JP2009028993A - Laminate for wiring board - Google Patents
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Abstract
【課題】低線膨張係数で、かつ耐熱性にも優れる配線基板用積層体、特に、FPCやHDDサスペンション用基板等の用途に有用な配線基板用積層体を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂層の片面又は両面に金属層を有する積層体において、ポリイミド樹脂層は2層以上の異なる樹脂層を有し、該樹脂層の少なくとも一層が特定の構造単位を10〜85モル%含有するポリイミド樹脂層(i)であり、少なくとも一層がポリイミド樹脂層(i)よりもガラス転移温度が低いポリイミド樹脂層(ii)からなり、ポリイミド樹脂層(i)の厚みは、ポリイミド樹脂層の全体の厚みの50%以上である配線基板用積層体。
【選択図】なしThe present invention provides a wiring board laminate having a low coefficient of linear expansion and excellent heat resistance, particularly a wiring board laminate useful for applications such as FPC and HDD suspension boards.
In a laminate having a metal layer on one or both sides of a polyimide resin layer, the polyimide resin layer has two or more different resin layers, and at least one of the resin layers has a specific structural unit of 10 to 85. It is a polyimide resin layer (i) containing mol%, and at least one layer is composed of a polyimide resin layer (ii) having a glass transition temperature lower than that of the polyimide resin layer (i), and the polyimide resin layer (i) has a thickness of polyimide resin A laminate for a wiring board that is 50% or more of the total thickness of the layer.
[Selection figure] None
Description
本発明は、フレキシブルプリント基板やHDDサスペンション等に用いられる配線基板用積層体に関する。 The present invention relates to a laminate for a wiring board used for a flexible printed board, an HDD suspension and the like.
近年、電子機器の高性能化、高機能化が急速に進んでおり、これに伴い電子機器に用いられる電子部品やそれらを実装する基板に対しても、より高密度で高性能なものへと要求が高まっている。一方、電子機器は益々軽量化、小型化、薄型化の傾向にあり、電子部品を収容するスペースは狭まる一方である。 In recent years, the performance and functionality of electronic devices have been rapidly increasing, and with this, electronic components used in electronic devices and the boards on which they are mounted have become higher density and higher performance. The demand is growing. On the other hand, electronic devices are becoming increasingly lighter, smaller, and thinner, and the space for housing electronic components is becoming narrower.
一般的に電子機器に使用されるフレキシブルプリント基板(以下、FPCという)の絶縁層には、耐熱性、電気特性、耐湿性等の諸特性に優れるポリイミド樹脂が広く用いられている。従来のポリイミド樹脂は構造が剛直で弾性率が高いため、例えばLCDモジュールに使用する際などには、反発力による剥がれや断線などの実装不良が起きたり、折り曲げ時の半径が大きくなるため余分にスペースが必要といった問題があった。また、近年、電子機器の高性能化、高機能化及び小型化が急速に進んでおり、これに伴い電子機器に用いられる電子部品やそれらを実装する基板に対しても、より高密度で高性能なものへの要求が高まっている。FPCに関しては、細線加工、多層形成等が行われるようになり、FPCを製造するために使用される配線基板用積層体についても、薄型化及び寸法安定性が厳しく要求されるようになってきた。 In general, polyimide resins having excellent characteristics such as heat resistance, electrical characteristics, and moisture resistance are widely used for insulating layers of flexible printed boards (hereinafter referred to as FPC) used in electronic devices. Conventional polyimide resin has a rigid structure and high elastic modulus.For example, when used in LCD modules, mounting failure such as peeling or disconnection due to repulsive force occurs, and the radius at the time of bending becomes extra. There was a problem of needing space. In recent years, electronic devices have been rapidly increasing in performance, functionality, and miniaturization. As a result, electronic components used in electronic devices and the boards on which they are mounted have higher density and higher performance. The demand for performance is increasing. With regard to FPC, fine wire processing, multilayer formation, etc. have been performed, and thinning and dimensional stability have also been strictly demanded for wiring board laminates used for manufacturing FPC. .
このような問題を解決するため、最近では、ポリイミド樹脂にも低弾性化が要求されるようになっている。低弾性ポリイミドを得るには、下記特許文献1に示されるように従来のポリイミド樹脂に低弾性フィラーを配合する方法やポリイミドシロキサンを使用する方法(特許文献2、3)、エポキシ樹脂等を混入する方法(特許文献4)がよく知られている。これにより、1×105〜1×1010Paまで任意の弾性率のポリイミドフィルムを容易に得ることができるが、一方で耐熱性の低下や、線膨張係数(CTE)の増大、ガラス転移温度の低下といった種々の問題が発生し、FPC用途として使用するには不向きであった。 In order to solve such a problem, recently, it is required that the polyimide resin also has low elasticity. In order to obtain a low-elasticity polyimide, as shown in Patent Document 1 below, a method of blending a low-elasticity filler with a conventional polyimide resin, a method using polyimidesiloxane (Patent Documents 2 and 3), an epoxy resin, etc. are mixed. The method (Patent Document 4) is well known. This makes it possible to easily obtain a polyimide film having an arbitrary modulus of elasticity from 1 × 10 5 to 1 × 10 10 Pa, but on the other hand, a decrease in heat resistance, an increase in linear expansion coefficient (CTE), and a glass transition temperature Various problems such as lowering of the frequency occurred and it was unsuitable for use as an FPC application.
また、最近では、接着層を形成しないで金属箔上に直接ポリイミド樹脂層を塗工形成する方法が採用されてきている。特許文献5には、ポリイミド樹脂層を線膨張係数の異なる複数のポリイミド樹脂で多層化することにより、接着力及び熱的寸法安定性に優れた配線基板用積層体を提供する方法が開示されている。しかしながら、そこで使用されているポリイミド樹脂は吸湿性が大きいため、半田浴に浸漬する際の膨れや、細線加工時の吸湿後の寸法変化による接続不良、吸湿後の寸法変化に伴う積層体の反り等、不具合の原因となることが懸念されていた。 Recently, a method of directly forming a polyimide resin layer on a metal foil without forming an adhesive layer has been adopted. Patent Document 5 discloses a method for providing a laminate for a wiring board having excellent adhesion and thermal dimensional stability by multilayering a polyimide resin layer with a plurality of polyimide resins having different linear expansion coefficients. Yes. However, since the polyimide resin used therein has a high hygroscopic property, it is swollen when immersed in a solder bath, poor connection due to dimensional changes after moisture absorption during thin wire processing, and warpage of the laminate due to dimensional changes after moisture absorption. There was a concern that it would cause problems.
このような背景から近年、優れた低吸湿性・吸湿後の寸法安定性を有するポリイミド樹脂への要求が高まっており、それに対する検討が種々行われている。例えば、フッ素系樹脂を導入することにより、疎水性を向上し低吸湿性を発現するポリイミド樹脂が提案されているが、製造コストがかさんだり、金属材料との接着性が悪いという欠点がある。その他、低吸湿性・低線膨張係数などの良好な特性を示すポリイミドも知られているが、高耐熱性等の他の特性が劣るものであった。 Against this background, in recent years, there has been an increasing demand for polyimide resins having excellent low hygroscopicity and dimensional stability after moisture absorption, and various studies have been conducted on such demands. For example, a polyimide resin that improves hydrophobicity and exhibits low hygroscopicity by introducing a fluorine-based resin has been proposed, but has disadvantages such as increased manufacturing costs and poor adhesion to metal materials. . In addition, polyimides exhibiting good characteristics such as low hygroscopicity and low linear expansion coefficient are also known, but other characteristics such as high heat resistance are inferior.
非特許文献1及び非特許文献2においては、フルオレン骨格を有するジアミンを用いたポリイミド樹脂についての報告がなされている。しかし、これらに記載のポリイミド樹脂は、精密な電気・電子機器の材料に用いるための性能を満足するものではなかった。 In Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2, there are reports on a polyimide resin using a diamine having a fluorene skeleton. However, the polyimide resins described in these documents do not satisfy the performance for use in materials for precision electrical and electronic equipment.
ところで、一般にフレキシブルプリント配線板に用いられる配線基板用積層体への孔あけ加工は、紫外線レーザ加工法やプラズマ加工法によるドライエッチング法が一般的に行われているが、これらに用いられる加工装置は高価な上、使用するガス代などランニングコストが高く、また、量産性が悪いなどという問題がある。ドライエッチング法を代替する方法として、有機アルカリやアルカリ水溶液による湿式エッチングが可能な材料が要望されてきたが、一般的にポリイミド樹脂のエッチング速度が速いと吸湿率も大きくなるため、エッチング速度が速く、同時に吸湿率も少ない材料の開発が望まれてきた。 By the way, in general, a dry etching method using an ultraviolet laser processing method or a plasma processing method is performed for drilling a laminated body for a wiring board used for a flexible printed wiring board. Is expensive, has a high running cost such as a gas cost to be used, and has a problem of low mass productivity. As an alternative to the dry etching method, a material capable of wet etching with an organic alkali or an alkaline aqueous solution has been demanded. However, generally, when the polyimide resin etching rate is high, the moisture absorption rate increases, so the etching rate is high. At the same time, development of materials with low moisture absorption has been desired.
FPCの製法を簡単に説明すると、ポリイミド樹脂層の片面又は両面に直接あるいはエポキシ樹脂などの接着剤を介して銅箔等の導体層を積層して配線基板用積層体としたのち、回路を形成することが一般的である。このポリイミド樹脂層は、テトラカルボン酸成分とジアミン成分とから製造されるポリイミド前駆体樹脂(ポリアミック酸)を、高温に加熱して脱水環化(イミド化)することにより得られる。このように、FPCに使用される配線基板用積層体は、薄い金属箔にポリアミック酸溶液を直接塗布し、加熱硬化しているため、金属箔とポリイミド樹脂のCTEの差が大きく異なると、硬化時に樹脂の収縮が起き、結果として、基板に反りやカールが発生したり、電子部品を実装する際に寸法が変化して正確な実装ができなくなるといった問題が起こるため、特に樹脂層のCTE増大の影響は深刻であった。 Briefly explaining the FPC manufacturing method, a circuit layer is formed after laminating a conductor layer such as copper foil directly on one or both sides of a polyimide resin layer or via an adhesive such as an epoxy resin to form a laminate for a wiring board. It is common to do. This polyimide resin layer is obtained by dehydrating and cyclizing (imidizing) a polyimide precursor resin (polyamic acid) produced from a tetracarboxylic acid component and a diamine component by heating to a high temperature. In this way, the laminate for a wiring board used for FPC is applied by directly applying a polyamic acid solution to a thin metal foil and heat-cured, so if the difference in CTE between the metal foil and the polyimide resin is greatly different, Resin contraction sometimes occurs, resulting in problems such as warping and curling of the board, and changes in dimensions when mounting electronic components, making accurate mounting impossible. The impact of was serious.
そこでこれまで、低弾性で低CTEのポリイミド樹脂の検討がされてきているが、元来、低弾性と低CTEは相反する性質であるため、この二つの性質を両立する物性を持つポリイミド樹脂の開発は容易ではなかった。実際、テトラカルボン酸成分とジアミン成分を複数種類組み合わせた検討なども成されたが、未だ十分な性能を持つポリイミド樹脂は得られていない。 So far, low-elasticity and low-CTE polyimide resins have been studied, but low-elasticity and low-CTE are inherently contradictory properties, so polyimide resins with physical properties that satisfy both of these two properties. Development was not easy. Actually, studies have been made on a combination of a plurality of tetracarboxylic acid components and diamine components, but a polyimide resin having sufficient performance has not yet been obtained.
本発明は、耐熱性に優れ、低線膨張係数を示し寸法安定性に優れるポリイミド樹脂層を有し、ポリイミド樹脂層と金属層との接着性が良好で、反りや半田耐熱膨れの無い配線基板用積層体を提供することを目的とする。また、本発明は、上記特性に加え、ポリイミド樹脂層が低吸湿性で低湿度膨張係数を示す配線基板用積層体を提供することを目的とし、他の目的は、上記特性に加え、ポリイミド樹脂層が低弾性を示す配線基板用積層体を提供することにある。更に、本発明は、ポリイミド樹脂層のエッチング特性も良好な配線基板用積層体を提供することを目的とする。 The present invention has a polyimide resin layer having excellent heat resistance, a low coefficient of linear expansion and excellent dimensional stability, good adhesion between the polyimide resin layer and the metal layer, and no warpage or solder heat expansion It aims at providing the laminated body for use. Another object of the present invention is to provide a laminate for a wiring board in which the polyimide resin layer has a low hygroscopic property and a low humidity expansion coefficient in addition to the above characteristics. An object of the present invention is to provide a laminate for a wiring board in which the layer exhibits low elasticity. Furthermore, this invention aims at providing the laminated body for wiring boards with the favorable etching characteristic of a polyimide resin layer.
本発明者等は、上記課題を解決するために検討を重ねた結果、複数層のポリイミド樹脂層を有する配線基板用積層体のポリイミド樹脂層を構成する樹脂層の1層に特定のポリイミド樹脂を用いたものとし、更に他の樹脂層を設けることで上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of repeated studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have added a specific polyimide resin to one of the resin layers constituting the polyimide resin layer of the laminate for a wiring board having a plurality of polyimide resin layers. It was used, and it discovered that the said subject could be solved by providing another resin layer, and came to complete this invention.
すなわち、本発明は、ポリイミド樹脂層の片面又は両面に金属層を有する積層体において、該ポリイミド樹脂層は2層以上の異なる樹脂層を有し、該樹脂層の少なくとも一層が下記一般式(1)で表される構造単位を10〜85モル%含有するポリイミド樹脂層(i)であり、該樹脂層の少なくとも一層がポリイミド樹脂層(i)よりもガラス転移温度が低いポリイミド樹脂層(ii)からなり、ポリイミド樹脂層(i)の厚みは、ポリイミド樹脂層の全体の厚みの50%以上であることを特徴とする配線基板用積層体である。
本発明の好ましい態様を次に示す。
ポリイミド樹脂層(i)の厚みがポリイミド樹脂層の全体の厚みの70〜95%である上記の配線基板用積層体。
ポリイミド樹脂層の線膨張係数が30ppm/K以下、吸湿率が1.0 wt%以下であり、ポリイミド樹脂層と金属層とのピール強度が0.8kN/m以上である上記の配線基板用積層体。
ポリイミド樹脂層の線膨張係数が30ppm/K以下、弾性率が4GPa以下であり、ポリイミド樹脂層と金属層とのピール強度が0.8kN/m以上である上記の配線基板用積層体。
エチレンジアミン11wt%、エチレングリコール22 wt%、水酸化カリウム33.5wt%からなるアルカリ水溶液をエッチング液として使用し、80℃でエッチングしたときのポリイミド樹脂層のエッチング速度が10μm/min以上である上記の配線基板用積層体。
A preferred embodiment of the present invention is shown below.
The laminate for a wiring board as described above, wherein the thickness of the polyimide resin layer (i) is 70 to 95% of the total thickness of the polyimide resin layer.
The laminate for a wiring board as described above, wherein the linear expansion coefficient of the polyimide resin layer is 30 ppm / K or less, the moisture absorption is 1.0 wt% or less, and the peel strength between the polyimide resin layer and the metal layer is 0.8 kN / m or more.
The laminate for a wiring board as described above, wherein the polyimide resin layer has a linear expansion coefficient of 30 ppm / K or less, an elastic modulus of 4 GPa or less, and a peel strength between the polyimide resin layer and the metal layer of 0.8 kN / m or more.
The above wiring wherein the etching rate of the polyimide resin layer is 10 μm / min or more when etched at 80 ° C. using an alkaline aqueous solution consisting of 11 wt% ethylene diamine, 22 wt% ethylene glycol and 33.5 wt% potassium hydroxide as an etching solution. Laminate for substrate.
以下に、本発明の配線基板用積層体について説明する。
本発明の配線基板用積層体は、ポリイミド樹脂層の片面又は両面に、金属層を有し、ポリイミド樹脂層は複数層によって構成されている。金属層としては、フレキシブルプリント配線板用途に使用する場合には、厚みが5〜50μm、好ましくは9〜30μmの銅箔が適しており、また、HDDサスペンション用基板として使用する場合には、厚みが5〜70μm、好ましくは10〜30μmのステンレス箔が適している。
Below, the laminated body for wiring boards of this invention is demonstrated.
The laminate for a wiring board of the present invention has a metal layer on one or both sides of a polyimide resin layer, and the polyimide resin layer is composed of a plurality of layers. As the metal layer, a copper foil with a thickness of 5 to 50 μm, preferably 9 to 30 μm is suitable when used for flexible printed wiring boards, and a thickness when used as a substrate for an HDD suspension. A stainless steel foil of 5 to 70 μm, preferably 10 to 30 μm is suitable.
本発明において、ポリイミド樹脂層の少なくとも一層は、一般式(1)で表される構造単位を10〜85モル%含有するポリイミド樹脂層(i)である。 In the present invention, at least one of the polyimide resin layers is a polyimide resin layer (i) containing 10 to 85 mol% of the structural unit represented by the general formula (1).
一般式(1)で表される構造単位は、具体的には下記式(a1)及び(b1)で表されるものがある。
ポリイミド樹脂層(i)は、式(a1)と(b1)で表される構造単位のいずれか又は両方を10〜85モル%以上含有する。 The polyimide resin layer (i) contains 10 to 85 mol% or more of either or both of the structural units represented by the formulas (a1) and (b1).
ポリイミド樹脂の製造方法は、ジアミンと芳香族酸二無水物を溶媒中で反応させる方法が一般的であるので、この方法で代表して説明するが、本発明で使用するポリイミド樹脂の製造方法はこれに限定されない。一般式(1)又は式(a1)及び(b1)で表される構造単位において、Ar1は芳香環を1個以上有する4価の有機基であり、芳香族酸二無水物から生じる残基ということができる。したがって、使用する芳香族酸二無水物を説明することによりAr1が理解される。好ましいAr1を、芳香族酸二無水物を用いて以下に説明する。 The method for producing a polyimide resin is generally a method in which a diamine and an aromatic acid dianhydride are reacted in a solvent. Therefore, the method for producing the polyimide resin used in the present invention is described as a representative example. It is not limited to this. In the structural unit represented by the general formula (1) or the formulas (a1) and (b1), Ar 1 is a tetravalent organic group having one or more aromatic rings and is a residue derived from an aromatic dianhydride. It can be said. Thus, Ar 1 is understood by describing the aromatic dianhydride used. Preferred Ar 1 is described below using an aromatic dianhydride.
上記芳香族酸二無水物としては、特に限定されるものではなく公知のものを使用することができる。具体例を挙げると、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3',4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-テトラクロロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3'',4,4''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3'',4''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ペリレン-2,3,8,9-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-4,5,10,11-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-5,6,11,12-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,7,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1, 2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,9,10-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4'-オキシジフタル酸二無水物などが挙げられる。また、これらは単独で使用してもよく又は2種以上併用することもできる。 It does not specifically limit as said aromatic acid dianhydride, A well-known thing can be used. Specific examples include pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2 , 3,3 ', 4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride , Naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6 , 7-Hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-2,3,6, 7-tetracarboxylic dianhydride, 2,6-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid Anhydride, 2,3,6,7-tetrachloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8- Tetrachloronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-biphenyltetracarboxylic Acid dianhydride, 2,3,3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3``, 4,4' '-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2' ', 3,3' '-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3``, 4' '-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (2, 3-Dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (2 , 3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3.4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) Sulfone dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarbo Xylphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, perylene-2,3,8,9-tetracarboxylic dianhydride, perylene-3,4,9 , 10-tetracarboxylic dianhydride, perylene-4,5,10,11-tetracarboxylic dianhydride, perylene-5,6,11,12-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2, 7,8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1, 2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,9,10-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1, 2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, thiophene-2 , 3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, and the like. Moreover, these may be used independently or can also be used together 2 or more types.
芳香族酸二無水物の選定にあたっては、具体的には重合加熱して得られるポリイミドのCTEと熱分解温度、ガラス転移温度(Tg)、湿度膨張係数など使用目的で必要とされる特性を発現するように選択することが好ましい。これらの中でも、低弾性かつ低CTEの見地からは、ピロメリット酸二無水物(PMDA)が好ましく用いられ、これを芳香族酸二無水物の主成分として使用することが好ましい。これは、式(b1)で表される構造単位を10モル%以上含有するポリイミド樹脂について効果的である。 In selecting aromatic dianhydrides, specifically, the characteristics required for the purpose of use such as CTE and thermal decomposition temperature, glass transition temperature (Tg), humidity expansion coefficient of polyimide obtained by polymerization and heating are expressed. It is preferable to select so as to. Among these, pyromellitic dianhydride (PMDA) is preferably used from the viewpoint of low elasticity and low CTE, and it is preferable to use this as the main component of aromatic dianhydride. This is effective for a polyimide resin containing 10 mol% or more of the structural unit represented by the formula (b1).
低湿度膨張係数の見地からは、ピロメリット酸二無水物(PMDA)、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、ナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、3,3",4,4"-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、4,4'-オキシジフタル酸二無水物、3,3'4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及びビス(2,3-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物から選ばれる少なくとも1種の芳香族テトラカルボン酸が好ましく、その中でも特に、PMDA、NTCDA及びBPDAから選ばれるものが好ましい。これは、式(a1)で表される構造単位を10モル%以上含有するポリイミド樹脂について効果的である。 From the viewpoint of low humidity expansion coefficient, pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), naphthalene-2,3,6,7- Tetracarboxylic dianhydride (NTCDA), naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ", 4,4" -p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 4, At least one aromatic tetra selected from 4'-oxydiphthalic dianhydride, 3,3'4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and bis (2,3-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride Carboxylic acids are preferred, and among them, those selected from PMDA, NTCDA and BPDA are particularly preferred. This is effective for a polyimide resin containing 10 mol% or more of the structural unit represented by the formula (a1).
ポリイミド樹脂層(i)を構成するポリイミド樹脂の合成で必須の成分として使用されるジアミンは、下記式(2)で表される芳香族ジアミン(以下、ABPNともいう)又は(3)式で表される芳香族ジアミン(以下、ABFともいう)である。そして、ABPNは式(a1)で表される構造単位を与え、ABFは式 (b1)で表される構造単位を与える。以下、ポリイミド樹脂層(i)を構成するポリイミド樹脂を、ポリイミド樹脂(i)ともいう。 The diamine used as an essential component in the synthesis of the polyimide resin constituting the polyimide resin layer (i) is represented by the aromatic diamine represented by the following formula (2) (hereinafter also referred to as ABPN) or the formula (3). Aromatic diamine (hereinafter also referred to as ABF). ABPN gives the structural unit represented by the formula (a1), and ABF gives the structural unit represented by the formula (b1). Hereinafter, the polyimide resin constituting the polyimide resin layer (i) is also referred to as polyimide resin (i).
式(2)で表される芳香族ジアミンは、1,5-ジニトロフルオレノンのケトン部分を過酸によりエステル基に酸化して、3,8-ジニトロジベンゾピラノンを合成する工程及び、二つのニトロ基を還元してジアミンとし、目的とする芳香族ジアミンとしての3,8-ジアミノジベンゾピラノンを得る工程から得ることができる。 The aromatic diamine represented by the formula (2) comprises a step of synthesizing 3,8-dinitrodibenzopyranone by oxidizing the ketone portion of 1,5-dinitrofluorenone to an ester group with a peracid, and two nitro It can be obtained from the step of reducing the group to give diamine and obtaining 3,8-diaminodibenzopyranone as the desired aromatic diamine.
ポリイミド樹脂(i)は、芳香族酸二無水物と式(2)又は(3)で表される芳香族ジアミンを10〜85モル%含むジアミンとを反応させて得ることができる。本発明においては、上記式(2)又は(3)で表される芳香族ジアミンと共に、それ以外の他のジアミンを15〜90モル%の割合で使用し、共重合型のポリイミド樹脂とする。 The polyimide resin (i) can be obtained by reacting an aromatic dianhydride and a diamine containing 10 to 85 mol% of the aromatic diamine represented by the formula (2) or (3). In the present invention, together with the aromatic diamine represented by the above formula (2) or (3), other diamines other than the aromatic diamine are used in a proportion of 15 to 90 mol% to obtain a copolymer type polyimide resin.
ポリイミド樹脂(i)を得るために使用されるジアミン中、ABPN又はABFの量が10モル%未満であると、耐熱性と低CTEを満足するポリイミド樹脂を得ることが困難となる一方、85モル%を越えるとポリイミド樹脂層を多層化する場合に気泡が生じやすく、多層化が困難である。ここで、ジアミンにABPNを用いる場合、その量が10モル%未満であると低吸湿性と低CTEを満足するポリイミド樹脂を得ることが困難となり、ABPNの量が85モル%を越えると、ポリイミド樹脂層と金属層や他のポリイミド樹脂層との接着性が悪くなるという問題が発生する。この観点から、50〜85モル%が好ましい。また、ABFを使用する場合、その量が10モル%未満であると低弾性と低CTEを満足するポリイミド樹脂を得ることが困難となるが、ABFの量が85モル%を越えると、弾性率が高くなるためフレキシブル性や耐屈曲性の要求される配線基板用途に適さない。この観点から、ABFとABPNの量(両者を使用する場合は、合計量)は30〜70モル%の範囲であることが好ましい。 In the diamine used to obtain the polyimide resin (i), when the amount of ABPN or ABF is less than 10 mol%, it is difficult to obtain a polyimide resin satisfying heat resistance and low CTE, while 85 mol If it exceeds 50%, bubbles are likely to be formed when the polyimide resin layer is multilayered, and it is difficult to multilayer. Here, when ABPN is used as the diamine, it is difficult to obtain a polyimide resin satisfying low hygroscopicity and low CTE when the amount is less than 10 mol%, and when the amount of ABPN exceeds 85 mol%, the polyimide There arises a problem that the adhesion between the resin layer and the metal layer or another polyimide resin layer is deteriorated. In this respect, 50 to 85 mol% is preferable. Also, when using ABF, it is difficult to obtain a polyimide resin satisfying low elasticity and low CTE if the amount is less than 10 mol%, but if the amount of ABF exceeds 85 mol%, the elastic modulus Therefore, it is not suitable for wiring board applications that require flexibility and bending resistance. From this viewpoint, the amount of ABF and ABPN (the total amount when both are used) is preferably in the range of 30 to 70 mol%.
式(2)又は(3)で表される芳香族ジアミン以外に、共重合に使用されるジアミンとしては、特に限定されるものではないが、例を挙げると、4,6-ジメチル-m-フェニレンジアミン、2,5-ジメチル-p-フェニレンジアミン、2,4-ジアミノメシチレン、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノジフェニルメタン、3,5,3',5'-テトラメチル-4,4'-ジアミノジフェニルメタン、2,4-トルエンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、4,4'-ジアミノジフェニルプロパン、3,3'-ジアミノジフェニルプロパン、4,4'-ジアミノジフェニルエタン、3,3'-ジアミノジフェニルエタン、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、3,3'-ジアミノジフェニルメタン、2,2-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、4,4'-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3'-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、3,3'-ジアミノジフェニルスルホン、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,3'-ジアミノジフェニルエーテル、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、ベンジジン、3,3'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメトキシベンジジン、4,4"-ジアミノ-p-ターフェニル、3,3"-ジアミノ-p-ターフェニル、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジンなどが挙げられる。これらは単独でも又は2種以上併用することもできる。 In addition to the aromatic diamine represented by the formula (2) or (3), the diamine used for the copolymerization is not particularly limited, but for example, 4,6-dimethyl-m- Phenylenediamine, 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine, 2,4-diaminomesitylene, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,5,3 ', 5'-tetramethyl-4 , 4'-diaminodiphenylmethane, 2,4-toluenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenylethane 3,3'-diaminodiphenylethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, 2,2-bis [4- (4 -Aminophenoxy) phenyl] propane, 4,4'-diaminodiphenyls Rufide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, benzidine, 3,3'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl -4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxybenzidine, 4,4 "-diamino-p-terphenyl, 3,3" -diamino-p-terphenyl, bis (p-aminocyclohexyl) methane, Bis (p-β-amino-t-butylphenyl) ether, bis (p-β-methyl-δ-aminopentyl) benzene, p-bis (2-methyl-4-aminopentyl) benzene, p-bis (1 , 1-Dimethyl-5-aminopentyl) benzene, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diamino Naphthalene, 2,4-bis (β-amino-t-butyl) toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene-2,5-diamine, p-xylene-2,5-diamine, m-xylylenediamine , P-xylylenediamine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazole, piperazine and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
これらの中でも、ABPNと併用する場合は、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE-R)、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE-Q)、ジアミノジフェニルエーテル(DAPE)、2,7-ビス(4-アミノフェノキシ)ナフタレン(NBOA)、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)などが好ましく用いられる。また、これらのジアミンを用いる場合、その好ましい使用割合は、全ジアミンの15〜60モル%、より好ましくは15〜50モル%の範囲である。 Among these, when used in combination with ABPN, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (APB), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-R), 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-Q), diaminodiphenyl ether (DAPE), 2,7-bis (4-aminophenoxy) naphthalene (NBOA), 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl Propane (BAPP) or the like is preferably used. Moreover, when using these diamines, the preferable usage rate is 15-60 mol% of all the diamine, More preferably, it is the range of 15-50 mol%.
ABFと併用する場合は、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル(DAPE)、パラフェニレンジアミン(PDA)、2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル(m-TB)、 4,4'-ジアミノジフェニルメタン(MDA)が好ましく用いられる。また、これらのジアミンを用いる場合、その使用割合は、好ましくは全ジアミンの30〜70モル%の範囲である。これらのジアミン成分を混合して用いることにより、金属箔と同程度のCTEに調整することができ、実用的に要求される30ppm/℃以下の値に調整することが可能である。それにより積層体の反り、カールなどの発生を抑制することが可能である。 When used in combination with ABF, 4,4'-diaminodiphenyl ether (DAPE), paraphenylenediamine (PDA), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB), 4,4'- Diaminodiphenylmethane (MDA) is preferably used. Moreover, when using these diamines, the use ratio is preferably in the range of 30 to 70 mol% of the total diamines. By mixing and using these diamine components, the CTE can be adjusted to the same level as that of the metal foil, and can be adjusted to a practically required value of 30 ppm / ° C. or less. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of warping, curling, and the like of the laminated body.
本発明の配線基板用積層体中のポリイミド樹脂層は、ポリイミド樹脂層(i)の他に少なくとも1層のポリイミド樹脂層(ii)を有する。ポリイミド樹脂層(ii)はポリイミド樹脂層(i)とは、異なるポリイミド樹脂層であり、一般式(1)で表される構造単位を有しないか、10〜85モル%の範囲ではこの構造単位を有しない。有利には、有しないか、5モル%以上は有しない。 The polyimide resin layer in the laminate for a wiring board of the present invention has at least one polyimide resin layer (ii) in addition to the polyimide resin layer (i). The polyimide resin layer (ii) is a polyimide resin layer different from the polyimide resin layer (i) and does not have the structural unit represented by the general formula (1) or is in the range of 10 to 85 mol%. Does not have. Advantageously, it does not have or does not have more than 5 mol%.
ポリイミド樹脂層(ii)は、ポリイミド樹脂層(i)よりもガラス転移温度(Tg)が低い必要があるが、200℃以上のTgを有する熱可塑性樹脂が好ましい。より好ましくは、Tgが200〜350℃の範囲にある熱可塑性樹脂である。ポリイミド樹脂層(ii)を構成するポリイミド樹脂(ii)は、上記物性を満足する限り、公知のポリイミド樹脂であることができ、上記した酸二無水物成分とジアミン成分から得ることができる。 The polyimide resin layer (ii) needs to have a glass transition temperature (Tg) lower than that of the polyimide resin layer (i), but a thermoplastic resin having a Tg of 200 ° C. or higher is preferable. More preferably, it is a thermoplastic resin having a Tg in the range of 200 to 350 ° C. The polyimide resin (ii) constituting the polyimide resin layer (ii) can be a known polyimide resin as long as the above physical properties are satisfied, and can be obtained from the acid dianhydride component and the diamine component described above.
ポリイミド樹脂層(ii)を構成するポリイミド樹脂(ii)を製造するために用いられる好ましい酸二無水物成分としては、ピロメリット酸二無水物(PMDA)、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、3,3',4,4'-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)、4,4'-オキシジフタル酸二無水物(ODPA)などの芳香族酸二無水物が例示される。 Preferred acid dianhydride components used for producing the polyimide resin (ii) constituting the polyimide resin layer (ii) include pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3 ', 4,4'- Biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA), 3,3', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride Aromatic acid dianhydrides such as (DSDA), 4,4′-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) are exemplified.
ジアミン成分としては、2,2-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン(BAPP)、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン(BAPS)、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル(3,4'-DAPE)、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル(4,4'-DAPE)、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE-Q)、4,4'-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル(BAPB)、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE-R)、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)-2,2-ジメチルプロパン(DANPG)などの芳香族ジアミンが好ましいものとして例示される。 Examples of the diamine component include 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane (BAPP), bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone (BAPS), 3,4′-diaminodiphenyl ether (3,4 '-DAPE), 4,4'-diaminodiphenyl ether (4,4'-DAPE), 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-Q), 4,4'-bis (4-aminophenoxy) ) Biphenyl (BAPB), 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (APB), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-R), 1,3-bis (4-aminophenoxy) Aromatic diamines such as -2,2-dimethylpropane (DANPG) are preferred.
ポリイミド樹脂層を形成するためのポリアミド酸は、上記に示した芳香族ジアミン成分と芳香族テトラカルボン酸二無水物成分とを実質的に等モル使用し、有機極性溶媒中で重合する公知の方法によって製造することができる。すなわち、窒素気流下N,N-ジメチルアセトアミドなどの有機極性溶媒に上記ジアミンを溶解させた後、上記芳香族テトラカルボン酸二無水物を加えて、室温で3時間程度反応させることにより得られる。 The polyamic acid for forming the polyimide resin layer is a known method in which the aromatic diamine component and the aromatic tetracarboxylic dianhydride component shown above are used in substantially equimolar amounts and polymerized in an organic polar solvent. Can be manufactured by. That is, it can be obtained by dissolving the diamine in an organic polar solvent such as N, N-dimethylacetamide under a nitrogen stream and then adding the aromatic tetracarboxylic dianhydride and reacting at room temperature for about 3 hours.
本発明の配線基板用積層体は、例えば、上記反応により得られたポリアミド酸溶液を、支持体となる金属箔上あるいは金属箔上に形成された樹脂層上に、アプリケータなどを用いて塗布し、150℃以下の温度で2〜20分予備乾燥した後、通常130〜360℃程度の温度で2〜30分程度熱処理して溶剤除去、イミド化することにより得ることができる。本発明の配線基板用積層体は複数層のポリイミド樹脂層を有するため、ポリアミド酸溶液を塗布して乾燥する操作を繰り返した後、熱処理して溶剤除去し、これを更に高温で熱処理してイミド化することにより、ポリイミド樹脂層を形成できる。この時、形成されるポリイミド樹脂層の総厚みは、3〜75μmの範囲が好ましい。本発明では、ポリイミド樹脂層の全厚みに対する、ポリイミド樹脂層(i)の厚み範囲は、50%以上である必要があるが、好ましくは70%以上、95%以下の範囲とすることがよい。ポリイミド樹脂層(ii)の厚み範囲は、50%未満である必要があるが、好ましくは5〜30%の範囲とすることがよい。 The laminate for a wiring board of the present invention, for example, applies the polyamic acid solution obtained by the above reaction onto a metal foil serving as a support or a resin layer formed on the metal foil using an applicator or the like. Then, after preliminary drying at a temperature of 150 ° C. or lower for 2 to 20 minutes, it is usually obtained by heat treatment at a temperature of about 130 to 360 ° C. for about 2 to 30 minutes to remove the solvent and imidize. Since the laminate for a wiring board of the present invention has a plurality of polyimide resin layers, after repeating the operation of applying a polyamic acid solution and drying, heat treatment is performed to remove the solvent, and this is further heat treated at a high temperature to obtain an imide. By forming, a polyimide resin layer can be formed. At this time, the total thickness of the formed polyimide resin layer is preferably in the range of 3 to 75 μm. In the present invention, the thickness range of the polyimide resin layer (i) with respect to the total thickness of the polyimide resin layer needs to be 50% or more, preferably 70% or more and 95% or less. The thickness range of the polyimide resin layer (ii) needs to be less than 50%, but is preferably in the range of 5 to 30%.
ポリイミド樹脂層を形成するために使用するポリアミド酸及びポリイミドの重合度は、ポリアミド酸溶液の粘度範囲で表したとき、溶液粘度が500cP〜200,000cPの範囲にあることが好ましい。溶液粘度の測定は、恒温水槽付のコーンプレート式粘度計によって行うことができる。 The degree of polymerization of the polyamic acid and the polyimide used for forming the polyimide resin layer is preferably in the range of 500 cP to 200,000 cP when the polyamic acid solution is expressed in the viscosity range of the polyamic acid solution. The solution viscosity can be measured with a cone plate viscometer with a thermostatic water bath.
また、両面に金属箔を有する配線基板用積層体を製造する場合は、上記方法により得られた片面配線基板用積層体のポリイミド樹脂層上に、直接あるいは接着層を形成した後、金属箔を加熱圧着することにより得られる。この加熱圧着時の熱プレス温度については、特に限定されるものではないが、使用されるポリイミド樹脂のガラス転移温度以上であることが望ましい。また、熱プレス圧力については、使用するプレス機器の種類にもよるが、1〜500kg/cm2の範囲であることが望ましい。更に、このとき用いられる好ましい金属箔は、上記した金属箔と同様のものを用いることができ、その好ましい厚みも50μm以下、より好ましくは5〜40μmの範囲である。 Moreover, when manufacturing the laminated body for wiring boards which has metal foil on both surfaces, after forming a metal foil directly or after forming an adhesive layer on the polyimide resin layer of the laminated body for single-sided wiring boards obtained by the said method, It is obtained by thermocompression bonding. The hot pressing temperature at the time of the thermocompression bonding is not particularly limited, but it is desirable to be not lower than the glass transition temperature of the polyimide resin used. The hot press pressure is preferably in the range of 1 to 500 kg / cm 2 , although it depends on the type of press equipment used. Furthermore, the preferable metal foil used at this time can use the thing similar to the above-mentioned metal foil, The preferable thickness is also 50 micrometers or less, More preferably, it is the range of 5-40 micrometers.
本発明の配線基板用積層体を構成するポリイミド樹脂層(i)は、式(2)又は(3)で表される芳香族ジアミンと、これと併せて使用される他の芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸又はその酸二無水物との種々の組み合わせにより特性を制御することができる。 The polyimide resin layer (i) constituting the laminate for a wiring board of the present invention comprises an aromatic diamine represented by the formula (2) or (3) and other aromatic diamines used in combination with the aromatic diamine. The properties can be controlled by various combinations with the group tetracarboxylic acids or their acid dianhydrides.
式(a1)で表される構造単位を有するポリイミド樹脂層を用いた場合、線膨張係数が30ppm/K以下、有利には25ppm/K以下であり、吸湿率が1.1以下であるポリイミド樹脂層とすることができ、また、上記ポリイミド樹脂層(ii)を設けることで、ポリイミド樹脂層と金属層とのピール強度が0.8kN/m以上の配線基板用積層体を得ることができる。ここで、ポリイミド樹脂層の線膨張係数が30ppm/Kを超えると、カールが発生したり、ポリイミド樹脂層の収縮が大きすぎてうまく加工できないなどの諸問題が発生しやすく、また、吸湿率が1.1を超えると半田耐熱膨れが生じやすくなる。 When a polyimide resin layer having a structural unit represented by the formula (a1) is used, a polyimide resin layer having a linear expansion coefficient of 30 ppm / K or less, preferably 25 ppm / K or less and a moisture absorption of 1.1 or less, In addition, by providing the polyimide resin layer (ii), a laminate for a wiring board having a peel strength of 0.8 kN / m or more between the polyimide resin layer and the metal layer can be obtained. Here, when the linear expansion coefficient of the polyimide resin layer exceeds 30 ppm / K, various problems such as curling or the polyimide resin layer shrinkage being too large to be processed well, and the moisture absorption rate are likely to occur. If it exceeds 1.1, solder heat bulge tends to occur.
また、式(b1)で表される構造単位を有するポリイミド樹脂層を用いた場合、線膨張係数が30ppm/K以下、有利には25ppm/K以下であり、25℃における弾性率が4GPa以下、好ましくは1〜3GPaであるポリイミド樹脂層とすることができ、上記ポリイミド樹脂層(ii)を設けることで、ポリイミド樹脂層と金属層とのピール強度が0.8kN/m以上の配線基板用積層体を得ることができる。ポリイミド樹脂層の弾性率が4GPaを超えると、反発力による剥がれや断線などの実装不良が起きたり、折り曲げ時の半径が大きくなるなどして、配線基板の高性能化、高機能化の妨げとなりやすく、また、配線基板用積層体としたときに十分な屈曲特性が得られにくい。 Further, when a polyimide resin layer having a structural unit represented by the formula (b1) is used, the linear expansion coefficient is 30 ppm / K or less, preferably 25 ppm / K or less, and the elastic modulus at 25 ° C. is 4 GPa or less. Preferably, it can be a polyimide resin layer of 1 to 3 GPa, and by providing the polyimide resin layer (ii), a laminate for a wiring board having a peel strength between the polyimide resin layer and the metal layer of 0.8 kN / m or more. Can be obtained. If the elastic modulus of the polyimide resin layer exceeds 4 GPa, mounting defects such as peeling or disconnection due to repulsive force may occur, or the radius at the time of bending may be increased, which hinders high performance and high functionality of the wiring board. In addition, it is difficult to obtain sufficient bending characteristics when a laminated body for a wiring board is obtained.
本発明の配線基板用積層体のポリイミド樹脂層は、上述した要件を満たすと同時に、エチレンジアミン11wt%、エチレングリコール22 wt%、水酸化カリウム33.5wt%からなるアルカリ水溶液をエッチング液として使用し、80℃でエッチングしたときのエッチング速度が10μm/min以上であることが好ましい。 The polyimide resin layer of the laminate for a wiring board of the present invention satisfies the above-described requirements, and at the same time uses an alkaline aqueous solution consisting of 11 wt% ethylenediamine, 22 wt% ethylene glycol, and 33.5 wt% potassium hydroxide as an etching solution. It is preferable that the etching rate when etching is performed at a temperature of 10 μm / min or more.
本発明の配線基板用積層体は、低線膨張係数で、かつ耐熱性にも優れており、配線基板用積層体として有用である。特に、FPCやHDDサスペンション用基板等の用途に有用である。また、式(a1)で表される構造単位を含むポリイミド樹脂層を有する配線基板用積層体は、耐熱性に優れ、低吸湿、かつ寸法安定性にも優れており、接着層由来の諸問題を伴わずに湿度による反りを抑制する効果をも有し、ポリイミド樹脂層のエッチング速度も優れている。また、式(b1)で表される構造単位を含むポリイミド樹脂層は、低線膨張係数で、耐熱性で、低弾性である。 The laminate for a wiring board of the present invention has a low coefficient of linear expansion and excellent heat resistance, and is useful as a laminate for a wiring board. It is particularly useful for applications such as FPC and HDD suspension substrates. In addition, the laminate for a wiring board having a polyimide resin layer containing the structural unit represented by the formula (a1) has excellent heat resistance, low moisture absorption, and excellent dimensional stability. And has an effect of suppressing warpage due to humidity, and the etching rate of the polyimide resin layer is also excellent. Further, the polyimide resin layer containing the structural unit represented by the formula (b1) has a low linear expansion coefficient, heat resistance, and low elasticity.
以下、実施例に基づいて本発明の内容を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例の範囲に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although the content of this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited to the range of these Examples.
実施例等に用いた略号を下記に示す。
・ABPN:3,8-ジアミノジベンゾピラノン
・DAF:2,7-ジアミノフルオレン
・ABF:3,7-ジアミノジベンゾフラン
・m-TB:2,2'-ジアミノ-4,4'-ジアミノビフェニル
・4,4'-DAPE:4,4'-ジアミノジフェニルエーテル
・3,4'-DAPE:3,4'-ジアミノジフェニルエーテル
・TPE-Q:1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン
・TPE-R:1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン
・APB:1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン
・BAPP:2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
・DABA:4,4'-ジアミノベンズアニリド
・DANPG:1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)-2,2-ジメチルプロパン
・PMDA:ピロメリット酸二無水物
・BPDA:3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
・BTDA:3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
・DMAc:N,N-ジメチルアセトアミド
Abbreviations used in Examples and the like are shown below.
• ABPN: 3,8-diaminodibenzopyranone • DAF: 2,7-diaminofluorene • ABF: 3,7-diaminodibenzofuran • m-TB: 2,2′-diamino-4,4′-diaminobiphenyl • 4 , 4'-DAPE: 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-DAPE: 3,4'-diaminodiphenyl ether, TPE-Q: 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, TPE-R: 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, APB: 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, BAPP: 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, DABA: 4,4'-Diaminobenzanilide DANPG: 1,3-bis (4-aminophenoxy) -2,2-dimethylpropane PMDA: pyromellitic dianhydride BPDA: 3,3 ', 4,4' -Biphenyltetracarboxylic dianhydride BTDA: 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride DMAc: N, N-dimethylacetamide
また、実施例中の各種物性の測定方法と条件を以下に示す。 In addition, measurement methods and conditions for various physical properties in the examples are shown below.
[線膨張係数(CTE)の測定]
3mm ×15mmのサイズのポリイミドフィルムを、熱機械分析(TMA)装置にて5.0gの荷重を加えながら一定の昇温速度(20℃/min)で30℃から260℃の温度範囲で引張り試験を行い、温度に対するポリイミドフィルムの伸び量から線膨張係数(ppm/K)を測定した。
[Measurement of linear expansion coefficient (CTE)]
Tensile test of polyimide film with a size of 3mm x 15mm in a temperature range from 30 ° C to 260 ° C at a constant heating rate (20 ° C / min) while applying a 5.0g load with a thermomechanical analysis (TMA) device The linear expansion coefficient (ppm / K) was measured from the amount of elongation of the polyimide film with respect to temperature.
[ガラス転移温度(Tg)の測定]
ポリイミドフィルム(10mm×22.6mm)を動的熱器械分析装置にて20℃から500℃まで5℃/分で昇温させたときの動的粘弾性を測定し、ガラス転移温度(tanδ極大値:℃)を求めた。
[Measurement of glass transition temperature (Tg)]
The dynamic viscoelasticity of a polyimide film (10mm x 22.6mm) was measured at a rate of 5 ° C / min from 20 ° C to 500 ° C using a dynamic thermo-analyzer, and the glass transition temperature (tanδ maximum value: ° C).
[吸湿率の測定]
4cm×20cmのポリイミドフィルム(各3枚)を、120℃で2時間乾燥した後、23℃/50%RHの恒温恒湿室で24時間以上静置し、その前後の重量変化から次式により求めた。
吸湿率(wt%)=[(吸湿後重量−乾燥後重量)/乾燥後重量]×100
[Measurement of moisture absorption rate]
After drying 4cm x 20cm polyimide films (each 3 sheets) at 120 ° C for 2 hours, leave it in a constant temperature and humidity chamber of 23 ° C / 50% RH for more than 24 hours. Asked.
Moisture absorption rate (wt%) = [(weight after moisture absorption−weight after drying) / weight after drying] × 100
[湿度膨張係数(CHE)の測定]
35cm×35cmのポリイミド/銅箔積層体の銅箔上に、エッチングレジスト層を設け、これを一辺が30cmの正方形の四辺に10cm間隔で直径1mmの点が16箇所配置するようにマスクを介して露光、現像を行い上記16箇所の銅箔残存点を有するCHE測定用ポリイミドフィルムを得た。このフィルムを120℃で2時間乾燥した後、23℃/50%RHの恒温恒湿環境において24時間以上静置し、二次元測長機により測定した銅箔点間の寸法変化から湿度膨張係数(ppm/%RH)を求めた。
[Measurement of humidity expansion coefficient (CHE)]
An etching resist layer is provided on a copper foil of a 35 cm x 35 cm polyimide / copper foil laminate, and this is arranged through a mask so that 16 points with a diameter of 1 mm are arranged at 10 cm intervals on four sides of a 30 cm square. Exposure and development were carried out to obtain a CHE measurement polyimide film having the above 16 copper foil remaining points. This film was dried at 120 ° C for 2 hours, then left in a constant temperature and humidity environment of 23 ° C / 50% RH for at least 24 hours, and the humidity expansion coefficient was determined from the dimensional change between the copper foil points measured by a two-dimensional measuring machine. (ppm /% RH) was determined.
[エッチング速度(Eg')の測定]
エッチング速度は、ポリイミドフィルムを用い、基準エッチング液(エチレンジアミン11wt%、エチレングリコール22 wt%、水酸化カリウム33.5wt%及び水33.5%)を用いて測定する。測定は、80℃の上記基準エッチング液に浸漬してポリイミド樹脂が全てなくなる時間を測定し、初期の厚みをエッチングに要した時間で割った値をエッチング速度とした。
[Measurement of etching rate (Eg ')]
The etching rate is measured using a polyimide film and using a reference etching solution (ethylene diamine 11 wt%, ethylene glycol 22 wt%, potassium hydroxide 33.5 wt%, and water 33.5%). The measurement was performed by measuring the time when the polyimide resin was completely removed by immersing in the reference etching solution at 80 ° C., and the value obtained by dividing the initial thickness by the time required for etching was taken as the etching rate.
[粘度の測定]
粘度は、恒温水槽付のコーンプレート式粘度計(トキメック社製)にて、25℃で測定した。
[Measurement of viscosity]
The viscosity was measured at 25 ° C. with a cone plate viscometer (manufactured by Tokimec Co., Ltd.) equipped with a constant temperature water bath.
[引張り弾性率(E’)の測定]
テンションテスターを用い、幅12.4mm、長さ160mmのポリイミドフィルムを10kgの荷重を加えながら50mm/minで引っ張り試験を行い、25℃における引張り弾性率(E’)を求めた。
[Measurement of tensile modulus (E ')]
Using a tension tester, a polyimide film having a width of 12.4 mm and a length of 160 mm was subjected to a tensile test at 50 mm / min while applying a load of 10 kg, and the tensile elastic modulus (E ′) at 25 ° C. was obtained.
[反り]
目視にて積層体(サイズ10cm×10cm)の反り状況を判断する。フラットするものは○とし、曲がるものは×とする。
[warp]
Visually judge the warpage of the laminate (size 10cm x 10cm). A flat object is indicated by a circle, and a bent object is indicated by a cross.
[半田耐熱試験]
積層体を所定形状で回路加工を行い、350℃半田浴に30sに漬ける。膨れがないものは○とし、あるものは×とする。
[Solder heat resistance test]
The laminated body is processed in a predetermined shape and immersed in a 350 ° C. solder bath for 30 s. If there are no blisters, use ◯.
合成例1〜12
ポリアミド酸A〜Lを合成するため、窒素気流下で、表1に示したジアミンを200mlのセパラブルフラスコの中で攪拌しながら溶剤DMAcに溶解させた。次いで、表1に示したテトラカルボン酸二無水物を加えた。その後、溶液を室温で3時間攪拌を続けて重合反応を行い、ポリイミド前駆体となるポリアミド酸A〜Lの黄〜茶褐色の粘稠な溶液が得られ、高重合度のポリアミド酸が生成されていることが確認された。ポリアミド酸の固形分と溶液粘度を表1に示した。ここで、固形分はポリアミド酸と溶剤の合計量に対するポリアミド酸の重量比率である。溶液粘度はE型粘度計を用い測定した。結果をまとめて表1に示す。なお、表中原料のモノマー成分の数値は配合量(g)を示す。
Synthesis Examples 1-12
In order to synthesize the polyamic acids A to L, the diamines shown in Table 1 were dissolved in the solvent DMAc while stirring in a 200 ml separable flask under a nitrogen stream. Subsequently, the tetracarboxylic dianhydride shown in Table 1 was added. Thereafter, the solution is stirred at room temperature for 3 hours to carry out a polymerization reaction, whereby a yellow-brown viscous solution of polyamic acids A to L to be a polyimide precursor is obtained, and a high degree of polyamic acid is produced. It was confirmed that The solid content and solution viscosity of the polyamic acid are shown in Table 1. Here, the solid content is a weight ratio of the polyamic acid to the total amount of the polyamic acid and the solvent. The solution viscosity was measured using an E-type viscometer. The results are summarized in Table 1. In addition, the numerical value of the monomer component of a raw material in a table | surface shows a compounding quantity (g).
参考例1〜12
ポリアミド酸A〜Lの溶液を、それぞれ銅箔またはSUS箔上にアプリケータを用いて塗布し、130℃で2〜4分間乾燥した後、更に130℃、160℃、200℃、230℃、280℃、320℃、360℃で各2〜12分段階的な熱処理を行って、銅箔上にポリイミド層を形成した。また、多層のポリイミド樹脂層の場合は、ポリアミド酸溶液を順番で塗布して乾燥する操作を繰り返した後、これを更に高温で段階的な熱処理を行って、多層構造のポリイミド樹脂層を形成した。
Reference Examples 1-12
The solution of polyamic acid A to L was applied on a copper foil or SUS foil using an applicator, dried at 130 ° C. for 2 to 4 minutes, and then further 130 ° C., 160 ° C., 200 ° C., 230 ° C., 280 Stepwise heat treatment was performed at 2 ° C., 320 ° C., and 360 ° C. for 2 to 12 minutes to form a polyimide layer on the copper foil. In the case of a multilayer polyimide resin layer, the operation of applying and drying the polyamic acid solution in order was repeated, and then a stepwise heat treatment was performed at a higher temperature to form a multilayered polyimide resin layer. .
積層体から塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔をエッチング除去して参考例1〜9のポリイミドフィルムを作成し、線膨張係数(CTE)、ガラス転移温度(Tg)、吸湿率、湿度膨張係数(CHE)、ポリイミドエッチング速度及び引張り弾性率を求めた。なお、A〜Lのポリイミドフィルムは、各々A〜Lのポリアミド酸から得られたことを意味する。 Copper foil is etched away from the laminate using an aqueous ferric chloride solution to create polyimide films of Reference Examples 1 to 9, linear expansion coefficient (CTE), glass transition temperature (Tg), moisture absorption, humidity expansion coefficient (CHE), polyimide etching rate and tensile modulus were determined. It should be noted that the A to L polyimide films were obtained from the A to L polyamic acids, respectively.
実施例1
厚み18μmの電解銅箔(平均表面粗さRz:2.0μm)上に、合成例10によって得られたポリアミド酸樹脂Jの溶液を硬化後の厚みが2μmとなるように塗布し、120℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、その上に合成例1によって得られたポリアミド酸樹脂Aの溶液を硬化後の厚みが22μmとなるように塗布し、120℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。更に、その上にポリアミド酸樹脂Jの溶液を硬化後の厚みが2μmとなるように塗布し、120℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。この後、130℃、160℃、200℃、230℃、280℃、320℃、360℃で各2〜12分段階的な熱処理を行って、銅箔上に3層のポリイミド層からなる配線基板用積層体を作成した。銅箔上のポリイミド層の厚みは、J/A/Jの順に2/22/2μmである。ポリイミド樹脂層の評価は、配線基板用積層体の銅箔をエッチングにより除去したポリイミドフィルムについて行った。積層体の評価結果を表3に示す。
Example 1
The solution of polyamic acid resin J obtained in Synthesis Example 10 was applied onto an electrolytic copper foil (average surface roughness Rz: 2.0 μm) having a thickness of 18 μm so that the thickness after curing was 2 μm and heated at 120 ° C. Dry and remove the solvent. Next, the solution of the polyamic acid resin A obtained in Synthesis Example 1 was applied thereon so that the thickness after curing was 22 μm, and dried by heating at 120 ° C. to remove the solvent. Further, a solution of the polyamic acid resin J was applied thereon so that the thickness after curing was 2 μm, and dried by heating at 120 ° C. to remove the solvent. After this, stepwise heat treatment is performed at 130 ° C, 160 ° C, 200 ° C, 230 ° C, 280 ° C, 320 ° C, and 360 ° C for 2 to 12 minutes each, and the wiring board is composed of three polyimide layers on the copper foil. A laminate was prepared. The thickness of the polyimide layer on the copper foil is 2/22/2 μm in the order of J / A / J. The evaluation of the polyimide resin layer was performed on a polyimide film obtained by removing the copper foil of the wiring board laminate by etching. The evaluation results of the laminate are shown in Table 3.
実施例2
厚み20μmのステンレス箔(Rz:0.5μm)上に、合成例12によって得られたポリアミド酸樹脂Lの溶液を硬化後の厚みが2μmとなるように塗布し、120℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、その上に合成例2によって得られたポリアミド酸樹脂Bの溶液を硬化後の厚みが8μmとなるように塗布し、120℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。この後、130℃、160℃、200℃、230℃、280℃、320℃、360℃で各2〜12分段階的な熱処理を行って、ステンレス箔上に2層のポリイミド層からなる配線基板用積層体を作成した。ステンレス箔上のポリイミド層の厚みは、ステンレス側からL/Bの順に2/8μmである。ポリイミド樹脂層(ポリイミドフィルム)及び積層体の評価結果を表3に示す。
Example 2
Apply the solution of polyamic acid resin L obtained in Synthesis Example 12 on a stainless steel foil (Rz: 0.5 μm) with a thickness of 20 μm so that the thickness after curing is 2 μm, and heat dry at 120 ° C. to remove the solvent. did. Next, the solution of the polyamic acid resin B obtained in Synthesis Example 2 was applied thereon so that the thickness after curing was 8 μm, and dried by heating at 120 ° C. to remove the solvent. After this, heat treatment is performed stepwise at 130 ° C, 160 ° C, 200 ° C, 230 ° C, 280 ° C, 320 ° C, and 360 ° C for 2 to 12 minutes each to form a wiring board composed of two polyimide layers on a stainless steel foil. A laminate was prepared. The thickness of the polyimide layer on the stainless steel foil is 2/8 μm in the order of L / B from the stainless steel side. Table 3 shows the evaluation results of the polyimide resin layer (polyimide film) and the laminate.
実施例3
ステンレス箔上のポリイミド樹脂層の構成を、K/Cとし、硬化後のポリイミド層の厚みがステンレス側からK/Cの順に2/8μmとなるようにしたこと以外は実施例2と同様に行った。ポリイミド樹脂層(ポリイミドフィルム)及び積層体の評価結果を表3に示す。
Example 3
The configuration of the polyimide resin layer on the stainless steel foil was K / C, and the same procedure as in Example 2 was performed except that the thickness of the cured polyimide layer was 2/8 μm in the order of K / C from the stainless steel side. It was. Table 3 shows the evaluation results of the polyimide resin layer (polyimide film) and the laminate.
実施例4
ステンレス箔上のポリイミド樹脂層の構成を、D/Lとし、硬化後のポリイミド層の厚みがステンレス側からD/Lの順に8/2μmとなるようにしたこと以外は実施例2と同様に行った。ポリイミド樹脂層(ポリイミドフィルム)及び積層体の評価結果を表3に示す。
Example 4
The configuration of the polyimide resin layer on the stainless steel foil was set to D / L, and the same procedure as in Example 2 was performed except that the thickness of the cured polyimide layer was 8/2 μm in the order of D / L from the stainless steel side. It was. Table 3 shows the evaluation results of the polyimide resin layer (polyimide film) and the laminate.
実施例5
銅箔に厚み18μmの圧延銅箔(Rz:1.0μm)を用い、ポリイミド樹脂層AをEに変更したこと以外は、実施例1と同様に行った。ポリイミド樹脂層(ポリイミドフィルム)及び積層体の評価結果を表3に示す。
Example 5
The same procedure as in Example 1 was performed except that a rolled copper foil (Rz: 1.0 μm) having a thickness of 18 μm was used as the copper foil, and the polyimide resin layer A was changed to E. Table 3 shows the evaluation results of the polyimide resin layer (polyimide film) and the laminate.
実施例6
ステンレス箔上のポリイミド樹脂層の構成をF/Jとし、硬化後のポリイミド層の厚みがステンレス側からF/Jの順に8/2μmとなるようにしたこと以外は実施例2と同様に行った。ポリイミド樹脂層(ポリイミドフィルム)及び積層体の評価結果を表3に示す。
Example 6
The configuration of the polyimide resin layer on the stainless steel foil was F / J, and the same procedure as in Example 2 was performed except that the thickness of the cured polyimide layer was 8/2 μm in the order of F / J from the stainless steel side. . Table 3 shows the evaluation results of the polyimide resin layer (polyimide film) and the laminate.
比較例1
ステンレス箔上のポリイミド樹脂層の構成をK/Gとしたこと以外は実施例2と同様に行った。ステンレス箔上のポリイミド層の厚みは、ステンレス側からK/Gの順に2/8μmである。ポリイミド樹脂層(ポリイミドフィルム)及び積層体の評価結果を表3に示す。
Comparative Example 1
It carried out similarly to Example 2 except having set the structure of the polyimide resin layer on stainless steel foil to K / G. The thickness of the polyimide layer on the stainless steel foil is 2/8 μm in the order of K / G from the stainless steel side. Table 3 shows the evaluation results of the polyimide resin layer (polyimide film) and the laminate.
比較例2
ステンレス箔上のポリイミド樹脂層の構成をL/Hとしたこと以外は実施例2と同様に行った。ステンレス箔上のポリイミド層の厚みは、ステンレス側からL/Hの順に2/8μmである。ポリイミド樹脂層(ポリイミドフィルム)及び積層体の評価結果を表3に示す。
Comparative Example 2
It carried out similarly to Example 2 except having set the structure of the polyimide resin layer on stainless steel foil to L / H. The thickness of the polyimide layer on the stainless steel foil is 2/8 μm in the order of L / H from the stainless steel side. Table 3 shows the evaluation results of the polyimide resin layer (polyimide film) and the laminate.
比較例3
ポリイミド樹脂層AをIに変更したこと以外は、実施例1と同様に行った。ポリイミド樹脂層(ポリイミドフィルム)及び積層体の評価結果を表3に示す。
Comparative Example 3
The same operation as in Example 1 was performed except that the polyimide resin layer A was changed to I. Table 3 shows the evaluation results of the polyimide resin layer (polyimide film) and the laminate.
表3に示すように、実施例1〜4の配線基板用積層体は、低い線膨張係数で半田耐熱膨れも発生しない耐熱性が高いポリイミド樹脂層であった。また、積層体は反りを生じず、金属層とポリイミド樹脂層との接着力(ピール強度)も良好であった。特に、実施例2〜4のポリイミド層はエッチング速度が早いものであった。 As shown in Table 3, the laminates for wiring boards of Examples 1 to 4 were polyimide resin layers with high heat resistance that did not generate solder heat swell with a low linear expansion coefficient. Moreover, the laminated body did not warp, and the adhesive force (peel strength) between the metal layer and the polyimide resin layer was also good. In particular, the polyimide layers of Examples 2 to 4 had a high etching rate.
実施例5、6の配線基板用積層体は、低い線膨張係数で半田耐熱膨れも発生しない耐熱性が高いだけでなく、低弾性率のポリイミド樹脂層であった。特に、実施例6のポリイミド層はエッチング速度が早いものであった。 The laminates for wiring boards of Examples 5 and 6 were not only high heat resistance that did not cause solder heat expansion but also low thermal expansion, and were low-modulus polyimide resin layers. In particular, the polyimide layer of Example 6 had a high etching rate.
比較例1と2の配線基板用積層体は、ポリイミド樹脂層の吸湿率と湿度膨張係数が高く、エッチング速度も遅いものであった。吸湿率が大きいため、半田耐熱試験では膨れが発生した。 The laminates for wiring boards of Comparative Examples 1 and 2 had a high moisture absorption rate and humidity expansion coefficient of the polyimide resin layer and a slow etching rate. Due to the high moisture absorption rate, swelling occurred in the solder heat resistance test.
比較例3は式(a1)の構造単位を90モル%保有するポリアミド酸Iから得られた積層体であり、多量の気泡が発生したためフィルム特性の評価が不能(NG)であった。配線基板用に応用可能な積層体は得られなかった。 Comparative Example 3 was a laminate obtained from the polyamic acid I having 90 mol% of the structural unit of the formula (a1). Since a large amount of bubbles was generated, the film characteristics could not be evaluated (NG). A laminate applicable to a wiring board could not be obtained.
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