JP2009035531A - ヒドラジド体、および１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体インドール化合物の製造方法並びにヒドラジド体、および１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体 - Google Patents

Abstract

【課題】 医薬品や、農薬などに用いられうる新規なヒドラジド体および１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体の製造方法、並びにヒドラジド体および１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体を提供する。
【解決手段】 本発明は、（１）２−ハロアリール酸塩化物と、ヒドラジンとから、ヒドラジド体を製造し、（２）ヒドラジド体を分子内カップリングして、１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体を製造する。
【選択図】 なし

Description

本発明は、新規なヒドラジド体および１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体の製造方法、並びにヒドラジド体および１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体に関する。

下記化学式に示す、１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オンは、１−インダノンの２位および３位がそれぞれ−ＮＨ、−ＮＲ（Ｒは、アルキル基、アリール基などの種々の置換基を意味する。）で置換された二環性ヘテロ環化合物である。

１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体は、医薬品の母核としての利用が期待されている。このため、近年多くの研究がなされている。

例えば、下記化学式に示す１，２−ジヒドロインダゾール−３−オンとその誘導体は、酵素５−ＬＰＯ（５−ｌｉｐｏｘｙｇｅｎａｓｅ）の強い阻害剤となることが知られている。

この１，２−ジヒドロインダゾール−３−オンとその誘導体が５−ＬＰＯを阻害することで、生体内ロイコトリエンの合成が阻害される。このため、１，２−ジヒドロインダゾール−３−オンとその誘導体は、生体内ロイコトリエンの合成と深く関係する、関節リウマチ、ぜんそく、炎症性大腸炎などの新しい治療薬となる可能性がある。１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体の中では、下記化学式に示す２位置換体である化合物が最も強い活性を示す。このように、１，２−ジヒドロインダゾール−３−オンとその誘導体において置換基を変えることで、異なる作用を有する。

１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体は、例えば以下のように合成することができる。

下記反応式に示すように、アクリル酸エチルエステルと１，５−ジメチル−３−オキソ−２−フェニル−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボアルデヒドとをロビンソン環化反応させて合成する例が知られている（例えば、非特許文献１参照）。

また、下記反応式に示すように、５−置換−２−ヨード安息香酸の２位のヨウ素をヒドラジンによって５−置換２−ヒドラジノ安息香酸とし、脱水縮合して、インダゾール−３−オン誘導体にする方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

また、下記反応式に示すように、４−ブロモアニリンの存在下で、アンスラニル酸メチルのアミノ分解を行い、２−メチルアミノ安息香酸メチルエステルとし、次に酸化的環化反応を行って、インダゾール−３−オン誘導体を得る方法が知られている（例えば、非特許文献２参照）。

ロイ エイ．（Ｒｏｙ，Ａ．）、他２名、ジャーナル オブ ザ ケミカル ソサイティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ）、英国、ロイヤル ソサイエティ オブ ケミストリー（Ｒｏｙａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）、１９９９年、第２０巻、ｐ．３００１−３００４ アルカイツ， シー．（Ａｒｋａｉｔｚ，Ｃ．）、他３名、ジャーナル オブ オーガニック ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）、米国、アメリカン ケミカル ソサイティ（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ）、２００６年、第７１巻、ｐ．３５０１−３５０５ 国際公開第２００／５１２１０９６号パンフレット

しかし、上記非特許文献１〜３に記載の方法では、（１）多工程を要する、（２）また、製造工程を、高温や低温にする必要があるものがあり、温度制御が必要である、（３）誘導体を合成する目的に適さないものもある、などの問題がある。

すなわち、本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、その目的は、比較的温和な条件で簡便に、１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体を合成する方法、およびこれを用いた新規誘導体を提供することにある。

また、本発明の別の目的は、１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体の反応原料である、ヒドラジド体の製造方法、およびこれを用いた新規なヒドラジド体を提供することにある。

すなわち、本発明は、以下のとおりである。

本発明のヒドラジド体は、
下記一般式（Ｉ）で表される２−ハロアリール酸（誘導体）酸塩化物と、

（式中、Ａは酸性官能基を、Ｈｒは、ハロゲンを、Ｒ^１〜Ｒ^４は水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。）
下記一般式（ＩＩ）で表されるヒドラジンと、

（式中、Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）
を、反応させて、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるヒドラジド体を製造する。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ａは、酸性官能基を示す。Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）

本発明の１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体の製造方法は、
下記一般式（ＩＩＩ）で表されるヒドラジド体を触媒存在下で分子内カップリングさせ、

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ａは、酸性官能基を示す。Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）
下記一般式（ＩＶ）で表される１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体を製造する。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ａは、酸性官能基を示す。Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）

本発明のヒドラジド体は、下記一般式（ＩＩＩ）で表される。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ａは、酸性官能基を示す。Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）

本発明の１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体は下記一般式（ＩＶ）で表される。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ａは、酸性官能基を示す。Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）

本発明の方法を用いれば、比較的温和な条件で簡便に、ヒドラジド体および１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体を合成することができ、これらを用いた新規誘導体を提供することができる。

以下に、本発明を詳細に説明する。本発明では、（１）２−ハロアリール酸塩化物と、ヒドラジンとから、ヒドラジド体を製造し、（２）ヒドラジド体を分子内カップリングして、１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体を製造する。

［ヒドラジド体］
本発明のヒドラジド体は、２−ハロアリール酸塩化物とヒドラジンとを反応させて、製造する。

（２−ハロアリール酸塩化物）
２−ハロアリール酸塩化物は、例えば、２−ハロアリール酸に、塩化チオニルを反応させて製造する。

式中、Ａは酸性官能基を、Ｈｒは、ハロゲンを、Ｒ^１〜Ｒ^４は水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。

Ａである酸性官能基としては、例えばカルボニル基（−ＣＯ−）、スルフィノ基（−ＳＯ_２−）などの２価の酸性官能基が挙げられる。

Ｈｒであるハロゲンとしては、ヨード、臭素、塩素が挙げられ、より好ましくはヨード、臭素である。上記の方法では、２−ハロアリール酸を塩化チオニルで処理して、塩化物にするので、ハロゲンとして塩素を用いる場合には、反応温度を高め（例えば、７０℃）にするなど、最適な反応条件を選択する必要がある。また、ヨードを用いると、同一条件では収率は向上する。一方、同一条件では臭素はヨードより収率は悪い。しかし、臭素はヨードに比べ安価なので、製造コストを低下させることができる。

Ｒ^１〜Ｒ^４は水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。

Ｒ^１〜Ｒ^４を構成するアルキル基としては、炭素数が１〜２０の、より好ましくは１以上６以下の飽和脂肪族炭化水素基が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などのアルキル基、さらに好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が例示される。また、これらのアルキル基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、特に制限はなく、例えばアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、ニトロ基、スルフィノ基、アミノ基などが挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４を構成するシクロアルキル基としては、炭素数が３〜２０の飽和脂環式炭化水素基が挙げられる。具体的には、シクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチルなどのシクロアルキル基が例示される。これらのシクロアルキル基においても、上記アルキル基と同様に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、ニトロ基、スルフィノ基、アミノ基などの置換基を有していてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４を構成するアルケニル基としては、炭素数が２〜２０の不飽和脂肪族炭化水素基が挙げられる。具体的には、ビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基が例示される。上記アルキル基と同様に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、ニトロ基、スルフィノ基、アミノ基などの置換基を有していてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４を構成するシクロアルケニル基としては、炭素数が２〜２０の二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基が挙げられる。具体的には、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基などが例示される。上記アルキル基と同様に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、ニトロ基、スルフィノ基、アミノ基などの置換基を有していてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４を構成するアルキニル基としては、炭素数が２〜２０の三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基が挙げられる。具体的には、エチニル基などが例示される。上記アルキル基と同様に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、ニトロ基、スルフィノ基、アミノ基などの置換基を有していてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４を構成するアルコキシ基としては、炭素数が１〜２０のエーテル結合を介した脂肪族炭化水素基が挙げられる。具体的には、メトキシ基などが例示される。脂肪族炭化水素基は、上記アルキル基と同様に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、ニトロ基、スルフィノ基、アミノ基などの置換基を有していてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４を構成するアルキルチオ基としては、上記アルコキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。上記アルキル基と同様に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、ニトロ基、スルフィノ基、アミノ基などの置換基を有していてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４を構成するアリール基としては、炭素数が６〜４０の芳香族炭化水素基が挙げられる。具体的には、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル基、ピレニル基などが例示される。上記アルキル基と同様に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、ニトロ基、スルフィノ基、アミノ基などの置換基を有していてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４を構成するアリールエーテル基としては、炭素数が６〜４０のエーテル結合を介した芳香族炭化水素基が挙げられる。具体的には、フェノキシ基などが例示される。上記アルキル基と同様に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、ニトロ基、スルフィノ基、アミノ基などの置換基を有していてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４を構成するアリールチオエーテル基としては、上記アリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。上記アルキル基と同様に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、ニトロ基、スルフィノ基、アミノ基などの置換基を有していてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４を構成する複素環基としては、炭素数が３〜２０であり、炭素以外の原子を環内に有する脂肪族環または芳香族環からなる基が挙げられる。具体的には、ピラン環、ピペリジン環、環状アミド、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、ピリジル基、キノリニル基からなる基が例示される。これらの複素環基においても、上記アルキル基と同様に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、ニトロ基、スルフィノ基、アミノ基などの置換基を有していてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４を構成するアシル基としては、水素、炭素数が１〜２０の炭化水素などとカルボニル基が結合した基をいう。具体的には、アセチル基、ベンゾイル基からなる基が例示される。これらのアシル基においても、上記アルキル基と同様に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、ニトロ基、スルフィノ基、アミノ基などの置換基を有していてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４を構成するオキシカルボニル基には、炭素数が１〜２０の炭化水素などが結合していてもよい。例えば、ｔ−ブチル−オキシカルボニル基などである。

シアノ基、カルボキシル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）などもＲ^１〜Ｒ^４を構成することができる。
［ヒドラジド体の合成］

２−ハロアリール酸塩化物と反応させるのは、ヒドラジンである。ヒドラジンとは、下記一般式（ＩＩ）で表すようにＮＨ_２−ＮＨ_２の水素原子を有機基Ｒで置換した化合物のことをいう。

式中、Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。これらの基は、上記Ｒ^１〜Ｒ^４を構成する基と同じである。スルフィノ基としては、例えば上記のようなアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基などが結合したものが挙げられる。

ヒドラジンは、単独で用いてもよく、ヒドラジン・塩酸塩のように塩を形成したものを用いてもよい。

ヒドラジド体は、下記反応式に示すように、２−ハロアリール酸（誘導体）酸塩化物とヒドラジンまたはヒドラジン塩を溶媒と共に、室温で、所定時間反応させて、合成する。反応時間は、１時間〜６時間程度である。式中、Ｒ^１〜Ｒ^４、Ａ、Ｒは、上記と同様である。

使用する溶媒は、公知の有機溶媒が使用できる。例えば、無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジクロロメタン（ＤＣＭ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、アセトニトリル、ジクロロエタンなどが挙げられる。これらの溶媒には、水素化ナトリウム溶液などを加えて使用してもよい。反応に用いるヒドラジンまたはヒドラジン塩に応じて、使用する有機溶媒、水素化ナトリウム溶液の使用などを適宜変更できる。使用できるアルカリとしては、水素化ナトリウムのほか、水酸化カリウム、水酸化リチウム、トリエチルアミン、ピリジンが挙げられる。

本発明の方法により、例えば、２−ヨード安息香酸 Ｎ’−フェニル−ヒドラジド、２−ヨード安息香酸 Ｎ’−ｔｅｒｔ−ブチル−ヒドラジド、２−ヨード安息香酸 Ｎ’−（４−ニトロフェニル）−ヒドラジド、２−ヨード安息香酸 Ｎ’−ナフタレン−１−イル−ヒドラジド、２−ヨード安息香酸 Ｎ’−シクロヘキシル−ヒドラジド、２−ヨード安息香酸 Ｎ’−（２−メトキシ−フェニル）−ヒドラジド、２−ヨード安息香酸 Ｎ’−キノリン−２−イル−ヒドラジド、２−ヨード安息香酸 Ｎ’’−（２，４，６−トリクロロフェニル）−ヒドラジドなどの新規なヒドラジド体が製造できる。使用する２−ハロアリール酸、ヒドラジンを替えることで、新規なヒドラジド体を製造することができる。

（ヒドラジド体の別の製造方法）
本発明のヒドラジド体は、２−ハロ安息香酸とヒドラジンとを、脱水縮合剤を用いて直接反応させても得ることができる。この方法によると、Ｒ^３に置換基を有する場合など、使用する２−ハロ安息香酸が置換基を有する場合は、高効率でヒドラジド体を製造することができる。また、２−ハロ安息香酸の塩化物を作る必要がないので、反応工程を短縮できる。

脱水縮合剤としては、公知の脱水縮合剤を利用することができる。例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）や、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド（ＥＤＣ）、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ）、ジフェニルリン酸アジド（ＤＰＰＡ）などである。

［１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体の合成］
下記反応式に示すように、上記得られたヒドラジド体は、触媒を用いて分子内環化させ、１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体を合成する。式中、Ｒ^１〜Ｒ^４、Ａ、Ｒは、上記と同様である。

（触媒）
本発明では触媒として、銅触媒を用いる。銅触媒は、公知の銅触媒を用いることができ、銅（０価）、銅（１価）、銅（２価）のいずれの状態のものであってもよい。例えば、ヨウ化第１銅、臭化第１銅のように、ハロゲン化しているものを用いてもよい。

また、銅触媒と共に、アミノ酸を併用してもよい。アミノ酸を併用することにより、得られる１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体の収率を高くし、副生物の生成が少なくすることができる。

使用できるアミノ酸としては、特に制限はなく、公知のアミノ酸が使用できる。具体的には、中性アミノ酸、酸性アミノ酸、塩基性アミノ酸のいずれでもよい。好ましいアミノ酸は、中性アミノ酸である。中性アミノ酸としては、例えばＬ−プロリンが例示できるが、これに限定されるものではない。また、複数のアミノ酸を使用してもよい。

使用する触媒量は、基質に対し、銅触媒は１〜１０モル％、アミノ酸は１０〜３０モル％である。特に、銅触媒とアミノ酸との併用触媒を用いる場合には、ヨウ化銅が１〜５モル％と少なくとも、１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体が合成できる。

（反応温度）
反応は、室温〜８０℃程度まで加温して行うことができる。本発明では、室温で反応を行っても、加温して反応を行っても、同程度の収率が得られる。したがって、反応条件が穏やかな室温で反応を行うのが好ましい。

（１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体の製造）
本発明のインドール化合物は、例えば以下のようにして製造される。

反応容器に、アルカリを入れ、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などの有機溶媒を添加する。

アルカリを入れるのは、生成するヨウ化水素等の酸性物質をトラップ（中和）するためである。使用できるアルカリとしては、水素化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸セシウム、リン酸カリウム、トリエチルアミン、テトラメチルグアニジン、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）等が挙げられる。

使用できる有機溶媒としては、ＤＭＳＯに限られず、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジクロロメタン、アセトニトリル、ジクロロエタンなどの公知の有機溶媒が挙げられる。この製造過程では、有機溶媒は、無水化する必要はなく、貯蔵容器から取り出した含水溶媒をそのまま使用できる。

それぞれ所定量のヒドラジン体、触媒（銅触媒、アミノ酸）、アルカリ、有機溶媒を反応容器に入れ、反応容器に窒素気流下で室温〜加温しながらで攪拌しながら反応させる。反応の完了は、酸ヒドラジンの消失を確認することにより行う。反応混合液に、蒸留水を加えて、反応を停止させる。この液を酢酸エチルなどの有機溶媒を用いて抽出し、有機層を得る。有機層は、蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムなどの乾燥剤を用いて乾燥させる。得られた有機層は、溶媒を減圧留去して、所望の１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体を得る。あるいは、シリカゲル分取薄層クロマトグラフィー、カラムクロマトグラフィーにより目的物を分取する。展開溶媒の種類、混合比などは、得られる１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体により異なる。また、クロマトグラフの回数は、１回に限らず、複数回行ってもよい。

本発明の製造方法を用いると、１−フェニル−１，２−ジヒドロインダゾール３−オンのような公知の１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体を穏やかな条件で、収率よく製造できる。また、１−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ジヒドロインダゾール３−オン、１−（４−ニトロフェニル）−１，２−ジヒドロインダゾール３−オン、１−ナフタレン−１−イル−１，２−ジヒドロインダゾール３−オン、１−シクロヘキシル−１，２−ジヒドロインダゾール３−オン、１−（２−メトキシフェニル）−１，２−ジヒドロインダゾール３−オン、１−キノリン−２−イル−１，２−ジヒドロインダゾール３−オンなどの新規な１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体を穏やかな条件で、収率よく製造できる。

このように、本発明の製造方法を用いると、種々の１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体を合成することができる。また得られた１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体を原料とすると、種々のさらに進んだ化合物を得ることができる。

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。

化合物の分析及び分離精製には以下の測定装置を用いて行った。

赤外線吸収（ＩＲ）スペクトル：ＪＡＳＣＯ ＦＴ／ＩＲ−４６０ ｐｌｕｓ（吸収波長は、ｃｍ⁻¹で示した。）

核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトル：日本電子 ＪＭＴＣ−４００／５４／ＳＳ ４００ＭＨｚ （文中のケミカルシフトはδ値で示した。）

融点測定装置：ＢＵＣＨＩ Ｍｅｌｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔ Ｂ−５４５

ＦＡＢ−ＭＳ：高分解能マススペクトル−高速原子衝撃（Ｈｉｇｈ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ−Ｆａｓｔ Ａｔｏｍ Ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ（ＨＲＭＳ−ＦＡＢ）：ＪＥＯＬ ＪＭＳ−７００ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ と記載する。）

ＨＲＭＳ（ＥＳＩ）：高分解能マススペクトロメトリー（Ｈｉｇｈ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）（エレクトロスプレーイオン化（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｒａｙ ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ））：日立ナノフロンティアＬ

カラムクロマトグラフィー用シリカゲル:ＢＷ−２００（富士シリシア製）

薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）：ＭＡＣＨＥＲＥＹ−ＮＡＧＥＬ ＤＣ−Ｆｅｒｔｉｇｐｌａｔｔｅｎ ＳＩＬ Ｇ−２５ ＵＶ_２５４プレート

［２−ハロカルボン酸の合成］
（合成例１−１）
（２−ヨード安息香酸の酸塩化物（２−Ｉｏｄｏ−ｂｅｎｚｏｙｌ−ｃｈｌｏｒｉｄｅ（１））の合成）
５０ｍｌのナス型フラスコに２−ヨード安息香酸（１．９８ｇ，８．０ｍｍｏｌ）、塩化チオニル（１０ｍｌ）を加え、攪拌子を入れてセプタムキャップした。２時間還流させ、反応を止めたのち、反応混合物を濃縮し、ベンゼンで２回共沸させることで、黄色油状物である化合物１（２．２ｇ，全量）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．６３（ヘキサン：酢酸エチル＝４：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ （４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３） δ：８．０７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），８．０４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ
Ａｒ），７．５０（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．２５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．３，７．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ）．
^１３Ｃ‐ＮＭＲ （１３６ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ_３） δ：１６６．８，１４１．８，１３７．７，１３４．１，１３３．３，１２８．２，９３．７．

（合成例１−２）
（２−ブロモ安息香酸の酸塩化物（２−Ｂｒｏｍｏ−ｂｅｎｚｏｙｌ−ｃｈｌｏｒｉｄｅ（２９））の合成）
５０ｍｌのナス型フラスコに２−ブロモ安息香酸（２．０１ｇ，１０．０ｍｍｏｌ）、塩化チオニル（１０ｍｌ）を加え、攪拌子を入れたのち、塩化カルシウム環を備えたジムロート冷却環を付した。２時間還流させ、反応を止めたのち、反応混合物を濃縮し、ベンゼンで２回共沸させることで、無色油状物である化合物２９（２．２０ｇ，全量）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．５１（ヘキサン：酢酸エチル＝９：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ （４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３） δ：７．９５（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１２．７，７．８Ｈｚ，Ａｒ），７．４０（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ Ａｒ），７．０９‐７．１８（ｍ，１Ｈ，Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ：１６６．８，１４１．８，１３７．７，１３４．１，１３３．３，１２８．２，９３．７．

（合成例１−３）
（４−メチル−２−ブロモ安息香酸の酸塩化物（４−Ｍｅｔｈｙｌ−２−Ｂｒｏｍｏ−ｂｅｎｚｏｙｌ−ｃｈｌｏｒｉｄｅ（３０））の合成）
５０ｍｌのナス型フラスコに４−メチル−２−ブロモ安息香酸（０．２２ｇ，１．０ｍｍｏｌ）、塩化チオニル（１０ｍｌ）を加え、攪拌子を入れたのち、塩化カルシウム環を備えたジムロート冷却環を付した。２時間還流させ、反応を止めたのち、反応混合物を濃縮し、ベンゼンで２回共沸させることで、無色油状物である新規化合物３０（０．２３ｇ，全量）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．５７（ヘキサン：酢酸エチル＝９：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３） δ：７．９４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，Ａｒ），７．４６（ｓ，１Ｈ，Ａｒ），７．１７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５，Ａｒ），２．３３（ｓ，３Ｈ，Ｍｅ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ：１６５．３，１３４．２，１３１．３，１３４．２，１２８．３，１２８．２，１２２．０，２１．２．

（合成例１−４）
（５−フルオロ−２−ブロモ安息香酸の酸塩化物（５−Ｆｌｕｏｒｏ−２−Ｂｒｏｍｏ−ｂｅｎｚｏｙｌ−ｃｈｌｏｒｉｄｅ（３１））の合成）
５０ｍｌのナス型フラスコに５−フルオロ−２−ブロモ安息香酸（０．２２ｇ，１．０ｍｍｏｌ）、塩化チオニル（１０ｍｌ）を加え、攪拌子を入れたのち、塩化カルシウム環を備えたジムロート冷却環を付した。２時間還流させ、反応を止めたのち、反応混合物を濃縮し、ベンゼンで２回共沸させることで、無色油状物である化合物３１（０．２３ｇ，全量）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．５７（ヘキサン：酢酸エチル＝９：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３） δ：７．６８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５，２．７Ｈｚ，Ａｒ），７．５９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５，４．９Ｈｚ Ａｒ），７．０９（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝８．３，２．７Ｈｚ，Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ：１６４．８，１６２．３，１５９．８，１３６．２，１２８．２，１２１．７，１２０．３，１１５．７．

（合成例１−５）
（５−メトキシ−２−ブロモ安息香酸の酸塩化物（５−Ｍｅｔｈｏｘｙ−２−Ｂｒｏｍｏ−ｂｅｎｚｏｙｌ−ｃｈｌｏｒｉｄｅ（３２））の合成）
５０ｍｌのナス型フラスコに５−メトキシ−２−ブロモ安息香酸（０．２３ｇ，１．０ｍｍｏｌ）、塩化チオニル（１０ｍｌ）を加え、攪拌子を入れたのち、塩化カルシウム環を備えたジムロート冷却環を付した。２時間還流させ、反応を止めたのち、反応混合物を濃縮し、ベンゼンで２回共沸させることで、無色油状物である化合物３２（０．２４ｇ，全量）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．３８（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３） δ：７．４０−７．５４（ｍ，２Ｈ，Ａｒ），６．８７−６．９２（ｍ，１Ｈ，Ａｒ），３．７８（ｓ，３Ｈ，ＯＭｅ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３） δ：１６６．７，１５８．６，１３５．４，１２８．２，１２０．５，１１８．３，１１１．５，５５．８．

（合成例１−６）
（２−クロロ−クロロ安息香酸の酸塩化物（２−Ｃｈｌｏｒｏ−ｂｅｎｚｏｙｌ−ｃｈｌｏｒｉｄｅ（３３））の合成）
５０ｍｌのナス型フラスコに２−クロロ安息香酸（０．１６ｇ，１．０ｍｍｏｌ）、塩化チオニル（１０ｍｌ）を加え、攪拌子を入れたのち、塩化カルシウム環を備えたジムロート冷却環を付した。２時間還流させ、反応を止めたのち、反応混合物を濃縮し、ベンゼンで２回共沸させることで、無色油状物である化合物３３（０．１７ｇ，全量）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．５４（ヘキサン：酢酸エチル＝９：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３） δ：７．９６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０，１．７Ｈｚ，Ａｒ），７．３４−７．４１（ｍ，２Ｈ，Ａｒ），７．２５−７．３０（ｍ，１Ｈ，Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ：１６５．０，１３４．４，１３３．４，１３１．４，１２８．２（２Ｃ），１２７．０．

［酸ヒドラジンの合成］
（合成例２−１） ２−ヨード安息香酸 Ｎ’−フェニル−ヒドラジド（２−Ｉｏｄｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｐｈｅｎｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（２）の合成
フェニルヒドラジン（０．１７ｇ，１．６ｍｍｏｌ）を６ｍｌのジクロロメタン（以下、「ＤＣＭ」という）に溶かし、その溶液に１０％ＮａＯＨ溶液を２ｍｌ加えた。さらに、ＤＣＭ４ｍｌに溶かした酸塩化物１（０．４５ｇ，１．７ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間激しく攪拌した。ＴＬＣにより反応の終結を確認した後、ＤＣＭ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ条件：１００％ｈｅｘａｎｅ〜５０％ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、白色結晶であるヒドラジド体２（０．３８ｇ、収率：６７％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．７３（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（核磁気共鳴）（４００ＭＨｚ，ＣＤ_３ＯＤ）δ：７．９４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．４６−７．５０（ｍ，２Ｈ，Ａｒ），７．１７−７．２４（ｍ，３Ｈ，Ａｒ），６．９６−７．０１（ｍ，２Ｈ，Ａｒ），６．８３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（核磁気共鳴）（１３６ＭＨｚ，ＣＤ３ＯＤ）δ：１７２．３，１４９．８，１４２．２，１４１．１，１３２．５，１３０．０，１２９．５，１２９．３，１２１．３，１１４．５，９３．５；
ＩＲ（赤外線スペクトル）（ｎｅａｔ）：３２４４（ＮＨ），１６５４（Ｃ＝Ｏ）,１４９４（Ｃ−Ｎ），１３１５，９１３，７５０，６８９ｃｍ^−１；
ｍ．ｐ．（融点）１９９℃−２０１℃．

（合成例２−２） ２−ヨード安息香酸 Ｎ’−ｔｅｒｔ−ブチル−ヒドラジド（２−Ｉｏｄｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ （３））の合成
ｔｅｒｔ−ブチルヒドラジン塩酸塩（０．７８ｇ，６．３ｍｍｏｌ）を１８ｍｌのＤＣＭに溶かし、その溶液に１０％ＮａＯＨ溶液を１２ｍｌ加えた。さらに、ＤＣＭ４ｍｌに溶かした酸塩化物１（１．６７ｇ，６．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間激しく攪拌した。ＴＬＣにより反応の終結を確認した後、ＤＣＭ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ条件：１００％ｈｅｘａｎｅ〜５０％ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、白色結晶であるヒドラジド体３（１．７２ ｇ、収率：８６％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．３６（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１）；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，（ＣＤ_３）_２ＣＯ）δ：８．８７（ｂｒ ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．８９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０，８．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．４４（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０，１．２，７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．３７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．０，７．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．１７（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．２，２．０，７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），１．１６（ｓ，９Ｈ，ｔ−Ｂｕ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，（ＣＤ_３）_２ＣＯ）δ：１６８．８，１４２．７，１４０．４，１３１．７，１２９．４，１２８．８，９３．６，５５．７，２７．８（３Ｃ）．

（合成例２−３） ２−ヨード安息香酸 Ｎ’−（４−ニトロフェニル）−ヒドラジド（２−Ｉｏｄｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−（４−ｎｉｔｒｏ−ｐｈｅｎｙｌ）−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ （４））の合成
１００ｍｌの三つ口フラスコに４−ニトロフェニルヒドラジン（１．１６ｇ，７．６ｍｍｏｌ）入れ、窒素ガスで置換してセプタムキャップした。次に、ｄｒｙ ＴＨＦ４０ｍｌに溶かした酸塩化物１（２．０２ｇ，７．６ｍｍｏｌ）を加えた。２時間還流させ、ＴＬＣによって出発物質の消失を確認し、反応を止めた。溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ条件：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、クリーム色結晶であるヒドラジド体４（１．７３ｇ，収率：６０％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．２６（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１０．５１（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），９．３３（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），８．１０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．３Ｈｚ，Ａｒ），７．９５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．５２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，Ａｒ），７．２２−７．２８（ｍ，１Ｈ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），６．９５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１６８．６，１５４．７，１４０．６，１３９．４，１３８．２，１３１．６，１２８．６，１２８．２，１２５．９，１１０．９，９３．７．

（合成例２−４） ２−ヨード安息香酸 Ｎ’−ナフタレン−１−イル−ヒドラジド（５−Ｉｏｄｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（５））の合成
１−ナフチルヒドラジン塩酸塩（１．２２ｇ，６．３ｍｍｏｌ）を１８ｍｌのＤＣＭに懸濁させ、その溶液に１０％ ＮａＯＨ溶液を１２ｍｌ加えた。さらに、ＤＣＭ ４ｍｌに溶かした酸塩化物１（１．６７ｇ，６．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で６時間激しく攪拌した。ＴＬＣにより反応の終結を確認した後、ＤＣＭ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ条件：１００％ｈｅｘａｎｅ〜５０％ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、薄茶色結晶であるヒドラジド体５（１．８０ｇ，収率：７４％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．６０（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１０．３４（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），８．４７（ｂｒ ｓ，１Ｈ，ＮＨ），８．２８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．９７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．８４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７，６．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．２２−７．５８（ｍ，７Ｈ，ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ），７．０４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７，７．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１６８．６，１４３．８，１４１．０，１３９．６，１３３．８，１３１．４，１２８．７，１２８．１，１２８．０，１２６．３，１２５．８，１２４．６，１２２．３，１２１．９，１１８．６，１０５．６，９３．７；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３３３２，３２４８（ＮＨ），１６５５（Ｃ＝Ｏ），１５１６，７６７ｃｍ^−１；
ＨＲＭＳ（高分解能質量分析）（ＦＡＢ（＋））：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ_１７Ｈ_１３ＯＮ_２Ｉ ３８８．００７３；ｆｏｕｎｄ，３８８．００５８；
ｍ．ｐ． １９６℃−１９７℃．

（合成例２−５） ２−ヨード安息香酸 Ｎ’−シクロヘキシル−ヒドラジド（２−Ｉｏｄｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（６））の合成
シクロヘキシルヒドラジン塩酸塩（０．５１ｇ，３．４ｍｍｏｌ）を９ｍｌのＤＣＭに懸濁させ、その溶液に１０％ ＮａＯＨ溶液を６ｍｌ加えた。さらに、ＤＣＭ ２ｍｌに溶かした酸塩化物１（０．９０ｇ，３．４ｍｍｏｌ）を加え、室温で５時間激しく攪拌した。ＴＬＣにより反応の終結を確認した後、ＤＣＭ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ条件：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供し、さらに分取ＴＬＣ（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１）を行い、無色油状物であるヒドラジド体６（０．１２ｇ，収率１１％）を７１：２９のアミド回転異性体の混合物として得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．３６（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ_３Ｃｌ）δ：７．８５（ｄ，０．７Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，Ａｒ）,７．７８（ｄ，０．３Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，Ａｒ）７．３２−７．４７（ｍ，１Ｈ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．２０−７．２７（ｍ，２Ｈ，Ａｒ），７．０７（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６，７．８，２３．４Ｈｚ，ｏｎｅ
ｏｆ Ａｒ），４．６０（ｔ，０．３Ｈ，Ｊ＝１０．９Ｈｚ，Ａｒ），４．２２（ｂｒ ｓ，１．４Ｈ，ＮＨ），３．６０（ｂｒ ｓ，０．６Ｈ，ＮＨ），３．１４（ｔ，０．７Ｈ，Ｊ＝１０．７Ｈｚ）０．９０−２．０２（ｍ，１１Ｈ，ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＣＤ_３Ｃｌ）δ:１７１．６，１４４．０，１３９．３，１３８．４，１３０．３，１２９．５，１２８．２，１２８．１，１２６．７，１２６．６，９２．６，９２．４，５９．５，５３．９，３０．０，２８．５，２５．３，２５．１，２４．９;
ＩＲ（ｎｅａｔ）:２９２９（ＮＨ），２８５６，１６２９（Ｃ＝Ｏ），１４２４（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ），１０１８，７５２ｃｍ^−１

（合成例２−６） ２−ヨード安息香酸 Ｎ’−（２−メトキシ−フェニル）−ヒドラジド（２−Ｉｏｄｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−（２−ｍｅｔｈｏｘｙ−ｐｈｅｎｙｌ）−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ （７））の合成
２−メトキシフェニルヒドラジン塩酸塩（０．５９ｇ，３．４ｍｍｏｌ）を９ｍｌのＤＣＭに懸濁させ、その溶液に１０％ ＮａＯＨ溶液を６ｍｌ加えた。さらに、ＤＣＭ ２ｍｌに溶かした酸塩化物１（０．９０ｇ，３．４ｍｍｏｌ）を加え、室温で５時間激しく攪拌した。ＴＬＣにより反応の終結を確認した後、ＤＣＭ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。次いで、乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ条件：１００％ｈｅｘａｎｅ〜５０％ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、薄オレンジ色結晶であるヒドラジド体７（０．８０ｇ，収率：６５％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．５６（ｈｅｘａｎｅ:ＥｔＯＡｃ＝１:１（体積比））;
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ:１０．２９（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．９２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．４２−７．５２（ｍ，２Ｈ，Ａｒ），７．２２（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１．７，７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），６．９５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５，７．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），６．９１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），６．８３（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５，７．３，７．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），６．７７（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１．５，７．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），３．８３（ｓ，１Ｈ，ＯＭｅ）;
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＣＤ_３Ｃｌ）δ：１６８．４，１４６．５，１４０．９，１３９．３，１３７．８，１３１．３，１２８．６，１２８．１，１２０．７，１１９．３，１１２．０，１１０．４，９３．８，５５．５；
ｍ．ｐ． １５４℃−１５５℃．

（合成例２−７） ２−ヨード安息香酸 Ｎ’−キノリン−２−イル−ヒドラジド（２−Ｉｏｄｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｑｕｉｎｏｌｉｎ−２−ｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（８））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコに２−ヒドラジノキノリン（１．５ｍｍｏｌ，０．２４ｇ）を入れ、窒素ガスで置換してセプタムキャップした。次にｄｒｙ ＴＨＦ １２ｍｌに溶かした酸塩化物１（１．５ｍｍｏｌ，０．４０ｇ）を加えた。２時間還流させ、ＴＬＣによって出発物質の消失を確認し、反応を止めた。そして、ＴＨＦ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。次いで、乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ条件：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、クリーム色結晶であるヒドラジド体８（０．１６ｇ，収率：２８％）を得た。
薄層クロマトグラフＲｆ＝０．６２（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ：８．６１（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），８．４０（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），８．１９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．９２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．７９（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０，９．０Ｈｚ，Ａｒ），７．４５−７．７５（ｍ，２Ｈ，Ａｒ），７．０２−７．４０（ｍ，４Ｈ，Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ：１６８．７，１４６．１，１４２．０，１４０．２，１３８．７，１３８．５，１３８．２，１３１．９，１３０．７，１２９．９，１２８．６，１２８．３，１２８．１，１２７．９，１２７．５，１２６．９，１２６．２，１１６．３，９２．３．

（合成例２−８） ２−ヨード安息香酸 Ｎ’’−（２，４，６−トリクロロフェニル）−ヒドラジド（２−Ｉｏｄｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’’−（２，４，６−ｔｒｉｃｈｌｏｒｏ−ｐｈｅｎｙｌ）−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（９））の合成
５０ｍｌの三つ口フラスコに２，４，６−トリクロロフェニルヒドラジン（０．４８ｇ，２．３ｍｍｏｌ）入れ、窒素ガスで置換してセプタムキャップした。次に、ｄｒｙ ＴＨＦ ２０ ｍｌに溶かした酸塩化物１（０．６１ｇ，２．３ｍｍｏｌ）を加えた。２時間還流させ、ＴＬＣによって出発物質の消失を確認し、反応を止めた。そして、ＴＨＦ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。次いで、乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、溶媒を減圧留去し、残渣を酢酸エチルに溶かして再結晶させ、白色結晶である新規なヒドラジド体９（０．６９ｇ，６９％）を得た。
薄層クロマトグラフＲｆ＝０．７２（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝４：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１０．５３（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．８９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．３８−７．４９（ｍ，３Ｈ，Ａｒ），７．１９（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１６７．９，１４０．９，１３９．９，１３９．６，１３１．４，１２８．８，１２８．５，１２７．９，１２５．４，１２４．８，９３．９．
ｍ．ｐ． ２０４℃−２０５℃．

（合成例２−９） ２−ブロモ安息香酸 Ｎ’−ｔｅｒｔ−ブチル−ヒドラジド（２−Ｂｒｏｍｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（３４））の合成
ｔｅｒｔ−ブチルヒドラジン塩酸塩（０．３７ｇ，３．０ｍｍｏｌ）を１８ｍｌのＤＣＭに溶かし、その溶液に１０％ ＮａＯＨ溶液を１２ｍｌ加えた。さらに、ＤＣＭ ４ｍｌに溶かした酸塩化物２９（０．６６ｇ，３．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間激しく攪拌した。ＴＬＣにより反応の終結を確認した後、ＤＣＭ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、白色結晶であるヒドラジド体３４（０．５３ ｇ、６５％）を得た。
薄層クロマトグラフＲｆ＝０．４６（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：８．１２（ｂｒ ｓ， １Ｈ， ＮＨ），７．４１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０，７．７Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．２７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７，７．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．１８（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３，１．２Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．１２（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．８，２．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），４．６３（ｂｒ ｓ，１Ｈ，ＮＨ），１．０４（ｓ，９Ｈ，ｔ−Ｂｕ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１６６．５，１３６．０，１３２．９，１３０．９，１２９．３，１２７．０，１１９．３，５５．２，２６．９（３Ｃ）；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３３８２（ＮＨ），２９６９（Ａｒ），２８７８（ｔ−Ｂｕ），１６４８（Ｃ＝Ｏ），１５６１，１４７３，１４３４，１３３８，８５３，７３５ｃｍ^−１；
ＨＲＭＳ（ＦＡＢ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ_１１Ｈ_１６Ｂｒ Ｎ_２Ｏ ２７１．０４１９；ｆｏｕｎｄ，２７１．０４４９；
ｍ．ｐ．：８５−８７℃．

（合成例２−１０） ２−ブロモ−安息香酸 Ｎ’−フェニル−ヒドラジド（２−Ｂｒｏｍｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｐｈｅｎｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（３５））の合成
フェニルヒドラジン（０．４８ｇ，４．４ｍｍｏｌ）を６ｍｌのＤＣＭに溶かし、その溶液に１０％ ＮａＯＨ溶液を２ｍｌ加えた。さらに、ＤＣＭ ４ｍｌに溶かした酸塩化物２９（０．９６ｇ，４．４ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間激しく攪拌した。ＴＬＣにより反応の終結を確認した後、ＤＣＭ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、白色結晶であるヒドラジド体３５（０．５２ｇ、４０％）を得た。
薄層クロマトグラフＲｆ＝０．７３（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１０．２０（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），８．００（ｂｒ ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．７０（ｄ， １Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．４４−７．５３（ｍ，２Ｈ，Ａｒ），７．３６−７．４５（ｍ，１Ｈ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．１７（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．９，Ａｒ），６．８６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，Ａｒ），６．７３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１６７．２，１４９．１，１３７．４，１３３．０，１３１．５，１２９．２，１２８．８（２Ｃ），１２７．８，１１９．３，１１８．７（２Ｃ），１１２．４；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３２４２（ＮＨ），３００９（Ａｒ），２９２０（Ｍｅ），１６５６（Ｃ＝Ｏ），１４９５（Ａｒ），１３１７，９１５，７５２ｃｍ^−１；
ｍ．ｐ．：１７０−１７２℃．

（合成例２−１１） ２−ブロモ安息香酸 Ｎ’−（４−ニトロ−フェニル）−ヒドラジド（２−Ｂｒｏｍｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−（４−ｎｉｔｏｒｏ−ｐｈｅｎｙｌ）−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（３６））の合成
ジムロート冷却管を付した１００ｍｌの三つ口フラスコに４−ニトロフェニルヒドラジン（０．４６ｇ，３．０ｍｍｏｌ）を入れ、窒素ガスで置換してセプタムキャップした。次に、ｄｒｙ ＴＨＦ ４０ ｍｌに溶かした酸塩化物２９（０．６６ｇ，３．０ｍｍｏｌ）を加えた。２時間還流させ、ＴＬＣによって出発物質の消失を確認し、反応を止めた。溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、茶褐色結晶であるヒドラジド体３６（０．７４ｇ，７４％）を得た。
薄層クロマトグラフＲｆ＝０．４４（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１０．５７（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），９．３５（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），８．１０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．３Ｈｚ，Ａｒ），７．７３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８，１．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．５８（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．３，１．８Ｈｚ，Ａｒ），７．５１（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６，１．２Ｈｚ，１Ｈ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．４４（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６，１．７Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），６．９３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１６７．１，１５４．７，１３８．２，１３６．８，１３３．０，１３１．８，１２９．３，１２７．８，１２６．０，１１９．２，１１０．９；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３２７７（ＮＨ），１６３０（Ｃ＝Ｏ），１５９６，１５０５（Ａｒ），１３３０，１２７１，１１０９，８３９，７４９，６８７，５９７ｃｍ^−１；
ｍ．ｐ．：２１３−２１５℃．

（合成例２−１２） ２−ブロモ−４−メチル−安息香酸 Ｎ’−フェニル−ヒドラジド（２−Ｂｒｏｍｏ−４−ｍｅｔｈｙｌ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｐｈｅｎｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（３７））の合成
フェニルヒドラジン（０．１１ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を６ｍｌのＤＣＭに溶かし、その溶液に１０％ ＮａＯＨ溶液を２ｍｌ加えた。さらに、ＤＣＭ ４ｍｌに溶かした酸塩化物３０（０．２３ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間激しく攪拌した。ＴＬＣにより反応の終結を確認した後、ＤＣＭ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、白色結晶である新規なヒドラジド体３７（０．１７ｇ、５４％）を得た。
薄層クロマトグラフＲｆ＝０．３９（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１０．１１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．７，ＮＨ），７．９６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．４，ＮＨ），７．５４（ｓ，１Ｈ，Ａｒ），７．３９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．２９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，Ａｒ），７．１６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），６．８５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ａｒ），６．７２（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，Ａｒ），２．３４（ｓ，１Ｈ，Ｍｅ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１６７．１，１４９．１，１４１．５，１３４．４，１３３．２，１２９．０，１２８．７，１２８．２，１１９．１，１１８．６，１１２．３，２０．４；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３２４２（ＮＨ），３０２９（Ａｒ），２９２０（Ｍｅ），１６５３（Ｃ＝Ｏ），１４９６（Ａｒ），１３２１，１０３９，９１７，８２７，７６０，６９２ｃｍ^−１；
ＦＡＢ（＋）−ＭＳ（ＮＢＡ）：ｍ／ｚ（％） ３０６（４９）［ＭＨ^＋］，２８９（１３），１９９（５２），１９７（５４），１３６（６６）；
ｍ．ｐ．：１３４−１３５℃．

（合成例２−１３） ２−ブロモ−５−フルオロ−安息香酸 Ｎ’−フェニル−ヒドラジド（２−Ｂｒｏｍｏ−５−ｆｌｕｏｒｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｐｈｅｎｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（３８））の合成
フェニルヒドラジン（０．１１ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を６ｍｌのＤＣＭに溶かし、その溶液に１０％ ＮａＯＨ溶液を２ｍｌ加えた。さらに、ＤＣＭ ４ｍｌに溶かした酸塩化物３１（０．２４ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間激しく攪拌した。ＴＬＣにより反応の終結を確認した後、ＤＣＭ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、白色結晶である新規なヒドラジド体３８（０．０９ｇ、２９％）を得た。
薄層クロマトグラフＲｆ＝０．２６（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝７：３（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１０．５７（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．９９（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．７４（ｄｄ，Ｊ＝８．８，４．９Ｈｚ，１Ｈ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．４３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５，３．２Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．３１（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝８．５，３．２Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．１７（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈｚ， １Ｈ， Ａｒ），６．８８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，Ａｒ），６．７３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１９５．９，１６２．２，１５９．７，１４８．４，１３９．０，１３８．９，１３４．９，１３４．８，１２８．７，１１８．７，１１８．６，１１８．４，１１６．５，１１６．３，１１４．１，１１４．０，１１２．４；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３２７１（ＮＨ），３０４９（Ａｒ），１６５６（Ｃ＝Ｏ），１５１５（Ａｒ），１４６５，１２６２，７５３ｃｍ^−１；
ＦＡＢ（＋）−ＭＳ（ＮＢＡ）：ｍ／ｚ（％） ３１０（１０）［ＭＨ^＋］，２９０［５］，１７６［９］，１３６［６８］，１０７［２１］，８９［１５］，７７［１２］；
ｍ．ｐ．：１７０−１７２℃．

（合成例２−１４） ２−ブロモ−５−メトキシ−安息香酸 Ｎ’−フェニル−ヒドラジド（２−Ｂｒｏｍｏ−５−ｍｅｔｈｏｘｙ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｐｈｅｎｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（３９））の合成
フェニルヒドラジン（０．３０ｇ，２．８ｍｍｏｌ）を６ｍｌのＤＣＭに溶かし、その溶液に１０％ ＮａＯＨ溶液を２ｍｌ加えた。さらに、ＤＣＭ ４ｍｌに溶かした酸塩化物３２（０．７０ｇ，２．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間激しく攪拌した。ＴＬＣにより反応の終結を確認した後、ＤＣＭ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、白色結晶である新規なヒドラジド体３９（０．５０ｇ、５６％）を得た。
薄層クロマトグラフＲｆ＝０．５１（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：10.17（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．９６（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．５８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０，０．７３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．１７（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ａｒ），７．０２（ｓ，１Ｈ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），６．９９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），６．８６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，Ａｒ），６．７２（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，Ａｒ），３．１１（ｓ，３Ｈ，ＭｅＯ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１６６．７，１５８．４，１４９．０，１３８．０，１３３．９，１２８．７，１１８．６，１１７．０，１１４．９，１１２．４，１０９．４，５５．７；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３２３８（ＮＨ），３００６（Ａｒ），１６４９（Ｃ＝Ｏ），１５９８，１４９３（Ａｒ），１２４２，１２３９ｃｍ^−１；
ＦＡＢ（＋）−ＭＳ（ＮＢＡ）：ｍ／ｚ（％） ３２２（１２）［ＭＨ^＋］，２３８（１４），２１３（８），１７６（９），１３６（６５），１０７（２１），８５（４２）；
ｍ．ｐ．：１５３−１５５℃．

（合成例２−１４） ２−クロロ−安息香酸 Ｎ’−フェニル−ヒドラジド（２−Ｃｈｌｏｒｏ ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｐｈｅｎｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（４０））の合成
フェニルヒドラジン（０．３２ｇ，３．０ｍｍｏｌ）を６ｍｌのＤＣＭに溶かし、その溶液に１０％ ＮａＯＨ溶液を２ｍｌ加えた。さらに、ＤＣＭ ４ｍｌに溶かした酸塩化物３３（０．５３ｇ，３．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間激しく攪拌した。ＴＬＣにより反応の終結を確認した後、ＤＣＭ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、白色結晶であるヒドラジド体４０（０．２５ｇ、３４％）を得た。
薄層クロマトグラフＲｆ＝０．３６（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１０．２０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，ＮＨ），８．００（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，ＮＨ），７．３７−７．５７（ｍ，４Ｈ，Ａｒ），７．１７（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，Ａｒ），６．８４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，Ａｒ），６．７３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１６６．２，１４９．１，１３５．３，１３１．２，１３０．２，１２９．７，１２９．２，１２８．７，１２７．２，１１８．６，１１２．３；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３２６５（ＮＨ），３００７（Ａｒ），１６５３（Ｃ＝Ｏ），１５９８，１４９４（Ａｒ），１３１８，１２３９，９１６，７４２ｃｍ^−１；
ｍ．ｐ．：１５２−１５４℃．

（合成例２−１５） Ｎ’−（２−ヨード−ベンゾイル）−ヒドラジンカルボン酸 ｔｅｒｔ−ブチルエステル（Ｎ’−（２−Ｉｏｄｏ−ｂｅｎｚｏｙｌ）−ｈｙｄｒａｚｉｎｅｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ａｃｉｄ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ ｅｓｔｅｒ（４１））の合成
ジムロート冷却管を付した２０ｍｌの三つ口フラスコにｔｅｒｔ−ブチルカーバゼート（０．１３ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を入れ、窒素ガスで置換してセプタムキャップした。次に、ｄｒｙ ＴＨＦ ６ｍｌに溶かした酸塩化物２８（０．６１ｇ，２．３ｍｍｏｌ）を加えた。２時間還流させ、ＴＬＣによって出発物質の消失を確認し、反応を止めた。そして、ＴＨＦ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。次いで、乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、白色固体である新規なヒドラジド体４１（０．２７ｇ，５９％）を得た。
薄層クロマトグラフＲｆ＝０．６８（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：７．８８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，ｔｗｏ ｏｆ Ａｒ），７．５０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．３９（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６，１．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．１４（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝６．１，１．７Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），６．９０（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），１．５０（ｓ，９Ｈ，ｔ−Ｂｕ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１６８．２，１５５．２，１４０．１，１３８．９，１３１．９，２８．８，１２８．１，９２．８，８２．１，２８．１（３Ｃ）；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３３３３（ＮＨ），３２６２，２９７６（ｔ−Ｂｕ），１７２３，１６７０（Ｃ＝０），１５１７（Ａｒ），１４９８，１３６７，１２５３，１１５７，１０１３，９１４，８６０，７４８ｃｍ^−１；
ｍ．ｐ．：１１１−１１３℃．

（合成例２−１６） 安息香酸 Ｎ’−（２−ヨード−ベンゾイル）−ヒドラジド（Ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’（２−Ｉｏｄｏ−ｂｅｎｚｏｙｌ）−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（４２））の合成
ジムロート冷却管を付した２０ｍｌの三つ口フラスコにベンゾイルヒドラジン（０．２７ｇ，２．０ｍｍｏｌ）を入れ、窒素ガスで置換してセプタムキャップした。次に、ｄｒｙ ＴＨＦ １０ｍｌに溶かした酸塩化物２８（０．５４ｇ，２．０ｍｍｏｌ）を加えた。２時間還流させ、ＴＬＣによって出発物質の消失を確認し、反応を止めた。そして、ＴＨＦ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。次いで、乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣を酢酸エチルに溶かして再結晶させ、白色結晶であるヒドラジド体４２（０．２６ｇ，７２％）を得た。
薄層クロマトグラフＲｆ＝０．４５（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ:１０．６２（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），１０．３４（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．９３（ｄ，Ｊ＝３Ｈ，７．６Ｈｚ，Ａｒ），７．６０（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，Ａｒ），７．４７−７．５５（ｍ，４Ｈ，Ａｒ），７．２０−７．２７（ｍ，１Ｈ，Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１６８．１，１６５．６，１４０．４，１３９．６，１３２．４，１３１．９，１３１．６，１２８．９，１２８．５，１２８．０，１２７．６，９３．８；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３２４１（ＮＨ），３０５７（Ａｒ），１６３９（Ｃ＝０），１５１６（Ａｒ），１４８６，１２８７，７１１ｃｍ^−１；
ｍ．ｐ．：１８５−１８７℃．

（合成例２−１７） ２−ヨード−安息香酸 Ｎ’−［（４−メチルフェニル）スルホニル］ヒドラジド（２−Ｉｏｄｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−［（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｓｕｌｆｏｎｙｌ］ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（４３））の合成
ジムロート冷却管を付した２０ｍｌの三つ口フラスコにｐ−トルエンスルフォニルヒドラジン（０．０９ｇ，０．５ｍｍｏｌ）を入れ、窒素ガスで置換してセプタムキャップした。次に、ｄｒｙ ＴＨＦ ５ｍｌに溶かした酸塩化物２８（０．１４ｇ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた。２時間還流させ、ＴＬＣによって出発物質の消失を確認し、反応を止めた。そして、ＴＨＦ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。次いで、乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣を酢酸エチルに溶かして再結晶させ、白色結晶であるヒドラジド体４３（０．１９ｇ，９２％）を得た。
薄層クロマトグラフＲｆ＝０．２１（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝７：３（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１０．５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，ＮＨ），１０．１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，ＮＨ），７．８４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．７９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，Ａｒ），７．４３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．３６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，Ａｒ），７．１７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），２．３６（ｓ，３Ｈ，Ｍｅ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１６７．２，１４３．３，１３９．７，１３９．５，１３６．２，１３１．５，１２９．３，１２８．６，１２８．０，９３．６，２１．１；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３２８５（ＮＨ），３１５３（Ａｒ），１６４７（Ｃ＝０），１５２９，１３７３，１３４２，１１７１，７３３，６９５ｃｍ^−１；
ｍ．ｐ．：２００−２０１℃．

（合成例２−１８） ２−ヨード−安息香酸 Ｎ’−ベンジル−ヒドラジド（２−Ｉｏｄｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｂｅｎｚｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（４４））の合成
ベンジルヒドラジン塩酸塩（０．１６ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を４ｍｌのＤＣＭに懸濁させ、その溶液に１０％ ＮａＯＨ溶液を３ｍｌ加えた。さらに、ＤＣＭ ２ｍｌに溶かした酸塩化物２８（０．２７ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で５時間激しく攪拌した。ＴＬＣにより反応の終結を確認した後、ＤＣＭ層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。次いで、乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、茶色粘性固体である新規なヒドラジド体４４（０．２１ｇ，５９％）を得た。
薄層クロマトグラフＲｆ＝０．４５（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：７，８６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０，３．７Ｈｚ，ＮＨ），７，７７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０，３．２Ｈｚ，ＮＨ），７．１６−７．４７（ｍ，５Ｈ，Ａｒ），６．９９−７．１３（ｍ，１Ｈ，Ａｒ），４．９０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，Ａｒ），４．４６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，ＣＨ_２），３．６７（ｓ，１Ｈ，ＮＨ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１７１．９，１６８．９，１４３．３，１４１．０，１３９．２，１３８．３，１３５．２，１３４．８，１３０．６，１２９．５，１２９．０，１２８．７，１２８．６，１２８．２，１２８．０，１２７．８，１２７．６，１２７．５，１２７．０，９３．０，９２．４，５５．２，５３．２；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３３２０（ＮＨ），３２１２（Ａｒ），３０５９（ＣＨ_２），３０２９，２９２１，１６４８（Ｃ＝０），１４２４，１２５０，１０１６，７３６ｃｍ^−１．

（実施例１）
合成例２−５で合成したヒドラジド体６を１０ｐｐｍになるように、溶媒に溶解させたものを線虫に与えたところ、線虫に対して殺虫効果が認められた。これから、合成例５−１で合成したヒドラジド体６は、殺虫剤として用いられる可能性があることがわかった。

［酸ヒドラジンの直接合成］
（合成例３−１） ２−ブロモ−安息香酸 Ｎ’−フェニル−ヒドラジド（２−Ｂｒｏｍｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｐｈｅｎｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（３５）の合成
アルゴン置換したナス型フラスコにフェニルヒドラジン（０．１１ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を無水ＤＭＦ（１０ｍｌ）に溶解させ、２−ブロモ安息香酸（２０１．０ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）、ＨＯＢｔ（ブタノール）・Ｈ２Ｏ（０．１５ｇ，１．１ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（０．１１ｇ，１．１ｍｍｏｌ）、ＤＣＣ（０．２１ｇ，１．１ｍｍｏｌ）を加えた後、４０℃で１２時間撹拌した。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、（合成例２−１０）と同一の化合物である、白色であるヒドラジド体３５（０．２３ｇ，７８％）を得た。（合成例２−１０）に比べ、ヒドラジド体の収率が良かった。ただし、副生物として多量の尿素が発生し、分離操作が困難だった。

（合成例３−２） ２−ブロモ−安息香酸 Ｎ’−フェニル−ヒドラジド（２−Ｂｒｏｍｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｐｈｅｎｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（３５）の合成
アルゴン置換したナス型フラスコにフェニルヒドラジン（０．１１ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を無水ＤＭＦ（１０ｍｌ）に溶解させ、２−ブロモ安息香酸（０．２０ｇ，１．０ｍｍｏｌ）、ＨＯＢｔ（ブタノール）・Ｈ_２Ｏ（０．１５ｇ，１．１ｍｍｏｌ）、ＤＭＡＰ（６．１ｍｇ，５ｍｏｌ％）、ＥＤＣ・ＨＣｌ（０．２１ｇ，１．１ｍｍｏｌ）を加えた後、４０℃で１２時間撹拌した。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、（合成例２−１０）と同一の化合物である、白色であるヒドラジド体３５（０．２３ｇ，８０％）を得た。（合成例２−１０）に比べ、ヒドラジド体の収率が良かった。また、副生物はほとんど発生しなかった。

（合成例３−３） ２−ブロモ−５−フルオロ−安息香酸 Ｎ’−フェニル−ヒドラジド（２−Ｂｒｏｍｏ−５−ｆｌｕｏｒｏ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｐｈｅｎｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（３８））の合成
アルゴン置換したナス型フラスコにフェニルヒドラジン（０．１１ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を無水ＤＭＦ（１０ｍｌ）に溶解させ、２−ブロモ−５−フルオロ安息香酸（０．２２ｇ，１．０ｍｍｏｌ）、ＨＯＢｔ・Ｈ_２Ｏ（０．１５ｍｇ，１．１ｍｍｏｌ）、ＤＭＡＰ（６．１ｍｇ，５ｍｏｌ％）、ＥＤＣ・ＨＣｌ（０．２１ｇ，１．１ｍｍｏｌ）を加えた後、４０℃で１２時間撹拌した。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣を酢酸エチルに溶かして再結晶させ、（合成例２−１３）と同一の化合物である、白色結晶であるヒドラジド体３８（０．５０ｇ、９８％）を得た。（合成例２−１３）に比べて、極めて収率がよかった。

（合成例３−４） ２−ブロモ−５−メトキシ−安息香酸 Ｎ’−フェニル−ヒドラジド（２−Ｂｒｏｍｏ−５−ｍｅｔｈｏｘｙ−ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ Ｎ’−ｐｈｅｎｙｌ−ｈｙｄｒａｚｉｄｅ（３９））の合成
アルゴン置換したナス型フラスコにフェニルヒドラジン（０．１１ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を無水ＤＭＦ（１０ｍｌ）に溶解させ、２−ブロモ−５−フルオロ安息香酸（０．２２ｇ，１．０ｍｍｏｌ）、ＨＯＢｔ・Ｈ_２Ｏ（０．１５ｍｇ，１．１ｍｍｏｌ）、ＤＭＡＰ（６．１ｍｇ，５ｍｏｌ％）、ＥＤＣ・ＨＣｌ（０．２１ｇ，１．１ｍｍｏｌ）を加えた後、４０℃で１２時間撹拌した。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、残渣を酢酸エチルに溶かして再結晶させ、（合成例２−１４）と同一の化合物である、白色結晶であるヒドラジド体３９（０．５０ｇ、９８％）を得た。（合成例２−１４）に比べて、極めて収率がよかった。

（合成例３−１）〜（合成例３−４）から、脱水縮合剤を用いると、塩酸化物を用いず、２−ハロ安息香酸とヒドラジンとから、酸ヒドラジドが直接合成できることがわかった。塩酸化物には、不安定なものが多く、酸ヒドラジドの収率を低下させる原因となるものがある。脱水縮合剤を用いると、工程を短縮できるとともに、酸ヒドラジドの収率を向上させることができる可能性があることがわかった。

［１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体の合成］
（合成例４−１） １−フェニル−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−Ｐｈｅｎｙｌ−１，２−ｄｉｈｙｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌｅ−３−ｏｎｅ （１０））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体２（０．１７ｇ，０．５ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（１０ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（１２ｍｇ，０．１０ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．１４ｇ，１．０ｍｍｏｌ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（５ｍｌ）を加え、窒素気流下、７０℃で３時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去して、紫色結晶であるインダゾール誘導体１０（０．０９６ｇ，収率：９１％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．７３（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１）；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１１．２８（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．７６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，Ａｒ），７．６８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，Ａｒ），７．５１（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．８，８．１Ｈｚ，Ａｒ），７．４４（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．２５（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．１５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．１，７．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１５６．３，１４０．２，１３９．２．１２９．５（２Ｃ），１２８．４，１２４．８，１２０．６（２Ｃ），１２０．５，１２０．３，１１４．８，１１０．３；
上記^１Ｈ−ＮＭＲと^１３Ｃ−ＮＭＲとのスペクトルデータは、文献値の^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１１．２５（ｂｒ ｓ，１Ｈ），７．７７（ｍ，２Ｈ），７．６９（ｂｒ ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），７．４９（ｍ，３Ｈ），７．２６（ｂｒ ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），７．１６（ｂｒ ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）、^１３Ｃ−ＮＭＲ（６７．８ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ：１５６．６，１４０．６，１３９．６．１２９．９（２Ｃ），１２８．７，１２５．１，１２１．０（２Ｃ），１２０．９，１２０．７，１１５．１，１１０．７．）と一致した。

（合成例４−２） １−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−ｔｅｒｔ−Ｂｕｔｙｌ−１，２−ｄｉｈｙｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌ−３−ｏｎｅ （１１））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体３（０．３２ｇ，１．０ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（１９ｍｇ，０．１０ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（２３ｍｇ，０．２０ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．２８ｇ，２．０ｍｍｏｌ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（１０ｍｌ）を加え、窒素気流下、７０℃で３時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去することで、乳白色結晶であるインダゾール誘導体１１(０．１６ｇ，収率：８３％)を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．３６（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１０．５０（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．５９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．５２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．２０（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０，１．２，８．１Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），６．９２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．３，７．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），１．５４（ｓ，９Ｈ，ｔ−Ｂｕ）；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ：７．８１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．５４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．３８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．３，８．５Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．８０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．６，８．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），１．５１（ｓ，９Ｈ，ｔ−Ｂｕ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１５３．０，１３９．６，１２６．４，１２０．２，１１８．２，１１４．１，１１１．９，５８．３，２９．３（３Ｃ）；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：２９７９（ＮＨ），１６４８（Ｃ＝Ｏ），１５３８，１２０９，７４８ｃｍ^−１；
ＨＲＭＳ（ＥＳ１）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ_１１Ｈ_１４Ｎ_２Ｏ １９１．１１７９；ｆｏｕｎｄ，１９１．１１８２；
ｍ．ｐ． １１５℃−１１７℃．

（合成例４−３） １−（４−ニトロフェニル）−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−（４−Ｎｉｔｒｏ−ｐｈｅｎｙｌ）−１，２−ｄｉｈｙｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌ−３−ｏｎｅ（１２））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体４（０．２１ｇ，０．５５ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（１１ｍｇ，０．０５５ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（１３ｍｇ，０．１１ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．１５ｇ，１．１ｍｍｏｌ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（１０ｍｌ）を加え、窒素気流下、７０℃で３時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ条件：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、黄色結晶であるインダゾール誘導体１２（０．０７０ｇ，５０％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．６３（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１１．８８（ｂｒ ｓ，１Ｈ，ＮＨ），８．３９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ａｒ），８．０４（ｄｄ，３Ｈ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，１０．４Ｈｚ，Ａｒ），７．８７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．６３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６，８．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．３３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．２，７．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１５８．０，１４５．５，１４２．６，１３９．３，１２９．４，１２５．５（２Ｃ），１２２．０，１２０．９，１１９．０（２Ｃ），１１６．６，１１１．５；
ｍ．ｐ． ２８５℃−２８７℃．

（合成例４−４） １−ナフタレン−１−イル−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ−１，２−ｄｉｈｙｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌｅ−３−ｏｎｅ（１３））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体５（０．１６ｇ，０．４１ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（８ｍｇ，０．０４１ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（９ｍｇ，０．０８１ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．１１ｇ，０．８２ｍｍｏｌ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（１０ｍｌ）を加え、窒素気流下、７０℃で３時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ条件：１００％ｈｅｘａｎｅ〜５０％ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供し（ワンスポットカラム）、薄黄色結晶であるインダゾール誘導体１３（０．１０ｇ，収率：９６％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．４８（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝４：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１１．２２（ｂｒ ｓ，１Ｈ，ＮＨ），８．０５（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），８．０２（ｄｄ，Ｊ＝２．０，７．３Ｈｚ，１Ｈ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．８０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．７２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．５６−７．６７（ｍ，３Ｈ，Ａｒ），７．５１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．１，７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．３３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．３，７．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．１２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．３，７．８Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．０７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＣＤ_３Ｃｌ）δ：１５６．３，１４２．１，１３５．７
１３４．３，１２９．２，１２８．３，１２８．０，１２８．０，１２６．７，１２６．６，１２５．８，１２３．９，１２３．５，１２０．４，１１９．９，１１３．７，１０９．８；
ｍ．ｐ． ２３５℃−２３７℃．

（合成例４−５） １−シクロヘキシル−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ−１，２−ｄｉｈｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌ−３−ｏｎｅ（１４））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体６（０．０７０ｇ，０．２０ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（４ｍｇ，０．０２０ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（５ｍｇ，０．０４０ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．０５６ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（１０ｍｌ）を加え、窒素気流下、７０℃で３時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去し、分取ＴＬＣ（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１）を４回繰り返して精製を行い、白色結晶であるインダゾール誘導体１４（０．０２７ｇ，収率：６０％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．３４（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：４（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：９．９７（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．６１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．４８（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．２，７．２，８．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．２２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．０７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．２，７．６Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），４．１９（ｄｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝，３．７，３．９，１１．７Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ）１．５９−１．８５（ｍ，６Ｈ，ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ），１．３０−１．４４（ｍ，２Ｈ，ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ），１．０６−１．２４（ｍ，２Ｈ，ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１６０．３，１４６．３，１３１．１，１２２．８，１２０．８，１１７．７，１１２．３，５２．６，３０．６（２Ｃ），２５．１，２５．０．

（合成例４−６） １−（２−メトキシフェニル）−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−（２−Ｍｅｔｈｏｘｙ−ｐｈｅｎｙｌ）−１，２−ｄｉｈｙｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌ−３−ｏｎｅ（１５））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体７（０．２６ｇ，０．７０ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（１３ｍｇ，０．０７０ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（１６ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．１９ｇ，１．４ｍｍｏｌ，２ｅｇ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（１０ｍｌ）を加え、窒素気流下、７０℃で３時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ｓｔｅｐｗｉｓｅ条件：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ)に供することで、黄色結晶であるインダゾール誘導体１５（０．０３８ｇ，収率：２３％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．４９（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１１．０（ｂｒ s，１Ｈ，ＮＨ），７．７０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．２９−７．４２（ｍ，３Ｈ，Ａｒ），７．２４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．０１−７．０９（ｍ，３Ｈ，Ａｒ），３．７７（ｓ，３Ｈ，ＯＭｅ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ:１５６．０，１５３．４，１４１．３，１２８．５，１２８．３，１２７．６，１２７．３，１２０．８，１１９．９，１１９．３，１１３．６，１１２．８，１１０．９，５５．５．

（合成例４−７） １−キノリン−２−イル−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−Ｑｕｉｎｏｌｉｎ−２−ｙｌ−１，２−ｄｉｈｙｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌ−３−ｏｎｅ（１６））の合成
５０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体８（０．１４ｇ，０．３６ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（７ｍｇ，０．３６ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（８ｍｇ，０．７３ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．１０ｇ，０．７２ｍｍｏｌ，２ｅｇ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（２０ｍｌ）を加え、窒素気流下、室温で３時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ条件：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、インダゾール誘導体１６（０．０４３ｇ，収率：４５％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．７５（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝１：１（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１１．５（ｂｒ s，１Ｈ，ＮＨ），８．４３（ｂｒ ｓ，１Ｈ，ＮＨ），８．３０−８．４０（ｍ，１Ｈ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．２５−８．１０（ｍ，９Ｈ，Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）δ：１４８．９，１４５．６，１３８．５，１３０．５，１３０．２，１３０．２，１２８．１，１２７．８，１２７．７，１２７．６，１２６．５，１２６．２，１２４．９，１１９．３，１１７．３，１１６．１．

（合成例４−８） １−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−ｔｅｒｔ−Ｂｕｔｙｌ−１，２−ｄｉｈｙｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌ−３−ｏｎｅ （１１））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体３４（０．０２７ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（１．９ｍｇ，０．１０ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（２．３ｍｇ，０．０２０ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．０２８ｇ，２．０ｍｍｏｌ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（１０ｍｌ）を加え、窒素気流下、室温で１２時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去することで、（合成例４−２）と同一の化合物である、乳白色結晶であるインダゾール誘導体１１（０．０１２ｇ，６５％）を得た。ＴＬＣ上で見る限り副生成物はなく純度が高いと判断し、精製は行わなかった。（合成例４−２）より収率は悪かったが、純度の高いインダゾール誘導体１１が得られた。

（合成例４−９） １−フェニル−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−Ｐｈｅｎｙｌ−１，２−ｄｉｈｙｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌｅ−３−ｏｎｅ （１０））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体３５（０．１２ｇ，０．４ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（７．６ｍｇ，０．０４ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（９．２ｍｇ，０．０８ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．０５５ｇ，０．４ｍｍｏｌ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（３ｍｌ）を加え、窒素気流下、室温で１２時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去することで、（合成例４−１）と同一の化合物である、紫色結晶であるインダゾール誘導体１０（０．０５２ｇ，６２％）を得た。ＴＬＣ上で見る限り副生成物はなく純度が高いと判断し、精製は行わなかった。（合成例４−１）より収率は悪かったが、純度の高いインダゾール誘導体１０が得られた。

（合成例４−１０） １−（４−ニトロフェニル）−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−（４−Ｎｉｔｒｏ−ｐｈｅｎｙｌ）−１，２−ｄｉｈｙｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌ−３−ｏｎｅ（１２））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体３６（０．１３ｇ，０．５ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（１０ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（１３ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．１４ｇ，１．０ｍｍｏｌ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（５ｍｌ）を加え、窒素気流下、室温で１２時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、（合成例４−３）と同一の化合物である、黄色結晶であるインダゾール誘導体１２（０．０６５ｇ，５１％）を得た。（合成例４−３）とほぼ同等の収率であった。

（合成例４−１１） １−フェニル−６−メチル−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−Ｐｈｅｎｙｌ−６−ｍｅｔｈｙｌ−１，２−ｄｉｈｙｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌ−３−ｏｎｅ（４５））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体３７（０．０３ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（１．９ｍｇ，０．０２ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（２．３ｍｇ，０．０２ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．０３ｇ，０．２ｍｍｏｌ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（３ｍｌ）を加え、窒素気流下、室温で１２時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのちシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、乳白色結晶であるインダゾール誘導体４５（１４ｍｇ，６３％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．５６（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝３：２（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１１．１５（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．６７（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．８，１．２Ｈｚ，Ａｒ），７．６１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．５６（ｓ，１Ｈ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．５０（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，Ａｒ），７．２４（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，Ａｒ），６．９８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），２．４４（ｓ，１Ｈ，Ｍｅ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１５６．２，１４０．３，１３９．８，１３８．４，１２４．６，１２２．３，１２０．６，１２０．１，１１３．０，１０９．８；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３４７７（ＮＨ），２９６１（Ａｒ），２９２０（Ｍｅ），１５５１（Ｃ＝Ｏ），１４９９（Ａｒ），１３１０，１２６２，１０９７，１０３０，８０２ｃｍ^−１；
ＨＲＭＳ（ＥＳ１）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ_１４Ｈ_１２Ｎ_２Ｏ ２２５．１０２８；ｆｏｕｎｄ，２２５．１００９；
ｍ．ｐ．１７０−１７２℃．

（合成例４−１２） １−フェニル−５−フルオロ−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−Ｐｈｅｎｙｌ−５−ｆｌｕｏｒｏ−１，２−ｄｉｈｙｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌ−３−ｏｎｅ（４６））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体３８（０．０３ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（１．９ｍｇ，０．０２ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（２．３ｍｇ，０．０２ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．０３ｇ，０．２ｍｍｏｌ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（３ｍｌ）を加え、窒素気流下、室温で１２時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのちシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、乳白色結晶である新規なインダゾール誘導体４６（１４ｍｇ，６３％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．４６（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝７：３（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１１．３４（ｓ，１Ｈ，ＮＨ），７．７７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．３，１．５Ｈｚ，Ａｒ），７．６６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ Ａｒ），７．５１（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ａｒ），７．３３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ）,７．２６（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，Ａｒ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１５７．８，１５６．０，１５５．５，１３９．９，１３６．３，１３６．２，１２９．５，１２５．０，１２０．６，１１７．４，１１７．１，１１２．０，１０４．９，１０４．６；
ＦＡＢ（＋）−ＭＳ（ＮＢＡ）：ｍ／ｚ（％） ２２９（１２） ［ＭＨ^＋］，１７３（８），１５１（３２），１２０（１２），１０７（２７），８５（４３），７９（２９）；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：３０６２（Ａｒ），２６６５，１６５９，１５６１（Ｃ＝Ｏ），１４９９（Ａｒ），１２７６，１０７２，７９３，７５７，６９３ｃｍ^−１；
ｍ．ｐ．：１９５−１９７℃．

（合成例４−１３） １−フェニル−５−メトキシ−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−Ｐｈｅｎｙｌ−５−ｍｅｔｈｏｘｙ−１，２−ｄｉｈｙｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌ−３−ｏｎｅ（４７））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体３９（０．１１ｇ，０．３ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（６．３ｍｇ，０．０３ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（７．７ｍｇ，０．０６ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．０９ｇ，０．６ｍｍｏｌ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（３ｍｌ）を加え、窒素気流下、室温で１２時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのちシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、黄色結晶である新規なインダゾール誘導体４７（４４ｍｇ，５６％）を得た。
薄層クロマトグラフ：Ｒｆ＝０．４６（ｈｅｘａｎｅ：ＥｔＯＡｃ＝７：３（体積比））；
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：７．７０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．７Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．６５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ａｒ），７．４９（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，Ａｒ），７．２１（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，Ａｒ），７．１５（ｓ，１Ｈ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），７．０９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．０，２．４Ｈｚ，ｏｎｅ ｏｆ Ａｒ），３．８０（ｓ，３Ｈ，ＯＭｅ）；
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１３６ＭＨｚ，ＤＭＳＯ） δ：１５６．０，１５３．８，１４０．４，１３４．９，１２９．５，１２４．４，１２０．０，１１９．４，１１５．０，１１１．６，１００．３，５５．５；
ＦＡＢ（＋）−ＭＳ（ＮＢＡ）：ｍ／ｚ（％） ２４１（１２）［ＭＨ^＋］，１６９（１４），１３６（７１），１０７（２７），８５（８５），７７（１６）；
ＩＲ（ｎｅａｔ）：２９３８（Ａｒ），２８３５（Ｍｅ），１５９５（Ｃ＝Ｏ），１４９８（Ａｒ），１２８６，１２６４，１１５８，１０２８，７５５，６９４ｃｍ^−１；
ｍ．ｐ．：１５８−１６０℃．

（合成例４−１４） １−フェニル−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン（１−Ｐｈｅｎｙｌ−１，２−ｄｉｈｙｄｒｏ−ｉｎｄａｚｏｌ−３−ｏｎｅ（１０））の合成
３０ｍｌの三つ口フラスコにヒドラジド体４０（０．０５ｇ，０．２ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（４ｍｇ，０．０２ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）、Ｌ−プロリン（５ｍｇ，０．０４ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、Ｋ_２ＣＯ_３（０．０６ｇ，０．４ｍｍｏｌ）、ｄｒｙ ＤＭＳＯ（３ ｍｌ）を加え、窒素気流下、７０℃で１２時間反応させた。出発物質の消失をＴＬＣにより確認し、蒸留水を加え、反応を停止させた。次いで、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾過し、溶媒を減圧留去したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｓｔｅｐｗｉｓｅ：１００％ ｈｅｘａｎｅ〜５０％ ＥｔＯＡｃ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）に供することで、（合成例４−１）、（合成例４−９）と同一の化合物である、紫色結晶であるインダゾール誘導体１０（２７ｍｇ，６６％）を得た。（合成例４−１）、（合成例４−９）の場合より、収率は悪かった。

以上の合成例から、本発明の方法を用いると、１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体が容易に、高収率で製造できることがわかった。

［反応温度の検討］
上記１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体１１を室温で３時間反応させた以外は、合成例２−２と同様に行った。１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体１１の収率は８２％と、７０℃で加熱した合成例２−２における収率８３％と、大差がないことがわかった。また、合成例４−９からわかるように、臭素化体であるヒドラジド体を用いた場合でも、同様に室温において反応が進行することがわかった。これにより、本発明の方法は、室温においても進行することがわかった。

［反応溶媒の検討］
上記１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体１１を無水ＤＭＳＯでなく、未精製の缶出しＤＭＳＯを用いて反応させた以外は、合成例２−２と同様に行った。１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体１１の収率は９７％と、無水ＤＭＳＯを用いた合成例２−２における収率８３％より、はるかに高収率であった。これにより、本発明の方法は、未精製の有機溶媒を用いてもよいことがわかった。

［触媒量の検討］
上記１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体１１の合成において、ＣｕＩを５ｍｏｌ％と１ｍｏｌ％にした以外は、合成例２−２と同様に行った。１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体１１の収率は、５ｍｏｌ％の場合：７９％、１ｍｏｌ％の場合：６３％と、ＣｕＩを１０ｍｏｌ％用いた合成例２−２における収率８３％よりも収率は低下するが、高収率であることがわかった。これにより、本発明の方法は、ＣｕＩを減らしてもよいことがわかった。

［Ｌ−プロリンの検討］
上記１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体１１の合成において、Ｌ−プロリンを用いなかった以外は、合成例２−２と同様に行った。１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体１１の収率は９４％と、Ｌ−プロリンを用いないで合成しても、合成例２−２における収率８３％よりも収率は高かった。しかし、この方法で得られる１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体は、純度が低いので、精製を要した。精製後の収率は８２％であった。一方、合成例２−２で得られる１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体は、分液操作を行うだけで単離できる。これにより、本発明の方法において、Ｌ−プロリンを併用するほうが、反応の特異性が向上することがわかった。

［パラジウム触媒の検討］
上記１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体１１の合成において、ＣｕＩとＬ−プロリンの代わりにパラジウム触媒［Ｐｄ（η^３−Ｃ_３Ｈ_５）Ｃｌ_２］を用いた以外は、合成例２−２と同様に行った。１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体１１の生成は確認できたが、多数の副生物が生成したため、単離できなかった。

Claims (5)

1. 下記一般式（Ｉ）で表される２−ハロアリール酸塩化物と、
   

   

   
   （式中、Ａは酸性官能基を、Ｈｒは、ハロゲンを、Ｒ^１〜Ｒ^４は水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。）
   下記一般式（ＩＩ）で表されるヒドラジンと、
   

   

   
   （式中、Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）
   を、反応させて、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるヒドラジド体を製造する、ヒドラジド体の製造方法。
   

   

   
   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、置換されていてもよい、水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ａは、酸性官能基を示す。Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）
2. 下記一般式（ＩＩＩ）で表されるヒドラジド体を触媒存在下で分子内カップリングさせ、
   

   

   
   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ａは、酸性官能基を示す。Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）
   下記一般式（ＩＶ）で表される１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体の製造方法。
   

   

   
   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ａは、酸性官能基を示す。Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）
3. 下記一般式（Ｉ）で表される２−ハロカルボン酸塩化物と、
   

   

   
   （式中、Ａは酸性官能基を、Ｈｒは、ハロゲンを、Ｒ^１〜Ｒ^４は水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。）
   下記一般式（ＩＩ）で表されるヒドラジンと、
   

   

   
   （式中、Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）
   を、反応させて、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるヒドラジド体を製造し、
   

   

   
   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ａは、酸性官能基を示す。Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）
   得られたヒドラジド体を触媒存在下で分子内カップリングさせ、
   下記一般式（ＩＶ）で表される１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体の製造方法。
   

   

   
   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ａは、酸性官能基を示す。Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）
4. 下記一般式（ＩＩＩ）で表されるヒドラジド体。
   

   

   
   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ａは、酸性官能基を示す。Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）
5. 下記一般式（ＩＶ）で表される１−置換−１，２−ジヒドロインダゾール−３−オン誘導体。
   

   

   
   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、シアノ基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、スルフィノ基、ハロゲンを意味する。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４とは、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ａは、酸性官能基を示す。Ｒは、置換基や分岐を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、アシル基、スルフィノ基、オキシカルボニル基を示す。）