits arranged in the vertical direction (Y direction). FIG. 5C and FIG. 5D are arrangement examples of probe cards Sb that can simultaneously test two integrated circuits arranged in an oblique direction.

図5(a)及び図5(b)に示すように、半導体ウェハ8上に形成された22個の集積回路について、縦方向のプローブカードSaは2通りの配置を取り得る。また、図5(c)及び図5(d)に示すように、半導体ウェハ8上に形成された22個の集積回路について、斜め方向のプローブカードSbも2通りの配置を取り得る。   As shown in FIGS. 5A and 5B, the vertical probe card Sa can take two arrangements for the 22 integrated circuits formed on the semiconductor wafer 8. Further, as shown in FIGS. 5C and 5D, the probe card Sb in the oblique direction can be arranged in two ways with respect to the 22 integrated circuits formed on the semiconductor wafer 8.

図5(a)〜図5(d)に示す各配置について、半導体ウェハ8あたりのテスト時間を計算する。
図5(a)の場合、
30秒×10=300秒
10秒× 4= 40秒
→ 合計 340秒
図5(b)の場合、
30秒× 9=270秒
10秒× 5= 50秒
→ 合計 320秒
図5(c)の場合、
30秒×11=330秒
10秒× 3= 30秒
→ 合計 360秒
図5(d)の場合、
30秒×10=300秒
10秒× 5= 50秒
→ 合計 350秒
このように、使用するプローブカードの種類(Sa、Sb)が同じであっても、同時にテストを実施する2個の集積回路の配置が異なれば、半導体ウェハ8あたりのテスト時間に差が表れる。斜め方向のプローブカードSbについては、図5(d)の方が図5(c)よりもショット数が1回だけ多いが、全体のテスト時間は短くなる。なお、同時にテストする2個の集積回路が良品と不良品であった場合、不良品の集積回路をテストしたプローブ針は、同時に行っている良品のテストが終了するまでステージ4を移動させることができないので、良品のテストに必要な時間(30秒)が経過するまで待機している。また、同時にテストする2個の集積回路が共に良品或いは不良品である場合、当該テストに必要な時間はそれぞれ30秒或いは10秒である。
For each arrangement shown in FIGS. 5A to 5D, a test time per semiconductor wafer 8 is calculated.
In the case of FIG.
30 seconds × 10 = 300 seconds 10 seconds × 4 = 40 seconds → total 340 seconds In the case of FIG.
30 seconds × 9 = 270 seconds 10 seconds × 5 = 50 seconds → total 320 seconds In the case of FIG.
30 seconds × 11 = 330 seconds 10 seconds × 3 = 30 seconds → total 360 seconds In the case of FIG.
30 seconds × 10 = 300 seconds 10 seconds × 5 = 50 seconds → total 350 seconds In this way, even if the type of probe card (Sa, Sb) used is the same, two integrated circuits that simultaneously perform the test If the arrangement of is different, a difference appears in the test time per semiconductor wafer 8. With respect to the probe card Sb in the oblique direction, the number of shots is one more in FIG. 5D than in FIG. 5C, but the overall test time is shortened. When two integrated circuits to be tested at the same time are a good product and a defective product, the probe needle that has tested the defective integrated circuit can move the stage 4 until the test of the good product being performed at the same time is completed. Since it cannot be performed, it waits until the time (30 seconds) required for a good quality test passes. When two integrated circuits to be tested at the same time are both non-defective or defective, the time required for the test is 30 seconds or 10 seconds, respectively.

そこで、本発明の実施の形態に関わる半導体テスト装置は、同時にテストする2個の集積回路の配置を最適化してテスト効率を高めるため、図1(b)に示す制御演算部11を有する。   Therefore, the semiconductor test apparatus according to the embodiment of the present invention has the control operation unit 11 shown in FIG. 1B in order to optimize the arrangement of two integrated circuits to be tested at the same time and increase the test efficiency.

図1(b)に示すように、制御演算部11は、半導体ウェハ8に近接する他の半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路のテストに要した時間の分布を集積回路ごとに集計するテスト時間集計部22と、集計した時間の分布を参照して、同時にテストする2個の集積回路の配置を決定するマルチ配置決定部24と、決定された2個の集積回路の配置に従って集積回路のテストを繰り返し実施するテスト実行部25と、重み付け部21とを有する。   As shown in FIG. 1B, the control calculation unit 11 aggregates the distribution of time required for testing n integrated circuits formed on another semiconductor wafer adjacent to the semiconductor wafer 8 for each integrated circuit. The test time totaling unit 22 that performs the test, the multi-location determination unit 24 that determines the layout of the two integrated circuits to be tested simultaneously with reference to the distribution of the totaled time, and the integration according to the determined layout of the two integrated circuits A test execution unit 25 that repeatedly executes a circuit test and a weighting unit 21 are included.

ここで「半導体ウェハ8」は、これから集積回路のテストを実施するテスト対象の半導体ウェハであって、「他の半導体ウェハ」は、既に集積回路のテストが終了し、各集積回
路について良否判定又はテストに要した時間のデータがメモリ12に記憶されている半導体ウェハである。「近接する」とは、単結晶棒(インゴット)から半導体ウェハを製造する工程、或いは半導体ウェハ上に集積回路を形成する工程において、2枚の半導体ウェハ間の物理的な距離が短いことを示す。例えば、2枚の半導体ウェハが同じインゴットに属していることや、更に2枚の半導体ウェハが属していたインゴット内における位置が近いこと、半導体ウェハ上に集積回路を形成する工程において2枚の半導体ウェハが同一ロット内に属していることや、同一ロット内における2枚の半導体ウェハの距離が短いことなどが含まれる。ここで「近接」は、2枚の半導体ウェハが隣り合う「隣接」及び2枚の半導体ウェハの間に数枚の半導体ウェハが介在する「近傍」の両方の意を含む語として用いる。
Here, the “semiconductor wafer 8” is a semiconductor wafer to be tested from which the integrated circuit test will be performed, and the “other semiconductor wafer” has already been tested for the integrated circuit, and whether or not each integrated circuit is determined as good or bad. The semiconductor wafer is stored in the memory 12 with time data required for the test. “Adjacent” indicates that a physical distance between two semiconductor wafers is short in a process of manufacturing a semiconductor wafer from a single crystal rod (ingot) or a process of forming an integrated circuit on a semiconductor wafer. . For example, two semiconductor wafers belong to the same ingot, two semiconductor wafers belong to a close position in the ingot, and two semiconductors are formed in the process of forming an integrated circuit on the semiconductor wafer. This includes that the wafer belongs to the same lot and that the distance between two semiconductor wafers in the same lot is short. Here, “adjacent” is used as a term including both “adjacent” where two semiconductor wafers are adjacent to each other and “near” where several semiconductor wafers are interposed between two semiconductor wafers.

テスト時間集計部22は、メモリ12内のデータを検索して、半導体ウェハ8に近接する他の半導体ウェハについて、各集積回路のテストに要した時間をメモリ12から読み出し、図4(b)に示すようなテスト時間マップとして集計する。これにより、当該他の半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路のテストに要した時間の分布が集積回路ごとに集計される。   The test time totaling unit 22 searches the data in the memory 12 and reads the time required for testing each integrated circuit from the memory 12 for other semiconductor wafers close to the semiconductor wafer 8, and the result shown in FIG. Aggregate as a test time map as shown. As a result, the time distribution required for testing the n integrated circuits formed on the other semiconductor wafer is aggregated for each integrated circuit.

互いに近接する2以上の半導体ウェハにおいて各集積回路のテストに要する時間の分布は近似する傾向にある。この傾向を利用すれば、他の半導体ウェハのn個の集積回路のテストに要した時間の分布から、当該半導体ウェハのn個の集積回路のテストに必要な時間の分布を集積回路ごとに予測することができる。他の半導体ウェハのテスト結果として、図4(b)に示すようなテスト時間マップが集計された場合、当該他の半導体ウェハに近接するテスト対象の半導体ウェハ8についても、図4(b)に近似したテスト時間の分布が得られることが予測される。   The distribution of time required for testing each integrated circuit in two or more semiconductor wafers close to each other tends to approximate. If this tendency is used, the time distribution required for testing the n integrated circuits of the semiconductor wafer is predicted for each integrated circuit from the distribution of time required for testing the n integrated circuits of the other semiconductor wafers. can do. When test time maps as shown in FIG. 4B are tabulated as test results of other semiconductor wafers, the test target semiconductor wafer 8 adjacent to the other semiconductor wafers is also shown in FIG. It is expected that an approximate test time distribution will be obtained.

なお、テスト時間集計部22は平均値取得部23を有し、半導体ウェハ8に近接する他の半導体ウェハが複数有る場合、平均値取得部23は、複数の他の半導体ウェハ間で形成位置が対応する複数の集積回路についてテストに要した時間の平均値を取る。これにより、テスト時間の分布を更に精度良く予測することができる。   Note that the test time totaling unit 22 has an average value acquisition unit 23, and when there are a plurality of other semiconductor wafers close to the semiconductor wafer 8, the average value acquisition unit 23 has a formation position between the plurality of other semiconductor wafers. The average value of the time required for testing the corresponding integrated circuits is taken. As a result, the test time distribution can be predicted with higher accuracy.

更に、重み付け部21は、複数の他の半導体ウェハと半導体ウェハ8との距離がそれぞれ異なる場合において、集積回路のテストに要した時間に対して、他の半導体ウェハ各々の距離に応じた重み付けを行う。テスト時間集計部22は、重み付けされたテスト時間の分布を集計する。これにより、テスト時間の分布の予測精度が更に向上する。   Further, the weighting unit 21 weights the time required for the test of the integrated circuit according to the distance of each of the other semiconductor wafers when the distance between the plurality of other semiconductor wafers and the semiconductor wafer 8 is different. Do. The test time totaling unit 22 totals the weighted test time distribution. Thereby, the prediction accuracy of the test time distribution is further improved.

マルチ配置決定部24は、図4(b)に示すように集計されたテスト時間マップを参照して、同時にテストする2個の集積回路の配置を決定する。例えば、マルチ配置決定部24は、図4(b)のテスト時間マップに対して、図5(a)〜図5(d)に示すような、半導体ウェハ8上に形成されたn個の集積回路について取り得る2個の集積回路の配置群の中で、n個の集積回路のテストに要する全体の時間が最も短くなる配置を選択する。具体的に、マルチ配置決定部24は、図5(a)〜図5(d)に示す2個の集積回路の配置のそれぞれについて、半導体ウェハ8あたりのテスト時間全体を計算し、半導体ウェハ8あたりのテスト時間全体が最も短くなる配置を選択する。   The multi-placement determining unit 24 refers to the test time map tabulated as shown in FIG. 4B, and determines the placement of two integrated circuits to be tested simultaneously. For example, the multi-placement determining unit 24 performs n integrations formed on the semiconductor wafer 8 as shown in FIGS. 5A to 5D with respect to the test time map of FIG. Among the two integrated circuit arrangement groups that can be taken for the circuit, an arrangement is selected that minimizes the overall time required to test n integrated circuits. Specifically, the multi-arrangement determination unit 24 calculates the entire test time per semiconductor wafer 8 for each of the two integrated circuit arrangements shown in FIGS. Choose an arrangement that gives the shortest overall test time.

テスト実行部25は、選択された2個の集積回路の配置に従って集積回路のテストを繰り返し実施する。   The test execution unit 25 repeatedly executes the test of the integrated circuit according to the arrangement of the two selected integrated circuits.

図6を参照して、図1(a)の半導体テスト装置を用いた半導体テスト方法の一例を説明する。   With reference to FIG. 6, an example of a semiconductor test method using the semiconductor test apparatus of FIG.

(イ)先ず、ステップS01において、制御演算部11は、メモリ12内のデータを検索して、テスト対象の半導体ウェハ8に近接する他の半導体ウェハについて各集積回路のテストに要した時間のデータがあるか否かを判断する。時間のデータが有る場合(S01にてYES)ステップS02へ進み、時間のデータが無い場合(S01にてNO)ステップS05へ進む。例えば、1ロットについて最初にテストを実施する半導体ウェハに対しては、近接する他の半導体ウェハであって、既にテストが実施済みであるものは無いと判断することができるので、この場合(S01にてNO)、ステップS05へ進む。   (A) First, in step S01, the control calculation unit 11 searches the data in the memory 12, and data of time required for testing each integrated circuit for another semiconductor wafer close to the semiconductor wafer 8 to be tested. Judge whether there is. If there is time data (YES in S01), the process proceeds to step S02, and if there is no time data (NO in S01), the process proceeds to step S05. For example, since it can be determined that there is no other semiconductor wafer that is close to the semiconductor wafer to be tested first for one lot and has already been tested, in this case (S01). NO), the process proceeds to step S05.

(ロ)ステップS02において、テスト時間集計部22は、半導体ウェハ8に近接する他の半導体ウェハについて、各集積回路のテストに要した時間をメモリ12から読み出し、図4(b)に示すようなテスト時間マップとして集計する。図6の例では、他の半導体ウェハが1枚である場合について説明する。   (B) In step S02, the test time totaling unit 22 reads the time required for testing each integrated circuit from the memory 12 for the other semiconductor wafers close to the semiconductor wafer 8, as shown in FIG. Aggregate as test time map. In the example of FIG. 6, the case where there is one other semiconductor wafer will be described.

(ハ)ステップS03に進み、マルチ配置決定部24は、図5(a)〜図5(d)に示す2個の集積回路の配置のそれぞれについて、半導体ウェハ8あたりのテスト時間全体を計算する。その後、ステップS04に進み、マルチ配置決定部24は、図5(a)〜図5(d)に示す2個の集積回路の配置群の中から、半導体ウェハ8あたりのテスト時間全体が最も短くなる配置を選択する。図5(a)〜図5(d)のうち、テスト時間全体が最も短くなる配置は図5(b)であるため、マルチ配置決定部24は、図5(b)に示す配置を選択する。   (C) Proceeding to step S03, the multi-placement determining unit 24 calculates the entire test time per semiconductor wafer 8 for each of the two integrated circuit placements shown in FIGS. 5 (a) to 5 (d). . Thereafter, the process proceeds to step S04, where the multi-placement determining unit 24 has the shortest overall test time per semiconductor wafer 8 out of the two integrated circuit placement groups shown in FIGS. 5 (a) to 5 (d). Select an arrangement. 5A to 5D, the arrangement in which the entire test time is the shortest is FIG. 5B, so the multi-arrangement determination unit 24 selects the arrangement shown in FIG. 5B. .

(ニ)ステップS05に進み、テスト実行部25は、選択された図5(b)に示す配置に従って集積回路のテストを繰り返し実施する。以上の手順を経て、半導体ウェハ8上に形成された総ての集積回路に対して所定のテストを実施することができる。   (D) Proceeding to step S05, the test execution unit 25 repeatedly executes the test of the integrated circuit according to the selected arrangement shown in FIG. Through the above procedure, a predetermined test can be performed on all the integrated circuits formed on the semiconductor wafer 8.

以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、以下の作用効果が得られる。   As described above, according to the embodiment of the present invention, the following effects can be obtained.

互いに近接する2以上の半導体ウェハにおいて各集積回路のテストに要する時間の分布は近似する傾向にある。この傾向を利用すれば、他の半導体ウェハのn個(図4(b)の例では22個)の集積回路のテストに要した時間の分布から、テスト対象となる半導体ウェハ8のn個の集積回路のテストに必要な時間の分布を集積回路ごとに予測することができる。そこで、半導体ウェハ8に近接する他の半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路のテストに要した時間の分布を参照して、同時にテストする2個(m=2)の集積回路の配置を決定することにより、同時にテストする2個の集積回路の配置を最適化し、半導体ウェハ1枚あたりのテスト時間を短縮して検査コストを抑えることができる。   The distribution of time required for testing each integrated circuit in two or more semiconductor wafers close to each other tends to approximate. If this tendency is utilized, the time distribution required for testing n integrated circuits of other semiconductor wafers (22 in the example of FIG. 4B) will be calculated from the n distributions of the semiconductor wafer 8 to be tested. The distribution of time required for testing the integrated circuit can be predicted for each integrated circuit. Therefore, referring to the distribution of time required for testing n integrated circuits formed on another semiconductor wafer adjacent to the semiconductor wafer 8, the arrangement of two (m = 2) integrated circuits to be tested simultaneously. Thus, the arrangement of two integrated circuits to be tested simultaneously can be optimized, the test time per semiconductor wafer can be shortened, and the inspection cost can be suppressed.

半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路について取り得る2個(m=2)の集積回路の配置群の中で、n個の集積回路のテストに要する全体の時間が最も短くなる配置を選択することにより、同時にテストする2個の集積回路の配置を決定する。これにより、半導体ウェハ1枚あたりのテスト時間が短縮されて検査コストを抑えることができる。
(第1の変形例)
図6に示した半導体テスト方法の例では、半導体ウェハ8に近接する他の半導体ウェハが1枚であったが、他の半導体ウェハが複数枚有る場合、図7に示すフローチャートにより半導体ウェハ8上に形成された集積回路のテストを実施することができる。
Among the arrangement groups of two (m = 2) integrated circuits that can be taken for the n integrated circuits formed on the semiconductor wafer, an arrangement in which the total time required for testing the n integrated circuits is the shortest. The selection determines the placement of the two integrated circuits to be tested simultaneously. Thereby, the test time per semiconductor wafer can be shortened and the inspection cost can be suppressed.
(First modification)
In the example of the semiconductor test method shown in FIG. 6, the number of other semiconductor wafers close to the semiconductor wafer 8 is one. However, when there are a plurality of other semiconductor wafers, the flowchart shown in FIG. The integrated circuit formed in the test can be tested.

図7を参照して、図1(a)の半導体テスト装置を用いた半導体テスト方法の第1の変形例を説明する。   With reference to FIG. 7, a first modification of the semiconductor test method using the semiconductor test apparatus of FIG.

(イ)先ず、ステップS11において、制御演算部11は、メモリ12内のデータを検索して、テスト対象の半導体ウェハ8に近接する他の半導体ウェハについて各集積回路の
テストに要した時間のデータがあるか否かを判断する。時間のデータが有る場合(S11にてYES)ステップS12へ進み、時間のデータが無い場合(S11にてNO)ステップS17へ進む。
(A) First, in step S11, the control calculation unit 11 searches for data in the memory 12, and data on the time required for testing each integrated circuit for another semiconductor wafer adjacent to the semiconductor wafer 8 to be tested. Judge whether there is. If time data is present (YES in S11), the process proceeds to step S12. If time data is not present (NO in S11), the process proceeds to step S17.

(ロ)ステップS12において、制御演算部11は、半導体ウェハ8に近接する他の半導体ウェハが複数枚有るか否かを判断する。複数枚有る場合(S12にてYES)ステップS13へ進み、複数枚で無い場合(S12にてNO)ステップS14へ進む。   (B) In step S <b> 12, the control calculation unit 11 determines whether there are a plurality of other semiconductor wafers close to the semiconductor wafer 8. If there are a plurality of sheets (YES in S12), the process proceeds to step S13, and if there are not a plurality of sheets (NO in S12), the process proceeds to step S14.

(ハ)ステップS13において、平均値取得部23は、複数の他の半導体ウェハ間で形成位置が対応する複数の集積回路についてテストに要した時間の平均値を取る。その後、ステップS14へ進む。   (C) In step S13, the average value acquisition unit 23 takes the average value of the time required for the test for the plurality of integrated circuits corresponding to the formation positions among the plurality of other semiconductor wafers. Then, it progresses to step S14.

(ニ)以後、ステップS14〜S17の処理内容は、図6のステップS02〜S05と同じであり説明を省略する。   (D) The processing contents of steps S14 to S17 are the same as those of steps S02 to S05 in FIG.

このように、半導体ウェハ8に近接する他の半導体ウェハが複数有る場合、複数の他の半導体ウェハ間で形成位置が対応する複数の集積回路についてテストに要した時間の平均値を取ることにより、より精度の高いテスト時間の予測が可能となる。
(第2の変形例)
図7に示した半導体テスト方法の例では、複数の他の半導体ウェハと半導体ウェハ8との距離を考慮していないが、この距離を考慮することにより、より精度の高いテスト時間の予測が可能となる。
Thus, when there are a plurality of other semiconductor wafers close to the semiconductor wafer 8, by taking the average value of the time required for the test for a plurality of integrated circuits corresponding to the formation positions between the plurality of other semiconductor wafers, More accurate test time can be predicted.
(Second modification)
In the example of the semiconductor test method shown in FIG. 7, the distance between a plurality of other semiconductor wafers and the semiconductor wafer 8 is not taken into account, but by taking this distance into account, a more accurate test time can be predicted. It becomes.

図8を参照して、図1(a)の半導体テスト装置を用いた半導体テスト方法の第2の変形例を説明する。   With reference to FIG. 8, a second modification of the semiconductor test method using the semiconductor test apparatus of FIG.

(イ)先ず、ステップS21において、制御演算部11は、メモリ12内のデータを検索して、テスト対象の半導体ウェハ8に近接する他の半導体ウェハについて各集積回路のテストに要した時間のデータがあるか否かを判断する。時間のデータが有る場合(S21にてYES)ステップS22へ進み、時間のデータが無い場合(S21にてNO)ステップS29へ進む。   (A) First, in step S21, the control calculation unit 11 searches the data in the memory 12, and data on the time required for testing each integrated circuit for another semiconductor wafer close to the semiconductor wafer 8 to be tested. Judge whether there is. If there is time data (YES in S21), the process proceeds to step S22, and if there is no time data (NO in S21), the process proceeds to step S29.

(ロ)ステップS22において、制御演算部11は、半導体ウェハ8に近接する他の半導体ウェハが複数枚有るか否かを判断する。複数枚有る場合(S22にてYES)ステップS23へ進み、複数枚無い場合(S22にてNO)ステップS25へ進む。   (B) In step S <b> 22, the control calculation unit 11 determines whether there are a plurality of other semiconductor wafers close to the semiconductor wafer 8. If there are a plurality of sheets (YES in S22), the process proceeds to step S23, and if there are not a plurality of sheets (NO in S22), the process proceeds to step S25.

(ハ)ステップS23において、制御演算部11は、複数の他の半導体ウェハと半導体ウェハ8との距離がそれぞれ異なるか否かを判断する。距離が異なる場合(S23にてYES)ステップS24へ進み、距離が異ならない場合(S23にてNO)ステップS25へ進む。   (C) In step S23, the control calculation unit 11 determines whether or not the distances between the plurality of other semiconductor wafers and the semiconductor wafer 8 are different from each other. If the distance is different (YES in S23), the process proceeds to step S24. If the distance is not different (NO in S23), the process proceeds to step S25.

(ニ)ステップS24において、重み付け部21は、集積回路のテストに要した時間に対して、他の半導体ウェハ各々の距離に応じた重み付けを行う。その後、ステップS25へ進む。   (D) In step S24, the weighting unit 21 weights the time required for the test of the integrated circuit according to the distance of each of the other semiconductor wafers. Thereafter, the process proceeds to step S25.

(ホ)以後、ステップS25〜S29の処理内容は、図7のステップS13〜S17と同じであり説明を省略する。   (E) The processing contents of steps S25 to S29 are the same as those of steps S13 to S17 in FIG.

このように、複数の他の半導体ウェハと半導体ウェハ8との距離がそれぞれ異なる場合において、重み付け部21は、集積回路のテストに要した時間に対して、他の半導体ウェ
ハ各々の前記距離に応じた重み付けを行う。そして、テスト時間集計部22は、重み付けされた時間の分布を集計する。これにより、より精度の高いテスト時間の予測が可能となる。
Thus, when the distances between the plurality of other semiconductor wafers and the semiconductor wafer 8 are different from each other, the weighting unit 21 responds to the distance of each of the other semiconductor wafers with respect to the time required for the test of the integrated circuit. Weighting. Then, the test time totaling unit 22 totals the weighted time distribution. This makes it possible to predict the test time with higher accuracy.

上記のように、本発明は、1つの実施の形態及びその変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。   As described above, the present invention has been described by way of one embodiment and modifications thereof. However, it should not be understood that the description and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples, and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

例えば、特定のロット内の総ての半導体ウェハについてテストを実施した後、総ての半導体ウェハについてテスト時間マップを集計し、その半導体製品の品種についてテスト時間の分布の傾向を分析し、当該品種について同時にテストする2以上の集積回路の配置を予め設定して、同一品種の次のロットについて最初にテストを実施する半導体ウェハに適用する。これにより、ロット内で最初にテストを実施する半導体ウェハについてもテスト効率を改善することができる。   For example, after testing all semiconductor wafers in a specific lot, the test time map is totaled for all semiconductor wafers, the trend of test time distribution is analyzed for the semiconductor product types, The arrangement of two or more integrated circuits to be tested at the same time is preset and applied to the semiconductor wafer to be tested first for the next lot of the same type. As a result, the test efficiency can be improved for the semiconductor wafer to be tested first in the lot.

本発明の実施の形態においては、テスト時間集計部22が図4(b)に示したテスト時間マップを集計する場合について説明したが、図4(a)に示したパスフェイルマップ又は図4(c)に示した詳細なテスト時間マップを集計しても構わない。図4(a)に示したパスフェイルマップを集計する場合、パス(P)とフェイル(F)についてそれぞれ要したテスト時間を設定すれば、図4(b)と同様な半導体テスト方法を実施することができる。図4(c)に示した詳細なテスト時間マップを用いることにより、テスト効率を更に向上させることができる。   In the embodiment of the present invention, the case where the test time totaling unit 22 totals the test time map shown in FIG. 4B has been described, but the path fail map shown in FIG. 4A or FIG. The detailed test time map shown in c) may be totaled. When tabulating the pass / fail maps shown in FIG. 4A, if the test times required for the pass (P) and fail (F) are set, the same semiconductor test method as in FIG. 4 (b) is performed. be able to. By using the detailed test time map shown in FIG. 4C, the test efficiency can be further improved.

また、図5(a)〜図5(d)では、縦方向のプローブカードSa及び斜め方向のプローブカードSbを例に挙げたが、これ以外の配置を有するマルチプロービング用のプローブカードについても本発明を適用することができる。更に、同時に3以上の集積回路のテストを実施可能なマルチプロービング用のプローブカードについても同様である。   5 (a) to 5 (d), the vertical probe card Sa and the diagonal probe card Sb are taken as examples. However, the present invention also applies to multi-probing probe cards having other arrangements. The invention can be applied. The same applies to a probe card for multi-probing capable of simultaneously testing three or more integrated circuits.

また、本発明の実施の形態では、テスタ3が制御演算部11及びメモリ12を備えている場合を示したが、プローバ2が制御演算部11及びメモリ12を備えていても構わない。   In the embodiment of the present invention, the case where the tester 3 includes the control calculation unit 11 and the memory 12 has been described. However, the prober 2 may include the control calculation unit 11 and the memory 12.

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定されるものである。   Thus, it should be understood that the present invention includes various embodiments and the like not described herein. Therefore, the present invention is limited only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from this disclosure.

図1(a)は本発明の実施の形態に係わる半導体テスト装置の構成を示すブロック図であり、図1(b)は図1(a)の制御演算部11の構成を示すブロック図である。FIG. 1A is a block diagram showing the configuration of the semiconductor test apparatus according to the embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a block diagram showing the configuration of the control arithmetic unit 11 of FIG. . 図2(a)〜図2(f)は縦方向(Y方向)に配列された2個の集積回路に対して同時にテスト可能なプローブカードSaを用いて繰り返しテストを実施することにより半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路の総てをテストする手順を示す。2 (a) to 2 (f) show a case where a semiconductor wafer is repeatedly tested by using a probe card Sa that can simultaneously test two integrated circuits arranged in the vertical direction (Y direction). The procedure for testing all of the n integrated circuits formed in FIG. 図3(a)〜図3(f)は斜め方向に配列された2個の集積回路に対して同時にテスト可能なプローブカードSbを用いて繰り返しテストを実施することにより半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路の総てをテストする手順を示す。3 (a) to 3 (f) are formed on a semiconductor wafer by repeatedly performing a test using a probe card Sb that can be simultaneously tested on two integrated circuits arranged in an oblique direction. A procedure for testing all n integrated circuits is shown. 図4(a)は、図2に示した手順により実施された集積回路の良否判定を半導体ウェハ8上のマップで示したものであり、図4(b)及び図4(c)は、各集積回路のテストに要した時間を半導体ウェハ8上のマップで示したものである。FIG. 4A shows the quality determination of the integrated circuit performed by the procedure shown in FIG. 2 on a map on the semiconductor wafer 8, and FIG. 4B and FIG. The time required for the test of the integrated circuit is shown by a map on the semiconductor wafer 8. 図5(a)〜図5(d)は、半導体ウェハ8上に形成されたn(=22)個の集積回路について取り得るm(=2)個の集積回路の配置の例を示すウェハマップであり、図5(a)及び図5(b)は、縦方向(Y方向)に配列された2個の集積回路に対して同時にテストを実施可能なプローブカードSaの配置例であり、図5(c)及び図5(d)は、斜め方向に配列された2個の集積回路に対して同時にテストを実施可能なプローブカードSbの配置例である。FIG. 5A to FIG. 5D are wafer maps showing examples of arrangement of m (= 2) integrated circuits that can be taken for n (= 22) integrated circuits formed on the semiconductor wafer 8. FIGS. 5A and 5B are examples of arrangement of probe cards Sa that can simultaneously test two integrated circuits arranged in the vertical direction (Y direction). FIG. 5C and FIG. 5D are arrangement examples of probe cards Sb that can simultaneously test two integrated circuits arranged in an oblique direction. 図1(a)の半導体テスト装置を用いた半導体テスト方法の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the semiconductor test method using the semiconductor test apparatus of Fig.1 (a). 第1の変形例に関わる半導体テスト方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the semiconductor test method in connection with a 1st modification. 第2の変形例に関わる半導体テスト方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the semiconductor test method in connection with a 2nd modification.

符号の説明Explanation of symbols

2…プローバ
3…テスタ
4…ステージ
5、Sa、Sb…プローブカード
6…テストヘッド
7…プローブ針
8…半導体ウェハ
9…集積回路
11…制御演算部
12…メモリ
21…重み付け部
22…テスト時間集計部
23…平均値取得部
24…マルチ配置決定部
25…テスト実行部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Prober 3 ... Tester 4 ... Stage 5, Sa, Sb ... Probe card 6 ... Test head 7 ... Probe needle 8 ... Semiconductor wafer 9 ... Integrated circuit 11 ... Control operation part 12 ... Memory 21 ... Weighting part 22 ... Test time totalization Unit 23 ... Average value acquisition unit 24 ... Multi-placement determination unit 25 ... Test execution unit

Claims (8)

半導体ウェハ上のm(2以上の自然数)個の集積回路のテストを同時に実施することができるプローブカードを用いて前記テストを繰り返し実施することにより、半導体ウェハ上に形成されたn(mより大きな自然数)個の集積回路のテストを実施する半導体テスト装置であって、
前記半導体ウェハに近接する他の半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路のテストに要した時間の分布を前記集積回路ごとに集計するテスト時間集計部と、
前記集計した時間の分布を参照して、同時にテストするm個の集積回路の配置を決定するマルチ配置決定部と、
前記決定された前記配置に従って集積回路のテストを繰り返し実施するテスト実行部
とを有することを特徴とする半導体テスト装置。
By repeating the test using a probe card capable of simultaneously performing tests on m (natural numbers of 2 or more) integrated circuits on the semiconductor wafer, n (larger than m) formed on the semiconductor wafer A semiconductor test apparatus for testing a natural number of integrated circuits,
A test time counting unit for counting the distribution of time required for testing n integrated circuits formed on another semiconductor wafer adjacent to the semiconductor wafer for each integrated circuit;
A multi-location determining unit that determines the layout of m integrated circuits to be tested simultaneously with reference to the aggregated time distribution;
And a test execution unit that repeatedly executes a test of the integrated circuit according to the determined arrangement.
前記マルチ配置決定部は、半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路について取り得るm個の集積回路の配置群の中で、n個の集積回路のテストに要する全体の時間が最も短くなる前記配置を選択することを特徴とする請求項1記載の半導体テスト装置。   The multi-arrangement determining unit has the shortest total time required for testing n integrated circuits in the arrangement group of m integrated circuits that can be taken for n integrated circuits formed on a semiconductor wafer. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the arrangement is selected. 前記半導体ウェハに近接する他の半導体ウェハが複数有る場合、前記テスト時間集計部は、複数の他の半導体ウェハ間で形成位置が対応する複数の集積回路について前記テストに要した時間の平均値を取ることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体テスト装置。   When there are a plurality of other semiconductor wafers close to the semiconductor wafer, the test time counting unit calculates an average value of the time required for the test for a plurality of integrated circuits corresponding to formation positions between the plurality of other semiconductor wafers. 3. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor test apparatus is taken. 複数の他の半導体ウェハと前記半導体ウェハとの距離がそれぞれ異なる場合において、前記集積回路のテストに要した時間に対して、前記他の半導体ウェハ各々の前記距離に応じた重み付けを行う重み付け部を更に有し、前記テスト時間集計部は、重み付けされた前記時間の分布を集計することを特徴とする請求項3に記載の半導体テスト装置。   A weighting unit that weights the time required for the test of the integrated circuit according to the distance of each of the other semiconductor wafers when the distance between the plurality of other semiconductor wafers is different from that of the semiconductor wafer; The semiconductor test apparatus according to claim 3, further comprising a test time totaling unit that totalizes the weighted distribution of the time. 半導体ウェハ上のm(2以上の自然数)個の集積回路のテストを同時に実施することができるプローブカードを用いて前記テストを繰り返し実施することにより、半導体ウェハ上に形成されたn(mより大きな自然数)個の集積回路のテストを実施する半導体テスト方法であって、
前記半導体ウェハに近接する他の半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路のテストに要した時間の分布を前記集積回路ごとに集計する第1の段階と、
前記集計した時間の分布を参照して、同時にテストするm個の集積回路の配置を決定する第2の段階と、
前記決定された前記配置に従って集積回路のテストを繰り返し実施する第3の段階
とを有することを特徴とする半導体テスト方法。
By repeating the test using a probe card capable of simultaneously performing tests on m (natural numbers of 2 or more) integrated circuits on the semiconductor wafer, n (larger than m) formed on the semiconductor wafer A semiconductor test method for testing a natural number of integrated circuits,
A first stage in which a distribution of time required for testing n integrated circuits formed on another semiconductor wafer adjacent to the semiconductor wafer is aggregated for each integrated circuit;
A second step of determining the placement of m integrated circuits to be tested simultaneously with reference to the aggregated time distribution;
And a third step of repeatedly testing the integrated circuit according to the determined arrangement.
前記第2の段階は、半導体ウェハ上に形成されたn個の集積回路について取り得るm個の集積回路の配置群の中で、n個の集積回路のテストに要する全体の時間が最も短くなる前記配置を選択する段階である
ことを特徴とする請求項5記載の半導体テスト方法。
In the second stage, the total time required for testing n integrated circuits is the shortest among the arrangement groups of m integrated circuits that can be taken for n integrated circuits formed on a semiconductor wafer. The semiconductor test method according to claim 5, wherein the placement is selected.
前記半導体ウェハに近接する他の半導体ウェハが複数有る場合、
前記第1の段階において、複数の他の半導体ウェハ間で形成位置が対応する複数の集積回路について前記テストに要した時間の平均値を取ることを特徴とする請求項5又は6記載の半導体テスト方法。
When there are a plurality of other semiconductor wafers close to the semiconductor wafer,
7. The semiconductor test according to claim 5, wherein, in the first stage, an average value of times required for the test is taken for a plurality of integrated circuits corresponding to formation positions among a plurality of other semiconductor wafers. Method.
複数の他の半導体ウェハと前記半導体ウェハとの距離がそれぞれ異なる場合、
前記第1の段階の前に、前記集積回路のテストに要した時間に対して、前記他の半導体ウェハ各々の前記距離に応じた重み付けを行う段階を更に有することを特徴とする請求項
7に記載の半導体テスト方法。
When the distance between a plurality of other semiconductor wafers and the semiconductor wafer is different,
8. The method according to claim 7, further comprising the step of weighting the time required for testing the integrated circuit according to the distance of each of the other semiconductor wafers before the first step. The semiconductor test method as described.
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