JP2009027039A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- 複数個の半導体素子が積層された積層型半導体装置であって、
前記半導体素子の電極端子に一端が接続された金属ワイヤが、前記半導体素子の側面側に延出され、該側面に当接されており、
且つ前記半導体素子の側面側に延出された金属ワイヤの部分の少なくとも一部が、前記積層された半導体素子の側面に導電性粒子を含有する導電性ペーストによって形成された側面配線に接合されていることを特徴とする積層型半導体装置。 - 金属ワイヤが、電極端子が形成された電極端子形成面が上面となるように半導体素子を搭載した金属箔に、一端を接続した金属ワイヤの他端を半導体素子の電極端子に接続する打ち上げ方式でワイヤボンディングして、前記半導体素子の側面側に延出されている請求項１記載の積層型半導体装置。
- 金属ワイヤが、半導体素子の側面を越えて電極端子形成面に対して反対側面まで延出されている請求項１又は請求項２記載の積層型半導体装置。
- 電極端子に一端が接続された金属ワイヤが側面側に延出され、該側面に当接された複数個の半導体素子を接着層を介して積層した後、
前記積層した半導体素子の側面に導電性ペーストを塗布し、前記半導体素子の側面側に延出した金属ワイヤの部分の少なくとも一部を接合する側面配線を形成することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。 - 複数個の半導体素子を積層する前に、
電極端子が形成された電極端子形成面が上面となるように半導体素子を搭載した金属箔に、一端を接続した金属ワイヤの他端を半導体素子の電極端子に接続する打ち上げ方式でワイヤボンディングした後、前記金属ワイヤを半導体素子の側面に当接するように前記半導体素子を回転し、次いで、前記半導体素子の側面に金属ワイヤを延出した状態で前記金属ワイヤを切断する請求項４記載の積層型半導体装置の製造方法。 - 複数個の半導体素子を積層する前に、
電極端子が形成された電極端子形成面が上面となるように半導体素子を搭載した金属箔に、一端を接続した金属ワイヤの他端を半導体素子の電極端子に接続する打ち上げ方式でワイヤボンディングした後、前記金属ワイヤを半導体素子の側面に当接するように前記半導体素子をスライドし、次いで、前記半導体素子の側面に金属ワイヤを延出した状態で前記金属ワイヤを切断する請求項４記載の積層型半導体装置の製造方法。 - 複数個の半導体素子を積層する前に、
電極端子が形成された電極端子形成面が上面となるように半導体素子を搭載した金属箔に、一端を接続した金属ワイヤの他端を半導体素子の電極端子に接続する打ち上げ方式でワイヤボンディングした後、前記金属ワイヤを半導体素子の側面及び前記電極端子形成面の反対側面に当接するように前記半導体素子を回転して、前記半導体素子の側面及び電極端子形成面の反対側面に金属ワイヤを延出している状態で前記金属ワイヤを切断する請求項４記載の積層型半導体装置の製造方法。
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