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JP2009029141A - 熱圧着性ポリイミドおよび積層体 - Google Patents

熱圧着性ポリイミドおよび積層体 Download PDF

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JP2009029141A
JP2009029141A JP2008241252A JP2008241252A JP2009029141A JP 2009029141 A JP2009029141 A JP 2009029141A JP 2008241252 A JP2008241252 A JP 2008241252A JP 2008241252 A JP2008241252 A JP 2008241252A JP 2009029141 A JP2009029141 A JP 2009029141A
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Tomohiko Yamamoto
智彦 山本
Toshihiko Abu
俊彦 阿武
Toshiyuki Nishino
敏之 西野
Takashi Amane
隆志 天根
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Ube Corp
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Ube Industries Ltd
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Abstract

【課題】 比較的緩和な条件で金属箔と積層でき、塩素系の溶剤に対する耐久性が優れ、かつガラス転移温度を幅広く制御できることにより接着条件を幅広く選択でき、かつ高温の使用にも耐えうる多層ポリイミドフィルムおよびそのフィルムを用いた金属層積層体を提供する。
【解決手段】 低熱膨張性の基体ポリイミド(X)層の少なくとも片面に、芳香族テトラカルボン酸二無水物残基と、芳香族ジアミン残基とからなるイミド単位を有する薄層ポリイミド(Y)が積層一体化されて、薄層ポリイミド(Y)のガラス転移温度(Tg)が210℃から310℃の範囲内で所望の値となるようにp−フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニルエ−テルの組成を変えて調整してなる多層ポリイミドフィルム、および該多層ポリイミドフィルムを用いた金属層積層体。
【選択図】なし

Description

この発明は、多層ポリイミドフィルム及び多層ポリイミドフィルムと金属層との積層体に関するものであり、特に低熱線膨張性の基体ポリイミド層の片面または両面に特定のポリイミド層が塗布法あるいは多層押出し流延製膜成形法などの成形法により積層されてなる多層ポリイミドフィルムおよびこのフィルムを用いた金属との積層体に関するものである。
従来、カメラ、パソコン、液晶ディスプレイなどの電子機器類への用途として芳香族ポリイミドフィルムは広く使用されている。芳香族ポリイミドフィルムをフレキシブルプリント板(FPC)やテ−プ・オ−トメイティッド・ボンディング(TAB)などの基板材料として使用するためには、エポキシ樹脂などの接着剤を用いて銅箔を張り合わせる方法が採用されている。
芳香族ポリイミドフィルムは耐熱性、機械的強度、電気的特性などが優れているが、エポキシ樹脂などの接着剤の耐熱性等が劣るため、本来のポリイミドの特性を損なうことが指摘されている。このような問題を解決するために、接着剤を使用しないでポリイミドフィルムに銅を電気メッキしたり、銅箔にポリアミック酸溶液を塗布し、乾燥、イミド化したり、熱可塑性のポリイミドを熱圧着させたオ−ルポリイミド基材も開発されている。
また、ポリイミドフィルムと金属箔との間にフィルム状ポリイミド接着剤をサンドイッチ状に接合させたポリイミドラミネ−トおよびその製法が知られている(特許文献1)。しかし、このポリイミドラミネ−トは、剥離強度(接着強度)が小さく使用が制限されるという問題がある。
これらの問題点を解決するため、出願人らにより特許文献2や特許文献3で多層押し出し法によるポリイミドフィルムの製造方法および材料が提案された。これらによって多くの問題点が解決されたが、公報に示された薄層部分に用いられる組成の材料では、塩素系の溶剤例えば塩化メチレンへの浸析により表面が溶解(フィルムの白化現象発生)する場合があり用途によっては問題となる場合がある。また、前記公報に具体的示されたモノマ−組成では溶融温度の細かい調整が困難である。実施例に示されるようなアミン末端封止剤の導入により接着性は改善されるが、反面上記溶剤での溶解、白化が促進されることがわかった。本溶剤は、配線基板の製造時の洗浄工程に用いられるものと思われる。
米国特許第4543295号公報 特公平7−102648号公報 特開平10−138318号公報
この発明の目的は、比較的緩和な条件で金属箔と積層でき、塩素系の溶剤に対する耐久性が優れ、かつガラス転移温度を幅広く制御できることにより接着条件を幅広く選択でき、かつ高温の使用にも耐えうることを多層ポリイミドフィルムおよびそのフィルムを用いた金属積層体を提供するものである。
この発明は、低熱膨張性の基体ポリイミド(X)層の少なくとも片面に下記式
Figure 2009029141
[式中、Ar1は3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物残基と2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物残基とが50:50〜90:10のモル比である芳香族テトラカルボン酸二無水物残基であり、Ar2は1、3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼンとp−フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニルエ−テルとが10:90〜100:0のモル比である芳香族ジアミン残基である。]で示されるイミド単位を有する薄層ポリイミド(Y)が積層一体化されてなり、該薄層ポリイミド(Y)のガラス転移温度(Tg)が210℃から310℃の範囲内で所望の値となるようにp−フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニルエ−テルの組成を変えて調整してなる多層ポリイミドフィルムに関するものである。また、この発明は、前記の多層ポリイミドフィルムと金属層とが、前記薄層ポリイミド(Y)を介して積層されてなる積層体に関するものである。
この発明によれば、以上のような構成を有しているため、比較的緩和な条件で金属箔と積層でき、塩素系の溶剤に対する耐久性が優れ、かつガラス転移温度を幅広く制御できることにより接着条件を幅広く選択でき、かつ高温の使用にも耐えうる多層ポリイミドフィルムを得ることができる。
また、この発明によれば、塩素系の溶剤に対する耐久性が優れ、かつ高温の使用にも耐えうる金属層積層ポリイミドフィルム積層体(フレキシブル金属箔積層体)を得ることができる。
以下にこの発明の好ましい態様を列記する。
1)基体ポリイミドが、下記式
Figure 2009029141
[式中、m/n(モル比)=100/0〜70/30である。]で示されるイミド単位を有する請求項1に記載の多層ポリイミドフィルム。
2)基体ポリイミド(X)を与える基体層用のポリアミック酸溶液と薄層ポリイミド(Y)を与える薄層用ポリアミック酸溶液とを共押出し流延製膜法によって基体ポリイミド(X)層の少なくとも片面に薄層ポリイミド(Y)を積層一体化してなる上記の多層ポリイミドフィルム。
3)基体ポリイミド(X)を与える基体層用のポリアミック酸溶液から形成された自己支持フィルムの少なくとも片面に薄層ポリイミド(Y)を与える薄層用ポリアミック酸溶液を薄く塗布し、加熱乾燥し、イミド化してなる上記の多層ポリイミドフィルム。
4)積層が、多層ポリイミドフィルムの薄層ポリイミド(Y)層と金属箔とを重ね合わせた後、加熱圧着してなる上記の積層体。
5)積層が、多層ポリイミドフィルムの薄層ポリイミド(Y)層に金属を蒸着法および/またはメッキ法によって金属層を形成してなる上記の積層体。
6)金属層の厚み(片面、合計厚み)が4〜35μm、好適には4〜9μmである上記の積層体。
この発明における多層ポリイミドフィルの基体ポリイミド層を構成する基体ポリイミドとして、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とp−フェニレンジアミンおよび4,4’−ジアミノジフェニルエ−テルとが100/0〜70/30である芳香族ジアミンとを重合、イミド化して得られるポリイミドのような回路用金属、特に銅に近い低線膨張係数を有しており有利である。また、電子技術分野において低線膨張係数を有するポリイミドフィルムを与えるポリイミドとして他の種類のポリイミドも同様に使用できることは勿論である。
この発明においては、多層ポリイミドフィルの薄層ポリイミド層を構成する薄層用ポリイミドとして、下記式
Figure 2009029141
[式中、Ar1は3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とが50:50〜90:10のモル比である芳香族テトラカルボン酸二無水物残基であり、Ar2は1、3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼンとp−フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニルエ−テルとが10:90〜100:0のモル比である芳香族ジアミン残基である。]で示されるイミド単位を有するポリイミドを使用することが必要である。
前記のイミド単位を有する薄層用ポリイミドは、好適には3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDAと略記することもある。)と2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(a−BPDAと略記することもある。)とが50:50〜90:10のモル比である芳香族テトラカルボン酸二無水物成分(成分とは、酸あるいは炭素数1〜4のアルキルアルコ−ルとのエステル化物をいう)と、1、3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼンとp−フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニルエ−テル、好適には4,4’−ジアミノジフェニルエ−テルとが10:90〜100:0のモル比である芳香族ジアミンとを重合、イミド化して得られるポリイミドが挙げられる。薄層用ポリイミドの特性を損なわない範囲で、前記のビフェニルテトラカルボン酸二無水物成分および芳香族ジアミンの一部を他の種類のテトラカルボン酸二無水物成分および/または芳香族ジアミンで置き換えてもよい。
前記の各成分の割合に関して、s−BPDAのモル比が多いほどガラス転移温度が多いほど低下し、a−BPDA100モル%で約260℃に対し、50モル%で250℃、また、10モル%で220℃程度まで低下し、高温でのハンダ耐熱性が低下する傾向がある。このため、アミン成分の1、3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼンをp−フェニレンジアミン(以下単にPPDと略記することもある。)やジアミノジフェニルエ−テル、特に4,4’−ジアミノジフェニルエ−テル(以下、単にDADEと略記することもある。)に置換することにより、塩化メチレンに溶解、表面の白化せず、かつ接着性を有したままガラス転移温度を60℃以上増加でき、ガラス転移温度を210℃から310℃程度まで任意に変化できる。更に高いガラス転移温度であっても接着は可能であるが、プレス時の温度が上昇し、生産性が著しく低下する。
また、塩素系の溶剤に対する溶解、白化の点から、酸過剰(従って、無水カルボン酸末端封止)を避けることが好ましい。さらに、Tgなどを組成で制御するため、分子量制御のためにアミン末端封止目的の無水カルボン酸を添加する必要はない。
前記の薄層用ポリイミドは、前記各成分を有機溶媒中、約100℃以下、特に20〜60℃の温度で反応させてポリアミック酸の溶液とし、このポリアミック酸の溶液あるいはポリアミック酸の溶液にさらに有機溶媒を加えてポリアミック酸濃度を調節したものをド−プとして使用し、基体ポリイミド層(基体ポリイミドのド−プ液膜あるいは基体ポリイミドの自己支持性フィルム)に前記のド−プ液の薄膜を形成し、50〜400℃で1〜30分間程度加熱乾燥して、その薄膜から溶媒を蒸発させ除去すると共にポリアミック酸をイミド環化することにより形成することができる。前記の薄層用ポリイミドを与えるポリアミック酸のド−プは、ポリアミック酸の濃度が1〜20重量%程度であることが好ましい。
この発明においては、前記の多層ポリイミドフィルムとしては、好適には熱圧着性とともに線膨張係数(50〜200℃)(MD)が30×10-6cm/cm/℃以下、特に15×10-6〜25×10-6cm/cm/℃で厚みが10〜150μmであるあるものが好ましく、また、引張弾性率(MD、ASTM−D882)が300kg/mm2以上であるものが好ましい。
前記の多層ポリイミドフィルムは、好適には共押出し−流延製膜法(単に、多層押出法ともいう。)によって基体用ポリイミドのド−プ液と薄層用ポリイミドのド−プ液とを積層、乾燥、イミド化して多層ポリイミドフィルムを得る方法、あるいは前記の基体用ポリイミドのド−プ液を支持体上に流延塗布し、乾燥した自己支持性フィルム(ゲルフィルム)の片面あるいは両面に薄層用ポリイミドのド−プ液を塗布し、乾燥、イミド化して多層ポリイミドフィルムを得る方法によって得ることができる。
前記のポリアミック酸のゲル化を制限する目的でリン系安定剤、例えば亜リン酸トリフェニル、リン酸トリフェニル等をポリアミック酸重合時に固形分(ポリマ−)濃度に対して0.01〜1%の範囲で添加することができる。また、イミド化促進の目的で、ド−プ液中にイミド化剤を添加することができる。例えば、イミダゾ−ル、2−イミダゾ−ル、1,2−ジメチルイミダゾ−ル、2−フェニルイミダゾ−ル、ベンズイミダゾ−ル、イソキノリン、置換ピリジンなどをポリアミック酸に対して0.05〜10重量%、特に0.1〜2重量%の割合で使用することができる。これらは比較的低温でイミドを完了することができる。
また、接着強度の安定化の目的で、熱圧着性ポリイミド原料ド−プに有機アルミニウム化合物、無機アルミニウム化合物または有機錫化合物を添加してもよい。例えば水酸化アルミニウム、アルミニウムトリアセチルアセトナ−トなどをポリアミック酸に対してアルミニウム金属として1ppm以上、特に1〜1000ppmの割合で添加することができる。
前記の基体層としてのポリイミドは、好適には3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミン(以下単にPPDと略記することもある。)と場合によりさらに4,4’−ジアミノジフェニルエ−テル(以下単にDADEと略記することもある。)とから製造される。この場合PPD/DADE(モル比)は100/0〜85/15であることが好ましい。さらに、基体層としてのポリイミドは、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)およびピロメリット酸二無水物(PMDA)とパラフェニレンジアミン(PPD)および4,4’−ジアミノジフェニルエ−テル(DADE)とから製造される。この場合、酸二無水物中BTDAが20〜90モル%、PMDAが10〜80モル%、ジアミン中PPDが30〜90モル%、DADEが10〜70モル%であることが好ましい。
また、上記の基体層としての耐熱性ポリイミドとしては、単独のポリイミドフィルムの場合にガラス転移温度が350℃以上か確認不可能であるものが好ましく、特に線膨張係数(50〜200℃)(MD)が5×10-6〜30×10-6cm/cm/℃であるものが好ましい。また、引張弾性率(MD、ASTM−D882)は300kg/mm2以上であるものが好ましい。この基体層ポリイミドの合成は、最終的に各成分の割合が前記範囲内であればランダム重合、ブロック重合、あるいはあらかじめ2種類のポリアミック酸を合成しておき両ポリアミック酸溶液を混合後反応条件下で混合して均一溶液とする、いずれの方法によっても達成される。
前記各成分を使用し、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物の略等モル量を、有機溶媒中で反応させてポリアミック酸の溶液(均一な溶液状態が保たれていれば一部がイミド化されていてもよい)とする。前記基体層ポリイミドの物性を損なわない種類と量の他の芳香族テトラカルボン酸二無水物や芳香族ジアミン、例えば4,4’−ジアミノジフェニルメタン等を使用してもよい。
前記のポリアミック酸製造に使用する有機溶媒は、基体層用ポリイミドおよび薄層用ポリイミドのいずれに対しても、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、N−メチルカプロラクタム、クレゾ−ル類などが挙げられる。これらの有機溶媒は単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
前記の多層ポリイミドフィルムの製造においては、例えば上記の基体層の耐熱性ポリイミドのポリアミック酸溶液と薄層用の熱圧着性ポリイミドまたはその前駆体の溶液を共押出して、これをステンレス鏡面、ベルト面等の支持体面上に流延塗布し、100〜200℃で半硬化状態またはそれ以前の乾燥状態とすることが好ましい。200℃を越えた高い温度で流延フィルムを処理すると、多層ポリイミドフィルムの製造において、接着性の低下などの欠陥を来す傾向にある。この半硬化状態またはそれ以前の状態とは、加熱および/または化学イミド化によって自己支持性の状態にあることを意味する。
前記の基体層ポリイミドを与えるポリアミック酸の溶液と、薄層用ポリイミドを与えるポリアミック酸の溶液との共押出しは、例えば特開平3−180343号公報(特公平7−102661号公報)に記載の共押出法によって三層の押出し成形用ダイスに供給し、支持体上にキャストしておこなうことができる。前記の基体層ポリイミドを与える押出し物層の片面あるいは両面に、薄層用ポリイミドを与えるポリアミック酸の溶液あるいはポリイミド溶液を積層して多層フィルム状物を形成して乾燥後、薄層用ポリイミドのガラス転移温度(Tg)以上で劣化が生じる温度以下の温度、好適には250〜420℃の温度(表面温度計で測定した表面温度)まで加熱して(好適にはこの温度で1〜60分間加熱して)乾燥およびイミド化して、基体層ポリイミドの片面あるいは両面に薄層用ポリイミドを有する多層押出しポリイミドフィルム、好適には熱圧着性多層押出しポリイミドフィルムを製造することができる。
前記の薄層ポリイミドは、前記の酸成分とジアミン成分とを使用することによって、好適にはガラス転移温度が190〜280℃、特に200〜275℃であって、好適には前記の条件で乾燥・イミド化して薄層(好適には熱圧着性の)ポリイミドのゲル化を実質的に起こさせないことによって達成される、ガラス転移温度以上で300℃以下の範囲内の温度で溶融せず、かつ弾性率(通常、275℃での弾性率が50℃での弾性率の0.001〜0.5倍程度)を保持しているものが好ましい。
前記の多層ポリイミドフィルムは、基体層ポリイミドのフィルム(層)の厚さが5〜125μmであることが好ましく、薄層ポリイミド(Y)層の厚さは1〜25μm、特に1〜15μm、その中でも特に2〜12μmが好ましい。また、前記の他の金属箔と積層される場合の薄層である熱圧着性ポリイミド(Y)層の厚さは、使用する他の金属箔の表面粗さ(Rz)以上であることが好ましい。特に、多層ポリイミドフィルムとして、両面に熱圧着性および/または柔軟性のポリイミド層を有し、全体の厚みが7〜50μm、特に7〜25μmであるもので、引張弾性率(25℃)が400〜1000kgf/mm2程度であるものが高密度化の点から好ましい。
この発明において多層ポリイミドフィルムに積層する金属層としては、銅、アルミニウム、鉄、金などの金属箔や金属膜あるいはこれら金属の合金箔や合金膜が挙げられるが、好適には圧延銅箔、電解銅箔、蒸着および/またはメッキ銅膜などがあげられる。金属箔として、表面粗度の余り大きくなくかつ余り小さくない、好適には薄層ポリイミドとの接触面のRzが3μm以下、特に0.5〜3μm、その中でも特に1.5〜3μmであるものが好ましい。このような金属箔、例えば銅箔はVLP、LP(またはHTE)として知られている。金属箔の厚さは特に制限はないが、35μm以下、好ましくは3〜18μm、特に3μm〜12μmであることが好ましい。また、Rzが小さい場合には、金属箔表面を表面処理したものを使用してもよい。
この発明においては、好適には前記の熱圧着性多層ポリイミドフィルムと金属箔とを、ロ−ルラミネ−トあるいはダブルベルトプレスなどの連続ラミネ−ト装置であって、熱圧着性多層ポリイミドフィルムのみあるいは熱圧着性多層ポリイミドフィルムと金属箔を導入する直前のインラインで150〜250℃程度、特に150℃より高く250℃以下の温度で2〜120秒間程度予熱できるように熱風供給装置や赤外線加熱機などの予熱器を用いて予熱して、加熱圧着して張り合わせることによって、フレキシブル金属箔積層体である積層体を得ることができる。前記のダブルベルトプレスは、加圧下に高温加熱−冷却を行うことができるものであって、熱媒を用いた液圧式のものが好ましい。前記のインラインとは原材料の繰り出し装置と連続ラミネ−ト装置の圧着部との間に予熱装置を設置し、直後に圧着できる装置配置になったものをいう。
特に、前記の積層体は、好適にはロ−ルラミネ−トまたはダブルベルトプレスの加熱圧着ゾ−ンの温度が熱圧着性ポリイミドのガラス転移温度より20℃以上高く400℃以下の温度、特にガラス転移温度より30℃以上高く400℃以下の温度で加圧下に熱圧着し、特にダブルベルトプレスの場合には引き続いて冷却ゾ−ンで加圧下に冷却して、好適には熱圧着性ポリイミドのガラス転移温度より20℃以上低い温度、特に30℃以上低い温度まで冷却して、積層することによって製造することができ、接着強度が大きい(90°剥離強度が0.7kg/cm以上、特に1kg/cm以上である。)。
前記の方法において、製品が片面金属箔のフレキシブル金属箔積層体である場合には、剥離容易な高耐熱性フィルム、例えば前記のRzが2μm未満の高耐熱性フィルムまたは金属箔、好適にはポリイミドフィルム(宇部興産社製、ユ−ピレックスS)やフッ素樹脂フィルムなどの高耐熱性樹脂フィルムや圧延銅箔などであって表面粗さが小さく(すなわち、回路用の金属層表面のRzより小さく)表面平滑性の良好な金属箔を保護材(剥離フィルム)として、熱圧着性ポリイミド層と他の金属面との間に介在させてもよい。この保護材は積層後、積層体から除いて巻き取ってもよく、保護材を積層したままで巻き取って使用時に取り除いてもよい。
前記の方法によって、特にダブルベルトを使用して、長尺で幅が約400mm以上、特に約500mm以上の幅広の、接着強度が大きく(90°剥離強度が0.7kg/cm以上、特に1kg/cm以上である。)、金属箔表面に皺が実質的に認めれられない程度の外観が良好な積層体を得ることができる。
また、この発明における積層体は、高耐熱性芳香族ポリイミド層の両面に柔軟性ポリイミドを積層一体化した多層ポリイミドフィルムをプラズマ放電などの放電処理して、蒸着法、スパッタリング法、メッキ法などによって金属膜を形成することによって得ることもできる。
前記の金属蒸着層の積層は、例えば、真空蒸着法、電子ビ−ム蒸着法、スパッタリング法などの物理化学的な蒸着法によって特に好適に行うことができる。蒸着法としては、真空度が10-7〜10-2Torr程度であり、蒸着速度が50〜5000Å/秒程度であって、さらに、蒸着基板(フィルム)の温度が20〜600℃程度であることが好ましい。スパッタリング法において、特にRFマグネットスパッタリング法が好適であり、その際の真空度が1Torr以下、特に10-3〜10-2Torr程度であり、基板(フィルム)温度が20〜450℃程度であって、その層の形成速度が0.5〜500Å/秒程度であることが好ましい。
前記の金属膜の材質としては、銅または銅合金、アルミニウム、パラジウムなどが挙げられる。下地層として、クロム、チタン、ニッケル、パラジウムなどを使用し、表面層として銅を使用してもよい。下地層の厚みは通常1μm以下程度である。また、このようにして得られた金属層に金属メッキ層を形成してもよく、その金属メッキ層の材質としては、銅、銅合金、銀などが挙げられる。金属メッキ層の形成方法としては、無電解メッキ法あるいは電解メッキ法のいずれでもよい。肉厚の金属膜は厚みが約1〜30μm、特に1〜12μm程度、その中でも3〜12μmであることが好ましい。また、前記のスパッタ・蒸着法を含めて金属膜形成を連続ロ−ルで行うことが好ましい。
この発明によって得られる積層体は、通常、金属層をエッチング処理した後、ポリイミド層をパンチング加工などの機械的処理あるいはレ−ザ−加工して、フィルムに貫通穴(スル−ホ−ル)を形成する。レ−ザ−加工の装置は、例えば特開平10−323786号公報に記載されているレ−ザ−加工装置を挙げることができる。また、レ−ザ−による穴あけ加工方法としては、例えば特開平6−142961号公報に記載されているレ−ザ−加工方法を挙げることができる。
例えば、レ−ザ−として、CO2、YAGレ−ザ−のように赤外領域の発振波長をもつレ−ザ−をそのまま、あるいは非線形型光学結晶に照射して取り出して発振波長が260〜400nm程度の範囲にある紫外領域にあるレ−ザ−を使用することができる。また、レ−ザ−加工は、例えばポリイミドフィルムの片面に金属層が積層された積層体の場合には、ポリイミド層に所定の断面形状を与えるマスクをして、レ−ザ−を照射して約30〜300μmφ、好適には約50〜100μmφの貫通穴を形成する。そして、レ−ザ−加工部を過マンガン酸カリ水溶液などの酸化剤によってデスミア処理した後、未加工の金属層にはパタ−ン形成して、基板とすることができる。
また、例えば多層ポリイミドフィルムの両面に金属層が積層された積層体の場合にはまた、片面の金属層を化学エッチングして所定形状のパタ−ン形成した後、残部の金属層をマスクとしてポリイミド層にレ−ザ−を照射して約30〜300μmφ、好適には約50〜100μmφの貫通穴を形成して、レ−ザ−加工部を前記と同様にデスミア処理した後、他の金属層にはパタ−ン形成して、基板とすることができる。
前記の方法によってレ−ザ−加工して得られる積層体およびメッキした基板は電子部品用基板として好適に使用できる。例えば、COF用のFPC、パッケ−ジ用TAB、多層基板のベ−ス基板として好適に使用することができる。
以下、この発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明する。以下の各例において、物性評価および金属箔積層体の剥離強度は以下の方法に従って測定した。
ガラス転移温度:DSCにて測定した。
結晶化度:XRD(X線回折)によって測定した。ピ−クが認められない場合、非結晶性と評価した。
線膨張係数:20〜200℃、5℃/分の昇温速度で測定(MD)した。
積層体の剥離強度:90°剥離強度を測定した。
耐熱性:金属箔積層体を260℃の半田浴に1分間浸漬して、膨れ、はがれ、変色の有無を観察した。膨れ、はがれ、変色の無い場合を耐熱性良好と判断した。
積層体の剥離強度:340℃に保った熱プレスを用い、電解銅箔(厚み35μm)をポリイミドフィルムと重ね、5分間予熱後、60Kgf/cm2 の圧力で1分間プレスを行い、銅箔積層体を得た。この積層体について,50mm/分で90°剥離強度を測定した。
耐溶剤性:塩化メチレンに室温(25℃)で5分間浸漬後、減圧下室温で2時間乾燥後の重量(浸析後重量)と浸漬前の重量:重量変化率()=(浸析後重量−浸析前重量)/浸析前重量×100、および目視による表面変化観察で評価(重量減の検出限界は±0.5%)
ガラス転移点:動的粘弾性測定装置を用いてTanδのピークの温度
実施例1
基体ポリイミド(X)製造用ド−プの合成
撹拌機、窒素導入管を備えた反応容器に、ジメチルアセトアミド(DMAc)を加え、さらに、パラフェニレンジアミン(PPD)と3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)とを1000:998のモル比でモノマ−濃度が18%(重量%、以下同じ)になるように加えた。添加終了後50℃を保ったまま3時間反応を続けた。得られたポリアミック酸溶液は褐色粘調液体であり、25℃における溶液粘度は約1500ポイズであった。なお、このポリアミック酸溶液から別途に製造した厚み50μmのポリイミドフィルムは、線膨張係数(50〜200℃)(MD)が15×10-6cm/cm/℃で、引張弾性率(MD、ASTM−D882)が756kg/mm2であった。
薄層用ポリイミド製造用ド−プの合成
撹拌機、窒素導入管を備えた反応容器に、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAC)を加え、さらに、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−R)を加えた。続いて2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(a−BPDA)、3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)と50:50のモル比として、TPE−R:(a−BPDA+s−BPDA)を1000:992のモル比でモノマー濃度が22%になるように、またトリフェニルホスフェートをモノマー重量に対して0.1%加えた。添加終了後25℃にて4時間反応を続け、淡褐色透明粘調なポリアミック酸溶液を得た。25℃における溶液粘度は約1500ポイズであった。
二層構造の多層ポリイミドフィルムの製造
二層押し出しダイスから、平滑な金属製支持体の上面に押し出して流延し、140℃の熱風で連続的に乾燥し、固化フィルム(自己支持性フィルム)を形成し、その固化フィルムを支持体から剥離した後、加熱炉で、200℃から350℃まで徐々に昇温して、溶媒を除去すると共にポリマ−のイミド化を行い、厚み35μm[薄層(Y)の厚み10μm、基体ポリイミド25μm]の二層構造の多層ポリイミドフィルムを製造した。
積層体の製造
この熱圧着性の薄層(Y)ポリイミドフィルム上に、35μmの銅箔を重ね合わせ、さらにその銅箔上に12μmのアルミニウム箔を重ね合わせて、それらの重ね合わせたものを熱プレス機内の加熱板間に配置し、340℃の温度で50kg/cm2の圧力で、5分間、熱圧着を行って、金属箔積層ポリイミドフィルムを製造した。このようにして得られたフィルムのガラス転移温度Tg、塩化メチレンに5分浸析後のフィルムの重量減少率と目視観察の結果および金属箔積層ポリイミドフィルムの90°剥離強度を表1に示した。
実施例2
薄層用ポリイミド層を得るために、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(a−BPDA)と3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)との割合を35:65のモル比とした以外は、実施例1と同様にして多層ポリイミドフィルムおよび金属箔積層ポリイミドフィルムを製造した。結果を表1に示す。
実施例3
薄層用ポリイミド層を得るために、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(a−BPDA)と3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)との割合を25:75のモル比とした以外は、実施例1と同様にして多層ポリイミドフィルムおよび金属箔積層ポリイミドフィルムを製造した。結果を表1に示す。
実施例4
薄層用ポリイミド層を得るために、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(a−BPDA)と3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)との割合を15:85のモル比とした以外は、実施例1と同様にして多層ポリイミドフィルムおよび金属箔積層ポリイミドフィルムを製造した。結果を表1に示す。
比較例1
薄層用ポリイミド層を得るために、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(a−BPDA)と3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)との割合を100:0のモル比とした以外は、実施例1と同様にして多層ポリイミドフィルムを製造した。塩化メチレン浸析後に重量が16.9%減少し、目視でも明らかに変質したものであった。
比較例2
薄層用ポリイミド層を得るために、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(a−BPDA)と3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)との割合を75:25のモル比とした以外は、実施例1と同様にして多層ポリイミドフィルムを製造した。塩化メチレン浸析後に重量が1.3%減少し、目視でも明らかに変質したものであった。
比較例3
薄層用ポリイミド層を得るために、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(a−BPDA)と3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)との割合を0:100のモル比とした以外は、実施例1と同様と同様にして多層ポリイミドフィルムおよび金属箔積層ポリイミドフィルムを製造した。金属箔積層ポリイミドフィルムの剥離強度が0gで全く接着していなかった。
Figure 2009029141
いずれも、重量減が±0.5%以下、表面目視○、剥離強度1.1kg/cm以上で、良好であった。
実施例5
薄層用ポリイミド製造用として、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAC)を加え、さらに、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−R)、4,4’−ジアミノジフェニルエ−テル(DADE)を75:25のモル比で加え、続いて、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(a−BPDA)、3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)を50:50のモル比で加えた以外は実施例1と同様にして、多層ポリイミドフィルムおよび金属箔積層ポリイミドフィルムを製造した。結果を表2に示す。
実施例6
薄層用ポリイミド製造用ド−プの合成における各成分の割合を、TPE−R:DADE=50:50、a−BPDA:s−BPDA=50:50のモル比とした以外は実施例5と同様にして、多層ポリイミドフィルムおよび金属箔積層ポリイミドフィルムを製造した。結果を表2に示す。
実施例7
薄層用ポリイミド製造用ド−プの合成における各成分の割合を、TPE−R:DADE=25:75、a−BPDA:s−BPDA=50:50のモル比とした以外は実施例5と同様にして、多層ポリイミドフィルムおよび金属箔積層ポリイミドフィルムを製造した。結果を表2に示す。
Figure 2009029141
いずれも、重量減が±0.5%以下、表面目視○、剥離強度0.8kg/cm以上で、良好であった。
実施例8
薄層用ポリイミド製造用として、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAC)を加え、さらに、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−R)、パラフェニレンジアミン(PPD)を10:90のモル比で加え、続いて、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(a−BPDA)、3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)を50:50のモル比で加えた以外は実施例5と同様にして、多層ポリイミドフィルムおよび金属箔積層ポリイミドフィルムを製造した。結果を表3に示す。
実施例9
薄層用ポリイミド製造用ド−プの合成における各成分の割合を、TPE−R:PPD=50:50、a−BPDA:s−BPDA=50:50のモル比とした以外は実施例5と同様にして、多層ポリイミドフィルムおよび金属箔積層ポリイミドフィルムを製造した。結果を表3に示す。
Figure 2009029141
いずれも、重量減が±0.5%以下、表面目視○、剥離強度0.9kg/cm以上で、良好であった。
実施例10
実施例1における薄層ポリイミド用ポリアミック酸溶液と基体ポリイミド用ポリアミック酸溶液とから、厚み構成:4μm/10μm/4μmの多層ポリイミドフィルムを得た。この多層ポリイミドフィルムと厚さ18μmの電解銅箔(三井金属鉱業社製、3EC−VLP、Rz:3.8μm)とを、ダブルベルトプレスに連続的に供給し、予熱後、加熱ゾ−ンの温度(最高加熱温度)380℃(設定)、冷却ゾ−ンの温度(最低冷却温度)117℃)で、連続的に加圧下に熱圧着−冷却して積層し、金属箔積層ポリイミドフィルム(幅:約530mm)であるロ−ル巻状物を得た。得られた金属箔積層ポリイミドフィルムは、実施例1と同等の特性を示した。

Claims (8)

  1. 低熱膨張性の基体ポリイミド(X)層の少なくとも片面に下記式
    Figure 2009029141
    [式中、Ar1は3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物残基と2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物残基とが50:50〜90:10のモル比である芳香族テトラカルボン酸二無水物残基であり、Ar2は1、3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼンとp−フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニルエ−テルとが10:90〜100:0のモル比である芳香族ジアミン残基である。]で示されるイミド単位を有する薄層ポリイミド(Y)が積層一体化されてなり、該薄層ポリイミド(Y)のガラス転移温度(Tg)が210℃から310℃の範囲内で所望の値となるようにp−フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニルエ−テルの組成を変えて調整してなる多層ポリイミドフィルム。
  2. 基体ポリイミドが、下記式
    Figure 2009029141
    [式中、m/n(モル比)=100/0〜70/30である。]で示されるイミド単位を有する請求項1に記載の多層ポリイミドフィルム。
  3. 基体ポリイミド(X)を与える基体層用のポリアミック酸溶液と薄層ポリイミド(Y)を与える薄層用ポリアミック酸溶液とを共押出し流延製膜法によって基体ポリイミド(X)層の少なくとも片面に薄層ポリイミド(Y)を積層一体化してなる請求項1に記載の多層ポリイミドフィルム。
  4. 基体ポリイミド(X)を与える基体層用のポリアミック酸溶液から形成された自己支持フィルムの少なくとも片面に薄層ポリイミド(Y)を与える薄層用ポリアミック酸溶液を薄く塗布し、加熱乾燥し、イミド化してなる請求項1に記載の多層ポリイミドフィルム。
  5. 請求項1〜3のいずれかに記載された多層ポリイミドフィルムと金属層とが、薄層ポリイミド(Y)を介して積層されてなる積層体。
  6. 積層が、多層ポリイミドフィルムの薄層ポリイミド(Y)層と金属箔とを重ね合わせた後、加熱圧着してなる請求項5に記載の積層体。
  7. 積層が、多層ポリイミドフィルムの薄層ポリイミド(Y)層に金属を蒸着法および/またはメッキ法によって金属層を形成してなる請求項5に記載の積層体。
  8. 金属層の厚み(片面、合計厚み)が4〜35μm、好適には4〜9μmである請求項4に記載の積層体。
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