JP2009146990A - Cutting method of tape or film affixed to wafer - Google Patents
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Abstract
【課題】ウエーハの欠けや割れを引き起こさずに、ウエーハに貼り付けられたテープまたはフィルムを切断する方法を提供する。
【解決手段】本発明のテープまたはフィルム2の切断方法は、ウエーハ1を切断する切断工具の刃先と、ウエーハ外周の接線との間に一定の角度9を設け、前記角度9を保ちながら、ウエーハ1に貼り付けられたテープまたはフィルム2を、ウエーハ1の外径より大きく切断する。これにより、切断工具の刃先3がウエーハ1の端面部に直接接することがない。
【選択図】図1A method for cutting a tape or a film attached to a wafer without causing the chipping or cracking of the wafer is provided.
A method for cutting a tape or a film 2 according to the present invention provides a constant angle 9 between a cutting edge of a cutting tool for cutting a wafer 1 and a tangent to the outer periphery of the wafer. The tape or film 2 attached to 1 is cut larger than the outer diameter of the wafer 1. As a result, the cutting edge 3 of the cutting tool does not directly contact the end surface portion of the wafer 1.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、半導体製造時において、ウエーハに貼り付けられたテープまたはフィルムを切断する方法に関する。 The present invention relates to a method for cutting a tape or a film attached to a wafer at the time of manufacturing a semiconductor.
半導体装置の製造方法において、ウエーハに形成されたCCD(Charge Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ等の撮像素子上には、撮像素子への異物付着を防ぎ、光を透過させる特性を有するガラス基板が形成される。ガラス基板は直接撮像素子に触れないよう隙間を設けるため、撮像素子上に感光性樹脂フィルムを貼りつけ、撮像領域が開口するようにフィルムをパターニングし、撮像領域の外周部に残ったフィルムによってガラス基板を支える構造となっている。 2. Description of the Related Art In a manufacturing method of a semiconductor device, on an imaging device such as a CCD (Charge Coupled Device) or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor formed on a wafer, a property of preventing light from adhering to the imaging device and transmitting light A glass substrate is formed. In order to provide a gap so that the glass substrate does not directly touch the image sensor, a photosensitive resin film is pasted on the image sensor, the film is patterned so that the image area opens, and the glass remaining on the outer periphery of the image area is glass. It has a structure that supports the substrate.
昨今の撮像素子は、カメラやビデオカメラに搭載されるだけでなく、他の部品と共にモジュール化され、携帯電話にも組み込まれる。組み込まれる筐体の大きさから、撮像素子の厚みも約200μm以下と薄化が要求されている。薄化対応として、撮像素子を形成したウエーハを研削する必要がある。撮像素子上にガラス基板を形成した後、ウエーハ研削をすると、ウエーハ面内において研削量の均一性が悪い。このため、ウエーハ研削後ガラス基板を形成する方法が一般に用いられている。 Recent imaging devices are not only mounted on cameras and video cameras, but are also modularized with other components and incorporated into mobile phones. Due to the size of the housing to be incorporated, the thickness of the image sensor is required to be as thin as about 200 μm or less. In order to cope with the thinning, it is necessary to grind the wafer on which the image sensor is formed. When wafer grinding is performed after the glass substrate is formed on the image sensor, the uniformity of the grinding amount in the wafer surface is poor. For this reason, a method of forming a glass substrate after wafer grinding is generally used.
ウエーハの端面部は搬送や加工処理をするときに、ウエーハの割れや欠けを防ぐため、通常面取りがされている。しかし、デバイスの薄化対応としてウエーハ研削をすると、ウエーハ端面の底部は尖った形状となる。このような端面の底部が尖った形状を有するウエーハに、前述の感光性樹脂フィルムを貼り付け、ウエーハ外径に沿ってフィルムを切断する。 The end surface of the wafer is usually chamfered in order to prevent cracking and chipping of the wafer during conveyance and processing. However, when wafer grinding is performed to cope with the thinning of the device, the bottom of the wafer end surface has a sharp shape. The above-mentioned photosensitive resin film is attached to a wafer having such a shape that the bottom of the end face is pointed, and the film is cut along the outer diameter of the wafer.
この切断方法としては、図2に示すように、切断工具の刃先をウエーハ外周の接線方向に向けて、ウエーハの外径に沿ってテープまたはフィルムを切断するものがある。この方法では、切断工具の鋭利な刃先が、常時ウエーハ端面部に直接接触しているため、ウエーハの欠けや割れが発生し易くなる。 As this cutting method, as shown in FIG. 2, there is a method of cutting the tape or film along the outer diameter of the wafer with the cutting edge of the cutting tool directed in the tangential direction of the outer periphery of the wafer. In this method, since the sharp cutting edge of the cutting tool is always in direct contact with the wafer end surface portion, chipping or cracking of the wafer is likely to occur.
また、特許文献1に記載されている、切断工具とウエーハ表面との間の傾斜角度を調整して、テープまたはフィルムを切断する方法もある。
しかし、上述の、切断工具の傾斜角度を調節して、ウエーハ外径に沿ってテープまたはフィルムを切断する方法では、フィルム切断時に切断工具を傾斜させるため、切断工具の鋭利な刃先がウエーハ端面部に直接接触する領域が大きくなり、ウエーハの欠けや割れが発生し易い。また、上述のウエーハ端面の底部が尖った形状となるウエーハ研削後に、テープまたはフィルムを貼った場合のフィルム切断では、さらにウエーハの欠けや割れを発生し易い。 However, in the above-described method of adjusting the inclination angle of the cutting tool and cutting the tape or film along the wafer outer diameter, the cutting tool is inclined at the time of film cutting. The area in direct contact with the wafer becomes large, and the wafer is likely to be chipped or cracked. Further, in the film cutting in the case where a tape or a film is pasted after the wafer grinding in which the bottom of the wafer end surface is sharp, the wafer is more likely to be chipped or broken.
そこで、本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、極薄状のウエーハに貼り付けられたテープまたはフィルムを、ウエーハの欠けや割れを引き起こすこと無く切断する方法を提供することにある。 Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to cut a tape or a film attached to an extremely thin wafer without causing the wafer to chip or crack. It is to provide.
本発明のテープまたはフィルムの切断方法は、上記の課題を解決するために、ウエーハに貼り付けられたテープまたはフィルムを、前記ウエーハの外径よりも大きく切断することを特徴としている。 The tape or film cutting method of the present invention is characterized in that the tape or film attached to the wafer is cut larger than the outer diameter of the wafer in order to solve the above-mentioned problems.
上記の構成によれば、本発明は、ウエーハに貼り付けられたテープまたはフィルムを切断する方法である。ここで、もしテープまたはフィルムを切断する際、切断工具の刃先をウエーハ外径に接しながら切断すると、切断工具の刃先がウエーハ端面部に直接接触することになる。これによって、ウエーハ端面部を傷つけ、欠けや割れの原因となってしまう。 According to said structure, this invention is a method of cut | disconnecting the tape or film affixed on the wafer. Here, when the tape or film is cut, if the cutting edge of the cutting tool is cut while being in contact with the outer diameter of the wafer, the cutting edge of the cutting tool comes into direct contact with the wafer end surface. As a result, the wafer end face is damaged, causing chipping and cracking.
そこで本発明では、ウエーハ表面に貼り付けられたテープまたはフィルムを、ウエーハ外径よりも大きく切断する。たとえば、切断工具の刃先が、ウエーハ外径と接する限界のところでテープまたはフィルムを切断することによって、ウエーハ外径よりも大きく、テープまたはフィルムを切り出すことができる。 Therefore, in the present invention, the tape or film attached to the wafer surface is cut larger than the outer diameter of the wafer. For example, by cutting the tape or film at the limit where the cutting edge of the cutting tool is in contact with the outer diameter of the wafer, the tape or film can be cut out larger than the outer diameter of the wafer.
このような切断を実現するために、たとえば、切断工具の刃先とウエーハ外周の接線との間に一定の角度を設ける。この角度は、ウエーハの最終的な厚み、およびウエーハの端面部の形状に応じて調整すればよいし、切断工具とウエーハ表裏面との間の一定の角度に応じて調整してもよい。これによって、切断工具の鋭利な刃先がウエーハ端面部に直接接触することなく、テープまたはフィルムを切断することができる。 In order to realize such cutting, for example, a certain angle is provided between the cutting edge of the cutting tool and the tangent to the outer periphery of the wafer. This angle may be adjusted according to the final thickness of the wafer and the shape of the end surface portion of the wafer, or may be adjusted according to a certain angle between the cutting tool and the front and back surfaces of the wafer. As a result, the tape or film can be cut without the sharp cutting edge of the cutting tool coming into direct contact with the wafer end face.
また、テープまたはフィルムをウエーハ外径より大きく切断することによって、たとえば、ウエーハ端面部をテープまたはフィルムによって完全に覆うことができる。このため、切断工具はテープまたはフィルム越しにウエーハ端面部に接触することになる。切断工具がフィルム越しに接することによって、テープまたはフィルム切断時のウエーハへの衝撃が低減し、ウエーハの欠けや割れを防ぐことができる。 Further, by cutting the tape or film larger than the outer diameter of the wafer, for example, the wafer end surface portion can be completely covered with the tape or film. For this reason, a cutting tool contacts a wafer end surface part through a tape or a film. When the cutting tool comes into contact with the film, the impact on the wafer when the tape or the film is cut can be reduced, and the chipping or cracking of the wafer can be prevented.
また、本発明のテープまたはフィルムの切断方法では、さらに、前記テープまたは前記フィルムを切断する切断工具の刃先と、前記ウエーハの外周の接線との間に一定の角度を設けて、前記テープまたは前記フィルムを切断することが好ましい。 In the method for cutting a tape or film of the present invention, a certain angle is further provided between the cutting edge of a cutting tool for cutting the tape or the film and a tangent line on the outer periphery of the wafer, and the tape or the film It is preferable to cut the film.
上記の構成によれば、テープまたはフィルムを切断するとき、切断工具の刃先とウエーハ外周の接線との間に一定の角度を設ける。この角度は、たとえば約3°にすればよい。このような角度を設けることによって、切断工具の刃先をウエーハ外周の接線方向に向けて切断するときに比べ、刃先をウエーハ端面部に直接接触させることなく、フィルムを切断することができる。したがってウエーハの欠けや割れを防ぐことができる。 According to said structure, when a tape or a film is cut | disconnected, a fixed angle is provided between the blade edge | tip of a cutting tool, and the tangent of a wafer outer periphery. This angle may be about 3 °, for example. By providing such an angle, it is possible to cut the film without bringing the cutting edge into direct contact with the wafer end face portion, as compared to when cutting the cutting edge of the cutting tool toward the tangential direction of the outer periphery of the wafer. Therefore, chipping and cracking of the wafer can be prevented.
また、本発明のテープまたはフィルムの切断方法では、さらに、前記角度を、前記ウエーハの最終的な厚み、および前記ウエーハの端面部の形状に応じて調整することが好ましい。 In the method for cutting a tape or film of the present invention, it is preferable that the angle is further adjusted according to the final thickness of the wafer and the shape of the end surface portion of the wafer.
上記の構成によれば、切断工具の刃先とウエーハ外周の接線との間の一定の角度は、ウエーハの厚みおよび端面部の形状に応じて調整する。上述したように、本発明ではテープまたはフィルムをウエーハより大きく切断することによって、ウエーハ端面部を覆うことができる。そこで、ウエーハの厚みや形状に応じて、テープやフィルムの切断角度を調整する。これによって、ウエーハ端面部をテープまたはフィルムによって覆うことができる。したがって、切断工具の鋭利な刃先がウエーハ端面部に直接接触することがない。 According to said structure, the fixed angle between the blade edge | tip of a cutting tool and the tangent of a wafer outer periphery is adjusted according to the thickness of a wafer, and the shape of an end surface part. As described above, in the present invention, the wafer end surface portion can be covered by cutting the tape or film larger than the wafer. Therefore, the cutting angle of the tape or film is adjusted according to the thickness or shape of the wafer. As a result, the wafer end surface can be covered with a tape or a film. Therefore, the sharp cutting edge of the cutting tool does not directly contact the wafer end surface portion.
また、本発明のテープまたはフィルムの切断方法では、さらに、前記角度を、前記切断工具と前記ウエーハの表裏面との間の一定の角度に応じて調整することが好ましい。 In the tape or film cutting method of the present invention, it is preferable that the angle is further adjusted according to a certain angle between the cutting tool and the front and back surfaces of the wafer.
上記の構成によれば、切断工具の刃先とウエーハ外周の接線との間の角度を、切断工具とウエーハ表裏面との間の角度に応じて調整する。たとえば、切断工具とウエーハ表裏面との間の角度は垂直でもよいし、切断工具を傾けてもよい。いずれにしても、フィルムをウエーハ外径より大きく切り出すために、切断工具の刃先とウエーハ外周の接線との間の角度を設ける。したがって、切断工具の鋭利な刃先がウエーハ端面部に直接接触することがない。 According to said structure, the angle between the blade edge | tip of a cutting tool and the tangent of a wafer outer periphery is adjusted according to the angle between a cutting tool and a wafer front and back. For example, the angle between the cutting tool and the front and back surfaces of the wafer may be vertical, or the cutting tool may be inclined. In any case, in order to cut the film larger than the wafer outer diameter, an angle between the cutting edge of the cutting tool and the tangent to the outer periphery of the wafer is provided. Therefore, the sharp cutting edge of the cutting tool does not directly contact the wafer end surface portion.
以上のように、本発明のテープまたはフィルムの切断方法は、ウエーハに貼り付けられたテープまたはフィルムを、ウエーハより大きく切断することによって、ウエーハの欠けや割れの発生を抑える切断方法である。そのため、薄化が要求されるCCDやCMOSイメージセンサ等の撮像素子において、細心の注意を払う必要があったフィルム切断を容易にできる。 As described above, the tape or film cutting method of the present invention is a cutting method that suppresses the occurrence of chipping or cracking of the wafer by cutting the tape or film affixed to the wafer larger than the wafer. For this reason, it is possible to easily cut a film that requires careful attention in an imaging device such as a CCD or CMOS image sensor that requires thinning.
また、ウエーハの欠けや割れを容易に防ぐことによって、デバイスの歩留りの安定、および向上を図ることができる。 In addition, the yield of the device can be stabilized and improved by easily preventing the wafer from being chipped or cracked.
本発明に係るテープまたはフィルムの切断方法の一実施形態について、図1、および図3〜図6を用いて説明すると以下のとおりである。 An embodiment of the tape or film cutting method according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 3 to 6.
本発明のテープまたはフィルム2の切断方法とは、ウエーハ1に貼り付けられたテープまたはフィルム2をウエーハ1の外径よりも大きく切断する方法である。ここでいう、「ウエーハ1の外径よりも大きく切断する」とは、テープまたはフィルム2をウエーハ1よりも大きく切り出すことによって、切り出したテープまたはフィルム2の外形がウエーハ1の外形よりも長くなるようにすることを意味する。このような切断を実現するために、具体的には切断工具の刃先とウエーハ外周の接線との間の一定の角度9を設け、当該角度9を保ちながら、ウエーハ1に貼り付けられたテープまたはフィルム2を切断する。
The cutting method of the tape or
(ウエーハ1)
図3は、約200μmの厚さに研削されたウエーハ1の断面形状を示す図である。この図の下部の斜線部分は、研削されたウエーハ領域6に相当する。この図に示すように、ウエーハ1は、約200μmの厚さになるよう大幅に研削される。これは、ウエーハ1が組み込まれる筐体の大きさから、CCDやCMOSイメージセンサ等の撮像素子の厚みに薄化が要求されるためである。このため、ウエーハ1の端面の底部は尖った形状となり、切
断工具の刃先が直接接触すると、欠けや割れを発生しやすい。
(Wafer 1)
FIG. 3 is a view showing a cross-sectional shape of the
(テープまたはフィルム2の貼り付け方法)
図4は、テープまたはフィルム2をウエーハ1に貼り付ける方法を示す図である。この図に示すように、ウエーハ1の上に感光性樹脂フィルム7があり、貼り付けローラー8によって当該フィルム7をウエーハ1に貼り付ける。ウエーハ1は撮像素子形成面を上に、感光性樹脂フィルム7の貼り付け装置に固定される。貼り付けローラー8が回転することによって、ウエーハ1の表面のみならず、ウエーハ1の端面部まで感光性樹脂フィルム7が貼りつけられる。
(Attaching method of tape or film 2)
FIG. 4 is a diagram illustrating a method of attaching the tape or
(テープまたはフィルム2の切断方法)
図1は、本発明のテープまたはフィルム2の切断方法の上面図である。この図に示すように、テープまたはフィルム2を、ウエーハ1の外径よりも大きく切断するため、切断工具の刃先とウエーハ外周の接線との間に一定の角度9を設け、当該角度9を保ちながら、ウエーハ1に貼り付けられたテープまたはフィルム2を切断する。このウエーハ1には感光性樹脂フィルム7が貼り付けられている。当該フィルム7を切断するときは、切断工具の刃先3とウエーハ外周の接線との間の角度9を約3°設ける。その状態を保ちながら、切断工具の刃先3を切断方向5に回転させ、ウエーハ1の外径より大きく感光性樹脂フィルム7を切断する。当該角度9を設けることによって、感光性樹脂フィルム7はウエーハ1の外径より大きく切り出される。
(Tape or
FIG. 1 is a top view of the method for cutting a tape or
ここで、切断工具の刃先3とウエーハ外周の接線との間の角度9を約3°としているが、この角度は、ウエーハ1の厚みや端面部の形状に応じて調節すればよい。
Here, the angle 9 between the
図5および図6は、研削後のウエーハ1に取り付けたテープまたはフィルム2の切断方法の断面図である。図5では、切断工具とウエーハ1の表裏面との間の角度10が垂直であり、図6では垂直ではない。この図に示すように、感光性樹脂フィルム7を切断する際、図5のように切断工具とウエーハ表裏面との間の角度10が垂直でも良いし、図6のように切断工具を傾けても良い。いずれにしても、感光性樹脂フィルム7をウエーハ1の外径より大きく切り出すために、切断工具の刃先とウエーハ外周の接線との間の角度9を約3°に設定する。
5 and 6 are cross-sectional views of a method for cutting the tape or
このように、感光性樹脂フィルム7が、ウエーハ1の外径より大きく切り出されることによって、尖った形状を有するウエーハ1の端面の底部まで、完全に感光性樹脂フィルム7が覆うことになる。このため、切断工具がウエーハ1の端面部に直接接触することは無く、感光性樹脂フィルム7越しにウエーハ1の端面部に接触することになる。これによって、感光性樹脂フィルム7切断時のウエーハ1への衝撃が低減し、ウエーハ1の欠けや割れの発生を抑えることができる。
Thus, when the
また、感光性樹脂フィルム7を切断するとき、切断工具の刃先3をウエーハ外周の接線4の方向に向けている場合とは異なり、切断工具の刃先とウエーハ外周の接線との間の角度9を設けることによって、切断工具の刃先3がウエーハ1の端面部に直接接触しない。さらに、この角度9を設けることによって、切断工具がウエーハ1の端面部から離れるため、切断工具が感光性樹脂フィルム7越しに、ウエーハ1の端面部に直接接触する領域が小さくなる。したがって、感光性樹脂フィルム7切断時のウエーハ1の欠けや割れの発生を防ぐことができる。
Further, when the
(撮像素子作成工程)
その後、感光性樹脂フィルム7にUV(Ultra Violet)光を照射し、撮像領域が開口するようにパターニングをする。このとき、撮像領域の外周部に感光性樹脂フィルム7が残るようにする。そして、撮像素子上に形成するガラス基板を支える構造にする。ガラス基板形成後、ウエーハ1はダイシングされ、個々の撮像素子に分割される。
(Image sensor creation process)
Thereafter, the
(研削前ウエーハ1での切断方法)
図7は、研削前ウエーハ1に貼り付けたテープまたはフィルム2の切断方法の断面図である。この図に示すように、ここで用いられるウエーハ1は、図3において斜線部分であったウエーハ領域6を、研削する前の状態である。このウエーハ1の表面に保護テープ11が貼られている。この保護テープ11の切断方法は、ウエーハ1を研削後にフィルム2を貼り付けたものと同様に、ウエーハ1の外径より大きく切り出すため、切断工具の刃先とウエーハ外周の接線との間に角度9を設けている。
(Cutting method with pre-grinding wafer 1)
FIG. 7 is a cross-sectional view of a method for cutting the tape or
このように、本発明は、研削前のウエーハ1の表面に貼られた保護テープ11を、切断工具によって切断するときにも適用できる。これによって、ウエーハ1の欠けや割れを低減できる。
As described above, the present invention can also be applied when the
本発明の、テープまたはフィルムの切断方法を用いれば、半導体装置の製造工程において、ウエーハの欠けや割れを防ぐことができ、薄化が要求される撮像素子の製造に適用できる。 If the method for cutting a tape or film according to the present invention is used, it is possible to prevent a wafer from being chipped or cracked in the manufacturing process of a semiconductor device, and to be applied to the manufacture of an image sensor that requires thinning.
1 ウエーハ
2 テープまたはフィルム
3 切断工具の刃先
4 ウエーハ外周の接線
5 切断工具の切断方向
6 研削されたウエーハ領域
7 感光性樹脂フィルム
8 貼り付けローラー
9 切断工具の刃先とウエーハ外周の接線との間の角度
10 切断工具とウエーハ表裏面との間の角度
11 保護テープ
DESCRIPTION OF
Claims (4)
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007320838A JP2009146990A (en) | 2007-12-12 | 2007-12-12 | Cutting method of tape or film affixed to wafer |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011210927A (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Lintec Corp | Sheet sticking method and wafer processing method |
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2007
- 2007-12-12 JP JP2007320838A patent/JP2009146990A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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