JP2009032746A

JP2009032746A - 発光装置及び発光ユニット

Info

Publication number: JP2009032746A
Application number: JP2007192645A
Authority: JP
Inventors: Naoki Wada; 直樹和田; Kiyokazu Hino; 清和日野; Ayako Teraoka; 綾子寺岡
Original assignee: Harison Toshiba Lighting Corp
Current assignee: Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date: 2007-07-24
Filing date: 2007-07-24
Publication date: 2009-02-12

Abstract

【課題】発光装置を薄型化しつつ、前方に効率よく光を放射できる発光装置及びこれを搭載した発光ユニットを提供する。
【解決手段】凹部が形成された略長方形の光放射面と、前記光放射面に対向した裏面と、光放射面及び前記裏面に対して略直交し光放射面及び裏面と長辺でつながる第１及び第２の側面と、を有するパッケージと、前記凹部の中に設けられた発光素子と、を備え、前記第１の側面は、前記発光素子に接続された第１及び第２の給電電極面と、前記第１及び前記第２の給電電極面との間に設けられた実装マウント面と、を有し、第１の給電電極面と、前記実装マウント面と、の間には段差が設けられ、第２の給電電極面と、実装マウント面と、の間には段差が設けられ、第１及び第２の給電電極面は、これらに隣接する実装マウント面よりも後退し、凹部と第２の側面との間の第２の壁の厚さと、凹部と第１の側面との間の第１の壁の厚さと、が異なる。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置及び発光ユニットに関し、例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）のバックライトなどに用いることができるサイドビュー型の発光装置及びこの発光装置を搭載した発光ユニットに関する。

基板などの実装部材の上に実装して用いる発光装置のうちで、実装面に対して略平行な方向に光を放出する「サイドビュー型」の発光装置がある。サイドビュー型の発光装置は、照明や表示、信号伝送などの各種の用途に用いることができる。例えば、液晶ディスプレイのバックライトにサイドビュー型の発光装置を用いると、発光ユニットであるバックライトを構成する導光板に対してその側面から光を入射でき、薄型で高効率のバックライトを実現できる。

最近の市場の動向により、サイドビュー型の発光装置に対してもさらなる薄型化かつ高輝度化が要求されている。しかし、発光装置の薄型化かつ高輝度化に伴い、搭載する半導体発光素子の温度も上昇し、半導体発光素子の発光効率の低下や、パッケージを構成する樹脂の反射率の低下などが生ずるという問題がある。

そこで、高放熱によって温度上昇を抑え、かつ光反射率が低下しないセラミックパッケージを使用した発光装置がある（例えば、特許文献１）。または、従来から液晶ディスプレイのバックライトに用いられている薄型のサイドビュー型の発光装置がある（例えば、特許文献２）。さらに、高放熱によって温度上昇を抑え、かつ比較的高温においても光反射率が低下しないセラミックパッケージを使用したサイドビュー型の発光装置がある（例えば、特許文献３）。
特開２００２−２３２０１７号公報特開２００４−２０７６８８号公報特開２００４−２２８１００号公報

セラミックは光を透過する性質を有するため、セラミックパッケージの反射面の厚さが薄いと、半導体発光素子から放射される光のセラミックを透過する確率が高くなる。セラミックを透過する光の確率が高くなると、発光装置の前方に放射される光の輝度が低下する。例えば、厚さ１ｍｍのセラミック板の反射率は約８２％程度であるが、厚さ０．２ｍｍのセラミック板の反射率は約６５％程度である。

そのため、セラミックパッケージの反射面の厚さを約１ｍｍ以上に設定したい。しかし、前述の通り、サイドビュー型の発光装置に対する薄型化の要望により、発光装置の発光面の厚さは１ｍｍ以下であることが要望されている。これに伴い、反射面の厚さは、０．２ｍｍ以下となってしまう。その結果、半導体発光素子から放射される光が反射面を透過して横方向に漏れてしまうため、発光装置の前方に効率よく光を放射できないという問題がある。

本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、発光装置を薄型化しつつ、発光装置の前方に効率よく光を放射できる発光装置及びこの発光装置を搭載した発光ユニットを提供する。

本発明の一態様によれば、凹部が形成された略長方形の光放射面と、前記光放射面に対向した裏面と、前記光放射面及び前記裏面に対して略直交し前記光放射面及び前記裏面と長辺でつながる第１の側面と、前記第１の側面に対向した第２の側面と、を有するパッケージと、前記凹部の中に設けられた発光素子と、を備え、前記第１の側面は、前記発光素子に接続された第１及び第２の給電電極面と、前記第１の給電電極面と前記第２の給電電極面との間に設けられた実装マウント面と、を有し、前記第１の給電電極面と、前記実装マウント面と、の間には段差が設けられ、前記第２の給電電極面と、前記実装マウント面と、の間には段差が設けられ、前記第１及び第２の給電電極面は、これらに隣接する前記実装マウント面よりも後退し、前記凹部と前記第２の側面との間の第２の壁の厚さと、前記凹部と前記第１の側面との間の第１の壁の厚さと、が異なることを特徴とする発光装置が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、実装基板と、前記実装基板に実装された上記の発光装置と、を備え、前記第１及び第２の側面の少なくともいずれかの側面が光反射材により覆われたことを特徴とする発光ユニットが提供される。

本発明によれば、発光装置を薄型化しつつ、発光装置の前方に効率よく光を放射できる発光装置及びこの発光装置を搭載した発光ユニットが提供される。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

図１は、本発明の第１の実施の形態にかかる発光装置を２つの具体例を表した斜視図であり、図１（ａ）は、凹部と上面との間の壁が厚い発光装置を例示した斜視図であり、図１（ｂ）は、凹部と上面との間の壁が薄い発光装置を例示した斜視図である。
また、図２は、本実施形態にかかる発光装置を後方側から眺めた斜視図である。
また、図３は、図１（ａ）に表した発光装置を前方側から眺めた正面図である。

本実施形態にかかる発光装置は、凹部１ａが設けられた略直方体状のパッケージ１と、凹部１ａの中に設けられた半導体発光素子３と、を有する。凹部１ａの底面においては、底面電極であるランド電極５ａ、５ｂ、５ｃと、リード電極５ｄ、５ｅと、が設けられている。半導体発光素子３は、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃの上にマウントされている。半導体発光素子３に設けられた電極（図示せず）と、ランド電極５ｂ、５ｃ、およびリード電極５ｅと、はボンディングワイヤ４によりそれぞれ接続されている。図１に表した具体例の場合、凹部１ａの中には３つの半導体発光素子３がマウントされ、これらの半導体発光素子は直列に接続されている。また、ランド電極５ａとリード電極５ｄとは、同様にボンディングワイヤ４により接続されている。そして、凹部１ａは、エポキシやシリコーンなどの透光性の樹脂１６（図４参照）により封止されている。

図４は、図３に表した発光装置の断面模式図であり、図４（ａ）は、Ａ−Ａ’断面を表した模式図であり、図４（ｂ）は、Ｂ−Ｂ’断面を表した模式図である。
また、図５は、本実施形態にかかる発光装置の内部配線の状態を例示した模式図であり、図５（ａ）は、内部配線が上方側のみに設けられた発光装置の内部配線の状態を例示した模式図であり、図５（ｂ）は、内部配線が下方側のみに設けられた発光装置の内部配線の状態を例示した模式図である。

ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃおよびリード電極５ｄ、５ｅは、互いに絶縁されつつ、パッケージ１の内部に設けられている。そして、リード電極５ｄ、５ｅは、パッケージ１の左右端部まで延在し、パッケージ１の外面に設けられた実装マウント面電極２ａと接続されている。つまり、パッケージ１の左右端部の実装マウント面電極２ａは、リード電極５ｄ、５ｅとボンディングワイヤ４を介して、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃと、半導体発光素子３の電極と、に接続されている。

凹部１ａは、パッケージ１の光放射面に相当する前面１ｂに設けられている。前面１ｂと略直交する側面においては、左右端部に一対の実装マウント面電極２ａ（給電電極面）が設けられ、実装マウント面電極２ａの間に実装マウント面１ｍが設けられている。本実施形態の発光装置は、この実装マウント面１ｍが図示しない回路基板などに対向するように実装される。
パッケージ１の光放射面に相当する前面１ｂの左右端部においては、光放射面電極２ｂが設けられている。パッケージ１の上面１ｃの左右端部においては、上面電極２ｃが設けられ、パッケージ１の後面１ｄの左右端部においては、後面電極２ｄが設けられている。またさらに、パッケージ１の後面１ｄにおいては、放熱用部材９が設けられている（図２、図４参照）。この放熱用部材９は高熱伝導材料からなり、高反射特性をさらに有していることが好ましい。

パッケージ１は、アルミナ系やムライト系などのセラミックやガラスセラミック、ガラスエポキシ、紙フェノール、その他の熱硬化性樹脂、ＵＶ（紫外線）硬化性樹脂、または熱可塑性樹脂などにより形成することができる。凹部１ａの側面は、光反射面とすることができる。すなわち、セラミックや樹脂などの無垢の材料表面を用いて、半導体発光素子３から放出された光を反射させることができる。この場合において、光は乱反射されるので、均一な拡散反射面を形成することができる。これに対して、集光効果を得るためには、凹部１ａの側面に金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいは誘電体多層膜を用いたブラッグ（Bragg）鏡などからなる正反射面を形成すればよい。

図５（ａ）および図５（ｂ）に表した発光装置のように、複数のランド電極５ａ、５ｂ、５ｃが設けられた場合においては、それぞれのランド電極５ａ、５ｂ、５ｃを電解メッキするために、メッキ用の電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃをそれぞれのランド電極５ａ、５ｂ、５ｃに接続する必要がある。図５（ａ）に表した発光装置においては、この電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃが、パッケージ１の上方側のみに設けられている。これに対して、図５（ｂ）に表した発光装置においては、この電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃが、パッケージ１の下方側のみに設けられている。

そのため、図５（ａ）に表した発光装置においては、実装回路基板が発光装置の下方側に配置される場合において、ショートすることを防止できる。これに対して、図５（ｂ）に表した発光装置においては、実装回路基板が発光装置の上方側に配置される場合において、ショートすることを防止できる。

さらに、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃおよびリード電極５ｄ、５ｅの上端部と上面１ｃとの間においては、隙間Ｄが存在しており、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃおよびリード電極５ｄ、５ｅの下端部と実装マウント面１ｍとの間においては、隙間Ｅが存在する。従って、図５（ａ）および図５（ｂ）に表した発光装置において、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃ（電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃ）およびリード電極５ｄ、５ｅは、実装マウント面電極２ａ（給電電極面）以外においては、実装マウント面１ｍに露出していない。

そのため、図５（ａ）に表した発光装置は、実装回路基板が発光装置の下方側に配置される場合において、ショートすることをより確実に防止できる構造を有する。一方、図５９（ｂ）に表した発光装置は、実装回路基板が発光装置の上方側に配置される場合において、ショートすることをより確実に防止できる構造を有する。

図１（ａ）に表した発光装置は、凹部１ａと上面１ｃとの間の壁の厚さＡよりも凹部１ａと実装マウント面１ｍとの間の壁の厚さＢの方が薄い構造を有している。これに対して、図１（ｂ）に表した発光装置は、凹部１ａと上面１ｃとの間の壁の厚さＡよりも凹部１ａと実装マウント面１ｍとの間の壁の厚さＢの方が厚い構造を有している。

回路基板実装側のパッケージ１の壁（反射面）の厚さが薄いと、半導体発光素子から放射される光がこの反射面を透過するため、発光装置の前方に放射される光の輝度が低下する。一方、実装回路基板用の白色レジスト材料においては、高反射率を有する材料が多く、また、実装回路基板上に高反射率を有する金属をメッキすることが可能である。そのため、回路基板実装側のパッケージ１の壁（反射面）の厚さを薄くしても、実装回路基板において反射されて充分な反射率を確保することができる。

そのため、図１（ａ）に表した発光装置は、凹部１ａと実装マウント面１ｍとの間の壁（反射面）の厚さＢが薄い構造を有しているが、実装回路基板上に高反射率の反射材を設けることにより、凹部１ａと実装マウント面１ｍとの間の壁（反射面）においても充分な反射率を確保することができる。一方、凹部１ａと上面１ｃとの間の壁（反射面）においては、厚さＡは厚さＢよりも厚いため、充分な反射率を確保することができる。

図１（ｂ）に表した発光装置は、凹部１ａと実装マウント面１ｍとの間の壁（反射面）の厚さＢが厚い構造を有している。実装回路基板側において反射率を向上できない場合、もしくは向上することが容易でない場合、または後述する発光ユニットの構造制約がある場合、などにおいては、パッケージ１の壁（反射面）の厚さが厚い方をマウント面１ｍとすることがある。このような場合においては、凹部１ａと実装マウント面１ｍとの間の壁（反射面）の厚さＢを厚くすることで実装回路基板側の反射率を確保することができる。一方、凹部１ａと上面１ｃとの間の壁（反射面）においては、高反射率を有するレジスト材料や高反射率を有する金属を接触させて光を反射するようにすればよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、上方または下方の反射面の厚さを薄くし、かつ上方側または下方側に反射材を設けることで、発光装置の薄型化を確保しつつ、発光装置の前方に効率よく光を放射することができる。

以下、本実施形態にかかる発光装置の製造方法について説明する。
図６は、本実施形態にかかる発光装置の製造方法を例示したフローチャートである。
また、図７は、本実施形態にかかる発光装置のパッケージが連続して形成された基体からそれぞれの発光装置を切り出す工程を例示した模式図である。

本実施形態にかかる発光装置は、セラミックグリーンシートを積層させて形成することができる。パッケージ１は基板２０を形成するためのグリーンシートと、枠体２１を構成するグリーンシートと、を有する。なお、基板２０と枠体２１のそれぞれが複数のグリーンシートからなるものとしてもよい。

基板２０を形成するためのグリーンシートの上面に、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃ、およびリード電極５ｄ、５ｅのパターニングを形成し、グリーンシートの後面には、後面電極２ｄ、および放熱用部材９などのパターンを形成する（ステップＳ１０２）。一方、枠体２１を形成するためのグリーンシートにおいても、光放射面電極２ｂのパターンを形成する（ステップＳ１０４）。

しかる後に、基板２０を形成するグリーンシートと、枠体２１を形成するグリーンシートの後面とを重ねてから貫通孔６を形成し（ステップＳ１０６）、その中にメタライズペーストを埋め込む（ステップＳ１０８）。その後、重ねたセラミックグリーンシートを高温で焼成してセラミックの焼結体を形成し（ステップＳ１１０）、さらに、メタライズペーストにより形成された金属面にメッキしてパッケージ１を形成する（ステップＳ１１２）。

その後、半導体発光素子３をランド電極５ａ、５ｂ、５ｃにマウントする（ステップＳ１１４）。そして、半導体発光素子３に設けられた電極と、ランド電極５ｂ、５ｃ、およびリード電極５ｅと、の間、並びにランド電極５ａと、リード電極５ｄと、の間、をボンディングワイヤ４により接続する（ステップＳ１１６）。しかる後に、凹部１ａをポッティングにより充填し、樹脂１６が形成される（ステップＳ１１８）。しかる後に、ダイシングライン５０、５２に沿ってこの基体をダイシング刃２００により切断して発光装置を切り出す（ステップＳ１２０）。

図８は、本実施形態にかかる発光装置のパッケージが連続して形成された基体からそれぞれの発光装置を切り出す工程を前方側から眺めた模式図である。
ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃを電解メッキするために、パッケージの上方側にランド電極５ａ、５ｂ、５ｃのそれぞれに対応した電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃが設けられている。

このメッキ用の電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃは、さらに上方側に設けられたメッキ線２５に接続されている。電解メッキ法によりランド電極５ａ、５ｂ、５ｃをメッキする場合においては、メッキ線２５に電圧を印加することによって、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃのそれぞれに接続されたメッキ用の電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃを介してランド電極５ａ、５ｂ、５ｃに電圧が印加され、電解メッキが施される。

電解メッキ工程が完了した後、ダイシングライン５０に沿って基体をダイシング刃により切断して、個別の発光装置を切り出す。このダイシング工程においては、パッケージ上方側に設けられたメッキ線２５も同時に削り取られる。これによって、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃのそれぞれに接続されたメッキ用の電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃの端部が、パッケージの上端部に露出する。電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃがパッケージ上端部に露出した場合において、パッケージの上方側に実装回路基板を配置すると、実装回路基板などの他の電極に電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃの端部が触れてショートする可能性がある。従って、実装回路基板を設ける側とは反対側のみに電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃを設けると、実装回路基板などの他の電極に電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃが触れてショートすることを防止できる。

以上説明したように、本実施形態にかかる発光装置の製造方法によれば、メタライズパターンを形成したグリーンシートを積層し、貫通孔を形成してその内部をメタライズすることにより、サイドビュー型の発光装置を製造することができる。さらに、ダイシング工程において、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃをそれぞれの電気配線として独立させることができる。

以下、本実施形態の変形例について図面を参照しつつ説明する。
図９は、本実施形態の変形例にかかる発光装置を例示した模式図である。
本変形例にかかる発光装置は、凹部１ａと実装マウント面１ｍとの間の壁（反射面）がない構造を有している。つまり、図１〜図４に表した発光装置における凹部１ａと実装マウント面１ｍとの間の壁（反射面）の厚さＢが、零となっている。この点において、図１〜図４に表した発光装置と図９に表した発光装置とは異なっている。その他の構造、材料、および製造方法などは、図１〜図４に表した発光装置と同様である。

図９に表した発光装置においては、下方側の反射面がないため、半導体発光素子３から放射される光が下方側へ透過し、発光装置の前方に放射される光の輝度が低下する場合がある。これに対して、実装回路基板上に高反射率の反射材を設けることにより、発光装置の下端部においても充分な反射率を確保することができる。一方、凹部１ａと上面１ｃとの間の壁（反射面）においては、厚さＡが厚いため、充分な反射率を確保することができる。

以上説明したように、本実施形態の変形例によれば、下方側の反射面をなくし、かつ実装回路基板上に高反射率の反射材を設けることで、発光装置のさらなる薄型化を確保しつつ、発光装置の前方に効率よく光を放射することができる。

次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
図１０は、本発明の第２の実施の形態にかかる発光装置を例示した模式図である。
本実施形態にかかる発光装置の内部配線の状態は、図５（ａ）に表した発光装置の如くである。内部配線の状態以外の構造は、図３に表した発光装置と同様に、凹部１ａが設けられた略直方体状のパッケージ１と、凹部１ａの中に設けられた半導体発光素子３と、を有する。凹部１ａの底面においては、底面電極であるランド電極５ａ、５ｂ、５ｃと、リード電極５ｄ、５ｅと、が設けられている。半導体発光素子３は、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃの上にマウントされている。半導体発光素子３に設けられた電極（図示せず）と、ランド電極５ｂ、５ｃ、およびリード電極５ｅと、はボンディングワイヤ４によりそれぞれ接続されている。また、ランド電極５ａとリード電極５ｄとは、同様にボンディングワイヤ４により接続されている。そして、凹部１ａは、エポキシやシリコーンなどの透光性の樹脂１６（図４参照）により封止されている。

凹部１ａは、パッケージ１の光放射面に相当する前面１ｂに設けられている。前面１ｂと略直交する側面においては、左右端部に一対の実装マウント面電極２ａ（給電電極面）が設けられ、実装マウント面電極２ａの間に実装マウント面１ｍが設けられている。パッケージ１の光放射面に相当する前面１ｂの左右端部においては、光放射面電極２ｂが設けられている。パッケージ１の上面１ｃの左右端部においては、上面電極２ｃが設けられ、パッケージ１の後面１ｄの左右端部においては、後面電極２ｄ（図２参照）が設けられている。

これに対して、図１０に表した発光装置は、凹部１ａと上面１ｃとの間の壁（反射面）の厚さＡと、凹部１ａと実装マウント面１ｍとの間の壁（反射面）の厚さＢと、が略同じ厚さとなっている。この点において、図３に表した発光装置と図１０に表した発光装置とは異なっている。
本実施形態の発光装置においては、図５（ａ）に関して前述したように、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃ（電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃ）は、実装マウント面１ｍには露出していない。そのため、発光装置を実装回路基板などに実装した時に、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃ（電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃ）が実装回路基板の他の電極に触れることによって生ずるショートを防止することができる。なお、図５（ｂ）に表した具体例についても、同様に、実装マウント面１ｍに電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃが露出していないので、実装回路基板などに実装した時に、ショートが生ずることがない。

以下、本実施形態の変形例について図面を参照しつつ説明する。
図１１は、本実施形態の変形例にかかる発光装置を例示した模式図であり、図１１（ａ）は、下方側の反射面がない発光装置を例示した模式図であり、図１１（ｂ）は、上方側の反射面がない発光装置を例示した模式図である。

図１１（ａ）に表した発光装置の内部配線の状態は、図５（ａ）に表した発光装置の内部配線の状態と同様に、電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃがパッケージ１の上方側のみに設けられている。これに対して、図１１（ｂ）に表した発光装置の内部配線の状態は、図５（ｂ）に表した発光装置の内部配線の状態と同様に、電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃがパッケージ１の下方側のみに設けられている。

図１１（ａ）に表した発光装置においては、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃおよびリード電極５ｄ、５ｅの下端部と実装マウント面１ｍとの間に隙間Ｅが存在しており、図１１（ｂ）に表した発光装置においては、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃおよびリード電極５ｄ、５ｅの上端部と上面１ｃとの間に隙間Ｄが存在する。さらに、図１１（ａ）に表した発光装置の下端部においては、反射材２７が設けられており、図１１（ｂ）に表した発光装置の上端部においては、反射材２７が設けられている。その他の構造、材料、製造方法などは、第１の実施の形態において説明した発光装置と同様である。

これによって、図１１（ａ）に表した発光装置は、実装回路基板が発光装置の下方側に配置される場合において、ショートすることをより確実に防止できる構造を有する。また、図１１（ｂ）に表した発光装置は、実装回路基板が発光装置の上方側に配置される場合において、ショートすることをより確実に防止できる構造を有する。

図１１（ａ）に表した発光装置においては、下方側の反射面がないため、半導体発光素子３から放射される光が下方側へ透過し、発光装置の前方に放射される光の輝度が低下する場合があるが、下端部に反射材２７を設けられていることにより、発光装置の下方側においても充分な反射率を確保することができる。一方、凹部１ａと上面１ｃとの間の壁（反射面）においては、厚さＡが厚いため、充分な反射率を確保することができる。

これに対して、図１１（ｂ）に表した発光装置においては、上方側の反射面がないため、半導体発光素子３から放射される光が上方側へ透過し、発光装置の前方に放射される光の輝度が低下するが、上端部に反射材２７が設けられていることにより、発光装置の上方側においても充分な反射率を確保することができる。一方、凹部１ａと上面１ｃとの間の壁（反射面）においては、厚さＢが厚いため、充分な反射率を確保することができる。

図１２は、本実施形態の他の変形例にかかる発光装置を例示した模式図であり、図１２（ａ）は、上下両側の反射面がなく、かつ下端部に反射材が設けられた発光装置を例示した模式図であり、図１２（ｂ）は、上下両側の反射面がなく、かつ上端部に反射材が設けられた発光装置を例示した模式図である。

図１２（ａ）に表した発光装置においては、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃおよびリード電極５ｄ、５ｅの下端部と、実装マウント面１ｍと、の間に隙間Ｅが存在しており、図１２（ｂ）に表した発光装置においては、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃおよびリード電極５ｄ、５ｅの端部と、マウント実装面１ｍと、の間に隙間Ｄが存在する。さらに、図１２（ａ）に表した発光装置の下端部においては、反射材２７が設けられており、図１２（ｂ）に表した発光装置のマウント実装面１ｍの側においては、反射材２７が設けられている。また、図１２（ａ）に表した発光装置においては、上方側の反射面がなく、図１２（ｂ）に表した発光装置においては、下方側の反射面がない。その他の構造、材料、製造方法などは、第１の実施の形態について説明した発光装置と同様である。

これによって、図１２（ａ）に表した発光装置は、実装回路基板が発光装置の下方側に配置される場合において、ショートすることをより確実に防止できる構造を有する。これに対して、図１２（ｂ）に表した発光装置は、実装回路基板が発光装置の上方側に配置される場合において、ショートすることをより確実に防止できる構造を有する。

図１２（ａ）に表した発光装置においては、下方側の反射面がないため、半導体発光素子３から放射される光が下方側へ透過し、発光装置の前方に放射される光の輝度が低下するが、下端部に反射材２７が設けられていることにより、発光装置の下方側においても充分な反射率を確保することができる。一方、上方側の反射面もないため、半導体発光素子３から放射される光が上方側へ透過し、発光装置の前方に放射される光の輝度が低下するが、上端部においても反射材を設けることにより、充分な反射率を確保することができる。

これに対して、図１２（ｂ）に表した発光装置においては、上方側の反射面がないため、半導体発光素子３から放射される光が上方側へ透過し、発光装置の前方に放射される光の輝度が低下するが、上端部に反射材２７が設けられていることにより、発光装置の上方側においても充分な反射率を確保することができる。一方、下方側の反射面もないため、半導体発光素子３から放射される光が下方側へ透過し、発光装置の前方に放射される光の輝度が低下するが、下端部においても反射材を設けることにより、充分な反射率を確保することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、電気配線２５ａ、２５ｂ、２５ｃがパッケージ１の上方側または下方側のみに露出しているため、実装回路基板が発光装置の下方側または上方側に配置される場合において、ショートすることを防止できる。
また、下方側または上方側または上下両側の反射面をなくし、かつ反射材を設けることで、発光装置の薄型化を確保しつつ、発光装置の前方に効率よく光を放射することができる。

次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
図１３は、本発明の第３の実施の形態にかかる発光ユニットを例示した模式図である。本実施形態にかかる発光ユニットは、例えば面状発光装置などとして用いることができる。図１３に表した発光装置は、図１（ａ）に表した発光装置と同様に、凹部と上面との間の壁の厚さＡよりも凹部と実装マウント面との間の壁の厚さＢの方が薄い構造を有している。パッケージ１の上方側においては、反射材３７が設けられている。但し、凹部と上面との間の壁の厚さＡが厚いため、反射材３７は設けられていなくてもよい。

また、面状発光装置においては、反射材が塗布された実装回路基板３１ａと、バックフレーム３３ａと、サイドフレーム３３ｂと、フロントフレーム３３ｃと、導光板３６と、が設けられている。導光板３６は、発光装置の前方側に設けられている。さらに、導光板３６の上方側においては、レンズシート３４と、拡散シート３５と、が設けられており、導光板３６とバックフレーム３３ａとの間においては、反射シート３２が設けられている。

図１３に表した発光装置は、凹部と実装マウント面との間の壁の厚さＢが薄い構造を有しているため、半導体発光素子３から放射される光が下方側の反射面を透過しやすい。そのため、発光装置の前方に設けられている導光板３６へ放射される光の輝度は低下するおそれがあるが、実装回路基板３１ａに高反射率の反射材が塗布されているため、この反射材で反射された光を導光板３６へ放射することができる。従って、凹部と実装マウント面との間の壁の厚さＢを薄くしても、充分な反射率を確保するができる。

一方、凹部と上面との間の壁の厚さは厚いため、充分な反射率を確保することができる。また、パッケージ１の上方側においては、反射材３７が設けられているため、さらに効率よく前方に光を放射することができる。反射材３７は高熱伝導性を有する材料からなっていてもよい。これによれば、反射材３７は放熱用部材９の機能を兼ね備えることができ、一体的に形成される。

高熱伝導性を有する反射材３７は、酸化チタンまたは酸化マグネシウムなどの光反射性を有する材料と、シリカ（ＳｉＯ_２）、ＢＮ、ＳｉＣ、またはダイヤモンドなどの高放熱性を有する材料と、を混ぜ合わせたシリコーン樹脂などからなる。また、カーボンまたは金属を混ぜ合わせた導電性樹脂材料を使用すれば、さらに高放熱の反射材３７が実現できる。

本実施形態の発光ユニットにおいては、発光装置の左右両端部に設けられた実装マウント面電極２ａ（給電電極面）にあらかじめ絶縁性樹脂を塗布して乾燥させ、その後、導電性樹脂を塗布して乾燥させればよい。この場合、図５に表した発光装置のように、導電性樹脂に触れる側の電気配線をなくしておくことが重要である。樹脂を塗布する場合においては、通常使用されるディスペンサなどを使用することが可能であり、簡易な工程によって熱伝導性と光反射率との向上を実現することができる。

以下、本実施形態の変形例について図面を参照しつつ説明する。
図１４は、本実施形態の変形例にかかる発光ユニットを例示した模式図である。
本変形例にかかる発光装置は、凹部１ａがそれぞれに設けられた略直方体のランド電極５ａ、５ｂ、５ｃと、凹部１ａの中に設けられた半導体発光素子３と、を有する。左右両端部においては、それぞれリード電極５ｄ、５ｅが設けられている。半導体発光素子３は、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃの上にマウントされている。半導体発光素子３に設けられた電極（図示せず）と、ランド電極５ｂ、５ｃ、およびリード電極５ｅと、はボンディングワイヤ４によりそれぞれ接続されている。また、ランド電極５ａとリード電極５ｄとは、同様にボンディングワイヤ４により接続されている。

そして、ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃ、リード電極５ｄ、５ｅ、半導体発光素子３、およびボンディングワイヤ４は、全体として、エポキシやシリコーンなどの透光性の樹脂１６により封止されている。ランド電極５ａ、５ｂ、５ｃと、リード電極５ｄ、５ｅと、は金属材料からなる。

図１４に表した発光装置は、凹部と実装マウント面との間の壁の厚さと、凹部と上面との間の壁の厚さと、が薄い構造を有しているため、半導体発光素子３から放射される光が下方側および上方側の反射面を透過しやすい。そのため、発光装置の前方に放射される光の輝度は低下するおそれがあるが、実装回路基板３１ａに高反射率の反射材が塗布されているため、この反射材で反射された光を前方へ放射することができる。さらに、発光装置の上方側においては、反射材３７が設けられているため、この反射材で反射された光を前方へ放射することができる。この反射材３７は、図１３に表した発光装置における反射材と同様に、高熱伝導性を有する反射材であってもよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、実装回路基板に反射材を塗布する、または発光装置の上方側もしくは後方側に反射材を設ける、ことによって、発光装置の薄型化を確保しつつ、発光装置の前方に効率よく光を放射することができる。

以上、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、図１４に表した発光装置における反射材３７は、図１３に表した発光装置における反射材３７と同様に、高熱伝導性を有する反射材であってもよい。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。

本発明の第１の実施の形態にかかる発光装置を例示した斜視図であり、図１（ａ）は、凹部と上面との間の壁が厚い発光装置を例示した斜視図であり、図１（ｂ）は、凹部と上面との間の壁が薄い発光装置を例示した斜視図である。本実施形態にかかる発光装置を後方側から眺めた斜視図である。図１（ａ）に表した発光装置を前方側から眺めた正面図である。図３に表した発光装置の断面模式図であり、図４（ａ）は、Ａ−Ａ’断面を表した模式図であり、図４（ｂ）は、Ｂ−Ｂ’断面を表した模式図である。本実施形態にかかる発光装置の内部配線の状態を例示した模式図であり、図５（ａ）は、内部配線が上方側のみに設けられた発光装置の内部配線の状態を例示した模式図であり、図５（ｂ）は、内部配線が下方側のみに設けられた発光装置の内部配線の状態を例示した模式図である。本実施形態にかかる発光装置の製造方法を例示したフローチャートである。本実施形態にかかる発光装置のパッケージが連続して形成された基体からそれぞれの発光装置を切り出す工程を例示した模式図である。本実施形態にかかる発光装置のパッケージが連続して形成された基体からそれぞれの発光装置を切り出す工程を前方側から眺めた模式図である。本実施形態の変形例にかかる発光装置を例示した模式図である。本発明の第２の実施の形態にかかる発光装置を例示した模式図である。本実施形態の変形例にかかる発光装置を例示した模式図であり、図１１（ａ）は、下方側の反射面がない発光装置を例示した模式図であり、図１１（ｂ）は、上方側の反射面がない発光装置を例示した模式図である。本実施形態の他の変形例にかかる発光装置を例示した模式図であり、図１２（ａ）は、下方側の反射面がない発光装置を例示した模式図であり、図１２（ｂ）は、上方側の反射面がない発光装置を例示した模式図である。本発明の第３の実施の形態にかかる発光ユニットを例示した模式図である。本実施形態の変形例にかかる発光ユニットを例示した模式図である。

符号の説明

１パッケージ、１ａ凹部、１ｂ前面、１ｃ上面、１ｄ後面、１ｍ実装マウント面、２ａ実装マウント面電極、２ｂ光放射面電極、２ｃ上面電極、２ｄ後面電極、３半導体発光素子、４ボンディングワイヤ、５ａランド電極、５ｂランド電極、５ｄリード電極、５ｅリード電極、６貫通孔、９放熱用部材、１６樹脂、２０基板、２１枠体、２５メッキ線、２５ａ電気配線、２７反射材、３１ａ実装回路基板、３１ｂ実装回路基板、３２反射シート、３３ａバックフレーム、３３ｂサイドフレーム、３３ｃフロントフレーム、３４レンズシート、３５拡散シート、３６導光板、３７反射材、５０ダイシングライン、２００ダイシング刃

Claims

凹部が形成された略長方形の光放射面と、前記光放射面に対向した裏面と、前記光放射面及び前記裏面に対して略直交し前記光放射面及び前記裏面と長辺でつながる第１の側面と、前記第１の側面に対向した第２の側面と、を有するパッケージと、
前記凹部の中に設けられた発光素子と、
を備え、
前記第１の側面は、前記発光素子に接続された第１及び第２の給電電極面と、前記第１の給電電極面と前記第２の給電電極面との間に設けられた実装マウント面と、を有し、
前記第１の給電電極面と、前記実装マウント面と、の間には段差が設けられ、
前記第２の給電電極面と、前記実装マウント面と、の間には段差が設けられ、
前記第１及び第２の給電電極面は、これらに隣接する前記実装マウント面よりも後退し、
前記凹部と前記第２の側面との間の第２の壁の厚さと、前記凹部と前記第１の側面との間の第１の壁の厚さと、が異なることを特徴とする発光装置。
前記第１及び第２の壁の少なくともいずれかの壁が無いことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
前記第１及び第２の側面の少なくともいずれかの側面が光反射材により覆われたことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
前記凹部の底面に延在し、前記発光素子に接続されたランド電極をさらに備え、
前記ランド電極の端部は、前記実装マウント面に露出していないことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
実装基板と、
前記実装基板に実装された請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置と、
を備え、
前記第１及び第２の側面の少なくともいずれかの側面が光反射材により覆われたことを特徴とする発光ユニット。