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JP2009029659A - Single crystal pulling device and method - Google Patents

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JP2009029659A
JP2009029659A JP2007195249A JP2007195249A JP2009029659A JP 2009029659 A JP2009029659 A JP 2009029659A JP 2007195249 A JP2007195249 A JP 2007195249A JP 2007195249 A JP2007195249 A JP 2007195249A JP 2009029659 A JP2009029659 A JP 2009029659A
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JP
Japan
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single crystal
cooling
pulling apparatus
crystal pulling
cooler
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Pending
Application number
JP2007195249A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Daisuke Ebi
大輔 海老
Takeshi Kodama
健 児玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Techxiv Corp
Original Assignee
Sumco Techxiv Corp
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Publication date
Application filed by Sumco Techxiv Corp filed Critical Sumco Techxiv Corp
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Priority to TW97117388A priority patent/TW200907121A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a single crystal pulling device and a method in which a means for avoiding hazard associated with damages in a cooling piping system is improved by improving the configuration of the cooling piping system constituting a cooler. <P>SOLUTION: The single crystal pulling device 1 is equipped with a cooler 10 for cooling a single crystal 32 during being pulled; wherein the cooler 10 includes a cooling piping system, the cooling piping system where cooling water is circulated is divided into a plurality of lineages along the pulling direction of the single crystal 32, and a top chamber 50 is provided with a rupture plate 60 that can respond to leaked water from one of the plurality of lineages in the cooling piping system. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、単結晶引上げ装置及び方法に関する。特に、チョクラルスキー法(以下、CZ法という)により引上げ単結晶を冷却するためのクーラーを備えると共に、当該クーラーによって生ずる危険を回避する手段を備えたCZ法単結晶引上げ装置及び方法に関する。   The present invention relates to a single crystal pulling apparatus and method. In particular, the present invention relates to a CZ method single crystal pulling apparatus and method including a cooler for cooling a pulling single crystal by the Czochralski method (hereinafter referred to as CZ method) and means for avoiding the danger caused by the cooler.

従来、CZ法により単結晶を引上げる方法及びCZ法による単結晶引上げ装置が知られている。更に、CZ法により単結晶を引上げる際に、原料融液から引上げられる単結晶を冷却するクーラーを備えた単結晶引上げ装置が知られている。当該クーラーを用いて、引上げられる単結晶を冷却することにより、単結晶の結晶欠陥を低減すると共に引上げ速度を上げて生産効率を高めることができる。   Conventionally, a method of pulling a single crystal by the CZ method and a single crystal pulling apparatus by the CZ method are known. Furthermore, there is known a single crystal pulling apparatus provided with a cooler for cooling the single crystal pulled from the raw material melt when pulling the single crystal by the CZ method. By cooling the pulled single crystal using the cooler, crystal defects of the single crystal can be reduced and the pulling rate can be increased to increase the production efficiency.

ここで、CZ法により用いられるクーラーは、単結晶の周囲に冷却水を通す冷却配管系により実現することが一般的となっている。このような冷却配管系が破損し、冷却水が漏出した場合には、単結晶引上げ装置全体にダメージを与える可能性がある。そこで、特許文献1には冷却配管系から万一冷却水が漏えいした場合に備えてチャンバー内に発生した水蒸気を大気へ開放するための安全弁(ラプチャー板)をトップチャンバーに備えた単結晶引上げ装置が提案されている。この安全弁(ラプチャー板)が働くことにより、万一の場合に冷却配管系から漏れ出した水蒸気が、トップチャンバーを持ちあげて周囲の作業者等に掛かったりするのを未然に防ぐことができる。
特開2000−344592号公報
Here, the cooler used by the CZ method is generally realized by a cooling piping system that passes cooling water around a single crystal. When such a cooling piping system is broken and cooling water leaks out, there is a possibility of damaging the entire single crystal pulling apparatus. Therefore, Patent Document 1 discloses a single crystal pulling apparatus in which a top chamber is provided with a safety valve (rupture plate) for releasing water vapor generated in the chamber to the atmosphere in case the cooling water leaks from the cooling piping system. Has been proposed. By working this safety valve (rupture plate), it is possible to prevent water vapor leaking from the cooling piping system from being lifted by the top chamber and splashing on surrounding workers.
JP 2000-344592 A

しかしながら、トップチャンバーには、クーラーの昇降機構を始めとして、後述する熱遮蔽板の昇降機構や、トップチャンバー自身を冷却する冷却配管系、炉内を観察するための観察窓など多くの機材が密集して配設されるようになってきており、ラプチャー板を設置可能なスペースは徐々に限定されるようになってきた。また、チャンバーの側面部には引上げる単結晶に適切な磁場を与えるソレノイドが近接して配設されおり、ラプチャー板の設置場所としては不適当となっている。更に、チャンバー側面部に設置したラプチャー板では、トップチャンバーの浮き上がりを効果的に抑制するには位置関係の限界がある。   However, the top chamber is packed with a lot of equipment such as a cooler lifting mechanism, a heat shielding plate lifting mechanism, a cooling pipe system for cooling the top chamber itself, and an observation window for observing the inside of the furnace. The space where the rupture plate can be installed is gradually limited. In addition, a solenoid that provides an appropriate magnetic field to the single crystal to be pulled up is disposed in the side surface of the chamber in close proximity, making it unsuitable as a location for the rupture plate. Furthermore, in the rupture plate installed on the side surface of the chamber, there is a positional relationship limit in order to effectively suppress the floating of the top chamber.

そこで、トップチャンバー上でより限られたスペースにおいても配設可能なラプチャー板を提供することが望まれている。更に、引上げる単結晶の大径化に伴ってクーラーが大型化しても対応可能なラプチャー板を提供することが望まれている。   Therefore, it is desired to provide a rupture plate that can be disposed in a limited space on the top chamber. Furthermore, it is desired to provide a rupture plate that can cope with an increase in the size of the cooler as the diameter of the single crystal to be pulled increases.

そこで本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、クーラー及びラプチャー板の構成を改善することにより、当該冷却配管系の破損に伴う危険を回避する手段を改善した単結晶引上げ装置及び方法を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention has been made in view of such problems, and a single crystal pulling apparatus in which means for avoiding a risk associated with breakage of the cooling piping system is improved by improving the configuration of the cooler and the rupture plate. And to provide a method.

より具体的には、本発明は、以下のようなものを提供する。   More specifically, the present invention provides the following.

(1) CZ法によりルツボ内の原料融液から単結晶を引上げる単結晶引上げ装置であって、
引上げ中の単結晶を冷却するクーラーを備える単結晶引上げ装置において、
前記クーラーを構成する冷却配管系を含み、
冷却水が流通する前記冷却配管系を前記単結晶の引上げ方向に複数の系統に分割して構成し、
前記冷却配管系の複数の系統の一からの漏洩水に対応可能なラプチャー板をトップチャンバーに備えたことを特徴とする単結晶引上げ装置。
(1) A single crystal pulling apparatus for pulling a single crystal from a raw material melt in a crucible by a CZ method,
In a single crystal pulling apparatus equipped with a cooler for cooling the single crystal being pulled,
Including a cooling piping system constituting the cooler,
The cooling pipe system through which the cooling water flows is divided into a plurality of systems in the pulling direction of the single crystal,
A single crystal pulling apparatus, wherein a top chamber is provided with a rupture plate capable of handling leaked water from one of a plurality of cooling piping systems.

本発明のこのような構成によれば、前記単結晶引上げ装置は、引上げ中の単結晶を冷却するクーラーを備え、前記クーラーは、冷却配管系を含み、冷却水が流通する前記冷却配管系を前記単結晶の引上げ方向に複数の系統に分割して構成され、前記冷却配管系の複数の系統の一からの漏洩水に対応可能なラプチャー板をトップチャンバーに備える。   According to such a configuration of the present invention, the single crystal pulling apparatus includes a cooler that cools the single crystal being pulled, and the cooler includes a cooling pipe system, and the cooling pipe system through which cooling water flows is provided. The top chamber is provided with a rupture plate configured to be divided into a plurality of systems in the pulling direction of the single crystal and capable of handling leakage water from one of the plurality of systems of the cooling piping system.

このことにより、前記ラプチャー板は、前記冷却配管系の複数の系統の一からの漏洩水に対応可能な大きさを備える。従って、前記ラプチャー板は、前記冷却配管系を分割する前より小さなサイズを有し、トップチャンバーにおいて設置場所の設計の自由度を向上させることができる。   Thus, the rupture plate has a size that can accommodate leaked water from one of the plurality of systems of the cooling piping system. Therefore, the rupture plate has a smaller size than before dividing the cooling piping system, and the degree of freedom in designing the installation location in the top chamber can be improved.

その結果、前記単結晶引上げ装置は、より小さなサイズを有するラプチャー板をトップチャンバーに配設することができる。   As a result, the single crystal pulling apparatus can arrange a rupture plate having a smaller size in the top chamber.

このように、前記単結晶引上げ装置は、万一冷却配管系の一が破損して冷却水が装置内に漏れ出した場合の対策が小さくて済み、ラプチャー板の設置場所の設計の自由度を向上させることができる。なお、複数の系統に分割した前記冷却配管系において、同時に複数の系統からの漏水が発生する可能性は極めて低いと考えられるため、実質的な安全マージンを確保しつつ、トップチャンバーにより小さなラプチャー板を配設することができる。   In this way, the single crystal pulling device requires only a small measure in the event that one of the cooling piping systems is damaged and the cooling water leaks into the device, and the degree of freedom in designing the location of the rupture plate can be reduced. Can be improved. In the cooling piping system divided into a plurality of systems, it is considered very unlikely that water leaks from the plurality of systems at the same time, so a small rupture plate is secured in the top chamber while ensuring a substantial safety margin. Can be arranged.

なお、前記冷却配管系は、パイプをコイル状に曲げて形成してもよいし、複数の部材を溶接等により形成したいわゆるジャケット構造でもよい。   The cooling piping system may be formed by bending a pipe into a coil shape, or may be a so-called jacket structure in which a plurality of members are formed by welding or the like.

(2) 前記冷却配管系の分割後の1系統当たりの冷却水の温度上昇が、分割する前の冷却水の温度上昇と同等以下となるように、前記冷却配管系の配管サイズを、分割する前より細く構成したことを特徴とする(1)に記載の単結晶引上げ装置。   (2) Divide the piping size of the cooling piping system so that the temperature rise of the cooling water per system after the division of the cooling piping system is equal to or less than the temperature rise of the cooling water before the division. The single crystal pulling apparatus according to (1), wherein the single crystal pulling apparatus is configured to be thinner than before.

本発明のこのような構成によれば、前記単結晶引上げ装置は、前記冷却配管系の分割後の1系統当たりの冷却水の温度上昇が、分割する前の冷却水の温度上昇と同等以下となるように、前記冷却配管系の配管サイズを、分割する前より細く構成される。   According to such a configuration of the present invention, the single crystal pulling apparatus is configured such that the temperature rise of the cooling water per system after the division of the cooling pipe system is equal to or less than the temperature rise of the cooling water before the division. Thus, the piping size of the cooling piping system is configured to be narrower than before dividing.

このことにより、前記単結晶引上げ装置は、分割前と同等の冷却能力を維持しつつ、1系統当たりの冷却配管系の保水量を更に少なくすることが可能となり、より小さなサイズを有するラプチャー板をトップチャンバーに配設することができる。なお、一般に、クーラーの冷却能力は、単位時間に流れる冷却水の量に比例し、冷却配管系の長さが長いほど、又配管サイズが細いほど圧力損失により冷却配管系を流れる冷却水は流れにくくなるため、冷却配管系を分割したことにより冷却配管系の長さが短くなり、配管サイズを細くする方向の自由度が向上するので好適である。   This makes it possible for the single crystal pulling apparatus to further reduce the water retention amount of the cooling piping system per system while maintaining the same cooling capacity as before the division, and to install a rupture plate having a smaller size. It can be arranged in the top chamber. In general, the cooling capacity of a cooler is proportional to the amount of cooling water that flows per unit time. The longer the cooling piping system is, the smaller the piping size is, the smaller the piping size is, the more cooling water flows through the cooling piping system due to pressure loss. Since the cooling piping system is divided, the length of the cooling piping system is shortened, and the degree of freedom in the direction of reducing the piping size is improved.

その結果、前記単結晶引上げ装置は、分割前と同等の冷却能力を維持しつつ、装置内でクーラーが占有する空間が小さくなり、創出された新たな空間を他の目的に利用することが可能となる。同時に、より小さなサイズを有するラプチャー板をトップチャンバーに配設しつつ、万一の際の安全マージンを確保できる。   As a result, the single crystal pulling device maintains the same cooling capacity as before the division, while the space occupied by the cooler in the device is reduced, and the created new space can be used for other purposes. It becomes. At the same time, it is possible to ensure a safety margin in the event of a rupture plate having a smaller size in the top chamber.

(3) 前記クーラーは前記単結晶の引上げ方向に移動可能としたことを特徴とする(1)又は(2)に記載の単結晶引上げ装置。   (3) The single crystal pulling apparatus according to (1) or (2), wherein the cooler is movable in a pulling direction of the single crystal.

本発明のこのような構成によれば、前記単結晶引上げ装置は、前記クーラーは前記単結晶の引上げ方向に移動可能とする。   According to such a configuration of the present invention, in the single crystal pulling apparatus, the cooler is movable in the pulling direction of the single crystal.

このことにより、前記単結晶引上げ装置は、前記クーラーを前記単結晶の引上げ方向に移動して、引上げる単結晶を要求に応じて適切に冷却することができる。   Thus, the single crystal pulling apparatus can appropriately cool the pulled single crystal as required by moving the cooler in the pulling direction of the single crystal.

(4) 前記クーラーは系統毎に独立して前記単結晶の引上げ方向に移動可能としたことを特徴とする(1)から(3)のいずれかに記載の単結晶引上げ装置。   (4) The single crystal pulling apparatus according to any one of (1) to (3), wherein the cooler is movable in the pulling direction of the single crystal independently for each system.

本発明のこのような構成によれば、前記単結晶引上げ装置は、前記クーラーは系統毎に独立して前記単結晶の引上げ方向に移動可能とする。   According to such a configuration of the present invention, in the single crystal pulling apparatus, the cooler is movable in the pulling direction of the single crystal independently for each system.

このことにより、前記単結晶引上げ装置は、前記クーラーを系統毎に独立して上下に動かして、引上げる単結晶を要求に応じて適切に冷却できる。   Thus, the single crystal pulling apparatus can appropriately cool the pulled single crystal as required by moving the cooler up and down independently for each system.

(5) 前記単結晶の引上げ方向に複数の系統に分割した前記冷却配管系の間に炉内を観察するための空間を設けたことを特徴とする(1)から(4)のいずれかに記載の単結晶引上げ装置。   (5) In any one of (1) to (4), a space for observing the inside of the furnace is provided between the cooling piping systems divided into a plurality of systems in the pulling direction of the single crystal. The single crystal pulling apparatus as described.

本発明のこのような構成によれば、前記単結晶引上げ装置は、前記単結晶の引上げ方向に複数の系統に分割した前記冷却配管系の間に炉内を観察するための空間を設ける。   According to such a configuration of the present invention, the single crystal pulling apparatus provides a space for observing the inside of the furnace between the cooling piping systems divided into a plurality of systems in the pulling direction of the single crystal.

このことにより、前記単結晶引上げ装置は、前記単結晶の引き上げ方向に分割した前記クーラーの間に設けた空間を介して炉内の状態を観察することができる。
空間には環状の石英ガラス10cで覆うことにより、炉内ガス流れの乱れを防止することが可能である。
Thereby, the single crystal pulling apparatus can observe the state in the furnace through the space provided between the coolers divided in the pulling direction of the single crystal.
By covering the space with the annular quartz glass 10c, it is possible to prevent disturbance of the gas flow in the furnace.

(6) 直径が略300mm以上の単結晶インゴットを引上げる単結晶引上げ装置において、前記冷却配管系を前記単結晶インゴットの引上げ方向に2つの系統に分割し、前記引上げ方向の高さを略200mm以上とし、前記ラプチャー板の直径を略270mm以下としたことを特徴とする(1)から(5)のいずれかに記載の単結晶引上げ装置。   (6) In a single crystal pulling apparatus that pulls a single crystal ingot having a diameter of about 300 mm or more, the cooling piping system is divided into two systems in the pulling direction of the single crystal ingot, and the height in the pulling direction is about 200 mm. The single crystal pulling apparatus according to any one of (1) to (5), wherein the diameter of the rupture plate is approximately 270 mm or less.

(7) 前記冷却配管系の配管サイズを略12.7mm以上かつ略17.0mm以下としたことを特徴とする(6)に記載の単結晶引上げ装置。   (7) The single crystal pulling apparatus according to (6), wherein a piping size of the cooling piping system is approximately 12.7 mm or more and approximately 17.0 mm or less.

(8) 前記冷却配管系の1系統当たりの配管の長さを略11m以下としたことを特徴とする(7)に記載の単結晶引上げ装置。   (8) The single crystal pulling apparatus according to (7), wherein the length of the piping per system of the cooling piping system is set to about 11 m or less.

本発明によれば、前記単結晶引上げ装置のラプチャー板は、前記冷却配管系の複数の系統の一からの漏洩水に対応可能な大きさを備える。従って、前記ラプチャー板は、前記冷却配管系を分割する前より小さなサイズを有し、トップチャンバーにおいて設置場所の設計の自由度を向上させることができる。   According to the present invention, the rupture plate of the single crystal pulling apparatus has a size capable of accommodating leaked water from one of the plurality of systems of the cooling piping system. Therefore, the rupture plate has a smaller size than before dividing the cooling piping system, and the degree of freedom in designing the installation location in the top chamber can be improved.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

[全体構成]本発明に係るCZ法単結晶引上げ装置1は、通常のCZ法単結晶引上げ装置と同様に、密閉容器たるチャンバー内に、シリコン融液31の製造・貯蔵のためのルツボ30と、このルツボ30を加熱するためのヒータ21と、を備えている。そして、この他にも適宜、通常のCZ法単結晶引上げ装置と同様に、ヒータ21に電力を供給する電極、ルツボ30を支持するルツボ受け、ルツボ30を回転させるペディスタル、断熱材、メルトレシーブ、内筒などが備え付けられる。また、この装置には、シリコン融液31及びヒータ21から引上げるシリコンインゴット32への熱の輻射を遮蔽するための熱遮蔽体20と、この熱遮蔽体20の内側に配置されたクーラー10と、が備え付けられている。また、トップチャンバー50には、万一クーラー10から漏水が発生した場合に、水蒸気によりトップチャンバー50が持ち上がるのを抑止するためにラプチャー板としてのラプチャー板60が備えられている。ラプチャー板60は、水蒸気の発生等によりチャンバー内の圧力が所定圧を超えた場合に水蒸気を排出して装置へのダメージを抑制すると共に、トップチャンバー50が持ち上がって、周囲の作業者等が水蒸気を浴びるような事故を未然に抑止することができる。   [Overall Configuration] A CZ method single crystal pulling apparatus 1 according to the present invention includes a crucible 30 for manufacturing and storing a silicon melt 31 in a chamber, which is a sealed container, in the same manner as a normal CZ method single crystal pulling apparatus. And a heater 21 for heating the crucible 30. In addition to this, as in a normal CZ method single crystal pulling apparatus, an electrode for supplying power to the heater 21, a crucible receiver for supporting the crucible 30, a pedestal for rotating the crucible 30, a heat insulating material, a melt receive, An inner cylinder is provided. In addition, this apparatus includes a heat shield 20 for shielding heat radiation to the silicon ingot 32 pulled up from the silicon melt 31 and the heater 21, and a cooler 10 disposed inside the heat shield 20. , Is provided. The top chamber 50 is provided with a rupture plate 60 as a rupture plate in order to prevent the top chamber 50 from being lifted by water vapor in the event that water leaks from the cooler 10. The rupture plate 60 discharges water vapor and suppresses damage to the apparatus when the pressure in the chamber exceeds a predetermined pressure due to generation of water vapor and the like, and the top chamber 50 is lifted so that surrounding workers can Accidents such as bathing can be prevented in advance.

このようなCZ法単結晶引上げ装置1は、通常のCZ法単結晶引上げ装置と同様に、引上げるシリコンインゴット32とルツボ30が同方向又は逆方向に回転しながら単結晶の引上げが行われる。ここで、ルツボ30は、ルツボ30の下部に設けられている図示しないリフタによってルツボ30が上下に移動する。ルツボ30の上下移動は、特に断わらない場合には、シリコン単結晶インゴットの引き上げに伴うシリコン融液液面の下降に応じてルツボ30が上昇する、というような形態で行われる。   Such a CZ method single crystal pulling apparatus 1 pulls a single crystal while the pulling silicon ingot 32 and the crucible 30 rotate in the same direction or in the opposite direction, as in a normal CZ method single crystal pulling apparatus. Here, the crucible 30 is moved up and down by a lifter (not shown) provided at the lower part of the crucible 30. Unless otherwise specified, the crucible 30 moves up and down in such a manner that the crucible 30 is raised in accordance with the lowering of the silicon melt liquid level accompanying the pulling up of the silicon single crystal ingot.

なお、本発明に係るCZ法単結晶引上げ装置1は、特に図示していないが、この種のCZ法単結晶引上げ装置に通常装備される不活性ガスの導入・排気システムを備えている。そして、このようなシステム下にあって、熱遮蔽体20は不活性ガスの流通路を調整する働きも兼ね備えている。また、この装置においては、チャンバー11内の排気を行う真空ポンプが接続されている。   The CZ method single crystal pulling apparatus 1 according to the present invention is provided with an inert gas introduction / exhaust system that is normally provided in this type of CZ method single crystal pulling apparatus, although not particularly shown. Under such a system, the thermal shield 20 also has a function of adjusting the flow path of the inert gas. In this apparatus, a vacuum pump for exhausting the chamber 11 is connected.

また、本発明に係るCZ法単結晶引上げ装置1は、シリコン融液31に磁場を与えるソレノイドが備え付けられている。このソレノイドによってシリコン融液31に磁場が印加されることにより、シリコン融液31内に生じる微小な対流を抑制させることができ、結晶欠陥の低減や安定した引き上げなどを更に増進することができるようになる。   Further, the CZ method single crystal pulling apparatus 1 according to the present invention is provided with a solenoid for applying a magnetic field to the silicon melt 31. By applying a magnetic field to the silicon melt 31 by this solenoid, minute convection generated in the silicon melt 31 can be suppressed, and crystal defects can be reduced and stable pulling can be further promoted. become.

[クーラー]本発明に係るCZ法単結晶引上げ装置1においては、その中を冷却水が流通する配管で構成されたクーラー10が熱遮蔽体20の内側に配置されている。このクーラー10は、図1に示されるように、引上げシリコンインゴット32を囲繞する配管の積層体(冷却管スタック)で構成されており、この配管の中に冷却水が流通される。冷却水は、供給管を介して供給される。   [Cooler] In the CZ method single crystal pulling apparatus 1 according to the present invention, a cooler 10 constituted by piping through which cooling water flows is disposed inside the heat shield 20. As shown in FIG. 1, the cooler 10 is composed of a laminated body (cooling pipe stack) of piping surrounding the pulled silicon ingot 32, and cooling water is circulated through the piping. The cooling water is supplied through a supply pipe.

図2は、クーラー10のコイル部分を示すブロック図である。図2(a)に示す従来のクーラーにおいて冷却配管系が1系統の場合とは異なり、図2(b)及び図2(c)に示す本発明に係るクーラー10は、上段パイプ10a及び下段パイプ10bの2系統に分割されている。上段パイプ10a、下段パイプ10bにはそれぞれ独立した供給管が配設されており、冷却水も独立して供給される。その結果、コイル部分の高さが同様であっても、1系統当たりの冷却配管系の長さは約半分とすることができる。   FIG. 2 is a block diagram showing a coil portion of the cooler 10. Unlike the case of a single cooling piping system in the conventional cooler shown in FIG. 2A, the cooler 10 according to the present invention shown in FIGS. 2B and 2C includes an upper pipe 10a and a lower pipe. It is divided into two systems 10b. The upper pipe 10a and the lower pipe 10b are provided with independent supply pipes, and cooling water is also supplied independently. As a result, even if the coil portions have the same height, the length of the cooling piping system per system can be reduced to about half.

このように冷却配管系を2系統に分割することにより、冷却能力を同等に保ちつつ、1系統当たりの冷却配管系の長さを短くすることが可能となる。更に、冷却水の温度上昇も抑えられるため、分割前と比較して、下流側の温度を低く抑えることが可能であり、安全性が向上する。   By dividing the cooling piping system into two systems in this way, it becomes possible to shorten the length of the cooling piping system per system while maintaining the same cooling capacity. Furthermore, since the temperature rise of the cooling water can also be suppressed, the temperature on the downstream side can be suppressed lower than before the division, and safety is improved.

また、図2(c)に示す通り、本発明に係るクーラー10は、上段パイプ10a及び下段パイプ10bが独立して上下に移動が可能に構成することができる。更に、その間にできた隙間を利用して、上部チャンバー50に設けた監視窓等から、種結晶31aを始めとして炉内の様子を観察することができる。隙間には環状の石英ガラス10cで覆うことにより、炉内ガス流れの乱れを防止することが可能である。   Moreover, as shown in FIG.2 (c), the cooler 10 which concerns on this invention can be comprised so that an upper stage pipe 10a and a lower stage pipe 10b can move up and down independently. Further, using the gap formed between them, the inside of the furnace including the seed crystal 31a can be observed from a monitoring window provided in the upper chamber 50 or the like. It is possible to prevent the gas flow in the furnace from being disturbed by covering the gap with the annular quartz glass 10c.

図3は、本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置1の冷却配管系100を示すブロック図である。図3においては、上段パイプ10a、下段パイプ10bの部分がチャンバー内に存在する。冷却水は、冷却配管系100の給水側(図3の左側)から入り、2系統に分岐し、緊急時遮断用弁101a及び101bを経て上段パイプ10a及び下段パイプ10bに入り、出側温度計104a及び104b、逆止弁又は緊急遮断弁105a及び105bを経て再び合流し、還流する。なお、冷却配管系100は、3段以上に構成することも可能であり、その場合は、図3の分岐部分を更に分岐することにより実現可能である。   FIG. 3 is a block diagram showing the cooling piping system 100 of the CZ method single crystal pulling apparatus 1 according to an example of the preferred embodiment of the present invention. In FIG. 3, the upper pipe 10 a and the lower pipe 10 b are present in the chamber. The cooling water enters from the water supply side (left side in FIG. 3) of the cooling piping system 100, branches into two systems, enters the upper pipe 10a and the lower pipe 10b via the emergency shut-off valves 101a and 101b, and then exits the thermometer. It rejoins and recirculates through 104a and 104b, check valve or emergency shut-off valve 105a and 105b. The cooling piping system 100 can also be configured in three or more stages, and in that case, it can be realized by further branching the branching portion of FIG.

[パラメータ調整]図4に、本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置1のクーラー10及びラプチャー板60の設計上のパラメータの関係を示す。所定の吸熱量(例えば40KW)を得るためにはクーラー10のコイル部分の高さは高いほうが有利(例えば200mm)であるが、その分、冷却配管系から漏れ出す可能性のある冷却水の量(保水量;初期漏洩水の量)が大きくなり、万一の場合に必要なラプチャー板のサイズも大きなものとなる。一方、冷却配管系100のパイプの長さが長くなると、配管内の圧力損失が増大し、冷却水が流れにくくなり、チャンバー内の冷却水の温度上昇が大きくなる。また、圧力損失を抑制するためにパイプの内径を大きくするとパイプ外径も大きくなり、クーラー全体が大型化してチャンバー内で他の機材との干渉が大きくなり、炉内の観察の邪魔となり不利となる。このように、クーラー10の設計及びラプチャー板60の設計に当たり、このようなパラメータのトレードオフ関係を調整して最適値を探索する必要がある。   [Parameter Adjustment] FIG. 4 shows the relationship between the design parameters of the cooler 10 and the rupture plate 60 of the CZ method single crystal pulling apparatus 1 according to an example of the preferred embodiment of the present invention. In order to obtain a predetermined endothermic amount (for example, 40 KW), it is advantageous that the height of the coil portion of the cooler 10 is higher (for example, 200 mm), but the amount of cooling water that may leak from the cooling piping system by that amount. (Water retention amount; amount of initial leakage water) increases, and the size of the rupture plate required in the event of an emergency increases. On the other hand, when the length of the pipe of the cooling piping system 100 is increased, the pressure loss in the piping increases, the cooling water becomes difficult to flow, and the temperature rise of the cooling water in the chamber increases. In addition, increasing the inner diameter of the pipe to suppress pressure loss also increases the outer diameter of the pipe, increasing the overall size of the cooler and increasing interference with other equipment in the chamber, which can be an obstacle to observation in the furnace. Become. Thus, when designing the cooler 10 and the rupture plate 60, it is necessary to search for the optimum value by adjusting the trade-off relationship of such parameters.

図5は、本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置による冷却水流量に対する温度上昇を示すグラフである。図5(a)を拡大したものが図5(b)である。ここで、必要な吸熱量を40KW、上昇温度のしきい値を20℃とすれば、1系統の冷却配管系で実現した場合には、1系統当たり40KW必要となるので、上昇温度20℃以下とするためには約29L/min程度の冷却水流量が必要であることが分かる。一方、2系統に分けた場合には、1系統当たりの吸熱量は20KWあれば足りるので、必要な冷却水流量は約14L/minとなる。このように、冷却配管系を2系統に分岐することにより、必要な冷却水流量を約50%削減することができる。   FIG. 5 is a graph showing the temperature rise with respect to the cooling water flow rate by the CZ method single crystal pulling apparatus according to an example of the preferred embodiment of the present invention. FIG. 5B is an enlarged view of FIG. Here, if the required endotherm is 40 KW and the rising temperature threshold is 20 ° C., when realized with one cooling piping system, 40 KW per system is required, so the rising temperature is 20 ° C. or less. It is understood that a cooling water flow rate of about 29 L / min is necessary to achieve this. On the other hand, when the two systems are divided, it is sufficient that the heat absorption amount per system is 20 KW, so the required cooling water flow rate is about 14 L / min. Thus, by branching the cooling piping system into two systems, the required cooling water flow rate can be reduced by about 50%.

表1に同様の計算により、上昇温度が10℃乃至40℃の場合にそれぞれ必要な冷却水流量を示す。この表から分かる通り、上昇温度を40℃まで許容すると、1系統では14.3L/min通水すればよい。また、30℃まで許容すると、19.1L/min必要であることが分かる。一方、2系統に分割すると、それぞれ、7.2L/min、9.6L/min通水する必要がある。このように、10℃乃至40℃の許容上昇温度においても、2系統に分割することによって、それぞれ約半分の冷却水流量があれば足りることが分かる。

Figure 2009029659
Table 1 shows the required cooling water flow rate when the rising temperature is 10 ° C. to 40 ° C. by the same calculation. As can be seen from this table, if the rising temperature is allowed to 40 ° C., 14.3 L / min water may be passed in one system. Moreover, when it accept | permits to 30 degreeC, it turns out that 19.1 L / min is required. On the other hand, when divided into two systems, it is necessary to pass water of 7.2 L / min and 9.6 L / min, respectively. Thus, it can be seen that even at an allowable temperature increase of 10 ° C. to 40 ° C., it is sufficient to divide the system into two systems so that approximately half the cooling water flow rate is sufficient.
Figure 2009029659

図6は、本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置のクーラーのコイル部分の高さを変えた場合のパイプの内径と保水量の関係を示すグラフである。トップチャンバー上に配置できるラプチャー板サイズはφ270mm程度以下であり、このサイズで許容できる保水量(即ち初期漏洩水の量)は図8に示すように、3390cc以下となる。3390cc以下とするためには、コイル部分の高さが100mmの場合(即ち2系統に分割した場合)、パイプ内径が約20mm以下とすれば問題ないことが分かる。一方、コイル部分の高さが200mmの場合(即ち1系統で実現した場合)、パイプの内径は15mm以下とする必要があることが分かる。このように、冷却配管系を2系統とすることにより、保水量を所定量以下とするためのパイプの内径の設計の自由度を高めることができる。上述のように、パイプの内径を大きくすることができれば、圧力損失との関係でパイプの長さが長くなった場合にも冷却水が流れやすくなるため、有利である。   FIG. 6 is a graph showing the relationship between the inner diameter of the pipe and the water retention amount when the height of the coil portion of the cooler of the CZ method single crystal pulling apparatus according to an example of the preferred embodiment of the present invention is changed. The size of the rupture plate that can be arranged on the top chamber is about φ270 mm or less, and the water retention amount (that is, the amount of initial leakage water) that can be tolerated with this size is 3390 cc or less as shown in FIG. It can be seen that there is no problem if the inner diameter of the pipe is about 20 mm or less when the height of the coil portion is 100 mm (that is, when the coil portion is divided into two systems) in order to make it 3390 cc or less. On the other hand, when the height of the coil portion is 200 mm (that is, when realized with one system), it is understood that the inner diameter of the pipe needs to be 15 mm or less. Thus, the freedom degree of the design of the internal diameter of a pipe for making a water retention amount into a predetermined amount or less can be raised by using two cooling piping systems. As described above, if the inner diameter of the pipe can be increased, it is advantageous because the cooling water easily flows even when the length of the pipe is increased in relation to the pressure loss.

図7は、本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置のラプチャー板のサイズを変えた場合の漏水時の蒸気の流出のシミュレーション結果を示すグラフである。これは、前提条件として、直径2mmの液滴が機内ガス温度800Kで蒸発した場合のシミュレーションである。より具体的には、パイプ破損時に、チャンバー内に漏れ出す水の量は、初期漏洩水量(パイプ内に残っている水量)と、緊急時遮断用弁が働いて停止するまでに流れ込む冷却水の合計となる。なお、パイプの下流側には逆止弁が設置されているため、下流側からの逆流はない。   FIG. 7 is a graph showing a simulation result of the outflow of steam at the time of water leakage when the size of the rupture plate of the CZ method single crystal pulling apparatus according to an example of the preferred embodiment of the present invention is changed. This is a simulation when a droplet having a diameter of 2 mm evaporates at an in-machine gas temperature of 800K as a precondition. More specifically, when the pipe breaks, the amount of water leaking into the chamber is the amount of initial leaked water (the amount of water remaining in the pipe) and the cooling water that flows in until the emergency shutoff valve works and stops. Total. Since a check valve is installed on the downstream side of the pipe, there is no back flow from the downstream side.

初期漏洩水の全てが無限小の時間で、一定径の飽和液滴の集合体となる。液滴のサイズが小さいほど、熱を受ける面積が増えるため、蒸発のスピードも速くなる。一定径の飽和液滴の集合体は、Kutateladze式によるプール沸騰バーンアウト熱流束で、有限時間で蒸発する。更に、バーンアウト熱流束を潜熱で除すことにより、液滴表面積の単位面積当たりの蒸発量を求める。更に単位面積当たりの蒸発量に液滴の総合計面積を乗ずることによって、水蒸気の蒸発量を求めることができる。生成された水蒸気は、無限小の時間で、機内ガス温度まで加熱されるので、その時の圧力を計算する。このように、計算した圧力がトップチャンバー50に排泄されたラプチャー板60、トップチャンバー50、下部ラプチャー、真空ポンプのそれぞれからどの程度の水蒸気が放出されるかをシミュレーションした。
ラプチャー板から放出される場合は、ラプチャー板の設置場所を考慮すれば問題が無いが、トップチャンバーから放出する場合は水蒸気の放出方向を制御しにくく、作業者が近くにいる場合もありえるため、大変危険であり、トップチャンバーからの排出が起こらないような大きさのラプチャー板を設置する必要がある。
All of the initial leakage water becomes an aggregate of saturated droplets of a constant diameter in an infinitesimal time. The smaller the size of the droplet, the more the area that receives heat, and the faster the evaporation speed. A collection of saturated droplets of a constant diameter evaporates in a finite time with a pool boiling burnout heat flux according to the Kuterraladze equation. Further, the evaporation amount per unit area of the droplet surface area is obtained by dividing the burnout heat flux by the latent heat. Further, the evaporation amount of water vapor can be obtained by multiplying the evaporation amount per unit area by the total area of the droplets. The generated water vapor is heated to the in-machine gas temperature in an infinitesimal time, and the pressure at that time is calculated. In this manner, the simulation was performed to determine how much water vapor is released from the rupture plate 60, the top chamber 50, the lower rupture, and the vacuum pump, in which the calculated pressure is excreted in the top chamber 50.
If released from the rupture plate, there is no problem considering the installation location of the rupture plate, but when releasing from the top chamber, it is difficult to control the direction of water vapor release, and the operator may be nearby, It is extremely dangerous and it is necessary to install a rupture plate that is large enough to prevent discharge from the top chamber.

図7は、保水量2000ccの場合のラプチャー板サイズを変更した場合のシミュレーション結果である。
図7(a)から分かるように、トップチャンバー50に配設されたラプチャー板60のサイズが114mmの場合、多くの水蒸気はトップチャンバー50に配設されたラプチャー板60(TCラプチャー)及び下部ラプチャーから排出され、トップチャンバー及び真空ポンプからの排出はほとんどないことが分かる。この場合には、トップチャンバー50が浮き上がることはないと考えられる。
FIG. 7 is a simulation result when the rupture plate size is changed when the water retention amount is 2000 cc.
As can be seen from FIG. 7A, when the size of the rupture plate 60 disposed in the top chamber 50 is 114 mm, a large amount of water vapor is contained in the rupture plate 60 (TC rupture) and the lower rupture disposed in the top chamber 50. It can be seen that there is almost no discharge from the top chamber and vacuum pump. In this case, it is considered that the top chamber 50 does not float.

一方、図7(b)に示すように、トップチャンバー50に配設されたラプチャー板60のサイズが1cmの場合、多くの水蒸気はトップチャンバー50から排出され、トップチャンバー50に配設されたラプチャー板60(TCラプチャー)及び下部ラプチャーからの排出は十分ではないことが分かる。この場合、トップチャンバー50が浮き上がることが想定される。即ち、本シミュレーションでは、ラプチャー板60のサイズは100mmでは十分ではなく、114mmが必要であることが分かる。   On the other hand, as shown in FIG. 7B, when the size of the rupture plate 60 disposed in the top chamber 50 is 1 cm, a large amount of water vapor is discharged from the top chamber 50 and the rupture disposed in the top chamber 50. It can be seen that the discharge from the plate 60 (TC rupture) and the lower rupture is not sufficient. In this case, it is assumed that the top chamber 50 is lifted. That is, in this simulation, it can be seen that the size of the rupture plate 60 is not 100 mm, and 114 mm is necessary.

図8は、本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置の初期漏洩水量に対する必要なラプチャー板のサイズを示すグラフである。具体的には、図7で示したシミュレーションを繰り返し実施することにより、所定の初期漏洩水量が3390cc以下である必要があることがわかる。   FIG. 8 is a graph showing the required rupture plate size with respect to the initial leakage water amount of the CZ method single crystal pulling apparatus according to an example of the preferred embodiment of the present invention. Specifically, it is understood that the predetermined initial leakage water amount needs to be 3390 cc or less by repeatedly performing the simulation shown in FIG.

図9は、本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置の各パラメータの設計の一例を示す図である。具体的には、上述のような計算、シミュレーションを前提として、40KWの吸熱量を得るために、クーラー10のコイル部分の高さを200mm、パイプの長さを11000mm以下、トップチャンバーに設置したラプチャー板の直径を270mm以下、冷却水の上昇温度を20℃以下、配管の圧力損失を60KPa以下とするために、冷却配管系が1系統の場合には、冷却水流量は29L/min必要であり、圧力損失を考慮に入れるとパイプの内径は16.1mm以上必要であることが分かった。   FIG. 9 is a diagram illustrating an example of design of each parameter of the CZ method single crystal pulling apparatus according to an example of the preferred embodiment of the present invention. Specifically, on the assumption of the above calculation and simulation, a rupture installed in the top chamber with a coil portion height of 200 mm, a pipe length of 11000 mm or less, and a heat absorption amount of 40 KW was obtained. In order to set the plate diameter to 270 mm or less, the cooling water rising temperature to 20 ° C. or less, and the piping pressure loss to 60 KPa or less, the cooling water flow rate of 29 L / min is required when there is one cooling piping system. When the pressure loss is taken into consideration, it has been found that the inner diameter of the pipe needs to be 16.1 mm or more.

クーラーパイプは、肉厚が2mm程度以上と薄いため、溶接によりパイプとパイプを継ぎ足して長さを延長する場合に、以下の危険性が増す。すなわち、溶接部のパイプ内側に肉盛りが発生した場合に、配管抵抗のため規定の冷却水量が通水できない危険性が増す。また、溶接作業が不十分で肉厚が薄い箇所ができた場合に、冷却水が炉内に漏れる危険性が増す。そのため、溶接部が無い構造とすることが理想である。溶接部無しで準備できるパイプ長さは、最長11m程度である。これ以上になると、パイプ搬送や加工時の取り扱いが制約されるため製作ができない。   Since the thickness of the cooler pipe is as thin as about 2 mm or more, the following danger increases when the pipe and the pipe are extended by welding to extend the length. That is, when build-up occurs inside the pipe of the welded portion, there is an increased risk that the prescribed amount of cooling water cannot be passed due to piping resistance. In addition, when the welding operation is insufficient and a portion having a thin wall is formed, there is an increased risk of cooling water leaking into the furnace. Therefore, it is ideal to have a structure with no welds. The maximum pipe length that can be prepared without a weld is about 11 m. If it exceeds this limit, it cannot be manufactured because the handling of pipes and handling during processing are restricted.

ここで、ラプチャー板のφ270mm相当とは、水蒸気の受圧面積が相当という意味である。トップチャンバー上のスペースの制約から、円形に限らず、相当面積の楕円形や長方形の両短辺部に半円を組み合わせた形状等に適宜製作して問題無い。一方、保水量を考慮に入れると、1系統ではパイプの内径は15mm以下程度とする必要があることが分かる。そうすると、1系統では、これらのパラメータの要求を満足するパイプの内径を設定することが不可能であることが分かる。   Here, “equivalent to φ270 mm of the rupture plate” means that the pressure receiving area of water vapor is equivalent. Due to space restrictions on the top chamber, there is no problem in appropriately manufacturing the shape not only in a circular shape but also in an oval shape with a corresponding area or a combination of semicircles on both short sides of a rectangle. On the other hand, when the amount of water retained is taken into consideration, it is understood that the inner diameter of the pipe needs to be about 15 mm or less in one system. Then, it turns out that it is impossible to set the inner diameter of the pipe that satisfies the requirements of these parameters in one system.

次に、冷却配管系を2系統に分割すると、同様の計算をすることにより、冷却水流量は14L/min必要であり、圧力損失を考慮に入れると、パイプの内径は12.7mm以上必要であることが分かる。一方、保水量を考慮に入れると、2系統ではパイプの内径は17mm以下程度とする必要があることが分かる。そうすると、2系統では、パイプの内径を12.7mm以上、17mm以下とすることにより、これらのパラメータの要求を満足する設計を行うことが可能であることが分かる。   Next, when the cooling piping system is divided into two systems, the same calculation is performed, so that the cooling water flow rate needs to be 14 L / min, and when the pressure loss is taken into consideration, the inner diameter of the pipe needs to be 12.7 mm or more. I understand that there is. On the other hand, it is understood that the inner diameter of the pipe needs to be about 17 mm or less in the two systems when the water retention amount is taken into consideration. Then, it can be seen that, in the two systems, the design satisfying the requirements of these parameters can be performed by setting the inner diameter of the pipe to 12.7 mm or more and 17 mm or less.

図10乃至図15は、本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置の冷却水流量と圧力損失の関係を示すグラフである。上述の通り、圧力損失の上限値60KPaを超えないように設計する必要がある。図10に示すように、パイプの内径を16.7mmとした場合には、1系統でも2系統でも冷却水流量30L/minにおいても同条件をクリアしていることが分かる。図11に示すように、パイプの内径を16.1mmとした場合にも、1系統でも2系統でも冷却水流量30L/minにおいても同条件をクリアしていることが分かる。図12に示すように、パイプの内径を13.3mmとした場合には、1系統では、約16L/min以上で圧力損失が60KPaを超え、冷却水が流れなくなることが分かる。ここで、図5に示すように、1系統の場合、40KWの吸熱量を得るためには29L/minが必要であり、現実的な設計が不可能であることが分かる。一方、2系統に分割した場合には、約22L/min以上で圧力損失が60KPaを超えることが分かる。ここで、図5に示すように、20KWの吸熱量を得るためには、14L/min程度の冷却水流量が必要であるため、14L/minから22L/minの間で、現実的な設計が可能であることが分かる。   10 to 15 are graphs showing the relationship between the cooling water flow rate and the pressure loss of the CZ method single crystal pulling apparatus according to an example of the preferred embodiment of the present invention. As described above, it is necessary to design the pressure loss so as not to exceed the upper limit of 60 KPa. As shown in FIG. 10, when the inner diameter of the pipe is set to 16.7 mm, it can be seen that the same condition is satisfied even when the cooling water flow rate is 30 L / min. As shown in FIG. 11, it can be seen that even when the inner diameter of the pipe is 16.1 mm, the same condition is satisfied even when the cooling water flow rate is 30 L / min. As shown in FIG. 12, when the inner diameter of the pipe is 13.3 mm, in one system, the pressure loss exceeds 60 KPa at about 16 L / min or more, and the cooling water does not flow. Here, as shown in FIG. 5, in the case of one system, 29 L / min is required to obtain an endothermic amount of 40 KW, and it is understood that a realistic design is impossible. On the other hand, when divided into two systems, it can be seen that the pressure loss exceeds 60 KPa at about 22 L / min or more. Here, as shown in FIG. 5, in order to obtain an endothermic amount of 20 KW, a cooling water flow rate of about 14 L / min is required, so a realistic design is required between 14 L / min and 22 L / min. It turns out that it is possible.

同様にして、図13に示すように、パイプの内径12.7mmの場合には、1系統ではやはり現実的な設計が不可能であり、2系統ならば、冷却水流量が約14L/minで現実的な設計が可能であることが分かる。同様に、図14及び図15に示すように、それぞれパイプの内径が9.8mm及び9.4mmとなると、2系統でも現実的な設計が不可能となることが分かる。   Similarly, as shown in FIG. 13, when the inner diameter of the pipe is 12.7 mm, a realistic design is impossible with one system, and with two systems, the cooling water flow rate is about 14 L / min. It turns out that realistic design is possible. Similarly, as shown in FIGS. 14 and 15, when the inner diameter of the pipe is 9.8 mm and 9.4 mm, respectively, it is understood that realistic design is impossible even with two systems.

[クーラーパイプの設計]ここで、表2に示すように、日本工業規格によるパイプ寸法に基づき、破損の危険を考慮して2mm以上の厚みを確保すれば、外径21.7mmのパイプの場合は、内径17.5mmとなり、同様に、外径17.3mmの場合には内径13.3mm、外径13.8mmの場合には内径9.8mmが対応する最大のサイズとなる。現実的にはこのようなパイプのサイズにより設計することになる。

Figure 2009029659
[Cooler pipe design] Here, as shown in Table 2, based on the pipe dimensions according to Japanese Industrial Standards, if a thickness of 2 mm or more is secured in consideration of the risk of breakage, the pipe has an outer diameter of 21.7 mm. The inner diameter is 17.5 mm. Similarly, when the outer diameter is 17.3 mm, the inner diameter is 13.3 mm, and when the outer diameter is 13.8 mm, the inner diameter is 9.8 mm. In reality, the design is based on the pipe size.
Figure 2009029659

表3に、クーラー高さ200mmとした場合の1系統、2系統それぞれのパイプ内径での最大流量を示す。なお、流量は整数の値としており、整数まで計算すればもう少し流すことができる。表3から分かる通り、内系16.1mm以上であれば、30L/min以上通水することが可能であることが分かる。

Figure 2009029659
Table 3 shows the maximum flow rates at the inner diameters of the pipes of one system and two systems when the cooler height is 200 mm. In addition, the flow rate is an integer value, and if it is calculated up to an integer, it can flow a little more. As can be seen from Table 3, if the internal system is 16.1 mm or more, it is possible to pass water of 30 L / min or more.
Figure 2009029659

表4に、許容できる上昇温度別に、1系統、2系統それぞれの使用できるパイプの内径を示す。表4から分かる通り、同じ許容上昇温度に対して、2系統に分割したほうが、1系統の場合よりもより細い内径のパイプを使用できることが分かる。このことにより、2系統に分割したほうがパイプのサイズにおいて設計の自由度が向上することが分かる。

Figure 2009029659
Table 4 shows the inner diameters of pipes that can be used for one system and two systems for each allowable temperature rise. As can be seen from Table 4, it can be seen that a pipe with a smaller inner diameter can be used when divided into two systems for the same allowable temperature rise than when one system is used. From this, it can be seen that the degree of freedom in design is improved in the pipe size when the system is divided into two systems.
Figure 2009029659

表5に、現実的に設計可能なパイプ径と初期漏洩水との関係をしめす。表5から分かる通り、コイル部狙い高さを200mmとした場合、パイプの内径が大きくなると、漏洩水量も多くなる。更に、パイプ長さを11mまでとした場合、1系統で実現した場合には、コイル部分のパイプの長さが11mを超えてしまうため、現実的な設計ができないことが分かる。一方、2系統に分割することによって、パイプ内径13.8mmで設計したもの以外は、現実的な設計が可能であることが分かる。

Figure 2009029659
Table 5 shows the relationship between the pipe diameter that can be practically designed and the initial leakage water. As can be seen from Table 5, when the target height of the coil portion is 200 mm, the amount of leaked water increases as the inner diameter of the pipe increases. Further, when the pipe length is up to 11 m, it can be seen that if it is realized with one system, the length of the pipe of the coil portion exceeds 11 m, so that a realistic design cannot be performed. On the other hand, by dividing into two systems, it can be seen that a realistic design is possible except for the one designed with a pipe inner diameter of 13.8 mm.
Figure 2009029659

[記号の定義]ここで使用する各記号の定義は次のようになる。

Figure 2009029659
Figure 2009029659
Figure 2009029659
Figure 2009029659
[Definition of symbols] The definitions of each symbol used here are as follows.
Figure 2009029659
Figure 2009029659
Figure 2009029659
Figure 2009029659

[機内圧力バランスモデル]ここで、機内圧力バランスモデルを作成する。まず、漏洩水がなく、パージガスのみが供給され、一定排気速度の真空ポンプで排出される場合についてモデル化する。機内の圧力計算は以下のようになる。

Figure 2009029659
・・・・・・・・・・(1)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・・(2)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・・(3) [In-machine pressure balance model] Here, an in-machine pressure balance model is created. First, a case is modeled in which there is no leakage water, only purge gas is supplied, and the gas is discharged by a vacuum pump having a constant exhaust speed. In-machine pressure calculation is as follows.
Figure 2009029659
(1)
Figure 2009029659
(2)
Figure 2009029659
(3)

パージガスのみの一成分系なので、以下のようになる。

Figure 2009029659
・・・・・・・・・・(4)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・・(5)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・・(6) Since it is a one-component system with only purge gas, it is as follows.
Figure 2009029659
(4)
Figure 2009029659
(5)
Figure 2009029659
(6)

ここで、機外への排出が、真空ポンプのみで行われている場合には、以下のようになる。

Figure 2009029659
・・・・・・・・・・(7) Here, when the discharge to the outside of the apparatus is performed only by the vacuum pump, the following occurs.
Figure 2009029659
(7)

真空ポンプへ至る経路の配管損失は以下のようになる。

Figure 2009029659
・・・・・・・・・・(8)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・・(9)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(10)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(11) The piping loss of the route to the vacuum pump is as follows.
Figure 2009029659
(8)
Figure 2009029659
(9)
Figure 2009029659
... (10)
Figure 2009029659
.... (11)

一定排気速度の真空ポンプによる、排出量は以下のようになる。

Figure 2009029659
・・・・・・・・・(12) The amount discharged by a vacuum pump with a constant pumping speed is as follows.
Figure 2009029659
... (12)

[漏洩水蒸発モデル]ここで、漏洩水が、機内に侵入すると、以下のように蒸発の過程をモデル化することができる。   [Leaked Water Evaporation Model] Here, when leaked water enters the machine, the evaporation process can be modeled as follows.

(1)無限小の時間で、一定径の飽和液滴の集合体となる。
(2)一定径の飽和液滴の集合体は、Kutateladze式によるプール沸騰バーンアウト熱流束で、有限時間で蒸発する。
(3)生成された飽和蒸気は、無限小の時間で、機内ガス温度まで加熱される。ここで、機内の漏洩水質量と蒸気質量は、以下のように計算できる。

Figure 2009029659
・・・・・・・・・(13)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(14)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(15) (1) It becomes an aggregate of saturated droplets having a fixed diameter in an infinitesimal time.
(2) A collection of saturated droplets having a constant diameter evaporates in a finite time by a pool boiling burnout heat flux according to the Kuteradze equation.
(3) The produced saturated steam is heated to the in-machine gas temperature in an infinitesimal time. Here, the leaked water mass and steam mass in the machine can be calculated as follows.
Figure 2009029659
.... (13)
Figure 2009029659
... (14)
Figure 2009029659
... (15)

ここで、Q/L(バーンアウト熱流束での単位面積当たりの蒸発量)の値は、水の飽和表と、Kutateladzeプール沸騰バーンアウト熱流束式から、圧力に依存するテーブルとして下記のように与える。

Figure 2009029659
Here, the value of Q / L (evaporation amount per unit area in burnout heat flux) is as follows depending on the pressure from the water saturation table and the Kuteradze pool boiling burnout heat flux equation. give.
Figure 2009029659

ここで、蒸気の機内分圧は、(2)、(3)式と同様で以下のようになる。

Figure 2009029659
・・・・・・・・・(16)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(17) Here, the in-machine partial pressure of steam is similar to the equations (2) and (3) as follows.
Figure 2009029659
(16)
Figure 2009029659
... (17)

[二成分系モデル]次に、二成分系モデルは、漏洩水蒸発モデル部分の入出力を機内圧力バランスモデル部分に統合し、パージガスと上記の二成分を考慮した機内圧力バランスを得る。漏洩水蒸発モデル部分の出力を用いて、(4)〜(6)を以下に書き換える。

Figure 2009029659
・・・・・・・・・(18)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(19)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(20) [Two-component system model] Next, the two-component system model integrates the input / output of the leaked water evaporation model part into the in-machine pressure balance model part to obtain the in-machine pressure balance considering the purge gas and the above two components. Using the output of the leakage water evaporation model part, (4) to (6) are rewritten as follows.
Figure 2009029659
(18)
Figure 2009029659
... (19)
Figure 2009029659
.... (20)

ただし、質量流量については、後述の質量保存モデルが算出するため、(20)は用いない。逆に、その結果を機内質量バランスへフィードバックするため、以下の計算を行う。

Figure 2009029659
・・・・・・・・・(21)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(22) However, (20) is not used for the mass flow rate because a mass conservation model described later is calculated. Conversely, the following calculation is performed to feed back the result to the in-machine mass balance.
Figure 2009029659
(21)
Figure 2009029659
.... (22)

[ラプチャー板排出モデル]ラプチャー板及びトップチャンバー(以下、ラプチャー板と総称)からの排出は、以下のようにモデル化できる。
(1)機内圧力、自重、外部からの大気圧力、(バネがあれば)バネのたわみ力を考慮し、ラプチャー板の運動方程式を解く。
(2)ラプチャー板の変位は、最小はゼロとし、最大は設定値とする。
(3)最小変位位置においては、加速度の下限値をゼロとするが上限値は設定しない。
最大変位位置においては、加速度の上限値をゼロとするが下限値は設定しない。
両者の間では、加速度の下限値上限値は設定しない。
(4)最小又は最大変位に達したら、速度は強制的にゼロになる(ハードストップ動作)。
(5)抵抗係数一定かつ非圧縮過程のもと、変位による開口面積から、機内圧と大気圧差で駆動される質量が流出する。流出速度の最小値はゼロとし、最大値は音速とする。
TCラプチャー板の運動については、上記(2)から(4)の制限のもとで、以下のようになる。なお、この制限下では、積分定数と区間を数式表現できないので、積分は不定表示とした。

Figure 2009029659
・・・・・・・・・(23)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(24)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(25)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(26) [Rupture Plate Discharge Model] Discharge from the rupture plate and the top chamber (hereinafter collectively referred to as a rupture plate) can be modeled as follows.
(1) Solve the equation of motion of the rupture plate taking into account the in-machine pressure, dead weight, atmospheric pressure from the outside, and the spring deflection force (if any).
(2) The minimum displacement of the rupture plate is zero, and the maximum is the set value.
(3) At the minimum displacement position, the lower limit value of acceleration is set to zero, but the upper limit value is not set.
At the maximum displacement position, the upper limit value of acceleration is set to zero, but the lower limit value is not set.
Between the two, no lower limit upper limit value of acceleration is set.
(4) When the minimum or maximum displacement is reached, the speed is forced to zero (hard stop operation).
(5) The mass driven by the difference between the internal pressure and the atmospheric pressure flows out from the opening area due to the displacement under a constant resistance coefficient and incompressible process. The minimum value of the outflow velocity is zero, and the maximum value is the sound velocity.
The movement of the TC rupture plate is as follows under the restrictions (2) to (4). Under this limitation, the integral constant and interval cannot be expressed in mathematical formulas, so the integral is displayed indefinitely.
Figure 2009029659
... (23)
Figure 2009029659
... (24)
Figure 2009029659
.... (25)
Figure 2009029659
.... (26)

TCラプチャー板は機構上の最大変位は定義されないので、受圧面積相当の開口面積となる変位を最大変位値とした。トップチャンバーも同様に得られる。

Figure 2009029659
・・・・・・・・・(27)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(28)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(29)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(30) Since the maximum displacement on the mechanism of the TC rupture plate is not defined, the displacement that corresponds to the opening area corresponding to the pressure receiving area is defined as the maximum displacement value. A top chamber is obtained as well.
Figure 2009029659
... (27)
Figure 2009029659
... (28)
Figure 2009029659
... (29)
Figure 2009029659
.... (30)

下部ラプチャー板も同様であるが、加速度の導出においてはバネ荷重を考慮する。

Figure 2009029659
・・・・・・・・・(31)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(32)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(33)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(34) The same applies to the lower rupture plate, but the spring load is taken into account when deriving the acceleration.
Figure 2009029659
... (31)
Figure 2009029659
.... (32)
Figure 2009029659
.... (33)
Figure 2009029659
.... (34)

[質量保存モデル]質量保存モデルは、ラプチャー板排出モデル部分の入出力を機内圧力バランスモデル部分に統合し、各ラプチャー板からの排出量を考慮した機内圧力バランスを得る。ラプチャー板排出モデル部分の出力を用いて、(7)を以下のように書き換える。

Figure 2009029659
・・・・・・・・・(35)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(36)
Figure 2009029659
・・・・・・・・・(37) [Mass Conservation Model] The mass conservation model integrates the input and output of the rupture plate discharge model part into the in-machine pressure balance model part, and obtains the in-machine pressure balance considering the discharge amount from each rupture plate. Using the output of the rupture plate discharge model part, (7) is rewritten as follows.
Figure 2009029659
... (35)
Figure 2009029659
.... (36)
Figure 2009029659
.... (37)

以上の全式を連立し、機内への水の漏洩量を時刻の関数として与えて、トップチャンバー変位量を各時刻において求解し、時間の関数として求める。   All the above formulas are combined, the amount of water leakage into the machine is given as a function of time, and the top chamber displacement is solved at each time to obtain it as a function of time.

本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置のクーラーのコイル部分を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the coil part of the cooler of the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置の冷却配管系を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the cooling piping system of the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置の各パラメータの相関関係を示す図である。It is a figure which shows the correlation of each parameter of the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置による冷却水流量に対する温度上昇を示すグラフである。It is a graph which shows the temperature rise with respect to the cooling water flow rate by the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置のクーラーのコイル部分の高さを変えた場合のパイプの内径と保水量の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the internal diameter of a pipe when the height of the coil part of the cooler of the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention, and a water retention amount. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置のラプチャー板のサイズを変えた場合の漏水時の蒸気の流出のシミュレーションを示すグラフである。It is a graph which shows the simulation of the outflow of the vapor | steam at the time of water leakage at the time of changing the size of the rupture board of the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置の初期漏洩水量に対する必要なラプチャー板のサイズを示すグラフである。It is a graph which shows the size of the required rupture board with respect to the initial amount of leaked water of the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置の各パラメータの設計の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the design of each parameter of the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置の冷却水流量と圧力損失の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the cooling water flow rate and pressure loss of the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置の冷却水流量と圧力損失の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the cooling water flow rate and pressure loss of the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置の冷却水流量と圧力損失の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the cooling water flow rate and pressure loss of the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置の冷却水流量と圧力損失の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the cooling water flow rate and pressure loss of the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置の冷却水流量と圧力損失の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the cooling water flow rate and pressure loss of the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の一例に係るCZ法単結晶引上げ装置の冷却水流量と圧力損失の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the cooling water flow rate and pressure loss of the CZ method single crystal pulling apparatus which concerns on an example of suitable embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 CZ法単結晶引上げ装置
10 クーラー
10a 上段パイプ
10b 下段パイプ
10c 石英ガラス
20 熱遮蔽板
21 ヒータ
30 ルツボ
31 シリコン融液
31a 種結晶
32 シリコンインゴット
40 モーター
41 エンコーダ
42 昇降ブロック
50 トップチャンバー
60 ラプチャー板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 CZ method single crystal pulling apparatus 10 Cooler 10a Upper stage pipe 10b Lower stage pipe 10c Quartz glass 20 Heat shielding board 21 Heater 30 Crucible 31 Silicon melt 31a Seed crystal 32 Silicon ingot 40 Motor 41 Encoder 42 Lifting block 50 Top chamber 60 Rupture board

Claims (8)

CZ法によりルツボ内の原料融液から単結晶を引上げる単結晶引上げ装置であって、
引上げ中の単結晶を冷却するクーラーを備える単結晶引上げ装置において、
前記クーラーを構成する冷却配管系を含み、
冷却水が流通する前記冷却配管系を前記単結晶の引上げ方向に複数の系統に分割して構成し、
前記冷却配管系の複数の系統の一からの漏洩水に対応可能なラプチャー板をトップチャンバに備えたことを特徴とする単結晶引上げ装置。
A single crystal pulling apparatus for pulling a single crystal from a raw material melt in a crucible by a CZ method,
In a single crystal pulling apparatus equipped with a cooler for cooling the single crystal being pulled,
Including a cooling piping system constituting the cooler,
The cooling pipe system through which the cooling water flows is divided into a plurality of systems in the pulling direction of the single crystal,
A single crystal pulling apparatus, wherein a top plate is provided with a rupture plate capable of handling leakage water from one of a plurality of systems of the cooling piping system.
前記冷却配管系の分割後の1系統当たりの冷却水の温度上昇が、分割する前の冷却水の温度上昇と同等以下となるように、前記冷却配管系の配管サイズを、分割する前より細く構成したことを特徴とする請求項1に記載の単結晶引上げ装置。   The pipe size of the cooling piping system is made thinner than before the division so that the temperature rise of the cooling water per system after the division of the cooling pipe system is equal to or less than the temperature rise of the cooling water before the division. The single crystal pulling apparatus according to claim 1, wherein the single crystal pulling apparatus is configured. 前記クーラーは前記単結晶の引上げ方向に移動可能としたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の単結晶引上げ装置。   The single crystal pulling apparatus according to claim 1, wherein the cooler is movable in a pulling direction of the single crystal. 前記クーラーは系統毎に独立して前記単結晶の引上げ方向に移動可能としたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の単結晶引上げ装置。   The single crystal pulling apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the cooler is movable in the pulling direction of the single crystal independently for each system. 前記単結晶の引上げ方向に複数の系統に分割した前記冷却配管系の間に炉内を観察するための空間を設けたことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の単結晶引上げ装置。   The single unit according to any one of claims 1 to 4, wherein a space for observing the inside of the furnace is provided between the cooling piping systems divided into a plurality of systems in the pulling direction of the single crystal. Crystal pulling device. 直径が略300mm以上の単結晶インゴットを引上げる単結晶引上げ装置において、前記冷却配管系を前記単結晶インゴットの引上げ方向に2つの系統に分割し、前記引上げ方向の高さを略200mm以上とし、前記ラプチャー板の直径を略270mm以下としたことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の単結晶引上げ装置。   In a single crystal pulling apparatus that pulls a single crystal ingot having a diameter of approximately 300 mm or more, the cooling pipe system is divided into two systems in the pulling direction of the single crystal ingot, and the height in the pulling direction is approximately 200 mm or more. The single crystal pulling apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein a diameter of the rupture plate is approximately 270 mm or less. 前記冷却配管系の配管サイズを略12.7mm以上かつ略17.0mm以下としたことを特徴とする請求項6に記載の単結晶引上げ装置。   The single crystal pulling apparatus according to claim 6, wherein a pipe size of the cooling pipe system is set to approximately 12.7 mm or more and approximately 17.0 mm or less. 前記冷却配管系の1系統当たりの配管の長さを略11m以下としたことを特徴とする請求項7に記載の単結晶引上げ装置。   The single crystal pulling apparatus according to claim 7, wherein the length of the pipe per one line of the cooling pipe system is set to about 11 m or less.
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