JP2009037935A - 抵抗付き温度ヒューズ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1の片面上に可溶合金エレメント接続用膜電極2,2と抵抗接続用膜電極4,4とを設け、可溶合金エレメント接続用膜電極2,2間に可溶合金エレメント3を接続し、抵抗接続用膜電極4,4間に膜抵抗5を接続し、抵抗接続用膜電極及び膜抵抗を覆ってガラス保護膜6を設け、可溶合金エレメント3及び該エレメントの各端近傍の可溶合金エレメント接続用膜電極部分を覆ってガラス保護膜6に接触させることなくフラックス7を塗布した。
【選択図】図1
Description
この抵抗付き温度ヒューズとして、基板型の抵抗付き温度ヒューズが知られている。図3は従来の基板型抵抗付き温度ヒューズの一例の一部欠切上面図を示している(特許文献1)。
図3において、1’は絶縁基板である。2’,2’は基板1’の片面に設けた一対の可溶合金エレメント接続用膜電極、3’はこれらの膜電極2’,2’間に接続した可溶合金エレメント、7’は可溶合金エレメント3’及び可溶合金エレメント端近傍の膜電極部分に塗布したフラックスである。4’,4’は基板1’の片面に設けた抵抗接続用膜電極、5’はこれらの膜電極4’,4’間に設けた膜抵抗、6’は膜抵抗5’と膜抵抗に重なる抵抗接続用膜電極部分上に設けたガラス保護膜である。8’は基板1’の片面上に被覆した絶縁保護層である。
而して、従来においては、フラックス7’がガラス保護膜6’に接触することを許容し、実際、ガラス保護膜6’にまたがってフラックス7’を塗布している(滴下した瞬時には、未固化であり、拡がりが生じる)。
この抵抗付き温度ヒューズが組み込まれる前記制御回路は、トランジスタやサイリスタを有し、これらの整流作用のために、両銀膜電極間に直流電圧(ほぼ100v)が加電されている。多湿環境下では、絶縁保護層例えばエポキシ樹脂層を透過する湿分のためにフラックス7’が溶液化され、この溶液フラックス中の有機酸や活性剤のためにCOOH−、Cl−、Br−、F−、I−等の陰イオンが発生してフラックスが電解質溶液になる。
而るに、ガラス保護膜6’はガラスペーストの印刷・焼成により設けられ、ガラス粒子間が融着した組織であり、すなわち焼結組織であり、通常の焼成条件のもとでは、前記電解質溶液に対しては、完全な遮水作用は期待できない。かかるもとでは、前記の両銀膜電極2’−4’間が電解質溶液で繋がれ、前記の直流電圧加電下、陽極となる一方の膜電極側では、Ag→Ag++eの反応によりAgが溶け出し、この溶出Ag+が他方の陰極となる膜電極に向かって移動し、この陰極でAg++e→Agの反応によりAgが析出し、両膜電極間に陰極側から陽極側に向かうAgの樹枝状痕跡が形成されていく。
請求項2に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1の抵抗付き温度ヒューズにおいて、基板の片面における、フラックス塗布域とガラス保護膜との間にフラックスを堰き止めるための堤部が設けられていることを特徴とする。
請求項3に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1の抵抗付き温度ヒューズにおいて、基板の片面における、フラックス塗布域とガラス保護膜との間にフラックス塗布域の限界を示すマークが付されていることを特徴とする。
請求項4に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1〜3何れかの抵抗付き温度ヒューズにおいて、ガラス保護膜が焼成ピーク温度500℃〜900℃、5分〜40分の条件で焼き付けられていることを特徴とする。
請求項5に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1〜4何れかの抵抗付き温度ヒューズにおいて、可溶合金エレメント接続用膜電極及び抵抗接続用膜電極がAg系導体ペースト、Cu系導体ペーストまたはAu系導体ペーストの印刷・焼き付けにより設けられていることを特徴とする。
請求項6に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1〜5何れかの抵抗付き温度ヒューズにおいて、可溶合金エレメント接続用膜電極と可溶合金エレメントとフラックスとからなる温度ヒューズ部を挾む両側に、抵抗接続用膜電極と膜抵抗とガラス保護膜とからなる膜抵抗部が設けられていることを特徴とする。
(2)ガラス保護膜に膜抵抗に対する機械的保護機能を付与させ得れば、緻密性は要求されず、ガラス保護膜の焼成条件を緩くできる。
図1の(イ)は本発明に係る基板型抵抗付き温度ヒューズを示す一部欠切平面図、図1の(ロ)は図1の(イ)におけるロ−ロ断面図、図1の(ハ)は図1の(イ)におけるハ−ハ断面図ある。
図1において、1は耐熱性・熱良伝導性の絶縁基板であり、セラミックス基板を使用できる。
2,2は一対の可溶合金エレメント接続用膜電極であり、導体ペースト(導電粒子とバインダーと溶媒との混合液)、例えば、Agペースト、Ag−Pdペースト、Cuペースト、Auペーストの印刷・焼付けにより設けることができる。3は可溶合金エレメント接続用膜電極2,2間に溶接により接続した可溶合金エレメントであり、鉛フリー合金、例えばIn−Bi−Sn系合金、In−Bi−Sn−Cu系合金、In−Bi−Sn−Ag系合金等を使用することが好ましい。
4,4、4,4は可溶合金エレメント3を挾む両側のそれぞれに設けた一対の抵抗接続用膜電極であり、前記の可溶合金エレメント接続用膜電極2と同様に導体ペースト(導電粒子とバインダーと溶媒との混合液)、例えば、Agペースト、Ag−Pdペースト、Cuペースト、Auペーストの印刷・焼付けにより設けることができる。5は抵抗接続用膜電極間4,4に設けた膜抵抗であり、抵抗ペースト(抵抗粒子、例えば酸化金属粒子とバインダーと溶媒との混合液)、例えば酸化ルテニウム粒子を抵抗粒子とするものの印刷・焼付けにより形成できる。
6は膜抵抗5上に設けたガラス保護膜であり、ガラス粒子をアルコール等の溶媒に分散させたティスパージョンの印刷・焼付けにより形成できる。
Aは可溶合金エレメント及び該エレメントの各端近傍の可溶合金エレメント接続用膜電極部分を覆ってガラス保護膜に接触させることなくフラックスを塗布するための手段、図示の例では前記基板1の片面に各ガラス保護膜6の可溶合金エレメント側縁端と可溶合金エレメント3との間に設けた堤部であり、堤部底面で各ガラス保護膜の前記縁端を覆うように、または各ガラス保護膜の縁端を堤部の外側に位置させるように、しかも堤部の長手方向両端のそれぞれを抵抗接続用膜電極4を越えさせるようにして設けてある。この堤部の高さは、フラックスに対する濡れ性に左右され(濡れ性の低いものほど薄くできる)、ペースト厚みで5μm〜1000μmとされる。この堤部Aは、基板1と同一材質のロッド、例えばセラミックスロッドの接着固定、基板に一体成形、基板よりもフラックスに対する濡れ性の低い膜の形成例えばガラスペーストの印刷焼付け、硬化性樹脂例えばエポキシ樹脂の盛り付け等により設けることができる。
8は絶縁基板1の片面に設けた絶縁保護層であり、例えばエポキシ樹脂溶液の滴下塗布・硬化により設けることができる。この硬化温度は、フラックスの融点未満である。
9,…は各膜電極に接続したリード導体である。
而るに、本発明に係る基板型抵抗付き温度ヒューズが多湿環境のもとで使用されて絶縁保護層を透過する湿分によりフラックスが電解質溶液化されても、ガラス保護膜の透水性にもかかわらず、可溶合金エレメント接続用膜電極と抵抗接続用膜電極との間の電解質溶液による繋がりがないから、可溶合金エレメント接続用膜電極と抵抗接続用膜電極との間への前記直流電圧の加電にもかかわらず、両電極間のマイグレーションを回避できる。このことは、後述の実施例と比較例との対比からも確認できる。
また、上記の堤部または境界ラインを図2に示すように、可溶合金エレメント端近傍の可溶合金エレメント接続用膜電極部分を内側に納める枠形とすることもできる。
前記の実施例では、温度ヒューズ部の両側に膜抵抗を設けているが、片側の膜抵抗部は省略することもできる。
使用した基板型抵抗付き温度ヒューズの構成は、図2に示すものであり、各部の寸法等は次の通りとした。
基板には、横8.5mm×縦12.7mm(可溶合金エレメントの軸方向を横方向とする)のセラミックス板を用いた。可溶合金エレメントには、長さ4mm、外径0.5mmφ、融点104℃のBi−In−Sn系合金を用い、その配設は基板の中央位置とした。可溶合金エレメント接続用膜電極の寸法は横0.6mm×縦2mmとし、抵抗接続用膜電極の寸法は横1mm×縦2.2mmとし、両膜電極ともAg導体ペーストの印刷・焼付けにより形成した。膜抵抗は酸化ルテニウムペーストの印刷・焼付けにより形成し、抵抗膜の内側縦方向縁と抵抗接続用膜電極の内側縦方向縁及び抵抗膜の横方向縁と抵抗接続用膜電極の横方向縁とを一致させた。抵抗値はトリミングにより設定した。ガラス保護膜の寸法は膜抵抗の外郭をややはみ出る寸法とし、組成がガラス粒子70重量%,エチルセルロース2重量%,エステルアルコール25重量%,パインオイル3重量%のガラスペーストを印刷し、焼成ピーク温度550℃、10分の条件で焼成した。
枠形堤部を枠の各辺をガラスペーストの塗布幅0.2mm、塗布高さ30μmで印刷形成した。この枠の外郭の横片下端にガラス保護膜の内側横縁が接触するものがあった。この枠形堤部内に溶融フラックス(ロジンを主成分とする)を滴下し、自然冷却により固化させた。而るのち、エポキシ樹脂の滴下塗装により厚み2mmの絶縁保護層を形成した。
実施例に対し、堤枠の使用を省略した。フラックスがガラス保護膜上に拡がり、抵抗接続用膜電極上にガラス膜を隔ててフラックスが存在している。
〔比較例2〕
比較例1に対し、ガラス保護膜の焼成条件を550℃×1分から650℃×1分にグレードアップした。この比較例2でも、比較例1と同様にフラックスがガラス保護膜上に拡がり、抵抗接続用膜電極上にガラス膜を隔ててフラックスが存在している。
比較例2が比較例1より軽度のマイグレーションである理由は、ガラス保護膜の緻密化がアップし、両膜電極間が電解質溶液で繋がり難くなった結果であると推測できるが、ガラス保護膜の焼成条件の過酷さのために膜抵抗値の相当の変動が確認された。
2 可溶合金エレメント接続用膜電極
3 可溶合金エレメント
4 抵抗接続用膜電極
5 膜抵抗
6 ガラス保護膜
7 フラックス
A 堤部
Claims (6)
- 基板の片面上に可溶合金エレメント接続用膜電極と抵抗接続用膜電極とを設け、可溶合金エレメント接続用膜電極間に可溶合金エレメントを接続し、抵抗接続用膜電極間に膜抵抗を接続し、抵抗接続用膜電極及び膜抵抗を覆ってガラス保護膜を設け、可溶合金エレメント及び該エレメントの各端近傍の可溶合金エレメント接続用膜電極部分を覆ってガラス保護膜に接触させることなくフラックスを塗布するための手段を前記基板に付設したことを特徴とする抵抗付き温度ヒューズ。
- 基板の片面における、フラックス塗布域とガラス保護膜との間にフラックスを堰き止めるための堤部が設けられていることを特徴とする請求項1記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- 基板の片面における、フラックス塗布域とガラス保護膜との間にフラックス塗布域の限界を示すマークが付されていることを特徴とする請求項1記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- ガラス保護膜が焼成ピーク温度500℃〜900℃、5分〜40分の条件で焼き付けられていることを特徴とする請求項1〜3何れか記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- 可溶合金エレメント接続用膜電極及び抵抗接続用膜電極がAg系導体ペースト、Cu系導体ペーストまたはAu系導体ペーストの印刷・焼き付けにより設けられていることを特徴とする請求項1〜4何れか記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- 可溶合金エレメント接続用膜電極と可溶合金エレメントとフラックスとからなる温度ヒューズ部を挾む両側に、抵抗接続用膜電極と膜抵抗とガラス保護膜とからなる膜抵抗部が設けられていることを特徴とする請求項1〜5何れか記載の抵抗付き温度ヒューズ。
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